特許 7469324 駆動制御回路及び家電機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-08

(45)【発行日】2024-04-16

(54)【発明の名称】駆動制御回路及び家電機器

(51)【国際特許分類】

   H01H 47/04 20060101AFI20240409BHJP

   H01H 47/18 20060101ALI20240409BHJP

【ＦＩ】

H01H47/04

H01H47/18 B

H01H47/18 E

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2021556828

(86)(22)【出願日】2019-05-24

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-06-10

(86)【国際出願番号】 CN2019088289

(87)【国際公開番号】W WO2020191914

(87)【国際公開日】2020-10-01

【審査請求日】2021-09-21

【審判番号】

【審判請求日】2023-03-29

(31)【優先権主張番号】201910224249.3

(32)【優先日】2019-03-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】517344192

【氏名又は名称】広東美的制冷設備有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＧＤ ＭＩＤＥＡ ＡＩＲ－ＣＯＮＤＩＴＩＯＮＩＮＧ ＥＱＵＩＰＭＥＮＴ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｌｉｎｇａｎｇ Ｒｏａｄ，Ｂｅｉｊｉａｏ，Ｓｈｕｎｄｅ，Ｆｏｓｈａｎ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ，Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100112656

【弁理士】

【氏名又は名称】宮田 英毅

(74)【代理人】

【識別番号】100089118

【弁理士】

【氏名又は名称】酒井 宏明

(72)【発明者】

【氏名】邱禹

(72)【発明者】

【氏名】文先仕

(72)【発明者】

【氏名】曾賢杰

(72)【発明者】

【氏名】黄招彬

【合議体】

【審判長】小川 恭司

【審判官】尾崎 和寛

【審判官】内田 博之

(56)【参考文献】

【文献】特開平７－１０６０２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１０２６６４１２６（ＣＮ，Ａ）

【文献】特開２０００－１１３７８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平９－３２２１８４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

H01H 47/04

H01H 47/18

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

可動接点が電力網システムに組み込まれ、負荷に給電するように前記電力網システムを制御することができるラッチングリレーと、
前記ラッチングリレーの制御端にパルス信号を出力するように配置され、前記パルス信号が高レベルパルス信号又は低レベルパルス信号であるブリッジ回路と、
前記ブリッジ回路に対して電流制限保護を行うように配置される第１の限流抵抗器と、
を含み、
前記ラッチングリレーの第１の制御端が前記高レベルパルス信号を受信し、且つ前記ラッチングリレーの第２の制御端が前記低レベルパルス信号を受信すると、前記ラッチングリレーの前記可動接点が動作切換を行い、次のパルス信号を受信するまで、前回の前記動作切換後の状態を保持し、
前記動作切換はオンからオフに切り替え、又はオフからオンに切り替えることであり、
前記ブリッジ回路には４つのブリッジアームが設けられ、
前記４つのブリッジアームは、順次接続される第１のブリッジアーム、第２のブリッジアーム、第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームであり、前記第１のブリッジアームと前記第２のブリッジアームとの間の共通端は前記ラッチングリレーの前記第１の制御端に接続され、前記第３のブリッジアームと前記第４のブリッジアームとの間の共通端は前記ラッチングリレーの前記第２の制御端に接続され、前記第１のブリッジアームと前記第４のブリッジアームとの間の共通端は前記直流電源に接続され、前記第２のブリッジアームと前記第３のブリッジアームとの間の共通端は前記グラウンドに接続され、
前記第１の限流抵抗器は、前記第１のブリッジアームと前記第４のブリッジアームとの間の共通端と直流電源との間に直列接続され、及び／又は前記第２のブリッジアームと前記第３のブリッジアームとの間の共通端とグラウンドとの間に直列接続される、駆動制御回路。

【請求項2】

いずれか１つの前記ブリッジアームには１つのスイッチユニットが設けられ、
前記スイッチユニットがオンになると、対応するブリッジアームがオンになり、
前記スイッチユニットがオフになると、対応するブリッジアームがオフになる、請求項１に記載の駆動制御回路。

【請求項3】

前記第１のブリッジアームがオンになり、且つ前記第２のブリッジアームがオフになると、前記第１の制御端は前記高レベルパルス信号を受信し、
前記第１のブリッジアームがオフになり、且つ前記第２のブリッジアームがオンになると、前記第１の制御端は前記低レベルパルス信号を受信し、
前記第４のブリッジアームがオンになり、且つ前記第３のブリッジアームがオフになると、前記第２の制御端は前記高レベルパルス信号を受信し、
前記第４のブリッジアームがオフになり、且つ前記第３のブリッジアームがオンになると、前記第２の制御端は前記低レベルパルス信号を受信する、請求項２に記載の駆動制御回路。

【請求項4】

前記第１のブリッジアームにおけるスイッチユニットと前記第２のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの一方がＰ型スイッチチューブである場合、前記第１のブリッジアームにおけるスイッチユニットと前記第２のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの他方がＮ型スイッチチューブであり、
前記第３のブリッジアームにおけるスイッチユニットと前記第４のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの一方がＰ型スイッチチューブである場合、前記第３のブリッジアームにおけるスイッチユニットと前記第４のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの他方がＮ型スイッチチューブである、請求項３に記載の駆動制御回路。

【請求項5】

前記スイッチユニットは、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管のうちの少なくとも１つを含む、請求項２～４のいずれか一項に記載の駆動制御回路。

【請求項6】

前記金属酸化物半導体素子のゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は前記三極真空管のベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、前記スイッチユニットに対して電流制限保護を行うために用いられる第２の限流抵抗器をさらに含む、請求項５に記載の駆動制御回路。

【請求項7】

１つの第１の駆動信号出力端が設けられ、前記第１のブリッジアームの駆動端と前記第２のブリッジアームの駆動端が前記第１の駆動信号出力端に接続される第１の駆動デバイスをさらに含み、
前記第１の駆動信号出力端は、前記第１のブリッジアームの駆動端及び前記第２のブリッジアームの駆動端に高レベル駆動信号を出力し、又は、
前記第１の駆動信号出力端は、前記第１のブリッジアームの駆動端及び前記第２のブリッジアームの駆動端に低レベル駆動信号を出力する、請求項３に記載の駆動制御回路。

【請求項8】

前記第１の駆動デバイスは、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管のうちの少なくとも１つを含む、請求項７に記載の駆動制御回路。

【請求項9】

前記金属酸化物半導体素子のゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は前記三極真空管のベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、前記第１の駆動デバイスに対して電流制限保護を行うために用いられる第３の限流抵抗器をさらに含む、請求項８に記載の駆動制御回路。

【請求項10】

１つの第２の駆動信号出力端が設けられ、前記第３のブリッジアームの駆動端と前記第４のブリッジアームの駆動端が前記第２の駆動信号出力端に接続される第２の駆動デバイスをさらに含み、
前記第２の駆動信号出力端は、前記第３のブリッジアームの駆動端及び前記第４のブリッジアームの駆動端に高レベル駆動信号を出力し、又は、
前記第２の駆動信号出力端は、前記第３のブリッジアームの駆動端及び前記第４のブリッジアームの駆動端に低レベル駆動信号を出力する、請求項３に記載の駆動制御回路。

【請求項11】

前記第２の駆動デバイスは、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管のうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載の駆動制御回路。

【請求項12】

前記金属酸化物半導体素子のゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は前記三極真空管のベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、前記第２の駆動デバイスに対して電流制限保護を行うために用いられる第４の限流抵抗器をさらに含む、請求項１１に記載の駆動制御回路。

