特許 7466420 基板処理装置、基板処理方法、及びノズルユニット

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-04

(45)【発行日】2024-04-12

(54)【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法、及びノズルユニット

(51)【国際特許分類】

   B05C 11/08 20060101AFI20240405BHJP

   H01L 21/306 20060101ALI20240405BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240405BHJP

   B05C 11/10 20060101ALI20240405BHJP

   B05D 1/26 20060101ALI20240405BHJP

   B05D 3/14 20060101ALI20240405BHJP

【ＦＩ】

B05C11/08

H01L21/306 R

H01L21/304 643A

B05C11/10

B05D1/26 Z

B05D3/14

【請求項の数】 19

(21)【出願番号】P 2020156330

(22)【出願日】2020-09-17

(65)【公開番号】P2021049519

(43)【公開日】2021-04-01

【審査請求日】2021-09-02

(31)【優先権主張番号】10-2019-0118363

(32)【優先日】2019-09-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】ホン，ヨン フン

(72)【発明者】

【氏名】キム，フィワン

(72)【発明者】

【氏名】リー，ジ ヨン

【審査官】山本 晋也

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－１８３３８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－１１５８７３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ０５Ｃ ７／００－２１／００

Ｂ０５Ｄ １／００－ ７／２６

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理装置において、
基板を支持する支持ユニットと、
前記基板に液を供給するノズルを有するノズルユニットと、を含み、
前記ノズルは、接地ラインと連結され、
前記接地ラインには可変抵抗が提供され、
前記ノズルの表面は、１つ以上の溝又は突起が形成される基板処理装置。

【請求項2】

前記可変抵抗は、
第１抵抗と前記第１抵抗より低い第２抵抗に可変される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合又は前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗は、前記第１抵抗に提供される請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記ノズルによって薬液が供給される途中である場合、前記可変抵抗は、前記第２抵抗に提供される請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記第１抵抗と前記第２抵抗との間の可変は漸進的な値の変化によって成される請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記可変抵抗は、
第１抵抗と、前記第１抵抗より低い第２抵抗と、前記第１抵抗より低く、前記第２抵抗より高い第３抵抗に可変される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合、前記可変抵抗は、前記第１抵抗に提供される請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記ノズルによって薬液が供給される途中である場合、前記可変抵抗は、前記第２抵抗に提供される請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗は第３抵抗に提供される請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記第１抵抗から前記第２抵抗への可変と、前記第２抵抗から前記第３抵抗への可変は漸進的な値の変化によって成される請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記可変抵抗は、前記接地ラインに連結され並列に提供される複数の抵抗と、
各抵抗に提供されるスイッチと、を含み、
前記スイッチは、制御部によって制御される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記溝又は突起は、螺旋形に形成される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記ノズルは、
ノズル部と、
前記ノズル部を囲むノズルカバー部と、を含み、
前記ノズルカバー部は、前記接地ラインと連結される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記接地ラインは、ノズルカバー部の外側面と連結された請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項15】

請求項１に記載の基板処理装置を利用した基板処理方法において、
前記ノズルによって薬液が供給される途中である場合、前記可変抵抗を第１抵抗より低い第２抵抗に変更する基板処理方法。

【請求項16】

前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合又は前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗を前記第１抵抗に変更する請求項１５に記載の基板処理方法。

【請求項17】

前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合又は前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗を前記第１抵抗に変更し、
前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記第１抵抗より低く、前記第２抵抗より高い第３抵抗に変更する請求項１５に記載の基板処理方法。

【請求項18】

基板処理装置において、
基板を支持する支持ユニットと、
前記基板に液を供給するノズルを有するノズルユニットと、を含み、
前記ノズルは接地ラインと連結され、
前記ノズルの表面は、１つ以上の溝又は突起が形成され、
前記接地ラインには第１抵抗と前記第１抵抗より低い第２抵抗に可変される可変抵抗が提供され、
前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合及び前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗は、前記第１抵抗に提供され、
前記ノズルによって薬液が供給される途中である場合、前記可変抵抗は、前記第２抵抗に提供される基板処理装置。

