特許 7473851 防汚性物品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-16

(45)【発行日】2024-04-24

(54)【発明の名称】防汚性物品

(51)【国際特許分類】

   B32B 9/00 20060101AFI20240417BHJP

   B32B 27/00 20060101ALI20240417BHJP

   C09K 3/18 20060101ALI20240417BHJP

【ＦＩ】

B32B9/00 A

B32B27/00 103

C09K3/18 104

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2023000221

(22)【出願日】2023-01-04

(65)【公開番号】P2023104892

(43)【公開日】2023-07-28

【審査請求日】2023-01-04

(31)【優先権主張番号】P 2022005890

(32)【優先日】2022-01-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000002853

【氏名又は名称】ダイキン工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100129791

【弁理士】

【氏名又は名称】川本 真由美

(74)【代理人】

【識別番号】100221501

【弁理士】

【氏名又は名称】式見 真行

(72)【発明者】

【氏名】大下 真介

(72)【発明者】

【氏名】前平 健

(72)【発明者】

【氏名】内藤 真人

(72)【発明者】

【氏名】片岡 真奈美

(72)【発明者】

【氏名】三橋 尚志

(72)【発明者】

【氏名】野村 孝史

【審査官】武貞 亜弓

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－１１６７３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１２／１４７８７６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００７－０４１４３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１６８２１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－０３９００６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１４－５００１６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－１７２８４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２０／２３５５２８（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ３２Ｂ １／００－ ４３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と、
前記基材上に位置する、中間層と、
前記中間層上に位置する、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層と
を有して成り、
前記中間層は、Ｃｅ含有層を含み、
前記Ｃｅ含有層は、さらにＳｉを含み、
前記中間層は、スパッタリング、イオンビームアシスト、真空蒸着、化学気相蒸着、又は原子層堆積で成膜された層である非粒子層であり、
前記中間層の厚みは、１２０ｎｍ以下である、
物品。

【請求項2】

前記Ｃｅ含有層は、Ｓｉ及びＣｅを含む複合酸化物を含む、請求項１に記載の物品。

【請求項3】

前記Ｃｅ含有層において、ＳｉとＣｅのモル比は、１０：９０～９９．９９：０．０１である、請求項１に記載の物品。

【請求項4】

前記中間層は、さらにアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む、請求項１に記載の物品。

【請求項5】

前記中間層における前記アルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度は、０．１～３０モル％である、請求項４に記載の物品。

【請求項6】

前記Ｃｅ含有層の厚みは、０．１～１００ｎｍである、請求項１に記載の物品。

【請求項7】

前記中間層は、Ｃｅ含有層からなる、請求項１に記載の物品。

【請求項8】

基材と、
前記基材上に位置する、中間層と、
前記中間層上に位置する、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層と
を有して成り、
前記中間層は、前記基材上に接して位置するＣｅ含有層と、当該Ｃｅ含有層上に接して位置するケイ素酸化物層を含み、
前記中間層は、スパッタリング、イオンビームアシスト、真空蒸着、化学気相蒸着、又は原子層堆積で成膜された層である非粒子層であり、
前記中間層の厚みは、１２０ｎｍ以下である、
物品。

【請求項9】

前記ケイ素酸化物層の厚みは、０．１ｎｍ～１００ｎｍである、請求項８に記載の物品。

【請求項10】

前記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）又は（２）：

【化1】

［式中：
Ｒ^Ｆ１は、それぞれ独立して、Ｒｆ^１－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
Ｒ^Ｆ２は、－Ｒｆ^２ _ｐ－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
Ｒｆ^１は、それぞれ独立して、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－１６アルキル基であり；
Ｒｆ^２は、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－６アルキレン基であり；
Ｒ^Ｆは、それぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり；
ｐは、０又は１であり；
ｑは、それぞれ独立して、０又は１であり；
Ｒ^Ｓｉは、それぞれ独立して、水酸基、加水分解可能な基、水素原子又は１価の有機基（ただし、前記加水分解可能な基を除く）が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
少なくとも１つのＲ^Ｓｉは、水酸基又は加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合又は２～１０価の有機基であり；
αは、１～９の整数であり；
βは、１～９の整数であり；
γは、それぞれ独立して、１～９の整数であり、
前記加水分解可能な基は、－ＯＲ^ｊ、－ＯＣＯＲ^ｊ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｊ _２、－ＮＲ^ｊ _２、－ＮＨＲ^ｊ、－ＮＣＯ、又はハロゲン（これら式中、Ｒ^ｊは、置換又は非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）である。］
で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル基含有化合物である、請求項１又は８に記載の物品。

【請求項11】

Ｒ^Ｆは、それぞれ独立して、式：
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｒ^Ｆａ _６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－
［式中、Ｒ^Ｆａは、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は塩素原子であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は１以上であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
で表される基である、請求項１０に記載の物品。

【請求項12】

Ｒｆ^１は、それぞれ独立して、Ｃ_１－１６パーフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ^２は、それぞれ独立して、Ｃ_１－６パーフルオロアルキレン基であり、
Ｒ^Ｆａは、フッ素原子である、請求項１１に記載の物品。

【請求項13】

Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、下記式（ｆ１）、（ｆ２）、（ｆ３）、（ｆ４）、（ｆ５）又は（ｆ６）：
－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－ （ｆ１）
［式中、ｄは、１～２００の整数であり、ｅは、０又は１である。］、
－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ２）
［式中、ｃ及びｄは、それぞれ独立して、０～３０の整数であり；
ｅ及びｆは、それぞれ独立して、１～２００の整数であり；
ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は、１０～２００の整数であり；
添字ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］、
－（Ｒ^６－Ｒ^７）_ｇ－ （ｆ３）
［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２又はＯＣ_２Ｆ_４であり；
Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０及びＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から選択される２又は３つの基の組み合わせであり；
ｇは、２～１００の整数である。］、
－（Ｒ^６－Ｒ^７）_ｇ－Ｒ^ｒ－（Ｒ^７’－Ｒ^６’）_ｇ’－ （ｆ４）
［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２又はＯＣ_２Ｆ_４であり、
Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０及びＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２又は３つの基の組み合わせであり、
Ｒ^６’は、ＯＣＦ_２又はＯＣ_２Ｆ_４であり、
Ｒ^７’は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０及びＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２又は３つの基の組み合わせであり、
ｇは、２～１００の整数であり、
ｇ’は、２～１００の整数であり、
Ｒ^ｒは、

【化2】

（式中、＊は、結合位置を示す。）
である。］；
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ５）
［式中、ｅは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ６）
［式中、ｆは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
で表される基である、請求項１０に記載の物品。

【請求項14】

Ｒ^Ｓｉは、下記式（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、（Ｓ４）又は（Ｓ５）：

【化3】

［式中：
Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｎ１は、（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）単位毎にそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｘ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合又は２価の有機基であり；
Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２以上の整数であり；
Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子又は－Ｘ^１１－ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１であり；
Ｒ^１５は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子、炭素数１～６のアルキレン基または炭素数１～６のアルキレンオキシ基であり；
Ｒ^ａ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１－ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１であり；
Ｚ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^２１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１’－ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’であり；
Ｒ^２２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^２３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｐ１、ｑ１、及びｒ１の合計は、ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１単位において、３であり；
Ｚ^１’は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^２１’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１”－ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”であり；
Ｒ^２２’は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^２３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｐ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｐ１’、ｑ１’、及びｒ１’の合計は、ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’単位において、３であり；
Ｚ^１”は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^２２”は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^２３”は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｑ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ１”及びｒ１”の合計は、ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”単位において、３であり；
Ｒ^ｂ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^ｃ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｋ１、ｌ１及びｍ１の合計は、ＳｉＲ^ａ１ _ｋ１Ｒ^ｂ１ _ｌ１Ｒ^ｃ１ _ｍ１単位において、３であり；
Ｒ^ｄ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２－ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２であり；
Ｚ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^３１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２’－ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’であり；
Ｒ^３２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
Ｒ^３３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基又は１価の有機基であり；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｐ２、ｑ２、及びｒ２の合計は、ＳｉＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２単位において、３であり Ｚ^２’は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^３２’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
Ｒ^３３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基又は１価の有機基であり；
ｑ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ２’、及びｒ２’の合計は、ＳｉＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’単位において、３であり；
Ｚ^３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^３５は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｎ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｒ^ｅ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
Ｒ^ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基又は１価の有機基であり；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｋ２、ｌ２及びｍ２の合計は、ＣＲ^ｄ１ _ｋ２Ｒ^ｅ１ _ｌ２Ｒ^ｆ１ _ｍ２単位において、３であり；
Ｒ^ｇ１及びＲ^ｈ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^４－ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１、－Ｚ^４－ＳｉＲ^ａ１ _ｋ１Ｒ^ｂ１ _ｌ１Ｒ^ｃ１ _ｍ１、－Ｚ^４－ＣＲ^ｄ１ _ｋ２Ｒ^ｅ１ _ｌ２Ｒ^ｆ１ _ｍ２であり；
Ｚ^４は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
前記加水分解性基は、－ＯＲ^ｊ、－ＯＣＯＲ^ｊ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｊ _２、－ＮＲ^ｊ _２、－ＮＨＲ^ｊ、－ＮＣＯ、又はハロゲン（これら式中、Ｒ^ｊは、置換又は非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、
ただし、式（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、（Ｓ４）及び（Ｓ５）中、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子が少なくとも１つ存在する。］
で表される基である、請求項１０に記載の物品。

【請求項15】

Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合、又は２価の有機基であり、
α、β、及びγは、１である、請求項１０に記載の物品。

【請求項16】

Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、３価の有機基であり、
αは１かつβは２であるか、αは２かつβは１であり、
γは２である、
請求項１０に記載の物品。

【請求項17】

前記基材は、ガラス基材である、請求項１又は８に記載の物品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、防汚性物品に関する。

【背景技術】

【0002】

ある種の含フッ素シラン化合物は、基材の表面処理に用いると、優れた撥水性、撥油性、防汚性などを提供し得ることが知られている。含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から得られる層（以下、「表面処理層」とも言う）は、いわゆる機能性薄膜として、例えばガラス、プラスチック、繊維、衛生用品、建築資材など種々多様な基材上に設けられている（特許文献１及び２）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１４－２１８６３９号公報

【文献】特開２０１７－０８２１９４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１又は特許文献２に記載の含フッ素シラン化合物は、優れた機能を有する表面処理層を与えることができるが、より高い摩擦耐久性を有する表面処理層を有する物品が求められている。

【0005】

本開示は、より摩擦耐久性が高い表面処理層を有する物品を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示は、以下の態様を含む。
［１］ 基材と、
前記基材上に位置する、中間層と、
前記中間層上に位置する、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層と
を有して成り、
前記中間層は、Ｃｅ含有層を含む、物品。
［２］ 前記Ｃｅ含有層は、さらにＳｉを含む、上記［１］に記載の物品。
［３］ 前記Ｃｅ含有層は、Ｓｉ及びＣｅを含む複合酸化物を含む、上記［１］又は［２］に記載の物品。
［４］ 前記Ｃｅ含有層において、ＳｉとＣｅのモル比は、１０：９０～９９．９９：０．０１である、上記［２］又は［３］に記載の物品。
［５］ 前記中間層は、さらにアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む、上記［１］～［４］のいずれか１項に記載の物品。
［６］ 前記中間層における前記アルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度は、０．１～３０モル％である、上記［５］に記載の物品。
［７］ 前記Ｃｅ含有層の厚みは、０．１～１００ｎｍである、上記［１］～［６］のいずれか１項に記載の物品。
［８］ 前記中間層は、Ｃｅ含有層からなる、上記［１］～［７］のいずれか１項に記載の物品。
［９］ 前記中間層は、Ｃｅ含有層上に、さらにケイ素酸化物層を含む、上記［１］～［７］のいずれか１項に記載の物品。
［１０］ 前記ケイ素酸化物層の厚みは、０．１ｎｍ～１００ｎｍである、上記［９］に記載の物品。
［１１］ 前記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）又は（２）：

【化1】

［式中：
Ｒ^Ｆ１は、それぞれ独立して、Ｒｆ^１－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
Ｒ^Ｆ２は、－Ｒｆ^２ _ｐ－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
Ｒｆ^１は、それぞれ独立して、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－１６アルキル基であり；
Ｒｆ^２は、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－６アルキレン基であり；
Ｒ^Ｆは、それぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり；
ｐは、０又は１であり；
ｑは、それぞれ独立して、０又は１であり；
Ｒ^Ｓｉは、それぞれ独立して、水酸基、加水分解可能な基、水素原子又は１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
少なくとも１つのＲ^Ｓｉは、水酸基又は加水分解可能な基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合又は２～１０価の有機基であり；
αは、１～９の整数であり；
βは、１～９の整数であり；
γは、それぞれ独立して、１～９の整数である。］
で表される少なくとも１種のフルオロポリエーテル基含有化合物である、上記［１］～［１０］のいずれか１項に記載の物品。
［１２］ Ｒ^Ｆは、それぞれ独立して、式：
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｒ^Ｆａ _６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－
［式中、Ｒ^Ｆａは、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は塩素原子であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は１以上であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
で表される基である、上記［１１］に記載の物品。
［１３］ Ｒｆ^１は、それぞれ独立して、Ｃ_１－１６パーフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ^２は、それぞれ独立して、Ｃ_１－６パーフルオロアルキレン基であり、
Ｒ^Ｆａは、フッ素原子である、上記［１２］に記載の物品。
［１４］ Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、下記式（ｆ１）、（ｆ２）、（ｆ３）、（ｆ４）、（ｆ５）又は（ｆ６）：
－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－ （ｆ１）
［式中、ｄは、１～２００の整数であり、ｅは、０又は１である。］、
－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ２）
［式中、ｃ及びｄは、それぞれ独立して、０～３０の整数であり；
ｅ及びｆは、それぞれ独立して、１～２００の整数であり；
ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は、１０～２００の整数であり；
添字ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］、
－（Ｒ^６－Ｒ^７）_ｇ－ （ｆ３）
［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２又はＯＣ_２Ｆ_４であり；
Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０及びＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から選択される２又は３つの基の組み合わせであり；
ｇは、２～１００の整数である。］、
－（Ｒ^６－Ｒ^７）_ｇ－Ｒ^ｒ－（Ｒ^７’－Ｒ^６’）_ｇ’－ （ｆ４）
［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２又はＯＣ_２Ｆ_４であり、
Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０及びＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２又は３つの基の組み合わせであり、
Ｒ^６’は、ＯＣＦ_２又はＯＣ_２Ｆ_４であり、
Ｒ^７’は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０及びＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２又は３つの基の組み合わせであり、
ｇは、２～１００の整数であり、
ｇ’は、２～１００の整数であり、
Ｒ^ｒは、

【化2】

（式中、＊は、結合位置を示す。）
である。］；
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ５）
［式中、ｅは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ６）
［式中、ｆは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であり、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
で表される基である、上記［１１］～［１３］のいずれか１項に記載の物品。
［１５］ Ｒ^Ｓｉは、下記式（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、（Ｓ４）又は（Ｓ５）：

