特許 7465003 半導体ストリップ研削装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-02

(45)【発行日】2024-04-10

(54)【発明の名称】半導体ストリップ研削装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240403BHJP

   B24B 7/02 20060101ALI20240403BHJP

   B24B 53/02 20120101ALI20240403BHJP

   B24B 53/12 20060101ALI20240403BHJP

   B24B 49/12 20060101ALI20240403BHJP

   B24B 49/04 20060101ALI20240403BHJP

   B24B 41/06 20120101ALI20240403BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20240403BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 631

B24B7/02

B24B53/02

B24B53/12 Z

B24B49/12

B24B49/04 Z

B24B41/06 A

H01L21/304 622M

H01L21/304 622Q

H01L21/304 622W

H01L21/304 622L

H01L21/68 B

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2022123363

(22)【出願日】2022-08-02

(65)【公開番号】P2023026351

(43)【公開日】2023-02-24

【審査請求日】2022-08-02

(31)【優先権主張番号】10-2021-0105886

(32)【優先日】2021-08-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】516098546

【氏名又は名称】ソウ テクノロジー カンパニー、リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(74)【代理人】

【識別番号】100142907

【弁理士】

【氏名又は名称】本田 淳

(72)【発明者】

【氏名】ファン ウィ ドゥ

(72)【発明者】

【氏名】チョン ウン テ

(72)【発明者】

【氏名】ソク ジェ ソン

(72)【発明者】

【氏名】ウ ジョン ウォン

【審査官】鈴木 孝章

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－０５６５００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－１１２８２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２３５０６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０７－２４９６０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０４９６００（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｂ２４Ｂ ７／０２

Ｂ２４Ｂ ５３／０２

Ｂ２４Ｂ ５３／１２

Ｂ２４Ｂ ４９／１２

Ｂ２４Ｂ ４９／０４

Ｂ２４Ｂ ４１／０６

Ｈ０１Ｌ ２１／６７７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体ストリップを支持するためのチャックテーブルと、
前記チャックテーブル上にロードされた前記半導体ストリップの表面部位を研削して除去するための研削ユニットと、
前記チャックテーブルに対して前記半導体ストリップのロードまたはアンロード段階を行う間に前記研削ユニットに対してドレッシング段階を行うためのドレッシングユニットと、
前記研削ユニットの下方の工程領域と、前記半導体ストリップのロードまたはアンロード段階が行われるロード／アンロード領域との間で、前記チャックテーブルを水平方向へ移動させる第１水平駆動部と、
前記工程領域と前記工程領域から離隔した待機領域との間で、前記ドレッシングユニットを水平方向へ移動させる第２水平駆動部と、を含み、
前記第１水平駆動部及び前記第２水平駆動部は、前記チャックテーブルと前記ドレッシングユニットとを同軸線上で移動させるように構成されることを特徴とする、半導体ストリップ研削装置。

【請求項2】

前記半導体ストリップに対する研削段階を行う間に前記半導体ストリップの厚さを測定するための厚さ測定ユニットをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体ストリップ研削装置。

【請求項3】

前記半導体ストリップに対する研削段階が行われた後に前記半導体ストリップの厚さを測定するための第２厚さ測定ユニットをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体ストリップ研削装置。

【請求項4】

前記半導体ストリップに対する研削段階を行う間、または前記研削段階が行われた後に前記半導体ストリップを洗浄するためのストリップ洗浄ユニットをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体ストリップ研削装置。

【請求項5】

前記研削ユニットは、
前記半導体ストリップの表面部位を研削するための複数の研削砥石と、
前記研削砥石が取り付けられる研削ホイールと、
前記研削ホイールを回転させるための回転駆動部と、を含み、
前記研削砥石は、前記研削ホイールの下部の周縁に沿って円周方向へ配置されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体ストリップ研削装置。

【請求項6】

前記研削ユニットの下部に配置され、前記研削砥石を洗浄するための砥石洗浄ユニットをさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載の半導体ストリップ研削装置。

【請求項7】

前記ドレッシングユニットは、
前記研削ホイールの下部に配置されるドレッシングホイールと、
前記ドレッシングホイールを回転させるための第２回転駆動部と、を含むことを特徴とする、請求項５に記載の半導体ストリップ研削装置。

【請求項8】

前記研削ホイールには、前記研削ホイールのＩＤ情報が記録された情報タッグが付着され、
前記回転駆動部には、前記情報タッグに記録された前記研削ホイールのＩＤ情報を読み取るための読み取り機が備えられることを特徴とする、請求項５に記載の半導体ストリップ研削装置。

【請求項9】

複数の半導体ストリップを収納するように構成されたマガジンから前記半導体ストリップを引き出すためのストリップ引き出しユニットと、
前記マガジンから引き出された前記半導体ストリップが載置され、前記半導体ストリップの下面を真空吸着するための真空テーブルと、
前記真空テーブル上の前記半導体ストリップをピックアップして前記チャックテーブル上へ移送するためのストリップ移送ユニットと、をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の半導体ストリップ研削装置。

