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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-04-25
(45)【発行日】2024-05-08
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20240426BHJP
H01L 33/58 20100101ALI20240426BHJP
H01L 33/00 20100101ALI20240426BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20240426BHJP
G09F 9/302 20060101ALI20240426BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
H01L33/58
H01L33/00 J
G09F9/33
G09F9/302 C
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2020031658
(22)【出願日】2020-02-27
(65)【公開番号】P2021136335
(43)【公開日】2021-09-13
【審査請求日】2022-12-21
(73)【特許権者】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110000408
【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】小川 耀博
【審査官】大西 孝宣
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１９／１４６６３４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０２０－０１２９７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１７－５２１８５９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０９９４９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１８－５３８５５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１２８４４７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－２１１６６５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－２１１６８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０２０／００３３６４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】米国特許第１０３２５８９４（ＵＳ，Ｂ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ３３／００ － ３３／６４
Ｇ０９Ｆ ９／３０ － ９／４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１画素および第２画素を含む回路基板と、前記第１画素の第１陽極パッドおよび第１陰極パッドと重畳し、かつ、電気的に接続するように実装された第１ＬＥＤチップと、
前記第２画素の第２陽極パッドおよび第２陰極パッドと重畳し、かつ、電気的に接続するように実装された第２ＬＥＤチップと、を含み、
前記第１画素は、前記第１ＬＥＤチップと重畳し、前記第１陽極パッドと前記第１陰極パッドとの間にあって、前記第１ＬＥＤチップからの発光を透過する第１光透過領域を含み、
前記第２画素は、前記第２ＬＥＤチップと重畳し、前記第２陽極パッドと前記第２陰極パッドとの間にあって、前記第２ＬＥＤチップからの発光を透過する第２光透過領域を含み、
前記第１ＬＥＤチップおよび前記第２ＬＥＤチップは、前記回路基板側および前記回路基板と反対側に光を出射し、
前記第１陽極パッドは、第１電極層および前記第１電極層の上の第２電極層を含み、
前記第１電極層は、前記第２電極層よりも大きく、かつ、前記第２電極層の端部よりも前記第１陰極パッドの方向に突出し、
前記回路基板の平面視において、前記第１光透過領域の第１面積と前記第２光透過領域の第２面積とが第１の比を有し、
前記第１の比は、前記第１面積：前記第２面積＝１：０．８～１．２である両面発光の表示装置。
【請求項2】
前記第１の比は、前記第１面積：前記第２面積＝１：０．９～１．１である請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１電極層は金属材料である請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第２電極層は透明導電材料である請求項３に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第１ＬＥＤチップは、赤色ＬＥＤチップであり、前記第２ＬＥＤチップは、緑色ＬＥＤチップである請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項6】
前記回路基板は、さらに、第３画素を含み、前記第３画素の第３陽極パッドおよび第３陰極パッドと重畳し、かつ、電気的に接続するように実装された第３ＬＥＤチップを含み、
前記第３画素は、前記第３ＬＥＤチップと重畳し、前記第３陽極パッドと前記第３陰極パッドとの間にあって、前記第３ＬＥＤチップからの発光を透過する第３光透過領域を含み、
前記回路基板の平面視において、前記第１光透過領域の第１面積と前記第３光透過領域の第３面積とが第２の比を有し、
前記第２の比は、前記第１面積：前記第３面積＝１：０．８～１．２である請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項7】
前記第２の比は、前記第１面積：前記第３面積＝１：０．９～１．１である請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第３ＬＥＤチップは、青色ＬＥＤチップである請求項６または請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
平面視において、前記回路基板は、前記第１陽極パッドと前記第１陰極パッドとの間に遮光層を含み、
前記遮光層は、前記第１ＬＥＤチップから前記回路基板側に出射する光を遮光し、
前記回路基板の平面視において、前記第１光透過領域は、前記遮光層によって離隔された複数の領域を含む請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項10】
前記遮光層の電位は、フローティング状態である請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
回路基板と、ＬＥＤチップと、を含む両面発光の表示装置であって、
前記回路基板は、
基板と、
前記基板の上の遮光層と、
前記遮光層の上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上の第１配線層と、
前記第１配線層の上の第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上の前記ＬＥＤチップと接続する陽極パッドと、
前記第２絶縁層の上の前記ＬＥＤチップと接続する陰極パッドと、を含み、
前記回路基板は、前記ＬＥＤチップと重畳し、かつ、前記陽極パッドと前記陰極パッドとの間にあって、前記ＬＥＤチップからの発光を透過する光透過領域を含み、
平面視において、前記遮光層は、前記陽極パッドと前記陰極パッドとの間に位置する表示装置。
【請求項12】
前記第１配線層を含み、前記陽極パッドと接続される画素回路と、前記遮光層とは、重畳しない請求項１１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記画素回路は、少なくとも、第１トランジスタと、第２トランジスタと、第３トランジスタと、第４トランジスタと、第５トランジスタと、を含み、前記第１トランジスタ乃至第５トランジスタの各々は、前記陽極パッドまたは前記陰極パッドと重畳する請求項１２に記載の表示装置。
【請求項14】
前記第１トランジスタは発光制御トランジスタであり、前記第２トランジスタは選択トランジスタであり、
前記第３トランジスタは初期化トランジスタであり、
前記第４トランジスタはリセットトランジスタであり、
前記第５トランジスタは駆動トランジスタであり、
前記第１トランジスタおよび前記第５トランジスタは、前記陰極パッドの外周よりも内側に位置し、
前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、および前記第４トランジスタは、前記陽極パッドの外周よりも内側に位置する請求項１３に記載の表示装置。
【請求項15】
前記第１配線層はゲート電極を含み、前記第２絶縁層はゲート絶縁膜を含む請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置、特にＬＥＤチップを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