【化3】

［式中：
Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｎ１は、（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）単位毎にそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｘ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合又は２価の有機基であり；
Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２以上の整数であり；
Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子又は－Ｘ^１１－ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１であり；
Ｒ^１５は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子、炭素数１～６のアルキレン基または炭素数１～６のアルキレンオキシ基であり；
Ｒ^ａ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１－ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１であり；
Ｚ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^２１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１’－ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’であり；
Ｒ^２２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^２３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｐ１、ｑ１、及びｒ１の合計は、ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１単位において、３であり；
ｐ１、ｑ１及びｒ１の和は３であり；
Ｚ^１’は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^２１’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１”－ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”であり；
Ｒ^２２’は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^２３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｐ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｐ１’、ｑ１’、及びｒ１’の合計は、ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’単位において、３であり；
Ｚ^１”は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^２２”は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^２３”は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｑ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ１”及びｒ１”の合計は、ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”単位において、３であり；
Ｒ^ｂ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^ｃ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｋ１、ｌ１及びｍ１の合計は、ＳｉＲ^ａ１ _ｋ１Ｒ^ｂ１ _ｌ１Ｒ^ｃ１ _ｍ１単位において、３であり；
Ｒ^ｄ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２－ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２であり；
Ｚ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^３１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２’－ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’であり；
Ｒ^３２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
Ｒ^３３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基又は１価の有機基であり；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｐ２、ｑ２、及びｒ２の合計は、ＳｉＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２単位において、３であり Ｚ^２’は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^３２’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
Ｒ^３３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基又は１価の有機基であり；
ｑ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｒ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｑ２’、及びｒ２’の合計は、ＳｉＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’単位において、３であり；
Ｚ^３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
Ｒ^３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基であり；
Ｒ^３５は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基であり；
ｎ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
Ｒ^ｅ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２であり；
Ｒ^ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基又は１価の有機基であり；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり；
ｋ２、ｌ２及びｍ２の合計は、ＣＲ^ｄ１ _ｋ２Ｒ^ｅ１ _ｌ２Ｒ^ｆ１ _ｍ２単位において、３であり；
Ｒ^ｇ１及びＲ^ｈ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^４－ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１、－Ｚ^４－ＳｉＲ^ａ１ _ｋ１Ｒ^ｂ１ _ｌ１Ｒ^ｃ１ _ｍ１、－Ｚ^４－ＣＲ^ｄ１ _ｋ２Ｒ^ｅ１ _ｌ２Ｒ^ｆ１ _ｍ２であり；
Ｚ^４は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基であり；
ただし、式（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、（Ｓ４）及び（Ｓ５）中、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子が少なくとも１つ存在する。］
で表される基である、上記［１１］～［１４］のいずれか１項に記載の物品。
［１６］ Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合、又は２価の有機基であり、
α、β、及びγは、１である、上記［１１］～［１５］のいずれか１項に記載の物品。
［１７］ Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、３価の有機基であり、
αは１かつβは２であるか、αは２かつβは１であり、
γは２である、
上記［１１］～［１５］のいずれか１項に記載の物品。
［１８］ 前記基材は、ガラス基材である、上記［１］～［１７］のいずれか１項に記載の物品。
［１９］ ケイ素酸化物及びセリウム酸化物を含み、ケイ素原子とセリウム原子のモル比は、１０：９０～９９．９９：０．０１である、成膜材料。
［２０］ さらに、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を、ケイ素原子、セリウム原子、並びにアルカリ金属及びアルカリ土類金属の合計量に対し、０．１～３０モル％で含む、上記［１９］に記載の成膜材料。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、より摩擦耐久性が高い表面処理層を有する物品を提供することができる。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本開示の物品は、基材と、
上記基材上に位置する、中間層と、
上記中間層上に位置する、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層と
を有して成り、
上記中間層は、Ｃｅ含有層を含む。

【0009】

本開示において使用可能な基材は、例えば、ガラス、樹脂（天然又は合成樹脂、例えば一般的なプラスチック材料であってよい）、金属、セラミックス、半導体（シリコン、ゲルマニウム等）、繊維（織物、不織布等）、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築部材等、衛生用品、任意の適切な材料で構成され得る。

【0010】

例えば、製造すべき物品が光学部材である場合、基材の表面を構成する材料は、光学部材用材料、例えばガラス又は透明プラスチックなどであってよい。

【0011】

一の態様において、基材の表面（最外層）に、何らかの層（又は膜）、例えばハードコート層や反射防止層などが形成されていてもよい。反射防止層には、単層反射防止層及び多層反射防止層のいずれを使用してもよい。反射防止層に使用可能な無機物の例としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＴｉＯ、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｔａ_３Ｏ_５，Ｎｂ_２Ｏ_５、ＨｆＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＣｅＯ_２、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＭｇＦ_２、ＷＯ_３などが挙げられる。これらの無機物は、単独で、又はこれらの２種以上を組み合わせて（例えば混合物として）使用してもよい。多層反射防止層とする場合、その最外層にはＳｉＯ_２及び／又はＳｉＯを用いることが好ましい。製造すべき物品が、光学部材、特にタッチパネル用の光学ガラス部品である場合、透明電極、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛などを用いた薄膜を、基材（ガラス）の表面の一部に有していてもよい。また、基材は、その具体的仕様等に応じて、絶縁層、粘着層、保護層、装飾枠層（Ｉ－ＣＯＮ）、霧化膜層、ハードコーティング膜層、偏光フィルム、相位差フィルム、及び液晶表示モジュールなどを有していてもよい。

【0012】

別の態様において、基材の表面上には、上記のような任意の層を有しない。即ち、中間層は、基材上に直接接して設けられる。

【0013】

上記基材の形状は、特に限定されず、例えば、板状、フィルム、その他の形態であってよい。また、表面処理層を形成すべき基材の表面領域は、基材表面の少なくとも一部であればよく、製造すべき物品の用途及び具体的仕様等に応じて適宜決定され得る。

【0014】

一の態様において、かかる基材としては、少なくともその表面部分が、水酸基を元々有する材料から成るものであってよい。かかる材料としては、ガラスが挙げられ、また、表面に自然酸化膜又は熱酸化膜が形成される金属（特に卑金属）、セラミックス、半導体等が挙げられる。樹脂等のように、水酸基を有していても十分でない場合や、水酸基を元々有していない場合には、基材に何らかの前処理を施すことにより、基材の表面に水酸基を導入したり、増加させたりすることができる。かかる前処理の例としては、プラズマ処理（例えばコロナ放電）や、イオンビーム照射が挙げられる。プラズマ処理は、基材表面に水酸基を導入又は増加させ得ると共に、基材表面を清浄化する（異物等を除去する）ためにも好適に利用され得る。また、かかる前処理の別の例としては、炭素－炭素不飽和結合基を有する界面吸着剤をＬＢ法（ラングミュア－ブロジェット法）や化学吸着法等によって、基材表面に予め単分子膜の形態で形成し、その後、酸素や窒素等を含む雰囲気下にて不飽和結合を開裂する方法が挙げられる。

【0015】

別の態様において、かかる基材としては、少なくともその表面部分が、別の反応性基、例えばＳｉ－Ｈ基を１つ以上有するシリコーン化合物や、アルコキシシランを含む材料から成るものであってもよい。

【0016】

好ましい態様において、上記基材はガラスである。かかるガラスとしては、サファイアガラス、ソーダライムガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、クリスタルガラス、石英ガラスが好ましく、化学強化したソーダライムガラス、化学強化したアルカリアルミノケイ酸塩ガラス、及び化学結合したホウ珪酸ガラスが特に好ましい。

【0017】

上記中間層は、上記基材上に位置する。

【0018】

上記中間層を設けることによって、表面処理層の耐久性が向上しうる。耐久性とは、耐候性、耐摩耗性等である。

【0019】

上記中間層は、上記基材に接するように形成されていてもよく、あるいは、他の層を介して基材の上に形成されていてもよい。好ましい態様において、上記中間層は、上記基材に接するように形成されている。

【0020】

上記中間層は、Ｃｅ含有層を含む。Ｃｅ含有層とは、セリウム（Ｃｅ）原子を含有する層を意味する。

【0021】

上記Ｃｅは、好ましくは酸化物としてＣｅ含有層に含まれる。当該酸化物は、他の金属原子との複合酸化物であってもよい。

【0022】

ここに、複合酸化物とは、複数の元素の酸化物が均一相を構成するもの、いわゆる固溶体に加え、複数の元素の酸化物が不均一相を構成しているものを包含する。上記複合酸化物は、好ましくは、均一相を構成する固溶体から構成される。

【0023】

一の態様において、上記Ｃｅ含有層は、セリウム酸化物から成る。ここに、「上記Ｃｅ含有層は、セリウム酸化物から成る」とは、Ｃｅ含有層中に、不可避な微量成分として他の成分、例えば金属原子が、単体、イオン、塩、酸化物等の任意の状態で含まれることを許容する。

【0024】

セリウム酸化物は、酸化状態が異なるものを含んでいてもよい。例えば、セリウム酸化物は、ＣｅＯ_ｘ（ｘ＝１～２）などの、酸化状態が異なるものを含んでいてもよい。好ましい態様において、セリウム酸化物はＣｅＯ_２である。

【0025】

別の態様において、上記Ｃｅ含有層は、さらに他の金属原子を含んでいてもよい。これらの金属原子は、個別の酸化物として存在してもよく、あるいは、Ｃｅとの複合酸化物、又はＣｅを含まない複合酸化物として存在してもよい。

【0026】

本明細書において、金属原子とは、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｔｅ等の半金属原子も包含する。

【0027】

上記他の金属原子としては、例えば、周期表の３族～１１族の遷移金属、及び１２～１５族の典型金属元素から選択される１種又はそれ以上の原子であり得る。上記他の金属原子は、好ましくは３族～１１族の遷移金属原子、より好ましくは３～７族の遷移金属原子、さらに好ましくは４～６族の遷移金属原子が挙げられる。

【0028】

一の態様において、上記他の金属原子は、Ｓｉ、Ｙ、Ｒｕ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、及びＢｉからなる群から選択される１種又は２種以上の金属原子であり得る。

【0029】

好ましい態様において、上記Ｃｅ含有層は、さらにＳｉを含む。

【0030】

好ましい態様において、上記ＣｅとＳｉは、複合酸化物としてＣｅ含有層に含まれる。即ち、上記Ｃｅ含有層は、Ｃｅ及びＳｉを含む複合酸化物を含む。

【0031】

別の態様において、上記ＣｅとＳｉは、それぞれ別の酸化物としてＣｅ含有層に含まれる。

【0032】

上記酸化物は、酸化状態が異なるものを含んでいてもよい。例えば、セリウム酸化物は、ＣｅＯ_ｘ（ｘ＝１～２）、ケイ素酸化物はＳｉＯ_ｙ（ｙ＝１～２）などの、酸化状態が異なるものを含んでいてもよい。好ましい態様において、セリウム酸化物はＣｅＯ_２であり、ケイ素酸化物はＳｉＯ_２である。

【0033】

好ましい態様において、上記Ｃｅ含有層に含まれる金属原子は、実質的にＳｉ及びＣｅのみである。ここに、「Ｃｅ含有層に含まれる金属原子は、実質的にＳｉ及びＣｅのみである」とは、Ｃｅ含有層中に、不可避な微量成分として他の金属原子が含まれることを許容する。

【0034】

一の態様において、Ｃｅ含有層中のＳｉとＣｅのモル比は、１０：９０～９９．９９：０．０１（Ｓｉ：Ｃｅ）であり、好ましくは４０：６０～９９.９９：０．０１であり、より好ましくは６０：４０～９９：１、さらにより好ましくは９０：１０～９９：１、特に好ましくは９０：１０～９８：２であり得る。ＳｉとＣｅのモル比をかかる範囲とすることにより、表面処理層の耐久性が向上する。尚、ＳｉとＣｅのモル比が深さによって異なる場合には、Ｃｅ含有層におけるＳｉとＣｅのモル比は、その平均値であり得る。

【0035】

上記Ｃｅ含有層などの中間層の組成及び比率は、表面分析により決定することができる。表面分析の方法としては、Ｘ線光電子分光分析法、飛行時間型二次イオン質量分析法などを用いることができる。典型的には、Ｘ線光電子分光分析法を用いる。

【0036】

中間層の組成及び比率を測定するためのＸ線光電子分光分析法を行う装置としては、ＸＰＳ，アルバック・ファイ社製 ＰＨＩ５０００ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅＩＩを使用することができる。ＸＰＳ分析の測定条件としては、Ｘ線源に単色化ＡｌＫα線を２５Ｗ、光電子検出面積を１４００μｍ×３００μｍ，光電子検出角を、２０度～９０度の範囲（例えば２０度、４５度、９０度）、パスエネルギーを２３．５ｅＶとし、スパッタイオンにはＡｒイオンを用いることが可能である。上記装置、測定条件により、Ｃ１ｓ、Ｏ１ｓ、Ｆ１ｓ、Ｓｉ２ｐ軌道、及び他の金属の適切な軌道のピーク面積を観測し、炭素、酸素、フッ素、ケイ素、及び他の金属の原子比を算出することにより積層体の組成を求めることができる。他の金属の適切な軌道としては、例えば、原子番号５（Ｂ）は１ｓ軌道、原子番号１３～１４、２１～３１（Ａｌ～Ｓｉ、Ｓｃ～Ｇａ）は２ｐ軌道、原子番号３２～３３、３９～５２、及び５８（Ｇｅ～Ａｓ、Ｙ～Ｔｅ、Ｃｅ）は３ｄ軌道、原子番号７２～８３（Ｈｆ～Ｂｉ）は４ｆ軌道が挙げられる。

【0037】

また、中間層の深さ方向の分析を実施することも可能である。ＸＰＳ分析の測定条件としては、Ｘ線源に単色化ＡｌＫα線を２５Ｗで用い、光電子検出面積を１４００μｍ×３００μｍ，光電子検出角を、２０度～９０度の範囲（例えば２０度、４５度、９０度）、パスエネルギーを２３．５ｅＶとし、スパッタイオンにはＡｒイオンを用いることができる。Ａｒイオンによるスパッタリングによって中間層をＳｉＯ_２換算で１～１００ｎｍエッチングし、それぞれのエッチング後の深さにおいて、Ｏ１ｓ、Ｓｉ２ｐ軌道、及び他の金属の適切な軌道のピーク面積を観測し、酸素、ケイ素、及び他の金属の原子比を算出することにより中間層内部の組成を求めることができる。他の金属の適切な軌道としては、例えば、原子番号５（Ｂ）は１ｓ軌道、原子番号１３～１４、２１～３１（Ａｌ～Ｓｉ、Ｓｃ～Ｇａ）は２ｐ軌道、原子番号３２～３３、３９～５２、及び５８（Ｇｅ～Ａｓ、Ｙ～Ｔｅ、Ｃｅ）は３ｄ軌道、原子番号７２～８３（Ｈｆ～Ｂｉ）は４ｆ軌道が挙げられる。

【0038】

上記のＸＰＳ分析の光電子検出角を調整することにより、検出深さを適宜調整することができる。例えば、２０度に近い浅い角度とすることにより、検出深さを３ｎｍ程度とすることができ、一方、９０度に近い深い角度にすることにより、検出深さを１０数ｎｍ程度とすることができる。

【0039】

尚、ＸＰＳ分析による組成分析において、基材のＳｉ等が検出される場合には、基材中の特定の原子、例えば基材がガラスの場合、微量に含まれる金属原子（例えばＡｌ、Ｎａ、Ｋ，Ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｎなど）の検出量から検出された基材のＳｉ量を算出し、測定結果から減ずることにより、中間層の組成を算出することができる。

【0040】

一の態様において、上記中間層は、さらにアルカリ金属、又はアルカリ土類金属を、好ましくはアルカリ金属を含み得る。中間層がアルカリ金属を含むことにより、表面処理層の摩擦耐久性、耐候性等が向上する。上記中間層に含まれるアルカリ金属及びアルカリ土類金属は、Ｃｅ含有層に含まれていてもよく、又はそれ以外の層に含まれていてもよく、あるいはこれらの両方の層に含まれていてもよい。

【0041】

中間層中でのアルカリ金属及びアルカリ土類金属は、均一に存在してもよく、あるいは、中間層の表面（表面処理層側）に偏析して存在してもよい。好ましくは、中間層中でのアルカリ金属及びアルカリ土類金属は、中間層の表面に偏析して存在する。

【0042】

上記アルカリ金属としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、及びＦｒが挙げられる。上記アルカリ金属は、好ましくはＮａ、又はＫであり、より好ましくはＮａである。

【0043】

上記アルカリ土類金属としては、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＲａが挙げられる。上記アルカリ金属は、好ましくはＭｇ、又はＣａである。

【0044】

中間層中のアルカリ金属及びアルカリ土類金属の含有量（複数種存在する場合にはその合計）は、特に限定されないが、中間層に含まれる全金属原子の合計に対して、好ましくは０．１～３０モル％、より好ましくは０．１～２０モル％、さらに好ましくは０．１～１５モル、さらにより好ましくは０．５～１５モル％、例えば、１．０～１５モル％又は１．０～１０モル％であり得る。中間層におけるアルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度を上記の範囲とすることにより、表面処理層の摩擦耐久性、耐候性等が向上する。また、中間層におけるアルカリ金属及びアルカリ土類金属の濃度を、好ましくは３０モル％以下、より好ましくは２０モル％以下、さらに好ましくは１５モル％以下とすることにより、表面処理層の摩擦耐久性がより向上する。

【0045】

上記中間層は、単層であっても、多層であってもよい。なお、中間層における層の境界は、厚さ方向に明確に組成が異なる部分であり、かかる境界の上下の層は、異なる層とみなす。厚さ方向に勾配を持って徐々に組成が変化する部分は境界ではなく、この領域は一つの層とみなす。

【0046】

一の態様において、中間層は単層である。

【0047】

上記中間層が単層である場合、中間層は、Ｃｅ含有層である。

【0048】

中間層が単層である場合、Ｃｅ含有層は、好ましくは、Ｓｉ及びＣｅを含む。かかるＣｅ含有層において、表面処理層と接する面に、Ｓｉ原子が存在することが好ましい。Ｃｅ含有層の表面処理層側の面にＳｉ原子を存在させることにより、表面処理層の摩擦耐久性、耐候性等が向上する。

【0049】

一の態様において、上記Ｓｉ及びＣｅを含むＣｅ含有層において、Ｓｉの濃度勾配は、表面処理層側に向かって、徐々に高くなることが好ましい。Ｓｉの濃度勾配を表面処理層側に向かって徐々に高くすることにより、表面処理層の摩擦耐久性、耐候性等が向上する。

