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特許7469943表示装置及び表示装置の製造方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-09

(45)【発行日】2024-04-17

(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

G09F 9/30 20060101AFI20240410BHJP

G09F 9/00 20060101ALI20240410BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 348A

G09F9/00 366

G09F9/30 365

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2020065785

(22)【出願日】2020-04-01

(65)【公開番号】P2021018415

(43)【公開日】2021-02-15

【審査請求日】2023-03-24

(31)【優先権主張番号】10-2019-0088190

(32)【優先日】2019-07-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】ＳａｍｓｕｎｇＤｉｓｐｌａｙＣｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ，Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，ＲｅｐｕｂｌｉｃｏｆＫｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】100121382

【弁理士】

【氏名又は名称】山下託嗣

(72)【発明者】

【氏名】金振 ▲ヨプ▼

(72)【発明者】

【氏名】金得鐘

(72)【発明者】

【氏名】宋河 ▲ギョン▼

【審査官】西田光宏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－０７２７６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－００６７４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０３５８６４２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００９７０４７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特表２０１５－５１９５８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００７／００７６３９３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許第０５７９０２１２（ＵＳ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０３６５６５３（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ１／１３

Ｇ０２Ｆ１／１３７－１／１４１

Ｇ０６Ｆ３／０３

Ｇ０６Ｆ３／０４１－３／０４７

Ｇ０９Ｆ９／００－９／４６

Ｈ０１Ｌ２１／３３６

Ｈ０１Ｌ２１／４４７－２１／４４９

Ｈ０１Ｌ２１／６０－２１／６０７

Ｈ０１Ｌ２９／７８６

Ｈ０５Ｋ７／１２

Ｈ１０Ｋ５０／００－９９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベース基板と、
前記ベース基板の表示領域に配置される発光素子と、
前記発光素子に電気的に連結される駆動素子と、
前記発光素子をカバーする封止層と、
前記封止層の上に配置されるタッチ感知部と、
前記ベース基板のボンディング領域に配置され、下部導電層、前記下部導電層の上に配置される中間導電層、及び前記中間導電層の上に配置される上部導電層を含む連結パッドと、
前記連結パッドの中間導電層の少なくとも側端面をカバーし、有機物質を含むクラッディング層と、
前記クラッディング層の上面をカバーし、無機物質を含み、前記上部導電層の下にまで延長されるパッシベーション層と、
前記連結パッドにボンディングされる駆動部と、を含み、
前記駆動素子は、
ゲート電極を含むゲート金属パターンと、
ドレイン電極または前記ドレイン電極と前記発光素子を連結する連結電極を含むソース金属パターンとを含み、
前記タッチ感知部は、感知導電パターンを含み、
前記タッチ感知部は、
下部タッチ絶縁層と、
前記下部タッチ絶縁層の上に配置される第１感知導電パターンと、
前記第１感知導電パターンをカバーする層間タッチ絶縁層と、
前記層間タッチ絶縁層の上に配置される第２感知導電パターンとを含み、
前記パッシベーション層は、前記パッシベーション層は、前記下部タッチ絶縁層及び／又は前記層間タッチ絶縁層と同一の層から形成される、表示装置。

【請求項2】

ベース基板と、
前記ベース基板の表示領域に配置される発光素子と、
前記発光素子に電気的に連結される駆動素子と、
前記発光素子をカバーする封止層と、
前記封止層の上に配置されるタッチ感知部と、
前記ベース基板のボンディング領域に配置され、下部導電層、前記下部導電層の上に配置される中間導電層、及び前記中間導電層の上に配置される上部導電層を含む連結パッドと、
前記連結パッドの中間導電層の少なくとも側端面をカバーし、有機物質を含むクラッディング層と、
前記クラッディング層の上面をカバーし、無機物質を含み、前記上部導電層の下にまで延長されるパッシベーション層と、
前記連結パッドにボンディングされる駆動部と、を含み、
前記駆動素子は、
ゲート電極を含むゲート金属パターンと、
ドレイン電極または前記ドレイン電極と前記発光素子を連結する連結電極を含むソース金属パターンとを含み、
前記タッチ感知部は、感知導電パターンを含み、
前記下部導電層は前記ゲート金属パターンと同一の層から形成され、前記中間導電層は前記ソース金属パターンと同一の層から形成され、前記上部導電層は前記感知導電パターンと同一の層から形成され、
前記ソース金属パターンは、前記ドレイン電極を含む第１ソース金属パターン及び前記連結電極を含む第２ソース金属パターンを含み、
前記中間導電層は、前記第１ソース金属パターンと同一の層から形成される第１中間導電層及び前記第２ソース金属パターンと同一の層から形成される第２中間導電層を含み、
前記クラッディング層が前記第２中間導電層の側端面の全体とともに、これに隣接した箇所のみをカバーし、
前記クラッディング層の上面は、前記第２中間導電層の上面よりも低い位置に位置し、
前記第２中間導電層の側端面の下端は、前記第１中間導電層の上面よりも低い位置に位置する、表示装置。

【請求項3】

前記連結パッドは、前記第２中間導電層と前記上部導電層との間に配置される第３中間導電層をさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

ベース基板と、
前記ベース基板の表示領域に配置される発光素子と、
前記発光素子に電気的に連結される駆動素子と、
前記発光素子をカバーする封止層と、
前記封止層の上に配置されるタッチ感知部と、
前記ベース基板のボンディング領域に配置され、下部導電層、前記下部導電層の上に配置される中間導電層、及び前記中間導電層の上に配置される上部導電層を含む連結パッドと、
前記連結パッドの中間導電層の少なくとも側端面をカバーし、有機物質を含むクラッディング層と、
前記クラッディング層の上面をカバーし、無機物質を含み、前記上部導電層の下にまで延長されるパッシベーション層と、
前記連結パッドにボンディングされる駆動部と、を含み、
前記駆動素子は、
ゲート電極を含むゲート金属パターンと、
ドレイン電極または前記ドレイン電極と前記発光素子を連結する連結電極を含むソース金属パターンとを含み、
前記タッチ感知部は、感知導電パターンを含み、
前記タッチ感知部は、
下部タッチ絶縁層と、
前記下部タッチ絶縁層の上に配置される第１感知導電パターンと、
前記第１感知導電パターンをカバーする層間タッチ絶縁層と、
前記層間タッチ絶縁層の上に配置される第２感知導電パターンとを含み、
前記上部導電層は前記第２感知導電パターンと同一の層から形成されることを特徴とする、表示装置。

