特許 7472149 取り外し可能なストレージの性能を向上させるための方法及び機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-12

(45)【発行日】2024-04-22

(54)【発明の名称】取り外し可能なストレージの性能を向上させるための方法及び機器

(51)【国際特許分類】

   G06F 1/20 20060101AFI20240415BHJP

   G06F 1/3234 20190101ALI20240415BHJP

   G06F 13/14 20060101ALI20240415BHJP

   G06K 7/00 20060101ALI20240415BHJP

   G06K 19/07 20060101ALI20240415BHJP

   G06K 19/073 20060101ALI20240415BHJP

   G06K 19/077 20060101ALI20240415BHJP

【ＦＩ】

G06F1/20 D

G06F1/20 C

G06F1/3234

G06F13/14 330B

G06K7/00 056

G06K19/07 170

G06K19/073

G06K19/077 160

G06K19/077 188

G06K19/077 164

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2021540490

(86)(22)【出願日】2020-01-04

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-03-03

(86)【国際出願番号】 US2020012282

(87)【国際公開番号】W WO2020150017

(87)【国際公開日】2020-07-23

【審査請求日】2022-11-28

(31)【優先権主張番号】16/248,139

(32)【優先日】2019-01-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】314015767

【氏名又は名称】マイクロソフト テクノロジー ライセンシング，エルエルシー

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(74)【代理人】

【識別番号】100135079

【弁理士】

【氏名又は名称】宮崎 修

(72)【発明者】

【氏名】スコット，ジョージ イーストン，サード

【審査官】白石 圭吾

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０３５０４１０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０３４９２４３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－１８１７３１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０６Ｆ １／２０

Ｇ０６Ｆ １／２６－１／３２９６

Ｇ０６Ｆ １３／００－１３／１４

Ｇ０６Ｋ ７／００－７／１４

Ｇ０６Ｋ １９／００－１９／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

取り外し可能な記憶装置であって、当該取り外し可能な記憶装置は、
データを記憶するように構成されるメモリと、
該メモリと通信するプロセッサと、を含み、
該プロセッサは、
当該取り外し可能な記憶装置の動作の初期化に応答して、当該取り外し可能な記憶装置の周りの環境を熱的に強化した環境又は熱的に強化していない環境として識別し、
該識別した環境に基づいて、当該取り外し可能な記憶装置の熱制御ループアルゴリズムを調整し、前記熱的に強化した環境を識別することに応答して、前記プロセッサによる処理作業の単位当たりの予想温度上昇を減らし、及び
前記熱制御ループアルゴリズムに応答して、前記プロセッサの処理動作を制御する、ように実行可能である、
取り外し可能な記憶装置。

【請求項2】

前記熱制御ループアルゴリズムを調整するために、前記プロセッサは、
前記熱的に強化した環境の識別に応答して、前記熱制御ループアルゴリズムで使用するための１つ又は複数の制御ループパラメータの第１のセットを選択し、及び
前記熱的に強化していない環境の識別に応答して、前記熱制御ループアルゴリズムの１つ又は複数の制御ループパラメータの第２のセットを選択する、ように構成され、
前記１つ又は複数の制御ループパラメータの前記第１のセットを使用する前記熱制御ループアルゴリズムは、前記１つ又は複数の制御ループパラメータの前記第２のセットを使用する前記熱制御ループアルゴリズムと比較して、前記プロセッサによる処理作業の単位当たりの予測温度上昇を低くする、請求項１に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項3】

前記熱制御ループアルゴリズムは第１の熱制御ループアルゴリズムであり、前記熱制御ループアルゴリズムを調整するために、前記プロセッサは、
前記熱的に強化した環境の識別に応答して、第２の熱制御ループアルゴリズムを選択し、及び
前記熱的に強化していない環境の識別に応答して、第３の熱制御ループアルゴリズムを選択する、ように構成され、
前記第２の熱制御ループアルゴリズムは、前記第３の熱制御ループアルゴリズムと比較して、処理作業の単位当たりの予測温度上昇を低くする、請求項１に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項4】

前記プロセッサの処理動作を制御するために、前記プロセッサは、
プロセッサ作業要求を受信し、
前記熱制御ループアルゴリズムに従って予想温度上昇を決定し、
現在の温度を特定し、
該現在の温度と前記予想温度上昇との合計を熱しきい値と比較し、
前記合計が前記熱しきい値以下であることに応答して、前記プロセッサ作業要求を受け入れ、及び
前記合計が前記熱しきい値よりも大きいことに応答して、前記プロセッサ作業要求を遅らせる、ようにさらに構成される、請求項１に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項5】

前記メモリは不揮発性メモリを含み、当該取り外し可能な記憶装置は、
前記プロセッサの現在の温度を検出するように構成されるプロセッサ温度センサ、又は前記不揮発性メモリの現在の温度を検出するように構成されるメモリ温度センサの少なくとも一方をさらに含み、
前記予想温度上昇を決定するために、前記プロセッサは、プロセッサの予想温度上昇又は不揮発性メモリの予想温度上昇の少なくとも一方を決定するようにさらに構成され、
前記現在の温度を特定するために、前記プロセッサは、前記プロセッサの前記現在の温度又は前記不揮発性メモリの前記現在の温度の少なくとも一方を特定するようにさらに構成され、
前記熱しきい値には、プロセッサ熱しきい値又はメモリ熱しきい値の少なくとも一方が含まれ、
前記合計を前記熱しきい値と比較するために、前記プロセッサは、前記プロセッサの前記現在の温度と前記プロセッサの予想温度上昇との第１の合計を前記プロセッサ熱しきい値と比較すること、又は前記不揮発性メモリの前記現在の温度と前記不揮発性メモリの予想上昇温度との第２の合計を前記メモリ熱しきい値と比較することの少なくとも一方を行うようにさらに構成され、
前記プロセッサは、前記第１の合計が前記プロセッサ熱しきい値以下であること、又は前記第２の合計が前記メモリ熱しきい値以下であることの少なくとも一方に応答して、前記プロセッサ作業要求を受け入れるようにさらに構成され、
前記プロセッサは、前記第１の合計が前記プロセッサ熱しきい値よりも大きいこと、又は前記第２の合計が前記メモリ熱しきい値よりも大きいことの少なくとも一方に応答して、前記プロセッサ作業要求を遅らさせる、ようにさらに構成される、請求項４に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項6】

前記プロセッサは、
前記初期化後に、前記熱的に強化した環境の変化を検出し、
前記熱的に強化した環境の前記変化に基づいて、当該取り外し可能な記憶装置の前記熱制御ループアルゴリズムを更新することによって、更新した熱制御ループを生成し、及び
該更新した熱制御ループアルゴリズムに応答して、前記プロセッサの処理動作を制御する、ようにさらに構成される、請求項１に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項7】

前記熱的に強化した環境の変化を検出するために、前記プロセッサは、
前記熱的に強化した環境においてオンになっている冷却装置、
前記熱的に強化した環境においてオフになっている冷却装置、又は
前記熱的に強化した環境の熱放散率の変化、の少なくとも１つを検出する、ようにさらに構成される、請求項６に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項8】

前記プロセッサと通信する少なくとも１つの入力／出力（Ｉ／Ｏ）ピンをさらに含み、該入力／出力（Ｉ／Ｏ）ピンは、前記初期化中に、前記熱的に強化した環境又は前記熱的に強化していない環境のいずれかを識別する環境識別信号を受信するように構成される、請求項１に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項9】

前記メモリ及び前記プロセッサが取り付けられるハウジングであって、外面を有するハウジングと、
該ハウジングの前記外面の一部を規定するか、又は前記外面に接続される熱伝導要素であって、前記ハウジング内から少なくともいくらかの熱を放散するように構成される熱伝導要素と、をさらに含む、請求項１に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項10】

前記プロセッサと通信し、且つ前記熱伝導要素に接続する電気経路を有する少なくとも１つの入力／出力（Ｉ／Ｏ）ピンをさらに含み、該Ｉ／Ｏピンは、前記初期化中に、前記熱的に強化した環境又は前記熱的に強化していない環境のいずれかを識別する環境識別信号を前記電気経路を介して受信するように構成される、請求項９に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項11】

前記熱伝導要素は、前記取り外し可能な記憶装置がホスト装置に対して第２の位置に移動することに応答して、前記ホスト装置の熱インターフェイス部材の接触領域と整列する、前記ハウジング上の第１の位置を有しており、前記第２の位置には挿入位置が含まれる、請求項９に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項12】

前記プロセッサは、当該取り外し可能な記憶装置がホスト装置に接続されているかどうかを判定することによって前記初期化を検出するようにさらに構成され、
前記ホスト装置は、当該取り外し可能な記憶装置の周りの前記環境を規定する構造を含み、前記ホスト装置に接続されていると判定された場合は、当該取り外し可能な記憶装置の前記動作が初期化されていることを示す、請求項１に記載の取り外し可能な記憶装置。

【請求項13】

取り外し可能な記憶装置の動作方法であって、当該動作方法は、
前記取り外し可能な記憶装置の動作の初期化に応答して、前記取り外し可能な記憶装置の周りの環境を熱的に強化した環境又は熱的に強化していない環境として識別するステップと、
該識別した環境に基づいて、前記取り外し可能な記憶装置の熱制御ループアルゴリズムを調整するステップと、
前記熱制御ループアルゴリズムに応答して、プロセッサの処理動作を制御するステップと、を含み、
該処理動作を制御するステップは、
前記熱制御ループアルゴリズムに従って予想温度上昇を決定するステップと、
該予想温度上昇及び現在の温度に基づいてプロセッサ作業要求を受け入れる又は遅らせるステップと、を含む、
動作方法。

【請求項14】

前記熱制御ループアルゴリズムを調整するステップは、
前記熱的に強化した環境の識別に応答して、前記熱制御ループアルゴリズムで使用するための１つ又は複数の制御ループパラメータの第１のセットを選択するステップと、
前記熱的に強化していない環境の識別に応答して、前記熱制御ループアルゴリズムの１つ又は複数の制御ループパラメータの第２のセットを選択するステップと、を含み、
前記１つ又は複数の制御ループパラメータの前記第１のセットを使用する前記熱制御ループアルゴリズムは、前記１つ又は複数の制御ループパラメータの前記第２のセットを使用する前記熱制御ループアルゴリズムと比較して、前記プロセッサによる処理作業の単位当たりの予測温度上昇を低くする、請求項１３に記載の動作方法。

【請求項15】

前記熱制御ループアルゴリズムは第１の熱制御ループアルゴリズムであり、前記熱制御ループアルゴリズムを調整するステップは、
前記熱的に強化した環境の識別に応答して、第２の熱制御ループアルゴリズムを選択するステップと、
前記熱的に強化していない環境の識別に応答して、第３の熱制御ループアルゴリズムを選択するステップと、を含み、
前記第２の熱制御ループアルゴリズムは、前記第３の熱制御ループアルゴリズムと比較して、処理作業の単位当たりの予測温度上昇を低くする、請求項１３に記載の動作方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、概して、記憶（storage：ストレージ）システム、より具体的には、取り外し可能な記憶（removable
storage）カードの性能を向上させるための１つ又は複数の方法又は機器に関する。

【背景技術】

【0002】

いくつかの電子装置、例えばゲームシステム、コンピュータ、タブレット、及び携帯電話は、ファイルを記憶するための内部メモリが限られている。限られた内部メモリを補償するために、そのような装置は、セキュアデジタル（ＳＤ）メモリカード、マイクロＳＤカード、又はコンパクトフラッシュ（登録商標）（ＣＦ）メモリカードを含むがこれらに限定されない、外部の取り外し可能なメモリカードを使用することにより、装置のストレージ容量を拡張することができる。外部メモリカードは電子装置のストレージ容量を大幅に増やすことができるが、その性能は熱によって制限される可能性がある。外部メモリカードは、それ自体の性能及び／又はそのカードが挿入されている電子装置からの熱によって温度が上昇する可能性がある。外部メモリカードの温度が急激に上昇すると、メモリカード及び／又はそのカードが挿入されている電子装置の性能に悪影響を与える可能性がある。

