特許 7485090 多層基板、電子機器及び多層基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-08

(45)【発行日】2024-05-16

(54)【発明の名称】多層基板、電子機器及び多層基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240509BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240509BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 G

H05K1/02 P

【請求項の数】 23

(21)【出願番号】P 2022573981

(86)(22)【出願日】2021-12-20

(86)【国際出願番号】 JP2021047015

(87)【国際公開番号】W WO2022149450

(87)【国際公開日】2022-07-14

【審査請求日】2023-05-24

(31)【優先権主張番号】P 2021001921

(32)【優先日】2021-01-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】池本 伸郎

(72)【発明者】

【氏名】奥田 哲聡

(72)【発明者】

【氏名】西尾 恒亮

【審査官】齊藤 健一

(56)【参考文献】

【文献】特開昭５６－１５８５０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１６／１８１７８２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１５／１１８７９１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００３－８２３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－３４７４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２０／１１１１９１（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｐ ３／００―３／４８

Ｈ０５Ｋ １／００―３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

多孔質絶縁体層を含む複数の絶縁体層が上下方向に積層された積層体を備え、
前記積層体は前記多孔質絶縁体層の圧縮量の違いにより上下方向の厚みが薄い箇所と厚い箇所とを有し、
前記積層体の厚みが薄い箇所を湾曲可能とし、
後記（Ａ）の構造又は後記（Ｂ）の構造の少なくとも一方を備えている、
多層基板。
（Ａ）前記厚みの薄い箇所における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値は、前記厚みの厚い箇所における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値より小さい。
（Ｂ）前記厚みの薄い箇所における前記多孔質絶縁体層の密度は、前記厚みの厚い箇所における前記多孔質絶縁体層の密度より大きい。

【請求項2】

前記多孔質絶縁体層に形成されている主たる空孔は、独立気泡である、
請求項１に記載の多層基板。

【請求項3】

前記多孔質絶縁体層の上主面又は下主面に設けられている導体層を、
更に備えており、
上下方向において前記導体層の半分以上が、前記多孔質絶縁体層に埋まっている、
請求項１又は請求項２のいずれかに記載の多層基板。

【請求項4】

前記積層体の厚みが薄い箇所における前記積層体の上主面又は下主面に実装されている部品を、
更に備えている、
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板。

【請求項5】

前記積層体の厚みが薄い箇所において、外力が加えられることにより変形して曲がっている箇所を有する、
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板。

【請求項6】

前記積層体の厚みが薄い箇所における前記多孔質絶縁体層の上主面又は下主面に設けられているアンテナ導体層を、
更に備えている、
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の多層基板。

【請求項7】

前記積層体の厚みが薄い箇所における前記多孔質絶縁体層の上主面又は下主面に設けられている導体層と、
前記積層体の厚みが薄い箇所において前記多孔質絶縁体層を上下方向に貫通し前記多孔質絶縁体層の上主面又は下主面に設けられている導体層に接続されている層間接続導体と、
を更に備えている、
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の多層基板。

【請求項8】

前記積層体の厚みが薄い箇所は、上下方向に見て、前記層間接続導体を含む上下方向に平行な断面における前記導体層の幅の最小値を直径とする円を包含する形状を有している、
請求項７に記載の多層基板。

【請求項9】

前記積層体の厚みが薄い箇所における前記絶縁体層の数は、前記積層体の厚みが厚い箇所における前記絶縁体層の数より多い、
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の多層基板。

【請求項10】

前記積層体の厚みが薄い箇所において前記多孔質絶縁体層を上下方向に貫通する層間接続導体を、
更に備えている、
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の多層基板。

【請求項11】

前記多孔質絶縁体層を上下方向に貫通する層間接続導体を備え、
後記（Ｃ）の構造又は後記（Ｄ）の構造の少なくとも一方を備えている、
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の多層基板。
（Ｃ）前記多孔質絶縁体層において前記多孔質絶縁体層を上下方向に貫通する層間接続導体に隣接する部分の空孔の大きさの平均値は、前記積層体の厚みが厚い箇所における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値より小さい。
（Ｄ）前記多孔質絶縁体層において前記多孔質絶縁体層を上下方向に貫通する層間接続導体に隣接する部分の密度は、前記積層体の厚みが厚い箇所における前記多孔質絶縁体層の密度より大きい。

【請求項12】

前記積層体の厚みが薄い箇所において前記積層体に設けられている第１キャパシタ導体層と、
前記積層体の厚みが薄い箇所において前記積層体に設けられており、かつ、上下方向に見て、前記第１キャパシタ導体層と重なる第２キャパシタ導体層と、
を更に備えており、
前記多孔質絶縁体層は、前記第１キャパシタ導体層と前記第２キャパシタ導体層との間に位置している、
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の多層基板。

【請求項13】

前記積層体の厚みが薄い箇所において前記積層体に内蔵されている部品を、
更に備えている、
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の多層基板。

【請求項14】

前記多孔質絶縁体層の上主面又は下主面に設けられている導体層を、
更に備えており、
前記多孔質絶縁体層の上主面又は下主面に設けられている導体層は、高周波回路を形成している、
請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の多層基板。

【請求項15】

層体の厚みが薄い箇所において、外力が加えられることにより変形して曲がっている箇所を有し、
前記多層基板が前記曲がっていることにより生じる応力によって、前記積層体の厚みが薄い箇所における前記多孔質絶縁体層の上下方向の厚みは、前記積層体の厚みが厚い箇所における前記多孔質絶縁体層の上下方向の厚みより小さくなっており、
前記多層基板が前記曲がっている箇所に生じる応力によって、前記積層体の厚みが薄い箇所における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値は、前記積層体の厚みが厚い箇所における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値より小さくなっている、及び／又は、前記積層体の厚みが薄い箇所における前記多孔質絶縁体層の密度は、前記積層体の厚みが厚い箇所における前記多孔質絶縁体層の密度より大きくなっている、
請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載の多層基板。

【請求項16】

後記（Ｅ）の構造又は後記（Ｆ）の構造の少なくとも一方を備えている、
請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載の多層基板。
（Ｅ）前記積層体の厚みが厚い箇所において前記積層体の厚みが薄い箇所と前記積層体の厚みが厚い箇所との境界に近づくにしたがって、前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさが小さくなる。
（Ｆ）前記積層体の厚みが厚い箇所において前記積層体の厚みが薄い箇所と前記積層体の厚みが厚い箇所との境界に近づくにしたがって、前記多孔質絶縁体層の密度が大きくなる。

【請求項17】

前記複数の絶縁体層は、複数の前記多孔質絶縁体層を含んでおり、
前記複数の多孔質絶縁体層の空孔の大きさは、前記積層体の上下方向の中央に近づくにしたがって小さくなる、
請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載の多層基板。

【請求項18】

前記複数の絶縁体層は、複数の前記多孔質絶縁体層を含んでおり、
前記複数の多孔質絶縁体層の空孔の大きさは、前記積層体の上下方向の中央に近づくにしたがって大きくなる、
請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載の多層基板。

