特許 7482083 半導体装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-01

(45)【発行日】2024-05-13

(54)【発明の名称】半導体装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 29/78 20060101AFI20240502BHJP

   H01L 29/06 20060101ALI20240502BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20240502BHJP

   H01L 21/314 20060101ALI20240502BHJP

【ＦＩ】

H01L29/78 652K

H01L29/78 653C

H01L29/78 652M

H01L29/06 301F

H01L29/06 301V

H01L29/78 658F

H01L21/314 M

【請求項の数】 19

(21)【出願番号】P 2021092780

(22)【出願日】2021-06-02

(65)【公開番号】P2022185245

(43)【公開日】2022-12-14

【審査請求日】2023-03-13

(73)【特許権者】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(74)【代理人】

【識別番号】110004026

【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ

(72)【発明者】

【氏名】小林 勇介

(72)【発明者】

【氏名】清水 達雄

(72)【発明者】

【氏名】井口 智明

(72)【発明者】

【氏名】雁木 比呂

(72)【発明者】

【氏名】根本 宏樹

【審査官】杉山 芳弘

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１８１９３３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２９／７８

Ｈ０１Ｌ ２９／０６

Ｈ０１Ｌ ２１／３３６

Ｈ０１Ｌ ２１／３１４

Ｈ０１Ｌ ２１／３１６

Ｈ０１Ｌ ２１／３１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１電極と、
第２電極であって、前記第１電極から前記第２電極への方向は、第１方向に沿う、前記第２電極と、
第３電極であって、前記第３電極は、第３電極端部及び第３電極他端部を含み、前記第３電極端部は、前記第１方向において前記第１電極と前記第３電極他端部との間にある、前記第３電極と、
第１導電部材であって、前記第１導電部材は、第１導電部材端部及び第１導電部材他端部を含み、前記第１導電部材端部は、前記第１方向において前記第１電極と前記第１導電部材他端部との間にあり、前記第１導電部材端部の前記第１方向における位置は、前記第１電極の前記第１方向における前記位置と、前記第３電極端部の前記第１方向における位置との間にあり、前記第１導電部材は、前記第２電極及び前記第３電極の一方と電気的に接続された、または、前記第１導電部材は、前記一方と電気的に接続されることが可能である、前記第１導電部材と、
半導体部材であって、前記半導体部材は、第１導電形の第１半導体領域と、第２導電形の第２半導体領域と、前記第１導電形の第３半導体領域と、を含み、
前記第１半導体領域は、第１部分領域及び第２部分領域を含み、
前記第１部分領域は、前記第１方向において、前記第１電極と前記第２電極との間にあり、
前記第２半導体領域は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第３半導体領域との間にあり、
前記第３半導体領域は、前記第２電極と電気的に接続され、
前記第３電極の一部から前記第２半導体領域への第２方向は、前記第１方向と交差し、
前記第３電極の別の一部から前記第１部分領域の一部への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第２部分領域から前記第１導電部材への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１導電部材から前記第１部分領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記半導体部材と、
シリコン及び酸素を含む第１絶縁部材であって、前記第１絶縁部材は、第１位置、第２位置、及び第３位置を含み、前記第１位置は、前記第１方向において、前記第２部分領域と前記第１導電部材端部との間にあり、前記第２位置は、前記第２方向において前記第１導電部材と前記第１部分領域との間にあり、前記第１位置から前記第３位置への方向は、前記第２方向に沿い、前記第３位置の前記第１方向における位置は、前記第２部分領域の前記第１方向における位置と、前記第２位置の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１絶縁部材は、前記第３位置において、窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１元素を含み、前記第１絶縁部材は、前記第１位置及び前記第２位置において前記第１元素を含まない、または、前記第１位置における前記第１元素の濃度及び前記第２位置における前記第１元素の濃度のそれぞれは、前記第３位置における前記第１元素の濃度よりも低い、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第１絶縁部材は、第４位置を含み、
前記第４位置の前記第１方向における位置は、前記第３位置の前記第１方向における前記位置と、前記第２位置の前記第１方向における前記位置と、の間にあり、
前記第４位置における前記第１元素の濃度は、前記第３位置における前記第１元素の濃度と、前記第２位置における前記第１元素の前記濃度と、の間である、半導体装置。

【請求項2】

第１電極と、
第２電極であって、前記第１電極から前記第２電極への方向は、第１方向に沿う、前記第２電極と、
第３電極であって、前記第３電極は、第３電極端部及び第３電極他端部を含み、前記第３電極端部は、前記第１方向において前記第１電極と前記第３電極他端部との間にある、前記第３電極と、
第１導電部材であって、前記第１導電部材は、第１導電部材端部及び第１導電部材他端部を含み、前記第１導電部材端部は、前記第１方向において前記第１電極と前記第１導電部材他端部との間にあり、前記第１導電部材端部の前記第１方向における位置は、前記第１電極の前記第１方向における前記位置と、前記第３電極端部の前記第１方向における位置との間にあり、前記第１導電部材は、前記第２電極及び前記第３電極の一方と電気的に接続された、または、前記第１導電部材は、前記一方と電気的に接続されることが可能である、前記第１導電部材と、
半導体部材であって、前記半導体部材は、第１導電形の第１半導体領域と、第２導電形の第２半導体領域と、前記第１導電形の第３半導体領域と、を含み、
前記第１半導体領域は、第１部分領域及び第２部分領域を含み、
前記第１部分領域は、前記第１方向において、前記第１電極と前記第２電極との間にあり、
前記第２半導体領域は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第３半導体領域との間にあり、
前記第３半導体領域は、前記第２電極と電気的に接続され、
前記第３電極の一部から前記第２半導体領域への第２方向は、前記第１方向と交差し、
前記第３電極の別の一部から前記第１部分領域の一部への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第２部分領域から前記第１導電部材への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１導電部材から前記第１部分領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記半導体部材と、
シリコン及び酸素を含む第１絶縁部材であって、前記第１絶縁部材は、第１位置、第２位置、及び第３位置を含み、前記第１位置は、前記第１方向において、前記第２部分領域と前記第１導電部材端部との間にあり、前記第２位置は、前記第２方向において前記第１導電部材と前記第１部分領域との間にあり、前記第１位置から前記第３位置への方向は、前記第２方向に沿い、前記第３位置の前記第１方向における位置は、前記第２部分領域の前記第１方向における位置と、前記第２位置の前記第１方向における位置と、の間にあり、前記第１絶縁部材は、前記第３位置において、窒素及びハフニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１元素を含み、前記第１絶縁部材は、前記第１位置及び前記第２位置において前記第１元素を含まない、または、前記第１位置における前記第１元素の濃度及び前記第２位置における前記第１元素の濃度のそれぞれは、前記第３位置における前記第１元素の濃度よりも低い、前記第１絶縁部材と、
を備えた半導体装置。

【請求項3】

前記第１絶縁部材は、第５位置を含み、
前記第５位置は、前記第２方向において、前記第３電極と前記第２半導体領域との間にあり、
前記第１絶縁部材は、前記第５位置において前記第１元素を含まない、または、前記第５位置における前記第１元素の濃度は、前記第３位置における前記第１元素の前記濃度よりも低い、請求項１または２に記載の半導体装置。

【請求項4】

第１電極と、
第２電極であって、前記第１電極から前記第２電極への方向は、第１方向に沿う、前記第２電極と、
第３電極であって、前記第３電極は、第３電極端部及び第３電極他端部を含み、前記第３電極端部は、前記第１方向において前記第１電極と前記第３電極他端部との間にある、前記第３電極と、
第１導電部材であって、前記第１導電部材は、第１導電部材端部及び第１導電部材他端部を含み、前記第１導電部材端部は、前記第１方向において前記第１電極と前記第１導電部材他端部との間にあり、前記第１導電部材端部の前記第１方向における位置は、前記第１電極の前記第１方向における前記位置と、前記第３電極端部の前記第１方向における位置との間にあり、前記第１導電部材は、前記第２電極及び前記第３電極の一方と電気的に接続された、または、前記第１導電部材は、前記一方と電気的に接続されることが可能である、前記第１導電部材と、
半導体部材であって、前記半導体部材は、第１導電形の第１半導体領域と、第２導電形の第２半導体領域と、前記第１導電形の第３半導体領域と、を含み、
前記第１半導体領域は、第１部分領域及び第２部分領域を含み、
前記第１部分領域は、前記第１方向において、前記第１電極と前記第２電極との間にあり、
前記第２半導体領域は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第３半導体領域との間にあり、
前記第３半導体領域は、前記第２電極と電気的に接続され、
前記第３電極の一部から前記第２半導体領域への第２方向は、前記第１方向と交差し、
前記第３電極の別の一部から前記第１部分領域の一部への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第２部分領域から前記第１導電部材への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１導電部材から前記第１部分領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記半導体部材と、
シリコン及び酸素を含む第１絶縁部材であって、前記第１絶縁部材は、第１絶縁領域、第２絶縁領域、及び第３絶縁領域を含み、
前記第１絶縁領域は、前記第１方向において、前記第２部分領域と前記第１導電部材端部との間にあり、
前記第２絶縁領域は、前記第２方向において前記第１導電部材と前記第１部分領域との間にあり、
前記第１絶縁領域から前記第３絶縁領域の少なくとも一部への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第３絶縁領域の前記第１方向における位置は、前記第２部分領域の前記第１方向における位置と、前記第２絶縁領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、
前記第３絶縁領域は、窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１元素を含み、
前記第１絶縁領域及び前記第２絶縁領域は、前記第１元素を含まない、または、前記第１絶縁領域における前記第１元素の濃度、及び、前記第２絶縁領域における前記第１元素の濃度のそれぞれは、前記第３絶縁領域における前記第１元素の濃度よりも低い、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第１絶縁部材は、第４絶縁領域を含み、
前記第４絶縁領域の前記第１方向における位置は、前記第３絶縁領域の前記第１方向における前記位置と、前記第２絶縁領域の前記第１方向における前記位置と、の間にあり、
前記第４絶縁領域における前記第１元素の濃度は、前記第３絶縁領域における前記第１元素の濃度と、前記第２絶縁領域における前記第１元素の前記濃度と、の間である、
半導体装置。