スマートフォン等の中小型表示装置においては、液晶やＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用いた表示装置が既に製品化されている。なかでも、自発光型素子であるＯＬＥＤを用いたＯＬＥＤ表示装置は、液晶表示装置と比べて、高コントラストでバックライトが不要という利点を有する。ＯＬＥＤは、２つの電極（陽極および陰極）に透明導電材料を用いることより、透明でありながら、両面（陽極側の面および陰極側の面）に発光することが可能である（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、ＯＬＥＤは有機化合物で構成されるため、有機化合物の劣化によってＯＬＥＤ表示装置の高信頼性を確保することが難しい。
【0003】
近年、次世代表示装置として、回路基板の画素内に微小なＬＥＤチップを実装した、いわゆるマイクロＬＥＤ表示装置およびミニＬＥＤ表示装置の開発が進められている（例えば、特許文献２および特許文献３参照。）。ＬＥＤは、ＯＬＥＤと同様の自発光型素子であるが、ＯＬＥＤと異なり、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などを含む無機化合物で構成されるため、ＯＬＥＤ表示装置と比較すると、マイクロＬＥＤ表示装置は高信頼性を確保しやすい。さらに、ＬＥＤチップは、発光効率が高く、高輝度にすることもできる。したがって、マイクロＬＥＤ表示装置は、高信頼性、高輝度、高コントラストの次世代表示装置として期待されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１７－３８４９号公報
【文献】米国特許第１００９０３３５号明細書
【文献】中国公開特許第１１０１９００８５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
マイクロＬＥＤ表示装置およびミニＬＥＤ表示装置も、ＬＥＤの構造またはＬＥＤチップの実装を工夫することにより、透明で、かつ、両面発光する表示が可能である。しかしながら、マイクロＬＥＤ表示装置およびミニＬＥＤ表示装置の場合、ＬＥＤチップが実装される回路基板には、多くの配線または電極が形成されてため、回路基板側から得られるＬＥＤチップの発光の輝度は、配線および電極の配置に依存したものとなる。すなわち、ＬＥＤチップと重畳する領域に配線または電極が多い場合には輝度が減少し、ＬＥＤチップと重畳する領域に配線または電極が少ない場合には輝度が増加する。そのため、回路基板側からＬＥＤチップの発光を取り出す場合、画素の配列によっては、画素の輝度にばらつきが生じる。
【0006】
本発明は、上記問題に鑑み、回路基板上に実装されたＬＥＤチップが少なくとも回路基板側に光を出射する表示装置において、画素間の輝度のばらつきを抑制することを課題の一つとする。また、複数の発光色のＬＥＤチップが実装された表示装置において、色バランスの優れた表示が可能な表示装置を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、第１画素および第２画素を含む回路基板と、第１画素の第１陽極パッドおよび第１陰極パッドと重畳し、かつ、電気的に接続するように実装された第１ＬＥＤチップと、第２画素の第２陽極パッドおよび第２陰極パッドと重畳し、かつ、電気的に接続するように実装された第２ＬＥＤチップと、を含み、第１画素は、第１ＬＥＤチップと重畳し、第１陽極パッドと第１陰極パッドとの間にあって、第１ＬＥＤチップからの発光を透過する第１光透過領域を含み、第２画素は、第２ＬＥＤチップと重畳し、第２陽極パッドと第２陰極パッドとの間にあって、第２ＬＥＤチップからの発光を透過する第２光透過領域を含み、回路基板の平面視において、第１光透過領域の第１面積と第２光透過領域の第２面積とが第１の比を有し、第１の比は、第１面積：第２面積＝１：０．８～１．２である。
【0008】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、遮光層の上の第１絶縁層と、第１絶縁層の上の第１配線層と、第１配線層の上の第２絶縁層と、第２絶縁層の上のＬＥＤチップと接続する陽極パッドと、第２絶縁層の上のＬＥＤチップと接続する陰極パッドと、を含み、平面視において、遮光層は、陽極パッドと陰極パッドとの間に位置する表示装置。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の模式的な断面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る表示装置に実装されるＬＥＤチップの模式的な断面図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素において、ＬＥＤチップを駆動する回路（画素回路）を示す回路図である。
【図5】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の模式的な平面図である。
【図6A】本発明の一実施形態に係る表示装置において、回路基板の陽極パッドおよび陰極パッドとＬＥＤチップとの位置関係を示す模式的な平面図である。
【図6B】本発明の一実施形態に係る表示装置において、回路基板の陽極パッドおよび陰極パッドとＬＥＤチップとの位置関係を示す模式的な平面図である。
【図6C】本発明の一実施形態に係る表示装置において、回路基板の陽極パッドおよび陰極パッドとＬＥＤチップとの位置関係を示す模式的な平面図である。
【図6D】本発明の一実施形態に係る表示装置において、回路基板の陽極パッドおよび陰極パッドとＬＥＤチップとの位置関係を示す模式的な平面図である。
【図7A】本発明の一実施形態に係る表示装置において、面積が調整された光透過領域を示す模式的な平面図である。
【図7B】本発明の一実施形態に係る表示装置において、面積が調整された光透過領域を示す模式的な平面図である。
【図7C】本発明の一実施形態に係る表示装置において、面積が調整された光透過領域を示す模式的な平面図である。
【図7D】本発明の一実施形態に係る表示装置において、面積が調整された光透過領域を示す模式的な平面図である。
【図8A】本発明の一実施形態に係る表示装置において、回路基板の表示部に含まれる３つの画素を示す模式的な平面図である。
【図8B】本発明の一実施形態に係る表示装置において、回路基板の表示部に含まれる３つの画素を示す模式的な平面図である。
【図8C】本発明の一実施形態に係る表示装置において、回路基板の表示部に含まれる３つの画素を示す模式的な平面図である。
【図9】本発明の一実施形態に係る表示装置の表示部における画素の配列を示す模式的な平面図である。
【図10】本発明の一実施形態に係る表示装置の表示部における画素の配列を示す模式的な平面図である。
【図11】本発明の一実施形態に係る表示装置の表示部における画素の配列を示す模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明に係る各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、各実施形態はあくまで一例にすぎず、当業者が、発明の主旨を保ちつつ適宜変更することによって容易に想到し得るものについても、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかし、図示された形状はあくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
【0011】
本明細書において「αはＡ、ＢまたはＣを含む」、「αはＡ，ＢおよびＣのいずれかを含む」、「αはＡ，ＢおよびＣからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αがＡ～Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
【0012】
本明細書において、説明の便宜上、「上」または「上方」もしくは「下」または「下方」という語句を用いて説明するが、原則として、構造物が形成される基板を基準とし、基板から構造物に向かう方向を「上」または「上方」とする。逆に、構造物から基板に向かう方向を「下」または「下方」とする。したがって、基板上の構造物という表現において、構造物の基板側の面が下面となり、その反対側の面が上面となる。また、基板上の構造物という表現においては、基板と構造物との上下関係を説明しているに過ぎず、基板と構造物との間に他の部材が配置されていてもよい。さらに、「上」または「上方」もしくは「下」または「下方」の語句は、複数の層が積層された構造における積層順を意味するものであり、平面視において重畳する位置関係になくてもよい。
【0013】
本明細書において、「表示装置」とは、映像を表示する装置を幅広く含むものであり、表示パネルや表示モジュールだけでなく、他の光学部材（例えば、偏光部材またはタッチパネルなど）が取り付けられた装置も含むものとする。
【0014】
以下の各実施形態は、技術的な矛盾を生じない限り、互いに組み合わせることができる。
【0015】
【0016】
【0017】
図１に示すように、表示装置１０は、回路基板１００および発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）２００を含む。回路基板１００は、表示部２１０、第１回路部２２０Ｌ、第２回路部２２０Ｒ、および接続部２３０を含む。表示部２１０は、回路基板１００の中央部に設けられ、第１回路部２２０Ｌ、第２回路部２２０Ｒ、および接続部２３０は、回路基板１００の周辺部に設けられている。
【0018】
表示部２１０は、複数の画素２１２を含む。複数の画素２１２の各々に、ＬＥＤチップ２００が実装されている。また、複数の画素２１２の各々には、ＬＥＤチップ２００を制御するためのトランジスタ３００が設けられている。
【0019】
