特許 7466375 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-04

(45)【発行日】2024-04-12

(54)【発明の名称】インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240405BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20240405BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

B29C59/02 Z

【請求項の数】 14

(21)【出願番号】P 2020087609

(22)【出願日】2020-05-19

(65)【公開番号】P2021182594

(43)【公開日】2021-11-25

【審査請求日】2023-04-27

(73)【特許権者】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】齋藤 有弘

(72)【発明者】

【氏名】川▲崎▼ 陽司

【審査官】佐藤 海

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１７／１７０６８４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１９－１０６５３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０９２９９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１１／０１０４３８９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０２１－０８２８０８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／００

Ｂ２９Ｃ ５９／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

型を用いて基板上の複数のショット領域のそれぞれにインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板と前記インプリント材とを密着させる機能を有し、第１光の照射により前記インプリント材に対する撥液性が増加する膜を前記基板上に形成する第１工程と、
前記第１工程の後、前記膜に前記インプリント材を硬化させる第２光のうち前記基板上の各ショット領域の外に漏れる漏れ光及び前記漏れ光が前記型と前記基板との間で反射を繰り返すことによる迷光が照射されることで生じる、前記基板上の各ショット領域に配置される前記インプリント材の液滴のサイズの差が低減するように、前記第１光を前記基板上に形成された前記膜に照射する第２工程と、
前記第２工程の後、前記膜の上に前記インプリント材の液滴を配置し、当該インプリント材の液滴と前記型とを接触させた状態で前記第２光を照射することで前記パターンを形成する第３工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。

【請求項2】

前記第２工程では、前記基板上の各ショット領域に配置される前記インプリント材の液滴のサイズの差が許容範囲に収まるように、前記第１光を前記膜に照射することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。

【請求項3】

前記第２工程では、前記基板上の各ショット領域に配置される前記インプリント材の液滴のサイズが同一となるように、前記第１光を前記膜に照射することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。

【請求項4】

前記第２工程では、前記基板内で強度分布を有する前記第１光を前記膜に照射することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項5】

前記第２工程では、前記複数のショット領域間で、前記インプリント材の液滴のサイズの差が前記許容範囲に収まるように、前記第１光を前記膜に照射することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。

【請求項6】

前記第２工程では、前記複数のショット領域のそれぞれにおいて、前記インプリント材の液滴のサイズの差が前記許容範囲に収まるように、前記第１光を前記膜に照射することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。

【請求項7】

前記基板の１つのショット領域ごとに前記第２工程及び前記第３工程を行うことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項8】

前記複数のショット領域に対して前記第２工程を一括して行うことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項9】

前記第１光と前記第２光とは、異なる光源から射出された光であることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項10】

前記第１光と前記第２光とは、互いに異なる波長を有することを特徴とする請求項９に記載のインプリント方法。

【請求項11】

前記第１光と前記第２光とは、同一の光源から射出された光であることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。

【請求項12】

型を用いて基板上の複数のショット領域のそれぞれにインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板と前記インプリント材とを密着させる機能を有し、第１光の照射により前記インプリント材に対する撥液性が増加する膜が形成された前記基板上に前記インプリント材の液滴を配置するディスペンサと、
前記ディスペンサが前記基板上に前記インプリント材の液滴を配置する前に、前記膜に前記インプリント材を硬化させる第２光のうち前記基板上の各ショット領域の外に漏れる漏れ光及び前記漏れ光が前記型と前記基板との間で反射を繰り返すことによる迷光が照射されることで生じる、前記基板上の各ショット領域に配置される前記インプリント材の液滴のサイズの差が低減するように、前記第１光を前記膜に照射する照射部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。

【請求項13】

前記照射部が前記第１光を前記膜に照射した後、前記ディスペンサにより前記膜の上に前記インプリント材の液滴を配置し、当該インプリント材の液滴と前記型とを接触させた状態で第２光を照射することで前記パターンを形成する処理を行う処理部を更に有することを特徴とする請求項１２に記載のインプリント装置。

【請求項14】

請求項１２又は１３に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
処理された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

インプリント技術は、基板上に形成された密着膜の上にインプリント材の液滴を配置し、かかるインプリント材と型とを接触させて、型に形成された微細なパターンに対応するインプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術である。インプリント技術によれば、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。

【0003】

インプリント技術では、インプリント材の硬化法の１つとして光硬化法がある。光硬化法は、基板上に配置されたインプリント材と型とを接触させた状態で紫外線などの光を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことでインプリント材のパターンを基板上に形成する方法である。

【0004】

光硬化法では、基板上のショット領域から漏れた光（漏れ光）が、パターンが形成されていないショット領域に形成されている密着膜に到達する（照射される）場合がある。密着膜に光が照射されると、密着膜の表面状態が変化するため、そこに配置されるインプリント材の液滴の大きさが変化してしまう。漏れ光が照射される量はショット領域内の位置によって異なるため、ショット領域内に配置されるインプリント材の液滴の大きさが不均一になる。

【0005】

インプリント材の液滴の大きさが不均一になると、ショット領域内、或いは、基板上の各ショット領域でインプリント材の液滴の広がりに偏りが生じ、インプリント材がショット領域を超えて外側にはみ出してしまうことがある。このような場合、型のパターン領域のエッジ部分にインプリント材が付着したり、型のパターン（凹部）にインプリント材が十分に充填されず、基板上に形成されるパターンに未充填欠陥が生じたりしてしまう。

【0006】

そこで、インプリント材がショット領域を超えて外側にはみ出してしまうことを抑制するための技術が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１には、基板上のショット領域の周囲（全周）に光を照射して、基板上の密着膜をインプリント材に対して撥液性にすることで、インプリント材の液滴を濡れ広がり難くする技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】特開２０１８－９２９９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