【請求項19】

前記第１抵抗と前記第２抵抗との間の可変は、漸進的な値の変化によって成される請求項１８に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板処理装置、基板処理方法、及びノズルユニットに係る。

【背景技術】

【0002】

一般的に半導体素子は、シリコンウエハのような基板に対して写真工程（ｐｈｏｔｏ ｐｒｏｃｅｓｓ）、蝕刻工程（ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、イオン注入工程（ｉｏｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）、そして蒸着工程（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）等のような様々な工程を通じて形成される。
各々の工程で様々な処理液が使用されることができる。例えば、写真工程でフォトレジスト液を塗布する工程又は各処理工程の間に提供されて基板に付着された各種汚染物を除去するために洗浄工程で処理液が使用されることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】韓国特許第１０－１２６０４１４号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の目的は基板を効率的に処理することができる装置及び方法を提供することにある。
また、本発明の目的は静電気力誘導の時にも平衡応力及び表面張力の均衡維持されることができる装置及び方法を提供することにある。
また、本発明の目的は静電気力が制御されてテイラーコンジェト等による基板の汚染及びＥＳＤ現象が防止されることができる装置及び方法を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施形態において、基板処理装置は、基板を支持する支持ユニットと、前記基板に液を供給するノズルを有するノズルユニットと、を含み、前記ノズルは接地ラインと連結され、前記接地ラインには可変抵抗が提供される。

【0006】

一実施形態において、前記可変抵抗は、第１抵抗と前記第１抵抗より低い第２抵抗に可変されることができる。

【0007】

一実施形態において、前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合又は前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗は前記第１抵抗に提供されることができる。

【0008】

一実施形態において、前記ノズルによって薬液が供給される途中である場合、前記可変抵抗は前記第２抵抗に提供されることができる。

【0009】

一実施形態において、前記可変抵抗は、前記第１抵抗と、前記第２抵抗より低い第２抵抗と、前記第１抵抗より低く、前記第２抵抗より高い第３抵抗とに可変されることができる。

【0010】

一実施形態において、前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合、前記可変抵抗は前記第１抵抗に提供されることができる。

【0011】

一実施形態において、前記ノズルによって薬液が供給される途中である場合、前記可変抵抗は前記第２抵抗に提供されることができる。

【0012】

一実施形態において、前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗は第３抵抗に提供されることができる。

【0013】

一実施形態において、前記可変抵抗は前記接地ラインに連結され、並列に提供され、各抵抗に提供されるスイッチを含み、前記スイッチは制御部によって制御されることができる。

【0014】

一実施形態において、前記ノズルの表面は１つ以上の溝又は突起が形成されることができる。

【0015】

一実施形態において、前記溝又は突起は螺旋形に形成されることができる。

【0016】

一実施形態において、前記ノズルは、ノズル部と、前記ノズル部を囲むノズルカバー部と、を含み、前記ノズルカバー部は前記接地ラインと連結されることができる。

【0017】

一実施形態において、前記接地ラインはノズルカバー部の外側面と連結されることができる。

【0018】

また、本発明は基板処理装置を利用した基板処理方法を提供する。一実施形態において、基板処理方法は、前記ノズルによって薬液が供給される途中である場合、前記可変抵抗を第１抵抗より低い第２抵抗に変更する。

【0019】

一実施形態において、前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合又は前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗を前記第１抵抗に変更することができる。

【0020】

一実施形態において、前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合又は前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗を前記第１抵抗に変更し、前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記第１抵抗より低く、前記第２抵抗より高い第３抵抗に変更することができる。

【0021】

また、本発明は基板処理装置に提供され基板に液を供給するノズルを有するノズルユニットを提供する。一実施形態において、前記ノズルは接地ラインと連結され、前記接地ラインには可変抵抗が提供されることができる。