【請求項13】

前記ラッチングリレーに並列接続され、前記電力網システムに入力された電気エネルギーに対して電流制限処理を行うように配置される正温度係数の感温抵抗をさらに含み、
前記ラッチングリレーの可動接点がオフ状態にあるとき、前記電力網システムに入力された電気エネルギーが前記正温度係数の感温抵抗を介して前記負荷に給電し、又は、
前記ラッチングリレーの可動接点がオン状態にあるとき、前記電力網システムに入力された電気エネルギーが前記ラッチングリレーの可動接点を介して前記負荷に給電する、請求項１～４のいずれか一項に記載の駆動制御回路。

【請求項14】

前記ラッチングリレーと前記負荷との間に組み込まれ、前記電力網システムから出力された交流電気信号を直流電気信号に変換するように配置され、前記直流電気信号が前記負荷に給電するように配置される整流素子をさらに含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の駆動制御回路。

【請求項15】

前記整流素子の出力端と前記負荷の入力端との間に設けられ、前記整流素子と前記負荷との間の交流信号をフィルタリングして除去するために用いられる容量素子をさらに含む、請求項１４に記載の駆動制御回路。

【請求項16】

前記負荷は、直流モーター、交流モーター、ランプ管、ディスプレイ及びブザーのうちの少なくとも１つを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の駆動制御回路。

【請求項17】

負荷と、
前記電力網システムと前記負荷との間に組み込まれ、電力網システムを制御して負荷に給電させるように配置される請求項１～１６のいずれか一項に記載の駆動制御回路とを含む、家電機器。

【請求項18】

前記家電機器は、エアコン、冷蔵庫、ファン、調理器具、照明機器、視聴覚機器及びクリーニング機器のうちの少なくとも１つを含む、請求項１７に記載の家電機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、２０１９年０３月２２日に中国特許庁に提出された、出願番号が２０１９１０２２４２４９．３であり、発明の名称が「駆動制御回路及び家電機器」である中国特許出願の優先権を主張し、その内容のすべてを援用することにより本願に取り入れる。

【0002】

本願は、回路技術の分野に関し、具体的には、駆動制御回路及び家電機器に関する。

【背景技術】

【0003】

制御コンポーネントとしてのリレーは、自動調整、安全保護、回路変換などの役割を果たすために駆動制御回路で広く使用されている。

【0004】

例えば、インバーターエアコンシステムの室外機の駆動制御回路において、電源投入時に交流電流が過大に入力されて容量に衝撃を与えることを避けるために、従来のリレーを使用して充電電流を制限することが多く、すなわちリレーの通電又は遮断を制御することにより、駆動制御回路の給電状態を変更する。

【0005】

関連技術では、従来のリレーは、制御回路が作業しているときは閉じた状態にあり、つまり、通電し続ける必要があり、これには、少なくとも次のような技術的問題がある。
（１）通電し続けて駆動制御回路の給電状態を制御する必要があるため、駆動制御回路の消費電力が増加する。
（２）リレーの負荷は、通常、周波数５０Ｈｚ、実効値２２０Ｖの交流信号であるため、リレーに通電し続けると、漏電の危険がある。
（３）リレーへの通電操作及び遮断操作が頻繁に行われると、駆動制御回路でサージ信号やリップル信号などの干渉パルスが発生し、駆動制御回路の一部のコンポーネントが急激に発熱し、さらに焼損することになり、これは、ローカルデバイスの信頼性に影響を与えるだけでなく、駆動制御回路の熱クロストークも増加する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本願は、上記の従来技術又は関連技術における技術的課題の少なくとも１つを解決することを目的とする。

【0007】

そのため、本願の１つの目的は、駆動制御回路を提供することである。

【0008】

本願のもう１つの目的は、家電機器を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記の目的を実現するために、本願の第１の態様の実施例により提供される駆動制御回路は、可動接点が電力網システムに組み込まれ、負荷に給電するように電力網システムを制御することができるラッチングリレーと、ラッチングリレーの制御端にパルス信号を出力するように配置され、パルス信号は高レベルパルス信号又は低レベルパルス信号であるブリッジ回路とを含み、ラッチングリレーの第１の制御端が高レベルパルス信号を受信し、且つラッチングリレーの第２の制御端が低レベルパルス信号を受信すると、ラッチングリレーの可動接点は動作切換を行い、次のパルス信号を受信するまで、前回の動作切換後の状態を保持し、動作切換はオンからオフに切り替え、又はオフからオンに切り替えることである。

【0010】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、駆動制御回路にラッチングリレーが設けられ、ラッチングリレーが機械式リレーであるため、通電した後、通電し続けなくても、その機械的構造を介してラッチングすることができる。長時間に作業状態にある場合、消費電力が大幅に削減され、その作業時間が長ければ長いほど、平均消費電力が少なくなり、また、漏電やデバイス発熱による損傷のリスクが低減され、これにより上記駆動制御回路における各コンポーネントの耐用年数を延ばす。

【0011】

また、ブリッジ回路を採用してラッチングリレーの制御端にパルス信号を出力することにより、駆動制御回路の消費電力をさらに削減するのに役立つだけでなく、ラッチングリレーがオン状態又はオフ状態に入ることの信頼性を向上させるのにも役立つ。

【0012】

具体的に、従来のブリッジ回路は一般的に抵抗、容量又はインダクタンスを含むが、ブリッジ回路の信頼性及び消費電力に対する要求がますます高くなるため、低消費電力のスイッチ素子をブリッジ回路のブリッジアームに組み込むことは、消費電力を削減し、信頼性を向上させるのに役立つだけでなく、ブリッジ回路の応答時間をさらに短縮するのにも役立ち、且つ、多数の実験的検証により、全てのタイプのブリッジ回路は本願の応用要求を満たすことができる。

【0013】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、ブリッジ回路には４つのブリッジアームが設けられ、いずれか１つのブリッジアームには１つのスイッチユニットが設けられ、スイッチユニットがオンになると、対応するブリッジアームがオンになり、スイッチユニットがオフになると、対応するブリッジアームがオフになる。

【0014】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、ブリッジ回路における各ブリッジアームにスイッチユニットを設けることにより、スイッチユニットの消費電力がより低くなるだけでなく、ブリッジ回路がより信頼性の高い高レベルパルス信号及び低レベルパルス信号を出力し、さらにブリッジ回路によるラッチングリレーへの制御の信頼性を向上させる。

【0015】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、４つのブリッジアームは、順次接続される第１のブリッジアーム、第２のブリッジアーム、第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームであり、第１のブリッジアームと第２のブリッジアームとの間の共通端はラッチングリレーの第１の制御端に接続され、第３のブリッジアームと第４のブリッジアームとの間の共通端はラッチングリレーの第２の制御端に接続され、第１のブリッジアームと第４のブリッジアームとの間の共通端は直流電源に接続され、第２のブリッジアームと第３のブリッジアームとの間の共通端はグラウンドに接続され、第１のブリッジアームがオンになり、且つ第２のブリッジアームがオフになると、第１の制御端は高レベルパルス信号を受信し、第１のブリッジアームがオフになり、且つ第２のブリッジアームがオンになると、第１の制御端は低レベルパルス信号を受信し、第４のブリッジアームがオンになり、且つ第３のブリッジアームがオフになると、第２の制御端は高レベルパルス信号を受信し、第４のブリッジアームがオフになり、且つ第３のブリッジアームがオンになると、第２の制御端は低レベルパルス信号を受信する。