【請求項5】

前記第１絶縁部材は、第５絶縁領域を含み、
前記第５絶縁領域は、前記第２方向において、前記第３電極と前記第２半導体領域との間にあり、
前記第５絶縁領域は前記第１元素を含まない、または、前記第５絶縁領域における前記第１元素の濃度は、前記第３絶縁領域における前記第１元素の前記濃度よりも低い、請求項４に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記第３絶縁領域は、
前記第１元素を含む第１領域と、
前記第１元素を含む第２領域と、
前記第１領域と前記第２領域との間に設けられた第１中間領域と、
を含み、
前記第１領域は、前記第２方向において前記第２領域の一部と前記第１部分領域との間にあり、
前記第１中間領域は、前記第１元素を含まない、または、前記第１中間領域における前記第１元素の濃度は、前記第１領域における前記第１元素の濃度よりも低く、前記第２領域における前記第１元素の濃度よりも低い、請求項４または５に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記第１領域は、前記第１方向において、前記第１電極と、前記第２領域の他部と、の間にある、請求項６記載の半導体装置。

【請求項8】

前記第１領域、及び、前記第２領域の前記一部は、前記第１方向に沿って延びる、請求項６または７に記載の半導体装置。

【請求項9】

前記第１領域は、互いに前記第１方向に離れた複数の前記第１元素を含む領域を含む、請求項６～８のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項10】

前記第３絶縁領域は、
前記第１元素を含む第３領域と、
前記第２領域と前記第３領域との間に設けられた第２中間領域と、
をさらに含み、
前記第２領域は、前記第２方向において前記第３領域の一部と前記第１部分領域との間にあり、
前記第２中間領域は、前記第１元素を含まない、または、前記第２中間領域における前記第１元素の濃度は、前記第２領域における前記第１元素の濃度よりも低く、前記第３領域における前記第１元素の濃度よりも低い、請求項６～９のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項11】

前記第２領域の他部は、前記第１方向において前記第１電極と、前記第３領域の他部と、の間にある、請求項１０に記載の半導体装置。

【請求項12】

前記第３絶縁領域は、第１方向端部及び第１方向他端部を含み、
前記第１方向端部は、前記第１方向において前記第２部分領域と前記第１方向他端部との間にあり、
第１距離に対する第２距離の第１比は、０．１５以上０．８５以下であり、
前記第１距離は、前記第１導電部材端部の前記第１方向における前記位置と、前記第３電極端部の前記第１方向における前記位置と、の間の前記第１方向に沿う距離であり、
前記第２距離は、前記第１導電部材端部の前記第１方向における前記位置と、前記第１方向他端部の前記第１方向における位置と、の間の前記第１方向に沿う距離である、請求項４～１１のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項13】

前記第３絶縁領域は、第２方向端部及び第２方向他端部を含み、
前記第２方向端部は、前記第２方向において前記第２方向他端部と前記第１部分領域との間にあり、
第３距離に対する第４距離の第２比は、０．１６以上０．９以下であり、
前記第３距離は、前記第１導電部材端部の前記第２方向における位置と、前記第２方向端部の前記第２方向における前記位置と、の間の前記第２方向に沿う距離であり、
前記第４距離は、前記第１導電部材端部の前記第２方向における前記位置と、前記第２方向他端部の前記第２方向における位置と、の間の前記第２方向に沿う距離である、請求項４～１２のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項14】

第１電極と、
第２電極であって、前記第１電極から前記第２電極への方向は、第１方向に沿う、前記第２電極と、
第３電極であって、前記第３電極は、第３電極端部及び第３電極他端部を含み、前記第３電極端部は、前記第１方向において前記第１電極と前記第３電極他端部との間にある、前記第３電極と、
第１導電部材であって、前記第１導電部材は、第１導電部材端部及び第１導電部材他端部を含み、前記第１導電部材端部は、前記第１方向において前記第１電極と前記第１導電部材他端部との間にあり、前記第１導電部材端部の前記第１方向における位置は、前記第１電極の前記第１方向における前記位置と、前記第３電極端部の前記第１方向における位置との間にあり、前記第１導電部材は、前記第２電極及び前記第３電極の一方と電気的に接続された、または、前記第１導電部材は、前記一方と電気的に接続されることが可能である、前記第１導電部材と、
半導体部材であって、前記半導体部材は、第１導電形の第１半導体領域と、第２導電形の第２半導体領域と、前記第１導電形の第３半導体領域と、を含み、
前記第１半導体領域は、第１部分領域及び第２部分領域を含み、
前記第１部分領域は、前記第１方向において、前記第１電極と前記第２電極との間にあり、
前記第２半導体領域は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第３半導体領域との間にあり、
前記第３半導体領域は、前記第２電極と電気的に接続され、
前記第３電極の一部から前記第２半導体領域への第２方向は、前記第１方向と交差し、
前記第３電極の別の一部から前記第１部分領域の一部への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第２部分領域から前記第１導電部材への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１導電部材から前記第１部分領域への方向は、前記第２方向に沿う、前記半導体部材と、
シリコン及び酸素を含む第１絶縁部材であって、前記第１絶縁部材は、第１絶縁領域、第２絶縁領域、及び第３絶縁領域を含み、
前記第１絶縁領域は、前記第１方向において、前記第２部分領域と前記第１導電部材端部との間にあり、
前記第２絶縁領域は、前記第２方向において前記第１導電部材と前記第１部分領域との間にあり、
前記第１絶縁領域から前記第３絶縁領域の少なくとも一部への方向は、前記第２方向に沿い、
前記第３絶縁領域の前記第１方向における位置は、前記第２部分領域の前記第１方向における位置と、前記第２絶縁領域の前記第１方向における位置と、の間にあり、
前記第３絶縁領域は、
窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１元素を含む第１領域と、
前記第１元素を含む第２領域と、
前記第１領域と前記第２領域との間に設けられた第１中間領域と、
を含み、
前記第１領域は、前記第２方向において前記第２領域の一部と前記第１部分領域との間にあり、
前記第１中間領域は、前記第１元素を含まない、または、前記第１中間領域における前記第１元素の濃度は、前記第１領域における前記第１元素の濃度よりも低く、前記第２領域における前記第１元素の濃度よりも低く、
前記第１絶縁領域及び前記第２絶縁領域は、前記第１元素を含まない、または、前記第１絶縁領域における前記第１元素の濃度、及び、前記第２絶縁領域における前記第１元素の濃度のそれぞれは、前記第１領域における前記第１元素の前記濃度よりも低く、前記第２領域における前記第１元素の前記濃度よりも低い、前記第１絶縁部材と、
を備えた半導体装置。

【請求項15】

前記第１領域は、前記第１方向において、前記第１電極と、前記第２領域の他部と、の間にある、請求項１４記載の半導体装置。

【請求項16】

前記第３絶縁領域は、
前記第１元素を含む第３領域と、
前記第２領域と前記第３領域との間に設けられた第２中間領域と、
をさらに含み、
前記第２領域は、前記第２方向において前記第３領域の一部と前記第１部分領域との間にあり、
前記第２中間領域は、前記第１元素を含まない、または、前記第２中間領域における前記第１元素の濃度は、前記第２領域における前記第１元素の濃度よりも低く、前記第３領域における前記第１元素の濃度よりも低い、請求項１５記載の半導体装置。

