特許7474557 | 知財ポータル「IP Force」

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社の特許一覧

特許7474557蓄電パック、半導体装置、および、半導体装置の製造方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

目に優しい文字サイズ小中大 PDF Top

< >

1
2A
2B
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16A
16B
17
18A
18B
19
20A
20B
21
22A
22B
23
24
25A
25B
26
27
28
29
30
31A
31B
32
33A
33B
33C
33D
33E
33F
34
35A
35B

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-17

(45)【発行日】2024-04-25

(54)【発明の名称】蓄電パック、半導体装置、および、半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

H01L 25/00 20060101AFI20240418BHJP

H01G 2/16 20060101ALI20240418BHJP

H01G 11/16 20130101ALI20240418BHJP

H01G 11/74 20130101ALI20240418BHJP

H01M 50/284 20210101ALI20240418BHJP

【ＦＩ】

H01L25/00 B

H01G2/16

H01G11/16

H01G11/74

H01M50/284

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2023578669

(86)(22)【出願日】2023-07-10

(86)【国際出願番号】 JP2023025486

【審査請求日】2023-12-19

(31)【優先権主張番号】P 2022205527

(32)【優先日】2022-12-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】520133916

【氏名又は名称】ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100109210

【弁理士】

【氏名又は名称】新居広守

(74)【代理人】

【識別番号】100137235

【弁理士】

【氏名又は名称】寺谷英作

(74)【代理人】

【識別番号】100131417

【弁理士】

【氏名又は名称】道坂伸一

(72)【発明者】

【氏名】石田敏史

(72)【発明者】

【氏名】山本興輝

【審査官】高橋優斗

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－１６８１８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１６／１５２０２４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０２０－１７３９００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－１６８４０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／０８７８９０（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｇ２／１６

Ｈ０１Ｇ１１／１６

Ｈ０１Ｇ１１／７４－１１／７６

Ｈ０１Ｍ５０／００－５０／２９８

Ｈ０１Ｍ５０／５０－５０／５９８

Ｈ０１Ｌ２５／００－２５／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の外部接続端子を有するチップサイズパッケージ型の半導体素子と、
厚さ０．２ｍｍ以下の部分を有する第１の金属板と、を備え、
前記半導体素子の一方の主面には、前記第１の金属板が接続され、
前記半導体素子の、前記一方の主面と背向する他方の主面には、前記複数の外部接続端子のうちの、前記半導体素子が実装される実装基板に接続される基板接続端子が備わり、
前記第１の金属板の第１の主面であって、前記半導体素子と接続する前記第１の主面と背向する前記第１の金属板の第２の主面には、第２の金属板と接合するための接合準備領域が備わり、
前記接合準備領域は、前記第１の金属板の平面視において、前記第１の金属板と前記半導体素子とが接続する接続領域と重複せず、
前記第１の金属板の電位は、前記複数の外部接続端子のうちの少なくとも１つの電位と同電位であり、
前記第１の金属板は、前記第２の主面同士が対面する部分を有するように、前記厚さ０．２ｍｍ以下の部分で折り曲げ可能であり、
さらに、前記第１の主面に、前記半導体素子を前記実装基板に実装する際に、前記半導体素子と共に前記実装基板に実装される１以上の金属部材を備え、
前記第１の主面と前記１以上の金属部材とが接続する領域のそれぞれは、前記第１の金属板の平面視において、前記接合準備領域と重複しない
半導体装置。

【請求項2】

前記１以上の金属部材は、前記第１の金属板と同じ材料で構成され、
前記１以上の金属部材と前記第１の金属板とは一体化されている
請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

複数の外部接続端子を有するチップサイズパッケージ型の半導体素子と、
厚さ０．２ｍｍ以下の部分を有する第１の金属板と、を備え、
前記半導体素子の一方の主面には、前記第１の金属板が接続され、
前記半導体素子の、前記一方の主面と背向する他方の主面には、前記複数の外部接続端子のうちの、前記半導体素子が実装される実装基板に接続される基板接続端子が備わり、
前記第１の金属板の第１の主面であって、前記半導体素子と接続する前記第１の主面と背向する前記第１の金属板の第２の主面には、第２の金属板と接合するための接合準備領域が備わり、
前記接合準備領域は、前記第１の金属板の平面視において、前記第１の金属板と前記半導体素子とが接続する接続領域と重複せず、
前記第１の金属板の電位は、前記複数の外部接続端子のうちの少なくとも１つの電位と同電位であり、
前記第１の金属板は、前記第２の主面同士が対面する部分を有するように、前記厚さ０．２ｍｍ以下の部分で折り曲げ可能であり、
さらに、前記半導体素子と前記第１の金属板との間に、第３の金属板を備え、
前記第３の金属板は、前記半導体素子と前記一方の主面において接続され、前記第１の金属板と前記第１の主面において接続され、
前記一方の主面には、前記第３の金属板を介して前記第１の金属板が接続される
半導体装置。

【請求項4】

さらに、前記第３の金属板の、前記第３の金属板が前記半導体素子と接続する主面に、前記半導体素子を前記実装基板に実装する際に、前記半導体素子と共に前記実装基板に実装される１以上の金属部材を備え、
前記主面と前記１以上の金属部材とが接続する領域のそれぞれは、前記第１の金属板の平面視において、前記接合準備領域と重複しない
請求項３に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記第１の金属板は、前記第２の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げられており、
前記半導体素子の平面視において、前記半導体素子と前記接合準備領域とが前記第１の金属板を挟んで重複する部分が存在する
請求項１または請求項４に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記半導体素子は、前記基板接続端子を介して前記実装基板にフェイスダウンで実装されており、
前記第１の金属板は、前記接合準備領域において前記第２の金属板と接合されている
請求項１または請求項４に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記半導体素子は、前記基板接続端子を介して前記実装基板にフェイスダウンで実装されており、
前記第１の金属板は、前記接合準備領域において前記第２の金属板と接合されており、
前記第２の金属板は、前記第１の金属板と接合する面同士が前記第１の金属板を挟んで対面する部分を有するように折り曲げられており、
前記実装基板の平面視において、前記第２の金属板と前記第１の金属板と前記半導体素子と前記実装基板とが重複する重複部分が存在し、
前記実装基板の平面視において、前記第２の金属板と前記実装基板との間に電流が流れ得る領域と、前記重複部分とが重複する部分が存在する
請求項５に記載の半導体装置。

【請求項8】

請求項７に記載の半導体装置と、前記第２の金属板と、前記実装基板と、蓄電セルとを備え、
前記第２の金属板は、前記蓄電セルに接続された、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電による導通経路となる蓄電タブであり、
前記第１の金属板は、前記蓄電タブに接合される蓄電タブ接合用金属板であり、
前記実装基板は、前記蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護回路基板であり、
前記蓄電セルから、前記蓄電タブ、前記蓄電タブ接合用金属板、前記半導体素子の順に、またはその逆の順に、前記導通経路が形成される
蓄電パック。

【請求項9】

前記１以上の金属部材は、前記保護回路基板に接続されている
請求項８に記載の蓄電パック。

【請求項10】

前記半導体素子は、前記半導体素子の平面視において、矩形であり、前記保護回路基板の長手方向と平行する方向の２つの辺を有し、
前記１以上の金属部材は、前記２つの辺に沿って、少なくとも前記２つの辺の全長で対向するように配置された２つの金属部材を含む
請求項９に記載の蓄電パック。

【請求項11】

前記半導体素子は、前記半導体素子の平面視において、矩形であり、前記保護回路基板の長手方向と直交する方向の２つの辺を有し、
前記１以上の金属部材は、前記２つの辺に沿って、少なくとも前記２つの辺の全長で対向するように配置された２つの金属部材を含む
請求項９に記載の蓄電パック。

【請求項12】

前記半導体素子は、前記半導体素子の平面視において矩形であり、
前記１以上の金属部材は、前記半導体素子の４つの角のそれぞれの近傍に配置された４つの金属部材を含む
請求項９に記載の蓄電パック。

【請求項13】

前記半導体素子は、スイッチング素子であり、
前記スイッチング素子は、前記保護回路基板において、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電を制御する
請求項８に記載の蓄電パック。

【請求項14】

前記スイッチング素子は、前記スイッチング素子の平面視において、前記他方の主面側に、前記スイッチング素子を分割する、互いに隣接する第１の領域と第２の領域とを含む複数の領域を有し、
前記スイッチング素子は、さらに、
前記第１の領域に形成された第１の縦型ＭＯＳトランジスタと、
前記第２の領域に形成された第２の縦型ＭＯＳトランジスタと、を備え、
前記基板接続端子は、複数であり、
前記第１の縦型ＭＯＳトランジスタは、前記他方の主面に、
前記基板接続端子である第１のソース端子と、
前記基板接続端子であり、前記第１の縦型ＭＯＳトランジスタの導通状態を制御する第１のゲート端子と、を備え、
前記第２の縦型ＭＯＳトランジスタは、前記他方の主面に、
前記基板接続端子である第２のソース端子と、
前記基板接続端子であり、前記第２の縦型ＭＯＳトランジスタの導通状態を制御する第２のゲート端子と、を備え、
前記スイッチング素子は、さらに、前記一方の主面に、前記第１の縦型ＭＯＳトランジスタと前記第２の縦型ＭＯＳトランジスタとに共通するドレイン電極を備え、
前記ドレイン電極は、絶縁性接着部材を介して前記蓄電タブ接合用金属板に接続され、
前記１以上の金属部材のうちの少なくとも１つが、前記保護回路基板に形成された配線を介して、前記基板接続端子の中で、前記第１のソース端子のみと接続されている
請求項１３に記載の蓄電パック。

【請求項15】

前記基板接続端子は、複数であり、
前記スイッチング素子は、前記他方の主面に、前記基板接続端子であるソース端子と、前記基板接続端子であるゲート端子とを備え、前記一方の主面に、前記外部接続端子であるドレイン電極を備える、縦型ＭＯＳトランジスタであり、
前記ドレイン電極は、導電性接着部材を介して前記蓄電タブ接合用金属板に接続されている
請求項１３に記載の蓄電パック。

【請求項16】

請求項１または請求項４に記載の半導体装置と、前記第２の金属板と、前記実装基板と、蓄電セルとを備え、
前記第２の金属板は、前記接合準備領域で前記第１の金属板に接合され、
前記第２の金属板は、前記蓄電セルに接続され、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電による導通経路となる蓄電タブであり、
前記第１の金属板は、前記蓄電タブに接合される蓄電タブ接合用金属板であり、
前記実装基板は、前記蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護回路基板であり、
前記蓄電セルから、前記蓄電タブ、前記蓄電タブ接合用金属板、前記半導体素子の順に、またはその逆の順に、電流が流れる電流経路が形成され、
前記半導体素子は、スイッチング素子であり、
前記スイッチング素子は、前記保護回路基板において、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電を制御する
蓄電パック。

【請求項17】

請求項７に記載の第１の半導体装置および第２の半導体装置と、
前記第１の半導体装置における前記接合準備領域に接合された前記第２の金属板である第４の金属板と、
前記第２の半導体装置における前記接合準備領域に接合された前記第２の金属板である第５の金属板と、
前記第１の半導体装置における前記半導体素子である第１の半導体素子、および、前記第２の半導体装置における前記半導体素子である第２の半導体素子が実装された前記実装基板と、
蓄電セルと、を備え、
前記第４の金属板は、前記蓄電セルの正極端子に接続された第１の蓄電タブであり、
前記第５の金属板は、前記蓄電セルの負極端子に接続された第２の蓄電タブであり、
前記実装基板は、前記蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護回路基板であり、
前記第１の半導体装置における前記第１の金属板は、前記第１の蓄電タブに接合される第１の蓄電タブ接合用金属板であり、
前記第２の半導体装置における前記第１の金属板は、前記第２の蓄電タブに接合される第２の蓄電タブ接合用金属板であり、
前記第１の半導体素子は、第１のスイッチング素子であり、
前記第２の半導体素子は、第２のスイッチング素子であり、
前記蓄電セルから、前記第１の蓄電タブ、前記第１の蓄電タブ接合用金属板、前記第１の半導体素子の順に、またはその逆の順に、電流が流れる電流経路が形成され、
前記蓄電セルから、前記第２の蓄電タブ、前記第２の蓄電タブ接合用金属板、前記第２の半導体素子の順に、またはその逆の順に、電流が流れる電流経路が形成され、
前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子は、前記保護回路基板において、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電を制御し、
前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子は複数であり、
前記第２のスイッチング素子における前記基板接続端子は複数であり、
さらに、
前記保護回路基板に備わる、前記第１の蓄電タブと同電位の第１の配線であって、前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの１つである第１の基板接続端子に接続された前記第１の配線と、
前記保護回路基板に備わる第２の配線であって、前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの、前記第１の基板接続端子以外の１つに接続された前記第２の配線と、
前記第２の配線に接続された蓄電パック正極端子と、
前記保護回路基板に備わる、前記第２の蓄電タブと同電位の第３の配線であって、前記第２のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの１つである第２の基板接続端子に接続された前記第３の配線と、
前記保護回路基板に備わる第４の配線であって、前記第２のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの、前記第２の基板接続端子以外の１つに接続された前記第４の配線と、
前記第４の配線に接続された蓄電パック負極端子と、を備える
蓄電パック。

【請求項18】

請求項７に記載の第１の半導体装置と、
前記第１の半導体装置における前記接合準備領域に接合された前記第２の金属板である第４の金属板と、
前記第１の半導体装置における前記半導体素子である第１の半導体素子が実装された前記実装基板と、
前記実装基板にフェイスダウンで実装されたチップサイズパッケージ型の第２の半導体素子と、
蓄電セルと、
前記蓄電セルの正極端子に接続された第２の蓄電タブと、
第３の主面で前記第２の半導体素子と接続し、前記第３の主面と背向する第４の主面で前記第２の蓄電タブと接合する、厚さ０．２ｍｍ以下の部分を有する第２の蓄電タブ接合用金属板と、を備え、
前記第４の金属板は、前記蓄電セルの負極端子に接続された第１の蓄電タブであり、
前記実装基板は、前記蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護回路基板であり、
前記第１の半導体装置における前記第１の金属板は、前記第１の蓄電タブに接合される第１の蓄電タブ接合用金属板であり、
前記第１の半導体素子は、第１のスイッチング素子であり、
前記第２の半導体素子は、第２のスイッチング素子であり、
前記蓄電セルから、前記第１の蓄電タブ、前記第１の蓄電タブ接合用金属板、前記第１の半導体素子の順に、またはその逆の順に、電流が流れる電流経路が形成され、
前記蓄電セルから、前記第２の蓄電タブ、前記第２の蓄電タブ接合用金属板、前記保護回路基板の順に、またはその逆の順に、電流が流れる電流経路が形成され、
前記保護回路基板の平面視において、前記第２の蓄電タブと前記第２の蓄電タブ接合用金属板と前記第２の半導体素子と前記保護回路基板とが重複する重複部分が存在し、
前記保護回路基板の平面視において、前記第２の蓄電タブと前記保護回路基板との間に電流が流れ得る領域と、前記重複部分とが重複する部分が存在し、
前記第２の蓄電タブ接合用金属板は、前記第４の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げられており、
折り曲げられる前の状態の前記第２の蓄電タブ接合用金属板の平面視において、前記第２の蓄電タブ接合用金属板と前記第２の蓄電タブとが接合する領域と、前記第２の蓄電タブ接合用金属板と前記第２の半導体素子とが接続する領域と、は重複せず、
前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子は、前記保護回路基板において、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電を制御し、
前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子は複数であり、
さらに、
前記保護回路基板に備わる、前記第１の蓄電タブと同電位の第１の配線であって、前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの１つである第１の基板接続端子に接続された前記第１の配線と、
前記保護回路基板に備わる第２の配線であって、前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの、前記第１の基板接続端子以外の１つに接続された前記第２の配線と、
前記保護回路基板に備わる第３の配線であって、前記第２の配線に前記第２のスイッチング素子を介して接続された前記第３の配線と、
前記第３の配線に接続された蓄電パック負極端子と、
前記保護回路基板に備わる、前記第２の蓄電タブと同電位の第４の配線と、
前記第４の配線に接続された蓄電パック正極端子と、を備える
蓄電パック。

【請求項19】

第１の金属板の第１の主面に半導体素子を接続する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、前記半導体素子を実装基板に実装する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記第１の金属板の、前記第１の主面と背向する第２の主面に、第２の金属板を接合する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記第１の金属板を、（１）前記第２の主面同士が対面する部分を有するように、（２）前記半導体素子の平面視において、前記第１の金属板と前記半導体素子とが接続する領域と、前記第１の金属板と前記第２の金属板とが接合する領域とが、前記第１の金属板を挟んで重複する部分を有するように、折り曲げる第４の工程と、
前記第３の工程の後に、前記第２の金属板を、前記第１の金属板と接合する面同士が対面する部分を有するように折り曲げる第５の工程と、を含む
半導体装置の製造方法。

【請求項20】

さらに、前記第１の工程の前に、１以上の金属部材を備える第３の金属板を前記半導体素子に接続する第６の工程を含み、
前記第１の工程では、前記第３の金属板を介して、前記第１の主面に前記半導体素子を接続する
請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

蓄電パック、蓄電パックで利用される半導体装置、および、その半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体装置を利用する蓄電パックが知られている（例えば、特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】国際公開第２０２２／００９３９６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

一般に、蓄電パックには、蓄電セルと、半導体素子が実装された、蓄電セルを過充電または過放電から保護する機能を有する保護回路基板とが含まれる。

【0005】

蓄電パックに含まれる保護回路基板の小型化が望まれる。

【0006】

そこで、本開示は、保護回路基板の小型化を実現することができる蓄電パック、半導体装置、および、その半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の一態様に係る蓄電パックは、蓄電セルと、前記蓄電セルに接続された、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電による導通経路となる蓄電タブと、前記蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護回路基板と、前記保護回路基板にフェイスダウンで実装されたチップサイズパッケージ型の半導体素子と、第１の主面で前記半導体素子と接続し、厚さ０．２ｍｍ以下の部分を有する蓄電タブ接合用金属板と、を備え、前記蓄電タブ接合用金属板は、前記第１の主面と背向する第２の主面で、前記蓄電タブに、前記保護回路基板の平面視において、前記蓄電タブと前記蓄電タブ接合用金属板と前記半導体素子と前記保護回路基板とが重複する重複部分を有するように接合され、前記保護回路基板の平面視において、前記蓄電タブと前記保護回路基板との間で前記導通経路となり得る領域と、前記重複部分とが重複する部分が存在する。