【0016】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、４つのブリッジアームは順次接続される第１のブリッジアーム、第２のブリッジアーム、第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームであり、且つ上記接続方法に従ってブリッジ回路をラッチングリレーに接続し、ここで、第１のブリッジアームと第２のブリッジアームとの間の共通端は第１の制御端に接続され、第３のブリッジアームと第４のブリッジアームとの間の共通端は第２の制御端に接続され、すなわち４つのブリッジアームのオフ又はオンを制御することによりラッチングリレーの動作切換を調整し、これにより、消費電力を削減することができるだけでなく、また、ラッチングリレーのアクション遅延への制御を短縮することができ、負荷に対する過電流保護の信頼性及び適時性をさらに向上させる。

【0017】

さらに、４つのブリッジアームのうちの対向する２つのブリッジアームのオン状態が同じ（いずれもオン又はオフ）であり、且つ、隣接する２つのブリッジアームのオン状態が逆である場合（１つのブリッジアームがオンになると、もう１つのブリッジアームがオフになる）、ラッチングリレーの２つの制御端は高レベルパルス信号と低レベルパルス信号をそれぞれ受信することができ、つまり、動作切換を行うことができる。

【0018】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、ブリッジ回路と直流電源との間に直列接続され、及び／又はブリッジ回路とグラウンドとの間に直列接続され、ブリッジ回路に対して電流制限保護を行うように配置される第１の限流抵抗器をさらに含む。

【0019】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第１の限流抵抗器を設けてブリッジ回路に対して電流制限保護を行うことにより、一方では、電力網システムにおける過電流信号によるブリッジ回路への衝撃を低減するのに役立ち、他方では、ブリッジ回路におけるいずれかのブリッジアームに短絡故障が発生する時、短絡電流によるスイッチユニットへの衝撃を低減することができる。

【0020】

例えば、第１のブリッジアーム及び第２のブリッジアームが同時にオンになり、上記２つのブリッジアームと直列接続される限流抵抗器がない場合、直流電源とグラウンドとの間の電位差は、第１のブリッジアームにおけるスイッチユニット及び第２のブリッジアームにおけるスイッチユニットをブレークダウンするのに十分であり、ブリッジ回路の故障だけでなく、ラッチングリレーの失効にもつながり、ラッチングリレーは負荷に対する交流過電流保護の役割を失ってしまう。

【0021】

ここで、直流電源の電圧値は通常５Ｖ、１２Ｖ又は２４Ｖであるが、これに限定されず、第１の限流抵抗器の値は０．１オーム～３０オーム（端点を含む）であるが、これに限定されず、ブリッジ回路を流れる電流がスイッチ素子の過電流よりも小さくなるように第１の限流抵抗器を設定すればよい。

【0022】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、第１のブリッジアームにおけるスイッチユニットと第２のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの一方がＰ型スイッチチューブである場合、第１のブリッジアームにおけるスイッチユニットと第２のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの他方がＮ型スイッチチューブであり、第３のブリッジアームにおけるスイッチユニットと第４のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの一方がＰ型スイッチチューブである場合、第３のブリッジアームにおけるスイッチユニットと第４のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの他方がＮ型スイッチチューブである。

【0023】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第１のブリッジアーム及び第２のブリッジアームを反転スイッチチューブとして設定し、第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームを反転スイッチチューブとして設定することにより、まず、スイッチチューブは低オン電圧、低消費電力及び低遅延などの顕著な利点を備え、ブリッジ回路によるラッチングリレーへの制御の信頼性及び適時性を向上させ、また、駆動制御回路の消費電力をさらに削減する。

【0024】

好ましくは、１つの制御ポートを採用して第１のブリッジアーム及び第２のブリッジアームに制御信号を同時に出力することができ、２つのブリッジアームが反転スイッチチューブとして設定されるため、例えば、制御信号が高レベル信号である場合、第１のブリッジアームと第２のブリッジアームの一方のみがオンになり、もう一方のブリッジアームがオフになり、同様に１つの制御ポートを採用して第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームに制御信号を同時に出力することができ、回路設計の複雑さとハードウェアコストを簡素化するだけでなく、第１のブリッジアームと第２のブリッジアームが直接接続され、第３のブリッジアームと第４のブリッジアームが直接接続される可能性を効果的に低減させる。

【0025】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、スイッチユニットは、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管のうちの少なくとも１つを含む。

【0026】

本願の実施例に係る駆動制御回路は、金属酸化物半導体素子はＭｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒを意味し、ＭＯＳＦＥＴと略称され、絶縁ゲートバイポーラトランジスタはＩｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｌａｔｏｒを意味し、ＩＧＢＴと略称され、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管を含むスイッチチューブはいずれも高速低消費電力スイッチチューブである。

【0027】

好ましくは、ＭＯＳＦＥＴ（通常はエンハンスメントタイプとデプレッションタイプを含む）はリーク電流がより小さく、且つ信頼性が高いため、一実施例では、第１のブリッジアームのスイッチチューブをＰ型ＭＯＳＦＥＴとし、第２のブリッジアームのスイッチチューブをＮ型ＭＯＳＦＥＴとし、第４のブリッジアームのスイッチチューブをＰ型ＭＯＳＦＥＴとし、第３のブリッジアームのスイッチチューブをＮ型ＭＯＳＦＥＴとする。

【0028】

ここで、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴについては、Ｖｇｓ≧Ｖｔである限り、チャネルが形成でき、その時にドレイン－ソース間に順方向電圧Ｖｄｓを印加する限り、ドレイン電流が発生でき、ここで、Ｖｇｓはゲートソース電圧であり、Ｖｔはターンオン電圧であり、Ｖｄｓはソースドレイン電圧である。

【0029】

同様に、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴについては、Ｖｇｓ≦Ｖｔである限り、チャネルが形成でき、その時にドレイン－ソース間に負電圧Ｖｄｓを印加する限り、ドレイン電流が発生でき、ここで、Ｖｇｓはゲートソース電圧であり、Ｖｔはターンオン電圧であり、Ｖｄｓはソースドレイン電圧である。

【0030】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、金属酸化物半導体素子のゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は三極真空管のベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、スイッチユニットに対して電流制限保護を行うために用いられる第２の限流抵抗器をさらに含む。

【0031】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第２の限流抵抗器を上記の方法に従って、いずれかのブリッジアームのスイッチチューブに組み込むことにより、ブリッジアームがブレークダウンされる可能性を効果的に低減することができ、また、ブリッジ回路によるラッチングリレーへのトリガ制御の信頼性及び適時性をさらに向上させる。

【0032】

また、駆動制御回路の消費電力をさらに削減する観点から考えると、第２の限流抵抗器の値は０．１オーム～３０オーム（端点を含む）とするが、これに限定されない。

【0033】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、１つの第１の駆動信号出力端が設けられ、第１のブリッジアームの駆動端と第２のブリッジアームの駆動端が第１の駆動信号出力端に接続される第１の駆動デバイスをさらに含み、第１の駆動信号出力端は、第１のブリッジアームの駆動端及び第２のブリッジアームの駆動端に高レベル駆動信号を出力し、又は、第１の駆動信号出力端は、第１のブリッジアームの駆動端及び第２のブリッジアームの駆動端に低レベル駆動信号を出力する。

【0034】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第１の駆動信号出力端が１つの制御ポートとして第１のブリッジアーム及び第２のブリッジアームを同時に駆動し、すなわち１つの第１の駆動デバイスを設けることにより、上記一実施例において、第１のブリッジアーム及び第２のブリッジアームは反転スイッチチューブを含み、第１の制御端は、高レベルパルス信号又は低レベルパルス信号を受信することができる。

