特許 7471899 補正データを作成する方法、成形方法、成形装置、および物品製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-12

(45)【発行日】2024-04-22

(54)【発明の名称】補正データを作成する方法、成形方法、成形装置、および物品製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240415BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20240415BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

B29C59/02 Z

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2020077589

(22)【出願日】2020-04-24

(65)【公開番号】P2021174873

(43)【公開日】2021-11-01

【審査請求日】2023-04-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】堤 怜介

【審査官】佐藤 海

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１２－１６９４９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－０５３３３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－２２２７０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１０３１８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０７５４２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１３９４８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／０１１２２２０（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｂ２９Ｃ ５９／０２

Ｇ０３Ｆ ７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

型を用いてステージに搭載された基板の上の組成物を成形する成形装置において実行される、前記ステージの駆動に関する補正データを作成する方法であって、
前記ステージに第１基板を搭載し、該第１基板の複数の計測ショット領域のそれぞれについて、組成物の供給が行われる供給位置に計測ショット領域が来るように前記ステージを移動して組成物を供給する第１工程と、
前記型を介さずに前記計測ショット領域の上の前記組成物を観測するオフアクシススコープを用いて、前記ステージに搭載された前記第１基板の前記複数の計測ショット領域のそれぞれについて、前記第１工程において計測ショット領域の上に供給された前記組成物の、目標位置からの位置ずれ量の計測を行う第２工程と、
前記第２工程による前記計測の結果に基づいて、前記第１基板とは異なる第２基板の複数のショット領域のそれぞれへの組成物の供給時における前記ステージの駆動に関する補正データを作成する第３工程と、
を有することを特徴とする方法。

【請求項2】

前記第２工程の前に、前記第１工程において前記計測ショット領域の上に供給された前記組成物を硬化させる工程を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記第２工程は、前記第１工程において計測ショット領域の上に供給された前記組成物の液滴ごとに液滴の目標位置からの位置ずれ量の計測を行い、各液滴の前記位置ずれ量から前記計測ショット領域に対する前記組成物の位置ずれ量を求める、ことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。

【請求項4】

前記第３工程は、前記補正データを、前記複数の計測ショット領域のそれぞれと位置ずれ量との対応関係が記述された補正テーブルとして記憶部に記憶することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。

【請求項5】

前記第３工程は、前記補正データを、前記複数の計測ショット領域のそれぞれと位置ずれ量との対応関係を表す近似式として記憶部に記憶することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。

【請求項6】

前記第３工程は、前記複数の計測ショット領域以外のショット領域の上の組成物の位置ずれ量を、前記複数の計測ショット領域に対する前記計測の結果を用いて補間して得る工程を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。

【請求項7】

前記第３工程は、ショットレイアウトにおける第１方向の座標が同じ一群のショット領域の上の組成物の前記第１方向と直交する第２方向の位置ずれ量を、当該一群のショット領域に含まれる計測ショット領域に対する前記計測の結果に基づく共通の値に統一する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。

【請求項8】

前記第１基板はメンテナンス用基板であり、前記第２基板はデバイス生産用基板であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。

【請求項9】

ステージに搭載された基板の上に組成物を供給する供給工程と、
前記基板の上の組成物と型とを接触させる接触工程と、
前記組成物と前記型とが接触した状態で前記組成物を硬化させる硬化工程と、
前記硬化した組成物と前記型とを分離する離型工程と、を有し、
前記供給工程において、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法によって予め得られた補正データに基づいて、前記組成物の供給が行われる位置へ前記基板を移動させるための前記ステージの駆動指令値が補正される、ことを特徴とする成形方法。

【請求項10】

ステージに基板を搭載し、該基板の複数の計測ショット領域のそれぞれについて、組成物の供給が行われる供給位置に計測ショット領域が来るように前記ステージを移動して組成物を供給する第１工程と、
前記ステージに搭載された前記基板の前記複数の計測ショット領域のそれぞれについて、前記第１工程において計測ショット領域の上に供給された前記組成物の、目標位置からの位置ずれ量の計測を行う第２工程と、
前記第２工程による前記計測の結果に基づいて、前記基板の複数のショット領域のそれぞれへの組成物の供給時における前記ステージの駆動に関する補正データを作成する第３工程と、
前記基板のショット領域が前記供給位置に来るように前記ステージを移動して組成物を供給する第４工程と、
前記基板の前記ショット領域の上の前記組成物と型とを接触させる第５工程と、
前記組成物と前記型とが接触した状態で前記組成物を硬化させる第６工程と、
前記硬化した組成物と前記型とを分離する第７工程と、を有し、
前記第４工程は、前記第３工程により得られた前記補正データに基づいて、前記ステージの駆動指令値を補正する工程を含み、
前記基板はデバイス生産用基板であり、
第３工程の終了後、前記第４工程の前に、前記第１工程において前記複数の計測ショット領域のそれぞれの上に供給された前記組成物が揮発するまで待機する工程を更に有する、
ことを特徴とする成形方法。

【請求項11】

基板の上に組成物を供給する供給工程と、前記基板の上の組成物と型とを接触させる接触工程と、前記組成物と前記型とが接触した状態で前記組成物を硬化させる硬化工程と、前記硬化した組成物と前記型とを分離する離型工程とを含む成形処理を行う成形装置であって、
基板を保持して移動するステージと、
前記ステージの駆動を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記供給工程において、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法によって予め得られた補正データに基づいて、前記組成物の供給が行われる位置へ前記基板を移動させるための前記ステージの駆動指令値を補正する、ことを特徴とする成形装置。

【請求項12】

請求項９または１０に記載の成形方法に従って基板の上に組成物を成形する工程と、
前記組成物が成形された前記基板を処理する工程と、
を有し、前記処理された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

【請求項13】

請求項１１に記載の成形装置を用いて基板の上の組成物を成形する工程と、
前記組成物が成形された前記基板を処理する工程と、
を有し、前記処理された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、補正データを作成する方法、成形方法、成形装置、および物品製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置が、半導体デバイスなどの量産用リソグラフィ装置の１つとして注目されている。成形装置の一例としてインプリント装置がある。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材（組成物）とモールド（型）とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを分離することにより、基板上にインプリント材のパターンを形成する。基板上へのインプリント材の供給は、インプリント材を吐出する複数の吐出口が配列された吐出部を用いて、吐出部と基板とを相対的に移動させながら複数の吐出口からのインプリント材の吐出を制御することによって行われうる。