【請求項17】

底面、下側面及び上側面を含む穴を含む半導体部材の前記底面、前記下側面及び前記上側面に、第１元素を含む第１膜を形成し、前記第１元素は、窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記下側面と前記底面との間の距離は、前記上側面と前記底面との間の距離よりも短く、前記第１膜は、前記底面に設けられた第１底面領域と、前記下側面に設けられた第１下側面領域と、前記上側面に設けられた第１上側面領域と、を含み、
前記第１下側面領域を残しつつ前記第１底面領域及び前記第１上側面領域を除去し、
前記底面、前記第１下側面領域及び前記上側面に第２元素を含む第２膜を形成し、前記第２元素は、窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記第２膜は、前記底面に設けられた第２底面領域と、前記第１下側面領域に設けられた第２下側面領域と、前記上側面に設けられた第２上側面領域と、を含み、
前記第２下側面領域を残しつつ前記第２底面領域及び前記第２上側面領域を除去し、
前記底面、前記第２下側面領域及び前記上側面に、シリコン及び酸素を含む第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜の形成の後の前記穴の中に第１導電部材を形成する半導体装置の製造方法。

【請求項18】

前記第１膜の形成の前に、前記穴の表面に酸化領域を形成する、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項19】

前記第１底面領域及び前記第１上側面領域の前記除去と、前記第２膜の前記形成との間に、
前記底面、前記第１下側面領域及び前記上側面に、シリコン及び酸素を含む第１絶縁膜を形成し、
前記第２膜は、前記第１絶縁膜の上に形成される、請求項１７または１８に記載の半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、半導体装置及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、トランジスタなどの半導体装置において、特性の向上が望まれる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１４－０７８７４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の実施形態は、特性を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第１電極、第２電極、第３電極、第１導電部材、半導体部材及び第１絶縁部材を含む。前記第１電極から前記第２電極への方向は、第１方向に沿う。前記第３電極は、第３電極端部及び第３電極他端部を含む。前記第３電極端部は、前記第１方向において前記第１電極と前記第３電極他端部との間にある。前記第１導電部材は、第１導電部材端部及び第１導電部材他端部を含む。前記第１導電部材端部は、前記第１方向において前記第１電極と前記第１導電部材他端部との間にある。前記第１導電部材端部の前記第１方向における位置は、前記第１電極の前記第１方向における前記位置と、前記第３電極端部の前記第１方向における位置との間にある。前記第１導電部材は、前記第２電極及び前記第３電極の一方と電気的に接続される。または、前記第１導電部材は、前記一方と電気的に接続されることが可能である。前記半導体部材は、第１導電形の第１半導体領域と、第２導電形の第２半導体領域と、前記第１導電形の第３半導体領域と、を含む。前記第１半導体領域は、第１部分領域及び第２部分領域を含む。前記第１部分領域は、前記第１方向において、前記第１電極と前記第２電極との間にある。前記第２半導体領域は、前記第１方向において前記第１部分領域と前記第３半導体領域との間にある。前記第３半導体領域は、前記第２電極と電気的に接続される。前記第３電極の一部から前記第２半導体領域への第２方向は、前記第１方向と交差する。前記第３電極の別の一部から前記第１部分領域の一部への方向は、前記第２方向に沿う。前記第２部分領域から前記第１導電部材への方向は、前記第１方向に沿う。前記第１導電部材から前記第１部分領域への方向は、前記第２方向に沿う。前記第１絶縁部材は、シリコン及び酸素を含む。前記第１絶縁部材は、第１位置、第２位置、及び第３位置を含む。前記第１位置は、前記第１方向において、前記第２部分領域と前記第１導電部材端部との間にある。前記第２位置は、前記第２方向において前記第１導電部材と前記第１部分領域との間にある。前記第１位置から前記第３位置への方向は、前記第２方向に沿う。前記第３位置の前記第１方向における位置は、前記第２部分領域の前記第１方向における位置と、前記第２位置の前記第１方向における位置と、の間にある。前記第１絶縁部材は、前記第３位置において、窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１元素を含む。前記第１絶縁部材は、前記第１位置及び前記第２位置において前記第１元素を含まない。または、前記第１位置における前記第１元素の濃度及び前記第２位置における前記第１元素の濃度のそれぞれは、前記第３位置における前記第１元素の濃度よりも低い。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図2】図２は、参考例の半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図3】図３は、参考例の半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図4】図４は、参考例の半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図5】図５は、半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図6】図６は、半導体装置の特性を例示するグラフ図である。

【図7】図７は、半導体装置の特性を例示するグラフ図である。

【図8】図８は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図9】図９は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図10】図１０は、第１実施形態に係る半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。

【図11】図１１は、第１実施形態に係る半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。

【図12】図１２は、半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図13】図１３（ａ）～図１３（ｃ）は、半導体装置の特性を例示するグラフ図である。

【図14】図１４は、半導体装置の特性を例示するグラフ図である。

【図15】図１５は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図16】図１６は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図17】図１７は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。

【図18】図１８は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。

【図19】図１９は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。

【図20】図２０は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。

【図21】図２１は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。

【図22】図２２は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。

【図23】図２３は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０は、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１導電部材６１、半導体部材１０及び第１絶縁部材４１を含む。

【0009】

第１電極５１から第２電極５２への方向は、第１方向に沿う。第１方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

【0010】

第３電極５３は、第３電極端部５３ａ及び第３電極他端部５３ｂを含む。第３電極端部５３ａは、第１方向（Ｚ軸方向）において第１電極５１と第３電極他端部５３ｂとの間にある。第３電極端部５３ａは、第１電極５１の側の端部である。第３電極他端部５３ｂは、第２電極５２の側の端部である。

【0011】

第１導電部材６１は、第１導電部材端部６１ａ及び第１導電部材他端部６１ｂを含む。第１導電部材端部６１ａは、第１方向（Ｚ軸方向）において第１電極５１と第１導電部材他端部６１ｂとの間にある。第１導電部材端部６１ａは、第１電極５１の側の端部である。第１導電部材他端部６１ｂは、第２電極５２の側の端部である。第１導電部材端部６１ａの第１方向（Ｚ軸方向）における位置は、第１電極５１の第１方向における位置と、第３電極端部５３ａの第１方向における位置との間にある。

【0012】

第１導電部材６１は、第２電極５２及び第３電極５３の一方と電気的に接続される。または、第１導電部材６１は、第２電極５２及び第３電極５３の一方と電気的に接続されることが可能である。半導体装置１１０においては、第１導電部材６１は、第２電極５２と電気的に接続される。

【0013】

例えば、図１に示すように、第１導電部材６１は、接続部材６１Ｃ、接続部材５２ＬＬ及び接続部材５２Ｃを介して、第２電極５２と電気的に接続される。これらの接続部材は、図１に例示する断面とは異なる位置に設けられて良い。例えば、端子５２Ｔが接続部材５２Ｃを介して、第２電極５２と接続されても良い。端子６１Ｔが、接続部材６１Ｃを介して第１導電部材６１と電気的に接続されても良い。接続部材５２ＬＬにより、端子６１Ｔが端子５２Ｔと電気的に接続されても良い。接続部材５２ＬＬは、半導体装置１１０とは別に設けられても良い。

【0014】

半導体部材１０は、例えば、第１電極５１と第２電極５２との間にある。半導体部材１０は、例えば、シリコンなどの半導体を含む。

【0015】

半導体部材１０は、第１導電形の第１半導体領域１１と、第２導電形の第２半導体領域１２と、第１導電形の第３半導体領域１３と、を含む。図１に示すように、半導体部材１０は、第４半導体領域１４をさらに含んでも良い。図１に示すように、半導体部材１０は、第５半導体領域１５をさらに含んでも良い。

【0016】

例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。実施形態において、第１導電形がｐ形で第２導電形がｎ形でも良い。以下の例では、第１導電形がｎ形であり、第２導電形がｐ形である。

【0017】

第１半導体領域１１は、第１部分領域１１ａ及び第２部分領域１１ｂを含む。例えば、第１部分領域１１ａは、第１方向（Ｚ軸方向）において、第１電極５１と第２電極５２との間にある。

【0018】

第２半導体領域１２は、第１方向（Ｚ軸方向）において、第１部分領域１１ａと第３半導体領域１３との間にある。例えば、第１電極５１と第２電極５２との間に第１部分領域１１ａ、第２半導体領域１２及び第３半導体領域１３がある。第３半導体領域１３は、第２電極５２と電気的に接続される。

【0019】

第３電極５３の一部から第２半導体領域１２への第２方向は、第１方向と交差する。第２方向は、例えば、Ｘ軸方向である。

【0020】

第３電極５３の別の一部から第１部分領域１１ａの一部への方向は、第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う。