【請求項19】

前記複数の絶縁体層は、複数の前記多孔質絶縁体層と、前記複数の多孔質絶縁体層を接合する接着層と、含んでいる、
請求項１ないし請求項１８のいずれかに記載の多層基板。

【請求項20】

請求項１ないし請求項１９のいずれかに記載の多層基板を備える、
電子機器。

【請求項21】

多孔質絶縁体層を含む複数の絶縁体層を上下方向に積層して積層体を形成する積層工程と、
前記積層体の前記多孔質絶縁体層に対する加圧により前記多孔質絶縁体層の圧縮量の違いを生じさせる加圧工程と、
を備え、
前記加圧工程により、後記（Ａ）の構造又は後記（Ｂ）の構造の少なくとも一方を備えて、前記多孔質絶縁体層の圧縮量の違いにより上下方向の厚みが薄い箇所と厚い箇所とを有して前記積層体の厚みが薄い箇所を湾曲可能とした多層基板の製造方法。
（Ａ）前記厚みの薄い箇所における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値は、前記厚みの厚い箇所における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値より小さい。
（Ｂ）前記厚みの薄い箇所における前記多孔質絶縁体層の密度は、前記厚みの厚い箇所における前記多孔質絶縁体層の密度より大きい。

【請求項22】

前記積層工程後に前記複数の絶縁体層を加圧することによって前記加圧工程を行う、
請求項２１に記載の多層基板の製造方法。

【請求項23】

前記積層工程では、加圧を行った前記多孔質絶縁体層を含む複数の前記絶縁体層を積層する、
請求項２１に記載の多層基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数の絶縁体層が積層された構造を有する多層基板、電子機器及び多層基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の多層基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の多層回路基板が知られている。この多層回路基板は、複数の多孔質基材が積層された構造を有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平６－２６８３４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、複数の多孔質基材が積層された構造を有する特許文献１に記載の多層回路基板において、多層回路基板の設計自由度を向上させたいという要望がある。

【0005】

そこで、本発明の目的は、多層基板の設計自由度を向上させることができる多層基板、電子機器及び多層基板の製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一形態に係る多層基板は、
多孔質絶縁体層を含む複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有する積層体を備えている多層基板であって、
前記多層基板は、第１領域及び第２領域を有しており、
前記第１領域における前記多孔質絶縁体層の上下方向の厚みは、前記第２領域における前記多孔質絶縁体層の上下方向の厚みより小さく、
前記多層基板は、（Ａ）の構造又は（Ｂ）の構造の少なくとも一方を備えている。

【0007】

（Ａ）前記第１領域における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値は、前記第２領域における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値より小さい。

【0008】

（Ｂ）前記第１領域における前記多孔質絶縁体層の密度は、前記第２領域における前記多孔質絶縁体層の密度より大きい。

【0009】

本発明の一形態に係る多層基板の製造方法は、
多孔質材料で作製されている多孔質絶縁体層を含む複数の絶縁体層を上下方向に積層する積層工程と、
前記複数の絶縁体層を加圧する加圧工程と、
を備え、
前記多層基板は、第１領域及び第２領域を有しており、
前記加圧工程により、前記第１領域における前記多孔質絶縁体層の上下方向の厚みは、前記第２領域における前記多孔質絶縁体層の上下方向の厚みより小さくなり、
前記加圧工程により、前記多層基板は、（Ａ）構造又は（Ｂ）の構造の少なくとも一方を備えるようになる。

【0010】

（Ａ）前記第１領域における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値は、前記第２領域における前記多孔質絶縁体層の空孔の大きさの平均値より小さい。

【0011】

（Ｂ）前記第１領域における前記多孔質絶縁体層の密度は、前記第２領域における前記多孔質絶縁体層の密度より大きい。

【発明の効果】

【0012】

本発明に係る多層基板、電子機器及び多層基板の製造方法によれば、多層基板の設計自由度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は、多層基板１０の分解斜視図である。

【図2】図２は、図１のＡ－Ａにおける多層基板１０の断面図である。

【図3】図３は、多層基板１０を備える電子機器１の内部構造の一部の左面図である。

【図4】図４は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【図5】図５は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【図6】図６は、多層基板１０ａの断面図である。

【図7】図７は、多層基板１０ｂの断面図である。

【図8】図８は、多層基板１０ｃの断面図である。

【図9】図９は、多層基板１０ｄの断面図である。

【図10】図１０は、多層基板１０ｅの断面図である。

【図11】図１１は、多層基板１０ｆの断面図である。

【図12】図１２は、多層基板１０ｇの断面図である。

【図13】図１３は、多層基板１０ｈの断面図である。

【図14】図１４は、多層基板１０ｈの製造時の断面図である。

【図15】図１５は、多層基板１０ｉの断面図である。

【図16】図１６は、多層基板１０ｉの製造時の断面図である。

【図17】図１７は、多層基板１０ｊの製造時の断面図である。

【図18】図１８は、多層基板１０ｊの断面図である。

【図19】図１９は、多層基板１０ｋの断面図である。

【図20】図２０は、多層基板１０ｌの断面図である。

【図21】図２１は、多層基板１０ｌの製造時の断面図である。

【図22】図２２は、多層基板１０ｍの断面図である。

【図23】図２３は、多層基板１０ｍの製造時の断面図である。

【図24】図２４は、多層基板１０ｎの断面図である。

【図25】図２５は、多層基板１０ｎの製造時の断面図である。

【図26】図２６は、多層基板１０ｏの断面図である。

【図27】図２７は、多層基板１０ｏの製造時の断面図である。

【図28】図２８は、多層基板１０ｐの断面図である。

【図29】図２９は、多層基板１０ｐの製造時の断面図である。

【図30】図３０は、多層基板１０ｑの断面図である。

【図31】図３１は、多層基板１０ｒの断面図である。

【図32】図３２は、多層基板１０ｓの断面図である。

【図33】図３３は、多層基板１０ｔの断面図である。

【図34】図３４は、多層基板１０ｕの断面図である。

【図35】図３５は、多層基板１０ｖの断面図である。

【図36】図３６は、多層基板１０ｗの断面図である。

【図37】図３７は、多層基板１０ｗの製造時の断面図である。

【図38】図３８は、多層基板１０の製造時の断面図である。

【図39】図３９は、多層基板１０ｘの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

（実施形態）
［多層基板１０の構造］
以下に、本発明の実施形態に係る多層基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、多層基板１０の分解斜視図である。なお、図１では、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の内の代表的な層間接続導体ｖ１，ｖ２にのみ参照符号を付した。図２は、図１のＡ－Ａにおける多層基板１０の断面図である。

