特許 7478782 プリント回路基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-24

(45)【発行日】2024-05-07

(54)【発明の名称】プリント回路基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240425BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240425BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240425BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20240425BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 F

H05K1/02 J

H05K3/46 N

H05K3/46 B

H05K3/28 B

H05K3/46 Q

【請求項の数】 31

(21)【出願番号】P 2022139305

(22)【出願日】2022-09-01

(65)【公開番号】P2023079160

(43)【公開日】2023-06-07

【審査請求日】2022-09-01

(31)【優先権主張番号】10-2021-0165240

(32)【優先日】2021-11-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000051

【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】金 相 勳

(72)【発明者】

【氏名】高 永 國

(72)【発明者】

【氏名】金 圭 默

(72)【発明者】

【氏名】金 海 星

(72)【発明者】

【氏名】黄 致 元

(72)【発明者】

【氏名】洪 錫 昌

【審査官】豊島 洋介

(56)【参考文献】

【文献】特開平０５－２８３８５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０１７２１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０３４０５９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ２１／４４７－２１／４４９

Ｈ０１Ｌ２１／６０ －２１／６０７

Ｈ０１Ｌ２３／１２ －２３／１５

Ｈ０５Ｋ １／００ － １／０２

Ｈ０５Ｋ １／１８

Ｈ０５Ｋ ３／２８

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置される複数のパッドと、
前記第１絶縁層上に配置されて、前記複数のパッドのそれぞれの側面をカバーし、且つ前記複数のパッドのそれぞれの上面上には配置されない複数の絶縁壁と、を備え、
前記複数の絶縁壁は、前記第１絶縁層上で互いに離隔して配置され、前記第１絶縁層に境界線なしに一体化されることを特徴とするプリント回路基板。

【請求項2】

前記複数の絶縁壁の間には、リセスが存在することを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記リセスは、前記第１絶縁層の上面の少なくとも一部をオープンさせることを特徴とする請求項２に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記複数の絶縁壁は、前記第１絶縁層と同じ絶縁材料を含むことを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記複数の絶縁壁のそれぞれは、前記複数のパッドのそれぞれの側面に直接接触し、前記複数のパッドのそれぞれの上面から離隔されることを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記複数の絶縁壁のそれぞれは、内部に前記複数のパッドのそれぞれが配置されて前記複数のパッドのそれぞれの上面を全体的にオープンさせる複数のキャビティを有することを特徴とする請求項５に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

前記複数の絶縁壁のそれぞれは、平面上において、前記複数のパッドのそれぞれの側面を連続的に囲むことを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記複数のパッドのうちの少なくとも一つは、平面上において、いずれか一方向への長さがこれに垂直な他のいずれか一方向への長さよりも長いことを特徴とする請求項７に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記第１絶縁層の前記複数のパッドが配置される面の反対側の面上に配置される第１配線層と、
前記第１絶縁層を貫通して前記複数のパッドを前記第１配線層にそれぞれ電気的に連結する複数の接続ビアと、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

前記複数の接続ビアは、断面上において、それぞれ前記複数のパッドに接続する面の幅が前記第１配線層に接続する面の幅よりも狭いテーパ形状を有することを特徴とする請求項９に記載のプリント回路基板。

【請求項11】

前記第１絶縁層の前記第１配線層が配置される面上に配置されて前記第１配線層の少なくとも一部を埋め込む第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の前記第１配線層が埋め込まれた面の反対側の面上に配置される第２配線層と、
前記第２絶縁層を貫通して前記第１配線層及び前記第２配線層のそれぞれの少なくとも一部を電気的に連結するビア層と、を更に含むことを特徴とする請求項９に記載のプリント回路基板。

【請求項12】

前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とは、互いに異なる絶縁材料を含むことを特徴とする請求項１１に記載のプリント回路基板。

【請求項13】

前記第１絶縁層上に配置されて、少なくとも一つの第１接続部材を介して前記複数のパッドのうちの少なくとも一つに電気的に連結される少なくとも一つの接続端子を含む電子部品を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項14】

前記複数のパッドは、複数の第１パッド及び複数の第２パッドを含み、
前記複数の第１パッドは、前記第１絶縁層上のセンター領域に配置され、
前記複数の第２パッドは、前記第１絶縁層上のサイド領域に配置されることを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項15】

前記第２パッドのそれぞれの幅は、断面上において、前記第１パッドのそれぞれの幅よりも大きいことを特徴とする請求項１４に記載のプリント回路基板。

【請求項16】

前記複数の絶縁壁のうちの少なくとも一つの上に配置されて、前記複数の第２パッドのうちの少なくとも一つの上面の少なくとも一部をオープンさせる少なくとも一つの開口を有するパッシベーション層を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載のプリント回路基板。

【請求項17】

前記パッシベーション層の少なくとも一部は、前記複数の絶縁壁の間の領域のうちの少なくとも一部に延長して配置されることを特徴とする請求項１６に記載のプリント回路基板。

【請求項18】

前記第１絶縁層上に配置されて、少なくとも一つの第１接続部材を介して前記複数の第１パッドのうちの少なくとも一つに電気的に連結される少なくとも一つの接続端子を含む電子部品と、
前記電子部品上に配置されて、少なくとも一つの第２接続部材を介して前記複数の第２パッドのうちの少なくとも一つに電気的に連結される少なくとも一つの接続パッドを含む配線基板と、を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載のプリント回路基板。

【請求項19】

前記第１絶縁層上に配置されて、センター領域に配置される少なくとも一つの第１接続パッド及びサイド領域に配置される少なくとも一つの第２接続パッドを含む配線基板と、
前記第１絶縁層と前記配線基板との間に配置されて、少なくとも一つの接続端子が配置される第１面及び前記第１面に対向する第２面を有する電子部品と、を更に含み、
前記配線基板の少なくとも一つの第１及び第２接続パッドは、少なくとも一つの第１及び第２接続部材を介して前記電子部品の少なくとも一つの接続端子及び前記複数の第２パッドのうちの少なくとも一つにそれぞれ電気的に連結され、
前記複数の第１パッドのうちの少なくとも一つは、前記電子部品の第２面に連結されることを特徴とする請求項１４に記載のプリント回路基板。

【請求項20】

複数のパッドと、
前記複数のパッドのそれぞれの側面をカバーする複数の絶縁壁を含み、前記複数のパッドのうちの少なくとも一部の間に配置されて前記複数の絶縁壁の間にリセスを有し、前記複数のパッドのそれぞれの下面をカバーする絶縁層と、を備え、
前記絶縁層の上面は、前記複数のパッドのそれぞれの上面と実質的に同じレベルに配置されるか、又は前記複数のパッドのそれぞれの上面よりも上部に配置され、
前記複数の絶縁壁は、前記絶縁層に境界線なしに一体化されることを特徴とするプリント回路基板。

【請求項21】

前記複数のパッドのうちの少なくとも一つの上面上に配置され、ニッケル（Ｎｉ）層及び金（Ａｕ）層のうちの少なくとも一つを含む少なくとも一つの表面処理層を更に含むことを特徴とする請求項２０に記載のプリント回路基板。

【請求項22】

前記表面処理層は、前記複数のパッドのうちの少なくとも一つの上面を全体的にカバーすることを特徴とする請求項２１に記載のプリント回路基板。

【請求項23】

複数のパッドと、
前記複数のパッドのそれぞれの側面をカバーする複数の絶縁壁を含み、前記複数のパッドのそれぞれの下面をカバーし、前記複数のパッドのそれぞれの上面をカバーしない絶縁層と、
前記複数のパッドのうちの少なくとも一つの上面上に配置される少なくとも一つの表面処理層と、を備え、
前記絶縁層の上面は、前記複数のパッドのそれぞれの上面と実質的に同じレベルに配置されるか、又は前記複数のパッドのそれぞれの上面よりも上部に配置され、
前記複数の絶縁壁は、前記絶縁層に境界線なしに一体化されることを特徴とするプリント回路基板。

【請求項24】

前記表面処理層は、ニッケル（Ｎｉ）層及び金（Ａｕ）層のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２３に記載のプリント回路基板。

【請求項25】

キャリア基板上に複数のパッド及び導体パターンを形成する段階と、
前記キャリア基板上に前記複数のパッド及び前記導体パターンのそれぞれの少なくとも一部を埋め込む絶縁層を形成する段階と、
前記キャリア基板を除去する段階と、
前記導体パターンを除去して前記絶縁層にリセスを形成する段階と、を有することを特徴とするプリント回路基板の製造方法。

【請求項26】

前記リセスを形成する段階は、
前記絶縁層上にドライフィルムを配置する段階と、
前記ドライフィルムをパターニングする段階と、
前記パターニングされたドライフィルムを用いて前記導体パターンをエッチングしてリセスを形成する段階と、
前記パターニングされたドライフィルムを除去する段階と、を含むことを特徴とする請求項２５に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項27】

前記リセスを形成する段階の前に、
前記絶縁層上にパッシベーション層を形成する段階と、
前記パッシベーション層をパターニングする段階と、を更に含むことを特徴とする請求項２５に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項28】

前記リセスを形成する段階の後に、
前記絶縁層上にパッシベーション層を形成する段階と、
前記パッシベーション層をパターニングする段階と、を更に含み、
前記パッシベーション層の少なくとも一部は、前記リセスの少なくとも一部にも形成されることを特徴とする請求項２５に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項29】

前記キャリア基板の少なくとも一面には、金属層が配置され、
前記複数のパッド、前記導体パターン、及び前記絶縁層は、前記金属層上に配置され、
前記キャリア基板を除去する段階の後に、前記金属層をエッチングする段階を更に含むことを特徴とする請求項２５に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項30】

前記金属層は、銅（Ｃｕ）層、及び前記銅（Ｃｕ）層上に配置されて銅（Ｃｕ）とはエッチング性の異なる金属を含むバリア層を含み、
前記金属層をエッチングする段階は、
前記銅（Ｃｕ）層をエッチングする段階と、
前記バリア層をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項２９に記載のプリント回路基板の製造方法。

【請求項31】

前記リセスを形成する段階の後に、前記複数のパッドのうちの少なくとも一つの上面に表面処理層を形成する段階を更に含み、
前記表面処理層は、ニッケル（Ｎｉ）層及び金（Ａｕ）層のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２５に記載のプリント回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、プリント回路基板、より詳細には、電子部品の実装及び／又は内蔵が可能なプリント回路基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

一般に、高性能半導体ダイは、高密度実装のためにフリップチップ実装方式を使用する。このとき、半導体の微細化及び高性能化に伴いフリップチップ実装のための接続端子も持続的にその間隔が狭くなる。従って、基板の半田レジストオープンサイズ及びその精度、半田バンプの形成難易度、並びにダイの半田接合におけるブリッジショート難易度などが持続的に高まっている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－８７７２３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ブリッジショートリスクを減少させるプリント回路基板及びその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明を通じて提案するいくつかの解決手段の一つは、ダイの実装のために提供されるパッドの側面を絶縁壁で囲む構造を作り、フリップチップダイの組立時にブリッジショートリスク等を減少させ、且つ信頼性を向上させることにある。

