特許 7467991 電気光学装置、および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-08

(45)【発行日】2024-04-16

(54)【発明の名称】電気光学装置、および電子機器

(51)【国際特許分類】

   G09G 3/36 20060101AFI20240409BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20240409BHJP

   G02F 1/133 20060101ALI20240409BHJP

   G09G 3/20 20060101ALI20240409BHJP

【ＦＩ】

G09G3/36

G02F1/13 505

G02F1/133 550

G09G3/20 611A

G09G3/20 611D

G09G3/20 611E

G09G3/20 611J

G09G3/20 621M

G09G3/20 623R

G09G3/20 680G

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2020038522

(22)【出願日】2020-03-06

(65)【公開番号】P2021140056

(43)【公開日】2021-09-16

【審査請求日】2023-02-28

(73)【特許権者】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】藤川 紳介

【審査官】村上 遼太

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－１３４５０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０６－３４９２９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２４０８３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－０８４１２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１２０３００（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０２６１１８０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／００１８２３７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０６４４４１９２（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ１／１３３

Ｇ０９Ｇ３／００－３／０８

３／１２

３／１６－３／２６

３／３０

３／３４－３／３８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

グループ化されたｍ（ｍは２以上の整数）本のデータ線を含む複数のデータ線と、
画素の階調に応じたデータ信号を前記ｍ本のデータ線に対応して出力するデータ信号線と、
正論理の選択信号が供給されるｍ本の正論理選択信号線と、
前記正論理の選択信号と対をなす負論理の選択信号が供給されるｍ本の負論理選択信号線と、
入力端が前記データ信号線に接続され、出力端が前記ｍ本のデータ線のいずれかに接続され、前記正論理の選択信号および前記負論理の選択信号に基づいて前記入力端と前記出力端との間における導通状態が規定されるトランスミッションゲートと、
を備え、
前記トランスミッションゲートは、前記正論理の選択選号がゲート電極に供給される少なくとも２つの第１導電型トランジスタと、前記負論理の選択信号がゲート電極に供給される第２導電型トランジスタと、を含み、
前記複数のデータ線の配列方向を第１方向とし、前記複数のデータ線の延在方向を第２方向としたとき、
前記第１導電型トランジスタ、および前記第２導電型トランジスタは各々、前記第２方向に沿って配置されており、
前記第２導電型トランジスタは、前記第１方向からみたとき、前記２つの第１導電型トランジスタの間に配置され、
前記トランスミッションゲートでは、前記第２導電型トランジスタが複数設けられており、
前記第１方向からみたとき、前記第１導電型トランジスタと前記第２導電型トランジスタとが交互に配置され、
前記第１導電型トランジスタと前記第２導電型トランジスタとは、前記第２方向からみたとき、前記第１方向で同一の位置に配置されていることを特徴とする電気光学装置。

【請求項2】

請求項１に記載の電気光学装置において、
前記トランスミッションゲートでは、前記第１導電型トランジスタと前記第２導電型トランジスタが同数設けられていることを特徴とする電気光学装置。

【請求項3】

請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記ｍ本の正論理選択信号線、および前記ｍ本の負論理選択信号線は各々、前記第１方向に延在する主線部分と、前記主線部分から前記第２方向に延在して前記トランスミッションゲートに電気的に接続された支線部分と、を備え、
前記ｍ本の正論理選択信号線の前記支線部分、および前記ｍ本の負論理選択信号線の前記支線部分は各々、前記正論理選択信号線と前記負論理選択信号線との交差を回避するように前記第２方向の途中部分で屈曲して前記第２方向に延在していることを特徴とする電気光学装置。

【請求項4】

グループ化されたｍ（ｍは２以上の整数）本のデータ線を含む複数のデータ線と、
画素の階調に応じたデータ信号を前記ｍ本のデータ線に対応して出力するデータ信号線と、
正論理の選択信号が供給されるｍ本の正論理選択信号線と、
前記正論理の選択信号と対をなす負論理の選択信号が供給されるｍ本の負論理選択信号線と、
入力端が前記データ信号線に接続され、出力端が前記ｍ本のデータ線のいずれかに接続され、前記正論理の選択信号および前記負論理の選択信号に基づいて前記入力端と前記出力端との間における導通状態が規定されるトランスミッションゲートと、
を備え、
前記トランスミッションゲートは、前記正論理の選択選号がゲート電極に供給される少なくとも２つの第１導電型トランジスタと、前記負論理の選択信号がゲート電極に供給される第２導電型トランジスタと、を含み、
前記複数のデータ線の配列方向を第１方向とし、前記複数のデータ線の延在方向を第２方向としたとき、
前記第１導電型トランジスタ、および前記第２導電型トランジスタは各々、前記第２方向に沿って配置されており、
前記第２導電型トランジスタは、前記第１方向からみたとき、前記２つの第１導電型トランジスタの間に配置され、
前記トランスミッションゲートでは、前記第２導電型トランジスタが複数設けられており、
前記第１方向からみたとき、前記第１導電型トランジスタと前記第２導電型トランジスタとが交互に配置され、
前記ｍ本の正論理選択信号線、および前記ｍ本の負論理選択信号線は各々、前記第１方向に延在する主線部分と、前記主線部分から前記第２方向に延在して前記トランスミッションゲートに電気的に接続された支線部分と、を備え、
前記ｍ本の正論理選択信号線の前記支線部分、および前記ｍ本の負論理選択信号線の前記支線部分の少なくとも一方は、前記第２方向の途中部分で突出して前記データ線と平面視で重なる突出部を有していることを特徴とする電気光学装置。

【請求項5】

請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記トランスミッションゲートと、前記トランスミッションゲートに前記第１方向で隣り合うトランスミッションゲートとでは、前記第２方向における前記第１導電型トランジスタおよび前記第２導電型トランジスタの配列順序が同一であることを特徴とする電気光学装置。

【請求項6】

グループ化されたｍ（ｍは２以上の整数）本のデータ線を含む複数のデータ線と、
画素の階調に応じたデータ信号を前記ｍ本のデータ線に対応して出力するデータ信号線と、
正論理の選択信号が供給されるｍ本の正論理選択信号線と、
前記正論理の選択信号と対をなす負論理の選択信号が供給されるｍ本の負論理選択信号線と、
入力端が前記データ信号線に接続され、出力端が前記ｍ本のデータ線のいずれかに接続され、前記正論理の選択信号および前記負論理の選択信号に基づいて前記入力端と前記出力端との間における導通状態が規定されるトランスミッションゲートと、
を備え、
前記トランスミッションゲートは、前記正論理の選択選号がゲート電極に供給される少なくとも２つの第１導電型トランジスタと、前記負論理の選択信号がゲート電極に供給される第２導電型トランジスタと、を含み、
前記複数のデータ線の配列方向を第１方向とし、前記複数のデータ線の延在方向を第２方向としたとき、
前記第１導電型トランジスタ、および前記第２導電型トランジスタは各々、前記第２方向に沿って配置されており、
前記第２導電型トランジスタは、前記第１方向からみたとき、前記２つの第１導電型トランジスタの間に配置され、
前記トランスミッションゲートでは、前記第２導電型トランジスタが複数設けられており、
前記第１方向からみたとき、前記第１導電型トランジスタと前記第２導電型トランジスタとが交互に配置され、
前記トランスミッションゲートと、前記トランスミッションゲートに前記第１方向で隣り合うトランスミッションゲートとでは、前記第２方向における前記第１導電型トランジスタおよび前記第２導電型トランジスタの配列順序が逆であることを特徴とする電気光学装置。