【請求項5】

前記パッシベーション層は、前記下部タッチ絶縁層及び／又は前記層間タッチ絶縁層と同一の層から形成されることを特徴とする、請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

【請求項7】

前記クラッディング層の厚さは１μm以下であることを特徴とする、請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記中間導電層は、アルミニウム層を含む積層構造を有することを特徴とする、請求項１または６に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は表示装置に関し、より詳しくは、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光表示装置は自体発光可能な表示装置であって、バックライトのような別途の光源を必要とせず、厚さの減少が容易であり、フレキシブル表示装置を具現することに適切で、その使用が増加している。

【0003】

有機発光表示装置は、発光素子アレイ及び前記発光素子に駆動信号などを提供するための駆動部を含む。前記駆動部の駆動回路は駆動チップに実装され、前記駆動チップは前記有機発光表示装置の基板上に電気的かつ機械的に接続されうる。

【0004】

前記駆動チップは熱圧着などのボンディングの工程により前記基板に電気的かつ機械的に接続されうるが、ボンディングの工程中に、またはボンディングの工程の後に、ボンディング不良が発生することがあり、これは表示装置の信頼性を低下させることがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】米国特許出願公開US2018/0040672A

【文献】特開2019-066850(KR10-2019-0037380A)

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明の一目的は、信頼性が改善された表示装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記表示装置の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

前述した本発明の目的を達成するために、本発明の例示的な実施形態に従う表示装置は、ベース基板；前記ベース基板の表示領域に配置される発光素子；前記発光素子に電気的に連結される駆動素子；前記発光素子をカバーする封止層；前記封止層の上に配置されるタッチ感知部；前記ベース基板のボンディング領域に配置され、下部導電層、前記下部導電層の上に配置される中間導電層、及び前記中間導電層の上に配置される上部導電層を含む連結パッド；前記連結パッドの中間導電層の少なくとも側端面をカバーし、有機物質を含むクラッディング層；前記クラッディング層の上面をカバーし、無機物質を含み、前記上部導電層の下にまで延長されるパッシベーション層；及び前記連結パッドにボンディングされる駆動部を含む。

【0008】

一実施形態によれば、前記駆動素子は、ゲート電極を含むゲート金属パターン、及びドレイン電極または前記ドレイン電極と前記発光素子を連結する連結電極を含むソース金属パターンを含む。前記タッチ感知部は、感知導電パターンを含む。

【0009】

一実施形態によれば、前記下部導電層は前記ゲート金属パターンと同一の層から形成され、前記中間導電層は前記ソース金属パターンと同一の層から形成され、前記上部導電層は前記感知導電パターンと同一の層から形成される。

【0010】

一実施形態によれば、前記ソース金属パターンは、前記ドレイン電極を含む第１ソース金属パターン及び前記連結電極を含む第２ソース金属パターンを含む。前記中間導電層は、前記第１ソース金属パターンと同一の層から形成される第１中間導電層及び前記第２ソース金属パターンと同一な層から形成される第２中間導電層を含む。

【0011】

一実施形態によれば、前記連結パッドは、前記第２中間導電層と前記上部導電層との間に配置される第３中間導電層をさらに含む。

【0012】

一実施形態によれば、前記タッチ感知部は、下部タッチ絶縁層、前記下部タッチ絶縁層の上に配置される第１感知導電パターン、前記第１感知導電パターンをカバーする層間タッチ絶縁層及び前記層間タッチ絶縁層の上に配置される第２感知導電パターンを含む。前記上部導電層は前記第２感知導電パターンと同一の層から形成される。

【0013】

一実施形態によれば、前記パッシベーション層は、前記下部タッチ絶縁層及び／又は前記層間タッチ絶縁層と同一の層から形成される。

【0014】

一実施形態によれば、前記クラッディング層は前記ソース金属パターンをカバーする有機絶縁層と同一な層から形成され、前記有機絶縁層より小さな厚さを有する。

【0015】

一実施形態によれば、前記クラッディング層の厚さは１μm以下である。

【0016】

一実施形態によれば、既中間導電層はアルミニウム層を含む多層構造を有する。

【0017】

一実施形態によれば、前記発光素子の第１電極は銀を含む。

【0018】

一実施形態によれば、前記連結パッドは、前記上部導電層に接触する導電性ボンディング部材を通じて前記駆動部に電気的に連結される。

【0019】

本発明の一実施形態に従う表示装置は、ベース基板；前記ベース基板の表示領域に配置される画素アレイ；前記ベース基板のボンディング領域に配置され、下部導電層、前記下部導電層の上に配置される中間導電層、及び前記中間導電層の上に配置される上部導電層を含む連結パッド；前記連結パッドの中間導電層の少なくとも側端面をカバーし、有機物質を含むクラッディング層；前記クラッディング層の上面をカバーし、無機物質を含み、前記上部導電層の下にまで延長されるパッシベーション層；及び前記連結パッドにボンディングされる駆動部を含む。

【0020】

本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法において、表示装置は、ベース基板、前記ベース基板の表示領域に配置される発光素子、前記発光素子に電気的に連結される駆動素子及び前記ベース基板のボンディング領域に配置される連結パッドを含む。前記連結パッドを形成するステップは、下部導電層を形成するステップ；前記下部導電層と電気的に接触する中間導電層を形成するステップ；前記中間導電層の側端面をカバーするクラッディング層を形成するステップ；前記クラッディング層の上面をカバーするパッシベーション層を形成するステップ；及び前記中間導電層と電気的に接触する上部導電層を形成するステップを含む。

【発明の効果】

【0021】

本発明の例示的な実施形態によれば、表示装置のボンディング領域で、アルミニウムを含む導電層の露出を防止するクラッディング層を形成することによって、金属イオンの還元によるパーティクルの析出を防止することができる。また、有機物質を含む前記クラッディング層の厚さを減少させ、無機層でパッシベーションすることによって、ボンディング不良を防止し、表示装置の信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明の一実施形態に従う表示装置の平面図である。

【図2】図１のＡ領域を拡大図示した平面図である。

【図3】本発明の一実施形態に従う表示装置の表示領域を図示した断面図である。

【図4】本発明の一実施形態に従う表示装置の感知電極を図示した平面図である。

【図5】本発明の一実施形態に従う表示装置のボンディング領域を図示した断面図である。

【図6】図５のＢ領域を拡大図示した断面図である。

【図7】本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図(1)である。ゲート金属パターンを形成した際の表示領域を示す。

【図8】本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図(2)である。ゲート金属パターンを形成した際のボンディング領域を示す。

