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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-04-19
(45)【発行日】2024-04-30
(54)【発明の名称】電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び電子写真装置
(51)【国際特許分類】
G03G 5/10 20060101AFI20240422BHJP
G03G 5/14 20060101ALI20240422BHJP
【ＦＩ】
G03G5/10 B
G03G5/14 101B
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2023052157
(22)【出願日】2023-03-28
(65)【公開番号】P2023164312
(43)【公開日】2023-11-10
【審査請求日】2023-05-23
(31)【優先権主張番号】P 2022075310
(32)【優先日】2022-04-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000001007
【氏名又は名称】キヤノン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100101498
【弁理士】
【氏名又は名称】越智 隆夫
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(74)【代理人】
【識別番号】100136799
【弁理士】
【氏名又は名称】本田 亜希
(72)【発明者】
【氏名】高橋 孝治
(72)【発明者】
【氏名】小島 康夫
(72)【発明者】
【氏名】山田 基也
(72)【発明者】
【氏名】篠塚 正之
【審査官】福田 由紀
(56)【参考文献】
【文献】特開２００５－０９９６３７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－００５２０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０１－００４７５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６３－２５４４６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６１－０６５２５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－１５０９５８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１４３３４０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｇ ５／１０－５／１４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
円筒状の支持体及び感光層を有する電子写真感光体であって、該支持体の表面が、Ａｌ及び／又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４／６を超え、６／４未満
であることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項2】
前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４１／５９以上、５９／４１以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項3】
前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４５／５５以上、５５／４５以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項4】
前記支持体の表面の全面積に対する前記（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が５％以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項5】
前記支持体の表面が、０．０５質量％以上０．２質量％以下のＣｕ、及び１．０質量％以上１．５質量％のＭｎを含むＡｌ合金で形成された請求項１～４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項6】
前記支持体の表面が、０．２質量％以上０．６質量％以下のＳｉ、及び０．４５質量％以上０．９質量％以下のＭｇを含むＡｌ合金で形成された請求項１～４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項7】
請求項１～４のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
【請求項8】
請求項１～４のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段を有する電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び該電子写真感光体を有する電子写真装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子写真装置ユーザーの多様化が進み、出力される画像には従来よりも高画質で高安定であることのニーズも高まっている。
特許文献１には、画質向上に関する技術として、導電性支持体の内部の応力値を－３０ＭＰａ以上５ＭＰａ以下の範囲とする技術が記載されている。
特許文献２には、精度の観点から画質を向上させる技術として、切削加工の前にアルミニウム合金製素管を１９０℃～５５０℃で加熱する技術が記載されている。
また、特許文献３には特定の組成を有するＡｌ合金の結晶粒の平均面積を３μｍ２以上１００μｍ２以下とする技術が記載されている。
特許文献１には、画質向上に関する技術として、導電性支持体の内部の応力値を－３０ＭＰａ以上５ＭＰａ以下の範囲とする技術が記載されている。
特許文献２には、精度の観点から画質を向上させる技術として、切削加工の前にアルミニウム合金製素管を１９０℃～５５０℃で加熱する技術が記載されている。
また、特許文献３には特定の組成を有するＡｌ合金の結晶粒の平均面積を３μｍ２以上１００μｍ２以下とする技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】国際公開第２０１９／０７７７０５号
【文献】特開２００９－１５０９５８号公報
【文献】特開２０１７－１１１４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明者らの検討によると、特許文献１～３に記載の電子写真感光体では、電位の変動をさらに小さくする余地があることがわかった。
したがって、本発明の目的は電位の変動をさらに抑制し、それにより発生した保管環境の違いによる電位の変動分の差をも低減することが可能な電子写真感光体を提供することにある。
したがって、本発明の目的は電位の変動をさらに抑制し、それにより発生した保管環境の違いによる電位の変動分の差をも低減することが可能な電子写真感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記の目的は以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明の一態様に係る電子写真感光体は、円筒状の支持体及び感光層を有する電子写真感光体であって、
該支持体の表面が、Ａｌ及び、又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４／６を超え、６／４未満である。
該支持体の表面が、Ａｌ及び、又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４／６を超え、６／４未満である。
【0006】
また、本発明の別の態様に係るプロセスカートリッジは、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であることを特徴とする。
【0007】
また、本発明のさらに別の態様に係る電子写真装置は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、電位の変動を抑制し、さらには保管環境の違いによる電位の変動分の差を低減することが可能な電子写真感光体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、好適な実施の形態を挙げて、本発明を詳細に説明する。
本発明者らが検討したところ、特許文献１～３に記載の技術では、支持体のＡｌ又はＡｌ合金の結晶が持つ特性により、電位の変動が大きくなることがわかった。
従来技術で発生していた上記技術課題を解決するために、本発明者らはアルミニウム製支持体表面の結晶方位について検討を行った。
上記検討の結果、以下の本発明に係る電子写真感光体を用いることで、上記技術課題を解決することができることを見出した。
本発明者らが検討したところ、特許文献１～３に記載の技術では、支持体のＡｌ又はＡｌ合金の結晶が持つ特性により、電位の変動が大きくなることがわかった。
従来技術で発生していた上記技術課題を解決するために、本発明者らはアルミニウム製支持体表面の結晶方位について検討を行った。
