特許 7480026 磁気共鳴イメージング装置、温度測定装置および温度測定方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-04-26

(45)【発行日】2024-05-09

(54)【発明の名称】磁気共鳴イメージング装置、温度測定装置および温度測定方法

(51)【国際特許分類】

   A61B 5/055 20060101AFI20240430BHJP

   G01N 24/00 20060101ALI20240430BHJP

【ＦＩ】

A61B5/055 370

A61B5/055 ZAA

A61B5/055 331

G01N24/00 600C

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2020186600

(22)【出願日】2020-11-09

(65)【公開番号】P2022076262

(43)【公開日】2022-05-19

【審査請求日】2023-09-01

(73)【特許権者】

【識別番号】594164542

【氏名又は名称】キヤノンメディカルシステムズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003708

【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】中林 和人

【審査官】下村 一石

(56)【参考文献】

【文献】再公表特許第２０１５／０７９９２１（ＪＰ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／００７２６２４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】再公表特許第２０１４／１９９７９３（ＪＰ，Ａ１）

【文献】国際公開第２００８／１２６８９５（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ａ６１Ｂ ５／０５５

Ｇ０１Ｒ ３３／２０－３３／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

静磁場を発生する磁石を形成する超電導コイルの温度を測定する温度センサと、
少なくとも高周波磁場が印加されている期間を含む対象期間において、前記温度センサからの出力を除外、または前記温度センサの機能を停止させるセンサ制御部と、
を具備し、
前記センサ制御部は、前記温度センサにより測定された温度データから、前記対象期間の温度データを除外する磁気共鳴イメージング装置。

【請求項2】

前記対象期間は、傾斜磁場が印加されている期間を含む、請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。

【請求項3】

前記対象期間は、前記高周波磁場の印加に起因する過渡応答が発生している期間を含む、請求項１または請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。

【請求項4】

前記対象期間以外の期間で測定された温度データを用いて、前記超電導コイルの推定温度を算出する算出部をさらに具備する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。

【請求項5】

前記温度センサに接続される第１スイッチをさらに具備し、
前記センサ制御部は、前記対象期間に前記第１スイッチをオフにする、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気共鳴イメージング装置。

【請求項6】

前記温度センサの一端と接続される第２スイッチと、
前記温度センサの他端と接続される第３スイッチと、をさらに具備し、
前記センサ制御部は、前記対象期間に前記温度センサに電流が流れないように前記第２スイッチおよび前記第３スイッチを制御する、請求項５に記載の磁気共鳴イメージング装置。

【請求項7】

前記第２スイッチは、前記温度センサと並列に接続され、
前記第３スイッチは、一端が前記第２スイッチの一端と接続され、他端が接地され、
前記センサ制御部は、前記対象期間に前記第２スイッチおよび前記第３スイッチをオンにする、請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。

【請求項8】

前記第２スイッチは、一端が前記温度センサの一端と接続され、他端が接地され、
前記第３スイッチは、一端が前記温度センサの他端と接続され、他端が接地され、
前記センサ制御部は、前記対象期間に前記第２スイッチおよび前記第３スイッチをオンにする、請求項６に記載の磁気共鳴イメージング装置。

【請求項9】

静磁場を発生する磁石を形成する超電導コイルの温度を測定する温度センサと、
一端が前記温度センサの一端に接続され、他端が接地される、コンデンサとダイオードとから形成される第１ダイオードブロックと、
一端が前記温度センサの他端に接続され、他端が接地される、コンデンサとダイオードとから形成される第２ダイオードブロックと、を具備し、
前記第１ダイオードブロックおよび前記第２ダイオードブロックは、高周波磁場および傾斜磁場の少なくとも一方に起因するノイズとなる誘起電圧が前記ダイオードの順方向電圧を超える場合、前記温度センサに電流が流れないように配置される、温度測定装置。

【請求項10】

前記第１ダイオードブロックおよび前記第２ダイオードブロックは、前記温度センサの信号線との接続点と接地との間の距離が、前記高周波磁場と共振しない距離となるように配置される、請求項９に記載の温度測定装置。

【請求項11】

静磁場を発生する磁石を形成する超電導コイルの温度を測定し、
少なくとも高周波磁場が印加されている期間を含む対象期間において測定された温度データを除外、または温度測定機能を停止させ、
測定された前記超電導コイルの温度データから、前記対象期間の温度データを除外する、温度測定方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

明細書等に開示の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置、温度測定装置および温度測定方法に関する。

【背景技術】

【0002】

超電導型磁気共鳴イメージング装置（超電導型ＭＲＩ装置）では、超電導コイルの冷媒として、例えばヘリウムを利用する。しかし、近年のヘリウムの価格の高騰により、ＭＲＩ装置のライフタイムコストが圧迫されている。
そのため、可能な限りヘリウムの容量を少なくした低容量冷媒の採用が望まれる。しかし、ヘリウムの容量が多い、つまり冷媒が十分にあるＭＲＩ装置では、超電導コイルの温度上昇があったとしても冷媒の蒸発によって発熱が吸収できる可能性が高いが、低容量冷媒のように冷媒の量が少ないと、外界から熱の侵入によるクエンチが発生する可能性が高まってしまう。
よって、低容量冷媒を用いたＭＲＩ装置では、磁石内部の超電導状態を保つため、超電導コイルの温度を管理することが重要である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００９－１８３４７２号公報

【文献】特開平０１－２４２０５２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

明細書等に開示の実施形態が解決しようとする課題の一つは、温度の推定精度を向上させることである。ただし、本明細書及び図面に開示の実施形態により解決しようとする課題は上記課題に限られない。後述する実施形態に示す各構成による各効果に対応する課題を他の課題として位置づけることもできる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、温度センサとセンサ制御部とを含む。温度センサは、静磁場を発生する磁石を形成する超電導コイルの温度を測定する。センサ制御部は、少なくとも高周波磁場が印加されている期間を含む対象期間において、前記温度センサからの出力を除外、または前記温度センサの機能を停止させる。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、本実施形態に係るＭＲＩ装置を示す概念図である。