【0021】

第１半導体領域１１の第２部分領域１１ｂから第１導電部材６１への方向は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿う。第１導電部材６１から第１部分領域１１ａへの方向は、第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う。

【0022】

第４半導体領域１４は、第１方向（Ｚ軸方向）において第１電極５１と第１半導体領域１１との間に設けられる。第４半導体領域１４は、第１導電形（例えばｎ形）である。第４半導体領域１４は、第１電極５１と電気的に接続される。第４半導体領域１４は、例えば半導体基板を含んでも良い。

【0023】

第４半導体領域１４における第１導電形のキャリア濃度は、第１半導体領域１１における第１導電形のキャリア濃度よりも高い。第１半導体領域１１は、例えばｎ領域またはｎ^－領域である。第４半導体領域１４は、例えば、ｎ^＋領域である。第４半導体領域１４が設けられることで、第１電極５１の電気的な接続の抵抗を低くできる。例えば、低いオン抵抗が得られる。

【0024】

第３半導体領域１３における第１導電形のキャリア濃度は、第１半導体領域１１における第１導電形のキャリア濃度よりも高い。第３半導体領域１３は、例えばｎ^＋領域である。

【0025】

第５半導体領域１５が設けられる場合、第５半導体領域１５は、例えば、第２半導体領域１２と第２電極５２との間に設けられる。第５半導体領域１５は、第２導電形（例えばｐ形）である。第５半導体領域１５における第２導電形のキャリア濃度は、第２半導体領域１２における第２導電形のキャリア濃度よりも高い。例えば、第２半導体領域１２は、ｐ領域である。第５半導体領域１５は、ｐ^＋領域である。第５半導体領域１５が設けられることで、第２電極５２の電気的な接続の抵抗を低くできる。例えば、低いオン抵抗が得られる。

【0026】

この例では、第２電極５２は、部分５２ａ及び部分５２ｂを含む。第５半導体領域１５は、第２半導体領域１２と部分５２ａとの間にある。第３電極５３は、第１電極５１と部分５２ｂとの間にある。

【0027】

第１絶縁部材４１は、シリコン及び酸素を含む。後述するように、第１絶縁部材４１の一部は、例えば、ＳｉＯ_２を含む。第１絶縁部材４１の別の一部は、別の元素（後述する第１元素）を含んでも良い。

【0028】

第１絶縁部材４１は、第３電極５３と半導体部材１０との間、及び、第１導電部材６１と半導体部材１０との間にある。第１絶縁部材４１は、第３電極５３と半導体部材１０との間を電気的に絶縁する。第１導電部材６１は、第１導電部材６１と半導体部材１０との間を電気的に絶縁する。第１絶縁部材４１の一部（例えば後述する第５絶縁領域４１ｅ）は、第３電極５３と第２半導体領域１２との間にある。

【0029】

例えば、第１電極５１と第２電極５２との間に流れる電流は、第３電極５３の電位により制御できる。第３電極５３の電位は、例えば、第２電極５２の電位を基準にした電位である。第１電極５１は、例えば、ドレイン電極として機能する。第２電極５２は、例えば、ソース電極として機能する。第３電極５３は、例えば、ゲート電極として機能する。第１絶縁部材４１の一部は、例えば、ゲート絶縁膜として機能する。第１導電部材６１は、例えば、フィールドプレートとして機能する。半導体装置１１０は、例えば、トランジスタである。

【0030】

図１に示すように、第１絶縁部材４１は、第１位置ｐ１、第２位置ｐ２、及び第３位置ｐ３を含む。第１位置ｐ１は、第１方向（Ｚ軸方向）において、第２部分領域１１ｂと第１導電部材端部６１ａとの間にある。第２位置ｐ２は、第２方向（Ｘ軸方向）において第１導電部材６１と第１部分領域１１ａとの間にある。第１位置ｐ１から第３位置ｐ３への方向は、第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う。第３位置ｐ３の第１方向（Ｚ軸方向）における位置は、第２部分領域１１ｂの第１方向における位置と、第２位置ｐ２の第１方向における位置と、の間にある。

【0031】

第１絶縁部材４１は、第３位置ｐ３において、第１元素を含む。第１元素は、窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１絶縁部材４１は、第１位置ｐ１及び第２位置ｐ２において第１元素を含まない。または、第１位置ｐ１における第１元素の濃度及び第２位置ｐ２における第１元素の濃度のそれぞれは、第３位置ｐ３における第１元素の濃度よりも低い。１つの例において、第３位置ｐ３は、例えば、ＳｉＯＮを含む。例えば、第３位置ｐ３は、例えば、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つの酸化物を含んでも良い。

【0032】

例えば、第１絶縁部材４１は、第１絶縁領域４１ａ、第２絶縁領域４１ｂ、及び、第３絶縁領域４１ｃを含む。第１絶縁領域４１ａは、上記の第１位置ｐ１を含む。第２絶縁領域４１ｂは、上記の第２位置ｐ２を含む。第３絶縁領域４１ｃは、上記の第３位置ｐ３を含む。

【0033】

第１絶縁領域４１ａは、第１方向（Ｚ軸方向）において、第２部分領域１１ｂと第１導電部材端部６１ａとの間にある。第２絶縁領域４１ｂは、第２方向（Ｘ軸方向）において第１導電部材６１と第１部分領域１１ａとの間にある。

【0034】

第１絶縁領域４１ａから第３絶縁領域４１ｃの少なくとも一部への方向は、第２方向（Ｘ軸方向）に沿う。第３絶縁領域４１ｃの第１方向（Ｚ軸方向）における位置は、第２部分領域１１ｂの第１方向における位置と、第２絶縁領域４１ｂの第１方向における位置と、の間にある。

【0035】

第３絶縁領域４１ｃは、窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１元素を含む。第１絶縁領域４１ａ及び第２絶縁領域４１ｂは、第１元素を含まない。または、第１絶縁領域４１ａにおける第１元素の濃度、及び、第２絶縁領域４１ｂにおける第１元素の濃度のそれぞれは、第３絶縁領域４１ｃにおける第１元素の濃度よりも低い。１つの例において、第３絶縁領域４１ｃは、例えば、ＳｉＯＮを含む。例えば、第３絶縁領域４１ｃは、例えば、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つの酸化物を含んでも良い。

【0036】

このような構成により、例えば、高い耐圧が得られる。これは、上記の第１元素が電荷（例えば固定電荷）として機能するからであると考えられる。例えば、第１導電部材６１の近傍において、電界の局所的な集中が抑制できる。実施形態によれば、例えば、高い耐圧と低いオン抵抗とが得られる。実施形態によれば、特性を向上できる半導体装置を提供できる。

【0037】

図２～図４は、参考例の半導体装置を例示する模式的断面図である。
図２に示すように、第１参考例の半導体装置１１９ａにおいては、上記の第３絶縁領域４１ｃが設けられない。第１絶縁部材４１は、第１～第３位置ｐ１～ｐ３において、第１元素を含まない。第１参考例においては、第１絶縁部材４１の全体がＳｉＯ_２である。第１参考例では、十分に高い耐圧を得ることが困難である。または、高い耐圧を得ようとすると、オン抵抗が高くなる。

【0038】

図３に示すように、第２参考例の半導体装置１１９ｂにおいては、第１元素を含む第３絶縁領域４１ｃが設けられる。第２参考例においては、第１絶縁領域４１ａも第１元素を含む。第１絶縁部材４１は、第１位置ｐ１及び第３位置ｐ３において第１元素を含む。このような第２参考例において、十分に高い耐圧を得ることが困難であることがわかった。または、高い耐圧を得ようとすると、オン抵抗が高くなる。

【0039】

図４に示すように、第３参考例の半導体装置１１９ｃにおいては、第１元素を含む第３絶縁領域４１ｃが設けられる。第３参考例においては、第２絶縁領域４１ｂも第１元素を含む。第１絶縁部材４１は、第２位置ｐ２及び第３位置ｐ３において第１元素を含む。このような第３参考例において、十分に高い耐圧を得ることが困難であることがわかった。または、高い耐圧を得ようとすると、オン抵抗が高くなる。

【0040】

実施形態においては、第３絶縁領域４１ｃにおいて、第１元素の濃度が高く、第１絶縁領域４１ａ及び第２絶縁領域４１ｂにおいて第１元素の濃度が低い。このような構成により、高い耐圧が得られる。以下、半導体装置の特性の例について説明する。

【0041】

図５は、半導体装置を例示する模式的断面図である。
図５に示すように、第３絶縁領域４１ｃは、第１方向端部４３ａ及び第１方向他端部４３ｂを含む。第１方向端部４３ａは、第１方向（Ｚ軸方向）において第２部分領域１１ｂと第１方向他端部４３ｂとの間にある。第１方向端部４３ａは、第１電極５１の側の端部である。第１方向他端部４３ｂは、第２電極５２の側の端部である。