【図9】本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図(3)である。ソース・ドレイン電極を形成した際の表示領域を示す。

【図10】本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図(4)である。ソース・ドレイン電極を形成した際のボンディング領域を示す。

【図11】本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図(5)である。連結電極及び上下の平坦化膜を形成した際の表示領域を示す。

【図12】本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図(6)である。連結電極及び上下の平坦化膜を形成した際のボンディング領域を示す。

【図13】本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図(7)である。画素電極（第１電極）を形成した際の表示領域を示す。

【図14】本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図(8)である。素電極（第１電極）を形成した際のボンディング領域を示す

【図15】本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図(9)である。タッチパネルのブリッジパターン及び層間絶縁層を形成した際の表示領域を示す。

【図16】本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図(10)である。タッチパネルのブリッジパターン及び層間絶縁層を形成した際のボンディング領域を示す。

【図17】本発明の他の一実施形態に従う表示装置の断面図である。

【図18】本発明のさらに他の一実施形態に従う表示装置の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、添付した図面を参照して、本発明の例示的な実施形態に従う表示装置及び表示装置の製造方法に対して詳細に説明する。

【0024】

図１は、本発明の一実施形態に従って製造される表示装置の平面図である。図２は、図１のＡ領域を拡大図示した平面図である。

【0025】

図１を参照すると、表示装置は表示領域ＤＡ及び非表示領域ＰＡを含む。

【0026】

前記表示領域ＤＡにはイメージを表示するために光を放出する画素ＰＸのアレイが配置されうる。各画素ＰＸは、発光素子及び前記発光素子を駆動するための駆動素子を含むことができる。例えば、前記表示装置は有機発光表示装置でありえ、前記発光素子は有機発光ダイオードでありうる。一実施形態によれば、前記表示装置は前記有機発光ダイオードを保護するための封止層及び前記封止層の上に配置されるタッチ感知部をさらに含む。

【0027】

前記非表示領域ＰＡは、前記表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＰＡ１及び駆動部ＤＣがボンディングされるボンディング領域ＰＡ２を含むことができる。

【0028】

前記駆動部ＤＣは、前記表示領域ＤＡの画素アレイにデータ信号などの駆動信号を提供することができる。一実施形態によれば、前記駆動部ＤＣは集積回路を含む駆動チップでありうる。前記駆動部ＤＣから提供された駆動信号は伝達ラインＴＬを介して、前記表示領域ＤＡの画素アレイに提供されうる。例えば、前記伝達ラインＴＬは第１方向（Ｄ１）に沿って延長されうる。

【0029】

例えば、前記表示装置は曲げられるか折り畳まれた形状を有することができる。例えば、前記周辺領域ＰＡ１と、前記ボンディング領域ＰＡ２との間の領域が、曲率を有するベンディング領域ＰＡ３を形成することによって、前記ボンディング領域ＰＡ２が前記表示領域ＤＡの下方に配置されうる。

【0030】

前記ボンディング領域ＰＡ２には、前記駆動部ＤＣと連結される連結パッドが配置される。例えば、前記連結パッドは、前記第１方向（Ｄ１）に垂直な第２方向（Ｄ２）に沿ってジグザグ形状に配列できる。例えば、前記ボンディング領域ＰＡ２で、第１連結パッドＣＰ１は第１伝達ラインＴＬ１と連結されて、第１行中に配列され、第２連結パッドＣＰ２は第２伝達ラインＴＬ２と連結されて、第２行中に配列されるのでありうる。

【0031】

前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２は、複数の導電層を含む多層構造を有することができる。例えば、前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２は、前記駆動素子のゲート金属パターン、ソース金属パターン、及び前記タッチ感知部の感知導電パターンと同一の層から形成された導電層の組合せを含むことができる。本出願で、“同一の層から形成された”とは、複数の構成要素が同一の物質を含むか、または同一の層に配置されることを意味しうる。

【0032】

図３は、本発明の一実施形態に従う表示装置の表示領域を図示した断面図である。図４は、本発明の一実施形態に従う表示装置の感知電極を図示した平面図である。

【0033】

図３を参照すると、表示領域ＤＡで、ベース基板１１０の上にバッファ層１２０が配置されうる。前記バッファ層１２０の上には、アクティブパターンＡＰが配置されうる。前記アクティブパターンＡＰの上にはゲート電極ＧＥが配置されうる。前記アクティブパターンＡＰと前記ゲート電極ＧＥとの間には、第１絶縁層１３０が配置されうる。前記第１絶縁層１３０は、第１ゲート絶縁層と称されうる。

【0034】

前記ゲート電極ＧＥの上には、ゲート配線パターンＧＰが配置されうる。前記ゲート配線パターンＧＰ中には、キャパシタの電極、駆動信号を伝達するための信号配線などを形成することができる。前記ゲート電極ＧＥと、前記ゲート配線パターンＧＰとの間には、第２絶縁層１４０が配置されうる。前記第２絶縁層１４０は第２ゲート絶縁層と称されうる。前記ゲート配線パターンＧＰの上には第３絶縁層１５０が配置されうる。前記第３絶縁層１５０は層間絶縁層と称されうる。

【0035】

前記ソース電極ＧＥ及び前記ドレイン電極ＤＥは前記第３絶縁層１５０の上に配置されることができ、下部の絶縁層を貫通して前記アクティブパターンＡＰと電気的に接触することができる。前記ソース電極ＧＥ及び前記ドレイン電極ＤＥを含む第１ソース金属パターンの上に第４絶縁層１６０が配置できる。一実施形態によれば、前記第４絶縁層１６０は無機絶縁層１６２、及び前記無機絶縁層１６２の上に配置される有機絶縁層１６４を含むことができる。前記第４絶縁層１６０は第１ビア絶縁層と称されることができる。

【0036】

前記第４絶縁層１６０の上には連結電極ＣＥを含む第２ソース金属パターンが配置できる。前記連結電極ＣＥは前記ドレイン電極ＤＥと電気的に接触することができる。前記第２ソース金属パターンは、有機発光ダイオードに提供される電流の電圧降下を補償するためのメッシュ電源ラインをさらに含むことができる。前記第２ソース金属パターンの上には第５絶縁層１７０が配置できる。前記第５絶縁層１７０は第２ビア絶縁層と称されうる。

【0037】

前記第５絶縁層１７０の上には有機発光ダイオード２１０が配置される。例えば、前記有機発光ダイオード２１０の第１電極２１２が前記第５絶縁層１７０の上に配置されうる。前記第１電極２１２は前記連結電極ＣＥと電気的に接触することができる。他の実施形態において、前記連結電極ＣＥが省略される場合、前記第１電極２１２は前記ドレイン電極ＤＥと直接電気的に接触することができる。