【0003】

半導体デバイスは、１チップ内により多くの回路パターンを組み込むため、複数層（６４層など）で構成されうる。インプリント装置による基板上へのパターン形成は、最下層の第１レイヤではなく、他の露光装置によって下地パターンが形成された第２レイヤ以降の層に対して実施される。そして、最上位層のパターンを形成する際は、基板の下地パターンに対して最上位層パターンの位置が合うようにアライメントを行い、数ｎｍ以下の位置合わせ誤差で最上位層パターンを形成することが求められる。

【0004】

特許文献１には、ショットレイアウトで定義されている各ショットの理想的な位置からの下地ショットのずれを検出し、下地ショットの位置に合うようにインプリント材の供給を行うインプリント装置が開示されている。

【0005】

特許文献２には、インプリント材供給部の位置ずれに起因して生じる基板上へのインプリント材の供給位置ずれを計測し、インプリント材供給時の基板ステージの位置を補正するインプリント装置が開示されている。ここには、例えばウエハ数枚ごとに計測を行うことでインプリント材供給部の位置の経時変化にも対応可能であることが記載されている。

【0006】

特許文献３には、複数の吐出ノズルそれぞれの位置ずれ量を記憶しておき、インプリント工程において、使用する吐出ノズルの位置ずれ量のみからインプリント材供給時の補正位置を決定することが記載されている。

【0007】

特許文献４には、基板上へ供給されたインプリント材の各液滴の着弾位置を計測し、着弾位置にずれが生じていた場合に、ずれが生じていた液滴の供給目標位置（ドロップマップ）を、液滴のずれが相殺されるように修正することが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【文献】特許第５８１３６０３号公報

【文献】特開２０１１－２２２７０５号公報

【文献】特開２０１９－７５４２１号公報

【文献】特開２０１４－１０３１８９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

インプリント装置などの成形装置においては、基板の下地レイヤとの位置合わせ精度として数ｎｍオーダーの精度が要求される。そのため、基板ステージの移動精度には１ｎｍ以下の精度が求められる。このステージ移動精度を実現するため、予め理想的な格子配列のショットにアライメントマークが転写された基準基板を使用し、この基準基板をアライメントして得られたずれ量を、各ショットに対応する基板ステージ移動ずれ量として記憶しておく。そして、デバイス生産用基板の処理時には、このずれ量を相殺するように各ショットのステージ移動位置が補正される。

【0010】

一方、現状において、ディスペンサにはアライメントスコープは具備されていない。そのため、ディスペンサ下での基板ステージの移動位置については、上記のような基準基板による移動ずれ量を用いた位置補正ができないため、基板ステージの移動精度はメカ精度に則る精度になる。したがって、ディスペンサ下の基板ステージの移動位置は目標位置ごと（ショットごと）にそれぞれ理想的な位置からずれた位置になり、そのずれがインプリント材の供給領域のずれとなって表れる。インプリント材供給領域のずれは、インプリント時においてショット外周部におけるインプリント材のはみ出しやインプリント材不足に繋がり、欠陥ショットを生み出す要因となる。

【0011】

前記した特許文献１～４はいずれも、インプリント材供給時における基板ステージの位置ずれは考慮せず、ディスペンサの設置位置のずれまたはノズルの配向のずれに起因するインプリント材の供給位置ずれを解決しようとしている。例えば特許文献２には、ステージ駆動手段３によって移動された基板ステージ４の位置が、定盤１に対して十分な精度で保証されていることが前提であることが明記されている。基板ステージの位置ずれがないと考える場合には、ディスペンサの設置位置のずれによるインプリント材の供給位置ずれは、どのショットにおいても一定であると考えることができる。しかし、実際には基板ステージの位置ずれを無視することはできない。基板ステージの位置ずれを考慮する場合には、ディスペンサの設置位置のずれによるインプリント材の供給位置ずれは、ショットの位置に応じて異なる。

【0012】

本発明は、組成物の供給位置ずれの低減に有利な技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0013】

本発明の一側面によれば、型を用いてステージに搭載された基板の上の組成物を成形する成形装置において実行される、前記ステージの駆動に関する補正データを作成する方法であって、前記ステージに第１基板を搭載し、該第１基板の複数の計測ショット領域のそれぞれについて、組成物の供給が行われる供給位置に計測ショット領域が来るように前記ステージを移動して組成物を供給する第１工程と、前記型を介さずに前記計測ショット領域の上の前記組成物を観測するオフアクシススコープを用いて、前記ステージに搭載された前記第１基板の前記複数の計測ショット領域のそれぞれについて、前記第１工程において計測ショット領域の上に供給された前記組成物の、目標位置からの位置ずれ量の計測を行う第２工程と、前記第２工程による前記計測の結果に基づいて、前記第１基板とは異なる第２基板の複数のショット領域のそれぞれへの組成物の供給時における前記ステージの駆動に関する補正データを作成する第３工程と、を有することを特徴とする方法が提供される。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、組成物の供給位置ずれの低減に有利な技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】インプリント装置の構成を示す図。

【図2】吐出部の構成を示す図。

【図3】インプリント材供給位置ずれの例を示す図。

【図4】インプリント材供給位置ずれの影響を説明する図。

【図5】補正データを作成する方法のフローチャート。

【図6】インプリントシーケンスのフローチャート。

【図7】計測部によって観察されるインプリント材の液滴の例を示す図。

【図8】補正テーブルの例を示す図。

【図9】未計測のショットに対する供給位置ずれ量を算出する方法を説明する図。

【図10】グループ内のショット間で同一の供給位置ずれ量を共有する例を説明する図。

【図11】ディスペンス処理におけるスキャン開始時および終了時のステージ位置の補正を説明する図。

【図12】デバイス生産用基板に対するインプリントシーケンスのフローチャート。

【図13】物品製造方法を説明する図。

【図14】基板上の組成物を平坦化する方法を説明する図。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

【0017】

＜第１実施形態＞
図１は、実施形態におけるインプリント装置１００の概略図である。本明細書および図面においては、水平面をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向が示される。一般には、基板Ｗはその表面が水平面（ＸＹ平面）と平行になるように基板ステージ２０の上に置かれる。よって以下では、基板Ｗの表面に沿う平面内で互いに直交する方向をＸ軸およびＹ軸とし、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な方向をＺ軸とする。また、以下では、ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向といい、Ｘ軸周りの回転方向、Ｙ軸周りの回転方向、Ｚ軸周りの回転方向をそれぞれθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向という。