【請求項7】

グループ化されたｍ（ｍは２以上の整数）本のデータ線を含む複数のデータ線と、
画素の階調に応じたデータ信号を前記ｍ本のデータ線に対応して出力するデータ信号線と、
正論理の選択信号が供給されるｍ本の正論理選択信号線と、
前記正論理の選択信号と対をなす負論理の選択信号が供給されるｍ本の負論理選択信号線と、
入力端が前記データ信号線に接続され、出力端が前記ｍ本のデータ線のいずれかに接続され、前記正論理の選択信号および前記負論理の選択信号に基づいて前記入力端と前記出力端との間における導通状態が規定されるトランスミッションゲートと、
を備え、
前記トランスミッションゲートは、前記正論理の選択選号がゲート電極に供給される少なくとも２つの第１導電型トランジスタと、前記負論理の選択信号がゲート電極に供給される第２導電型トランジスタと、を含み、
前記複数のデータ線の配列方向を第１方向とし、前記複数のデータ線の延在方向を第２方向としたとき、
前記第１導電型トランジスタ、および前記第２導電型トランジスタは各々、前記第２方向に沿って配置されており、
前記第２導電型トランジスタは、前記第１方向からみたとき、前記２つの第１導電型トランジスタの間に配置され、
前記トランスミッションゲートでは、前記第２導電型トランジスタが複数設けられており、
前記第１方向からみたとき、前記第１導電型トランジスタと前記第２導電型トランジスタとが交互に配置され、
前記複数の第１導電型トランジスタ、および前記複数の第２導電型トランジスタのうちの少なくとも一方には、ゲート電極面積が異なるトランジスタが含まれていることを特徴とする電気光学装置。

【請求項8】

グループ化されたｍ（ｍは２以上の整数）本のデータ線を含む複数のデータ線と、
画素の階調に応じたデータ信号を前記ｍ本のデータ線に対応して出力するデータ信号線と、
正論理の選択信号が供給されるｍ本の正論理選択信号線と、
前記正論理の選択信号と対をなす負論理の選択信号が供給されるｍ本の負論理選択信号線と、
入力端が前記データ信号線に接続され、出力端が前記ｍ本のデータ線のいずれかに接続され、前記正論理の選択信号および前記負論理の選択信号に基づいて前記入力端と前記出力端との間における導通状態が規定されるトランスミッションゲートと、
を備え、
前記トランスミッションゲートは、前記正論理の選択選号がゲート電極に供給される少なくとも２つの第１導電型トランジスタと、前記負論理の選択信号がゲート電極に供給される第２導電型トランジスタと、を含み、
前記複数のデータ線の配列方向を第１方向とし、前記複数のデータ線の延在方向を第２方向としたとき、
前記第１導電型トランジスタ、および前記第２導電型トランジスタは各々、前記第２方向に沿って配置されており、
前記第２導電型トランジスタは、前記第１方向からみたとき、前記２つの第１導電型トランジスタの間に配置され、
前記トランスミッションゲートでは、前記第２導電型トランジスタが複数設けられており、
前記第１方向からみたとき、前記第１導電型トランジスタと前記第２導電型トランジスタとが交互に配置され、
前記ｍ本の正論理選択信号線、および前記ｍ本の負論理選択信号線は各々、前記第１方向に延在する主線部分と、前記第２方向に延在して前記トランスミッションゲートに電気的に接続された支線部分と、を備え、
前記複数の第１導電型トランジスタ、および前記複数の第２導電型トランジスタのうちの少なくとも一方には、前記第２方向で前記主線部分に近い位置に設けられたトランジスタより前記第２方向で前記主線部分から遠い位置に設けられたトランジスタの方がゲート電極面積が小さいトランジスタが含まれていることを特徴とする電気光学装置。

【請求項9】

請求項１から８までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＣＭＯＳ方式のトランスミッションゲートを備えた電気光学装置、および電子機器に関するものである。

【背景技術】

【0002】

デマルチプレクサー方式の電気光学装置においては、データ線を複数列毎にブロック化し、各ブロックに対応して設けられたデータ信号線から供給されたデータ信号をトランスミッションゲートによって各データ線に分配する。かかる電気光学装置において、データ線に対するデータ信号の書き込み速度を向上することを目的にトランスミッションゲートをＣＭＯＳ方式とする構成がある（特許文献１参照）。特許文献１の図９には、正論理選択信号線および負論理選択信号線の各主線部分がトランスミッションゲートに対して同一の側で第１方向（特許文献１におけるＸ方向）に延在し、正論理選択信号線および負論理選択信号線の各支線部分がトランスミッションゲートに向けて第２方向（特許文献１におけるＹ方向）に延在する態様が開示されている。また、特許文献１の図６には、正論理選択信号線および負論理選択信号線の各主線部分がトランスミッションゲートに対して互いに逆側で第１方向に延在し、正論理選択信号線の支線部分がトランスミッションゲートに向けて第２方向に延在する一方、負論理選択信号線の支線部分がトランスミッションゲートに向けて第２方向とは反対側に延在する態様が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００７－２４０８３０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の図６に示す態様では、正論理選択信号線および負論理選択信号線がトランスミッションゲートに対して互いに反対側に配置される。詳細にはデータ信号の入力配線と負論理選択信号線が交差し、データ線と正論理選択信号線が交差する。それぞれの交差部では配線交差による寄生容量が形成される。この寄生容量が正論理選択信号線と負論理選択信号線で異なっているから、それぞれの信号の鈍りが異なる旨が特許文献１の段落［００２６］等に記載されている。このような波形鈍りの差異は画素数の増加により顕著となる。