【0038】

前記第１電極２１２の上には有機発光層２１４が配置されうる。例えば、前記有機発光層２１４は画素定義層１８０の開口部内に配置されうる。前記有機発光層２１４の上には、第２電極２１６が配置されうる。

【0039】

前記有機発光ダイオード２１０の上には封止層２２０が配置される。前記封止層２２０は、有機薄膜と無機薄膜の積層構造を含むことができる。例えば、図３に図示したように、第１無機薄膜２２２、前記第１無機薄膜２２２の上に配置された有機薄膜２２４、及び前記有機薄膜の上に配置された第２無機薄膜２２６を含むことができる。しかしながら、本発明の実施形態はこれに限定されず、前記封止層２２０は、２層以上の有機薄膜と３層以上の無機薄膜を含む構造を有することもできる。

【0040】

前記封止層２２０の上にはタッチ感知部が配置されうる。例えば、前記タッチ感知部は、静電容量方式により外部入力を感知することによって、外部入力の座標情報を得ることができる。

【0041】

例えば、前記タッチ感知部は、下部タッチ絶縁層３１０、第１感知導電パターン、層間タッチ絶縁層３３０、第２感知導電パターン、及び保護層３５０を含むことができる。

【0042】

前記第１感知導電パターンは、前記下部タッチ絶縁層３１０の上に配置され、ブリッジパターン３２０を含むことができる。前記第１感知導電パターンの上には前記層間タッチ絶縁層３３０が配置されうるのであり、前記層間タッチ絶縁層３３０の上には第２感知導電パターンが配置されうる。前記保護層３５０は前記第２感知導電パターンをカバーすることができる。

【0043】

図３及び図４を参照すると、前記第２感知導電パターンは、第１感知電極及び第２感知電極を含むことができる。前記第１感知電極及び前記第２感知電極は電気的に絶縁される。例えば、前記第１感知電極は第１方向に沿って配列される電極パターンアレイを含むことができ、前記第２感知電極は前記第１方向に垂直な第２方向に沿って延長される電極パターンアレイを含むことができる。

【0044】

例えば、前記第１感知電極は、互いに離隔した第１電極パターン３４２ａ及び第２電極パターン３４２ｂを含むことができる。前記第１電極パターン３４２ａ及び前記第２電極パターン３４２ｂは、前記層間タッチ絶縁層３３０に形成されたビアホールを介して、前記ブリッジパターン３２０と電気的に接触することができる。したがって、前記第１電極パターン３４２ａと前記第２電極パターン３４２ｂとを互いに電気的に連結できる。

【0045】

前記第２感知電極は、複数の電極パターン３４３及び前記電極パターン３４３と、同一の層に配置され、かつ連続して延びるようにして、これら電極パターンを連結する連結部３４４を含むことができる。

【0046】

本発明の実施形態は図３及び図４に図示した構造に限定されず、知られた多様な構造を有することができる。例えば、他の実施形態において、前記下部タッチ絶縁層３１０が省略できる。また、前記第１感知電極における互いに隣接する電極パターンは、複数のブリッジパターンにより連結することもできる。また、前記第１感知電極と前記第２感知電極とは互いに異なる層に配置されるようにして、前記第１感知電極についても、ブリッジパターン無しに、連続的な構造を有することができる。

【0047】

図５は、本発明の一実施形態に従う表示装置のボンディング領域を図示した断面図である。図６は、図５のＢ領域を拡大図示した断面図である。

【0048】

図５を参照すると、ボンディング領域ＰＡ２のベース基板１１０の上には連結パッドＣＰ１、ＣＰ２が配置される。一実施形態によれば、連結パッドＣＰ１、ＣＰ２は、各々、下部導電層ＣＰ１a、ＣＰ２ａ、第１中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂ、第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃ、及び上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄを含む。

【0049】

一実施形態によれば、第１連結パッドＣＰ１の下部導電層ＣＰ１ａは、表示領域の第１ゲート金属パターンと同一の層から形成されうる。例えば、前記下部導電層ＣＰ１ａは、第１絶縁層１３０と第２絶縁層１４０との間に配置されうる。第２連結パッドＣＰ２の下部導電層ＣＰ２ａは、表示領域の第２ゲート金属パターンと同一の層から形成されうる。例えば、下部導電層ＣＰ２ａは、前記第２絶縁層１４０と第３絶縁層１５０との間に配置されうる。

【0050】

前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２の第１中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂは、表示領域の第１ソース金属パターンと同一の層から形成されうる。例えば、前記第１中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂは、前記第３絶縁層１５０と第４絶縁層との間に配置できる。前記第４絶縁層は、有機絶縁層を含まずに無機絶縁層１６２を含むことができる。

【0051】

前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２の第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃは、表示領域の第２ソース金属パターンと同一の層から形成されうる。例えば、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃは、前記第４絶縁層１６０の上に配置されうる。

【0052】

前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２の上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄはタッチ感知部の感知導電パターンと同一の層から形成されうる。例えば、前記上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄは第２感知導電パターンと同一の層から形成されうる。

【0053】

前記ボンディング領域ＰＡ２には、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃの少なくとも一部をカバーするクラッディング層１７２が形成される。一実施形態によれば、前記クラッディング層１７２は、前記第５絶縁層１７０と同一の層から形成されうるのであり、有機物質を含むことができる。一実施形態によれば、前記クラッディング層１７２は、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃの少なくとも側端面をカバーする。

【0054】

前記クラッディング層１７２の上には、無機物質を含むパッシベーション層が配置されうる。例えば、前記パッシベーション層は、前記タッチ感知部の下部タッチ絶縁層３１０及び／又は上部タッチ絶縁層３３０と同一の層から形成されうる。前記パッシベーション層は、前記上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄにより覆われる領域のうち、中央のコンタクトホールを形成すべき箇所を除く領域の、全体または大部分にわたって延長されうる。

【0055】

前記ボンディング領域ＰＡ２には駆動チップＤＣが電気的かつ機械的に接続される。一実施形態によれば、前記駆動チップＤＣと、前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２とは、導電性ボンディング部材ＢＰ１、ＢＰ２により連結されうる。例えば、前記導電性ボンディング部材ＢＰ１、ＢＰ２は金属バンプでありうる。前記導電性ボンディング部材ＢＰ１、ＢＰ２は、前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２と、前記駆動チップＤＣの連結端子ＣＴ１、ＣＴ２とに電気的に連結されて、前記駆動チップＤＣから駆動信号を前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２に伝達することができる。他の実施形態において、前記導電性ボンディング部材は導電ボールなどを含む異方性導電フィルムでありうる。