しかしながら、特許文献１には、基板上のショット領域の周囲に照射する光の光強度分布について具体的な開示がない。例えば、基板上のショット領域の周囲に同じ強さで光りを照射すると、基板上の密着膜の撥液性は一律で同じになるため、ショット領域内の漏れ光が到達している領域と漏れ光が到達していない領域とで、密着膜の撥液性に分布が生じてしまう。また、特許文献１には、漏れ光に関する記載がなく、漏れ光の対策はなされていない。

【0009】

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板上に配置されるインプリント材の液滴の大きさを均一にするのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント方法は、型を用いて基板上の複数のショット領域のそれぞれにインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、前記基板と前記インプリント材とを密着させる機能を有し、第１光の照射により前記インプリント材に対する撥液性が増加する膜を前記基板上に形成する第１工程と、前記第１工程の後、前記膜に前記インプリント材を硬化させる第２光のうち前記基板上の各ショット領域の外に漏れる漏れ光及び前記漏れ光が前記型と前記基板との間で反射を繰り返すことによる迷光が照射されることで生じる、前記基板上の各ショット領域に配置される前記インプリント材の液滴のサイズの差が低減するように、前記第１光を前記基板上に形成された前記膜に照射する第２工程と、前記第２工程の後、前記膜の上に前記インプリント材の液滴を配置し、当該インプリント材の液滴と前記型とを接触させた状態で前記第２光を照射することで前記パターンを形成する第３工程と、を有することを特徴とする。

【0011】

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、例えば、基板上に配置されるインプリント材の液滴の大きさを均一にするのに有利な技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。

【図2】第１実施形態におけるインプリント方法を説明するためのフローチャートである。

【図3】密着層の上に配置されたインプリント材の液滴を示す概略断面図である。

【図4】基板上の複数のショット領域の配列を示す図である。

【図5】基板上のインプリント材と型のパターン領域との接触前後の状態を示す図である。

【図6】漏れ光が未処理ショット領域に与える影響を説明するための図である。

【図7】図２に示すＳ０２の工程を説明するための図である。

【図8】照射部からの光の照射時間とインプリント材の液滴のサイズの変化量との関係の一例を示す図である。

【図9】照射部の構成の一例を示す概略図である。

【図10】第２実施形態におけるインプリント方法を説明するためのフローチャートである。

【図11】物品の製造方法を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。更に、添付図面においては、同一もしくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

【0015】

図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、物品としての半導体素子、液晶表示素子、磁気記憶媒体などのデバイスの製造工程であるリソグラフィ工程に採用され、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置である。インプリント装置１は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型のパターンが転写された硬化物のパターンを形成する。なお、型は、モールド、テンプレート、或いは、原版とも称される。

【0016】

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する材料（硬化性組成物）が使用される。硬化用のエネルギーとしては、電磁波や熱などが用いられる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、具体的には、赤外線、可視光線、紫外線などを含む。

【0017】

硬化性組成物は、光の照射、或いは、加熱により硬化する組成物である。光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。

【0018】

インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

【0019】

基板には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。具体的には、基板は、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどを含む。

【0020】

インプリント装置１は、本実施形態では、インプリント材の硬化法として光硬化法を採用する。インプリント装置１は、図１に示すように、型８を保持して移動する型保持部３と、基板１０を保持して移動する基板保持部４と、基板上にインプリント材の液滴を配置するディスペンサ５とを有する。また、インプリント装置１は、インプリント材を硬化させる光（第２光）９を照射する硬化部２と、基板上のインプリント材と型８との接触状態を撮像する撮像部６と、型８や基板１０に設けられたマークを検出する検出部７とを有する。更に、インプリント装置１は、光（第１光）３５を照射する照射部２０と、制御部２１とを有する。

【0021】

本明細書及び添付図面では、基板１０の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系で方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれに平行な方向をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転及びＺ軸周りの回転のそれぞれを、θＸ、θＹ及びθＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御又は駆動（移動）は、それぞれ、Ｘ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御又は駆動（移動）を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御又は駆動は、それぞれ、Ｘ軸に平行な軸周りの回転、Ｙ軸に平行な軸周りの回転、Ｚ軸に平行な軸周りの回転に関する制御又は駆動を意味する。

【0022】

基板保持部４は、基板１０を保持する基板チャック１６と、少なくともＸ軸方向及びＹ軸方向の２軸に関して基板チャック１６を駆動する（基板１０の位置を制御する）基板駆動機構１７とを含む。基板保持部４には、その側面に、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θＸ、θＹ及びθＺの各方向に対応した複数の参照ミラー１８が設けられている。また、複数の参照ミラー１８のそれぞれに対して、各参照ミラーにビームを照射して基板保持部４の位置を計測する複数のレーザ干渉計（測長器）１９が設けられている。基板１０（基板保持部４）の位置決めは、制御部２１の制御下において、レーザ干渉計１９で計測された基板保持部４の位置に基づいて行われる。なお、参照ミラー１８及びレーザ干渉計１９に代えて、エンコーダを用いて基板保持部４の位置を計測してもよい。

【0023】

型保持部３は、型８を保持する型チャック１１と、少なくともＺ軸方向の１軸に関して型チャック１１を駆動する（型８の上下方向（Ｚ軸方向）の位置を制御する）型駆動機構３８とを含む。型駆動機構３８が型チャック１１を下方（－Ｚ方向）に駆動することによって、型チャック１１に保持された型８のパターン領域８ａと基板上のインプリント材１４とを接触させる（押印）。型駆動機構３８が型チャック１１を上方（＋Ｚ方向）に駆動することによって、基板上の硬化したインプリント材１４から型８を引き離す（離型）。なお、押印及び離型では、型チャック１１を駆動する代わりに、基板チャック１６を上下方向に駆動してもよいし、型チャック１１と基板チャック１６とを相対的に駆動してもよい。

