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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-04-01
(45)【発行日】2024-04-09
(54)【発明の名称】接合体、その製造方法、電極埋設部材、およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
C04B 37/00 20060101AFI20240402BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20240402BHJP
【ＦＩ】
C04B37/00 C
H01L21/68 N
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2020041215
(22)【出願日】2020-03-10
(65)【公開番号】P2021143084
(43)【公開日】2021-09-24
【審査請求日】2023-01-19
(73)【特許権者】
【識別番号】000004547
【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100114258
【弁理士】
【氏名又は名称】福地 武雄
(74)【代理人】
【識別番号】100125391
【弁理士】
【氏名又は名称】白川 洋一
(74)【代理人】
【識別番号】100208605
【弁理士】
【氏名又は名称】早川 龍一
(72)【発明者】
【氏名】成瀬 則幸
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 裕明
【審査官】神▲崎▼ 賢一
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１１－０５７４８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－０３２８４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１８／０２１４９１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１１－０１１９３１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０４Ｂ ３７／００
Ｈ０１Ｌ ２１／６８３
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＡｌＮを主成分とする２種類のセラミックス焼結体の接合体の製造方法であって、ＡｌＮ原料にＹ２Ｏ３を添加した原料粉を造粒して第１の成形体を作製する工程と、
前記第１の成形体を脱脂処理して第１の脱脂体を作製する工程と、
前記第１の脱脂体を焼成して第１のセラミックス焼結体を作製する工程と、
ＡｌＮ原料に焼結助剤を添加しないで原料粉を造粒して第２の成形体を作製する工程と、
前記第２の成形体を脱脂処理して第２の脱脂体を作製する工程と、
前記第２の脱脂体を焼成して第２のセラミックス焼結体を作製する工程と、
前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体とを加熱しつつ接合して前記接合体を作製する工程と、を含み、
前記第１の脱脂体を作製する工程において、前記第１の脱脂体は、脱脂温度Ｔ（℃）と脱脂時間Ｈ（ｈ）とＹ２Ｏ３添加量を内比でＣ（ｗｔ％）として、Ｔ＞２０×Ｃ＋４４０かつＨ≧３００／｛Ｔ－（２０×Ｃ＋４４０）｝を満たす条件で作製することを特徴とする接合体の製造方法。
【請求項2】
処理対象を表面上に保持する板状の保持部材と前記保持部材を支持する支持部材とを接合させた電極埋設部材であって、前記保持部材は、ＡｌＮを主成分とするセラミックス焼結体で形成された表面層およびバルク層と、前記表面層とバルク層との間に設けられた電極と、を備え、
前記支持部材は、ＡｌＮを主成分とするセラミックス焼結体で形成され、
前記バルク層を形成するセラミックス焼結体は、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で０．３ｗｔ％以上含み、
前記バルク層と前記支持部材との接合界面の粒界にＹＡＧ粒子が含まれ、ＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれないことを特徴とする電極埋設部材。
【請求項3】
処理対象を表面上に保持する板状の保持部材と前記保持部材を支持する支持部材とを接合させた電極埋設部材の製造方法であって、ＡｌＮ原料にＹ２Ｏ３を添加した原料粉を造粒して複数の第３の成形体を作製する工程と、
前記複数の第３の成形体を脱脂処理して複数の第３の脱脂体を作製する工程と、
前記複数の第３の脱脂体に電極を挟んで積層し、前記積層された積層体を焼成して前記保持部材を作製する工程と、
ＡｌＮ原料に焼結助剤を添加しないで原料粉を造粒して第４の成形体を作製する工程と、
前記第４の成形体を脱脂処理して第４の脱脂体を作製する工程と、
前記第４の脱脂体を焼成して前記支持部材を作製する工程と、
前記保持部材と前記支持部材とを加熱しつつ接合して電極埋設部材を作製する工程と、を含み、
前記第３の脱脂体を作製する工程において、少なくとも前記支持部材と接合する側に配置する前記第３の脱脂体は、脱脂温度Ｔ（℃）と脱脂時間Ｈ（ｈ）とＹ２Ｏ３添加量を内比でＣ（ｗｔ％）として、Ｔ＞２０×Ｃ＋４４０かつＨ≧３００／｛Ｔ－（２０×Ｃ＋４４０）｝を満たす条件で作製することを特徴とする電極埋設部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、接合体、その製造方法、電極埋設部材、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体製造装置に用いられるウェハ加熱用ＡＬＮヒータは、ＡｌＮ焼結体製のヒータープレートとそのプレートを断熱するＡｌＮ焼結体製のシャフトが接合されるものがある。また、半導体製造装置に用いられるＡｌＮ製静電チャックは、ＡｌＮ焼結体の間に電極を挟み、接合することで製造されるものがある。このように、半導体製造装置に用いられるＡｌＮ製部材は、ＡｌＮ焼結体同士を接合して製造されることがある。