【図2】図２は、第１の実施形態に係る温度測定回路の概念図である。

【図3】図３は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置における温度測定処理を示すフローチャートである。

【図4】図４は、第１の実施形態に係る温度測定処理の第１例を示す図である。

【図5】図５は、第１の実施形態に係る温度測定処理の第２例を示す図である。

【図6】図６は、第１の実施形態に係る温度測定処理の第３例を示す図である。

【図7】図７は、第２の実施形態に係る温度測定回路の第１の構成例を示す図である。

【図8】図８は、第２の実施形態に係るＭＲＩ装置における温度測定処理を示すフローチャートである。

【図9】図９は、第２の実施形態に係る温度測定回路の第１の構成例に係る温度測定処理の一例を示す図である。

【図10】図１０は、第２の実施形態に係る温度測定回路の第２の構成例を示す図である。

【図11】図１１は、第２の実施形態に係る温度測定回路の第２の構成例に係る温度測定処理の一例を示す図である。

【図12】図１２は、第３の実施形態に係る温度測定回路の構成例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照しながら本実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）、温度測定装置および温度測定方法について説明する。以下の実施形態では、同一の参照符号を付した部分は同様の動作を行なうものとして、重複する説明を適宜省略する。

【0008】

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置を示す概念図である。
図１に示すように、ＭＲＩ装置１は、静磁場磁石１０１と、磁石管理ユニット２と、傾斜磁場コイル１０３と、傾斜磁場電源１０５と、寝台１０７と、寝台制御回路１０９と、送信回路１１３と、送信コイル１１５と、受信コイル１１７と、受信回路１１９と、シーケンス制御回路１２１と、バス１２３と、インタフェース１２５と、ディスプレイ１２７と、記憶装置１２９と、処理回路１３１とを備える。なお、ＭＲＩ装置１は、静磁場磁石１０１と傾斜磁場コイル１０３との間に中空の円筒形状のシムコイルを有していてもよい。

【0009】

静磁場磁石１０１は、中空の略円筒形状に形成された磁石である。なお、静磁場磁石１０１は、略円筒形状に限らず、開放型の形状で構成されてもよい。静磁場磁石１０１は、内部の空間に一様な静磁場を発生する。静磁場磁石１０１としては、本実施形態では、超電導コイルを用いた超電導磁石を想定する。

【0010】

傾斜磁場コイル１０３は、中空の円筒形状に形成されたコイルである。傾斜磁場コイル１０３は、静磁場磁石１０１の内側に配置される。傾斜磁場コイル１０３は、互いに直交するＸ、Ｙ、Ｚの各軸に対応する３つのコイルが組み合わされて形成される。Ｚ軸方向は、静磁場の方向と同方向であるとする。また、Ｙ軸方向は、鉛直方向とし、Ｘ軸方向は、Ｚ軸およびＹ軸に垂直な方向とする。傾斜磁場コイル１０３における３つのコイルは、傾斜磁場電源１０５から個別に電流供給を受けて、Ｘ、Ｙ、Ｚの各軸に沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生させる。

【0011】

傾斜磁場コイル１０３によって発生するＸ、Ｙ、Ｚ各軸の傾斜磁場は、例えば、周波数エンコード用傾斜磁場（リードアウト傾斜磁場ともいう）位相エンコード用傾斜磁場およびスライス選択用傾斜磁場を形成する。周波数エンコード用傾斜磁場は、空間的位置に応じてＭＲ信号の周波数を変化させるために利用される。位相エンコード用傾斜磁場は、空間的位置に応じてＭＲ信号の位相を変化させるために利用される。スライス選択用傾斜磁場は、撮像断面を決めるために利用される。

【0012】

傾斜磁場電源１０５は、シーケンス制御回路１２１の制御により、傾斜磁場コイル１０３に電流を供給する電源装置である。

【0013】

寝台１０７は、被検体Ｐが載置される天板１０７１を備えた装置である。寝台１０７は、寝台制御回路１０９による制御のもと、被検体Ｐが載置された天板１０７１を、ボア１１１内へ挿入する。寝台１０７は、例えば、長手方向が静磁場磁石１０１の中心軸と平行になるように、ＭＲＩ装置１が設置された検査室内に設置される。

【0014】

寝台制御回路１０９は、寝台１０７を制御する回路であり、インタフェース１２５を介した操作者の指示により寝台１０７を駆動することで、天板１０７１を長手方向および上下方向へ移動させる。

【0015】

送信コイル１１５は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置されたＲＦコイルである。送信コイル１１５は、送信回路１１３からＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）パルスの供給を受けて、高周波磁場に相当する送信ＲＦ波を発生する。送信コイル１１５は、例えば、全身コイルである。全身コイルは、送受信コイルとして使用されてもよい。全身コイルと傾斜磁場コイル１０３との間には、これらのコイルを磁気的に分離するための円筒状のＲＦシールドが設置される。

【0016】

送信回路１１３は、シーケンス制御回路１２１の制御により、ラーモア周波数等に対応するＲＦパルス）を送信コイル１１５に供給する。

【0017】

受信コイル１１７は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置されたＲＦコイルである。受信コイル１１７は、高周波磁場によって被検体Ｐから放射されるＭＲ信号を受信する。受信コイル１１７は、受信されたＭＲ信号を受信回路１１９へ出力する。受信コイル１１７は、例えば、１以上、典型的には複数のコイルエレメントを有するコイルアレイである。受信コイル１１７は、例えば、フェーズドアレイコイルである。

【0018】

受信回路１１９は、シーケンス制御回路１２１の制御により、受信コイル１１７から出力されたＭＲ信号に基づいて、デジタル化された複素数データであるデジタルのＭＲ信号を生成する。具体的には、受信回路１１９は、受信コイル１１７から出力されたＭＲ信号に対して各種信号処理を施した後、各種信号処理が施されたデータに対してアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換を実行する。受信回路１１９は、Ａ／Ｄ変換されたデータを標本化（サンプリング）する。これにより、受信回路１１９は、デジタルのＭＲ信号（以下、ＭＲデータと呼ぶ）を生成する。受信回路１１９は、生成されたＭＲデータを、シーケンス制御回路１２１に出力する。

