特許 7466010 電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-03

(45)【発行日】2024-04-11

(54)【発明の名称】電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/56 20060101AFI20240404BHJP

   C09J 7/35 20180101ALI20240404BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20240404BHJP

【ＦＩ】

H01L21/56 R

C09J7/35

H05K3/28 F

【請求項の数】 11

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023003428

(22)【出願日】2023-01-13

(65)【公開番号】P2024043566

(43)【公開日】2024-04-01

【審査請求日】2023-01-13

(31)【優先権主張番号】111135413

(32)【優先日】2022-09-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(73)【特許権者】

【識別番号】520378377

【氏名又は名称】毅力科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＥＬＥＡＤＴＫ ＣＯ．，ＬＴＤ．

(74)【代理人】

【識別番号】100147485

【弁理士】

【氏名又は名称】杉村 憲司

(74)【代理人】

【識別番号】230118913

【弁護士】

【氏名又は名称】杉村 光嗣

(74)【代理人】

【氏名又は名称】君塚 絵美

(72)【発明者】

【氏名】劉 劭祺

【審査官】正山 旭

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１１－１２４４１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２７８０５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１０７９６９０７３（ＣＮ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０３４３００４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／５６

Ｃ０９Ｊ ７／３５

Ｈ０５Ｋ ３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
前記電子モジュール及び前記電子モジュール上に配置された保護材をチャンバ内に配置することであって、前記保護材と前記電子モジュールとが互いに接触している、配置することと、
第１の加熱手順を前記チャンバ内の前記保護材に実施して、前記電子モジュール上に配置された前記保護材を軟化させ、第１の増圧手順を前記チャンバに実施することであって、前記第１の増圧手順における圧力が１気圧より大きい、実施することと、
前記保護材を軟化させた後、前記第１の加熱手順を維持しながら揺動式減圧手順を前記チャンバに実施することであって、前記揺動式減圧手順が前記チャンバ内の圧力を１気圧より小さい複数の低圧の間で交互に変化させることを含む、実施することと；
前記第１の加熱手順を維持しながら第２の増圧手順を前記チャンバに実施することであって、前記第２の増圧手順における圧力が前記第１の増圧手順における前記圧力より小さく、１気圧より大きい、実施することと、
第２の加熱手順を前記チャンバ内の前記保護材に実施して、前記電子モジュールを覆っている前記保護材を硬化させ、これによって、前記電子モジュールを覆っている前記保護フィルムを形成することと、
を含む、方法。

【請求項2】

請求項１に記載の電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
前記揺動式減圧手順において、前記低圧が、基準低圧及び複数の可変低圧を含み、前記基準低圧の圧力が、前記可変低圧の圧力より大きく、前記可変低圧が、時間経過に伴って徐々に低下していき、前記可変低圧が、前記基準低圧と交互した結果、隣接する２つの時系列に含まれる前記可変低圧のうちの２つが、最初に前記基準低圧に戻る、方法。

【請求項3】

請求項２に記載の電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
前記チャンバが前記可変低圧のそれぞれに留まっている時間が、前記チャンバが前記基準低圧に留まっている時間より長い、方法。

【請求項4】

請求項１に記載の電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
前記第１の増圧手順及び前記揺動式減圧手順を実施した後で、前記第２の増圧手順を実施する前に、前記第１の増圧手順及び前記揺動式減圧手順を前記チャンバに繰り返し実施することをさらに含む、方法。

【請求項5】

請求項４に記載の電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
２回目の前記揺動式減圧手順における前記低圧の圧力差が、１回目の前記揺動式減圧手順における前記低圧の前記圧力差より大きい、方法。

【請求項6】

請求項４に記載の電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
前記第１の増圧手順及び前記揺動式減圧手順を前記チャンバに繰り返し実施した後で、前記第２の増圧手順を実施する前に、前記第１の増圧手順及び減圧手順を前記チャンバに実施することであって、前記減圧手順における圧力が前記揺動式減圧手順における圧力より小さい、実施することをさらに含む、方法。