【0003】
特許文献１には、窒化アルミニウム質の基材同士を接合するのに際して、基材同士の間に接合助剤を介在させた状態で、接合助剤の融点以上の温度範囲で基材および接合助剤を加熱することによって、接合助剤を溶融させると共に、溶融した接合助剤と基材との界面近傍で窒化アルミニウム粒子を液相化させ、次いで、接合助剤および基材を、一層高い温度範囲で、かつ基材の焼結温度よりも低い温度範囲で加熱することによって、接合助剤を基材の間から排出させる技術が開示されている。
【0004】
また、特許文献２には、窒化アルミニウム焼結体間に、接合材料をはさみ込み、それを加熱処理して接合する窒化アルミニウム焼結体の接合方法において、該接合材料が、２５～８０ｍｏｌ％の酸化アルミニウム粉末と２０～７５ｍｏｌ％の酸化イットリウム粉末から成る混合粉末であり、該接合材料のはさみ込む量が、接合面１ｃｍ２当たり０．１ｇ以上であり、該接合材料の加熱処理する方法が、１５ｇ／ｃｍ２以上の荷重をかけながら２０００℃以下の温度で熱処理する方法であることとした窒化アルミニウム焼結体の接合方法の技術が開示されている。
【0005】
また、特許文献３には、相対密度９９％以上の第１及び第２のセラミックス焼結体、並びに空隙を有する導体を用意する工程と、第１及び第２のセラミックス焼結体の間に導体を挟み込み、ホットプレスすることにより、少なくとも一方のセラミックス焼結体がクリープして空隙が埋まり、他方のセラミックス焼結体と接合する工程とを含み、第１及び第２のセラミックス焼結体は、互いに共通する成分を主成分とし、少なくとも一方のセラミックス焼結体の平均粒径を７μｍ以下とする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開平１０－１６７８５０号公報
【文献】特開平１１－３４９３８６号公報
【文献】特開２０１１－１４８６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、例えば、ＡｌＮ焼結体で形成されたプレートとシャフトとを接合する場合、接合するプレートとシャフトのＡｌＮに添加されている添加物の種類や量が異なるため、接合界面でプレートとシャフトとを構成するそれぞれのＡｌＮ粒子の焼結が阻害されるなどして、接合強度が低下する場合があった。このように、接合するＡｌＮ焼結体の組成等が異なるときには、接合がうまくいかないことがあった。そこで、２種類のＡｌＮ焼結体を接合する場合においても良好な接合界面となる接合方法が要望されていた。
【0008】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、接合強度の強いＡｌＮを主成分とする２種類のセラミックス焼結体の接合体、その製造方法、保持部材と支持部材とを接合させた電極埋設部材、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
（１）上記の目的を達成するため、本発明の接合体は、ＡｌＮを主成分とする２種類のセラミックス焼結体の接合体であって、少なくとも一方のセラミックス焼結体は、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で０．３ｗｔ％以上含み、前記２種類のセラミックス焼結体の接合界面の粒界にＹＡＧ粒子が含まれ、ＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれないことを特徴としている。これにより、ＹＡＰ粒子またはＹＡＭ粒子が含まれる場合と比較して接合強度が強くなる。
【0010】
（２）また、本発明の接合体の製造方法は、ＡｌＮを主成分とする２種類のセラミックス焼結体の接合体の製造方法であって、ＡｌＮ原料にＹ２Ｏ３を添加した原料粉を造粒して第１の成形体を作製する工程と、前記第１の成形体を脱脂処理して第１の脱脂体を作製する工程と、前記第１の脱脂体を焼成して第１のセラミックス焼結体を作製する工程と、ＡｌＮ原料に焼結助剤を添加しないで原料粉を造粒して第２の成形体を作製する工程と、前記第２の成形体を脱脂処理して第２の脱脂体を作製する工程と、前記第２の脱脂体を焼成して第２のセラミックス焼結体を作製する工程と、前記第１のセラミックス焼結体と前記第２のセラミックス焼結体とを加熱しつつ接合して接合体を作製する工程と、を含み、前記第１の脱脂体を作製する工程において、前記第１の脱脂体は、脱脂温度Ｔ（℃）と脱脂時間Ｈ（ｈ）とＹ２Ｏ３添加量を内比でＣ（ｗｔ％）として、Ｔ＞２０×Ｃ＋４４０かつＨ≧３００／｛Ｔ－（２０×Ｃ＋４４０）｝を満たす条件で作製することを特徴としている。これにより、脱脂条件を満たさない場合と比較して接合強度が強い接合体を製造できる。
【0011】
（３）また、本発明の電極埋設部材は、処理対象を表面上に保持する板状の保持部材と前記保持部材を支持する支持部材とを接合させた電極埋設部材であって、前記保持部材は、ＡｌＮを主成分とするセラミックス焼結体で形成された表面層およびバルク層と、前記表面層とバルク層との間に設けられた電極と、を備え、前記支持部材は、ＡｌＮを主成分とするセラミックス焼結体で形成され、前記バルク層を形成するセラミックス焼結体は、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で０．３ｗｔ％以上含み、前記バルク層と前記支持部材との接合界面の粒界にＹＡＧ粒子が含まれ、ＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれないことを特徴としている。これにより、ＹＡＰ粒子またはＹＡＭ粒子が含まれる場合と比較して接合強度が強くなる。