【0019】

シーケンス制御回路１２１は、処理回路１３１から出力された検査プロトコルに従って、傾斜磁場電源１０５、送信回路１１３および受信回路１１９等を制御し、被検体Ｐに対する撮像を行う。検査プロトコルは、検査に応じた各種パルスシーケンス（撮像シーケンスともいう）を有する。検査プロトコルには、傾斜磁場電源１０５により傾斜磁場コイル１０３に供給される電流の大きさ、傾斜磁場電源１０５により電流が傾斜磁場コイル１０３に供給されるタイミング、送信回路１１３により送信コイル１１５に供給されるＲＦパルスの大きさ、送信回路１１３により送信コイル１１５にＲＦパルスが供給されるタイミング、受信コイル１１７によりＭＲ信号が受信されるタイミング等が定義されている。

【0020】

バス１２３は、インタフェース１２５と、ディスプレイ１２７と、記憶装置１２９と、処理回路１３１との間でデータを伝送させる伝送路である。バス１２３には、ネットワーク等を介して、各種生体信号計測器、外部記憶装置、各種モダリティなどが適宜接続されてもよい。例えば、生体信号計測器として、不図示の心電計がバスに接続される。

【0021】

インタフェース１２５は、操作者からの各種指示や情報入力を受け付ける回路を有する。インタフェース１２５は、例えば、マウス等のポインティングデバイス、あるいはキーボード等の入力デバイスに関する回路を有する。なお、インタフェース１２５が有する回路は、マウス、キーボードなどの物理的な操作部品に関する回路に限定されない。例えば、インタフェース１２５は、ＭＲＩ装置１とは別体に設けられた外部の入力機器から入力操作に対応する電気信号を受け取り、受け取った電気信号を種々の回路へ出力するような電気信号の処理回路を有していてもよい。

【0022】

ディスプレイ１２７は、処理回路１３１におけるシステム制御機能１３１１による制御のもとで、画像生成機能１３１３により生成された各種磁気共鳴画像（ＭＲ画像）、撮像および画像処理に関する各種情報などを表示する。ディスプレイ１２７は、例えば、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ、プラズマディスプレイ、又は当技術分野で知られている他の任意のディスプレイ、モニタ等の表示デバイスである。

【0023】

記憶装置１２９は、画像生成機能１３１３を介してｋ空間に充填されたＭＲデータ、画像生成機能１３１３により生成された画像データ等を記憶する。記憶装置１２９は、各種検査プロトコル、検査プロトコルを規定する複数の撮像パラメータを含む撮像条件等を記憶する。記憶装置１２９は、処理回路１３１で実行される各種機能に対応するプログラムを記憶する。記憶装置１２９は、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスクドライブ（hard disk drive）、ソリッドステートドライブ（solid state drive）、光ディスク等である。また、記憶装置１２９は、ＣＤ－ＲＯＭドライブやＤＶＤドライブ、フラッシュメモリ等の可搬性記憶媒体との間で種々の情報を読み書きする駆動装置等であってもよい。

【0024】

磁石管理ユニット２は、温度測定回路２０と、センサ制御部２１と、算出部２２とを含む。なお、後述の様に、温度測定回路２０と、処理回路１３１のシステム制御機能１３１１および算出機能１３１５により、同様の構成が実現されてもよい。

【0025】

温度測定回路２０は、温度センサにより静磁場を発生する静磁場磁石１０１を形成する１箇所以上の超電導コイルの温度を測定する回路構成を有する。なお、温度測定回路２０は、温度測定装置とも呼ぶ。

【0026】

センサ制御部２１は、少なくとも高周波磁場が印加されている期間を含む対象期間において、温度センサからの出力を除外、または温度センサの機能を停止させる。なお、以下では対象期間を不使用期間ともいう。

【0027】

算出部２２は、対象期間以外の期間で測定された温度データを用いて、超電導コイルの推定温度を算出する。

【0028】

処理回路１３１は、ハードウェア資源として図示していないプロセッサ、ＲＯＭ（Read-Only Memory）やＲＡＭ等のメモリ等を有し、ＭＲＩ装置１を統括的に制御する。処理回路１３１は、システム制御機能１３１１と、画像生成機能１３１３と、算出機能１３１５とを有する。

【0029】

処理回路１３１の各種機能は、コンピュータによって実行可能なプログラムの形態で記憶装置１２９へ記憶されている。処理回路１３１は、これら各種機能に対応するプログラムを記憶装置１２９から読み出し、実行することで各プログラムに対応する機能を実現するプロセッサである。換言すると、各プログラムを読みだした状態の処理回路１３１は、図１の処理回路１３１内に示された複数の機能等を有することになる。

【0030】

なお、図１においては単一の処理回路１３１にてこれら各種機能が実現されるものとして説明したが、複数の独立したプロセッサを組み合わせて処理回路１３１を構成し、各プロセッサがプログラムを実行することにより機能を実現するものとしても構わない。換言すると、上述のそれぞれの機能がプログラムとして構成され、１つの処理回路が各プログラムを実行する場合であってもよいし、特定の機能が専用の独立したプログラム実行回路に実装される場合であってもよい。

【0031】

なお、上記説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）或いは、特定用途向け集積回路（Application Specific Integrated Circuit：ＡＳＩＣ）、プログラマブル論理デバイス（例えば、単純プログラマブル論理デバイス（Simple Programmable Logic Device：ＳＰＬＤ）、複合プログラマブル論理デバイス（Complex Programmable Logic Device：ＣＰＬＤ）、およびフィールドプログラマブルゲートアレイ（Field Programmable Gate Array：ＦＰＧＡ））等の回路を意味する。

【0032】

プロセッサは、記憶装置１２９に保存されたプログラムを読み出し実行することで各種機能を実現する。なお、記憶装置１２９にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むよう構成しても構わない。この場合、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。なお、寝台制御回路１０９、送信回路１１３、受信回路１１９、シーケンス制御回路１２１等も同様に、上記プロセッサなどの電子回路により構成される。