【0015】

本明細書において、方向を以下のように定義する。多層基板１０の積層体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、多層基板１０の信号導体層２２が延びる方向を前後方向と定義する。また、信号導体層２２の線幅方向を左右方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は、互いに直交している。なお、本明細書の上下方向、前後方向及び左右方向は、多層基板１０の実使用時の上下方向、前後方向及び左右方向と一致していなくてもよい。

【0016】

以下では、Ｘは、多層基板１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

【0017】

まず、図１を参照しながら、多層基板１０の構造について説明する。多層基板１０は、高周波信号を伝送する。多層基板１０は、スマートフォン等の電子機器において、２つの回路を電気的に接続するために用いられる。多層基板１０は、図１に示すように、積層体１２、信号導体層２２、第１グランド導体層２４、第２グランド導体層２６、信号端子２８ａ，２８ｂ、接続導体層２３ａ，２３ｂ，２７ａ，２７ｂ，２９ａ，２９ｂ、複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２及び層間接続導体ｖ３，ｖ４を備えている。

【0018】

積層体１２は、板形状を有している。従って、積層体１２は、上主面及び下主面を有している。積層体１２の上主面及び下主面の法線は、上下方向に延びている。積層体１２の上主面及び下主面は、前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、積層体１２の前後方向の長さは、積層体１２の左右方向の長さより長い。

【0019】

積層体１２は、図１に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｄ，２０ａ，２０ｂを含んでいる。積層体１２は、絶縁体層１６ａ～１６ｄ，２０ａ，２０ｂが上下方向に積層された構造を有している。絶縁体層２０ａ，１６ａ～１６ｄ，２０ｂが上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１６ａ～１６ｄは、上下方向に見て、積層体１２と同じ長方形状を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｄは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁体層１６ａ～１６ｄの材料は、熱可塑性樹脂を含んでいる。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等である。また、絶縁体層１６ａ～１６ｄの材料は、ポリイミドであってもよい。絶縁体層１６ａ～１６ｄは、多孔質材料により作製されている多孔質絶縁体層である。従って、絶縁体層１６ａ～１６ｄには、多数の空孔が形成されている。絶縁体層１６ａ～１６ｄに形成されている主たる空孔は、独立気泡である。独立気泡は、気泡が絶縁体層１６ａ～１６ｄの材料により完全に囲まれた構造を有する。従って、独立気泡は、複数の気泡が繋がっていない構造を有している。なお、絶縁体層１６ａ～１６ｄに形成されている全ての空孔が独立気泡でなくてもよい。絶縁体層１６ａ～１６ｄの空孔率は、例えば、３０％以上８０％以下である。空孔率は、積層体１２の全体の体積に占める気泡の体積の割合である。絶縁体層２０ａ，２０ｂの詳細については後述する。

【0020】

信号導体層２２（導体層）は、絶縁体層１６ｃ（多孔質絶縁体層）の上主面又は下主面に設けられている。本実施形態では、信号導体層２２は、絶縁体層１６ｃの上主面に設けられている。信号導体層２２は、線形状を有している。信号導体層２２は、前後方向に延びている。信号導体層２２には、高周波信号が伝送される。

【0021】

第１グランド導体層２４は、積層体１２に設けられている。第１グランド導体層２４は、上下方向に見て、信号導体層２２と重なるように、信号導体層２２の上に設けられている。本実施形態では、第１グランド導体層２４は、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。第１グランド導体層２４は、絶縁体層１６ａの上主面の略全面を覆っている。第１グランド導体層２４は、グランド電位に接続される。

【0022】

第２グランド導体層２６は、積層体１２に設けられている。第２グランド導体層２６は、上下方向に見て、信号導体層２２と重なるように、信号導体層２２の下に設けられている。本実施形態では、第２グランド導体層２６は、絶縁体層１６ｄの下主面に設けられている。本実施形態では、第２グランド導体層２６は、絶縁体層１６ｄの下主面の略全面を覆っている。第２グランド導体層２６は、グランド電位に接続される。これにより、信号導体層２２（導体層）、第１グランド導体層２４及び第２グランド導体層２６は、ストリップライン構造を有しており、高周波回路を形成している。

【0023】

接続導体層２３ａ，２３ｂ，２７ａ，２７ｂは、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。接続導体層２３ａ，２３ｂ，２７ａ，２７ｂは、上下方向に見て、正方形状を有している。接続導体層２９ａ，２９ｂは、絶縁体層１６ｃの上主面に設けられている。

【0024】

複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、第１グランド導体層２４と第２グランド導体層２６とを電気的に接続している。より詳細には、複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２は、絶縁体層１６ａ～１６ｄを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の上端は、第１グランド導体層２４に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１，ｖ２の下端は、第２グランド導体層２６に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１の中間部分は、接続導体層２７ｂ，２９ｂ（導体層）に接続されている。複数の層間接続導体ｖ２の中間部分は、接続導体層２７ａ，２９ａ（導体層）に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１は、信号導体層２２の左に設けられている。複数の層間接続導体ｖ１は、前後方向において等間隔に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ２は、信号導体層２２の右に設けられている。複数の層間接続導体ｖ２は、前後方向において等間隔に一列に並んでいる。

【0025】

信号端子２８ａは、絶縁体層１６ａの上主面の前端部に設けられている。信号端子２８ａは、上下方向に見て、長方形状を有している。信号端子２８ａは、上下方向に見て、信号導体層２２の前端部と重なっている。信号端子２８ａが第１グランド導体層２４と絶縁されるように、信号端子２８ａの周囲には第１グランド導体層２４が設けられていない。

【0026】

層間接続導体ｖ３は、信号端子２８ａと信号導体層２２とを電気的に接続している。具体的には、層間接続導体ｖ３は、絶縁体層１６ａ，１６ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ３の上端は、信号端子２８ａに接続されている。層間接続導体ｖ３の下端は、信号導体層２２の前端部に接続されている。層間接続導体ｖ３の中間部分は、接続導体層２３ａに接続されている。これにより、信号端子２８ａは、信号導体層２２と電気的に接続されている。高周波信号は、信号端子２８ａを介して、信号導体層２２に入出力する。

【0027】

なお、信号端子２８ｂ、接続導体層２３ｂ及び層間接続導体ｖ４は、信号端子２８ａ、接続導体層２３ａ及び層間接続導体ｖ３と前後対称な構造を有する。従って、信号端子２８ｂ、接続導体層２３ｂ及び層間接続導体ｖ４の説明を省略する。

【0028】

以上のような信号導体層２２、第１グランド導体層２４、第２グランド導体層２６、信号端子２８ａ，２８ｂ及び接続導体層２３ａ，２３ｂ，２７ａ，２７ｂ，２９ａ，２９ｂは、例えば、絶縁体層１６ａ～１６ｄの上主面又は下主面に設けられた導体箔にエッチングが施されることにより形成されている。導体箔は、例えば、銅箔である。また、層間接続導体ｖ１～ｖ４のそれぞれは、図２に示すように、複数のビアホール導体が直列に接続された構造を有している。ビアホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｄに貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填した後に、導電性ペーストを固化させることにより作製される。なお、ビアホール導体は、貫通孔にめっきが施されることによって形成されてもよい。