【0005】

一方、特許文献１の図９に示すトランスミッションゲートでは第１導電型トランジスタおよび第２導電型トランジスタが第２方向に沿って配置されるため、正論理選択信号線の支線部分と負論理選択信号線の支線部分とでは配線長が大きく相違することになる。また、支線部分にはトランスミッションゲートのゲート容量以外に隣接配線間や配線交差による寄生容量が形成される。従って、正論理選択信号線と負論理選択信号線とにおいて信号の鈍りに大きな差が発生する。支線部部分の配線長差に起因する抵抗差を考慮すると支線部分だけでも正論理選択信号線と負論理選択信号線とにおいて信号の鈍りの差異が発生することにもなる。つまり、特許文献１の図６や図９のいずれの態様であっても、正論理選択信号線と負論理選択信号線で寄生容量が異なっているから、それぞれの信号の鈍りが異なり、その差異は画素数の増加により顕著となる。このようになるとデータ線へのデータ信号書き込み終了時、すなわちトランスミッションゲートをオフする際に発生するフィードスルー電圧が、正論理選択信号線や負論理選択信号線の入力側のデータ線と、終端側のデータ線とで異なる。そのような場合、最適コモン電圧を調整する際に、例えば画面中心に対して最適コモン電圧にすると表示端部では最適コモン電圧でないためにフリッカーが生じるといった問題が発生する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するため、本発明に係る電気光学装置は、グループ化されたｍ（ｍは２以上の整数）本のデータ線を含む複数のデータ線と、画素の階調に応じたデータ信号を前記ｍ本のデータ線に対応して出力するデータ信号線と、正論理の選択信号が供給されるｍ本の正論理選択信号線と、前記正論理の選択信号と対をなす負論理の選択信号が供給されるｍ本の負論理選択信号線と、入力端が前記データ信号線に接続され、出力端が前記ｍ本のデータ線のいずれかに接続され、前記正論理の選択信号および前記負論理の選択信号に基づいて前記入力端と前記出力端との間における導通状態が規定されるトランスミッションゲートと、を備え、前記トランスミッションゲートは、前記正論理の選択選号がゲート電極に供給される少なくとも２つの第１導電型トランジスタと、前記負論理の選択信号がゲート電極に供給される第２導電型トランジスタと、を含み、前記複数のデータ線の配列方向を第１方向とし、前記複数のデータ線の延在方向を第２方向としたとき、前記第１導電型電型トランジスタ、および前記第２導電型トランジスタは各々、前記第２方向に沿って配置されており、前記第２導電型トランジスタは、前記第１方向からみたとき、前記２つの第１導電型トランジスタの間に配置されていることを特徴とする。

【0007】

本発明に係る電気光学装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明を適用した電気光学装置の一態様を模式的に示す説明図。

【図2】図１に示す電気光学装置の電気的構成を示す説明図。

【図3】図２に示す画素等の構成を示す説明図。

【図4】図１に示す電気光学装置の動作例を示すタイミングチャート。

【図5】図４に示すトランスミッションゲートの説明図。

【図6】図４に示すトランスミッションゲートのレイアウトを示す説明図。

【図7】図６に示すトランジスタのレイアウトを示す説明図。

【図8】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の説明図

【図9】図８に示すトランジスタのレイアウトを示す説明図。

【図10】本発明の実施の形態２の変形例１に係る電気光学装置の説明図。

【図11】本発明の実施の形態２の変形例２に係る電気光学装置の説明図。

【図12】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の説明図。

【図13】図１２に示すトランジスタのレイアウトを示す説明図。

【図14】図１３に示すトランジスタ等の平面構成を示す説明図。

【図15】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の説明図。

【図16】本発明の実施の形態４の変形例に係る電気光学装置の説明図。

【図17】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の説明図。

【図18】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各部材等を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならしめてある。以下の説明において、複数のデータ線１１４の配列方向を第１方向Ｘとし、データ線１１４の延在方向を第２方向Ｙとしてある。

【0010】

［実施形態１］
１．気光学装置１の基本構成
図１は、本発明を適用した電気光学装置１の一態様を模式的に示す説明図である。図１に示す電気光学装置１は、後述するライトバルブ等として用いられる液晶装置であり、電気光学装置１は、電気光学パネル１００として液晶パネルを備えている。電気光学パネル１００は、画素電極１１８等が形成された第１基板１０に対して、共通電極（図示せず）等が形成された第２基板２０がシール材（図示せず）によって貼り合わされている。電気光学パネル１００において、シール材で囲まれた領域には液晶層（図示せず）が設けられている。電気光学パネル１００は、例えば、透過型液晶パネルである。従って、矢印Ｌａで示すように、第２基板２０の側から入射した光は、第１基板１０の側に出射される間に変調される。第１基板１０には、駆動用ＩＣ２が実装されたフレキシブル配線基板３が接続されている。駆動用ＩＣ２は、外部の上位回路（図示せず）から、フレキシブル配線基板３を介して入力されるクロック信号、制御信号、および画像データ等に基づいて、電気光学パネル１００に表示させる画像を示す画像信号を出力する。

【0011】

２．電気光学装置１の電気的構成
図２は、図１に示す電気光学装置１の電気的構成を示す説明図である。図２に示すように、電気光学パネル１００は、以下に説明する表示領域１１０、走査線駆動回路１３０、データ線選択回路１５０、複数本のデータ信号線１６０、複数本の選択信号線１４０、および定電圧線１７４、１７５、１７６が設けられており、これらの要素は、図１に示す第１基板１０に形成されている。また、第１基板１０には、表示領域１１０の周辺部の一辺に沿ってデータ線選択回路１５０が形成され、データ線選択回路１５０が形成された辺と交差する他の辺に沿って走査線駆動回路１３０が形成されている。

【0012】

表示領域１１０は、走査線駆動回路１３０から行方向である第１方向Ｘに延在するｋ本の走査線１１２と、データ線選択回路１５０から列方向である第２方向Ｙに延在する複数本のデータ線１１４と、複数個の画素１１１とを有する。ｋは、１以上の整数である。画素１１１は、走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応して設けられ、マトリクス状に配列される。走査線１１２は、走査信号Ｙ［１］、Ｙ［２］、Ｙ［３］…を伝送する信号線である。データ線１１４は、各画素１１１に画像信号Ｓ［１］、Ｓ［２］、Ｓ［３］…を伝送する信号線である。

【0013】

データ線１１４は、ｍ本毎にｎ個にグループ化されている。従って、ｍ本のデータ線１１４に対応する（ｍ×ｋ）個の画素１１１が１つのグループを形成している。同一のグループに属する画素１１１は、データ線選択回路１５０を介して同一のデータ信号線１６０に接続されている。従って、データ信号線１６０はｎ本であり、画素１１１の数は、ｋ×（ｍ×ｎ）個である。ｎは、１以上の整数であり、ｍは２以上の整数である。本形態において、ｍ＝４の場合を中心に説明する。

【0014】

走査線駆動回路１３０は、マトリクス状に配置された複数の画素１１１の中から、データを書き込む行を選択する。具体的には、走査線駆動回路１３０は、複数の走査線１１２の中から１本の走査線１１２を選択するための走査信号を出力する。走査線駆動回路１３０は、第１行、第２行、第３行、…の走査線１１２に、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…を供給する。走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…は、例えば、順次排他的にハイレベルとなる信号である。