【0033】

処理回路１３１は、システム制御機能１３１１により、ＭＲＩ装置１を制御する。具体的には、処理回路１３１は、記憶装置１２９に記憶されているシステム制御プログラムを読み出してメモリ上に展開し、展開されたシステム制御プログラムに従ってＭＲＩ装置１の各回路を制御する。例えば、処理回路１３１は、システム制御機能１３１１により、インタフェース１２５を介して操作者から入力される撮像条件に基づいて、検査プロトコルを記憶装置１２９から読み出す。なお、処理回路１３１は、撮像条件に基づいて、検査プロトコルを生成してもよい。処理回路１３１は、検査プロトコルをシーケンス制御回路１２１に送信し、被検体Ｐに対する撮像を制御する。

【0034】

処理回路１３１は、システム制御機能１３１１により、励起パルスシーケンスに従って励起パルスを印加し、傾斜磁場を印加するように制御する。処理回路１３１は、システム制御機能１３１１により、励起パルスシーケンスを実行後、各種データ収集用のパルスシーケンスであるデータ収集シーケンスに従って、被検体ＰからのＭＲ信号を収集し、ＭＲデータを生成する。システム制御機能１３１１は、センサ制御部２１と同様の処理を行う機能を有してもよい。

【0035】

処理回路１３１は、画像生成機能１３１３により、リードアウト傾斜磁場の強度に従って、ｋ空間のリードアウト方向に沿ってＭＲデータを充填する。処理回路１３１は、ｋ空間に充填されたＭＲデータに対してフーリエ変換を行うことにより、ＭＲ画像を生成する。例えば、処理回路１３１は、複素のＭＲデータから絶対値（Magnitude）画像を生成することが可能である。また、処理回路１３１は、複素のＭＲデータにおける実部データと虚部データとを用いて位相画像を生成することが可能である。処理回路１３１は、絶対値画像および位相画像などのＭＲ画像を、ディスプレイ１２７や記憶装置１２９に出力する。

【0036】

処理回路１３１は、磁石管理ユニット２から温度データを取得できる場合、算出機能１３１５により、磁石管理ユニット２に含まれる算出部２２と同様に、超電導コイルの推定温度を算出する。

【0037】

次に、第１の実施形態に係る温度測定回路２０の概念図について図２を参照して説明する。
図２は、Ｚ軸方向から見た架台の断面図であり、静磁場磁石１０１、傾斜磁場コイル１０３、送信コイル１１５の断面がそれぞれ示される。また、図２には、静磁場磁石１０１内に一部が隣接して配置される、温度測定回路２０の等価回路の概念も併せて図示される。

【0038】

静磁場磁石１０１は、架台内に配置される複数のコイルブロックが接続された超電導コイル１０１１により形成される。超電導コイル１０１１は、液体ヘリウムが含まれる冷媒容器（図示せず）内に浸される。液体ヘリウムは、気化しないように極低温冷凍機（図示せず）によって冷却されることで、超電導コイル１０１１の超電導状態が保たれる。

【0039】

低容量冷媒の場合は、サーモサイフォンと呼ばれる閉ループ構造内に冷媒を封じ込め、閉ループの流路によって伝熱冷却すればよい。または、伝熱材のみで冷凍機のコールドヘッドから吸熱する伝導冷却方式で、冷媒を使わずに実現してもよい。

【0040】

温度測定回路２０は、抵抗値Ｒを有する抵抗型センサである温度センサ２０１、抵抗値Ｒ０を有する基準抵抗２０２を含む。温度センサ２０１は、静磁場磁石１０１内で超電導コイル１０１１に近接して配置される。なお、図２の例では、温度センサ２０１を１つ配置する例を示すが、複数の温度センサ２０１を配置してもよい。複数の温度センサ２０１を配置することで、超電導コイル１０１１の局所的な温度上昇も検出できる。

【0041】

超電導コイル１０１１の温度の測定方法は、温度センサ２０１と基準抵抗２０２との電圧を測定し、電圧値の変動から温度を算出すればよい。温度センサ２０１の抵抗値は、温度に応じて変化するため、計測される電圧値も変化することになる。よって、基準電圧Ｖ０を基準として温度センサ２０１および基準抵抗２０２にかかる電圧を測定した測定電圧Ｖｍと、抵抗値と温度との対応関係とを参照することで、超電導コイル１０１１の温度および温度変化を測定できる。

【0042】

温度測定回路２０による温度の測定方法は上述の通りであるが、実際には、ＭＲＩ装置１の撮像中は、高周波磁場であるＲＦパルスが被検体に印加されることによる電磁誘導（誘起電圧）が温度センサ２０１にノイズとして発生する。このような高周波磁場に起因するノイズは、温度測定のための測定電圧よりも条件によっては数十倍以上高い電圧のノイズとして測定値に重畳されるため、温度の測定精度を大きく劣化させる。よって、本実施形態に係るＭＲＩ装置では、このようなノイズを除去する制御が実行される。

【0043】

具体的に、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置における温度推定処理について図３のフローチャートを参照して説明する。
ステップＳ３０１では、撮像シーケンスに従って撮影が開始される。
ステップＳ３０２では、温度センサ２０１が、超電導コイル１０１１の温度を測定することで、温度データが取得される。また、温度測定回路２０において温度を測定した時刻情報を取得できる場合、温度測定回路２０は、温度センサ２０１の測定値と当該測定値を得た時刻を示す時刻情報とを含めた温度データを取得してもよい。

【0044】

ステップＳ３０３では、センサ制御部２１が、例えばシーケンス制御回路１２１から撮像シーケンス情報を取得する。
ステップＳ３０４では、センサ制御部２１が、撮像シーケンス情報に基づき不使用期間を決定する。具体的には、センサ制御部２１は、少なくともＲＦパルスが印加されている期間を不使用期間として決定する。不使用期間の決定方法としては、例えば、撮像シーケンス情報からＲＦパルスの印加の幅とタイミングとが参照されることで、ＲＦパルスを印加している期間が算出できるため、当該期間を不使用期間として決定されればよい。

