特許 7473716 移載キャリア、移載アセンブリ及びマイクロデバイスの移載方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-15

(45)【発行日】2024-04-23

(54)【発明の名称】移載キャリア、移載アセンブリ及びマイクロデバイスの移載方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/00 20060101AFI20240416BHJP

   B32B 7/023 20190101ALI20240416BHJP

   H01L 21/52 20060101ALI20240416BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20240416BHJP

   H01L 33/48 20100101ALI20240416BHJP

【ＦＩ】

G09F9/00 338

B32B7/023

H01L21/52 C

G09F9/33

H01L33/48

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2023090425

(22)【出願日】2023-05-31

【審査請求日】2023-05-31

(31)【優先権主張番号】PCT/CN2022/139635

(32)【優先日】2022-12-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】523205681

【氏名又は名称】厦門市芯穎顕示科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】Ｘｉａｍｅｎ Ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ ＰＱ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】Ａ－１０２Ａ， ， Ｎｏ．１７８ Ｘｉｎｆｅｎｇ Ｒｏａｄ， Ｈｕｉｚｈｉ Ｓｐａｃｅ， Ｔｏｒｃｈ Ｈｉｇｈ－ｔｅｃｈ Ｚｏｎｅ， Ｘｉａｍｅｎ Ｃｉｔｙ， Ｆｕｊｉａｎ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ， Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100205936

【弁理士】

【氏名又は名称】崔 海龍

(74)【代理人】

【識別番号】100132805

【弁理士】

【氏名又は名称】河合 貴之

(72)【発明者】

【氏名】謝 相偉

【審査官】西田 光宏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０５３５５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２２／０１８１３１１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０２０－１８８０３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０６０９９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０３３５６５９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】韓国公開特許第１０－２０２１－０００４３２４（ＫＲ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２２／２１０１５４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０８９６２７８９（ＣＮ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２２／０３５２０００（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００６－２２２１７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１１１５４０７０５（ＣＮ，Ａ）

【文献】中国特許出願公開第１１５２９５６８８（ＣＮ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２０／１６６３０１（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ３２Ｂ １／００－４３／００

Ｇ０９Ｆ ９／００－９／４６

Ｈ０１Ｌ ２１／５２

Ｈ０１Ｌ ２１／５８

Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに間隔をおいて設置された複数の光透過性領域、及び前記複数の光透過性領域の間に位置する非光透過性領域を含むベース層と、
前記ベース層の一方の側に設置され、前記複数の光透過性領域のうちの少なくとも一部の光透過性領域を覆い、予め設定された波長のレーザ照射を受けて分解しやすく且つガスを生成する材料を含む応答層と、を含み、
前記応答層は、互いに所定の距離を隔てて設置される複数の独立した応答部を含む、移載キャリア。

【請求項2】

前記ベース層は、光透過性基板と、前記光透過性基板上に覆われる光遮断層とを含み、前記光遮断層は、前記複数の光透過性領域と１対１に対応する複数の透かし彫りパターンを有する、請求項１に記載の移載キャリア。

【請求項3】

前記応答層は、前記光遮断層の前記光透過性基板を背向く側を覆うとともに、前記複数の透かし彫りパターンを充填する、請求項２に記載の移載キャリア。

【請求項4】

前記応答層は、前記光透過性基板の前記光遮断層を背向く側を覆う、請求項２に記載の移載キャリア。

【請求項5】

前記複数の透かし彫りパターンのうちの各々は、互いに間隔をおいて設置された複数の透かし彫り穴を含む、請求項２に記載の移載キャリア。

【請求項6】

前記複数の透かし彫りパターンのうちの各々は、中心対称パターンである、請求項２に記載の移載キャリア。

【請求項7】

前記光遮断層は、光反射材料層である、請求項２に記載の移載キャリア。

【請求項8】

前記応答層の材料は、ポリイミド、トリアゼンポリマー、エポキシ樹脂、ポリウレタン、フルオロカーボンポリマー、アクリル系ポリマー、イミド系ポリマー及びアミド系ポリマーから選択されるいずれか１つ又は複数の組合せである、請求項１に記載の移載キャリア。