【0050】

別の態様において、中間層は多層である。

【0051】

上記中間層が多層である場合、中間層は、Ｃｅ含有層及びＳｉ含有層を含む。

【0052】

一の態様において、中間層は、Ｃｅ含有層及びＳｉ含有層からなる。

【0053】

好ましい態様において、中間層は、Ｃｅ含有層上に、さらにＳｉ含有層を含む。即ち、中間層は、基材側に位置するＣｅ含有層、及びＣｅ含有層上に位置し、表面処理層に接するＳｉ含有層を含む。Ｃｅ含有層とＳｉ含有層を上記の順番で配置することにより、表面処理層の摩擦耐久性、耐候性等が向上する。

【0054】

好ましい態様において、中間層は、基材上に位置するＣｅ含有層と、Ｃｅ含有層上に直接接して位置するＳｉ含有層からなる。

【0055】

上記中間層の厚み（多層である場合、全ての層の厚みの合計）は、特に限定されないが、例えば、１．０ｎｍ以上、好ましくは２．０ｎｍ以上、より好ましくは３．０ｎｍ以上であり得る。中間層の厚みを１．０ｎｍ以上にすることにより、表面処理層の摩擦耐久性、及び耐候性向上効果をより確実に得ることができる。また、上記中間層の厚み（多層である場合、全ての層の厚みの合計）は、特に限定されないが、例えば、１２０ｎｍ以下、好ましくは６０ｎｍ以下、より好ましくは２５ｎｍ以下、さらに好ましくは１５ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以下であり得る。中間層の厚みを１２０ｎｍ以下にすることにより、物品の透明性をより高めることができる。上記中間層の厚み（多層である場合、全ての層の厚みの合計）は、好ましくは１．０～１２０ｎｍ、より好ましくは２．０～６０ｎｍ、さらに好ましくは２．０～２５ｎｍ、さらにより好ましくは３．０ｎｍ～１０ｎｍであり得る。

【0056】

上記Ｃｅ含有層の厚みは、特に限定されないが、例えば、０．１ｎｍ以上、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは２．０ｎｍ以上、さらに好ましくは３．０ｎｍ以上であり得る。Ｃｅ含有層の厚みを０．１ｎｍ以上にすることにより、表面処理層の摩擦耐久性、及び耐候性向上効果をより確実に得ることができる。また、上記Ｃｅ含有層の厚みは、特に限定されないが、例えば、１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以下、特に好ましくは５ｎｍ以下であり得る。Ｃｅ含有層の厚みを１００ｎｍ以下にすることにより、物品の透明性をより高めることができる。上記Ｃｅ含有層の厚みは、好ましくは０．１～１００ｎｍ、より好ましくは１．０～５０ｎｍ、さらに好ましくは２．０～２０ｎｍ、さらにより好ましくは３．０ｎｍ～１０ｎｍであり得る。

【0057】

存在する場合、他の金属を含有する層の厚みは、特に限定されないが、例えば、０．１ｎｍ以上、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは２．０ｎｍ以上、さらに好ましくは３．０ｎｍ以上であり得る。他の金属を含有する層の厚みを０．１ｎｍ以上にすることにより、表面処理層の摩擦耐久性、及び耐候性向上効果をより確実に得ることができる。また、上記他の金属を含有する層の厚みは、特に限定されないが、例えば、１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以下、特に好ましくは５ｎｍ以下であり得る。他の金属を含有する層の厚みを１００ｎｍ以下にすることにより、物品の透明性をより高めることができる。上記他の金属を含有する層の厚みは、好ましくは０．１～１００ｎｍ、より好ましくは１．０～５０ｎｍ、さらに好ましくは２．０～２０ｎｍ、さらにより好ましくは３．０ｎｍ～１０ｎｍであり得る。

【0058】

特に、存在する場合、Ｓｉ含有層の厚みは、特に限定されないが、例えば、０．１ｎｍ以上、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは２．０ｎｍ以上、さらに好ましくは３．０ｎｍ以上であり得る。Ｓｉ含有層の厚みを１．０ｎｍ以上にすることにより、表面処理層の摩擦耐久性、及び耐候性向上効果をより確実に得ることができる。また、上記Ｓｉ含有層の厚みは、特に限定されないが、例えば、１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以下、特に好ましくは５ｎｍ以下であり得る。Ｓｉ含有層の厚みを１００ｎｍ以下にすることにより、物品の透明性をより高めることができる。上記Ｓｉ含有層の厚みは、好ましくは０．１～１００ｎｍ、より好ましくは１．０～５０ｎｍ、さらに好ましくは２．０～２０ｎｍ、さらにより好ましくは３．０ｎｍ～１０ｎｍであり得る。

【0059】

好ましい態様において、上記中間層は、基材上に位置するＣｅ含有層と、Ｃｅ含有層上に直接接して位置するＳｉ含有層からなり、Ｃｅ含有層の厚みは、０．１～２０ｎｍ、好ましくは１．０～１０ｎｍであり、Ｓｉ含有層の厚みは、０．１～２０ｎｍ、好ましくは１．０～１０ｎｍである。

【0060】

各層の厚みは、ＸＰＳ分析とスパッタリングを組み合わせることにより測定することができる。具体的には、上記深さ方向の分析を行い、組成が明確に変化する箇所を各層の境界として、スパッタンリングの深さを測定することにより、層の厚みを測定することができる。

【0061】

上記中間層の成膜方法は、特に限定されないが、例えばスパッタリング、イオンビームアシスト、真空蒸着（好ましくは電子線加熱方式）、ＣＶＤ（化学気相蒸着）、原子層堆積等を用いることができ、好ましくは真空蒸着、又はスパッタリングが用いられる。

【0062】

上記スパッタリング法としては、ＤＣ（直流）スパッタリング方式、ＡＣ（交流）スパッタリング方式、ＲＦ（高周波）スパッタリング方式、ＲＡＳ（ラジカルアシスト）スパッタリング方式等を用いるスパッタリング法を用いることができる。これらのスパッタリング方式は２極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング法のいずれの方式であってもよい。

【0063】

スパッタリング法により成膜する場合は、不活性ガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気のチャンバ内に、基体を配置し、中間層形成材料として、所望の組成となるようにターゲットを選択して成膜する。この時、チャンバ内の不活性ガスのガス種は特に限定されるものではなく、アルゴン、ヘリウム等、各種不活性ガスを使用できる。

【0064】

不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスによるチャンバ内の圧力は、特に限定されるものではないが、０．５Ｐａ以下の範囲とすることにより、形成される膜の表面粗さを好ましい範囲とすることが容易である。これは、いかに示す理由によると考えられる。すなわち、不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスによるチャンバ内の圧力が０．５Ｐａ以下であると、成膜分子の平均自由行程が確保され、成膜分子がより多くのエネルギーをもって基体に到達する。そのため、成膜分子の再配置が促され、比較的密で平滑な表面の膜ができると考えられる。不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスによるチャンバ内の圧力の下限値は、特に限定されるものではないが、例えば０．１Ｐａ以上であることが望ましい。

【0065】

上記中間層の成膜方法においては、セリウム酸化物を含む成膜材料が用いられる。

【0066】

好ましい態様において、上記成膜材料は、ケイ素酸化物及びセリウム酸化物を含む。

【0067】

上記ケイ素酸化物及びセリウム酸化物を含む成膜材料において、ケイ素原子とセリウム原子のモル比は、好ましくは１０：９０～９９．９９：０．０１（Ｓｉ：Ｃｅ）であり、より好ましくは１０：９０～９９：１であり、さらに好ましくは１０：９０～９５：５、さらにより好ましくは２０：８０～９０：１０、特に好ましくは４０：６０～８０：２０であり得る。成膜材料中のＳｉとＣｅのモル比をかかる範囲とすることにより、表面処理層の耐久性が向上する。

【0068】

（成膜材料の調製）
成膜材料の形態の具体例としては、粉体、溶融体、焼結体、造粒体、破砕体が挙げられ、取り扱い性の観点から、溶融体、焼結体、造粒体が好ましい。

【0069】

ここで、溶融体とは、成膜材料の粉体を高温で溶融させた後、冷却固化して得られた固形物を意味する。焼結体とは、成膜材料の粉体を焼成して得られた固形物を意味し、必要に応じて、成膜材料の粉体の代わりに、粉体をプレス形成して成形体を用いてもよい。造粒体とは、成膜材料の粉体と液状媒体（たとえば、水、有機溶媒）とを混錬して粒子を得た後、粒子を乾燥させて得られた固形物を意味する。

【0070】

成膜材料は、たとえば、以下の方法で製造できる。
・酸化ケイ素の粉体と、酸化セリウムの酸化物の粉体と、を混合して、成膜材料の粉体を得る方法。
・上記成膜材料の粉体および水を混錬して粒子を得た後、粒子を乾燥させて、成膜材料の造粒体を得る方法。
・ケイ素を含む粉体（たとえば、酸化ケイ素からなる粉体、珪砂、シリカゲル）と、酸化セリウムを含む粉体（たとえば、セリウムの酸化物の粉体、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物）と、水と、を混合した混合物を乾燥させた後、乾燥後の混合物またはこれをプレス成形した成形体を焼成して、焼結体を得る方法。
・ケイ素を含む粉体（たとえば、酸化ケイ素からなる粉体、珪砂、シリカゲル）と、セリウムを含む粉体（たとえば、セリウムの酸化物の粉体、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物）と、を高温で溶融させた後、溶融物を冷却固化して、溶融体を得る方法。
・ケイ素を含むアルコキシドや塩化物(例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロピルシラン、テトラクロロシラン)と、セリウムを含むアルコキシド(例えばセリウムイソプロポキシド)と水とを反応させ、得られた酸化物固体を乾燥後、プレス成形した後焼成して、焼結体を得る方法。
・上記のアルコキサイドを用いる場合において、ケイ素とセリウムのどちらか一方に酸化物を用いて反応させ、得られた酸化物固体を乾燥後、プレス成形した後焼成して、焼結体を得る方法。
などが考えられる。

【0071】

好ましい態様において、上記成膜材料は、ケイ素酸化物及びセリウム酸化物に加え、さらにアルカリ金属又はアルカリ土類金属、好ましくはアルカリ金属を含む。

【0072】

上記アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、イオン、酸化物、又は塩の形態で含まれる。

【0073】

上記アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、ケイ素原子、セリウム原子並びにアルカリ金属及びアルカリ土類金属の合計量に対し、好ましくは０．１～３０モル％、より好ましくは０．１～２０モル％、さらに好ましくは０．１～１５モル％、さらにより好ましくは０．５～１５モル％、例えば、１．０～１５モル％又は１．０～１０モル％で含まれる。成膜材料におけるアルカリ金属の濃度を上記の範囲とすることにより、表面処理層の摩擦耐久性、耐候性等が向上する。

【0074】

一の態様において、上記成膜材料は、蒸着材料である。

【0075】

上記表面処理層は、上記中間層上に位置する。好ましくは、表面処理層は、中間層の直上に、即ち、中間層に接するように位置する。

【0076】

上記表面処理層は、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成することができる。

【0077】

本明細書において用いられる場合、「１価の有機基」とは、炭素を含有する１価の基を意味する。１価の有機基としては、特に限定されないが、炭化水素基又はその誘導体であり得る。炭化水素基の誘導体とは、炭化水素基の末端又は分子鎖中に、１つ又はそれ以上のＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、アミド、スルホニル、シロキサン、カルボニル、カルボニルオキシ等を有している基を意味する。尚、単に「有機基」と示す場合、１価の有機基を意味する。また、「２～１０価の有機基」とは、炭素を含有する２～１０価の基を意味する。かかる２～１０価の有機基としては、特に限定されないが、有機基からさらに１～９個の水素原子を脱離させた２～１０価の基が挙げられる。例えば、２価の有機基としては、特に限定されるものではないが、有機基からさらに１個の水素原子を脱離させた２価の基が挙げられる。

【0078】

本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」とは、炭素及び水素を含む基であって、炭化水素から１個の水素原子を脱離させた基を意味する。かかる炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、１つ又はそれ以上の置換基により置換されていてもよい、Ｃ_１－２０炭化水素基、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記「脂肪族炭化水素基」は、直鎖状、分枝鎖状又は環状のいずれであってもよく、飽和又は不飽和のいずれであってもよい。また、炭化水素基は、１つ又はそれ以上の環構造を含んでいてもよい。

【0079】

本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、１個又はそれ以上のハロゲン原子により置換されていてもよい、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、Ｃ_２－６アルキニル基、Ｃ_３－１０シクロアルキル基、Ｃ_３－１０不飽和シクロアルキル基、５～１０員のヘテロシクリル基、５～１０員の不飽和ヘテロシクリル基、Ｃ_６－１０アリール基及び５～１０員のヘテロアリール基から選択される１個又はそれ以上の基が挙げられる。

【0080】

本明細書において用いられる場合、「加水分解性基」とは、加水分解反応を受け得る基を意味し、すなわち、加水分解反応により、化合物の主骨格から脱離し得る基を意味する。加水分解性基の例としては、－ＯＲ^ｊ、－ＯＣＯＲ^ｊ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｊ _２、－ＮＲ^ｊ _２、－ＮＨＲ^ｊ、－ＮＣＯ、ハロゲン（これら式中、Ｒ^ｊは、置換又は非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）などが挙げられる。

【0081】

上記含フッ素シラン化合物は、上記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）又は（２）：

【化4】

［式中：
Ｒ^Ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ^１－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
Ｒ^Ｆ２は、－Ｒｆ^２ _ｐ－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－であり；
Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－１６アルキル基であり；
Ｒｆ^２は、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－６アルキレン基であり；
Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり；
ｐは、０又は１であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０又は１であり；
Ｒ^Ｓｉは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解性基、水素原子又は１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
少なくとも１つのＲ^Ｓｉは、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合又は２～１０価の有機基であり；
αは、１～９の整数であり；
βは、１～９の整数であり；
γは、それぞれ独立して、１～９の整数である。］
で表される少なくとも１種の含フッ素シラン化合物である。

【0082】

上記式（１）において、Ｒ^Ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ^１－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－である。

【0083】

上記式（２）において、Ｒ^Ｆ２は、－Ｒｆ^２ _ｐ－Ｒ^Ｆ－Ｏ_ｑ－である。

【0084】

上記式において、Ｒｆ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－１６アルキル基である。

【0085】

上記１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－１６アルキル基における「Ｃ_１－１６アルキル基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖又は分枝鎖のＣ_１－６アルキル基、特にＣ_１－３アルキル基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１－６アルキル基、特にＣ_１－３アルキル基である。

【0086】

上記Ｒｆ^１は、好ましくは、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されているＣ_１－１６アルキル基であり、より好ましくはＣＦ_２Ｈ－Ｃ_１－１５パーフルオロアルキレン基であり、さらに好ましくはＣ_１－１６パーフルオロアルキル基である。

【0087】

上記Ｃ_１－１６パーフルオロアルキル基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖又は分枝鎖のＣ_１－６パーフルオロアルキル基、特にＣ_１－３パーフルオロアルキル基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１－６パーフルオロアルキル基、特にＣ_１－３パーフルオロアルキル基、具体的には－ＣＦ_３、－ＣＦ_２ＣＦ_３、又は－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３である。

【0088】

上記式において、Ｒｆ^２は、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－６アルキレン基である。

【0089】

上記１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ_１－６アルキレン基における「Ｃ_１－６アルキレン基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖又は分枝鎖のＣ_１－３アルキレン基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１－３アルキレン基である。

【0090】

上記Ｒｆ^２は、好ましくは、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されているＣ_１－６アルキレン基であり、より好ましくはＣ_１－６パーフルオロアルキレン基であり、さらに好ましくはＣ_１－３パーフルオロアルキレン基である。

【0091】

上記Ｃ_１－６パーフルオロアルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖又は分枝鎖のＣ_１－３パーフルオロアルキレン基であり、より好ましくは直鎖のＣ_１－３パーフルオロアルキレン基、具体的には－ＣＦ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－、又は－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－である。

【0092】

上記式において、ｐは、０又は１である。一の態様において、ｐは０である。別の態様においてｐは１である。

【0093】

上記式において、ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０又は１である。一の態様において、ｑは０である。別の態様においてｑは１である。

【0094】

上記式（１）及び（２）において、Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基である。

【0095】

Ｒ^Ｆは、好ましくは、下記：
－（ＯＣ_ｈ１Ｒ^Ｆａ _２ｈ１）_ｈ３－（ＯＣ_ｈ２Ｒ^Ｆａ _{２ｈ２－２}）_ｈ４－
［式中：
Ｒ^Ｆａは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は塩素原子であり、
ｈ１は、１～６の整数であり、
ｈ２は、４～８の整数であり、
ｈ３は、０以上の整数であり、
ｈ４は、０以上の整数であり、
だたし、ｈ３とｈ４の合成は、１以上、好ましくは２以上、より好ましくは５以上であり、ｈ３及びｈ４を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］
で表される基を含み得る。