【請求項10】

前記真空テーブルは、垂直方向へ昇降可能に構成され、
前記ストリップ移送ユニットは、垂直方向へ昇降可能に構成され、前記半導体ストリップの上面を真空吸着してピックアップするための真空ピッカーを含み、
前記真空テーブルの上昇及び前記真空ピッカーの下降によって前記半導体ストリップが前記真空テーブルと前記真空ピッカーとの間に密着した状態で前記半導体ストリップが前記真空テーブルから前記真空ピッカーへ受け渡されることを特徴とする、請求項９に記載の半導体ストリップ研削装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施例は、半導体ストリップ研削装置に関する。より詳しくは、ダイボンディング工程とモールディング工程によって製造された半導体ストリップの保護モールディング層を研削して前記半導体ストリップの厚さを減少させる半導体ストリップ研削装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体ストリップは、印刷回路基板またはリードフレームのような基板上に半導体ダイをボンディングするダイボンディング工程と、前記半導体ダイをエポキシ樹脂のようなモールディング樹脂を用いてパッケージングするモールディング工程を通じて製造され、前記半導体ストリップを切断して個別化して良否判定によって分類する切断及び分類工程を通じて半導体パッケージが製造され得る。

【0003】

半導体ストリップ研削装置は、前記のように製造された半導体ストリップの厚さを予め設定された厚さに減少させるために前記モールディング樹脂からなる保護モールディング層の表面部位を研削して除去するのに使用され得る。前記半導体ストリップ研削装置は、前記半導体ストリップを支持するためのチャックテーブルと、前記半導体ストリップの表面部位を研削して除去するための研削ユニットと、を含み得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】韓国登録特許第１０－１６７５２７１号公報

【文献】韓国登録特許第１０－１８５１３８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の実施例は、生産性を向上させることができる改善された半導体ストリップ研削装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記の目的を達成するための本発明の一面による半導体ストリップ研削装置は、半導体ストリップを支持するためのチャックテーブルと、前記チャックテーブル上にロードされた前記半導体ストリップの表面部位を研削して除去するための研削ユニットと、前記チャックテーブルに対して前記半導体ストリップのロードまたはアンロード段階を行う間に前記研削ユニットに対してドレッシング段階を行うためのドレッシングユニットと、を含み得る。

【0007】

本発明の一部の実施例によると、前記半導体ストリップ研削装置は、前記研削ユニットの下方の工程領域と、前記半導体ストリップのロードまたはアンロード段階が行われるロード／アンロード領域との間で、前記チャックテーブルを水平方向へ移動させる第１水平駆動部と、前記工程領域と前記工程領域から離隔した待機領域との間で、前記ドレッシングユニットを水平方向へ移動させる第２水平駆動部と、をさらに含み得る。

【0008】

本発明の一部の実施例によると、前記第１水平駆動部及び前記第２水平駆動部は、前記チャックテーブルと前記ドレッシングユニットを同軸線上で移動させるように構成され得る。

【0009】

本発明の一部の実施例によると、前記半導体ストリップ研削装置は、前記半導体ストリップに対する研削段階を行う間に前記半導体ストリップの厚さを測定するための厚さ測定ユニットをさらに含み得る。

【0010】

本発明の一部の実施例によると、前記半導体ストリップ研削装置は、前記半導体ストリップに対する研削段階が行われた後に前記半導体ストリップの厚さを測定するための第２厚さ測定ユニットをさらに含み得る。

【0011】

本発明の一部の実施例によると、前記半導体ストリップ研削装置は、前記半導体ストリップに対する研削段階を行う間、または前記研削段階が行われた後に前記半導体ストリップを洗浄するためのストリップ洗浄ユニットをさらに含み得る。

【0012】

本発明の一部の実施例によると、前記研削ユニットは、前記半導体ストリップの表面部位を研削するための複数の研削砥石と、前記研削砥石が取り付けられる研削ホイールと、前記研削ホイールを回転させるための回転駆動部と、を含み、前記研削砥石は、前記研削ホイールの下部の周縁に沿って円周方向へ配置され得る。

【0013】

本発明の一部の実施例によると、前記半導体ストリップ研削装置は、前記研削ユニットの下部に配置され、前記研削砥石を洗浄するための砥石洗浄ユニットをさらに含み得る。
本発明の一部の実施例によると、前記ドレッシングユニットは、前記研削ホイールの下部に配置されるドレッシングホイールと、前記ドレッシングホイールを回転させるための第２回転駆動部と、を含み得る。

【0014】

本発明の一部の実施例によると、前記研削ホイールには、前記研削ホイールのＩＤ情報が記録された情報タッグが付着され、前記回転駆動部には、前記情報タッグに記録された前記研削ホイールのＩＤ情報を読み取るための読み取り機が備えられ得る。