【請求項9】

前記応答層の材料は、ゴム系ポリマー、ポリエステル、ウレタン系ポリマー、ポリエーテル、シリコーン系ポリマー、エチレン－酢酸ビニル系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、シアノアクリレート系ポリマー、セルロース系ポリマー、フェノール樹脂、ポリオレフィン、スチレン系ポリマー、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリベンゾイミダゾール、メラミン樹脂、尿素樹脂、レゾルシノール系ポリマー、ポリビニルエーテル系粘着剤、ヒドロキシフェニルトリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、ベンゾオキサジノン系紫外線吸収剤、フェニルサリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、ニッケル錯塩系紫外線吸収剤、ハイドロキノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、マロン酸エステル系紫外線吸収剤、シュウ酸紫外線吸収剤、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリノ－フェニル）ブタン－１－オン、エタノン、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－、１－（０－アセチルオキシム）、１，２－オクタンジオン、１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン又は２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オンのうちの１つ又は少なくとも２つの組合せを含む、請求項１に記載の移載キャリア。

【請求項10】

前記複数の光透過性領域は、前記応答層に覆われる複数の目標光透過性領域を含む請求項１～９のいずれか１項に記載の移載キャリアと、
前記複数の目標光透過性領域と１対１に対応して設置され、前記応答層に付着されている複数のマイクロデバイスと、を含む、移載アセンブリ。

【請求項11】

請求項１０に記載の移載アセンブリを採用する、マイクロデバイスの移載方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、表示技術の分野に関し、特に、移載キャリア、マイクロデバイスの移載アセンブリ及びマイクロデバイスの移載方法に関する。

【背景技術】

【0002】

Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、マイクロ発光ダイオード）チップの超大量移載は、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤディスプレイの生産プロセスにおける重要なステップであり、ここで、レーザ補助移載技術は、非常に有望な超大量移載の解決方法の１つである。従来のレーザ補助移載技術では、レーザスポットの寸法、焦点位置等は移載の品質に影響し、例えばレーザスポットの寸法変化は隣接するチップに影響して誤移載現象が発生することを招く可能性があり、或いはスポット位置のオフセットはチップが移載キャリアから脱落する角度等に影響する可能性がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

したがって、マイクロデバイスの移載品質に対する上記のレーザスポットの変化の影響を低減する移載キャリアを提供することが求められている。

【課題を解決するための手段】

【0004】

したがって、既存技術の欠陥の少なくとも一部を克服するために、本願の実施例は、移載キャリア、移載アセンブリ及びマイクロデバイスの移載方法を提供し、マイクロデバイスの移載品質に対するレーザスポットの変化の影響を低減することができる。

【0005】

一態様では、本願の一実施例は、移載キャリアを提供し、互いに間隔をおいて設置された複数の光透過性領域、及び前記複数の光透過性領域の間に位置する非光透過性領域を含むベース層と、前記ベース層の一方の側に設置され、前記複数の光透過性領域のうちの少なくとも一部の光透過性領域を覆い、予め設定された波長のレーザ照射を受けて分解しやすく且つガスを生成する材料を含む応答層と、を含む。

【0006】

一実施例において、前記ベース層は、光透過性基板と、前記光透過性基板上に覆われる光遮断層とを含み、前記光遮断層は、前記複数の光透過性領域と１対１に対応する複数の透かし彫りパターンを有する。

【0007】

一実施例において、前記応答層は、前記光遮断層の前記光透過性基板を背向く側を覆うとともに、前記複数の透かし彫りパターンを充填する。

【0008】

一実施例において、前記応答層は、前記光透過性基板の前記光遮断層を背向く側を覆う。

【0009】

一実施例において、前記複数の透かし彫りパターンのうちの各々は、互いに間隔をおいて設置された複数の透かし彫り穴を含む。

【0010】

一実施例において、前記複数の透かし彫りパターンのうちの各々は、中心対称パターンである。

【0011】

一実施例において、前記光遮断層は、光反射材料層である。

【0012】

一実施例において、前記応答層の材料は、ポリイミド、トリアゼンポリマー、エポキシ樹脂、ポリウレタン、フルオロカーボンポリマー、アクリル系ポリマー、イミド系ポリマー及びアミド系ポリマーから選択されるいずれか１つ又は複数の組合せである。