上記検討の結果、以下の本発明に係る電子写真感光体を用いることで、上記技術課題を解決することができることを見出した。
【0011】
すなわち、本発明の一態様に係る電子写真感光体は、支持体及び感光層を有する電子写真感光体であって、
該支持体の表面が、Ａｌ及び／又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４／６を超え、６／４未満であることを特徴とする。
なお、本発明において、例えば｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面とは、Ａｌの結晶における｛１１１｝面から－１５°以上＋１５°未満の面のばらつきを持った結晶面のことを指す。
該支持体の表面が、Ａｌ及び／又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４／６を超え、６／４未満であることを特徴とする。
なお、本発明において、例えば｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面とは、Ａｌの結晶における｛１１１｝面から－１５°以上＋１５°未満の面のばらつきを持った結晶面のことを指す。
【0012】
本発明の構成により、従来技術における上記技術課題を解決することができるメカニズムについて、本発明者らは以下のように考えている。
Ａｌ（アルミニウム）の結晶方位は大きく分けて｛１０１｝方位、｛００１｝方位、及び｛１１１｝方位の３つが存在する。「こべるにくす」（［Ｎｏ．２８］Ｖｏｌ．１４ ２００５．ＯＣＴ）に記載があるように、通常、例えば図１ａに示すように、それぞれの結晶方位を有する結晶粒はランダムに分布している。
本発明者らは、結晶方位によって結晶粒の電子の流しやすさが異なり、（α）を有する結晶粒及び（β）を有する結晶粒は、（γ）を有する結晶粒と比較して電子を流しやすく、検討の結果から（β）を有する結晶粒、（α）を有する結晶粒、（γ）を有する結晶粒の順で電子を流しやすいと推測している。
Ａｌ（アルミニウム）の結晶方位は大きく分けて｛１０１｝方位、｛００１｝方位、及び｛１１１｝方位の３つが存在する。「こべるにくす」（［Ｎｏ．２８］Ｖｏｌ．１４ ２００５．ＯＣＴ）に記載があるように、通常、例えば図１ａに示すように、それぞれの結晶方位を有する結晶粒はランダムに分布している。
本発明者らは、結晶方位によって結晶粒の電子の流しやすさが異なり、（α）を有する結晶粒及び（β）を有する結晶粒は、（γ）を有する結晶粒と比較して電子を流しやすく、検討の結果から（β）を有する結晶粒、（α）を有する結晶粒、（γ）を有する結晶粒の順で電子を流しやすいと推測している。
【0013】
従来技術におけるアルミニウム製支持体では、３種類の結晶方位の結晶粒がランダムに存在するため、（γ）を有する結晶粒の寄与により電位の変動が比較的大きくなる傾向にあったと考えられる。
【0014】
そこで、アルミニウム製支持体の表面を、例えば図１ｂ及び図１ｃに示すように、電子を流しやすいと推測している（α）を有する結晶粒あるいは（β）を有する結晶粒が多い状態で形成する。これにより、アルミニウム製支持体の表面の導電性をさらに高めることで電子の滞留を抑制し、電位の変動を抑制できると考えられる。
【0015】
さらに、本発明者らの検討によれば、上記したように（α）を有する結晶粒あるいは（β）を有する結晶粒が多い状態で形成することで電位の変動を抑制することが可能になるが、（α）を有する結晶粒と（β）を有する結晶粒の比率によっては、保管する環境によって電位の変動が異なるという新たな課題が存在することがわかった。
【0016】
保管環境の違いによって電位の変動分が変化する点については以下のように考えている。アルミニウムの結晶は、その方位によって表面自由エネルギーが異なるため、腐食性が異なる。表面自由エネルギーの大きさから、最も腐食に弱いのは（β）を有する結晶粒であり最も腐食に強いのは（γ）を有する結晶粒であると予想できる。この腐食性の差が保管環境の違いによって電位の変動分が異なっている可能性があると本発明者らは推測している。アルミニウムの表面自由エネルギーはつまり、本発明者らは比較的表面自由エネルギーが小さい（α）を有する結晶粒や（γ）を有する結晶粒でアルミニウム製支持体の表面を形成することによって保管環境の違いによる電位の変動分の差を抑制できると考えている。
【0017】
このような思想から、上記した電位変動の大きさと、保管された環境により変動分が変化するという複合的な課題は、最も電子を流しにくい（γ）を有する結晶粒を減らし、電子を流しやすい（β）を有する結晶粒と、比較的電子を流しやすく、表面自由エネルギーが小さい（α）を有する結晶粒との割合をコントロールすることにより解決できることを本発明者らは見出した。
【0018】
［電子写真感光体］
本発明に係る電子写真感光体は、支持体及び感光層を有する。
本発明に係る電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。
以下、支持体及び各層について説明する。
本発明に係る電子写真感光体は、支持体及び感光層を有する。
本発明に係る電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。
以下、支持体及び各層について説明する。
【0019】
＜支持体＞
本発明に係る電子写真感光体は、円筒状の支持体を有し、支持体の表面は、Ａｌ及びＡｌ合金から選ばれる少なくともいずれか１つで形成されている。また、支持体の表面は、温水処理や、ブラスト処理、切削処理などが施されていてもよい。
本発明に係る電子写真感光体は、円筒状の支持体を有し、支持体の表面は、Ａｌ及びＡｌ合金から選ばれる少なくともいずれか１つで形成されている。また、支持体の表面は、温水処理や、ブラスト処理、切削処理などが施されていてもよい。
【0020】
（１）結晶方位
本発明に係る支持体表面の表面方向におけるＡｌの結晶方位の表記、例えば、｛００１｝方位の面とは、Ａｌの結晶面をミラー指数で示したものである。すなわち｛００１｝方位の面は、結晶格子面の（００１）、（０１０）、（１００）、（００－１）、（０－１０）、（－１００）のいずれかを示すミラー指数の包括表現である。
本発明に係る支持体表面の表面方向におけるＡｌの結晶方位の表記、例えば、｛００１｝方位の面とは、Ａｌの結晶面をミラー指数で示したものである。すなわち｛００１｝方位の面は、結晶格子面の（００１）、（０１０）、（１００）、（００－１）、（０－１０）、（－１００）のいずれかを示すミラー指数の包括表現である。
【0021】
本発明において、該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４／６を超え、６／４未満である。
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４／６を超え、６／４未満である。
【0022】
電子の流しやすさと腐食性を高める観点から該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４／６を超え、６／４未満である必要があるが、製造コストや、調整に係る時間などを考慮したとき、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４１／５９以上、５９／４１以下であることが好ましい。
より好ましくは、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比が４５／５５以上、５５／４５以下であり、この範囲であると本発明の効果をより得ることが可能となる。
より好ましくは、前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比が４５／５５以上、５５／４５以下であり、この範囲であると本発明の効果をより得ることが可能となる。
【0023】
電子を流しにくい面を減らすという観点から、支持体の表面の全面積に対する（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が５％以下であることが好ましい。
【0024】
（支持体の表面のＡｌの結晶粒が有する結晶方位の測定方法）
本発明において、支持体の表面のＡｌの結晶粒が有する結晶方位の測定は、例えば以下のように行うことができる。
本発明において、支持体の表面のＡｌの結晶粒が有する結晶方位の測定は、例えば以下のように行うことができる。
【0025】
まず、支持体の表面をバフ研磨及び水酸化ナトリウム水溶液などにより処理し、処理前の支持体の表面から２０μｍ以内の点について、Ａｌの結晶粒が有する結晶方位の測定を行う。結晶方位の測定はＳＥＭ－ＥＢＳＰ法によって行なうことが好ましい。
【0026】
ＳＥＭ－ＥＢＳＰ法による測定には、ＥＢＳＰ（電子後方散乱パターン：Electron Back Scatter diffraction Pattern）検出器を備えたＦＥ－ＳＥＭ（電界放射型 走査型電子顕微鏡：Field Emission-Scanning Electron Microscope）を用いる。ここで、ＥＢＳＰとは、試験片表面に電子線を入射させたときに発生する反射電子から得られた菊池パターン（菊池線）のことであり、このパターンを解析することにより、電子線入射位置の結晶方位を決定することができる。また、菊池パターンとは、結晶に当たった電子線が散乱して回折された際に、白黒一対の平行線や帯状若しくはアレイ状に電子回折像の背後に現れるパターンのことを指す。
ＥＢＳＰ検出器を備えたＦＥ－ＳＥＭとしては、例えば、電界放出型走査電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ－６５００Ｆ、日本電子社製）を用いることができる。