【0022】

一実施形態において、前記可変抵抗は、第１抵抗と前記第１抵抗より低い第２抵抗に可変され、前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合又は前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗は前記第１抵抗に提供され、前記ノズルによって薬液が供給される途中である場合、前記可変抵抗は前記第２抵抗に提供されることができる。

【0023】

一実施形態において、前記可変抵抗は、前記第１抵抗と、前記第２抵抗より低い第２抵抗と、前記第１抵抗より低く、前記第２抵抗より高い第３抵抗に可変され、前記ノズルの移動又は前記ノズルによる薬液の吐出が開始される場合、前記可変抵抗は前記第１抵抗に提供され、前記ノズルによって薬液が供給される途中である場合、前記可変抵抗は前記第２抵抗に提供され、前記ノズルによる薬液の吐出が終了される場合、前記可変抵抗は第３抵抗に提供されることができる。

【0024】

一実施形態において、前記可変抵抗は前記接地ラインに連結され並列に提供される複数の抵抗と、前記複数の抵抗に各々提供されるスイッチと、を含み、前記スイッチは制御部によって制御されることができる。

【発明の効果】

【0025】

本発明の一実施形態によれば、静電気力誘導の時にも平衡応力及び表面張力の均衡維持されることができる。
また、本発明の一実施形態によれば、静電気力が制御されてテイラーコンジェト等による基板の汚染及びＥＳＤ現象が防止されることができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0026】

【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理設備を示す平面図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す図面である。

【図3】ノズルユニットの一部分を示した断面図である。

【図4】他の実施形態に係る可変抵抗を示した図面である。

【図5】時間に応じる抵抗の変化値を示すグラフである。

【図6】ノズル４００の制御を示す図面である。

【図7】ノズル４００の制御を示す図面である。

【図8】ノズル４００の制御を示す図面である。

【図9】他の実施形態に係るノズルカバー部１４２０を示した図面である。

【図10】その他の実施形態に係るノズルカバー部２４２０を示した図面である。

【図11】その他の実施形態に係るノズルカバー部３４２０を示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。

【0028】

本明細書の全体で使用される‘～部’及び‘～モジュール’は少なくとも１つの機能や動作を処理する単位として、例えばソフトウェア、ＦＰＧＡ、又はＡＳＩＣのようなハードウェア構成要素を意味することができる。しかし、‘～部’及び‘～モジュール’がソフトウェア又はハードウェアに限定される意味ではない。‘～部’及び‘～モジュール’はアドレッシングできる貯蔵媒体にあるように構成されることができ、又はその以上のプロセッサを再生させるように構成されてもよい。

【0029】

一例として、‘～部’及び‘～モジュール’はソフトウェア構成要素、客体指向ソフトウェア構成要素、クラス構成要素、及びタスク構成要素のような構成要素と、プロセス、関数、クラス、プロシージャ、サブルーチン、プログラムコードのセグメント、ドライバー、ファームウェア、マイクロコード、回路、データ、データベース、データ構造、テーブル、アレイ、及び変数を含むことができる。構成要素と‘～部’及び‘～モジュール’で提供する機能は複数の構成要素及び‘～部’及び‘～モジュール’によって分離されて遂行されることができ、他の追加的な構成要素と統合されてもよい。

【0030】

図１は本発明の一実施形態に係る基板処理設備を示す平面図である。

【0031】

図１を参照すれば、基板処理設備１はインデックスモジュール１０００と工程処理モジュール２０００を含む。インデックスモジュール１００はロードポート１２０及び移送フレーム１４０を含む。ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２００は連続的に一列に配列される。以下、ロードポート１２０、移送フレーム１４０、そして工程処理モジュール２００が配列された方向を第１の方向１２とする。そして、上部から見る時、第１の方向１２と垂直になる方向を第２方向１４とし、第１の方向１２と第２方向１４を含む平面に垂直である方向を第３方向１６とする。