【0018】

［インプリント装置の概要］
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
なお、本実施形態では、型として、凹凸パターンを設けた回路パターン転写用の型について述べるが、凹凸パターンがない平面部を有する型（ブランクテンプレート）であってもよい。ブランクテンプレートは、平面部によって基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化装置に用いられる。
つまり、本実施形態は、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置に適用することができる。

【0019】

インプリント材（組成物）としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。

【0020】

［インプリント装置の構成］
図１において、インプリント装置１００は、例えば、モールド（型）を保持するインプリントヘッド１０と、基板を保持して移動可能な基板ステージ２０と、硬化部３０と、供給部４０（ディスペンサ）と、制御部６０とを含みうる。また、インプリント装置１００は、第１計測部５０と第２計測部７０とを含みうる。制御部６０は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、インプリント装置１００の各部を制御してインプリント処理（成形処理）を制御する。モールドＭは、石英など紫外線を透過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面において基板側に突出した一部の領域（パターン領域）には、基板上のインプリント材に転写されるべき凹凸のパターンが形成される。基板Ｗは、上記のとおりシリコンウエハ等でありうるが、基板Ｗの上には、インプリント材の付与前に、必要に応じてインプリント材と基板との密着性を向上させるための密着層が形成されてもよい。

【0021】

インプリントヘッド１０は、例えば、真空力などによりモールドＭを保持するモールドチャック１１と、モールドＭと基板Ｗとの間隔を変更するようにモールドＭ（モールドチャック１１）をＺ方向に駆動するモールド駆動部１２とを含みうる。一実施形態において、インプリントヘッド１０によりモールドＭをＺ方向に駆動することで、モールドＭと基板上のインプリント材とを接触させる接触工程、および、硬化したインプリント材からモールドＭを分離する離型工程が行われうる。また、インプリントヘッド１０には、Ｚ方向にモールドＭを駆動する機能に限られず、ＸＹ方向およびθｚ方向にモールドＭを駆動する機能や、モールドＭの傾き（チルト）を変更する機能が設けられてもよい。例えば、後者の機能によると、接触工程において、モールドＭのパターン領域と基板Ｗとが平行になるようにモールドＭの傾きを制御することができる。

【0022】

さらに、インプリントヘッド１０は、モールドＭと基板Ｗとの接触状態を確認するための観察カメラ（不図示）を有していてもよい。観察カメラは、モールドＭと基板Ｗが接触している時の干渉縞の形からモールドＭと基板Ｗとの平行度を検出し、インプリントヘッド１０の制御に利用されうる。あるいは、観察カメラは、パターンが形成された硬化済みインプリント材を観測してインプリント処理の成否を判断することに利用されうる。

【0023】

基板ステージ２０は、例えば、真空力などにより基板Ｗを保持する基板チャック２１と、ＸＹ方向に基板Ｗを駆動する粗動ステージ２２と、ＸＹ方向およびθｚ方向に基板Ｗを駆動する微動ステージ２３とを含みうる。一実施形態において、粗動ステージ２２は、基板チャック２１によって保持された基板ＷをＸＹ方向に駆動し、微動ステージ２３は、粗動ステージ２２の上で、基板チャック２１によって保持された基板ＷをＸＹ方向およびθｚ方向へ駆動する。粗動ステージ２２は長ストローク、高速移動を担い、微動ステージ２３は高精度の微調整を行う。これにより、基板ステージ２０の上に搭載された基板ＷのＸＹ方向およびθｚ方向の位置の変更を行い、モールドＭに対する基板Ｗの位置決め、および、供給部４０に対する基板Ｗの位置決めを行うことができる。基板ステージ２０には、基板ＷをＸＹ方向に駆動する機能に加え、基板ＷをＺ方向およびθｚ方向に駆動する機能、および、基板Ｗの傾き（チルト）を変更する機能が設けられてもよい。

【0024】

硬化部３０（照射部）は、モールドＭと基板上のインプリント材とが接触している状態で、基板上のインプリント材にモールドＭを介して光（例えば紫外線）を照射することによりインプリント材を硬化させる（硬化工程）。硬化部３０は、光源と光源からの光による投影を調整する投影光学系とを含みうる。

【0025】

図２は、供給部４０を下方（－Ｚ方向）から見た図である。供給部４０は、Ｙ方向に沿って複数の吐出口４１が配列された吐出口アレイを有し、基板Ｗに向けて複数の吐出口４１からインプリント材を吐出する。複数の吐出口４１のそれぞれは例えばピエゾ素子を含み、圧電効果を利用してインプリント材を押し出すことによりインプリント材を液滴として吐出することができる。ピエゾ素子に印加される電圧の波形（以下、駆動波形）や、その駆動波形に従って電圧を印加するタイミングは、制御部６０によって制御されうる。

【0026】

インプリント装置１００は、供給部４０と基板Ｗとを相対的に移動させながら、供給部４０における複数の吐出口４１の各々からインプリント材を液滴として吐出させることにより、基板上にインプリント材を供給することができる。ただし、本発明はこの吐出動作に限定されるものではない。例えば、供給部４０がショット領域（以下、単に「ショット」ともいう。）と同様の大きさを持ち、そのため供給部４０および基板Ｗとを移動させることなくインプリント材の液滴を吐出する構成でもよい。

【0027】

基板上へのインプリント材の供給処理は、例えば、基板Ｗ（のショット領域）におけるインプリント材の目標供給位置、即ち、インプリント材を液滴として供給すべき基板上の目標位置を示す情報（配置パターンとも呼ばれる）に基づいて制御される。この情報は、例えば、モールドＭの凹凸パターンの寸法情報、複数の吐出口４１のそれぞれから吐出されるインプリント材の量等に基づいて、モールドＭによって形成されたインプリント材のパターンの残膜厚が目標膜厚になるように事前に生成されうる。