【0042】

第１導電部材端部６１ａの第１方向における位置と、第３電極端部５３ａの第１方向における位置と、の間の第１方向に沿う距離を第１距離ｄ１とする。第１導電部材端部６１ａの第１方向（Ｚ軸方向）における位置と、第１方向他端部４３ｂの第１方向における位置と、の間の第１方向に沿う距離を第２距離ｄ２とする。第１距離ｄ１は、第３電極端部５３ａを基準にしたときの、第１導電部材端部６１ａの深さに対応する。第２距離ｄ２は、例えば、第１導電部材端部６１ａの深さを基準にしたときの、第３絶縁領域４１ｃの上端の深さに対応する。

【0043】

第１距離ｄ１に対するの第２距離ｄ２の比（ｄ２／ｄ１）を第１比とする。第１比が０のとき、第３絶縁領域４１ｃの上端の深さは、第１導電部材端部６１ａの深さと同じである。第１比が１のとき、例えば、第３絶縁領域４１ｃの上端は、第３電極５３と接する。この場合は、第３参考例の半導体装置１１９ｃに対応する。

【0044】

図５に示すように、第３絶縁領域４１ｃは、第２方向端部４４ａ及び第２方向他端部４４ｂを含む。第２方向端部４４ａは、第２方向（例えばＸ軸方向）において第２方向他端部４４ｂと第１部分領域１１ａとの間にある。第２方向端部４４ａは、Ｘ軸方向において、第１導電部材６１の側の端部である。第２方向他端部４４ｂは、Ｘ軸方向において、第１部分領域１１ａの側の端部である。

【0045】

第１導電部材端部６１ａの第２方向（例えばＸ軸方向）における位置と、第２方向端部４４ａの第２方向における位置と、の間の第２方向に沿う距離（例えば最短距離）を第３距離ｘ３とする。第１導電部材端部６１ａの第２方向（例えばＸ軸方向）における位置と、第２方向他端部４４ｂの第２方向における位置と、の間の第２方向に沿う距離（例えば最短距離）を第４距離ｘ４とする。第１導電部材端部６１ａの第２方向（例えばＸ軸方向）における位置は、Ｘ軸方向において、第１導電部材端部６１ａの、第１部分領域１１ａの側の端の位置である。

【0046】

第３距離ｘ３に対する第４距離ｘ４の比（ｘ４／ｘ３）を第２比とする。第２比が０の時、第２方向他端部４４ｂは、Ｚ軸方向において、第１導電部材端部６１ａの第１部分領域１１ａの側の端と重なる。第２比が負の場合の１つの例が、第２参考例の半導体装置１１９ｂに対応する。第２比が１のとき、第３絶縁領域４１ｃが実質的に設けられない。第２比が１の条件は、例えば、第１参考例の半導体装置１１９ａに対応する。

【0047】

以下、第１距離ｄ１と第２距離ｄ２との関係を変更したときの特性のシミュレーション結果の例について説明する。

【0048】

図６は、半導体装置の特性を例示するグラフ図である。
図６の横軸は、第１比ＲＲ１である。既に説明したように、第１比ＲＲ１は、第１距離ｄ１に対する第２距離ｄ２の比である。図６の縦軸は、相対的なブロッキング電圧ΔＢＶである。相対的なブロッキング電圧ΔＢＶは、上記の第１参考例におけるブロッキング電圧を基準にしたときのブロッキング電圧である。図６において、第２比は、０．８に固定されている。相対的なブロッキング電圧ΔＢＶが大きいことが好ましい。

【0049】

図６に示すように、第１比ＲＲ１が０．１を超えると、相対的なブロッキング電圧ΔＢＶが上昇する。第１比ＲＲ１が０．６６以上になると、相対的なブロッキング電圧ΔＢＶが低下し始める。第１比ＲＲ１が０．１５以上０．８５以下において、高いブロッキング電圧ΔＢＶが得られる。

【0050】

実施形態において、第１比ＲＲ１は、０．１５以上０．８５以下であることか好ましい。第１比ＲＲ１は、０．２以上０．８以下であることかさらに好ましい。高いブロッキング電圧ΔＢＶが安定して得られる。第１比ＲＲ１は、０．２１以上０．７７以下でも良い。高いブロッキング電圧ΔＢＶが安定して得られる。

【0051】

図６に示すように、第１比ＲＲ１が１である第３参考例の半導体装置１１９ｃにおいては、ブロッキング電圧ΔＢＶは、低い。

【0052】

以下、第３距離ｘ３と第４距離ｘ４との関係を変更したときの特性のシミュレーション結果の例について説明する。

【0053】

図７は、半導体装置の特性を例示するグラフ図である。
図７の横軸は、第２比ＲＲ２である。既に説明したように、第２比ＲＲ２は、第３距離ｘ３に対する第４距離ｘ４の比である。図６の縦軸は、相対的なブロッキング電圧ΔＢＶである。図７において、第１比ＲＲ１は、０．４３５に固定されている。

【0054】

図７に示すように、第２比ＲＲ２が実質的に０の場合（第２参考例の半導体装置１１９ｂ）、ブロッキング電圧ΔＢＶは低い。第２比ＲＲ２が高くなるとブロッキング電圧ΔＢＶは上昇する。既に説明しように、第２比ＲＲ２が１の条件は、第１参考例の半導体装置１１９ａに対応し、この場合、ブロッキング電圧ΔＢＶは低い。第２比ＲＲ２が０よりも高く、１未満において、高いブロッキング電圧ΔＢＶが得られる。この範囲ないにおいて、第２比ＲＲ２が上昇すると、ブロッキング電圧ΔＢＶが上昇する。

【0055】

実施形態において、第２比ＲＲ２は、例えば、０．１６以上１未満であることが好ましい。第２比ＲＲ２は、例えば、０．１６以上０．９以下でも良い。高いブロッキング電圧ΔＢＶが得られる。実施形態において、第２比ＲＲ２は、例えば、０．３６以上でも良い。高いブロッキング電圧ΔＢＶ安定して得られる。第２比ＲＲ２は、例えば、０．５８以上でも良い。さらに高いブロッキング電圧ΔＢＶが安定して得られる。

【0056】

図１に示すように、実施形態において、第１絶縁部材４１は、第４位置ｐ４を含んでも良い。第４位置ｐ４の第１方向（Ｚ軸方向）における位置は、第３位置ｐ３の第１方向における位置と、第２位置ｐ２の第１方向における位置と、の間にある。第４位置ｐ４における第１元素の濃度は、例えば、第３位置ｐ３における第１元素の濃度と、第２位置ｐ２における第１元素の濃度と、の間である。このように、第１元素の濃度が中間の領域が設けけられても良い。

【0057】

例えば、第１絶縁部材４１は、第４絶縁領域４１ｄを含んでも良い。第４絶縁領域４１ｄの第１方向（Ｚ軸方向）における位置は、第３絶縁領域４１ｃの第１方向における位置と、第２絶縁領域４１ｂの第１方向における位置と、の間にある。第４絶縁領域４１ｄにおける第１元素の濃度は、第３絶縁領域４１ｃにおける第１元素の濃度と、第２絶縁領域４１ｂにおける第１元素の濃度と、の間である。

【0058】

図１に示すように、第１絶縁部材４１は、第５位置ｐ５を含んでも良い。第５位置ｐ５は、第２方向（Ｘ軸方向）において、第３電極５３と第２半導体領域１２との間にある。第１絶縁部材４１は、第５位置ｐ５において第１元素を含まない。または、第５位置ｐ５における第１元素の濃度は、第３位置ｐ３における第１元素の濃度よりも低い。

【0059】

例えば、第１絶縁部材４１は、第５絶縁領域４１ｅを含む。第５絶縁領域４１ｅは、第２方向（Ｘ軸方向）において、第３電極５３と第２半導体領域１２との間にある。第５絶縁領域４１ｅは第１元素を含まない。または、第５絶縁領域４１ｅにおける第１元素の濃度は、第３絶縁領域４１ｃにおける第１元素の濃度よりも低い。

【0060】

第５絶縁領域４１ｅは、例えば、ゲート絶縁膜として機能する。第５絶縁領域４１ｅ（第５位置ｐ５）が第１元素を含まない、または、第５絶縁領域４１ｅにおける第１元素の濃度が低いことで、安定したしきい値電圧が得られる。

【0061】

図１に示すように、半導体装置１１０においては、第１絶縁部材４１は、第６位置ｐ６を含む。第６位置ｐ６の第２方向（Ｘ軸方向）における位置は、第１導電部材６１（例えば第１導電部材端部６１ａでも良い）の第２方向における位置と、第３位置ｐ３の第２方向における位置と、の間にある。第１絶縁部材４１は、第６位置ｐ６において第１元素を含まない。または、第６位置ｐ６における第１元素の濃度は、第３位置ｐ３における第１元素の濃度よりも低い。