【0008】

本開示の一態様に係る半導体装置は、複数の外部接続端子を有するチップサイズパッケージ型の半導体素子と、厚さ０．２ｍｍ以下の部分を有する第１の金属板と、を備え、前記半導体素子の一方の主面には、前記第１の金属板が接続され、前記半導体素子の、前記一方の主面と背向する他方の主面には、前記複数の外部接続端子のうちの、前記半導体素子が実装される実装基板に接続される基板接続端子が備わり、前記第１の金属板の第１の主面であって、前記半導体素子と接続する前記第１の主面と背向する前記第１の金属板の第２の主面には、第２の金属板と接合するための接合準備領域が備わり、前記接合準備領域は、前記第１の金属板の平面視において、前記第１の金属板と前記半導体素子とが接続する接続領域と重複せず、前記第１の金属板の電位は、前記複数の外部接続端子のうちの少なくとも１つの電位と同電位であり、前記第１の金属板は、前記第２の主面同士が対面する部分を有するように、前記厚さ０．２ｍｍ以下の部分で折り曲げ可能である。

【0009】

本開示の一態様に係る蓄電パックは、上記半導体装置と、前記第２の金属板と、前記実装基板と、蓄電セルとを備え、前記第２の金属板は、前記蓄電セルに接続された、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電による導通経路となる蓄電タブであり、前記第１の金属板は、前記蓄電タブに接合される蓄電タブ接合用金属板であり、前記実装基板は、前記蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護回路基板であり、前記蓄電セルから、前記蓄電タブ、前記蓄電タブ接合用金属板、前記半導体素子の順に、またはその逆の順に、前記導通経路が形成される。

【0010】

本開示の一態様に係る蓄電パックは、上記半導体装置と、前記第２の金属板と、前記実装基板と、蓄電セルとを備え、前記第２の金属板は、前記接合準備領域で前記第１の金属板に接合され、前記第２の金属板は、前記蓄電セルに接続され、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電による導通経路となる蓄電タブであり、前記第１の金属板は、前記蓄電タブに接合される蓄電タブ接合用金属板であり、前記実装基板は、前記蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護回路基板であり、前記蓄電セルから、前記蓄電タブ、前記蓄電タブ接合用金属板、前記半導体素子の順に、またはその逆の順に、電流が流れる電流経路が形成され、前記半導体素子は、スイッチング素子であり、前記スイッチング素子は、前記保護回路基板において、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電を制御する。

【0011】

本開示の一態様に係る蓄電パックは、上記第１の半導体装置および上記第２の半導体装置と、前記第１の半導体装置における前記接合準備領域に接合された前記第２の金属板である第４の金属板と、前記第２の半導体装置における前記接合準備領域に接合された前記第２の金属板である第５の金属板と、前記第１の半導体装置における前記半導体素子である第１の半導体素子、および、前記第２の半導体装置における前記半導体素子である第２の半導体素子が実装された前記実装基板と、蓄電セルと、を備え、前記第４の金属板は、前記蓄電セルの正極端子に接続された第１の蓄電タブであり、前記第５の金属板は、前記蓄電セルの負極端子に接続された第２の蓄電タブであり、前記実装基板は、前記蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護回路基板であり、前記第１の半導体装置における前記第１の金属板は、前記第１の蓄電タブに接合される第１の蓄電タブ接合用金属板であり、前記第２の半導体装置における前記第１の金属板は、前記第２の蓄電タブに接合される第２の蓄電タブ接合用金属板であり、前記第１の半導体素子は、第１のスイッチング素子であり、前記第２の半導体素子は、第２のスイッチング素子であり、前記蓄電セルから、前記第１の蓄電タブ、前記第１の蓄電タブ接合用金属板、前記第１の半導体素子の順に、またはその逆の順に、電流が流れる電流経路が形成され、前記蓄電セルから、前記第２の蓄電タブ、前記第２の蓄電タブ接合用金属板、前記第２の半導体素子の順に、またはその逆の順に、電流が流れる電流経路が形成され、前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子は、前記保護回路基板において、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電を制御し、前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子は複数であり、前記第２のスイッチング素子における前記基板接続端子は複数であり、さらに、前記保護回路基板に備わる、前記第１の蓄電タブと同電位の第１の配線であって、前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの１つである第１の基板接続端子に接続された前記第１の配線と、前記保護回路基板に備わる第２の配線であって、前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの、前記第１の基板接続端子以外の１つに接続された前記第２の配線と、前記第２の配線に接続された蓄電パック正極端子と、前記保護回路基板に備わる、前記第２の蓄電タブと同電位の第３の配線であって、前記第２のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの１つである第２の基板接続端子に接続された前記第３の配線と、前記保護回路基板に備わる第４の配線であって、前記第２のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの、前記第２の基板接続端子以外の１つに接続された前記第４の配線と、前記第４の配線に接続された蓄電パック負極端子と、を備える。

【0012】

本開示の一態様に係る蓄電パックは、上記第１の半導体装置と、前記第１の半導体装置における前記接合準備領域に接合された前記第２の金属板である第４の金属板と、前記第１の半導体装置における前記半導体素子である第１の半導体素子が実装された前記実装基板と、前記実装基板にフェイスダウンで実装されたチップサイズパッケージ型の第２の半導体素子と、蓄電セルと、前記蓄電セルの正極端子に接続された第２の蓄電タブと、第３の主面で前記第２の半導体素子と接続し、前記第３の主面と背向する第４の主面で前記第２の蓄電タブと接合する、厚さ０．２ｍｍ以下の部分を有する第２の蓄電タブ接合用金属板と、を備え、前記第４の金属板は、前記蓄電セルの負極端子に接続された第１の蓄電タブであり、前記実装基板は、前記蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護回路基板であり、前記第１の半導体装置における前記第１の金属板は、前記第１の蓄電タブに接合される第１の蓄電タブ接合用金属板であり、前記第１の半導体素子は、第１のスイッチング素子であり、前記第２の半導体素子は、第２のスイッチング素子であり、前記蓄電セルから、前記第１の蓄電タブ、前記第１の蓄電タブ接合用金属板、前記第１の半導体素子の順に、またはその逆の順に、電流が流れる電流経路が形成され、前記蓄電セルから、前記第２の蓄電タブ、前記第２の蓄電タブ接合用金属板、前記保護回路基板の順に、またはその逆の順に、電流が流れる電流経路が形成され、前記保護回路基板の平面視において、前記第２の蓄電タブと前記第２の蓄電タブ接合用金属板と前記第２の半導体素子と前記保護回路基板とが重複する重複部分が存在し、前記保護回路基板の平面視において、前記第２の蓄電タブと前記保護回路基板との間に電流が流れ得る領域と、前記重複部分とが重複する部分が存在し、前記第２の蓄電タブ接合用金属板は、前記第４の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げられており、折り曲げられる前の状態の前記第２の蓄電タブ接合用金属板の平面視において、前記第２の蓄電タブ接合用金属板と前記第２の蓄電タブとが接合する領域と、前記第２の蓄電タブ接合用金属板と前記第２の半導体素子とが接続する領域と、は重複せず、前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子は、前記保護回路基板において、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電を制御し、前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子は複数であり、さらに、前記保護回路基板に備わる、前記第１の蓄電タブと同電位の第１の配線であって、前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの１つである第１の基板接続端子に接続された前記第１の配線と、前記保護回路基板に備わる第２の配線であって、前記第１のスイッチング素子における前記基板接続端子のうちの、前記第１の基板接続端子以外の１つに接続された前記第２の配線と、前記保護回路基板に備わる第３の配線であって、前記第２の配線に前記第２のスイッチング素子を介して接続された前記第３の配線と、前記第３の配線に接続された蓄電パック負極端子と、前記保護回路基板に備わる、前記第２の蓄電タブと同電位の第４の配線と、前記第４の配線に接続された蓄電パック正極端子と、を備える。

【0013】

本開示の一態様に係る半導体装置の製造方法は、第１の金属板の第１の主面に半導体素子を接続する第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記半導体素子を実装基板に実装する第２の工程と、前記第２の工程の後に、前記第１の金属板の、前記第１の主面と背向する第２の主面に、第２の金属板を接合する第３の工程と、前記第３の工程の後に、前記第１の金属板を、（１）前記第２の主面同士が対面する部分を有するように、（２）前記半導体素子の平面視において、前記第１の金属板と前記半導体素子とが接続する領域と、前記第１の金属板と前記第２の金属板とが接合する領域とが、前記第１の金属板を挟んで重複する部分を有するように、折り曲げる第４の工程と、前記第３の工程の後に、前記第２の金属板を、前記第１の金属板と接合する面同士が対面する部分を有するように折り曲げる第５の工程と、を含む。

【発明の効果】

【0014】

本開示の一態様に係る蓄電パック、半導体装置、および、半導体装置の製造方法によると、保護回路基板の小型化を実現することができる蓄電パック、半導体装置、および、その半導体装置の製造方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】図１は、実施の形態１に係る蓄電パックの構成を示す平面図である。

【図2A】図２Ａは、実施の形態１に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図2B】図２Ｂは、実施の形態１に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図3】図３は、実施の形態１に係る第１の半導体素子の回路図である。

【図4】図４は、実施の形態１に係る第１の半導体素子の構造の一例を示す断面図である。

【図5】図５は、実施の形態１に係る第１の半導体素子の構造の一例を示す平面図である。

【図6】図６は、実施の形態１に係る第１の金属板の平面図の一例である。

【図7】図７は、実施の形態１に係る第１の金属板の平面図の他の一例である。

【図8】図８は、実施の形態１に係る第１の半導体装置の平面図である。

【図9】図９は、実施の形態１に係る第１の半導体装置の平面図である。

【図10】図１０は、実施の形態１に係る第１の半導体装置の平面図である。

【図11】図１１は、実施の形態１に係る第１の半導体素子の各角の近傍を説明するための図である。

【図12】図１２は、実施の形態１に係る蓄電パックの回路図である。

【図13】図１３は、実施の形態１に係る保護回路基板および第１の半導体素子の断面図である。

【図14】図１４は、実施の形態１に係る保護回路基板および第１の半導体素子の断面図である。

【図15】図１５は、実施の形態２に係る蓄電パックの構成を示す平面図である。

【図16A】図１６Ａは、実施の形態２に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図16B】図１６Ｂは、実施の形態２に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図17】図１７は、実施の形態３に係る蓄電パックの構成を示す平面図である。

【図18A】図１８Ａは、実施の形態３に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図18B】図１８Ｂは、実施の形態３に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図19】図１９は、実施の形態４に係る蓄電パックの構成を示す平面図である。

【図20A】図２０Ａは、実施の形態４に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図20B】図２０Ｂは、実施の形態４に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図21】図２１は、実施の形態５に係る蓄電パックの構成を示す平面図である。

【図22A】図２２Ａは、実施の形態５に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図22B】図２２Ｂは、実施の形態５に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図23】図２３は、実施の形態５に係る第１の半導体素子の回路図である。

【図24】図２４は、実施の形態５に係る蓄電パックの回路図である。

【図25A】図２５Ａは、実施の形態５に係る蓄電パックの他の構成の回路図である。

【図25B】図２５Ｂは、実施の形態５に係る蓄電パックの他の構成の回路図である。

【図26】図２６は、変形例１に係る第１の半導体素子の回路図である。

【図27】図２７は、変形例１に係る蓄電パックの回路図である。

【図28】図２８は、変形例２に係る蓄電パックの回路図である。

【図29】図２９は、変形例３に係る蓄電パックの回路図である。

【図30】図３０は、実施の形態６に係る蓄電パックの構成を示す平面図である。

【図31A】図３１Ａは、実施の形態６に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図31B】図３１Ｂは、実施の形態６に係る蓄電パックの構成を示す断面図である。

【図32】図３２は、実施の形態６に係る蓄電パックの回路図である。

【図33A】図３３Ａは、半導体装置の製造方法の第０の工程における製造途中の第１の半導体装置の断面図である。

【図33B】図３３Ｂは、半導体装置の製造方法の第１の工程における製造途中の第１の半導体装置の断面図である。

【図33C】図３３Ｃは、半導体装置の製造方法の第２の工程における製造途中の第１の半導体装置の断面図である。

【図33D】図３３Ｄは、半導体装置の製造方法の第３の工程における製造途中の第１の半導体装置の断面図である。

【図33E】図３３Ｅは、半導体装置の製造方法の第４の工程における製造途中の第１の半導体装置の断面図である。

【図33F】図３３Ｆは、半導体装置の製造方法の第５の工程における製造途中の第１の半導体装置の断面図である。

【図34】図３４は、実施の形態６に係る蓄電パックの他の構成を示す断面図である。

【図35A】図３５Ａは、実施の形態３に係る蓄電パックの他の構成を示す断面図である。

【図35B】図３５Ｂは、実施の形態３に係る蓄電パックの他の構成を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

（本開示の一態様を得るに至った経緯）
発明者らは、蓄電パックで利用される半導体装置を開発している。発明者らは、この開発を通じて、蓄電パックに含まれる保護回路基板の小型化を実現すべく、鋭意、実験、検討を繰り返し行った。その結果、発明者らは、下記本開示の一態様に係る蓄電パック、下記本開示の一態様に係る半導体装置、および、下記本開示の一態様に係る半導体装置の製造方法に想到した。

【0017】

【0018】

従来の蓄電パックにおいて、蓄電セルに接続された蓄電タブは、半導体素子が実装された保護回路基板に接続される。

【0019】

これに対して、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、蓄電セルに接続された蓄電タブは、保護回路基板に実装された半導体素子に接続された蓄電タブ接合用金属板に接合される。

【0020】

このため、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、従来の蓄電パックにおいて必要となる、保護回路基板における蓄電タブを接続するための領域が不要となる。

【0021】

したがって、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、保護回路基板の小型化を実現することができる。

【0022】

なお、本明細書において、「接合する」という用語は、直接、間接は問わず、物理的に接触して接続する状態であって、着脱が自由でない状態のことを言う。また、本明細書において、「接続する」という用語は、「接合する」という用語の意味に加えて、物理的でない（例えば、電気的な）つながりを含む、つながっている状態のことを言う。

【0023】

また、前記蓄電タブ接合用金属板は、前記第２の主面同士が前記蓄電タブを挟んで対面する部分を有するように、前記厚さ０．２ｍｍ以下の部分で折り曲げられており、折り曲げられる前の状態の前記蓄電タブ接合用金属板の平面視において、前記蓄電タブ接合用金属板と前記蓄電タブとが接合する領域と、前記蓄電タブ接合用金属板と前記半導体素子とが接続する領域とは重複しないとしてもよい。

【0024】

上記構成の蓄電パックにおいて、折り曲げられる前の状態の蓄電タブ接合用金属板の平面視において、蓄電タブ接合用金属板と蓄電タブとが接合する領域と、蓄電タブ接合用金属板と半導体素子とが接続する領域とが離れている。このため、蓄電タブ接合用金属板と蓄電タブとを接合する際に発生する熱による半導体素子への悪影響、および、蓄電タブ接合用金属板と蓄電タブとを接合する際に生じる物理的な衝撃による半導体素子への悪影響を抑制することができる。

【0025】

さらに、蓄電タブ接合用金属板が折り曲げられていることにより、蓄電パック自身の小型化を実現することができる。

【0026】

また、前記半導体素子は、スイッチング素子であり、前記スイッチング素子は、前記保護回路基板において、前記蓄電セルへの充電もしくは前記蓄電セルからの放電を制御するとしてもよい。

【0027】

これにより、半導体素子を用いて、蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護機能を実現することができる。

【0028】

【0029】

上述したように、従来の蓄電パックにおいて、蓄電セルに接続された蓄電タブは、半導体素子が実装された保護回路基板に接続される。

【0030】

これに対して、上記本開示の一態様に係る半導体装置によると、この半導体素子が実装基板としての保護回路基板に実装され、第１の金属板の接合準備領域に、第２の金属板としての蓄電タブが接合されることにより、蓄電パックを実現することができる。

【0031】

この蓄電パックにおいて、蓄電セルに接続された蓄電タブは、保護回路基板に実装された半導体素子に接続された蓄電タブ接合用金属板に接合される。

【0032】

このため、上記本開示の一態様に係る半導体装置によると、従来の蓄電パックにおいて必要となる、保護回路基板における蓄電タブを接続するための領域が不要となる。

【0033】

したがって、上記本開示の一態様に係る半導体装置によると、保護回路基板の小型化を実現することができる。

【0034】

さらに、上記本開示の一態様に係る半導体装置によると、第１の金属板の平面視において、接合準備領域と接続領域とが離れているため、第１の金属板と、第２の金属板としての蓄電タブとを接合する際に発生する熱による半導体素子への悪影響、および、第１の金属板と蓄電タブとを接合する際に生じる物理的な衝撃による半導体素子への悪影響を抑制することができる。

【0035】

さらに、第１の金属板に第２の金属板としての蓄電タブが接合されることにより、蓄電タブを使って放熱することができるため、放熱性を高めることができる。

【0036】

また、さらに、前記第１の主面に、前記半導体素子を前記実装基板に実装する際に、前記半導体素子と共に前記実装基板に実装される１以上の金属部材を備え、前記第１の主面と前記１以上の金属部材とが接続する領域のそれぞれは、前記第１の金属板の平面視において、前記接合準備領域と重複しないとしてもよい。

【0037】

また、前記第１の金属板は、折り曲げ軸において、前記第２の主面同士が対面する部分を有するように、前記厚さ０．２ｍｍ以下の部分で折り曲げ可能であり、前記接合準備領域と前記接続領域とは、前記第１の金属板の平面視において、前記折り曲げ軸を挟む一方の側と他方の側に位置するとしてもよい。

【0038】

また、前記第１の金属板は、前記厚さ０．２ｍｍ以下の部分にある折り曲げ軸において、前記第２の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げ可能であり、前記半導体素子は、前記半導体素子の平面視において、第１の辺を有する矩形であり、前記半導体素子は、前記第１の辺が前記折り曲げ軸に直交する向きに、前記第１の金属板と接続され、前記第１の金属板の平面視における、前記第１の金属板の前記折り曲げ軸に直交する向きの長さは、前記半導体素子の平面視における、前記第１の辺の長さの２倍以上であるとしてもよい。

【0039】

また、前記第１の金属板は、前記厚さ０．２ｍｍ以下の部分にある折り曲げ軸において、前記第２の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げ可能であり、前記第１の金属板は、前記第１の金属板の平面視において、前記折り曲げ軸に直交する方向に伸びる略直線状の第１の略直線状辺および第２の略直線状辺を有する略矩形であり、前記第１の略直線状辺および前記第２の略直線状辺のそれぞれは、前記第１の金属板の平面視において、前記第１の金属板の内側に凹む凹部を有するとしてもよい。