【0024】

型８のパターン領域８ａには、本実施形態では、基板上に形成すべきパターン（凹凸）を反転させたパターンが形成されている。型８のパターン領域８ａは、型チャック１１に保持された状態において、基板側に突出した部分、所謂、メサと称される部分に形成されている。なお、型８のパターン領域８ａは、パターンが形成されていない平面（平坦部）に置換することが可能である。

【0025】

型保持部３には、例えば、石英板からなる光透過部材４１と型８とで規定される空間（キャビティ）１３が設けられていてもよい。かかる空間１３の圧力を調整することで、押印時や離型時に型８を変形させることが可能である。例えば、押印時に空間１３の圧力を高くすることで、型８を基板１０に対して凸形状に変形させた状態でパターン領域８ａとインプリント材１４とを接触させることができる。

【0026】

検出部７は、型８に設けられているマークと、基板１０に設けられているマークとを検出する。検出部７の検出結果に基づいて、制御部２１では、型８と基板１０との相対的な位置（位置ずれ）を求め、型８及び基板１０の少なくとも一方を移動させることで型８と基板１０とを位置合わせ（アライメント）することができる。

【0027】

制御部２１は、インプリント装置１の内部に設けられていてもよいし、インプリント装置１とは別の場所に設けられていてもよい。制御部２１は、ＣＰＵやメモリなどを含む情報処理装置（コンピュータ）で構成され、記憶部に記憶されたプログラムに従って、インプリント装置１の全体を制御する。制御部２１は、インプリント装置１の各部を制御して、基板上の複数のショット領域のそれぞれにインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う処理部として機能する。インプリント処理では、基板上にインプリント材１４を配置し、型８をインプリント材１４に接触させた状態でインプリント材１４を硬化させる。そして、型８と基板１０との間隔を広げて、基板上の硬化したインプリント材１４から型８を引き離すことで、基板上のインプリント材１４に型８のパターンを転写する。このような一連の処理を、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して行う。従って、１つの基板上の複数のショット領域のそれぞれに対してインプリント処理を行う場合には、かかる１つの基板上の複数のショット領域の数だけインプリント処理が繰り返し行われることになる。

【0028】

＜第１実施形態＞
図２を参照して、本発明の第１実施形態におけるインプリント方法について説明する。Ｓ０１（第１工程）では、基板上のインプリント処理の対象とする１つのショット領域（対象ショット領域）にインプリント材１４の液滴を配置する前に、基板上（基板１０の全体）に密着膜を形成（塗布）する。密着膜は、塗布装置などの外部装置によって基板上に形成してもよいし、インプリント装置１に塗布装置を設けてインプリント装置内で基板上に形成してもよい。

【0029】

Ｓ０２（第２工程）では、基板上の対象ショット領域にインプリント材１４の液滴を配置する前に、照射部２０からの光３５を、対象ショット領域上の密着膜に照射する。

【0030】

Ｓ０３（第３工程）では、Ｓ０２で光３５が照射された密着膜の上にインプリント材１４の液滴を配置し、インプリント材１４の液滴と型８とを接触させた状態で硬化部２からの光９を照射することでインプリント材１４のパターンを形成する（インプリント処理）。

【0031】

Ｓ０４では、インプリント材１４のパターンを形成した対象ショット領域が最終ショット領域であるかどうかを判定する。対象ショット領域が最終ショット領域である場合には、処理を終了する。一方、対象ショット領域が最終ショット領域ではない場合には、次のショット領域を対象ショット領域として、Ｓ０２に移行する。このように、Ｓ０３でインプリント材１４のパターンが形成される対象ショット領域が最終ショット領域になるまで、Ｓ０２及びＳ０３を繰り返す。

【0032】

図２に示すＳ０１の工程について説明する。基板上に形成される密着膜は、基板１０とインプリント材１４とを密着させる機能を有する。かかる密着膜は、インプリント材１４に対して親液性を有するが、例えば、４５０ｎｍ以下の波長の光が照射されることで、インプリント材１４に対して親液性から撥液性に変化する、即ち、インプリント材１４に対する撥液性が増加する性質を有する。

【0033】

密着膜に光を照射することで、かかる密着膜がインプリント材１４に対して親水性を示すようになるメカニズムは解明されていないが、本発明者らは以下のように推測している。密着膜の表面に雰囲気中の水分が吸着されると、表面エネルギーが増加する。このような状態の密着膜に光を照射することで、表面に吸着された水分が脱離し、光を照射する前に比べて、表面エネルギーが低下するため、密着膜がインプリント材１４に対して撥水性を示すと考えられる。

【0034】

ここで、密着膜（の成分）の一般的な例について説明するが、密着膜は、以下の材料に限定されるものではない。また、密着膜は、例えば、特表２００９－５０３１３９号公報、特開２０１４－１８９６１６号公報、特開２０１４－３１２３号公報にも開示されている。

【0035】

密着膜の材料としては、エチレン性不飽和基と親水性基とを有するポリ（メタ）アクリレート化合物が好ましい。エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリロイル基などが挙げられる。具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。親水性基としては、アルコール性水酸基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、エーテル基などが挙げられる。ポリ（メタ）アクリレート化合物（アクリル樹脂）は、エチレン性不飽和基と、親水性基とを含み、エチレン性不飽和基と親水性基とは、同一の繰り返し単位に含まれていてもよいし、別々の繰り返し単位に含まれていてもよい。

【0036】

また、密着膜の材料は、揮発性溶剤を含み、エステル構造、ケトン構造、水酸基及びエーテル構造のうちのいずれかを少なくとも１つ有する有機溶剤であることが好ましい。密着膜の材料は、他の成分として、架橋剤、熱重合開始剤、界面活性剤を含有していてもよい。架橋剤としては、エポキシ化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物、メチロールエーテル化合物、ビニルエーテル化合物などのカチオン重合性化合物が好ましい。熱重合開始剤としては、例えば、アゾ系化合物、有機過酸化物が挙げられる。界面活性剤としては、ノニオン性界面活性剤が好ましく、フッ素系、Ｓｉ系、又は、フッ素・Ｓｉ系であることが好ましい。