【0015】

データ信号線１６０は、データ信号ＶＩＤをデータ線選択回路１５０に伝送する信号線であり、ｎ個のグループの各々に対応して、ｎ本設けられている。データ信号ＶＩＤは、画素１１１に書き込まれるデータを示す信号であり、画素１１１の階調に応じた信号である。ここで、「画像」は静止画または動画をいう。１本のデータ信号線１６０は、データ線選択回路１５０を介してｍ本のデータ線１１４に接続される。従って、データ信号ＶＩＤには、ｍ本のデータ線１１４に供給されるデータが時分割多重されている。

【0016】

選択信号線１４０は、選択信号ＳＥＬを伝送する信号線である。データ線選択回路１５０は、ｎ個のグループの各々に対応してｎ個のデマルチプレクサー１５１を有しており、各グループにおいて、画像信号を書き込む画素１１１の列を選択する。具体的には、データ線選択回路１５０は、選択信号ＳＥＬに基づいて１つのグループに属するｍ本のデータ線１１４の中から１本のデータ線１１４を選択する。その結果、データ線１１４は、データ線選択回路１５０により、対応する１本のデータ信号線１６０に電気的に接続される。デマルチプレクサー１５１および画素１１１の詳細な構成は、図３を参照して後述する。

【0017】

電気光学パネル１００には、フレキシブル配線基板３を介して電源電圧が供給される定電圧線１７４、１７５、１７６が設けられている。電源電圧とは、電気光学パネル１００において電源として用いられる直流電圧である。定電圧線１７４は、共通電圧ＬＣＣＯＭを供給するための配線であり、定電圧線１７４は低電圧側の電圧ＶＳＳＹを供給するための配線であり、定電圧線１７５は高電圧側の電圧ＶＤＤＹを供給するための配線である。なお、走査線駆動回路１３０は、表示領域１１０に対して左右両側に１つずつ設けられる場合がある。

【0018】

３．デマルチプレクサー１５１および画素１１１の構成
図３は、図２に示す画素１１１等の構成を示す説明図である。図３には、表示領域１１０の第ｉ行の第（ｍ×ｊ－３）列～第（ｍ×ｊ）列の画素１１１と、それらに対応するデマルチプレクサー１５１が示されている。ｉは、１≦ｉ≦ｋを満たす整数であり、ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数である。本形態では、ｍが４であることから、図３には、表示領域１１０の第ｉ行の第（４ｊ－３）列～第（４ｊ）列の画素１１１を示してある。

【0019】

画素１１１は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等からなる画素スイッチング素子１１６と、画素電極１１８と、液晶層１２０と、共通電極１０８と、保持容量１１７とを有する。画素スイッチング素子１１６は、画素電極１１８へのデータ信号の書き込みを制御するスイッチング素子であり、本形態において、画素スイッチング素子１１６は、ｎチャネル型の電界効果トランジスタである。画素スイッチング素子１１６のゲート電極は走査線１１２に接続され、ソース電極はデータ線１１４に接続され、ドレイン電極は画素電極１１８に接続されている。走査線１１２にハイレベルの走査信号が供給されると画素スイッチング素子１１６はオン状態になり、画素電極１１８に画像信号が供給される。走査線１１２にローレベルの走査信号が供給されると画素スイッチング素子１１６はオフ状態になる。共通電極１０８はすべての画素１１１について共通である。共通電極１０８には共通電圧ＬＣＣＯＭが印加される。液晶層１２０には、画素電極１１８と共通電極１０８との電圧差に相当する電圧が印加され、印加された電圧に応じて光学的特性が変化する。保持容量１１７は、画素電極１１８と共通電圧ＬＣＣＯＭとの電圧差に相当する電荷を保持する。

【0020】

デマルチプレクサー１５１は、各グループにおいて、選択信号ＳＥＬに基づいて選択されたデータ線１１４に、データ信号ＶＩＤを供給する回路である。１つのデマルチプレクサー１５１は、ｍ個のトランスミッションゲート１５２を有している。ｍ個のトランスミッションゲート１５２は各々、入力端１５６がデータ信号線１６０に接続され、出力端１５７が４本のデータ線１１４のいずれかに接続されている。また、ｍ個のトランスミッションゲート１５２は各々、選択信号ＳＥＬに応じて、入力端１５６と出力端１５７との間における導通状態が規定され、その結果、データ線１１４が選択される。本形態では、ｍが４であるため、１つのデマルチプレクサー１５１には、４個のトランスミッションゲート１５２［１］、１５２［２］、１５２［３］、１５２［４］が設けられている。

【0021】

本形態において、トランスミッションゲート１５２は、ＣＭＯＳ回路を有している。従って、トランスミッションゲート１５２には、４本の正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］を介して正論理の選択信号ＳＥＬ［１］、ＳＥＬ［２］、ＳＥＬ［３］、ＳＥＬ［４］が供給される。また、トランスミッションゲート１５２には、４本の負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］を介して負論理の選択信号ＳＥＬ［１Ｂ］、ＳＥＬ［２Ｂ］、ＳＥＬ［３Ｂ］、ＳＥＬ［４Ｂ］が供給される。ここで、負論理の選択信号ＳＥＬ［１Ｂ］、ＳＥＬ［２Ｂ］、ＳＥＬ［３Ｂ］、ＳＥＬ［４Ｂ］は各々、正論理の選択信号ＳＥＬ［１］、ＳＥＬ［２］、ＳＥＬ［３］、ＳＥＬ［４］と対応している。典型的には正論理の選択信号ＳＥＬ［ｘ］の反転信号が負論理の選択信号ＳＥＬ［ｘＢ］である。

【0022】

正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］は各々、第１方向Ｘに延在する主線部分１４１と、主線部分１４１から第２方向Ｙに延在してトランスミッションゲート１５２［１］、１５２［２］、１５２［３］、１５２［４］のゲート電極に電気的に接続された支線部分１４２とを備えている。データ信号線１６０は、各ブロックに対応する第１配線部分１６１と、第１配線部分１６１から分岐して各トランスミッションゲート１５２に向けて第２方向Ｙに延在する複数の第２配線部分１６２とを有している。本形態では、選択信号線１４０の主線部分１４１に対して第２方向Ｙで隣り合う位置では、複数の第２配線部分１６２を互いに短絡させる短絡用配線１６３が第１方向に延在している。

【0023】

トランスミッションゲート１５２は、正論理の選択選号がゲート電極に供給される第１導電型トランジスタと、負論理の選択信号がゲート電極に供給される第２導電型トランジスタとを含んでおり、第１導電型トランジスタと第２導電型トランジスタとは並列に電気的に接続されている。

【0024】

ここで、第１導電型トランジスタおよび第２導電型トランジスタは、一方がｎチャネル型トランジスタであり、他方がｐチャネル型トランジスタである。本形態では、第１導電型トランジスタがｎチャネル型トランジスタ１５ｎであり、第２導電型トランジスタがｐチャネル型トランジスタ１５ｐの場合を例示してある。