ＥＢＳＰ検出器を備えたＦＥ－ＳＥＭとしては、例えば、電界放出型走査電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ－６５００Ｆ、日本電子社製）を用いることができる。
【0027】
（２）支持体の表面におけるＡｌの結晶粒の面積
本発明において、該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ該（α）を有するＡｌの結晶粒又は該（β）を有するＡｌの結晶粒のうちいずれか一方のＡｌの結晶粒が占める面積の割合が６０％未満である。
本発明において、該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、且つ該（α）を有するＡｌの結晶粒又は該（β）を有するＡｌの結晶粒のうちいずれか一方のＡｌの結晶粒が占める面積の割合が６０％未満である。
【0028】
上記の各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合は、以下のようにして決定することができる。
図２に示すように、まず支持体のどちらか一方の端から軸方向に全長の１／８、２／８、３／８、４／８、５／８、６／８、７／８にあたる位置を決める。さらにそれぞれの位置において周方向に９０°ずつ４分割する。軸方向の分割線と周方向の分割線が交わる２８点それぞれにおいて、軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるように１００μｍ四方の領域を設定し、上記のＳＥＭ－ＥＢＳＰ法によって結晶方位の測定を行う。続いて、（α）（β）（γ）の結晶方位を有するＡｌの結晶粒について、それぞれの方位が占める面積を算出し、得られた値を１００００μｍ２で除することにより、各領域における各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合を決定する。さらに１００倍することによって百分率として最後に、２８の領域から得られたそれぞれの値の平均値を支持体の（α）（β）（γ）が占める面積の割合として決定する。
図２に示すように、まず支持体のどちらか一方の端から軸方向に全長の１／８、２／８、３／８、４／８、５／８、６／８、７／８にあたる位置を決める。さらにそれぞれの位置において周方向に９０°ずつ４分割する。軸方向の分割線と周方向の分割線が交わる２８点それぞれにおいて、軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるように１００μｍ四方の領域を設定し、上記のＳＥＭ－ＥＢＳＰ法によって結晶方位の測定を行う。続いて、（α）（β）（γ）の結晶方位を有するＡｌの結晶粒について、それぞれの方位が占める面積を算出し、得られた値を１００００μｍ２で除することにより、各領域における各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合を決定する。さらに１００倍することによって百分率として最後に、２８の領域から得られたそれぞれの値の平均値を支持体の（α）（β）（γ）が占める面積の割合として決定する。
【0029】
各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の算出は測定装置に付属のソフトを使用しても構わないし、例えば、測定により得られた方位を、ＨＳＶ色空間の色相ｈを用いて（α）の範囲を０≦ｈ＜６０及び３００≦ｈ＜３６０、（β）の範囲を６０≦ｈ＜１８０、（γ）の範囲を１８０≦ｈ＜３００と定めて、各結晶方位を有するＡｌの結晶粒の領域の色相マッピングを行うことによって算出しても構わない。
【0030】
（３）支持体として用いるためのＡｌ合金
支持体は、結晶方位をコントロールする観点から、Ｃｕが０．０５質量％以上０．２質量％以下、Ｍｎが１．０質量％以上１．５質量％以下のＡｌ合金であることが好ましく、３０００系Ａｌ合金、例えばＪＩＳ呼称Ａ３００３合金などがあげられる。又は、Ｍｇが０．４５質量％以上０．９質量％以下のＡｌ合金であることが好ましく、６０００系Ａｌ合金、例えばＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金であることが好ましい。ＪＩＳ呼称Ａ３００３合金は、具体的にはＳｉが０．６質量％以下、Ｆｅが０．７質量％以下、Ｃｕが０．０５質量％以上０．２質量％以下、Ｍｎが１．０質量％以上１．５質量％以下、Ｚｎが０．１質量％以下のＡｌ合金である。また、ＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金は、具体的にはＳｉが０．２質量％以上０．６質量％以下、Ｆｅが０．３５質量％以下、Ｃｕが０．１質量％以下、Ｍｎが０．１質量％以下、Ｍｇが０．４５質量％以上０．９質量％以下、Ｃｒが０．１質量％以下、Ｚｎが０．１質量％以下、Ｔｉが０．１質量％以下のＡｌ合金である。
支持体は、結晶方位をコントロールする観点から、Ｃｕが０．０５質量％以上０．２質量％以下、Ｍｎが１．０質量％以上１．５質量％以下のＡｌ合金であることが好ましく、３０００系Ａｌ合金、例えばＪＩＳ呼称Ａ３００３合金などがあげられる。又は、Ｍｇが０．４５質量％以上０．９質量％以下のＡｌ合金であることが好ましく、６０００系Ａｌ合金、例えばＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金であることが好ましい。ＪＩＳ呼称Ａ３００３合金は、具体的にはＳｉが０．６質量％以下、Ｆｅが０．７質量％以下、Ｃｕが０．０５質量％以上０．２質量％以下、Ｍｎが１．０質量％以上１．５質量％以下、Ｚｎが０．１質量％以下のＡｌ合金である。また、ＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金は、具体的にはＳｉが０．２質量％以上０．６質量％以下、Ｆｅが０．３５質量％以下、Ｃｕが０．１質量％以下、Ｍｎが０．１質量％以下、Ｍｇが０．４５質量％以上０．９質量％以下、Ｃｒが０．１質量％以下、Ｚｎが０．１質量％以下、Ｔｉが０．１質量％以下のＡｌ合金である。
【0031】
（４）支持体の製造方法
支持体の製造方法は、本発明の要件を満たす支持体を製造することができる方法であれば、特に限定されるものではない。
支持体を製造する方法としては、例えば、以下の４つの工程を含む方法が挙げられる。
・特定のＡｌ合金を準備する工程と、熱間押し出し加工を行って成型体を得る第一の工程
・第一の工程で得た成型体に、冷間引き抜きを施す第二の工程
・第二の工程後に焼鈍しを行う第三の工程
・焼鈍しを行った後に表面を切削する第四の工程
支持体の製造方法は、本発明の要件を満たす支持体を製造することができる方法であれば、特に限定されるものではない。
支持体を製造する方法としては、例えば、以下の４つの工程を含む方法が挙げられる。
・特定のＡｌ合金を準備する工程と、熱間押し出し加工を行って成型体を得る第一の工程
・第一の工程で得た成型体に、冷間引き抜きを施す第二の工程
・第二の工程後に焼鈍しを行う第三の工程
・焼鈍しを行った後に表面を切削する第四の工程
【0032】
焼鈍しによって結晶方位をコントロールする場合、昇温時間、焼鈍し温度、維持時間、冷却時間を調整することによって結晶方位をコントロールすることが可能である。
特に焼鈍しの温度を４０５～４５０℃とすることにより、｛１０１｝方位及び｛００１｝方位を有する結晶粒の面が表面に現れるような再結晶化が発生する。そのため、支持体の表面において｛１０１｝方位及び｛００１｝方位を有する結晶粒が占める面積の割合が増加する。
特に焼鈍しの温度を４０５～４５０℃とすることにより、｛１０１｝方位及び｛００１｝方位を有する結晶粒の面が表面に現れるような再結晶化が発生する。そのため、支持体の表面において｛１０１｝方位及び｛００１｝方位を有する結晶粒が占める面積の割合が増加する。
【0033】
さらに、昇温速度及び冷却速度によっても変化が起きるため、昇温速度は４０℃／分以下、降温速度は、支持体の温度が１５０℃になるまでの間、５℃／分以下になるようにコントロールすることが好ましい。
十分な再結晶化を起こすために維持時間は２時間以上とすることが好ましい。
十分な再結晶化を起こすために維持時間は２時間以上とすることが好ましい。
【0034】
また、結晶方位をコントロールするにあたり、熱履歴は重要であるため、上記の熱間押し出し加工、冷間引き抜きを施す工程を経たものを焼鈍しして使用することが好ましい。
【0035】
＜導電層＞
本発明において、支持体の上に、導電層を設けてもよい。導電層を設けることで、支持体表面の傷や凹凸を隠蔽することや、支持体表面における光の反射を制御することができる
導電層は、導電性粒子と、樹脂と、を含有することが好ましい。
本発明において、支持体の上に、導電層を設けてもよい。導電層を設けることで、支持体表面の傷や凹凸を隠蔽することや、支持体表面における光の反射を制御することができる
導電層は、導電性粒子と、樹脂と、を含有することが好ましい。
【0036】
導電性粒子の材質としては、金属酸化物、金属、カーボンブラックなどが挙げられる。
金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマスなどが挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などが挙げられる。