【0003】

コンピュータ及びゲームシステム等の、外部記憶装置を利用する電子装置の速度及び性能の向上の結果として、改良された外部記憶装置の必要性が生じてきた。

【発明の概要】

【0004】

以下では、そのような態様の基本的な理解を与えるために、１つ又は複数の態様の簡略化した概要を提示する。この概要は、企図される全ての態様の広範な概要ではなく、全ての態様の重要な又は重大な要素を特定したり、一部又は全ての態様の範囲を説明したりすることを目的としたものではない。その唯一の目的は、後で提示するより詳細な説明の前置きとして、１つ又は複数の態様のいくつかの概念を簡略化した形式で提示することである。

【0005】

本開示の一態様では、方法、コンピュータ可読媒体、及び機器が提供される。機器は、取り外し可能な記憶装置（removable storage device）であり得る。機器は、命令を記憶するように構成されるメモリと、メモリと通信するプロセッサとを含むことができる。機器は、装置の動作の初期化に応答して、装置の周りの環境を熱的に強化した環境又は熱的に強化していない環境として識別することができる。機器は、識別した環境に基づいて、装置の熱制御ループアルゴリズムを調整することもできる。さらに、機器は、調整した熱制御ループアルゴリズムに応答して、プロセッサの処理動作を制御することができる。

【0006】

本開示の別の態様では、方法、コンピュータ可読媒体、及び機器が提供される。機器は、ホスト装置であり得る。機器は、貫通孔を規定する内壁を有するハウジングを含むことができ、ハウジングは、少なくとも取り外し可能なメモリカード環境及び別個の追加のコンポーネント環境を含むことができる。機器は、取り外し可能なメモリカード環境内に取り付けられた取り外し可能なメモリカードインターフェイスも含むことができ、貫通孔と整列したスロットを有することができる。機器は、スロット内に取り外し可能に位置付け可能であり、熱インターフェイス部材と接触可能である取り外し可能な記憶カードを含むことができる。取り外し可能な記憶カードは、カードの動作の初期化に応答して、取り外し可能なメモリカード環境を熱的に強化した環境又は熱的に強化していない環境として識別するように実行可能なプロセッサを含むことができる。プロセッサは、識別した環境に基づいて、カードの熱制御ループアルゴリズムを調整することもできる。また、プロセッサは、調整した熱制御ループアルゴリズムに応答して、処理動作を制御することができる。

【0007】

本開示の別の態様では、方法、コンピュータ可読媒体、及び機器が提供される。機器は、取り外し可能な記憶装置であり得る。機器は、ホスト装置等を使用して、取り外し可能な記憶装置の動作を初期化することができる。機器は、装置の動作の初期化に応答して、装置の周りの環境を、熱的に強化した環境又は熱的に強化していない環境として識別することもできる。さらに、機器は、識別した環境に基づいて、取り外し可能な記憶装置の熱制御ループアルゴリズムを選択することができる。機器は、識別した環境に基づいて、装置の熱制御ループアルゴリズムを調整することもできる。さらに、機器は、調整した熱制御ループアルゴリズムに応答して、プロセッサの処理動作を制御することができる。

【0008】

本開示の１つ又は複数の例の詳細は、添付の図面及び以下の説明に記載される。本開示の他の特徴、目的、及び利点は、詳細な説明及び図面、並びに特許請求の範囲から明らかになろう。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示の１つ又は複数の技術による例示的なコンピュータメモリ記憶システムの概略図である。

【図2A】本開示の１つ又は複数の技術による例示的な取り外し可能な記憶装置の上面図である。

【図2B】本開示の１つ又は複数の技術による例示的な取り外し可能な記憶装置の正面図である。

【図2C】本開示の１つ又は複数の技術による例示的な取り外し可能な記憶装置の底面図である。

【図2D】本開示の１つ又は複数の技術による例示的な取り外し可能な記憶装置の右側面図である（左側面図は右側面図と同一である）。

【図3A】本開示の１つ又は複数の技術による取り外し可能な記憶カードインターフェイスのカードスロット内に挿入された例示的な取り外し可能な記憶装置の上面図である。

【図3B】本開示の１つ又は複数の技術による取り外し可能な記憶カードインターフェイスのカードスロット内に挿入された例示的な取り外し可能な記憶装置の正面図である。

【図3C】本開示の１つ又は複数の技術による取り外し可能な記憶カードインターフェイスのカードスロット内に挿入された例示的な取り外し可能な記憶装置の底面図である。

【図3D】本開示の１つ又は複数の技術による取り外し可能な記憶カードインターフェイスのカードスロット内に挿入された例示的な取り外し可能な記憶装置の右側面図である（左側面図は右側面図の鏡像である）。

【図4A】本開示の１つ又は複数の技術による取り外し可能な記憶カードインターフェイスのカードスロット内に挿入された例示的な取り外し可能な記憶装置を含むホスト装置の概略左側断面図である。

【図4B】本開示の１つ又は複数の技術による取り外し可能な記憶カードインターフェイスのカードスロット内に挿入された例示的な取り外し可能な記憶装置を含むホスト装置の概略左側断面図である。

【図5】本開示の１つ又は複数の技術による、予想温度変化対取り外し可能な記憶装置によって行われる作業量（例えば、読取り、書込み）の異なる取り外し可能な記憶装置環境の異なる例示的な曲線のグラフである。

【図6A】本開示の１つ又は複数の技術による、予想動作温度（例えば、現在の温度プラス特定の作業量に対する予想温度変化）を臨界温度しきい値と比較する例における、熱的に強化していない環境の例及び熱的に強化した環境の例についての温度対単位作業のグラフである。

【図6B】本開示の１つ又は複数の技術による、予想動作温度（例えば、現在の温度プラス特定の作業量に対する予想温度変化）を臨界温度しきい値と比較する例における、熱的に強化していない環境の例及び熱的に強化した環境の例についての温度対単位作業のグラフである。

【図7】本開示の１つ又は複数の技術による、作業によって現在の動作温度が臨界温度しきい値まで上昇する場合の熱的に強化していない環境の例及び熱的に強化した環境の例における、作業を行うための温度対時間のグラフである。

【図8】本開示の１つ又は複数の技術による例示的な方法のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0010】

システム、機器、コンピュータプログラム製品、及び方法の様々な態様について、添付の図面を参照して以下により完全に説明する。しかしながら、本開示は、多くの異なる形態で具体化され得るものであり、本開示全体を通して提示される任意の特定の構造又は機能に限定されると解釈すべきではない。むしろ、これらの態様は、本開示が全体的且つ完全であり、本開示の範囲を当業者に完全に伝えるように提供される。本明細書の教示に基づいて、当業者は、本開示の範囲が、本開示の他の態様とは独立して、又は組み合わせて実施されるかどうかにかかわらず、本明細書に開示されるシステム、機器、コンピュータプログラム製品、及び方法の任意の態様を網羅することを意図することを理解すべきである。例えば、機器を実装することができ、又は方法を、本明細書に記載の任意の数の態様を使用して実施することができる。さらに、本開示の範囲は、本明細書に記載の本開示の様々な態様に加えて、又はその態様以外に、他の構造、機能、又は構造及び機能を使用して実施されるそのような機器又は方法を網羅することを意図している。本明細書に開示される任意の態様は、特許請求の範囲の１つ又は複数の要素によって具体化することができる。

【0011】

取り外し可能な記憶装置又は外部メモリカードは、電子装置のストレージ又はメモリ容量を増大させるのに役立ち得る。メモリカード又は取り外し可能な記憶カード、例えばフラッシュ又は不揮発性メモリベースの取り外し可能な記憶カードの性能は、そのカードが動作している熱環境又は環境によって制限される可能性がある。いくつかの態様では、メモリカードの熱管理システムは、カードの熱動作限界を超えないように、周囲環境に関して悲観的（pessimistic）な想定を行う可能性がある。そのような動作限界は、例えばプロセッサ（例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））及び／又はメモリ（例えば、ＮＡＮＤタイプのフラッシュ）及び／又はカードの熱動作しきい値を含み得る。悲観的な想定は、熱動作限界に達する前に、性能レート制限、つまり「スロットリング（throttling）」をもたらす可能性がある。例えば、メモリカードは、予測動作温度が熱しきい値を超えないようにするのに十分な速さで、カードによって生成される予想熱量が周囲環境に放散されない場合に、熱スロットリングが実行され得る。つまり、カードの性能及び対応する熱出力を制限する。

【0012】

場合によっては、メモリカードは、典型的な動作環境を想定し得る熱管理システム又は熱制御ループを含み得る。このような場合に、例えば、動作環境に熱放散を改善するための強化した熱機能が含まれている場合等に、メモリカードは必要以上に早くスロットリングを開始することがある。さらに、フラッシュダイ温度の読取り速度の制限、及び結果の値の不正確さにより、熱管理システム又は熱制御ループが、周囲環境の熱特性に関して過度に保守的な想定を行うことを余儀なくされる可能性がある。これらの想定により、メモリカードの実際の熱制限に達するかなり前に熱スロットリングが発生する可能性がある。

【0013】

いくつかの態様では、メモリカードは、カードが挿入されている装置から瞬時の最大作業要求を受信することができる。メモリカードが既に自己負担の熱制限に近づいている場合に、熱制限を超えないように、この作業要求の処理を延期する必要がある。しかしながら、本態様で開示されるように、メモリカードが周囲の熱環境に関する正確な情報を有する場合に、余分な熱作業負荷を周囲環境によって放散することができることが理解され得る。従って、メモリカードは、作業要求を受け入れることができ、将来の作業要求を続行することさえ可能にする。そのため、メモリカード又は取り外し可能な記憶装置が周囲環境の熱放散特性を考慮できることは有利である可能性がある。

【0014】

取り外し可能な記憶装置又はメモリカード、例えばＳＤカード、マイクロＳＤカード、又はＣＦカードは、典型的に、機能するために多くの電力を必要としない可能性がある低性能装置である。以前の取り外し可能な記憶カードが主に低性能環境で動作していたため、高性能記憶カードはそれほど必要ではなかった。しかしながら、高性能装置及び環境の出現により、メモリカードは、高性能環境に挿入されるとき等、高性能装置として機能する必要性が高まっている。いくつかの態様では、低電力メモリカードが高電力環境に挿入される場合に、そのカードは周囲環境の可能性に応えることができないかもしれない。従って、メモリカードが高性能環境を完全に処理して評価することができれば、メモリカードと周囲環境との両方にとって有益である可能性がある。本明細書に開示されるように、例えば、メモリカードが高性能環境にある場合に、メモリカードが環境で活性化又はインストールされることに応答して増大した性能及び／又は温度で動作することを可能にするために、正確な作業環境を決定することが有益であり得る。

【0015】

本解決策の前に、特定のＳＤ、マイクロＳＤ、又はＣＦメモリカード等のいくつかの比較的高性能の取り外し可能な記憶カードは、それらカードが動作する熱環境及び対応する作業（例えば、読取り、書込み）の熱影響について特定の想定を行うことができる。場合によっては、これらの想定は、追加の熱除去機能が存在しない典型的な熱環境を想定し、想定は、作業の熱影響を誤って決定することによってメモリカードの性能を制限する可能性があるという点で悲観的である可能性がある。いくつかの態様では、メモリカードの作業負荷は、動的な性質を有する可能性がある。例えば、高性能カードが未知の環境又は低性能環境で動作している場合に、臨界温度を超えないようにするために、カードは作業量を徐々に増やすことがある。これらの態様では、カードは、例えば臨界温度の直ぐ下等の最終動作温度に到達するのに長い時間がかかる可能性があり、また、高性能環境で動作する高性能カードと比較して、単位時間当たりの作業が少ない。