【0028】

第１計測部５０は、基板上の下地パターン（下地ショット）の位置を計測する計測器である。第１計測部５０は、例えば、硬化部３０の光源からの光の光路からオフセットされた位置に配置されたオフアクシススコープ（ＯＡＳ）でありうる。制御部６０は、第１計測部５０の計測結果から特定される基板上の複数の下地ショットの位置の情報を計算データに用いて、ショット全体のＸＹ方向およびθｚ方向の位置のずれ（ショットレイアウトで示される理想的な位置からのずれをいう。）を得ることができる。下地ショットには、例えばその四隅に、ショットの位置を知るためのアライメントマークが形成されている。制御部６０は、第１計測部５０がアライメントマークを撮像した結果を画像処理することによりアライメントマークの位置を特定する。本実施形態では、さらに、基板上に供給されたインプリント材の液滴の位置を特定するためにも第１計測部５０が使用される。

【0029】

第２計測部７０は、モールドＭのパターン形成面の位置と、基板上のインプリント対象ショットとの位置を合わせるために用いられる。第２計測部７０は、例えば、硬化部５０の投影光学系を介して位置検出を行うＴＴＬオンアクシススコープでありうる。制御部６０は、第１計測部５０で得られた位置情報を利用して、対象ショットがモールドＭのパターン面の下に来るよう基板ステージ２０を制御する。その後、制御部６０は、インプリントヘッド１０を降下させてモールドＭと基板Ｗとを接近させる（例えば両者の間隔が２０μｍになるまで）。その状態で、制御部６０は、第２計測部７０を用いて、モールドＭに形成されたアライメントマークの位置と、基板に形成されたアライメントマークの位置が合うように、微動ステージ２３を駆動して位置合わせを行う。

【0030】

[インプリント材の供給位置ずれ]
基板ステージ２０（以下、単に「ステージ」ともいう。）の移動には、目標位置に対する正確な移動が求められる。露光装置やインプリント装置においてはステージ移動誤差に対する要求は１ｎｍ以下と厳しく、メカで保証できるスペック以上の移動精度が求められる。そのため、事前にステージ移動誤差を計測して記憶しておき、ステージの移動時には、そのステージ移動誤差を相殺するようにステージの移動目標位置を補正する方法が適用される。

【0031】

ステージ移動誤差（位置ずれ量）の計測には、専用の基準基板が使用される。基準基板には、理想的な配列格子のショットレイアウトがアライメントマークと共に下地として形成されている。基準基板に形成された各ショットの位置を計測して得られる位置ずれ量は、ステージ移動誤差（位置ずれ量）とみなすことができる。この基準基板の計測が第１計測部５０を用いて行われる。そこで得られた各ショットの位置ずれ量は、次に第１計測部５０でショットを計測する際のステージ移動位置の補正に使用される。さらに、基準基板の計測が第２計測部７０を用いて行われる。そこで得られた各ショットの位置ずれ量は、次に第２計測部７０でショットを計測する際のステージ移動位置の補正に使用される。

【0032】

一方、供給部４０には、供給部専用のアライメントスコープは用意されていない。そのため、供給部４０の下に対象ショットを位置させるためのステージの制御においては、アライメントスコープを用いたステージ移動誤差を取得することはできないため、ステージ移動位置の補正も行うことはできない。

【0033】

図３は、ディスペンサ下のステージ移動位置の補正が行われなかった場合のインプリント材供給領域のずれの例を示す図である。ディスペンス時のステージ位置は移動誤差を含んだ位置となるため、下地ショットＬに対して移動誤差分ずれた位置にインプリント材Ｒが供給される。すなわち、期待するインプリント材供給位置からＸ方向にΔＸ、Ｙ方向にΔＹだけずれた位置にインプリント材Ｒが供給される。これらΔＸ、ΔＹが補正のされるべき位置ずれである。なお、図３にはθｚ方向のずれは表されていないが、実施形態においては、θｚ方向のずれも補正の対象となりうる。

【0034】

図４は、インプリント材供給位置がずれたことによるインプリント処理への影響を示した図である。モールドＭのパターン面と基板Ｗの対象ショットとの位置合わせが行われた後、接触工程、硬化工程、離型工程が実施される。図４のように、既に基板Ｗに転写されている下地レイヤのショット位置に対してインプリント材供給位置がずれてしまうと、接触工程においてインプリント材がショットの外にはみ出る、あるいは、外周部のインプリント材が不足する状態になりうる。はみ出たインプリント材は転写領域から漏れ出た露光光によって半硬化し、隣接ショットに残留する、あるいは、モールドのメサの外周部に付着することで、次ショット以降の欠陥発生の要因になりうる。インプリント材が不足した領域はパターンやマークの形成ができないため当該ショットの欠陥の要因になりうる。

【0035】

本実施形態では、アライメントスコープを有していないディスペンサ下における基板ステージの移動位置ずれを検出すると共に、得られた位置ずれ量を用いてディスペンス時のステージ移動位置を補正することで、本課題を解決する。

【0036】

ステージ移動位置ずれは主にメカ構成に起因しているため、経時変化の影響が僅かであるとすると、ステージのある位置におけるずれ量には再現性がある。よって、装置の定期的な調整時に、メンテナンス用基板を用いて予めステージの位置ずれ量を記憶しておき、デバイス生産用基板の処理時にはその位置ずれ量を使用して補正に用いることで、スループットを低下させることなく課題を解決可能である。

【0037】

[位置ずれの検出]
図５は、インプリント装置１００によって実行される、ステージの駆動に関する補正データを作成する方法のフローチャートである。この方法は、計測ショットごとにディスペンサ下（供給位置）へのステージ移動誤差を検出することを含み、検出されたステージ移動誤差に基づいて補正データが作成される。ステージには基板が搭載されている。ここで使用される基板は、下地レイヤが形成されていない基板でもよいし、既に下地レイヤが形成されている基板でもよいが、計測誤差を極力低減するために、下地レイヤが形成されていない基板を使用するのが有利でありうる。