【0025】

４．動作
図４は、図１に示す電気光学装置１の動作例を示すタイミングチャートである。図４では、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３…Ｙｋ、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…Ｙｋがハイレベルのタイミングに対応した選択信号ＳＥＬ、およびデータ信号ＶＩＤを図示している。データ信号ＶＩＤには、対応する４つの画素１１１に書き込まれるデータが時分割多重されている。従って、選択信号ＳＥＬに基づいて、トランスミッションゲート１５２がオン・オフするので、対応するデータ線１１４に所定のデータ信号ＶＩＤが供給される。例えば、正論理の選択信号ＳＥＬ［１］がハイレベルとなる一方、負論理の選択信号ＳＥＬ［１Ｂ］がローレベルとなったタイミングで、図３に示すトランスミッションゲート１５２［１］がオン状態となるので、第［４ｊ－３］列のデータ線１１４にデータ信号ＶＩＤ［１］に含まれる画像信号Ｓ［４ｊ－３］が供給される。また、正論理の選択信号ＳＥＬ［２］がハイレベルとなる一方、負論理の選択信号ＳＥＬ［２Ｂ］がローレベルとなったタイミングで、図３に示すトランスミッションゲート１５２［２］がオン状態となるので、第［４ｊ－２］列のデータ線１１４にデータ信号ＶＩＤ［４ｊ－２］が供給される。

【0026】

なお、電気光学装置１では、１つの水平走査期間Ｈ毎に、全てのデータ線１１４に対して、データ線選択回路１５０を介してプリチャージ電圧が供給され、その後、データ信号ＶＩＤが供給されることもある。また、電気光学装置１では、１フレーム毎にデータ信号ＶＩＤの極性が反転する駆動方式が採用されることもある。

【0027】

５．トランスミッションゲート１５２の構成
図５は、図４に示すトランスミッションゲート１５２の説明図であり、トランスミッションゲート１５２に用いたＣＭＯＳ回路の平面構成の一例を示してある。図６は、図４に示すトランスミッションゲート１５２のレイアウトを示す説明図である。図７は、図６に示すトランジスタのレイアウトを示す説明図である。なお、図６および図７では、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎについては、「Ｎ」を付した四角で示し、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐについては、「Ｐ」を付した四角で示し、トランジスタと配線との電気的な接続は、説明の容易化のために簡易的に黒丸で示してある。

【0028】

図５に示すように、トランスミッションゲート１５２において、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ（第１導電型トランジスタ）、およびｐチャネル型トランジスタ１５ｐ（第２導電型トランジスタ）は、ＴＦＴである。従って、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、およびｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、半導体層１１を有しており、選択信号線１４０の支線部分１４２の一部は、ゲート電極１２として、半導体層１１にゲート絶縁層（図示せず）を介して重なっている。データ線１１４、およびデータ信号線１６０は各々、コンタクトホール１４ａを介して半導体層１１のソース領域およびドレイン領域に電気的に接続されている。選択信号線１４０では、主線部分１４１と支線部分１４２とが異なる層に形成されており、主線部分１４１と支線部分１４２とはコンタクトホール１４ｂを介して電気的に接続されている。また、データ信号線１６０のうち、少なくとも選択信号線１４０と交差する部分は、選択信号線１４０と異なる層に設けられる。より詳細には、支線部分１４２はデータ信号線１６０やデータ線１１４が形成された配線層１３より下層に形成され、主線部分１４１はデータ信号線１６０やデータ線１１４が形成された配線層１３より上層に形成されている。従って、コンタクトホール１４ｂは、例えばスタックコンタクト構造であって、主線部分１４１と支線部分１４２は配線層１３を中継して接続される。言うまでもなくコンタクトホール１４ｂはスタックコンタクト構造でなくてもよい。

【0029】

図６および図７に示すように、本形態において、トランスミッションゲート１５２は、少なくとも２つのｎチャネル型トランジスタ１５ｎと、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐとを含んでおり、少なくとも２つのｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、およびｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、支線部分１４２が延在する第２方向Ｙに沿って配置されている。ここで、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、第１方向Ｘからみたとき、２つのｎチャネル型トランジスタ１５ｎの間に配置されている。

【0030】

本形態において、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎと同様、複数設けられており、第１方向Ｘからみたとき、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎとｐチャネル型トランジスタ１５ｐとが交互に配置されている。また、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎとｐチャネル型トランジスタ１５ｐが同数設けられている。より具体的には、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、およびｐチャネル型トランジスタ１５ｐは各々、２つずつ設けられている。従って、主線部分１４１から第２方向Ｙに沿う領域を順に第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、第３領域Ａ３、第４領域Ａ４としたとき、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎは、第１領域Ａ１、および第３領域Ａ３の各々に配置され、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、第２領域Ａ２、および第４領域Ａ４の各々に配置されている。それ故、トランスミッションゲート１５２では、主線部分１４１が位置する側から第２方向Ｙに沿って、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐ、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、およびｐチャネル型トランジスタ１５ｐに順に配置されている。また、第１方向Ｘで隣り合う２つのトランスミッションゲート１５２では、第２方向Ｙにおけるトランジスタの導電型の配列順序が同一である。

【0031】

また、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎとｐチャネル型トランジスタ１５ｐとは、第２方向Ｙからみたとき、第１方向Ｘでずれた位置に配置されている。このため、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の各支線部分１４２、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の各支線部分１４２は、互いに平行に第２方向Ｙに直線的に延在している。また、データ線１１４、およびデータ信号線１６０の第２配線部分１６２も、第２方向Ｙに直線的に延在している。なお、主線部分１４１と支線部分１４２の結合部から第１領域Ａ１までの、支線部分１４２にはデータ信号線１６０の第２配線部分１６２が並行するように配置されている。この構成により、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２とデータ信号線１６０の第２配線部分１６２との隣接配線間容量と、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２とデータ信号線１６０の第２配線部分１６２との隣接配線間容量との差を小さくしている。さらに、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２は第３領域Ａ３を超えて、第４領域Ａ４のｐチャネル型トランジスタ１５ｐの負論理選択信号線１４０の支線部分１４２と略同じ長さになるように延在させている。この構成により、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２に関する寄生容量と、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２に関する寄生容量との差を小さくしている。同様にしてデータ信号線１６０についても第３領域Ａ３を超えて、第４領域のｐチャネル型トランジスタ１５ｐの際にも配置させている。この構成により、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２に関する寄生容量と、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２に関する寄生容量との差を小さくしている。