【0016】

しかしながら、本開示によれば、メモリカードが、想定を行うのではなく、その周囲環境を検出できる場合に、次に、以前の解決策の不正確な想定を、作業の熱影響を決定する際に使用するための正確な既知の値に置き換えることができる。従って、メモリカードは、周囲環境をより完全に理解することで性能を向上させることができる。

【0017】

一例の実施態様では、本開示は、周囲環境及び／又はメモリカードが挿入されている装置を検出し、それに応じて熱制御を調整することができるメモリカードを提供する。例えば、初期化（例えば、ホスト装置への挿入）の際に、本開示によるメモリカードは、周囲環境のタイプを示す信号を受信することができる。応答して、本開示によるメモリカードは、異なる熱放散特性を有する異なる動作環境と関連する複数の異なる熱制御パラメータ及び／又は複数の異なる熱制御アルゴリズムから、対応する熱制御パラメータ及び／又は対応する熱制御アルゴリズムを選択又は他に決定することができる。例えば、一実施態様では、信号は、熱的に強化した環境又は熱的に強化していない環境のいずれかを示し得、そのような環境は、メモリカードに直ぐ隣接する及び／又はメモリカードの周りにあるホスト装置内又はホスト装置上の領域によって規定される。熱的に強化した環境は、メモリカードのローカル環境から特に熱を除去するように設計された１つ又は複数の特徴を含み得る。対照的に、熱的に強化していない環境には、メモリカードによって生成された熱を特に除去するためのメモリカードのローカル環境にそのような特徴はない。いくつかの実施態様では、例えば、メモリカードのローカル環境に存在する熱放散コンポーネントの数、タイプ、又は現在の状態（例えば、オン又はオフ）に基づいて、複数の異なる熱的に強化した環境が存在し得る。そのような熱放散コンポーネントは、例えば、メモリカードのローカル環境を冷却するように特別に構成されたファン、及び／又はメモリカードからの熱経路を提供する他のコンポーネントを含み得る。いずれにせよ、メモリカードの検出した環境に基づいて、メモリカードは、環境の熱特性に対応するように熱制御パラメータ及び／又はアルゴリズムを調整することができ、それにより、メモリカードによって実行される作業に対してより環境固有の熱制御を提供することができる。

【0018】

いくつかの実施態様では、追加の態様によれば、本開示のメモリカードは、メモリカードコンポーネント（例えば、プロセッサ及び／又はメモリ）及び／又は環境の温度を測定し、そのような測定値を使用して、熱制御パラメータ及び／又はアルゴリズムをさらに調整することができる。さらに、本明細書のメモリカードは、ある期間に亘ってそのような温度測定値を監視及び記憶して、熱環境がどのように変化するかを決定することもでき、これは、性能を増減させることができ、それに応答して、監視した性能に基づいて熱制御パラメータ及び／又はアルゴリズムを定期的に調整することができる。

【0019】

さらに、実施態様では、本開示は、周囲環境又はメモリカードが挿入されるもの等のホスト装置を含み、これは、メモリカードの環境に関する情報をメモリカードに通信する。このようにして、メモリカードは、そのカードが挿入されている環境又は装置から熱情報を取得することができる。周囲環境又は装置は、環境の様々な熱制限、例えば、冷却装置が有効になる熱制限、熱時定数等をメモリカードに通知することもできる。例えば、メモリカードが挿入されているカードソケット又はカードスロットは、環境に関する情報のシグナリングを伝達するための、カードとの通信インターフェイスを含むことができる。

【0020】

さらに、周囲環境又はホスト装置の特定のコンポーネント、例えば装置のカードスロット又はシャーシは、熱環境の感知及び／又はメモリカードからの熱の放散を支援することができる。こうして、本開示によれば、ホスト装置での初期化時に、メモリカード又は取り外し可能な記憶装置は、これらカード等が動作している環境をよりよく理解し、それに応じて熱制御パラメータ及び／又はアルゴリズムを調整することができる。

【0021】

図１を参照すると、例示的なコンピュータメモリ記憶システム１００は、ホスト装置１４０の初期化（例えば、ホスト装置１４０への挿入）時に、識別した周囲環境１３０に応答して熱制御パラメータ及び／又はアルゴリズムを調整し、それによりメモリカード１１０の性能を向上させるように動作する熱管理システムを有するメモリカード１１０を含む。システム１００は、メモリカード１１０を含み、これ（システム１００）は、カードスロット又はソケット１２０に取り外し可能に挿入可能な保護メモリカードシェル１１２を含み得る。カードスロット１２０は、メモリカード１１０とホスト装置１４０との間で、例えば対応する電気接点の係合を介して、通信インターフェイスを提供する。カードスロット１２０は、コネクタベース１２２に取り付けることができ、さらに、ホスト装置１４０のハウジング内、例えばシャーシ１８８にカードスロット１２０を取り付ける際に使用するためのコネクタタブ１２４を含むことができる。

【0022】

いくつかの態様では、メモリカードシェル１１２は、カードから熱を放散するために、金属又は熱伝導性材料であり得る。カードスロット１２０は、メモリカード１１０及び／又はカードスロット１２０からの熱の放散を助けることができる金属又は熱伝導性材料、例えば銅を含むこともできる。コネクタベース１２２は、熱放散を促進するために、金属又は熱伝導性材料を含むこともできる。

【0023】

周囲環境１３０は、メモリカード１１０、メモリカードシェル１１２、カードスロット又はソケット１２０、コネクタベース１２２、又はコネクタタブ１２４の周囲に又は直ぐ隣にある領域であり得る。特に、周囲環境１３０はまた、ホスト装置１４０内にあり得、ホスト装置１４０内の他の環境１５０から分離又は離間され得る。例えば、周囲環境１３０は、メモリカード１１０又はそのコンポーネントの温度を下げるために、周囲環境１３０から熱を除去するように特に設計及び／又は構成された１つ又は複数の熱放散コンポーネント１３２を有し得る。対照的に、別個の他の環境１５０は、他のホスト装置コンポーネントが、他の環境１５０から熱を除去するように特に構成された１つ又は複数のプロセッサ１５２、１つ又は複数のメモリ１５４、及び／又は１つ又は複数の熱放散コンポーネント１５６等であり得るがこれらに限定されないものに取り付けられるホスト装置１４０内の領域であり得る。この例では、熱放散コンポーネント１３２及び１５６は、それぞれの領域から熱を引き出すことができるファン及び／又は他の任意の熱伝導性コンポーネントを含み得る。

【0024】

本解決策によれば、メモリカード１１０は、熱管理システム１６０を利用して、システム１００の環境、例えば環境１３０をよりよく理解し、それに応じてその内部動作パラメータを調整する。例えば、メモリカード１１０は、熱的に強化した環境１６８又は熱的に強化していない環境１７０等の周囲環境１３０のタイプを示す環境識別情報１６６を含む環境識別信号を受信することができる。場合によっては、環境識別情報１６６は、例えば、周囲環境１３０内の熱放散コンポーネント１３２の数、タイプ、及び／又はモード（例えば、オン／オフ）に対応する、複数の異なるタイプの熱的に強化した環境１６８のうちの１つを示し得る。信号は、メモリカード１１０のカードスロット１２０への挿入、及び／又はホスト装置１４０によって送信される信号に基づき得る。実施態様では、環境識別コンポーネント１６４は、環境識別情報１６６を読み取り又はデコードすることができ、そして周囲環境１３０が、熱的に強化していない環境１７０、例えば低性能の熱環境であるか、又は熱的に強化した環境１６８、高性能の熱環境１３０であるかどうかを識別することができる。

【0025】

例えば、いくつかの態様では、周囲環境１３０の熱的に強化した環境１６８タイプは、ホスト装置１４０に挿入されたときにメモリカード１１０に隣接する領域から熱を除去する能力を有することができ、この熱除去は、積極的又は間接的に達成され得る。例えば、熱的に強化した環境１６８は、例えばメモリカード１１０から熱を放散するために、熱放散のための熱経路を含むことができる。場合によっては、この熱放散経路は、メモリカード１１０から周囲環境内の別のコンポーネント、例えばホスト装置１４０のカードスロット１２０、コネクタベース１２２、コネクタタブ１２４、又はシャーシ１８８への経路であり得る。さらに、熱的に強化した環境１６８は、冷却装置、例えば冷却ファン等であるがこれらに限定されない１つ又は複数の熱放散コンポーネント１３２を含むことができる。一例では、冷却装置は、ホスト装置１４０のメモリカード関連コンポーネント、例えばカードスロット１２０、コネクタベース１２２、コネクタタブ１２４、又はシャーシ１８８に直ぐ隣接及び／又は接触して配置することができ、関連コンポーネントは、コンポーネントを冷却し、メモリカード１１０から間接的に熱を取り除くことができる。

【0026】

いくつかの態様では、メモリカード１１０は、金属ケース又はシェル、例えばメモリカードシェル１１２等であるがこれらに限定されない、１つ又は複数の熱伝導要素を有することができ、熱伝導要素は、メモリカード１１０と熱的に強化した環境１６８との間の熱調整を促進するのを助けることができる。

【0027】

さらに、メモリカード１１０のこれらの熱伝導要素は、導電性でもあり得、これらの熱伝導要素は、環境識別情報１６６を含む環境識別信号を伝達又は生成することができる。例えば、メモリカード１１０が挿入されるカードスロット１２０を介してカードシェル１１２と熱的に強化した環境１６８との間に接触がある場合に、メモリカード１１０は、周囲環境１３０及び／又はホスト装置１４０と通信することができる。例えば、周囲環境１３０、例えばカードスロット１２０、及び／又はホスト装置１４０は、メモリカード１１０に、そのカードが周囲環境１３０の熱的に強化した環境１６８タイプで動作していることを通知することができる。

【0028】

例えば、メモリカード１１０をカードスロット１２０内に挿入すると、電気的及び熱的接触が行われ、これにより、メモリカード１１０と周囲環境１３０及び／又はホスト装置１４０との間の通信が開始される。カードシェル１１２が接地されるか、又はある電位まで上げられる場合に、次に、メモリカード１１０又は環境識別コンポーネント１６４は、この接触を検出し、この状態をメモリカード１１０及び／又は熱管理システム１６０に示すことができる。さらに、メモリカード１１０が接触しておらず、電気信号又は電荷が検出されていない場合に、次に、環境識別コンポーネント１６４は、そのカードが熱的に強化していない環境１７０にあると想定することができる。

【0029】

さらに、メモリカード１１０が、それが熱的に強化した環境１６８又は熱的に強化していない環境１７０のいずれかにあることを確認すると、そのメモリカード１１０は、熱環境を反映するようにそのスロットルアルゴリズムを変更することができる。例えば、一態様では、メモリカード１１０は、熱制御コンポーネント１７２を実行して、周囲環境１３０の識別した異なる熱環境タイプに対応する複数の異なるパラメータ／アルゴリズムから、熱制御パラメータのセット及び／又は熱制御アルゴリズム１７４を選択することができる。例えば、熱的に強化した環境１６８の指標を受信することに応答して、熱制御コンポーネント１７２は、検出した熱的に強化していない環境１７０に応答して、熱の放散を推定するために使用される設定と比較して、周囲環境１３０からの熱の放散をより積極的に推定するように設定を調整することができる。例えば、熱制御パラメータのセット及び／又は熱制御アルゴリズム１７４は、例えば、カード読取り及び／又はカード書込みを実行する際に、プロセッサ１１４（例えば、ＡＳＩＣ）及び／又はメモリカード１１０のメモリ１１６（例えば、ＮＡＮＤ（Not AND）フラッシュタイプメモリ）によって実行される単位作業毎に関連する温度の変化の量を推定することができる。結果として、例えば、実行される同じタイプの作業について、熱制御パラメータのセット及び／又は熱制御アルゴリズム１７４は、熱的に強化していない環境１７０と比較して、メモリカード１１０が熱的に強化した環境１６８に対してより速い速度で作業を行うことができるように設定され得る。換言すると、実行される同じタイプの作業について、熱的に強化した環境１６８の熱制御パラメータのセット及び／又は熱制御アルゴリズム１７４は、熱的に強化していない環境１７０のそれら設定と比較して、臨界温度しきい値に対する温度上昇がより小さい及び／又はより遅い温度上昇を推定する。