【0096】

一の態様において、Ｒ^Ｆは、直鎖状、又は分枝鎖状であり得る。Ｒ^Ｆは、好ましくは、式：
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｒ^Ｆａ _６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－
［式中：
Ｒ^Ｆａは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は塩素原子であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、それぞれ独立して、０～２００の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は１以上である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。ただし、すべてのＲ^Ｆａが水素原子又は塩素原子である場合、ａ、ｂ、ｃ、ｅ及びｆの少なくとも１つは、１以上である。］
で表される基である。

【0097】

Ｒ^Ｆａは、好ましくは、水素原子又はフッ素原子であり、より好ましくは、フッ素原子である。ただし、すべてのＲ^Ｆａが水素原子又は塩素原子である場合、ａ、ｂ、ｃ、ｅ及びｆの少なくとも１つは、１以上である。

【0098】

ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆは、好ましくは、それぞれ独立して、０～１００の整数であってもよい。

【0099】

ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上であり、例えば１５以上又は２０以上であってもよい。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は、好ましくは２００以下、より好ましくは１００以下、さらに好ましくは６０以下であり、例えば５０以下又は３０以下であってもよい。

【0100】

これら繰り返し単位は、直鎖状であっても、分枝鎖状であってもよい。例えば、－（ＯＣ_６Ｆ_１２）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－等であってもよい。－（ＯＣ_５Ｆ_１０）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－等であってもよい。－（ＯＣ_４Ｆ_８）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－、－（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））－、－（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）－及び－（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））－のいずれであってもよい。－（ＯＣ_３Ｆ_６）－（即ち、上記式中、Ｒ^Ｆａはフッ素原子である）は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－及び－（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－のいずれであってもよい。－（ＯＣ_２Ｆ_４）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）－及び－（ＯＣＦ（ＣＦ_３））－のいずれであってもよい。

【0101】

一の態様において、上記繰り返し単位は直鎖状である。上記繰り返し単位を直鎖状とすることにより、表面処理層の表面滑り性、摩耗耐久性等を向上させることができる。

【0102】

一の態様において、上記繰り返し単位は分枝鎖状である。上記繰り返し単位を分枝鎖状とすることにより、表面処理層の動摩擦係数を大きくすることができる。

【0103】

一の態様において、Ｒ^Ｆは、環構造を含み得る。

【0104】

上記環構造は、下記三員環、四員環、五員環、又は六員環であり得る。

【化5】

［式中、＊は、結合位置を示す。］

【0105】

上記環構造は、好ましくは四員環、五員環、又は六員環、より好ましくは四員環、又は六員環であり得る。

【0106】

環構造を有する繰り返し単位は、好ましくは、下記の単位であり得る。

【化6】

［式中、＊は、結合位置を示す。］

【0107】

一の態様において、Ｒ^Ｆは、各出現においてそれぞれ独立して、下記式（ｆ１）～（ｆ６）のいずれかで表される基である。
－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－ （ｆ１）
［式中、ｄは、１～２００の整数であり、ｅは０又は１である。］；
－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ２）
［式中、ｃ及びｄは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｅ及びｆは、それぞれ独立して１以上２００以下の整数であり、
ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は２以上であり、
添字ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。］；
－（Ｒ^６－Ｒ^７）_ｇ－ （ｆ３）
［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２又はＯＣ_２Ｆ_４であり、
Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０及びＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２又は３つの基の組み合わせであり、
ｇは、２～１００の整数である。］；
－（Ｒ^６－Ｒ^７）_ｇ－Ｒ^ｒ－（Ｒ^７’－Ｒ^６’）_ｇ’－ （ｆ４）
［式中、Ｒ^６は、ＯＣＦ_２又はＯＣ_２Ｆ_４であり、
Ｒ^７は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０及びＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２又は３つの基の組み合わせであり、
Ｒ^６’は、ＯＣＦ_２又はＯＣ_２Ｆ_４であり、
Ｒ^７’は、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０及びＯＣ_６Ｆ_１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２又は３つの基の組み合わせであり、
ｇは、２～１００の整数であり、
ｇ’は、２～１００の整数であり、
Ｒ^ｒは、

【化7】

（式中、＊は、結合位置を示す。）
である。］；
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ５）
［式中、ｅは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］
－（ＯＣ_６Ｆ_１２）_ａ－（ＯＣ_５Ｆ_１０）_ｂ－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ｃ－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｄ－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－ （ｆ６）
［式中、ｆは、１以上２００以下の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ又はｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］

【0108】

上記式（ｆ１）において、ｄは、好ましくは５～２００、より好ましくは１０～１００、さらに好ましくは１５～５０、例えば２５～３５の整数である。上記式（ｆ１）におけるＯＣ_３Ｆ_６は、好ましくは、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）、（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）または（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））であり、より好ましくは、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）である。一の態様において、ｅは０である。別の態様において、ｅは１である。上記式（ｆ１）における（ＯＣ_２Ｆ_４）は、好ましくは、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）または（ＯＣＦ（ＣＦ_３））であり、より好ましくは、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）である。

【0109】

上記式（ｆ２）において、ｅ及びｆは、それぞれ独立して、好ましくは５～２００、より好ましくは１０～２００の整数である。また、ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上であり、例えば１５以上又は２０以上であってもよい。一の態様において、上記式（ｆ２）は、好ましくは、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｄ－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－で表される基である。別の態様において、式（ｆ２）は、－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｅ－（ＯＣＦ_２）_ｆ－で表される基であってもよい。

【0110】

上記式（ｆ３）において、Ｒ^６は、好ましくは、ＯＣ_２Ｆ_４である。上記（ｆ３）において、Ｒ^７は、好ましくは、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６及びＯＣ_４Ｆ_８から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２又は３つの基の組み合わせであり、より好ましくは、ＯＣ_３Ｆ_６及びＯＣ_４Ｆ_８から選択される基である。ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６及びＯＣ_４Ｆ_８から独立して選択される２又は３つの基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_４Ｆ_８－、－ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_４Ｆ_８－、－ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_３Ｆ_６－、－ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_３Ｆ_６ＯＣ_２Ｆ_４－、及び－ＯＣ_４Ｆ_８ＯＣ_２Ｆ_４ＯＣ_２Ｆ_４－等が挙げられる。上記式（ｆ３）において、ｇは、好ましくは３以上、より好ましくは５以上の整数である。上記ｇは、好ましくは５０以下の整数である。上記式（ｆ３）において、ＯＣ_２Ｆ_４、ＯＣ_３Ｆ_６、ＯＣ_４Ｆ_８、ＯＣ_５Ｆ_１０及びＯＣ_６Ｆ_１２は、直鎖又は分枝鎖のいずれであってもよく、好ましくは直鎖である。この態様において、上記式（ｆ３）は、好ましくは、－（ＯＣ_２Ｆ_４－ＯＣ_３Ｆ_６）_ｇ－又は－（ＯＣ_２Ｆ_４－ＯＣ_４Ｆ_８）_ｇ－である。

【0111】

上記式（ｆ４）において、Ｒ^６、Ｒ^７及びｇは、上記式（ｆ３）の記載と同意義であり、同様の態様を有する。Ｒ^６’、Ｒ^７’及びｇ’は、それぞれ、上記式（ｆ３）に記載のＲ^６、Ｒ^７及びｇと同意義であり、同様の態様を有する。Ｒ^ｒは、好ましくは、

【化8】

［式中、＊は、結合位置を示す。］
であり、より好ましくは

【化9】

［式中、＊は、結合位置を示す。］
である。

【0112】

上記式（ｆ５）において、ｅは、好ましくは、１以上１００以下、より好ましくは５以上１００以下の整数である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上、例えば１０以上１００以下である。

【0113】

上記式（ｆ６）において、ｆは、好ましくは、１以上１００以下、より好ましくは５以上１００以下の整数である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆの和は、好ましくは５以上であり、より好ましくは１０以上、例えば１０以上１００以下である。

【0114】

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ１）で表される基である。

【0115】

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ２）で表される基である。

【0116】

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ３）又は（ｆ４）で表される基である。

【0117】

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ３）で表される基である。

【0118】

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ４）で表される基である。

【0119】

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ５）で表される基である。

【0120】

一の態様において、上記Ｒ^Ｆは、上記式（ｆ６）で表される基である。

【0121】

上記Ｒ^Ｆにおいて、ｆに対するｅの比（以下、「ｅ／ｆ比」という）は、０．１～１０であり、好ましくは０．２～５であり、より好ましくは０．２～２であり、さらに好ましくは０．２～１．５であり、さらにより好ましくは０．２～０．８５である。ｅ／ｆ比を１０以下にすることにより、この化合物から得られる表面処理層の滑り性、摩耗耐久性及び耐ケミカル性（例えば、人工汗に対する耐久性）がより向上する。ｅ／ｆ比がより小さいほど、表面処理層の滑り性及び摩耗耐久性はより向上する。一方、ｅ／ｆ比を０．１以上にすることにより、化合物の安定性をより高めることができる。ｅ／ｆ比がより大きいほど、化合物の安定性はより向上する。

【0122】

上記含フッ素シラン化合物において、Ｒ^Ｆ１及びＲ^Ｆ２部分の数平均分子量は、特に限定されるものではないが、例えば５００～３０，０００、好ましくは１，５００～３０，０００、より好ましくは２，０００～１０，０００である。本明細書において、Ｒ^Ｆ１及びＲ^Ｆ２の数平均分子量は、^１９Ｆ－ＮＭＲにより測定される値とする。

【0123】

別の態様において、Ｒ^Ｆ１及びＲ^Ｆ２部分の数平均分子量は、５００～３０，０００、好ましくは１，０００～２０，０００、より好ましくは２，０００～１５，０００、さらにより好ましくは２，０００～１０，０００、例えば３，０００～６，０００であり得る。

【0124】

別の態様において、Ｒ^Ｆ１及びＲ^Ｆ２部分の数平均分子量は、４，０００～３０，０００、好ましくは５，０００～１０，０００、より好ましくは６，０００～１０，０００であり得る。

【0125】

上記式（１）及び（２）において、Ｒ^Ｓｉは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解性基、水素原子又は１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり、少なくとも１つのＲ^Ｓｉは、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子を含む１価の基である。

【0126】

ここに、「加水分解性基」とは、加水分解反応を受け得る基を意味し、すなわち、加水分解反応により、化合物の主骨格から脱離し得る基を意味する。加水分解性基の例としては、－ＯＲ^ｊ、－ＯＣＯＲ^ｊ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｊ _２、－ＮＲ^ｊ _２、－ＮＨＲ^ｊ、－ＮＣＯ、ハロゲン（これら式中、Ｒ^ｊは、置換又は非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）などが挙げられる。

【0127】

好ましい態様において、Ｒ^Ｓｉは、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子を含む１価の基である。

【0128】

好ましい態様において、Ｒ^Ｓｉは、下記式（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、（Ｓ４）、又は（Ｓ５）：

【化10】

で表される基である。

【0129】

上記式中、Ｒ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基である。

【0130】

Ｒ^１１は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解性基である。

【0131】

Ｒ^１１は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｊ、－ＯＣＯＲ^ｊ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｊ _２、－ＮＲ^ｊ _２、－ＮＨＲ^ｊ、－ＮＣＯ、又はハロゲン（これら式中、Ｒ^ｊは、置換又は非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｊ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｊとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｊは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｊは、エチル基である。

【0132】

上記式中、Ｒ^１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解性基を除く１価の有機基である。

【0133】

Ｒ^１２において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

【0134】

上記式中、ｎ１は、（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）単位毎にそれぞれ独立して、０～３の整数である。ただし、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ１）又は（Ｓ２）で表される基である場合、式（１）及び式（２）の末端のＲ^Ｓｉ部分（以下、単に式（１）及び式（２）の「末端部分」ともいう）において、ｎ１が１～３である（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）単位が少なくとも１つ存在する。即ち、かかる末端部分において、すべてのｎ１が同時に０になることはない。換言すれば、式（１）及び式（２）の末端部分において、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子が少なくとも１つ存在する。

【0135】

ｎ１は、（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）単位毎にそれぞれ独立して、好ましくは１～３の整数であり、より好ましくは２～３、さらに好ましくは３である。

【0136】

上記式中、Ｘ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合又は２価の有機基である。かかる２価の有機基は、好ましくは－Ｒ^２８－Ｏ_ｘ－Ｒ^２９－（式中、Ｒ^２８及びＲ^２９は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合又はＣ_１－２０アルキレン基であり、ｘは０又は１である。）である。かかるＣ_１－２０アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。かかるＣ_１－２０アルキレン基は、好ましくはＣ_１－１０アルキレン基、より好ましくはＣ_１－６アルキレン基、さらに好ましくはＣ_１－３アルキレン基である。

【0137】

一の態様において、Ｘ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｃ_１－６アルキレン－Ｏ－Ｃ_１－６アルキレン－又は－Ｏ－Ｃ_１－６アルキレン－である。

【0138】

好ましい態様において、Ｘ^１１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合又は直鎖のＣ_１－６アルキレン基であり、好ましくは単結合又は直鎖のＣ_１－３アルキレン基、より好ましくは単結合又は直鎖のＣ_１－２アルキレン基であり、さらに好ましくは直鎖のＣ_１－２アルキレン基である。

【0139】

上記式中、Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基である。かかる１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基である。かかるＣ_１－２０アルキル基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。

【0140】

好ましい態様において、Ｒ^１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は直鎖のＣ_１－６アルキル基であり、好ましくは水素原子又は直鎖のＣ_１－３アルキル基、好ましくは水素原子又はメチル基である。

【0141】

上記式中、ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２以上の整数である。

【0142】

好ましい態様において、ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２～１０の整数、好ましくは２～６の整数である。

【0143】

上記式中、Ｒ^１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子又は－Ｘ^１１－ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１である。かかるハロゲン原子は、好ましくはヨウ素原子、塩素原子又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。好ましい態様において、Ｒ^１４は、水素原子である。

【0144】

上記式中、Ｒ^１５は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子、炭素数１～６のアルキレン基又は炭素数１～６のアルキレンオキシ基である。

【0145】

一の態様において、Ｒ^１５は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子、炭素数１～６のアルキレン基又は炭素数１～６のアルキレンオキシ基である。

【0146】

好ましい態様において、Ｒ^１５は、単結合である。

【0147】

一の態様において、式（Ｓ１）は、下記式（Ｓ１－ａ）である。

【化11】

［式中、
Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｘ^１１、及びｎ１は、上記式（Ｓ１）の記載と同意義であり；
ｔ１及びｔ２は、各出現においてそれぞれ独立して、１以上の整数、好ましくは１～１０の整数、より好ましくは２～１０の整数、例えば１～５の整数又は２～５の整数であり；
ｔ１及びｔ２を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。］

【0148】

好ましい態様において、式（Ｓ１）は、下記式（Ｓ１－ｂ）である。

【化12】

［式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｘ^１１、ｎ１及びｔは、上記式（Ｓ１）の記載と同意義である］

【0149】

上記式中、Ｒ^ａ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１－ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１である。

【0150】

上記Ｚ^１は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子又は２価の有機基である。尚、以下Ｚ^１として記載する構造は、右側が（ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１）に結合する。

【0151】

好ましい態様において、Ｚ^１は、２価の有機基である。

【0152】

好ましい態様において、Ｚ^１は、Ｚ^１が結合しているＳｉ原子とシロキサン結合を形成するものを含まない。好ましくは、式（Ｓ３）において、（Ｓｉ－Ｚ^１－Ｓｉ）は、シロキサン結合を含まない。

【0153】

上記Ｚ^１は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ１－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ２－（式中、ｚ１は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ２は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）又は、－（ＣＨ_２）_ｚ３－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４－（式中、ｚ３は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ４は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、及びＣ_２－６アルキニル基から選択される１個又はそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

【0154】

好ましい態様において、Ｚ^１は、Ｃ_１－６アルキレン基又は－（ＣＨ_２）_ｚ３－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４－である。Ｚ^１がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

【0155】

別の好ましい態様において、上記Ｚ^１は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^１は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^１は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

【0156】

上記Ｒ^２１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１’－ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’である。

【0157】

上記Ｚ^１’は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子又は２価の有機基である。尚、以下Ｚ^１’として記載する構造は、右側が（ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’）に結合する。

【0158】

好ましい態様において、Ｚ^１’は、２価の有機基である。

【0159】

好ましい態様において、Ｚ^１’は、Ｚ^１’が結合しているＳｉ原子とシロキサン結合を形成するものを含まない。好ましくは、式（Ｓ３）において、（Ｓｉ－Ｚ^１’－Ｓｉ）は、シロキサン結合を含まない。