【0006】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるプリント回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に配置される複数のパッドと、前記第１絶縁層上に配置されて、前記複数のパッドのそれぞれの側面をカバーし、且つ前記複数のパッドのそれぞれの上面上には配置されない複数の絶縁壁と、を備え、前記複数の絶縁壁は、前記第１絶縁層上で互いに離隔して配置される。

【0007】

上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様によるプリント回路基板は、複数のパッドと、前記複数のパッドのそれぞれの下面及び側面をカバーし、前記複数のパッドのうちの少なくとも一部の間に配置されるリセスを有する絶縁層と、を備え、前記絶縁層の上面は、前記複数のパッドのそれぞれの上面と実質的に同じレベルに配置されるか、又は前記複数のパッドのそれぞれの上面よりも上部に配置される。

【0008】

上記目的を達成するためになされた本発明の更に他の態様によるプリント回路基板は、複数のパッドと、前記複数のパッドのそれぞれの下面及び側面をカバーし、且つ前記複数のパッドのそれぞれの上面をカバーしない絶縁層と、前記複数のパッドのうちの少なくとも一つの上面上に配置される少なくとも一つの表面処理層と、を備え、前記絶縁層の上面は、前記複数のパッドのそれぞれの上面と実質的に同じレベルに配置されるか、又は前記複数のパッドのそれぞれの上面よりも上部に配置される。

【0009】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるプリント回路基板の製造方法は、キャリア基板上に複数のパッド及び導体パターンを形成する段階と、前記キャリア基板上に前記複数のパッド及び前記導体パターンのそれぞれの少なくとも一部を埋め込む絶縁層を形成する段階と、前記キャリア基板を除去する段階と、前記導体パターンを除去して前記絶縁層にリセスを形成する段階と、を有する。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、製造が容易で、ブリッジショートリスクを減少させ、信頼性を向上させることができるプリント回路基板及びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】電子機器システムの一例を概略的に示すブロック図である。

【図2】電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【図3】プリント回路基板の第１例を概略的に示す断面図である。

【図4】図３のプリント回路基板の概略的なトップビューにおける平面図である。

【図5】プリント回路基板の第２例を概略的に示す断面図である。

【図6】プリント回路基板の第３例を概略的に示す断面図である。

【図7】プリント回路基板の第４例を概略的に示す断面図である。

【図8】プリント回路基板の第５例を概略的に示す断面図である。

【図9a】図８のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図9b】図８のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図9c】図８のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図9d】図８のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図9e】図８のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図9f】図８のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図9g】図８のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図9h】図８のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図10】図８のプリント回路基板の第１変形例を概略的に示す断面図である。

【図11】図８のプリント回路基板の第２変形例を概略的に示す断面図である。

【図12】プリント回路基板の第６例を概略的に示す断面図である。

【図13a】図１２のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図13b】図１２のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図13c】図１２のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図13d】図１２のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図13e】図１２のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図13f】図１２のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図13g】図１２のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図13h】図１２のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図14】図１２のプリント回路基板の第１変形例を概略的に示す断面図である。

【図15】図１２のプリント回路基板の第２変形例を概略的に示す断面図である。

【図16】プリント回路基板の第７例を概略的に示す断面図である。

【図17a】図１６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図17b】図１６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図17c】図１６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図17d】図１６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図17e】図１６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図17f】図１６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図17g】図１６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図17h】図１６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【図18】図１６のプリント回路基板の変形例を概略的に示す断面図である。

【図19】複数のパッド及び複数の絶縁壁の様々な形状を概略的に示すトップビューにおける平面図である。

【図20】複数のパッド及び複数の絶縁壁の様々な形状を概略的に示すトップビューにおける平面図である。

【図21】複数のパッド及び複数の絶縁壁の様々な形状を概略的に示すトップビューにおける平面図である。

【図22】複数のパッド及び複数の絶縁壁の様々な形状を概略的に示すトップビューにおける平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張又は縮小する。

【0013】

＜電子機器＞

【0014】

図１は、電子機器システムの一例を概略的に示すブロック図である。図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０が物理的及び／又は電気的に連結される。これらは、後述する他の電子部品とも結合されて様々な信号ライン１０９０を形成する。

【0015】

チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップ；セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップ；アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも他の形態のチップ関連電子部品が含まれ得ることは言うまでもない。また、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせることができることは勿論である。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージの形態である。

【0016】

ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリーなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ８０２．１６ファミリーなど）、ＩＥＥＥ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ（登録商標）、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ（登録商標）、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定される任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これ以外にも他の多数の無線又は有線標準やプロトコルのうちの任意のものが含まれる。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０と併せて互いに組み合わせることができることは言うまでもない。

【0017】

その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）Ｆｉｔｅｒ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも他の様々な用途のために使用されるチップ部品形態の受動素子等が含まれる。更に、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせることができることは言うまでもない。

【0018】

電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されるか又はされない他の電子部品を含む。他の電子部品の例を挙げると、カメラ１０５０、アンテナ１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリ１０８０などがある。但し、これに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、コンパス、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、大量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などが挙げられる。これら以外にも、電子機器１０００の種類に応じて多様な用途のために使用されるその他の電子部品等が含まれ得ることは言うまでもない。

【0019】

電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などが挙げられる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にもデータを処理する任意の他の電子機器があることは言うまでもない。

【0020】

図２は、電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。図面を参照すると、電子機器は、例えばスマートフォン１１００である。スマートフォン１１００の内部にはマザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結される。また、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカ１１４０のようにマザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されるか又はされない他の部品が内部に収容される。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であり、例えば部品パッケージ１１２１であるが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面実装配置されたプリント回路基板の形態である。或いは、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態である。一方、電子機器は、必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であり得ることは言うまでもない。

【0021】

＜プリント回路基板＞

【0022】

図３は、プリント回路基板の第１例を概略的に示す断面図であり、図４は、図３のプリント回路基板の概略的なトップビューにおける平面図である。図面を参照すると、第１例によるプリント回路基板１００Ａは、絶縁層１１１、絶縁層１１１上に配置される複数のパッド１２１、及び絶縁層１１１上に配置されて複数のパッド１２１のそれぞれの側面をカバーし、且つ複数のパッド１２１のそれぞれの上面上には配置されない複数の絶縁壁１３１を含む。限定されない一例として、第１例によるプリント回路基板１００Ａはフリップチップダイ実装のためのパッケージ基板として用いられ、複数のパッド１２１はダイ実装のためのバンプとして提供される。

【0023】

本発明において、「絶縁壁」は、「絶縁層」と区別される用語として使用される。例えば、絶縁層は、形態に関係なく単に絶縁性を有する層を意味する。一方、絶縁壁は、ある対象構成の側面の少なくとも一部を囲むための形態を有する絶縁性の層を意味する。即ち、絶縁層は絶縁壁よりも包括的な意味を有し、絶縁壁は絶縁層よりも下位的な意味を有する。即ち、必要に応じて絶縁層は絶縁壁を含む。このような観点から、断面上において及び／又は平面上において、絶縁壁は絶縁層よりも面積が小さい。また、絶縁壁は同じレベルで複数個が存在する。この場合、それぞれの絶縁壁は同じレベルで互いに独立して存在する。

【0024】

本発明において、断面上での意味は、第１方向から第２方向に対象物を垂直に切断したときの断面形状、第１方向から第３方向に対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は対象物をサイドビューから見たときの断面形状を意味する。

【0025】

本発明において、平面上での意味は、第２方向から第３方向に対象物を水平に切断したときの平面形状、又は対象物をトップビュー若しくはボトムビューから見たときの平面形状を意味する。

【0026】

本発明において、第１方向は積層方向又は厚さ方向、第２方向は幅方向、並びに第３方向は長さ方向を意味する。

【0027】

一方、上述したように、一般に、高性能半導体ダイは、高密度実装のためにフリップチップ実装方式を使用する。このとき、半導体の微細化及び高性能化に伴いフリップチップ実装のための接続端子も持続的にその間隔が狭くなる。従って、基板の半田レジストオープンサイズ及びその精度、半田バンプの形成難易度、並びにダイの半田接合におけるブリッジショート難易度などが持続的に高まっている。

【0028】

これに関連して、基板のフリップチップ接続バンプのピッチを更に微細化するために、基板に銅ポストを作って少量の半田を使用し、ダイと基板との間隔を確保してアンダーフィル（Ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）、ＮＣＦ（Ｎｏｎ－Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、ＮＣＰ（Ｎｏｎ－Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを適用しやすい構造が検討されている。

【0029】

一方、このような銅ポストを有する基板は、半田レジストまで形成された基板の表面に化学銅めっきやスパッタ等を用いてシード層を形成し、ドライフィルムを用いた露光、現像、剥離等のフォトリソグラフィ工程を進行して、その後にシード層のエッチング工程を進行する方法で製造される。

【0030】

但し、この場合、製造工程上、半田レジストの上部に形成されるシード層の密着力を確保することに困難がある。また、微細バンプピッチの実現のためのデザインルールにおける制約、例えば微細な半田レジストオープンの必要性、半田レジストのサイズ、及び銅ポストの露光整合公差による銅ポストの直径を縮小することに対する困難性、微細バンプピッチのダイを組み立てる際のブリッジショートリスクなどがある。

【0031】

これに対して、第１例によるプリント回路基板１００Ａは、ダイの実装のために提供される複数のパッド１２１の側面を複数の絶縁壁１３１で略囲んだ構造を作ることで、フリップチップダイの組立時にブリッジショートリスクなどを減少させ、且つ信頼性を向上させることができる。例えば、一例による構造は、基本的にダイ実装のためのバンプとして提供される複数のパッド１２１の側面を複数の絶縁壁１３１でそれぞれ囲んだ構造であり、半田等が付かないため、ブリッジショートリスクを下げることができる。

【0032】

また、第１例によるプリント回路基板１００Ａは、銅ポストを有する基板とは異なって、半田レジストの上にシード層を形成しなくてもよく、またバンプ接続部のレジストオープンをリセス形成工程に変更可能であるため、デザインルールの制約も解消することができる。また、キャリア基板の金属層上で複数のパッド１２１を形成するため、結果として非常に優れた高さ均一度を実現することができる。更に、エッチング工程を経る絶縁層１１１の表面は、製造の初期段階で粗化処理された金属パターンから粗度形状が転写されるため、追ってパッケージ構造への適用時にモールディング及び／又はアンダーフィルとの高い密着力を有し、且つ高い信頼性を実現することができる。また、複数の絶縁壁１３１にも粗化処理が可能であるため、安定した密着力を確保することができる。

【0033】

一方、第１例によるプリント回路基板１００Ａは、複数の絶縁壁１３１が複数のパッド１２１のそれぞれの側面をカバーし、且つ複数のパッド１２１のそれぞれの上面上には配置されない。このような観点から、複数の絶縁壁１３１のそれぞれは、複数のパッド１２１のそれぞれの側面に直接接触する。但し、複数のパッド１２１のそれぞれの上面からは離隔される。従って、ダイの実装等においてダイの接続端子をより安定的に載置することができ、半田等の接続部材との接合面積が広くなり、密着力及び信頼性を改善することができる。