【0013】

一実施例において、前記応答層の材料は、ゴム系ポリマー、ポリエステル、ウレタン系ポリマー、ポリエーテル、シリコーン系ポリマー、エチレン－酢酸ビニル系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、シアノアクリレート系ポリマー、セルロース系ポリマー、フェノール樹脂、ポリオレフィン、スチレン系ポリマー、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリベンゾイミダゾール、メラミン樹脂、尿素樹脂、レゾルシノール系ポリマー、ポリビニルエーテル系粘着剤、ヒドロキシフェニルトリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、ベンゾオキサジノン系紫外線吸収剤、フェニルサリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、ニッケル錯塩系紫外線吸収剤、ハイドロキノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、マロン酸エステル系紫外線吸収剤、シュウ酸紫外線吸収剤、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリノ－フェニル）ブタン－１－オン、エタノン、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－、１－（０－アセチルオキシム）、１，２－オクタンジオン、１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン又は２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オンのうちの１つ又は少なくとも２つの組合せを含む。

【0014】

一実施例において、前記応答層は、互いに間隔をおいて設置された複数の応答部を含む。

【0015】

本願の一実施例は、前記複数の光透過性領域が前記応答層に覆われる複数の目標光透過性領域を含む前述のいずれか１項に記載の移載キャリアと、前記複数の目標光透過性領域と１対１に対応して設置され、前記応答層に付着されている複数のマイクロデバイスと、を含む移載アセンブリを提供する。

【0016】

本願の一実施例は、前述のいずれか１項に記載の移載キャリア又は前述のいずれか１項に記載の移載アセンブリを採用するマイクロデバイスの移載方法を提供する。

【発明の効果】

【0017】

本願の上記実施例は、少なくとも、次のような１つ又は複数の有益な効果を有する。光透過性領域及び非光透過性領域を有するベース層を設置し、複数の光透過性領域を互いに間隔をおいて設置することにより、マイクロデバイスの光透過性領域に対応する位置を応答層に貼り付けることができる。応答層のある箇所にレーザが照射されると、光透過性領域の材料のみが分解してガスを生成することにより、当該光透過性領域に対応する位置のマイクロデバイスが、生成されたガスが直接押すか又は気泡を形成して押す作用により脱落する。レーザスポットの寸法が変化すること又はフォーカス位置がずれて照射することにより非光透過性領域が照射されても、非光透過性領域の遮断により、応答層上の実際にレーザに照射される領域は、常に光透過性領域の大きさと等しく、即ち、応答層の実際にレーザに照射されて分解する領域は、レーザスポットの変化に伴って変化することなく、そのため、マイクロデバイスが脱落する時に、ずれが発生して、移載品質に影響を与えることを回避できる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

以下、図面を参照しながら、本願の具体的な実施形態について詳細に説明する。

【図1】本願の一実施例にて提供される移載キャリアの概略構造図である。

【図2】図１に示す移載キャリアの一実施例におけるベース層の概略構造図である。

【図3】図２に示すベース層のＢ－Ｂ断面の概略図である。

【図4】図３に示すベース層の光透過性原理の概略図である。

【図5】図２に示すベース層を用いる一実施例に対応する移載キャリアのＡ－Ａ断面の概略図である。

【図6】図２に示すベース層を用いる別の実施例に対応する移載キャリアのＡ－Ａ断面の概略図である。

【図7】図１に示す移載キャリアの別の実施例におけるベース層の概略構造図である。

【図8】図７に示すベース層のＣ－Ｃ断面の概略図である。

【図9】図７に示すベース層を用いる一実施例に対応する移載キャリアのＡ－Ａ断面の概略図である。

【図10】本願の別の実施例にて提供される移載キャリアの断面の概略図である。

【図11】本願の別の実施例にて提供される移載キャリアの概略構造図である。

【図12】本願の別の実施例にて提供される移載キャリアの概略構造図である。

【図13】本願の一実施例にて提供される移載キャリアの製造フローの概略図である。

【図14】本願の一実施例にて提供される移載アセンブリの概略構造図である。

【図15】図１４に示す移載アセンブリの一実施例におけるＤ－Ｄ断面の概略図である。

【図16】図１４に示す移載アセンブリの別の実施例におけるＤ－Ｄ断面の概略図である。

【図17】図１４に示す移載アセンブリの別の実施例におけるＤ－Ｄ断面の概略図である。

【図18】本願の別の実施例における移載アセンブリの断面の概略図である。

【図19】本願の一実施例にて提供されるマイクロデバイスの移載方法のフローの概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

本願の上記の目的、特徴及び利点をより明らかで分かりやすくするために、以下、図面を参照しながら、本願の具体的な実施形態について詳細に説明する。

【0020】

当業者が本願の技術的解決手段をよりよく理解するようにするために、以下、本願の実施例における図面を参照しながら、本願の実施例における技術的解決手段を明瞭且つ完全に説明し、明らかに、説明された実施例は本願の一部の実施例にすぎず、全ての実施例ではない。本願の実施例に基づき、当業者が創造的な労働をしない前提で得た全ての他の実施例は、本願の保護範囲に属すべきである。

