特許 7466080 レーザアニール装置及びレーザアニール方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-04

(45)【発行日】2024-04-12

(54)【発明の名称】レーザアニール装置及びレーザアニール方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/268 20060101AFI20240405BHJP

   H01L 21/20 20060101ALI20240405BHJP

【ＦＩ】

H01L21/268 T

H01L21/268 J

H01L21/268 G

H01L21/20

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2023545118

(86)(22)【出願日】2022-06-30

(86)【国際出願番号】 JP2022026186

(87)【国際公開番号】W WO2023032450

(87)【国際公開日】2023-03-09

【審査請求日】2023-10-10

(31)【優先権主張番号】P 2021143326

(32)【優先日】2021-09-02

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】314012076

【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100106116

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 健司

(74)【代理人】

【識別番号】100131495

【弁理士】

【氏名又は名称】前田 健児

(72)【発明者】

【氏名】菱田 光起

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 優顕

【審査官】桑原 清

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－１０３７９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－０７９４９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１５８３７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－３０８００９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１８８３７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２８８６０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０４－１４４１２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－０６４０６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０２７６１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－０７２１８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００８／１２９７１９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００４－３４９６４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０３４３６６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／２６８

Ｈ０１Ｌ ２１／２０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してアニール処理するレーザアニール装置であって、
互いに異なる波長のレーザ光を出射する複数のレーザ光源と、
各前記レーザ光源から出射された前記レーザ光を回折する回折格子と、
前記各レーザ光源による前記レーザ光の出射のオン／オフを切り換える制御部と、を備え、
前記各レーザ光源は、出射された前記レーザ光が前記回折格子によって同一の光軸上に回折されるように、互いに異なる箇所に配置されており、
前記制御部は、前記アモルファスシリコン膜の任意の結晶粒サイズに応じて、前記複数のレーザ光源の中から、前記レーザ光の出射をオンにする前記レーザ光源を、少なくとも１つ以上選択可能であり、
前記複数のレーザ光源の中には、４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長の前記レーザ光を出射する前記レーザ光源が含まれており、
前記制御部は、４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲の中から、前記アモルファスシリコン膜に照射する前記レーザ光の波長を、選択可能である、
レーザアニール装置。

【請求項2】

請求項１に記載のレーザアニール装置であって、
前記アモルファスシリコン膜と前記回折格子との間には、前記レーザ光を前記アモルファスシリコン膜に向けて照射するとともに、傾きが変化可能なミラーが介在している、前記レーザアニール装置。

【請求項3】

請求項１又は２のいずれか１つに記載のレーザアニール装置であって、
前記アモルファスシリコン膜が堆積された基板を移動させる移動機構を備える、レーザアニール装置。

【請求項4】

アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してアニール処理するレーザアニール方法であって、
互いに異なる波長のレーザ光を出射する複数のレーザ光源を、該レーザ光が回折格子によって同一の光軸上に回折されるように、互いに異なる箇所に配置し、
前記アモルファスシリコン膜の任意の結晶粒サイズに応じて、前記複数のレーザ光源の中から、前記レーザ光の出射をオンにする前記レーザ光源を、少なくとも１つ以上選択し、
前記複数のレーザ光源の中には、４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長の前記レーザ光を出射する前記レーザ光源が含まれており、
４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲の中から、前記アモルファスシリコン膜に照射する前記レーザ光の波長を、選択する、
レーザアニール方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、レーザアニール装置及びレーザアニール方法に関する。

【背景技術】

【0002】

レーザアニール装置は、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してアニール処理することによって、ポリシリコン膜を形成する。例えば、特許文献１に開示のレーザアニール装置は、ＧａＮ系半導体レーザ素子によって波長３５０～４５０ｎｍのレーザビームを出射する複数の発光点が生じるように構成されたレーザ光源と、各々制御信号に応じて光変調状態が変化する多数の画素部が基板上に配列され、レーザ光源から出射されたレーザビームを変調する空間光変調素子と、各画素部で変調されたレーザビームでアニール面上を走査する走査手段と、を備える。

【0003】

レーザ光源は、複数のＧａＮ系半導体レーザ素子と、複数のＧａＮ系半導体レーザ素子の各々から出射されたレーザビームを集光し且つ集光ビームを光ファイバの入射端に結合させる集光光学系としての集光レンズと、１本の光ファイバと、で構成されている。このように、複数のＧａＮ系半導体レーザ素子の各々から出射されたレーザビームは、集光レンズによって、空間合成される。