【0034】

このような観点から、複数の絶縁壁１３１のそれぞれは複数のパッド１２１のそれぞれが配置される複数のキャビティ１３１ｒを有し、複数のキャビティ１３１ｒのそれぞれは複数のパッド１２１のそれぞれの上面を全体的にオープンさせる。また、断面上において、このような複数のキャビティ１３１ｒのそれぞれの幅は実質的に一定である。

【0035】

本発明において、実質的に一定であるとは、製造工程上で発生する工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含めて判断する。例えば、絶縁壁のキャビティの幅が実質的に一定であるとは、断面上において、絶縁壁の側面が略垂直な形状を有するため、キャビティの幅の偏差、例えば最上側及び最下側における幅の偏差が殆どないことを意味する。

【0036】

一方、第１例によるプリント回路基板１００Ａは、平面上において、複数のパッド１２１の形状がそれぞれ略円形である。また、これを囲む複数の絶縁壁１３１の形状はそれぞれ略円形のリング形状である。但し、これに限定されるものではなく、その他にも四角形状や楕円形状などの多様な形状を有し得る。

【0037】

一方、第１例によるプリント回路基板１００Ａは、複数の絶縁壁１３１が絶縁層１１１に境界線なしに一体化される。例えば、複数の絶縁壁１３１は、絶縁層１１１に一体化された一つの構成である。従って、複数の絶縁壁１３１は、絶縁層１１１と同じ絶縁材料を含む。このように、複数の絶縁壁１３１を別途の材料を用いて更に形成するのではなく、絶縁層１１１においてリセス形成工程などで形成することができるため、デザインルールの制約を効果的に解消することができる。

【0038】

このような観点から、絶縁層１１１は複数の絶縁壁１３１を含み、複数の絶縁壁１３１を含む絶縁層１１１はパッド１２１の下面及び側面をカバーする。

【0039】

一方、第１例によるプリント回路基板１００Ａは、複数の絶縁壁１３１が絶縁層１１１上で互いに離隔して配置される。これにより、ブリッジショートリスクをより効果的に改善することができる。平面上において、複数の絶縁壁１３１のそれぞれは、複数のパッド１２１のそれぞれの側面を連続的に囲む。この場合、ブリッジショートリスク改善の観点から好ましいと言えるが、これに限定されるものではない。

【0040】

一方、第１例によるプリント回路基板１００Ａは、複数の絶縁壁１３１の間、及び／又は複数の絶縁壁１３１の周囲にリセスＲが存在する。このようなリセスＲは、互いに連結された一つのリセスＲである。リセスＲには複数のパッド１２１が配置されない。リセスＲは、複数のパッド１２１と実質的に同じレベルに配置され得る。実質的に同じレベルに配置されるか否かは、第１方向を基準にして判断される。リセスＲを介して複数の絶縁壁１３１がそれぞれ独立して複数のパッド１２１を連続的に囲むリング形態を有するため、ブリッジショートリスクの改善などにおいて好ましい。

【0041】

一方、第１例によるプリント回路基板１００Ａは、絶縁層１１１上において、複数の絶縁壁１３１のそれぞれの高さが複数のパッド１２１のそれぞれの高さよりも高い。上述したように、一体化された構成で絶縁層１１１が複数の絶縁壁１３１を含む場合、絶縁層１１１の上面は複数のパッド１２１のそれぞれの上面よりも上部に配置される。このような高さ差（ｈ２－ｈ１）は約２μｍ～４μｍ程度であるが、これに限定されるものではない。この場合、ダイを実装するときに接続端子を複数のパッド１２１の上に安定的に載置することができる。また、複数のパッド１２１上に半田が配置される際に、半田の溢れを抑制する効果が期待できる。

【0042】

以下では、図面を参照して第１例によるプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。

【0043】

絶縁層１１１は絶縁材料を含む。絶縁材料は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー、及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、ａｎｄ／ｏｒ Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｉｃ）を含む材料を含む。例えば、絶縁材料としては、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）などが用いられるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも他の高分子素材が用いられる。

【0044】

パッド１２１は金属物質を含む。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含む。パッド１２１は、設計デザインに応じて様々な機能を行う。例えば、グランドパッド、パワーパッド、信号パッドなどを含む。ここで、信号パッドは、グランド、パワーなどを除く各種信号、例えば、データ信号などを連結するためのパッドを含む。パッド１２１は電解めっき層（又は電気銅）を含む。但し、必要に応じて無電解めっき層（化学銅）を含まない。

【0045】

絶縁壁１３１は絶縁材料を含む。絶縁材料は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー、及び／又はガラス繊維を含む材料を含む。例えば、絶縁材料としては、ＡＢＦ、ＰＰＧ、ＲＣＣなどが用いられる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも他の高分子素材が用いられる。絶縁壁１３１は、絶縁層１１１と同じ絶縁材料を含み、これらは境界線のない一体化された一つの同じ構成である。

【0046】

図５は、プリント回路基板の第２例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、第２例によるプリント回路基板１００Ｂは、絶縁層１１１、絶縁層１１１上に配置される複数のパッド１２１、及び絶縁層１１１上に配置されて複数のパッド１２１のそれぞれの側面をカバーし、且つ複数のパッド１２１のそれぞれの上面上には配置されない複数の絶縁壁１３１を含む。限定されない一例として、第２例によるプリント回路基板１００Ｂはフリップチップダイ実装のためのパッケージ基板として用いられ、複数のパッド１２１はダイ実装のためのバンプとして提供される。

【0047】

一方、第２例によるプリント回路基板１００Ｂは、絶縁層１１１上において、複数の絶縁壁１３１のそれぞれの高さが複数のパッド１２１のそれぞれの高さと実質的に同一である。上述したように、一体化された構成で絶縁層１１１が複数の絶縁壁１３１を含む場合、絶縁層１１１の上面は複数のパッド１２１のそれぞれの上面と実質的に同じレベルに配置される。例えば、高さの差（ｈ２－ｈ１）は殆どない。例えば、後述する製造工程の過程において、キャリア基板の金属層は、銅（Ｃｕ）層、及びこれとはエッチング性の異なる金属、例えばニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）などを含むバリア層を含む。この場合、デタッチ（ｄｅｔａｃｈ）の後に金属層をエッチングする際に銅（Ｃｕ）層をエッチングしてからバリア層をエッチングすることから、結果として銅（Ｃｕ）層をエッチングする際にバリア層が複数のパッド１２１を保護するため、複数のパッド１２１の表面は実質的にエッチングの影響を受けない。従って、実質的に段差が発生しない。これにより、必要に応じて、複数のパッド１２１の表面を複数の絶縁壁１３１の表面と実質的に同一平面をなすように実現する。

【0048】

本発明において、高さが実質的に同一であるということ、実質的に同じレベルに配置されるということ、及び／又は実質的に同一平面をなすということは、製造工程上で発生する工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含めて判断する。例えば、絶縁層の上面がパッドの上面と実質的に同じレベルに配置されるとは、絶縁層の上面とパッドの上面とが第１方向を基準にして一部の誤差を含む範囲内で略同じ位置に配置されることを含む意味である。

【0049】

その他に、他の内容、例えば上述した第１例によるプリント回路基板１００Ａで説明した内容は、矛盾しない限り、第２例によるプリント回路基板１００Ｂにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0050】

図６は、プリント回路基板の第３例を概略的に示す断面図であり、図７は、プリント回路基板の第４例を概略的に示す断面図である。

【0051】

図面を参照すると、第３及び第４例によるプリント回路基板（１００Ｃ、１００Ｄ）は、絶縁層１１１、絶縁層１１１上に配置される複数のパッド１２１、絶縁層１１１上に配置されて複数のパッド１２１のそれぞれの側面をカバーし、且つ複数のパッド１２１のそれぞれの上面上には配置されない複数の絶縁壁１３１、及び複数のパッド１２１のうちの少なくとも一つの表面上に配置される表面処理層１９０を含む。限定されない一例として、第３及び第４例によるプリント回路基板（１００Ｃ、１００Ｄ）はフリップチップダイ実装のためのパッケージ基板として用いられ、複数のパッド１２１はダイ実装のためのバンプとして提供される。

【0052】

一方、第３及び第４例によるプリント回路基板（１００Ｃ、１００Ｄ）は、表面処理層１９０を更に含み、これによってより効果的にダイを実装することができる。表面処理層１９０は、例えば電解金めっき、無電解金めっき、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）、無電解錫めっき、無電解銀めっき、無電解ニッケルめっき、置換金めっき、ＤＩＧ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）めっき、ＨＡＳＬ（Ｈｏｔ Ａｉｒ Ｓｏｌｄｅｒ Ｌｅｖｅｌｉｎｇ）などによって形成される。このような観点から、表面処理層１９０は、ニッケル（Ｎｉ）層及び金（Ａｕ）層のうちの少なくとも一つを含むが、これに限定されるものではない。限定されない一例として、表面処理層１９０は、パッド１２１の表面上に配置されるニッケル（Ｎｉ）層、及びニッケル（Ｎｉ）層の表面上に配置される金（Ａｕ）層を含むが、これらに限定されるものではない。

【0053】

一方、第３例によるプリント回路基板１００Ｃは、表面処理層１９０の最上層の上面が絶縁壁１３１の上面と実質的に同じレベルに配置され、第４例によるプリント回路基板１００Ｄは、表面処理層１９０の最上層の上面が絶縁壁１３１の上面よりも上部に配置されるが、これに限定されるものではない。

【0054】

その他に、他の内容、例えば上述した第１及び第２例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ）で説明した内容は、矛盾しない限り、第３及び第４例によるプリント回路基板（１００Ｃ、１００Ｄ）にも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0055】

図８は、プリント回路基板の第５例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第１絶縁層１１１、第１絶縁層１１１の上面上に配置される第１パッド１２１及び第２パッド１２２、第１絶縁層１１１の上面上に配置されて第１パッド１２１の側面をカバーする第１絶縁壁１３１、及び第１絶縁層１１１の上面上に配置されて第２パッド１２２の側面をカバーする第２絶縁壁１３２を含む。

【0056】

必要に応じて、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第１絶縁層１１１の下面上に配置される第１配線層１４１、第１絶縁層１１１を貫通して第１パッド１２１を第１配線層１４１の少なくとも一部に電気的に連結する第１接続ビア１５１、及び／又は第１絶縁層１１１を貫通して第２パッド１２２を第１配線層１４１の他の少なくとも一部に電気的に連結する第２接続ビア１５２を更に含む。

【0057】

必要に応じて、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第１絶縁層１１１の下面上に配置されて第１配線層１４１の少なくとも一部を埋め込む第２絶縁層１１２、第２絶縁層１１２の下面上に配置される第２配線層１４２、及び／又は第２絶縁層１１２を貫通して第１配線層１４１及び第２配線層１４２のそれぞれの少なくとも一部を電気的に連結する第１ビア層１６１を更に含む。