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましく、特に、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を用いることがより好ましい。
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤などで処理したり、金属酸化物にリンやアルミニウムなど元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。
また、導電性粒子は、芯材粒子と、その粒子を被覆する被覆層とを有する積層構成としてもよい。芯材粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛などが挙げられる。被覆層としては、酸化スズなどの金属酸化物が挙げられる。
また、導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、その体積平均粒径が、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることがより好ましい。
金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマスなどが挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などが挙げられる。
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましく、特に、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を用いることがより好ましい。
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤などで処理したり、金属酸化物にリンやアルミニウムなど元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。
また、導電性粒子は、芯材粒子と、その粒子を被覆する被覆層とを有する積層構成としてもよい。芯材粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛などが挙げられる。被覆層としては、酸化スズなどの金属酸化物が挙げられる。
また、導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、その体積平均粒径が、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0037】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタンなどの隠蔽剤などをさらに含有してもよい。
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタンなどの隠蔽剤などをさらに含有してもよい。
【0038】
導電層の膜厚は、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。
【0039】
導電層は、上述の各材料及び溶剤を含有する導電層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。導電層用塗布液中で導電性粒子を分散させるための分散方法としては、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。
【0040】
＜下引き層＞
本発明において、支持体又は導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。
下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。
本発明において、支持体又は導電層の上に、下引き層を設けてもよい。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。
下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。
【0041】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂などが挙げられる。
【0042】
重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、チオール基、カルボン酸無水物基、炭素－炭素二重結合基などが挙げられる。
【0043】
また、下引き層は、電気特性を高める目的で、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子などをさらに含有してもよい。これらの中でも、電子輸送物質、金属酸化物を用いることが好ましい。
【0044】
電子輸送物質としては、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン化合物、ベンゾフェノン化合物、シアノビニル化合物、ハロゲン化アリール化合物、シロール化合物、含ホウ素化合物などが挙げられる。電子輸送物質として、重合性官能基を有する電子輸送物質を用い、上述の重合性官能基を有するモノマーと共重合させることで、硬化膜として下引き層を形成してもよい。
【0045】
金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などが挙げられる。金属としては、金、銀、アルミニウムなどが挙げられる。
また、下引き層は、添加剤をさらに含有してもよい。
また、下引き層は、添加剤をさらに含有してもよい。
【0046】
下引き層の膜厚は、０．１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、０．３μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。
【0047】
下引き層は、上述の各材料及び溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
【0048】
＜感光層＞
電子写真感光体の感光層は、主に、（１）積層型感光層と、（２）単層型感光層とに分類される。（１）積層型感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、を有する。（２）単層型感光層は、電荷発生物質と電荷輸送物質を共に含有する感光層を有する。
電子写真感光体の感光層は、主に、（１）積層型感光層と、（２）単層型感光層とに分類される。（１）積層型感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、を有する。（２）単層型感光層は、電荷発生物質と電荷輸送物質を共に含有する感光層を有する。
【0049】
（１）積層型感光層
積層型感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層と、を有する。
積層型感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層と、を有する。
【0050】
（１－１）電荷発生層
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
【0051】
電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、フタロシアニン顔料などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン顔料、クロロガリウムフタロシアニン顔料、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が好ましい。
電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。
電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。
【0052】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。
【0053】
また、電荷発生層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤をさらに含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、などが挙げられる。
【0054】
電荷発生層の膜厚は、０．１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、０．１５μｍ以上０．４μｍ以下であることがより好ましい。
【0055】
電荷発生層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
【0056】
（１－２）電荷輸送層
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
【0057】
電荷輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。
【0058】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、４：１０～２０：１０が好ましく、５：１０～１２：１０がより好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、４：１０～２０：１０が好ましく、５：１０～１２：１０がより好ましい。
【0059】