【0012】
（４）また、本発明の電極埋設部材の製造方法は、処理対象を表面上に保持する板状の保持部材と前記保持部材を支持する支持部材とを接合させた電極埋設部材の製造方法であって、ＡｌＮ原料にＹ２Ｏ３を添加した原料粉を造粒して複数の第３の成形体を作製する工程と、前記複数の第３の成形体を脱脂処理して複数の第３の脱脂体を作製する工程と、前記複数の第３の脱脂体に電極を挟んで積層し、前記積層された積層体を焼成して前記保持部材を作製する工程と、ＡｌＮ原料に焼結助剤を添加しないで原料粉を造粒して第４の成形体を作製する工程と、前記第４の成形体を脱脂処理して第４の脱脂体を作製する工程と、前記第４の脱脂体を焼成して前記支持部材を作製する工程と、前記保持部材と前記支持部材とを加熱しつつ接合して電極埋設部材を作製する工程と、を含み、前記第３の脱脂体を作製する工程において、少なくとも前記支持部材と接合する側に配置する前記第３の脱脂体は、脱脂温度Ｔ（℃）と脱脂時間Ｈ（ｈ）とＹ２Ｏ３添加量を内比でＣ（ｗｔ％）として、Ｔ＞２０×Ｃ＋４４０かつＨ≧３００／｛Ｔ－（２０×Ｃ＋４４０）｝を満たす条件で作製することを特徴としている。これにより、脱脂条件を満たさない場合と比較して接合強度が強い電極埋設部材を製造できる。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、ＡｌＮを主成分とする２種類のセラミックス焼結体の接合体の接合強度が強くなる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】第１の実施形態の接合体を示す正断面図である。
【図2】第２の実施形態の電極埋設部材を示す正断面図である。
【図3】（ａ）～（ｄ）それぞれ第２の実施形態の製造工程の一段階を模式的に示す断面図である。
【図4】各試料の脱脂条件および評価結果を示す表である。
【図5】（ａ）、（ｂ）それぞれ試料ａ１からａ１５の各試料の接合強度および粒子径比のデータを脱脂温度と脱脂時間のグラフ上にプロットした図である。
【図6】Ｙ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３系化合物の相図である。
【図7】脱脂条件を変えた試料の破断面を示すＳＥＭ写真である。
【図8】Ｙ成分の添加量としきい式（２）の関係を例示した図である。
【図9】各試料の焼結助剤の添加量および評価結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
次に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。なお、構成図において、各構成要素の大きさは概念的に表したものであり、必ずしも実際の寸法比率を表すものではない。
【0016】
［第１の実施形態］
［接合体の構成］
図１は、接合体１０を示す正断面図である。接合体１０は、ＡｌＮを主成分とする２種類のセラミックス焼結体（第１のセラミックス焼結体１１、第２のセラミックス焼結体１２）が接合されて形成されている。ＡｌＮを主成分とするセラミックス焼結体とは、ＡｌＮを７０ｗｔ％以上含むことをいう。また、２種類のセラミックス焼結体とは、それぞれのセラミックス焼結体の組成が異なることをいい、焼結助剤の有無やその量が異なることを含む。
［接合体の構成］
図１は、接合体１０を示す正断面図である。接合体１０は、ＡｌＮを主成分とする２種類のセラミックス焼結体（第１のセラミックス焼結体１１、第２のセラミックス焼結体１２）が接合されて形成されている。ＡｌＮを主成分とするセラミックス焼結体とは、ＡｌＮを７０ｗｔ％以上含むことをいう。また、２種類のセラミックス焼結体とは、それぞれのセラミックス焼結体の組成が異なることをいい、焼結助剤の有無やその量が異なることを含む。
【0017】
少なくとも一方のセラミックス焼結体は、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で０．３ｗｔ％以上含む。また、少なくとも一方のセラミックス焼結体は、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で１．０ｗｔ％以上含むことが好ましく、２．０ｗｔ％以上含むことがより好ましい。また、少なくとも一方のセラミックス焼結体は、Ｙ成分を焼結助剤として機能する必要な量添加されていればよいため、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で７．０ｗｔ％以下含むことが好ましく、６．０ｗｔ％以下含むことがより好ましく、５．０ｗｔ％以下含むことがさらに好ましい。このとき、他方のセラミックス焼結体は、Ｙ成分を含まないことが好ましいが、含んでいてもよい。Ｙ成分を含む場合は、一方のセラミックス焼結体のＹ成分のＹ２Ｏ３換算した含有量（ｗｔ％）との差が、０．３ポイント以上であることが好ましく、１．０ポイント以上であることがより好ましい。
【0018】
Ｙ成分を含むセラミックス焼結体は、ＡｌＮを主成分とするセラミック焼結体で形成され、Ｙ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３の複酸化物の結晶相が含まれている。
【0019】
接合体１０は、２種類のセラミックス焼結体の接合界面１３の粒界にＹＡＧ粒子が含まれ、ＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれない。これにより、ＹＡＰ粒子またはＹＡＭ粒子が含まれる場合と比較して接合強度が強くなる。
【0020】