【0058】

必要に応じて、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第２絶縁層１１２の下面上に配置されて第２配線層１４２の少なくとも一部を埋め込む第３絶縁層１１３、第３絶縁層１１３の下面上に配置される第３配線層１４３、及び／又は第３絶縁層１１３を貫通して第２配線層１４２及び第３配線層１４３のそれぞれの少なくとも一部を電気的に連結する第２ビア層１６２を更に含む。

【0059】

必要に応じて、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第２絶縁壁１３２上に配置されて第２パッド１２２の表面の少なくとも一部をオープンさせる第１開口１７１ｈを有する第１パッシベーション層１７１、及び／又は第３絶縁層１１３の下面上に配置されて第３配線層１４３の少なくとも一部の表面の少なくとも一部をオープンさせる第２開口１７２ｈを有する第２パッシベーション層１７２を更に含む。

【0060】

一方、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、ダイの実装のために提供される第１パッド１２１の側面を第１絶縁壁１３１で略囲む構造を作ることで、フリップチップダイの組立時にブリッジショートリスクなどを減少させ、且つ信頼性を改善することができる。例えば、一例による構造は、基本的にダイ実装のためのバンプとして提供される第１パッド１２１の側面を第１絶縁壁１３１で囲んだ構造であり、半田等が付かないため、ブリッジショートリスクを下げることができる。同様に、基板－オン－基板などのパッケージ組み立てのために提供される第２パッド１２２の側面を第２絶縁壁１３２で略囲んだ構造を作ることで、信頼性などを改善することができる。

【0061】

一方、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、後述する工程から分かるように、銅ポストを有する基板とは異なって半田レジストの上にシード層を形成せず、またバンプ接続部のレジストオープンをリセス形成工程に変更したため、デザインルールの制約も解消することができる。また、キャリア基板の金属層上に第１パッド１２１及び第２パッド１２２を形成することで、結果として非常に優れた高さ均一度を実現することができる。更に、エッチング工程を経る第１絶縁層１１１の表面は、製造の初期段階で粗化処理された金属パターンから粗度形状が転写されるため、追ってパッケージ構造への適用時にモールディング及び／又はアンダーフィルとの高い密着力を有し、且つ高い信頼性を実現することができる。また、第１絶縁壁１３１及び第２絶縁壁１３２にも粗化処理が可能であるため、安定した密着力を確保することができる。

【0062】

一方、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第１絶縁壁１３１が第１パッド１２１の側面をカバーし、且つ第１パッド１２１の上面上には配置されない。また、第２絶縁壁１３２が第２パッド１２２の側面をカバーし、且つ第２パッド１２２の上面上には配置されない。従って、ダイの実装などにおいてダイの接続端子をより安定的に載置することができ、更に半田等の接続部材との接合面積が広くなり、密着力及び信頼性をより改善することができる。

【0063】

このような観点から、第１絶縁壁１３１及び第２絶縁壁１３２は、第１パッド１２１が配置される第１キャビティ１３１ｒ及び第２パッド１２２が配置される第２キャビティ１３２ｒを有する。第１キャビティ１３１ｒは第１パッド１２１の上面を全体的にオープンさせ、第２キャビティ１３２ｒは第２パッド１２２の上面を全体的にオープンさせる。また、断面上において、このような第１キャビティ１３１ｒの幅は実質的に一定であり、このような第２キャビティ１３２ｒの幅は実質的に一定である。

【0064】

一方、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第１絶縁壁１３１及び第２絶縁壁１３２が第１絶縁層１１１とは境界線なしに一体化される。例えば、第１絶縁壁１３１及び第２絶縁壁１３２は、第１絶縁層１１１と一体化された一つの構成である。従って、第１絶縁壁１３１及び第２絶縁壁１３２は、第１絶縁層１１１と同じ絶縁材料を含む。このように、第１絶縁壁１３１及び第２絶縁壁１３２を別途の材料を用いて更に形成するのではなく、第１絶縁層１１１において後述するリセス形成工程で形成するため、デザインルールの制約を効果的に解消することができる。

【0065】

一方、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第１パッド１２１及び第２パッド１２２がそれぞれ複数個配置される。また、これらを囲む第１絶縁壁１３１及び第２絶縁壁１３２もそれぞれ複数個配置される。例えば、第１絶縁壁１３１のそれぞれは、第１パッド１２１のそれぞれの側面をカバーし、且つその上面上には配置されない。また、第２絶縁壁１３２のそれぞれは、第２パッド１２２のそれぞれの側面をカバーし、且つその上面上には配置されない。第１絶縁壁１３１及び第２絶縁壁１３２のそれぞれは、互いに離隔されて配置されることで、ブリッジショートリスクをより効果的に改善することができる。平面上において、第１絶縁壁１３１のそれぞれは第１パッド１２１のそれぞれの側面を連続的に囲み、第２絶縁壁１３２のそれぞれは第２パッド１２２のそれぞれの側面を連続的に囲む。このような形態で囲むことがブリッジショートリスク改善の観点から好ましいと言えるが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0066】

一方、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第１絶縁壁１３１の間、及び／又は第１絶縁壁１３１と第２絶縁壁１３２との間にリセスＲが存在する。これらの間に存在するリセスＲは、互いに連結された一つのリセスＲである。リセスＲには、第１パッド１２１及び／又は第２パッド１２２が配置されない。リセスＲを介して第１絶縁壁１３１及び第２絶縁壁１３２がそれぞれ独立して第１パッド１２１及び第２パッド１２２を連続的に囲むリング形態を有する。この場合、ブリッジショートリスクの改善などにおいてより好ましい。

【0067】

一方、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第１パッド１２１及びこれを囲む第１絶縁壁１３１が第１絶縁層１１１上のセンター領域に配置され、第２パッド１２２及びこれを囲む第２絶縁壁１３２が第１絶縁層１１１上のサイド領域に配置される。第１パッド１２１はダイ実装のためのバンプとして用いられ、第２パッド１２２は基板－オン－基板の連結のためのバンプとして用いられる。このような観点から、第２パッド１２２は第１パッド１２１よりも大きい。例えば、断面上において、第２パッド１２２の幅は第１パッド１２１の幅よりも大きい。

【0068】

本発明において、センター領域は、電子部品、例えばフリップチップダイなどが配置される内側領域であり、サイド領域は、基板－オン－基板などの連結のための半田ボールジョイント（Ｓｏｌｄｅｒ Ｂａｌｌ Ｊｏｉｎｔ）などの接続部材が配置される外側領域である。ここで、内側及び外側は平面上で判断する。

【0069】

一方、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第１パッド１２１の上面を基準にして第１絶縁壁１３１の高さがこれよりも高い。また、第２パッド１２２の上面を基準にして第２絶縁壁１３２の高さがこれよりも高い。この場合、ダイの実装時に接続端子を第１パッド１２１の上に安定的に載置することができる。また、第１パッド１２１及び／又は第２パッド１２２上に接続部材として半田が配置されるとき、半田の溢れを抑制する効果が期待できる。但し、これに限定されるものではなく、上述したように、工程過程でエッチングバリア層を用いる場合などには、このような高さの差、即ち段差は実質的にない。

【0070】

一方、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、断面上において、第１接続ビア１５１及び第２接続ビア１５２がそれぞれ上面の幅が下面の幅よりも狭いテーパ形状を有する。例えば、第１接続ビア１５１は、第１パッド１２１に接続する面の幅が第１配線層１４１の少なくとも一部に接続する面の幅よりも狭い。第２接続ビア１５２は、第２パッド１２２に接続する面の幅が第１配線層１４１の他の少なくとも一部に接続する面の幅よりも狭い。従って、第１接続ビア１５１及び第２接続ビア１５２にそれぞれ連結される第１パッド１２１及び第２パッド１２２の直径、例えば断面における幅をより縮小させることができるなど、デザインルールの制約をより改善することができる。

【0071】

一方、第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２が互いに異なる絶縁材料を含む。例えば、第１絶縁層１１１は、微細回路の形成に有利なようにＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）が可能な材料、例えばガラス繊維のない絶縁材料を含む。具体的には、ＡＢＦを含むが、これに限定されるものではない。これに対し、第２絶縁層１１２は、反りの制御に有利なようにモジュラスの高い材料、例えばガラス繊維を含む絶縁材料を含む。具体的には、ＰＰＧやＲＣＣの絶縁材料を含むが、これらに限定されるものではない。同様の観点から、反対側の最外層である第３絶縁層１１３は第１絶縁層１１１と同じ絶縁材料を含み、第２絶縁層１１２が複数層である場合、各々の層は互いに同じ絶縁材料を含むが、これに限定されるものではない。

【0072】

本発明において、同じ絶縁材料は、完全に同じ絶縁材料である場合のみならず、同じタイプの絶縁材料を含む意味である。従って、絶縁材料の組成は実質的に同じであり、且つこれらの具体的な組成比は少しずつ異なる場合がある。

【0073】

以下では、図面を参照して第５例によるプリント回路基板１００Ｅの構成要素についてより詳細に説明する。

【0074】

第１～第３絶縁層（１１１、１１２、１１３）はそれぞれ絶縁材料を含む。絶縁材料は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー、及び／又はガラス繊維を含む材料を含む。例えば、絶縁材料としては、ＡＢＦ、ＰＰＧ、ＲＣＣなどが用いられる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも他の高分子素材が用いられる。限定されない一例として、第１絶縁層１１１及び第３絶縁層１１３はＡＢＦを含み、第２絶縁層１１２はＰＰＧを含むが、これらに限定されるものではない。第１絶縁層１１１及び第３絶縁層１１３は最外層の絶縁層であり、第２絶縁層１１２は内部のビルドアップ層である。ビルドアップ層に該当する第２絶縁層１１２は、図面に示すように一つの層であるが、これとは異なって複数の層であり得、具体的な層数は特に限定されない。

【0075】

第１及び第２パッド（１２１、１２２）はそれぞれ金属物質を含む。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含む。第１及び第２パッド（１２１、１２２）はそれぞれの設計デザインに応じて様々な機能を行う。例えば、グランドパッド、パワーパッド、信号パッドなどを含む。ここで、信号パッドは、グランド、パワーなどを除く各種信号、例えばデータ信号などの連結のためのパッドを含む。第１及び第２パッド（１２１、１２２）の数は特に限定されず、それぞれ複数個であり得る。第１及び第２パッド（１２１、１２２）は、それぞれ電解めっき層（又は電気銅）を含み、必要に応じて、無電解めっき層（化学銅）を含まない。例えば、第１及び第２パッド（１２１、１２２）のそれぞれの金属層の層数は、第１～第３配線層（１４１、１４２、１４３）のそれぞれの金属層の層数よりも少ない。

【0076】

第１及び第２絶縁壁（１３１、１３２）はそれぞれ絶縁材料を含む。絶縁材料は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー、及び／又はガラス繊維を含む材料を含む。例えば、絶縁材料としては、ＡＢＦ、ＰＰＧ、ＲＣＣなどが用いられる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも他の高分子素材が用いられる。第１及び第２絶縁壁（１３１、１３２）の数は特に限定されず、それぞれ複数個である。第１及び第２絶縁壁（１３１、１３２）は、第１絶縁層１１１と同じ絶縁材料を含み、これらは境界線のない一体化された一つの同じ構成である。