【請求項7】

請求項６に記載の電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
前記チャンバが前記減圧手順における前記圧力に留まっている時間が、前記チャンバが前記揺動式減圧手順における前記圧力に留まっている時間より長い、方法。

【請求項8】

請求項４に記載の電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
１回目の前記第１の増圧手順における前記圧力が、２回目の前記第１の増圧手順における前記圧力と同じ又は異なる、方法。

【請求項9】

請求項１に記載の電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
前記第２の加熱手順が実施されるとき、同時に、第３の増圧手順が前記チャンバに実施される、方法。

【請求項10】

請求項１に記載の電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
前記電子モジュールが、複数の電子素子を備え、前記電子モジュールを覆っている前記保護フィルムの表面の外形が、前記電子素子の外形に合致する、方法。

【請求項11】

請求項１に記載の電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法であって、
前記電子モジュールが、複数の電子素子を備え、前記電子モジュールを覆っている前記保護フィルムの表面が、平坦であり、前記電子素子の外形に合致しない、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、保護フィルムを形成するための方法に関し、より特定すると、電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法に関する。

【背景技術】

【0002】

一般に、電子デバイス用に使用されるマザーボード上には、サイズが異なる電子素子がある。慣例的な方法は、機械式又は手動式の方法によって保護グルー（ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ ｇｌｕｅ）をマザーボードに付着させて、マザーボード及びマザーボード上の電子素子を保護することである。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

しかしながら、前述の方法では、保護グルーの密着が困難であるため、大抵の場合、保護グルーとマザーボードとの間又は保護グルーと電子素子との間に気泡が残留する。したがって、前述の方法では、大抵の場合、水蒸気で覆われることになり、これにより、電子素子の可使時間が短くなり、又は信頼性の問題が発生する。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本開示は、保護グルーと電子素子との間に気泡が残留する可能性を効果的に低下させることができる、電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法を提供する。

【0005】

本開示における電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法は、次のものを含む。電子モジュール及び電子モジュール上に配置された保護材を、チャンバ内に配置する。保護材と電子モジュールとは、互いに接触している。第１の加熱手順をチャンバ内の保護材に実施して、電子モジュール上に配置された保護材を軟化させ、第１の増圧手順をチャンバに実施する。第１の増圧手順における圧力は、１気圧より大きい。保護材を軟化させた後、第１の加熱手順を維持しながら、チャンバに揺動式減圧手順（ｏｓｃｉｌｌａｔｉｎｇ ｄｅｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｐｒｏｃｅｄｕｒｅ）を実施する。揺動式減圧手順は、チャンバ内の圧力を１気圧より小さい複数の低圧の間で交互に変化させることを含む。第１の加熱手順を維持しながら、チャンバに第２の増圧手順を実施する。第２の増圧手順における圧力は、第１の増圧手順における圧力より小さく、１気圧より大きい。第２の加熱手順をチャンバ内の保護材に実施して、電子モジュールを覆っている保護材を硬化させ、これによって、電子モジュールを覆っている保護フィルムを形成する。

【0006】

本開示の一実施形態において、揺動式減圧手順において、低圧は、基準低圧及び複数の可変低圧を含む。基準低圧の圧力は、可変低圧の圧力の圧力より大きい。可変低圧は、時間経過に伴って徐々に低下していく。可変低圧は、基準低圧と交互した結果、隣接する２つの時系列に含まれる可変低圧のうちの２つが、最初に基準低圧に戻る。

【0007】

本開示の一実施形態において、チャンバが可変低圧のそれぞれに留まっている時間は、基準低圧に留まっている時間より長い。

【0008】

本開示の一実施形態において、第１の増圧手順及び揺動式減圧手順を実施した後で、第２の増圧手順を実施する前に、本方法は、次のことをさらに含む。第１の増圧手順及び揺動式減圧手順を、チャンバに繰り返し実施する。