また、電荷輸送層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
【0060】
電荷輸送層の膜厚は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。
【0061】
電荷輸送層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤又は芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。
【0062】
（２）単層型感光層
単層型感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂及び溶剤を含有する感光層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂としては、上記「（１）積層型感光層」における材料の例示と同様である。
単層型感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂及び溶剤を含有する感光層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂としては、上記「（１）積層型感光層」における材料の例示と同様である。
【0063】
＜保護層＞
本発明において、感光層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
保護層は、導電性粒子及び／又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。
本発明において、感光層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、耐久性を向上することができる。
保護層は、導電性粒子及び／又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。
【0064】
導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物の粒子が挙げられる。
電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
【0065】
また、保護層は、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として形成してもよい。その際の反応としては、熱重合反応、光重合反応、放射線重合反応などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、アクリロイル基、メタクリロイル基などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーとして、電荷輸送能を有する材料を用いてもよい。
【0066】
保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
【0067】
保護層の膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。
【0068】
保護層は、上述の各材料及び溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。
【0069】
［プロセスカートリッジ、電子写真装置］
本発明に係るプロセスカートリッジは、これまで述べてきた電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とする。
また、本発明に係る電子写真装置は、これまで述べてきた電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段、を有することを特徴とする。
本発明に係るプロセスカートリッジは、これまで述べてきた電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とする。
また、本発明に係る電子写真装置は、これまで述べてきた電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段、を有することを特徴とする。
【0070】
図３に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。
円筒状の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、帯電手段３により、正又は負の所定電位に帯電される。
なお、図においては、ローラー型帯電部材によるローラー帯電方式を示しているが、コロナ帯電方式、近接帯電方式、注入帯電方式などの帯電方式を採用してもよい。
帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写される。トナー像が転写された転写材７は、定着手段８へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、電子写真装置の外へプリントアウトされる。
電子写真装置は、転写後の電子写真感光体１の表面に残ったトナーなどの付着物を除去するための、クリーニング手段９を有していてもよい。また、クリーニング手段９を別途設けず、上記付着物を現像手段５などで除去する、所謂、クリーナーレスシステムを用いてもよい。
電子写真装置は、電子写真感光体１の表面を、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理する除電機構を有していてもよい。また、本発明に係るプロセスカートリッジ１１を電子写真装置本体に着脱するために、レールなどの案内手段１２を設けてもよい。
円筒状の電子写真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面は、帯電手段３により、正又は負の所定電位に帯電される。
なお、図においては、ローラー型帯電部材によるローラー帯電方式を示しているが、コロナ帯電方式、近接帯電方式、注入帯電方式などの帯電方式を採用してもよい。
帯電された電子写真感光体１の表面には、露光手段（不図示）から露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写される。トナー像が転写された転写材７は、定着手段８へ搬送され、トナー像の定着処理を受け、電子写真装置の外へプリントアウトされる。
電子写真装置は、転写後の電子写真感光体１の表面に残ったトナーなどの付着物を除去するための、クリーニング手段９を有していてもよい。また、クリーニング手段９を別途設けず、上記付着物を現像手段５などで除去する、所謂、クリーナーレスシステムを用いてもよい。
電子写真装置は、電子写真感光体１の表面を、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理する除電機構を有していてもよい。また、本発明に係るプロセスカートリッジ１１を電子写真装置本体に着脱するために、レールなどの案内手段１２を設けてもよい。
【0071】
本発明に係る電子写真感光体は、レーザービームプリンター、ＬＥＤプリンター、複写機、ファクシミリ、及び、これらの複合機などに用いることができる。
【実施例】
【0072】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。本発明は、その要旨を超えない限り、下記の実施例によって何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例の記載において、「部」とあるのは特に断りのない限り質量基準である。
【0073】
［支持体の製造］
以下の方法で、支持体の製造を行った。
以下の方法で、支持体の製造を行った。
【0074】
（支持体Ａ－１の製造例）
ＪＩＳ呼称Ａ３００３合金からなる熱間押出形成された押出し管を、冷間引き抜き加工して、外径３０．８ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの引き抜き管を得た。
次に、引き抜き管を電気炉に入れ、昇温速度１５℃／分で昇温後、４５０℃で２．５時間維持し、続いて引き抜き管が１５０℃になるまで２℃／分で冷却し、２４時間後に電気炉から取り出した。
焼鈍し後に表面の鏡面切削加工を行うことにより、外径３０．５ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの「支持体Ａ－１」を得た。支持体Ａ－１の製造条件を表１に示す。
用いた引き抜き管の元素分析を行ったところ、Ｓｉ：０．１６質量％、Ｆｅ：０．２質量％、Ｃｕ：０．０８質量％、Ｍｎ：１．３質量％、Ｚｎ：０．０２質量％、を含むＡｌ合金であった。
ＪＩＳ呼称Ａ３００３合金からなる熱間押出形成された押出し管を、冷間引き抜き加工して、外径３０．８ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの引き抜き管を得た。
次に、引き抜き管を電気炉に入れ、昇温速度１５℃／分で昇温後、４５０℃で２．５時間維持し、続いて引き抜き管が１５０℃になるまで２℃／分で冷却し、２４時間後に電気炉から取り出した。
焼鈍し後に表面の鏡面切削加工を行うことにより、外径３０．５ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの「支持体Ａ－１」を得た。支持体Ａ－１の製造条件を表１に示す。
用いた引き抜き管の元素分析を行ったところ、Ｓｉ：０．１６質量％、Ｆｅ：０．２質量％、Ｃｕ：０．０８質量％、Ｍｎ：１．３質量％、Ｚｎ：０．０２質量％、を含むＡｌ合金であった。