【0077】

第１～第３配線層（１４１、１４２、１４３）はそれぞれ金属物質を含む。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含む。第１～第３配線層（１４１、１４２、１４３）は、該当層の設計デザインに応じて様々な機能を行う。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含む。ここで、信号パターンは、グランドパターン、パワーパターンなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを含む。これらのパターンは、それぞれライン（ｌｉｎｅ）パターン、プレーン（Ｐｌａｎｅ）パターン、及び／又はパッド（Ｐａｄ）パターンを含む。ビルドアップ層である第２絶縁層１１２に形成される第２配線層１４２は、図面に示すように一つの層であるが、これとは異なって複数の層であり得、具体的な層数は特に限定されない。第１～第３配線層（１４１、１４２、１４３）は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含む。

【0078】

第１及び第２接続ビア（１５１、１５２）はそれぞれ金属物質を含む。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含む。第１及び第２接続ビア（１５１、１５２）は、設計デザインに応じて様々な機能を行う。例えば、信号連結のための接続ビア、グランド連結のための接続ビア、パワー連結のための接続ビアなどを含む。第１及び第２接続ビア（１５１、１５２）は、第１及び第２ビア層（１６１、１６２）の接続ビアと同じ方向にテーパされた形状を有する。第１及び第２接続ビア（１５１、１５２）は、金属物質で完全に充填されるか、又は金属物質がビアホールの壁面に沿って形成されたものである。第１及び第２接続ビア（１５１、１５２）の数は、特に限定されず、それぞれ複数個である。第１及び第２接続ビア（１５１、１５２）は、第１及び第２ビア層（１６１、１６２）のそれぞれの接続ビアとスタックビアの関係であるか、又はスタガードビアの関係である。第１及び第２接続ビア（１５１、１５２）は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含む。

【0079】

第１及び第２ビア層（１６１、１６２）はそれぞれ金属物質を含む。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含む。第１及び第２ビア層（１６１、１６２）は、当該層の設計デザインに応じて様々な機能を行う。例えば、信号連結のための接続ビア、グランド連結のための接続ビア、パワー連結のための接続ビアなどを含む。第１及び第２ビア層（１６１、１６２）は、互いに同じ方向にテーパされた形状を有する接続ビアを含む。例えば、第１及び第２ビア層（１６１、１６２）のそれぞれの接続ビアは、断面上において、上面の幅が下面の幅よりも狭いテーパ形状を有する。第１及び第２ビア層（１６１、１６２）のそれぞれの接続ビアは、金属物質で完全に充填されるか、又は金属物質がビアホールの壁面に沿って形成されたものである。第１及び第２ビア層（１６１、１６２）のそれぞれの接続ビアは、互いにスタックビアの関係であるか、又はスタガードビアの関係である。ビルドアップ層である第２絶縁層１１２に形成される第２ビア層１６２は、図面に示すように一つの層であるが、これとは異なって複数の層であり得、具体的な層数は特に限定されない。第１及び第２ビア層（１６１、１６２）は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含む。第２ビア層１６２は、第３配線層１４３と同じめっき工程で形成され、境界線なしに互いに一体化される。第１ビア層１６１は、第２配線層１４２と同じめっき工程で形成され、境界線なしに互いに一体化される。

【0080】

第１及び第２パッシベーション層（１７１、１７２）は公知の半田レジスト層を含む。但し、これに限定されるものではなく、第１及び第２パッシベーション層（１７１、１７２）は、熱硬化性樹脂及び無機フィラーを含む、例えばＡＢＦ等を含む。第１及び第２パッシベーション層（１７１、１７２）は、それぞれプリント回路基板１００Ｅの最外側に配置されて外部からプリント回路基板１００Ｅの内部のパターン等を保護する。第１及び第２パッシベーション層（１７１、１７２）は、それぞれ一つ以上の第１及び第２開口（１７１ｈ、１７２ｈ）を有する。例えば、第１パッシベーション層１７１は、第２パッド１２２の表面の少なくとも一部をオープンさせる第１開口１７１ｈを一つ以上有する。また、第２パッシベーション層１７２は、第３配線層１４３の少なくとも一部の表面の少なくとも一部をオープンさせる第２開口１７２ｈを一つ以上有する。第１及び第２開口（１７１ｈ、１７２ｈ）に露出する表面には、ニッケル（Ｎｉ）層及び／又は金（Ａｕ）層を含む表面処理層が形成される。

【0081】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第４例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ）で説明した内容は、矛盾しない限り、第５例によるプリント回路基板１００Ｅにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0082】

図９ａ～図９ｈは、図８のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【0083】

図９ａを参照すると、一面又は両面に金属層５１０が形成されたキャリア基板５００を準備し、キャリア基板５００の金属層５１０上に第１及び第２パッド（１２１、１２２）並びに導体パターン１２５を形成する。キャリア基板５００は、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）などであるが、これに限定されるものではなく、これ以外にもデタッチキャリアとして用いられる様々なキャリア基板を特に制限なく用いることができる。金属層５１０は、銅箔などの銅（Ｃｕ）層を含むが、これに限定されず、他の金属層を更に含み得る。金属層５１０とキャリア基板５００との間には、容易なデタッチのための離型層を配置することもできる。第１及び第２パッド（１２１、１２２）並びに導体パターン１２５は、金属層５１０をシード層として用いてＡＰ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ ＡＰ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ ＳＡＰ）、ＴＴ（Ｔｅｎｔｉｎｇ）等のめっき工程で形成される。

【0084】

図９ｂを参照すると、キャリア基板５００の金属層５１０上に第１及び第２パッド（１２１、１２２）並びに導体パターン１２５のそれぞれの少なくとも一部を埋め込む第１絶縁層１１１を形成する。第１絶縁層１１１は、上述した絶縁材料を含む未硬化層をラミネートした後、硬化する方法で形成される。或いは、上述した絶縁材料を塗布した後、硬化する方法で形成することもできる。その後、レーザドリル等で第１絶縁層１１１にビアホールを形成し、第１絶縁層１１１上にＡＰ、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、ＴＴ等のめっき工程を進行して第１配線層１４１並びに第１及び第２接続ビア（１５１、１５２）を形成する。

【0085】

図９ｃを参照すると、第１絶縁層１１１上に第１配線層１４１の少なくとも一部を埋め込む第２絶縁層１１２を形成する。第２絶縁層１１２は、上述した絶縁材料を含む未硬化層をラミネートした後、硬化する方法で形成される。或いは、上述した絶縁材料を塗布した後、硬化する方法で形成することもできる。その後、レーザドリル等で第２絶縁層１１２にビアホールを形成し、第２絶縁層１１２上にＡＰ、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、ＴＴ等のめっき工程を進行して第２配線層１４２及び第１ビア層１６１を形成する。その後、第２絶縁層１１２上に第２配線層１４２の少なくとも一部を埋め込む第３絶縁層１１３を形成する。第３絶縁層１１３は、上述した絶縁材料を含む未硬化層をラミネートした後、硬化する方法で形成される。或いは、上述した絶縁材料を塗布した後、硬化する方法で形成することもできる。その後、レーザドリル等で第３絶縁層１１３にビアホールを形成し、第３絶縁層１１３上にＡＰ、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、ＴＴ等のめっき工程を進行して第３配線層１４３及び第２ビア層１６２を形成する。

【0086】

図９ｄを参照すると、キャリア基板５００を除去する。例えば、キャリア基板５００と金属層５１０とを分離する。キャリア基板５００と金属層５１０との分離には離型層を用いるが、これに限定されるものではない。

【0087】

図９ｅを参照すると、金属層５１０を除去する。例えば、シードエッチング工程を用いて金属層５１０を除去する。このとき、第３配線層１４３のシード層も共に除去する。金属層５１０の除去過程で、第１及び第２パッド（１２１、１２２）の表面も一部エッチングによって除去されるため、その結果、第１及び第２パッド（１２１、１２２）の表面は第１絶縁層１１１の表面との段差を有する。

【0088】

但し、必要に応じて、金属層５１０は、銅（Ｃｕ）層、及びこれとはエッチング性の異なる金属、例えばニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）などを含むバリア層を含む。この場合、金属層５１０をエッチングする際に銅（Ｃｕ）層をエッチングした後、バリア層をエッチングするが、結果として銅（Ｃｕ）層をエッチングする際にバリア層が第１及び第２パッド（１２１、１２２）を保護するため、第１及び第２パッド（１２１、１２２）の表面は実質的にエッチングの影響を受けない。従って、実質的に段差が発生しない。

【0089】

図９ｆを参照すると、第１及び第２パッシベーション層（１７１、１７２）を形成する。第１及び第２パッシベーション層（１７１、１７２）をパターニングして第１及び第２開口（１７１ｈ、１７２ｈ）を形成する。第１及び第２パッシベーション層（１７１、１７２）は、例えば半田レジスト層を形成した後、それぞれ第１及び第２開口（１７１ｈ、１７２ｈ）を有するようにフォトリソグラフィ工程等を用いてパターニングする方法で形成されるが、これに限定されるものではない。

【0090】

図９ｇを参照すると、第１絶縁層１１１及び第１パッシベーション層１７１上に第１ドライフィルム５２１を配置する。また、第２パッシベーション層１７２上に第２ドライフィルム５２２を配置する。その後、露光、現像などのフォトリソグラフィ工程で第１ドライフィルム５２１をパターニングして導体パターン１２５を露出させる露出部５２１ｐを形成する。

【0091】

図９ｈを参照すると、導体パターン１２５を除去する。例えば、露出部５２１ｐを介して選択的に露出した導体パターン１２５をエッチング工程で除去する。導体パターン１２５が除去されると、リセスＲが形成される。リセスＲによって、第１絶縁層１１１に第１及び第２パッド（１２１、１２２）の側面をカバーする第１及び第２絶縁壁（１３１、１３２）が形成される。その後、第１及び第２ドライフィルム（５２１、５２２）を除去する。例えば、公知の剥離液を用いる。

【0092】

必要に応じて、第１及び第２パッド（１２１、１２２）上に表面処理層を更に形成する。表面処理層は、例えば電解金めっき、無電解金めっき、ＯＳＰ又は無電解錫めっき、無電解銀めっき、無電解ニッケルめっき、置換金めっき、ＤＩＧめっき、ＨＡＳＬ等により形成されるが、これらに限定されるものではない。表面処理層は、ニッケル（Ｎｉ）層及び金（Ａｕ）層のうちの少なくとも一つを含むが、これに限定されるものではない。

【0093】

一連の過程によって、上述した第５例によるプリント回路基板１００Ｅが製造される。但し、これは一つの製造の一例に過ぎず、上述した第５例によるプリント回路基板１００Ｅはこれとは異なる工程によっても製造できることは言うまでもない。

【0094】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第５例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ）で説明した内容は、上述した製造の一例で説明した内容と矛盾しない限り、これにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0095】