【0021】

なお、本願の明細書と特許請求の範囲及び上記図面における「第１」、「第２」等の用語は、類似する対象を区別するために用いられるもので、必ずしも特定の順序又は前後順序を記述するものとして使用する必要がない。このように使用される用語は、本明細書に記載される本願の実施例を本明細書に図示又は記載される順序以外の順序で実施できるように、適宜な場合に交換し得ることを理解すべきである。さらに、「含む」及び「有する」という用語並びにそれらの任意の変形は、非排他的包含もカバーすることを意図し、例えば、一連のステップ又はユニットを含むプロセス、方法、システム、製品又は機器は、必ずしも明確に列挙されたものに限定されるわけではなく、明確に列挙されていないか、又はそのようなプロセス、方法、製品又は装置に固有の他のステップ又はユニットを含み得る。

【0022】

なお、本願における複数の実施例の区分は説明の便宜上のものであって、特に限定するものではなく、様々な実施例における特徴は、矛盾しない場合、互いに組み合わせること、互に引用することができる。

【0023】

関連技術において、レーザ補助移載技術の原理は、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤチップ等のマイクロデバイスを貼り付けるために透明な基板に一層又は複数層の応答材料を付着し、チップを目標基板にリリースする必要がある場合、移載する必要のあるチップが所在する位置の応答層材料にレーザを照射し、応答層材料は、レーザ照射を受けた後、例えば直接分解してガスを生成し、ガスが直接押すか又は気泡を形成して押すことにより、マイクロデバイスを基板から剥離して目標基板に下落させ、移載を完了する。応答層分解領域の大きさは、レーザスポットの寸法により制御される。レーザスポットの寸法が変化すると、例えば基板がフォーカス位置からずれるか、又はレーザフォーカス位置の変化によりスポットの寸法が変化すると、応答層の分解領域に影響を与えて、ガス化又は気泡の寸法を変化させ、それにより、例えば初期速度が変化する等のようにマイクロデバイスの初期状態に影響を与え、マイクロデバイスが脱落した後の飛行状態が変化することにより、チップが目標基板に落ちる最終的な位置がずれて、移載精度が悪くなる。また、応答層分解領域が大きすぎると、隣り合うチップに影響を与える可能性があり、同時にスポットの位置がずれると、一層ずれてマイクロデバイスの脱落角度に影響を与える可能性がある。そのため、本願の実施例は、移載品質に対するレーザスポットの変化の影響を低減する移載キャリアを提供する。

【0024】

（第１実施例）
本願の第１実施例にて提供される移載キャリア１００は、Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ及び類似のレーザ移載要件を有するデバイスの移載に使用できる。図１～図５を参照すると、移載キャリア１００は、ベース層１０及び応答層２０を含む。ここで、ベース層１０は、互いに間隔をおいて設置された複数の光透過性領域１１と、複数の光透過性領域１１の間に位置する非光透過性領域１２とを含む。応答層２０は、ベース層１０の一方の側に設置され、且つ複数の光透過性領域１１のうちの少なくとも一部の光透過性領域１１を覆う。応答層２０は、予め設定された波長のレーザ照射を受けて分解しやすく、ガスを生成する材料を含む。

【0025】

具体的に図２に示すベース層１０を参照すると、図２に示す３行６列の計１８個の小矩形領域は複数の光透過性領域１１であり、複数の光透過性領域１１の間の灰色充填領域は即ち非光透過性領域１２である。本実施例において、光透過性領域１１とは、移載時に使用される特定波長のレーザが、ベース層１０を透過して応答層２０に到達できる領域をいうことを理解でき、特定波長のレーザは、例えば紫外線レーザ又は深紫外線レーザである。非光透過性領域１２とは、移載時に使用される特定波長のレーザがベース層１０を透過して応答層２０に到達できない領域をいう。応答層２０の材料は、例えばポリイミド（ＰＩ）、トリアゼンポリマー（ＴＰ）、エポキシ樹脂、ポリウレタン、フルオロカーボンポリマー、アクリル系ポリマー、イミド系ポリマー及びアミド系ポリマー等の、レーザ照射を受けて分解しやすくて、ガスを生成できる材料であってもよいし、そのうちの１つ又は複数の材料の組合せであってもよい。