【0004】

また、非特許文献１には、波長４４５ｎｍの青色レーザダイオードによるレーザ光をアモルファスシリコン膜に照射することによって、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザの場合よりも、均一性に有利な微細粒径をもつ高品質なポリシリコン膜を形成することができる旨、記載されている。また、レーザ光の波長が長いほど、光が吸収され難くなるため、アモルファスシリコン膜に対するレーザ光の浸透深さが大きくなる旨、記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２００４－０６４０６６号公報

【文献】陳訳「レーザーアニールによる接合形成と高性能パワーＳｉ ＭＯＳ ＦＥＴｓ に関する研究」琉球大学博士論文、２０１６年９月、第３２，３３頁

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

ところで、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してアニール処理する工程において、同一条件、すなわち、同じ波長のレーザ光を同じ時間だけ照射したとしても、形成されるポリシリコン膜の品質にばらつきが生じることがあった。

【0007】

そこで、本願発明者等は、アモルファスシリコン膜の任意の結晶粒サイズや、結晶性に応じて、レーザ光の波長を変化させることを想到した。これにより、アモルファスシリコン膜に対するレーザ光の吸収係数や浸透深さ等を適宜調整することができるので、ポリシリコン膜の品質を均一にコントロールする上で有利になる。

【0008】

しかしながら、アモルファスシリコン膜の結晶粒サイズに応じてレーザ光の波長を変化させるという上記構成を、特許文献１のような空間合成によって実現しようとした場合、互いに配置箇所の異なる複数のレーザ光源からの集光であるため、アモルファスシリコン膜に対するレーザ光の照射位置や範囲が変化したり、また、光源波長を変えることによっても、ビーム偏角差が生じるなどの光特性の影響によりレーザ光の照射位置や範囲が変化したりするという、物理的な問題があった。

【0009】

本開示は斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、アモルファスシリコン膜に対するレーザ光の照射位置や範囲が波長毎に変化することを抑制しつつ、形成されるポリシリコン膜の品質を均一にコントロールすることにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本開示に係るレーザアニール装置は、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してアニール処理するレーザアニール装置であって、互いに異なる波長のレーザ光を出射する複数のレーザ光源と、各上記レーザ光源から出射された上記レーザ光を回折する回折格子と、上記各レーザ光源による上記レーザ光の出射のオン／オフを切り換える制御部と、を備え、上記各レーザ光源は、出射された上記レーザ光が上記回折格子によって同一の光軸上に回折されるように、互いに異なる箇所に配置されており、上記制御部は、上記アモルファスシリコン膜の任意の結晶粒サイズに応じて、上記複数のレーザ光源の中から、上記レーザ光の出射をオンにする上記レーザ光源を、少なくとも１つ以上選択可能であり、上記複数のレーザ光源の中には、４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長の上記レーザ光を出射する上記レーザ光源が含まれており、上記制御部は、４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲の中から、上記アモルファスシリコン膜に照射する上記レーザ光の波長を、選択可能である、

【0011】

本開示に係るレーザアニール方法は、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してアニール処理するレーザアニール方法であって、互いに異なる波長のレーザ光を出射する複数のレーザ光源を、上記レーザ光が回折格子によって同一の光軸上に回折されるように、互いに異なる箇所に配置し、上記アモルファスシリコン膜の任意の結晶粒サイズに応じて、上記複数のレーザ光源の中から、上記レーザ光の出射をオンにする上記レーザ光源を、少なくとも１つ以上選択し、上記複数のレーザ光源の中には、４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長の上記レーザ光を出射する上記レーザ光源が含まれており、４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲の中から、上記アモルファスシリコン膜に照射する上記レーザ光の波長を、選択する。

【発明の効果】

【0012】

本開示によれば、アモルファスシリコン膜に対するレーザ光の照射位置や範囲が波長毎に変化することを抑制しつつ、形成されるポリシリコン膜の品質を均一にコントロールすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は、本実施形態に係る波長合成技術によるレーザアニール装置を示す図である。

【図2】図２は、レーザ光の波長とアモルファスシリコン膜への吸収係数との関係を示すグラフである。

【図3】図３は、従来例に係る空間合成によるレーザアニール装置を示す。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、本開示の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本開示、その適用物あるいはその用途を制限することを意図するものでは全くない。