【0045】

ステップＳ３０５では、センサ制御部２１が、不使用期間に取得した温度データを除去する。センサ制御部２１は、取得されている温度データのうち、不使用期間の温度データを除去した残りのデータを算出部２２に送る。
ステップＳ３０６では、算出部２２が、ステップＳ３０５において不使用期間の温度データが除去された残りの温度データから、超電導コイル１０１１の推定温度を算出する。

【0046】

次に、第１の実施形態に係る温度測定処理の第１の具体例について図４を参照して説明する。
図４（ａ）は、ＲＦパルスの印加期間４０１を示す時系列データであり、図４（ｂ）は、温度測定回路２０による測定電圧の時系列データであり、図４（ｃ）は、不使用期間を設定した場合の測定電圧の時系列データを示す。

【0047】

超電導コイル１０１１は一定温度に冷却されているため、温度測定回路２０の温度センサ２０１の抵抗値はおおよそ一定値となることから、測定電圧の時系列データはおおよそ一定値を示すはずである。しかし、ＲＦパルスの印加期間４０１では、ＲＦパルスの高周波磁場に起因するノイズが温度測定回路２０で測定値に重畳されるため、測定値に誤差が生じる。

【0048】

よって、ＲＦパルスを印加している期間を不使用期間４０２として設定し、不使用期間４０２に測定された温度データを除去する、つまり不使用期間４０２に測定された温度データをマスクする。これにより、ノイズの影響がある期間に測定された温度データを用いずに、ノイズの影響がない期間に測定された温度データから、超電導コイル１０１１の推定温度を算出することができる。

【0049】

なお、ＲＦパルス印加後に測定された温度データには、温度測定回路２０の信号線およびケーブルのインダクタンス分または抵抗分によって、ＲＦパルスに起因するノイズの影響が真値に戻るまでに過渡応答が発生する可能性がある。よって、当該過渡応答の期間を考慮してもよい。

【0050】

過渡応答を考慮した、ＭＲＩ装置１の温度測定処理の第２の具体例について図５を参照して説明する。
図５は、図４と同様に、上から順に、（ａ）ＲＦパルスの印加期間を示す時系列データ、（ｂ）測定電圧の時系列データ、および（ｃ）不使用期間を設定した場合の測定電圧の時系列データである。

【0051】

図４と異なり、ＲＦパルスの印加期間４０１を過ぎても、過渡応答により測定値にふらつきが生じている期間がある。当該期間が過渡応答期間５０１であるため、ＲＦパルスの印加期間４０１と過渡応答期間５０１とを合計した期間を不使用期間５０２として決定すればよい。

【0052】

なお、過渡応答期間５０１は、タイプテストなどで決定してもよい。また、過去に取得された温度データ（または測定電圧）に基づき、ＲＦパルスの印加が終了してから温度（または測定電圧）がＲＦパルスの印加前の一定値に戻るまでの期間を過渡応答期間５０１として決定してもよい。

【0053】

ＲＦパルスは高周波磁場を発生するため、温度測定回路２０に重畳されるノイズが多く発生し得るが、高周波磁場ではない傾斜磁場であっても、傾斜磁場を印加することで大きなエネルギーが発生する。そのため、温度測定回路２０で測定される信号全体が底上げされる等のＳ／Ｎ比の劣化をもたらす可能性がある。さらに、傾斜磁場を印加する際の装置の振動により、ノイズが発生し、発生したノイズが温度センサ２０１の測定値に重畳される可能性もある。

【0054】

そこで、ＲＦパルスに加え、傾斜磁場を印加している期間も不使用期間として設定してもよい。傾斜磁場を考慮した、ＭＲＩ装置１の温度測定処理の第３の具体例について図６を参照して説明する。
図６（ａ），（ｃ），（ｄ）は、図４（ａ），（ｂ），（ｃ）とそれぞれ同様である。図６（ｂ）は、傾斜磁場の印加期間６０１を示す時系列データである。

【0055】

図６に示すように、ＲＦパルスまたは傾斜磁場の少なくともどちらか一方が印加されている期間が不使用期間６０２として設定されればよい。
なお、ファンクショナルＭＲＩ（ｆＭＲＩ）のような長時間の撮影など、ＲＦパルスおよび傾斜磁場が印加される期間が長い撮像シーケンスでは、不使用期間６０２の温度データを除去してしまうと、超電導コイル１０１１の推定温度を算出するための残りの温度データ数が少なくなってしまう可能性もある。このような場合、撮像シーケンス中に温度測定のためのブランク期間を設けてもよい。温度測定回路２０は、ＲＦパルスおよび傾斜磁場が印加されない当該ブランク期間において超電導コイル１０１１の温度を測定して温度データを取得することで、推定温度を算出するための温度データのデータ数を確保できる。さらに、撮像シーケンス中ではなく、検査プロトコルと次の検査プロトコルとの間で、温度センサ２０１が超電導コイル１０１１の温度を測定し、温度測定回路２０が温度データを取得してもよい。

【0056】

また、ＲＦパルスの印加期間４０１および傾斜磁場の印加期間６０１に関わらず、推定温度を算出するためのデータ数が不十分であり、測定値のＳ／Ｎ比が確保できない場合は、算出部２２が、不使用期間以外で取得した温度データ時間平均を算出することでＳ／Ｎ比も向上させてもよい。

【0057】

以上に示した第１の実施形態によれば、センサ制御部は、不使用期間に取得された温度データを、超電導コイルの推定温度を算出するためのデータ群から除去する。これにより、ＲＦパルスまたは傾斜磁場が印加されることにより発生するノイズの影響を受けない温度データに基づいて、超電導コイルの推定温度を算出でき、超電導コイルの温度の推定精度を向上させることができる。

【0058】

（第２の実施形態）
第２の実施形態では、温度測定回路２０にスイッチを設け、不使用期間における温度データを物理的に取得しないようにする点が第１の実施形態とは異なる。