【0040】

これにより、凹部における第１の金属板の折り曲げが比較的容易になる。

【0041】

また、前記１以上の金属部材は、前記第１の金属板と同じ材料で構成され、前記１以上の金属部材と前記第１の金属板とは一体化されているとしてもよい。

【0042】

また、さらに、前記半導体素子と前記第１の金属板との間に、第３の金属板を備え、前記第３の金属板は、前記半導体素子と前記一方の主面において接続され、前記第１の金属板と前記第１の主面において接続され、前記一方の主面には、前記第３の金属板を介して前記第１の金属板が接続されるとしてもよい。

【0043】

また、さらに、前記第３の金属板の、前記第３の金属板が前記半導体素子と接続する主面に、前記半導体素子を前記実装基板に実装する際に、前記半導体素子と共に前記実装基板に実装される１以上の金属部材を備え、前記主面と前記１以上の金属部材とが接続する領域のそれぞれは、前記第１の金属板の平面視において、前記接合準備領域と重複しないとしてもよい。

【0044】

また、前記第１の金属板は、前記第２の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げられており、前記半導体素子の平面視において、前記半導体素子と前記接合準備領域とが前記第１の金属板を挟んで重複する部分が存在するとしてもよい。

【0045】

これにより、第１の金属板が折り曲げられていることで、半導体装置の小型化を実現することができる。

【0046】

また、前記半導体素子は、前記基板接続端子を介して前記実装基板にフェイスダウンで実装されており、前記第１の金属板は、前記接合準備領域において前記第２の金属板と接合されているとしてもよい。

【0047】

また、前記半導体素子は、前記基板接続端子を介して前記実装基板にフェイスダウンで実装されており、前記第１の金属板は、前記接合準備領域において前記第２の金属板と接合されており、前記第２の金属板は、前記第１の金属板と接合する面同士が前記第１の金属板を挟んで対面する部分を有するように折り曲げられており、前記実装基板の平面視において、前記第２の金属板と前記第１の金属板と前記半導体素子と前記実装基板とが重複する重複部分が存在し、前記実装基板の平面視において、前記第２の金属板と前記実装基板との間に電流が流れ得る領域と、前記重複部分とが重複する部分が存在するとしてもよい。

【0048】

【0049】

上述したように、従来の蓄電パックにおいて、蓄電セルに接続された蓄電タブは、半導体素子が実装された保護回路基板に接続される。

【0050】

【0051】

【0052】

したがって、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、保護回路基板の小型化を実現することができる。

【0053】

また、前記１以上の金属部材は、前記保護回路基板に接続されているとしてもよい。

【0054】

また、前記半導体素子は、前記半導体素子の平面視において、矩形であり、前記保護回路基板の長手方向と平行する方向の２つの辺を有し、前記１以上の金属部材は、前記２つの辺に沿って、少なくとも前記２つの辺の全長で対向するように配置された２つの金属部材を含むとしてもよい。

【0055】

これにより、半導体素子に掛かる応力の一部が、２つの金属部材に分散される。このため、保護回路基板から半導体素子がはがれにくくなる。また、半導体素子の一方の主面に対する、第１の金属板の第２の主面側からの圧力に対するプレス耐性を向上させることができる。

【0056】

また、前記半導体素子は、前記半導体素子の平面視において、矩形であり、前記保護回路基板の長手方向と直交する方向の２つの辺を有し、前記１以上の金属部材は、前記２つの辺に沿って、少なくとも前記２つの辺の全長で対向するように配置された２つの金属部材を含むとしてもよい。

【0057】

【0058】

また、前記半導体素子は、前記半導体素子の平面視において矩形であり、前記１以上の金属部材は、前記半導体素子の４つの角のそれぞれの近傍に配置された４つの金属部材を含むとしてもよい。

【0059】

これにより、半導体素子に掛かる応力の一部が、４つの金属部材に分散される。このため、保護回路基板から半導体素子がはがれにくくなる。また、半導体素子の一方の主面に対する、第１の金属板の第２の主面側からの圧力に対するプレス耐性を向上させることができる。

【0060】

【0061】

これにより、半導体素子を用いて、蓄電セルを過充電または過放電から保護する保護機能を実現することができる。

【0062】

また、前記スイッチング素子は、前記スイッチング素子の平面視において、前記他方の主面側に、前記スイッチング素子を分割する、互いに隣接する第１の領域と第２の領域とを含む複数の領域を有し、前記スイッチング素子は、さらに、前記第１の領域に形成された第１の縦型ＭＯＳトランジスタと、前記第２の領域に形成された第２の縦型ＭＯＳトランジスタと、を備え、前記基板接続端子は、複数であり、前記第１の縦型ＭＯＳトランジスタは、前記他方の主面に、前記基板接続端子である第１のソース端子と、前記基板接続端子であり、前記第１の縦型ＭＯＳトランジスタの導通状態を制御する第１のゲート端子と、を備え、前記第２の縦型ＭＯＳトランジスタは、前記他方の主面に、前記基板接続端子である第２のソース端子と、前記基板接続端子であり、前記第２の縦型ＭＯＳトランジスタの導通状態を制御する第２のゲート端子と、を備え、前記スイッチング素子は、さらに、前記一方の主面に、前記第１の縦型ＭＯＳトランジスタと前記第２の縦型ＭＯＳトランジスタとに共通するドレイン電極を備え、前記ドレイン電極は、絶縁性接着部材を介して前記蓄電タブ接合用金属板に接続され、前記１以上の金属部材のうちの少なくとも１つが、前記保護回路基板に形成された配線を介して、前記基板接続端子の中で、前記第１のソース端子のみと接続されているとしてもよい。

【0063】

これにより、半導体素子を用いて、蓄電タブから保護回路基板に流れる向きの電流による蓄電セルへの充電もしくは蓄電セルからの放電に対する、および、保護回路基板から蓄電タブに流れる向きの電流による蓄電セルへの充電もしくは蓄電セルからの放電に対する、蓄電セルの保護機能を実現することができる。

【0064】

また、前記基板接続端子は、複数であり、前記スイッチング素子は、前記他方の主面に、前記基板接続端子であるソース端子と、前記基板接続端子であるゲート端子とを備え、前記一方の主面に、前記外部接続端子であるドレイン電極を備える、縦型ＭＯＳトランジスタであり、前記ドレイン電極は、導電性接着部材を介して前記蓄電タブ接合用金属板に接続されているとしてもよい。

【0065】

これにより、半導体素子を用いて、蓄電タブから保護回路基板に流れる向きの電流による蓄電セルへの充電もしくは蓄電セルからの放電に対する、または、保護回路基板から蓄電タブに流れる向きの電流による蓄電セルへの充電もしくは蓄電セルからの放電に対する、蓄電セルの保護機能を実現することができる。

【0066】

【0067】

上述したように、従来の蓄電パックにおいて、蓄電セルに接続された蓄電タブは、半導体素子が実装された保護回路基板に接続される。

【0068】

【0069】

【0070】

したがって、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、保護回路基板の小型化を実現することができる。

【0071】

さらに、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、半導体素子を用いて、蓄電セルの保護機能を実現することができる。

【0072】

【0073】

従来の蓄電パックにおいて、蓄電セルの正極端子に接続された第１の蓄電タブと、蓄電セルの負極端子に接続された第２の蓄電タブとは、それぞれ、第１の半導体素子と第２の半導体素子とが実装された保護回路基板に接続される。

【0074】

これに対して、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、蓄電セルの正極端子に接続された第１の蓄電タブは、保護回路基板に実装された第１の半導体素子に接続された第１の蓄電タブ接合用金属板に接合され、蓄電セルの負極端子に接続された第２の蓄電タブは、保護回路基板に実装された第２の半導体素子に接続された第２の蓄電タブ接合用金属板に接合される。

【0075】

このため、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、従来の蓄電パックにおいて必要となる、保護回路基板における、第１の蓄電タブを接続するための領域、および、第２の蓄電タブを接続するための領域が不要となる。

【0076】

したがって、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、保護回路基板の小型化を実現することができる。

【0077】

さらに、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、第１の半導体素子と第２の半導体素子を用いて、蓄電セルのハイサイド側における電流経路と、蓄電セルのローサイド側における電流経路とのそれぞれを用いた蓄電セルの２重の保護機能を実現することができる。

【0078】

【0079】

【0080】

【0081】

【0082】

したがって、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、保護回路基板の小型化を実現することができる。

【0083】

さらに、上記本開示の一態様に係る蓄電パックによると、第１の半導体素子と第２の半導体素子を用いて、蓄電セルのローサイド側における電流経路のみを用いた蓄電セルの２重の保護機能を実現することができる。

【0084】

【0085】

上述したように、従来の蓄電パックにおいて、蓄電セルに接続された蓄電タブは、半導体素子が実装された保護回路基板に接続される。

【0086】

これに対して、上記本開示の一態様に係る半導体装置の製造方法によると、この半導体素子を実装基板としての保護回路基板に実装し、第２の主面に第２の金属板としての蓄電タブが接続されることにより、蓄電パックを実現することができる。

【0087】

【0088】

このため、上記本開示の一態様に係る半導体装置の製造方法によると、従来の蓄電パックにおいて必要となる、保護回路基板における蓄電タブを接続するための領域が不要となる。

【0089】

したがって、上記本開示の一態様に係る半導体装置の製造方法によると、保護回路基板の小型化を実現することができる。

【0090】

また、さらに、前記第１の工程の前に、１以上の金属部材を備える第３の金属板を前記半導体素子に接続する第６の工程を含み、前記第１の工程では、前記第３の金属板を介して、前記第１の主面に前記半導体素子を接続するとしてもよい。

【0091】

以下、本開示の一態様に係る蓄電パック、半導体装置、および、半導体装置の製造方法の具体例について、図面を参照しながら説明する。ここで示す実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、構成要素、構成要素の配置および接続形態、ならびに、ステップ（工程）およびステップの順序等は、一例であって本開示を限定する趣旨ではない。また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する。

【0092】

（実施の形態１）
＜構成＞
以下、実施の形態１に係る蓄電パックの構成について説明する。

【0093】

図１は、実施の形態１に係る蓄電パック１００の構成を示す平面図である。図２Ａは、図１のＩ－Ｉにおける切断面を示す断面図である。図２Ｂは、図１のＩＩ－ＩＩにおける切断面を示す断面図である。図１において、実際には直接視認できない部分の一部について、あたかも視認できるかのように破線で図示している。

【0094】

図１、図２Ａ、図２Ｂに示すように、蓄電パック１００は、蓄電セル３と、第１の蓄電タブ８０Ａと、第２の蓄電タブ８０Ｂと、第１の半導体装置１Ａと、第２の半導体装置１Ｂと、保護回路基板６０とを備える。なお、本明細書において、第１の蓄電タブ８０Ａのことを第２の金属板８０Ａとも称し、第２の蓄電タブ８０Ｂのことを第２の金属板８０Ｂとも称し、保護回路基板６０のことを、実装基板６０とも称する。

【0095】

蓄電セル３は、正極端子３６（図１、２Ａ、２Ｂには図示されず、後述の図１２参照）と負極端子３７（図１、２Ａ、２Ｂには図示されず、後述の図１２参照）とを備え、正極端子３６と負極端子３７との間に電気エネルギーを蓄電する。蓄電セル３は、正極端子３６および負極端子３７を介して充電および放電することができる。蓄電セルは、例えば、リチウムイオン電池等に代表される二次電池であってもよいし、例えば、リチウムイオンキャパシタ等に代表されるキャパシタであってもよい。以下では、蓄電セル３は、リチウムイオン電池等に代表される二次電池であるとして説明する。

【0096】

第１の蓄電タブ８０Ａは、蓄電セル３の正極端子３６に接続された金属板である。第１の蓄電タブ８０Ａは、限定されない一例として、アルミニウムを含む金属材料で構成される。

【0097】

第２の蓄電タブ８０Ｂは、蓄電セル３の負極端子３７に接続された金属板である。第２の蓄電タブ８０Ｂは、限定されない一例として、銅を含む金属材料に対してニッケルメッキした金属材料で構成される。

【0098】

第１の蓄電タブ８０Ａおよび第２の蓄電タブ８０Ｂは、蓄電セル３への充電もしくは蓄電セル３からの放電による導通経路の一部を成す。

【0099】

第１の半導体装置１Ａは、第１の半導体素子２Ａと、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａと、第３の金属板７５Ａと、１以上の金属部材８５Ａとを備える。なお、本明細書において、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａのことを第１の金属板７０Ａとも称する。

【0100】

第１の半導体素子２Ａは、複数の外部接続端子（ここでは、後述の、第１のゲート端子１１９、第１のソース端子１１１、第２のゲート端子１２９、第２のソース端子１２１、および、ドレイン電極３０（図１、図２Ａには図示せず、例えば図３、図４等参照）が該当）を有するチップサイズパッケージ型の半導体デバイスである。ここでは、第１の半導体素子２Ａは、複数の外部接続端子のうちの複数の基板接続端子（ここでは、後述の、第１のゲート端子１１９、第１のソース端子１１１、第２のゲート端子１２９、および、第２のソース端子１２１が該当）を介して保護回路基板６０にフェイスダウンで実装されている。なお、本明細書において、ドレイン電極３０のことを、金属層３０とも称する。

【0101】

第１の半導体素子２Ａは、１個以上の縦型ＭＯＳ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタが形成された半導体デバイスである。以下では、一例として、第１の半導体素子２Ａは、２個の縦型ＭＯＳトランジスタが形成された半導体デバイスであるとして説明するが、第１の半導体素子２Ａは、１個以上の縦型ＭＯＳトランジスタが形成された半導体デバイスであれば、必ずしも、２個の縦型ＭＯＳトランジスタが形成された半導体デバイスに限定される必要はない。

【0102】

図３は、第１の半導体素子２Ａの回路図である。

【0103】

図３に示すように、第１の半導体素子２Ａは、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０と、第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０とを備える。また、第１の半導体素子２Ａは、複数の外部接続端子として、第１のゲート端子１１９、１個以上の第１のソース端子１１１、第２のゲート端子１２９、１個以上の第２のソース端子１２１、および、ドレイン電極３０を備える。

【0104】

図４は、第１の半導体素子２Ａの構造の一例を示す断面図である。図５は、第１の半導体素子２Ａの構成の一例を示す平面図である。図４は、図５のＩＩＩ－ＩＩＩにおける切断面を示す。

【0105】

図４および図５に示すように、第１の半導体素子２Ａは、半導体層４０と、金属層３０と、半導体層４０内の第１の領域Ａ１に形成された第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０と、半導体層４０内の第２の領域Ａ２に形成された第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０と、を有する。ここで、図４に示すように、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２とは、半導体層４０の平面視において互いに隣接する。

【0106】

半導体層４０は、半導体基板３２と低濃度不純物層３３とが積層されて構成される。

【0107】

半導体基板３２は、半導体層４０の下面側に配置され、第１導電型の不純物を含むシリコンからなる。

【0108】

低濃度不純物層３３は、半導体層４０の上面側に配置され、半導体基板３２に接触して形成され、半導体基板３２の第１導電型の不純物の濃度より低い濃度の第１導電型の不純物を含む。低濃度不純物層３３は、例えば、エピタキシャル成長により半導体基板３２上に形成されてもよい。

【0109】

酸化膜３４は、半導体層４０の上面に積層され、低濃度不純物層３３に接触して形成される。

【0110】

保護層３５は、半導体層４０および酸化膜３４の上面に接触して形成され、半導体層４０および酸化膜３４の上面の少なくとも一部を被覆する。

【0111】

金属層３０は、半導体基板３２の下面全面に接触して形成される。なお、金属層３０には、金属材料の製造工程において不純物として混入する金属以外の元素が微量に含まれていてもよい。ここで、金属層３０は、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０と第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０との共通のドレイン電極として機能する。

【0112】

また、図４および図５に示すように、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０は、半導体層４０の上面に、フェイスダウン実装時に実装基板６０に導電性材料８１（例えば、はんだ、図２Ａ参照）を介して接合される、１個以上（ここでは６個）の第１のソース端子１１１（ここでは、第１のソース端子１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｅ、および、１１１ｆ）、および、第１のゲート端子１１９を有する。また、第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０は、半導体層４０の上面に、フェイスダウン実装時に実装基板６０に導電性材料８１を介して接合される、１個以上（ここでは６個）の第２のソース端子１２１（ここでは、第２のソース端子１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ、１２１ｅ、および、１２１ｆ）、および、第２のゲート端子１２９を有する。

【0113】

図４、および、図５に示すように、平面視において、半導体層４０は矩形形状である。

【0114】

図５において、中央線９０は、半導体層４０の平面視において、矩形形状である半導体層４０を、第１の方向に二等分する線である。

【0115】

境界９０Ｃは、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２との境界である。境界９０Ｃは、半導体層４０の平面視において、半導体層４０を面積で二等分するが、必ずしも一直線である必要はない。半導体層４０の平面視において、中央線９０と境界９０Ｃとは、一致する場合も一致しない場合もあり得る。

【0116】

なお、第１のゲート端子１１９の数、および、第２のゲート端子１２９の数は、それぞれ、必ずしも図５に例示された１個に限定される必要はない。

【0117】

なお、１個以上の第１のソース端子１１１の数、および、１個以上の第２のソース端子１２１の数は、それぞれ、必ずしも図５に例示された６個に限定される必要はなく、６個以外の１以上の数であっても構わない。

【0118】

図４および図５に示すように、低濃度不純物層３３の第１の領域Ａ１には、第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む第１のボディ領域１８が形成されている。第１のボディ領域１８には、第１導電型の不純物を含む第１のソース領域１４、第１のゲート導体１５、および第１のゲート絶縁膜１６が形成されている。第１のソース電極１１は部分１２と部分１３とからなり、部分１２は、部分１３を介して第１のソース領域１４および第１のボディ領域１８に接続されている。第１のゲート導体１５は、第１のゲート端子１１９に電気的に接続される。

【0119】

第１のソース電極１１の部分１２は、フェイスダウン実装におけるリフロー時に導電性材料８１と接合される層であり、限定されない一例として、ニッケル、チタン、タングステン、パラジウムのうちのいずれか１つ以上を含む金属材料で構成されてもよい。部分１２の上面には、金などのめっきが施されてもよい。