【0009】

本開示の一実施形態において、２回目の揺動式減圧手順における低圧の圧力差は、１回目の揺動式減圧手順における低圧の圧力差より大きい。

【0010】

本開示の一実施形態において、第１の増圧手順及び揺動式減圧手順をチャンバに繰り返し実施した後で、第２の増圧手順を実施する前に、本方法は、次のことをさらに含む。第１の増圧手順及び減圧手順をチャンバに実施する。減圧手順における圧力は、揺動式減圧手順における圧力より小さい。

【0011】

本開示の一実施形態において、チャンバが減圧手順における圧力に留まっている時間は、チャンバが揺動式減圧手順における圧力に留まっている時間より長い。

【0012】

本開示の一実施形態において、１回目の第１の増圧手順における圧力は、２回目の第１の増圧手順における圧力と同じ又は異なる。

【0013】

本開示の一実施形態において、第２の加熱手順が実施されるとき、同時に、第３の増圧手順がチャンバに実施される。

【0014】

本開示の一実施形態において、電子モジュールは、複数の電子素子を備え、電子モジュールを覆っている保護フィルムの表面の外形は、電子素子の外形に合致する。

【0015】

本開示の一実施形態において、電子モジュールは、複数の電子素子を備え、電子モジュールを覆っている保護フィルムの表面が、平坦であり、電子素子の外形に合致しない。

【発明の効果】

【0016】

上記を踏まえて、電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法において、第１の加熱手順をチャンバ内の保護材に実施して、電子モジュール上に配置された保護材を軟化させ、第１の増圧手順をチャンバに実施し、この結果、電子モジュールと保護材との間にある気泡が、保護材の表面に近い位置にまで上昇する。次に、第１の加熱手順を維持しながら、チャンバに揺動式減圧手順を実施する。揺動式減圧手順は、チャンバ内の圧力を１気圧より小さい低圧の間で交互に変化させることを含む。揺動式減圧手順において、保護材の中で表面の近くにある気泡は、チャンバ内の圧力の変化に応じて気泡のサイズが前後に変化することにより、破裂する。次いで、第１の加熱手順を維持しながら、チャンバに第２の増圧手順を実施する。第２の増圧手順における圧力は、第１の増圧手順における圧力より小さく、１気圧より大きい。第２の増圧手順において、軟化した保護材は、圧縮して平坦化することができる。最後に、第２の加熱手順が、電子モジュールを覆っている保護材を硬化させて、電子モジュールを覆っている保護フィルムを形成するように、チャンバ内の保護材に実施される。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本開示の一実施形態による、電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法のステップの概略図である。

【図2A】図１において電子モジュール上に保護フィルムを形成する流れ図のうちの１つの概略図である。

【図2B】図１において電子モジュール上に保護フィルムを形成する流れ図のうちの１つの概略図である。

【図2C】図１において電子モジュール上に保護フィルムを形成する流れ図のうちの１つの概略図である。

【図3A】図１において電子モジュール上に保護フィルムを形成する流れ図のうちの別の１つの概略図である。

【図3B】図１において電子モジュール上に保護フィルムを形成する流れ図のうちの別の１つの概略図である。

【図3C】図１において電子モジュール上に保護フィルムを形成する流れ図のうちの別の１つの概略図である。

【図4A】図１の方法における、時間と温度との関係の概略図である。

【図4B】図１の方法における、時間と圧力との関係の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

図１は、本開示の一実施形態による、電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法のステップの概略図である。図２Ａ～図２Ｃは、図１において電子モジュール上に保護フィルムを形成する流れ図のうちの１つの概略図である。図３Ａ～図３Ｃは、図１において電子モジュール上に保護フィルムを形成する流れ図のうちの別の１つの概略図である。図４Ａは、図１の方法における、時間と温度との関係の概略図である。図４Ｂは、図１の方法における、時間と圧力との関係の概略図である。