【0015】

本発明の一部の実施例によると、前記半導体ストリップ研削装置は、複数の半導体ストリップを収納するように構成されたマガジンから前記半導体ストリップを引き出すためのストリップ引き出しユニットと、前記マガジンから引き出された前記半導体ストリップが載置され、前記半導体ストリップの下面を真空吸着するための真空テーブルと、前記真空テーブル上の前記半導体ストリップをピックアップして前記チャックテーブル上へ移送するためのストリップ移送ユニットと、をさらに含み得る。

【0016】

本発明の一部の実施例によると、前記真空テーブルは、垂直方向へ昇降可能に構成され、前記ストリップ移送ユニットは、垂直方向へ昇降可能に構成され、前記半導体ストリップの上面を真空吸着してピックアップするための真空ピッカーを含み、前記真空テーブルの上昇及び前記真空ピッカーの下降によって前記半導体ストリップが前記真空テーブルと前記真空ピッカーとの間に密着した状態で、前記半導体ストリップが前記真空テーブルから前記真空ピッカーへ受け渡され得る。

【発明の効果】

【0017】

上述したような本発明の実施例によると、前記研削ユニットに対するドレッシング段階は、前記チャックテーブルに対する前記半導体ストリップのロード及び／またはアンロード段階が行われる間に前記ドレッシングユニットによって行われ得る。したがって、前記研削ユニットに対する前記ドレッシング段階の遂行のためのさらなる時間が不要であり、これによって、前記半導体ストリップ研削装置の単位時間当りの処理量が大幅増加する。また、前記厚さ測定ユニットは、前記半導体ストリップに対する研削段階が行われる間に前記半導体ストリップの厚さをリアルタイムで測定可能であり、これによって、前記半導体ストリップの厚さをより精度よく制御可能である。また、前記砥石洗浄ユニットは、前記半導体ストリップに対して洗浄段階を行う間に前記研削砥石に対して洗浄段階を同時に行うことができ、これによって、前記半導体ストリップの研削工程にかかる時間を大幅短縮することができる。結果的に、前記半導体ストリップ研削装置の生産性が大幅向上する。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の一実施例による半導体ストリップ研削装置を説明するための概略的な平面図である。

【図2】図１に示した研削ユニットと第１水平駆動部を説明するための概略的な側面図である。

【図3】図１に示した研削ユニットと第１水平駆動部を説明するための概略的な正面図である。

【図4】図２に示した研削ホイールと研削砥石を説明するための概略的な底面図である。

【図5】図１に示したドレッシングユニットと第２水平駆動部を説明するための概略的な側面図である。

【図6】図１に示した真空テーブルとストリップ移送ユニットを説明するための概略的な正面図である。

【図7】図１に示した真空テーブルとストリップ移送ユニットを説明するための概略的な正面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、本発明の実施例は、添付図面を参照して詳細に説明される。しかし、本発明は、以下にて説明される実施例に限定されたとおり構成されるべきものではなく、この他の多様な形で具体化することができる。下記の実施例は、本発明を完全に完成するために提供されるというより、本発明の技術分野における熟練した当業者に、本発明の範囲を十分に伝達するために提供される。

【0020】

本発明の実施例において、一要素が、他の一要素上に配置されるかまたは接続（連結）されると説明される場合、上記要素は、前記他の一要素上に直接配置されるかまたは接続（連結）されることが可能であり、他の要素が、これらの間に介在されることも可能である。これとは異なり、一要素が他の一要素上に直接配置されるかまたは接続（連結）されると説明される場合、それらの間には、更に他の要素があることはない。多様な要素、組成、領域、層、及び／または部分のような、多様な項目を説明するために、第１、第２、第３などの用語を使用することができるが、上記の項目は、これらの用語によって限定されることはない。

【0021】

本発明の実施例で使用された専門用語は、単に特定の実施例を説明するための目的として使用され、本発明を限定するためのことではない。また、特別に限定しない以上、技術及び科学用語を含む全ての用語は、本発明の技術分野における通常の知識を有する当業者に理解され得る同一の意味を有する。通常の辞書において限定されるものと同じ上記の用語は、関連技術と本発明の説明の文脈からその意味と一致する意味を有するものと解釈され、明確に限定されない限り、理想的にまたは過度に外形的な直感で解釈されない。

【0022】

本発明の実施例は、本発明の理想的な実施例の概略的な図解を参照して説明される。これにより、上記図解の形状からの変化、例えば、製造方法及び／または許容誤差の変化は、十分予想できるものである。したがって、本発明の実施例は、図解として説明された領域の特定形状に限定されるとおり説明されることはなく、形状においての偏差を含み、図面に記載された要素は、全体的に概略的なものであり、これらの形状は要素の正確な形状を説明するためのものではなく、また、本発明の範囲を限定するものでもない。