【0030】

同様に、作業を行う要求が受信されると、メモリカード１１０は、動作制御コンポーネント１７６を実行して、熱制御コンポーネント１７２と通信し、動作温度を超えることなく作業（例えば、読取り又は書込み）を実行できるかどうかを判定することができる。この判定に基づいて、動作制御コンポーネント１７６は、要求された作業を受け入れるか、又は遅らせることができる。

【0031】

こうして、本開示のメモリカード１１０は、熱制御パラメータ及び／又はアルゴリズムを動的に調整して、メモリカード１１０が、熱的に強化した環境１６８で動作するときに単位時間当たりにより多くの作業を引き受けるのを可能にし得る。

【0032】

さらに、記憶システム１００は、周囲環境１３０の温度測定を実行又は提供することができる。これらの場合に、メモリカード１１０は、ホスト装置１４０から熱情報を取得することができる。ホスト装置１４０は、周囲環境の様々な熱制限をメモリカード１１０に通知することもできる。例えば、記憶システム１００の特定のコンポーネント、例えばカードスロット１２０、コネクタベース１２２、コネクタタブ１２４、又はシャーシ１８８は、メモリカード１１０と通信することができる。記憶システム１００のこれらのコンポーネントは、特定の熱レベルに関する情報、例えば冷却装置が有効になる熱限界、熱時定数、又は他の任意の熱パラメータをメモリカード１１０に提供することもできる。さらに、記憶システム１００は、特定のコンポーネント、例えばカードスロット１２０、コネクタベース１２２、コネクタタブ１２４、又はシャーシ１８８等を用いて、周囲環境１３０の熱感知を有効又は強化することができる。記憶システム１００のこれらの特性に基づいて、メモリカード１１０は、周囲環境１３０をよりよく理解し、カードの内部動作パラメータを調整することができる。

【0033】

図２Ａ～図２Ｄを参照すると、メモリカード又は取り外し可能な記憶装置１１０の一例は、図２Ａの上面メモリカードシェル２１０又は図２Ｃの底面メモリカードシェル２６０等の、１つ又は複数の熱伝導要素を有するメモリカードシェル１１２を含む。いくつかの態様では、メモリカードシェル２１０、２６０は、金属又は熱伝導性材料であり得る。図２Ａ～図２Ｄに示されるように、いくつかの態様では、メモリカードシェル２１０、２６０は、熱をより容易に放散又は伝達するために、メモリカード１１０の上部及び／又は下部の両方に置くことができる。

【0034】

さらに、メモリカード１１０は、メモリカード１１０が熱的に強化した環境１６８又は熱的に強化していない環境１７０に位置するかどうかを識別する環境識別情報１６６を含む環境識別信号を受信するための入力／出力（Ｉ／Ｏ）ピン２６２も含むことができる。

【0035】

図１に戻ると、メモリカード１１０は、命令を記憶するように構成されるメモリを含むことができる。メモリカード１１０は、メモリ１１６と通信するプロセッサ１１４も含むことができる。プロセッサ１１４は、メモリカード１１０の動作の初期化等に応答して、メモリカード１１０の周りの環境１３０を、熱的に強化した環境１６８又は熱的に強化していない環境１７０として識別するように実行可能である。いくつかの態様では、環境１３０は、メモリカード１１０に直ぐ隣接することができる。環境１３０は、メモリカード１１０を含む空間、及びメモリカードに接触する熱導電性要素を有するエンクロージャでもあり得る。メモリカード１１０のプロセッサ１１４は、識別した環境に基づいて、熱制御アルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４を調整することもできる。熱制御アルゴリズム１７４は、異なるパラメータを有する単一のアルゴリズムを含むか、又は複数の異なるアルゴリズムを含むことができる。さらに、メモリカード１１０のプロセッサ１１４は、調整した熱制御ループアルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４に応答して、例えば動作制御コンポーネント１７６を介して、プロセッサ１１４の処理動作を制御することができる。場合によっては、プロセッサ１１４は、どれ位の作業負荷（workload：作業量）が予想され、しきい値温度に対してメモリカード１１０の温度をどれ位上昇させるかに基づいて、追加の作業負荷を受け入れることができる。通常の環境、例えば熱的に強化していない環境１７０では、熱制御アルゴリズム１７４は、熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８における熱制御アルゴリズム１７４と比較して、作業単位当たりより高い温度を予測することができる。

【0036】

いくつかの態様では、メモリカード１１０のプロセッサ１１４は、例えば熱的に強化した環境１６８の識別に応答して、熱制御アルゴリズム１７４で使用するための１つ又は複数の制御パラメータの第１のセットを選択することができる。また、メモリカード１１０のプロセッサ１１４は、熱的に強化していない環境１７０の識別に応答して、熱制御アルゴリズム１７４の１つ又は複数の制御パラメータの第２のセットを選択することができる。いくつかの態様では、１つ又は複数の制御パラメータの第１のセットを使用する熱制御アルゴリズム１７４は、１つ又は複数の制御パラメータの第２のセットを使用する熱制御アルゴリズム１７４と比較して、プロセッサ１１４による処理作業の単位当たりの予測温度上昇を低くすることができる。さらに、本開示は、制御パラメータの複数の異なるセットを含むことができ、各セットは、識別した異なる環境に対応することができる。

【0037】

他の態様では、メモリカード１１０のプロセッサ１１４は、熱的に強化した環境１６８の識別に応答して、熱制御アルゴリズム１７４の第１の熱制御アルゴリズムを選択することもできる。また、プロセッサ１１４は、熱的に強化していない環境１７０の識別に応答して、熱制御アルゴリズム１７４の第２の熱制御アルゴリズムを選択することができる。場合によっては、熱制御アルゴリズム１７４の第１の熱制御アルゴリズムは、熱制御アルゴリズム１７４の第２の熱制御アルゴリズムと比較して、処理作業の単位当たりの予測温度上昇を低くすることができる。本開示は、複数の異なる熱制御アルゴリズムを含むことができ、各アルゴリズムは、識別した異なる環境に対応することができる。

【0038】

さらに、メモリカード１１０のプロセッサ１１４は、プロセッサ作業要求を受信し、熱制御アルゴリズム１７４に従って予想温度上昇を決定し、及び／又は現在の温度を特定することができる。プロセッサ１１４は、現在の温度と予想温度上昇との合計を熱しきい値と比較することもできる。さらに、プロセッサ１１４は、合計が熱しきい値以下であることに応答して、プロセッサ作業要求を受け入れることができる。さらに、プロセッサ１１４は、合計が熱しきい値よりも大きいことに応答して、プロセッサ作業要求を遅らせることができる。メモリカード１１０のメモリ１１６は、不揮発性メモリ、例えばＮＡＮＤメモリも含むことができ、このメモリは、プロセッサ１１４の現在の温度を検出するように構成されるプロセッサ温度センサ１８４及び／又は不揮発性メモリの現在の温度を検出するように構成されるメモリ温度センサ１８６の少なくとも一方を含む。予想温度上昇を決定するために、プロセッサ１１４は、プロセッサの予想温度上昇又は不揮発性メモリの予想温度上昇の少なくとも一方を決定するようにさらに構成することができる。現在の温度を特定するために、プロセッサ１１４は、例えばプロセッサ温度センサ１８４又はメモリ温度センサ１８６を使用することによって、プロセッサ１１４の現在の温度又は不揮発性メモリの現在の温度の少なくとも一方を特定するようにさらに構成することができる。また、熱しきい値は、プロセッサ熱しきい値又はメモリ熱しきい値の少なくとも一方を含むことができる。合計を熱しきい値と比較するために、プロセッサ１１４は、プロセッサ１１４の現在の温度とプロセッサの予想温度上昇との第１の合計をプロセッサ熱しきい値と比較すること、又は不揮発性メモリの現在の温度と不揮発性メモリの予想温度上昇との第２の合計をメモリ熱しきい値と比較することの少なくとも一方を行うようにさらに構成することができる。プロセッサ１１４は、第１の合計がプロセッサ熱しきい値以下であること、又は第２の合計がメモリ熱しきい値以下であることの少なくとも一方に応答して、プロセッサ作業要求を受け入れるようにさらに構成することができる。さらに、プロセッサ１１４は、第１の合計がプロセッサ熱しきい値よりも大きいこと、又は第２の合計がメモリ熱しきい値よりも大きいことの少なくとも一方に応答して、プロセッサ作業要求を遅らさせるように構成することができる。

【0039】

いくつかの態様では、プロセッサ１１４は、初期化後に、熱的に強化した環境の変化を検出するようにさらに構成することができる。プロセッサ１１４は、熱的に強化した環境１６８の変化に基づいて、装置の調整した熱制御ループアルゴリズムを更新することもできる。また、プロセッサ１１４は、更新した熱制御アルゴリズム１７４に応答して、プロセッサの処理動作を制御することができる。プロセッサ１１４は、熱的に強化した環境１６８でオンになっているファン、熱的に強化した環境１６８でオフになっているファン、又は熱的に強化した環境１６８の熱放散率の変化の少なくとも１つを検出するように構成することもできる。本明細書で述べるように、本開示は、経時的なメモリカード１１０の性能を測定し、作業負荷又はレートの対応する調整を行うことができる。そうすることにより、本開示は、経時的なそのカードの性能に基づいて、メモリカード１１０のレート制御を適応的に調整することができる。さらに、本開示は、測定した周囲環境１３０に基づいて、作業負荷又はレート又はカードを調整することができる。

【0040】

いくつかの態様では、メモリカード１１０は、プロセッサ１１４と通信する少なくとも１つの入力／出力（Ｉ／Ｏ）ピン２６２を含むことができる。Ｉ／Ｏピン２６２は、初期化中に、熱的に強化した環境１６８又は熱的に強化していない環境１７０等の周囲環境１３０のタイプを示す環境識別情報１６６を含む環境識別信号を受信するように構成することができる。メモリカード１１０は、その中にメモリ１１６及びプロセッサ１１４が取り付けられるハウジングも含むことができ、ハウジングは外面を含み得る。メモリカード１１０は、ハウジングの外面の一部を規定するか、又はその外面に接続される熱伝導要素、例えばメモリカードシェル１１２、２１０、２６０を含むことができ、熱伝導要素は、ハウジング内からの熱を少なくともいくらかを放散するように構成することができる。さらに、Ｉ／Ｏピン２６２は、プロセッサ１１４と通信することができ、熱伝導要素、例えばメモリカードシェル１１２、２１０、２６０に接続する電気経路を有することができる。熱伝導要素は、取り外し可能な記憶装置１１０がホスト装置１４０に対して第２の位置に移動することに応答して、ホスト装置１４０の熱インターフェイス部材の接触領域と整列する、ハウジング上の第１の位置を有し得る。第２の位置は挿入位置も含み得る。また、プロセッサ１１４は、装置がホスト装置、例えばホスト装置１４０に接続されているかどうかを判定することによって、初期化を検出するようにさらに構成することができる。ホスト装置１４０は、装置の周りの環境、例えば周囲環境１３０を規定する構造を含み得る。場合によっては、ホスト装置に接続されているという判定は、例えば、初期化検出コンポーネント１６２を介して、装置の動作の初期化を示すことができる。

【0041】

前述のように、本開示によるメモリカードは、カードの性能を管理等するために、複数の熱アルゴリズムを使用することができる。例えば、メモリカード１１０は、その熱アルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４を変更して、そのカードが挿入される熱環境、例えば環境１３０を反映することができる。そうすることによって、カードが、このカードが低性能環境、例えば熱的に強化していない環境１７０にあることを感知した場合に、そのカードは、特定の熱的想定を行うことができる。同様に、カードが、このカードが高性能環境、例えば熱的に強化した環境１６８にあることを感知した場合に、そのカードは、高性能環境を決定し、及び／又は正確な環境温度を測定することができる。いくつかの態様では、高性能環境を識別し及び／又は周囲環境を測定することができるメモリカードは、高性能カードと呼ばれることがある。