【0037】

図３（ａ）及び図３（ｂ）は、基板上に形成された密着膜１０２の上に配置されたインプリント材１４の液滴を示す概略断面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照するに、基板１０の上に密着膜１０２が形成され、密着膜１０２の上にインプリント材１４の液滴が配置されている。図３（ａ）は、光を照射していない密着膜１０２の上にインプリント材１４の液滴を配置した場合を示している。図３（ａ）を参照するに、インプリント材１４と密着膜１０２とが親水性の関係にあるため、インプリント材１４の液滴は、密着膜１０２に低い接触角で接液して濡れ広がった状態になる。図３（ｂ）は、光を照射した密着膜１０２の上にインプリント材１４の液滴を配置した場合を示している。図３（ｂ）を参照するに、密着膜１０２が光の照射によって親水性から撥液性に変化しているため、インプリント材１４の液滴の接触角が増加し、濡れ広がり難くなっている。

【0038】

図２に示すＳ０２の工程について説明する。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、基板上の複数のショット領域の配列を示す図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照するに、２０１は、インプリント処理が行われてないショット領域（未処理ショット領域）を示している。また、２０２は、これからインプリント処理が行われるショット領域（対象ショット領域）を示し、２０３は、インプリント処理が行われたショット領域（処理済ショット領域）を示している。

【0039】

図５（ａ）は、基板上のインプリント材１４と型８のパターン領域８ａとを接触させる前の状態を示している。図５（ａ）に示すように、密着膜１０２が基板１０の上に形成され、インプリント材１４の液滴が密着膜１０２の上に配置されている。図５（ｂ）は、基板上のインプリント材１４と型８のパターン領域８ａとを接触させた後の状態、即ち、型８のパターン領域８ａがインプリント材１４の液滴を押し広げた状態を示している。図５（ｂ）に示すように、硬化部２（の光源）から発せられた光９がインプリント材１４に照射され、インプリント材１４が硬化される。この際、インプリント材１４が配置されているショット領域３０５よりも広い範囲に光９が照射されてしまう。ここでは、ショット領域３０５の外に漏れる光を漏れ光３０７と称し、漏れ光３０７が照射される（到達する）範囲を漏れ光範囲３０６と称する。また、漏れ光３０７は、型８と基板１０との間で反射を繰り返す迷光３０４となり、漏れ光範囲３０６よりも離れた領域に到達する。

【0040】

漏れ光３０７は、図６（ａ）に示すように、インプリント処理が行われてない未処理ショット領域２０１に影響を与える。漏れ光３０７が未処理ショット領域２０１に到達すると、上述したように、未処理ショット領域２０１に形成されている密着膜１０２のインプリント材１４に対する性質が親液性から撥液性に変わる。従って、未処理ショット領域２０１では、インプリント材１４の液滴が濡れ広がり難くなってしまう。

【0041】

図６（ｂ）は、基板上の４つのショット領域ＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３及びＳＲ４に対して、ショット領域ＳＲ１、ショット領域ＳＲ２、ショット領域ＳＲ３、ショット領域ＳＲ４の順にインプリント処理を行う様子を模式的に示している。ショット領域ＳＲ１、ＳＲ２及びＳＲ３は、インプリント処理が行われた処理済ショット領域であり、ショット領域ＳＲ４は、これからインプリント処理が行われる対象ショット領域である。図６（ｂ）を参照するに、ショット領域ＳＲ１、ＳＲ２及びＳＲ３のコーナー部分では、漏れ光３０７（漏れ光範囲３０６）が複数回重なるため、漏れ光３０７の影響が、漏れ光３０７が照射される回数に比例して大きくなる。具体的には、ショット領域ＳＲ４において、漏れ光３０７が複数回重なるコーナー部３０６ａでは、漏れ光３０７が到達しないコーナー部３０６ｂに比べて、密着膜１０２の撥液性が大きくなる。従って、ショット領域ＳＲ４のコーナー部３０６ａでは、ショット領域ＳＲ４のコーナー部３０６ｂと比較して、インプリント材１４の液滴が濡れ広がり難くなるため、未充填欠陥などの欠陥が発生しやすくなる。

【0042】

更に、インプリント処理が行われたショット領域に隣接するショット領域から離れたショット領域においても、漏れ光３０７が影響を与える。具体的には、図５（ｂ）に示すように、漏れ光３０７が型８と基板１０との間で反射を繰り返して迷光３０４となり、より離れたショット領域にも到達し、かかるショット領域の濡れ性を変化させてしまう。１つのショット領域に対するインプリント処理だけであれば、漏れ光３０７及び迷光３０４の影響は軽微である。但し、複数のショット領域に対するインプリント処理を継続していると、インプリント処理が後に行われるショット領域ほど、これまでのインプリント処理による漏れ光３０７及び迷光３０４が積算され、その影響が大きくなる。

【0043】

このように、基板上のショット領域に与えられる漏れ光３０７の影響は、インプリント処理が行われる順番によって異なる。例えば、図４（ａ）に矢印２０４で示すように、基板上の複数のショット領域に対してインプリント処理を一方向に行う場合を考える。具体的には、インプリント処理が右下の端のショット領域から始まり、左下の端のショット領域に対するインプリント処理が終了すると、１つ上の段（行）の右端のショット領域からインプリント処理を再開する場合を考える。この場合、基板１０の左側のショット領域は、基板１０の右側のショット領域と比べて、漏れ光３０７及び迷光３０４の影響が大きくなる。なお、インプリント処理を行う順番を左右で逆にすると、漏れ光３０７及び迷光３０４の影響は、基板１０の左側のショット領域よりも基板１０の右側のショット領域で大きくなる。また、基板上のショット領域に対して、インプリント処理を一方向（片道）ではなく、二方向（往復）で行う場合は、往路と復路とで、漏れ光３０７及び迷光３０４が影響を与える範囲が異なる。