【0075】
（支持体Ａ－２～Ａ－９の製造例）
支持体Ａ－１の製造例において、同様の引き抜き管を用い、表１に示すように焼鈍しの条件を変更した以外は、支持体Ａ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ａ－２～支持体Ａ－９」とする。支持体Ａ－２～Ａ－９の製造条件を表１に示す。
支持体Ａ－１の製造例において、同様の引き抜き管を用い、表１に示すように焼鈍しの条件を変更した以外は、支持体Ａ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ａ－２～支持体Ａ－９」とする。支持体Ａ－２～Ａ－９の製造条件を表１に示す。
【0076】
（支持体Ｂ－１の製造例）
ＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金からなる熱間押出形成された押出し管を、冷間引き抜き加工して、外径３０．８ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの引き抜き管を得た。
次に、引き抜き管を電気炉に入れ、昇温速度１５℃／分で昇温後、４５０℃で２時間維持し、続いて引き抜き管が１５０℃になるまで２℃／分で冷却し、２４時間後に電気炉から取り出した。
焼鈍し後に表面の鏡面切削加工を行うことにより、外径３０．５ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの「支持体Ｂ－１」を得た。支持体Ｂ－１の製造条件を表１に示す。
用いた引き抜き管の元素分析を行うと、Ｓｉ：０．５質量％、Ｆｅ：０．３質量％、Ｃｕ：０．０７質量％、Ｍｎ：０．０８質量％以下、Ｍｇ：０．７質量％、Ｃｒ：０．０４質量％以上０．３５質量％以下、Ｚｎ：０．０８質量％以下、Ｔｉ：０．０６質量％を含むＡｌ合金であった。
ＪＩＳ呼称Ａ６０６３合金からなる熱間押出形成された押出し管を、冷間引き抜き加工して、外径３０．８ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの引き抜き管を得た。
次に、引き抜き管を電気炉に入れ、昇温速度１５℃／分で昇温後、４５０℃で２時間維持し、続いて引き抜き管が１５０℃になるまで２℃／分で冷却し、２４時間後に電気炉から取り出した。
焼鈍し後に表面の鏡面切削加工を行うことにより、外径３０．５ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの「支持体Ｂ－１」を得た。支持体Ｂ－１の製造条件を表１に示す。
用いた引き抜き管の元素分析を行うと、Ｓｉ：０．５質量％、Ｆｅ：０．３質量％、Ｃｕ：０．０７質量％、Ｍｎ：０．０８質量％以下、Ｍｇ：０．７質量％、Ｃｒ：０．０４質量％以上０．３５質量％以下、Ｚｎ：０．０８質量％以下、Ｔｉ：０．０６質量％を含むＡｌ合金であった。
【0077】
（支持体Ｂ－２及び支持体Ｂ－３の製造例）
支持体Ｂ－１の製造例において、同様の引き抜き管を用い、表１に示すように焼鈍しの条件を変更した以外は、支持体Ｂ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｂ－２及び支持体Ｂ－３」とする。支持体Ｂ－２及び支持体Ｂ－３の製造条件を表１に示す。
支持体Ｂ－１の製造例において、同様の引き抜き管を用い、表１に示すように焼鈍しの条件を変更した以外は、支持体Ｂ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｂ－２及び支持体Ｂ－３」とする。支持体Ｂ－２及び支持体Ｂ－３の製造条件を表１に示す。
【0078】
（支持体Ｃ－１～支持体Ｃ－１０の製造例）
支持体Ａ－１の製造例において、表１に示すように焼鈍し条件を変更した以外は、支持体Ａ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｃ－１～支持体Ｃ－１０」とする。支持体Ｃ－１～支持体Ｃ－１０の製造条件を表１に示す。
支持体Ａ－１の製造例において、表１に示すように焼鈍し条件を変更した以外は、支持体Ａ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｃ－１～支持体Ｃ－１０」とする。支持体Ｃ－１～支持体Ｃ－１０の製造条件を表１に示す。
【0079】
（支持体Ｃ－１１及び支持体Ｃ－１２の製造例）
マグネシウムを２．５質量％含有したＡｌ－Ｍｇ合金からなる外径３０．８ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの引き抜き管を用い、表１に示す条件で焼鈍しを行った。焼鈍し後に表面の鏡面切削加工を行うことにより、外径３０．５ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの「支持体Ｃ－１１及び支持体Ｃ－１２」を得た。支持体Ｃ－１１及び支持体Ｃ－１２の製造条件を表１に示す。
マグネシウムを２．５質量％含有したＡｌ－Ｍｇ合金からなる外径３０．８ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの引き抜き管を用い、表１に示す条件で焼鈍しを行った。焼鈍し後に表面の鏡面切削加工を行うことにより、外径３０．５ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ３７０ｍｍの「支持体Ｃ－１１及び支持体Ｃ－１２」を得た。支持体Ｃ－１１及び支持体Ｃ－１２の製造条件を表１に示す。
【0080】
（支持体Ｃ－１３及び支持体Ｃ－１４の製造例）
支持体Ａ－１の製造例において、表１に示すように焼鈍し条件を変更した以外は、支持体Ａ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｃ－１３及び支持体Ｃ－１４」とする。支持体Ｃ－１３及び支持体Ｃ－１４の製造条件を表１に示す。
支持体Ａ－１の製造例において、表１に示すように焼鈍し条件を変更した以外は、支持体Ａ－１の製造例と同様にして支持体を製造した。得られた支持体を「支持体Ｃ－１３及び支持体Ｃ－１４」とする。支持体Ｃ－１３及び支持体Ｃ－１４の製造条件を表１に示す。
【0081】
【表1】
【0082】
＜電子写真感光体の製造＞
（感光体Ａ－１の製造例）
支持体Ａ－１をｐＨ１０．５のアルカリ液中で超音波洗浄した後に、純水を用いて洗浄し、最後に９５℃の熱水に６０秒浸漬させたものを支持体として用いた。
次に、金属酸化物として酸化亜鉛粒子（比表面積：１９ｍ２／ｇ、粉体抵抗：３．６×１０６Ω・ｃｍ）１００部をトルエン５００部と撹拌混合し、これにシランカップリング剤０．８部を添加し、６時間攪拌した。用いたシランカップリング剤は、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ６０２、信越化学工業製）である。その後、トルエンを減圧留去して、１３０℃で６時間加熱乾燥し、表面処理された酸化亜鉛粒子を得た。
（感光体Ａ－１の製造例）
支持体Ａ－１をｐＨ１０．５のアルカリ液中で超音波洗浄した後に、純水を用いて洗浄し、最後に９５℃の熱水に６０秒浸漬させたものを支持体として用いた。
次に、金属酸化物として酸化亜鉛粒子（比表面積：１９ｍ２／ｇ、粉体抵抗：３．６×１０６Ω・ｃｍ）１００部をトルエン５００部と撹拌混合し、これにシランカップリング剤０．８部を添加し、６時間攪拌した。用いたシランカップリング剤は、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン（商品名：ＫＢＭ６０２、信越化学工業製）である。その後、トルエンを減圧留去して、１３０℃で６時間加熱乾燥し、表面処理された酸化亜鉛粒子を得た。
【0083】
次に、以下の材料を用意した。
・ポリオール樹脂としてブチラール樹脂（商品名：ＢＭ－１、積水化学工業（株）製）１５部
・ブロック化イソシアネート（商品名：スミジュール３１７５、住化バイエルウレタン社製）１５部
これらをメチルエチルケトン７３．５部と１－ブタノール７３．５部の混合溶液に溶解させた。この溶液に上記表面処理された酸化亜鉛粒子８０．８部、２，３，４－トリヒドロキシベンゾフェノン０．８部（東京化成工業（株）製）を加え、これを直径０．８ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２３±３℃雰囲気下で３時間分散した。
次に、以下の材料を用意した。
・シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）０．０１部
・架橋ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子（商品名：ＴＥＣＨＰＯＬＹＭＥＲ ＳＳＸ－１０２、積水化成品工業（株）製、平均一次粒径２．５μｍ）５．６部
これらを、上記の分散後の溶液に加えて攪拌し、下引き層用塗布液を調製した。
この下引き層用塗布液を上記支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で乾燥させて、膜厚が１８μｍの下引き層を形成した。
・ポリオール樹脂としてブチラール樹脂（商品名：ＢＭ－１、積水化学工業（株）製）１５部
・ブロック化イソシアネート（商品名：スミジュール３１７５、住化バイエルウレタン社製）１５部
これらをメチルエチルケトン７３．５部と１－ブタノール７３．５部の混合溶液に溶解させた。この溶液に上記表面処理された酸化亜鉛粒子８０．８部、２，３，４－トリヒドロキシベンゾフェノン０．８部（東京化成工業（株）製）を加え、これを直径０．８ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２３±３℃雰囲気下で３時間分散した。