【0062】

例えば、第１絶縁部材４１は、第６絶縁領域４１ｆを含む。第６絶縁領域４１ｆの第２方向（Ｘ軸方向）における位置は、第１導電部材６１（例えば第１導電部材端部６１ａでも良い）の第２方向における位置と、第３絶縁領域４１ｃの第２方向における位置と、の間にある。第６絶縁領域４１ｆは第１元素を含まない。または、第６絶縁領域４１ｆにおける第１元素の濃度は、第３絶縁領域４１ｃにおける第１元素の濃度よりも低い。このような第６絶縁領域４１ｆが設けられることで、より高い耐圧が得やすい。

【0063】

図８は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図８に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０ａにおいても、第１絶縁部材４１は、第１～第５絶縁領域４１ａ～４１ｅを含む。半導体装置１１０ａにおいては、第６絶縁領域４１ｆが設けられない。半導体装置１１０ａにおけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０の構成と同様で良い。半導体装置１１０ａにおいても、高い耐圧が得られる。

【0064】

実施形態において、第１導電部材端部６１ａを含みＸ－Ｙ平面に沿う面内における第１絶縁部材４１における第１元素の濃度は、例えば、１．５×１０^１４ｃｍ^－２以上１．０５×１０^１５ｃｍ^－２以下であることが好ましい。これにより、高い耐圧と、低いオン抵抗と、が得やすくなる。

【0065】

図９は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図９に示すように、実施形態に係る半導体装置１１１においても、第１絶縁部材４１は、第１～第５絶縁領域４１ａ～４１ｅを含む。半導体装置１１１においては、第３絶縁領域４１ｃは、複数の領域を含む。この例では、複数の領域は、例えば、第１領域４５ａ、第２領域４５ｂ及び第３領域４５ｃを含む。複数の領域の数は、２以上で良い。半導体装置１１１におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０の構成と同様で良い。

【0066】

図１０は、第１実施形態に係る半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。
図１０は、第１絶縁部材４１の第３絶縁領域４１ｃを例示している。図１に示すように、第３絶縁領域４１ｃは、第１領域４５ａ、第２領域４５ｂ及び第１中間領域４６ａを含む。第１領域４５ａ及び第２領域４５ｂは、第１元素を含む。第１中間領域４６ａは、第１領域４５ａと第２領域４５ｂとの間に設けられる。第１領域４５ａは、例えば、第２方向（Ｘ軸方向）において第２領域４５ｂの一部４５ｂｐと第１部分領域１１ａとの間にある。

【0067】

第１中間領域４６ａは、第１元素を含まない。または、第１中間領域４６ａにおける第１元素の濃度は、第１領域４５ａにおける第１元素の濃度よりも低く、第２領域４５ｂにおける第１元素の濃度よりも低い。

【0068】

例えば、第１領域４５ａ及び第２領域４５ｂは、ＳｉＯＮを含む。第１中間領域４６ａは、ＳｉＯ_２を含む。第１領域４５ａ及び第２領域４５ｂは、例えば、第１中間領域４６ａを介して積層された積層膜である。

【0069】

半導体装置１１１においても、高い耐圧が得られる。第３絶縁領域４１ｃが第１元素を含む複数の領域を含む場合、第３絶縁領域４１ｃにおける第１元素の濃度は、例えば、第１領域４５ａ、第２領域４５ｂ及び第１中間領域４６ａを含む領域における第１元素の平均の濃度として良い。例えば、第１元素を含む領域の厚さと、第１元素を含む領域における第１元素の濃度と、の積と、第１元素を実質的に含まない領域の厚さと、第１元素を実質的に含まない領域における第１元素の濃度と、の積と、の和の、これらの領域の厚さの和に対する比が、平均の濃度とされて良い。

【0070】

図１０に示すこのような構造は、第１領域４５ａとなる膜と、第１中間領域４６ｂとなる膜と、第２領域４５ｂとなる膜と、を順次積層して形成することで得られる。

【0071】

図１０に示すように、第１領域４５ａは、第１方向（Ｚ軸方向）において、第１電極５１と、第２領域４５ｂの他部４５ｂｑと、の間にある。第１領域４５ａ、及び、第２領域４５ｂの上記の一部４５ｂｐは、第１方向（Ｚ軸方向）に沿って延びる。第２領域４５ｂの他部４５ｂｑは、第２方向（Ｘ軸方向）において、第３領域４５ｃの一部４５ｃｐと第１部分領域１１ａとの間にある。

【0072】

図１０に示すように、第３絶縁領域４１ｃは、第３領域４５ｃ及び第２中間領域４６ｂをさらに含んでも良い。第３領域４５ｃは、第１元素を含む。第２中間領域４６ｂは、第２領域４５ｂと第３領域４５ｃとの間に設けられる。第２領域４５ｂは、第２方向（Ｘ軸方向）において、第３領域４５ｃの一部４５ｃｐと第１部分領域１１ａとの間にある。

【0073】

第２中間領域４６ｂは、第１元素を含まない。または、第２中間領域４６ｂにおける第１元素の濃度は、第２領域４５ｂにおける第１元素の濃度よりも低く、第３領域４５ｃにおける第１元素の濃度よりも低い。このように、第１元素を含む複数の領域（複数の膜）の数が、３以上でも良い。

【0074】

第３絶縁領域４１ｃが、第１元素を含む上記の複数の領域を含む場合、例えば、第３絶縁領域４１ｃにおける第１元素の濃度は、第１領域４５ａ、第２領域４５ｂ、第３領域４５ｃ、第１中間領域４６ａ及び第２中間領域４６ｂを含む領域における第１元素の平均の濃度で良い。

【0075】

図１０に示すように、第２領域４５ｂの他部４５ｂｑは、第１方向（Ｚ軸方向）において第１電極５１と、第３領域４５ｃの他部４５ｃｑと、の間にある。第２領域４５ｂの上記の他部４５ｂｑは、及び、第３領域４５ｃの他部４５ｃｑは、第１方向（Ｚ軸方向）に沿って延びる。

【0076】

図１１は、第１実施形態に係る半導体装置の一部を例示する模式的断面図である。
図１１に示すように、第３絶縁領域４１ｃは、複数の積層された領域（第１領域４５ａ、第２領域４５ｂ、第３領域４５ｃ、第１中間領域４６ａ及び第２中間領域４６ｂなど）を含む。この例においても、第１領域４５ａ、第２領域４５ｂ及び第３領域４５ｃの少なくともいずれかは、複数の粒状の領域４７ｚを含む。複数の領域４７ｚは、互いに第１方向（Ｚ軸方向）に沿って離れる。複数の領域４７ｚは、第１元素を含む。この場合、第１元素は、例えば、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１元素がこのような金属元素を含む場合、互いに離散した複数の領域４７ｚが形成されやすい。このような複数の領域４７ｚが設けられる場合も、高い耐圧が得られる。

【0077】

図１０及び図１１に示すように、第１絶縁部材４１は、第３中間領域４６ｃを含んでも良い。第３中間領域４６ｃは、第２方向において、第１領域４５ａと第１部分領域１１ａとの間に設けられる。例えば、第３中間領域４６ｃは、第１元素を含まない。または、第３中間領域４６ｃにおける第１元素の濃度は、第１領域４５ａにおける第１元素の濃度よりも低い。

【0078】

第１領域４５ａと第１部分領域１１ａとの間の第２方向（Ｘ軸方向）に沿う距離は、第３中間領域４６ｃの第２方向（Ｘ軸方向）に沿う厚さｔｃ１に対応する。厚さｔｃ１は、例えば、１０ｎｍ以下であることが好ましい。例えば、第１領域４５ａと第１部分領域１１ｂとの間の領域における界面準位を抑制できる。高い耐圧が安定して得られる。第３中間領域４６ｃは、半導体装置１１０または半導体装置１１０ａにおいて設けられて良い。

【0079】

このように、第１絶縁部材４１が、第１絶縁領域４１ａ、第２絶縁領域４１ｂ、及び第３絶縁領域４１ｃを含んでも良い。第３絶縁領域４１ｃは、第１元素（窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む元素）を含む第１領域４５ａと、第１元素を含む第２領域４５ｂと、第１領域４５ａと第２領域４５ｂとの間に設けられた第１中間領域４６ａと、を含んでも良い。第１中間領域４６ａは、第１元素を含まない。または、第１中間領域４６ａにおける第１元素の濃度は、第１領域４５ａにおける第１元素の濃度よりも低く、第２領域４５ｂにおける第１元素の濃度よりも低い。