【0059】

第２の実施形態に係る温度測定回路２０の第１の構成例について図７を参照して説明する。
図７は、図２と同様にＺ軸方向から見た架台の断面図である。第２の実施形態に係る温度測定回路２０は、温度センサ２０１と、基準抵抗２０２と、スイッチ７０１と、スイッチ制御回路７０２とを含む。

【0060】

スイッチ７０１は、温度センサ２０１と基準抵抗２０２との間に接続される。スイッチ７０１が、スイッチ制御回路７０２によりオンオフ制御されることで、温度センサ２０１への電流の導通または遮断を実現する。スイッチ７０１は、例えば水銀リレーを用いて形成されることを想定するが、これに限らず、微弱電流をスイッチのオン時に導通できる構成であればよい。

【0061】

スイッチ制御回路７０２は、例えばシーケンス制御回路１２１またはセンサ制御部２１から撮像シーケンス情報を受け取り、撮像シーケンス情報に含まれるＲＦパルスおよび／または傾斜磁場の印加期間に関する情報を参照し、スイッチ７０１のオンオフを制御する。なお、センサ制御部２１から情報を受け取る場合は、撮像シーケンス情報全体ではなく、撮像シーケンス情報からセンサ制御部２１により抽出されたＲＦパルスおよび／または傾斜磁場の印加期間に関する情報を受け取ってもよい。

【0062】

スイッチ制御回路７０２は、ここでは温度測定回路２０に含まれる場合を想定するが、磁石管理ユニット２に存在してもよいし、磁石管理ユニット２とは別に存在してもよい。すなわち、撮像シーケンス情報に基づいて、スイッチ７０１をオンオフ制御可能であれば、どこに存在してもよい。また、スイッチ制御回路７０２の代わりに、センサ制御部２１がスイッチ制御回路７０２の機能を実行するように構成されてもよい。

【0063】

次に、第２の実施形態に係るＭＲＩ装置１の温度測定処理について図８のフローチャートを参照して説明する。図８のフローチャートでは、１つの撮像シーケンスにおける温度測定処理を示す。

【0064】

ステップＳ８０１では、スイッチ制御回路７０２は、撮影開始前に撮像シーケンス情報を取得する。
ステップＳ８０２では、撮像シーケンスに従って撮影が開始される。

【0065】

ステップＳ８０３では、温度測定回路２０が、温度データを取得する。
ステップＳ８０４では、スイッチ制御回路７０２が、撮像シーケンス情報に基づいて、ＲＦパルスまたは傾斜磁場が印加中の期間であるか否かを判定する。ＲＦパルスまたは傾斜磁場が印加中の期間に該当する場合は、ステップＳ８０５に進み、ＲＦパルスまたは傾斜磁場が印加されていない期間であれば、ステップＳ８０６に進む。

【0066】

ステップＳ８０５では、ＲＦパルスまたは傾斜磁場が印加中の期間であるため、温度測定回路２０により測定が行われないように、スイッチ制御回路７０２がスイッチ７０１をオフにする。なお、スイッチが既にオフとなっている場合は、そのままスイッチを切り換えなくてもよい。

【0067】

ステップＳ８０６では、ＲＦパルスまたは傾斜磁場が印加されていない期間であるため、温度測定回路２０により測定が行われないように、スイッチ制御回路７０２が、スイッチ７０１をオンにする。なお、スイッチが既にオンとなっている場合は、そのままスイッチを切り換えなくてもよい。

【0068】

ステップＳ８０７では、算出部２２が、温度測定回路２０により取得された温度データから、超電導コイル１０１１の推定温度を算出する。

【0069】

次に、第２の実施形態に係る温度測定回路２０の第１の構成例における温度測定処理の一例について図９を参照して説明する。
図９（ａ）は、ＲＦパルスの印加期間４０１を示す時系列データであり、図９（ｂ）は、スイッチ７０１の制御状態を示す時系列データであり、図９（ｃ）は、測定電圧の時系列データである。

【0070】

図９に示すように、スイッチ制御回路７０２によりＲＦパルスの印加期間４０１にスイッチ７０１がオフとなり、温度センサ２０１に電流が流れないため、温度が測定されない。一方、ＲＦパルスの印加期間４０１にスイッチ７０１がオンとなり、温度センサ２０１に電流が流れ、温度が測定される。

【0071】

なお、スイッチ制御回路７０２は、ＲＦパルスに限らず、第１の実施形態に示した過渡応答期間５０１および傾斜磁場の印加期間６０１にスイッチ７０１をオフとしてもよい。
これにより、温度測定回路２０は、ＲＦパルスまたは傾斜磁場に起因するノイズの影響を受けずに温度を測定することができるため、測定される温度の精度を向上させることができる。

【0072】

次に、第２の実施形態に係る温度測定回路２０の第２の構成例について図１０を参照して説明する。
図１０は、図７と同様にＺ軸方向から見た架台の断面図である。第２の実施形態の変形例に係る温度測定回路２０は、温度センサ２０１と、基準抵抗２０２と、第１スイッチ１００１と、第２スイッチ１００２と、第３スイッチ１００３と、スイッチ制御回路１００４とを含む。

【0073】

第１スイッチ１００１は、スイッチ７０１と同様の構成であればよく、温度センサ２０１と基準抵抗２０２との間に接続される。スイッチ７０１が、スイッチ制御回路７０２によりオンオフ制御されることで、電流の導通または遮断を実現する。

【0074】

第２スイッチ１００２は、温度センサ２０１と並列に接続される。
第３スイッチ１００３は、一端が第２スイッチ１００２の第１スイッチ１００１側の一端に接続され、他端が接地される（ＧＮＤに接続される）。第２スイッチ１００２および第３スイッチ１００３についてもスイッチ７０１と同様の構成で実現されればよい。なお、電圧源Ｖ０がスイッチ１００２，１００３によってＧＮＤに接続されるため、電源側に適切な電流制限機構を設けておくことが望ましい。