【0042】

高熱環境での使用に加えて、メモリカード１１０は、最大又は利用可能な熱出力範囲を利用するように設計することができる。いくつかの態様では、最大熱出力範囲は２Ｗであり得る。他の態様では、最大熱出力範囲は、例えば、３．８８Ｗであり得るが、この例示的な値に限定されない。従って、メモリカード１１０は、指定した最大熱出力範囲に基づいてその作業負荷を調整することができる。最大熱出力範囲は、任意の許容レベルにすることができる。メモリカード１１０は、いくつかの異なる方法で熱を発生させることもできる。例えば、メモリに書込み行われるときに、これは、メモリカード１１０のＮＡＤフラッシュメモリ温度を上昇させる可能性がある。また、メモリで読取りが行われるときに、これは、メモリカード１１０のＡＳＩＣ温度だけでなく、ＮＡＮＤ温度も上昇させる可能性がある。いくつかの態様では、この温度以上での動作に関する保証がないので、メモリカード１１０がＮＡＤ臨界温度を超えないことが重要となり得る。場合によっては、ＮＡＮＤ臨界温度は７０℃であり得る。他の例では、ＮＡＮＤ臨界温度は７０℃より高い又は低い場合がある。メモリカード１１０は、周囲環境、例えば環境１３０の温度を反映するようにその作業負荷を調整することができる。そのため、メモリカード１１０の性能アルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４は、周囲環境、例えば環境１３０の温度に基づいて、カードの作業負荷を調整することができる。上述したように、性能アルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４は、ＮＡＤ又はＡＳＩＣの臨界温度を超えないことを保証することもできる。これらの性能アルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４は、予想されるＮＡＮＤ又はＡＳＩＣ臨界温度に基づいて作成することもできる。

【0043】

メモリカード１１０は、バースト又は短い時間間隔で作業を行うこともでき、これは、カードによって生成される熱のバーストをもたらす可能性がある。いくつかの態様では、メモリカード１１０が、そのカードが熱的に強化した環境１６８にあると認識する場合に、カードは、これらの作業負荷バースト及び対応する熱バーストを処理するためにより多く装備され得る。従って、環境、例えば環境１３０を理解することによって、メモリカード１１０は、差し迫った作業負荷に対してよりよく準備することができる。熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８では、環境１３０の温度が制御されるので、メモリカード１１０の予想される温度を下げることができる。温度変数が、熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８において既知であるので、メモリカード１１０は、温度に関して悲観的な想定をする必要がない場合がある。

【0044】

いくつかの態様では、環境の温度が既知である場合に、メモリカード１１０は、特に環境を理解していない及び／又は温度に関して悲観的な想定を行うことと比較して、追加の作業を処理できる可能性がある。これは、カードの温度がＮＡＮＤ又はＡＳＩＣの臨界温度に近い場合でも当てはまり得る。例えば、メモリカード１１０が熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８にあり、カードが環境の正確な温度を知っている場合に、カードは、例えばカードの温度が臨界温度又は最高温度に近い場合であっても、追加の作業を受け入れることができる。さらに、本開示によるメモリカード及び熱的に強化した環境は、カードからの熱をより効率的に放散するために一緒に機能することができる。従って、メモリカード１１０は、このカードが熱的に強化した環境にあることを確認するか、又は周囲環境がカードをサポートできることを確認すると、より多くの作業量を引き受けることができる。

【0045】

いくつかの態様では、メモリカード１１０は、臨界温度まで温度が対応して上昇するように徐々に作業を引き受けることができる。例えば、カードはメモリ作業を送信又は受信し、次に、温度を測定してカードが作業を処理できるかどうかを判定することができる。これは、カードが特定の温度、例えば臨界温度又は最高温度に達するまで続く可能性がある。しかしながら、熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８と組み合わせて使用される場合に、メモリカード１１０は、環境の温度を測定する必要がないように、カード温度を常に理解することができる。さらに、メモリカード１１０は、異なる減衰率を有することができる。例えば、減衰率を高めたカードは、通常の減衰率のカードと比較して、熱の放散が速くなることを意味し得る。他の態様では、メモリカード１１０は、周囲環境、例えば環境１３０の温度を測定し、後日使用するために測定値を記憶することができる。

【0046】

いくつかの態様では、メモリカード１１０が熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８にある場合に、カードは、温度を測定し、及び／又は温度に関する想定を行うことができる。測定した温度又は想定した温度に基づいて、メモリカード１１０は、１つ又は複数の性能アルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４を調整して、カードの作業負荷を調整することができる。例えば、メモリカード１１０は、カードの温度が臨界温度に近づき過ぎたときにカードの作業負荷を調整するためのアルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４を含むことができる。そのため、メモリカード１１０は、アルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４を利用して、温度に基づいて性能を調整（throttle）することができる。さらに、メモリカード１１０は、カード及び周囲環境、例えば環境１３０の温度をより完全に理解するために、ファームウェアを実行し、及び／又はプロセッサ１１４を含むことができる。

【0047】

熱的に強化していない環境、例えば熱的に強化していない環境１７０では、メモリカード１１０は、環境内の特定の温度を想定するか、又は温度を実際に測定することができる。熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８では、メモリカード１１０は、周囲環境、例えば環境１３０に対して初期化又は同期することができる。初期化又は同期されると、メモリカード１１０は、熱的に強化した環境１６８又は熱的に強化していない環境１７０等の周囲環境１３０のタイプを示す環境識別情報１６６を含む環境識別信号を受信することができる。本明細書で述べたように、熱的に強化した環境１６８は、それ自体の温度を調整する、及び／又は又別の装置、例えばメモリカード１１０と通信することができる高性能環境であり得る。例えば、熱的に強化した環境１６８は、環境を加熱又は冷却すること等によって、環境、例えば環境１３０の温度を能動的に制御することができる。対照的に、熱的に強化していない環境、例えば熱的に強化していない環境１７０は、他の装置と通信せず、温度制御を有さない低性能環境であり得る。

【0048】

図３Ａ～図３Ｄを参照すると、カードスロット１２０（メモリカード１１０が挿入された状態で示される）は、本開示の１つ又は複数の技術による１つ又は複数の熱放散特徴を含み得る。本明細書で述べたように、いくつかの態様では、メモリカード１１０は、カードから熱を放散するために、金属又は熱伝導性材料であり得るシェルを含むことができる。カードスロット１２０は、カードスロット又はメモリカード１１０からの熱の放散を助けることもできる金属又は熱伝導性材料、例えば銅を含むこともできる。図１にも示されるように、カードスロット１２０は、コネクタベース１２２を含むことができる。コネクタベース１２２は、熱放散を促進するために、金属又は熱伝導性材料を含むこともできる。さらに、カードスロット１２０は、カードスロット１２０を別の装置に取り付けるために使用することができるコネクタタブ１２４を含むことができる。カードスロット１２０は、カードスロット１２０及び／又はメモリカード１１０から熱を放散するのを助けることができる上部開口部１２８及びカードスロット開口部３１６も含むことができる。以下に説明するように、いくつかの態様では、メモリカード１１０がカードスロット１２０に挿入される場合に、上部開口部１２８は、メモリカード１１０の一部、例えばメモリカードシェル１１２又は上面メモリカードシェル２１０と整列することができる。また、コネクタベース１２２は、カードスロット１２０及び／又はメモリカード１１０から熱を放散するためのコネクタベース開口部３１８を含むことができる。

【0049】

カードスロット１２０は、本開示による環境又はホスト装置における特徴の一例である。そのため、カードスロット１２０は、メモリカード１１０の周りの環境、例えば環境１３０内の熱の量を調整することができる。例えば、カードスロット１２０は、能動的又は間接的に環境から熱を取り除くことができる。場合によっては、カードスロット１２０は、例えば、メモリカード１１０から熱を放散するための熱放散用の熱経路を含むことができる。これらの場合に、熱放散経路は、メモリカード１１０から周囲環境内の別のコンポーネント、例えばカードスロット１２０、コネクタベース１２２、及び／又はコネクタタブ１２４への経路であり得る。

【0050】

特に図３Ｃを参照すると、カードスロット１２０は、オプション又は追加で、コネクタベース１２２に接続されたヒートスプレッダ３７２を含み得る。ヒートスプレッダ３７２は、他のコンポーネント、例えばカードスロット１２０、コネクタベース１２２、コネクタタブ１２４、及び／又はメモリカード１１０からの熱放散を促進するために、金属又は熱伝導性材料も含み得る。上述したように、コネクタベース１２２は、カードスロット１２０、コネクタベース１２２、コネクタタブ１２４、及び／又はメモリカード１１０から熱を放散するためのコネクタベース開口部３１８も含むことができる。

【0051】

本明細書で述べたように、いくつかの態様では、カードスロット１２０は、熱放散を促進することができる材料を含むことができる。例えば、カードスロット１２０において、コネクタベース１２２、コネクタタブ１２４、及び／又はヒートスプレッダ３７２は、熱インターフェイス材料又は他の熱伝導性材料を含むことができる。本明細書で述べたように、カードスロット１２０は、１つ又は複数のコンポーネントから発する熱経路も含むことができる。例えば、いくつかの態様では、カードスロット１２０、コネクタベース１２２、及び／又はコネクタタブ１２４から離れる熱経路があり得、それによって、これらのコンポーネントからの熱放散を助け、及び／又はメモリカード１１０から熱を間接的に放散することができる。さらに、ホスト装置１４０は、これらの装置を直接冷却する及び／又はメモリカード１１０を間接的に冷却するために、冷却装置、例えばカードスロット１２０、コネクタベース１２２、及び／又はコネクタタブ１２４の近くの冷却ファンを含むことができる。

【0052】

図１を再び参照すると、いくつかの態様では、ホスト装置１４０は、貫通孔１８２を規定する内壁を有するハウジング１８０を含むことができる。ハウジング１８０は、少なくとも取り外し可能なメモリカード環境、例えば環境１３０、及び別個の追加の環境、例えば他の環境１５０を含み得る。ホスト装置１４０は、取り外し可能なメモリカード環境、例えば環境１３０内に取り付けられ、且つ貫通孔１８２と整列したスロットを有する取り外し可能なメモリカードインターフェイス、例えばカードスロット１２０を含むこともできる。ホスト装置１４０は、カードスロット１２０内に取り外し可能に位置付け可能であり、且つ熱インターフェイス部材と接触可能である取り外し可能な記憶カード、例えばメモリカード１１０も含む。取り外し可能な記憶カード、例えばメモリカード１１０は、カードの動作の初期化に応答して、取り外し可能なメモリカード環境、例えば環境１３０を、熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８又は熱的に強化していない環境、例えば熱的に強化していない環境１７０として識別するために実行可能なプロセッサ、例えばプロセッサ１１４を含むことができる。プロセッサ１１４は、識別した環境に基づいて、メモリカード１１０の熱制御アルゴリズム１７４を調整することもできる。さらに、プロセッサ１１４は、調整した熱制御アルゴリズム１７４に応答して、処理動作を制御することができる。さらに、ホスト装置１４０は、シャーシ１８８と、スロット、例えばカードスロット１２０に隣接して位置付けされた熱インターフェイス部材とを含むことができる。場合によっては、取り外し可能なメモリカードインターフェイスをシャーシ１８８に取り付けることができる。さらに、熱伝導要素をシャーシ１８８に接続することができる。