【0160】

上記Ｚ^１’は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ１’－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ２’－（式中、ｚ１’は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ２’は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）又は、－（ＣＨ_２）_ｚ３’－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４’－（式中、ｚ３’は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ４’は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、及びＣ_２－６アルキニル基から選択される１個又はそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

【0161】

好ましい態様において、Ｚ^１’は、Ｃ_１－６アルキレン基又は－（ＣＨ_２）_ｚ３’－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４’－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４’－である。Ｚ^１’がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

【0162】

別の好ましい態様において、上記Ｚ^１’は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^１’は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^１’は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

【0163】

上記Ｒ^２１’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^１”－ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”である。

【0164】

上記Ｚ^１”は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子又は２価の有機基である。尚、以下Ｚ^１”として記載する構造は、右側が（ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”）に結合する。

【0165】

好ましい態様において、Ｚ^１”は、２価の有機基である。

【0166】

好ましい態様において、Ｚ^１”は、Ｚ^１”が結合しているＳｉ原子とシロキサン結合を形成するものを含まない。好ましくは、式（Ｓ３）において、（Ｓｉ－Ｚ^１”－Ｓｉ）は、シロキサン結合を含まない。

【0167】

上記Ｚ^１”は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ１”－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ２”－（式中、ｚ１”は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ２”は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）又は、－（ＣＨ_２）_ｚ３”－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４”－（式中、ｚ３”は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ４”は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、及びＣ_２－６アルキニル基から選択される１個又はそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

【0168】

好ましい態様において、Ｚ^１”は、Ｃ_１－６アルキレン基又は－（ＣＨ_２）_ｚ３”－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４”－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ４”－である。Ｚ^１”がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

【0169】

別の好ましい態様において、上記Ｚ^１”は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^１”は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^１”は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

【0170】

上記Ｒ^２２”は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基である。

【0171】

上記Ｒ^２２”は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解性基である。

【0172】

上記Ｒ^２２”は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｊ、－ＯＣＯＲ^ｊ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｊ _２、－ＮＲ^ｊ _２、－ＮＨＲ^ｊ、－ＮＣＯ、又はハロゲン（これら式中、Ｒ^ｊは、置換又は非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｊ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｊとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｊは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｊは、エチル基である。

【0173】

上記Ｒ^２３”は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解性基を除く１価の有機基である。

【0174】

上記Ｒ^２３”において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

【0175】

上記ｑ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、上記ｒ１”は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｑ１”とｒ１”の合計は、（ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”）単位において、３である。

【0176】

上記ｑ１”は、（ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”）単位毎にそれぞれ独立して、好ましくは１～３の整数であり、より好ましくは２～３、さらに好ましくは３である。

【0177】

上記Ｒ^２２’は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基である。

【0178】

Ｒ^２２’は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解性基である。

【0179】

Ｒ^２２’は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｊ、－ＯＣＯＲ^ｊ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｊ _２、－ＮＲ^ｊ _２、－ＮＨＲ^ｊ、－ＮＣＯ、又はハロゲン（これら式中、Ｒ^ｊは、置換又は非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｊ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｊとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｊは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｊは、エチル基である。

【0180】

上記Ｒ^２３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解性基を除く１価の有機基である。

【0181】

Ｒ^２３’において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

【0182】

上記ｐ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｑ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｒ１’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｐ’、ｑ１’とｒ１’の合計は、（ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’）単位において、３である。

【0183】

一の態様において、ｐ１’は、０である。

【0184】

一の態様において、ｐ１’は、（ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数、２～３の整数、又は３であってもよい。好ましい態様において、ｐ１’は、３である。

【0185】

一の態様において、ｑ１’は、（ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、より好ましくは３である。

【0186】

一の態様において、ｐ１’は０であり、ｑ１’は、（ＳｉＲ^２１’ _ｐ１’Ｒ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、さらに好ましくは３である。

【0187】

上記Ｒ^２２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基である。

【0188】

Ｒ^２２は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解性基である。

【0189】

Ｒ^２２は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｊ、－ＯＣＯＲ^ｊ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｊ _２、－ＮＲ^ｊ _２、－ＮＨＲ^ｊ、－ＮＣＯ、又はハロゲン（これら式中、Ｒ^ｊは、置換又は非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｊ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｊとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｊは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｊは、エチル基である。

【0190】

上記Ｒ^２３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解性基を除く１価の有機基である。

【0191】

Ｒ^２３において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

【0192】

上記ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｐ１、ｑ１とｒ１の合計は、（ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１）単位において、３である。

【0193】

一の態様において、ｐ１は、０である。

【0194】

一の態様において、ｐ１は、（ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数、２～３の整数、又は３であってもよい。好ましい態様において、ｐ１は、３である。

【0195】

一の態様において、ｑ１は、（ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、より好ましくは３である。

【0196】

一の態様において、ｐ１は０であり、ｑ１は、（ＳｉＲ^２１ _ｐ１Ｒ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、さらに好ましくは３である。

【0197】

上記式中、Ｒ^ｂ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基である。

【0198】

上記Ｒ^ｂ１は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解性基である。

【0199】

上記Ｒ^ｂ１は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｊ、－ＯＣＯＲ^ｊ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｊ _２、－ＮＲ^ｊ _２、－ＮＨＲ^ｊ、－ＮＣＯ、又はハロゲン（これら式中、Ｒ^ｊは、置換又は非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｊ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｊとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｊは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｊは、エチル基である。

【0200】

上記式中、Ｒ^ｃ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解性基を除く１価の有機基である。

【0201】

上記Ｒ^ｃ１において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

【0202】

上記ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｋ１、ｌ１とｍ１の合計は、（ＳｉＲ^ａ１ _ｋ１Ｒ^ｂ１ _ｌ１Ｒ^ｃ１ _ｍ１）単位において、３である。

【0203】

一の態様において、ｋ１は、（ＳｉＲ^ａ１ _ｋ１Ｒ^ｂ１ _ｌ１Ｒ^ｃ１ _ｍ１）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２又は３、より好ましくは３である。好ましい態様において、ｋ１は、３である。

【0204】

上記式（１）及び（２）において、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ３）で表される基である場合、好ましくは、式（１）及び式（２）の末端部分において、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子が少なくとも２つ存在する。

【0205】

好ましい態様において、式（Ｓ３）で表される基は、－Ｚ^１－ＳｉＲ^２２ _ｑ１Ｒ^２３ _ｒ１（式中、ｑ１は、１～３の整数であり、好ましくは２又は３、より好ましくは３であり、ｒ１は、０～２の整数である。）、－Ｚ^１’－ＳｉＲ^２２’ _ｑ１’Ｒ^２３’ _ｒ１’（式中、ｑ１’は、１～３の整数であり、好ましくは２又は３、より好ましくは３であり、ｒ１’は、０～２の整数である。）、又は－Ｚ^１”－ＳｉＲ^２２” _ｑ１”Ｒ^２３” _ｒ１”（式中、ｑ１”は、１～３の整数であり、好ましくは２又は３、より好ましくは３であり、ｒ１”は、０～２の整数である。）のいずれか１つを有する。Ｚ^１、Ｚ^１’、Ｚ^１”、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２２’、Ｒ^２３’、Ｒ^２２”、及びＲ^２３”は、上記と同意義である。

【0206】

好ましい態様において、式（Ｓ３）において、Ｒ^２１’が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^２１’において、ｑ１”は、１～３の整数であり、好ましくは２又は３、より好ましくは３である。

【0207】

好ましい態様において、式（Ｓ３）において、Ｒ^２１が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^２１において、ｐ１’は、０であり、ｑ１’は、１～３の整数であり、好ましくは２又は３、より好ましくは３である。

【0208】

好ましい態様において、式（Ｓ３）において、Ｒ^ａ１が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^ａ１において、ｐ１は、０であり、ｑ１は、１～３の整数であり、好ましくは２又は３、より好ましくは３である。

【0209】

好ましい態様において、式（Ｓ３）において、ｋ１は２又は３、好ましくは３であり、ｐ１は０であり、ｑ１は２又は３、好ましくは３である。

【0210】

Ｒ^ｄ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２－ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２である。

【0211】

Ｚ^２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基である。尚、以下Ｚ^２として記載する構造は、右側が（ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２）に結合する。

【0212】

好ましい態様において、Ｚ^２は、２価の有機基である。

【0213】

上記Ｚ^２は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ５－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ６－（式中、ｚ５は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ６は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）又は、－（ＣＨ_２）_ｚ７－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８－（式中、ｚ７は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ８は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、及びＣ_２－６アルキニル基から選択される１個又はそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

【0214】

好ましい態様において、Ｚ^２は、Ｃ_１－６アルキレン基又は－（ＣＨ_２）_ｚ７－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８－である。Ｚ^２がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

【0215】

別の好ましい態様において、上記Ｚ^２は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^２は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^２は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

【0216】

Ｒ^３１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^２’－ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’である。

【0217】

Ｚ^２’は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基である。尚、以下Ｚ^２’として記載する構造は、右側が（ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’）に結合する。

【0218】

上記Ｚ^２’は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ５’－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ６’－（式中、ｚ５’は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ６’は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）又は、－（ＣＨ_２）_ｚ７’－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８’－（式中、ｚ７’は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ８’は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、及びＣ_２－６アルキニル基から選択される１個又はそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

【0219】

好ましい態様において、Ｚ^２’は、Ｃ_１－６アルキレン基又は－（ＣＨ_２）_ｚ７’－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８’－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８’－である。Ｚ^２’がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

【0220】

別の好ましい態様において、上記Ｚ^２’は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^２’は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^２’は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

【0221】

上記Ｒ^３２’は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２である。

【0222】

上記Ｚ^３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基である。尚、以下Ｚ^３として記載する構造は、右側が（ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２）に結合する。

【0223】

一の態様において、Ｚ^３は酸素原子である。

【0224】

一の態様において、Ｚ^３は２価の有機基である。

【0225】

上記Ｚ^３は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ５”－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ６”－（式中、ｚ５”は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ６”は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）又は、－（ＣＨ_２）_ｚ７”－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８”－（式中、ｚ７”は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ８”は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、及びＣ_２－６アルキニル基から選択される１個又はそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

【0226】

好ましい態様において、Ｚ^３は、Ｃ_１－６アルキレン基又は－（ＣＨ_２）_ｚ７”－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８”－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８”－である。Ｚ^３がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

【0227】

別の好ましい態様において、上記Ｚ^３は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^３は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^３は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

【0228】

上記Ｒ^３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基である。

【0229】

Ｒ^３４は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、加水分解性基である。

【0230】

Ｒ^３４は、好ましくは、各出現においてそれぞれ独立して、－ＯＲ^ｊ、－ＯＣＯＲ^ｊ、－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｊ _２、－ＮＲ^ｊ _２、－ＮＨＲ^ｊ、－ＮＣＯ、又はハロゲン（これら式中、Ｒ^ｊは、置換又は非置換のＣ_１－４アルキル基を示す）であり、より好ましくは－ＯＲ^ｊ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒ^ｊとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が挙げられる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましい。一の態様において、Ｒ^ｊは、メチル基であり、別の態様において、Ｒ^ｊは、エチル基である。

【0231】

上記Ｒ^３５は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子又は１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解性基を除く１価の有機基である。

【0232】

上記Ｒ^３５において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基、さらに好ましくはメチル基である。

【0233】

上記式中、ｎ２は、（ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２）単位毎にそれぞれ独立して、０～３の整数である。ただし、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ４）で表される基である場合、式（１）及び式（２）の末端部分において、ｎ２が１～３である（ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２）単位が少なくとも１つ存在する。即ち、かかる末端部分において、すべてのｎ２が同時に０になることはない。換言すれば、式（１）及び式（２）の末端部分において、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子が少なくとも１つ存在する。

【0234】

ｎ２は、（ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２）単位毎にそれぞれ独立して、好ましくは１～３の整数であり、より好ましくは２～３、さらに好ましくは３である。

【0235】

上記Ｒ^３３’は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基又は１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解性基を除く１価の有機基である。

【0236】

上記Ｒ^３３’において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基又は－（Ｃ_ｓＨ_２ｓ）_ｔ１－（Ｏ－Ｃ_ｓＨ_２ｓ）_ｔ２（式中、ｓは、１～６の整数、好ましくは２～４の整数であり、ｔ１は１又は０、好ましくは０であり、ｔ２は、１～２０の整数、好ましくは２～１０の整数、より好ましくは２～６の整数である。）であり、より好ましくはＣ_１－２０アルキル基、さらに好ましくはＣ_１－６アルキル基、特に好ましくはメチル基である。

【0237】

一の態様において、Ｒ^３３’は、水酸基である。

【0238】

別の態様において、Ｒ^３３’は、１価の有機基、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基である。

【0239】

上記ｑ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、上記ｒ２’は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｑ２’とｒ２’の合計は、（ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’）単位において、３である。

【0240】

ｑ２’は、（ＣＲ^３２’ _ｑ２’Ｒ^３３’ _ｒ２’）単位毎にそれぞれ独立して、好ましくは１～３の整数であり、より好ましくは２～３、さらに好ましくは３である。

【0241】

Ｒ^３２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２である。かかる－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２は、上記Ｒ^３２’における記載と同意義である。

【0242】

上記Ｒ^３３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基又は１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解性基を除く１価の有機基である。

【0243】

上記Ｒ^３３において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基又は－（Ｃ_ｓＨ_２ｓ）_ｔ１－（Ｏ－Ｃ_ｓＨ_２ｓ）_ｔ２（式中、ｓは、１～６の整数、好ましくは２～４の整数であり、ｔ１は１又は０、好ましくは０であり、ｔ２は、１～２０の整数、好ましくは２～１０の整数、より好ましくは２～６の整数である。）であり、より好ましくはＣ_１－２０アルキル基、さらに好ましくはＣ_１－６アルキル基、特に好ましくはメチル基である。

【0244】

一の態様において、Ｒ^３３は、水酸基である。

【0245】

別の態様において、Ｒ^３３は、１価の有機基、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基である。

【0246】

上記ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｐ２、ｑ２及びｒ２の合計は、（ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２）単位において、３である。

【0247】

一の態様において、ｐ２は、０である。

【0248】

一の態様において、ｐ２は、（ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数、２～３の整数、又は３であってもよい。好ましい態様において、ｐ２は、３である。

【0249】

一の態様において、ｑ２は、（ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、より好ましくは３である。

【0250】

一の態様において、ｐ２は０であり、ｑ２は、（ＣＲ^３１ _ｐ２Ｒ^３２ _ｑ２Ｒ^３３ _ｒ２）単位毎にそれぞれ独立して、１～３の整数であり、好ましくは２～３の整数、さらに好ましくは３である。

【0251】

上記Ｒ^ｅ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２である。かかる－Ｚ^３－ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２は、上記Ｒ^３２’における記載と同意義である。

【0252】

上記Ｒ^ｆ１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、水酸基又は１価の有機基である。かかる１価の有機基は、上記加水分解性基を除く１価の有機基である。

【0253】

上記Ｒ^ｆ１において、１価の有機基は、好ましくはＣ_１－２０アルキル基又は－（Ｃ_ｓＨ_２ｓ）_ｔ１－（Ｏ－Ｃ_ｓＨ_２ｓ）_ｔ２（式中、ｓは、１～６の整数、好ましくは２～４の整数であり、ｔ１は１又は０、好ましくは０であり、ｔ２は、１～２０の整数、好ましくは２～１０の整数、より好ましくは２～６の整数である。）であり、より好ましくはＣ_１－２０アルキル基、さらに好ましくはＣ_１－６アルキル基、特に好ましくはメチル基である。

【0254】

一の態様において、Ｒ^ｆ１は、水酸基である。

【0255】

別の態様において、Ｒ^ｆ１は、１価の有機基、好ましくはＣ_１－２０アルキル基であり、より好ましくはＣ_１－６アルキル基である。

【0256】

上記ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数であり、ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０～３の整数である。尚、ｋ２、ｌ２及びｍ２の合計は、（ＣＲ^ｄ１ _ｋ２Ｒ^ｅ１ _ｌ２Ｒ^ｆ１ _ｍ２）単位において、３である。

【0257】

上記式（１）及び（２）において、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ４）で表される基である場合、好ましくは、式（１）及び式（２）の末端部分において、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子が少なくとも２つ存在する。

【0258】

一の態様において、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ４）で表される基である場合、ｎ２が１～３、好ましくは２又は３、より好ましくは３である（ＳｉＲ^３４ _ｎ２Ｒ^３５ _３－ｎ２）単位は、式（１）及び式（２）の各末端部分において、２個以上、例えば２～２７個、好ましくは２～９個、より好ましくは２～６個、さらに好ましくは２～３個、特に好ましくは３個存在する。