【0023】

図１は、本発明の一実施例による半導体ストリップ研削装置を説明するための概略的な平面図である。
図１を参照すると、本発明の一実施例による半導体ストリップ研削装置１００は、半導体ストリップ１０の表面部位を研削して除去し、これによって前記半導体ストリップ１０の厚さを予め設定された厚さに減少させるために使用され得る。具体的には、前記半導体ストリップ１０は、印刷回路基板またはリードフレームのような基板上に半導体ダイをボンディングした後、前記基板上にエポキシ樹脂のようなモールディング樹脂を用いて保護モールディング層を形成することで製造され得る。前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記半導体ストリップ１０の保護モールディング層の表面部位を研削して前記半導体ストリップ１０が予め設定された厚さを有するように加工するために使用され得る。

【0024】

前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記半導体ストリップ１０を支持するためのチャックテーブル１３０と、前記チャックテーブル１３０の上にロードされた前記半導体ストリップ１０の表面部位を研削して除去するための研削ユニット１４０と、を含み得る。一例として、前記半導体ストリップ研削装置１００は、図示したように、二つのチャックテーブル１３０と、二つの研削ユニット１４０と、を備えるが、これらの個数は変更可能であり、これによって本発明の範囲が制限されない。

【0025】

図２は、図１に示した研削ユニットと第１水平駆動部を説明するための概略的な側面図であり、図３は、図１に示した研削ユニットと第１水平駆動部を説明するための概略的な正面図であり、図４は、図２に示した研削ホイールと研削砥石を説明するための概略的な底面図である。

【0026】

図２～図４を参照すると、前記研削ユニット１４０は、前記半導体ストリップ１０の表面部位を研削するための複数の研削砥石１４２と、前記研削砥石１４２が取り付けられる研削ホイール１４４と、前記研削ホイール１４４を回転させるための第１回転駆動部１４６と、を含み得る。特に、前記研削砥石１４２は、前記研削ホイール１４４の下部の周縁に沿って円周方向へ配置され得る。

【0027】

本発明の一実施例によると、前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記チャックテーブル１３０を水平方向、例えば、図示したようにＹ軸方向へ移動させるための第１水平駆動部１３２を含み得る。前記第１水平駆動部１３２は、前記研削ユニット１４０の下方で前記半導体ストリップ１０の研削段階が行われる工程領域と、前記チャックテーブル１３０に対して前記半導体ストリップ１０のロード及びアンロード段階が行われるロード／アンロード領域と、の間で前記チャックテーブル１３０を水平移動させ、また前記半導体ストリップ１０の表面研削のために前記工程領域内で水平方向へ前記チャックテーブル１３０を往復移動させ得る。

【0028】

また、図示していないが、前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記研削ユニット１４０を垂直方向へ移動させるための垂直駆動部（図示せず）を含み得る。前記垂直駆動部は、前記研削ユニット１４０の高さを調節することで、前記半導体ストリップ１０の研削厚さを調節し得る。しかし、これと異なり、前記半導体ストリップ１０の高さを調節できるように前記チャックテーブル１３０を垂直方向へ移動させる第２垂直駆動部（図示せず）が設けられ得る。

【0029】

前記第１水平駆動部１３２は、前記Ｙ軸方向へ延びるガイドレール１３４に沿って移動可能に構成される第１可動ブロック１３６を含み、前記チャックテーブル１３０は、前記第１可動ブロック１３６の上に配置され得る。詳しくは図示していないが、前記チャックテーブル１３０は、前記半導体ストリップ１０の下面を真空吸着するために複数の真空ホールを備え得る。

【0030】

本発明の一実施例によると、前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記チャックテーブル１３０に対して前記半導体ストリップ１０のロードまたはアンロード段階を行う間に前記研削ユニット１４０に対してドレッシング段階を行うためのドレッシングユニット１５０を含み得る。前記ドレッシングユニット１５０は、前記半導体ストリップ１０の表面研削によって前記研削砥石１４２に累積する異物を除去し、前記研削砥石１４２の表面状態を改善するために使用され得る。

【0031】

図５は、図１に示したドレッシングユニットと第２水平駆動部を説明するための概略的な側面図である。
図５を参照すると、前記のように前記半導体ストリップ１０のロードまたはアンロード段階を行う間に、即ち、前記チャックテーブル１３０が前記研削ユニット１４０から離隔している間に前記ドレッシング段階を行うために、前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記ドレッシングユニット１５０を水平方向へ移動させるための第２水平駆動部１６０を含み得る。