【0032】

このように本形態では、複数のトランスミッションゲート１５２のいずれにおいても、少なくとも２つのｎチャネル型トランジスタ１５ｎと、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐとを含んでおり、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、第１方向Ｘからみたとき、２つのｎチャネル型トランジスタ１５ｎの間に配置されている。例えば、本形態では、第２方向Ｙにおいて、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎと、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐとが交互に配置されている。従って、本形態のトランスミッションゲート１５２では、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎおよびｐチャネル型トランジスタ１５ｐを第１領域Ａ１および第２領域Ａ２のみに配置した比較例のトランスミッションゲートより、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎを制御する支線部分１４２の配線長と、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐを制御する支線部分１４２の配線長との比を１に近づけることができる。すなわち、以下に示すように、配線長の比を比較すると、本形態の配線長の比の方が１に近い。
本形態における配線長の比＝（Ｌ２+Ｌ４）／（Ｌ１+Ｌ３）
比較例における配線長の比＝Ｌ２／Ｌ１
Ｌ１＝第１領域Ａ１のｎチャネル型トランジスタ１５ｎ
を制御する支線部分１４２の配線長
Ｌ２＝第２領域Ａ１のｐチャネル型トランジスタ１５ｐ
を制御する支線部分１４２の配線長
Ｌ３＝第３領域Ａ３のｎチャネル型トランジスタ１５ｎ
を制御する支線部分１４２の配線長
Ｌ４＝第４領域Ａ４のｐチャネル型トランジスタ１５ｐ
を制御する支線部分１４２の配線

【0033】

このため、本形態によれば、正論理の選択信号ＳＥＬの支線部分１４２と、負論理の選択信号ＳＥＬの支線部分１４２とにおける配線長の比を比較例のものより１に近づけることができるので、正論理の選択信号ＳＥＬの支線部分１４２と、負論理の選択信号ＳＥＬの支線部分１４２とにおける寄生抵抗の比および寄生容量の比を１に近づけることができる。ここで、選択信号ＳＥＬの駆動負荷は支線部分１４２が支配的である。本形態によれば、支線部分１４２における隣接配線間や配線交差による寄生容量の差異を縮小できるから、正論理の選択信号ＳＥＬと、負論理の選択信号ＳＥＬの波形の鈍りの差異を小さくできる。波形の鈍りの差異が小さくなるから主線部分１４１の入力側から終端側までの（換言すれば全データ線に対する）フィールドスルー電圧のバランスが崩れにくいので、全表示領域について共通電圧ＬＣＣＯＭを適正に設定することができる。また、支線部分１４２にｎチャネル型トランジスタ１５ｎおよびｐチャネル型トランジスタ１５ｐを分割して交互に配置したので、支線部分１４２の配線抵抗と容量負荷が分散されている。従って、支線部分１４２の正論理の選択信号ＳＥＬと、負論理の選択信号ＳＥＬは互いに近しい時定数になる。つまり正論理の選択信号ＳＥＬ、および負論理の選択信号ＳＥＬについて、支線部分１４２の入力側と支線部分１４２の終端側でのフィールドスルー電圧のバランスが崩れにくいので、共通電圧ＬＣＣＯＭを適正に設定することができる。換言すれば、トランスミッションゲート１５２によるフィードスルー電圧が、共通電圧ＬＣＣＯＭを基準にして大きくプラス側やマイナス側に偏ることを抑制する。フィードスルー電圧が大きくなることを抑制するから、外部回路によるデータ信号や共通電圧ＬＣＣＯＭ電圧の可変範囲を小さくし、回路規模や消費電力の増加を回避できる。

【0034】

［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１の説明図であり、図８には、トランスミッションゲート１５２のレイアウトを示してある。図９は、図８に示すトランジスタのレイアウトを示す説明図である。本形態、および後述する形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分に同一の符号を付してそれらの説明を省略する。また、図８、図９、および後述する図面では、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎについては、「Ｎ」を付した四角で示し、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐについては、「Ｐ」を付した四角で示してある。

【0035】

図８および図９に示すように、本形態では、実施の形態１と同様、第１方向Ｘからみたとき、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎとｐチャネル型トランジスタ１５ｐとが交互に配置されている。

【0036】

ここで、実施の形態１では、図６に示すように、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎとｐチャネル型トランジスタ１５ｐとは、第２方向Ｙからみたとき、第１方向Ｘでずれた位置に配置されている。このため、図６に示すように、ブロック内では、第１方向Ｘで隣り合うトランジスタの間隔がｄ１であるが、第１方向Ｘで隣り合うブロックに属するトランジスタの間隔はｄ２であり、ブロック内でのトランジスタの間隔ｄ１より広い。これは、ブロック境界のトランジスタを構成する半導体膜間に配線を２本配置する部分があるためである。これに対して、本形態では、図８および図９に示すように、ブロック内で第１方向Ｘで隣り合うトランジスタの間隔、および第１方向Ｘで隣り合うブロックに属するトランジスタの間隔はいずれもｄ１である。これはブロック境界のトランジスタを構成する半導体膜間に配線を１本配置すればよいからである。このため、トランジスタを構成する半導体層を第１方向Ｘで等間隔に配置すればよい等、トランジスタのレイアウトの簡素化や効率的な配置を実現することができる。

【0037】

かかる構成を実現するために、本形態では、第２方向Ｙに沿って交互に配置された２つのｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、および２つのｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、第２方向Ｙに沿って直線状に配置されている。このため、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎおよびｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、第２方向Ｙからみたとき、第１方向Ｘで同一の位置に配置されている。かかるレイアウトに対応して、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の各支線部分１４２、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の各支線部分１４２は、互いの交差を回避するように第２方向Ｙの途中部分で屈曲して第２方向Ｙに延在している。より具体的には、支線部分１４２は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間で第１方向Ｘに屈曲し、第２領域Ａ２と第３領域Ａ３との間で第１方向Ｘと逆方向に屈曲し、第３領域Ａ３と第４領域Ａ４との間では第１方向Ｘに屈曲している。

【0038】

ここで、第１方向Ｘで隣り合うトランスミッションゲート１５２では、第２方向Ｙに沿って配列されたトランジスタの導電型の順序が逆である。例えば、第１方向Ｘにおいて奇数番目のトランスミッションゲート１５２では、第２方向Ｙに沿って、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐ、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、およびｐチャネル型トランジスタ１５ｐの順に配置されている。これに対して、第１方向Ｘにおいて偶数番目のトランスミッションゲート１５２では、第２方向Ｙに沿って、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐ、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐ、およびｎチャネル型トランジスタ１５ｎの順に配置されている。このため、本形態では、データ線１１４と交差する支線部分１４２は、図９に点線の円Ｃｎで示すように、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２であり、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２は、データ線１１４と交差していない。従って、フィードスルー電圧については全トランスミッションゲート１５２について、正論理の選択信号の影響が負論理の選択信号の影響より大きくなるように統一されている。つまり全トランスミッションゲート１５２について、フィードスルー電圧の向きを共通電圧ＬＣＣＯＭを基準にして同じにできる。このため、例えば奇数番目のトランスミッションゲート１５２と偶数番目のトランスミッションゲート１５２に分けてデータ信号を補正する必要もなくなる。結果として縦スジムラ等になりにくく良好な表示にできる。なお点線の円Ｃｎに示す配線交差部の寄生容量による影響の改善実施例については後述する。