ＬＥＤチップ２００は、少なくとも、回路基板１００側に光を出射することができる。すなわち、ＬＥＤチップ２００からの発光は、回路基板１００を通って外部に取り出される。なお、ＬＥＤチップ２００が、回路基板１００側だけでなく、回路基板１００と反対側にも光を出射してもよい。この場合、表示装置１０は、両面発光が可能な透明ＬＥＤ表示装置となる。
【0020】
複数のＬＥＤチップ２００のは、発光色が異なっていてもよい。すなわち、表示装置１０は、第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂのそれぞれに、互いに発光色の異なる、第１ＬＥＤチップ２００Ｒ、第２ＬＥＤチップ２００Ｇ、および第３ＬＥＤチップ２００Ｂが実装されていてもよい。例えば、第１ＬＥＤチップ２００Ｒは赤色ＬＥＤチップであり、第２ＬＥＤチップ２００Ｇは緑色ＬＥＤチップであり、第３ＬＥＤチップ２００Ｂは青色ＬＥＤチップである。この場合、表示装置１０は、第１ＬＥＤチップ２００Ｒからの赤色発光、第２ＬＥＤチップ２００Ｇからの緑色発光、および第３ＬＥＤチップ２００Ｂからの青色発光を制御することによって、フルカラー表示をすることができる。
【0021】
ＬＥＤチップ２００の大きさは特に限定されない。表示装置１０の大きさまたは解像度を考慮して、ＬＥＤチップ２００を適宜選択すればよい。例えば、表示装置１０が中小型表示装置である場合、ミニＬＥＤチップまたはマイクロＬＥＤチップを用いることができる。
【0022】
なお、以下では、発光色および画素を特に区別しない場合は、ＬＥＤチップ２００および画素２１２として説明する。
【0023】
第１回路部２２０Ｌおよび第２回路部２２０Ｒは、画素に含まれるトランジスタ３００を駆動するための駆動回路を含む。駆動回路は、例えば、走査線駆動回路（ゲートドライバ回路）または信号線駆動回路（ソースドライバ回路）などである。なお、図１では、第１回路部２２０Ｌおよび第２回路部２２０Ｒの２つの回路部が設けられているが、回路部の数は１つであってもよく、３つ以上であってもよい。
【0024】
接続部２３０は、接続配線（図示しない）により、第１回路部２２０Ｌおよび第２回路部２２０Ｒと接続されている。また、接続部２３０は、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）などにより、外部装置と接続される。すなわち、外部装置からの信号は、接続部２３０を介して第１回路部２２０Ｌおよび第２回路部２２０Ｒに伝達され、表示部２１０の画素２１２のトランジスタ３００を制御する。画素２１２のトランジスタ３００の制御の詳細については後述する。
【0025】
【0026】
図２に示すように、回路基板１００の画素２１２は、基板１０２、遮光層１０４、第１絶縁層１０６、第１配線層１０８、第２絶縁層１１０、半導体層１１２、第３絶縁層１１４、第２配線層１１６、第１平坦化層１１８、陽極パッド１２０、および陰極パッド１２２を含む。ＬＥＤチップ２００は、接着層４００を介して、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２の上に実装されている。また、ＬＥＤチップ２００は、接着層４００を介して、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２と電気的に接続されている。言い換えると、ＬＥＤチップ２００は、回路基板１００上にフリップチップボンディングされている。
【0027】
基板１０２は、基板１０２上に設けられる各層を支持することができる。基板１０２は、ＬＥＤチップ２００からの発光を透過することができる基板であればよい。基板１０２として、例えば、ガラス基板、石英基板、またはサファイア基板などの透光性を有する剛性基板を用いることができる。また、基板１０２として、ポリイミド樹脂基板、アクリル樹脂基板、シロキサン樹脂基板、またはフッ素樹脂基板などの透光性を有する可撓性基板を用いることができる。基板１０２の耐熱性を向上させるために、上記の樹脂基板に不純物を導入してもよい。なお、上記の剛性基板または可撓性基板の上に酸化シリコン膜や窒化シリコン膜が成膜された基板を、基板１０２として用いることもできる。
【0028】
遮光層１０４は、ＬＥＤチップ２００からの発光または外光を反射または吸収することができる。遮光層１０４の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）またはタングステン（Ｗ）、もしくはこれらの合金または化合物などを用いることができる。また、遮光層１０４の材料として、例えば、ブラックマトリクスを用いることもできる。さらに、遮光層１０４は、単層構造だけでなく、積層構造とすることもできる。例えば、遮光層１０４は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、および青色カラーフィルタの積層構造であってもよい。
【0029】
第１絶縁層１０６は、遮光層１０４と第１配線層１０８とを分離して絶縁化することができる。また、第１絶縁層１０６に開口部を設けることにより、遮光層１０４と、第１配線層１０８、第２配線層１１６、陽極パッド１２０、または陰極パッド１２２とを電気的に接続させることもできる。第１絶縁層１０６の材料として、例えば、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜、もしくはそれらの積層膜を用いることができる。
【0030】
第１配線層１０８、第２絶縁層１１０、半導体層１１２、第３絶縁層１１４、および第２配線層１１６は、トランジスタ３００の一部として機能することができる。すなわち、第１配線層１０８、第２絶縁層１１０、半導体層１１２、第３絶縁層１１４、および第２配線層１１６のそれぞれは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル領域、層間絶縁膜、およびソース電極またはドレイン電極として機能することができる。
【0031】
図２に示すトランジスタ３００は、ボトムゲート型トランジスタである。第１配線層１０８（ゲート電極）の上に、第２絶縁層１１０（ゲート絶縁膜）が設けられている。第２絶縁層１１０（ゲート絶縁膜）の上に、半導体層１１２（チャネル領域）が設けられている。半導体層１１２（チャネル領域）の上に第３絶縁層１１４（層間絶縁膜）が設けられている。第３絶縁層１１４（層間絶縁膜）の上に第２配線層１１６（ソース電極またはドレイン電極）が設けられている。第３絶縁層１１４（層間絶縁膜）には開口部が設けられ、開口部を介して第２配線層１１６（ソース電極またはドレイン電極）が半導体層１１２（半導体膜）と接している。半導体層１１２と接する第２配線層１１６の一方はソース電極として機能し、第２配線層１１６の一方の他方はドレイン電極として機能することができる。なお、ソース電極とドレイン電極は、機能が入れ替わる場合がある。
【0032】
第１配線層１０８および第２配線層１１６の各々は、金属材料を用いることができる。金属材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、またはビスマス（Ｂｉ）、もしくはこれらの合金または化合物を用いることができる。また、これらの金属材料を積層して、第１配線層１０８または第２配線層１１６とすることもできる。なお、第１配線層１０８または第２配線層１１６は、トランジスタ３００のゲート電極もしくはソース電極またはドレイン電極だけでなく、複数のトランジスタ３００を接続する配線として用いることもできる。
【0033】
第２絶縁層１１０および第３絶縁層１１４の各々は、絶縁性材料を用いることができる。絶縁性材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）、または窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）などの無機絶縁体を用いることができる。ここで、ＳｉＯｘＮｙおよびＡｌＯｘＮｙは、酸素（Ｏ）よりも少ない量の窒素（Ｎ）を含有するシリコン化合物およびアルミニウム化合物である。また、ＳｉＮｘＯｙおよびＡｌＮｘＯｙは、窒素よりも少ない量の酸素を含有するシリコン化合物およびアルミニウム化合物である。また、第２絶縁層１１０および第３絶縁層１１４の各々は、上記のような無機絶縁材料だけでなく、有機絶縁材料を用いることもできる。有機絶縁材料として、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、またはシロキサン樹脂などを用いることができる。第２絶縁層１１０および第３絶縁層１１４の各々は、無機絶縁層材料および有機絶縁材料が各々単独で用いられてもよく、これらが積層されてもよい。
【0034】
半導体層１１２は、チャネル領域を形成することができる半導体材料を用いることができる。半導体材料として、例えば、シリコン、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの酸化物半導体、もしくはヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）または窒化ガリウム（ＧａＮ）などの化合物半導体を用いることができる。半導体材料がシリコンの場合、アモルファスシリコン、ポリシリコン、または単結晶シリコンのいずれであってもよい。
【0035】
図２では、１つのトランジスタ３００を示したが、画素２１２には、複数のトランジスタ３００が設けられている。また、トランジスタ３００は、ボトムゲート型トランジスタに限られない。トランジスタ３００は、トップゲート型トランジスタであってもよい。
【0036】
第１平坦化層１１８は、トランジスタ３００の凹凸を平坦にすることができる。第１平坦化層１１８の材料としては、例えば、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂などを用いることができる。
【0037】
陽極パッド１２０および陰極パッド１２２は、ＬＥＤチップ２００と電気的に接続する電極パッドとして機能することができる。なお、図２では、陽極パッド１２０とトランジスタ３００とが電気的に接続しているが、陰極パッド１２２とトランジスタ３００とが電気的に接続していてもよい。
【0038】
陽極パッド１２０および陰極パッド１２２は、積層構造とすることが好ましい。すなわち、陽極パッド１２０は、第１電極層１２０－１および第２電極層１２０－２を含み、陰極パッド１２２は、第３電極層１２２－１および第４電極層１２２－２を含む。なお、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２の積層構造は、２層に限られず、３層以上であってもよい。
【0039】
陽極パッド１２０および陰極パッド１２２の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）またはタングステン（Ｗ）、もしくはこれらの合金または化合物などの金属材料を用いることができる。また、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２の材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料を用いることができる。
【0040】
陽極パッド１２０および陰極パッド１２２が積層構造である場合、金属材料を用いた第１電極層１２０－１および第３電極層１２２－１の上に、それぞれ、透明導電材料を用いた第２電極層１２０－２および第４電極層１２２－２が設けられることが好ましい。金属材料の表面を透明導電材料で覆うことによって、金属材料の表面を保護することができる。
【0041】
接着層４００は、回路基板１００とＬＥＤチップ２００とを電気的に接続し、接着することができる。接着層４００としては、例えば、銀ペーストまたはハンダを用いることができる。また、接着層４００として、異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いることもできる。
【0042】
図２に示すＬＥＤチップ２００は、接着層４００を介したフリップチップボンディングを用いて回路基板１００上に実装されているが、ＬＥＤチップ２００の実装はこれに限られない。ＬＥＤチップ２００は、ワイヤーボンディングを用いて回路基板１００上に実装されていてもよい。
【0043】
［２．ＬＥＤチップの構成］
表示装置１０では、横型ＬＥＤ構造（水平電極構造）を有するＬＥＤチップ２００が用いられる。そこで、以下では、図３を参照して、横型ＬＥＤ構造を有するＬＥＤチップ２００について説明する。
表示装置１０では、横型ＬＥＤ構造（水平電極構造）を有するＬＥＤチップ２００が用いられる。そこで、以下では、図３を参照して、横型ＬＥＤ構造を有するＬＥＤチップ２００について説明する。
【0044】
図３は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０に実装されるＬＥＤチップ２００の模式的な断面図である。
【0045】
図３に示すように、ＬＥＤチップ２００は、基板２０１、ｎ型半導体層２０２、発光層２０３、ｐ型半導体層２０４、ｐ型電極２０５、ｎ型電極２０６、陽極バンプ２０７、および陰極バンプ２０８を含む。
【0046】
基板２０１は、基板２０１上に設けられる各層を支持することができる。また、基板２０１は、ｎ型半導体層２０２、発光層２０３、およびｐ型半導体層２０４が結晶成長することができる基板であることが好ましい。基板２０１としては、例えば、サファイア基板、炭化ケイ素基板、または窒化ガリウム基板などを用いることができる。
【0047】
ＬＥＤチップ２００が赤色ＬＥＤチップの場合、発光層２０３を構成する材料は、アルミニウム、ガリウム、インジウム、およびリンを含む。アルミニウム、ガリウム、およびインジウムの組成比は、典型的には、アルミニウム：ガリウム：インジウム＝０．２２５：０．２７５：０．５であるが、これに限られない。また、ｎ型半導体層２０２およびｐ型半導体層の各々はリン化アルミニウムインジウムである。
【0048】
ＬＥＤチップ２００が緑色ＬＥＤチップの場合、発光層２０３を構成する材料は、インジウム、ガリウム、および窒素を含む。インジウムとガリウムの組成比は、典型的には、インジウム：ガリウム＝０．４４：０．５５であるが、これに限られない。また、ｎ型半導体層２０２およびｐ型半導体層の各々は窒化ガリウムである。
【0049】
ＬＥＤチップ２００が青色ＬＥＤチップの場合、発光層２０３を構成する材料は、インジウム、ガリウム、および窒素を含む。インジウムとガリウムの組成比は、典型的には、インジウム：ガリウム＝０．２：０．８であるが、これに限られない。また、ｎ型半導体層２０２およびｐ型半導体層の各々は窒化ガリウムである。
【0050】
ｐ型電極２０５およびｎ型電極２０６は、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップ、および青色ＬＥＤチップのいずれの場合も、アルミニウムを用いることができるが、これに限られない。
【0051】
ＬＥＤチップ２００は、基板２０１上に、ｎ型半導体層２０２、発光層２０３、およびｐ型半導体層２０４を結晶成長させ、その後、ｐ型電極２０５およびｎ型電極２０６を形成する。さらに、基板２０１のダイシングを行い、個々のＬＥＤチップ２００に分離する。
【0052】
赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップ、および青色ＬＥＤチップの極大発光波長は、典型的には、それぞれ６４５ｎｍ、５３０ｎｍ、および４５０ｎｍである。
【0053】
陽極バンプ２０７および陰極バンプ２０８は、回路基板１００と接続するための電極となるとともに、ＬＥＤチップ２００の高さを調整することができる。すなわち、ｐ型電極２０５の表面の高さとｎ型電極２０６の表面の高さとが異なる場合、陽極バンプ２０７および陰極バンプ２０８を用いて、ＬＥＤチップ２００の高さを調整することができる。陽極バンプ２０７および陰極バンプ２０８は、めっき、スパッタ、蒸着、または印刷などによって形成することができる。めっきを用いて陽極バンプ２０７および陰極バンプ２０８を形成する場合、陽極バンプ２０７および陰極バンプ２０８の材料としては、例えば、金を用いることができるが、これに限られない。
【0054】
ＬＥＤチップ２００は、基板２０１上に、ｎ型半導体層２０２、発光層２０３、およびｐ型半導体層２０４を結晶成長させ、その後、ｐ型電極２０５およびｎ型電極２０６を形成する。続いて、ｐ型電極２０５およびｎ型電極２０６の上に、それぞれ、陽極バンプ２０７および陰極バンプ２０８を形成する。最後に、基板２０１のダイシングを行い、個々のＬＥＤチップ２００に分離する。
【0055】
ＬＥＤチップ２００は、図２に示す構成に限定されない。例えば、ｐ型電極２０５およびｎ型電極２０６を省略し、ｐ型半導体層２０４およびｎ型半導体層２０２のそれぞれの上に、陽極バンプ２０７および陰極バンプ２０８を形成することもできる。
【0056】
なお、ＬＥＤチップ２００は、大きさに限定されることなく、例えば、ミニＬＥＤチップまたはマイクロＬＥＤチップを用いることができる。
【0057】
［３．画素の構成］
ＬＥＤチップ２００は、画素２１２に含まれる複数のトランジスタ３００を用いて制御される。そこで、以下では、図４を参照して、ＬＥＤチップ２００を駆動する画素回路について説明する。
ＬＥＤチップ２００は、画素２１２に含まれる複数のトランジスタ３００を用いて制御される。そこで、以下では、図４を参照して、ＬＥＤチップ２００を駆動する画素回路について説明する。
【0058】
図４は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の画素２１２において、ＬＥＤチップ２００を駆動する回路（画素回路）を示す回路図である。
【0059】
図４に示すように、画素２１２の画素回路は、ＬＥＤチップ２００、第１トランジスタ３００－１、第２トランジスタ３００－２、第３トランジスタ３００－３、第４トランジスタ３００－４、および第５トランジスタ３００－５、ならびに第１容量３１０を含む。また、走査線２４１、信号線２４２、発光制御走査線２４３、電流供給線２４４、初期化走査線２４５、初期化線２４６、リセット走査線２４７、リセット線２４８、およびカソード配線２４９（Ｃａｔ）を含む。
【0060】
第１トランジスタ３００－１は、発光制御トランジスタである。第１トランジスタ３００－１は、発光制御走査線２４３で開閉され、ＬＥＤチップ２００および第５トランジスタ３００－５へ電流を流すか否かの選択を行う。
【0061】
第２トランジスタ３００－２は、選択トランジスタである。第２トランジスタ３００－２は、走査線２４１で開閉され、信号線２４２で供給される電圧を第５トランジスタ３００－５のゲートに印加する。
【0062】
第３トランジスタ３００－３は、初期化トランジスタである。第３トランジスタ３００－３は、初期化走査線２４５で開閉され、初期化線２４６で供給される電圧を用いて第５トランジスタ３００－５のゲートを所定の電位に固定する。
【0063】
第４トランジスタ３００－４は、リセットトランジスタである。第４トランジスタ３００－４は、リセット走査線２４７で開閉され、リセット線２４８で供給される逆バイアス電圧をＬＥＤチップ２００に印加する。
【0064】
第５トランジスタ３００－５は、駆動トランジスタである。第５トランジスタ３００－５は、上述したように、第２トランジスタ３００－２または第３トランジスタ３００－３の動作に基づいてゲートの電位が決定され、当該ゲートの電位に基づいて決定される値の電流を、電流供給線２４４からＬＥＤチップ２００に供給する。