【0053】

本明細書で述べたように、メモリカード１１０がカードスロット１２０に挿入される場合に、そのカードは、カードスロット１２０が熱的に強化した環境であるかどうかを識別又は判定することができる。いくつかの態様では、カードスロット１２０が熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８であると判定された場合に、次に、メモリカード１１０は、それに応じてその作業負荷を調整することができる。例えば、メモリカード１１０は、カードスロット１２０が熱的に強化した環境であるかどうかに基づいて、複数の性能アルゴリズムのうちの１つ、例えば熱制御アルゴリズム１７４を選択することができる。メモリカード１１０は、カードスロット１２０が熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８にある場合に、高レベルの性能アルゴリズムを選択するか、又はカードスロット１２０が熱的に強化した環境にない場合、熱的に強化していない環境１７０にある場合に、低レベルの性能アルゴリズムを選択することができる。そのため、熱環境のタイプは、メモリカード１１０が異なるレベルで機能する結果となり得る。従って、メモリカード１１０は、カードスロット１２０が熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８として識別され、それによって、メモリカード１１０は、より高い電力レベル及び／又はより高い熱で機能することができる場合に、単位時間当たりにより多くの作業を引き受けることができる。

【0054】

本開示の態様は、いくつかの異なる方法で熱的に強化した環境を決定することができる。本明細書で述べたように、メモリカード１１０は、カードスロット１２０が熱的に強化した環境にあるかどうかを判定又は識別するためのＩ／Ｏピン２６２を含むことができる。Ｉ／Ｏピン２６２は、メモリカード１１０がカードスロット１２０に挿入されているかどうかを測定又は識別することができる。さらに、メモリカード１１０は、カードスロット１２０又は別のコンポーネントからＩ／Ｏピン２６２を介して信号を受信することができ、それによって、メモリカード１１０は、この信号に基づいて、熱的に強化した状態の判定を行うことができる。さらに、メモリカード１１０は、周囲環境、例えば環境１３０を識別し、及び／又は周囲環境の温度を測定するための熱（thermal）ダイオード等の他の装置を含むことができる。いくつかの態様では、熱ダイオードは、カードの別のコンポーネント、例えばプロセッサ１１４に存在し得る。これらの態様では、熱ダイオードは、例えばプロセッサ温度センサ１８４の一部として、プロセッサ１１４の熱を測定し、及び／又はカード１１０が加熱している速度を測定することができる。そうすることにより、熱ダイオードは環境の温度を間接的に測定することができる。他の態様では、熱ダイオードは、メモリカード１１０のＮＡＮＤ温度又はＡＳＩＣ温度を直接測定することができる。また、カードスロット１２０は、それ自体を決定し、メモリカード１１０に環境の熱的に強化した状態を直接通知することができる。さらに、メモリカード１１０は、カードが配置されている環境を測定又は決定する能力を有することができるシェル又はケース、例えばシェル１１２、２１０、２６０を含むことができる。

【0055】

本開示は、メモリカード及び／又は熱的に強化した環境の様々な異なる実施態様を含むこともできる。一実施態様では、メモリカード１１０は、カード１１０から熱を放散するのを助けるために、金属製熱コンポーネント、例えばシェル１１２、２１０、２６０に接続されたＩ／Ｏピン２６２を含むことができる。メモリカード１１０は、Ｉ／Ｏピン２６２を測定し、そのカードがカードスロット１２０又は他のコンポーネントと接触しているかどうかを判定するためのプロセッサ１１４も含むことができる。Ｉ／Ｏピン２６２がソケット又はカードスロット１２０に接触していない場合に、そのカードはフローティング又は接地されていると識別され得る。これらの場合に、メモリカード１１０は、Ｉ／Ｏピン２６２を読み取ることによって、カードスロット１２０又は他のコンポーネントとの接触を測定することができる。さらに、Ｉ／Ｏピン２６２は、デジタル又はアナログ入力を含むことができる。

【0056】

本開示の態様は、熱インターフェイス材料、例えばカードスロット１２０、コネクタベース１２２、コネクタタブ１２４、ヒートスプレッダ３７２、及び／又はシャーシ１８８を含むコンポーネントも含むことができる。いくつかの態様では、熱インターフェイス材料を含むコンポーネントがメモリカード１１０に接触すると、それは、カードから熱を放散するための熱経路を形成することができる。熱インターフェイス材料は、導電性でもあり得、そのため、場合によっては、それは、熱経路に比例して伝導することができる。熱インターフェイス材料が導電性であり得るので、メモリカード１１０のプロセッサ１１４は、例えば初期化検出コンポーネント１６２を介して、カードが別のコンポーネントと接触しているかどうかをより容易に判定することができる。

【0057】

上述したように、いくつかの態様では、メモリカード１１０が、カードスロット１２０又は他のコンポーネントと接触するか、又は初期化されると、そのカードは、Ｉ／Ｏピン２６２を読み取ることによって周囲環境を測定又は決定することができる。メモリカード１１０は、Ｉ／Ｏピン２６２を読み取ることにより、熱経路を測定して周囲温度を決定することもできる。ピン２６２がデジタル入力を含む場合に、それは、接触指標又は非接触指標等を提供することによって、周囲環境が熱的に強化されている又は熱的に強化されていないかどうかを示すことができる。ピン２６２がアナログ入力を含む場合に、それは、例えば、接続の品質を示すことによって、熱強化のレベルを示すことができる。

【0058】

場合によっては、熱経路の接触レベルが測定されると、その測定を使用して、熱制御パラメータ、例えば熱制御アルゴリズム１７４を調整することができる。接触がないか、又は低品質の接触指標がある場合に、次に、悲観的な熱制御値を使用して、熱制限を超えないようにすることができる。それ以外の場合に、熱的に強化した環境が示されている場合に、公称制御値を使用することができる。いくつかの態様では、パラメータ、例えば熱制御アルゴリズム１７４を更新又は調整するために、新しい測定が定期的に実行され得る。例えば、ホスト装置１４０は、熱経路の品質に影響を及ぼし得る測定の間に、冷却装置、例えば冷却ファンを作動させ得る、又は熱インターフェイス材料は、熱劣化に屈する可能性があり、それぞれが熱パラメータに影響を与える可能性がある。そのため、熱接続又は経路は時間の経過とともに調整され得る。周囲環境、例えば環境１３０内のコントローラ又はプロセッサは、環境の熱的に強化した状態をカードに通知することに加えて、熱環境が変化したかどうかをメモリカード１１０に通知することもできる。さらに、周囲環境の温度が上昇した場合に、次に、ホスト装置１４０は、冷却装置又はファンを作動させて、周囲環境、例えば環境１３０の温度を低下させることができる。

【0059】

別の態様では、メモリカード１１０は、熱管理のために適応レート制御を使用することができ、これは、時間の経過に伴う作業負荷又は温度の調整を可能にし得る。最終的に、適応レート制御を使用する場合に、カード１１０は、最適な作業負荷レートに到達することができる。場合によっては、適応レート制御アプローチは、周囲環境、例えば環境１３０の温度応答を決定するのに時間がかかることがあり、環境の突然の変化にうまく応答しないことがある。いくつかの態様では、本開示は、欠点を低減又は排除するために、適応レート制御を前述の特徴と組み合わせることができる。例えば、性能アルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４を、任意の環境測定に基づくパラメータで初期化することが可能であり、これにより、起動又は適応期間の遅れを低減することができる。さらに、環境測定を行い、熱パラメータを更新することにより、環境、例えば環境１３０が温度変化を経験するときの適応レート制御応答時間を短縮することができる。

【0060】

さらに他の態様では、システム１００、ホスト装置１４０、又は環境１３０は、それが熱的に強化した環境にあることをメモリカード１１０に通知することができる。この情報は、静的であり得、すなわち、設計に基づいてシステム１００、ホスト装置１４０、又は環境１３０で既知であり得るか、又は測定又は他の決定を通じてシステム１００、ホスト装置１４０、又は環境１３０によって導出され得る。場合によっては、本開示は、メモリカード１１０及びシステム１００、ホスト装置１４０、又は環境１３０が熱制御パラメータの性能について合意できるように、標準的な測定値が使用されることを保証し得る。他の例では、カードの熱制御パラメータが定期的に更新される場合に、次に、システムは、定期的な測定を行い、それら測定値をカードに供給することができる。

【0061】

図４Ａ及び図４Ｂを参照すると、本開示によるホスト装置、例えばホスト装置４００及びホスト装置４５０は、１つ又は複数の実施形態又は構成を含むことができる。ホスト装置４００及び４５０は、ホスト装置１４０（図１）と同じ又は類似していてもよい。カードスロット１２０（メモリカード１１０が挿入された状態で示される）及びコネクタベース１２２は、ハウジング１８０とシャーシ１８８との間にあり得る。いくつかの態様では、コネクタタブ１２４は、メモリカード１１０から熱を放散するための熱経路を提供し得るシャーシ１８８に装着される又は取り付けられ得る。

【0062】

特に図４Ａを参照すると、シャーシ１８８は、導電性及び／又は熱伝導性材料から形成されたタング又はフィンガー等の接点４０２を含むことができ、これは、メモリカード１１０から熱を運び去り、及び／又は熱的に強化した環境の存在の信号をメモリカード１１０に、例えば挿入直後に提供することができる。いくつかの実施態様では、接点４０２は、シャーシ１８８の底部とカードスロット１２０との間に配置され得る。いくつかの態様では、接点４０２は、カードスロット１２０の上部開口部１２８と整列しており、それによって、接点４０２が上部開口部１２８を介してメモリカード１１０の一部と物理的に係合することができる。例えば、接点４０２は、上部開口部１２８を介してメモリカードシェル１１２又は上面メモリカードシェル２１０と取り外し可能に接続することができる。いくつかの態様では、メモリカード１１０は、熱スラグを含むこともでき、これは、カードの上部にあり、且つ接点４０２と接触して比較的大きなヒートシンクとして機能し、熱の放散を高めることができる。そのため、接点４０２の熱伝導性又は導電性の特性は、メモリカード１１０の熱放散を改善し、及び／又はメモリカード１１０が、このカードが挿入される環境のタイプを決定するのを可能にする。例えば、接点４０２をカードシェル１１２、２１０又は熱スラグと接触させることによって、メモリカード１１０は、環境が熱的に強化されているか、又は熱的に強化されていないかを判定することができる。

【0063】

特に図４Ｂを参照すると、ホスト装置４５０は、メモリカード１１０からの熱放散を高めるために熱インターフェイス材料（ＴＩＭ）４５４を含むこともできる。いくつかの実施態様では、ＴＩＭ４５４は、シャーシ１８８とカードスロット１２０との間に位置付けされ得る。いくつかの態様では、ＴＩＭ４５４は、シャーシ１８８に接触し、カードスロット１２０の上部開口部１２８と整列することができる。上述した接点４０２と同様に、ＴＩＭ４５４は、上部開口部１２８を介してメモリカード１１０の一部に接触して、熱放散のための熱経路を提供することができる。例えば、ＴＩＭ４５４は、上部開口部１２８を介してメモリカードシェル１１２、２１０又はカード１１０上の熱スラグに接触することができる。ＴＩＭ４５４は、カードスロット１２０内への挿入直後に環境のタイプをメモリカード１１０に信号伝達することを可能にする導電性であり得る。いくつかの態様では、シャーシ１８８が接地され、ＴＩＭ４５４が、例えばその熱輸送能力に比例して導電性である場合に、カード１１０は、熱経路又は熱放散特性を理解するためにアナログ測定を行うことができる。さらに、ＴＩＭ４５４は、メモリカード１１０が、カードシェル１１２、２１０又は熱スラグに接触等することによって、環境が熱的に強化されているか、又は熱的に強化されていないかを判定することを可能にすることもできる。