なお、このような組成は、Ｘ線回折においてＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、ＹＡＭ（Ｙ４Ａｌ２Ｏ９）、ＹＡＰ（ＹＡｌＯ３）のピークが認められるか否かで評価できる。ピークか否かは、バックグラウンドの２倍以上の強度を示す先端があるか否かで判断できる。ＹＡＧ粒子が含まれるか否かは、ＪＣＰＤＳカードＩＣＤＤ＃０１－０７３－３１８４に示されたＹＡＧの回折ピークのうち、回折角度１８．１１°付近に表れるピークの有無で判断できる。ＹＡＭ粒子が含まれるか否かは、ＪＣＰＤＳカードＩＣＤＤ＃００－０３３－０３６８に示されたＹＡＭの回折ピークのうち、回折角度３０．６０°付近に表れるピークの有無で判断できる。ＹＡＰ粒子が含まれるか否かは、ＪＣＰＤＳカードＩＣＤＤ＃００－０３３－００４１に示されたＹＡＰの回折ピークのうち、回折角度３４．２４°付近に表れるピークの有無で判断できる。
【0021】
２種類のセラミックス焼結体の接合界面において、ＹＡＧ粒子の粒子径とＡｌＮ粒子の粒子径との比は、０．３以下であることが好ましい。このように細かいＹＡＧ粒子が分散しているため、接合界面で２種類のセラミックス焼結体が良好に接合されると考えられる。
【0022】
［接合体の製造方法］
次に、上記のように構成された接合体１０の製造方法を説明する。まず、２種類の造粒粉を造粒する。一方の造粒粉は、ＡｌＮ原料粉に内比で０．３～７．０ｗｔ％のＹ２Ｏ３を添加し、ＰＶＡ系のバインダを添加して造粒粉を造粒する。他方の造粒粉は、ＡｌＮ原料に焼結助剤を添加しないでＰＶＡ系のバインダを添加して造粒粉を造粒する。そして、得られた造粒粉をそれぞれ用いて第１の成形体、および第２の成形体を作製する。次に、第１の成形体、および第２の成形体を所定の温度以上、所定の時間以上脱脂処理して第１の脱脂体、および第２の脱脂体を作製する。なお、脱脂には、大気炉または窒素雰囲気炉を用いることができるが、バインダを除去することが重要なので大気炉の方が好ましい。
次に、上記のように構成された接合体１０の製造方法を説明する。まず、２種類の造粒粉を造粒する。一方の造粒粉は、ＡｌＮ原料粉に内比で０．３～７．０ｗｔ％のＹ２Ｏ３を添加し、ＰＶＡ系のバインダを添加して造粒粉を造粒する。他方の造粒粉は、ＡｌＮ原料に焼結助剤を添加しないでＰＶＡ系のバインダを添加して造粒粉を造粒する。そして、得られた造粒粉をそれぞれ用いて第１の成形体、および第２の成形体を作製する。次に、第１の成形体、および第２の成形体を所定の温度以上、所定の時間以上脱脂処理して第１の脱脂体、および第２の脱脂体を作製する。なお、脱脂には、大気炉または窒素雰囲気炉を用いることができるが、バインダを除去することが重要なので大気炉の方が好ましい。
【0023】
脱脂体を作製する工程は、第１の脱脂体を作製するか第２の脱脂体を作製するかで条件が異なる。第１の脱脂体は、脱脂温度Ｔ（℃）と脱脂時間Ｈ（ｈ）とＹ２Ｏ３添加量を内比でＣ（ｗｔ％）として、Ｔ＞２０×Ｃ＋４４０かつＨ≧３００／｛Ｔ－（２０×Ｃ＋４４０）｝を満たす条件で作製する。これにより、第１の脱脂体から作製される第１のセラミックス焼結体１１が、粒界にＹＡＧ粒子が含まれ、ＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれなくなる。その結果、第２のセラミックス焼結体１２と接合した際に、接合強度が強くなる。
【0024】
また、第２の脱脂体は、添加したバインダが残留しない脱脂温度と脱脂時間であれば、特別な条件を付けなくてもよい。第２の脱脂体はＹ成分を含まないため、第２の脱脂体から作製される第２のセラミックス焼結体１２にＹＡＧ粒子、ＹＡＰ粒子、またはＹＡＭ粒子は含まれない。
【0025】
なお、第２の成形体を成形する際に使用した造粒粉に、第１の成形体を成形する際に使用した造粒粉とは異なる添加割合でＹ２Ｏ３を添加してもよいが、その場合は、第１の脱脂体を作製する際の条件と同様に、脱脂温度Ｔ（℃）と脱脂時間Ｈ（ｈ）とＹ２Ｏ３添加量を内比でＣ（ｗｔ％）として、Ｔ＞２０×Ｃ＋４４０かつＨ≧３００／｛Ｔ－（２０×Ｃ＋４４０）｝を満たす条件で作製する。これにより、第２の脱脂体から作製される第２のセラミックス焼結体１２も、粒界にＹＡＧ粒子が含まれ、ＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれなくなる。
【0026】
次に、第１の脱脂体および第２の脱脂体を焼成し、第１のセラミックス焼結体１１および第２のセラミックス焼結体１２を作製する。焼結条件は、通常のＡｌＮ焼結体を作製する条件でよく、例えば、１８００℃以上２０００℃以下の温度で０．１時間以上１０時間以下保持することで焼成することができる。
【0027】
そして、第１のセラミックス焼結体１１および第２のセラミックス焼結体１２を接合する。接合は、それぞれのセラミックス焼結体の接合面を鏡面研磨して接触させ、加圧下で加熱する固相接合であることが好ましい。また、接合材を用いないことが好ましい。例えば、１６００℃以上１９００℃以下の温度、１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の圧力、０．１時間以上１０時間以下保持することで接合することができる。
【0028】
このような方法により、接合強度の強い接合体を製造することができる。なお、上記の説明では、第１のセラミックス焼結体がＹ成分を含み、第２のセラミックス焼結体がＹ成分を含まないように説明したが、逆であっても構わないし、両方のセラミックス焼結体がＹ成分を含んでもよい。
【0029】
従来の脱脂条件では、ＹＡＭ（Ｙ４Ａｌ２Ｏ９）またはＹＡＰ（ＹＡｌＯ３）組織がまばらに粒界に分散する。しかし、上記の条件を満たすように脱脂を十分に行った後に接合することによって、通常より多くのＡｌＮ粒子が酸化し、Ａｌ２Ｏ３とＹ２Ｏ３とが反応したＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）の組織が粒界に細かく、かつ、多数分散する形態となる。
【0030】
そのため、第１のセラミックス焼結体１１と第２のセラミックス焼結体１２の接合時においてもＹＡＧが接合面に散点状に析出するため、接合強度が増大すると考えられる。
【0031】
［第２の実施形態］
［電極埋設部材の構成］