【0259】

好ましい態様において、式（Ｓ４）において、Ｒ^３２’が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^３２’において、ｎ２は、１～３の整数であり、好ましくは２又は３、より好ましくは３である。

【0260】

好ましい態様において、式（Ｓ４）において、Ｒ^３２が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^３２において、ｎ２は、１～３の整数であり、好ましくは２又は３、より好ましくは３である。

【0261】

好ましい態様において、式（Ｓ４）において、Ｒ^ｅ１が存在する場合、少なくとも１つの、好ましくは全てのＲ^ａ１において、ｎ２は、１～３の整数であり、好ましくは２又は３、より好ましくは３である。

【0262】

好ましい態様において、式（Ｓ４）において、ｋ２は０であり、ｌ２は２又は３、好ましくは３であり、ｎ２は、２又は３、好ましくは３である。

【0263】

上記Ｒ^ｇ１及びＲ^ｈ１は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｚ^４－ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１、－Ｚ^４－ＳｉＲ^ａ１ _ｋ１Ｒ^ｂ１ _ｌ１Ｒ^ｃ１ _ｍ１、－Ｚ^４－ＣＲ^ｄ１ _ｋ２Ｒ^ｅ１ _ｌ２Ｒ^ｆ１ _ｍ２である。ここに、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^ａ１、Ｒ^ｂ２、Ｒ^ｃ１、Ｒ^ｄ１、Ｒ^ｅ１、Ｒ^ｆ１、ｎ１、ｋ１、ｌ１、ｍ１、ｋ２、ｌ２、及びｍ２は、上記と同意義である。

【0264】

好ましい態様において、Ｒ^ｇ１及びＲ^ｈ１は、それぞれ独立して、－Ｚ^４－ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１である。

【0265】

上記Ｚ^４は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合、酸素原子又は２価の有機基である。尚、以下Ｚ^４として記載する構造は、右側が（ＳｉＲ^１１ _ｎ１Ｒ^１２ _３－ｎ１）に結合する。

【0266】

一の態様において、Ｚ^４は酸素原子である。

【0267】

一の態様において、Ｚ^４は２価の有機基である。

【0268】

上記Ｚ^４は、好ましくは、Ｃ_１－６アルキレン基、－（ＣＨ_２）_ｚ５”－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｚ６”－（式中、ｚ５”は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ６”は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）又は、－（ＣＨ_２）_ｚ７”－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８”－（式中、ｚ７”は、０～６の整数、例えば１～６の整数であり、ｚ８”は、０～６の整数、例えば１～６の整数である）である。かかるＣ_１－６アルキレン基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよいが、好ましくは直鎖である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ_１－６アルキル基、Ｃ_２－６アルケニル基、及びＣ_２－６アルキニル基から選択される１個又はそれ以上の置換基により置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。

【0269】

好ましい態様において、Ｚ^４は、Ｃ_１－６アルキレン基又は－（ＣＨ_２）_ｚ７”－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８”－、好ましくは－フェニレン－（ＣＨ_２）_ｚ８”－である。Ｚ^３がかかる基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。

【0270】

別の好ましい態様において、上記Ｚ^４は、Ｃ_１－３アルキレン基である。一の態様において、Ｚ^４は、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。別の態様において、Ｚ^４は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であり得る。

【0271】

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ２）、（Ｓ３）、（Ｓ４）又は（Ｓ５）で表される基である。これらの化合物は、高い表面滑り性を有する表面処理層を形成することができる。

【0272】

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ３）、（Ｓ４）又は（Ｓ５）で表される基である。これらの化合物は、一の末端に複数の加水分解性基を有することから、基材に強く密着し、高い摩耗耐久性を有する表面処理層を形成することができる。

【0273】

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ３）又は（Ｓ４）で表される基である。これらの化合物は、一の末端に、一のＳｉ原子又はＣ原子から分岐した複数の加水分解性基を有し得ることから、さらに高い摩耗耐久性を有する表面処理層を形成することができる。

【0274】

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ１）で表される基である。

【0275】

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ２）で表される基である。

【0276】

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ３）で表される基である。

【0277】

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ４）で表される基である。

【0278】

一の態様において、Ｒ^Ｓｉは、式（Ｓ５）で表される基である。

【0279】

上記式（１）及び（２）において、Ｘ^Ａは、主に撥水性及び表面滑り性等を提供するフルオロポリエーテル部（Ｒ^Ｆ１及びＲ^Ｆ２）と基材との結合能を提供する部（Ｒ^Ｓｉ）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ^Ａは、式（１）及び（２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、単結合であってもよく、いずれの基であってもよい。

【0280】

上記式（１）において、αは１～９の整数であり、βは１～９の整数である。これらα及びβは、Ｘ^Ａの価数に応じて変化し得る。α及びβの和は、Ｘ^Ａの価数と同じである。例えば、Ｘ^Ａが１０価の有機基である場合、α及びβの和は１０であり、例えばαが９かつβが１、αが５かつβが５、又はαが１かつβが９となり得る。また、Ｘ^Ａが２価の有機基である場合、α及びβは１である。

【0281】

上記式（２）において、γは１～９の整数である。γは、Ｘ^Ａの価数に応じて変化し得る。即ち、γは、Ｘ^Ａの価数から１を引いた値である。

【0282】

Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、単結合又は２～１０価の有機基であり；

【0283】

上記Ｘ^Ａにおける２～１０価の有機基は、好ましくは２～８価の有機基である。一の態様において、かかる２～１０価の有機基は、好ましくは２～４価の有機基であり、より好ましくは２価の有機基である。別の態様において、かかる２～１０価の有機基は、好ましくは３～８価の有機基、より好ましくは３～６価の有機基である。

【0284】

一の態様において、Ｘ^Ａは、単結合又は２価の有機基であり、αは１であり、βは１である。

【0285】

一の態様において、Ｘ^Ａは、単結合又は２価の有機基であり、γは１である。

【0286】

一の態様において、Ｘ^Ａは３～６価の有機基であり、αは１であり、βは２～５である。

【0287】

一の態様において、Ｘ^Ａは３～６価の有機基であり、γは２～５である。

【0288】

一の態様において、Ｘ^Ａは、３価の有機基であり、αは１であり、βは２である。

【0289】

一の態様において、Ｘ^Ａは、３価の有機基であり、γは２である。

【0290】

Ｘ^Ａが、単結合又は２価の有機基である場合、式（１）及び（２）は、下記式（１’）及び（２’）で表される。

【化13】

【0291】

一の態様において、Ｘ^Ａは単結合である。

【0292】

別の態様において、Ｘ^Ａは２価の有機基である。

【0293】

一の態様において、Ｘ^Ａとしては、例えば、単結合又は下記式：
－（Ｒ^５１）_ｐ５－（Ｘ^５１）_ｑ５－
［式中：
Ｒ^５１は、単結合、－（ＣＨ_２）_ｓ５－又はｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基を表し、好ましくは－（ＣＨ_２）_ｓ５－であり、
ｓ５は、１～２０の整数、好ましくは１～６の整数、より好ましくは１～３の整数、さらにより好ましくは１又は２であり、
Ｘ^５１は、－（Ｘ^５２）_ｌ５－を表し、
Ｘ^５２は、各出現においてそれぞれ独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、－ＣＯＮＲ^５４－、－Ｏ－ＣＯＮＲ^５４－、－ＮＲ^５４－及び－（ＣＨ_２）_ｎ５－からなる群から選択される基を表し、
Ｒ^５３は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、Ｃ_１－６アルキル基又はＣ_１－６アルコキシ基を表し、好ましくはフェニル基又はＣ_１－６アルキル基であり、より好ましくはメチル基であり、
Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基又はＣ_１－６アルキル基（好ましくはメチル基）を表し、
ｍ５は、各出現において、それぞれ独立して、１～１００の整数、好ましくは１～２０の整数であり、
ｎ５は、各出現において、それぞれ独立して、１～２０の整数、好ましくは１～６の整数、より好ましくは１～３の整数であり、
ｌ５は、１～１０の整数、好ましくは１～５の整数、より好ましくは１～３の整数であり、
ｐ５は、０又は１であり、
ｑ５は、０又は１であり、
ここに、ｐ５及びｑ５の少なくとも一方は１であり、ｐ５又はｑ５を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］
で表される２価の有機基が挙げられる。ここに、Ｘ^Ａ（典型的にはＸ^Ａの水素原子）は、フッ素原子、Ｃ_１－３アルキル基及びＣ_１－３フルオロアルキル基から選択される１個又はそれ以上の置換基により置換されていてもよい。好ましい態様において、Ｘ^Ａは、これらの基により置換されていない。

【0294】

好ましい態様において、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、－（Ｒ^５１）_ｐ５－（Ｘ^５１）_ｑ５－Ｒ^５２－である。Ｒ^５２は、単結合、－（ＣＨ_２）_ｔ５－又はｏ－、ｍ－もしくはｐ－フェニレン基を表し、好ましくは－（ＣＨ_２）_ｔ５－である。ｔ５は、１～２０の整数、好ましくは２～６の整数、より好ましくは２～３の整数である。ここに、Ｒ^５２（典型的にはＲ^５２の水素原子）は、フッ素原子、Ｃ_１－３アルキル基及びＣ_１－３フルオロアルキル基から選択される１個又はそれ以上の置換基により置換されていてもよい。好ましい態様において、Ｒ^５６は、これらの基により置換されていない。

【0295】

好ましくは、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
単結合、
Ｃ_１－２０アルキレン基、
－Ｒ^５１－Ｘ^５３－Ｒ^５２－、又は
－Ｘ^５４－Ｒ^５－
［式中、Ｒ^５１及びＲ^５２は、上記と同意義であり、
Ｘ^５３は、
－Ｏ－、
－Ｓ－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、
－ＣＯＮＲ^５４－、
－Ｏ－ＣＯＮＲ^５４－、
－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、
－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、
－Ｏ－（ＣＨ_２）_u５－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、
－Ｏ－（ＣＨ_２）_u５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－ＣＨ_２ＣＨ_２－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－Ｏ－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、
－Ｏ－（ＣＨ_２）_u５－Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２－、
－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_u５－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－、
－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_u５－Ｎ（Ｒ^５４）－、又は
－ＣＯＮＲ^５４－（ｏ－、ｍ－又はｐ－フェニレン）－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－
（式中、Ｒ^５３、Ｒ^５４及びｍ５は、上記と同意義であり、
ｕ５は１～２０の整数、好ましくは２～６の整数、より好ましくは２～３の整数である。）を表し、
Ｘ^５４は、
－Ｓ－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、
－ＣＯＮＲ^５４－、
－Ｏ－ＣＯＮＲ^５４－、
－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_u５－（Ｓｉ（Ｒ^５４）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５４）_２－、
－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_u５－Ｎ（Ｒ^５４）－、又は
－ＣＯＮＲ^５４－（ｏ－、ｍ－又はｐ－フェニレン）－Ｓｉ（Ｒ^５４）_２－
（式中、各記号は、上記と同意義である。）
を表す。］
であり得る。

【0296】

より好ましくは、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
単結合、
Ｃ_１－２０アルキレン基、
－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－、
－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－（ＣＨ_２）_ｔ５－
－Ｘ^５４－、又は
－Ｘ^５４－（ＣＨ_２）_ｔ５－
［式中、Ｘ^５３、Ｘ^５４、ｓ５及びｔ５は、上記と同意義である。］
である。

【0297】

より好ましくは、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
単結合、
Ｃ_１－２０アルキレン基、
－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－（ＣＨ_２）_ｔ５－、又は
－Ｘ^５４－（ＣＨ_２）_ｔ５－
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
であり得る。

【0298】

好ましい態様において、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
単結合
Ｃ_１－２０アルキレン基、
－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－、又は
－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｘ^５３－（ＣＨ_２）_ｔ５－
［式中、
Ｘ^５３は、－Ｏ－、－ＣＯＮＲ^５４－、又は－Ｏ－ＣＯＮＲ^５４－であり、
Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基又はＣ_１－６アルキル基を表し、
ｓ５は、１～２０の整数であり、
ｔ５は、１～２０の整数である。］
であり得る。

【0299】

好ましい態様において、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｔ５－
－ＣＯＮＲ^５４－（ＣＨ_２）_ｔ５－
［式中、
Ｒ^５４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基又はＣ_１－６アルキル基を表し、
ｓ５は、１～２０の整数であり、
ｔ５は、１～２０の整数である。］
であり得る。

【0300】

一の態様において、上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、
単結合、
Ｃ_１－２０アルキレン基、
－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｔ５－、
－（ＣＨ_２）_ｓ５－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－（ＣＨ_２）_ｔ５－、
－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｏ－（ＣＨ_２）_u５－（Ｓｉ（Ｒ^５３）_２Ｏ）_ｍ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－（ＣＨ_２）_ｔ５－、又は
－（ＣＨ_２）_ｓ５－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｔ５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－（ＣＨ_２）_u５－Ｓｉ（Ｒ^５３）_２－（Ｃ_vＨ_２v）－
［式中、Ｒ^５３、ｍ５、ｓ５、ｔ５及びｕ５は、上記と同意義であり、ｖ５は１～２０の整数、好ましくは２～６の整数、より好ましくは２～３の整数である。］
である。

【0301】

上記式中、－（Ｃ_vＨ_２v）－は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、例えば、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－であり得る。

【0302】

上記Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、フッ素原子、Ｃ_１－３アルキル基及びＣ_１－３フルオロアルキル基（好ましくは、Ｃ_１－３パーフルオロアルキル基）から選択される１個又はそれ以上の置換基により置換されていてもよい。一の態様において、Ｘ^Ａは、非置換である。

【0303】

尚、上記Ｘ^Ａは、各式の左側がＲ^Ｆ１又はＲ^Ｆ２に結合し、右側がＲ^Ｓｉに結合する。

【0304】

一の態様において、Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、－Ｏ－Ｃ_１－６アルキレン基以外であり得る。

【0305】

別の態様において、Ｘ^Ａとしては、例えば下記の基が挙げられる：

【化14】

【化15】

［式中、Ｒ^４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１～６のアルキル基、又はＣ_１－６アルコキシ基、好ましくはメチル基であり；
Ｄは、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＦ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）_２－、
－（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）₄－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、及び

【化16】

（式中、Ｒ^４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ_１－６のアルキル基又はＣ_１－６のアルコキシ基、好ましくはメチル基又はメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。）
から選択される基であり、
Ｅは、－（ＣＨ_２）_ｎ－（ｎは２～６の整数）であり、
Ｄは、分子主鎖のＲ^Ｆ１又はＲ^Ｆ２に結合し、Ｅは、Ｒ^Ｓｉに結合する。］

【0306】

上記Ｘ^Ａの具体的な例としては、例えば：
単結合、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_４－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_５－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_２ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－Ｃ（Ｏ）ＮＨ－ＣＨ_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２（ＣＨ_２）_７ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２－、
－（ＣＨ_２）_２－、
－（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）_４－、
－（ＣＨ_２）_５－、
－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＯ－、
－ＣＯＮＨ－、
－ＣＯＮＨ－ＣＨ_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_４－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_５－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_４－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_５－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－ＣＨ_２－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_２－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_４－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_５－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_６－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_２ＮＨ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_６ＮＨ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２Ｏ－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_６－、
－Ｓ－（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）_２Ｓ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２ＯＳｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_１０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ_３）_２Ｏ）_２０Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２）_２－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ_２）_３－、
－Ｃ（Ｏ）Ｏ－（ＣＨ_２）_６－、
－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_３－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_３－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－、
－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_３－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＨ_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_３－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－（ＣＨ_２）_２－Ｓｉ（ＣＨ_３）_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、
－ＯＣＨ_２－、
－Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－ＯＣＦＨＣＦ_２－、

【化17】

などが挙げられる。

【0307】

さらに別の態様において、Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、式：－（Ｒ^１６）_ｘ１－（ＣＦＲ^１７）_ｙ１－（ＣＨ_２）_ｚ１－で表される基である。式中、ｘ１、ｙ１及びｚ１は、それぞれ独立して、０～１０の整数であり、ｘ１、ｙ１及びｚ１の和は１以上であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。

【0308】

上記式中、Ｒ^１６は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子、フェニレン、カルバゾリレン、－ＮＲ^１８－（式中、Ｒ^１８は、水素原子又は有機基を表す）又は２価の有機基である。好ましくは、Ｒ^１８は、酸素原子又は２価の極性基である。

【0309】

上記「２価の極性基」としては、特に限定されないが、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（＝ＮＲ^１９）－、及び－Ｃ（Ｏ）ＮＲ^１９－（これらの式中、Ｒ^１９は、水素原子又は低級アルキル基を表す）が挙げられる。当該「低級アルキル基」は、例えば、炭素数１～６のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ－プロピルであり、これらは、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい。

【0310】

上記式中、Ｒ^１７は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は低級フルオロアルキル基であり、好ましくはフッ素原子である。当該「低級フルオロアルキル基」は、例えば、炭素数１～６、好ましくは炭素数１～３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１～３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、さらに好ましくはトリフルオロメチル基である。