図１０は、図８のプリント回路基板の第１変形例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、第１変形例によるプリント回路基板１００Ｆは、上述した第５例によるプリント回路基板１００Ｅ上に電子部品２１０が表面実装配置された後、その上に別途の配線基板２２０が基板－オン－基板の形態で配置されたパッケージ構造を有する。例えば、第１変形例によるプリント回路基板１００Ｆは、上述した第５例によるプリント回路基板１００Ｅにおいて、第１絶縁層１１１上に配置されて、第１接続部材２３１を介して第１パッド１２１に電気的に連結される接続端子２１２を含む電子部品２１０、及び電子部品２１０上に配置されて、第２接続部材２３２を介して第２パッド１２２に電気的に連結される接続パッド２２２を含む配線基板２２０を更に含む。必要に応じて、第１絶縁層１１１と配線基板２２０との間をモールディングするモールディング材２４０、及び／又は第３配線層１４３に連結された電気連結金属２５０を更に含む。上述した第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、ここでフリップチップダイなどを実装するためのパッケージ基板として用いられる。

【0096】

電子部品２１０は、様々な種類の能動部品及び／又は受動部品である。例えば、電子部品２１０は、様々な種類の集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ２１１、例えばフリップチップダイを含む。或いは、電子部品２１０は、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）などのチップキャパシタ、ＰＩ（Ｐｏｗｅｒ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）などのチップインダクタのようなチップ形態の受動部品を含む。又は、電子部品２１０はシリコンキャピシタを含む。このように、電子部品２１０の種類は特に限定されない。電子部品２１０は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属物質を含む接続端子２１２を含む。電子部品２１０は、接続端子２１２を介してフェースダウン型で表面実装される。電子部品２１０は、接続端子２１２が配置されるフロント面と、接続端子２１２が配置されないバック面とを有する。

【0097】

配線基板２２０は、更に他のパッケージとの接続のためのインターポーザ基板であるか、又は他の半導体ダイなどが直接実装されるパッケージ基板である。配線基板２２０は、絶縁層２２１、絶縁層２２１の両側に配置された接続パッド（２２２、２２３）、絶縁層２２１を貫通して接続パッド（２２２、２２３）を電気的に連結する貫通ビア２２４、及び絶縁層２２１の両側に配置されて接続パッド（２２２、２２３）の少なくとも一部を覆うパッシベーション層（２２５、２２６）を含む。但し、これは一例に過ぎず、配線基板２２０を構成する絶縁層、配線層、ビア層は様々な形態で更に配置され得る。

【0098】

絶縁層２２１は絶縁材料を含む。絶縁材料は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー、及び／又はガラス繊維を含む材料を含む。例えば、絶縁材料としては、ＡＢＦ、ＰＰＧ、ＲＣＣなどが用いられる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも他の高分子素材が用いられる。

【0099】

接続パッド（２２２、２２３）は金属物質を含む。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含む。接続パッド（２２２、２２３）は、設計デザインに応じて様々な機能を行う。例えば、グランドパッド、パワーパッド、信号パッドなどを含む。ここで、信号パッドは、グランド、パワーなどを除く各種信号、例えばデータ信号などの連結のためのパッドを含む。接続パッド（２２２、２２３）の数は、特に限定されず、それぞれ複数個である。

【0100】

貫通ビア２２４は金属物質を含む。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含む。貫通ビア２２４は、設計デザインに応じて様々な機能を行う。例えば、信号連結のための貫通ビア、グランド連結のための貫通ビア、パワー連結のための貫通ビアなどを含む。貫通ビア２２４は、砂時計形状、円筒形状などの様々な形態を有する。

【0101】

パッシベーション層（２２５、２２６）は公知の半田レジスト層を含む。但し、これに限定されるものではなく、熱硬化性樹脂及び無機フィラーを含む、例えばＡＢＦ等を含む。パッシベーション層（２２５、２２６）はそれぞれ一つ以上の開口を有する。これらの開口に露出する接続パッド（２２２、２２３）の表面には、ニッケル（Ｎｉ）層及び／又は金（Ａｕ）層を含む表面処理層が形成される。

【0102】

第１及び第２接続部材（２３１、２３２）は、銅（Ｃｕ）よりも融点の低い低融点金属、例えば錫（Ｓｎ）、又は錫（Ｓｎ）を含む合金を含む。例えば、第１及び第２接続部材（２３１、２３２）は半田を含む。例えば、第１及び第２接続部材（２３１、２３２）は、半田ボールジョイントの形態である。第１及び第２接続部材（２３１、２３２）の個数、間隔、配置形態等は特に限定されない。

【0103】

モールディング材２４０は、電子部品２１０、第１及び第２接続部材（２３１、２３２）等をモールディングしてこれらを保護する。モールディング材２４０はエポキシ樹脂などを含むが、特に材料がこれに限定されるものではなく、公知の他の材料を含み得る。

【0104】

電気連結金属２５０は、プリント回路基板１００Ｆを外部と物理的及び／又は電気的に連結させる。例えば、プリント回路基板１００Ｆは、ＢＧＡタイプのパッケージ基板である。電気連結金属２５０は、銅（Ｃｕ）よりも融点の低い低融点金属、例えば錫（Ｓｎ）、又は錫（Ｓｎ）を含む合金を含む。例えば、電気連結金属２５０は半田を含むが、これは一例に過ぎず、材料は特にこれに限定されるものではない。電気連結金属２５０は、ランド（ｌａｎｄ）、ボール（ｂａｌｌ）、ピン（ｐｉｎ）などである。電気連結金属２５０は多重層又は単一層である。多重層で形成される場合には銅柱及び半田を含み、単一層で形成される場合には錫－銀半田を含むが、これも一例に過ぎず、これに限定されるものではない。電気連結金属２５０の個数、間隔、配置形態等は、特に限定されず、設計事項に応じて十分変形が可能である。

【0105】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第５例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ）で説明した内容は、矛盾しない限り、第１変形例によるプリント回路基板１００Ｆにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0106】

図１１は、図８のプリント回路基板の第２変形例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、第２変形例によるプリント回路基板１００Ｇは、別途の配線基板３２０上に電子部品２１０が表面実装配置された後、その上に上述した第５例によるプリント回路基板１００Ｅが基板－オン－基板の形態で配置されたパッケージ構造を有する。例えば、第２変形例によるプリント回路基板１００Ｇは、上述した第５例によるプリント回路基板１００Ｅにおいて、第１絶縁層１１１上に配置されてセンター領域及びサイド領域に配置される接続パッド（Ｐ１、Ｐ２）を含む配線基板３２０、及び第１絶縁層１１１と配線基板３２０との間に配置されて接続端子２１２が配置されるフロント面及び反対側の面であるバック面を有する電子部品２１０を更に含む。配線基板３２０の接続パッド（Ｐ１、Ｐ２）は、第１及び第２接続部材（２３１、２３２）を介して電子部品２１０の接続端子２１２及び第２パッド１２２にそれぞれ電気的に連結される。必要に応じて、第１絶縁層１１１と配線基板３２０との間をモールディングするモールディング材２４０、及び／又は第３配線層１４３に連結された電気連結金属２５０を更に含む。また、第１パッド１２１と電子部品２１０のバック面とを連結する伝導性部材２６０を更に含む。上述した第５例によるプリント回路基板１００Ｅは、ここで放熱機能を有する上部基板として用いられる。ここで、上部基板は、他のパッケージとの接続のためのインターポーザ基板であるか、又は他の半導体ダイなどが直接実装されるパッケージ基板である。

【0107】

配線基板３２０は、電子部品２１０を実装するためのパッケージ基板である。配線基板３２０は、複数の絶縁層（３２１、３２２）、複数の配線層（３２３、３２４、３２５）、複数のビア層（３２６、３２７）、及び複数のパッシベーション層（３２８、３２９）を含む。配線基板３２０を構成する複数の絶縁層（３２１、３２２）、複数の配線層（３２３、３２４、３２５）、複数のビア層（３２６、３２７）は様々な形態で配置される。例えば、配線基板３２０は、コアを有する基板の形態であるか、又はコアレス基板の形態である。

【0108】

絶縁層（３２１、３２２）は絶縁材料を含む。絶縁材料は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、又はこのような樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー、及び／又はガラス繊維を含む材料を含む。例えば、絶縁材料としては、ＡＢＦ、ＰＰＧ、ＲＣＣなどが用いられる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも他の高分子素材が用いられる。

【0109】

配線層（３２３、３２４、３２５）は金属物質を含む。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含む。配線層（３２３、３２４、３２５）は、設計デザインに応じて様々な機能を行う。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含む。ここで、信号パターンは、グランド、パワーなどを除く各種信号、例えばデータ信号などを含む。これらのパターンは、それぞれラインパターン、プレーンパターン、及び／又はパッドパターンを含む。接続パッド（Ｐ１、Ｐ２）の数は、特に限定されず、それぞれ複数個である。

【0110】

ビア層（３２６、３２７）は金属物質を含む。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含む。ビア層（３２６、３２７）は、該当層の設計デザインに応じて様々な機能を行う。例えば、信号連結のための接続ビア、グランド連結のための接続ビア、パワー連結のための接続ビアなどを含む。ビア層（３２６、３２７）は、互いに同じ方向にテーパされた形状を有する接続ビアを含む。ビア層（３２６、３２７）の接続ビアは、金属物質で完全に充填されるか、又は金属物質がビアホールの壁面に沿って形成されたものである。これらは互いにスタックビアの関係であるか、又はスタガードビアの関係である。

【0111】

パッシベーション層（３２８、３２９）は公知の半田レジスト層を含む。但し、これに限定されるものではなく、熱硬化性樹脂及び無機フィラーを含む、例えばＡＢＦ等を含む。パッシベーション層（３２８、３２９）はそれぞれ一つ以上の開口を有する。これらの開口に露出する最外側の配線層（３２３、３２５）の少なくとも一部の表面には、ニッケル（Ｎｉ）層及び／又は金（Ａｕ）層を含む表面処理層が形成される。

【0112】

伝導性部材２６０は、電子部品２１０のバック面で発生する熱を上部基板に効果的に伝達する。伝導性部材２６０は、様々な種類の熱伝導性ペースト及び／又は熱伝導性樹脂を含むが、具体的な材料は特に限定されるものではない。

【0113】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第５例と第１変形例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ）で説明した内容は、矛盾しない限り、第２変形例によるプリント回路基板１００Ｇにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0114】

図１２は、プリント回路基板の第６例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、第６例によるプリント回路基板１００Ｈは、第１絶縁層１１１、第１絶縁層１１１の上面上に配置される第１パッド１２１及び第２パッド１２２、第１絶縁層１１１の上面上に配置されて第１パッド１２１の側面をカバーする第１絶縁壁１３１、及び第１絶縁層１１１の上面上に配置されて第２パッド１２２の側面をカバーする第２絶縁壁１３２を含む。

【0115】

必要に応じて、第６例によるプリント回路基板１００Ｈは、第１絶縁層１１１の下面上に配置される第１配線層１４１、第１絶縁層１１１を貫通して第１パッド１２１を第１配線層１４１の少なくとも一部に電気的に連結する第１接続ビア１５１、及び／又は第１絶縁層１１１を貫通して第２パッド１２２を第１配線層１４１の他の少なくとも一部に電気的に連結する第２接続ビア１５２を更に含む。