【0032】

ロードポート１２０には基板Ｗが収納されたキャリヤー１３０が置かれる。ロードポート１２０は複数が提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。図１では４つのロードポート１２０が提供されたことと図示した。しかし、ロードポート１２０の数は工程処理モジュール２００の工程効率及びフットプリント等の条件に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤー１３０には基板Ｗの縁を支持するように提供されたスロット（図示せず）が形成される。スロットは第３方向１６に複数が提供される。基板Ｗは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるようにキャリヤー１３０内に位置される。キャリヤー１３０として前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。

【0033】

工程処理モジュール２００はバッファユニット２２０、移送チャンバー２４０、そして工程チャンバー２６０を有する。移送チャンバー２４０はその長さ方向が第１方向１２と平行に配置される。第２方向１４に沿って移送チャンバー２４０の一側及び他側には各々工程チャンバー２６０が配置される。移送チャンバー２４０の一側に位置した工程チャンバー２６０と移送チャンバー２４０の他側に位置した工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０を基準に互いに対称になるように提供される。工程チャンバー２６０の中で一部は移送チャンバー２４０の長さ方向に沿って配置される。また、工程チャンバー２６０の中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移送チャンバー２４０の一側には工程チャンバー２６０がＡＸＢ（ＡとＢは各々１以上の自然数）の配列に配置されることができる。ここで、Ａは第１の方向１２に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０の数である。移送チャンバー２４０の一側に工程チャンバー２６０が４つ又は６つ提供される場合、工程チャンバー２６０は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。工程チャンバー２６０の数は増加するか、或いは減少してもよい。上述したことと異なりに、工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０の一側のみに提供されることができる。また、上述したことと異なりに、工程チャンバー２６０は移送チャンバー２４０の一側及び両側に単層に提供されることができる。
バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と移送チャンバー２４０との間に配置される。バッファユニット２２０は移送チャンバー２４０と移送フレーム１４０との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが留まる空間を提供する。バッファユニット２２０はその内部に基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供され、スロット（図示せず）は相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数に提供される。バッファユニット２２０で移送フレーム１４０と対向する面と移送チャンバー２４０と対向する面の各々が開放される。

【0034】

移送フレーム１４０はロードポート１２０に安着されたキャリヤー１３０とバッファユニット２２０との間に基板Ｗを搬送する。移送フレーム１４０にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はその長さ方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４はベース１４４ａ、本体１４４ｂ、及びインデックスアーム１４４ｃを有する。ベース１４４ａはインデックスレール１４２に沿って移動可能するように設置される。本体１４４ｂはベース１４４ａに結合される。本体１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは本体１４４ｂに結合され、本体１４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは複数に提供されて各々個別に駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム１４４ｃの中で一部は工程処理モジュール２００からキャリヤー１３０に基板Ｗを搬送する時に使用され、その他の一部はキャリヤー１３０から工程処理モジュール２００に基板Ｗを搬送する時、使用されることができる。これはインデックスロボット１４４が基板Ｗを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Ｗから発生された粒子が工程処理後の基板Ｗに付着されることを防止することができる。

【0035】

移送チャンバー２４０はバッファユニット２２０と工程チャンバー２６０との間に、そして工程チャンバー２６０の間に基板Ｗを搬送する。移送チャンバー２４０にはガイドレール２４２とメーンロボット２４４が提供される。ガイドレール２４２はその長さ方向が第１の方向１２と並んで配置される。メーンロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１の方向１２に沿って直線移動される。メーンロボット２４４はベース２４４ａ、ボディー２４４ｂ、及びメーンアーム２４４ｃを有する。ベース２４４ａはガイドレール２４２に沿って移動可能するように設置される。ボディー２４４ｂはベース２４４ａに結合される。ボディー２４４ｂはベース２４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、ボディー２４４ｂはベース２４４ａ上で回転可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃはボディー２４４ｂに結合され、これはボディー２４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。メーンアーム２４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。バッファユニット２２０から工程チャンバー２６０に基板Ｗを搬送する時に使用されるメーンアーム２４４ｃと工程チャンバー２６０からバッファユニット２２０に基板Ｗを搬送する時に使用されるメーンアーム２４４ｃは互いに異なることができる。