【0039】

さらに、本形態では、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］において、支線部分１４２は、それ自身が電気的に接続する主線部分１４１より第２方向Ｙとは反対側に向けて延在している。このため、図９に点線の四角Ｃｓで示すように、いずれの支線部分１４２も、それ自身が電気的に接続する主線部分１４１以外の５本の主線部分１４１と交差している。それ故、選択信号線１４０のいずれにおいても、他の選択信号線１４０との交差に起因する寄生容量を同等とすることができる。また、各支線部分１４２には並行してデータ信号線１６０の第２配線部分１６２を配置する。このため第１領域Ａ１までの、支線部分１４２の隣接配線間容量とデータ信号線１６０の第２配線部分１６２の隣接配線間容量の値を近しくしている。従ってこの支線部分１４２において、正論理の選択信号によるフィードスルー電圧と負論理の選択信号によるフィードスルー電圧は良好に相殺し合う。その他の構成は、実施の形態１と同様である。

【0040】

［実施の形態２の変形例１］
図１０は、本発明の実施の形態２の変形例１に係る電気光学装置１の説明図であり、図１０には、トランスミッションゲート１５２におけるトランジスタのレイアウトを示してある。

【0041】

図１０に示すように、本形態では、実施の形態２と同様、第２方向Ｙに沿って交互に配置された２つのｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、および２つのｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、第２方向Ｙに沿って直線状に配置されている。従って、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎおよびｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、第２方向Ｙからみたとき、第１方向Ｘで同一の位置に配置されている。従って、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の各支線部分１４２、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の各支線部分１４２は、互いの交差を回避するように第２方向Ｙの途中部分で屈曲して第２方向Ｙに延在している。

【0042】

本形態において、複数のトランスミッションゲート１５２のいずれにおいても、第２方向Ｙに沿って配列されたトランジスタの導電型の順序が同一である。このため、第１方向Ｘにおいて奇数番目のトランスミッションゲート１５２では、図１０に点線の円Ｃｎで示すように、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２がデータ線１１４と交差し、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２は、データ線１１４と交差していない。これに対して、第１方向Ｘにおいて偶数番目のトランスミッションゲート１５２では、図１０に点線の円Ｃｐで示すように、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２がデータ線１１４と交差し。正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２は、データ線１１４と交差していない。

【0043】

かかる構成でも、実施の形態１と同様、第１方向Ｘからみたとき、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎとｐチャネル型トランジスタ１５ｐとが交互に配置されているので、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎを制御する支線部分１４２の配線長と、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐを制御する支線部分１４２の配線長の比を１に近づけることができる。その他の構成は、実施の形態２と同様である。

【0044】

「実施の形態２の変形例２］
図１１は、本発明の実施の形態２の変形例２に係る電気光学装置１の説明図であり、図１１には、トランスミッションゲート１５２のレイアウトを示してある。

【0045】

ｎチャネル型トランジスタ１５ｎとｐチャネル型トランジスタ１５ｐとが交互に配置されている。また、本形態においては、第２方向Ｙからみたとき、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、およびｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、第１方向Ｘにずれている。従って、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の各支線部分１４２、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の各支線部分１４２は、第２方向Ｙに直線的に延在している。支線部分１４２が直線状に配置されているので、支線部分１４２の配線長は短くなる。そのため、支線部分１４２の寄生容量は縮小するから高速駆動に適している。

【0046】

また、第１方向Ｘで隣り合うトランスミッションゲート１５２では、第２方向Ｙに沿って配列されたトランジスタの導電型の順序が逆である。例えば、第１方向Ｘにおいて奇数番目のトランスミッションゲート１５２では、第２方向Ｙに沿って、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐ、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、およびｐチャネル型トランジスタ１５ｐの順に配置されている。これに対して、第１方向Ｘにおいて偶数番目のトランスミッションゲート１５２では、第２方向Ｙに沿って、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐ、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、ｐチャネル型トランジスタ１５ｐ、およびｎチャネル型トランジスタ１５ｎの順に配置されている。このため、本形態では、データ線１１４と交差する支線部分１４２は、図９に点線の円Ｃｎで示すように、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２であり、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２は、データ線１１４と交差していない。従って、フィードスルー電圧については、全トランスミッションゲート１５２について正論理の選択信号の影響が負論理の選択信号による影響より大きくなるように統一されている。つまり全トランスミッションゲート１５２について、フィードスルー電圧の向きは共通電圧ＬＣＣＯＭを基準にして同じにできる。このため、例えば奇数番目のトランスミッションゲート１５２と偶数番目のトランスミッションゲート１５２に分けてデータ信号を補正する必要もなくなる。結果として縦スジムラ等になりにくく良好な表示にできる。その他の構成は、実施の形態２と同様である。

【0047】

［実施の形態３］
図１２は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１の説明図であり、図１２には、トランスミッションゲート１５２のレイアウトを示してある。図１３は、図１２に示すトランジスタのレイアウトを示す説明図である。図１４は、図１３に示すトランジスタ等の平面構成を示す説明図である。

【0048】

図１２および図１３に示すように、本形態では、実施の形態１と同様、第１方向Ｘからみたとき、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎとｐチャネル型トランジスタ１５ｐとが交互に配置されている。また、本形態では、実施の形態２と同様、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎおよびｐチャネル型トランジスタ１５ｐは、第２方向Ｙからみたとき、第１方向Ｘで同一の位置に配置されている。従って、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の各支線部分１４２、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の各支線部分１４２は、互いの交差を回避するように第２方向Ｙの途中部分で屈曲して第２方向Ｙに延在している。

【0049】

実施例２の変形例１では第１方向Ｘにおいて奇数番目のトランスミッションゲート１５２では、図１０に点線の円Ｃｎで示すように、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２がデータ線１１４と交差し、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２は、データ線１１４と交差していなかった。本形態では、図１４に示すように、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２には、データ線１１４と交差するように突出した突出部１４５ｐが形成されている。従って、奇数番目のトランスミッションゲート１５２では、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］とのデータ線１１４との間、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］とデータ線１１４との間には同等の寄生容量が存在する。従って、第１方向Ｘにおいて奇数番目のトランスミッションゲート１５２では正論理の選択信号ＳＥＬと、負論理の選択信号ＳＥＬとおいて、寄生容量の差を縮小することができる。

【0050】

一方、実施例２の変形例１では第１方向Ｘにおいて偶数番目のトランスミッションゲート１５２では、図１０に点線の円Ｃｐで示すように、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２がデータ線１１４と交差し、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２は、データ線１１４と交差していなかった。本形態では、図１４に示すように、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２には、データ線１１４と交差するように突出した突出部１４５ｎが形成されている。従って、偶数番目のトランスミッションゲート１５２では、奇数番目のトランスミッションゲート１５２と同様、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］とのデータ線１１４との間、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］とデータ線１１４との間には同等の寄生容量が存在する。従って、第１方向Ｘにおいて偶数番目のトランスミッションゲート１５２でも、奇数番目のトランスミッションゲート１５２と同様、正論理の選択信号ＳＥＬと、負論理の選択信号ＳＥＬとおいて、寄生容量の差を縮小することができる。