【0032】

例えば、前記第２水平駆動部１６０は、前記工程領域と前記工程領域から離隔した待機領域との間で前記ドレッシングユニット１５０を水平方向へ移動させ得る。具体的には、前記第２水平駆動部１６０は、前記Ｙ軸方向へ前記ドレッシングユニット１５０を移動させ得る。即ち、前記第１水平駆動部１３２と第２水平駆動部１６０は、前記チャックテーブル１３０と前記ドレッシングユニット１５０を同軸線上で各々水平移動させるように構成され得る。例えば、前記第２水平駆動部１６０は、前記Ｙ軸方向へ延びる前記ガイドレール１３４に沿って移動可能に構成される第２可動ブロック１６２を含み得る。前記ドレッシングユニット１５０は、前記第２可動ブロック１６２の上に配置され得る。

【0033】

前記ドレッシングユニット１５０は、前記第２水平駆動部１６０によって前記研削ユニット１４０の下方に位置し、前記研削ホイール１４４の下部の一側端部に対応するように配置されるドレッシングホイール１５２と、前記ドレッシングホイール１５２を回転させるための第２回転駆動部１５６と、を含み得る。この際、前記垂直駆動部は、前記研削砥石１４２が前記ドレッシングホイール１５２と接触するように前記研削ユニット１４０を下降させ得る。しかし、これと異なり、前記ドレッシングホイール１５２の高さを調節するための第３垂直駆動部（図示せず）が設けられ得る。

【0034】

上述したように、前記研削砥石１４２が前記ドレッシングホイール１５２に接触した状態で、前記第１回転駆動部１４６は、前記研削ホイール１４４を予め設定された速度で回転させ、また、前記第２回転駆動部１５６は、前記ドレッシングホイール１５２を予め設定された速度で回転させ得る。前記ドレッシングホイール１５２の回転と前記研削ホイール１４４の回転とによって前記研削砥石１４２の表面状態が改善できる。

【0035】

一方、図示していないが、前記研削ユニット１４０は、前記半導体ストリップ１０の表面研削及び前記ドレッシング段階を行う間に、前記研削砥石１４２の冷却及び異物除去のために冷却水の供給が可能に構成され得、前記冷却水は、前記第１回転駆動部１４６と研削ホイール１４４を通じて前記研削砥石１４２へ供給され得る。

【0036】

また、図３を参照すると、前記研削ホイール１４４には、前記研削ホイール１４４のＩＤ情報が記録された情報タッグ１４８、例えば、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ；無線自動識別）タッグが付着され得る。前記第１回転駆動部１４６には、前記情報タッグ１４８に記録された前記研削ホイール１４４のＩＤ情報を読み取るための読み取り機１６６が備えられ得る。前記読み取り機１６６は、前記半導体ストリップ１０が投入された後、前記投入された半導体ストリップ１０の研削に適切な研削ホイール１４４が取り付けられたかを確認でき、これによって、不適切な研削ホイール１４４によって前記半導体ストリップ１０の研削が行われる誤謬が防止できる。この際、前記研削ホイール１４４は、前記第１回転駆動部１４６に分離可能に取り付けられ、投入された半導体ストリップ１０に不適切な研削ホイール１４４が取り付けられた場合、これを分離して新しい研削ホイールを入れ替え得る。

【0037】

本発明の一実施例によると、前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記半導体ストリップ１０を洗浄するためのストリップ洗浄ユニット１７０を含み得る。前記ストリップ洗浄ユニット１７０は、前記半導体ストリップ１０に対する研削段階を行う間及び／または前記半導体ストリップ１０の研削段階が行われた後に前記半導体ストリップ１０の上の異物を除去するために、前記半導体ストリップ１０の上に洗浄液を噴射し得る。前記洗浄液としては、水が使用可能であり、前記水の高圧噴射によって前記半導体ストリップ１０から異物を充分に除去できる。

【0038】

また、図３に示したように、前記研削ユニット１４０の下部には、前記研削砥石１４２を洗浄するための砥石洗浄ユニット１７４が配置され得る。例えば、前記砥石洗浄ユニット１７４は、前記研削砥石１４２から異物を除去するために、前記研削砥石１４２に向かって洗浄液を噴射し得る。前記洗浄液としては水が使用可能であり、前記水の高圧噴射によって前記研削砥石１４２から異物を充分に除去できる。

【0039】

特に、前記半導体ストリップ１０は、長さと幅を有する長方形の形態を有し、前記チャックテーブル１３０は、前記半導体ストリップ１０に対応する長方形のブロック形態を有し得る。また、前記第１水平駆動部１３２は、前記チャックテーブル１３０と前記半導体ストリップ１０の長手方向、即ち、前記Ｙ軸方向へ前記チャックテーブル１３０と前記半導体ストリップ１０を移動させ、前記砥石洗浄ユニット１７４は、前記チャックテーブル１３０の移動経路の一側に配置されて前記研削砥石１４２に向かって前記洗浄液を噴射し得る。例えば、前記砥石洗浄ユニット１７４は、前記半導体ストリップ１０に対する研削段階を行う間に前記研削砥石１４２に向かって前記洗浄液を噴射し、また前記研削砥石１４２に対するドレッシング段階を行う間にも前記研削砥石１４２に向かって前記洗浄液を噴射し得る。