【0064】

図５を参照すると、本開示の１つ又は複数の技術によるグラフ５００は、実行される対応する作業量と比較したメモリカードの予想される温度が、異なる環境に基づいてどのように変化し得るかに関する。グラフ５００は、メモリカードの異なる環境に対応する異なる曲線、例えば曲線又は関数５０２、５０４、５０６、５０８、及び５１０を含む。関数５０２は、メモリカード、例えばメモリカード１１０が通常の環境、例えば熱的に強化していない環境１７０にあるときのメモリカードの性能を示す。関数５０４は、メモリカード、例えばメモリカード１１０が熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８にあり、熱経路がカードから離れる方向に延びる場合のメモリカードの性能を示す。関数５０６は、メモリカード、例えばメモリカード１１０が熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８にあり、冷却装置、例えばファンがカードに隣接する場合のメモリカードの性能を示す。関数５０８は、メモリカード、例えばメモリカード１１０が熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８にあり、熱経路がカードから離れる方向に延び、冷却装置がカードに隣接しており、冷却装置が低速になっている場合のメモリカードの性能を示す。関数５１０は、メモリカード、例えばメモリカード１１０が熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８にあり、熱経路がカードから離れる方向に延び、冷却装置がカードに隣接しており、冷却装置が高速になっている場合のメモリカードの性能を示す。

【0065】

図５を参照すると、熱制御コンポーネント１７２は、熱制御パラメータを使用して動作することができ、及び／又はアルゴリズム１７４は、そのカードが挿入される環境のタイプに基づいて、単位作業当たりメモリカード、例えばメモリカード１１０の予想温度変化の異なる曲線又は関数５０２、５０４、５０６、５０８、５１０を生成するように調整することができる。例えば、実行された同じ作業量に基づいて、予想される温度は様々な環境に基づいて変化する可能性がある。例えば、関数５１０は、メモリカード、例えばメモリカード１１０が熱的に強化した環境１６８に挿入されるときに使用され得、一方、関数５０２は、メモリカードが熱的に強化されない環境１７０に挿入されるときに使用され得る。例えば、関数５１０は、通常の環境と比較して、カードのより低い予想温度変化を予測することができる。場合によっては、関数５１０、５０８、５０６、及び５０４は、例えばファン、様々な速度のファンを含む、他の熱放散コンポーネントを含む熱的に強化した環境１６８の異なるレベルに合わせて調整した熱制御パラメータ及び／又はアルゴリズム１７４からの結果を表すことができる。

【0066】

図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、例示的なグラフ６００及び６５０は、本開示の１つ又は複数の技術に従って、熱的に強化していない環境１７０及び熱的に強化した環境１６８をそれぞれ識別することに応答して、作業量が臨界温度を超えて温度を上昇させると予想されるかどうかを判定するために熱制御コンポーネント１７２によって行われる比較に関する。これらのグラフでは、熱制御コンポーネント１７２は、異なる熱制御パラメータ及び／又はアルゴリズム１７４を使用して、異なる周囲環境、例えば環境１３０について、異なる予想温度上昇、及び臨界温度に対して潜在的に異なる予想結果を予測する。図６Ａは、熱的に強化していない環境、例えば熱的に強化していない環境１７０で行われる作業量と比較したメモリカードの温度に関する。グラフ６００は、カードの現在の温度、カードの臨界温度、作業量Ｘ、及び温度差ΔＴ_Ｎを含む。

【0067】

図６Ｂは、熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８で行われる作業量と比較したメモリカードの温度に関する。グラフ６５０は、カードの現在の温度、カードの臨界温度、作業量Ｘ、及び温度差ΔＴ_Ｅを含む。グラフ６００と６５０との両方には、同じ作業期間Ｘが含まれており、ここで、カードは、通常の熱環境と熱的に強化した環境との両方で同じ作業量を行っている。グラフ６００によれば、通常の熱環境、例えば熱的に強化していない環境１７０において、作業量Ｘの後に、カードは臨界温度を超える可能性がある。対照的に、グラフ６５０によれば、熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８において、同じ作業量Ｘの後に、カードは臨界温度を超えないことができる。こうして、同じ作業量Ｘに基づいて、臨界温度は通常の熱環境では超えるが、熱的に強化した環境では超えない。従って、グラフ６００及び６５０は、熱的に強化した環境、例えば熱的に強化した環境１６８が、メモリカード、例えばメモリカード１１０の温度を制御するのを助けることができることを示す。

【0068】

図７を参照すると、例示的なグラフ７００は、例示的な熱的に強化した環境７０２及び例示的な熱的に強化していない環境７０４において作業を行うメモリカード１１０（図１）の経過時間に温度を関連付ける。熱的に強化した環境７０４と熱的に強化していない環境７０４との両方は、現在の動作温度Ｔ_現在で開始し、それら環境が臨界温度しきい値Ｔ_臨界に達するまで作業を行う。図７に示されるように、熱的に強化した環境７０２内のメモリカード１１０は、熱的に強化した環境７０２のカードが環境の周りの正確な温度を理解し、それに対応して識別した環境に基づく装置の熱制御ループアルゴリズムを調整し、及び調整した熱制御ループアルゴリズムに応答して処理動作をさらに制御できるので、熱的に強化していない環境７０４内のメモリカードよりも速い速度で作業を行うことができる。例えば、熱的に強化した環境７０２内のメモリカード１１０は、時間ＡでＴ_臨界に到達することができるが、熱的に強化していない環境７０４内のメモリカード１１０は、周囲環境を理解していない可能性があるため、より遅いペースで動作しなければならないので、時間ＢまでＴ_臨界に到達しない可能性がある。

【0069】

領域７１０は、熱的に強化した環境７０２内のメモリカード１１０と熱的に強化していない環境７０４内のメモリカード１１０との間の作業率の差を表す。より具体的には、熱的に強化した環境７０２内のメモリカード１１０は、熱的に強化していない環境７０４内のカードよりも速く臨界温度Ｔ_臨界に達することができ、次に、温度を臨界温度よりもわずかに低く保つために、時間の経過とともに低レベルの作業を維持する。従って、領域７１０は、熱的に強化した環境７０２内のカードが、熱的に強化していない環境７０４内のカードと同じ作業量をより短い期間で行うことができることを表すことができる。領域７１０は、メモリカード１１０がＴ_臨界に達すると、低レベルの作業を行うことができるため、熱的に強化した環境７０２内のメモリカード１１０によって行うことができる追加の作業量も表すことができる。そのため、領域７１０は、熱的に強化した環境７０２内のメモリカード１１０が、熱的に強化していない環境７０４内のメモリカード１１０と比較して、同じ期間に追加の作業を行うことができることを表す。換言すると、例えばＴ_臨界の直ぐ下で熱平衡に達すると、熱的に強化した環境７０２は、生成した熱が同等の速度で放散され得るので、ある作業量をこの温度で行なうのを可能にし得る。しかしながら、熱的に強化していない環境７０４では、メモリカード１１０は、カードが冷却するのに一定の時間、例えば熱的に強化した環境で使用される想定よりも長い時間単位が経過するはずであると想定することができる。そのため、熱的に強化した環境７０２は、メモリカード１１０が熱を放散するか又は冷却するための期間を短縮するのを可能にし得る。いくつかの態様では、メモリカード１１０は、新しい作業要求を受け入れる前に、環境の温度が下がるのを待つことができる。さらに、この待機時間は、メモリカード１１０が挿入される環境のタイプ、例えば熱的に強化した環境７０２又は熱的に強化していない環境７０４に依存し得る。

【0070】

図８を参照すると、本開示の１つ又は複数の技術による例示的な方法８００は、取り外し可能な記憶装置又はメモリカード１１０によって実行され、識別した周囲環境１３０のタイプ、例えば熱的に強化した環境１６８又は熱的に強化されていない環境１７０に基づいて、熱制御パラメータ／アルゴリズム、例えば熱制御アルゴリズム１７４を調整することができる。

【0071】

８０２において、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂの例に関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、ホスト装置のソケット又はカードスロットとの接続等を介して、取り外し可能な記憶装置の動作を初期化することができる。

【0072】

８０４において、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、装置の動作の初期化に応答して、装置の周りの環境を熱的に強化した環境又は熱的に強化していない環境として識別し得る。

【0073】

８０６において、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂの例に関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、識別した環境に基づいて、取り外し可能な記憶装置の熱制御ループアルゴリズムを選択することができる。例えば、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、装置は、熱的に強化した環境の識別に応答して、熱制御アルゴリズムで使用するための１つ又は複数の制御ループパラメータの第１のセットを選択することができる。図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、装置は、熱的に強化していない環境の識別に応答して、熱制御アルゴリズムにおける１つ又は複数の制御ループパラメータの第２のセットを選択することもできる。１つ又は複数の制御ループパラメータの第１のセットを使用する熱制御ループアルゴリズムは、１つ又は複数の制御ループパラメータの第２のセットを使用する熱制御ループアルゴリズムと比較して、プロセッサによる処理作業の単位当たりの予測温度上昇をより低くすることができる。さらに、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂの例に関連して説明したように、装置は、熱的に強化した環境の識別に応答して、第１の熱制御アルゴリズムを選択することができる。図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、装置は、熱的に強化していない環境の識別に応答して、第２の熱制御アルゴリズムを選択することもできる。第１の熱制御ループアルゴリズムは、第２の熱制御ループアルゴリズムと比較して、処理作業の単位当たりの予測温度上昇をより低くすることができる。

【0074】

８０８において、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、識別した環境に基づいて、装置の熱制御ループアルゴリズムを調整することができる。

【0075】

８１０において、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂの例に関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、調整した熱制御ループアルゴリズムに応答して、プロセッサの処理動作を制御することができる。

【0076】

さらに、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、プロセッサ作業要求を受信し、調整した熱制御アルゴリズムに従って予想温度上昇を決定し、及び／又は現在の温度を特定することができる。図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、現在の温度と予想温度上昇との合計を熱しきい値と比較することもできる。図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、合計が熱しきい値以下であることに応答して、プロセッサ作業要求を受け入れることもできる。さらに、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、合計が熱しきい値よりも大きいことに応答して、プロセッサ作業要求を遅らせることができる。

【0077】

図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、プロセッサ又は不揮発性メモリの現在の温度を検出することができる。場合によっては、取り外し可能な記憶装置は、プロセッサの予想温度上昇又は不揮発性メモリの予想温度上昇の少なくとも一方を決定することができる。図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、プロセッサの現在の温度又は不揮発性メモリの現在の温度の少なくとも一方を識別することもできる。さらに、熱しきい値は、プロセッサ熱しきい値又はメモリ熱しきい値の少なくとも一方を含む。取り外し可能な記憶装置は、プロセッサの現在の温度とプロセッサの予想温度上昇との第１の合計をプロセッサ熱しきい値と比較すること、又は不揮発性メモリの現在の温度と不揮発性メモリの予想温度上昇との第２の合計をメモリ熱しきい値と比較することの少なくとも一方を行うこともできる。いくつかの態様では、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、プロセッサは、第１の合計がプロセッサ熱しきい値以下であること、又は第２の合計がメモリ熱しきい値以下であることの少なくとも一方に応答して、プロセッサ作業要求を受け入れるようにさらに構成することができる。さらに、プロセッサは、第１の合計がプロセッサ熱しきい値よりも大きいこと、又は第２の合計がメモリ熱しきい値よりも大きいことの少なくとも一方に応答して、プロセッサ作業要求を遅らさせるように構成することができる。

【0078】

さらに、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、初期化後に、熱的に強化した環境の変化を検出することができる。図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂの例に関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、熱的に強化した環境の変化に基づいて、装置の調整した熱制御ループアルゴリズムを更新することもできる。さらに、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、更新され、調整した熱制御ループアルゴリズムに応答して、プロセッサの処理動作を制御することができる。

【0079】

いくつかの態様では、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、熱的に強化した環境においてオンになっているファン、熱的に強化した環境においてオフになっているファン、又は熱的に強化した環境の熱放散率の変化の少なくとも１つを検出することができる。また、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、プロセッサと通信し、初期化中に、熱的に強化した環境又は熱的に強化していない環境のいずれかを識別する環境識別信号を受信するように構成された少なくとも１つのＩ／Ｏピンを含み得る。取り外し可能な記憶装置は、メモリ及びプロセッサが取り付けられるハウジングをさらに含むことができ、ハウジングは外面を有することができる。取り外し可能な記憶装置は、ハウジングの外面の一部を規定するか、又は外面に接続される熱伝導要素も含むことができ、熱伝導要素は、ハウジング内から少なくともいくらかの熱を放散するように構成することができる。