【0065】
【0066】
図５は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の画素２１２の模式的な平面図である。具体的には、図５は、画素２１２の回路基板１００側の構成を示したものであるが、各トランジスタ３００の接続関係を理解しやすくするため、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２が省略されている。また、各層の接続において、各層の重畳する部分で開口部を介して接続されていてもよい。図５では、開口部が矩形で示されているが、開口部の形状は円形または楕円形であってもよい。
【0067】
図５に示すように、画素２１２は、第１トランジスタ３００－１、第２トランジスタ３００－２、第３トランジスタ３００－３、第４トランジスタ３００－４、および第５トランジスタ３００－５、ならびに第１容量３１０を含む。また、走査線２４１、信号線２４２、発光制御走査線２４３、電流供給線２４４、初期化走査線２４５、初期化線２４６、リセット走査線２４７、およびリセット線２４８を含む。
【0068】
第１トランジスタ３００－１、第２トランジスタ３００－２、第３トランジスタ３００－３、第４トランジスタ３００－４、および第５トランジスタ３００－５の各々は、ゲート電極として機能する第１配線層１０８およびチャネル領域を形成する半導体層１１２を含む。なお、第５トランジスタ３００－５のゲート電極として機能する第１配線層１０８（点線部分）は、第２配線層１１６の下方に設けられ、第２配線層１１６と重畳している。
【0069】
第１容量３１０は、容量電極として機能する第１配線層１０８および第２配線層１１６を含む。なお、第１容量３１０の容量電極として機能する第１配線層１０８（点線部分）も、第２配線層１１６の下方に設けられ、第２配線層１１６と重畳している。
【0070】
走査線２４１、信号線２４２、発光制御走査線２４３、電流供給線２４４、初期化走査線２４５、初期化線２４６、リセット走査線２４７、およびリセット線２４８の各々は、主に、第２配線層１１６を用いて形成されている。第２配線層１１６は、開口部を介して重畳する各半導体層１１２と接している。
【0071】
電流供給線２４４は、ＬＥＤチップ２００の輝度を制御する電流が流れるため、電流供給線２４４を構成する第２配線層１１６の幅は、他の配線の幅よりも大きくすることが好ましい。発光制御走査線２４３は、隣接する画素間で共通化することができる。この場合、発光制御走査線２４３を構成する第２配線層１１６の幅は、電流供給線２４４を構成する第２配線層１１６の幅の次に大きいことが好ましい。
【0072】
図５の第３トランジスタ３００－３で示すように、初期化線２４６を構成する第２配線層１１６の一部の幅を大きくした部分を設け、その部分に配線層を接続するための開口部を形成することもできる。
【0073】
［４．光透過領域の構成］
図５に示したように、回路基板１００の画素２１２には、多くの電極および配線が含まれる。電極および配線の多くは金属材料を用いて形成されるため、電極および配線はＬＥＤチップからの発光を透過しない。そのため、回路基板１００側からＬＥＤチップ２００の発光を取り出すためには、画素２１２に、ＬＥＤチップ２００からの発光（例えば、可視光）を透過することができる領域（光透過領域５００）を設ける必要である。そこで、図６Ａ～図６Ｄを参照して、表示装置１０の回路基板１００における光透過領域５００について説明する。
図５に示したように、回路基板１００の画素２１２には、多くの電極および配線が含まれる。電極および配線の多くは金属材料を用いて形成されるため、電極および配線はＬＥＤチップからの発光を透過しない。そのため、回路基板１００側からＬＥＤチップ２００の発光を取り出すためには、画素２１２に、ＬＥＤチップ２００からの発光（例えば、可視光）を透過することができる領域（光透過領域５００）を設ける必要である。そこで、図６Ａ～図６Ｄを参照して、表示装置１０の回路基板１００における光透過領域５００について説明する。
【0074】
【0075】
図６Ａでは、回路基板１００側の構成である陽極パッド１２０および陰極パッド１２２を実線で示し、ＬＥＤチップ２００ならびにＬＥＤチップ２００の構成であるｐ型電極２０５およびｎ型電極２０６を点線で示している。また、図６Ａに示す構成では、陽極パッド１２０とｐ型電極２０５とが電気的に接続し、陰極パッド１２２とｎ型電極２０６とが電気的に接続している。なお、陽極パッド１２０が陰極パッド、陰極パッド１２２が陽極パッドとして機能する場合は、ＬＥＤチップ２００の電気的接続を逆にすればよい。
【0076】
図６Ｂは、回路基板１００の平面視において、陽極パッド１２０と陰極パッド１２２との間に電極または配線が存在しない場合の構成を示したものである。ＬＥＤチップ２００からの発光は、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２によって遮光されるが、陽極パッド１２０と陰極パッド１２２との間の領域は透過することができる。実際には、回路基板１００とＬＥＤチップ２００との間に空間が存在するため、ＬＥＤチップ２００からの発光は、陽極パッド１２０または陰極パッド１２２の周辺領域も透過すると考えられるが、本明細書では、図６Ｂに示すように、ＬＥＤチップ２００と重畳し、陽極パッド１２０と陰極パッド１２２との間にあって、ＬＥＤチップ２００からの発光を透過する領域を光透過領域５００として定義する。
【0077】
図６Ｃは、陽極パッド１２０ａの形状と陰極パッド１２２ａの形状が異なる場合の例である。陽極パッド１２０ａと陰極パッド１２２ａとの間には、電極または配線が存在しないものとする。この場合においても、図６Ｃに示すように、ＬＥＤチップ２００と重畳し、陽極パッド１２０ａと陰極パッド１２２ａとの間にあって、ＬＥＤチップ２００からの発光を透過する領域を光透過領域５００ａとして定義する。具体的には、光透過領域５００ａは、陽極パッド１２０ａと陰極パッド１２２ａの向かい合う２つの辺と、その２つの辺を結ぶ２つの線によって囲まれた領域である。
【0078】
図６Ｄは、曲線形状を有する陽極パッド１２０ｂおよび陰極パッド１２２ｂの場合の例である。陽極パッド１２０ｂと陰極パッド１２２ｂとの間には、電極または配線が存在しないものとする。この場合においても、図６Ｄに示すように、ＬＥＤチップ２００と重畳し、陽極パッド１２０ｂと陰極パッド１２２ｂとの間にあって、ＬＥＤチップ２００からの発光を透過する領域を光透過領域５００ｂとして定義する。具体的には、光透過領域５００ｂは、陽極パッド１２０ｂの曲線と、陰極パッド１２２ｂの曲線と、陽極パッド１２０ｂと陰極パッド１２２ｂの２つ接線によって囲まれた領域である。
【0079】
実際には、図５に示したように、回路基板１００の画素２１２には、多くの電極および配線が含まれる。本実施形態に係る表示装置１０では、これらの電極または配線を遮光膜として利用することで、光透過領域５００の面積を調整し、回路基板１００を透過する光の輝度を調整する。そこで、以下では、図７Ａ～図７Ｄを参照して、光透過領域５００の面積の調整について説明する。
【0080】
【0081】
図７Ａでは、陽極パッド１２０ｃは、第１電極層１２０ｃ－１および第２電極層１２０ｃ－２を含み、陰極パッド１２２ｃは、第３電極層１２２ｃ－１および第４電極層１２２ｃ－２を含む。第１電極層１２０ｃ－１は、第２電極層１２０ｃ－２よりも大きく、第２電極層１２０ｃ－２の端部よりも陰極パッド１２２ｃの方向に突出した部分（突出部分）を含む。
【0082】
光透過領域５００ｃの面積は、第１電極層１２０ｃ－１の突出部分によって調整することができる。すなわち、第１電極層１２０ｃ－１の突出部分を大きくすることで、光透過領域５００ｃの面積を小さくすることができ、第１電極層１２０ｃ－１の突出部分を小さくすることで、光透過領域５００ｃの面積を大きくすることができる。なお、陽極パッド１２０ｃではなく、陰極パッド１２２ｃで光透過領域５００ｃの面積を調整してもよい。すなわち、第３電極層１２２ｃ－１は、第４電極層１２２ｃ－２よりも大きく、第４電極層１２２ｃ－２の端部よりも陽極パッド１２０ｃの方向に突出した部分（突出部分）を含んでもよい。
【0083】
図７Ｂでは、陽極パッド１２０ｄは、第１電極層１２０ｄ－１および第２電極層１２０ｄ－２を含み、陰極パッド１２２ｄは、第３電極層１２２ｄ－１および第４電極層１２２ｄ－２を含む。第１電極層１２０ｄ－１は、第２電極層１２０ｄ－２よりも大きく、第２電極層１２０ｄ－２の端部よりも陰極パッド１２２ｄの方向に突出した部分（突出部分）を含む。また、第１電極層１２０ｃ－１の突出部分は凹凸状に形成されている。
【0084】
光透過領域５００ｄの面積は、第１電極層１２０ｄ－１の突出部分に形成される凹凸状の凸部および凹部の大きさを変化させることによって調整することができる。すなわち、第１電極層１２０ｄ－１の突出部分の凸部を大きくすることで、光透過領域５００ｄの面積を小さくすることができ、第１電極層１２０ｄ－１の突出部分の凹部を大きくすることで、光透過領域５００ｄの面積を大きくすることができる。
【0085】
図７Ｃでは、陽極パッド１２０ｅと陰極パッド１２２ｅとの間に遮光層１０４ｅを含む。遮光層１０４ｅは金属材料で形成されているため、ＬＥＤチップ２００からの発光は、遮光層１０４ｅを透過しない。そのため、光透過領域５００ｅの面積は、遮光層１０４ｅの大きさによって調整することができる。すなわち、遮光層１０４ｅの幅または長さを大きくし、もしくは遮光層１０４ｅの本数を増やすことで、光透過領域５００ｅの面積を小さくすることができる。逆に、遮光層１０４ｅの幅または長さを小さくし、もしくは遮光層１０４ｅの本数を減らすことで、光透過領域５００ｅの面積を大きくすることができる。
