特許7460975IP Force 特許公報全文掲載

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半導体装置の製造等に有用な結晶膜の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、高品質な結晶膜を工業的有利に得ることのできる製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者らは、目的を達成すべく鋭意検討した結果、金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の加熱された基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法において、前記基板として、表面にバッファ層を有している基板を用いて、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの流通下で行うと、驚くべきことに、準安定相の結晶膜であ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の製造方法によれば、高品質な結晶膜を工業的有利に得ることができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明において好適に用いられるハライド気相成長（ＨＶＰＥ）装置を説明する図である。
【図2】 本発明において好適に用いられる基板の表面上に形成された凹凸部の一態様を示す模式図である。
【図3】 本発明において好適に用いられる基板の表面上に形成された凹凸部の表面を模式的に示す図である。
【図4】 本発明において好適に用いられる基板の表面上に形成された凹凸部の一態様を示す模式図である。
【図5】 本発明において好適に用いられる基板の表面上に形成された凹凸部の表面を模式的に示す図である。
【図6】 本発明において好適に用いられる基板の表面上に形成された凹凸部の一態様を示す模式図である。（ａ）は凹凸部の模式的斜視図であり、（ｂ）は凹凸部の模式的表面図である。
【図7】 本発明において好適に用いられる基板の表面上に形成された凹凸部の一態様を示す模式図である。（ａ）は凹凸部の模式的斜視図であり、（ｂ）は凹凸部の模式的表面図である。
【図8】 実施例で用いたミストＣＶＤ装置を説明する図である。
【図9】 実施例におけるφスキャンＸＲＤ測定結果を示す図である。
【図10】 実施例におけるＳＥＭ観察結果（鳥瞰図と断面図）を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

ａ 周期 １ 基板本体 １ａ 基板の表面 ２ａ 凸部 ２ｂ 凹部 ３ 結晶膜 ４ マスク層 ５ バッファ層 １９ ミストＣＶＤ装置 ２０ 被成膜試料 ２１ 試料台 ２２ａ キャリアガス源 ２２ｂ キャリアガス（希釈）源 ２３ａ 流量調節弁 ２３ｂ 流量調節弁 ２４ ミスト発生源 ２４ａ 原料溶液 ２５ 容器 ２５ａ 水 ２６ 超音波振動子 ２７ 成膜室 ２８ ヒータ ５０ ハライド気相成長（ＨＶＰＥ）装置 ５１ 反応室 ５２ａ ヒータ ５２ｂ ヒータ ５３ａ ハロゲン含有原料ガス供給源 ５３ｂ 金属含有原料ガス供給管 ５４ａ 反応性ガス供給源 ５４ｂ 反応性ガス供給管 ５５ａ 酸素含有原料ガス供給源 ５５ｂ 酸素含有原料ガス供給管 ５６ 基板ホルダ ５７ 金属源 ５８ 保護シート ５９ ガス排出部

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