【0075】

スイッチ制御回路１００４は、スイッチ制御回路７０２と同様であり、撮像シーケンス情報を受け取り、撮像シーケンス情報に含まれるＲＦパルスおよび／または傾斜磁場の印加期間に関する情報を参照し、温度を測定するときは、第１スイッチ１００１をオンにし、第２スイッチ１００２および第３スイッチ１００３をオフにするように制御する。これにより、温度センサ２０１に電流が流れ、接地側には電流が流れない。
一方、温度を測定しないときは、スイッチ制御回路１００４は、第１スイッチ１００１をオフにし、第２スイッチ１００２および第３スイッチ１００３をオンにするように制御する。これにより、温度センサ２０１には電流が流れず、第２スイッチ１００２および第３スイッチ１００３を介して接地側に電流が流れる。
なお、第２スイッチ１００２の一端は基準電圧Ｖ０側の信号線に接続され、他端が接地されてもよい。

【0076】

次に、第２の実施形態に係る温度測定回路２０の第２の構成例に係る温度測定処理の一例について図１１を参照して説明する。
図１１（ａ）は、ＲＦパルスの印加期間４０１を示す時系列データであり、図１１（ｂ）は、第１スイッチ１００１の制御状態を示す時系列データであり、図１１（ｃ）は、第２スイッチ１００２および第３スイッチ１００３の制御状態を示す時系列データであり、図１１（ｄ）は、測定電圧の時系列データである。

【0077】

図１１に示すように、スイッチ制御回路１００４によりＲＦパルスの印加期間４０１に第１スイッチ１００１がオフとなる一方、第２スイッチ１００２および第３スイッチ１００３がオンとなる。これにより、温度が測定されない。一方、ＲＦパルスの印加期間４０１以外の期間では、スイッチ１００１がオンとなり、第２スイッチ１００２および第３スイッチ１００３がオフとなる。これにより、温度センサ２０１により温度が測定される。

【0078】

なお、スイッチ制御回路１００４は、ＲＦパルスに限らず、第１の実施形態に示した過渡応答期間５０１および傾斜磁場の印加期間６０１で温度を測定しないように、過渡応答期間５０１および傾斜磁場の印加期間６０１において、第１スイッチ１００１をオフとし、第２スイッチおよび第３スイッチをオンとしてもよい。

【0079】

以上に示した第２の実施形態によれば、温度測定回路にスイッチを配置し、ＲＦパルスまたは傾斜磁場が印加される期間にスイッチをオンオフ制御し、温度センサに電流が流れないように設定する。これにより、温度センサは、ＲＦパルスまたは傾斜磁場に起因するノイズの影響を受けずに温度を測定することができるため、測定される温度の精度を向上させることができる。

【0080】

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る温度測定回路２０について図１２を参照して説明する。
図１２は、図７と同様にＺ軸方向から見た架台の断面図である。第３の実施形態に係る温度測定回路２０は、温度センサ２０１と、基準抵抗２０２と、第１ダイオードブロック１２０１と、第２ダイオードブロック１２０２とを含む。

【0081】

第１ダイオードブロック１２０１は、コンデンサと、極性が異なりかつ並列に接続される２つのダイオード（以下、クロスダイオードともいう）とを含む。第１ダイオードブロック１２０１は、一端が温度センサ２０１の一端に接続され、他端が接地される。

【0082】

第２ダイオードブロック１２０２は、第１ダイオードブロック１２０１と同一の構成を有する。第２ダイオードブロック１２０２は、一端が温度センサ２０１の他端に接続され、他端が接地される。

【0083】

なお、図１０に示す第２スイッチ１００２および第３スイッチ１００３と同様に、第１ダイオードブロック１２０１が温度センサ２０１と並列に接続され、第２ダイオードブロック１２０２の一端が第１ダイオードブロック１２０１の一端に接続され、他端が接地されてもよい。

【0084】

第１ダイオードブロック１２０１および第２ダイオードブロック１２０２はそれぞれ、ダイオードの順方向電圧以上のノイズのエネルギーが温度測定回路２０に発生した場合、電流が接地側に流れる（ＧＮＤ側に流れる）。一方、ノイズのエネルギーがダイオードの順方向電圧未満である場合、第１ダイオードブロック１２０１および第２ダイオードブロック１２０２には電流が流れず、特に動作をしない素子として振る舞う。

【0085】

すなわち、クロスダイオードは、ＲＦパルスによる高周波磁場および傾斜磁場に起因するノイズが温度測定回路２０に発生した場合は、温度センサ２０１に電流が流れないよう電流を接地側に逃がすことでスイッチの役割を果たすことができる。よって、温度センサ２０１への電流を遮断できるため、温度測定回路２０では温度が測定されない。

【0086】

一方、ノイズが温度測定回路２０に発生していない通常時は、第１ダイオードブロック１２０１および第２ダイオードブロック１２０２には電流が流れないため、温度センサ２０１に電流が流れ、温度測定回路２０では温度が測定される。

【0087】

なお、第１ダイオードブロック１２０１および第２ダイオードブロック１２０２はそれぞれ、温度センサ２０１の信号線の接続点から接地との距離が、ＲＦパルスと共振しない距離となるように配置される。例えば、温度センサ２０１から引き出される信号線の接続点と接地との間の距離が、ＲＦパルスの共鳴周波数の２分の１波長、４分の１波長とならないように配置される。より具体的には、例えば共鳴周波数の４分の１波長よりも短い距離となるように配置されればよい。

【0088】

以上に示した第３の実施形態によれば、ダイオードの順方向電圧以上のノイズのエネルギーが温度測定回路に発生した場合、電流が接地側に流れるように、温度測定回路にクロスダイオードブロックを配置する。これにより、第２の実施形態のようなスイッチおよびスイッチ制御回路を用いずに、閾値以上のノイズが発生した場合に、温度センサへのエネルギーの流れ込みを防ぐことができる。よって、第２の実施形態と同様に、ＲＦパルスの高周波磁場および傾斜磁場の影響を受ける期間は温度を測定せず、高周波磁場および傾斜磁場の影響を受けない期間でのみ温度を測定することができるため、超電導コイルの温度の推定精度を向上させることができる。本実施形態では周波数の低い傾斜磁場のノイズを低減することは難しいが、傾斜磁場起因のノイズが十分に小さい場合や傾斜磁場起因のノイズの周波数が十分に高い場合は、特別な制御回路なしに高周波磁場起因のノイズの影響を低減できる。