【0035】

例えば、第１のブリッジアームのスイッチチューブはＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第２のブリッジアームのスイッチチューブはＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、且つ第１のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴのドレインは直流電源に接続され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのソースは第２のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、第２のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴのソースはグラウンドに接続され、第１の駆動信号出力端が第１のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴと第２のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴに高レベル駆動信号を出力する場合、第１のブリッジアームがオフになり、第２のブリッジアームがオンになり、ラッチングリレーの第１の制御端は低レベルパルス信号を受信し、同様に、第１の駆動信号出力端が第１のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴと第２のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴに低レベル駆動信号を出力する場合、ラッチングリレーの第１の制御端は高レベルパルス信号を受信する。

【0036】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、第１の駆動デバイスは、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管のうちの少なくとも１つを含む。

【0037】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第１の駆動デバイスを上記スイッチチューブとして設けることにより、駆動制御回路の消費電力及び応答遅延をさらに低減するのに役立ち、また、回路の信頼性を向上させるのにも役立つ。

【0038】

好ましくは、第１の駆動デバイスは絶縁ゲートバイポーラトランジスタとして選択される。

【0039】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、金属酸化物半導体素子のゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は三極真空管のベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、第１の駆動デバイスに対して電流制限保護を行うために用いられる第３の限流抵抗器をさらに含む。

【0040】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第３の限流抵抗器を第１の駆動デバイスの３端に設けることにより、過電流信号が第１の駆動デバイスを干渉やブレークダウンする可能性を効果的に低減することができ、また、ブリッジ回路に係るラッチングリレーへの制御の信頼性をさらに向上させる。

【0041】

また、駆動制御回路の消費電力をさらに削減する観点から考えると、第３の限流抵抗器の値は０．１オーム～３０オーム（端点を含む）とするが、これに限定されない。

【0042】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、１つの第２の駆動信号出力端が設けられ、第３のブリッジアームの駆動端と第４のブリッジアームの駆動端が第２の駆動信号出力端に接続される第２の駆動デバイスをさらに含み、第２の駆動信号出力端は、第３のブリッジアームの駆動端及び第４のブリッジアームの駆動端に高レベル駆動信号を出力し、又は、第２の駆動信号出力端は、第３のブリッジアームの駆動端及び第４のブリッジアームの駆動端に低レベル駆動信号を出力する。

【0043】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第２の駆動信号出力端は１つの制御ポートとして第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームを同時に駆動し、すなわち１つの第２の駆動デバイスを設けることにより、上記一実施例において、第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームは反転スイッチチューブを含み、第２の制御端は高レベルパルス信号又は低レベルパルス信号を受信することができる。

【0044】

例えば、第４のブリッジアームのスイッチチューブはＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第３のブリッジアームのスイッチチューブはＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、且つ第４のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴのドレインは直流電源に接続され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのソースは第３のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、第３のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴのソースはグラウンドに接続され、第２の駆動信号出力端が第４のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴと第３のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴに高レベル駆動信号を出力する場合、第４のブリッジアームがオフになり、第３のブリッジアームがオンになり、ラッチングリレーの第２の制御端は低レベルパルス信号を受信し、同様に、第２の駆動信号出力端が第４のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴと第３のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴに低レベル駆動信号を出力する場合、ラッチングリレーの第２の制御端は高レベルパルス信号を受信する。

【0045】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、第２の駆動デバイスは、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管のうちの少なくとも１つを含む。

【0046】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第２の駆動デバイスを上記スイッチチューブとして設けることにより、駆動制御回路の消費電力及び応答遅延をさらに低減するのに役立ち、また、回路の信頼性を向上させるのにも役立つ。

【0047】

好ましくは、第２の駆動デバイスは絶縁ゲートバイポーラトランジスタとして選択される。

【0048】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、金属酸化物半導体素子のゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は三極真空管のベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、第２の駆動デバイスに対して電流制限保護を行うために用いられる第４の限流抵抗器をさらに含む。

【0049】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第４の限流抵抗器を第２の駆動デバイスの３端に設けることにより、過電流信号が第２の駆動デバイスを干渉やブレークダウンする可能性を効果的に低減することができ、また、ブリッジ回路によるラッチングリレーへの制御の信頼性をさらに向上させる。

【0050】

また、駆動制御回路の消費電力をさらに削減する観点から考えると、第４の限流抵抗器の値は０．１オーム～３０オーム（端点を含む）とするが、これに限定されない。

【0051】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、ラッチングリレーに並列接続され、電力網システムに入力された電気エネルギーに対して電流制限処理を行うように配置される正温度係数の感温抵抗をさらに含み、ここで、ラッチングリレーの可動接点がオフ状態にあるとき、電力網システムに入力された電気エネルギーが正温度係数の感温抵抗を介して負荷に給電し、又はラッチングリレーの可動接点がオン状態にあるとき、電力網システムに入力された電気エネルギーがラッチングリレーの可動接点を介して負荷に給電する。

【0052】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、正温度係数は通常、Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔを意味するため、正温度係数の感温抵抗は通常、ＰＴＣと略称される。つまり、ラッチングリレーの可動接点がオフ状態にある場合、電力網システムに入力された電気エネルギーがＰＴＣを介して負荷に給電することができ、電気エネルギーが大きすぎると、ＰＴＣの温度が急激に上昇し、過電流信号を遮断するようにＰＴＣの抵抗が増加し、ラッチングリレーの可動接点がオン状態にある場合、電力網システムに入力された電気エネルギーが、ラッチングリレーの可動接点を介して負荷に給電し、且つラッチングリレーの可動接点を介した電気エネルギーの消費電力は非常に低く、給電効率を向上させるのに役立つ。

【0053】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、ラッチングリレーと負荷との間に組み込まれ、電力網システムから出力された交流電気信号を直流電気信号に変換するように配置され、直流電気信号は負荷に給電するように配置される整流素子をさらに含む。

【0054】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、整流素子をラッチングリレーと負荷との間に組み込むことにより、交流電気信号を直流電気信号に変換し、負荷の動作周波数及び作業効率を調整するように直流電気信号の力率をさらに調整することができる。

【0055】

ここで、整流素子は一般的にブリッジ構造であり、且つ各ブリッジアームは１つのダイオードを含み、いずれかのダイオードのカソードは隣接するダイオードのアノードに接続され、及びいずれかのダイオードのアノードは他の隣接するダイオードのカソードに接続される。

【0056】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、整流素子の出力端と負荷の入力端との間に設けられ、整流素子と負荷との間の交流信号をフィルタリングして除去するために用いられる容量素子をさらに含む。

【0057】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、容量素子を整流素子と負荷の入力端との間に設けることにより、一方では、容量素子は電源投入プロセスにおけるリップル信号による負荷への衝撃を低減させるのに役立ち、他方では、容量素子は一般的にエネルギー貯蔵機能を備え、そのため、容量素子における負荷電位差が十分に大きい時、負荷を起動することができる。

【0058】

ここで、容量素子は１つ又は複数の容量であってもよく、直列接続／又は並列接続の方法で組み込まれ、例えば、容量素子は１つの電解容量であってもよく、フィルム容量であってもよいが、これに限定されない。

【0059】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、負荷は、直流モーター、交流モーター、ランプ管、ディスプレイ及びブザーのうちの少なくとも１つを含む。

【0060】

本願の第２の態様の実施例によれば、家電機器をさらに提供し、該家電機器は、負荷と、上記いずれか一項の技術的手段に記載の駆動制御回路とを含み、該駆動制御回路は、電力網システムと負荷との間に組み込まれ、電力網システムを制御して負荷に給電させるように配置される。