【0120】

第１のソース電極１１の部分１３は、部分１２と半導体層４０とを接続する層であり、限定されない一例として、アルミニウム、銅、金、銀のうちのいずれか１つ以上を含む金属材料で構成されてもよい。

【0121】

低濃度不純物層３３の第２の領域Ａ２には、第２導電型の不純物を含む第２のボディ領域２８が形成されている。第２のボディ領域２８には、第１導電型の不純物を含む第２のソース領域２４、第２のゲート導体２５、および第２のゲート絶縁膜２６が形成されている。第２のソース電極２１は部分２２と部分２３とからなり、部分２２は、部分２３を介して第２のソース領域２４および第２のボディ領域２８に接続されている。第２のゲート導体２５は、第２のゲート端子１２９に電気的に接続される。

【0122】

第２のソース電極２１の部分２２は、フェイスダウン実装におけるリフロー時に導電性材料８１と接合される層であり、限定されない一例として、ニッケル、チタン、タングステン、パラジウムのうちのいずれか１つ以上を含む金属材料で構成されてもよい。部分２２の上面には、金などのめっきが施されてもよい。

【0123】

第２のソース電極２１の部分２３は、部分２２と半導体層４０とを接続する層であり、限定されない一例として、アルミニウム、銅、金、銀のうちのいずれか１つ以上を含む金属材料で構成されてもよい。

【0124】

第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０および第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０の上記構成により、低濃度不純物層３３と半導体基板３２とは、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０の第１のドレイン領域および第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０の第２のドレイン領域が共通化された、共通ドレイン領域として機能する。

【0125】

図４に示すように、第１のボディ領域１８は、開口を有する酸化膜３４で覆われ、酸化膜３４の開口を通して、第１のソース領域１４に接続される第１のソース電極１１の部分１３が設けられている。酸化膜３４および第１のソース電極１１の部分１３は、開口を有する保護層３５で覆われ、保護層３５の開口を通して第１のソース電極１１の部分１３に接続される部分１２が設けられている。

【0126】

第２のボディ領域２８は、開口を有する酸化膜３４で覆われ、酸化膜３４の開口を通して、第２のソース領域２４に接続される第２のソース電極２１の部分２３が設けられている。酸化膜３４および第２のソース電極２１の部分２３は、開口を有する保護層３５で覆われ、保護層３５の開口を通して第２のソース電極２１の部分２３に接続される部分２２が設けられている。

【0127】

従って、１個以上の第１のソース端子１１１および１個以上の第２のソース端子１２１は、それぞれ、第１のソース電極１１および第２のソース電極２１が第１の半導体素子２Ａの上面に部分的に露出した領域、いわゆる端子の部分を指す。同様に、第１のゲート端子１１９および第２のゲート端子１２９は、それぞれ、第１のゲート電極（図示せず）および第２のゲート電極（図示せず）が第１の半導体素子２Ａの上面に部分的に露出した領域、いわゆる端子の部分を指す。

【0128】

このように、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０は、第１の半導体素子２Ａの他方の主面に、第１のソース端子１１１と、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０の導通状態を制御する第１のゲート端子１１９とを備える。また、第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０は、第１の半導体素子２Ａの他方の主面に、第２のソース端子１２１と、第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０の導通状態を制御する第２のゲート端子１２９とを備える。そして、第１の半導体素子２Ａは、第１の半導体素子２Ａの一方の主面に、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０と第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０とに共通するドレイン電極３０を備える。

【0129】

再び、図１、図２Ａに戻って、第１の半導体装置１Ａの説明を続ける。

【0130】

第１の金属板７０Ａは、厚さ０．２ｍｍ以下の部分を有し、第１の主面において、第１の半導体素子２Ａの一方の主面に接続される。ここで、一方の主面とは、第１の半導体素子２Ａの２つの主面のうち、ドレイン電極３０、すなわち、金属層３０が形成される主面である。

【0131】

より具体的には、第１の金属板７０Ａは、第１の金属板７０Ａと第１の半導体素子２Ａとの間に、後述の第３の金属板７５Ａを挟んで、第１の半導体素子２Ａに接続される。

【0132】

ここで、第１の金属板７０Ａと第３の金属板７５Ａとは、導電性材料７１（例えば、はんだ）を介して接続され、第３の金属板７５Ａと第１の半導体素子２Ａの一方の主面とは、絶縁性材料７２（例えば、絶縁性接着剤）を介して接続される。このため、第３の金属板７５Ａとドレイン電極３０とは絶縁される。

【0133】

第１の金属板７０Ａは、限定されない一例として、アルミニウム、銅、銀を含む金属材料で構成される。

【0134】

なお、第１の金属板７０Ａは、少なくとも一部分で厚さ０．２ｍｍ以下となっていればよく、例えば、後述の折り曲げ軸７４の部分のみが厚さ０．２ｍｍ以下となっているとしてもよい。

【0135】

第１の金属板７０Ａの第２の主面には、第２の金属板８０Ａ、すなわち、第１の蓄電タブ８０Ａを接合するための接合準備領域７３Ａが備わる。この接合準備領域７３Ａは、第１の金属板７０Ａの平面視において、第１の金属板７０Ａと第１の半導体素子２Ａとが接続する接続領域と重複しない。

【0136】

接合準備領域７３Ａとは、第１の金属板７０Ａと第２の金属板８０Ａとが後に接合することとなる領域のことで、両者が接合する前の段階において、第１の金属板７０Ａに備わる一定の範囲のことである。

【0137】

第１の金属板７０Ａと第２の金属板８０Ａとの接合方法にもよるが、接合準備領域７３Ａには、後に両者の接合がされやすくなる何らの加工があらかじめ施されていてもよい。例えば、第１の金属板７０Ａでは接合準備領域７３Ａにおいてのみ、他の範囲とは異なる厚さや表面粗さになる加工が施されていてもよく、また、第１の金属板７０Ａを成す素材とは異なる別の素材が表面に形成されていてもよい。

【0138】

また、接合準備領域７３Ａには、何らかの加工が施されていなくてもよい。この場合、接合準備領域７３Ａは、第１の金属板７０Ａを平面視したときに、第１の金属板７０Ａのうち、折り曲げ軸７４を基準にして第１の金属板７０Ａと第１の半導体素子２Ａとが接続する領域とは反対側にある全ての領域に相当すると捉えてもよい。

【0139】

実施の形態１において、第１の金属板７０Ａは、接合準備領域７３Ａにおいて、第２の金属板８０Ａ、すなわち、第１の蓄電タブ８０Ａに接合されている。

【0140】

ここでは、第１の金属板７０Ａと第２の金属板８０Ａとは、溶接により接合されているとして説明する。しかしながら、第１の金属板７０Ａと第２の金属板８０Ａとは、導電性を有するように接合されていれば、必ずしも、溶接により接合される構成に限定される必要はない。第１の金属板７０Ａと第２の金属板８０Ａとは、例えば、はんだにより接合されるとしてもよい。

【0141】

第１の金属板７０Ａは、第２のソース端子１２１と導通する。より具体的には、第１の金属板７０Ａは、図２Ａに示すように、後述の第３の金属板７５Ａと、後述の金属部材８５Ａと、実装基板６０が備える第１の配線６１であって、金属部材８５Ａと導電性材料８１を介して接続し、第１の半導体素子２Ａの複数の外部接続端子のうちの１つである第２のソース端子１２１と導電性材料８１を介して接続する第１の配線６１と、を介して、第２のソース端子１２１と導通する。このため、第１の金属板７０Ａは、第２のソース端子１２１と同電位である。

【0142】

また、第１の金属板７０Ａは、第２の主面同士が対面する部分を有するように、厚さ０．２ｍｍ以下の部分で折り曲げ可能である。

【0143】

折り曲げるとは、折り曲げ軸７４に沿って第１の金属板７０を山折り、谷折り、あるいは湾曲（後述の図１８Ａ等参照）させることである。折り曲げた後の第１の金属板Ａの断面はＵ字型またはＪ字型となるのが典型的である。

【0144】

本実施の形態１においては、第１の金属板７０Ａは折り曲げられていないが、折り曲げ可能な形状や素材であることを述べておく。前述したように第１の金属板７０Ａの厚さが０．２ｍｍ以下となる部分を有するのもこのためである。

【0145】

図６は、第１の金属板７０Ａの、第２の主面側から見た平面図の一例である。

【0146】

ところで、折り曲げ軸７４とは、後に折り曲げられる第１の金属板７０Ａに備わる仮想的な軸であって、第１の金属板７０Ａは折り曲げ軸７４に沿って折り曲げられる。

【0147】

折り曲げられる前の第１の金属板７０Ａにあっては、第１の金属板７０Ａを平面視したときに、第１の金属板７０Ａに、折り曲げ軸７４の位置が特定される構造的な特徴が備わることが多い。しかし、第１の金属板７０Ａに何らの構造的な特徴が備わらない場合もあり得る。このような場合、第１の金属板７０Ａの内部における折り曲げ軸７４の位置は、第１の半導体素子２Ａの平面視において、第１の半導体素子２Ａと接合準備領域７３Ａとが、第１の金属板７０Ａを挟んで重複する部分が存在するように第１の金属板７０Ａを折り曲げ可能な任意の位置であると捉えることができる。

【0148】

例えば、第１の金属板７０Ａは、図６に示すように、折り曲げ軸７４において、第２の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げ可能であって、接合準備領域７３Ａと、第１の金属板７０Ａと第１の半導体素子２Ａとが接続する接続領域とは、第１の金属板７０Ａの平面視において、折り曲げ軸７４を挟む一方の側と他方の側とに位置するとしてもよい。

【0149】

これにより、第１の金属板７０Ａと第２の金属板８０Ａとを接合する際に発生する熱による第１の半導体素子２Ａへの悪影響を軽減することができる。

【0150】

また、これにより、第１の金属板７０Ａと第２の金属板８０Ａとを接合する際に生じる物理的な衝撃による第１の半導体素子２Ａへの悪影響を抑制することができる。

【0151】

また、図６に示すように、例えば、第１の半導体素子２Ａは、第１の半導体素子２Ａの第１の辺２Ａ１が折り曲げ軸７４に直交する向きに、第１の金属板７０Ａと接続され、第１の金属板７０Ａの平面視における、第１の金属板７０Ａの折り曲げ軸７４に直交する向きの長さは、第１の辺２Ａ１の長さの２倍以上であるとしてもよい。

【0152】

これにより、第１の金属板７０Ａは、第１の金属板７０Ａの平面視において、第１の半導体素子２Ａとの接続領域の他に、当該接続領域と同等以上の面積で接合準備領域７３Ａを有することができるようになる。

【0153】

また、図６に示すように、例えば、第１の金属板７０Ａは、第１の金属板７０Ａの平面視において、折り曲げ軸７４に直交する方向に伸びる略直線状の第１の略直線状辺７６Ａおよび第２の略直線状辺７６Ｂを有する略矩形であり、第１の略直線状辺７６Ａと第２の略直線状辺７６Ｂのそれぞれは、第１の金属板７０Ａの平面視において、第１の金属板７０Ａの内側に凹む凹部７７Ａおよび凹部７７Ｂのそれぞれを有するとしてもよい。ここで、凹部７７Ａおよび凹部７７Ｂは、折り曲げ軸と第１の略直線状辺７６Ａおよび第２の略直線状辺７６Ｂとの交点に位置するとしてもよい。

【0154】

これにより、第１の金属板７０Ａを、折り曲げ軸７４において折り曲げやすくすることができる。

【0155】

なお、第１の金属板７０Ａが部分的に薄化加工されている場合には、凹部７７Ａおよび凹部７７Ｂは、部分的に薄化加工されている箇所と一致する位置に配置されることが望ましい。

【0156】

図７は、第１の金属板７０Ａの、第２の主面側から見た平面図の他の一例である。

【0157】

図７に示すように、例えば、第１の金属板７０Ａは、複数の折り曲げ軸７４（ここでは、折り曲げ軸７４Ａ、折り曲げ軸７４Ｂ、折り曲げ軸７４Ｃが該当）において、第２の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げ可能であるとしてもよい。

【0158】

再び、図１、図２Ａに戻って、第１の半導体装置１Ａの説明を続ける。

【0159】

第３の金属板７５Ａは、図２Ａに示すように、第１の半導体素子２Ａと第１の金属板７０Ａとの間において、第１の半導体素子２Ａと第１の半導体素子２Ａの一方の主面において接続され、第１の金属板７０Ａと第１の金属板７０Ａの第１の主面において接続される。

【0160】

第３の金属板７５Ａは、限定されない一例として、銅、ニッケル、または、ステンレスを含む金属材料で構成される。

【0161】

第１の半導体装置１Ａは、第３の金属板７５Ａを備えることで、第１の半導体素子２Ａのプレス耐性であって、第１の半導体素子２Ａの一方の主面に対する、第１の金属板７０Ａの第２の主面側からの圧力に対するプレス耐性を向上させることができる。

【0162】

なお、第３の金属板７５Ａの厚さ、幅は、第１の半導体素子２Ａに通電する電流の大きさに応じて、放熱性を高めて第１の半導体素子２Ａの高温化が抑えられるように、適切な厚さ、幅に調整されている。例えば、第３の金属板７５Ａの幅は、第１の半導体素子２Ａの通電時に発生する熱の放熱性を高めるために、第１の半導体素子２Ａの幅よりも大きくなっていてもよい。

【0163】

１以上の金属部材８５Ａは、図２Ａに示すように、第３の金属板７５Ａの、第３の金属板７５Ａが第１の半導体素子２Ａと接続する主面に接続される。ここで、第３の金属板７５Ａの主面と１以上の金属部材８５Ａとが接続される位置は、第３の金属板７５Ａの主面と１以上の金属部材８５Ａとが接続する領域のそれぞれが、第１の金属板７０Ａの平面視において、接合準備領域７３Ａと重複しない位置となっている。

【0164】

１以上の金属部材８５Ａは、第１の半導体素子２Ａを実装基板６０に実装する際に、第１の半導体素子２Ａと共に実装基板６０に実装される。すなわち、１以上の金属部材８５Ａの、第３の金属板７５Ａの主面からの高さは、第３の金属板７５Ａの主面から第１の半導体素子２Ａの他方の主面までの距離と等しい。

【0165】

第１の半導体装置１Ａは、１以上の金属部材８５Ａを備えることで、第１の半導体素子２Ａのプレス耐性であって、第１の半導体素子２Ａの一方の主面に対する、第１の金属板７０Ａの第２の主面側からの圧力に対するプレス耐性をさらに向上させることができる。

【0166】

前述した通り、１以上の金属部材８５Ａのうちの少なくとも１つは、実装基板６０が備える第１の配線６１であって、第１の半導体素子２Ａの複数の外部接続端子のうちの１つである第２のソース端子１２１と導電性材料８１を介して接続する第１の配線６１と導電性材料８１を介して接続する。これにより、第１の金属板７０Ａと第２のソース端子１２１とが同電位となり、また、第１の蓄電タブ８０Ａと第１の配線６１とが同電位となる。

【0167】

なお、１以上の金属部材８５Ａは、第３の金属板７５Ａと同じ材料で構成され、図２Ａに示すように、第３の金属板７５Ａと一体化されていてもよい。これにより、第３の金属板７５Ａと１以上の金属部材８５Ａとからなる構造物を、比較的簡素に実現することができる。

【0168】

または、１以上の金属部材８５Ａは、第３の金属板７５Ａとは一体化されておらず、第３の金属板７５Ａとは別個体であってもよい。この場合、１以上の金属部材８５Ａは、限定されない一例として、銅、ニッケル、または、ステンレスを含む金属材料で構成される。

【0169】

図８は、第１の半導体装置１Ａが１以上の金属部材８５Ａを備えている様子の一例を示す、第１の金属板７０Ａの第２の主面側から見た第１の半導体装置１Ａの平面図である。図８において、実際には直接視認できない部分の一部について、あたかも視認できるかのように破線で図示している。

【0170】

例えば、第１の半導体素子２Ａは、図８に示すように、保護回路基板６０の長手方向と平行する方向の２つの辺を有し、１以上の金属部材８５Ａは、これら２つの辺の全長で対向するように配置される２つの金属部材８５Ａを含むとしてもよい。

【0171】

これにより、第１の半導体素子２Ａに掛かる応力の一部が、これら２つの金属部材８５Ａに分散される。このため、保護回路基板６０から第１の半導体素子２Ａがはがれにくくなる。

【0172】

また、これにより、１以上の金属部材８５Ａが保護回路基板６０の長手方向に平行して配置されるため、限られた保護回路基板６０の幅を最大限に配線として使用することができるようになり、保護回路基板６０における大電流経路のパターン幅を確保しやすくなる。

【0173】

図９は、第１の半導体装置１Ａが１以上の金属部材８５Ａを備えている様子の他の一例を示す、第１の金属板７０Ａの第２の主面側から見た第１の半導体装置１Ａの平面図である。図９において、実際には直接視認できない部分の一部について、あたかも視認できるかのように破線で図示している。

【0174】

例えば、第１の半導体素子２Ａは、図９に示すように、保護回路基板６０の長手方向と直交する方向の２つの辺を有し、１以上の金属部材８５Ａは、これら２つの辺の全長で対向するように配置される２つの金属部材８５Ａを含むとしてもよい。

【0175】

【0176】

また、これにより、保護回路基板６０の、長手方向と直交する方向の幅をより小さくすることができる。このため、蓄電パック１００の、上記長手方向と直交する方向の幅をより小さくすることができる。このとき、蓄電パック１００のサイズが一定の場合には、蓄電セル３のサイズをより大きくして、蓄電セル３の蓄電容量をより大きくすることができる。

【0177】

図１０は、第１の半導体装置１Ａが１以上の金属部材８５Ａを備えている様子のさらに他の一例を示す、第１の金属板７０Ａの第２の主面側から見た第１の半導体装置１Ａの平面図である。図１０において、実際には直接視認できない部分の一部について、あたかも視認できるかのように破線で図示している。

【0178】

例えば、１以上の金属部材８５Ａは、図１０に示すように、第１の半導体素子２Ａの４つの角のそれぞれの近傍に配置される４つの金属部材８５Ａを含むとしてもよい。ここで、第１の半導体素子２Ａの角の近傍とは、図１１に示すように、第１の半導体素子２Ａの各角の周囲の領域のうち、第１の半導体素子２Ａの各辺長の±４０％分の延長領域の内側の範囲のことをいう。

【0179】

これにより、第１の半導体素子２Ａに掛かる応力の一部が、これら４つの金属部材８５Ａに分散される。このため、保護回路基板６０から第１の半導体素子２Ａがはがれにくくなる。