【0086】
また、光透過領域５００ｅに設けられる遮光層１０４ｅは、ＬＥＤチップ２００および画素２１２の画素回路と電気的に接続されていないフローティングの状態であり、ＬＥＤチップ２００の光透過領域５００ｅに設けられるダミーパターンと呼ぶこともできる。ダミーパターンである遮光層１０４ｅは、図２に示すように、第１配線層１０８と基板１０２の間に設けられる。また、ダミーパターンである遮光層１０４ｅは、画素回路を形成する第１配線層１０８、第２配線層１１６、および半導体層１１２のいずれとも異なる層である。そのため、ダミーパターンである遮光層１０４ｅが形成されたことによって、画素回路内で配線間ショートが生じる可能性は低い。さらに、他の層と独立して設けられた遮光層１０４ｅは様々な形状パターンを形成することが可能であり、遮光層１０４ｅの形状の自由度は高い。
【0087】
また、遮光層１０４ｅは、光透過領域５００ｅのみに設けられ、ＬＥＤチップ２００を除く画素回路と重ならない領域にのみ形成されるものであってもよく、画素回路の一部と重なるものであってもよい。
【0088】
図７Ｄでは、陽極パッド１２０ｆと陰極パッド１２２ｆとの間に第２配線層１１６ｆを含む。第２配線層１１６ｆは金属材料で形成されているため、ＬＥＤチップ２００からの発光は、第２配線層１１６ｆを透過しない。そのため、光透過領域５００ｆの面積は、第２配線層１１６ｆの大きさによって調整することができる。すなわち、第２配線層１１６ｆの幅または長さを大きくし、もしくは第２配線層１１６ｆの本数を増やすことで、光透過領域５００ｆの面積を小さくすることができる。逆に、第２配線層１１６ｆの幅または長さを小さくし、もしくは第２配線層１１６ｆの本数を減らすことで、光透過領域５００ｆの面積を大きくすることができる。
【0089】
光透過領域５００ｆの面積の調整において、第２配線層１１６ｆに代わりに、第１配線層１０８ｆを用いてもよい。光透過領域５００ｆに設けられる第２配線層１１６ｆまたは第１配線層１０８ｆは、ＬＥＤチップ２００および画素２１２の画素回路と接続されておらず、フローティング状態にあるダミーパターンと呼ぶこともできる。
【0090】
また、ダミーパターンである第２配線層１１６ｆまたは第１配線層１０８ｆは、光透過領域５００ｆの面積の調整のために画素回路を形成する第２配線層１１６または第１配線層１０８から光透過領域５００ｆに引き出されたものであってもよい。また、ダミーパターンである第２配線層１１６ｆまたは第１配線層１０８ｆは、画素回路を形成する第２配線層１１６または第１配線層１０８の配線幅の一部を大きくし、または小さくして調整されたものであってもよい。
【0091】
本実施形態に係る表示装置１０では、ＬＥＤチップ２００からの発光を回路基板１００側から取り出すことができる。すなわち、回路基板１００の光透過領域５００を透過した発光が、回路基板１００側から出射される。その際、複数の画素の各々の光透過領域５００の面積が一定となるように調整されているため、各画素から輝度の揃った発光が得られる。そこで、以下では、図８Ａ～図８Ｃを参照して、複数の画素における光透過領域５００の面積の調整について説明する。
【0092】
図８Ａ～図８Ｃは、本発明の一実施形態に係る表示装置１０において、回路基板１００の表示部２１０に含まれる３つの画素２１２を示す模式的な平面図である。表示部２１０は、３つの画素２１２として、第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂを含む。なお、図８Ａ～図８Ｃでは、下層と上層とを接続する開口部の記載が省略されている。図８Ａ～図８Ｃにおいて、開口部は、下層の端部と上層の端部とが重畳する部分、下層の端部と上層とが重畳する部分、または下層と上層の端部とが重畳する部分などに、適宜設けることができる。
【0093】
図８Ａに示すように、第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂの各々は、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２を含む。陽極パッド１２０は、第１電極層１２０－１および第２電極層１２０－２を含む。また、陰極パッド１２２は、第３電極層１２２－１および第４電極層１２２－２を含む。ここで、第１電極層１２０－１および第３電極層１２２－１は、可視光を透過しない金属材料で形成され、第２電極層１２０－２および第４電極層１２２－２は、可視光を透過する透明導電材料で形成されているものとして説明する。また、遮光層１０４、第１配線層１０８、および第２配線層１１６は、可視光を透過しない金属材料で形成されているものとして説明する。
【0094】
第１電極層１２０－１は、第２電極層１２０－２よりも大きく、第２電極層１２０－２の端部よりも陰極パッド１２２方向に突出た部分（突出部分）を含む。したがって、第１画素２１２Ｒは、陽極パッド１２０と陰極パッド１２２との間に、第１電極層１２０－１によって面積が調整された第１光透過領域５００Ｒを含む。同様に、第２画素２１２Ｇは第２光透過領域５００Ｇを、第３画素２１２Ｂは第３光透過領域５００Ｂを含む。
【0095】
第１電極層１２０－１の突出部分の大きさは、第１画素２１２Ｒと、第２画素２１２Ｇと、第３画素２１２Ｂとで異なっていてもよい。突出部分の大きさを調整することで、第１光透過領域５００Ｒ、第２光透過領域５００Ｇ、および第３光透過領域５００Ｂの面積を調整することができる。
【0096】
第１画素２１２Ｒは、第１電極層１２０－１と陰極パッド１２２との間に遮光層１０４および第２配線層１１６を含む。そのため、第１画素２１２Ｒに実装される第１ＬＥＤチップ２００Ｒからの発光は、遮光層１０４および第２配線層１１６によって遮光される。したがって、第１光透過領域５００Ｒは、陽極パッド１２０（具体的には、第１電極層１２０－１）と陰極パッド１２２との間にあって第１ＬＥＤチップ２００Ｒと重畳する領域から、遮光層１０４および第２配線層１１６が除外された領域である。すなわち、第１光透過領域５００Ｒは、遮光層１０４および第２配線層１１６によって離隔された複数の領域を含む。
【0097】
第２画素２１２Ｇは、第１電極層１２０－１と陰極パッド１２２との間に第１配線層１０８および第２配線層１１６を含む。そのため、第２画素２１２Ｇに実装される第２ＬＥＤチップ２００Ｇからの発光は、第１配線層１０８および第２配線層１１６によって遮光される。したがって、第２光透過領域５００Ｇは、陽極パッド１２０（具体的には、第１電極層１２０－１）と陰極パッド１２２との間にあって第２ＬＥＤチップ２００Ｇと重畳する領域から、第１配線層１０８および第２配線層１１６が除外された領域である。すなわち、第２光透過領域５００Ｇは、第１配線層１０８および第２配線層１１６によって離隔された複数の領域を含む。
【0098】
第３画素２１２Ｂは、第１電極層１２０－１と陰極パッド１２２との間に第１配線層１０８および第２配線層１１６を含む。そのため、第３画素２１２Ｂに実装される第３ＬＥＤチップ２００Ｂからの発光は、第１配線層１０８および第２配線層１１６によって遮光される。したがって、第３光透過領域５００Ｂは、陽極パッド１２０（具体的には、第１電極層１２０－１）と陰極パッド１２２との間にあって第３ＬＥＤチップ２００Ｂと重畳する領域から、第１配線層１０８および第２配線層１１６が除外された領域である。すなわち、第３光透過領域５００Ｂは、第２配線層１１６によって離隔された複数の領域を含む。
【0099】
第１光透過領域５００Ｒの透過光の輝度と第２光透過領域５００Ｇの透過光の輝度とを合わせるため、第１光透過領域５００Ｒの第１面積と第２光透過領域５００Ｇの第２面積とは、第１面積：第２面積＝１：０．８～１．２（０．８以上１．２以下）の第１の比を有することが好ましい。さらに好ましい第１の比は、第１面積：第２面積＝１：０．９～１．１（０．９以上１．１以下）である。また、第１光透過領域５００Ｒの透過光の輝度と第３光透過領域５００Ｂの透過光の輝度とを合わせるため、第１光透過領域５００Ｒの第１面積と第３光透過領域５００Ｂの第３面積とは、第１面積：第３面積＝１：０．８～１．２（０．８以上１．２以下）の第２の比を有することが好ましい。さらに好ましい第２の比は、第１面積：第３面積＝１：０．９～１．１（０．９以上１．１以下）である。第１の比および第２の比が上記範囲であれば、各画素２１２からの発光の輝度が一定となるため、表示装置１０において、輝度のばらつきが抑制された表示が可能となる。
【0100】
第１面積、第２面積、および第３面積は、第１電極層１２０－１の大きさを変えるだけでなく、遮光層１０４、第１配線層１０８、および第２配線層１１６の幅または本数を変えることによっても調整することができる。
【0101】
図８Ｂは、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２の下方の構造を可視化するため、図８Ａにおいて、カソード線Ｃａｔを省略し、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２を透明化した図である。また、図８Ｃは、トランジスタ３００の位置を可視化するため、図８Ｂにおいて、陽極パッド１２０と陰極パッド１２２との間に設けられた第２配線層１１６を透明化した図である。
【0102】
図８Ｂおよび図８Ｃに示すように、第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂの各々に含まれるトランジスタ３００（図２および図５参照）は、ボトムゲート型トランジスタである。トランジスタ３００のゲート電極として機能する第１配線層１０８よりも下方に遮光層１０４を設けることで、トランジスタ３００の配置とは関係なく、第１面積、第２面積、または第３面積を調整することができる。すなわち、図８Ｂおよび図８Ｃの第１画素２１２Ｒのように、第５トランジスタ３００－５および第１容量３１０（図５参照）と重畳しないで遮光層１０４を設けることもできるが、第５トランジスタ３００－５および第１容量３１０と重畳して遮光層１０４を設けることもできる。また、遮光層１０４の電位は、フローティング状態であってもよい。