【0029】

絶縁体層２０ａ，２０ｂは、可撓性を有する絶縁体層である。絶縁体層２０ａ，２０ｂは、上下方向に見て、積層体１２と同じ長方形状を有している。絶縁体層２０ａは、絶縁体層１６ａの上主面の略全面を覆っている。これにより、絶縁体層２０ａは、第１グランド導体層２４を保護している。ただし、絶縁体層２０ａには、開口ｈ１～ｈ６が設けられている。開口ｈ１は、上下方向に見て、信号端子２８ａと重なっている。これにより、信号端子２８ａは、開口ｈ１を介して多層基板１０から外部に露出している。開口ｈ２は、開口ｈ１の左に設けられている。開口ｈ３は、開口ｈ１の右に設けられている。これにより、第１グランド導体層２４は、開口ｈ２，ｈ３を介して多層基板１０から外部に露出している。なお、開口ｈ４～ｈ６の構造はそれぞれ、開口ｈ１～ｈ３の構造と前後対称である。従って、開口ｈ４～ｈ６の説明を省略する。

【0030】

絶縁体層２０ｂは、絶縁体層１６ｄの下主面の略全面を覆っている。これにより、絶縁体層２０ｂは、第２グランド導体層２６を保護している。

【0031】

ところで、多層基板１０は、図２に示すように、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂ及び第２領域Ａ２を有している。第１領域Ａ１ａは、多層基板１０の左部に位置している。第１領域Ａ１ａは、上下方向に見て、前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。第１領域Ａ１ｂは、多層基板１０の右部に位置している。第１領域Ａ１ｂは、上下方向に見て、前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。第２領域Ａ２は、第１領域Ａ１ａと第１領域Ａ１ｂとの間に位置している。第２領域Ａ２は、上下方向に見て、前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。このように、第１領域Ａ１ａと第２領域Ａ２とは、上下方向に見て、隣接している。第１領域Ａ１ｂと第２領域Ａ２とは、上下方向に見て、隣接している。

【0032】

また、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂは、上下方向に見て、十分な広さを有している。具体的には、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂは、層間接続導体ｖ１，ｖ２を含む上下方向に平行な断面における接続導体層２７ａ，２７ｂの幅の最小値を直径とする円を包含する形状を有している。従って、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂは、層間接続導体ｖ１，ｖ２を含む上下方向に平行な断面における接続導体層２７ａ，２７ｂの幅の最小値を直径とする円を包含できないような微小な領域ではない。

【0033】

第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄの圧縮量は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄの圧縮量より大きい。これにより、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ２より小さい。その結果、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２の上下方向の厚みＴ３は、第２領域Ａ２における積層体１２の上下方向の厚みＴ４より小さい。そして、多層基板１０は、以下の（Ａ）の構造及び（Ｂ）の構造を備えている。

【0034】

（Ａ）第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさの平均値は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさの平均値より小さい。
（Ｂ）第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度より大きい。

【0035】

ここで、空孔の大きさとは、空孔の体積である。空孔の体積は、多層基板１０をＣＴスキャナでスキャンして得られる３次元画像を解析することにより算出されてもよい。測定領域は、多層基板１０の上下方向の長さ、左右方向の長さ及び前後方向の長さの内の最も短い長さを一辺の長さとする立方体である。この測定領域内の空孔の体積を測定する。なお、ビアホール導体の貫通孔は、空孔ではない。従って、ビアホール導体が形成されている領域は、空孔の体積の測定に用いられない。本明細書において、密度の測定方法は、上記の測定方法を用いることができる。

【0036】

また、絶縁体層１６ａ～１６ｄの密度とは、絶縁体層１６ａ～１６ｄの単位体積当たりの質量である。絶縁体層１６ａ～１６ｄの密度は、以下の方法により算出される。具体的には、絶縁体層１６ａ～１６ｄの質量及び体積を測定する。そして、絶縁体層１６ａ～１６ｄの質量を絶縁体層１６ａ～１６ｄの体積で割り算をする。

【0037】

ここで、絶縁体層１６ａ～１６ｄの空孔の大きさ及び絶縁体層１６ａ～１６ｄの密度は、第１領域Ａ１ａと第２領域Ａ２との境界及び第１領域Ａ１ａと第２領域Ａ２との境界において連続的に変化している。図２では、色の濃淡により、空孔の大きさ及び絶縁体層１６ａ～１６ｄの密度の変化を示した。具体的には、多層基板１０は、以下の（Ｅ）の構造及び（Ｆ）の構造を備えている。

【0038】

（Ｅ）第２領域Ａ２において第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂと第２領域Ａ２との境界に近づくにしたがって、絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさが小さくなる。
（Ｆ）第２領域Ａ２において第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂと第２領域Ａ２との境界に近づくにしたがって、絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度が大きくなる。

【0039】

また、層間接続導体ｖ１は、第１領域Ａ１ａにおいて絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）を上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ２は、第１領域Ａ１ｂにおいて絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）を上下方向に貫通している。

【0040】

［電子機器１の構造］
次に、多層基板１０を備える電子機器１の構造について図面を参照しながら説明する。図３は、多層基板１０を備える電子機器１の内部構造の一部の左面図である。電子機器１は、例えば、携帯無線通信端末である。電子機器１は、例えば、スマートフォンである。

【0041】

多層基板１０は、図３に示すように、折り曲げられる。「多層基板１０が折り曲げられる」とは、多層基板１０に外力が加えられることにより多層基板１０が変形して曲がっていることを意味する。「多層基板１０が折り曲げられる」態様には、２種類が存在する。具体的には、「多層基板１０が折り曲げられる」態様の内の第１態様は、多層基板１０が塑性変形して折り曲げられている。多層基板１０が加熱されて折り曲げられることにより、多層基板１０が塑性変形しやすい。この場合、絶縁体層１６ａ～１６ｄの材料は、熱可塑性樹脂である。「多層基板１０が折り曲げられる」態様の内の第２態様は、多層基板１０が弾性変形して折り曲げられている態様である。

【0042】

以下では、多層基板１０が折り曲げられている区間を第１区間Ａ１２と呼ぶ。第２区間Ａ１１，Ａ１３の曲率半径は、第１区間Ａ１２の曲率半径より大きい。従って、第２区間Ａ１１，Ａ１３は、多層基板１０が僅かに折り曲げられている区間であってもよいし、多層基板１０が折り曲げられない区間であってもよい。そして、電子機器１におけるｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を以下の様に定義する。ｘ軸は、第２区間Ａ１１での前後方向である。ｙ軸は、第２区間Ａ１１での左右方向である。ｚ軸は、第２区間Ａ１１での上下方向である。第２区間Ａ１１、第１区間Ａ１２及び第２区間Ａ１３は、ｘ軸の正方向に向かってこの順に並んでいる。