【0180】

ところで、金属部材８５Ａの設置については、第１の半導体素子２Ａの基板接続端子が接続する、保護回路基板６０に備わる配線が、その経路を不要に伸長したり、その方向を不要に変えたりせずに済むように注意する必要がある、したがって、第１の半導体素子２Ａの基板接続端子と、当該基板接続端子が接続し、保護回路基板６０に備わる配線が接続する、蓄電パック１００の端子と、の間には、金属部材８５Ａを設置しないことが望ましい。

【0181】

また、これにより、上記保護回路基板６０における大電流経路のパターン幅の確保容易性と、上記蓄電パック１００の幅の縮小化または上記蓄電セル３の蓄電容量の大容量化と、を両立しやすくなる。

【0182】

なお、第１の半導体装置１Ａは、必ずしも、１以上の金属部材８５Ａを備える構成に限定される必要はない。ただし、この場合には、第１の金属板７０Ａと第２のソース端子１２１とを同電位にするための代替手段が必要である。代替手段としては、例えば、第１の金属板７０Ａと第１の配線６１とをリード線で接続する等の手段が考えられる。

【0183】

再び、図１、図２Ａ、図２Ｂに戻って、蓄電パック１００の説明を続ける。

【0184】

第２の半導体装置１Ｂは、第２の半導体素子２Ｂと、第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂと、第３の金属板７５Ｂと、１以上の金属部材８５Ｂとを備える。なお、本明細書において、第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂのことを第１の金属板７０Ｂとも称する。

【0185】

第２の半導体装置１Ｂは、第１の半導体装置１Ａと同様である。すなわち、第２の半導体装置１Ｂは、第１の半導体装置１Ａに対して、第１の半導体素子２Ａを第２の半導体素子２Ｂに読み替え、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａを第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂに読み替え、第３の金属板７５Ａを第３の金属板７５Ｂに読み替え、金属部材８５Ａを金属部材８５Ｂに読み替えたものと同様である。

【0186】

上述した通り、第２の半導体素子２Ｂは、第１の半導体素子２Ａと同様である。より具体的には、第２の半導体素子２Ｂは、第１の半導体素子２Ａに対して、第１のゲート端子１１９を第１のゲート端子２１９に読み替え、第１のソース端子１１１を第１のソース端子２１１に読み替え、第２のゲート端子１２９を第２のゲート端子２２９に読み替え、第２のソース端子１２１を第２のソース端子２２１に読み替え、ドレイン電極３０をドレイン電極３１に読み替えたものと同様である。

【0187】

上述した通り、第１の金属板７０Ｂは、第１の金属板７０Ａと同様である。より具体的には、第１の金属板７０Ｂは、第１の金属板７０Ａに対して、接合準備領域７３Ａを接合準備領域７３Ｂに読み替えたものと同様である。

【0188】

１以上の金属部材８５Ｂは、１以上の金属部材８５Ａと同様に、１以上の金属部材８５Ｂのうちの少なくとも１つは、実装基板６０が備える第３の配線６３であって、第２の半導体素子２Ｂの複数の外部接続端子のうちの１つである第２のソース端子２２１と導電性材料８１を介して接続する第３の配線６３と導電性材料８１を介して接続する。これにより、第１の金属板７０Ｂと第２のソース端子２２１とが同電位となり、また、第２の蓄電タブ８０Ｂと第３の配線６３とが同電位となる。

【0189】

保護回路基板６０は、第１の配線６１と、第２の配線６２と、第３の配線６３と、第４の配線６４と、蓄電パック正極端子６６と、蓄電パック負極端子６７とを備える。

【0190】

保護回路基板６０には、導電性材料８１を介して、第１の半導体素子２Ａと、第２の半導体素子２Ｂとが実装されている。

【0191】

第１の配線６１は、導電性材料８１を介して１以上の金属部材８５Ａのうちの少なくとも１つと接続されると共に、導電性材料８１を介して第２のソース端子１２１と接続される。

【0192】

第２の配線６２は、導電性材料８１を介して第１のソース端子１１１と接続されるとともに、蓄電パック正極端子６６と接続される。

【0193】

第３の配線６３は、導電性材料８１を介して１以上の金属部材８５Ｂのうちの少なくとも１つと接続されると共に、導電性材料８１を介して第２のソース端子２２１と接続される。

【0194】

第４の配線６４は、導電性材料８１を介して第１のソース端子２１１と接続されるとともに、蓄電パック負極端子６７と接続される。

【0195】

蓄電パック正極端子６６は、蓄電パック１００の外部装置等に電流を流し出すための、または、蓄電パック１００の外部端子等から電流が流れ込むための端子である。蓄電パック正極端子６６は、蓄電パック１００の正極端子として機能する。

【0196】

蓄電パック負極端子６７は、蓄電パック１００の外部装置等に電流を流し出すための、または、蓄電パック１００の外部端子等からの電流が流れ込むための端子である。蓄電パック負極端子６７は、蓄電パック１００の負極端子として機能する。

【0197】

＜考察＞
図１２は、上記構成の蓄電パック１００の回路図である。

【0198】

図１２に示すように、第１の半導体素子２Ａは、蓄電セル３の正極端子３６から蓄電パック正極端子６６へと流れる電流経路、および、蓄電パック正極端子６６から蓄電セル３の正極端子３６へ流れる電流経路のスイッチング素子として機能する。

【0199】

すなわち、スイッチング素子である第１の半導体素子２Ａが（１）第２のソース端子１２１から第１のソース端子１１１へと導通状態となることにより、第２のソース端子１２１側の電位を第１のソース端子１１１側の電位よりも高くすることで、蓄電セル３から第１の蓄電タブ８０Ａ、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａ、第１の半導体素子２Ａの順に電流が流れる電流経路が形成され、（２）第１のソース端子１１１から第２のソース端子１２１へと導通状態となることにより、第１のソース端子１１１側の電位を第２のソース端子１２１側の電位よりも高くすることで、第１の半導体素子２Ａから第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａ、第１の蓄電タブ８０Ａ、蓄電セル３の順に、電流が流れる電流経路が形成される。

【0200】

また、第２の半導体素子２Ｂは、蓄電セル３の負極端子３７から蓄電パック負極端子６７へと流れる電流経路、および、蓄電パック負極端子６７から蓄電セル３の負極端子３７へ流れる電流経路のスイッチング素子として機能する。

【0201】

すなわち、スイッチング素子である第２の半導体素子２Ｂが（１）第２のソース端子２２１から第１のソース端子２１１へと導通状態となることにより、第２のソース端子２２１側の電位を第１のソース端子２１１側の電位よりも高くすることで、蓄電セル３から第２の蓄電タブ８０Ｂ、第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂ、第２の半導体素子２Ｂの順に電流が流れる電流経路が形成され、（２）第１のソース端子２１１から第２のソース端子２２１へと導通状態となることにより、第１のソース端子２１１側の電位を第２のソース端子２２１側の電位よりも高くすることで、第２の半導体素子２Ｂから第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂ、第２の蓄電タブ８０Ｂ、蓄電セル３の順に、電流が流れる電流経路が形成される。

【0202】

このため、スイッチング素子である第１の半導体素子２Ａ、および、スイッチング素子である第２の半導体素子２Ｂは、保護回路基板６０において、蓄電セル３への充電もしくは蓄電セル３からの放電を制御することができる。

【0203】

図１２に示すように、蓄電パック１００は、蓄電セル３のハイサイド側に、正極端子３６から蓄電パック正極端子６６へと流れる電流経路、および、蓄電パック正極端子６６から正極端子３６へと流れる電流経路を制御するスイッチング素子である第１の半導体素子２Ａを備え、蓄電セル３のローサイド側に、負極端子３７から蓄電パック負極端子６７へと流れる電流経路、および、蓄電パック負極端子６７から負極端子３７へと流れる電流経路を制御するスイッチング素子である第２の半導体素子２Ｂを備える。

【0204】

これにより、蓄電パック１００は、蓄電セル３のハイサイド側とローサイド側とで、蓄電セル３の２重保護を実現することができる。

【0205】

上記構成の蓄電パック１００によると、上述した通り、第１の蓄電タブ８０Ａおよび第２の蓄電タブ８０Ｂは、それぞれ、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂに接合される。

【0206】

これにより、上記構成の蓄電パック１００では、第１の蓄電タブ８０Ａおよび第２の蓄電タブ８０Ｂを直接保護回路基板６０に接続する従来型の蓄電パックにおいて必要となる、保護回路基板６０における、第１の蓄電タブ８０Ａを接続するための領域および第２の蓄電タブ８０Ｂを接続するための領域が不要となる。

【0207】

したがって、上記構成の蓄電パック１００によると、保護回路基板６０の小型化を実現することができる。

【0208】

また、上記構成の蓄電パック１００によると、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａおよび第１の蓄電タブ８０Ａが第１の半導体素子２Ａに接続され、第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂおよび第２の蓄電タブ８０Ｂが第２の半導体素子２Ｂに接続されることにより、第１の半導体素子２Ａおよび第２の半導体素子２Ｂの放熱性を高めて、第１の半導体素子２Ａおよび第２の半導体素子２Ｂの高温化を抑えることができる。

【0209】

なお、蓄電パック１００において、第１の半導体素子２Ａと、第３の金属板７５Ａと、第１の金属板７０Ａとを、さらに、モールドで固めてその強度を補強し、第２の半導体素子２Ｂと、第３の金属板７５Ｂと、第１の金属板７０Ｂとを、さらに、モールドで固めてその強度を補強するとしてもよい。

【0210】

また、蓄電パック１００において、保護回路基板６０は、埋め込み配線を有する保護回路基板であって、第１の半導体素子２Ａと第２の半導体素子２Ｂとが、埋め込み配線を有する保護回路基板に埋め込まれて構成されるとしてもよい。

【0211】

図１３は、埋め込み配線を有する保護回路基板６０Ａに第１の半導体素子２Ａと第２の半導体素子２Ｂとが埋め込まれて構成される場合における、保護回路基板６０Ａおよび第１の半導体素子２Ａの断面図である。

【0212】

図１３に示すように、第１の半導体素子２Ａおよび第２の半導体素子２Ｂ（第２の半導体素子２Ｂは、図１３には図示されず）の基板接続端子を、保護回路基板６０Ａに埋め込まれた配線に実装するとしてもよい。

【0213】

この場合、導電性材料８１は、例えば、銀ペースト、もしくは、銅または金の圧着（超音波、熱）によって実現されてもよく、導電性材料７１は、例えば、はんだによって実現されてもよい。

【0214】

また、蓄電パック１００において、保護回路基板６０は、樹脂埋め込み対応の保護回路基板であって、第１の半導体素子２Ａと第２の半導体素子２Ｂとが、樹脂埋め込み対応の保護回路基板に埋め込まれて構成されるとしてもよい。

【0215】

図１４は、樹脂埋め込み対応の保護回路基板６０Ｂに第１の半導体素子２Ａと第２の半導体素子２Ｂとが埋め込まれて構成される場合における、保護回路基板６０Ｂおよび第１の半導体素子２Ａの断面図である。

【0216】

図１４に示すように、第１の半導体素子２Ａおよび第２の半導体素子２Ｂ（第２の半導体素子２Ｂは、図１４には図示されず）の基板接続端子を、樹脂６０Ｃに埋め込まれた配線に実装するとしてもよい。

【0217】

【0218】

なお、蓄電パック１００において、第１の金属板７０Ａの、接合準備領域７３Ａから、第１の半導体素子２Ａに接続される領域へと延びる向きの長さは、第１の半導体素子２Ａの平面視において、図２Ａに示すように、第１の半導体素子２Ａを超えて伸びる長さであっても構わないし、第１の半導体素子２Ａを超えない位置に留まる長さであっても構わない。

【0219】

（実施の形態２）
以下、実施の形態１に係る蓄電パック１００から、一部の構成が変更されて構成される実施の形態２に係る蓄電パックについて説明する。

【0220】

蓄電パック１００は、第１の半導体装置１Ａが、第１の金属板７０Ａと第１の半導体素子２Ａとの間に挟まる第３の金属板７５Ａを備え、第１の金属板７０Ａが、第３の金属板７５Ａを挟んで第１の半導体素子２Ａと接続し、第２の半導体装置１Ｂが、第１の金属板７０Ｂと第２の半導体素子２Ｂとの間に挟まる第３の金属板７５Ｂを備え、第１の金属板７０Ｂが、第３の金属板７５Ｂを挟んで第２の半導体素子２Ｂと接続する構成の例であった。

【0221】

これに対して、実施の形態２に係る蓄電パックは、実施の形態２に係る第１の半導体装置が第３の金属板７５Ａを備えずに、第１の金属板７０Ａが、第３の金属板７５Ａを挟まずに第１の半導体素子２Ａと接続し、実施の形態２に係る第２の半導体装置が第３の金属板７５Ｂを備えずに、第１の金属板７０Ｂが、第３の金属板７５Ｂを挟まずに第２の半導体素子２Ｂと接続する構成の例となっている。

【0222】

ここでは、実施の形態２に係る蓄電パックについて、蓄電パック１００と同様の構成要素については、既に説明済みであるとして同じ符号を振ってその詳細な説明を省略し、蓄電パック１００との相違点を中心に説明する。

【0223】

＜構成＞
図１５は、実施の形態２に係る蓄電パック１００Ａの構成を示す平面図である。図１６Ａは、図１５のＩ－Ｉにおける切断面を示す断面図である。図１６Ｂは、図１５のＩＩ－ＩＩにおける切断面を示す断面図である。図１５において、実際には直接視認できない部分の一部について、あたかも視認できるかのように破線で図示している。

【0224】

図１５、図１６Ａ、図１６Ｂに示すように、蓄電パック１００Ａは、実施の形態１に係る蓄電パック１００から、第１の半導体装置１Ａが第１の半導体装置１ＡＡに変更され、第２の半導体装置１Ｂが第２の半導体装置１ＢＡに変更されて構成される。

【0225】

第１の半導体装置１ＡＡは、第１の半導体装置１Ａから、第３の金属板７５Ａが削除され、金属部材８５Ａが金属部材８５ＡＡに変更されて構成される。

【0226】

第１の半導体装置１ＡＡにおいて、第１の金属板７０Ａは、第１の主面において、第１の半導体素子２Ａの一方の主面に、絶縁性材料７２を介して接続される。このため、第１の金属板７０Ａとドレイン電極３０とは絶縁される。

【0227】

第１の半導体装置１ＡＡにおいて、１以上の金属部材８５ＡＡは、図１６Ａに示すように、第１の金属板７０Ａの、第１の金属板７０Ａが第１の半導体素子２Ａと接続する第１の主面に接続される。ここで、第１の主面と１以上の金属部材８５ＡＡとが接続される位置は、第１の主面と１以上の金属部材８５ＡＡとが接続する領域のそれぞれが、第１の金属板７０Ａの平面視において、接合準備領域７３Ａと重複しない位置となっている。

【0228】

１以上の金属部材８５ＡＡは、第１の半導体素子２Ａを実装基板６０に実装する際に、第１の半導体素子２Ａと共に実装基板６０に実装される。すなわち、１以上の金属部材８５ＡＡの、第１の金属板７０Ａの第１の主面からの高さは、第１の金属板７０Ａの第１の主面から第１の半導体素子２Ａの他方の主面までの距離と等しい。

【0229】

第１の半導体装置１ＡＡは、１以上の金属部材８５ＡＡを備えることで、第１の半導体素子２Ａのプレス耐性であって、第１の半導体素子２Ａの一方の主面に対する、第１の金属板７０Ａの第２の主面側からの圧力に対するプレス耐性を向上させることができる。

【0230】

第１の半導体装置１ＡＡにおいて、１以上の金属部材８５ＡＡのうちの少なくとも１つは、実装基板６０が備える第１の配線６１と導電性材料８１を介して接続する。これにより、第１の金属板７０Ａと第２のソース端子１２１とが同電位となり、また、第１の蓄電タブ８０Ａと第１の配線６１とが同電位となる。

【0231】

なお、１以上の金属部材８５ＡＡは、第１の金属板７０Ａと同じ材料で構成され、図１６Ａに示すように、第１の金属板７０Ａと一体化されていてもよい。これにより、第１の金属板７０Ａと１以上の金属部材８５ＡＡとからなる構造物を、比較的簡素に実現することができる。

【0232】

または、１以上の金属部材８５ＡＡは、第１の金属板７０Ａとは一体化されておらず、第１の金属板７０Ａとは別個体であってもよい。この場合、１以上の金属部材８５ＡＡは、限定されない一例として、銅、ニッケル、または、ステンレスを含む金属材料で構成される。

【0233】

なお、第１の半導体装置１ＡＡにおいて、図８に例示する第１の半導体装置１Ａの場合と同様に、第１の半導体素子２Ａは、保護回路基板６０の長手方向と平行する方向の２つの辺を有し、１以上の金属部材８５ＡＡは、これら２つの辺の全長で対向するように配置される２つの金属部材８５ＡＡを含むとしてもよい。

【0234】

これにより、第１の半導体素子２Ａに掛かる応力の一部が、これら２つの金属部材８５ＡＡに分散される。このため、保護回路基板６０から第１の半導体素子２Ａがはがれにくくなる。

【0235】

また、これにより、１以上の金属部材８５ＡＡが保護回路基板６０の長手方向に平行して配置されるため、限られた保護回路基板６０の幅を最大限に配線として使用することができるようになり、保護回路基板６０における大電流経路のパターン幅を確保しやすくなる。

【0236】

また、第１の半導体装置１ＡＡにおいて、図９に例示する第１の半導体装置１Ａの場合と同様に、第１の半導体素子２Ａは、保護回路基板６０の長手方向と直交する方向の２つの辺を有し、１以上の金属部材８５ＡＡは、これら２つの辺の全長で対向するように配置される２つの金属部材８５ＡＡを含むとしてもよい。

【0237】

【0238】

また、これにより、保護回路基板６０の、長手方向と直交する方向の幅をより小さくすることができる。このため、蓄電パック１００Ａの、上記長手方向と直交する方向の幅をより小さくすることができる。このとき、蓄電パック１００Ａのサイズが一定の場合には、蓄電セル３のサイズをより大きくして、蓄電セル３の蓄電容量をより大きくすることができる。

【0239】

また、第１の半導体装置１ＡＡにおいて、図１０に例示する第１の半導体装置１Ａの場合と同様に、１以上の金属部材８５ＡＡは、第１の半導体素子２Ａの４つの角のそれぞれの近傍に配置される４つの金属部材８５ＡＡを含むとしてもよい。