【0026】

ここで、応答層２０には、予め設定された波長のレーザ照射を受けて分解しやすく且つガスを生成する材料が含まれる以外に、他の粘着性材料が含まれてもよい。いくつかの実施例において、応答層２０は、例えばゴム系ポリマー（例えば、天然ゴム、クロロプレンゴム、スチレン－ブタジエンゴム、ニトリルゴム等）、ポリエステル、ウレタン系ポリマー（即ちポリウレタン）、ポリエーテル、シリコーン系ポリマー、エチレン－酢酸ビニル系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、シアノアクリレート系ポリマー、セルロース系ポリマー、フェノール樹脂、ポリオレフィン、スチレン系ポリマー、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルブチラール、ポリベンゾイミダゾール、メラミン樹脂、尿素樹脂、レゾルシノール系ポリマー及びポリビニルエーテル系粘着剤等のうちの１つ又は少なくとも２つの組合せを含む。

【0027】

いくつかの実施例において、応答層２０内には、応答層２０がレーザをよりよく吸収してガス状の揮発性生成物に分解するように、レーザ吸収材料がさらに含まれてもよい。

【0028】

レーザ吸収材料は、例えば紫外線レーザをよりよく吸収するように紫外線吸収剤を含んでもよく、紫外線吸収剤は、具体的には、例えばヒドロキシフェニルトリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、ベンゾオキサジノン系紫外線吸収剤、フェニルサリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、ニッケル錯塩系紫外線吸収剤、ハイドロキノン系紫外線吸収剤、サリチル酸系紫外線吸収剤、マロン酸エステル系紫外線吸収剤、シュウ酸紫外線吸収剤等であってもよいし、そのうちの１つ又は少なくとも２つの組合せであってもよい。

【0029】

レーザ吸収材料は、例えば光重合開始剤を含み、光重合開始剤は、例えば２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリノ－フェニル）ブタン－１－オン、エタノン、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－、１－（０－アセチルオキシム）、１，２－オクタンジオン、１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－、２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン等であってもよいし、そのうちの１つ又は少なくとも２つの組合せであってもよい。図３を参照すると、一実施例において、ベース層１０は、例えば具体的に光透過性基板１３と、光透過性基板１３上に覆われた光遮断層１４とを含む。光遮断層１４は、複数の光透過性領域１１と１対１に対応する複数の透かし彫りパターン１４１を有する。例を挙げると、光透過性基板１３は、マイクロデバイスの移載に使用される特定波長のレーザを透過させることができ、例えばサファイア基板、ガラス基板、石英基板等である。光遮断層１４の材料としては、移載中に使用される特定波長のレーザの透過を遮断できる材料が使用され、例えば光反射材料層であってもよく、具体的には、例えばＣｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）又はＭｏ（モリブデン）等の照射が良好で、レーザを反射できる金属薄膜であってもよいし、ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ、ブラッグ反射鏡）光反射層であってもよい。レーザは、透かし彫りパターン１４１からベース層１０を通過することができる。

【0030】

本実施例の、移載品質に対するレーザスポットの寸法変化の影響を低減する原理は次のとおりである。図４を参照すると、矢印は、レーザ光線の照射方向であり、平行する複数の矢印は、レーザ光線の幅を表す。図４において、レーザは、光遮断層１４の光透過性基板１３を背向く側から入射し、もちろん光透過性基板１３の光遮断層１４を背向く側から入射することもでき（図４に図示せず）、光遮断層１４に照射されたレーザ光線は広いが、透かし彫りパターン１４１（つまり光透過性領域１１）に照射されたレーザのみがベース層１０を通過することができる。透かし彫りパターン１４１のない領域（つまり非光透過性領域１２）に照射されたレーザは、ベース層１０を通過することができず、即ち、レーザがベース層１０の一方の側から他方の側まで通過する際に、入射するレーザスポットの寸法の大きさに関わらず、最終的にベース層１０を通過したスポットの大きさは、最大で光透過性領域１１の大きさに等しくなるしかない。そのため、ベース層１０に応答層２０が覆われた後、マイクロデバイスを応答層２０が覆われている光透過性領域１１に貼り付けることができ、レーザを照射する際に、応答層２０の分解する領域の大きさは、レーザスポットの寸法に伴って変化することなく、それにより、マイクロデバイスの脱落状態がレーザスポットの変化に影響されず、移載の品質を保証する。なお、本実施例は、応答層２０がベース層１０の全ての光透過性領域１１を覆うように限定せず、移載キャリア１００がいくつかのマイクロデバイスをいくつかの光透過性領域１１に対応して貼り付けることができれば、一部の光透過性領域１１が応答層２０に覆われるだけでよい。例えば、一部の実施例において、いくつかのマイクロデバイスの移載が完了した後、移載済のマイクロデバイスに対応する応答層２０がすでに分解されたため、それに対応する光透過性領域１１も応答層２０に覆われない。