【0080】

第１絶縁領域４１ａ及び第２絶縁領域４１ｂは、第１元素を含まない。または、第１絶縁領域４１ａにおける第１元素の濃度、及び、第２絶縁領域４１ｂにおける第１元素の濃度のそれぞれは、第１領域４５ａにおける第１元素の濃度よりも低く、第２領域４５ｂにおける第１元素の前記濃度よりも低い。

【0081】

既に説明したように、第１領域４５ａは、第１方向（Ｚ軸方向）において、第１電極５１と、第２領域４５ｂの他部４５ｂｑと、の間にあって良い。第１領域４５ａ、及び、第２領域４５ｂの一部４５ｂｐは、第１方向（Ｚ軸方向）に沿って延びる。第１領域４５ａは、互いに第１方向（Ｚ軸方向）に離れた第１元素を含む複数の領域４７ｚを含んでも良い。第３絶縁領域４１ｃは、上記の第３領域４５ｃ及び上記の第２中間領域４６ｂを含んでも良い。

【0082】

図１２は、半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１２に示すように、第１～第３領域４５ａ～４５ｃは、第１～第３領域端部４５ａｅ～４５ｃｅを含む。第１領域端部４５ａｅは、第１領域４５ａの、第３電極５３の側の端部である。第２領域端部４５ｂｅは、第２領域４５ｂの、第３電極５３の側の端部である。第３領域端部４５ｃｅは、第３領域４５ｃの、第３電極５３の側の端部である。

【0083】

第１導電部材端部６１ａの第１方向における位置と、第３電極端部５３ａの第１方向における位置と、の間の第１方向に沿う距離を第１距離ｄ１とする。第１導電部材端部６１ａの第１方向（Ｚ軸方向）における位置と、第１領域端部４５ａｅの第１方向における位置と、の間の第１方向に沿う距離を第１端部距離ｄｅ１とする。第１導電部材端部６１ａの第１方向（Ｚ軸方向）における位置と、第２領域端部４５ｂｅの第１方向における位置と、の間の第１方向に沿う距離を第２端部距離ｄｅ２とする。第１導電部材端部６１ａの第１方向（Ｚ軸方向）における位置と、第３領域端部４５ｃｅの第１方向における位置と、の間の第１方向に沿う距離を第３端部距離ｄｅ３とする。

【0084】

以下、第１～第３端部距離ｄｅ１～ｄｅ３を変更したときの特性のシミュレーション結果の例について説明する。

【0085】

図１３（ａ）～図１３（ｃ）は、半導体装置の特性を例示するグラフ図である。
図１３（ａ）～図１３（ｃ）のそれぞれの横軸は、比ｄｅ１／ｄ１、比ｄｅ２／ｄ１、及び、比ｄｅ３／ｄ１に対応する。これらの図の縦軸は、相対的なブロッキング電圧ΔＢＶである。相対的なブロッキング電圧ΔＢＶが大きいことが好ましい。これらの図において、比ｄｅ１／ｄ１が０．３３～０．７７、比ｄｅ２／ｄ１が０．４４～７７、及び、比ｄｅ３／ｄ１が０．４４～０．８８で変更されたすべての値がプロットされている。これらの図に記載された曲線Ｃｖ１は、上記の比を変更したときに得られる相対的なブロッキング電圧ΔＢＶの最大値に対応する。これらの図において、トレンチ横方向の固定電荷密度は９×１０^１４ｃｍ^－２である。

【0086】

図１３（ａ）に示すように、比ｄｅ１／ｄ１が０．４以上０．７以下のときに、大きい相対的なブロッキング電圧ΔＢＶが安定して得られる。比ｄｅ１／ｄ１が０．５以上のときに、大きい相対的なブロッキング電圧ΔＢＶが安定して得られる。

【0087】

図１３（ｂ）に示すように、比ｄｅ２／ｄ１が０．５５以上０．８以下のときに、大きい相対的なブロッキング電圧ΔＢＶが得られる。比ｄｅ２／ｄ１が０．６以上０．７以下のときに、大きい相対的なブロッキング電圧ΔＢＶが安定して得られる。

【0088】

図１３（ｃ）に示すように、比ｄｅ３／ｄ１が０．５５以上０．９以下のときに、大きい相対的なブロッキング電圧ΔＢＶが得られる。比ｄｅ３／ｄ１が０．７以上０．８以下のときに、大きい相対的なブロッキング電圧ΔＢＶが安定して得られる。

【0089】

図１２に示すように、第１～第３領域４５ａ～４５ｃの第２方向における端部の位置は、大きくは変化していない。このため、実用的に、第１～第３領域４５ａ～４５ｃのそれぞれ第２方向における端部の位置は、第３領域４５ｃの第２方向における端部４５ｃｆの位置として良い。第１導電部材端部６１ａの第２方向（例えばＸ軸方向）における位置と、第２方向端部４４ａの第２方向における位置と、の間の第２方向に沿う距離（例えば最短距離）を第３距離ｘ３とする。第１導電部材端部６１ａの第２方向（例えばＸ軸方向）における位置と、第２方向他端部４４ｂの第２方向における端部４５ｃｆ位置と、の間の第２方向に沿う距離（例えば最短距離）を第４距離ｘ４とする。第１導電部材端部６１ａの第２方向（例えばＸ軸方向）における位置は、Ｘ軸方向において、第１導電部材端部６１ａの、第１部分領域１１ａの側の端の位置である。

【0090】

図１４は、半導体装置の特性を例示するグラフ図である。
図１４は、第１～第３領域４５ａ～４５ｃを含む半導体装置１１１の特性を例示している。図１４の横軸は、第２比ＲＲ２である。第２比ＲＲ２は、第３距離ｘ３に対する第４距離ｘ４の比である。図１４の縦軸は、相対的なブロッキング電圧ΔＢＶである。

【0091】

図１４に示すように、半導体装置１１１において、第２比ＲＲ２は、例えば、０．１６以上１未満であることが好ましい。第２比ＲＲ２は、例えば、０．１６以上０．７以下でも良い。高いブロッキング電圧ΔＢＶが得られる。実施形態において、第２比ＲＲ２は、例えば、０．３６以上でも良い。第２比ＲＲ２は、例えば、０．５８以上でも良い。

【0092】

図１５は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１５に示すように、実施形態に係る半導体装置１２０においては、第１導電部材６１は、第３電極５３と電気的に接続される。または、第１導電部材６１は、第３電極５３と電気的に接続されることが可能である。半導体装置１２０におけるこれ以外の構成は、例えば、半導体装置１１０、１１０ａまたは１１１と同様で良い。

【0093】

例えば、図１５に示すように、第１導電部材６１は、接続部材６１Ｃ、接続部材５２ＬＬ及び接続部材５２Ｃを介して、第３電極５３と電気的に接続される。これらの接続部材は、図１５に例示する断面とは異なる位置に設けられて良い。例えば、端子５２Ｔが接続部材５２Ｃを介して、第３電極５３と接続されても良い。端子６１Ｔが、接続部材６１Ｃを介して第１導電部材６１と電気的に接続されても良い。接続部材５２ＬＬにより、端子６１Ｔが端子５２Ｔと電気的に接続されても良い。接続部材５２ＬＬは、半導体装置１２０とは別に設けられても良い。半導体装置１２０においても、例えば、高い耐圧が得られる。

【0094】

図１６は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１６に示すように、実施形態に係る半導体装置１３０においては、第１導電部材６１の一部は、第２方向（Ｘ軸方向）において、第３電極５３と重なる。半導体装置１２０におけるこれ以外の構成は、例えば、半導体装置１１０、１１０ａ、１１１または１２０と同様で良い。半導体装置１２０においても、例えば、高い耐圧が得られる。

【0095】

（第２実施形態）
第２実施形態は、半導体装置の製造方法に係る。

【0096】

図１７～図２３は、第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図１７に示すように、半導体部材１０が準備される。半導体部材１０は、穴１０Ｈを含む。穴１０Ｈは、例えば、トレンチでも良い。穴１０Ｈは、底面１０Ｂ、下側面１０ＬＳ及び上側面１０ＵＳを含む。下側面１０ＬＳと底面１０Ｂとの間の距離は、上側面１０ＵＳと底面１０Ｂとの間の距離よりも短い。このような穴は、例えば、半導体部材１０となる半導体層の一部を除去することで形成できる。一部の除去は、例えば、マスクを用いたエッチングにより実施できる。

【0097】

穴１０Ｈの深さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）は、例えば、２μｍ以上１０μｍ以下である。穴１０Ｈの底面は、第１半導体領域１１中にある。