【0089】

以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、温度の推定精度を向上させることができる。

【0090】

加えて、実施形態に係る各機能は、当該処理を実行するプログラムをワークステーション等のコンピュータにインストールし、これらをメモリ上で展開することによっても実現することができる。このとき、コンピュータに当該手法を実行させることのできるプログラムは、磁気ディスク（ハードディスクなど）、光ディスク（ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標）ディスクなど）、半導体メモリなどの記憶媒体に格納して頒布することも可能である。

【0091】

いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、実施形態同士の組み合わせを行なうことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

【0092】

以上の実施形態に関し、発明の一側面及び選択的な特徴として以下の付記を開示する。

【0093】

（付記１）
静磁場磁石を形成する超電導コイルの温度を測定する温度センサと、
少なくとも高周波磁場が印加されている期間を含む対象期間において、前記温度センサからの出力を除外、または前記温度センサの機能を停止させるセンサ制御部と、
を具備する磁気共鳴イメージング装置。

【0094】

（付記２）
前記対象期間は、傾斜磁場が印加されている期間を含んでもよい。

【0095】

（付記３）
前記対象期間は、前記高周波磁場の印加に起因する過渡応答が発生している期間を含んでもよい。

【0096】

（付記４）
前記対象期間以外の期間で測定された温度データを用いて、前記超電導コイルの推定温度を算出する算出部をさらに含んでもよい。

【0097】

（付記５）
前記センサ制御部は、前記温度センサにより測定された温度データから、前記対象期間の温度データを除外してもよい。

【0098】

（付記６）
前記磁気共鳴イメージング装置は、前記温度センサに接続される第１スイッチをさらに含んでもよい。
前記センサ制御部は、前記対象期間に前記第１スイッチをオフにしてもよい。

【0099】

（付記７）
前記磁気共鳴イメージング装置は、前記温度センサの一端と接続される第２スイッチと、
前記温度センサの他端と接続される第３スイッチと、をさらに含んでもよい。
前記センサ制御部は、前記対象期間に前記温度センサに電流が流れないように前記第２スイッチおよび前記第３スイッチを制御してもよい。

【0100】

（付記８）
前記第２スイッチは、前記温度センサと並列に接続されてもよい。
前記第３スイッチは、一端が前記第２スイッチの一端と接続され、他端が接地されてもよい。
前記センサ制御部は、前記対象期間に前記第２スイッチおよび前記第３スイッチをオンにしてもよい。

【0101】

（付記９）
前記第２スイッチは、一端が前記温度センサの一端と接続され、他端が接地されてもよい。
前記第３スイッチは、一端が前記温度センサの他端と接続され、他端が接地されてもよい。
前記センサ制御部は、前記対象期間に前記第２スイッチおよび前記第３スイッチをオンにしてもよい。

【0102】

（付記１０）
静磁場を発生する磁石を形成する超電導コイルの温度を測定する温度センサと、
一端が前記温度センサの一端に接続され、他端が接地される、コンデンサとダイオードとから形成される第１ダイオードブロックと、
一端が前記温度センサの他端に接続され、他端が接地される、コンデンサとダイオードとから形成される第２ダイオードブロックと、を含み、
前記第１ダイオードブロックおよび前記第２ダイオードブロックは、高周波磁場および傾斜磁場の少なくとも一方に起因する電位変動および電磁誘導の少なくとも一方がダイオードの順方向電圧を超える場合、前記温度センサに電流が流れないように配置される、温度測定装置。

【0103】

（付記１１）
前記第１ダイオードブロックおよび前記第２ダイオードブロックは、前記温度センサの信号線との接続点と接地との間の距離が、前記高周波磁場と共振しない距離となるように配置されてもよい。

【0104】

（付記１２）
静磁場を発生する磁石を形成する超電導コイルの温度を測定し、
少なくとも高周波磁場が印加されている期間を含む対象期間において測定された温度データを除外、または温度測定機能を停止させる、温度測定方法。

【0105】

（付記１３）
前記第１ダイオードブロックは、前記温度センサと並列に接続されてもよい。
前記第２ダイオードブロックは、一端が前記温度センサの一端に接続され、他端が接地されてもよい。

【0106】

（付記１４）
前記第１ダイオードブロックおよび前記第２ダイオードブロックは、クロスダイオードを含んでもよい。

【0107】

（付記１５）
前記第１ダイオードブロックおよび前記第２ダイオードブロックは、前記温度センサの信号線との接続点と接地との間の距離が、前記高周波磁場の共鳴周波数の４分の１波長よりも短い距離に配置されてもよい。

【符号の説明】

【0108】

１ ＭＲＩ装置
２ 磁石管理ユニット
２０ 温度測定回路
２１ センサ制御部
２２ 算出部
１０１ 静磁場磁石
１０３ 傾斜磁場コイル
１０５ 傾斜磁場電源
１０７ 寝台
１０９ 寝台制御回路
１１１ ボア
１１３ 送信回路
１１５ 送信コイル
１１７ 受信コイル
１１９ 受信回路
１２１ シーケンス制御回路
１２３ バス
１２５ インタフェース
１２７ ディスプレイ
１２９ 記憶装置
１３１ 処理回路
２０１ 温度センサ
２０２ 基準抵抗
４０１，６０１ 印加期間
４０２，５０２，６０２ 不使用期間
５０１ 過渡応答期間
７０１ スイッチ
７０２，１００４ スイッチ制御回路
１００１ 第１スイッチ
１００２ 第２スイッチ
１００３ 第３スイッチ
１０１１ 超電導コイル
１０７１ 天板
１２０１ 第１ダイオードブロック
１２０２ 第２ダイオードブロック
１３１１ システム制御機能
１３１３ 画像生成機能
１３１５ 算出機能

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】