特許7480300マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル構造及びその製造方法

発明の名称　マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル構造及びその製造方法

出願人　湖北三安光電有限公司　（識別番号 523451347）

　　　　特許公開件数ランキング 31340 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 9371 位（1件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7480300

公報発行日　2024年5月9

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7480300

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