【0036】

工程チャンバー２６０内には基板Ｗに対して洗浄工程を遂行する基板処理装置３００が提供される。各々の工程チャンバー２６０内に提供された基板処理装置３００は遂行する洗浄工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。選択的に各々の工程チャンバー２６０内の基板処理装置３００は同一な構造を有することができる。選択的に工程チャンバー２６０は複数のグループに区分されて、同一なグループに属する工程チャンバー２６０に提供された基板処理装置３００は互いに同一な構造を有し、異なるグループに属する工程チャンバー２６０に提供された基板処理装置３００は互いに異なる構造を有することができる。例えば、工程チャンバー２６０が２つのグループに分けられる場合、移送チャンバー２４０の一側には第１グループの工程チャンバー２６０が提供され、移送チャンバー２４０の他側には第２グループの工程チャンバー２６０が提供されることができる。選択的に移送チャンバー２４０の一側及び他側の各々で下層には第１グループの工程チャンバー２６０が提供され、上層には第２グループの工程チャンバー２６０が提供されることができる。第１グループの工程チャンバー２６０と第２グループの工程チャンバー２６０は各々使用されるケミカルの種類や、洗浄方式の種類に応じて区分されることができる。

【0037】

図２は本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す図面である。

【0038】

図２を参照すれば、基板処理装置３００はチャンバー３１０、容器３２０、支持ユニット３４０、昇降ユニット３６０、ノズルユニット３８０を含み、補助ノズルユニット３９０をさらに含むことができる。

【0039】

チャンバー３１０は内部に空間を提供する。容器３２０はチャンバー３１０内の空間に位置する。容器３２０は基板処理工程が遂行される空間を提供し、その上部は開放される。容器３２０は内部回収筒３２２、中間回収筒３２４、そして外部回収筒３２６を有する。各々の回収筒３２２、３２４、３２６は工程に使用された処理流体の中で互いに異なる処理流体を回収する。内部回収筒３２２は支持ユニット３４０を囲む環状のリング形状に提供され、中間回収筒３２４は内部回収筒３２２を囲む環状のリング形状に提供され、外部回収筒３２６は中間回収筒３２４を囲む環状のリング形状に提供される。内部回収筒３２２の内側空間３２２ａ、内部回収筒３２２と中間回収筒３２４との間の空間３２４ａ、そして中間回収筒３２４と外部回収筒３２６との間の空間３２６ａは各々内部回収筒３２２、中間回収筒３２４、そして外部回収筒３２６に処理液が流入される流入口として機能する。各々の回収筒３２２、３２４、３２６にはその底面下方向に垂直に延長される回収ライン３２２ｂ、３２４ｂ、３２６ｂが連結される。各々の回収ライン３２２ｂ、３２４ｂ、３２６ｂは各々の回収筒３２２、３２４、３２６を通じて流入された処理流体を排出する。排出された処理流体は外部の処理流体再生システム（図示せず）を通じて再使用されることができる。

【0040】

支持ユニット３４０は容器３２０の処理空間内に配置される。支持ユニット３４０は工程進行の中で基板を支持し、基板を回転させる。支持ユニット３４０はスピンチャック３４２、支持ピン３４４、チョクピン３４６、駆動軸３４８、そして駆動部３４９を有する。スピンチャック３４２は上部から見る時、大体に円形に提供される上部面を有する。スピンチャック３４２の底面には駆動部３４９によって回転可能である駆動軸３４８が固定結合される。駆動軸３４８が回転すれば、スピンヘッド３４２が回転される。スピンチャック３４２は基板を支持できるように支持ピン３４４とチョクピン３４６を含む。支持ピン３４４は複数が提供される。支持ピン３４４はスピンチャック３４２の上部面の縁部に所定の間隔に離隔されるように配置し、スピンチャック３４２から上部に突出される。支持ピン３３４は相互間に組合によって全体的に環状のリング形状を有するように配置される。支持ピン３４４はスピンチャック３４２の上部面から基板が一定距離離隔されるように基板の底面縁を支持する。チャックピン３４６は複数が提供される。チャックピン３４６はスピンチャック３４２の中心で支持ピン３４４より遠く離れるように配置される。チャックピン３４６はスピンチャック３４２から上部に突出されるように提供される。チョクピン３４６は支持ユニット３４０が回転される時、基板が正位置から側方向に離脱されないように基板の側面を支持する。チャックピン３４６はスピンチャック３４２の半径方向に沿って待機位置と支持位置との間に直線移動が可能するように提供される。待機位置は支持位置に比べてスピンチャック３４２の中心から遠く離れた場所である。基板が支持ユニット３４０にローディング又はアンローディングの時にはチョクピン３４６は待機位置に位置され、基板に対して工程遂行する時にはチョクピン３４６は支持位置に位置される。支持位置でチョクピン３４６は基板の側部と接触される。