【0038】

制御部６０は、Ｓ１０で、基板（第１基板）をステージに搭載した後、ステージを供給部４０の下の供給位置に移動させ、その後、Ｓ１１で、対象の計測ショットに対してディスペンス処理（インプリント材の供給）を行う（第１工程）。ディスペンス後、供給されたインプリント材が揮発して消失しない間に、Ｓ１２およびＳ１３が実施される。Ｓ１２では、制御部６０は、硬化部３０による光照射領域（型の下）にステージを移動させる。その後、Ｓ１３で、制御部６０は、硬化部３０を制御して、対象の計測ショットに光を照射してインプリント材を硬化させる。Ｓ１４では、制御部６０は、全ての計測ショットに対して処理を終えたか否かを判定し、全ての計測ショットの処理が終了していなければＳ１０に戻って次の計測ショットに対する処理が行われ、全ての計測ショットの処理が終了した場合にはＳ１５に進む。なお、全ての計測ショットとは、基板上の全てのショットでありうるが、計測時間を短縮したい場合には、予め定義された複数の計測ショットの全てとしてもよい。例えば、複数の計測ショットは、１ショット飛ばしに位置する複数のショットとしてもよい。その場合、間引かれたショットに対する位置ずれ量は、隣接する計測ショットでの位置ずれ量から補間して得てもよい。

【0039】

Ｓ１５では、制御部６０は、（インプリント材供給済みの）対象の計測ショットをアライメントスコープの下に移動させる。アライメントスコープは、インプリント材を観測可能な計測部であり、光量、フォーカス、倍率等を調整可能な観察光学系である。アライメントスコープは、第１計測部５０でもよいし、第２計測部７０でもよい。オフアクシススコープである第１計測部５０が使用される場合には、モールドＭを介さずに計測ショット上のインプリント材を観測する。ＴＴＭスコープである第２計測部７０が使用される場合には、モールドＭを介して計測ショット上のインプリント材を観測することになる。一般には、ＴＴＭスコープである第２計測部７０に対して、オフアクシススコープである第１計測部５０の方が倍率調整等が容易であるため、そのような観点から第１計測部５０が使用されてもよい。あるいは、インプリント材位置検出用の専用のスコープが使用される構成としてもよい。また、インプリントヘッド１０が観察カメラ（不図示）を有している場合には、観察カメラが使用されてもよい。

【0040】

Ｓ１６では、制御部６０は、アライメントスコープにより得られた画像を処理してインプリント材の位置を求める。Ｓ１７では、制御部６０は、求められたインプリント材の位置の目標位置からのずれ量を計測することにより、Ｓ１０、Ｓ１１における各計測ショットについてのステージ移動誤差を求める（第２工程）。ずれ量は、Ｘ方向、Ｙ方向、θｚ方向のずれ量を含みうる。なお、第１計測部５０および第２計測部７０の使用時のステージ移動位置ずれは前述した基準基板を用いた補正方法によって予め補正済みである。したがって、Ｓ１７において第１計測部５０または第２計測部７０が使用される場合におけるステージ移動位置ずれは無い状態である。

【0041】

図７に、アライメントスコープによって観察されるインプリント材の液滴の例を示す。供給部４０から吐出され基板上に堆積された液滴は、球体状の形（横から観測すると半球体状）の形をなす。アライメントスコープの１回の検出における視野は、例えば、横幅が５００μｍ、縦幅が３００μｍである。インプリント材の一滴あたりの大きさは、例えば、直径９０μｍである。インプリント材の一滴ごとのＸＹ方向における目標位置は、ショット中心を（Ｘ，Ｙ）＝（０，０）とするＸＹ座標における値で定義されうる。インプリント材の吐出条件は、目標位置の定義データを用いて決定される。目標位置として定義された座標が理想的な供給位置である。インプリント材の位置の計測は、インプリント材一滴ずつ実施されるため、隣の液滴を誤って計測対象としないために、各液滴の間隔が一定間隔離れるような目標位置の定義データが使用される。複数の液滴の位置を同時に検出する画像処理を行う場合は、複数滴ごとに計測を実施してもよい。

【0042】

一滴単位で位置を検出する場合は、制御部６０は、アライメントスコープの管面中心に理想的な液滴供給位置が来るように基板ステージを移動させ、実際の液滴の該液滴の目標位置からの位置ずれ量（ΔＸ，ΔＹ）を検出する。制御部６０は、当該ショットの計測対象液滴の位置ずれが全液滴分取得されたら、それらのデータから当該ショットに供給されたインプリント材のＸ，Ｙ，θｚの位置ずれ量を計算する。位置ずれ量の計算では、まずθｚの位置ずれを求める。θｚの位置ずれ算出の際には、ショット内の最外側の列に属する液滴の位置ずれデータを用いてθｚを求める。そして、θｚによるＸＹ位置ずれ分を全液滴から除去した後、ショット内全液滴の平均値から当該ショットの位置ずれ量を求める。これを対象の全ショットに対して繰り返す（Ｓ１８）。

【0043】

全ての計測ショットの位置ずれ量の計測が完了したら、Ｓ１９で、制御部６０は、計測の結果から補正テーブルを作成して制御部６０のメモリ（記憶部）に記憶する（第３工程）。補正テーブルは、インプリント対象の基板（第２基板）の複数のショット領域のそれぞれへのインプリント材の供給時におけるステージ駆動に関する補正データの一形態である。補正テーブルには、複数の計測ショット領域のそれぞれと位置ずれ量との対応関係が記述される。図８に、補正テーブルの一例を示す。図８において、補正テーブルは、１ショット１あたり行で構成されている。１ショットのデータは、そのショットのディスペンス時のステージ座標Ｘ，Ｙ（targetX, targetY）、位置ずれ量Ｘ，Ｙ，θｚ（offsetX, offsetY, offsetQ）を含みうる。ステージ座標は、ディスペンサ下にショット中心が来るステージ位置の装置座標である。

【0044】

既に補正テーブルが作成済みであり、その補正テーブルを用いてステージ位置の補正が行われディスペンスされている場合には、今回の検出結果の元の補正テーブルからの差分を反映するように補正テーブルを更新してもよい。作成済みの補正テーブルがない場合は、補正テーブルを新規に作成する。