図２は、電極埋設部材５０を示す正断面図である。電極埋設部材５０は、処理対象を表面上に保持する板状の保持部材１００と、保持部材１００を支持する支持部材２００とが接合されて形成されている。電極埋設部材５０は、例えば、ウェハ加熱用ヒータや静電チャックとして用いることができる。
［電極埋設部材の構成］
図２は、電極埋設部材５０を示す正断面図である。電極埋設部材５０は、処理対象を表面上に保持する板状の保持部材１００と、保持部材１００を支持する支持部材２００とが接合されて形成されている。電極埋設部材５０は、例えば、ウェハ加熱用ヒータや静電チャックとして用いることができる。
【0032】
保持部材１００は、円板等の板状に形成され、表面層１１０、バルク層１２０および電極１５０を備える。表面層１１０およびバルク層１２０は、ＡｌＮを主成分とするセラミック焼結体で形成されている。また、Ｙ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３の複酸化物の結晶相が含まれていてもよい。図２に示す例では、電極１５０が、表面層１１０とバルク層１２０との間のみに設けられているが、電極が複数の層をなすように設けられていてもよい。電極１５０には、モリブデンまたはタングステンが用いられる。
【0033】
支持部材２００は、円筒等の柱状に形成される。支持部材２００は、ＡｌＮを主成分とするセラミック焼結体で形成されている。また、Ｙ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３の複酸化物の結晶相が含まれていてもよい。電極埋設部材５０が、ウェハ加熱用ヒータとして用いられる場合、支持部材２００は、熱伝導率を低くする観点から、Ｙ成分が含まれないことが好ましい。
【0034】
保持部材１００のバルク層１２０を形成するセラミックス焼結体は、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で０．３ｗｔ％以上含む。また、バルク層１２０を形成するセラミックス焼結体は、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で１．０ｗｔ％以上含むことが好ましく、２．０ｗｔ％以上含むことがより好ましい。また、バルク層１２０を形成するセラミックス焼結体は、Ｙ成分を焼結助剤として機能する必要な量添加されていればよいため、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で７．０ｗｔ％以下含むことが好ましく、６．０ｗｔ％以下含むことがより好ましく、５．０ｗｔ％以下含むことがさらに好ましい。このとき、支持部材２００を形成するセラミックス焼結体は、Ｙ成分を含まないことが好ましいが、含んでいてもよい。Ｙ成分を含む場合は、バルク層１２０を形成するセラミックス焼結体のＹ成分のＹ２Ｏ３換算した含有量（ｗｔ％）との差が、０．３ポイント以上であることが好ましく、１．０ポイント以上であることがより好ましい。
【0035】
なお、バルク層１２０が複数の層により形成される場合、少なくとも支持部材２００と接合される側の最外層を形成するセラミックス焼結体は、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で０．３ｗｔ％以上含み、Ｙ成分を１．０ｗｔ％以上含むことが好ましく、２．０ｗｔ％以上含むことがより好ましい。また、支持部材２００と接合される側の最外層を形成するセラミックス焼結体は、Ｙ成分を焼結助剤として機能する必要な量添加されていればよいため、Ｙ成分をＹ２Ｏ３換算した内比で７．０ｗｔ％以下含むことが好ましく、６．０ｗｔ％以下含むことがより好ましく、５．０ｗｔ％以下含むことがさらに好ましい。このとき、支持部材２００と接合される側の最外層以外の層を形成するセラミックス焼結体は、Ｙ成分を含まなくてもよい。
【0036】
バルク層１２０と支持部材２００との接合界面の粒界には、ＹＡＧ粒子が含まれ、ＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれない。これにより、ＹＡＰ粒子またはＹＡＭ粒子が含まれる場合と比較して接合強度が強くなる。
【0037】
なお、このような組成は、第１の実施形態と同様の基準によって、Ｘ線回折においてＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、ＹＡＭ（Ｙ４Ａｌ２Ｏ９）、ＹＡＰ（ＹＡｌＯ３）のピークが認められるか否かで評価できる。
【0038】
バルク層１２０において、ＹＡＧ粒子の粒子径とＡｌＮ粒子の粒子径との比は、０．３以下であることが好ましい。このように細かいＹＡＧ粒子が分散しているため、バルク層１２０と支持部材２００との接合界面で２種類のセラミックス焼結体が良好に接合されると考えられる。
【0039】
［電極埋設部材の製造方法］
（保持部材の製造方法）
次に、上記のように構成された電極埋設部材５０の製造方法を説明する。まずは保持部材１００の製造方法を説明する。図３（ａ）～（ｄ）は、それぞれ保持部材１００の製造工程の一段階を模式的に示す断面図である。まず、ＡｌＮ原料に内比で０．３～７．０ｗｔ％のＹ２Ｏ３を添加し、ＰＶＡ系のバインダを添加して原料粉を造粒する。焼結助剤として、ＴｉＮを添加してもよい。そして、得られた造粒粉を用いて複数の成形体（第３の成形体）２１０、２２０を作製する。複数の成形体２１０、２２０を所定の温度以上、所定の時間以上脱脂処理して複数の脱脂体（第３の脱脂体）３１０、３２０を作製する。なお、脱脂には、大気炉または窒素雰囲気炉を用いることができるが、バインダを除去することが重要なので大気炉の方が好ましい。
（保持部材の製造方法）