【0056】

図６を参照すると、第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃは、上部層ＵＬ、中間層ＭＬ、及び下部層ＬＬを含むことができる。一実施形態によれば、前記上部層ＵＬ及び下部層ＬＬは、イオン化傾向が相対的に小さい金属、例えばチタニウムを含み、前記中間層ＭＬはイオン化傾向が相対的に大きい金属、例えばアルミニウムを含むことができる。

【0057】

前記クラッディング層１７２は、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃの少なくとも側端面をカバーする。したがって、前記上部層ＵＬの上面の少なくとも一部は、前記クラッディング層１７２によりカバーされずに露出しうるのであり、前記中間層ＭＬは露出しない。

【0058】

一実施形態によれば、前記クラッディング層１７２の厚さ（Ｔ２）は前記第５絶縁層１７０の厚さ（Ｔ１）より小さいのでありうる。したがって、前記クラッディング層１７２の上面の高さは、前記上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄの上面の高さより、好ましくは前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃの上面の高さより低いのでありうる。例えば、前記クラッディング層１７２の厚さ（Ｔ２）は、１μm以下であり得るのであり、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃの厚さより大きいのでありうる。

【0059】

図７乃至図１６は、本発明の一実施形態に従う表示装置の製造方法を図示した断面図である。

【0060】

図７を参照すると、表示領域ＤＡで、ベース基板１１０の上にバッファ層１２０を形成する。

【0061】

例えば、前記ベース基板１１０は、ガラス、クォーツ、シリコン、高分子物質などを含むことができる。一実施形態によれば、前記ベース基板１１０は、高分子物質を含むフレキシブル基板でありうる。例えば、前記高分子物質は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミドなどを含むことができる。

【0062】

前記バッファ層１２０は、前記ベース基板１１０の下方からの、異物、水分、または外気の侵入を減少または遮断することができ、前記ベース基板１１０の上面を平坦化することができる。例えば、前記バッファ層１２０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物などの無機物質またはこれらの組合せを含むことができる。

【0063】

次に、前記バッファ層１２０の上にアクティブパターンＡＰを形成する。

【0064】

例えば、前記アクティブパターンＡＰは、非晶質シリコン、多結晶シリコン、酸化物半導体などの半導体物質を含むことができる。例えば、前記アクティブパターンＡＰが多結晶シリコンを含む場合、前記アクティブパターンＡＰの少なくとも一部は、ｎ型不純物またはｐ型不純物などの不純物でドーピングできる。

【0065】

他の実施形態において、アクティブパターンは金属酸化物半導体を含むことができる。例えば、アクティブパターンは、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、チタニウム（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マグネシウム（Ｍｇ）などを含有する、２成分系化合物（ＡＢｘ）、３成分系化合物（ＡＢｘＣｙ）、４成分系化合物（ＡＢｘＣｙＤｚ）などを含むことができる。例えば、第２アクティブパターンＡＰ２は、亜鉛酸化物（ＺｎＯｘ）、ガリウム酸化物（ＧａＯｘ）、チタニウム酸化物（ＴｉＯｘ）、スズ酸化物（ＳｎＯｘ）、インジウム酸化物（ＩｎＯｘ）、インジウム－ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）、ガリウム－亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、亜鉛－マグネシウム酸化物（ＺＭＯ）、亜鉛－スズ酸化物（ＺＴＯ）、亜鉛－ジルコニウム酸化物（ＺｎＺｒｘＯｙ）、インジウム－ガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウム－亜鉛－スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、インジウム－ガリウム－ハフニウム酸化物（ＩＧＨＯ）、スズ－アルミニウム－亜鉛酸化物（ＴＡＺＯ）、及びインジウム－ガリウム－スズ酸化物（ＩＧＴＯ）などを含むことができる。

【0066】

前記アクティブパターンＡＰの上には第１絶縁層１３０を形成する。前記第１絶縁層１３０の上には、ゲート電極ＧＥを含む第１ゲート金属パターンを形成する。前記ゲート電極ＧＥは、前記アクティブパターンＡＰと重なり合う。前記第１ゲート金属パターンをカバーする第２絶縁層１４０を形成する。次に、前記第２絶縁層１４０の上に、ゲート配線パターンＧＰを含む第２ゲート金属パターンを形成する。

【0067】

例えば、前記第１絶縁層１３０及び第２絶縁層１４０は、各々、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物、またはこれらの組合せを含むことができ、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタニウム酸化物などの絶縁性金属酸化物を含むことができる。例えば、前記第１絶縁層１３０及び前記第２絶縁層１４０は、いずれも、シリコン窒化物またはシリコン酸化物による単一層または積層の構造を有することができる。

【0068】

例えば、前記第１ゲート金属パターン及び前記第２ゲート金属パターンは、いずれも、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、またはこれらの合金を含むことができ、単一層または互いに異なる金属層を含む積層の構造を有することができる。

【0069】

図８を参照すると、ボンディング領域ＰＡ２には連結パッドの下部導電層が形成される。

【0070】

一実施形態によれば、第１連結パッドの下部導電層ＣＰ１ａは第１ゲート金属パターンと同一の層から形成され、第２連結パッドの下部導電層ＣＰ２ａは第２ゲート金属パターンと同一の層から形成るのでありうる。したがって、前記第１連結パッドの下部導電層ＣＰ１ａは第２絶縁層１４０と第１絶縁層１３０との間に配置されうるのであり、前記第２連結パッドの下部導電層ＣＰ２ａは前記第２絶縁層１４０の上に配置されうる。

【0071】

また、図２に図示された伝達ラインＴＬ１、ＴＬ２は、前記第１ゲート金属パターンまたは前記第２ゲート金属パターンと同一の層から形成されうるのであり、対応する下部導電層ＣＰ１ａ、ＣＰ２ａに、連続するようにして連結されうる。前記伝達ラインＴＬ１、ＴＬ２の少なくとも一部は、前記第１ゲート金属パターンまたは前記第２ゲート金属パターンとは異なる層、例えば、第１ソース金属パターンまたは第２ソース金属パターンと同一の層から形成されることもありうる。