【0019】

まず図１、図２Ａ及び図３Ａを参照すると、この実施形態における電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法１００は、次のステップを含む。最初に、ステップ１１０において、電子モジュール１０並びに電子モジュール１０上に配置された保護材２０（図２Ａ）及び２２（図３Ａ）を、チャンバ３０内に配置する。保護材２０及び２２と、電子モジュール１０とは、互いに接触している。

【0020】

図２Ａにおいて、電子モジュール１０は、回路基板１２及び回路基板１２上に配置された複数の電子素子１３～１７を備え、電子素子１３～１７は、異なる高さを有する。保護材２０は、電子素子１３～１７より上に配置されており、保護材２０の範囲は、回路基板１２の範囲を超えない。

【0021】

図３Ａの実施形態と図２Ａの実施形態との差異は、図３Ａにおいては、保護材２２が多層構造であってもよく、この結果、保護材２２がより厚い厚さを有するという点である。

【0022】

次に、ステップ１２０において、第１の加熱手順をチャンバ３０内の保護材２０及び２２に実施して、電子モジュール１０上に配置された保護材２０及び２２を軟化させ、第１の増圧手順をチャンバ３０に実施する。第１の増圧手順における圧力は、１気圧より大きい。この段階における第１の加熱手順は、保護材２０及び２２を軟化させ、図３Ｂの多層構造保護材２２は、一体化する。図２Ｂ及び図３Ｂに示されているように、軟化した保護材２０及び２２は、回路基板１２と接触するようにつぶれ、複数の気泡４０が保護材２０及び２２と、電子素子１３～１７との間に形成される。第１の増圧手順は、電子モジュール１０と保護材２０及び２２との間にある気泡４０が、図２Ｂ及び図３Ｂに示された位置から、保護材２０及び２２の表面に近い位置にまで徐々に上昇していくことができるように構成される。

【0023】

この実施形態において、第１の加熱手順の温度は、例えば１３０度であり、圧力は、例えば１１気圧であり、すなわち、外部応力との圧力差は、１０気圧である。第１の増圧手順は、１０～２５分間実施することができる。当然ながら、第１の増圧手順及び第１の加熱手順の値は、前述の値に限定されない。

【0024】

次いで、ステップ１３０において、保護材２０及び２２を軟化させた後、第１の加熱手順を維持しながら、チャンバ３０に揺動式減圧手順を実施する。揺動式減圧手順は、チャンバ３０内の圧力を１気圧より小さい複数の低圧の間で交互に変化させることを含む。

【0025】

図４Ｂに示されているように、圧力は最初に１気圧未満に低下し、次いで、１気圧未満であるという前提のもとで、圧力の大きさを変化させるための揺動を実施し、次いで、圧力を高圧に上昇させた後、１気圧未満に低下させて、圧力の大きさを変化させるための揺動を実施し、この揺動を数回繰り返す。すなわち、この実施形態において、第１の増圧手順及び揺動式減圧手順がチャンバ３０に繰り返し実施される。当然ながら、繰り返しの有無及び繰り返しの回数は、図面によって限定されない。

【0026】

図４Ｂによれば、この実施形態において、具体的には、揺動式減圧手順が３回実施されるが、揺動式減圧手順においては毎回、基準低圧と複数の可変低圧との間で揺動が起きる。基準低圧の圧力は、可変低圧の圧力より大きく、可変低圧は、時間経過に伴って徐々に低下していく。可変低圧は、基準低圧と交互した結果、隣接する２つの時系列に含まれる可変低圧のうちの２つが、最初に基準低圧に戻る。