次に、上記のように構成された電極埋設部材５０の製造方法を説明する。まずは保持部材１００の製造方法を説明する。図３（ａ）～（ｄ）は、それぞれ保持部材１００の製造工程の一段階を模式的に示す断面図である。まず、ＡｌＮ原料に内比で０．３～７．０ｗｔ％のＹ２Ｏ３を添加し、ＰＶＡ系のバインダを添加して原料粉を造粒する。焼結助剤として、ＴｉＮを添加してもよい。そして、得られた造粒粉を用いて複数の成形体（第３の成形体）２１０、２２０を作製する。複数の成形体２１０、２２０を所定の温度以上、所定の時間以上脱脂処理して複数の脱脂体（第３の脱脂体）３１０、３２０を作製する。なお、脱脂には、大気炉または窒素雰囲気炉を用いることができるが、バインダを除去することが重要なので大気炉の方が好ましい。
【0040】
少なくとも、焼成時にバルク側に配置される脱脂体３２０は、脱脂温度Ｔ（℃）と脱脂時間Ｈ（ｈ）とＹ２Ｏ３添加量を内比でＣ（ｗｔ％）として、Ｔ＞２０×Ｃ＋４４０かつＨ≧３００／｛Ｔ－（２０×Ｃ＋４４０）｝を満たす条件で作製する。これにより、脱脂体３２０から得られるバルク層１２０が、粒界にＹＡＧ粒子が含まれ、ＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれなくなる。その結果、支持部材２００と接合した際に、接合強度が強くなる。
【0041】
また、焼成時に表面側に配置される脱脂体３１０は、添加したバインダが残留しない脱脂温度と脱脂時間であれば、特別な条件を付けなくてもよいが、焼成時にバルク側に配置される脱脂体３２０と同一の条件で脱脂してもよい。脱脂体３１０と脱脂体３２０とを同じ条件で脱脂することで、製造工程を簡略化できる。
【0042】
このようにして得られた脱脂体３１０と脱脂体３２０との間に電極１５０を挟んで積層し、積層体を焼成する。焼成は、ホットプレス焼成、常圧焼成を用いることができる。焼結条件は、通常のＡｌＮ焼結体を作製する条件でよく、例えば、１８００℃以上２０００℃以下の温度で０．１時間以上１０時間以下保持することで焼成することができる。これにより、電極が埋設された保持部材１００を製造することができる。
【0043】
（支持部材の製造方法）
次に、支持部材２００の製造方法を説明する。まず、ＡｌＮ原料に焼結助剤を添加しないでＰＶＡ系のバインダを添加して造粒粉を造粒する。そして、得られた造粒粉を用いて第４の成形体を作製する。第４の成形体を所定の温度以上、所定の時間以上脱脂処理して第４の脱脂体を作製する。なお、脱脂には、大気炉または窒素雰囲気炉を用いることができるが、バインダを除去することが重要なので大気炉の方が好ましい。
次に、支持部材２００の製造方法を説明する。まず、ＡｌＮ原料に焼結助剤を添加しないでＰＶＡ系のバインダを添加して造粒粉を造粒する。そして、得られた造粒粉を用いて第４の成形体を作製する。第４の成形体を所定の温度以上、所定の時間以上脱脂処理して第４の脱脂体を作製する。なお、脱脂には、大気炉または窒素雰囲気炉を用いることができるが、バインダを除去することが重要なので大気炉の方が好ましい。
【0044】
次に、第４の脱脂体を焼成し、第４の焼結体を作製する。焼結条件は、通常のＡｌＮ焼結体を作製する条件でよく、例えば、１８００℃以上２０００℃以下の温度で０．１時間以上１０時間以下保持することで焼成することができる。これにより、Ｙを含まない支持部材２００を製造することができる。
【0045】
なお、第４の成形体を成形する際に使用した造粒粉に、第３の成形体２１０、２２０を成形する際に使用した造粒粉とは異なる添加割合でＹ２Ｏ３を添加してもよいが、その場合は、第３の脱脂体３２０を作製する際の条件と同様に、脱脂温度Ｔ（℃）と脱脂時間Ｈ（ｈ）とＹ２Ｏ３添加量を内比でＣ（ｗｔ％）として、Ｔ＞２０×Ｃ＋４４０かつＨ≧３００／｛Ｔ－（２０×Ｃ＋４４０）｝を満たす条件で作製する。これにより、第４の脱脂体から作製される支持部材も、粒界にＹＡＧ粒子が含まれ、ＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれなくなる。
【0046】
（接合工程）
そして、保持部材１００と支持部材２００とを接合する。接合は、それぞれの部材の接合面を鏡面研磨して接触させ、加圧下で加熱する固相接合であることが好ましい。また、接合材を用いないことが好ましい。例えば、１６００℃以上１９００℃以下の温度、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の圧力、０．１時間以上１０時間以下保持することで接合することができる。
そして、保持部材１００と支持部材２００とを接合する。接合は、それぞれの部材の接合面を鏡面研磨して接触させ、加圧下で加熱する固相接合であることが好ましい。また、接合材を用いないことが好ましい。例えば、１６００℃以上１９００℃以下の温度、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の圧力、０．１時間以上１０時間以下保持することで接合することができる。
【0047】
このような方法により、接合強度の強い電極埋設部材５０を製造することができる。
【0048】
［実施例１］
（試料ａ１～ａ２１）
試料ａ１～ａ１５として、焼結助剤としてＹ２Ｏ３を５ｗｔ％添加して脱脂条件を変えて作製したＡｌＮセラミックス焼結体と、無助剤のＡｌＮセラミックス焼結体とを接合材を介さない接合をして接合体を作製した。また、試料ａ１６～ａ２１として、焼結助剤としてＹ２Ｏ３を０．３～１．５ｗｔ％添加して脱脂条件を変えて作製したＡｌＮセラミックス焼結体と、無助剤のＡｌＮセラミックス焼結体とを接合材を介さない接合をして接合体を作製した。そして、これらの接合体の接合部の断面観察およびＸＲＤ（Ｘ線回折）を行い、粒界の粒子の相の特定と分散状況を調べた。また、接合部の接合強度を測定した。
（試料ａ１～ａ２１）
試料ａ１～ａ１５として、焼結助剤としてＹ２Ｏ３を５ｗｔ％添加して脱脂条件を変えて作製したＡｌＮセラミックス焼結体と、無助剤のＡｌＮセラミックス焼結体とを接合材を介さない接合をして接合体を作製した。また、試料ａ１６～ａ２１として、焼結助剤としてＹ２Ｏ３を０．３～１．５ｗｔ％添加して脱脂条件を変えて作製したＡｌＮセラミックス焼結体と、無助剤のＡｌＮセラミックス焼結体とを接合材を介さない接合をして接合体を作製した。そして、これらの接合体の接合部の断面観察およびＸＲＤ（Ｘ線回折）を行い、粒界の粒子の相の特定と分散状況を調べた。また、接合部の接合強度を測定した。