【0072】

図９を参照すると、前記表示領域ＤＡにて、前記第２ゲート金属パターンをカバーする第３絶縁層１５０を形成する。次に、前記第３絶縁層１５０の上に配置される第１ソース金属パターンを形成する。前記第１ソース金属パターンは前記アクティブパターンＡＰと電気的に接触するソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを含む。例えば、前記ソース電極ＳＥ及び前記ドレイン電極ＤＥは、いずれも、前記第３絶縁層１５０、前記第２絶縁層１４０、及び前記第１絶縁層１３０を貫通して、前記アクティブパターンＡＰと電気的に接触することができる。

【0073】

図１０を参照すると、前記ボンディング領域ＰＡ２には前記連結パッドの第１中間導電層が形成される。

【0074】

一実施形態によれば、前記第１連結パッドの第１中間導電層ＣＰ１ｂ及び前記第２連結パッドの第１中間導電層ＣＰ２ｂは、前記第１ソース金属パターンと同一の層から形成されうる。したがって、前記第１連結パッドの第１中間導電層ＣＰ１ｂ及び前記第２連結パッドの第１中間導電層ＣＰ２ｂは、前記第３絶縁層１５０の上に配置されうる。

【0075】

例えば、前記第１連結パッドの第１中間導電層ＣＰ１ｂは、前記第３絶縁層１５０を貫通して下部導電層ＣＰ１ａと電気的に接触し、前記第２連結パッドの第１中間導電層ＣＰ２ｂは、前記第３絶縁層１５０及び前記第２絶縁層１４０を貫通して、下部導電層ＣＰ２ａと電気的に接触するのでありうる。

【0076】

図１１を参照すると、前記第１ソース金属パターンをカバーする第４絶縁層１６０を形成する。一実施形態によれば、前記第４絶縁層１６０は、前記第１ソース金属パターンと接触する無機絶縁層１６２、及び、前記無機絶縁層１６２の上に配置される有機絶縁層１６４を含むことができる。他の実施形態において、前記第４絶縁層１６０は、無機絶縁層１６２を含まずに一層または複数層の有機絶縁層１６４を含むこともできる。

【0077】

次に、前記第４絶縁層１６０の上に配置される第２ソース金属パターンを形成する。前記第２ソース金属パターンは、前記ドレイン電極ＤＥと電気的に接触する連結電極ＣＥを含む。例えば、前記連結電極ＣＥは、前記第４絶縁層１６０を貫通して、前記ドレイン電極ＤＥと電気的に接触することができる。前記第２ソース金属パターンは、有機発光ダイオードに提供される電流の電圧降下を補償するためのメッシュ電源ラインをさらに含むことができる。

【0078】

次に、前記第２ソース金属パターンをカバーする第５絶縁層１７０を形成する。前記第５絶縁層１７０は、前記連結電極ＣＥの上面の少なくとも一部を露出する開口部を有することができる。

【0079】

例えば、前記第１ソース金属パターン及び前記第２ソース金属パターンは、いずれも、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、またはこれらの合金を含むことができ、単一層、または互いに異なる金属層を含む積層の構造を有することができる。一実施形態によれば、前記ソース金属パターンは、少なくともアルミニウムを含むことができる。例えば、前記第１ソース金属パターン及び前記第２ソース金属パターンは、各々、チタニウム／アルミニウムの２層構造またはチタニウム／アルミニウム／チタニウムの３層構造を有することができる。

【0080】

例えば、前記第３絶縁層１５０及び第４絶縁層１６０の無機絶縁層１６２は、いずれも、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物、またはこれらの組合せを含むことができ、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタニウム酸化物などの絶縁性金属酸化物を含むこともできる。例えば、前記第３絶縁層１５０及び第４絶縁層１６０の無機絶縁層１６２は、いずれも、シリコン窒化物またはシリコン酸化物の単一層または積層の構造を有することができる。

【0081】

例えば、前記第４絶縁層１６０の有機絶縁層１６４及び第５絶縁層１７０は、いずれも、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などを含むことができる。

【0082】

図１２を参照すると、前記ボンディング領域ＰＡ２には、前記連結パッドの第２中間導電層が形成される。

【0083】

一実施形態によれば、前記第１中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂの上に形成される第４絶縁層は、無機絶縁層１６２を含み、有機絶縁層１６４を含まないのでありうる。例えば、前記表示領域ＤＡにおける前記有機絶縁層１６４をパターニングする工程にて、前記ボンディング領域ＰＡ２にて有機絶縁層１６４が全面的に除去されるのでありうる。

【0084】

連結パッドの第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃは、前記無機絶縁層１６２の上に形成されうるのであり、前記無機絶縁層１６２を貫通して、前記第１中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂと電気的に接触することができる。一実施形態によれば、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃは、前記連結電極ＣＥと同一の層から形成されうる。

【0085】

前記ボンディング領域ＰＡ２には、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃの少なくとも一部をカバーするクラッディング層１７２が形成される。一実施形態によれば、前記クラッディング層１７２は、前記第５絶縁層１７０と同一の層から形成されうる。

【0086】

例えば、フォトレジスト組成物を塗布した後、ハーフトーンマスクなどを用いて、前記第５絶縁層１７０に対応する領域と、前記クラッディング層１７２に対応する領域とに、互いに異なる露光量で光を照射することによって、互いに厚さが異なる、第５絶縁層１７０とクラッディング層１７２とを同一の工程で形成することができる。

【0087】

図１３及び図１４を参照すると、前記第５絶縁層１７０及び前記クラッディング層１７２の上に下部電極層２１１を形成し、前記下部電極層２１１をパターニングして、前記表示領域ＤＡに発光ダイオードの第１電極２１２を形成する。この際、前記ボンディング領域ＰＡ２にて、前記下部電極層２１１は全面的に除去される。

【0088】

一実施形態によれば、下部電極層２１１は銀（Ａｇ）を含むことができる。例えば、前記下部電極層２１１は、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛スズ酸化物、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、スズ酸化物などを含む金属酸化物層と、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、マグネシウム（Ｍｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）などを含む金属層を含む積層構造を有することができる。

【0089】

前記下部電極層２１１が銀（Ａｇ）を含む場合、前記下部電極層をエッチングする工程にて、銀イオンが、エッチング液により溶解されて出て来る。前記銀イオンを含むエッチング液が、イオン化傾向の高いアルミニウムと接触する場合、ガルバニック反応により還元されて、銀パーティクルが析出しうる。前記銀パーティクルは、前記第１電極２１２に転写(transferring or depositing)されるか、ストリップ装備(photoresist stripping apparatus)などを汚染させるか、または、タッチセンシング電極のショートなどを発生させることによって、表示装置の信頼性が低下するのでありうる。