【0240】

これにより、第１の半導体素子２Ａに掛かる応力の一部が、これら４つの金属部材８５ＡＡに分散される。このため、保護回路基板６０から第１の半導体素子２Ａがはがれにくくなる。

【0241】

【0242】

なお、第１の半導体装置１ＡＡは、必ずしも、１以上の金属部材８５ＡＡを備える構成に限定される必要はない。ただし、この場合には、第１の金属板７０Ａと第２のソース端子１２１とを同電位にするための代替手段が必要である。代替手段としては、例えば、第１の金属板７０Ａと第１の配線６１とをリード線で接続する等の手段が考えられる。

【0243】

第２の半導体装置１ＢＡは、第２の半導体装置１Ｂから、第３の金属板７５Ｂが削除され、金属部材８５Ｂが金属部材８５ＢＡに変更されて構成される。

【0244】

第２の半導体装置１ＢＡは、第１の半導体装置１ＡＡと同様である。すなわち、第２の半導体装置１ＢＡは、第１の半導体装置１ＡＡに対して、第１の半導体素子２Ａを第２の半導体素子２Ｂに読み替え、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａを第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂに読み替え、金属部材８５ＡＡを金属部材８５ＢＡに読み替えたものと同様である。

【0245】

第２の半導体装置１ＢＡにおける１以上の金属部材８５ＢＡは、第１の半導体装置１ＡＡにおける１以上の金属部材８５ＡＡと同様に、１以上の金属部材８５ＢＡのうちの少なくとも１つは、実装基板６０が備える第３の配線６３と導電性材料８１を介して接続する。これにより、第１の金属板７０Ｂと第２のソース端子２２１とが同電位となり、また、第２の蓄電タブ８０Ｂと第３の配線６３とが同電位となる。

【0246】

＜考察＞
上記構成の蓄電パック１００Ａの回路図は、実施の形態１に係る蓄電パック１００の回路図として図示した図１２の回路図と同様となる。

【0247】

このため、蓄電パック１００Ａにおいて、第１の半導体素子２Ａは、蓄電パック１００における第１の半導体素子２Ａと同様のスイッチング素子として機能する。また、蓄電パック１００Ａにおいて、第２の半導体素子２Ｂは、蓄電パック１００における第２の半導体素子２Ｂと同様のスイッチング素子として機能する。

【0248】

（実施の形態３）
以下、実施の形態１に係る蓄電パック１００から、一部の構成が変更されて構成される実施の形態３に係る蓄電パックについて説明する。

【0249】

実施の形態３に係る蓄電パックは、蓄電パック１００に対して、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂが、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂから、折り曲げ軸７４で折り曲げられた、第３の実施例に係る第１の蓄電タブ接合用金属板および実施の形態３に係る第２の蓄電タブ接合用金属板に変更された構成の例となっている。

【0250】

ここでは、実施の形態３に係る蓄電パックについて、蓄電パック１００と同様の構成要素については、既に説明済みであるとして同じ符号を振ってその詳細な説明を省略し、蓄電パック１００との相違点を中心に説明する。

【0251】

＜構成＞
図１７は、実施の形態３に係る蓄電パック１００Ｂの構成を示す平面図である。図１８Ａは、図１７のＩ－Ｉにおける切断面を示す断面図である。図１８Ｂは、図１７のＩＩ－ＩＩにおける切断面を示す断面図である。図１７において、実際には直接視認できない部分の一部について、あたかも視認できるかのように破線で図示している。

【0252】

図１７、図１８Ａ、図１８Ｂに示すように、蓄電パック１００Ｂは、実施の形態１に係る蓄電パック１００から、第１の半導体装置１Ａが第１の半導体装置１ＡＢに変更され、第２の半導体装置１Ｂが第２の半導体装置１ＢＢに変更され、第１の蓄電タブ８０Ａが第１の蓄電タブ８０ＡＢに変更され、第２の蓄電タブ８０Ｂが第２の蓄電タブ８０ＢＢに変更されて構成される。なお、本明細書において、第１の蓄電タブ８０ＡＢのことを第２の金属板８０ＡＢとも称し、第２の蓄電タブ８０ＢＢのことを第２の金属板８０ＢＢとも称する。

【0253】

第１の半導体装置１ＡＢは、第１の半導体装置１Ａから、第１の金属板７０Ａが第１の金属板７０ＡＢに変更されて構成される。なお、本明細書において、第１の金属板７０ＡＢのことを、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢとも称する。

【0254】

第１の金属板７０ＡＢは、第１の金属板７０Ａが、折り曲げ軸７４において、第２の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げられたものと同様である。ここで、折り曲げ軸７４の位置は、第１の半導体素子２Ａの平面視において、第１の半導体素子２Ａと接合準備領域７３Ａとが、第１の金属板７０Ａを挟んで重複する部分が存在する位置となっている。このため、第１の半導体装置１ＡＢには、第１の半導体素子２Ａの平面視において、第１の半導体素子２Ａと接合準備領域７３Ａとが、第１の金属板７０ＡＢを挟んで重複する部分が存在する。また、第１の半導体装置１ＡＢには、第１の半導体素子２Ａの平面視において、第１の半導体素子２Ａと第１の蓄電タブ８０ＡＢとが、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢを挟んで重複する部分が存在する。したがって、第１の半導体装置１ＡＢは、保護回路基板６０の平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢと第１の金属板７０ＡＢと第１の半導体素子２Ａと保護回路基板６０とが重複する部分を有する。

【0255】

これにより、蓄電パック１００Ｂには、保護回路基板６０の平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢと保護回路基板６０との間に電流が流れ得る領域と、第１の蓄電タブ８０ＡＢと第１の金属板７０ＡＢと第１の半導体素子２Ａと保護回路基板６０とが重複する領域と、が重複する部分が存在することとなる。

【0256】

ここで、第１の蓄電タブ８０ＡＢと保護回路基板６０との間に電流が流れ得る領域とは、第１の蓄電タブ８０ＡＢと保護回路基板６０との間に電流が流れ得る領域全体のことをいう、すなわち、第１の蓄電タブ８０ＡＢと保護回路基板６０との間に連続して存在する導体の領域全体のことをいう。なお、この導体には、第１の蓄電タブ８０ＡＢ自身も含まれる。例えば、図１８Ａであれば、第１の蓄電タブ８０ＡＢの全体、第１の金属板７０ＡＢの全体、導電性材料７１の全体、第３の金属板７５Ａの全体、金属部材８５Ａの全体、導電性材料８１の全体、第１の配線６１、第１の半導体素子の全体、第２の配線６２が相当する。

【0257】

なお、ここでは、図６、図７に示すように、折り曲げ軸７４の向きは、第１の半導体素子２Ａの第１の辺２Ａ１に直交する向きであるとして説明するが、折り曲げ軸７４の向きは、（１）第１の金属板７０Ａが、折り曲げ軸７４において、第２の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げられ、かつ、（２）第１の半導体素子２Ａの平面視において、第１の半導体素子２Ａと接合準備領域７３Ａとが、第１の金属板７０Ａを挟んで重複する部分が存在することができれば、折り曲げ軸７４の向きは、必ずしも、第１の半導体素子２Ａの第１の辺２Ａ１に直交する向きに限定される必要はない。

【0258】

第２の半導体装置１ＢＢは、第２の半導体装置１Ｂから、第１の金属板７０Ｂが第１の金属板７０ＢＢに変更されて構成される。なお、本明細書において、第１の金属板７０ＢＢのことを、第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢとも称する。

【0259】

第２の半導体装置１ＢＢは、第１の半導体装置１ＡＢと同様である。すなわち、第２の半導体装置１ＢＢは、第１の半導体装置１ＡＢに対して、第１の半導体素子２Ａを第２の半導体素子２Ｂに読み替え、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢを第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢに読み替えたものと同様である。

【0260】

第１の蓄電タブ８０ＡＢは、実施の形態１に係る第１の蓄電タブ８０Ａが、接合準備領域７３Ａにおいて第１の金属板７０Ａと接合する面同士が対面する部分を有するように折り曲げられたものと同様である。

【0261】

第２の蓄電タブ８０ＢＢは、実施の形態１に係る第２の蓄電タブ８０Ｂが、接合準備領域７３Ｂにおいて第１の金属板７０Ｂと接合する面同士が対面する部分を有するように折り曲げられたものと同様である。

【0262】

＜考察＞
上記構成の蓄電パック１００Ｂの回路図は、実施の形態１に係る蓄電パック１００の回路図として図示した図１２の回路図と同様となる。

【0263】

このため、蓄電パック１００Ｂにおいて、第１の半導体素子２Ａは、蓄電パック１００における第１の半導体素子２Ａと同様のスイッチング素子として機能する。また、蓄電パック１００Ｂにおいて、第２の半導体素子２Ｂは、蓄電パック１００における第２の半導体素子２Ｂと同様のスイッチング素子として機能する。

【0264】

さらに、上記構成の蓄電パック１００Ｂは、蓄電パック１００に比べて、保護回路基板６０の平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢと第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢとが重複しているだけでなく、第１の蓄電タブ８０ＡＢと第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢと第１の半導体素子２Ａと保護回路基板６０とが重複する領域を有する分、および、第２の蓄電タブ８０ＢＢと第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢと第２の半導体素子２Ｂと保護回路基板６０とが重複する領域を有する分だけ、蓄電パック１００Ｂのサイズをより小さくすることができる。このとき、蓄電パック１００Ｂのサイズが一定の場合には、蓄電セル３のサイズをより大きくして、蓄電セル３の蓄電容量をより大きくすることができる。

【0265】

また、第１の蓄電タブ８０ＡＢと第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢとを折り曲げない状態で接合することで、接合する際に発生する熱による第１の半導体素子２Ａへの悪影響、および、第１の蓄電タブ８０ＡＢと第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢとを接合する際に生じる物理的な衝撃による半導体素子２Ａへの悪影響を軽減しながら、その後に、第１の蓄電タブ８０ＡＢと第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢとを折り曲げることができるので、保護回路基板６０の小型化および蓄電セル３の蓄電容量増大が可能となる。

【0266】

なお、蓄電パック１００Ｂにおいて、第１の蓄電タブ８０ＡＢと第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢとが接合する部分の、保護回路基板６０の平面視における面積である面積Ａが、第１の半導体素子２Ａの、保護回路基板６０の平面視における面積である面積Ｂよりも大きくなる場合には、面積Ａと面積Ｂとの差分である面積Ｃ（面積Ａ－面積Ｂ）を、第１の半導体素子２Ａの特性を向上するために利用することができる。例えば、第１の半導体素子２Ａの、保護回路基板６０の平面視における面積を、面積Ａと同程度の大きさになるまで拡大して、スイッチング素子である第１の半導体素子２Ａのオン抵抗を低減させることができる。

【0267】

また、第１の蓄電タブ８０ＡＢを直接保護回路基板６０に接続する従来型の蓄電パックにおいて、第１の蓄電タブ８０ＡＢと保護回路基板６０とが接続する部分の、保護回路基板６０の平面視における面積である面積Ｄが、蓄電パック１００Ｂにおける上記面積Ａより大きくなる場合には、蓄電パック１００Ｂにおける第１の蓄電タブ８０ＡＢの幅を、上記従来型の蓄電パックにおける第１の蓄電タブ８０ＡＢの幅よりも小さくすることができる場合がある。この場合には、上記従来型の蓄電パックにおいて必要となる、保護回路基板６０における第１の蓄電タブ８０ＡＢを保護回路基板６０に接続するための領域が不要となる効果と、第１の蓄電タブ８０ＡＢの幅をより小さくすることができる効果との２重の効果により、蓄電パック１００を小型化することができる。このとき、蓄電パック１００Ｂのサイズが一定の場合には、上記２重の効果により、蓄電セル３のサイズをより大きくして、蓄電セル３の蓄電容量をより大きくすることができる。

【0268】

（実施の形態４）
以下、実施の形態２に係る蓄電パック１００Ａから、一部の構成が変更されて構成される実施の形態４に係る蓄電パックについて説明する。

【0269】

実施の形態４に係る蓄電パックは、蓄電パック１００Ａに対して、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂが、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂから、折り曲げ軸７４で折り曲げられた、第４の実施例に係る第１の蓄電タブ接合用金属板および実施の形態４に係る第２の蓄電タブ接合用金属板に変更された構成の例となっている。

【0270】

ここでは、実施の形態４に係る蓄電パックについて、蓄電パック１００Ａと同様の構成要素については、既に説明済みであるとして同じ符号を振ってその詳細な説明を省略し、蓄電パック１００Ａとの相違点を中心に説明する。

【0271】

＜構成＞
図１９は、実施の形態４に係る蓄電パック１００Ｃの構成を示す平面図である。図２０Ａは、図１９のＩ－Ｉにおける切断面を示す断面図である。図２０Ｂは、図１９のＩＩ－ＩＩにおける切断面を示す断面図である。図１９において、実際には直接視認できない部分の一部について、あたかも視認できるかのように破線で図示している。

【0272】

図１９、図２０Ａ、図２０Ｂに示すように、蓄電パック１００Ｃは、実施の形態２に係る蓄電パック１００Ａから、第１の半導体装置１ＡＡが第１の半導体装置１ＡＣに変更され、第２の半導体装置１ＢＡが第２の半導体装置１ＢＣに変更され、第１の蓄電タブ８０Ａが第１の蓄電タブ８０ＡＣに変更され、第２の蓄電タブ８０Ｂが第２の蓄電タブ８０ＢＣに変更されて構成される。なお、本明細書において、第１の蓄電タブ８０ＡＣのことを第２の金属板８０ＡＣとも称し、第２の蓄電タブ８０ＢＣのことを第２の金属板８０ＢＣとも称する。

【0273】

第１の半導体装置１ＡＣは、第１の半導体装置１ＡＡから、第１の金属板７０Ａが第１の金属板７０ＡＣに変更されて構成される。なお、本明細書において、第１の金属板７０ＡＣのことを、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＣとも称する。

【0274】

第１の金属板７０ＡＣは、第１の金属板７０Ａが、折り曲げ軸７４において、第２の主面同士が対面する部分を有するように折り曲げられたものと同様である。ここで、折り曲げ軸７４の位置は、第１の半導体素子２Ａの平面視において、第１の半導体素子２Ａと接合準備領域７３Ａとが、第１の金属板７０Ａを挟んで重複する部分が存在する位置となっている。このため、第１の半導体装置１ＡＣには、第１の半導体素子２Ａの平面視において、第１の半導体素子２Ａと接合準備領域７３Ａとが、第１の金属板７０ＡＣを挟んで重複する部分が存在する。また、第１の半導体装置１ＡＣには、第１の半導体素子２Ａの平面視において、第１の半導体素子２Ａと第１の蓄電タブ８０ＡＣとが、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢを挟んで重複する部分が存在する。

【0275】

これにより、蓄電パック１００Ｃには、保護回路基板６０の平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＣと保護回路基板６０との間に電流が流れる領域と、第１の半導体素子２Ａと第１の蓄電タブ８０ＡＣとが第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＣを挟んで重複する領域と、が重複する部分が存在することとなる。

【0276】

第２の半導体装置１ＢＣは、第２の半導体装置１ＢＡから、第１の金属板７０Ｂが第１の金属板７０ＢＣに変更されて構成される。なお、本明細書において、第１の金属板７０ＢＣのことを、第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＣとも称する。

【0277】

第２の半導体装置１ＢＣは、第１の半導体装置１ＡＣと同様である。すなわち、第２の半導体装置１ＢＣは、第１の半導体装置１ＡＣに対して、第１の半導体素子２Ａを第２の半導体素子２Ｂに読み替え、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＣを第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＣに読み替えたものと同様である。

【0278】

第１の蓄電タブ８０ＡＣは、実施の形態２に係る第１の蓄電タブ８０Ａが、接合準備領域７３Ａにおいて第１の金属板７０Ａと接合する面同士が対面する部分を有するように折り曲げられたものと同様である。

【0279】

第２の蓄電タブ８０ＢＣは、実施の形態２に係る第２の蓄電タブ８０Ｂが、接合準備領域７３Ｂにおいて第１の金属板７０Ｂと接合する面同士が対面する部分を有するように折り曲げられたものと同様である。

【0280】

＜考察＞
上記構成の蓄電パック１００Ｃの回路図は、実施の形態１に係る蓄電パック１００の回路図として図示した図１２の回路図と同様となる。

【0281】

このため、蓄電パック１００Ｃにおいて、第１の半導体素子２Ａは、蓄電パック１００における第１の半導体素子２Ａと同様のスイッチング素子として機能する。また、蓄電パック１００Ｃにおいて、第２の半導体素子２Ｂは、蓄電パック１００における第２の半導体素子２Ｂと同様のスイッチング素子として機能する。

【0282】

（実施の形態５）
以下、実施の形態３に係る蓄電パック１００Ｂから、一部の構成が変更されて構成される実施の形態５に係る蓄電パックについて説明する。

【0283】

蓄電パック１００Ｂは、第１の半導体素子２Ａと第２の半導体素子２Ｂとが、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０と第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０との２つの縦型ＭＯＳトランジスタを備える構成であった。

【0284】

これに対して、実施の形態５に係る蓄電パックは、実施の形態５に係る第１の半導体素子と実施の形態５に係る第２の半導体素子とが、第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０を備えずに、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０のみの１つの縦型ＭＯＳトランジスタを備える構成の例となっている。

【0285】

ここでは、実施の形態５に係る蓄電パックについて、蓄電パック１００と同様の構成要素については、既に説明済みであるとして同じ符号を振ってその詳細な説明を省略し、蓄電パック１００との相違点を中心に説明する。

【0286】

＜構成＞
図２１は、実施の形態５に係る蓄電パック１００Ｄの構成を示す平面図である。図２２Ａは、図２１のＩ－Ｉにおける切断面を示す断面図である。図２２Ｂは、図２１のＩＩ－ＩＩにおける切断面を示す断面図である。図２１において、実際には直接視認できない部分の一部について、あたかも視認できるかのように破線で図示している。

【0287】

図２１、図２２Ａ、図２２Ｂに示すように、蓄電パック１００Ｄは、実施の形態３に係る蓄電パック１００Ｂから、第１の半導体装置１ＡＢが第１の半導体装置１ＡＤに変更され、第２の半導体装置１ＢＢが第２の半導体装置１ＢＤに変更され、保護回路基板６０が保護回路基板６０Ｄに変更されて構成される。