【0041】

昇降ユニット３６０は処理容器３２０を上下方向に直線移動させる。昇降ユニット３６０は容器３２０の複数の回収筒３２２、３２４、３２６を移動させることができる。又は図示せずが、各々の回収筒を個別的に移動させることができる。容器３２０が上下に移動されることによって支持ユニット３４０に対する容器３２０の相対高さが変更される。昇降ユニット３６０はブラケット３６２、移動軸３６４、そして駆動器３６６を有する。ブラケット３６２は処理容器３２０の外壁に固定設置され、ブラケット３６２には駆動器３６６によって上下方向に移動される移動軸３６４が固定結合される。基板Ｗが支持ユニット３４０に置かれるか、或いは支持ユニット３４０から持ち上げる時、支持ユニット３４０が容器３２０の上部に突出されるように容器３２０は下降される。また、工程が進行される時には基板Ｗに供給された処理流体の種類に応じて処理流体が既設定された回収筒３６０に流入されるように容器３２０の高さが調節する。例えば、第１処理流体で基板を処理している間に基板は内部回収筒３２２の内側空間３２２ａと対応される高さに位置される。また、第２処理流体、そして第３処理流体で基板を処理する間に各々基板は内部回収筒３２２と中間回収筒３２４の間空間３２４ａ、そして中間回収筒３２４と外部回収筒３２６の間の空間３２６ａに対応される高さに位置されることができる。上述したことと異なりに昇降ユニット３６０は容器３２０の代わりに支持ユニット３４０を上下方向に移動させることができる。また、上述したことと異なりに、容器３２０は単一の回収筒３２２を有することができる。

【0042】

ノズルユニット３８０は基板Ｗに第１処理液を供給する。一例として、第１処理液は工程に応じて洗浄液、現像液、感光液等である。ノズルユニット３８０は１つ又は複数が提供されることができる。ノズルユニット３８０はノズル支持台３８２、支持台３８６、駆動部３８８、そしてノズル４００を有する。支持台３８６はその長さ方向が第３方向１６に沿って提供され、支持台３８６の下端には駆動部３８８が結合される。駆動部３８８は支持台３８６を回転及び昇降運動する。ノズル支持台３８２は駆動部３８８と結合された支持台３８６の終端反対側と垂直に結合される。ノズル４００はノズル支持台３８２の終端底面に設置される。ノズル４００は駆動部３８８によって工程位置と待機位置に移動される。工程位置はノズル４００が容器３２０の垂直上部に配置された位置であり、待機位置はノズル４００が容器３２０の垂直上部からずれた場所である。