【0061】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、家電機器は、エアコン、冷蔵庫、ファン、調理器具、照明機器、視聴覚機器及びクリーニング機器のうちの少なくとも１つを含む。

【0062】

本願の実施例に係る家電機器によれば、上記の駆動制御回路の全ての技術的効果を有するため、ここで繰り返さない。

【0063】

本願の付加的な態様及び利点は下記の説明に示され、一部は下記の説明により明瞭になるか、本願を実施することで理解される。

【図面の簡単な説明】

【0064】

【図1】本願の一実施例に係る駆動制御回路の概略図である。

【図2】本願の他の実施例に係る駆動制御回路の概略図である。

【図3】本願の他の実施例に係る駆動制御回路の概略図である。

【図4】本願の他の実施例に係る駆動制御回路の概略図である。

【図5】本願の他の実施例に係る駆動制御回路の概略図である。

【図6】本願の他の実施例に係る駆動制御回路の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0065】

本願の上記目的、特徴及び利点をより明確に理解できるようにするために、以下は図面及び具体的な実施形態を参照し、本願をより詳細に説明する。なお、矛盾がない場合、本願の実施例及び実施例の特徴は、互いに組み合わせることができる。

【0066】

本願を十分に理解するために以下の説明において多くの具体的な詳細を説明するが、本願はまたここで説明した以外の他の形態を採用して実施することができ、したがって、本願の範囲は以下に開示された具体的な実施例に限定されるものではない。

【0067】

以下、図１から図６を参照しながら、本願の実施例に係る駆動制御回路について具体的に説明する。

【0068】

図１から図６に示すように、本願の実施例に係る駆動制御回路は、可動接点が電力網システムＡＣに組み込まれ、負荷に給電するように電力網システムＡＣを制御することができるラッチングリレーと、ブリッジ回路はラッチングリレーの制御端にパルス信号を出力するように配置され、パルス信号は高レベルパルス信号又は低レベルパルス信号であるブリッジ回路とを含み、ラッチングリレーの第１の制御端Ｐ_ｉ１が高レベルパルス信号を受信し、且つラッチングリレーの第２の制御端Ｐ_ｉ２が低レベルパルス信号を受信すると、ラッチングリレーの可動接点は動作切換を行い、次のパルス信号を受信するまで、前回の動作切換後の状態を保持し、動作切換はオンからオフに切り替え、又はオフからオンに切り替えることである。

【0069】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、駆動制御回路にラッチングリレーが設けられ、ラッチングリレーが機械式リレーであるため、通電した後、通電し続けなくても、その機械的構造を介してラッチングすることができる。長時間に作業状態にある場合、消費電力が大幅に削減され、その作業時間が長ければ長いほど、平均消費電力が少なくなり、また、漏電やデバイス発熱による損傷のリスクが低減され、これにより上記駆動制御回路における各コンポーネントの耐用年数を延ばす。

【0070】

また、ブリッジ回路を採用してラッチングリレーの制御端にパルス信号を出力することにより、駆動制御回路の消費電力をさらに削減するのに役立つだけでなく、ラッチングリレーがオン状態又はオフ状態に入ることの信頼性を向上させるのにも役立つ。

【0071】

具体的に、従来のブリッジ回路は一般的に抵抗、容量又はインダクタンスを含むが、ブリッジ回路の信頼性及び消費電力に対する要求がますます高くなるため、低消費電力のスイッチ素子をブリッジ回路のブリッジアームに組み込むことは、消費電力を削減し、信頼性を向上させるのに役立つだけでなく、ブリッジ回路の応答時間をさらに短縮するのにも役立ち、且つ、多数の実験的検証により、全てのタイプのブリッジ回路は本願の応用要求を満たすことができる。

【0072】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、ブリッジ回路には４つのブリッジアームが設けられ、いずれか１つのブリッジアームには１つのスイッチユニット（図１～図６に示すＭ_１、Ｍ_２、Ｍ_３及びＭ_４である）が設けられ、スイッチユニットがオンになると、対応するブリッジアームがオンになり、スイッチユニットがオフになると、対応するブリッジアームがオフになる。

【0073】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、ブリッジ回路における各ブリッジアームにスイッチユニットを設けることにより、スイッチユニットの消費電力がより低くなるだけでなく、ブリッジ回路がより信頼性の高い高レベルパルス信号及び低レベルパルス信号を出力し、さらにブリッジ回路によるラッチングリレーへの制御の信頼性を向上させる。

【0074】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、４つのブリッジアームは順次接続される第１のブリッジアーム、第２のブリッジアーム、第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームであり、第１のブリッジアームと第２のブリッジアームとの間の共通端Ｐ_ｏ１はラッチングリレーの第１の制御端Ｐ_ｉ１に接続され、第３のブリッジアームと第４のブリッジアームとの間の共通端Ｐ_ｏ２はラッチングリレーの第２の制御端Ｐ_ｉ２に接続され、第１のブリッジアームと第４のブリッジアームとの間の共通端は直流電源ＶＣＣに接続され、第２のブリッジアームと第３のブリッジアームとの間の共通端はグラウンドＧＮＤに接続され、ここで、第１のブリッジアームがオンになり、且つ第２のブリッジアームがオフになると、第１の制御端Ｐ_ｉ１は高レベルパルス信号を受信し、第１のブリッジアームがオフになり、且つ第２のブリッジアームがオンになると、第１の制御端Ｐ_ｉ１は低レベルパルス信号を受信し、第４のブリッジアームがオンになり、且つ第３のブリッジアームがオフになると、第２の制御端Ｐ_ｉ２は高レベルパルス信号を受信し、第４のブリッジアームがオフになり、且つ第３のブリッジアームがオンになると、第２の制御端Ｐ_ｉ２は低レベルパルス信号を受信する。

【0075】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、４つのブリッジアームは順次接続される第１のブリッジアーム、第２のブリッジアーム、第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームであり、且つ上記接続方法に従ってブリッジ回路をラッチングリレーに接続し、ここで、第１のブリッジアームと第２のブリッジアームとの間の共通端Ｐ_ｏ１は第１の制御端Ｐ_ｉ１に接続され、第３のブリッジアームと第４のブリッジアームとの間の共通端Ｐ_ｏ２は第２の制御端Ｐ_ｉ２に接続され、すなわち４つのブリッジアームのオフ又はオンを制御することによりラッチングリレーの動作切換を調整し、これにより、消費電力を削減することができるだけでなく、また、ラッチングリレーのアクション遅延への制御を短縮することができ、負荷に対する過電流保護の信頼性及び適時性をさらに向上させる。

【0076】

さらに、４つのブリッジアームのうちの対向する２つのブリッジアームのオン状態が同じ（いずれもオン又はオフ）であり、且つ、隣接する２つのブリッジアームのオン状態が逆である場合（１つのブリッジアームがオンになると、もう１つのブリッジアームがオフになる）、ラッチングリレーの２つの制御端は高レベルパルス信号と低レベルパルス信号をそれぞれ受信することができ、つまり、動作切換を行うことができる。

【0077】

（実施例１）
図２に示すように、本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、第１の限流抵抗器はブリッジ回路と直流電源ＶＣＣとの間のＲ_ｄに直列接続され、ブリッジ回路に対して電流制限保護を行うために用いられる。

【0078】

（実施例２）
図３に示すように、本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、第１の限流抵抗器はブリッジ回路とグラウンドＧＮＤとの間のＲ_ｇに直列接続され、ブリッジ回路に対して電流制限保護を行うために用いられる。