【0015】

（レーザアニール装置）
図１は、レーザアニール装置１を示す。レーザアニール装置１には、波長合成技術（ＷＢＣ：Wavelength Beam Combining）が採用されている。レーザアニール装置１は、基板Ｗの表面に堆積されたアモルファスシリコン膜Ｗ１にレーザ光を照射してアニール処理することによって、ポリシリコン膜（結晶化膜）を形成する。なお、アモルファスシリコン膜Ｗ１は、プリカーサ膜として形成されている。

【0016】

図１に示すように、レーザアニール装置１は、複数（ｎ個）のレーザ発振器（レーザ光源）２ｉ（ｉ＝１，２，…ｎ）と、透過型の回折格子３と、ガルバノミラー４と、カプラ５と、制御部６と、を備える。レーザ発振器２ｉの個数ｎは、例えば１２個である。

【0017】

各レーザ発振器２ｉは、互いに異なる波長λｉ（ｉ＝１，２，…ｎ）のレーザ光Ｌｉ（ｉ＝１，２，…ｎ）を、入射角θｉ（ｉ＝１，２，…ｎ）で、回折格子３に向けて出射する。入射角θｉは、各レーザ発振器２ｉからの入射光と回折格子３の法線Ｐとのなす角である。

【0018】

図１では、簡単のため、１個目の第１レーザ発振器２１、２個目の第２レーザ発振器２２及びｎ個目の第ｎレーザ発振器２ｎのみを、図示する。

【0019】

第１レーザ発振器２１は、波長λ１のレーザ光Ｌ１を、入射角θ１で、回折格子３に向けて出射する。第２レーザ発振器２２は、波長λ２のレーザ光Ｌ２を、入射角θ２で、回折格子３に向けて出射する。第ｎレーザ発振器２ｎは、波長λｎのレーザ光Ｌｎを、入射角θｎで、回折格子３に向けて出射する。

【0020】

複数のレーザ発振器２ｉの中には、青色領域、具体的には４３５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長λｉのレーザ光Ｌｉを出射するレーザ発振器２ｉが、含まれている。本実施形態では、全てのレーザ発振器２ｉの波長λｉが、４３５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲にある。第１レーザ発振器２１の波長λ１は、一番小さく、４３５ｎｍである。第ｎレーザ発振器２ｎの波長λｎは、一番大きく、４６０ｎｍである。ｎ個のレーザ発振器２ｉは、４３５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲をｎ分割している。

【0021】

図２は、レーザ光Ｌｉの波長λｉ［ｎｍ］とアモルファスシリコン膜Ｗ１への吸収係数αｉ［ｃｍ^－１］との関係を示すグラフである。図２に示すように、波長λｉ［ｎｍ］が大きくなるほど、吸収係数αｉ［ｃｍ^－１］は、小さくなる。

【0022】

図１に示すように、回折格子３は、各レーザ発振器２ｉから出射された各レーザ光Ｌｉを、透過回折する。ここで、各レーザ発振器２ｉは、出射された各レーザ光Ｌｉが回折格子３によって同一の光軸Ａ上に透過回折されるように（同一の回折角φで透過回折されるように）、互いに異なる箇所に配置されている。

【0023】

回折角φは、回折格子３による回折光と回折格子３の法線Ｐとのなす角である。回折角φは、光軸Ａが基板Ｗの表面に対して斜めに交差するように、設定されている。

【0024】

図１で示す透過型の回折格子３の周期（開口の間隔、図示せず）ｄ、波長λｉ、入射角θｉ及び回折角φの関係は、以下の通りである。ｄ（ｓｉｎθｉ－ｓｉｎφ）＝ｍλｉ（ｍはゼロを除く整数）。

【0025】

ガルバノミラー４は、アモルファスシリコン膜Ｗ１（基板Ｗ）と回折格子３との間に、介在している。ガルバノミラー４は、回折格子３によって回折されて光軸Ａ上を進むレーザ光Ｌｉを、アモルファスシリコン膜Ｗ１（基板Ｗ）に向けて、照射方向Ｂへ照射する。

【0026】

ガルバノミラー４の傾きは、モータやピエゾ素子等からなるアクチュエータ（図示せず）によって、変化可能である（図１のＣ参照）。ガルバノミラー４によるレーザ光Ｌｉの照射方向Ｂは、ガルバノミラー４の傾きの変化に応じて、変化する。