【0043】

補助ノズルユニット３９０は基板Ｗに第２処理液を供給する。一例によれば、第２処理液は第１処理液と異なる種類の液である。補助ノズルユニット３９０は回動が可能であることができる。補助ノズルユニット３９０は補助ノズル３９８支持台３９２、補助支持台３９６、補助駆動部３９７、そして補助ノズル３９８を有する。補助支持台３９６はその長さ方向が第３方向１６に沿って提供され、補助支持台３９６の下端には補助駆動部３９７が結合される。補助駆動部３９７は補助支持台３９６を移動させる。一例として、補助駆動部３９７は補助支持台３９６を回転させることができる。また、補助駆動部３９７は補助支持台３９６を昇降させることができる。補助ノズル支持台３８２は補助支持台３９６の上部に結合される。補助ノズル３９８は補助ノズル支持台３８２の終端底面に設置される。補助ノズル３９８は補助駆動部３９７によって工程位置と待機位置に移動される。工程位置は補助ノズル３９８が容器３２０の垂直上部に配置された位置であり、待機位置は補助ノズル３９８が容器３２０の垂直上部からずれた場所である。

【0044】

第１処理液又は第２処理液は電荷を有する薬液である。例えば、処理液はＩＰＡである。

【0045】

図３はノズルユニットの一部分を示した断面図である。図３を参照すれば、ノズルユニットはノズル部４１０とノズルカバー部４２０を含む。

【0046】

ノズル部４１０は処理液が供給される経路を提供する。ノズルカバー部４２０はノズル部４１０を囲むように提供される。接地ラインはノズルカバー部４２０の外側面と連結される。一実施形態に係ってノズル４００がノズル部４１０とノズルカバー部４２０を含むことと図示したが、ノズル部４１０に接地ラインが提供されてもよい。ノズルカバー部４２０は伝導性材質、絶縁性材質で伝導性コーティングをして成されることができる。

【0047】

接地ラインには可変抵抗４３０が提供される。可変抵抗４３０は制御部５００によって抵抗値が制御されることができる。例えば、可変抵抗４３０は第１抵抗と、第１抵抗より低い第２抵抗と、第１抵抗より低く、第２抵抗より高い第３抵抗に可変されることができる。
可変抵抗４３０は抵抗値が多様に変形されることができれば、十分である。

【0048】

図４は他の実施形態に係る可変抵抗を提供する。一実施形態において、可変抵抗は第１抵抗４３１と第２抵抗４３２が並列に連結され、第１抵抗４３１の前段又は後段に連結されて第１抵抗４３１の連結を制御する第１スイッチ４３３と、第２抵抗４２３の前段又は後段に連結されて第２抵抗４３２の連結を制御する第２スイッチ４３４を含む。

【0049】

例えば、第１スイッチ４３３がオン状態に制御され、第２スイッチ４３４がオフ状態に制御されれば、接地は第１抵抗４３１によって成される。第１スイッチ４３３がオフ状態に制御され、第２スイッチ４３４がオン状態に制御されれば、接地は第２抵抗４２３によって成される。第１スイッチ４３３がオン状態に制御され、第２スイッチ４３４がオン状態に制御されれば、接地は第１抵抗４３１と２抵抗４２３の並列和によって成される。

【0050】

図５は時間に応じる抵抗の変化値を示すグラフであり、図６、図７、及び図８はノズル４００の制御を示す図面である。

【0051】

図５を参照すれば、ｔ０－ｔ１の区間はノズル４００が基板上部の位置又はホームポートの位置に移動される区間である。ｔ０－ｔ１の区間では抵抗値が高い第１抵抗Ｒ１によって制御される。

【0052】

ｔ１は処理液の吐出時点である。ｔ４は処理液の吐出が終了される時点である。

【0053】

処理液が供給される過程で抵抗は第１抵抗Ｒ１から第２抵抗Ｒ２に漸進的に減少される。処理液供給が維持される間に抵抗値は第２抵抗Ｒ２に維持された後、処理液が終了される前に抵抗値は漸進的に第２抵抗Ｒ２から第３抵抗Ｒ３に変化する。

【0054】

図５及び図６を参照すれば、処理液が供給される前に可変抵抗４３０は第１抵抗Ｒ１に可変される。処理液が供給される前には静電気による大量の電気粒子が容器３２０に帯電されている。このような電気粒子はノズル４００が接地される場合、ノズル方向に多量移動されながら、基板に汚染を引き起こすことができる。例えば、電荷の移動によって処理液が飛散されながら、基板乃至ノズル４００を汚染させることができる。このような場合に対比して処理液が供給される前に可変抵抗４３０は高い抵抗である第１抵抗Ｒ１に制御されることによって接地が弱く成されるようにして電気粒子の移動を制限する。