【0311】

さらに別の態様において、Ｘ^Ａの例として、下記の基が挙げられる：

【化18】

［式中、
Ｒ^４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１～６のアルキル基、又はＣ_１－６アルコキシ基好ましくはメチル基であり；
各Ｘ^Ａ基において、Ｔのうち任意のいくつかは、分子主鎖のＲ^Ｆ１又はＲ^Ｆ２に結合する以下の基：
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_２－、
－ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＦ_２Ｏ（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）_２－、
－（ＣＨ_２）_３－、
－（ＣＨ_２）₄－、
－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_３－、
－ＣＯＮ（Ｐｈ）－（ＣＨ_２）_３－（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、又は

【化19】

［式中、Ｒ^４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ_１－６のアルキル基又はＣ_１－６のアルコキシ基、好ましくはメチル基又はメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。］
であり、別のＴのいくつかは、分子主鎖のＲ^Ｓｉに結合し、存在する場合、残りのＴは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基、Ｃ_１－６アルコキシ基又はラジカル捕捉基又は紫外線吸収基である。

【0312】

ラジカル捕捉基は、光照射で生じるラジカルを捕捉できるものであれば特に限定されないが、例えばベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、安息香酸エステル類、サリチル酸フェニル類、クロトン酸類、マロン酸エステル類、オルガノアクリレート類、ヒンダードアミン類、ヒンダードフェノール類、又はトリアジン類の残基が挙げられる。

【0313】

紫外線吸収基は、紫外線を吸収できるものであれば特に限定されないが、例えばベンゾトリアゾール類、ヒドロキシベンゾフェノン類、置換及び未置換安息香酸もしくはサリチル酸化合物のエステル類、アクリレート又はアルコキシシンナメート類、オキサミド類、オキサニリド類、ベンゾキサジノン類、ベンゾキサゾール類の残基が挙げられる。

【0314】

好ましい態様において、好ましいラジカル捕捉基又は紫外線吸収基としては、

【化20】

が挙げられる。

【0315】

この態様において、Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、３～１０価の有機基であり得る。

【0316】

さらに別の態様において、Ｘ^Ａの例として、下記の基が挙げられる：

【化21】

［式中、Ｒ^２５、Ｒ^２６及びＲ^２７は、それぞれ独立して２～６価の有機基であり、
Ｒ^２５は、少なくとも１つのＲ^Ｆ１に結合し、Ｒ^２６及びＲ^２７は、それぞれ、少なくとも１つのＲ^Ｓｉに結合する。］

【0317】

一の態様において、上記Ｒ^２５は、単結合、Ｃ_１－２０アルキレン基、Ｃ_３－２０シクロアルキレン基、Ｃ_５－２０アリーレン基、－Ｒ^５７－Ｘ^５８－Ｒ^５９－、－Ｘ^５８－Ｒ^５９－、又は－Ｒ^５７－Ｘ^５８－である。上記、Ｒ^５７及びＲ^５９は、それぞれ独立して、単結合、Ｃ_１－２０アルキレン基、Ｃ_３－２０シクロアルキレン基、又はＣ_５－２０アリーレン基である。上記Ｘ^５８は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－Ｏ－ＣＯ－又は－ＣＯＯ－である。

【0318】

一の態様において、上記Ｒ^２６及びＲ^２７は、それぞれ独立して、炭化水素、又は炭化水素の端又は主鎖中にＮ、Ｏ及びＳから選択される少なくとも１つの原子を有する基であり、好ましくは、Ｃ_１－６アルキル基、－Ｒ^３６－Ｒ^３７－Ｒ^３６－、－Ｒ^３６－ＣＨＲ^３８ _２－などが挙げられる。ここに、Ｒ^３６は、それぞれ独立して、単結合又は炭素数１～６のアルキル基、好ましくは炭素数１～６のアルキル基である。Ｒ^３７は、Ｎ、Ｏ又はＳであり、好ましくはＮ又はＯである。Ｒ^３８は、－Ｒ^４５－Ｒ^４６－Ｒ^４５－、－Ｒ^４６－Ｒ^４５－又は－Ｒ^４５－Ｒ^４６－である。ここに、Ｒ^４５は、それぞれ独立して、炭素数１～６のアルキル基である。Ｒ^４６は、Ｎ、Ｏ又はＳであり、好ましくはＯである。

【0319】

この態様において、Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、３～１０価の有機基であり得る。

【0320】

さらに別の態様において、Ｘ^Ａの例として、下記：

【化22】

［式中、Ｘ^ａは、単結合または２価の有機基である。］
で表される基が挙げられる

【0321】

上記Ｘ^ａは、イソシアヌル環に直接結合する単結合または二価の連結基である。Ｘ^ａとしては、単結合、アルキレン基、または、エーテル結合、エステル結合、アミド結合及びスルフィド結合からなる群より選択される少なくとも１種の結合を含む二価の基が好ましく、単結合、炭素数１～１０のアルキレン基、または、エーテル結合、エステル結合、アミド結合及びスルフィド結合からなる群より選択される少なくとも１種の結合を含む炭素数１～１０の二価の炭化水素基がより好ましい。

【0322】

Ｘ^ａとしては、下記式：
－（ＣＸ^１２１Ｘ^１２２）_ｘ１－（Ｘ^ａ１）_ｙ１－（ＣＸ^１２３Ｘ^１２４）_ｚ１－
（式中、Ｘ^１２１～Ｘ^１２４は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｆ、ＯＨ、または、－ＯＳｉ（ＯＲ^１２１）_３（式中、３つのＲ^１２１は、それぞれ独立して、炭素数１～４のアルキル基である。）であり、
上記Ｘ^ａ１は、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ－、－ＮＨＣ（＝Ｏ）－、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（＝Ｏ）－、－ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ－、または、－ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ－であり（各結合の左側がＣＸ^１２１Ｘ^１２２に結合する。）、
ｘ１は０～１０の整数であり、ｙ１は０または１であり、ｚ１は１～１０の整数である。）
で表される基が更に好ましい。

【0323】

上記Ｘ^ａ１としては、－Ｏ－または－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－が好ましい。

【0324】

上記Ｘ^ａとしては、下記式：
－（ＣＦ_２）_ｍ１１－（ＣＨ_２）_ｍ１２－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｍ１３－
（式中、ｍ１１は１～３の整数であり、ｍ１２は１～３の整数であり、ｍ１３は１～３の整数である。）
で表される基、
－（ＣＦ_２）_ｍ１４－（ＣＨ_２）_ｍ１５－Ｏ－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）－（ＣＨ_２）_ｍ１６－
（式中、ｍ１４は１～３の整数であり、ｍ１５は１～３の整数であり、ｍ１６は１～３の整数である。）
で表される基、
－（ＣＦ_２）_ｍ１７－（ＣＨ_２）_ｍ１８－
（式中、ｍ１７は１～３の整数であり、ｍ１８は１～３の整数である。）
で表される基、
－（ＣＦ_２）_ｍ１９－（ＣＨ_２）_ｍ２０－Ｏ－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_３）－（ＣＨ_２）_ｍ２１－
（式中、ｍ１９は１～３の整数であり、ｍ２０は１～３の整数であり、ｍ２１は１～３の整数である。）
で表される基、または、
－（ＣＨ_２）_ｍ２２－
（式中、ｍ２２は１～３の整数である。）
で表される基が特に好ましい。

【0325】

上記Ｘ^ａとして、特に限定されないが、具体的には、
－ＣＨ_２－、－Ｃ_２Ｈ_４－、－Ｃ_３Ｈ_６－、－Ｃ_４Ｈ_８－、－Ｃ_４Ｈ_８－Ｏ－ＣＨ_２－、－ＣＯ－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ（ＯＨ）－ＣＨ_２－、－（ＣＦ_２）_ｎ５－（ｎ５は０～４の整数である。）、－（ＣＦ_２）_ｎ５－（ＣＨ_２）_ｍ５－（ｎ５およびｍ５は、それぞれ独立して、０～４の整数である。）、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＳｉ（ＯＣＨ_３）_３）ＣＨ_２－
等が挙げられる。

【0326】

この態様において、Ｘ^Ａは、それぞれ独立して、２又は３価の有機基であり得る。

【0327】

上記式（１）又は式（２）で表される含フッ素シラン化合物は、特に限定されるものではないが、５×１０^２～１×１０^５の平均分子量を有し得る。かかる範囲のなかでも、２，０００～３２，０００、より好ましくは２，５００～１２，０００の平均分子量を有することが、摩耗耐久性の観点から好ましい。なお、かかる「平均分子量」は、数平均分子量を言い、「平均分子量」は、^１９Ｆ－ＮＭＲにより測定される値とする。

【0328】

一の態様において、本開示の表面処理剤中、含フッ素シラン化合物は、式（１）で表される化合物である。

【0329】

別の態様において、本開示の表面処理剤中、含フッ素シラン化合物は、式（２）で表される化合物である。

【0330】

別の態様において、本開示の表面処理剤中、含フッ素シラン化合物は、式（１）で表される化合物及び式（２）で表される化合物である。

【0331】

本開示の表面処理剤中、式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物との合計に対して、式（２）で表される化合物が、好ましくは０．１モル％以上３５モル％以下である。式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物との合計に対する式（２）で表される化合物の含有量の下限は、好ましくは０．１モル％、より好ましくは０．２モル％、さらに好ましくは０．５モル％、さらにより好ましくは１モル％、特に好ましくは２モル％、特別には５モル％であり得る。式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物との合計に対する式（２）で表される化合物の含有量の上限は、好ましくは３５モル％、より好ましくは３０モル％、さらに好ましくは２０モル％、さらにより好ましくは１５モル％又は１０モル％であり得る。式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物との合計に対する式（２）で表される化合物は、好ましくは０．１モル％以上３０モル％以下、より好ましくは０．１モル％以上２０モル％以下、さらに好ましくは０．２モル％以上１０モル％以下、さらにより好ましくは０．５モル％以上１０モル％以下、特に好ましくは１モル％以上１０モル％以下、例えば２モル％以上１０モル％以下又は５モル％以上１０モル％以下である。式（２）で表される化合物をかかる範囲とすることにより、より摩耗耐久性を向上させることができる。

【0332】

一の態様において、本開示の表面処理剤は、２種以上の式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物を含む。複数の含フッ素シラン化合物を含むことにより、摩擦耐久性がより向上し得る。

【0333】

一の態様において、本開示の表面処理剤は、Ｒ^Ｓｉが、式（Ｓ１）、（Ｓ２）、（Ｓ３）、（Ｓ４）及び（Ｓ５）から選択される基であって、互いに異なる基である、２種以上の式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物を含む。異なるＲ^Ｓｉを有する含フッ素シラン化合物を含むことにより、摩擦耐久性がより向上し得る。

【0334】

一の態様において、本開示の表面処理剤は、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ１）で表される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物、及びＲ^Ｓｉが式（Ｓ３）、（Ｓ４）及び（Ｓ５）から選択される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物を含む。Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ１）で表される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物と、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ３）、（Ｓ４）及び（Ｓ５）から選択される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物を併用することにより、摩擦耐久性がより向上し得る。

【0335】

一の態様において、本開示の表面処理剤は、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ１）で表される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物、及びＲ^Ｓｉが式（Ｓ３）及び（Ｓ４）から選択される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物を含む。Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ１）で表される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物と、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ３）及び（Ｓ４）から選択される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物を併用することにより、摩擦耐久性がより向上し得る。

【0336】

一の態様において、本開示の表面処理剤は、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ１）で表される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物、及びＲ^Ｓｉが式（Ｓ３）で表される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物を含む。Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ１）で表される基である式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物と、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ３）で表される基である式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物を併用することにより、摩擦耐久性がより向上し得る。

【0337】

一の態様において、本開示の表面処理剤は、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ１）で表される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物、及びＲ^Ｓｉが式（Ｓ４）で表される基である、式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物を含む。Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ１）で表される基である式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物と、Ｒ^Ｓｉが式（Ｓ４）で表される基である式（１）又は（２）で表される含フッ素シラン化合物を併用することにより、摩擦耐久性がより向上し得る。

【0338】

上記の式（１）又は（２）で表される化合物は、例えば、自体公知の方法、例えば国際公開第９７／０７１５５号、特表２００８－５３４６９６号、特開２０１４－２１８６３９号、特開２０１７－８２１９４号等に記載の方法により得ることができる。

【0339】

上記の式（１）又は（２）で表される化合物の含有量は、表面処理剤全体に対して、好ましくは０．０１～５０．０質量％、より好ましくは０．１～３０．０質量％、さらに好ましくは１．０～２５．０質量％、特に好ましくは５．０～２０．０質量％であり得る。上記含フッ素シラン化合物の含有量を上記の範囲にすることにより、より高い撥水撥油性を得ることができる。

【0340】

本開示の表面処理剤は、溶媒、含フッ素オイルとして理解され得る（非反応性の）フルオロポリエーテル化合物、好ましくはパーフルオロ（ポリ）エーテル化合物（以下、まとめて「含フッ素オイル」と言う）、シリコーンオイルとして理解され得る（非反応性の）シリコーン化合物（以下、「シリコーンオイル」と言う）、アルコール類、相溶化剤、触媒、界面活性剤、重合禁止剤、増感剤等を含み得る。

【0341】

上記溶媒としては、例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ミネラルスピリット等の脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタレン、ソルベントナフサ等の芳香族炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸－ｎ－ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル、酢酸セロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、酢酸カルビトール、ジエチルオキサレート、ピルビン酸エチル、エチル－２－ヒドロキシブチレート、エチルアセトアセテート、酢酸アミル、乳酸メチル、乳酸エチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、２－ヒドロキシイソ酪酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２－ヘキサノン、シクロヘキサノン、メチルアミノケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチルセルソルブ、メチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテル等のグリコールエーテル類；メタノール、エタノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、３－ペンタノール、オクチルアルコール、３－メチル－３－メトキシブタノール、ｔｅｒｔ－アミルアルコール等のアルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類；テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等の環状エーテル類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド類；メチルセロソルブ、セロソルブ、イソプロピルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテルアルコール類；ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート；１，１，２－トリクロロ－１，２，２－トリフルオロエタン、１，２－ジクロロ－１，１，２，２－テトラフルオロエタン、ジメチルスルホキシド、１，１－ジクロロ－１，２，２，３，３－ペンタフルオロプロパン（ＨＣＦＣ２２５）、ゼオローラＨ、ＨＦＥ７１００、ＨＦＥ７２００、ＨＦＥ７３００等のフッ素含有溶媒等が挙げられる。あるいはこれらの２種以上の混合溶媒等が挙げられる。

【0342】

含フッ素オイルとしては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の一般式（３）で表される化合物（パーフルオロ（ポリ）エーテル化合物）が挙げられる。
Ｒｆ^５－（ＯＣ_４Ｆ_８）_ａ’－（ＯＣ_３Ｆ_６）_ｂ’－（ＯＣ_２Ｆ_４）_ｃ’－（ＯＣＦ_２）_ｄ’－Ｒｆ^６ ・・・（３）
式中、Ｒｆ^５は、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６アルキル基（好ましくは、Ｃ_１―１６のパーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ^６は、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１～１６アルキル基（好ましくは、Ｃ_１－１６パーフルオロアルキル基）、フッ素原子又は水素原子を表し、Ｒｆ^５及びＲｆ^６は、より好ましくは、それぞれ独立して、Ｃ_１－３パーフルオロアルキル基である。
ａ’、ｂ’、ｃ’及びｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロ（ポリ）エーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’及びｄ’の和は少なくとも１、好ましくは１～３００、より好ましくは２０～３００である。添字ａ’、ｂ’、ｃ’又はｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、－（ＯＣ_４Ｆ_８）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－、－（ＯＣ（ＣＦ_３）_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ_２Ｃ（ＣＦ_３）_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ（ＣＦ_３））－、－（ＯＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５）ＣＦ_２）－及び（ＯＣＦ_２ＣＦ（Ｃ_２Ｆ_５））－のいずれであってもよいが、好ましくは－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－である。－（ＯＣ_３Ｆ_６）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－、－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）－及び（ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３））－のいずれであってもよく、好ましくは－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）－である。－（ＯＣ_２Ｆ_４）－は、－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）－及び（ＯＣＦ（ＣＦ_３））－のいずれであってもよいが、好ましくは－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）－である。