【0040】

本発明の一実施例によると、図２に示したように、前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記半導体ストリップ１０に対する研削段階を行う間に前記半導体ストリップ１０の厚さを測定するための第１厚さ測定ユニット１７８を含み得る。前記第１厚さ測定ユニット１７８としては、前記半導体ストリップ１０の上面に接触する測定ヘッドを含む接触式センサーが使用され得る。一例として、イタリアのベンティヴォーリオ所在のマーポス社（ＭＡＲＰＯＳＳ社）から入手可能なＵＮＩＭＡＲ研削機用の汎用測定ゲージが使用され得る。前記第１厚さ測定ユニット１７８は、前記Ｙ軸方向における前記研削ユニット１４０の一側に配置され、前記半導体ストリップ１０の厚さを接触式で測定し得る。前記のように前記第１厚さ測定ユニット１７８を用いて、前記半導体ストリップ１０に対する研削段階が行われる間に前記半導体ストリップ１０の厚さをリアルタイムで測定可能であるので、前記半導体ストリップ１０の厚さ制御がより精度よく行われることが可能である。

【0041】

特に、前記第１厚さ測定ユニット１７８は、前記半導体ストリップ１０に対する荒削り及び／または中削りを行う間に前記半導体ストリップ１０の厚さをリアルタイムで測定でき、前記半導体ストリップ１０に対する仕上げ削りを行う場合、前記測定ヘッドが前記半導体ストリップ１０から離隔し得る。これは、前記半導体ストリップ１０に対する仕上げ削りを行う間に前記測定ヘッドが前記半導体ストリップ１０に接触している場合、最終的に仕上げ削りを完了した後に前記半導体ストリップ１０の上面に前記測定ヘッドによる接触跡が発生し得るためである。

【0042】

一方、前記第１厚さ測定ユニット１７８としてレーザー距離センサーのような非接触方式のセンサーが使用され得るが、この場合、前記半導体ストリップ１０の研削過程で前記半導体ストリップ１０の上に供給される研削液及び前記研削によって発生する異物によって測定精度が低下することがあるため、望ましくない。

【0043】

もう一方で、前記半導体ストリップ研削装置１００は、図５に示したように、前記第１厚さ測定ユニット１７８の測定ヘッドを洗浄するためのブラシ１５４を含み得る。前記ブラシ１５４は、前記測定ヘッドから異物を除去するために使用され、前記第２水平駆動部１６０によって移動可能に構成され得る。例えば、前記ブラシ１５４は、前記第２可動ブロック１６２または第２回転駆動部１５６に接続され得、前記第２水平駆動部１６０は、前記測定ヘッドの異物を除去するために前記ブラシ１５４を前記Ｙ軸方向へ往復移動させ得る。

【0044】

図１をさらに参照すると、前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記半導体ストリップ１０に対する研削段階が行われた後に前記半導体ストリップ１０の厚さを測定するための第２厚さ測定ユニット１８０をさらに含み得る。前記第２厚さ測定ユニット１８０は、一例では、前記研削ユニット１４０と前記第１厚さ測定ユニット１７８との間に配置され、前記半導体ストリップ１０に対する研削段階が終了した後、前記半導体ストリップ１０の厚さを測定し得る。

【0045】

例えば、詳しく図示していないが、前記第２厚さ測定ユニット１８０は、前記半導体ストリップ１０の上面に接触するように垂直方向へ昇降可能に構成されるプローブを含み得、前記半導体ストリップ１０の上面に前記プローブが接触した状態で前記プローブの高さを測定することで前記半導体ストリップ１０の厚さを算出し得る。前記プローブを使用する第２厚さ測定ユニット１８０の詳細構成は、本出願人によって出願された韓国登録特許第１０－２１２１０６１号公報に開示されているので、これについての詳細な説明は省略する。他の例で、前記第２厚さ測定ユニット１８０としてレーザー距離センサーのような非接触式センサーが使用され得る。

【0046】

一方、図示していないが、前記第２厚さ測定ユニット１８０は、前記半導体ストリップ１０の多様な測定ポイントで前記半導体ストリップ１０の厚さを測定するように、水平方向、例えば、前記Ｘ軸方向へ移動可能に構成され得る。即ち、前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記第２厚さ測定ユニット１８０を前記Ｘ軸方向へ移動させるための別の水平駆動部（図示せず）をさらに含み得る。

【0047】

また、前記第２厚さ測定ユニット１８０は、前記半導体ストリップ１０の研削段階を行う前に前記半導体ストリップ１０の初期厚さを測定し、前記測定された初期厚さに基づいて前記半導体ストリップ１０の研削厚さを予め設定し得る。