【0027】

１回目の揺動に関しては、圧力と時間との関係は、表１に示されている。チャンバ３０が可変低圧のそれぞれに留まっている時間は、チャンバ３０が基準低圧に留まっている時間より長い。この実施形態において、具体的には、基準低圧は、３８０ｔｏｒｒであり、０秒間続き、可変低圧は、２７０ｔｏｒｒから２１０ｔｏｒｒに徐々に低下していき、毎回３０秒間持続する。このプロセスにおいては、保護材２０及び２２の中で表面の近くにある気泡４０は、チャンバ３０内の圧力の変化に応じて気泡４０のサイズが前後に変化することにより、破裂する。

【表1】

【0028】

次に、チャンバ３０に２回目の第１の増圧手順が実施される。例えば、２回目の第１の増圧手順における圧力は１０気圧であり、６分間持続する。この実施形態において、２回目の第１の増圧手順における圧力は、１回目の第１の増圧手順における圧力と同じである。しかしながら、他の複数の実施形態において、２回目の第１の増圧手順における圧力は、１回目の第１の増圧手順における圧力と異なってもよい。

【0029】

次いで、２回目の揺動式減圧手順が実施される。２回目の揺動式減圧手順の目的は、１回目の揺動式減圧手順において破裂しなかった気泡４０を、この手順において破裂できるようにすることである。２回目の揺動式減圧手順における低圧の圧力差は、１回目の揺動式減圧手順における低圧の圧力差より大きい。保護材２０及び２２の材料特性により、硬化反応している保護グルー材料の粘度は、時間に伴って同じ温度で増大していき、この結果、気泡４０の破裂がより困難になる。したがって、圧力差を大きくすることにより、気泡４０の体積変化の範囲が広がるが、これは、気泡４０を破裂させるのに役立つものである。

【0030】

２回目の揺動式減圧手順における圧力及び時間は、下記の表２に示されている。この実施形態において、基準低圧は、３８０ｔｏｒｒであり、０秒間続き、可変低圧は、２１０ｔｏｒｒから１３０ｔｏｒｒに徐々に低下していき、毎回３０秒間持続する。

【表2】

【0031】

次に、３回目の第１の増圧手順がチャンバ３０に実施される。例えば、３回目の第１の増圧手順における圧力は１０気圧であり、６分間持続する。次いで、３回目の揺動式減圧手順が実施される。３回目の揺動式減圧手順における圧力及び時間は、下記の表３に示されている。この実施形態において、基準低圧は、３８０ｔｏｒｒであり、０秒間続き、可変低圧は、１３０ｔｏｒｒから３０ｔｏｒｒに徐々に低下していき、毎回４０秒間持続する。

【表3】

【0032】

次いで、４回目の第１の増圧手順がチャンバ３０に実施される。４回目の第１の増圧手順における圧力は１０気圧であり、６分間持続する。その後、減圧手順が実施される。この実施形態において、減圧手順における圧力は、揺動式減圧手順における圧力より小さく、チャンバ３０が減圧手順における圧力に留まっている時間は、チャンバ３０が揺動式減圧手順における圧力に留まっている時間より長い。具体的には、減圧手順における圧力は３０ｔｏｒｒであり、時間は３００秒である。このステップにおいて、残りの気泡４０は、真空に近い比較的小さい圧力（大きな負圧の値）を比較的長い時間にわたって用いることによって直接膨張させて、破裂させることができる。

【0033】

次に、ステップ１４０において、第１の加熱手順を維持しながら、チャンバ３０に第２の増圧手順を実施する。第２の増圧手順における圧力は、第１の増圧手順における圧力より小さく、１気圧より大きい。この実施形態において、第２の増圧手順は例えば、最初に圧力を２０分間２気圧に増圧し、次いで圧力を５分間３気圧に増圧することである。前述のステップにおいては、気泡４０の破裂により、保護材２０及び２２の表面が不均一になっており、この結果、保護材２０及び２２の流れを阻害するほどに高いものではない、より低い高圧（２～３気圧）を用いて、保護材２０及び２２の表面を平坦化することができる。