【0051】

また、実施例２の変形例１では第１方向Ｘにおいて奇数番目のトランスミッションゲート１５２では、図１０のように、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２がデータ信号線１６０と交差し、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２は、データ線１１４と交差していなかった。本形態では、図１４に示すように、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２には、データ信号線１６０と交差するように突出した突出部１４６ｎが形成されている。従って、奇数番目のトランスミッションゲート１５２では、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］とのデータ信号線１６０との間、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］とデータ信号線１６０との間には同等の寄生容量が存在する。

【0052】

一方、実施例２の変形例１では第１方向Ｘにおいて偶数番目のトランスミッションゲート１５２では、図１０のように、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］の支線部分１４２がデータ信号線１６０と交差し、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２は、データ信号線１６０と交差していなかった。本形態では、図１４に示すように、負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］の支線部分１４２には、データ信号線１６０と交差するように突出した突出部１４６ｐが形成されている。従って、偶数番目のトランスミッションゲート１５２では、奇数番目のトランスミッションゲート１５２と同様、正論理選択信号線１４０［１］、１４０［２］、１４０［３］、１４０［４］とのデータ信号線１６０との間、および負論理選択信号線１４０［１Ｂ］、１４０［２Ｂ］、１４０［３Ｂ］、１４０［４Ｂ］とデータ信号線１６０との間には同等の寄生容量が存在する。

【0053】

［実施の形態４］
図１５は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１の説明図であり、トランスミッションゲート１５２のレイアウトを示してある。図１５に示すように、２つのｎチャネル型トランジスタ１５ｎの間にｐチャネル型トランジスタ１５ｐを配置するにあたって、本形態では、２つのｎチャネル型トランジスタ１５ｎの間に２つのｐチャネル型トランジスタ１５ｐが配置されている。かかる構成でも、正論理の選択信号ＳＥＬと、負論理の選択信号ＳＥＬとおいて、隣接配線間や配線交差による寄生容量の差異を縮小できる。

【0054】

［実施の形態４の変形例］
図１６は、本発明の実施の形態４の変形例に係る電気光学装置１の説明図であり、トランスミッションゲート１５２のレイアウトを示してある。実施の形態４では、２つのｎチャネル型トランジスタ１５ｎの間に２つのｐチャネル型トランジスタ１５ｐが配置されていたが、図１６に示すように、１つのｐチャネル型トランジスタ１５ｐが配置されている態様であってよい。かかる構成でも、正論理の選択信号ＳＥＬと、負論理の選択信号ＳＥＬとおいて、隣接配線間や配線交差による寄生容量の差異を縮小できる。

【0055】

［実施の形態５］
図１７は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１の説明図である。図１７に示すように、トランスミッションゲート１５２にｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、およびｐチャネル型トランジスタ１５ｐが各々、複数配置されている場合、複数のｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、および複数のｐチャネル型トランジスタ１５ｐのうちの少なくとも一方には、ゲート電極面積が異なるトランジスタが含まれている態様であってもよい。例えば、複数のｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、および複数のｐチャネル型トランジスタ１５ｐのうちの少なくとも一方には、ゲート電極面積が異なるトランジスタが含まれ、第２方向Ｙで主線部分１４１に近い位置に設けられたトランジスタより第２方向Ｙで本支線部分１４２から遠い位置に設けられたトランジスタの方が、ゲート電極面積が小さいトランジスタが含まれている態様であってもよい。かかる態様によれば、大きいゲート容量を有するトランジスタが、選択信号線１４０の主線部分１４１に近い側に配置されるから、支線部分１４２に属するトランジスタのスイッチングが早くできるので高速駆動に適している。支線部分１４２は、例えばポリシリコン膜やポリシリコン膜とＷＳｉ膜との積層等で形成されるので抵抗値が大きい。従って、ゲート電極面積が大きいためにゲート容量が大きいトランジスタを主線部分１４１に近い側に配置すると、小さい時定数でスイッチングすることができる。例えば、トランスミッションゲート１５２に、ｎチャネル型トランジスタ１５ｎ、およびｐチャネル型トランジスタ１５ｐが各々、３個ずつ用いられている構成の場合、主線部分１４１に近い側からトランジスタのチャネル幅が２００μｍ、１００μｍ、５０μｍと漸減する構成にする。

【0056】

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第１導電型トランジスタがｎチャネル型トランジスタ１５ｎであり、第２導電型トランジスタがｐチャネル型トランジスタ１５ｐの場合を例示したが、第１導電型トランジスタがｐチャネル型トランジスタ１５ｐであり、第２導電型トランジスタがｎチャネル型トランジスタ１５ｎの場合に本発明を適用してもよい。上記実施形態では第１基板１０の一方から選択信号線１４０を延在させる場合を例示したが、第１基板１０の左右から延在させる態様としてもよい。上記実施形態では、駆動用ＩＣ２がフレキシブル配線基板３に実装されている態様を例示したが、第１基板１０に駆動用ＩＣ２が実装されている場合に本発明を適用してもよい。上記実施形態では、電気光学装置１が透過型の液晶装置の場合を例示したが、電気光学装置１が反射型の液晶装置や、電気光学装置１が有機エレクトロルミネッセンス装置等である場合に本発明を適用してもよい。

【0057】

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１を用いた電子機器について説明する。図１８は、本発明を適用した電気光学装置１を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。

【0058】

図１８に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１を用いた電子機器の一例である。投射型表示装置２１００において、電気光学装置１がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

【0059】

ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。従って、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。

【0060】

［他の投射型表示装置］
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

【0061】

［他の電子機器］
本発明を適用した電気光学装置１を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＫＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

【符号の説明】

【0062】

１…電気光学装置、２…駆動用ＩＣ、３…フレキシブル配線基板、１０…第１基板、１１…半導体層、１５ｎ…ｎチャネル型トランジスタ（第１導電型トランジスタ）、１５ｐ…ｐチャネル型トランジスタ（第２導電型トランジスタ）、２０…第２基板、１００…電気光学パネル、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、１１１…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…画素スイッチング素子、１１８…画素電極、１２０…液晶層、１４０…選択信号線、１４１…主線部分、１４２…支線部分、１４５ｎ、１４５ｐ、１４６ｎ、１４６ｐ…突出部、１５０…データ線選択回路、１５１…デマルチプレクサー、１５２…トランスミッションゲート、１５６…入力端、１５７…出力端、１６０…データ信号線、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、Ａ３…第３領域、Ａ４…第４領域、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３…画像信号、ＳＥＬ…選択信号、ＬＣＣＯＭ…共通電圧、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３…走査信号、ＶＩＤ…データ信号。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】