【0043】

図３に示すように、多層基板１０は、第１区間Ａ１２において、ｚ軸方向（第２区間Ａ１１における上方向又は下方向）に折れ曲がっている。従って、上下方向及び前後方向は、図３に示すように、多層基板１０の位置によって異なる。多層基板１０が折り曲げられていない第２区間Ａ１１及び第２区間Ａ１３（例えば、（１）の位置）では、上下方向及び前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｘ軸方向と一致する。一方、多層基板１０が折り曲げられている第１区間Ａ１２（例えば、（２）の位置）では、上下方向及び前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｘ軸方向と一致しない。

【0044】

電子機器１は、図３に示すように、多層基板１０、コネクタ３０ａ，３０ｂ，１０２ａ，１０２ｂ、回路基板１００，１１０を備えている。

【0045】

回路基板１００，１１０は、板形状を有している。回路基板１００は、主面Ｓ５，Ｓ６を有している。主面Ｓ５は、主面Ｓ６よりｚ軸の負方向側に位置する。回路基板１１０は、主面Ｓ１１，Ｓ１２を有している。主面Ｓ１１は、主面Ｓ１２よりｚ軸の負方向側に位置する。回路基板１００，１１０は、図示しない配線導体層やグランド導体層、電極等を含んでいる。

【0046】

コネクタ３０ａ，３０ｂのそれぞれは、第２区間Ａ１１及び第２区間Ａ１３において積層体１２のｚ軸の正方向側の主面（上主面）に実装されている。より詳細には、コネクタ３０ａは、開口ｈ１～ｈ３から露出している信号端子２８ａ及び第１グランド導体層２４に実装される。コネクタ３０ｂは、開口ｈ４～ｈ６から露出している信号端子２８ｂ及び第１グランド導体層２４に実装される。

【0047】

コネクタ１０２ａ，１０２ｂのそれぞれは、回路基板１００の主面Ｓ５及び回路基板１１０の主面Ｓ１１に実装されている。コネクタ１０２ａ，１０２ｂのそれぞれは、コネクタ３０ａ，３０ｂに接続されている。これにより、多層基板１０は、回路基板１００と回路基板１１０とを電気的に接続している。

【0048】

［多層基板１０の製造方法］
以下に、多層基板１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４及び図５は、多層基板１０の製造時における断面図である。

【0049】

まず、絶縁体層１６ａ～１６ｄに第１グランド導体層２４、信号端子２８ａ，２８ｂ、信号導体層２２、接続導体層２３ａ，２３ｂ，２７ａ，２７ｂ，２９ａ，２９ｂ及び第２グランド導体層２６を形成する。具体的には、絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１６ｄの上主面又は下主面に銅箔を張り付ける。そして、導体箔にエッチングを施す。

【0050】

次に、絶縁体層１６ａ～１６ｄに層間接続導体ｖ１～ｖ４を形成する。具体的には、絶縁体層１６ａ～１６ｄのそれぞれに貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填する。

【0051】

次に、図４に示すように、多孔質材料で作製されている多孔質絶縁体層を含む絶縁体層１６ａ～１６ｄを上下方向に積層する（積層工程）。この積層工程では、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄの上下方向の厚みＴ１と第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄの上下方向の厚みＴ２とは等しい。

【0052】

次に、図５に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｄを加圧する（加圧工程）。本実施形態では、図4の積層工程後に複数の絶縁体層１６ａ～１６ｄを加圧することによって加圧工程を行う。具体的には、金型Ｔ１００，Ｔ１０１により絶縁体層１６ａ～１６ｄを上下方向から挟み込む。金型Ｔ１００の下面には凹部Ｇが設けられている。金型Ｔ１００の下面は、凹部Ｇにおいて上方向に窪んでいる。一方、金型Ｔ１０１の上面は平面である。これにより、絶縁体層１６ａ～１６ｄの内の凹部Ｇと上下方向に重ならない領域は、絶縁体層１６ａ～１６ｄの内の凹部Ｇと上下方向に重なる領域より大きな圧力を受ける。その結果、絶縁体層１６ａ～１６ｄにおいて凹部Ｇと上下方向に重ならない領域の圧縮量は、絶縁体層１６ａ～１６ｄにおいて凹部Ｇと上下方向に重なる領域の圧縮量より大きい。よって、絶縁体層１６ａ～１６ｄにおいて凹部Ｇと上下方向に重ならない領域に第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂが形成される。絶縁体層１６ａ～１６ｄにおいて凹部Ｇと上下方向に重なる領域に第２領域Ａ２が形成される。このように、加圧工程により、多層基板１０は、（Ａ）の構造又は（Ｂ）の構造の少なくとも一方を備えるようになる。その結果、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ２より小さくなる。

【0053】

また、前記加圧工程では、絶縁体層１６ａ～１６ｄを加熱する。これにより、熱可塑性樹脂を材料とする絶縁体層１６ａ～１６ｄが軟化及び溶融する。その結果、絶縁体層１６ａ～１６ｄが接合される。また、加熱により、導電性ペーストが固化され、層間接続導体ｖ１～ｖ４が形成される。

【0054】

最後に、図２に示すように、絶縁体層２０ａ，２０ｂのそれぞれを絶縁体層１６ａの上主面及び絶縁体層１６ｂの下主面に形成する。これにより、多層基板１０が完成する。

【0055】

［効果］
多層基板１０によれば、多層基板１０の設計自由度を向上させることができる。より詳細には、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ２より小さい。これにより、多層基板１０は、（Ａ）の構造及び（Ｂ）の構造を備えている。

【0056】

多層基板１０が（Ａ）の構造又は（Ｂ）の構造を備えていると、以下に説明するように、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂの物理的特性及び第２領域Ａ２の物理的特性に差をつけることができる。そして、この物理的特性の差を利用すれば、以下に説明するように、種々の観点から多層基板１０の設計自由度を高くすることができる。

【0057】

例えば、第２領域Ａ２における誘電率及び誘電正接を第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける誘電率及び誘電正接より低くすることができる。従って、第２領域Ａ２に信号導体層２２が配置されると、信号導体層２２の周囲の誘電率及び誘電正接が小さくなる。その結果、信号導体層２２に発生する誘電損の低減が図られる。すなわち、誘電損が低減された多層基板１０を容易に得ることができる。よって、多層基板１０の設計自由度が高くなる。

【0058】

また、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２が第２領域Ａ２における積層体１２より硬くなる。これにより、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２を加工することが容易となる。その結果、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおいて、絶縁体層１６ａ～１６ｄに層間接続導体ｖ１，ｖ２を形成することが容易となる。このように、製造容易な多層基板１０を得ることができる。よって、多層基板１０の設計自由度が高くなる。

【0059】

また、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２の上下方向の厚みＴ３と第２領域Ａ２における積層体１２の上下方向の厚みＴ４とに差をつけることができる。これにより、多層基板１０の形状を電子機器１内の構造に適合する形状に加工することができる。このように、多様な場所に配置可能な多層基板１０を得ることができる。よって、多層基板１０の設計自由度が高くなる。