【0034】

さらに、特定の温度における保護材２０及び２２の粘度は時間に伴って徐々に増大していくため、第２の増圧手順は、２つの増圧ステップに分割されており、これは、保護材２０及び２２の表面を平坦化するのにより役立つものである。当然ながら、他の複数の実施形態において、第２の増圧手順は、１つのみの増圧ステップで実施することも可能である。さらに、第２の増圧手順は、より多くのステップで実施することも可能である。

【0035】

次に、ステップ１５０において、第２の加熱手順が、電子モジュール１０を覆っている保護材２０及び２２を硬化させて、図２Ｃ及び図３Ｃに示されているような電子モジュール１０を覆っている保護フィルム２５を形成するように、チャンバ３０内の保護材２０及び２２に実施される。保護材２０及び２２は、例えば、熱硬化性材料である。第２の加熱手順において、温度を１７５度に上昇させて、保護材２０及び２２を硬化させることができる。第２の加熱手順が実施されている間には、同時に、第３の増圧手順がチャンバ３０に実施されている。この段階における圧力は、１１気圧であってもよく、持続期間は、３０分～６０分間であってもよく、又は保護材２０及び２２に必要な最低限の硬化時間であってもよい。

【0036】

最後に、図４Ａ及び図４Ｂに示されているように、温度を低下させ、圧力を低下させる。この段階における温度は、８０度であり、圧力は、６気圧であってもよく、時間は、２５分であってもよい。しかしながら、本開示は、前述のものに限定されない。

【0037】

図２Ｃにおいて、電子モジュール１０を覆っている保護フィルム２５の表面の外形は、電子素子１３～１７の外形に合致する。図３Ｃにおいて、保護フィルム２５が比較的厚いため、電子モジュール１０を覆っている保護フィルム２５の表面は平坦であってもよく、電子素子１３～１７の外形に合致しなくてもよい。さらに、図２Ｃ及び図３Ｃによれば、保護フィルム２５は、回路基板１２の側面又は裏面に流れ込むことなく、回路基板１２の上面のみを覆う。

【0038】

重要な点としては、図３Ｃの保護フィルム２５の表面を平面構造として製造すべき場合においては、最初に使用される保護材２２がより多くの層を有し、又はより厚いものであるため、保護材２２の気泡４０の除去が困難であることが挙げられる。この実施形態における電子モジュール１０上に保護フィルム２５を形成するための方法１００は、揺動式減圧手順によって気泡４０を効果的に除去することが可能であり、図３Ｃの構造を完成させることができる。

【0039】

上記を踏まえて、電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法において、第１の加熱手順をチャンバ内の保護材に実施して、電子モジュール上に配置された保護材を軟化させ、第１の増圧手順をチャンバに実施し、この結果、電子モジュールと保護材との間にある気泡が、保護材の表面に近い位置にまで上昇する。次に、第１の加熱手順を維持しながら、チャンバに揺動式減圧手順を実施する。揺動式減圧手順は、チャンバ内の圧力を１気圧より小さい低圧の間で交互に変化させることを含む。揺動式減圧手順において、保護材の中で表面の近くにある気泡は、チャンバ内の圧力の変化に応じて気泡のサイズが前後に変化することにより、破裂する。次いで、第１の加熱手順を維持しながら、チャンバに第２の増圧手順を実施する。第２の増圧手順における圧力は、第１の増圧手順における圧力より小さく、１気圧より大きい。第２の増圧手順において、軟化した保護材は、圧縮して平坦化することができる。最後に、第２の加熱手順が、電子モジュールを覆っている保護材を硬化させて、電子モジュールを覆っている保護フィルムを形成するように、チャンバ内の保護材に実施される。

【産業上の利用可能性】

【0040】

本開示は、電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法を提供する。

【符号の説明】

【0041】

１０：電子モジュール
１２：回路基板
１３～１７：電子素子
２０、２２：保護材
２５：保護フィルム
３０：チャンバ
４０：気泡
１００：電子モジュール上に保護フィルムを形成するための方法
１１０～１５０：ステップ

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4A】

【図4B】