【0027】

カプラ５は、回折格子３とガルバノミラー４との間に、配置されている。レーザ発振器２ｉから出射され且つ回折格子３により回折されたレーザ光Ｌｉの一部（数％）は、カプラ５によって再びレーザ発振器２ｉに戻される。そして、当該レーザ光Ｌｉの一部がレーザ発振器２ｉとカプラ５との間を何度も往復することによって、レーザ発振器２ｉから出射されたレーザ光Ｌｉが外部共振される。これにより、レーザ光Ｌｉのエネルギーが増幅される。

【0028】

各レーザ発振器２ｉは、制御部６に接続されている。制御部６は、例えば、マイクロコンピュータ及びプログラムによって構成される。制御部６は、各レーザ発振器２ｉによるレーザ光Ｌｉの出射のオン／オフを切り換える。

【0029】

ここで、レーザアニール工程よりも前のモニタリング工程において、アモルファスシリコン膜Ｗ１の結晶粒サイズが、測定される。結晶粒サイズの測定は、種々の公知の方法によって行われる。例えば、セコエッチング処理によってアモルファスシリコン膜Ｗ１の結晶粒界を顕在化した後に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって結晶粒サイズを観察する。セコエッチング処理により結晶粒サイズを測定する方法の他に、Ｘ線回折法、ラマン分光法、分光エリプソメトリー、電気伝導率などにより結晶性を評価する方法等もある。

【0030】

制御部６は、アモルファスシリコン膜Ｗ１の任意の結晶粒サイズに応じて、複数のレーザ発振器２ｉの中から、レーザ光Ｌｉの出射をオンにするレーザ発振器２ｉを、少なくとも１つ以上任意に選択可能である。換言すると、制御部６は、４３５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲の中から、アモルファスシリコン膜Ｗ１に照射するレーザ光Ｌｉの波長λｉを、任意に選択可能である。

【0031】

ここで、アモルファスシリコン膜Ｗ１には複数の結晶粒が存在するが、ユーザは、波長選択の判断に用いる結晶粒を、複数の結晶粒の中から、任意に（自由に）選択してよい。結晶粒のサイズとして、例えば、結晶粒の直径（結晶粒径）や表面積などを、適宜採用すればよい。

【0032】

図１の例で説明すると、制御部６は、第１レーザ発振器２１によるレーザ光Ｌ１の出射のみをオンにするとともに、第２レーザ発振器２２及び第ｎレーザ発振器２ｎによるレーザ光Ｌ２，Ｌｎの出射をオフにしてもよい。すなわち、制御部６は、４３５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲の中から、波長λ１のみを選択するとともに、波長λ２及び波長λｎを選択しなくてもよい。

【0033】

また、制御部６は、第１レーザ発振器２１及び第２レーザ発振器２２よるレーザ光Ｌ１，Ｌ２の出射をオンにするとともに、第ｎレーザ発振器２ｎよるレーザ光Ｌｎの出射をオフにしてもよい。すなわち、制御部６は、４３５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲の中から、波長λ１及び波長λ２を選択するとともに、波長λｎを選択しなくてもよい。

【0034】

また、制御部６は、全てのレーザ発振器２１，２２，…２ｎによるレーザ光Ｌ１，Ｌ２，…Ｌｎの出射をオンにしてもよい。すなわち、制御部６は、４３５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲の中から、全ての波長λ１，λ２，…λｎを選択してもよい。

【0035】

制御部６は、上で例示した以外の波長λｉの組み合わせを、選択してもよい。

【0036】

（作用効果）
本実施形態によれば、アモルファスシリコン膜Ｗ１の結晶粒サイズに応じて、アモルファスシリコン膜Ｗ１に照射するレーザ光Ｌｉの波長λｉを適宜選択することによって、レーザ光Ｌｉのアモルファスシリコン膜Ｗ１への吸収係数αｉや浸透深さ等を適宜調整することができる。これにより、形成されるポリシリコン膜の品質を均一にコントロールする上で有利になる。

【0037】

ここで、図３は、従来例に係るレーザアニール装置１００を示す。従来例に係るレーザアニール装置１００は、回折格子３ではなく、集光レンズ１０３を備える。各レーザ発振器２ｉから出射されたレーザ光Ｌｉは、集光レンズ１０３によって集光され（空間合成され）た後、ガルバノミラー４によってアモルファスシリコン膜Ｗ１に向けて照射される。その他の構成は、本実施形態に係るレーザアニール装置１と同様である。

【0038】

従来例に係るレーザアニール装置１００では、各レーザ発振器２ｉの配置箇所及び波長λｉが互いに異なるため、集光レンズ１０３により集光され（空間合成され）且つガルバノミラー４により照射されるレーザ光Ｌｉは、図３に示すように、アモルファスシリコン膜Ｗ１に対して、波長λｉ毎に異なる位置に、照射される。