【0080】

さらに他の態様では、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、プロセッサと通信し、熱伝導要素に接続する電気経路を有する少なくとも１つのＩ／Ｏピンを含むことができる。Ｉ／Ｏピンは、初期化中に、熱的に強化した環境又は熱的に強化していない環境のいずれかを識別する環境識別信号を電気経路を介して受信するように構成することができる。さらに、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、熱伝導要素は、取り外し可能な記憶装置がホスト装置に対して第２の位置に移動することに応答して、ホスト装置の熱インターフェイス部材の接触領域と整列するハウジング上の第１の位置を有することができ、第２の位置は挿入位置を含み得る。さらに、図１、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、及び図４Ｂに関連して説明したように、取り外し可能な記憶装置は、装置がホスト装置に接続されているかどうかを判定することによって初期化を検出することができ、ホスト装置には、装置の周囲環境を規定する構造を含めることができ、ホスト装置に接続されているという判定は、装置の動作の初期化を示すことができる。

【0081】

本明細書に記載の主題は、１つ又は複数の利益又は利点を実現するために実施することができる。例えば、本開示は、メモリカード又は取り外し可能な記憶装置の利用可能な作業負荷をより正確且つ効率的に予測することができる。説明した技術は、メモリカード又は取り外し可能な記憶装置で使用され、カードによって実行される作業負荷を制御することもできる。本開示は、ホスト装置又はメモリカードの温度をより正確に予測することもできる。本開示は、メモリカード又はホスト装置の前述した機能を利用することによって、時間、労力、及びコストを節約することができる。

【0082】

様々な態様が本明細書に記載されているが、これらの態様の多くの変形及び順列は、本開示の範囲内にある。本開示の態様のいくつかの潜在的な利益及び利点が言及されているが、本開示の範囲は、特定の利益、用途、又は目的に限定されることを意図するものではない。むしろ、本開示の態様は、異なる取り外し可能なストレージ技術に広く適用可能であることを意図しており、それらのいくつかは、図及び以下の説明に例として示される。詳細な説明及び図面は、限定ではなく、本開示の単なる例示であり、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲及びその均等物によって規定される。

【0083】

いくつかの態様は、様々な機器及び方法を参照して提示される。これらの機器及び方法は、以下の詳細な説明で説明され、添付の図面に、まとめて「要素」と呼ばれ得る様々なブロック、コンポーネント、回路、プロセス、アルゴリズム等によって示される。これらの要素は、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、又はそれらの任意の組合せを使用して実装することができる。このような要素がハードウェア又はソフトウェアとして実装されるかは、システム全体に課せられる特定の用途及び設計上の制約によって異なる。

【0084】

本開示を通して、例示される好ましい実施形態及び例は、本開示に対する制限としてではなく、例としてみなすべきである。本明細書で使用される場合に、「発明」、「装置」、「機器」、「方法」、「開示」、「本発明」、「本装置」、「本機器」、「本方法」、又は「本開示」という用語は、本明細書に記載の本開示の実施形態のいずれか１つ、及び任意の均等物を指す。さらに、本明細書全体を通して、「発明」、「装置」、「機器」、「方法」、「本発明」、「本装置」、「本機器」、又は「本方法」の様々な特徴への言及は、特許請求の範囲に記載された全ての実施形態又は方法が参照した特徴を含まなければならないことを意味するものではない。

【0085】

要素又は特徴が別の要素又は特徴「上に」又はこれに「隣接」していると言及される場合に、それは、他の要素又は特徴上又はこれに隣接することができ、或いは介在要素又は特徴も存在し得る。対照的に、要素が別の要素「上に直接」又はこれに「直接上」に延びる言及される場合に、介在要素は存在しない。さらに、要素が別の要素に「接続される」又は「結合される」と言及される場合に、それは、他の要素に直接接続又は結合され得るか、又は介在要素が存在し得る。対照的に、要素が別の要素に「直接接続される」又は「直接結合される」と言及される場合に、介在要素は存在しない。

【0086】

さらに、「内側」、「外側」、「上部」、「上」、「～より上」、「下部」、「下」、「～より下」、「～の下」等の相対的な用語、及び同様の用語は、本明細書では、ある要素と別の要素との関係を説明するために使用され得る。「より高い」、「より低い」、「より広い」、「より狭い」等の用語、及び同様の用語は、本明細書では、角度関係を説明するために使用され得る。これらの用語は、図に示されている向きに加えて、要素又はシステムの様々な向きを包含することを意図している。

【0087】

本明細書では、第１、第２、第３等の用語を使用して、様々な要素、コンポーネント、領域、及び／又はセクションを説明する場合があるが、これらの要素、コンポーネント、領域、及び／又はセクションは、これらの用語によって限定すべきではない。これらの用語は、１つの要素、コンポーネント、領域、又はセクションを別の要素、コンポーネント、領域、又はセクションと区別するためにのみ使用される。こうして、特に明記しない限り、以下で論じる第１の要素、コンポーネント、領域、又はセクションは、本開示の教示から逸脱することなく、第２の要素、コンポーネント、領域、又はセクションと呼ぶことができる。本明細書で使用される場合に、「及び／又は」という用語は、１つ又は複数の関連するリスト項目の任意の全ての組合せを含む。

【0088】

本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明することのみを目的としており、本開示を限定することを意図するものではない。本明細書で使用される場合に、単数形「１つの（a, an）」、及び「その（the）」は、文脈が明らかに他のことを示さない限り、複数形も含むことを意図している。例えば、本明細書が「アセンブリ」に言及する場合に、この言語は、単一のアセンブリ或いは複数の又はアレイのアセンブリを包含する。さらに、本明細書で使用される場合に、「備える、有する、含む（comprises, comprising）」、及び／又は「含む、有する（includes,
including）」という用語は、記載された特徴、整数、ステップ、動作、要素、及び／又はコンポーネントの存在を指定するが、１つ又は複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、コンポーネント、及び／又はそれらのグループの存在又は追加を排除するものではない。

【0089】

明確にするために、ソフトウェアベースの実装の特定の選択した態様のみを説明している。当技術分野でよく知られている他の詳細は省略される。例えば、開示する技術は、特定のコンピュータ言語又はプログラムに限定されない。例えば、開示する技術は、適切なプログラミング言語、例えば、Ｃ＋＋、Ｊａｖａ、Ｐｅｒｌ、ＪａｖａＳｃｒｉｐｔ、Ａｄｏｂ Ｆｌａｓｈ、又は任意の他の適切なプログラミング言語で書かれたソフトウェアによって実装することができる。同様に、開示する技術は、特定のコンピュータ又はハードウェアのタイプに限定されない。適切なコンピュータ及びハードウェアの特定の詳細はよく知られており、本開示で詳細に説明する必要はない。

【0090】

さらに、ソフトウェアベースの実施形態（例えば、コンピュータに開示した方法のいずれかを実行させるためのコンピュータ実行可能命令を含む）のいずれかを、適切な通信手段を介してアップロード、ダウンロード、又はリモートアクセスすることができる。そのような適切な通信手段には、例えば、インターネット、ワールドワイドウェブ、イントラネット、ソフトウェアアプリケーション、光ファイバーケーブルを含むケーブル、磁気通信、電磁通信、例えば、ＲＦ、マイクロ波、及び赤外線通信、電子通信、又は他のそのような通信手段が含まれる。

【0091】

開示した方法、機器、及びシステムは、いかなる方法でも限定的であると解釈すべきではない。代わりに、本開示は、単独で、及び互いに様々な組合せ及びサブ組合せで、開示した様々な実施形態の全ての新規で非自明な特徴及び態様を対象としている。開示した方法、機器、及びシステムは、特定の態様、特徴、又はそれらの組合せに限定されず、開示した実施形態は、任意の１つ又は複数の特定の利点が存在すること、又は問題が解決されることを必要としない。

【0092】

任意の例による技術は、任意の１つ又は複数の他の例に記載されている技術と組み合わせることができる。開示する技術の原理が適用され得る多くの可能な実施形態を考慮して、図示した実施形態は開示した技術の例であり、開示した技術の範囲に対する制限として解釈すべきではないことを認識すべきである。むしろ、開示した技術の範囲には、以下の特許請求の範囲によって網羅されるものが含まれる。従って、我々は、特許請求の範囲及び精神の範囲内にある全てのものを主張する。

【0093】

本開示によれば、「又は」という用語は、文脈が他のことを指示しない場合に、「及び／又は」として解釈され得る。さらに、「１つ又は複数」又は「少なくとも１つ」等の句が、本明細書に開示されるいくつかの特徴に使用されているが、他の特徴には使用されていない場合があるが、そのような言語が使用されなかった機能は、文脈が他のことを指示しない場合に、そのような意味を暗示していると解釈される場合がある。

【0094】

１つ又は複数の例では、本明細書に記載の機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの任意の組合せで実装され得る。例えば、「処理ユニット」という用語は、本開示全体を通して使用してきたが、そのような処理ユニットは、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの任意の組合せで実装され得る。本明細書に記載の機能、処理ユニット、技術、又は他のモジュールがソフトウェアで実装される場合に、本明細書に記載の機能、処理ユニット、技術、又は他のモジュールは、コンピュータ可読媒体上の１つ又は複数の命令又はコードとして格納又は送信され得る。コンピュータ可読媒体は、ある場所から別の場所へのコンピュータプログラムの転送を容易にする任意の媒体を含む、コンピュータデータ記憶媒体又は通信媒体を含み得る。このようにして、コンピュータ可読媒体は、一般に、（１）非一時的である有形のコンピュータ可読記憶媒体、又は（２）信号又は搬送波等の通信媒体に対応し得る。データ記憶媒体は、本開示に記載した技術の実装のための命令、コード、及び／又はデータ構造を検索するために、１つ又は複数のコンピュータ又は１つ又は複数のプロセッサによってアクセスできる任意の利用可能な媒体であり得る。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ－ＲＯＭ、又は他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージ又は他の磁気記憶装置を含むことができる。本明細書で使用されるディスク（disk）及びディスク（disc）には、コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピーディスク及びＢｌｕ－ｒａｙ（登録商標）ディスクが含まれ、ディスク（disk）は通常データを磁気的に再生し、ディスク（disc）はレーザを使用して光学的にデータを再生する。上記の組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲に含める必要がある。コンピュータプログラム製品は、コンピュータ可読媒体を含み得る。

【0095】

コードは、１つ又は複数のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、汎用マイクロプロセッサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、算術論理演算装置（ＡＬＵ）、フィールドプログラマブルロジックアレイ（ＦＰＧＡ）、又は他の同等の統合又はディスクリートロジック回路によって実行され得る。従って、本明細書で使用される「プロセッサ」という用語は、前述の構造、又は本明細書に記載の技術の実装に適した他の任意の構造のいずれかを指し得る。また、これらの技術は、１つ又は複数の回路又は論理要素に完全に実装することができる。

【0096】

本開示の技術は、無線ハンドセット、集積回路（ＩＣ）、又は一組のＩＣ、例えば、チップセットを含む、多種多様な装置又は機器に実装され得る。開示された技術を実行するように構成された装置の機能的態様を強調するために、本開示では様々なコンポーネント、モジュール、又はユニットが説明されているが、必ずしも異なるハードウェアユニットによる実現を必要としない。むしろ、上述したように、様々なユニットを任意のハードウェアユニットに組み合わせるか、又は適切なソフトウェア及び／又はファームウェアと組み合わせて、上記の１つ又は複数のプロセッサを含む相互運用ハードウェアユニットの集合によって提供することができる。

【0097】

様々な例を説明してきた。これら及び他の例は、以下の特許請求の範囲内にある。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図7】

【図8】