【0090】

本発明の実施形態によれば、クラッディング層１７２が連結パッドのアルミニウム層をカバーすることによって、銀パーティクルの析出に起因する上記のような問題の発生を防止することができる。したがって、表示装置及び製造工程の信頼性が改善されうる。

【0091】

図１５を参照すると、前記表示領域ＤＡにて、前記第１電極２１２を露出させる画素区画層１８０を形成する。前記画素区画層１８０は、前記第１電極２１２の少なくとも一部を露出する開口部を有することができる。例えば、前記画素区画層１８０は、前記第５絶縁層１７０などと類似の有機物質を含むことができる。

【0092】

前記第１電極２１２の上には、有機発光層２１４を形成する。例えば、前記有機発光層２１４は、前記画素区画層１８０の開口部内に配置されうる。しかしながら、本発明の実施形態はこれに限定されず、前記有機発光層２１４は前記画素区画層１８０の上面の上にまで延長されるか、または前記表示領域ＤＡ上で、複数の画素に亘って連続して延長されることもありうる。

【0093】

前記有機発光層２１４は、少なくとも発光層を含み、正孔注入層（hole injection layer：ＨＩＬ）、正孔輸送層（hole transporting layer：ＨＴＬ）、電子輸送層（electron transporting layer：ＥＴＬ）、及び電子注入層（electron injection layer：ＥＩＬ）のうち、少なくとも１つをさらに含むことができる。例えば、前記有機発光層２１４は、低分子有機化合物または高分子有機化合物を含むことができる。

【0094】

一実施形態において、前記有機発光層２１４は、赤色、緑色、または青色の光を発光することができる。他の実施形態において、前記有機発光層２１４が白色を発光する場合、前記有機発光層２１４は、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層を含む積層構造を含みうるか、または、赤色、緑色、及び青色の発光物質の混合層を含みうる。

【0095】

前記有機発光層２１４の上には、第２電極２１６が形成される。前記第２電極２１６は、前記表示領域ＤＡ上にて、複数の画素に亘って連続して延長されうる。

【0096】

一実施形態によれば、前記第２電極２１６はカソードとして作動することができる。例えば、前記第２電極２１６は、発光タイプによって透過電極として形成されるか、または反射電極として形成されうる。例えば、前記第２電極２１６が透明電極として形成される場合、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム弗化物（ＬｉＦ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛スズ酸化物、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、スズ酸化物、または、これらの組合せを含むことができる。

【0097】

前記第２電極２１６の上には、封止層２２０が配置されうる。例えば、前記封止層２２０は、第１無機薄膜２２２と、前記第１無機薄膜２２２の上に配置された有機薄膜２２４と、前記有機薄膜の上に配置された第２無機薄膜２２６とを含むことができる。

【0098】

例えば、前記有機薄膜２２４は、ポリアクリレートなどの高分子硬化物を含むことができる。例えば、前記高分子硬化物は、モノマーの架橋反応により形成されうる。例えば、前記無機薄膜２２２、２２６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物、アルミニウム酸化物、タンタリウム酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタニウム酸化物などを含むことができる。

【0099】

前記ボンディング領域ＰＡ２にて、前記画素区画層１８０、前記有機発光層２１４、前記第２電極２１６、及び前記封止層２２０は、形成されないか、または形成された後に除去されるのでありうる。

【0100】

一実施形態によれば、前記封止層２２０の上には、タッチ感知部が形成されうる。

【0101】

例えば、前記封止層２２０の上には、下部タッチ絶縁層３１０が形成されうる。前記下部タッチ絶縁層３１０の上には、第１感知導電パターンが形成される。前記第１感知導電パターンは、ブリッジパターン３２０を含むことができる。前記第１感知導電パターンの上には、層間タッチ絶縁層３３０が形成されうる。前記層間タッチ絶縁層３３０には、前記ブリッジパターン３２０を露出させるビアホールが形成されうる。

【0102】

図１６を参照すると、前記ボンディング領域ＰＡ２にて、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃ及び前記クラッディング層１７２の上に、パッシベーション層が形成される。例えば、前記パッシベーション層は、前記下部タッチ絶縁層３１０と同一の層から形成される下部パッシベーション層と、前記層間タッチ絶縁層３３０と同一の層から形成される上部パッシベーション層とを含むことができる。前記パッシベーション層は、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃを露出させるビアホールを有する。

【0103】

次に、図３及び図５に図示したように、前記表示領域ＤＡに第２感知導電パターンを形成し、前記ボンディング領域ＰＡ２に連結パッドＣＰ１、ＣＰ２の上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄを形成する。前記上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄは、前記パッシベーション層を貫通して前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃと電気的に接触することができる。

【0104】

前記パッシベーション層をなす、前記下部タッチ絶縁層３１０及び前記層間タッチ絶縁層３３０は、いずれも、無機絶縁物質を含むことができる。例えば、前記下部タッチ絶縁層３１０及び前記層間タッチ絶縁層３３０は、いずれも、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物、またはこれらの組合せを含むことができ、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタニウム酸化物などの絶縁性金属酸化物を含むこともできる。一実施形態によれば、前記下部タッチ絶縁層３１０及び前記層間タッチ絶縁層３３０は、各々、シリコンナイトライド（silicon nitride）を含むことができる。

【0105】

前記第１感知導電パターン及び前記第２感知導電パターンは、導電性物質を含む。例えば、前記第１感知導電パターン及び前記第２感知導電パターンは、いずれも、金属、金属酸化物、導電性高分子、グラフェン、カーボンナノチューブなどを含むことができる。例えば、前記金属は、モリブデン、銀、チタニウム、銅、アルミニウム、またはこれらの合金を含むことができる。例えば、前記金属を含むパターンは、連続的な薄膜またはナノワイヤーの形態にて提供されうる。例えば、前記金属酸化物は、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛スズ酸化物、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、スズ酸化物、またはこれらの組合せを含むことができる。前記第１感知導電パターン及び前記第２感知導電パターンは、単一層構造、または、互いに異なる物質の層を含む積層構造を有することができる。

【0106】

次に、駆動部ＤＣを前記ボンディング領域ＰＡ２に電気的かつ機械的に接続させる。一実施形態によれば、前記駆動部ＤＣは、熱圧着、超音波ウェルディングなどにより前記ボンディング領域ＰＡ２にボンディングされうるのであり、また、導電性ボンディング部材ＢＰ１、ＢＰ２を通じて前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２と電気的に連結されうる。