【0079】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第１の限流抵抗器を設けてブリッジ回路に対して電流制限保護を行うことにより、一方では、電力網システムＡＣにおける過電流信号によるブリッジ回路への衝撃を低減するのに役立ち、他方では、ブリッジ回路におけるいずれかのブリッジアームに短絡故障が発生する時、短絡電流によるスイッチユニットへの衝撃を低減することができる。

【0080】

例えば、第１のブリッジアーム及び第２のブリッジアームが同時にオンになり、上記２つのブリッジアームと直列接続される限流抵抗器がない場合、直流電源ＶＣＣとグラウンドＧＮＤとの間の電位差は、第１のブリッジアームにおけるスイッチユニット及び第２のブリッジアームにおけるスイッチユニットをブレークダウンするのに十分であり、ブリッジ回路の故障だけでなく、ラッチングリレーの失効にもつながり、ラッチングリレーは負荷に対する交流過電流保護の役割を失ってしまう。

【0081】

ここで、直流電源ＶＣＣの電圧値は通常５Ｖ、１２Ｖ又は２４Ｖであるが、これに限定されず、第１の限流抵抗器の値は０．１オーム～３０オーム（端点を含む）であるが、これに限定されず、ブリッジ回路を流れる電流がスイッチ素子の過電流よりも小さくなるように第１の限流抵抗器を設定すればよい。

【0082】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、第１のブリッジアームにおけるスイッチユニットと第２のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの一方がＰ型スイッチチューブである場合、第１のブリッジアームにおけるスイッチユニットと第２のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの他方がＮ型スイッチチューブであり、第３のブリッジアームにおけるスイッチユニットと第４のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの一方がＰ型スイッチチューブである場合、第３のブリッジアームにおけるスイッチユニットと第４のブリッジアームにおけるスイッチユニットのうちの他方がＮ型スイッチチューブである。

【0083】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第１のブリッジアーム及び第２のブリッジアームを反転スイッチチューブとして設定し、第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームを反転スイッチチューブとして設定することにより、まず、スイッチチューブは低オン電圧、低消費電力及び低遅延などの顕著な利点を備え、ブリッジ回路によるラッチングリレーへの制御の信頼性及び適時性を向上させ、また、駆動制御回路の消費電力をさらに削減する。

【0084】

好ましくは、１つの制御ポートを採用して第１のブリッジアーム及び第２のブリッジアームに制御信号を同時に出力することができ、２つのブリッジアームが反転スイッチチューブとして設定されるため、例えば、制御信号が高レベル信号である場合、第１のブリッジアームと第２のブリッジアームの一方のみがオンになり、もう一方のブリッジアームがオフになり、同様に１つの制御ポートを採用して第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームに制御信号を同時に出力することができ、回路設計の複雑さとハードウェアコストを簡素化するだけでなく、第１のブリッジアームと第２のブリッジアームが直接接続され、第３のブリッジアームと第４のブリッジアームが直接接続される可能性を効果的に低減させる。

【0085】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、スイッチユニットは、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管のうちの少なくとも１つを含む。

【0086】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、金属酸化物半導体素子はＭｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒを意味し、ＭＯＳＦＥＴと略称され、絶縁ゲートバイポーラトランジスタはＩｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｌａｔｏｒを意味し、ＩＧＢＴと略称され、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管を含むスイッチチューブはいずれも高速低消費電力スイッチチューブである。

【0087】

好ましくは、ＭＯＳＦＥＴ（通常はエンハンスメントタイプとデプレッションタイプを含む）はリーク電流がより小さく、且つ信頼性が高いため、一実施例では、第１のブリッジアームのスイッチチューブをＰ型ＭＯＳＦＥＴとし（図１～図６に示すＭ_１である）、第２のブリッジアームのスイッチチューブをＮ型ＭＯＳＦＥＴとし（図１～図６に示すＭ_２である）、第４のブリッジアームのスイッチチューブをＰ型ＭＯＳＦＥＴとし（図１～図６に示すＭ_４である）、第３のブリッジアームのスイッチチューブをＮ型ＭＯＳＦＥＴとする（図１～図６に示すＭ_３である）。

【0088】

ここで、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴについては、Ｖｇｓ≧Ｖｔである限り、チャネルが形成でき、その時にドレイン－ソース間に順方向電圧Ｖｄｓを印加する限り、ドレイン電流が発生でき、ここで、Ｖｇｓはゲートソース電圧であり、Ｖｔはターンオン電圧であり、Ｖｄｓはソースドレイン電圧である。

【0089】

同様に、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴについては、Ｖｇｓ≦Ｖｔである限り、チャネルが形成でき、その時にドレイン－ソース間に負電圧Ｖｄｓを印加する限り、ドレイン電流が発生でき、ここで、Ｖｇｓはゲートソース電圧であり、Ｖｔはターンオン電圧であり、Ｖｄｓはソースドレイン電圧である。

【0090】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、金属酸化物半導体素子のゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は三極真空管のベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、スイッチユニットに対して電流制限保護を行うために用いられる第２の限流抵抗器をさらに含む。

【0091】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第２の限流抵抗器を上記方法に従って、いずれかのブリッジアームのスイッチチューブに組み込むことにより、ブリッジアームがブレークダウンされる可能性を効果的に低減することができ、また、ブリッジ回路によるラッチングリレーへのトリガ制御の信頼性及び適時性をさらに向上させる。

【0092】

また、駆動制御回路の消費電力をさらに削減する観点から考えると、第２の限流抵抗器の値は０．１オーム～３０オーム（端点を含む）とするが、これに限定されない。

【0093】

（実施例３）
図４に示すように、第１のブリッジアームのスイッチチューブＭ_１はＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第２のブリッジアームのスイッチチューブＭ_２はＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、第４のブリッジアームのスイッチチューブＭ_４はＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第３のブリッジアームのスイッチチューブＭ_３はＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、１つの第２の限流抵抗器Ｒ_ｓ１は、スイッチチューブＭ_１のソースとスイッチチューブＭ_２のドレインとの間に組み込まれ、もう１つの第２の限流抵抗器Ｒ_ｓ２は、スイッチチューブＭ_４のソースとスイッチチューブＭ_３のドレインとの間に組み込まれる。

【0094】

（実施例４）
図５に示すように、第１のブリッジアームのスイッチチューブＭ_１はＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第２のブリッジアームのスイッチチューブＭ_２はＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、第４のブリッジアームのスイッチチューブＭ_４はＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第３のブリッジアームのスイッチチューブＭ_３はＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、１つの第２の限流抵抗器Ｒ_ｚ１は、スイッチチューブＭ_１のソースとスイッチチューブＭ_２のドレインとの間に組み込まれ、もう１つの第２の限流抵抗器Ｒ_ｚ２は、スイッチチューブＭ_４のソースとスイッチチューブＭ_３のドレインとの間に組み込まれる。

【0095】

（実施例５）
図５に示すように、第１のブリッジアームのスイッチチューブＭ_１はＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第２のブリッジアームのスイッチチューブＭ_２はＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、第４のブリッジアームのスイッチチューブＭ_４はＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第３のブリッジアームのスイッチチューブＭ_３はＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、１つの第２の限流抵抗器Ｒ_ｋ１は、スイッチチューブＭ_１のドレインと直流電源ＶＣＣとの間に組み込まれ、もう１つの第２の限流抵抗器Ｒ_ｋ２は、スイッチチューブＭ_４のドレインと直流電源ＶＣＣとの間に組み込まれる。