【0103】
トランジスタ３００がボトムゲート型トランジスタである場合、図８Ａ～図８Ｃに示すように、半導体層１１２が、第１電極層１２０－１または第３電極層１２２－１の下方に設けられていることが好ましい。第１電極層１２０－１または第３電極層１２２－１がＬＥＤチップ２００からの発光を遮光するため、トランジスタ３００の駆動が安定する。
【0104】
図８Ａ～図８Ｃでは、第１画素２１２Ｒから第２画素２１２Ｇに向かう方向に走査線および信号線が延伸し、第２画素２１２Ｇから第３画素に向かう方向に走査線が延伸している。そのため、図８Ｃに示す第１画素２１２Ｒの第１トランジスタ３００－１では、第１画素２１２Ｒから第２画素２１２Ｇに向かう方向に延伸した走査線から枝分かれさせた配線をゲート電極とすることもできる。
【0105】
図８Ａに示すように、陰極パッド１２２の第３電極層１２２－１を、第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂで共通化させた配線としてもよい。なお、以下では、第３電極層１２２－１と同じ層の配線を、便宜上、配線１２２－１として説明する場合がある。
【0106】
配線１２２－１は、電流供給線２４４（図５参照）に沿って設けられていてもよい。例えば、配線１２２－１は、図４に示すカソード線Ｃａｔに相当してもよい。表示部２１０において、配線１２２－１は、第１画素２１２Ｒと第２画素２１２Ｇの電流供給線２４４（図５、図８Ｂ）に重なり、電流供給線２４４と平行に延出し、表示部２１０の外側まで引き出される。さらに、配線１２２－１（カソード線Ｃａｔ）は、第３画素２１２Ｂの陰極パッド１２２に接続され、表示部２１０において格子状に形成される構造であってもよい。配線１２２－１（カソード線Ｃａｔ）は、図８Ａにおいては、第１画素２１２Ｒおよび第２画素２１２Ｇの電流供給線２４４に沿って形成されるが、第３画素２１２Ｂの電流供給線２４４とは交差するものの第３画素２１２Ｂの電流供給線２４４（図８Ｂ）に沿って形成されてはいない。ただし、第３画素２１２Ｂの電流供給線２４４に沿うように配線１２２－１（カソード線Ｃａｔ）を延出させる構造であってもよい。
【0107】
図８Ｂおよび図８Ｃにおいて、第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂは点線で示されている。また、第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂの各々の陽極パッド１２０および陰極パッド１２２も点線で示されている。図８Ｂおよび図８Ｃに示されるように、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２は、第１画素２１２Ｒ内に設けられている。第２画素２１２Ｇおよび第３画素２１２Ｂにおいても同様である。
【0108】
図５は、図８Ｂおよび図８Ｃに示す第１画素２１２Ｒのレイアウトに相当し、重複する内容については説明を省略する。図８Ｃに示すように、第１画素２１２Ｒの第１トランジスタ３００－１および第５トランジスタ３００－５は、陰極パッド１２２と重畳する。同様に、第２トランジスタ３００－２、第３トランジスタ３００－３、および第４トランジスタ３００－４は、陽極パッド１２０と重畳する。すなわち、画素回路内に設けられた５つ全てのトランジスタ３００が陽極パッド１２０または陰極パッド１２２に覆われている。この構造により、ＬＥＤチップ２００の回路基板１００側から取り出される光は、陽極パッド１２０および陰極パッド１２２により遮光されるため、画素回路を構成するトランジスタ３００を透過することがない。そのため、光照射によるトランジスタ特性の低下を抑制することができる。さらに、回路基板１００のＬＥＤチップ２００が実装される領域以外は、画素回路を構成する配線のみとなるため、レイアウトの自由度が高く、透明ＬＥＤ表示装置の表側や裏側（回路基板側）から見た際の回路基板１００の透明性を損ねることがない。
【0109】
ここで、透明ＬＥＤ表示装置について説明する。透明ＬＥＤ表示装置は、表側から見た際に裏側の背景が視認でき、また裏側から見た際に表側の背景が視認できる表示装置である。透明ＬＥＤ表示装置では、回路基板１００の透明性が重要となる。ここで表側とは、例えば、ＬＥＤチップ２００側であり、裏側とは、例えば、回路基板１００側である。図８Ａ～図８Ｃに示すように、画素２１２の画素回路を構成するトランジスタ３００のすべてを回路基板１００の陽極パッド１２０または陰極パッド１２２に重なるように形成する以外にも、画素回路を構成する各種配線を集約化させ、透明な領域の面積を大きくすることで回路基板１００の全体としての透明性を高めることができる。例えば、図８Ｂおよび図８Ｃに示すように、走査線２４１、初期化走査線２４５、リセット走査線２４７、発光制御走査線２４３は、それぞれ、第１方向Ｘに平行に延出し、第２方向Ｙに一定の間隔で配置されている。同様に、リセット線２４８、信号線２４２、初期化線２４６、電流供給線２４４は、それぞれ、第２方向Ｙに平行に延出し、第１方向Ｘに一定の間隔をで配置されている。図８Ａに示す配線１２２－１（カソード線Ｃａｔ）は第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに延出している。図８Ｂおよび図８Ｃに示すように、第１画素２１２Ｒは、第１方向Ｘに延出する走査線２４１、初期化走査線２４５、リセット走査線２４７、および発光制御走査線２４３から離間された位置に設けられているため、第２方向Ｙに向かって延出する引き回し配線を用いることで４つの走査線と接続することができる。
【0110】
第１画素２１２Ｒにおいて、第２トランジスタ３００－２、第３トランジスタ３００－３、および第４トランジスタ３００－４は、第２方向Ｙに沿って一定の間隔を有し、この順序で配置されている。第２画素２１２Ｇおよび第３画素２１２Ｂにおいても同様である。各画素２１２の第２トランジスタ３００－２、第３トランジスタ３００－３、および第４トランジスタ３００－４はいずれも各画素２１２の陽極パッド１２０の下方に位置し、陽極パッド１２０によって遮光されている。すなわち、第２トランジスタ３００－２、第３トランジスタ３００－３および第４トランジスタ３００－４は、いずれも陽極パッド１２０の外周よりも内側に形成され、陽極パッド１２０からはみ出していない、と言い換えることもできる。
【0111】
第１画素２１２Ｒにおいて、第１トランジスタ３００－１および第５トランジスタ３００－５は、第１方向Ｘに一定の間隔を有し、この順序で配置されている。第２画素２１２Ｇにおいても同様である。一方、第３画素においては、第１トランジスタ３００－１および第５トランジスタ３００－５は、第１方向Ｘに一定の間隔で配置されるものの、配置の順序は第１画素２１２Ｒおよび第２画素２１２Ｇとは逆である。すなわち、第３画素においては、第１方向Ｘに、第５トランジスタ３００－５および第１トランジスタ３００－１がこの順序で配置される。しかし、各画素２１２の３００－１および３００－５はいずれも各画素２１２の陰極パッド１２２の下層に位置し、陰極パッド１２２によって遮光されている。すなわち、第１トランジスタ３００－１および第５トランジスタ３００－５は、いずれも陰極パッド１２２の外周よりも内側に形成され、陰極パッド１２２からはみ出していない、と言い換えることもできる。
【0112】
ここで、第１画素２１２Ｒおよび第２画素２１２Ｇに重なるリセット線２４８、第１画素信号線２４２（Ｒ）、第２画素信号線２４２（Ｇ）、および初期化線２４６を第１信号線群とし、第３画素２１２Ｂに重なるリセット線２４８、第３画素信号線２４２（Ｂ）、および初期化線２４６を第２信号線群とする。電流供給線２４４は、第１信号線群と第２信号線群との間に位置する。第１画素２１２Ｒおよび第２画素２１２Ｇに接続される電流供給線２４４は、第３画素２１２Ｂに接続される電流供給線２４４よりも太く（幅が大きく）形成されている。電流供給線２４４をこのような構成とすることで、例えば、第１画素２１２Ｒおよび第２画素２１２Ｇに実装されるＬＥＤチップ２００の特性（発光効率）と、第３画素２１２Ｂに実装されるＬＥＤチップ２００の特性（発光効率）に差がある場合、ＬＥＤチップ２００の特性が低い側の電流供給線２４４の抵抗値を下げることで、異なる特性を有するＬＥＤチップ２００の特性の差を減らすことができる。また、第１画素２１２Ｒおよび第２画素２１２Ｇに接続される電流供給線２４４と、第３画素２１２Ｂに接続される電流供給線２４４とは、互いに接続部２４４’を介して接続されている。電流供給線２４４を第１信号線群と第２信号線群との間に設けることで、配線のレイアウトを効率的に設計することができる。
【0113】
第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂのそれぞれには、例えば、第１ＬＥＤチップ２００Ｒとして赤色ＬＥＤチップ、第２ＬＥＤチップ２００Ｇとして緑色ＬＥＤチップ、および第３ＬＥＤチップ２００Ｂとして青色ＬＥＤチップを実装することができる。この場合、第１画素２１２Ｒからは赤色発光が得られ、第２画素２１２Ｇからは緑色発光が得られ、第３画素２１２Ｂからは青色発光が得られる。本実施形態に係る表示装置１０によれば、赤色発光、緑色発光、および青色発光のそれぞれが透過する第１光透過領域５００Ｒ、第２光透過領域５００Ｇ、および第３光透過領域５００Ｂの面積比が調整されているため、回路基板１００側から取り出される赤色発光、緑色発光、および青色発光の輝度が一定となる。そのため、表示装置１０は、色バランスが調整され、輝度のばらつきが抑制された表示が可能となる。また、表示装置１０が両面発光である場合には、両面の表示品質の差が小さい表示が可能となる。