【0107】

本発明の実施形態によれば、ボンディング領域ＰＡ２にて、有機物質を含むクラッディング層１７２が露出しない。したがって、外部環境、特に、高温／高湿の環境により前記クラッディング層１７２が吸湿膨脹することを減少／防止することができる。したがって、ボンディング部材と連結パッドとの界面の分離などといった連結不良を防止することができる。

【0108】

また、前記クラッディング層１７２の高さを減少させることによって、前記クラッディング層１７２が上部に突出することを防止することができる。したがって、前記クラッディング層１７２の膨脹による影響を減少させ、連結パッドとボンディング部材との接触面積を増加させることができる。

【0109】

図１７及び図１８は、本発明の実施形態に従う表示装置の断面図である。

【0110】

図１７を参照すると、連結パッドＣＰ１、ＣＰ２は、いずれも、下部導電層ＣＰ１ａ、ＣＰ２ａ、第１中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂ、第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃ、第３中間導電層ＣＰ１ｅ、ＣＰ２ｅ、及び上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄを含む。

【0111】

一実施形態によれば、第１連結パッドＣＰ１の下部導電層ＣＰ１ａは、表示領域の第１ゲート金属パターンと同一の層から形成されうる。例えば、前記下部導電層ＣＰ１ａは第１絶縁層１３０と第２絶縁層１４０との間に配置されうる。第２連結パッドＣＰ２の下部導電層ＣＰ２ａは、表示領域の第２ゲート金属パターンと同一の層から形成されうる。例えば、下部導電層ＣＰ２ａは前記第２絶縁層１４０と第３絶縁層１５０との間に配置されうる。

【0112】

前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２の第１中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂは、表示領域の第１ソース金属パターンと同一の層から形成されうる。例えば、前記第１中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂは前記第３絶縁層１５０と第４絶縁層との間に配置できる。前記第４絶縁層は、無機絶縁層１６２を含みうる。

【0113】

前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２の第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃは、表示領域の第２ソース金属パターンと同一の層から形成されうる。例えば、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃは前記第４絶縁層の上に配置されうる。

【0114】

前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２の第３中間導電層ＣＰ１ｅ、ＣＰ２ｅは、タッチ感知部の感知導電パターンと同一の層から形成されうる。例えば、前記第３中間導電層ＣＰ１ｅ、ＣＰ２ｅは第１感知導電パターンと同一な層から形成されうる。

【0115】

前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２の上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄは、タッチ感知部の感知導電パターンと同一の層から形成されうる。例えば、前記上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄは第２感知導電パターンと同一の層から形成されうる。

【0116】

前記ボンディング領域ＰＡ２には、前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃの少なくとも一部をカバーするクラッディング層１７２が形成される。一実施形態によれば、前記クラッディング層１７２は、前記第５絶縁層１７０と同一の層から形成されうるのであり、有機物質を含むことができる。一実施形態によれば、前記クラッディング層１７２は前記第２中間導電層ＣＰ１ｃ、ＣＰ２ｃの少なくとも側端面をカバーする。

【0117】

前記クラッディング層１７２の上には無機物質を含むパッシベーション層が配置されうる。例えば、前記パッシベーション層は、前記タッチ感知部の下部タッチ絶縁層３１０及び／又は上部タッチ絶縁層３３０と同一の層から形成されうる。前記パッシベーション層は、前記上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄの下にまで、すなわち、これら導電層によって覆われる領域中にまで延長されうる。

【0118】

一実施形態によれば、前記第３中間導電層ＣＰ１ｅ、ＣＰ２ｅは、前記下部タッチ絶縁層３１０と同一の層から形成された下部パッシベーション層と、前記上部タッチ絶縁層３３０と同一の層から形成された上部パッシベーション層との間に配置されうる。

【0119】

図１８を参照すると、連結パッドＣＰ１、ＣＰ２は、いずれも、下部導電層ＣＰ１ａ、ＣＰ２ａ、中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂ、及び上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄを含む。

【0120】

一実施形態によれば、第１連結パッドＣＰ１の下部導電層ＣＰ１ａは、表示領域の第１ゲート金属パターンと同一の層から形成できる。例えば、前記下部導電層ＣＰ１ａは、第１絶縁層１３０と第２絶縁層１４０との間に配置されうる。第２連結パッドＣＰ２の下部導電層ＣＰ２ａは、表示領域の第２ゲート金属パターンと同一の層から形成されうる。例えば、下部導電層ＣＰ２ａは、前記第２絶縁層１４０と第３絶縁層１５０との間に配置されうる。

【0121】

前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２の中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂは、表示領域の第１ソース金属パターンまたは第２ソース金属パターンと同一の層から形成されうる。

【0122】

前記連結パッドＣＰ１、ＣＰ２の上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄは、タッチ感知部の感知導電パターンと同一の層から形成されうる。例えば、前記上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄは、第２感知導電パターンと同一の層から形成されうる。

【0123】

前記ボンディング領域ＰＡ２には、前記中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂの少なくとも一部をカバーするクラッディング層１７２が形成される。一実施形態によれば、前記クラッディング層１７２は有機物質を含むことができる。一実施形態によれば、前記クラッディング層１７２は前記中間導電層ＣＰ１ｂ、ＣＰ２ｂの少なくとも側端面をカバーする。

【0124】

前記クラッディング層１７２の上には、無機物質を含むパッシベーション層が配置されうる。例えば、前記パッシベーション層は、前記タッチ感知部の下部タッチ絶縁層３１０及び／又は上部タッチ絶縁層３３０と同一の層から形成されうる。前記パッシベーション層は、前記上部導電層ＣＰ１ｄ、ＣＰ２ｄの下に延長されうる。

【0125】

図１７乃至図１８に図示したように、本発明の実施形態は多様な構成の連結パッドを有することができる。しかしながら、本発明の実施形態は、これに限定されず、該当技術分野で通常の知識を有する者が本発明の技術的思想を用いて導出することができる多様な構成を有することができる。

【0126】

例えば、表示装置のタッチ感知部が下部タッチ絶縁層を含まない場合、パッシベーション層は単一層の構造を有することができる。

【0127】

例えば、上部導電層は、例示された静電容量方式のタッチ感知部を形成するための導電層に限定されず、多様な方式のタッチ感知部またはセンサー部を形成するための導電層を用いて形成できる。

【0128】

例えば、前記クラッディング層は第２ビア絶縁層から形成されることに限定されず、第１ビア絶縁層から形成されるか、または別途の工程により形成されるのでありうる。

【0129】

例えば、隣接する第１連結パッド及び第２連結パッドの下部導電層は互いに同一の層から形成されうる。