【0049】
Ｙ２Ｏ３を添加したＡｌＮセラミックス焼結体は、脱脂温度と脱脂時間を様々に変更して作製した。Ｙ２Ｏ３を添加していないＡｌＮセラミックス焼結体は、５５０℃、４時間で脱脂処理し脱脂体を作製した。Ｙ２Ｏ３を添加した脱脂体、および添加していない脱脂体を１８００℃、２時間焼成してそれぞれのＡｌＮ焼結体を作製した。そして、作製したＹ２Ｏ３を添加したＡｌＮセラミックス焼結体およびＹ２Ｏ３を添加していないＡｌＮセラミックス焼結体の接合部を鏡面研磨し、１７００℃、１ＭＰａ、１時間、窒素雰囲気中で接合して、試料ａ１～ａ２１を作製した。
【0050】
図４は、各試料の脱脂条件および評価結果を示す表である。脱脂温度および脱脂時間は、図４に示す通りである。ＳＥＭ観察は、試料の破断面を用いて行なった。なお、研磨等は行なっていない。ＡｌＮ相以外の粒子径は焼結体組織を５０００倍で撮影し、ＡｌＮ相以外の粒子の長軸寸法が最大のものから上位５点の粒子径の平均とした。組成評価の際のＸ線回折ピークの確認には、Ｘ線回折装置（Rigaku MultiFlex Cu Kα 40kV/40mA）を用いた。
【0051】
（接合強度の測定方法）
接合強度の測定は、ＪＩＳ Ｒ１６０１ ２００８（ファインセラミックスの室温曲げ強さ試験方法）に準拠して４点曲げ強度試験を行なった。試験片は各試料１０個準備し、長手方向の中央部に接合面が配置されるように切断し、破断面が支点間に位置するように配置して測定を行ない、１０個の測定値の平均を強度値とした。
接合強度の測定は、ＪＩＳ Ｒ１６０１ ２００８（ファインセラミックスの室温曲げ強さ試験方法）に準拠して４点曲げ強度試験を行なった。試験片は各試料１０個準備し、長手方向の中央部に接合面が配置されるように切断し、破断面が支点間に位置するように配置して測定を行ない、１０個の測定値の平均を強度値とした。
【0052】
（実験結果）
組成評価においてＹＡＧ粒子が含まれＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれなかった試料は、いずれも接合強度が３００ＭＰａ以上であった。図５（ａ）、（ｂ）は、それぞれＹ２Ｏ３添加量が５ｗｔ％である試料ａ１～ａ１５の各試料の接合強度および粒子径比のデータを脱脂温度と脱脂時間のグラフ上にプロットした図である。図５（ａ）、（ｂ）に示すように、脱脂温度Ｔ（℃）および脱脂時間Ｈ（時間）を用いて表される式Ｈ＝３００／（Ｔ－５４０）はＹ２Ｏ３添加量が５ｗｔ％のときの脱脂条件の境界を示しており、得られた試料ａ１～ａ１５の組成を区分している。
組成評価においてＹＡＧ粒子が含まれＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれなかった試料は、いずれも接合強度が３００ＭＰａ以上であった。図５（ａ）、（ｂ）は、それぞれＹ２Ｏ３添加量が５ｗｔ％である試料ａ１～ａ１５の各試料の接合強度および粒子径比のデータを脱脂温度と脱脂時間のグラフ上にプロットした図である。図５（ａ）、（ｂ）に示すように、脱脂温度Ｔ（℃）および脱脂時間Ｈ（時間）を用いて表される式Ｈ＝３００／（Ｔ－５４０）はＹ２Ｏ３添加量が５ｗｔ％のときの脱脂条件の境界を示しており、得られた試料ａ１～ａ１５の組成を区分している。
【0053】
すなわち、しきい式（１）Ｈ≧３００／（Ｔ－５４０）の領域内にプロットされた試料は、ＡｌＮ粒界にＹＡＧ粒子が含まれている。Ｈ＜３００／（Ｔ－５４０）の領域内にプロットされた試料は、ＡｌＮ粒界にＹＡＰ粒子またはＹＡＭ粒子が含まれている。図５（ａ）、（ｂ）によれば、ＡｌＮ粒界にＹＡＧ粒子が含まれる試料の方が、ＡｌＮ粒界にＹＡＰ粒子またはＹＡＭ粒子が含まれる試料より、接合強度が大きく、粒子径比が小さいことが分かる。
【0054】
図６は、Ｙ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３系化合物の相図である。図６を参照すると、接合体の接合部において、脱脂を十分に行った後に焼成および接合をしたことにより、ＡｌＮ粒子の一部が酸化しＡｌ２Ｏ３となり、Ａｌ２Ｏ３が豊富な状態でＹ２Ｏ３と反応するためＹＡＰやＹＡＭに比べＡｌ２Ｏ３成分が高いＹＡＧ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）の組織が粒界に細かく、かつ、多数分散して生成したと考えられる。
【0055】
図７（ａ）、（ｂ）は、脱脂条件を変えた試料の接合部の破断面を示すＳＥＭ写真である。図７（ａ）に示すように、本発明のしきい式の範囲内の長時間脱脂（しきい式（１）を満たす脱脂）をした試料ａ６のセラミックス組織の粒界の粒子の結晶相はＹＡＧが主であり、細かい多数の粒子（図中白色）が分散していることが分かった。図７（ｂ）に示すように、本発明の範囲外の通常の脱脂（しきい式（１）を満たさない脱脂）をした試料ａ３のセラミックス組織の粒界の粒子の結晶相はＹＡＰやＹＡＭが主であり、これらのＹＡＧを含まない組織が連続的に接合界面に偏析していることが分かった。そのため、ＡｌＮセラミックス焼結体の組織と異なる接合層が形成され、ＡｌＮセラミックス接合体の接合劣化（強度低下等の特性劣化）を引き起こすと考えられる。すなわち、界面を挟んでＡｌＮ同士の焼結が阻害されてしまう。
【0056】
一方、Ｙ２Ｏ３添加量が５ｗｔ％未満である試料ａ１６～ａ２１は、しきい式（１）を満たさない試料であってもＹＡＧ粒子が含まれＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれない試料を作製することができた。これは、Ｙ２Ｏ３添加量が少なかったため、粒界にＹＡＧを生成させるために必要なＡｌ２Ｏ３が少なくて済むからであると考えられる。すなわち、Ｙ２Ｏ３添加量が少ない場合は、脱脂温度Ｔ（℃）または脱脂時間Ｈ（時間）をある程度小さくしてもよい。これを踏まえて、Ｙ２Ｏ３添加量を考慮したしきい式（２）を、脱脂温度Ｔ（℃）と脱脂時間Ｈ（時間）とＹ２Ｏ３添加量を内比でＣ（ｗｔ％）として、Ｔ＞２０×Ｃ＋４４０かつＨ≧３００／｛Ｔ－（２０×Ｃ＋４４０）｝とした。