【0060】

多層基板１０によれば、多層基板１０の物理的特性が急激に変化することが抑制される。より詳細には、多層基板１０は、（Ｅ）の構造及び（Ｆ）の構造を備えている。これにより、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂと第２領域Ａ２との境界において、誘電率、誘電正接、硬さ等の物理的特性が急激に変動することが抑制される。

【0061】

（第１変形例）
以下に、第１変形例に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図６は、多層基板１０ａの断面図である。

【0062】

多層基板１０ａは、層間接続導体ｖ１～ｖ４の構造において多層基板１０と相違する。より詳細には、層間接続導体ｖ１～ｖ４は、スルーホール導体である。スルーホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｄに貫通孔が形成され、貫通孔にめっき処理が施されることにより作製される。多層基板１０ａのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。以上のような多層基板１０ａは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。多層基板１０ａでは、層間接続導体ｖ１，ｖ２が第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２に設けられている。これにより、層間接続導体ｖ１，ｖ２の形成時に、めっき液が積層体１２の内部に広がることが抑制される。

【0063】

（第２変形例）
以下に、第２変形例に係る多層基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図７は、多層基板１０ｂの断面図である。なお、多層基板１０ｂにおいても、絶縁体層１６ａ～１６ｄの空孔の大きさ及び絶縁体層１６ａ～１６ｄの密度は、第１領域Ａ１ａと第２領域Ａ２との境界及び第１領域Ａ１ａと第２領域Ａ２との境界において連続的に変化している。ただし、図７以降の図面は、空孔の大きさ及び絶縁体層１６ａ～１６ｄの変化を色の濃淡により表現していない図面を含む。

【0064】

多層基板１０ｂは、以下の２点において、多層基板１０と相違する。
・第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂの代わりに第１領域Ａ１が設けられている。
・第１キャパシタ導体層３０及び第２キャパシタ導体層３２が設けられている。

【0065】

より詳細には、第１領域Ａ１は、第２領域Ａ２の右に位置している。そして、信号導体層２２及び層間接続導体ｖ１，ｖ２は、第２領域Ａ２に設けられている。

【0066】

また、第１キャパシタ導体層３０は、第１領域Ａ１において積層体１２に設けられている。第２変形例では、第１キャパシタ導体層３０は、第１領域Ａ１において絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。また、第２キャパシタ導体層３２は、第１領域Ａ１において積層体１２に設けられている。第２変形例では、第２キャパシタ導体層３２は、第１領域Ａ１において絶縁体層１６ｃの上主面に設けられている。第２キャパシタ導体層３２は、上下方向に見て、第１キャパシタ導体層３０と重なっている。これにより、絶縁体層１６ｂ（多孔質絶縁体層）は、第１キャパシタ導体層３０と第２キャパシタ導体層３２との間に位置している。その結果、第１キャパシタ導体層３０及び第２キャパシタ導体層３２は、キャパシタを形成している。多層基板１０ｂのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

【0067】

多層基板１０ｂによれば、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。更に、多層基板１０ｂによれば、キャパシタの容量を大きくすることができる。より詳細には、第１キャパシタ導体層３０及び第２キャパシタ導体層３２は、第１領域Ａ１に設けられている。第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ～１６ｄの上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄの上下方向の厚みＴ２より小さい。これにより、第１キャパシタ導体層３０と第２キャパシタ導体層３２との距離が小さくなる。その結果、キャパシタの容量が大きくなる。

【0068】

更に、多層基板１０ｂは、（Ａ）の構造及び（Ｂ）の構造を備えている。これにより、第１キャパシタ導体層３０と第２キャパシタ導体層３２との間に位置する絶縁体層１６ｂの誘電率が高くなる。その結果、キャパシタの容量が大きくなる。

【0069】

（第３変形例）
以下に、第３変形例に係る多層基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図８は、多層基板１０ｃの断面図である。

【0070】

多層基板１０ｃは、部品４０を更に備えている点において多層基板１０ｂと相違する。部品４０は、コンデンサ又はインダクタ等のチップ型電子部品、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）素子、コネクタ等の電子部品である。部品４０は、第１領域Ａ１における積層体１２の上主面又は下主面に実装されている。第３変形例では、部品４０は、第１領域Ａ１における積層体１２の上主面に実装されている。多層基板１０ｃのその他の構造は、多層基板１０ｂと同じであるので説明を省略する。

【0071】

多層基板１０ｃは、多層基板１０ｂと同じ作用効果を奏することができる。多層基板１０ｃでは、第１領域Ａ１における積層体１２が第２領域Ａ２における積層体１２より硬い。そのため、部品４０を第１領域Ａ１に実装することが容易である。また、上下方向の厚みが小さい第１領域Ａ１に部品４０が実装されることにより、多層基板１０ｃの上下方向の厚みが小さくなる。

【0072】

（第４変形例）
以下に、第４変形例に係る多層基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図９は、多層基板１０ｄの断面図である。

【0073】

多層基板１０ｄは、２つの多層基板１０ｂが接合された構造を有している。より詳細には、２つの多層基板１０ｂの絶縁体層２０ａが第１領域Ａ１において除去されている。これにより、２つの多層基板１０ｂの第１領域Ａ１において、第１グランド導体層２４が露出している。そして、２つの第１グランド導体層２４は、半田６０により接合されている。

【0074】

多層基板１０ｄによれば、２つの多層基板１０ｂを接合することが容易である。より詳細には、多層基板１０ｂでは、第１領域Ａ１における積層体１２は、第２領域Ａ２における積層体１２より硬い。そこで、２つの多層基板１０ｂは、第１領域Ａ１において接合されている。これにより、２つの多層基板１０ｂの接合時に２つの多層基板１０ｂが変形することが抑制される。よって、多層基板１０ｄによれば、２つの多層基板１０ｂを接合することが容易である。更に、第１領域Ａ１における積層体１２が薄いので、２つの多層基板１０ｂが接合されている部分における多層基板１０ｄの上下方向の厚みが小さくなる。

【0075】

なお、２つの多層基板１０ｂの絶縁体層２０ａは、第１領域Ａ１の少なくとも一部において除去されていればよい。

【0076】

（第５変形例）
以下に、第５変形例に係る多層基板１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１０は、多層基板１０ｅの断面図である。

【0077】

多層基板１０ｅは、第１区間Ａ１２が第１領域Ａ１に位置している点において、多層基板１０ｂと相違する。多層基板１０ｅは、第１区間Ａ１２及び第２区間Ａ１１，Ａ１３を含んでいる。第２区間Ａ１１は、第１区間Ａ１２のｙ軸の負方向側に位置している。第２区間Ａ１１は、第２領域Ａ２ａに位置している。第２区間Ａ１３は、第１区間Ａ１２のｚ軸の正方向側に位置している。第２区間Ａ１３は、第２領域Ａ２ｂに位置している。第２領域Ａ２ｂの構造は、第２領域Ａ２ａの構造と同じである。第１区間Ａ１２は、第１領域Ａ１に位置している。なお、多層基板１０ｅのその他の構造は、多層基板１０ｂと同じであるので説明を省略する。