【0096】

（実施例６）
図６に示すように、第１のブリッジアームのスイッチチューブＭ_１はＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第２のブリッジアームのスイッチチューブＭ_２はＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、第４のブリッジアームのスイッチチューブＭ_４はＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第３のブリッジアームのスイッチチューブＭ_３はＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、１つの第２の限流抵抗器Ｒ_ｅ１は、スイッチチューブＭ_２のソースとグラウンドとの間に組み込まれ、もう１つの第２の限流抵抗器Ｒ_ｅ２は、スイッチチューブＭ_３のソースとグラウンドとの間に組み込まれる。

【0097】

（実施例７）
上記いずれの実施例において、スイッチチューブＭ_１のゲートは、第２の限流抵抗器Ｒ_ｇ１の一端に組み込まれ、この第２の限流抵抗器Ｒ_ｇ１の他端Ｐ_ｃ１と直流電源ＶＣＣとの間に分圧抵抗器Ｒ_ｃ１が組み込まれる。

【0098】

（実施例８）
上記いずれの実施例において、スイッチチューブＭ_２のゲートは、第２の限流抵抗器Ｒ_ｇ２の一端に組み込まれ、この第２の限流抵抗器Ｒ_ｇ２の他端Ｐ_ｃ１と直流電源ＶＣＣとの間に分圧抵抗器Ｒ_ｃ１が組み込まれる。

【0099】

（実施例９）
上記いずれの実施例において、スイッチチューブＭ_３のゲートは、第２の限流抵抗器Ｒ_ｇ３の一端に組み込まれ、この第２の限流抵抗器Ｒ_ｇ３の他端Ｐ_ｃ２と直流電源ＶＣＣとの間にも分圧抵抗器Ｒ_ｃ２が組み込まれる。

【0100】

（実施例１０）
上記いずれの実施例において、スイッチチューブＭ_４のゲートは、第２の限流抵抗器Ｒ_ｇ４の一端に組み込まれ、この第２の限流抵抗器Ｒ_ｇ４の他端Ｐ_ｃ２と直流電源ＶＣＣとの間にも分圧抵抗器Ｒ_ｃ２が組み込まれる。

【0101】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、１つの第１の駆動信号出力端が設けられ、第１のブリッジアームの駆動端と第２のブリッジアームの駆動端が第１の駆動信号出力端に接続される第１の駆動デバイスＱ_１をさらに含み、第１の駆動信号出力端は第１のブリッジアームの駆動端及び第２のブリッジアームの駆動端に高レベル駆動信号を出力し、又は、第１の駆動信号出力端は第１のブリッジアームの駆動端及び第２のブリッジアームの駆動端に低レベル駆動信号を出力する。

【0102】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第１の駆動信号出力端は１つの制御ポートとして第１のブリッジアーム及び第２のブリッジアームを同時に駆動し、すなわち１つの第１の駆動デバイスＱ_１を設けることにより、上記一実施例において、第１のブリッジアーム及び第２のブリッジアームは反転スイッチチューブを含み、第１の制御端Ｐ_ｉ１は高レベルパルス信号又は低レベルパルス信号を受信することができる。

【0103】

例えば、第１のブリッジアームのスイッチチューブはＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第２のブリッジアームのスイッチチューブはＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、且つ第１のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴのドレインは直流電源ＶＣＣに接続され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのソースは第２のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、第２のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴのソースはグラウンドＧＮＤに接続され、第１の駆動信号出力端が第１のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴと第２のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴに高レベル駆動信号を出力する場合、第１のブリッジアームがオフになり、第２のブリッジアームがオンになり、ラッチングリレーの第１の制御端Ｐ_ｉ１は低レベルパルス信号を受信し、同様に、第１の駆動信号出力端が第１のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴと第２のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴに低レベル駆動信号を出力する場合、ラッチングリレーの第１の制御端Ｐ_ｉ１は高レベルパルス信号を受信する。

【0104】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、第１の駆動デバイスＱ_１は、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管のうちの少なくとも１つを含む。

【0105】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第１の駆動デバイスＱ_１を上記スイッチチューブとして設けることにより、駆動制御回路の消費電力及び応答遅延をさらに低減するのに役立ち、また、回路の信頼性を向上させるのにも役立つ。

【0106】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、金属酸化物半導体素子のゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は三極真空管のベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、第１の駆動デバイスＱ_１に対して電流制限保護を行うために用いられる第３の限流抵抗器をさらに含む。

【0107】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第３の限流抵抗器を第１の駆動デバイスＱ_１の３端に設けることにより、過電流信号が第１の駆動デバイスＱ_１を干渉やブレークダウンする可能性を効果的に低減することができ、また、ブリッジ回路によるラッチングリレーへの制御の信頼性をさらに向上させる。

【0108】

上記いずれかの実施例において、好ましくは、第１の駆動デバイスＱ_１は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとして選択され、且つＮＰＮ三極真空管であり、第１の駆動デバイスＱ_１のコレクタは、第１の駆動信号出力端（すなわち、端Ｐ_ｃ１）に接続され、第１の駆動デバイスＱ_１のエミッタはグラウンドＧＮＤに接続され、第１の駆動デバイスＱ_１のベースはコントローラの出力ポートＰ_ｄ１に接続され、出力ポートＰ_ｄ１と第１の駆動デバイスＱ_１のベースとの間に１つの第３の限流抵抗器Ｒ_ｂ１が組み込まれ、第１の駆動デバイスＱ_１のベースとエミッタとの間にもう１つの第３の限流抵抗器Ｒ_ｂｅ１が組み込まれる。

【0109】

上記コントローラは駆動制御回路の全体コントローラ又は単独でリレーで構成されたコントローラであってもよく、例えば、ＭＣＵ、ＣＰＵ、組み込み機器及び論理演算器などであるが、これに限定されない。

【0110】

また、駆動制御回路の消費電力をさらに削減する観点から考えると、第３の限流抵抗器の値は０．１オーム～３０オーム（端点を含む）とするが、これに限定されない。

【0111】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、１つの第２の駆動信号出力端が設けられ、第３のブリッジアームの駆動端と第４のブリッジアームの駆動端が第２の駆動信号出力端に接続される第２の駆動デバイスＱ_２をさらに含み、第２の駆動信号出力端は第３のブリッジアームの駆動端及び第４のブリッジアームの駆動端に高レベル駆動信号を出力し、又は、第２の駆動信号出力端は第３のブリッジアームの駆動端及び第４のブリッジアームの駆動端に低レベル駆動信号を出力する。

【0112】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第２の駆動信号出力端は１つの制御ポートとして第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームを同時に駆動し、すなわち１つの第２の駆動デバイスＱ_２を設けることにより、上記一実施例において、第３のブリッジアーム及び第４のブリッジアームは反転スイッチチューブを含み、第２の制御端Ｐ_ｉ２は高レベルパルス信号又は低レベルパルス信号を受信することができる。

【0113】

例えば、第４のブリッジアームのスイッチチューブはＰ型ＭＯＳＦＥＴであり、第３のブリッジアームのスイッチチューブはＮ型ＭＯＳＦＥＴであり、且つ第４のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴのドレインは直流電源ＶＣＣに接続され、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのソースは第３のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、第３のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴのソースはグラウンドＧＮＤに接続され、第２の駆動信号出力端が第４のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴと第３のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴに高レベル駆動信号を出力する場合、第４のブリッジアームがオフになり、第３のブリッジアームがオンになり、ラッチングリレーの第２の制御端Ｐ_ｉ２は低レベルパルス信号を受信し、同様に、第２の駆動信号出力端が第４のブリッジアームのＰ型ＭＯＳＦＥＴと第３のブリッジアームのＮ型ＭＯＳＦＥＴに低レベル駆動信号を出力する場合、ラッチングリレーの第２の制御端Ｐ_ｉ２は高レベルパルス信号を受信する。