【0044】

本実施形態では、このような漏れ光３０７及び迷光３０４の影響を、インプリント処理を行う前に取得（確認）する。具体的には、密着膜１０２が形成された基板を用意し、かかる基板上にインプリント材１４の液滴を配置して、インプリント材１４に型８を接触させずに（型８を近接させて）光９を照射し、インプリント材１４を液滴の状態で硬化させる。そして、実際のインプリント処理と同様の順番で基板上の全てのショット領域でインプリント材１４の液滴の配置と硬化とを繰り返しながら、基板上の硬化したインプリント材１４の液滴のサイズ（大きさ）を計測する。例えば、インプリント装置１が有する撮像部６を用いてインプリント材１４の液滴のサイズを計測してもよいし、インプリント装置１から基板を取り出して外部の光学顕微鏡やＳＥＭなどを用いてインプリント材１４の液滴のサイズを計測してもよい。

【0045】

また、基板上のショット領域内の全てのインプリント材１４の液滴について、そのサイズを計測することが好ましい。但し、基板上のショット領域内のエリアごとに抜き取りでインプリント材１４の液滴のサイズを計測してもよい。インプリント材１４の液滴のサイズの計測の対象とする計測数は任意である。但し、計測数が少なすぎると、漏れ光３０７及び迷光３０４の影響の範囲を把握することが難しくなるため、漏れ光３０７及び迷光３０４の影響の範囲を把握することができるように、計測数を調整（設定）することが好ましい。

【0046】

また、インプリント材１４の液滴のサイズは、絶対値として計測（評価）してもよいし、相対値として計測してもよい。例えば、漏れ光３０７及び迷光３０４が影響していない最初のショット領域内のインプリント材１４の液滴のサイズを基準として、その他のショット領域内の同じ位置の液滴のサイズを相対的に評価してもよい。

【0047】

本実施形態では、このようにして計測されたインプリント材１４の液滴のサイズから、漏れ光３０７及び迷光３０４が影響する範囲を推測して取得することができる。

【0048】

図７（ａ）は、基板上の各ショット領域に配置されたインプリント材１４の液滴のサイズを模式的に示す図である。図７（ａ）では、基板上のショット領域４０１、４０２及び４０３のそれぞれでのインプリント材１４の液滴のサイズ、詳細には、各ショット領域の４箇所のコーナー部及び１箇所の中央部の代表的な５箇所でのインプリント材１４の液滴のサイズを数値で示している。また、本実施形態では、インプリント材１４の液滴のサイズを５段階で示し、「１」が最も小さく、「５」が最も大きいものとする。インプリント処理の順番は、図７（ａ）に矢印２０４で示すように、右下の端のショット領域から始まり、左下の端のショット領域が終了すると、１つ上の段（行）の右端のショット領域に戻るような一方向に進むものとする。

【0049】

図７（ａ）を参照するに、ショット領域４０１は、最初にインプリント処理が行われるショット領域であるため、漏れ光３０７（及び迷光３０４）の影響を受けていない。従って、ショット領域４０１では、インプリント材１４の液滴のサイズが全て最大の「５」となる。ショット領域４０２は、基板１０の中央付近のショット領域であるため、それまでのインプリント処理による漏れ光３０７及び迷光３０４の影響を若干受けることになる。従って、ショット領域４０２の右下のコーナー部でのインプリント材１４の液滴のサイズが「２」となる。一方、漏れ光３０７の影響を直接受けていないショット領域４０２の左上のコーナー部でのインプリント材１４の液滴のサイズは「４」となる。ショット領域４０３は、最後にインプリント処理が行われるショット領域であるため、それまでのインプリント処理による漏れ光３０７及び迷光３０４の影響を大きく（積算分）受けることになる。従って、ショット領域４０３の右下のコーナー部でのインプリント材１４の液滴のサイズが最小の「１」となる。また、ショット領域４０３の中央部、左上及び右上のコーナー部でのインプリント材１４の液滴のサイズは「２」となり、漏れ光３０７及び迷光３０４の影響が少ないショット領域４０３の左上のコーナー部でのインプリント材１４の液滴のサイズは「３」となる。このように、漏れ光３０７及び迷光３０４の影響が大きい箇所では、インプリント材１４の液滴のサイズが小さくなり、漏れ光３０７及び迷光３０４の影響が小さい箇所では、インプリント材１４の液滴が大きくなる。

【0050】

そこで、本実施形態では、Ｓ０２において、照射部２０からの光３５を、基板上の各ショット領域に形成された密着膜１０２に照射する。具体的には、漏れ光３０７及び迷光３０４（光９）が照射されることで生じる、各ショット領域（基板上の複数の位置のそれぞれ）に配置されるインプリント材１４の液滴のサイズの差が低減するように、照射部２０からの光３５を密着膜１０２に照射する。この際、インプリント材１４の液滴のサイズの差が許容範囲に収まるように、照射部２０からの光３５を密着膜１０２に照射することが好ましい。また、インプリント材１４の液滴のサイズが同一となるように、照射部２０からの光３５を密着膜１０２に照射することが更に好ましい。そのため、照射部２０からの光３５として、基板内やショット領域内で強度分布を有する光３５を密着膜１０２に照射する。このように、Ｓ０２は、基板内やショット領域内に強度分布を有する光３５を照射し、光３５を照射した領域内に形成された密着膜１０２を撥液性にするとともに、その撥液性に分布を形成する工程である。