次に、以下の材料を用意した。
・シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レダウコーニングシリコーン社製）０．０１部
・架橋ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子（商品名：ＴＥＣＨＰＯＬＹＭＥＲ ＳＳＸ－１０２、積水化成品工業（株）製、平均一次粒径２．５μｍ）５．６部
これらを、上記の分散後の溶液に加えて攪拌し、下引き層用塗布液を調製した。
この下引き層用塗布液を上記支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で乾燥させて、膜厚が１８μｍの下引き層を形成した。
【0084】
次に、以下の材料を用意した。
・ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°及び２８．２°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）２０部
・下記式（Ａ）で示されるカリックスアレーン化合物０．２部、
・ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ－１、積水化学工業（株）製）１０部
・シクロヘキサノン６００部
これらを、直径１ｍｍガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７００部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１５分間８０℃で乾燥させることによって、膜厚０．１７μｍの電荷発生層を形成した。
・ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°の７．４°及び２８．２°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）２０部
・下記式（Ａ）で示されるカリックスアレーン化合物０．２部、
【化1】
・シクロヘキサノン６００部
これらを、直径１ｍｍガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、４時間分散処理した。その後、酢酸エチル７００部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１５分間８０℃で乾燥させることによって、膜厚０．１７μｍの電荷発生層を形成した。
【0085】
次に、以下の材料を用意した。
・下記式（Ｂ）で示される化合物３０部（電荷輸送物質）
・下記式（Ｃ）で示される化合物６０部（電荷輸送物質）
・下記式（Ｄ）で示される化合物１０部（電荷輸送物質）
・ポリカーボネート樹脂（商品名：ユーピロンＺ４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製、ビスフェノールＺ型のポリカーボネート）１００部
・下記式（Ｅ－１）と下記式（Ｅ－２）の共重合ユニットを有するポリカーボネート（ｘ／ｙ=０．９５／０．０５：粘度平均分子量Ｍｖ：２００００）０．０２部
これらを、混合キシレン６００部及びジメトキシメタン２００部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を上記電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を３０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成した。
・下記式（Ｂ）で示される化合物３０部（電荷輸送物質）
・下記式（Ｃ）で示される化合物６０部（電荷輸送物質）
・下記式（Ｄ）で示される化合物１０部（電荷輸送物質）
【化2】
・下記式（Ｅ－１）と下記式（Ｅ－２）の共重合ユニットを有するポリカーボネート（ｘ／ｙ=０．９５／０．０５：粘度平均分子量Ｍｖ：２００００）０．０２部
【化3】
【化4】
【0086】
次に、１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン（商品名：ゼオローラＨ、日本ゼオン（株）製）２０部／１－プロパノール２０部の混合溶剤を、ポリフロンフィルター（商品名：ＰＦ－０４０、アドバンテック東洋（株）製）で濾過した。
また、以下の材料を用意した。
・下記式（Ｆ）で示される正孔輸送性化合物９０部
・１，１，２，２，３，３，４－ヘプタフルオロシクロペンタン７０部
・１－プロパノール７０部
これらを上記混合溶剤に加えた。これをポリフロンフィルター（商品名：ＰＦ－０２０、アドバンテック東洋製）で濾過することによって、第二電荷輸送層（保護層）用塗布液を調製した。この第二電荷輸送層用塗布液を電荷輸送層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を大気中において６分間５０℃で乾燥させた。その後、窒素中において、支持体（被照射体）を２００ｒｐｍで回転させながら、加速電圧７０ｋＶ、吸収線量８０００Ｇｙの条件で１．６秒間、電子線を塗膜に照射した。引き続いて、窒素中において２５℃から１２５℃まで３０秒かけて昇温させ、塗膜の加熱を行った。電子線照射及びその後の加熱時の雰囲気の酸素濃度は１５ｐｐｍであった。次に、大気中において３０分間１００℃で加熱処理を行うことによって、電子線により硬化された膜厚５μｍの第二電荷輸送層（保護層）を形成した。
また、以下の材料を用意した。
・下記式（Ｆ）で示される正孔輸送性化合物９０部
【化5】
・１－プロパノール７０部
これらを上記混合溶剤に加えた。これをポリフロンフィルター（商品名：ＰＦ－０２０、アドバンテック東洋製）で濾過することによって、第二電荷輸送層（保護層）用塗布液を調製した。この第二電荷輸送層用塗布液を電荷輸送層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を大気中において６分間５０℃で乾燥させた。その後、窒素中において、支持体（被照射体）を２００ｒｐｍで回転させながら、加速電圧７０ｋＶ、吸収線量８０００Ｇｙの条件で１．６秒間、電子線を塗膜に照射した。引き続いて、窒素中において２５℃から１２５℃まで３０秒かけて昇温させ、塗膜の加熱を行った。電子線照射及びその後の加熱時の雰囲気の酸素濃度は１５ｐｐｍであった。次に、大気中において３０分間１００℃で加熱処理を行うことによって、電子線により硬化された膜厚５μｍの第二電荷輸送層（保護層）を形成した。
【0087】
次に、研磨シート（商品名：ＧＣ３０００、理研コランダム製）を用いて保護層の表面に線状溝を形成した。研磨シートの送りスピードは４０ｍｍ／分とし、被加工物の回転数は２４０ｒｐｍとし、被加工物に対する研磨シート押し当て圧は７．５Ｎ／ｍ２とした。研磨シートの送り方向と被加工物の回転方向は同方向とした。また、外径４０ｃｍ、アスカーＣ硬度４０のバックアップローラーを用いた。これらの条件で、１０秒間かけて、被加工物の周面に線状溝を形成した。
このようにして、感光体Ａ－１を製造した。
このようにして、感光体Ａ－１を製造した。
【0088】
（感光体Ａ－２～感光体Ａ－９、感光体Ｂ－１～感光体Ｂ－３、感光体Ｃ－１～感光体Ｃ－１４の製造例）
表２に示す支持体を用いた以外はすべて感光体Ａ－１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体Ａ－２～感光体Ａ－９、感光体Ｂ－１～感光体Ｂ－３、感光体Ｃ－１～感光体Ｃ－１４」とする。
表２に示す支持体を用いた以外はすべて感光体Ａ－１と同様にして電子写真感光体を製造した。得られた電子写真感光体を「感光体Ａ－２～感光体Ａ－９、感光体Ｂ－１～感光体Ｂ－３、感光体Ｃ－１～感光体Ｃ－１４」とする。
【0089】
［電位評価］
感光体Ａ－１を２本用意し、１本は２３℃／５０％ＲＨ環境下、もう１本は４５℃／９５％環境に６０日間保管した。
電子写真感光体の表面電位の測定は、評価装置（品名： ｉｍａｇｅＰＲＥＳＳ Ｃ９１０、キヤノン（株）製）から現像用カートリッジを抜き取り、そこに電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ－８、トレック社製）をセットし、表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック社製）を使用して行った。プローブの位置は、電子写真感光体の軸方向における中央位置とした。
初めに、３０℃／８０％ＲＨ環境下において、上記した２本のうちの２３℃／５０％ＲＨ環境下で保管した電子写真感光体の暗部電位（Ｖｄ）が－６００Ｖになるように調整した。次に、露光装置の露光光量が０．２５μJ／ｃｍ２になるように調整した。
明部電位の測定は、電子写真感光体の軸方向中央位置で、サンプリングレート１μｓで行った。その後、電子写真感光体１周中の平均値を算出し、これを初期電位とした。次に、現像用カートリッジを元に戻し、評価装置で自動階調補正を行った後にＡ３全面ハーフトーン画像を連続３,０００枚印刷した。その後、再び電位プローブをセットし、上記した初期電位の測定と同様の方法で電子写真感光体１周中の平均値を算出し、これを耐久後電位とした。（耐久後電位－初期電位）を算出し、その平均値を２３℃／５０％ＲＨ環境下で保管したものの短期電位変動値（ＮΔＶＬ）として算出した。
さらに、上記した２本のうちの４５℃／９５％ＲＨ環境下で保管した電子写真感光体を用いた以外はすべて（ＮΔＶＬ）と同様の測定を行い、４５℃／９５％ＲＨ環境下で保存したものの短期電位変動値（ＨΔＶＬ）として算出した。（ＮΔＶＬ）又は（ＨΔＶＬ）のうち、どちらか大きいほうを変動最大値とした。