【0045】

前述したように、複数の計測ショットは、例えば、１または複数ショット飛ばしのショットであってもよい。その場合、計測ショット領域以外のショット領域での位置ずれ量は、近隣の計測ショット領域での位置ずれ量を用いて補間して得てもよい。図９は、計測対象外のショットの位置ずれ量を得る方法を説明する図である。位置ずれ量が得られていない計測対象外のショットに対しては、左右または上下の隣接する計測済みショットでの位置ずれ量を用いて補間して位置ずれ量を算出する。実施形態において、補正データは、複数の計測ショット領域のそれぞれと位置ずれ量との対応関係を示す近似式によって表される。制御部６０は、Ｘ方向（左右）に隣接する計測済みショットのＹ方向の位置ずれ量ΔＹ_ＲおよびΔＹ_Ｌから１次近似式を作成し、その１次近似式から未計測ショットのＹ方向の位置ずれ量ΔＹを算出する。Ｘ方向の位置ずれ量についても、同様に、Ｙ方向（上下）に隣接する計測済みショットのデータ補間によって算出される。補間は、例えば、補間対象ショットに最も近い２つのショットを用いて、その２つのショットの位置ずれ量から１次近似式を作成し、その１次近似式を用いて行われる。あるいは、補間は、補間対象ショットに近接する２つずつ以上のショットの位置ずれ量から２次近似式を作成し、２次近似式を用いて行われてもよい。補間対象のショットの片側に計測済みショットが存在しない場合（外周ショットなどの場合）は、計測済みショットが存在する側の計測済みショットから近似式を作成し、その近似式が未計測ショットの補間に使用される。

【0046】

図１０は、グループ毎に同じ補正量を共有して用いる利点を説明した図である。本発明では、インプリント材供給位置がずれる原因がとりわけ基板ステージの移動方向のずれにあることが想定されている。そのため、基板のショットレイアウトにおいて、Ｘ方向（第１方向）の座標が同じ一群のショットに対するＹ方向（第２方向）の供給位置ずれは同程度になることが想定される。同じく、Ｙ方向（第２方向）の座標が同じ一群のショットに対するＸ方向（第１方向）の供給位置ずれは同程度になることが想定される。図１０に示すように、Ｘ（またはＹ）座標が同じであるグループ内のショットから得られたＹ（またはＸ）方向の位置ずれ量を平均した値を、同じＸ（またはＹ）座標のグループ内のショット間で共有して用いる（共通の値に統一する）。これにより、計測誤差などに起因した位置ずれ量の取得精度のバラつきを低減することができる。グループ内の計測済みショット数が少ない場合は、平均値ではなく中央値を共有して用いることでショット毎の計測精度のバラつきを更に低減することができる。例えば、図１０において、グループ１に含まれるショットは同じＸ座標でレイアウトされている。したがって、グループ１における計測済みショットのＹ方向の位置ずれ量の平均値（もしくは中央値）ΔＹが、グループ１に含まれる全ショットのＹ方向の位置ずれ量として使用されうる。グループ２も同様に、グループ２における計測済みショットのＸ方向の位置ずれ量の平均値（または中央値）ΔＸが、グループ２に含まれる全ショットのＸ方向の位置ずれ量として使用されうる。

【0047】

基板ステージの移動方向のずれは、ステージの移動軌跡が例えば２次曲線状になっていることに起因したずれであると定義できる。そのため、図８の例のようにショット毎に補正値を記録するのではなく、各ショットの位置ずれ量から算出される２次近似式を記憶しておき、デバイス生産用基板へのインプリント材のディスペンス時のステージ位置補正にこの２次近似式を使用してもよい。この場合、制御部６０は、図５のＳ１９の工程において、２次近似式を作成する。このとき、この２次近似式から各ショットの補正値を予め算出し、補正テーブルとしてショット毎に補正値を持つ方法を適用してもよい。この２次近似式を使った補正方法を採用する場合には、計測対象のショットの数を低減することができるため、トータルの計測時間を大幅に短縮することが可能になる。例えば、基板外周と基板中心のショットのみを計測対象として２次近似式を算出してもよい。ここで、２次近似式は、Ｘ位置を補正するための式、Ｙ位置を補正するための式、θｚ位置を補正するための式をそれぞれ持つが、３つ全てを補正に使うのではなく、いずれか１つあるいは２つのみ補正に使ってもよい。

【0048】

[インプリント処理]
図６のフローチャートを参照して、上記した補正テーブルまたは近似式を使用したインプリントシーケンスを説明する。はじめに、処理対象のデバイス生産用基板に下地レイヤが形成されている場合には、該デバイス生産用基板を基板ステージ２０に搭載し、下地のアライメントマークを第１計測部５０により計測してショットの位置が特定される。アライメントが完了した後、各ショットに対するインプリントシーケンスに進む。

【0049】

Ｓ２０では、制御部６０は、補正テーブル（または近似式）から、対象ショットに対応する基板ステージの補正量を取得する。Ｓ２１では、制御部６０は、対象ショットが供給部４０の下に来るように基板ステージ２０を移動させる。このとき制御部６０は、Ｓ２０で取得された補正量に基づいて、位置ずれが相殺される方向にステージ位置（ステージの駆動指令値）を補正し、ディスペンス直前のステージの最終位置を決定する。ステージ位置の補正軸は、補正テーブルから得られるＸＹθｚの３軸全てを使用してもよいし、位置ずれ量の特に大きな１軸のみや、２軸を選択して使用してもよい。このように、制御部６０は、予め得られた補正データ（補正テーブルまたは近似式）に基づいて、インプリント材の供給位置へ基板を移動させるためのステージの駆動指令値が補正される。