【0057】
試料ａ１６～ａ２１のうち、ＹＡＧ粒子が含まれＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれない試料は、しきい式（２）を満たし、ＹＡＰ粒子またはＹＡＭ粒子が含まれＹＡＧ粒子が含まれない試料は、しきい式（２）を満たさなかった。また、しきい式（２）にＣ＝５を代入すると、しきい式（１）になる。したがって、しきい式（２）は、しきい式（１）を含むため、試料ａ１～ａ２１の組成を区分している。なお、添加量Ｃのしきい式（２）に与える影響は、図８のように示される。図８に示されるように、Ｙ２Ｏ３添加量が多い（Ｃが大きい）場合の脱脂条件の領域は、Ｙ２Ｏ３添加量が少ない（Ｃが小さい）場合の脱脂条件の領域に含まれるため、例えば、Ｙ２Ｏ３添加量を５ｗｔ％以下としたときに、しきい式（１）Ｈ≧３００／（Ｔ－５４０）を脱脂条件の式として一律に用いてもよい。このようにすることで、脱脂条件の設定が簡易になる。
【0058】
［実施例２］
（試料ｂ１～ｂ５）
次に、試料ｂ１～ｂ５として、異なる割合で焼結助剤を添加して作製した保持部材と、焼結助剤を添加しないで作製した支持部材とを接合して電極埋設部材を作製して、それらの電極埋設部材の接合部の断面観察およびＸＲＤ（Ｘ線回折）を行い、粒界の粒子の相の特定と分散状況を調べた。また、接合部の接合強度および接合強度のバラツキを測定した。
（試料ｂ１～ｂ５）
次に、試料ｂ１～ｂ５として、異なる割合で焼結助剤を添加して作製した保持部材と、焼結助剤を添加しないで作製した支持部材とを接合して電極埋設部材を作製して、それらの電極埋設部材の接合部の断面観察およびＸＲＤ（Ｘ線回折）を行い、粒界の粒子の相の特定と分散状況を調べた。また、接合部の接合強度および接合強度のバラツキを測定した。
【0059】
表面層用としてＡｌＮ原料にＹ２Ｏ３を５ｗｔ％添加した原料粉を造粒して成形体を作製した。また、バルク層用としてＡｌＮ原料にＹ２Ｏ３を０．３ｗｔ％～５ｗｔ％添加した原料粉を造粒して成形体を作製した。表面層用の成形体を６００℃、１２時間脱脂処理し脱脂体を作製した。一方、バルク層用の成形体を、脱脂温度と脱脂時間を様々に変更して作製した。
【0060】
このようにして得られたバルク層用の脱脂体に電極を埋設する凹部を形成した。表面層用の脱脂体およびバルク層用の脱脂体の間に電極を配置し、挟んで積層した。いずれも電極として、Ｍｏメッシュ（線径０．１ｍｍ、平織、メッシュサイズ５０）を所定の形状に裁断して用いた。このようにして積層された脱脂体を１８００℃、２時間焼成した。
【0061】
一方、支持部材用としてＡｌＮ原料に焼結助剤を添加しないで造粒粉を造粒して成形体を作製した。支持部材用の成形体を５５０℃、４時間で脱脂処理し脱脂体を作製した。次に、支持部材用の脱脂体を１８００℃、２時間焼成して支持部材を作製した。
【0062】
そして、作製した保持部材および支持部材の接合部を鏡面研磨し、１７００℃、１ＭＰａ、１時間、窒素雰囲気中で接合して、試料ｂ１～ｂ５を作製した。図９は、各試料の保持部材および支持部材の組成、成形方法、バルク層の脱脂条件および評価結果を示す表である。脱脂温度および脱脂時間は、図９に示す通りである。ＳＥＭ観察は、試料の破断面を用いて行なった。なお、研磨等は行なっていない。ＡｌＮ相以外の粒子径は焼結体組織を５０００倍で撮影し、ＡｌＮ相以外の粒子の長軸寸法が最大のものから上位５点の粒子径の平均とした。組成評価の際のＸ線回折ピークの確認には、Ｘ線回折装置（Rigaku MultiFlex Cu Kα 40kV/40mA）を用いた。接合部の断面観察およびＸＲＤ（Ｘ線回折）を行い、粒界の粒子の相の特定と分散状況を調べた。
【0063】
（接合強度）
図９に示すように、ＹＡＧ粒子が含まれＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれなかった試料は、いずれも接合強度が３００ＭＰａ以上であった。
図９に示すように、ＹＡＧ粒子が含まれＹＡＰ粒子およびＹＡＭ粒子が含まれなかった試料は、いずれも接合強度が３００ＭＰａ以上であった。
【0064】
（接合強度のバラツキ）
図９に示すように、接合強度の１０個の測定値のうちの最低値は、試料ｂ２は他の試料ｂ１、ｂ３～ｂ５に比べ小さく、接合界面に層状偏析が認められると強度のバラツキは、大きくなった。
図９に示すように、接合強度の１０個の測定値のうちの最低値は、試料ｂ２は他の試料ｂ１、ｂ３～ｂ５に比べ小さく、接合界面に層状偏析が認められると強度のバラツキは、大きくなった。
【0065】
以上により、本発明の接合体および電極埋設部材は、接合強度が強いことが確かめられた。また、本発明の製造方法は、そのような接合体または電極埋設部材を製造できることが確かめられた。
【0066】
本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形および均等物に及ぶことはいうまでもない。また、各図面に示された構成要素の構造、形状、数、位置、大きさ等は説明の便宜上のものであり、適宜変更しうる。
【符号の説明】
【0067】
１０ 接合体
１１ 第１のセラミックス焼結体
１２ 第２のセラミックス焼結体
１３ 接合界面
５０ 電極埋設部材
１００ 保持部材
１１０ 表面層
１２０ バルク層
１５０ 電極
２００ 支持部材
２１０、２２０ 第３の成形体
３１０、３２０ 第３の脱脂体
１１ 第１のセラミックス焼結体
１２ 第２のセラミックス焼結体
１３ 接合界面
５０ 電極埋設部材
１００ 保持部材
１１０ 表面層
１２０ バルク層
１５０ 電極
２００ 支持部材
２１０、２２０ 第３の成形体
３１０、３２０ 第３の脱脂体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