【0098】

必要に応じて、形成された穴１０Ｈの表面に酸化領域１０Ｒが形成されて良い。酸化領域１０Ｒは、例えば、熱酸化処理により形成されて良い。酸化領域１０Ｒの厚さは、例えば、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下で良い。１つの例において、酸化領域１０Ｒの厚さは、厚さｔｃ１（図１０及び図１１参照）と実質的に同じで良い。

【0099】

図１８に示すように、半導体部材１０の穴１０Ｈの底面１０Ｂ、下側面１０ＬＳ及び上側面１０ＵＳに、第１膜８１を形成する。第１膜８１は、第１元素を含む。第１元素は、窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１膜８１は、底面１０Ｂに設けられた第１底面領域８１Ｂと、下側面１０ＬＳに設けられた第１下側面領域８１Ｌと、上側面１０ＵＳに設けられた第１上側面領域８１Ｕと、を含む。

【0100】

図１９に示すように、第１下側面領域８１Ｌを残しつつ、第１底面領域８１Ｂ及び第１上側面領域８１Ｕを除去する。除去は、マスクを用いたエッチング（例えばドライエッチング）により実施できる。これにより、穴１０Ｈの底面１０Ｂ及び上側面１０ＵＳが露出される。

【0101】

図２０に示すように、穴１０Ｈの底面１０Ｂ、第１下側面領域８１Ｌ、及び、穴１０Ｈの上側面１０ＵＳに、第２元素を含む第２膜８２を形成する。第２元素は、窒素、アルミニウム、ハフニウム及びジルコニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。

【0102】

この際、第１底面領域８１Ｂ及び第１上側面領域８１Ｕの上記の除去と、第２膜８２の形成との間に、第１絶縁膜７１が形成されても良い。第１絶縁膜７１は、シリコン及び酸素を含む。第１絶縁膜７１は、第１元素または第２元素を実質的に含まない。第１絶縁膜７１は、例えばＳｉＯ_２膜である。第１絶縁膜７１は、底面１０Ｂ、第１下側面領域８１Ｌ及び上側面１０ＵＳに形成される。この場合は、第２膜８２は、第１絶縁膜７１の上に形成される。

【0103】

第２膜８２は、穴１０Ｈの底面１０Ｂに設けられた第２底面領域８２Ｂと、第１下側面領域８１Ｌに設けられた第２下側面領域８２Ｌと、穴１０Ｈの上側面１０ＵＳに設けられた第２上側面領域８２Ｕと、を含む。

【0104】

図２１に示すように、第２下側面領域８２Ｌを残しつつ、第２底面領域８２Ｂ及び第２上側面領域８２Ｕを除去する。例えば、穴１０Ｈの底面１０Ｂ、及び、穴１０Ｈの上側面１０ＵＳが露出する。

【0105】

図２２に示すように、穴１０Ｈの底面１０Ｂ、第２下側面領域８２Ｌ、及び、穴１０Ｈの上側面１０ＵＳに、第２絶縁膜７２を形成する。第２絶縁膜７２は、シリコン及び酸素を含む。第２絶縁膜７２は、例えば、例えばＳｉＯ_２膜である。

【0106】

必要に応じて、第２膜８２の上記の形成と同様にして、第１元素または第２元素を含む第３膜が形成されても良い。これらの膜は、例えば、上記の第１～第３領域４５ａ～４５ｃなどに対応する。

【0107】

図２３に示すように、第２絶縁膜７２の形成の後の穴１０Ｈの中に第１導電部材６１を形成する。

【0108】

これにより、例えば、半導体装置１１１が形成できる。実施形態に係る製造方法によれば、特性を向上できる半導体装置の製造方法を提供できる。

【0109】

上記の実施形態において、第１半導体領域１１における第１導電形のキャリア濃度は、例えば、１．０×１０^１５ｃｍ^－３以上１．０×１０^１７ｃｍ^－３以下であることが好ましい。第２半導体領域１２における第２導電形のキャリア濃度は、例えば、１．０×１０^１６ｃｍ^－３以上１．０×１０^１８ｃｍ^－３以下であることが好ましい。第３半導体領域１３における第１導電形のキャリア濃度は、例えば、３．０×１０^１８ｃｍ^－３以上３．０×１０^２０ｃｍ^－３以下であることが好ましい。第４半導体領域１４における第１導電形のキャリア濃度は、例えば、１．０×１０^１７ｃｍ^－３以上３．０×１０^２０ｃｍ^－３以下であることが好ましい。第５半導体領域１５における第２導電形のキャリア濃度は、例えば、１．０×１０^１８ｃｍ^－３以上３．０×１０^２０ｃｍ^－３以下であることが好ましい。

【0110】

上記の実施形態において、例えば、第３半導体領域１３における第１導電形の不純物濃度は、第１半導体領域１１における第１導電形の不純物濃度よりも高い。例えば、第４半導体領域１４における第１導電形の不純物濃度は、第１半導体領域１１における第１導電形の不純物濃度よりも高い。例えば、第５半導体領域１５における第２導電形の不純物濃度は、第２半導体領域１２における第２導電形の不純物濃度よりも高い。

【0111】

第１半導体領域１１における第１導電形の不純物濃度は、例えば、１．０×１０^１５ｃｍ^－３以上１．０×１０^１７ｃｍ^－３以下であることが好ましい。第２半導体領域１２における第２導電形の不純物濃度は、例えば、１．０×１０^１６ｃｍ^－３以上１．０×１０^１８ｃｍ^－３以下であることが好ましい。第３半導体領域１３における第１導電形の不純物濃度は、例えば、３．０×１０^１８ｃｍ^－３以上３．０×１０^２０ｃｍ^－３以下であることが好ましい。第４半導体領域１４における第１導電形の不純物濃度は、例えば、１．０×１０^１７ｃｍ^－３以上３．０×１０^２０ｃｍ^－３以下であることが好ましい。第５半導体領域１５における第２導電形の不純物濃度は、例えば、１．０×１０^１８ｃｍ^－３以上３．０×１０^２０ｃｍ^－３以下であることが好ましい。

【0112】

実施形態において、半導体領域の形状などに関する情報は、例えば、電子顕微鏡観察などにより得られる。第１元素などの濃度に関する情報は、例えば、ＥＤＸ（Energy Dispersive X-ray Spectroscopy）、または、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）などにより得られる。半導体領域におけるキャリア濃度に関する情報は、例えば、ＳＣＭ（Scanning Capacitance Microscopy）などにより得られる。

【0113】

実施形態によれば、特性を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供できる。

【0114】

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置に含まれる、半導体部材、半導体領域、導電部材、電極及び絶縁部材などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

【0115】

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

【0116】

その他、本発明の実施の形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0117】

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

【0118】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0119】

１０…半導体部材、 １０Ｂ…底面、 １０Ｈ…穴、 １０ＬＳ…下側面、 １０Ｒ…酸化領域、 １０ＵＳ…上側面、 １１～１５…第１～第５半導体領域、 １１ａ、１１ｂ…第１、第２部分領域、 ４１…第１絶縁部材、 ４１ａ～４１ｆ…第１～第６絶縁領域、 ４３ａ…第１方向端部、 ４３ｂ…第１方向他端部、 ４４ａ…第２方向端部、 ４４ｂ…第２方向他端部、 ４５ａ～４５ｃ…第１～第３領域、 ４５ａｅ～４５ｃｅ…第１～第３領域端部、 ４５ｂｐ…一部、 ４５ｂｑ…他部、 ４５ｃｆ…端部、 ４５ｃｐ…一部、 ４５ｃｑ…他部、 ４６ａ～４６ｃ…第１～第３中間領域、 ４７ｚ…領域、 ５１～５３…第１～第３電極、 ５２Ｃ…接続部材、 ５２ＬＬ…接続部材、 ５２Ｔ…端子、 ５２ａ、５２ｂ…部分、 ５３ａ…第３電極端部、 ５３ｂ…第３電極他端部、 ６１…第１導電部材、 ６１Ｃ…接続部材、 ６１Ｔ…端子、 ６１ａ…第１導電部材端部、 ６１ｂ…第１導電部材他端部、 ７１、７２…第１、第２絶縁膜、 ８１、８２…第１、第２膜、 ８１Ｂ、８２Ｂ…第１、第２底面領域、 ８１Ｌ、８２Ｌ…第１、第２下側面領域、 ８１Ｕ、８２Ｕ…第１、第２上側面領域、 ΔＢＶ…ブロッキング電圧、 １１０、１１０ａ、１１１、１１９ａ～１１９ｃ、１２０、１３０…半導体装置、 Ｃｖ１…曲線、 ＲＲ１、ＲＲ２…第１、第２比、 ｄ１、ｄ２…第１、第２距離、 ｄｅ１～ｄｅ３～第１～第３端部距離、 ｐ１～ｐ６…第１～第６位置、 ｔｃ１…厚さ、 ｘ３、ｘ４…第３、第４距離

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】