【0048】

一方、前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記半導体ストリップ１０を供給するためのローディングユニット１０２と、研削工程が完了した半導体ストリップ１０を搬出するためのアンローディングユニット１８８と、を含み得る。前記ローディングユニット１０２には、複数の半導体ストリップを収納するように構成された第１マガジン５０が配置され、前記アンローディングユニット１８８には、研削工程が完了した半導体ストリップを収納するための第２マガジン５２が配置され得る。例えば、前記半導体ストリップ研削装置１００は、前記第１マガジン５０から前記半導体ストリップ１０を引き出すためのストリップ引き出しユニット１０４と、前記第１マガジン５０から引き出された前記半導体ストリップ１０が載置され、前記半導体ストリップ１０の下面を真空吸着するための真空テーブル１１６と、前記真空テーブル１１６の上の前記半導体ストリップ１０をピックアップして前記チャックテーブル１３０の上へ移送するためのストリップ移送ユニット１２０と、を含み得る。

【0049】

図６及び図７は、図１に示した真空テーブルとストリップ移送ユニットを説明するための概略的な正面図である。
図６及び図７を参照すると、前記真空テーブル１１６は、テーブルリフト１１８によって垂直方向へ昇降可能に構成され、前記ストリップ引き出しユニット１０４によって前記第１マガジン５０から引き出された前記半導体ストリップ１０が前記真空テーブル１１６の上に載置された後、前記真空テーブル１１６は、前記半導体ストリップ１０の下面を真空吸着し得る。例えば、前記真空テーブル１１６は、長方形のプレート状であり、前記半導体ストリップ１０の下面を真空吸着するための複数の真空ホールを備え得る。

【0050】

前記ストリップ引き出しユニット１０４は、前記第１マガジン５０に収納された半導体パッケージのいずれか一つが前記第１マガジン５０の前方へ突出するように前記一つの半導体ストリップ１０を押すプッシャー１０６と、前記第１マガジン５０から突出した前記半導体ストリップ１０を把持するためのグリッパー１０８と、前記半導体ストリップ１０を前記真空テーブル１１６の上へ移動させるために前記グリッパー１０８を水平方向、例えば、Ｘ軸方向へ移動させるためのグリッパー駆動部１１０（図１参照）と、前記第１マガジン５０と前記真空テーブル１１６との間で前記半導体ストリップ１０の移動を案内するための移送レール１１２と、を含み得る。

【0051】

また、図示していないが、前記第１マガジン５０は、第１マガジン駆動部（図示せず）によって垂直方向へ移動可能に構成され、前記第１マガジン駆動部は、前記第１マガジン５０の高さを調節することで引き出したい半導体ストリップ１０の高さを前記プッシャー１０６と対応させ得る。

【0052】

前記ストリップ移送ユニット１２０は、前記半導体ストリップ１０の上面を真空吸着してピックアップするための真空ピッカー１２２と、前記真空ピッカー１２２を移動させるためのピッカー駆動部１２４と、を含み得る。前記ピッカー駆動部１２４は、前記真空ピッカー１２２の方向を調節するために前記真空ピッカー１２２を回転させ、前記真空ピッカー１２２を垂直方向及び水平方向（Ｘ軸方向）へ移動させ得る。図１には、二つの真空ピッカー１２２が使用されるように示されているが、前記真空ピッカー１２２の個数は変更可能であり、これによって本発明の範囲は制限されない。

【0053】

本発明の一実施例によると、前記半導体ストリップ１０が前記真空テーブル１１６の上に載置された後、前記半導体ストリップ１０の下面が前記真空テーブル１１６の上面に真空吸着され得る。これによって、前記半導体ストリップ１０に反り（ｗａｒｐａｇｅ）が発生した場合、前記半導体ストリップ１０を前記真空テーブル１１６の上で扁平にすることができ、これによって前記真空ピッカー１２２による前記半導体ストリップ１０のピックアップが容易に行われる。

【0054】

特に、図７に示したように、前記テーブルリフト１１８は、前記半導体ストリップ１０が前記真空テーブル１１６の上に真空吸着された後、前記真空テーブル１１６を上昇させ得、前記ピッカー駆動部１２４は、前記真空ピッカー１２２の下面が前記半導体ストリップ１０の上面に密着するように前記真空ピッカー１２２を下降させ得る。結果的に、前記半導体ストリップ１０の下面と上面とが前記真空テーブル１１６と前記真空ピッカー１２２との間に密着でき、続いて、前記半導体ストリップ１０が前記真空テーブル１１６から前記真空ピッカー１２２へ受け渡され得る。これによって、前記半導体ストリップ１０の反りの程度が相対的に大きいことで前記半導体ストリップ１０の下面が前記真空テーブル１１６の上に充分に密着しない場合であるとしても、前記半導体ストリップ１０が前記真空テーブル１１６と前記真空ピッカー１２２との間に密着することによって、前記半導体ストリップ１０が充分に扁平になった状態で前記真空ピッカー１２２に受け渡されることが可能である。