【0116】

必要に応じて、第６例によるプリント回路基板１００Ｈは、第１絶縁層１１１の下面上に配置されて第１配線層１４１の少なくとも一部を埋め込む第２絶縁層１１２、第２絶縁層１１２の下面上に配置される第２配線層１４２、及び／又は第２絶縁層１１２を貫通して第１配線層１４１及び第２配線層１４２のそれぞれの少なくとも一部を電気的に連結する第１ビア層１６１を更に含む。

【0117】

必要に応じて、第６例によるプリント回路基板１００Ｈは、第２絶縁層１１２の下面上に配置されて第２配線層１４２の少なくとも一部を埋め込む第３絶縁層１１３、第３絶縁層１１３の下面上に配置される第３配線層１４３、及び／又は第３絶縁層１１３を貫通して第２配線層１４２及び第３配線層１４３のそれぞれの少なくとも一部を電気的に連結する第２ビア層１６２を更に含む。

【0118】

必要に応じて、第６例によるプリント回路基板１００Ｈは、第２絶縁壁１３２上に配置されて第２パッド１２２の表面の少なくとも一部をオープンさせる第１開口１７１ｈを有する第１パッシベーション層１７１、及び／又は第３絶縁層１１３の下面上に配置されて第３配線層１４３の少なくとも一部の表面の少なくとも一部をオープンさせる第２開口１７２ｈを有する第２パッシベーション層１７２を更に含む。

【0119】

一方、第６例によるプリント回路基板１００Ｈは、第１絶縁壁１３１の間、及び／又は第１絶縁壁１３１と第２絶縁壁１３２との間にリセスＲが存在し、第１パッシベーション層１７１の少なくとも一部は、リセスＲの少なくとも一部に延長されて配置される。例えば、第１パッシベーション層１７１は、リセスＲの壁面の少なくとも一部及び底面の少なくとも一部をカバーする。これにより、第１パッシベーション層１７１の密着力などをより確保することができ、信頼性をより改善することができる。

【0120】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第５例と第１、第２変形例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ）で説明した内容は、矛盾しない限り、第６例によるプリント回路基板１００Ｈにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0121】

図１３ａ～図１３ｈは、図１２のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【0122】

図１３ａを参照すると、一面又は両面に金属層５１０が形成されたキャリア基板５００を準備し、キャリア基板５００の金属層５１０上に第１及び第２パッド（１２１、１２２）並びに導体パターン１２５を形成する。

【0123】

図１３ｂを参照すると、キャリア基板５００の金属層５１０上に第１及び第２パッド（１２１、１２２）並びに導体パターン１２５のそれぞれの少なくとも一部を埋め込む第１絶縁層１１１を形成する。その後、第１配線層１４１並びに第１及び第２接続ビア（１５１、１５２）を形成する。

【0124】

図１３ｃを参照すると、第１絶縁層１１１上に第１配線層１４１の少なくとも一部を埋め込む第２絶縁層１１２を形成する。その後、第２配線層１４２及び第１ビア層１６１を形成する。その後、第２絶縁層１１２上に第２配線層１４２の少なくとも一部を埋め込む第３絶縁層１１３を形成する。その後、第３配線層１４３及び第２ビア層１６２を形成する。

【0125】

図１３ｄを参照すると、キャリア基板５００を除去する。例えば、キャリア基板５００と金属層５１０とを分離する。

【0126】

図１３ｅを参照すると、金属層５１０上に第１ドライフィルム５２１を配置する。また、第３絶縁層１１３上に第２ドライフィルム５２２を配置する。その後、露光、現像などのフォトリソグラフィ工程で第１ドライフィルム５２１をパターニングして導体パターン１２５上に配置された金属層５１０を露出させる露出部５２１ｐを形成する。

【0127】

図１３ｆを参照すると、導体パターン１２５を除去する。例えば、露出部５２１ｐを介して選択的に露出した導体パターン１２５及び金属層５１０をエッチング工程で除去する。導体パターン１２５が除去されると、リセスＲが形成される。リセスＲによって、第１絶縁層１１１に第１及び第２パッド（１２１、１２２）の側面をカバーする第１及び第２絶縁壁（１３１、１３２）が形成される。その後、第１及び第２ドライフィルム（５２１、５２２）を除去する。

【0128】

図１３ｇを参照すると、金属層５１０を除去する。例えば、シードエッチング工程を用いて金属層５１０を除去する。このとき、第３配線層１４３のシード層も共に除去する。

【0129】

図１３ｈを参照すると、第１及び第２パッシベーション層（１７１、１７２）を形成する。第１パッシベーション層１７１の少なくとも一部は、導体パターン１２５が除去された領域、即ちリセスＲの少なくとも一部に形成される。第１及び第２パッシベーション層（１７１、１７２）をパターニングして第１及び第２開口（１７１ｈ、１７２ｈ）を形成する。

【0130】

一連の過程によって、上述した第６例によるプリント回路基板１００Ｈが製造される。但し、これは一つの製造例に過ぎず、上述した第６例によるプリント回路基板１００Ｈは、これとは異なる工程によっても製造できることは言うまでもない。

【0131】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第５例と第１、第２変形例、第６例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ）で説明した内容は、上述した製造の一例で説明した内容と矛盾しない限り、これにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0132】

図１４は、図１２のプリント回路基板の第１変形例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、第１変形例によるプリント回路基板１００Ｉは、上述した第６例によるプリント回路基板１００Ｈ上に電子部品２１０が表面実装配置された後、その上に別途の配線基板２２０が基板－オン－基板の形態で配置されたパッケージ構造を有する。例えば、第１変形例によるプリント回路基板１００Ｉは、上述した第６例によるプリント回路基板１００Ｈにおいて、第１絶縁層１１１上に配置されて、第１接続部材２３１を介して第１パッド１２１に電気的に連結される接続端子２１２を含む電子部品２１０、及び電子部品２１０上に配置されて、第２接続部材２３２を介して第２パッド１２２に電気的に連結される接続パッド２２２を含む配線基板２２０を更に含む。必要に応じて、第１絶縁層１１１と配線基板２２０との間をモールディングするモールディング材２４０、及び／又は第３配線層１４３に連結された電気連結金属２５０を更に含む。上述した第６例によるプリント回路基板１００Ｈは、ここでフリップチップダイなどを実装するためのパッケージ基板として用いられる。

【0133】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第５例、第１、第２変形例、第６例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｈ）で説明した内容は、矛盾しない限り、第１変形例によるプリント回路基板１００Ｉにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0134】

図１５は、図１２のプリント回路基板の第２変形例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、第２変形例によるプリント回路基板１００Ｊは、別途の配線基板３２０上に電子部品２１０が表面実装配置された後、その上に上述した第６例によるプリント回路基板１００Ｈが基板－オン－基板の形態で配置されたパッケージ構造を有する。例えば、第２変形例によるプリント回路基板１００Ｊは、上述した第６例によるプリント回路基板１００Ｈにおいて、第１絶縁層１１１上に配置されてセンター領域及びサイド領域に配置される接続パッド（Ｐ１、Ｐ２）を含む配線基板３２０、及び第１絶縁層１１１と配線基板３２０との間に配置されて接続端子２１２が配置されるフロント面及び反対側の面であるバック面を有する電子部品２１０を更に含む。配線基板３２０の接続パッド（Ｐ１、Ｐ２）は、第１及び第２接続部材（２３１、２３２）を介して電子部品２１０の接続端子２１２及び第２パッド１２２にそれぞれ電気的に連結される。必要に応じて、第１絶縁層１１１と配線基板３２０との間をモールディングするモールディング材２４０、及び／又は第３配線層１４３に連結された電気連結金属２５０を更に含む。また、第１パッド１２１と電子部品２１０のバック面とを連結する伝導性部材２６０を更に含む。上述した第６例によるプリント回路基板１００Ｈは、ここで放熱機能を有する上部基板として用いられる。ここで、上部基板は、他のパッケージとの接続のためのインターポーザ基板であるか、又は他の半導体ダイなどが直接実装されるパッケージ基板である。

【0135】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第５例と第１、第２変形例、第６例と第１変形例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｇ、１００Ｈ、１００Ｉ）で説明した内容は、矛盾しない限り、第２変形例によるプリント回路基板１００Ｊにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0136】

図１６は、プリント回路基板の第７例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、第７例によるプリント回路基板１００Ｋは、第１絶縁層１１１、第１絶縁層１１１の上面上に配置される第１パッド１２１、及び第１絶縁層１１１の上面上に配置されて第１パッド１２１の側面をカバーする第１絶縁壁１３１を含む。

【0137】

必要に応じて、第７例によるプリント回路基板１００Ｋは、第１絶縁層１１１の下面上に配置される第１配線層１４１、及び／又は第１絶縁層１１１を貫通して第１パッド１２１を第１配線層１４１の少なくとも一部に電気的に連結する第１接続ビア１５１を更に含む。

【0138】

必要に応じて、第７例によるプリント回路基板１００Ｋは、第１絶縁層１１１の下面上に配置されて第１配線層１４１の少なくとも一部を埋め込む第２絶縁層１１２、第２絶縁層１１２の下面上に配置される第２配線層１４２、及び／又は第２絶縁層１１２を貫通して第１配線層１４１及び第２配線層１４２のそれぞれの少なくとも一部を電気的に連結する第１ビア層１６１を更に含む。

【0139】

必要に応じて、第７例によるプリント回路基板１００Ｋは、第２絶縁層１１２の下面上に配置されて第２配線層１４２の少なくとも一部を埋め込む第３絶縁層１１３、第３絶縁層１１３の下面上に配置される第３配線層１４３、及び／又は第３絶縁層１１３を貫通して第２配線層１４２及び第３配線層１４３のそれぞれの少なくとも一部を電気的に連結する第２ビア層１６２を更に含む。

【0140】

必要に応じて、第７例によるプリント回路基板１００Ｋは、第３絶縁層１１３の下面上に配置されて第３配線層１４３の少なくとも一部の表面の少なくとも一部をオープンさせる第２開口１７２ｈを有する第２パッシベーション層１７２を更に含む。

【0141】

一方、第７例によるプリント回路基板１００Ｋは、第１絶縁層１１１上において第２パッド１２２が省略される。また、第２パッド１２２を囲む第２絶縁壁１３２も省略される。また、第２パッド１２２に接続される第２接続ビア１５２も省略される。また、第１パッシベーション層１７１も省略される。このように、第７例によるプリント回路基板１００Ｋは、ダイ実装のためのセンター領域のみを有し、基板－オン－基板構造のためのサイド領域の構成は省略される。

【0142】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第５例と第１、第２変形例、第６例と第１、第２変形例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ、１００Ｉ、１００Ｊ）で説明した内容は、矛盾しない限り、第７例によるプリント回路基板１００Ｋにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0143】

図１７ａ～図１７ｈは、図１６のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程図である。

【0144】

図１７ａを参照すると、一面又は両面に金属層５１０が形成されたキャリア基板５００を準備し、キャリア基板５００の金属層５１０上に第１パッド１２１及び導体パターン１２５を形成する。