【0288】

保護回路基板６０Ｄは、保護回路基板６０から、第１の配線６１と第３の配線６３とが削除されて構成される。

【0289】

第１の半導体装置１ＡＤは、第１の半導体装置１ＡＢから、第１の半導体素子２Ａが第１の半導体素子２ＡＤに変更され、絶縁性材料７２が、導電性材料７２Ｄ（例えば、はんだ）に変更され、金属部材８５Ａが金属部材８５ＡＤに変更されて構成される。

【0290】

図２３は、第１の半導体素子２ＡＤの回路図である。

【0291】

図２３に示すように、第１の半導体素子２ＡＤは、第１の半導体素子２Ａからの第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０の削除に伴い、第１の半導体素子２Ａから、第２のゲート端子１２９および第２のソース端子１２１が削除されて構成される。

【0292】

再び、図２１、図２２Ａ、図２２Ｂに戻って、蓄電パック１００Ｄの構成の説明を続ける。

【0293】

導電性材料７２Ｄは、第３の金属板７５Ａと第１の半導体素子２ＡＤの一方の主面とを接続する。このため、第３の金属板７５Ａとドレイン電極３０とが導通する。これにより、第１の金属板７０ＡＢとドレイン電極３０とが同電位となる。

【0294】

１以上の金属部材８５ＡＤは、第１の半導体装置１ＡＢにおける１以上の金属部材８５Ａと同様に、第１の半導体素子２ＡＤを実装基板６０Ｄに実装する際に、第１の半導体素子２ＡＤと共に実装基板６０Ｄに実装される。すなわち、１以上の金属部材８５ＡＤの、第３の金属板７５Ａの主面からの高さは、第３の金属板７５Ａの主面から第１の半導体素子２ＡＤの他方の主面までの距離と等しい。

【0295】

ここで、前述したように、保護回路基板６０Ｄは、第１の配線６１を備えない。このため、第１の金属板７０ＡＢと同電位になる基板接続端子は存在しない。

【0296】

なお、第１の半導体装置１ＡＤは、必ずしも、１以上の金属部材８５ＡＤを備える構成に限定される必要はない。

【0297】

第２の半導体装置１ＢＤは、第２の半導体装置１ＢＢから、第２の半導体素子２Ｂが第２の半導体素子２ＢＤに変更され、絶縁性材料７２が、導電性材料７２Ｄに変更され、金属部材８５Ｂが金属部材８５ＢＤに変更されて構成される。

【0298】

第２の半導体装置１ＢＤは、第１の半導体装置１ＡＤと同様である。すなわち、第２の半導体装置１ＢＤは、第１の半導体装置１ＡＤに対して、第１の半導体素子２ＡＤを第２の半導体素子２ＢＤに読み替え、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢを第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢに読み替え、金属部材８５ＡＤを金属部材８５ＢＤに読み替えたものと同様である。

【0299】

第２の半導体素子２ＢＤは、第１の半導体素子２ＡＤと同様である。すなわち、第２の半導体素子２ＢＤは、第２の半導体素子２Ｂからの第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０の削除に伴い、第２の半導体素子２Ｂから、第２のゲート端子２２９および第２のソース端子２２１が削除され、ドレイン電極３０がドレイン電極３１に変更されて構成される。

【0300】

ここで、前述したように、保護回路基板６０Ｄは、第３の配線６３を備えない。このため、第１の金属板７０ＢＢと同電位になる基板接続端子は存在しない。

【0301】

＜考察＞
図２４は、上記構成の蓄電パック１００Ｄの回路図である。

【0302】

図２４に示すように、第１の半導体素子２ＡＤは、蓄電セル３の正極端子３６から蓄電パック正極端子６６へと流れる電流経路のスイッチング素子として機能する。

【0303】

すなわち、スイッチング素子である第１の半導体素子２ＡＤが、ドレイン電極３０から第１のソース端子１１１へと導通状態となることにより、ドレイン電極３０側の電位を第１のソース端子１１１の電位よりも高くすることで、蓄電セル３から第１の蓄電タブ８０ＡＢ、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢ、第１の半導体素子２ＡＤの順に電流が流れる電流経路が形成される。

【0304】

また、第２の半導体素子２ＢＤは、蓄電セル３の負極端子３７から蓄電パック負極端子６７へと流れる電流経路のスイッチング素子として機能する。

【0305】

すなわち、スイッチング素子である第２の半導体素子２ＢＤが、ドレイン電極３１から第１のソース端子２１１へと導通状態となることにより、ドレイン電極３１側の電位を第１のソース端子２１１の電位よりも高くすることで、蓄電セル３から第２の蓄電タブ８０ＢＢ、第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢ、第２の半導体素子２ＢＤの順に電流が流れる電流経路が形成される。

【0306】

このため、スイッチング素子である第１の半導体素子２ＡＤ、および、スイッチング素子である第２の半導体素子２ＢＤは、保護回路基板６０Ｄにおいて、蓄電セル３への充電もしくは蓄電セル３からの放電を制御することができる。

【0307】

図２４に示すように、蓄電パック１００Ｄは、蓄電セル３のハイサイド側に、正極端子３６から蓄電パック正極端子６６へと流れる電流経路を制御するスイッチング素子である第１の半導体素子２ＡＤを備え、蓄電セル３のローサイド側に、負極端子３７から蓄電パック負極端子６７へと流れる電流経路を制御するスイッチング素子である第２の半導体素子２ＢＤを備える。

【0308】

これにより、蓄電パック１００Ｄは、蓄電セル３のハイサイド側とローサイド側とで、蓄電セル３の１重保護を実現することができる。

【0309】

なお、蓄電パック１００Ｄは、図２５Ａに示すように、さらに、蓄電セル３のハイサイド側にスイッチング素子３００Ａを備える構成、または、図２５Ｂに示すように、さらに、蓄電セル３のローサイド側にスイッチング素子３００Ｂを備える構成とすることで、蓄電セル３の２重保護を実現することができる。

【0310】

ここで、蓄電パック１００Ｄが図２５Ａに示す構成である場合において、保護回路基板６０Ｄの平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢの形状が第１の半導体素子２ＡＤを覆って、さらに他のものを覆う余地がある形状であるときに、または、第２の蓄電タブ８０ＢＢが第２の半導体素子２ＢＤを覆って、さらに他のものを覆う余地がある形状であるときには、スイッチング素子３００Ａを、保護回路基板６０Ｄの平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢに重なる位置、または、第２の蓄電タブ８０ＢＢに重なる位置に配置することで、スイッチング素子３００Ａを、保護回路基板６０Ｄの平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢに重なる位置、または、第２の蓄電タブ８０ＢＢに重なる位置に配置しない場合に比べて、保護回路基板６０Ｄを小型化することができる。

【0311】

また、蓄電パック１００Ｄが図２５Ｂに示す構成である場合において、スイッチング素子３００Ｂを、保護回路基板６０Ｄの平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢに重なる位置、または、第２の蓄電タブ８０ＢＢに重なる位置に配置することで、スイッチング素子３００Ｂを、保護回路基板６０Ｄの平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢに重なる位置、または、第２の蓄電タブ８０ＢＢに重なる位置に配置しない場合に比べて、保護回路基板６０Ｄを小型化することができる。

【0312】

なお、第１の半導体装置１ＡＤは、第３の金属板７５Ａを備えずに、第１の金属板７０ＡＢの第１の主面と、第１の半導体素子２ＡＤの一方の主面とが、導電性材料７２Ｄを介して直接接続され、第２の半導体装置１ＢＤは、第３の金属板７５Ｂを備えずに、第１の金属板７０ＢＢの第１の主面と、第２の半導体素子２ＢＤの一方の主面とが、導電性材料７２Ｄを介して直接接続されるとしてもよい。

【0313】

（変形例１）
以下、実施の形態３に係る蓄電パック１００Ｂから、一部の構成が変更されて構成される変形例１に係る蓄電パックについて説明する。

【0314】

蓄電パック１００Ｂは、蓄電パック１００Ｂが備える第１の半導体素子２Ａと第２の半導体素子２Ｂとが、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０と第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０との２つの縦型ＭＯＳトランジスタを備える構成であった。

【0315】

これに対して、変形例１に係る蓄電パックは、変形例１に係る蓄電パックが備える変形例１に係る第１の半導体素子と変形例１に係る第２の半導体素子とが、３つの縦型ＭＯＳトランジスタを備える構成の例となっている。

【0316】

＜構成＞
図２６は、変形例１に係る蓄電パック１００Ｅ（図２７参照）が備える、変形例１に係る第１の半導体素子２ＡＥの回路図である。

【0317】

図２６に示すように、第１の半導体素子２ＡＥは、実施の形態３に係る第１の半導体素子２Ａから、第３の縦型ＭＯＳトランジスタ２０Ｅを更に備えて構成される。そして、第１の半導体素子２ＡＥは、第１の半導体素子２Ａから、第３の縦型ＭＯＳトランジスタ２０Ｅのゲート端子である第３のゲート端子１３９と、第３の縦型ＭＯＳトランジスタ２０Ｅのソース端子である第３のソース端子１３１とを更に備えて構成される。このとき、低濃度不純物層３３と半導体基板３２とは、第１の縦型ＭＯＳトランジスタ１０の第１のドレイン領域、第２の縦型ＭＯＳトランジスタ２０の第２のドレイン領域、および、第３の縦型ＭＯＳトランジスタ２０Ｅの第３のドレイン領域が共通化された、共通ドレイン領域として機能する。

【0318】

蓄電パック１００Ｅが備える、変形例１に係る第２の半導体素子２ＢＥ（図２７参照）は、第１の半導体素子２ＡＥと同様である。より具体的には、第２の半導体素子２ＢＥは、第１の半導体素子２ＡＥに対して、第１のゲート端子１１９を第１のゲート端子２１９に読み替え、第１のソース端子１１１を第１のソース端子２１１に読み替え、第２のゲート端子１２９を第２のゲート端子２２９に読み替え、第２のソース端子１２１を第２のソース端子２２１に読み替え、第３のゲート端子１３９を第３のゲート端子２３９に読み替え、第３のソース端子１３１を第３のソース端子２３１に読み替えたものと同様である。

【0319】

図２７は、変形例１に係る蓄電パック１００Ｅの回路図である。

【0320】

図２７に示すように、蓄電パック１００Ｅは、実施の形態３に係る蓄電パック１００Ｂから、第１の半導体素子２Ａが第１の半導体素子２ＡＥに変更され、第２の半導体素子２Ｂが第２の半導体素子２ＢＥに変更され、蓄電パック正極端子６６Ｅと、蓄電パック負極端子６７Ｅとが追加されて構成される。

【0321】

蓄電パック正極端子６６Ｅおよび蓄電パック負極端子６７Ｅは、例えば、実施の形態３に係る保護回路基板６０から、蓄電パック正極端子６６Ｅおよび蓄電パック負極端子６７Ｅが追加するように構成された変形例１に係る保護回路基板（不図示）に備わる。

【0322】

＜考察＞
図２７に示すように、蓄電パック１００Ｅは、蓄電セル３のハイサイド側に、正極端子３６から蓄電パック正極端子６６へと流れる電流経路、および、蓄電パック正極端子６６から正極端子３６へと流れる電流経路、ならびに、正極端子３６から蓄電パック正極端子６６Ｅへと流れる電流経路、および、蓄電パック正極端子６６Ｅから正極端子３６へと流れる電流経路の２系統の電流経路を制御するスイッチング素子である第１の半導体素子２ＡＥを備え、蓄電セル３のローサイド側に、負極端子３７から蓄電パック負極端子６７へと流れる電流経路、および、蓄電パック負極端子６７から負極端子３７へと流れる電流経路、ならびに、負極端子３７から蓄電パック負極端子６７Ｅへと流れる電流経路、および、蓄電パック負極端子６７Ｅから負極端子３７へと流れる電流経路の２系統の電流経路を制御するスイッチング素子である第２の半導体素子２ＢＥを備える。

【0323】

これにより、蓄電パック１００は、蓄電セル３のハイサイド側の２系統とローサイド側の２系統とのそれぞれで、蓄電セル３の２重保護を実現することができる。

【0324】

（変形例２）
以下、実施の形態３に係る蓄電パック１００Ｂから、一部の構成が変更されて構成される変形例２に係る蓄電パックについて説明する。

【0325】

蓄電パック１００Ｂは、保護回路基板６０の平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢに重なる位置に第１の半導体素子２Ａを備え、第２の蓄電タブ８０ＢＢに重なる位置に第２の半導体素子２Ｂを備える構成の例であった。

【0326】

これに対して、変形例２に係る蓄電パックは、蓄電パック１００Ｂに対して、変形例２に係る蓄電パックが備える変形例２に係る保護回路基板の平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢに重なる位置に、第１の半導体素子２Ａに加えて、さらに、変形例２に係る第３の半導体素子を備え、第２の蓄電タブ８０ＢＢに重なる位置に、第２の半導体素子２Ｂに加えて、さらに、変形例２に係る第４の半導体素子を備える構成の例となっている。

【0327】

図２８は、変形例２に係る蓄電パック１００Ｆの回路図である。

【0328】

図２８に示すように、蓄電パック１００Ｆは、実施の形態３に係る蓄電パック１００Ｂから、変形例２に係る保護回路基板（不図示）の平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢに重なる位置に配置された第３の半導体素子２ＡＦと、変形例２に係る保護回路基板の平面視において、第２の蓄電タブ８０ＢＢに重なる位置に配置された第４の半導体素子２ＢＦと、蓄電パック正極端子６６Ｆと、蓄電パック負極端子６７Ｆとが追加されて構成される。

【0329】

蓄電パック正極端子６６Ｆおよび蓄電パック負極端子６７Ｆは、例えば、実施の形態３に係る保護回路基板６０から、蓄電パック正極端子６６Ｆおよび蓄電パック負極端子６７Ｆが追加されるように変更された変形例２に係る保護回路基板に備わる。

【0330】

第３の半導体素子２ＡＦは、第１の半導体素子２Ａと同様である。より具体的には、第３の半導体素子２ＡＦは、第１の半導体素子２Ａに対して、第１のゲート端子１１９を第１のゲート端子３１９に読み替え、第１のソース端子１１１を第１のソース端子３１１に読み替え、第２のゲート端子１２９を第２のゲート端子３２９に読み替え、第２のソース端子１２１を第２のソース端子３２１に読み替えたものと同様である。

【0331】

第４の半導体素子２ＢＦは、第１の半導体素子２Ａと同様である。より具体的には、第４の半導体素子２ＢＦは、第１の半導体素子２Ａに対して、第１のゲート端子１１９を第１のゲート端子４１９に読み替え、第１のソース端子１１１を第１のソース端子４１１に読み替え、第２のゲート端子１２９を第２のゲート端子４２９に読み替え、第２のソース端子１２１を第２のソース端子４２１に読み替えたものと同様である。

【0332】

＜考察＞
図２８に示すように、蓄電パック１００Ｆは、蓄電セル３のハイサイド側に、正極端子３６から蓄電パック正極端子６６へと流れる電流経路、および、蓄電パック正極端子６６から正極端子３６へと流れる電流経路を制御するスイッチング素子である第１の半導体素子２Ａ、ならびに、正極端子３６から蓄電パック正極端子６６Ｆへと流れる電流経路、および、蓄電パック正極端子６６Ｆから正極端子３６へと流れる電流経路を制御するスイッチング素子である第３の半導体素子２ＡＦを備え、蓄電セル３のローサイド側に、負極端子３７から蓄電パック負極端子６７へと流れる電流経路、および、蓄電パック負極端子６７から負極端子３７へと流れる電流経路を制御するスイッチング素子である第２の半導体素子２Ｂ、ならびに、負極端子３７から蓄電パック負極端子６７Ｆへと流れる電流経路、および、蓄電パック負極端子６７Ｆから負極端子３７へと流れる電流経路を制御するスイッチング素子である第４の半導体素子２ＢＦを備える。

【0333】

これにより、蓄電パック１００Ｆは、蓄電セル３のハイサイド側の２系統とローサイド側の２系統とのそれぞれで、蓄電セル３の２重保護を実現することができる。

【0334】

さらには、蓄電パック１００Ｆによると、第３の半導体素子２ＡＦが、変形例２に係る保護回路基板の平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢに重なる位置に配置されず、第４の半導体素子２ＢＦが、変形例２に係る保護回路基板の平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＢに重なる位置に配置されない構成に比べて、変形例２に係る保護回路基板を小型化することができる。

【0335】

（変形例３）
以下、実施の形態５に係る蓄電パック１００Ｄから、一部の構成が変更されて構成される変形例３に係る蓄電パックについて説明する。

【0336】

蓄電パック１００Ｄは、蓄電セル３と、第１の半導体素子２ＡＤと、第２の半導体素子２ＢＤとを備える構成の例であった。

【0337】

これに対して、変形例３に係る蓄電パックは、蓄電パック１００Ｄに対して、さらに、蓄電セル３と同様の変形例３に係る蓄電セルと、第１の半導体素子２ＡＤと同様の変形例３に係る第３の半導体素子と、第２の半導体素子２ＢＤと同様の変形例３に係る第４の半導体素子とを備える構成の例となっている。

【0338】

＜構成＞
図２９は、変形例３に係る蓄電パック１００Ｇの回路図である。

【0339】

図２９に示すように、蓄電パック１００Ｇは、実施の形態５に係る蓄電パック１００Ｄから、蓄電セル３Ｇと、第３の半導体素子２ＡＧと、第４の半導体素子２ＢＧとが追加されて構成される。

【0340】

蓄電セル３Ｇは、蓄電セル３と同様である。より具体的には、蓄電セル３Ｇは、蓄電セル３に対して、正極端子３６を正極端子３６Ｇに読み替え、負極端子３７を負極端子３７Ｇに読み替えたものと同様である。

【0341】

第３の半導体素子２ＡＧは、第１の半導体素子２ＡＤと同様である。より具体的には、第３の半導体素子２ＡＧは、第１の半導体素子２ＡＤに対して、第１のゲート端子１１９を第１のゲート端子１１９Ｇに読み替え、第１のソース端子１１１を第１のソース端子１１１Ｇに読み替え、ドレイン電極３０をドレイン電極３０Ｇに読み替えたものと同様である。

【0342】

第４の半導体素子２ＢＧは、第２の半導体素子２ＢＤと同様である。より具体的には、第４の半導体素子２ＢＧは、第２の半導体素子２ＢＤに対して、第１のゲート端子２１９を第１のゲート端子２１９Ｇに読み替え、第１のソース端子２１１を第１のソース端子２１１Ｇに読み替え、ドレイン電極３１をドレイン電極３１Ｇに読み替えたものと同様である。