【0031】

図５を参照すると、応答層２０は、光遮断層１４の光透過性基板１３を背向く側を覆うとともに、複数の透かし彫りパターン１４１を充填する。即ち、光遮断層１４及び応答層２０は、光透過性基板１３の同じ側に設置される。しかし、別のいくつかの実施例では、図６を参照すると、応答層２０を光透過性基板１３の光遮断層１４を背向く側に覆わせることもでき、本実施例では、限定しない。

【0032】

図７～図９を参照すると、一実施例において、複数の透かし彫りパターン１４１のうちの各々は、互いに間隔をおいて設置された複数の透かし彫り穴１４１１を含む。１つの光透過性領域１１は、１つのマイクロデバイスの貼付け位置に対応でき、そのため、各光透過性領域１１に対応する透かし彫りパターン１４１の外接矩形の寸法は、移載されるマイクロデバイスの寸法に近く、一般的に、マイクロデバイスの寸法よりやや小さい。各透かし彫りパターン１４１における複数の透かし彫り穴１４１１の総面積により、応答層２０の照射により分解される領域の大きさが決定され、そのため、複数の透かし彫り穴１４１１の大きさ、隙間及び配列方法に対する設計により、マイクロデバイスの移載状態を制御できる。

【0033】

一実施例において、複数の透かし彫りパターン１４１のうちの各々は、中心対称パターンであり、例を挙げると、正方形、菱形、六角形、円形、楕円形等であり得る。対称的な透かし彫りパターン１４１により、応答層２０の照射により分解される領域も対称的であり、そのため、マイクロデバイスに対して均一な推力を生成でき、マイクロデバイスが移載キャリア１００から剥離した後、垂直に下落させることができ、移載精度を向上させる。

【0034】

図１０を参照すると、一実施例において、応答層２０は、互いに間隔をおいて設置された複数の応答部２１を含む。応答層２０を１つずつ独立の応答部２１に設置することにより、移載時にレーザに照射される領域の応答層２０がより素早くより均一に分解することができ、隣り合う位置のマイクロデバイスに与える影響を低減することもできる。なお、図１０には、応答層２０及び光遮断層１４が光透過性基板１３の対向する両側に設置された例示のみが示され、上記の実施例に記載のものと同様に、応答層２０が複数の応答部２１を含む場合、光遮断層１４と光透過性基板１３の同じ側に設置されてもよい。

【0035】

ここで、複数の応答部２１の材料は、同じであっても、異なってもよく、例えば、一部の応答部２１にはレーザ吸収材料が含まれ、一部の応答部２１にはレーザ吸収材料が含まれていない。例えば、一部の応答部２１におけるレーザ吸収材料は紫外線吸収剤材料であるが、一部の応答部２１におけるレーザ吸収材料は光重合開始剤材料である。例を挙げると、例えばいくつかの応答部２１にはアクリル系ポリマー及びシュウ酸紫外線吸収剤が含まれる。又は、別のいくつかの応答部２１には、ポリイミド及びエタノンが含まれる。又は、さらにいくつかの応答部２１には、エポキシ樹脂及びサリチル酸紫外線吸収剤、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノンが含まれる。上に、応答部２１の材料のいくつかの組合せ方法を例を挙げて説明したが、またより多くの組合せ方法があり、本実施例では、一々例を挙げて説明しない。

【0036】

いくつかの実施例において、応答層２０は、単層材料構造であってもよいし、多層材料の構造であってもよく、応答層２０に複数の応答部２１が含まれる場合、応答部２１も単層材料であっても、多層材料の構造であってもよい。例えば、応答部２１のベース層１０に近い側に、レーザにより分解されてガスを生成できる内層材料が設置され、内層材料のベース層１０を背向く側に外層材料が設置され、外層材料としてシリカゲル等の接着材料を選択でき、外層材料により、マイクロデバイスに対する貼付けを実現でき、内層材料がレーザにより分解されてガスを生成することにより、マイクロデバイスがベース層１０から剥離される。複数の応答部２１は、互いに間隔をおいて設置され、レーザが照射された光透過性領域１１に対応する応答部２１のみの接着が解除され、光遮断層１４に遮断されてレーザが照射されていない周辺の応答部２１の接着は解除されない。例を挙げると、例えばそのうちの１つの応答部２１の内層材料は、トリアゼンポリマーであってもよいし、外層材料は、天然ゴムであってもよい。