【0145】

図１７ｂを参照すると、キャリア基板５００の金属層５１０上に第１パッド１２１及び導体パターン１２５のそれぞれの少なくとも一部を埋め込む第１絶縁層１１１を形成する。その後、第１配線層１４１及び第１接続ビア１５１を形成する。

【0146】

図１７ｃを参照すると、第１絶縁層１１１上に第１配線層１４１の少なくとも一部を埋め込む第２絶縁層１１２を形成する。その後、第２配線層１４２及び第１ビア層１６１を形成する。その後、第２絶縁層１１２上に第２配線層１４２の少なくとも一部を埋め込む第３絶縁層１１３を形成する。その後、第３配線層１４３及び第２ビア層１６２を形成する。

【0147】

図１７ｄを参照すると、キャリア基板５００を除去する。例えば、キャリア基板５００と金属層５１０とを分離する。

【0148】

図１７ｅを参照すると、金属層５１０を除去する。例えば、シードエッチング工程を用いて金属層５１０を除去する。このとき、第３配線層１４３のシード層も共に除去する。

【0149】

図１７ｆを参照すると、第２パッシベーション層１７２を形成する。第２パッシベーション層１７２をパターニングして第２開口１７２ｈを形成する。第２パッシベーション層１７２は、例えば半田レジスト層を形成した後、それぞれ第２開口１７２ｈを有するようにフォトリソグラフィ工程等を用いてパターニングする方法で形成されるが、これに限定されるものではない。

【0150】

図１７ｇを参照すると、第１絶縁層１１１上に第１ドライフィルム５２１を配置する。また、第２パッシベーション層１７２上に第２ドライフィルム５２２を配置する。その後、露光、現像などのフォトリソグラフィ工程で第１ドライフィルム５２１をパターニングして導体パターン１２５を露出させる露出部５２１ｐを形成する。

【0151】

図１７ｈを参照すると、導体パターン１２５を除去する。例えば、露出部５２１ｐを介して選択的に露出した導体パターン１２５をエッチング工程で除去する。導体パターン１２５が除去されると、リセスＲが形成される。リセスＲによって、第１絶縁層１１１に第１及び第２パッド（１２１、１２２）の側面をカバーする第１及び第２絶縁壁（１３１、１３２）が形成される。その後、第１及び第２ドライフィルム（５２１、５２２）を除去する。

【0152】

一連の過程によって、上述した第７例によるプリント回路基板１００Ｋが製造される。但し、これは一つの製造例に過ぎず、上述した第７例によるプリント回路基板１００Ｋは、これとは異なる工程によっても製造できることは言うまでもない。

【0153】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第５例と第１、第２変形例、第６例と第１、第２変形例、第７例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ、１００Ｉ、１００Ｊ、１００Ｋ）で説明した内容は、上述した製造例の一例で説明した内容と矛盾しない限り、これにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0154】

図１８は、図１６のプリント回路基板の変形例を概略的に示す断面図である。図面を参照すると、変形例によるプリント回路基板１００Ｌは、上述した第７例によるプリント回路基板１００Ｋ上に電子部品２１０が表面実装配置されたパッケージ構造を有する。例えば、変形例によるプリント回路基板１００Ｌは、上述した第７例によるプリント回路基板１００Ｋにおいて、第１絶縁層１１１上に配置されて、第１接続部材２３１を介して第１パッド１２１に電気的に連結される接続端子２１２を含む電子部品２１０を更に含む。必要に応じて、第１絶縁層１１１と電子部品２１０との間を充填するアンダーフィル２８０、及び／又は第３配線層１４３に連結された電気連結金属２５０を更に含む。上述した第７例によるプリント回路基板１００Ｋは、ここで基板－オン－基板とは無関係にフリップチップダイなどのみを実装するためのパッケージ基板として用いられる。

【0155】

アンダーフィル２８０は、電子部品２１０を第１絶縁層１１１上に固定させる。アンダーフィル２８０は、接続端子２１２、第１接続部材２３１、第１絶縁壁１３１などを埋め込んでこれらを保護する。アンダーフィル２８０は、エポキシ樹脂などの接着成分を含むが、材料は、これに限定されるものではなく、公知の他の材料を含み得る。

【0156】

その他に、他の内容、例えば上述した第１～第５例と第１、第２変形例、第６例と第１、第２変形例、第７例によるプリント回路基板（１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ、１００Ｉ、１００Ｊ、１００Ｋ）で説明した内容は、矛盾しない限り、変形例によるプリント回路基板１００Ｌにも適用可能であり、これに対する重複する内容の説明は省略する。

【0157】

図１９～図２２は、複数のパッド及び複数の絶縁壁の様々な形状を概略的に示すトップビューにおける平面図である。

【0158】

図１９を参照すると、平面上において、複数の第１パッド１２１はセンター領域に配置され、複数の第２パッド１２２はこれを囲むサイド領域に配置される。複数の第１パッド１２１は、複数の第１絶縁壁１３１にそれぞれ囲まれる。複数の第２パッド１２２は、複数の第２絶縁壁１３２にそれぞれ囲まれる。複数の第１絶縁壁１３１は、それぞれ第１パッド１２１が配置される第１キャビティ１３１ｒを有する。複数の第２絶縁壁１３２は、それぞれ第２パッド１２２が配置される第２キャビティ１３２ｒを有する。複数の第１絶縁壁１３１と複数の第２絶縁壁１３２との間には、全体的に連結された一つのリセスＲが存在する。複数の第１パッド１２１及び複数の第２パッド１２２はそれぞれ円形の形状を有する。複数の第１絶縁壁１３１及び複数の第２絶縁壁１３２は、それぞれ円形のリング形状を有する。複数の第２パッド１２２のそれぞれは、複数の第１パッド１２１のそれぞれよりも面積が大きい。例えば、複数の第２パッド１２２のそれぞれは、複数の第１パッド１２１のそれぞれよりも直径が大きい。

【0159】

図２０を参照すると、平面上において、複数の第１パッド１２１のうちの少なくとも一つは、いずれか一方向への長さがこれに垂直な他のいずれか一方向への長さよりも長い形状を有する。これを囲む第１絶縁壁１３１も、いずれか一方向への長さがこれに垂直な他のいずれか一方向への長さよりも長いリング形態を有する。このように、半導体ダイの連結方式に応じて円形パッド及び細長いパッドが混在したデザインを適用することができる。即ち、様々なデザインの適用が可能である。細長いパッド形状は接触面積を大きくするために信頼性を向上させることができる。

【0160】

図２１を参照すると、平面上において、複数の第２パッド１２２のうちの少なくとも一つは、いずれか一方向への長さがこれに垂直な他のいずれか一方向への長さよりも長い形状を有する。これを囲む第２絶縁壁１３２も、いずれか一方向への長さがこれに垂直な他のいずれか一方向への長さよりも長いリング形態を有する。このように、基板－オン－基板の連結方式に応じて円形パッド及び細長いパッドが混在したデザインを適用することができる。即ち、様々なデザインの適用が可能である。細長いパッド形状は接触面積を大きくするために信頼性を向上させることができる。

【0161】

図２２を参照すると、平面上において、複数の第１パッド１２１のうちの少なくとも一つは、いずれか一方向への長さがこれに垂直な他のいずれか一方向への長さよりも長い形状を有する。これを囲む第１絶縁壁１３１も、いずれか一方向への長さがこれに垂直な他のいずれか一方向への長さよりも長いリング形態を有する。複数の第２パッド１２２のうちの少なくとも一つは、いずれか一方向への長さがこれに垂直な他のいずれか一方向への長さよりも長い形状を有する。これを囲む第２絶縁壁１３２も、いずれか一方向への長さがこれに垂直な他のいずれか一方向への長さよりも長いリング形態を有する。このように、円形パッド及び細長いパッドが多様に混在したデザインを適用することができる。即ち、様々なデザインの適用が可能である。細長いパッド形状は接触面積を大きくするために信頼性を向上させることができる。

【0162】

本発明において、下側、下部、下面等は便宜上図面の断面を基準にして下方向を意味するものとして使用し、上側、上部、上面等はその反対方向を意味するものとして使用した。但し、これは説明の便宜上、方向を定義したものであって、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向に対する記載によって特に限定されるものではないことは勿論であり、上／下の概念はいつでも変更され得る。

【0163】

本発明において、「連結される」とは、直接連結されることだけではなく、接着剤層などを介して間接的に連結されることを含む概念である。また、「電気的に連結される」とは、物理的に連結された場合及び連結されていない場合の両方を含む概念である。更に、「第１、第２」などの表現は、ある構成要素と他の構成要素とを区分するために使用されるものであって、該当する構成要素の順序及び／又は重要度などを限定するものではない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲内で、第１構成要素は第２構成要素と命名され、同様に第２構成要素は第１構成要素と命名される。

【0164】

本発明で使用した「一例」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記に提示した一例は、他の一例の特徴に結合されて実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明した事項が他の一例で説明しなくても、他の一例においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一例に関する説明として理解することができる。

【0165】

本発明で使用した用語は、単に一例を説明するために使用したものであって、本発明を限定することを意図するものではない。ここで、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

【0166】

以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない範囲で多様に変更実施することが可能である。

【符号の説明】

【0167】

１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆ、１００Ｇ、１００Ｈ、１００Ｉ、１００Ｊ、１００Ｋ、１００Ｌ プリント回路基板
１１１、１１２、１１３ 第１～第３絶縁層
１２１、１２２ 第１、第２パッド
１２５ 導体パターン
１３１、１３２ 第１、第２絶縁壁
１３１ｒ、１３２ｒ 第１、第２キャビティ
１４１、１４２、１４３ 第１～第３配線層
１５１、１５２ 第１、第２接続ビア
１６１、１６２ 第１、第２ビア層
１７１、１７２ 第１、第２パッシベーション層
１７１ｈ、１７２ｈ 第１、第２開口
１９０ 表面処理層
２１０ 電子部品
２１１ ダイ
２１２ 接続端子
２２０、３２０ 配線基板
２２１ 絶縁層
２２２、２２３ 第１、第２接続パッド
２２４ 貫通ビア
２２５、２２６ 第１、第２パッシベーション層
２３１、２３２ 第１、第２接続部材
２４０ モールディング材
２５０ 電気連結金属
２６０ 伝導性部材
２８０ アンダーフィル
３２１、３２２ 絶縁層
３２３、３２４、３２５ 配線層
３２６、３２７ ビア層
３２８、３２９ パッシベーション層
５００ キャリア基板
５１０ 金属層
５２１、５２２ 第１、第２ドライフィルム
５２１ｐ 露出部
１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリ
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ メインボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカ
Ｐ１、Ｐ２ 接続パッド
Ｒ ：リセス

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9a】

【図9b】

【図9c】

【図9d】

【図9e】

【図9f】

【図9g】

【図9h】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13a】

【図13b】

【図13c】

【図13d】

【図13e】

【図13f】

【図13g】

【図13h】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17a】

【図17b】

【図17c】

【図17d】

【図17e】

【図17f】

【図17g】

【図17h】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】