【0114】
＜第２実施形態＞
図９を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の表示部２１０における画素２１２の配列について説明する。
図９を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の表示部２１０における画素２１２の配列について説明する。
【0115】
【0116】
図９に示すように、表示部２１０は、第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂを含む。ここでは、第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂのそれぞれには、赤色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップ、および青色ＬＥＤチップが実装され、第１画素２１２Ｒからは赤色発光が得られ、第２画素２１２Ｇからは緑色発光が得られ、第３画素２１２Ｂからは青色発光が得られるものとする。
【0117】
第１画素２１２Ｒ、第２画素２１２Ｇ、および第３画素２１２Ｂの各々は、長辺および短辺を有する矩形である。第１画素２１２Ｒは、矩形の長辺がＸ方向、矩形の短辺がＹ方向となるように配置されている。第２画素２１２Ｇは、矩形の長辺がＸ方向、矩形の短辺がＹ方向となるように配置されている。第３画素２１２Ｂは、矩形の長辺がＸ方向、矩形の短辺がＹ方向となるように配置されている。なお、Ｘ方向およびＹ方向は、表示部２１０が長方形である場合、例えば、Ｘ方向は長方形の長辺方向であり、Ｙ方向は長方形の短辺方向である。
【0118】
画素２１２の形状は矩形に限られない。画素２１２の形状は、例えば、楕円形などであってもよい。画素２１２の形状が矩形以外である場合には、上述した長辺および短辺は、それぞれ、最長辺または長軸および最短辺または短軸とすることができる。
【0119】
表示部２１０は、Ｙ方向において、第１画素２１２Ｒと第２画素２１２Ｇとが交互に配列されている。また、表示部２１０は、Ｘ方向において、第１画素２１２Ｒまたは第２画素２１２Ｇと第３画素２１２Ｂとが交互に配列されている。
【0120】
また、表示部２１０は、１つの第１画素２１２Ｒ、１つの第２画素２１２Ｇ、および１つの第３画素２１２Ｂからなる第１ユニット２１４が、Ｘ方向およびＹ方向に繰り返し配列されているということもできる。第１ユニット２１４内において、第１画素２１２Ｒと第２画素２１２ＧとはＹ方向に隣接して配置され、第１画素２１２Ｒまたは第２画素２１２Ｇと第３画素２１２ＢとはＸ方向に隣接して配置されている。また、第３画素２１２Ｂは、第１画素２１２Ｒよりも第２画素２１２Ｇに近い位置に配置されている。なお、第３画素２１２Ｂは、第２画素２１２Ｇよりも第１画素２１２Ｒに近い位置に配置されていてもよく、第１画素２１２Ｒと第２画素２１２Ｇとの中間の位置に配置されていてもよい。
【0121】
表示部２１０において、全点灯表示（全白表示）を行ったところ、良好な表示品質であることが確認できた。
【0122】
＜変形例１＞
図１０を参照して、表示部２１０とは異なる表示部２１０ａにおける画素２１２の配列について説明する。
図１０を参照して、表示部２１０とは異なる表示部２１０ａにおける画素２１２の配列について説明する。
【0123】
図１０は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の表示部２１０ａにおける画素２１２の配列を示す模式的な平面図である。具体的には、図１０は、表示装置１０の表示部２１０ａの一部の画素２１２を示したものである。なお、本変形例においても、第１画素２１２Ｒからは赤色発光が得られ、第２画素２１２Ｇからは緑色発光が得られ、第３画素２１２Ｂからは青色発光が得られるものとする。また、本変形例に係る表示部２１０ａの説明において、表示部２１０と同様の構成については説明を省略する。
【0124】
表示部２１０ａは、第１ユニット２１４および第２ユニット２１５を含む。第２ユニット２１５は、第１ユニット２１４内の第１画素２１２Ｒの位置と第２画素２１２Ｇの位置とを入れ替えた構成である。表示部２１０ａは、Ｘ方向に、第１ユニット２１４と第２ユニット２１５とが交互に繰り返し配列されている。また、表示部２１０ａは、Ｙ方向に第１ユニット２１４が繰り返し配列され、第１ユニット２１４に隣接して、第２ユニット２１５も繰り返し配列されている。
【0125】
表示部２１０ａにおいて、全点灯表示（全白表示）を行ったところ、画面がざらついて見えたが、表示部２１０ａの端部での粗さは確認されなかった。
【0126】
＜比較例１＞
図１１を参照して、表示部２１０とは異なる表示部２１０ｂにおける画素２１２の配列について説明する。
図１１を参照して、表示部２１０とは異なる表示部２１０ｂにおける画素２１２の配列について説明する。
【0127】
図１１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０の表示部２１０ｂにおける画素２１２の配列を示す模式的な平面図である。具体的には、図１１は、表示装置１０の表示部２１０ｂの一部の画素２１２を示したものである。なお、本比較例においても、第１画素２１２Ｒからは赤色発光が得られ、第２画素２１２Ｇからは緑色発光が得られ、第３画素２１２Ｂからは青色発光が得られるものとする。また、本比較例に係る表示部２１０ｂの説明において、表示部２１０と同様の構成については説明を省略する。
【0128】
表示部２１０ｂでは、第１画素２１２Ｒは、矩形の長辺がＹ方向、矩形の短辺がＸ方向となるように配置されている。第２画素２１２Ｇは、矩形の長辺がＸ方向、矩形の短辺がＹ方向となるように配置されている。第３画素２１２Ｂは、矩形の長辺がＹ方向、矩形の短辺がＸ方向となるように配置されている。
【0129】
表示部２１０ｂは、Ｘ方向において、第１画素２１２Ｒと第３画素２１２Ｂとが交互に配列されている。また、表示部２１０は、Ｙ方向において、第１画素２１２Ｒまたは第３画素２１２Ｂと第２画素２１２Ｇとが交互に配列されている。
【0130】
また、表示部２１０ｂは、１つの第１画素２１２Ｒ、１つの第２画素２１２Ｇ、および１つの第３画素２１２Ｂからなる第１ユニット２１４ａが、Ｘ方向およびＹ方向に繰り返し配列されているということもできる。第１ユニット２１４ａ内において、第１画素２１２Ｒと第３画素２１２ＢとはＸ方向に隣接して配置され、第１画素２１２Ｒまたは第３画素２１２Ｂと第２画素２１２ＧとはＹ方向に隣接して配置されている。また、第２画素２１２Ｇは、第３画素２１２Ｂよりも第１画素２１２Ｒに近い位置に配置されている。
【0131】
表示部２１０ｂにおいて、全点灯表示（全白表示）を行ったところ、Ｙ方向の端部で画素２１２の粗さが目立つ表示となった。
【0132】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0133】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0134】
１０：表示装置、 １００：回路基板、 １０２：基板、 １０４、１０４ｅ：遮光層、 １０６：第１絶縁層、 １０８：第１配線層、 １１０：第２絶縁層、 １１２：半導体層、 １１４：第３絶縁層、 １１６、１１６ｆ：第２配線層、 １１８：第１平坦化層、 １２０、１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ、１２０ｅ、１２０ｆ：陽極パッド、 １２０－１、１２０ｃ－１、１２０ｄ－１：第１電極層、 １２０－２、１２０ｃ－２、１２０ｄ－２：第２電極層、 １２２、１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、１２２ｄ、１２２ｅ、１２２ｆ：陰極パッド、 １２２－１、１２２ｃ－１、１２２ｄ－１：第３電極層、 １２２－２、１２２ｃ－２、１２２ｄ－２：第４電極層、 ２００：発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）、 ２００Ｒ：第１ＬＥＤチップ、 ２００Ｇ：第２ＬＥＤチップ、 ２００Ｂ：第３ＬＥＤチップ、 ２０１：基板、 ２０２：ｎ型半導体層、 ２０３：発光層、 ２０４：ｐ型半導体層、 ２０５：ｐ型電極、 ２０６：ｎ型電極、 ２０７：陽極バンプ、 ２０８：陰極バンプ、 ２１０：表示部、 ２１２、２１２ａ、２１２ｂ：画素、 ２１２Ｒ：第１画素、 ２１２Ｇ：第２画素、 ２１２Ｂ：第３画素、２１４：第１ユニット、 ２１５：第２ユニット、 ２２０Ｌ：第１回路部、 ２２０Ｒ：第２回路部、 ２３０：接続部、 ２４１：走査線、 ２４２：信号線、 ２４３：発光制御走査線、 ２４４：電流供給線、 ２４４’：接続部 ２４５：初期化走査線、 ２４６：初期化線、 ２４７：リセット走査線、 ２４８：リセット線、 ２４９（Ｃａｔ）：カソード線 ３００：トランジスタ、 ３００－１：第１トランジスタ、 ３００－２：第２トランジスタ、 ３００－３：第３トランジスタ、 ３００－４：第４トランジスタ、 ３００－５：第５トランジスタ、 ３１０：第１容量、 ４００：接着層、 ５００、５００ａ、５００ｂ、５００ｃ、５００ｄ、５００ｅ、５００ｆ：光透過領域、 ５００Ｒ：第１光透過領域、 ５００Ｇ：第２光透過領域、 ５００Ｂ：第３光透過領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10】
【図11】