【0037】

いくつかの実施例において、各応答部２１は、中間応答部材２１１と、中間応答部材２１１を囲む周辺応答部材２１２とを含み、中間応答部材２１１は、１つ又は複数であってもよく、周辺応答部材２１２も１つ又は複数であってもよい。中間応答部材２１１及び周辺応答部材２１２の材料は、同じであっても、異なってもよい。例えば、図１１を参照すると、周辺応答部材２１２は、環状構造であってもよく、中間応答部材２１１を囲む空洞を形成する。例えば、中間応答部材２１１の材料は、レーザにより分解されてガスを生成する材料であってもよく、例を挙げると、例えば中間応答部材２１１の材料は、エポキシ樹脂、ハイドロキノン系紫外線吸収剤及びエタノンの組合せであってもよく、周辺応答部材２１２は、シリカゲル等の粘着性材料であってもよい。マイクロデバイスを移載する際に、マイクロデバイスは、周辺応答部材２１２に貼り付けられて、周辺応答部材２１２及びベース層１０と囲んで密閉したキャビティを形成し、中間応答部材２１２にレーザを照射することにより、中間応答部材２１１が分解してガスを生成して、マイクロデバイスが周辺応答部材２１２と分離して、移載されるように押す。本実施例において、中間応答部材２１１の材料がレーザにより分解されてガスを生成しやすい材料であり、周辺応答部材２１２がシリカゲル等の粘着性材料である場合、中間応答部材２１１のベース層１０から突出した高さは、周辺応答部材２１２のベース層１０から突出した高さより小さくてもよい。いくつかの実施例において、周辺応答部材２１２に、粘着性がレーザの影響を受けない接着材が選択された場合、周辺応答部材２１２のベース層１０への正投影は、光透過性領域１１内に位置してもよいし、非光透過性領域１２内に位置してもよい。周辺応答部材２１２に、レーザが照射された後に粘着性が小さくなる接着材が選択された場合、周辺応答部材２１２のベース層１０への正投影は、レーザスポットの大きさの影響を受けないように、非光透過性領域１２内に位置してもよく、主に中間応答部材２１１の分解により生成されるガスの推力に依頼して、マイクロデバイスをベース層１０から押し離す。

【0038】

いくつかの実施例において、図１２に示すように、各応答部２１は、中間応答部材２１１と、中間応答部材２１１を取り囲む複数の周辺応答部材２１２とを含む。中間応答部材２１１は第１貼付け面積を有し、周辺応答部材２１２は第２貼付け面積を有し、第１貼付け面積は第２貼付け面積より大きい。本実施例において、第１貼付け面積とは、中間応答部材２１１のベース層１０を背向く表面の面積をいい、つまり、中間応答部材２１１のマイクロデバイスと接触できる面積であり、例えば図１２において、各応答部２１の第１貼付け面積は、１つの中間応答部材２１１の矩形の面積である。第２貼付け面積とは、周辺応答部材２１２のベース層１０を背向く表面の面積をいい、つまり周辺応答部材２１２のマイクロデバイスと接触できる面積であり、例えば図１２において、第２貼付け面積は、各周辺応答部材２１２の円形面積である。周辺応答部材２１２の寸法を小さく設定すると、移載時に、隣り合うマイクロデバイスに対する影響をより一層低減することができる。

【0039】

図１３に、本実施例にて提供される移載キャリア１００の製造フローを示し、まず、光透過性基板１３を提供し、その後、光透過性基板１３に透かし彫りパターン１４１を有する光遮断層１４を１層形成して、ベース層１０を得る。最後に、ベース層１０の一方の側に応答層材料をコーティングして、応答層材料を硬化すると、移載キャリア１００が得られる。