【0051】

ここで、図７（ｂ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）を参照して、基板上のショット領域４０１、４０２及び４０３のそれぞれに照射する光３５の強度分布の制御について説明する。本実施形態では、最後にインプリント処理が行われるショット領域４０３でのインプリント材１４の液滴のうち最も小さな液滴のサイズと、その他のショット領域でのインプリント材１４の液滴のサイズとが同一となるように、光３５の強度分布を制御する。図７（ｂ）乃至図７（ｄ）には、基板上の各ショット領域に照射する光３５の強度分布を変化させている様子を示している。また、本実施形態では、照射部２０から照射する光３５の強度を５段階で示し、「０」が最も弱く、「４」が最も強いものとする。

【0052】

図７（ｂ）は、ショット領域４０１でのインプリント材１４の液滴のサイズ、ショット領域４０１に形成された密着膜１０２に照射する光３５の強度、及び、光３５を照射した後のショット領域４０１でのインプリント材１４の液滴のサイズを示している。ショット領域４０１では、上述したように、インプリント材１４の液滴のサイズに差がなく、そのサイズも最も大きい。そこで、ショット領域４０１（に形成された密着膜１０２）には、照射部２０から、強度分布を有さず、且つ、最も強い強度「４」を有する光３５を照射する。これにより、光３５が照射された後のショット領域４０１にインプリント材１４の液滴を配置すると、そのサイズが「１」となる。

【0053】

図７（ｃ）は、ショット領域４０２でのインプリント材１４の液滴のサイズ、ショット領域４０２に形成された密着膜１０２に照射する光３５の強度、及び、光３５を照射した後のショット領域４０２でのインプリント材１４の液滴のサイズを示している。ショット領域４０２では、インプリント材１４の液滴のサイズに差がある。そこで、ショット領域４０２（に形成された密着膜１０２）には、照射部２０から、強度分布を有する光３５を照射する。具体的には、ショット領域４０２の右下のコーナー部（インプリント材１４の液滴のサイズが小さい箇所）には、照射部２０から、強度「１」を有する光３５を照射する。一方、ショット領域４０２の左上のコーナー部（インプリント材１４の液滴のサイズが大きい箇所）には、照射部２０から、強度「３」を有する光３５を照射する。また、ショット領域４０２の中央部、右上及び左下のコーナー部には、照射部２０から、強度「２」を有する光３５を照射する。これにより、光３５が照射された後のショット領域４０２にインプリント材１４の液滴を配置すると、そのサイズが「１」となる。

【0054】

図７（ｄ）は、ショット領域４０３でのインプリント材１４の液滴のサイズ、ショット領域４０３に形成された密着膜１０２に照射する光３５の強度、及び、光３５を照射した後のショット領域４０３でのインプリント材１４の液滴のサイズを示している。ショット領域４０３では、インプリント材１４の液滴のサイズに差がある。そこで、ショット領域４０３（に形成された密着膜１０２）には、照射部２０から、強度分布を有する光３５を照射する。具体的には、ショット領域４０３の右下のコーナー部（インプリント材１４の液滴のサイズが小さい箇所）には、照射部２０から、強度「０」を有する光３５を照射する。一方、ショット領域４０３の左上のコーナー部（インプリント材１４の液滴のサイズが大きい箇所）には、照射部２０から、強度「２」を有する光３５を照射する。また、ショット領域４０３の中央部、右上及び左下のコーナー部には、照射部２０から、強度「１」を有する光３５を照射する。これにより、光３５が照射された後のショット領域４０３にインプリント材１４の液滴を配置すると、そのサイズが「１」となる。

【0055】

このように、本実施形態では、基板上のインプリント材１４を配置する前に、各ショット領域でのインプリント材１４の液滴のサイズが同一となるように、密着膜１０２に照射する光３５の強度分布を制御する。これにより、基板上にインプリント材１４の液滴を配置した際に、基板内でインプリント材１４の液滴のサイズを均一にすることがきる。なお、ショット領域内で分布だけを有する光３５を照射した場合、図７（ａ）に示すように、ショット領域内の各位置でもインプリント材１４の液滴のサイズが異なるため、インプリント材１４の液滴のサイズを均一にすることはできない。基板上の各ショット領域で、分布だけではなく、強度も制御しながら、光３５を照射する必要がある。

【0056】

照射部２０から密着膜１０２に照射する光３５の照射時間や光量に対する、基板上のインプリント材１４の液滴のサイズの変化量は、事前に取得（確認）しておくことが好ましい。照射部２０からの光３５の照射時間や光量と、基板上のインプリント材１４の液滴のサイズの変化量との関係は、インプリント材１４の種類や密着膜１０２の種類によって異なる。従って、インプリント材１４の種類や密着膜１０２の種類ごとに、実験を経て、照射部２０からの光３５の照射時間や光量と、基板上のインプリント材１４の液滴のサイズの変化量との関係を取得する必要がある。

【0057】

図８は、照射部２０からの光３５の照射時間と基板上のインプリント材１４の液滴のサイズの変化量との関係の一例を示す図である。図８では、縦軸は、照射部２０から密着膜１０２に照射する光３５の照射時間を示し、横軸は、インプリント材１４の液滴の面積減少率を示している。インプリント材１４の液滴の面積減少率は、インプリント材１４に対する密着膜１０２の撥液の状態、即ち、インプリント材１４の液滴のサイズの変化量の指標の１つである。なお、図８では、インプリント材１４の液滴の面積減少率として、照射部２０から密着膜１０２に光３５を照射していない場合におけるインプリント材１４の液滴のサイズ（面積）を１００％として、相対的なサイズを示している。また、ここでは、基板上に形成された密着膜１０２に対して、ショット領域内で均一な光３５を照射時間を変えながら照射し、その後、インプリント材１４の液滴を配置して硬化させ、その液滴のサイズを計測している。図８を参照するに、光３５の照射時間が長くなるにつれて、インプリント材１４の液滴のサイズ（面積）が減少していくことがわかる。このような関係を取得しておくことで、各ショット領域でのインプリント材１４の液滴のサイズが同一となるように、照射部２０から密着膜１０２に照射する光３５の強度分布を制御することが可能となる。