【0114】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、第２の駆動デバイスＱ_２は、金属酸化物半導体素子、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及び三極真空管のうちの少なくとも１つを含む。

【0115】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第２の駆動デバイスＱ_２を上記スイッチチューブとして設けることにより、駆動制御回路の消費電力及び応答遅延をさらに低減するのに役立ち、また、回路の信頼性を向上させるのにも役立つ。

【0116】

好ましくは、第２の駆動デバイスＱ_２は絶縁ゲートバイポーラトランジスタとして選択される。

【0117】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、金属酸化物半導体素子のゲート、ソース及びドレインのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、及び／又は三極真空管のベース、エミッタ及びコレクタのうちの少なくとも１つの電極に設けられ、第２の駆動デバイスＱ_２に対して電流制限保護を行うために用いられる第４の限流抵抗器をさらに含む。

【0118】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、第４の限流抵抗器を第２の駆動デバイスＱ_２の３端に設けることにより、過電流信号が第２の駆動デバイスＱ_２を干渉やブレークダウンする可能性を効果的に低減することができ、また、ブリッジ回路によるラッチングリレーへの制御の信頼性をさらに向上させる。

【0119】

上記いずれかの実施例において、好ましくは、第２の駆動デバイスＱ_２は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとして選択され、且つＮＰＮ三極真空管であり、第２の駆動デバイスＱ_２のコレクタは、第２の駆動信号出力端（すなわち、端Ｐ_ｃ２）に接続され、第２の駆動デバイスＱ_２のエミッタはグラウンドＧＮＤに接続され、第２の駆動デバイスＱ_２のベースはコントローラの出力ポートＰ_ｄ２に接続され、出力ポートＰ_ｄ２と第２の駆動デバイスＱ_２のベースとの間に１つの第３の限流抵抗器Ｒ_ｂ２が組み込まれ、第２の駆動デバイスＱ_２のベースとエミッタとの間にもう１つの第３の限流抵抗器Ｒ_ｂｅ２が組み込まれる。

【0120】

第１の駆動デバイスＱ_１と同様に、上記コントローラは駆動制御回路の全体コントローラ又は単独でリレーで構成されたコントローラであってもよく、例えば、ＭＣＵ、ＣＰＵ、組み込み機器及び論理演算器などであるが、これに限定されない。

【0121】

また、駆動制御回路の消費電力をさらに削減する観点から考えると、第４の限流抵抗器の値は０．１オーム～３０オーム（端点を含む）とするが、これに限定されない。

【0122】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、ラッチングリレーに並列接続され、電力網システムＡＣに入力された電気エネルギーに対して電流制限処理を行うように配置される正温度係数の感温抵抗Ｒ_ｐｔｃをさらに含み、ここで、ラッチングリレーの可動接点がオフ状態にあるとき、電力網システムＡＣに入力された電気エネルギーが正温度係数の感温抵抗Ｒ_ｐｔｃを介して負荷に給電し、又はラッチングリレーの可動接点がオン状態にあるとき、電力網システムＡＣに入力された電気エネルギーがラッチングリレーの可動接点を介して負荷に給電する。

【0123】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、正温度係数は通常、Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔを意味し、したがって、正温度係数の感温抵抗Ｒ_ｐｔｃは通常、ＰＴＣと略称される。つまり、ラッチングリレーの可動接点がオフ状態にある場合、電力網システムＡＣに入力された電気エネルギーがＰＴＣを介して負荷に給電することができ、電気エネルギーが大きすぎると、ＰＴＣの温度が急激に上昇し、過電流信号を遮断するようにＰＴＣの抵抗が増加し、ラッチングリレーの可動接点がオン状態にある場合、電力網システムＡＣに入力された電気エネルギーが、ラッチングリレーの可動接点を介して負荷に給電し、且つラッチングリレーの可動接点を介した電気エネルギーの消費電力は非常に低く、給電効率を向上させるのに役立つ。

【0124】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、ラッチングリレーと負荷との間に組み込まれ、電力網システムＡＣから出力された交流電気信号を直流電気信号に変換するように配置され、直流電気信号が負荷に給電するように配置される整流素子をさらに含む。

【0125】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、整流素子をラッチングリレーと負荷との間に組み込むことにより、交流電気信号を直流電気信号に変換し、負荷の動作周波数及び作業効率を調整するように直流電気信号の力率をさらに調整することができる。

【0126】

ここで、整流素子は一般的にブリッジ構造であり、且つ各ブリッジアームは１つのダイオードを含み、いずれかのダイオードのカソードは隣接するダイオードのアノードに接続され、及びいずれかのダイオードのアノードは他の隣接するダイオードのカソードに接続される。

【0127】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、整流素子の出力端と負荷の入力端との間に設けられ、整流素子と負荷との間の交流信号をフィルタリングして除去するために用いられる容量素子Ｃをさらに含む。

【0128】

本願の実施例に係る駆動制御回路によれば、容量素子Ｃを整流素子と負荷の入力端との間に設けることにより、一方では、容量素子Ｃは電源投入プロセスにおけるリップル信号による負荷への衝撃を低減させるのに役立ち、他方では、容量素子Ｃは一般的にエネルギー貯蔵機能を備え、そのため、容量素子Ｃにおける負荷電位差が十分に大きい時、負荷を起動することができる。

【0129】

ここで、容量素子Ｃは１つ又は複数の容量であってもよく、直列接続／又は並列接続の方法で組み込まれ、例えば、容量素子Ｃは１つの電解容量であってもよく、フィルム容量であってもよいが、これに限定されない。

【0130】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、負荷は、直流モーター、交流モーター、ランプ管、ディスプレイ及びブザーのうちの少なくとも１つを含む。

【0131】

本願の第２の態様の実施例によれば、さらに家電機器を提供し、負荷と、上記いずれか一項の技術的手段に記載の駆動制御回路とを含み、駆動制御回路は、電力網システムＡＣと負荷との間に組み込まれ、駆動制御回路は電力網システムＡＣを制御して負荷に給電させるように配置される。

【0132】

本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、好ましくは、家電機器は、エアコン、冷蔵庫、ファン、調理器具、照明機器、視聴覚機器及びクリーニング機器のうちの少なくとも１つを含む。

【0133】

以上は図面を参照して本願の技術的手段を詳細に説明し、関連技術における技術的問題を考慮して、本願は駆動制御回路及び家電機器を提供し、駆動制御回路にラッチングリレーが設けられ、ラッチングリレーは機械式リレーであるため、通電した後、通電し続けなくても、その機械的構造を介してラッチングすることができる。長時間に作業状態にある場合、消費電力が大幅に削減され、その作業時間が長ければ長いほど、平均消費電力が少なくなり、また、漏電やデバイス発熱による損傷のリスクを低減し、これにより上記駆動制御回路における各コンポーネントの耐用年数を延ばす。

【0134】

本願の実施例の方法におけるステップは実際の必要に応じて順序調整、合併及び削除を行うことができ、本願の実施例における部品は実際の必要に応じて合併、分割及び削除を行うことができる。上記内容は、本願の好ましい実施例にすぎず、本願を限定するためのものではなく、当業者にとって、本願において各種の変更及び変形が可能である。本願の原理及び趣旨を逸脱しない範囲でなされる変更、均等な差替え、改良などは、いずれも本願の保護範囲に含まれるものとする。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】