【0039】

一方、本実施形態に係るレーザアニール装置１では、回折格子３により回折され且つガルバノミラー４により照射されるレーザ光Ｌｉは、図１に示すように、アモルファスシリコン膜Ｗ１に対して、波長λｉにかかわらず同じ位置及び範囲に、照射される。

【0040】

以上、アモルファスシリコン膜Ｗ１に対するレーザ光Ｌｉの照射位置や範囲が波長λｉ毎に変化することを抑制しつつ、形成されるポリシリコン膜の品質を均一にコントロールすることができる。

【0041】

特に、青色領域、具体的には４３５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲の中から、波長λｉを選択することによって、図２に示すように、吸収係数αｉの小さなレーザ光Ｌｉを、アモルファスシリコン膜Ｗ１に照射することができる。吸収係数αｉをある程度小さくすることによって、レーザ光Ｌｉのアモルファスシリコン膜Ｗ１に対する浸透深さを、大きくすることができる。これにより、波長の低い領域（例えば３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザ）の場合に比較して、形成されるポリシリコン膜の品質をコントロールしやすくなる。

【0042】

ガルバノミラー４の傾きを変化させることによって、簡単に、アモルファスシリコン膜Ｗ１の広領域に対して、レーザ光Ｌｉを照射することができる。

【0043】

（その他の実施形態）
以上、本開示を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。

【0044】

ガルバノミラー４は、無くてもよい。例えば、アモルファスシリコン膜Ｗ１と回折格子３との間に、シリンドリカルレンズを設けてもよい。シリンドリカルレンズによって、レーザ光Ｌｉのスポット径を、線状に広げることができる。この場合、シリンドリカルレンズと回折格子３との間に、レーザ光Ｌｉの進行方向を変化させるミラーが配置されてもよい。

【0045】

また、レーザアニール装置１は、移動機構（図示せず）を備えてもよい。移動機構は、アモルファスシリコン膜Ｗ１が表面に堆積された基板Ｗを移動（位置変化）させる。移動機構は、例えば、基板Ｗが載置される可動式のステージである。移動機構により基板Ｗを移動させることによって、ガルバノミラー４が無くても、アモルファスシリコン膜Ｗ１の広領域に対して、レーザ光Ｌｉを照射することができる。

【0046】

上記実施形態では、透過型の回折格子３を用いたが、これに限定されない。回折格子３は、反射型でもよい。

【0047】

上記実施形態(特に図１)では表現していないが、レーザ発振器２ｉと回折格子３との間には、又は回折格子３とカプラ５との間には、レーザ光Ｌｉを効率良く入射させるために、ＦＡＣレンズ、ツイスターレンズ、プリズムレンズ等を設けてもよい。

【0048】

波長範囲は、４３５ｎｍ以上４６０ｎｍ以下に限定されない。例えば、下限を広げて、４２０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下でもよい。さらに、波長範囲は、青色領域を含まず、例えば、紫外領域（４００ｎｍ以下）でもよい。

【0049】

本開示に係るレーザアニール方法は、アモルファスシリコン膜Ｗ１にレーザ光Ｌｉを照射してアニール処理するレーザアニール方法であって、互いに異なる波長λｉのレーザ光Ｌｉを出射する複数のレーザ発振器２ｉを、レーザ光Ｌｉが回折格子３によって同一の光軸Ａ上に回折されるように、互いに異なる箇所に配置し、アモルファスシリコン膜Ｗ１の任意の結晶粒サイズに応じて、複数のレーザ発振器Ｌｉの中から、レーザ光Ｌｉの出射をオンにするレーザ発振器２ｉを、少なくとも１つ以上選択する。

【産業上の利用可能性】

【0050】

本開示は、レーザアニール装置及びレーザアニール方法に適用できるので、極めて有用であり、産業上の利用可能性が高い。

【符号の説明】

【0051】

Ａ 光軸
Ｂ 照射方向
Ｃ 傾き
Ｐ 法線
Ｗ 基板
Ｗ１ アモルファスシリコン膜
λｉ 波長
Ｌｉ レーザ光
θｉ 入射角
φ 回折角
１ レーザアニール装置
２ｉ レーザ発振器（レーザ光源）
３ 回折格子
４ ガルバノミラー
５ カプラ
６ 制御部

【図1】

【図2】

【図3】