【0058】

図９を参照して、基板上の各ショット領域に照射する光３５の強度分布を変化させることを可能とする照射部２０の構成の一例について説明する。照射部２０は、光源３０２と、光学素子５０４ａと、光変調素子（空間光変調素子）５０３と、光学素子５０４ｂとを含む。

【0059】

光源３０２は、基板上に形成される密着膜１０２の性質を親液性から撥液性に変化させるために必要な光出力が得られる光源で構成され、例えば、ランプ、レーザダイオード、ＬＥＤなどから構成される。光源３０２からの光３５は、光学素子５０４ａを介して、光変調素子５０３に導かれる。光変調素子５０３は、本実施形態では、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）で構成されている。但し、光変調素子５０３は、ＤＭＤに限定されるものではなく、ＬＣＤデバイスやＬＣＯＳデバイスなどのその他の素子で構成されていてもよい。光変調素子５０３は、光源３０２と基板１０との間に配置され、制御部２１に制御下で、基板１０に対して、光３５を照射する照射領域や光３５の強度、即ち、光３５の強度分布を任意に設定することができる。光変調素子５０３で照射領域や強度が制御された光３５は、光学素子５０４ｂを介して、基板上に形成された密着膜１０２に投影される倍率が調整される。

【0060】

本実施形態では、インプリント材１４を硬化させる光９を照射する硬化部２とは別に、密着膜１０２に光３５を照射する照射部２０を設けている（即ち、光９と光３５とは、異なる光源から射出された光である）。但し、密着膜１０２に対して、硬化部２からの光９を照射してもよい（即ち、光９と光３５とは、同一の光源から射出された光であってもよい）。また、光９と光３５とは、それぞれが実現すべき機能を有する範囲において、互いに異なる波長を有していてもよいし、同一の波長を有していてもよい。

【0061】

また、本実施形態では、インプリント材１４の液滴のサイズの差が許容範囲に収まるように、照射部２０からの光３５を密着膜１０２に照射する上で、以下の条件を満たすことが好ましい。

【0062】

例えば、照射部２０から密着膜１０２に照射する光３５は、インプリント材１４が撥液しすぎない範囲で強度を制御するようにする。密着膜１０２の撥液性が大きくなりすぎると、インプリント材１４の液滴が十分に濡れ広がらなくなるため、未充填欠陥が発生しやすくなってしまう。このような未充填欠陥を抑制するためには、基板上のインプリント材１４と型８とを接触させている接触時間を長くする必要がある。但し、基板上のインプリント材１４と型８とを接触させている接触時間を長くすると、生産性が低下するため、現実的ではない。一方、密着膜１０２の撥液性が飽和するまで光３５を照射すると、インプリント材１４の液滴同士が接合し難くなるため、基板上のインプリント材１４と型８とを接触させている接触時間を長くしても未充填欠陥が発生するようになる。この場合、基板上のインプリント材１４の液滴の配置パターンを変更して、液滴同士の間隔を詰める必要があるが、液滴同士の間隔が詰まることで、液滴の密度が大きくなり、基板上に形成されるインプリント材１４のパターンの膜厚（残膜厚）が厚くなってしまう。

【0063】

また、基板上のインプリント材１４の液滴の面積が減少すると、各ショット領域でのインプリント材１４（の液滴）の被覆率が低下することになる。インプリント材１４の１つの液滴のサイズは微小であるが、１つのショット領域に対して３万から６万の液滴が配置されるため、ショット領域の全体での影響は大きくなる。例えば、密着膜１０２の撥液性が飽和するまで光３５を照射すると、ショット領域の全体で、ショット領域の面積に対する液滴の被覆率が約１０％異常減少するため、未充填欠陥が発生する可能性がある。

【0064】

密着膜１０２の撥液性（撥液の状態）と未充填欠陥との関係は、インプリント材１４の種類、密着膜１０２の種類、型８のパターン、インプリント材１４の液滴の配置パターンによって変化する（異なる）。基板上のインプリント材１４と型８とを接触させている接触時間において型８のパターンに対するインプリント材１４の充填状態を調整することができる範囲で、密着膜１０２の撥液性を制御することが好ましい。例えば、ショット領域の面積比でインプリント材１４の液滴の被覆面積の減少率を１０％未満に抑えることが好ましく、５％以下に抑えることが更に好ましい。但し、かかる数値は一例であって、実際に行われるインプリント処理の各種条件に応じて、最適な数値範囲を決定することが好ましい。なお、被覆面積とは、ショット領域の面積と、かかるショット領域に配置される全てのインプリント材１４の液滴の面積（総和）との割合である。密着膜１０２に光３５を照射していない場合（インプリント材１４の液滴のサイズが最も大きい場合）での被覆面積を１００％とし、密着膜１０２に光３５を照射した場合においてインプリント材１４の液滴の面積が減少した分を被覆面積の減少率としている。

【0065】

次に、図２に示すＳ０３の工程について説明する。Ｓ０２において、基板上の各ショット領域に対して、照射部２０から各ショット領域に適した強度分布を有する光３５を照射することで、密着膜１０２の親液性及び撥液性に分布が形成される。このような密着膜１０２の上にインプリント材１４の液滴を配置することで、かかるインプリント材１４の液滴のサイズを同一にすることができる。これにより、基板上の全てのショット領域に対して、同一の条件でインプリント処理を行うことができる。換言すれば、基板上の全てのショット領域で共通のインプリント材１４の液滴の配置パターン（ドロップレシピ）を用いることができる。