【0078】

多層基板１０ｅによれば、多層基板１０ｂと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｅによれば、第１区間Ａ１２における積層体１２の上下方向の厚みが小さいので、第１区間Ａ１２において多層基板１０ｅを容易に折り曲げることが可能となる。更に、多層基板１０ｅでは、第１区間Ａ１２における積層体１２の上下方向の厚みが小さいので、多層基板１０ｅが第１区間Ａ１２において折り曲げられた際に、第１区間Ａ１２における積層体１２の上下方向の厚みが変化しにくい。そのため、多層基板１０ｅが第１区間Ａ１２において折り曲げられることによって生じる多層基板１０ｅの電気的特性の変動が抑制される。電気的特性は、例えば、容量値や特性インピーダンス、共振周波数等である。

【0079】

（第６変形例）
以下に、第６変形例に係る多層基板１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１１は、多層基板１０ｆの断面図である。

【0080】

多層基板１０ｆは、信号導体層２２が第２区間Ａ１１、第１区間Ａ１２及び第２区間Ａ１３にわたって延びている点において、多層基板１０ｅと相違する。なお、多層基板１０ｆのその他の構造は、多層基板１０ｅと同じであるので説明を省略する。このような多層基板１０ｆでは、第１領域Ａ１における積層体１２を第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける積層体１２より大きく圧縮させた後に、第１区間Ａ１２において多層基板１０ｆを折り曲げている。

【0081】

多層基板１０ｆによれば、多層基板１０ｅと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｆでは、第１区間Ａ１２における積層体１２の上下方向の厚みが小さいので、第１区間Ａ１２において多層基板１０ｆが折り曲げられた際に、第１区間Ａ１２における積層体１２の上下方向の厚みが変化しにくい。そのため、第１区間Ａ１２において信号導体層２２に発生する特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスから変化することが抑制される。

【0082】

多層基板１０ｆでは、信号導体層２２の線幅を第１区間Ａ１２の厚み及び誘電率に合わせて細くし、第１区間Ａ１２において信号導体層２２に発生する特性インピーダンスを第２区間Ａ１１において信号導体層２２に発生する特性インピーダンスと等しくなるようにしてもよい。また、第２区間Ａ１１と第１区間Ａ１２と境界近傍でも第２区間Ａ１１から第１区間Ａ１２に向かって信号導体層２２の線幅が細くなるようにしてもよい。

【0083】

（第７変形例）
以下に、第７変形例に係る多層基板１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１２は、多層基板１０ｇの断面図である。

【0084】

多層基板１０ｇは、製造方法において多層基板１０ｆと相違する。より詳細には、多層基板１０ｆでは、第１領域Ａ１における積層体１２を第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける積層体１２より大きく圧縮させた後に、第１区間Ａ１２において多層基板１０ｆを折り曲げている。一方、多層基板１０ｇでは、第１領域Ａ１における積層体１２を第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける積層体１２より大きく圧縮させずに、第１区間Ａ１２において多層基板１０ｇを折り曲げている。そして、第１区間Ａ１２における多層基板１０ｇの折り曲げ時に、第１区間Ａ１２における積層体１２の内周部分が圧縮され、第１区間Ａ１２における積層体１２の外周部分が伸張される。

【0085】

第１区間Ａ１２が折れ曲がることにより生じる応力によって、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ２より小さくなっている。更に、多層基板１０ｇが第１区間Ａ１２において折れ曲がることにより生じる応力によって、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさの平均値は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさの平均値より小さくなっている。更に、多層基板１０ｇが第１区間Ａ１２において折れ曲がることにより生じる応力によって、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度より大きくなっている。以上のように、第１区間Ａ１２における積層体１２が上下方向に圧縮される。多層基板１０ｇのその他の構造は、多層基板１０ｆと同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｇは、多層基板１０ｆと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｇでは、第１領域Ａ１の形成と多層基板１０ｇの折り曲げとを同時に行うことができる。また、多層基板１０ｇでは、積層体１２において圧縮される部分が第１区間Ａ１２である。そのため、積層体１２において圧縮される部分が狭い。その結果、積層体１２が圧縮されることによる電気的特性の劣化が小さくて済む。

【0086】

（第８変形例）
以下に、第８変形例に係る多層基板１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１３は、多層基板１０ｈの断面図である。図１４は、多層基板１０ｈの製造時の断面図である。

【0087】

多層基板１０ｈは、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層の数は、第２領域Ａ２における絶縁体層の数より多い点において多層基板１０と相違する。より詳細には、図１３に示すように、多層基板１０ｈは、多孔質絶縁体層である絶縁体層１６ｅ～１６ｌを更に含んでいる。絶縁体層１６ｅ～１６ｈは、上下方向に積層されている。絶縁体層１６ｅ～１６ｈは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１６ｅ～１６ｈは、第１領域Ａ１ａにおいて絶縁体層１６ａの上に設けられている。絶縁体層１６ｉ～１６ｌは、上下方向に積層されている。絶縁体層１６ｉ～１６ｌは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１６ｉ～１６ｌは、第１領域Ａ１ｂにおいて絶縁体層１６ａの上に設けられている。

【0088】

また、絶縁体層１６ｅ～１６ｌの空孔の大きさの平均値は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄの空孔の大きさの平均値より小さい。絶縁体層１６ｅ～１６ｌの密度は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄの密度より大きい。

【0089】

以上のような多層基板１０ｈは、以下の製造方法により作製される。より詳細には、絶縁体層１６ｅ～１６ｈを第１領域Ａ１ａにおいて絶縁体層１６ａの上に積層する。絶縁体層１６ｉ～１６ｌを第１領域Ａ１ｂにおいて絶縁体層１６ａの上に積層する。そして、絶縁体層１６ａ～１６ｌを上下方向に加圧する。第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｌの上下方向の厚みの合計は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄの上下方向の厚みの合計より大きい。そのため、積層体１２の上主面及び下主面が平坦面を有する金型により加圧されると、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｌが、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄより上下方向に大きく圧縮される。そして、積層体１２の上主面及び下主面が平坦になる。その結果、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさの平均値は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさの平均値より小さくなる。第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度より大きくなる。絶縁体層１６ｅ～１６ｈの空孔の大きさの平均値は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄの空孔の大きさの平均値より小さくなる。絶縁体層１６ｅ～１６ｈの密度は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄの密度より大きくなる。

【0090】

多層基板１０ｈによれば、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｈによれば、絶縁体層１６ｅ～１６ｌに回路を形成することが可能である。そのため、多層基板１０ｈの設計自由度が高くなる。また、多層基板１０ｈによれば、積層体１２の上主面が平坦であるにもかかわらず、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２に多くの導体層を設けることができる。なお、多層基板１０ｈにおいて、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２に層間接続導体が設けられてもよい。