【0343】

上記一般式（３）で表されるパーフルオロ（ポリ）エーテル化合物の例として、以下の一般式（３ａ）及び（３ｂ）のいずれかで示される化合物（１種又は２種以上の混合物であってよい）が挙げられる。
Ｒｆ^５－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ”－Ｒｆ^６ ・・・（３ａ）
Ｒｆ^５－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ａ”－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｂ”－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｃ”－（ＯＣＦ_２）_ｄ”－Ｒｆ^６ ・・・（３ｂ）
これら式中、Ｒｆ^５及びＲｆ^６は上記の通りであり；式（３ａ）において、ｂ”は１以上１００以下の整数であり；式（３ｂ）において、ａ”及びｂ”は、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｃ”及びｄ”はそれぞれ独立して１以上３００以下の整数である。添字ａ”、ｂ”、ｃ”、ｄ”を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。

【0344】

また、別の観点から、含フッ素オイルは、一般式Ｒｆ^３－Ｆ（式中、Ｒｆ^３はＣ_５－１６パーフルオロアルキル基である。）で表される化合物であってよい。また、クロロトリフルオロエチレンオリゴマーであってもよい。

【0345】

上記含フッ素オイルは、５００～１００００の平均分子量を有していてよい。含フッ素オイルの分子量は、ＧＰＣを用いて測定し得る。

【0346】

含フッ素オイルは、本開示の表面処理剤に対して、例えば０．０１～５０質量％、好ましくは０．１～３０質量％、例えば、１～１５質量％含まれ得る。

【0347】

一の態様において、本開示の表面処理剤は、含フッ素オイルを実質的に含まない。含フッ素オイルを実質的に含まないとは、含フッ素オイルを全く含まない、又は極微量の含フッ素オイルを含んでいてもよいことを意味する。

【0348】

一の態様において、含フッ素シラン化合物の平均分子量よりも、含フッ素オイルの平均分子量を大きくしてもよい。このような平均分子量とすることにより、特に真空蒸着法により表面処理層を形成する場合において、より優れた摩耗耐久性と表面滑り性を得ることができる。

【0349】

一の態様において、含フッ素シラン化合物の平均分子量よりも、含フッ素オイルの平均分子量を小さくしてもよい。このような平均分子量とすることにより、かかる化合物から得られる表面処理層の透明性の低下を抑制しつつ、高い摩耗耐久性及び高い表面滑り性を有する硬化物を形成できる。

【0350】

含フッ素オイルは、本開示の表面処理剤によって形成された層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。

【0351】

上記シリコーンオイルとしては、例えばシロキサン結合が２，０００以下の直鎖状又は環状のシリコーンオイルを用い得る。直鎖状のシリコーンオイルは、いわゆるストレートシリコーンオイル及び変性シリコーンオイルであってよい。ストレートシリコーンオイルとしては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイルが挙げられる。変性シリコーンオイルとしては、ストレートシリコーンオイルを、アルキル、アラルキル、ポリエーテル、高級脂肪酸エステル、フルオロアルキル、アミノ、エポキシ、カルボキシル、アルコールなどにより変性したものが挙げられる。環状のシリコーンオイルは、例えば環状ジメチルシロキサンオイルなどが挙げられる。

【0352】

本開示の表面処理剤中、かかるシリコーンオイルは、上記本開示の含フッ素シラン化合物の合計１００質量部（２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０～３００質量部、好ましくは５０～２００質量部で含まれ得る。

【0353】

シリコーンオイルは、表面処理層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。

【0354】

上記アルコール類としては、例えば炭素数１～６の非フッ素アルコール、例えば、メタノール、エタノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｔｅｒｔ－ブタノール等が挙げられる。これらのアルコール類を表面処理剤に添加することにより、表面処理剤の安定性を向上させ、また、パー含フッ素シラン化合物と溶媒の相溶性を改善させる。

【0355】

上記相溶化剤としては、２，２，２－トリフルオロエタノール、２，２，３，３，３－ペンタフルオロ－１－プロパノール又は２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノール等のフッ素置換アルコール、好ましくは末端がＣＦ_２Ｈであるフッ素置換アルコール、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等のフッ素置換アリール、好ましくはフッ素置換ベンゼン等が挙げられる。

【0356】

上記触媒としては、酸（例えば酢酸、トリフルオロ酢酸等）、塩基（例えばアンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等）、遷移金属（例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｓｎ等）等が挙げられる。

【0357】

触媒は、本開示の含フッ素シラン化合物の加水分解及び脱水縮合を促進し、本開示の表面処理剤により形成される層の形成を促進する。

【0358】

他の成分としては、上記以外に、例えば、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン等も挙げられる。

【0359】

本開示の表面処理剤は、多孔質物質、例えば多孔質のセラミック材料、金属繊維、例えばスチールウールを綿状に固めたものに含浸させて、ペレットとすることができる。当該ペレットは、例えば、真空蒸着に用いることができる。

【0360】

本開示の表面処理剤は、上記した成分に加え、不純物として、例えばＰｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン、トリフェニルホスフィン、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、シランの縮合物などを微量含み得る。

【0361】

上記表面処理層の厚さは、特に限定されない。光学部材の場合、上記層の厚さは、１～５０ｎｍ、１～３０ｎｍ、好ましくは１～１５ｎｍの範囲であることが、光学性能、表面滑り性、摩擦耐久性及び防汚性の点から好ましい。

【0362】

上記表面処理層は、例えば、上記中間層上に、上記表面処理剤の層を形成し、この層を必要に応じて後処理することにより形成することができる。

【0363】

上記の表面処理剤の層形成は、上記の表面処理剤を中間層の表面に対して、該表面を被覆するように適用することによって実施できる。被覆方法は、特に限定されない。例えば、湿潤被覆法及び乾燥被覆法を使用できる。

【0364】

湿潤被覆法の例としては、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング及び類似の方法が挙げられる。

【0365】

乾燥被覆法の例としては、蒸着（通常、真空蒸着）、スパッタリング、ＣＶＤ及び類似の方法が挙げられる。蒸着法（通常、真空蒸着法）の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、マイクロ波等を用いた高周波加熱、イオンビーム及び類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ－ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤ及び類似の方法が挙げられる。

【0366】

更に、常圧プラズマ法による被覆も可能である。

【0367】

湿潤被覆法を使用する場合、上記表面処理剤は、溶媒で希釈されてから中間層に適用され得る。上記表面処理剤の安定性及び溶媒の揮発性の観点から、次の溶媒が好ましく使用される：炭素数５～１２のパーフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、パーフルオロヘキサン、パーフルオロメチルシクロヘキサン及びパーフルオロ－１，３－ジメチルシクロヘキサン）；ポリフルオロ芳香族炭化水素（例えば、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン）；ポリフルオロ脂肪族炭化水素（例えば、Ｃ_６Ｆ_１３ＣＨ_２ＣＨ_３（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＣ－６０００）、１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン（例えば、日本ゼオン株式会社製のゼオローラ（登録商標）Ｈ）；ヒドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）（例えば、パーフルオロプロピルメチルエーテル（Ｃ_３Ｆ_７ＯＣＨ_３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７０００）、パーフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７１００）、パーフルオロブチルエチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７２００）、パーフルオロヘキシルメチルエーテル（Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７）（例えば、住友スリーエム株式会社製のＮｏｖｅｃ（商標）７３００）などのアルキルパーフルオロアルキルエーテル（パーフルオロアルキル基及びアルキル基は直鎖又は分枝状であってよい）、あるいはＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２（例えば、旭硝子株式会社製のアサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００））など。これらの溶媒は、単独で、又は、２種以上の混合物として用いることができる。なかでも、ヒドロフルオロエーテルが好ましく、パーフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３）及び／又はパーフルオロブチルエチルエーテル（Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５）が特に好ましい。

【0368】

乾燥被覆法を使用する場合、上記表面処理剤は、そのまま乾燥被覆法に付してもよく、又は、上記した溶媒で希釈してから乾燥被覆法に付してもよい。

【0369】

上記表面処理剤の層形成は、層中で表面処理剤が加水分解及び脱水縮合のための触媒と共に存在するように実施することが好ましい。簡便には、湿潤被覆法による場合、上記表面処理剤を溶媒で希釈した後、中間層の表面に適用する直前に、上記表面処理剤の希釈液に触媒を添加してよい。乾燥被覆法による場合には、触媒添加した上記表面処理剤をそのまま蒸着（通常、真空蒸着）処理するか、あるいは鉄や銅などの金属多孔体に、触媒添加した上記表面処理剤を含浸させたペレット状物質を用いて蒸着（通常、真空蒸着）処理をしてもよい。

【0370】

触媒には、任意の適切な酸又は塩基を使用できる。酸触媒としては、例えば、酢酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸などを使用できる。また、塩基触媒としては、例えばアンモニア、有機アミン類などを使用できる。

【0371】

上記のようにして、中間層の表面に、上記表面処理剤に由来する層が形成され、本開示の物品が製造される。これにより得られる上記表面処理層は、高い摩擦耐久性を有する。また、上記層は、高い摩擦耐久性に加えて、使用する表面処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（又は潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）などを有し得、機能性薄膜として好適に利用され得る。

【0372】

本開示の物品は、さらに、上記表面処理層を最外層に有する光学材料であり得る。

【0373】

本開示の物品は、特に限定されるものではないが、光学部材であり得る。光学部材の例には、次のものが挙げられる：眼鏡などのレンズ；ＰＤＰ、ＬＣＤなどのディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板；携帯電話、携帯情報端末などの機器のタッチパネルシート；ブルーレイ（Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標））ディスク、ＤＶＤディスク、ＣＤ－Ｒ、ＭＯなどの光ディスクのディスク面；光ファイバー；時計の表示面など。

【0374】

また、本開示の物品は、医療機器又は医療材料であってもよい。

【0375】

本開示の物品は、基材上に、Ｃｅ含有層を含む中間層、その上に含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤から形成された表面処理層を有することにより、高い摩擦耐久性、高い耐候性を有する。

【0376】

以上、本開示の物品について詳述した。なお、本開示の物品及び物品の製造方法などは、上記で例示したものに限定されない。

【実施例】

【0377】

以下、本開示の物品について、実施例において説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。なお、本実施例において、以下に示される化学式はすべて平均組成を示し、フルオロポリエーテルを構成する繰り返し単位（（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２Ｏ）等）の存在順序は任意である。

【0378】

ガラス基体としては厚さ０．８ｍｍ、６６．０ｍｍ×１４２．０ｍｍの化学強化、表面研磨を実施してあるゴリラガラス５（コーニング社製）を用いた。ガラス基体上に中間層の形成を行ったのち、該中間層上に表面処理層の形成を行い、表面処理層付きのガラス基体を得た。詳細は下記の通りである。

【0379】

（蒸着材料）
ＳｉＯ_２及びＴａ_２Ｏ_５の単独組成の蒸着材料に関しては、キャノンオプトロン社製の蒸着材料を、ＣｅＯ_２に関しては三和研磨工業社製の蒸着材料を購入し使用した。また、別途、ＳｉとＣｅのモル比が、９５：５、及び９０：１０である蒸着材料を調製し、使用した。ＳｉとＣｅのモル比は、蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）分析により測定した。

【0380】

（中間層の形成）
中間層を、電子ビーム蒸着（実施例１～７、比較例１、３、及び４）又はスパッタ法（比較例２）により成膜した。

【0381】

電子ビーム蒸着は、下記のように行った。
真空蒸着装置内にＳｉＯ_２単独、ＣｅＯ_２単独、Ｔａ_２Ｏ_５単独、又はＳｉＯ_２とＣｅＯ_２の両方を設置し、真空蒸着装置内を圧力３．０×１０^－３Ｐａ以下に排気した。次いで、ゴリラガラス５（コーニング社製）上に、実施例毎に条件を設定して、下記表１に示す成膜材料１の単層を成膜するか、もしくは成膜材料１と成膜材料２の層を積層することにより、中間層を成膜した。

【0382】

スパッタ法は、下記のように行った。
ＤＣスパッタ装置内に、シリコンターゲットとタンタルターゲットを設置し、アルゴンと酸素の混合ガスをチャンバ内に導入しながら、成膜レート比（Ｓｉ／Ｔａ）を９／１に設定し、厚さ４０ｎｍのケイ素およびタンタルの複合酸化物からなる中間層を成膜した。

【0383】

【表1】

【0384】

（表面処理剤の調製）
下記のフルオロポリエーテル基含有化合物（Ａ）又は（Ｂ）を、２０質量％となるようにＨＦＥ７２００を用いて希釈した。実施例１～４、６及び７、並びに比較例１～３においては、フルオロポリエーテル基含有化合物（Ａ）を用い、実施例５及び比較例４においては、フルオロポリエーテル基含有化合物（Ｂ）を用いた。

【0385】

・フルオロポリエーテル基含有化合物（Ａ）
ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_２３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＯＮＨＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３）_３

・フルオロポリエーテル基含有化合物（Ｂ）

【化23】

【0386】

（表面処理層の形成）
表面処理層の形成は、抵抗加熱蒸着を実施できる装置を用いて行った。具体的には、表面処理剤０．０９ｇを真空蒸着装置内の抵抗加熱ボートに充填し、真空蒸着装置内を圧力３．０×１０^－３Ｐａ以下に排気した。ついで、抵抗加熱ボートを昇温することで、上記中間層を形成したガラス上に、蒸着膜を成膜した。次に、蒸着膜付きガラスを温度１５０℃の雰囲気下で３０分静置し、その後室温まで放冷させ、ガラス上に表面処理層を形成して、実施例１～７、比較例１～４の表面処理層付きガラス基体を得た。

【0387】

（摩擦試験）
（摩擦試験Ａ）
ラビングテスター（新東科学社製）を用いて、実施例１～９および比較例１～４のガラス基体の表面に対して下記条件で２５００回擦る毎に水の静的接触角（°）を測定した。水の静的接触角の測定値１００°未満となった時点、もしくは摩耗回数が２００００回を変えた時点で試験を中止した。試験環境条件は２５℃、湿度４０％ＲＨであった。尚、水の静的接触角の測定は、下記に示す方法で実施した。結果を下記表１に示す。

【0388】

消しゴム：Ｒａｂｅｒ Ｅｒａｓｅｒ（Ｍｉｎｏａｎ社製）
接地面積：６ｍｍφ
移動距離（片道）：３０ｍｍ
移動速度：２，４００ｍｍ／分
荷重：１ｋｇ／６ｍｍφ

【0389】

（摩擦試験Ｂ）
実施例１～９および比較例１～４のガラス基体を水平配置し、下記の摩擦子を表面処理層の表面に接触（接触面は直径１ｃｍの円）させ、その上に５Ｎの荷重を付与し、その後、荷重を加えた状態で摩擦子を４０ｍｍ／秒の速度で往復させた。摩擦回数１０００回毎に水の静的接触角（°）を測定した。水の静的接触角の測定値９０°未満となった時点で試験を中止した。尚、水の静的接触角の測定は、下記に示す方法で実施した。

【0390】

・摩擦子
下記に示すシリコーンゴム加工品の表面（直径１ｃｍ）を、下記に示す組成の人口汗に浸漬したコットンで覆ったものを摩擦子として用いた。
人口汗の組成：
無水リン酸水素二ナトリウム：２ｇ
塩化ナトリウム：２０ｇ
８５％乳酸：２ｇ
ヒスチジン塩酸塩：５ｇ
蒸留水：１Ｋｇ
シリコーンゴム加工品：
タイガースポリマー製、シリコーンゴム栓ＳＲ－５１を、直径１ｃｍ、厚さ１ｃｍの円柱状に加工したもの。

【0391】

（促進耐候性試験評価）
実施例５及び比較例４のガラス基体について、キセノンランプ照射により、促進耐候性試験を行った。キセノン照射は、キセノンランプ（スガ試験機社製、３００～４００ｎｍにおいて放射照度１８０Ｗ／ｍ^２）を用い、ガラス基体を載せている板の温度は６３℃で行った。キセノン照射は連続的に行うが、水の静的接触角の測定時には、ガラス基体をいったん取り出し、表面処理層をキムワイプ（商品名、十條キンバリー社製）に純水を十分に染み込ませて５往復拭いた後、さらに別のキムワイプにエタノールを十分に染み込ませて５往復拭き、乾燥させた。その後すぐに水の静的接触角を測定した。

【0392】

まず、初期評価として、表面処理層形成後のガラス基体についてキセノン照射前に水の静的接触角を測定した（照射時間０時間）。その後、所定の時間をキセノン照射した後の表面処理層について、水の静的接触角をそれぞれ測定した。評価は、キセノン照射開始から水の静的接触角が９０度を下回るまで、あるいは累積照射時間１８５８時間まで行った。結果を表２に示す。

【0393】

（静的接触角測定）
摩擦試験Ａ及びＢともに、水の静的接触角は、２μＬの純水の水滴を着滴させ、接触角計（協和界面化学社製：自動接触角計 ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ７０１）を用いて、それぞれ５点の水に対する接触角を測定し、その平均値として記載した。

【0394】

【表2】

【0395】

【表3】

【産業上の利用可能性】

【0396】

本開示の物品は、種々多様な用途、例えば光学部材として好適に利用され得る。