【0066】

本実施形態のように、基板上の複数のショット領域間でインプリント材１４の液滴のサイズを同一にすることの利点は以下の通りである。基板上の複数のショット領域間でインプリント材１４の液滴のサイズを同一にしなかった場合、最初にインプリント処理を行うショット領域と最後にインプリント処理を行うショット領域との間で、インプリント材１４の液滴の濡れ広がりの状態が異なってしまう。最初にインプリント処理を行うショット領域に対して配置パターンを最適化すると、最後にインプリント処理を行うショット領域では、インプリント材１４の液滴が濡れ広がり難くなる。従って、最後にインプリント処理を行うショット領域において、未充填欠陥が発生しやすくなる。一方、最後にインプリント処理を行うショット領域に対して配置パターンを最適化すると、最初にインプリント処理を行うショット領域では、インプリント材１４の液滴が濡れ広がりやすくなる。従って、最初にインプリント処理を行うショット領域において、インプリント材１４がショット領域を超えて外側にはみ出しやすくなる。基板上の各ショット領域に対して配置パターンを最適化することも考えられるが、全てのショット領域に対して配置パターンを最適化することは非常に手間がかかる。また、インプリント処理の順番を変更したり、ディスペンサ５から吐出するインプリント材１４の液滴の量を変更したりすると、その度、配置パターンを再度最適化する必要があるため、現実的ではない。本実施形態であれば、上述したように、基板上の全てのショット領域で共通のインプリント材１４の液滴の配置パターンを用いることができる。

【0067】

また、本実施形態では、基板上の複数のショット領域間でインプリント材１４の液滴のサイズを同一にすることについて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、基板上の複数のショット領域のそれぞれにおいて、インプリント材１４の液滴のサイズを同一にすることも本発明の一側面を構成する。

【0068】

＜第２実施形態＞
図１０を参照して、本発明の第２実施形態におけるインプリント方法について説明する。第１実施形態では、基板上のショット領域にインプリント処理を行う前に、かかるショット領域に形成された密着膜１０２に対して、照射部２０から光３５を照射している（即ち、基板１０の１つのショット領域ごとにＳ０２及びＳ０３を行う）。本実施形態では、基板上の各ショット領域にインプリント処理を行う前に、基板上に形成された密着膜１０２に対して、照射部２０から光３５を照射する（即ち、基板上の複数のショット領域の全てに対して一括して光３５を照射する）。

【0069】

本実施形態では、第１実施形態と比較して、Ｓ０２の工程がＳ２２の工程に置換されている。なお、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、基板上の各ショット領域に配置されるインプリント材１４の液滴のサイズを事前に計測し、各ショット領域に照射する光３５の強度分布を求めておく。Ｓ２２では、基板上に形成された密着膜１０２に対して、即ち、基板上の複数のショット領域の全てに対して、各ショット領域に適した強度分布で、照射部２０から光３５を照射する。

【0070】

Ｓ２２において、基板上の各ショット領域に光３５を照射する順番は、限定されるものではなく、例えば、インプリント処理の順番であってもよいし、別の順番であってもよい。また、基板上の各ショット領域に目的とする強度分布を有する光３５を照射することができるのであれば、１つのショット領域ごとに光３５を照射する必要はなく、複数のショット領域に対して一括して光３５を照射してもよい。例えば、複数の光変調素子５０３を用いて、基板上の２×２又は３×３のショット領域に対して光３５を照射してもよいし、基板上の全てのショット領域に対して光３５を一括して照射してもよい。

【0071】

本実施形態において、基板１０に形成された密着膜１０２に対して、強度分布を有していない（均一な）光３５を一括して照射しても、インプリント材１４の液滴のサイズを同一にすることはできない。また、基板上の各ショット領域に対して、各ショット領域に適した強度分布を有する光３５を正確に位置合わせして照射する必要がある。基板上の各ショット領域と各ショット領域に適した強度分布を有する光３５との間にずれがあると、そのずれた領域において、インプリント材１４の液滴のサイズを制御することができなくなる。

【0072】

＜第３実施形態＞
第１実施形態及び第２実施形態では、インプリント装置１において、基板上に形成された密着膜１０２に対して光３５を照射して撥液化処理を行っているが、これに限定されるものではない。本実施形態では、インプリント装置１の外部において、密着膜１０２の撥液化処理を行う場合について説明する。

【0073】

基板１０に形成された密着膜１０２に光３５を照射する工程は、必ずしもインプリント装置１で行う必要はない。例えば、インプリント装置１と外部との間で基板１０を搬送する搬送装置に光３５を照射する装置を設けてもよい。但し、光３５を照射する装置は、基板上の各ショット領域に対して、各ショット領域に適した強度分布を有する光３５を正確に位置合わせして照射する必要がある。基板上の各ショット領域と各ショット領域に適した強度分布を有する光３５との間にずれがあると、そのずれた領域において、インプリント材１４の液滴のサイズを制御することができなくなる。

【0074】

＜第４実施形態＞
インプリント装置１を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは、各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型などである。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭなどの揮発性又は不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡなどの半導体素子などが挙げられる。型としては、インプリント用のモールドなどが挙げられる。

【0075】

硬化物のパターンは、上述の物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入などが行われた後、レジストマスクは除去される。

【0076】

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１１（ａ）に示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板を用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材が基板上に付与された様子を示している。

【0077】

図１１（ｂ）に示すように、インプリント用の型を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材に向け、対向させる。図１１（ｃ）に示すように、インプリント材が付与された基板と型とを接触させ、圧力を加える。インプリント材は、型と被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型を介して照射すると、インプリント材は硬化する。

【0078】

図１１（ｄ）に示すように、インプリント材を硬化させた後、型と基板を引き離すと、基板上にインプリント材の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材に型の凹凸のパターンが転写されたことになる。

【0079】

図１１（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物がない、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図１１（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。

【0080】

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

【符号の説明】

【0081】

１：インプリント装置 ８：型 １０：基板 １４：インプリント材 ２０：照射部 １０２：密着膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】