【0055】

また、前記ピッカー駆動部１２４は、前記半導体ストリップ１０が前記チャックテーブル１３０の上に密着するように前記真空ピッカー１２２を移動させ、続いて、前記半導体ストリップ１０が前記真空ピッカー１２２から前記チャックテーブル１３０の上へ受け渡され得る。結果的に、反りが発生した半導体ストリップ１０が供給される場合にも、前記半導体ストリップ１０を前記チャックテーブル１３０の上へ扁平に伸ばした状態で供給でき、これによって前記半導体ストリップ１０の研削工程がより均一に行われることが可能である。

【0056】

図１をさらに参照すると、前記真空テーブル１１６と前記チャックテーブル１３０との間には、前記真空ピッカー１２２によってピックアップされた半導体ストリップ１０の下面を洗浄するための第１下部洗浄ユニット１２８が配置され得る。詳しくは図示していないが、前記第１下部洗浄ユニット１２８は、前記半導体ストリップ１０の下面上へ洗浄液及び／または洗浄ガスを噴射することで、前記半導体ストリップ１０が前記研削工程に投入される前に、前記半導体ストリップ１０の下面から異物を充分に除去し得る。一例で、前記洗浄液と洗浄ガスとしては、水と空気が使用され得る。

【0057】

前記研削ユニット１４０によって研削工程が完了した半導体ストリップ１０は、前記真空ピッカー１２２によってピックアップされた後、乾燥ユニット１８６へ移送され得る。この際、前記チャックテーブル１３０と前記乾燥ユニット１８６との間には、前記半導体ストリップ１０の下面から異物を除去するための第２下部洗浄ユニット１８４が配置され得る。詳しくは図示していないが、前記第２下部洗浄ユニット１８４は、前記異物を除去するために、前記半導体ストリップ１０の下面上に洗浄液及び／または洗浄ガスを噴射し、また前記半導体ストリップ１０の下面の乾燥のために、前記半導体ストリップ１０の下面上に乾燥ガスを噴射し得る。一例で、前記洗浄液と前記洗浄ガス及び乾燥ガスとしては、水と空気が使用され得る。

【0058】

前記乾燥ユニット１８６は、前記半導体ストリップ１０の上面へ、乾燥ガス、例えば、空気を噴射でき、図示していないが、前記乾燥ユニット１８６の上で乾燥された半導体ストリップ１０は、ストリップ収納ユニット（図示せず）によって前記第２マガジン５２に収納され得る。

【0059】

前述したような本発明の実施例によると、前記研削ユニット１４０に対するドレッシング段階は、前記チャックテーブル１３０に対する前記半導体ストリップ１０のロード及び／またはアンロード段階が行われる間に前記ドレッシングユニット１５０によって行われ得る。これによって、前記研削ユニット１４０に対する前記ドレッシング段階の遂行のためのさらなる時間が不要であり、これによって、前記半導体ストリップ研削装置１００の単位時間当りの処理量が大幅増加できる。また、前記第１厚さ測定ユニット１７８は、前記半導体ストリップ１０に対する研削段階が行われる間に前記半導体ストリップ１０の厚さをリアルタイムで測定可能であり、これによって前記半導体ストリップ１０の厚さをさらに精度よく制御可能である。また、前記砥石洗浄ユニット１７４は、前記半導体ストリップ１０に対する洗浄段階を行う間に前記研削砥石１４２に対する洗浄段階を同時に行うことができ、これによって前記半導体ストリップ１０の研削工程にかかる時間を大幅短縮することができる。結果的に、前記半導体ストリップ研削装置１００の生産性が大幅向上する。

【0060】

以上、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、当該発明が属する技術分野における熟練した当業者は、下記の特許請求の範囲に記載された本発明の技術思想及び領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更可能である。

【符号の説明】

【0061】

１０ 半導体ストリップ
５０ 第１マガジン
５２ 第２マガジン
１０２ ローディングユニット
１０４ ストリップ引き出しユニット
１１６ 真空テーブル
１１８ テーブルリフト
１２０ ストリップ移送ユニット
１２２ 真空ピッカー
１２４ ピッカー駆動部
１２８ 第１下部洗浄ユニット
１３０ チャックテーブル
１３２ 第１水平駆動部
１３４ ガイドレール
１３６ 第１可動ブロック
１４０ 研削ユニット
１４２ 研削砥石
１４４ 研削ホイール
１４６ 第１回転駆動部
１４８ 情報タッグ
１５０ ドレッシングユニット
１５２ ドレッシングホイール
１５４ ブラシ
１５６ 第２回転駆動部
１６０ 第２水平駆動部
１６２ 第２可動ブロック
１６６ 読み取り機
１７０ ストリップ洗浄ユニット
１７４ 砥石洗浄ユニット
１７８ 第１厚さ測定ユニット
１８０ 第２厚さ測定ユニット
１８４ 第２下部洗浄ユニット
１８６ 乾燥ユニット
１８８ アンローディングユニット

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】