【0343】

図２９に示すように、第１の半導体素子２ＡＤと、蓄電セル３と、第２の半導体素子２ＢＤと、第３の半導体素子２ＡＧと、蓄電セル３Ｇと、第４の半導体素子２ＢＧとは、蓄電パック正極端子６６と蓄電パック負極端子６７との間において、この順に直列接続される。

【0344】

＜考察＞
上記構成の蓄電パック１００Ｇによると、蓄電セル３の２重保護および蓄電セル３Ｇの２重保護を実現することができる。

【0345】

（実施の形態６）
以下、実施の形態４に係る蓄電パック１００Ｃから、一部の構成が変更されて構成される実施の形態６に係る蓄電パックについて説明する。

【0346】

蓄電パック１００Ｃは、蓄電セル３のハイサイド側に第１の半導体素子２Ａを備え、蓄電セル３のローサイド側に第２の半導体素子２Ｂを備える構成の例であった。

【0347】

これに対して、実施の形態６に係る蓄電パックは、蓄電セル３のローサイド側に第１の半導体素子２Ａと第２の半導体素子２Ｂとを備える構成の例となっている。

【0348】

ここでは、実施の形態６に係る蓄電パックについて、蓄電パック１００Ｃと同様の構成要素については、既に説明済みであるとして同じ符号を振ってその詳細な説明を省略し、蓄電パック１００Ｃとの相違点を中心に説明する。

【0349】

＜構成＞
図３０は、実施の形態６に係る蓄電パック１００Ｈの構成を示す平面図である。図３１Ａは、図３０のＩ－Ｉにおける切断面を示す断面図である。図３１Ｂは、図３０のＩＩ－ＩＩにおける切断面を示す断面図である。図３０において、実際には直接視認できない部分の一部について、あたかも視認できるかのように破線で図示している。

【0350】

図３０、図３１Ａ、図３１Ｂに示すように、蓄電パック１００Ｈは、実施の形態４に係る蓄電パック１００Ｃから、保護回路基板６０が保護回路基板６０Ｈに変更されて構成される。

【0351】

保護回路基板６０Ｈは、実施の形態４に係る保護回路基板６０から、第１の配線６１が第１の配線１６１に変更され、第２の配線６２が第２の配線１６２に変更され、第４の配線６４が第４の配線１６４に変更されて構成される。

【0352】

第１の配線１６１は、蓄電パック正極端子６６と接続されるとともに、導電性材料８１を介して、１以上の金属部材８５Ａのうちの少なくとも１つと接続される。

【0353】

これにより、蓄電パック１００Ｈには、保護回路基板６０Ｈの平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＣと保護回路基板６０Ｈとの間に電流が流れる領域と、第１の半導体素子２Ａと第１の蓄電タブ８０ＡＣとが第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＣを挟んで重複する領域と、が重複する部分が存在することとなる。

【0354】

第２の配線１６２は、導電性材料８１を介して第２のソース端子１２１と接続されるとともに、導電性材料８１を介して第１のソース端子２１１と接続される。

【0355】

第４の配線１６４は、蓄電パック負極端子６７と接続されるとともに、導電性材料８１を介して第１のソース端子１１１と接続される。

【0356】

＜考察＞
図３２は、上記構成の蓄電パック１００Ｈの回路図である。

【0357】

図３２に示すように、第１の半導体素子２Ａおよび第２の半導体素子２Ｂは、蓄電セル３の負極端子３７から蓄電パック負極端子６７へと流れる電流経路、および、蓄電パック負極端子６７から蓄電セル３の負極端子３７へ流れる電流経路のスイッチング素子として機能する。

【0358】

すなわち、（１）スイッチング素子である第１の半導体素子２Ａが第２のソース端子１２１から第１のソース端子１１１へと導通状態となり、かつ、スイッチング素子である第２の半導体素子２Ｂが第２のソース端子２２１から第１のソース端子２１１へと導通状態となることにより、第２のソース端子２２１側の電位を第１のソース端子１１１側の電位よりも高くすることで、蓄電セル３から第２の蓄電タブ８０ＢＣ、第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＣ、第２の半導体素子２Ｂ、保護回路基板６０Ｈの第２の配線１６２、第１の半導体素子２Ａ、保護回路基板６０Ｈの第４の配線１６４の順に電流が流れる電流経路が形成され、（２）スイッチング素子である第１の半導体素子２Ａが第１のソース端子１１１から第２のソース端子１２１へと導通状態となり、かつ、スイッチング素子である第２の半導体素子２Ｂが第１のソース端子２１１から第２のソース端子２２１へと導通状態となることにより、第１のソース端子１１１側の電位を第２のソース端子２２１側の電位よりも高くすることで、保護回路基板６０Ｈの第４の配線１６４から第１の半導体素子２Ａ、保護回路基板６０Ｈの第２の配線１６２、第２の半導体素子２Ｂ、第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＣ、第２の蓄電タブ８０ＢＣ、蓄電セル３の順に電流が流れる電流経路が形成される。

【0359】

このため、スイッチング素子である第１の半導体素子２Ａ、および、スイッチング素子である第２の半導体素子２Ｂは、保護回路基板６０Ｈにおいて、蓄電セル３への充電もしくは蓄電セル３からの放電を制御することができる。

【0360】

図３２に示すように、蓄電パック１００Ｈは、蓄電セル３のローサイド側に、負極端子３７から蓄電パック負極端子６７へと流れる電流経路、および、蓄電パック負極端子６７から負極端子３７へと流れる電流経路を制御するスイッチング素子である第１の半導体素子２Ａおよび第２の半導体素子２Ｂを備える。

【0361】

これにより、蓄電パック１００Ｈは、蓄電セル３のローサイド側で、蓄電セル３の２重保護を実現することができる。

【0362】

（実施の形態７）
以下、実装基板６０に実装された状態の第１の半導体装置１ＡＢを製造する際の、半導体装置の製造方法について説明する。

【0363】

図３３Ａ～図３３Ｆは、半導体装置の製造方法において実施される各工程における、製造途中の第１の半導体装置１ＡＢの断面図である。

【0364】

図３３Ａ～図３３Ｆに示すように、半導体装置の製造方法は、図３３Ａに示す第０の工程、図３３Ｂに示す第１の工程、図３３Ｃに示す第２の工程、図３３Ｄに示す第３の工程、図３３Ｅに示す第４の工程、および、図３３Ｆに示す第５の工程の６つの工程を含む。なお、後述するように、第０の工程を含まない、第１の工程～第５の工程の５つの工程を含む半導体装置の製造方法は、実装基板６０に実装された状態の第１の半導体装置１ＡＣを製造する際の、半導体装置の製造方法となっている。

【0365】

以下、各工程について順に説明する。

【0366】

第０の工程は、最初に実行する工程である。

【0367】

図３３Ａに示すように、第０の工程は、１以上の金属部材８５Ａを備える第３の金属板７５Ａを、第１の半導体素子２Ａに接続する工程である。なお、実装基板６０に実装された状態の第１の半導体装置１ＡＣを製造する場合には、この第０の工程は実行しない。

【0368】

第１の工程は、第０の工程の実行後に、または、第０の工程を省略して最初に実行する工程である。

【0369】

図３３Ｂに示すように、第１の工程は、第１の金属板７０ＡＢの第１の主面に、第１の半導体素子２Ａを接続する工程である。なお、第０の工程の実行後に第１の工程を実行する場合には、第３の金属板７５Ａを介して、第１の主面に第１の半導体素子２Ａを接続することとなり、第０の工程を省略して第１の工程を最初に実行する場合には、すなわち、実装基板６０に実装された状態の第１の半導体装置１ＡＣを製造する場合には、第３の金属板７５Ａを介さずに、第１の主面に第１の半導体素子２Ａを接続することとなる。

【0370】

第２の工程は、第１の工程の実行後に実行する工程である。

【0371】

図３３Ｃに示すように、第２の工程は、第１の半導体素子２Ａを実装基板６０に実装する工程である。

【0372】

なお、第２の工程を第１の工程よりも前に実施する製造方法もあり得る。

【0373】

第３の工程は、第２の工程の実行後に実行する工程である。

【0374】

図３３Ｄに示すように、第３の工程は、第１の金属板７０ＡＢの第１の主面と背向する第２の主面に、第２の金属板８０ＡＢを接合する工程である。

【0375】

第４の工程は、第３の工程の実行後において、後述する第５の工程と順不同に実行する工程である。

【0376】

図３３Ｅに示すように、第４の工程は、第１の金属板７０ＡＢを、（１）第２の主面同士が対面する部分を有するように、（２）第１の半導体素子２Ａの平面視において、第１の金属板７０ＡＢと第１の半導体素子２Ａとが接続する領域と、第１の金属板７０ＡＢと第２の金属板８０ＡＢとが接合する領域が、第１の金属板７０ＡＢを挟んで重複する部分を有するように折り曲げる工程である。

【0377】

第４の工程では、図３３Ｅに示すように、例えば、型を用いて第１の金属板７０ＡＢを折り曲げるとしてもよい。

【0378】

第５の工程は、第３の工程の実行後において、前述した第４の工程と順不同に実行する工程である。

【0379】

図３３Ｆに示すように、第５の工程は、第２の金属板８０ＡＢを、第１の金属板７０ＡＢと接合する面同士が対面する部分を有するように折り曲げる工程である。

【0380】

第５の工程では、図３３Ｆに示すように、例えば、型を用いて第２の金属板８０ＡＢを折り曲げるとしてもよい。

【0381】

（補足）
以上、本開示の一態様に係る蓄電パック、半導体装置、および、半導体装置の製造方法について、実施の形態１～７および変形例１～３に基づいて説明したが、本開示は、これら実施の形態および変形例に限定されるものではない。本開示の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形をこれら実施の形態に施したものや、異なる実施の形態および変形例における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本開示の１つまたは複数の態様の範囲内に含まれてもよい。

【0382】

（１）実施の形態６において、前述した通り、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＣは折れ曲がっており、蓄電パック１００Ｈには、保護回路基板６０Ｈの平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＣと保護回路基板６０Ｈとの間に電流が流れ得る領域と、第１の蓄電タブ８０ＡＣと第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＣと第１の半導体素子２Ａと保護回路基板６０Ｈとが重複する領域と、が重複する部分が存在する。

【0383】

これに対して、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＣが折れ曲がっていなくても、蓄電パック１００Ｈは、保護回路基板６０Ｈの平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＣと保護回路基板６０Ｈとの間に電流が流れ得る領域と、第１の蓄電タブ８０ＡＣと第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＣと第１の半導体素子２Ａと保護回路基板６０Ｈとが重複する領域と、が重複する部分が存在するように構成することが可能である。

【0384】

図３４は、折れ曲がっていない第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＣと、折れ曲がっていない第１の蓄電タブ８０ＡＣとを備える蓄電パック１００Ｈであって、保護回路基板６０Ｈの平面視において、第１の蓄電タブ８０ＡＣと保護回路基板６０Ｈとの間に電流が流れ得る領域と、第１の蓄電タブ８０ＡＣと第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＣと第１の半導体素子２Ａと保護回路基板６０Ｈとが重複する領域と、が重複する部分が存在する様子の一例を示す断面図である。

【0385】

なお、図３４に例示される上記構成の蓄電パック１００Ｈでは、接合準備領域７３Ａが、第１の金属板７０ＡＣの平面視において、第１の金属板７０ＡＣと第１の半導体素子２Ａとが接続する接続領域と重複する部分を含む場合の構成例となっているが、接合準備領域７３Ａが、第１の金属板７０ＡＣの平面視において、上記接続領域と重複する部分含まない構成例も考えられる。

【0386】

（２）実施の形態３において、蓄電パック１００Ｂは、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢが、図１８Ａ、図１８Ｂに示すように、それぞれ１回折り曲げられている構成例であるとして説明した。

【0387】

これに対して、他の構成例として、蓄電パック１００Ｂは、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢが、２回以上折り曲げられている構成であっても構わない。

【0388】

図３５Ａ、図３５Ｂは、実施の形態３に係る蓄電パック１００Ｂにおいて、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢが、２回以上折り曲げられていている構成である場合における、図１７のＩ－Ｉにおける切断面を示す断面図である。

【0389】

図３５Ａに示すように、実施の形態３に係る蓄電パック１００Ｂにおいて、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢが２回折り曲げられ、第１の蓄電タブ８０ＡＢおよび第２の蓄電タブ８０ＢＢが折り曲げられていない構成であってもよい。

【0390】

これにより、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢの表面積を比較的大きくすることが可能となるため、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢによる放熱効果を比較的大きくすることができる。

【0391】

または、図３５Ｂに示すように、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢが２回折り曲げられ、第１の蓄電タブ８０ＡＢおよび第２の蓄電タブ８０ＢＢが１回折り曲げられた構成であってもよい。

【0392】

これにより、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢと、第１の蓄電タブ８０ＡＢおよび第２の蓄電タブ８０ＢＢとの接合（例えば、溶接による接合）を複数個所で行うことが可能となるため、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢと、第１の蓄電タブ８０ＡＢおよび第２の蓄電タブ８０ＢＢとの接合強度をより大きくすることができる。さらに、これにより、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢの表面積を比較的大きくすることが可能となるため、第１の蓄電タブ接合用金属板７０ＡＢおよび第２の蓄電タブ接合用金属板７０ＢＢによる放熱効果を比較的大きくすることができる。

【0393】

（３）実施の形態２において、蓄電パック１００Ａは、第１の蓄電タブ８０Ａが、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａを介して第１の半導体素子２Ａと接続し、第２の蓄電タブ８０Ｂが、第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂを介して第２の半導体素子２Ｂと接続するとして説明したが、他の構成例として、蓄電パック１００Ａは、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａと第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂとを備えずに、第１の蓄電タブ８０Ａが、第１の蓄電タブ接合用金属板７０Ａを介さずに第１の半導体素子２Ａと接続し、第２の蓄電タブ８０Ｂが、第２の蓄電タブ接合用金属板７０Ｂを介さずに第２の半導体素子２Ｂと接続するとしてもよい。

【産業上の利用可能性】

【0394】

本開示は、蓄電パック、蓄電パックを構成する半導体装置、および、その半導体装置を製造する半導体装置の製造方法等に広く利用可能である。

【符号の説明】

【0395】

１Ａ、１ＡＡ、１ＡＢ、１ＡＣ、１ＡＤ第１の半導体装置
１Ｂ、１ＢＡ、１ＢＢ、１ＢＣ、１ＢＤ第２の半導体装置
２Ａ、２ＡＤ、２ＡＥ第１の半導体素子
２Ａ１第１の辺
２Ｂ、２ＢＤ、２ＢＥ第２の半導体素子
２ＡＦ、２ＡＧ第３の半導体素子
２ＢＦ、２ＢＧ第４の半導体素子
３、３Ｇ蓄電セル
１０第１の縦型ＭＯＳトランジスタ
１１第１のソース電極
１２、１３、２２、２３部分
１４第１のソース領域
１５第１のゲート導体
１６第１のゲート絶縁膜
１８第１のボディ領域
２０第２の縦型ＭＯＳトランジスタ
２０Ｅ第３の縦型ＭＯＳトランジスタ
２１第２のソース電極
２４第２のソース領域
２５第２のゲート導体
２６第２のゲート絶縁膜
２８第２のボディ領域
３０、３０Ｇ金属層（ドレイン電極）
３１、３１Ｇドレイン電極
３２半導体基板
３３低濃度不純物層
３４酸化膜
３５保護層
３６、３６Ｇ正極端子
３７、３７Ｇ負極端子
４０半導体層
６０、６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｄ、６０Ｈ保護回路基板（実装基板）
６０Ｃ樹脂
６１、１６１第１の配線
６２、１６２第２の配線
６３第３の配線
６４、１６４第４の配線
６６、６６Ｅ、６６Ｆ蓄電パック正極端子
６７、６７Ｅ、６７Ｆ蓄電パック負極端子
７０Ａ、７０ＡＢ、７０ＡＣ第１の蓄電タブ接合用金属板（第１の金属板）
７０Ｂ、７０ＢＢ、７０ＢＣ第２の蓄電タブ接合用金属板（第１の金属板）
７１、７２Ｄ、８１導電性材料
７２絶縁性材料
７３Ａ、７３Ｂ接合準備領域
７４、７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃ折り曲げ軸
７５Ａ、７５Ｂ第３の金属板
７６Ａ第１の略直線状辺
７６Ｂ第２の略直線状辺
７７Ａ、７７Ｂ凹部
８０Ａ、８０ＡＢ、８０ＡＣ第１の蓄電タブ（第２の金属板）
８０Ｂ、８０ＢＢ、８０ＢＣ第２の蓄電タブ（第２の金属板）
８５Ａ、８５Ｂ、８５ＡＡ、８５ＢＡ、８５ＡＤ、８５ＢＤ金属部材
９０中央線
９０Ｃ境界
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ蓄電パック
１１１、１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１１１ｅ、１１１ｆ、１１１Ｇ、２１１、２１１Ｇ、３１１、４１１第１のソース端子
１１９、１１９Ｇ、２１９、２１９Ｇ、３１９、４１９第１のゲート端子
１２１、１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ、１２１ｅ、１２１ｆ、２２１、３２１、４２１第２のソース端子
１２９、２２９、３２９、４２９第２のゲート端子
１３１第３のソース端子
１３９第３のゲート端子
２３１第３のソース端子
２３９第３のゲート端子
３００Ａ、３００Ｂスイッチング素子
Ａ１第１の領域
Ａ２第２の領域

【要約】

蓄電パック（１００）は、蓄電セル（３）と、蓄電セル（３）に接続された蓄電タブ（８０ＡＢ）と、蓄電セル（３）を過充電または過放電から保護する保護回路基板（６０）と、保護回路基板（６０）にフェイスダウンで実装されたチップサイズパッケージ型の半導体素子（２Ａ）と、第１の主面で半導体素子（２Ａ）と接続し、厚さ０．２ｍｍ以下の部分を有する蓄電タブ接合用金属板（７０ＡＢ）と、を備え、蓄電タブ接合用金属板（７０ＡＢ）は、第１の主面と背向する第２の主面で、蓄電タブ（８０ＡＢ）に、保護回路基板（６０）の平面視において、蓄電タブ（８０ＡＢ）と蓄電タブ接合用金属板（７０ＡＢ）と半導体素子（２Ａ）と保護回路基板（６０）とが重複する重複部分を有するように接合され、保護回路基板（６０）の平面視において、蓄電タブ（８０ＡＢ）と保護回路基板（６０）との間で導通経路となり得る領域と、上記重複部分とが重複する部分が存在する。

【図1】