最後に（ＮΔＶＬ）－（ＨΔＶＬ）の絶対値を算出して保管環境による差分を求めた。
感光体Ａ－１を２本用意し、１本は２３℃／５０％ＲＨ環境下、もう１本は４５℃／９５％環境に６０日間保管した。
電子写真感光体の表面電位の測定は、評価装置（品名： ｉｍａｇｅＰＲＥＳＳ Ｃ９１０、キヤノン（株）製）から現像用カートリッジを抜き取り、そこに電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ－８、トレック社製）をセットし、表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック社製）を使用して行った。プローブの位置は、電子写真感光体の軸方向における中央位置とした。
初めに、３０℃／８０％ＲＨ環境下において、上記した２本のうちの２３℃／５０％ＲＨ環境下で保管した電子写真感光体の暗部電位（Ｖｄ）が－６００Ｖになるように調整した。次に、露光装置の露光光量が０．２５μJ／ｃｍ２になるように調整した。
明部電位の測定は、電子写真感光体の軸方向中央位置で、サンプリングレート１μｓで行った。その後、電子写真感光体１周中の平均値を算出し、これを初期電位とした。次に、現像用カートリッジを元に戻し、評価装置で自動階調補正を行った後にＡ３全面ハーフトーン画像を連続３,０００枚印刷した。その後、再び電位プローブをセットし、上記した初期電位の測定と同様の方法で電子写真感光体１周中の平均値を算出し、これを耐久後電位とした。（耐久後電位－初期電位）を算出し、その平均値を２３℃／５０％ＲＨ環境下で保管したものの短期電位変動値（ＮΔＶＬ）として算出した。
さらに、上記した２本のうちの４５℃／９５％ＲＨ環境下で保管した電子写真感光体を用いた以外はすべて（ＮΔＶＬ）と同様の測定を行い、４５℃／９５％ＲＨ環境下で保存したものの短期電位変動値（ＨΔＶＬ）として算出した。（ＮΔＶＬ）又は（ＨΔＶＬ）のうち、どちらか大きいほうを変動最大値とした。
最後に（ＮΔＶＬ）－（ＨΔＶＬ）の絶対値を算出して保管環境による差分を求めた。
【0090】
以下のようにランク付けした。
変動最大値
Ａ：５Ｖ以下
Ｂ：６Ｖ以上１０Ｖ以下
Ｃ（従来品同等）：１１Ｖ以上
（ＮΔＶＬ）－（ＨΔＶＬ）の絶対値（保管環境差分）
Ａ：３Ｖ未満
Ｂ：３Ｖ以上４Ｖ以下
Ｃ：５Ｖ以上
結果を表２に示す。
変動最大値
Ａ：５Ｖ以下
Ｂ：６Ｖ以上１０Ｖ以下
Ｃ（従来品同等）：１１Ｖ以上
（ＮΔＶＬ）－（ＨΔＶＬ）の絶対値（保管環境差分）
Ａ：３Ｖ未満
Ｂ：３Ｖ以上４Ｖ以下
Ｃ：５Ｖ以上
結果を表２に示す。
【0091】
［結晶方位］
支持体のどちらか一方の端から軸方向に全長の１／８、２／８、３／８、４／８、５／８、６／８、７／８にあたる位置を決める。さらにそれぞれの位置において周方向に９０°ずつ４分割する。軸方向の分割線と周方向の分割線が交わる２８点それぞれにおいて、軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるように１０ｍｍ四方の断片を切り出す。研磨シートで保護層を除去した後、メチルエチルケトンを用いて感光層を除去した。その後、バフ研磨によって支持体表面の露出、鏡面仕上げを行った。次に水酸化ナトリウム水溶液に１分浸漬させて処理して結晶方位観察用のサンプルを得た。
得られたサンプルの表面の中央つまり、前記した支持体の軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるようにした１００μｍ四方の領域についてＳＥＭ－ＥＢＳＰ法により観察し、各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合を算出した。結果を表２に示す。
支持体のどちらか一方の端から軸方向に全長の１／８、２／８、３／８、４／８、５／８、６／８、７／８にあたる位置を決める。さらにそれぞれの位置において周方向に９０°ずつ４分割する。軸方向の分割線と周方向の分割線が交わる２８点それぞれにおいて、軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるように１０ｍｍ四方の断片を切り出す。研磨シートで保護層を除去した後、メチルエチルケトンを用いて感光層を除去した。その後、バフ研磨によって支持体表面の露出、鏡面仕上げを行った。次に水酸化ナトリウム水溶液に１分浸漬させて処理して結晶方位観察用のサンプルを得た。
得られたサンプルの表面の中央つまり、前記した支持体の軸方向の分割線と周方向の分割線の交点が中心になるようにした１００μｍ四方の領域についてＳＥＭ－ＥＢＳＰ法により観察し、各結晶方位を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合を算出した。結果を表２に示す。
【0092】
【表2】
【0093】
本実施形態の開示は以下の構成を含む。
（構成１）
円筒状の支持体及び感光層を有する電子写真感光体であって、
該支持体の表面が、Ａｌ及び／又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４／６を超え、６／４未満
であることを特徴とする電子写真感光体。
（構成２）
前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４１／５９以上、５９／４１以下である構成１に記載の電子写真感光体。
（構成３）
前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４５／５５以上、５５／４５以下である構成１に記載の電子写真感光体。
（構成４）
前記支持体の表面の全面積に対する前記（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が５％以下である構成１～３のいずれか１の構成に記載の電子写真感光体。
（構成５）
前記支持体の表面が、Ｃｕが０．０５質量％以上０．２質量％以下、Ｍｎが１．０質量％以上１．５質量％のＡｌ合金で形成されたる構成１～４のいずれか１の構成に記載の電子写真感光体。
（構成６）
前記支持体の表面が、Ｓｉが０．２質量％以上０．６質量％以下、Ｍｇが０．４５質量％以上０．９質量％以下のＡｌ合金で形成されたる構成１～５のいずれか１の構成に記載の電子写真感光体。
（構成７）
構成１～６のいずれか１の構成に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
（構成８）
構成１～６のいずれか１の構成に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段を有する電子写真装置。
（構成１）
円筒状の支持体及び感光層を有する電子写真感光体であって、
該支持体の表面が、Ａｌ及び／又はＡｌ合金で形成されており、
該支持体の表面は、
（α）｛００１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（β）｛１０１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
（γ）｛１１１｝方位－１５°以上＋１５°未満の面
を有するＡｌの結晶粒からなり、該支持体の表面の全面積に対する該（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が１０％以下であり、該（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、該（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４／６を超え、６／４未満
であることを特徴とする電子写真感光体。
（構成２）
前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４１／５９以上、５９／４１以下である構成１に記載の電子写真感光体。
（構成３）
前記（α）を有するＡｌの結晶粒が占める面積と、前記（β）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の比の値が４５／５５以上、５５／４５以下である構成１に記載の電子写真感光体。
（構成４）
前記支持体の表面の全面積に対する前記（γ）を有するＡｌの結晶粒が占める面積の割合が５％以下である構成１～３のいずれか１の構成に記載の電子写真感光体。
（構成５）
前記支持体の表面が、Ｃｕが０．０５質量％以上０．２質量％以下、Ｍｎが１．０質量％以上１．５質量％のＡｌ合金で形成されたる構成１～４のいずれか１の構成に記載の電子写真感光体。
（構成６）
前記支持体の表面が、Ｓｉが０．２質量％以上０．６質量％以下、Ｍｇが０．４５質量％以上０．９質量％以下のＡｌ合金で形成されたる構成１～５のいずれか１の構成に記載の電子写真感光体。
（構成７）
構成１～６のいずれか１の構成に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置の本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
（構成８）
構成１～６のいずれか１の構成に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段、及び転写手段を有する電子写真装置。
【符号の説明】
【0094】
１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段
【図1】
【図2】
【図3】