【0050】

図１１は、ステージをスキャン駆動しながら１ショットに対するインプリント材の供給を行う場合に、スキャン開始時のステージ位置およびスキャン終了時のステージ位置を補正テーブルから求めることを説明する図である。図１１（ａ）に示されるスキャン開始時のステージ位置に関して、補正テーブルから、スキャン開始時のステージ位置を挟んだ前後の位置で検出された位置ずれ量がそれぞれ抜き出される。このとき、当該ショットの位置ずれ量ΔＹと、スキャン方向（Ｙ方向）左隣のショットの位置ずれ量ΔＹ_Ｌが選ばれ、それら２点から得られる１次近似式からスキャン開始時のステージ位置の補正量ΔＹ_ｓｔａｒｔが決定される。図１１（ｂ）に示されるスキャン終了時のステージ位置に関しても同様に、補正テーブルから、スキャン終了時のステージ位置を挟んだ前後の位置で検出された位置ずれ量がそれぞれ抜き出される。このとき、当該ショットの位置ずれ量ΔＹと、スキャン方向（Ｙ方向）右隣のショットの位置ずれ量ΔＹ_Ｒが選ばれ、それら２点から得られる１次近似式からスキャン終了時のステージ位置の補正量ΔＹ_ｅｎｄが決定される。

【0051】

θｚの補正量としては、補正テーブルの当該ショットの登録値がそのまま使用される。そして、ディスペンス処理において（Ｓ２２）は、制御部６０は、微動ステージを回転させて当該ショットのθｚ位置を補正し、粗動ステージのＸＹ位置をディスペンス開始位置に移動する。このとき、制御部６０は、補正後のスキャン開始時のステージ位置からステージスキャン駆動を開始し、補正後のスキャン終了時のステージ位置に向かってスキャン駆動を行い、ディスペンスを完了させる。

【0052】

ここで、補正テーブル作成時のショットレイアウトと異なるショットレイアウトでデバイス生産用基板を処理する場合は、補正テーブルの中に各ショットに対応する（ステージ座標が一致する）補正値が含まれない。このような場合も、前述の方法と同様に、処理対象ショットに最も近い両側の２点から得られる１次近似式を用いて各ショットの補正値が決定される。

【0053】

対象ショットへのディスペンスが完了したら、当該ショットをモールドＭのパターン面の下に位置させるようステージの移動が行われ（Ｓ２３）、その後、インプリント処理が行われる（Ｓ２４）。この一連の動作が、基板上の全てのショットに対して繰り返される（Ｓ２５）。

【0054】

＜第２実施形態＞
[連続ディスペンスにおける補正方法]
デバイス生産用基板１枚あたりの処理時間を短縮するために、複数のショットへ連続してディスペンスした後に、それらのショットを連続してインプリント処理（接触→硬化→離型）を行うシーケンスが有用である。このシーケンスでは、１枚の基板を処理するために必要な基板ステージの移動距離を削減できるため、スループットが向上する。

【0055】

ステージをスキャン駆動しながら順次インプリント材を供給していくディスペンス方法においては、スキャン方向に隣接するショット群を１つのグループとして定義し、グループ毎に連続的にディスペンス処理が行われる。例えば、Ｘ方向にスキャン駆動する場合は、Ｘ方向に隣接するショット群（ショットレイアウトのＹ座標が同一のショット群）が１つのグループとして定義される。そして、ディスペンサに最も近いショットからディスペンスが開始され、最も遠いショットまでステージのスキャン速度を維持しながら順次ディスペンスされていく。

【0056】

このような連続ディスペンスのシーケンスにおけるステージ位置の補正を説明する。ディスペンス時のステージ位置を補正するための補正テーブルは、第１実施形態で説明した１ショットディスペンスのシーケンスにおいて作成された補正テーブルを流用することができる。あるいは、連続ショットディスペンスのシーケンスにおいて補正テーブルが作成されてもよいが、１ショットディスペンスの補正テーブルと同じく、ショット毎にＸＹθｚの位置ずれ量が記録される。

【0057】

デバイス生産用基板のディスペンス時には、制御部６０は、ディスペンス対象のショットグループに属する各ショットの位置ずれ量を補正テーブルから抜き出し、それらの値から近似式を作成する。制御部６０は、例えば、グループに属するショットが２ショットの場合は１次近似式、３ショット以上ある場合は２次近似式を作成する。そして、ディスペンス時のステージのスキャン駆動中は、制御部６０は、その近似式で得られる位置ずれ量を補正するようにステージの位置を調整しながらスキャン駆動を行う。ここで、Ｘ方向にスキャン駆動する場合は、スキャン駆動中の位置補正にはＹ位置を補正するための近似式と、θｚ位置を補正するための近似式が使用される。Ｘ位置を補正するための近似式は、スキャン開始時のステージＸ位置の補正に使用される。

【0058】

＜第３実施形態＞
[デバイス生産用基板を用いた位置ずれ検出]
図１２は、第３実施形態におけるインプリントシーケンスのフローチャートである。本実施形態では、デバイス生産用基板の処理に先立って予め補正テーブルを準備する上述の実施形態とは異なり、デバイス生産用基板の処理の中で補正テーブルが作成される。

【0059】

Ｓ３０では、制御部６０は、デバイス生産用基板を基板ステージに供給する、Ｓ３１では、制御部６０は、基板ステージ上の基板が計測対象基板である否かを判定する。計測対象基板は、例えば、所定枚数（例えば１００枚）ごと、所定ロットごと、所定時間ごと（例えば、数時間ごと、数日間ごとなど）、あるいはそれらの組み合わせ、等のルールに従って選択される基板でありうる。基板ステージ上の基板が計測対象基板である場合にはＳ３２に進み、そうでなければＳ３７に進む。

【0060】

Ｓ３２では、制御部６０は、計測用のディスペンス処理を行う（第１工程）。ここでディスペンスされるインプリント材の量は、例えば、後のインプリント処理時にショット上のインプリント材の量が過剰にならないように制限されてもよい。Ｓ３３では、制御部６０は、供給されたインプリント材の位置を計測し当該ショットのＸＹθｚそれぞれに関する目標位置からの位置ずれ量を取得する（第２工程）。前述の実施形態とは異なり、この計測に用いたショットにも通常のインプリント処理が行われるため、Ｓ３２でディスペンスされたインプリント材の硬化は行わない。本実施形態では、供給されたインプリント材の液滴の位置を１滴ずつ計測する方法では計測時間が長くなるため、計測対象とする液滴を少なくし（供給する液滴の数を少なくし）、インプリント材が揮発して消失する前に計測を完了させる。