【0055】

図５及び図７を参照すれば、処理液が供給されるうちには可変抵抗４３０は第２抵抗Ｒ２に可変される。第２抵抗Ｒ２は第１抵抗Ｒ１より低い抵抗である。例えば、第２抵抗Ｒ２は実質的に抵抗値が０に近い。第１抵抗Ｒ１から第２抵抗Ｒ２への可変は漸進的に成される。処理液が供給される途中にはノズルと処理液の摩擦等によって静電気が発生することができ、処理液が供給される途中に放出される電荷は接地ラインを通じて排出することができる。また、放出される電荷は支持ユニット３４２の接地によって排出されることができる。

【0056】

図５及び図８を参照すれば、処理液の供給が中断される時に可変抵抗４３０は第３抵抗Ｒ３に可変される。第３抵抗Ｒ３は第１抵抗Ｒ１より低く、第２抵抗Ｒ２より高い抵抗である。他の実施形態によれば、第３抵抗Ｒ３は第１抵抗Ｒ１と同一であってもよい。処理液の供給が中断される時に再び容器３２０等の部品に帯電された電荷は処理液の供給が中断されながら、ノズルに向かって移動しようとするが、これはウエハパターンの損傷又は処理液の移動によって基板の２次的な汚染を引き起こすことができる。第２抵抗Ｒ２から第３抵抗Ｒ３に可変することによって電荷の移動を防止することができる。したがって、テイラーコンジェト現象等にしたがう処理液の移動による基板の２次汚染を防ぐことがきる。

【0057】

チャンバー内部の限られた空間で基板処理過程を繰り返す場合、内部の素材（容器、支持ユニット）は様々な帯電（吐出、摩擦、誘導ｅｔｃ）による過量の電荷が継続的に蓄積され、それに応じてテイラーコンジェト現象ＥＳＤ（素材の表面に一定量以上の静電気が蓄積された状態で抵抗が相対的に非常に小さい表面に速やかに放電されながら、ウエハのパターン及び素子を破壊される現象）が発生されることができるが、ノズルが移動する時、処理液が供給される時、処理液の供給を中断する時を区分して接地を調節することによって、本発明はこのような現象を防止することができる。

【0058】

図９は他の実施形態に係るノズルカバー部１４２０を示した図面である。ノズルカバー部１４２０は表面積を広げるために突起１４２１が形成されることができる。突起１４２１はノズルの表面に沿って螺旋形に形成されることができる。突起１４２１はノズルカバー部１４２０の表面積を広げる。広げた表面積は表面の静電気力を制御するのに容易である。

【0059】

図１０はその他の実施形態に係るノズルカバー部２４２０を示した図面である。ノズルカバー部２４２０は表面積を広げるために溝２４２２が形成されることができる。溝２４２２はノズルの表面に沿って螺旋形に形成されることができる。溝２４２２はノズルカバー部１４２０の表面積を広げる。広げた表面積は表面の静電気力を制御するのに容易である。

【0060】

図１１はその他の実施形態に係るノズルカバー部３４２０を示した図面である。ノズルカバー部２４２０は表面積を広げるために突起３４２１と溝３４２２が反復的に形成されることができる。突起３４２１と溝３４２２が流線型に反復的に形成されることによって、表面積を広げ、かつ洗浄効率を高くすることがきる。広げた表面積は表面の静電気力を制御するのに容易である。

【0061】

本発明によれば、静電気力誘導の時にも平衡応力及び表面張力の均衡維持されることができる。

【0062】

また、本発明によれば、静電気力が制御されてテイラーコンジェト等による基板の汚染及びＥＳＤ現象が防止されることができる。

【0063】

以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。

【符号の説明】

【0064】

４００ ノズル
４１０ ノズル部
４２０ ノズルカバー部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】