【0040】

（第２実施例）
本願の第２実施例は、移載アセンブリ３００を提供し、図１４を参照すると、移載アセンブリ３００は、前述の第１実施例にて提供されるいずれかの移載キャリア１００を含み、複数のマイクロデバイス２００もさらに含む。本実施例において、説明の便宜上、複数の光透過性領域１１のうちの応答層２０に覆われた光透過性領域１１を目標光透過性領域１１と呼び、複数の光透過性領域１１に複数の目標光透過性領域１１が含まれてもよい。複数のマイクロデバイス２００は、複数の目標光透過性領域１１と１対１に対応して設置されるとともに、応答層２０に付着される。ここで、図１５は、図５に示す移載キャリア１００に対応する移載アセンブリ３００のＤ－Ｄ断面図である。図１６は、図９に示す移載キャリア１００に対応する移載アセンブリ３００のＤ－Ｄ断面図である。図１７は、図６に示す移載キャリア１００に対応する移載アセンブリ３００のＤ－Ｄ断面の概略図である。図１８は、図１０に示す移載キャリア１００に対応する移載アセンブリ３００のＤ－Ｄ断面の概略図であり、一実施例において、応答層２０の複数の応答部２１では、各応答部２１は、最大で１つのマイクロデバイス２００にしか連結されない。図１５～図１８において、各光透過性領域１１は、いずれも応答層２０に覆われ、各光透過性領域１１は、いずれも目標光透過性領域１１と呼ばれ得、１つのマイクロデバイス２００は、１つの目標光透過性領域１１に対応し、且つ応答層２０に貼り付けられている。移載キャリア１００に関する具体的な説明は、本願の第１実施例における説明を参照できる。マイクロデバイス２００は、Ｍｉｒｏ ＬＥＤチップ又は類似の移載要件を有する他のデバイスであってもよい。本実施例では、限定しない。

【0041】

（第３実施例）
本願の一実施例は、マイクロデバイスの移載方法をさらに提供し、前述の第１実施例にて提供されるいずれかの移載キャリア１００又は前述の第２実施例にて提供されるいずれかの移載アセンブリ３００を採用する。図１９を参照すると、マイクロデバイスが貼り付けられている移載キャリア１００又は移載アセンブリ３００を提供し、移載しようとするマイクロデバイス対応する位置にレーザを照射し、レーザスポットが光透過性領域１１の大きさより大きくても、応答層２０の照射された領域の大きさが影響を受けないため、光透過性領域１１に対応する応答層材料２０のみが分解された後、マイクロデバイスが分解されて生成されるガスにより直接押されるか、又は、ガスの生成により形成される気泡に押されて、移載キャリア１００から剥離して、目標基板に下落し、最終的に移載が完了する。この移載プロセスは、レーザスポットの寸法の変化の影響を受けず、マイクロデバイスの移載品質及び精度を保証できる。

【0042】

以上、本願の好適な実施例に過ぎず、本願に対するいかなる形態の限定ではなく、本願は好適な実施例で以上のように開示されているが、本願を限定するものではなく、当業者であれば、本願の技術的解決手段から逸脱しない範囲内で、上記の開示された技術的内容を利用して行った若干の変更又は修飾が同等の変化の同じ効果の実施例であるが、本願の技術的解決手段の内容から逸脱しない限り、本願の技術的本質に基づいて以上の実施例に対して行われたいかなる簡単な修正、同等の変化及び修飾は、いずれも本願の技術的解決手段の範囲内に属する。

【符号の説明】

【0043】

１００：移載キャリア、
１０：ベース層、
１１：光透過性領域、
１２：非光透過性領域、
１３：光透過性基板、
１４：光遮断層、
１４１：透かし彫りパターン、
１４１１：透かし彫り穴、
２０：応答層、
２１：応答部、
２１１：中間応答部、
２１２：周辺応答部、
２００：マイクロデバイス、
３００：移載アセンブリ。

【要約】      （修正有）

【課題】マイクロデバイスの移載品質に対し、レーザスポットの変化の影響を低減する移載キャリアを提供する。
【解決手段】本願の実施例は、移載キャリア１００、移載アセンブリ及びマイクロデバイスの移載方法を開示し、本願の一実施例にて提供される移載キャリアは、互いに間隔をおいて設置された複数の光透過性領域、及び前記複数の光透過性領域の間に位置する非光透過性領域を含むベース層と、前記ベース層の一方の側に設置され、前記複数の光透過性領域のうちの少なくとも一部の光透過性領域を覆い、予め設定された波長のレーザ照射を受けて分解しやすく且つガスを生成する材料を含む応答層と、を含む。本願の実施例は、マイクロデバイスの移載品質に対するレーザスポットの変化の影響を低減することができる。
【選択図】図１

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】