【0061】

Ｓ３４では、制御部６０は、全ての計測対象ショットの計測が終わったか否かを判定する。全ての計測対象ショットの計測がまだ終わっていない場合はＳ３２に戻って次の計測対象ショットについての計測を行う。全ての計測対象ショットの計測が終わった場合には、Ｓ３５に進む。Ｓ３５では、制御部６０は、補正テーブルを作成する（第３工程）。補正テーブルの作成方法は前述の実施形態と同様である。

【0062】

Ｓ３５の終了後、Ｓ３６で、制御部６０は、インプリント材が過剰に供給された状態でインプリント処理が行われないよう、インプリント材が揮発するまで待機する。もちろん、計測用インプリント材が後のインプリント処理に影響しない場合にはこの待機は不要である。例えば、ショットの中心付近にのみ計測用インプリント材が供給されるケースや、インプリント用のインプリント材の供給の調整によって影響が相殺されるケースでは、計測用インプリント材は後のインプリント処理に影響しない。また、計測対象外のショットから先にインプリント処理を行うシーケンスとすることで計測対象ショットのインプリント時には既にインプリント材が揮発しているケースも、計測用インプリント材は後のインプリント処理に影響しない。

【0063】

Ｓ３７では、制御部６０は、対象ショットに対する本ディスペンスを行う（第４工程）。この工程は、Ｓ３５で得られた補正データ（補正テーブル）に基づいて、基板を移動させるためのステージの駆動指令値を補正する工程を含む。Ｓ３８では、制御部６０は、接触工程（第５工程）、硬化工程（第６工程）、および離型工程（第７工程）を含むインプリント処理を行う。Ｓ３９では、制御部６０は、全てのショットに対するインプリント処理が終了したか否かを判定する。全てのショットに対するインプリント処理が終了していない場合はＳ３７に戻り次のショットのインプリント処理が実施される。全てのショットに対するインプリント処理が終了した場合はＳ４０に進む。Ｓ４０では、制御部６０は、全ての基板に対するインプリント処理が終了したか否かを判定する。全ての基板に対するインプリント処理が終了していない場合はＳ３０に戻り次の基板に対するインプリント処理が実施される。全ての基板に対するインプリント処理が終了した場合、この処理が終了する。

【0064】

＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

【0065】

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

【0066】

次に、物品製造方法について説明する。図１３の工程ＳＡでは、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

【0067】

図１３の工程ＳＢでは、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１３の工程ＳＣでは、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

【0068】

図１３の工程ＳＤでは、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

【0069】

図１３の工程ＳＥでは、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１３の工程ＳＦでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

【0070】

＜基板上の組成物を平坦化する方法の実施形態＞
本実施形態では凹凸パターンがない平面部を有する型（ブランクテンプレート）を用いて、平面部によって基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化方法について説明する。

【0071】

図１４は、基板上の組成物を平坦化する方法を説明する図である。上述の実施形態は型（テンプレート）に予め描画されたパターンを基板に転写する方法であるのに対し、本実施形態では、型（平面テンプレート）には凹凸パターンが描画されていない。基板Ｗ上の下地パターンＵＬは、前の工程で形成されたパターン起因の凹凸プロファイルを有しており、特に近年のメモリ素子の多層構造化に伴いプロセスウエハは100nm前後の段差を持つものも出てきている。基板全体の緩やかなうねりに起因する段差は、フォト工程で使われているスキャン露光装置のフォーカス追従機能によって補正可能である。しかし、露光装置の露光スリット面積内に収まってしまうピッチの細かい凹凸は、そのまま露光装置のDOF(Depth Of Focus)を消費してしまう。基板上の下地パターンを平滑化する従来手法としてSOC(Spin On Carbon), CMP(Chemical Mechanical Polishing)のような平坦化層を形成する手段が用いられている。しかし従来例においては、図１４（ａ）における孤立パターン領域Ａと繰り返しDense（ライン＆スペースパターンの密集）パターン領域Ｂの境界部分においては40%～70%の凹凸抑制率で十分な平坦化性能が得られない問題がある。今後、多層化による下地の凹凸差は更に増加する傾向にある。

【0072】

この問題に対する解決策として、米国特許第９４１５４１８号では、平坦化層となるレジスト（組成物）のインクジェットディスペンサによる塗布と平面テンプレートによる押圧によって連続膜を形成する手法が提案されている。また、米国特許第８３９４２８２号では、基板側のトポグラフィ計測結果をインクジェットディスペンサによって塗布指示するポジション毎の濃淡情報に反映する方法が提案されている。本実施形態は、特に予め塗布された未硬化の組成物に対して平面テンプレートＴを押し当てて基板面内の局所平面化を行う平坦加工（平坦化）装置に対して本発明を適用したものである。

【0073】

図１４（ａ）は、平坦化加工を行う前の基板Ｗを示している。孤立パターンエリアＡにおいてはパターン凸部分の面積が少なく、DenseエリアＢではパターン凸部分の占める面積は凹部分の占める面積とおよそ１：１である。孤立パターンエリアＡとDenseエリアＢの平均の高さは、凸分の占める割合で異なった値をとる。
図１４（ｂ）は、基板Ｗに対して平坦化層を形成するための組成物が塗布された状態を示している。図１４（ｂ）においては米国特許第９４１５４１８号に基づいて、インクジェットディスペンサによって組成物を塗布した状態を示している。
図１４（ｃ）において、平面テンプレートＴは紫外線を透過するガラスまたは石英で構成されたものであり、露光光源Ｌからの露光光の照射によって硬化する。一方、平面テンプレートＴは基板全体のなだらかな凹凸に対しては基板表面のプロファイルにならう。
図１４（ｄ）は、組成物の硬化後に平面テンプレートＴが剥離された状態を示している。

【0074】

上述したような平坦化装置にも本発明を適用可能であり、上述の実施形態と同じく組成物の供給位置ずれの低減という観点において同様の効果が得られる。

【符号の説明】

【0075】

１０：インプリントヘッド、２０：基板ステージ、３０：硬化部、４０：供給部（ディスペンサ）、５０：第１計測部、６０：制御部、７０：第２計測部、１００：インプリント装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】