【0091】

（第９変形例）
以下に、第９変形例に係る多層基板１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図１５は、多層基板１０ｉの断面図である。図１６は、多層基板１０ｉの製造時の断面図である。

【0092】

多層基板１０ｉは、絶縁体層１６ｅ～１６ｌが設けられている位置において多層基板１０ｈと相違する。より詳細には、絶縁体層１６ｅ～１６ｈは、第１領域Ａ１ａにおいて絶縁体層１６ｂと絶縁体層１６ｃとの間に設けられている。絶縁体層１６ｉ～１６ｌは、第１領域Ａ１ｂにおいて絶縁体層１６ｂと絶縁体層１６ｃとの間に設けられている。多層基板１０ｉのその他の構造は、多層基板１０ｈと同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｉは、多層基板１０ｈと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｉでは、積層体１２の上主面は、絶縁体層１６ａの上主面により形成される。また、積層体１２の下主面は、絶縁体層１６ｄの下主面により形成される。これにより、積層体１２の上主面及び下主面には、段差が形成されにくくなる。

【0093】

（第１０変形例）
以下に、第１０変形例に係る多層基板１０ｊについて図面を参照しながら説明する。図１７は、多層基板１０ｊの製造時の断面図である。図１８は、多層基板１０ｊの断面図である。

【0094】

多層基板１０ｊは、加圧工程前の絶縁体層１６ｅ～１６ｌの形状において多層基板１０ｉと相違する。より詳細には、図１７に示すように、絶縁体層１６ｈの右端は、絶縁体層１６ｇの右端より右に位置している。絶縁体層１６ｇの右端は絶縁体層１６ｆの右端より右に位置している。絶縁体層１６ｌの左端は、絶縁体層１６ｋの左端より左に位置している。絶縁体層１６ｋの左端は絶縁体層１６ｊの左端より左に位置している。そして、絶縁体層１６ａ～１６ｌは、上下方向に加圧される。これにより、図１８に示すように、第２領域Ａ２において第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂと第２領域Ａ２との境界に近づくにしたがって、絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさが小さくなる。第２領域Ａ２において第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂと第２領域Ａ２との境界に近づくにしたがって、絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度が大きくなる。多層基板１０ｊのその他の構造は、多層基板１０ｉと同じであるので説明を省略する。

【0095】

多層基板１０ｊによれば、多層基板１０ｉと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｊによれば、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂと第２領域Ａ２との境界において、誘電率、誘電正接、硬さ等の物理的特性が急激に変動することが抑制される。

【0096】

（第１１変形例）
以下に、第１１変形例に係る多層基板１０ｋについて図面を参照しながら説明する。図１９は、多層基板１０ｋの断面図である。

【0097】

多層基板１０ｋは、スルーホール導体である層間接続導体ｖ１，ｖ２を更に備えている点において、多層基板１０ｈと相違する。層間接続導体ｖ１，ｖ２は、第１グランド導体層２４と第２グランド導体層２６とを電気的に接続している。更に、層間接続導体ｖ１は、絶縁体層１６ｅ～１６ｈに設けられている導体層にも接続されている。層間接続導体ｖ２は、絶縁体層１６ｉ～１６ｌに設けられている導体層にも接続されている。多層基板１０ｋのその他の構造は、多層基板１０ｈと同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｋは、多層基板１０ｈと同じ作用効果を奏することができる。また、層間接続導体ｖ１，ｖ２は、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２に設けられている。これにより、層間接続導体ｖ１，ｖ２の形成時に、めっき液が積層体１２の内部に広がることが抑制される。

【0098】

（第１２変形例）
以下に、第１２変形例に係る多層基板１０ｌについて図面を参照しながら説明する。図２０は、多層基板１０ｌの断面図である。図２１は、多層基板１０ｌの製造時の断面図である。

【0099】

多層基板１０ｌは、信号導体層２２が第１領域Ａ１における絶縁体層１６ｂ（多孔質絶縁体層）の上主面に設けられている点において多層基板１０と相違する。より詳細には、多層基板１０ｌは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂを有している。第２領域Ａ２ａは、第１領域Ａ１の左に位置している。第２領域Ａ２ｂは、第１領域Ａ１の右に位置している。

【0100】

絶縁体層１６ａ，１６ｂは、図２０及び図２１に示すように、上から下へとこの順に積層されている。また、絶縁体層１６ｃ，１６ｄは、第１領域Ａ１において絶縁体層１６ａと絶縁体層１６ｂとの間に設けられている。そして、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさの平均値は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさの平均値より小さい。第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の密度より大きい。更に、第１領域Ａ１における積層体１２の上下方向の厚みは、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける積層体１２の上下方向の厚みより大きい。なお、多層基板１０ｌは、層間接続導体ｖ１，ｖ２を備えていない。ただし、多層基板１０ｌは、層間接続導体ｖ１，ｖ２を備えていてもよい。多層基板１０ｌのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

【0101】

多層基板１０ｌは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｌによれば、軟らかい第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける積層体１２の上下方向の厚みが、硬い第１領域Ａ１における積層体１２の上下方向の厚みより小さい。これにより、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおいて多層基板１０ｌを折り曲げることが容易となる。また、信号導体層２２の周囲の誘電率が大きくなるので、信号導体層２２に発生する特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスから変化させることなく、信号導体層２２の線幅を細くすることができる。

【0102】

（第１３変形例）
以下に、第１３変形例に係る多層基板１０ｍについて図面を参照しながら説明する。図２２は、多層基板１０ｍの断面図である。図２３は、多層基板１０ｍの製造時の断面図である。

【0103】

多層基板１０ｍは、図２２及び図２３に示すように、積層体１２が絶縁体層１６ｅ～１６ｌの代わりに絶縁体層１１６ｅ～１１６ｌを含んでいる点において多層基板１０ｈと相違する。絶縁体層１１６ｅ～１１６ｌは、多孔質絶縁体層ではない。すなわち、絶縁体層１１６ｅ～１１６ｌには、意図的に空孔が設けられていない。絶縁体層１１６ｅ～１１６ｌの密度は、絶縁体層１６ａ～１６ｄの密度より大きい。また、絶縁体層１１６ｅ～１１６ｌは、図２３の加圧工程において、上下方向に大きく圧縮されない。積層体１２の上主面は、図２２に示すように、第２領域Ａ２において下方向に窪んでいる。これにより、積層体１２にキャビティＣが形成される。多層基板１０ｍのその他の構造は、多層基板１０ｈと同じであるので説明を省略する。

【0104】

多層基板１０ｍは、多層基板１０ｈと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｍでは、第２領域Ａ２における積層体１２の上下方向の厚みが小さい。そのため、第２領域Ａ２において多層基板１０ｍを折り曲げることが容易になる。また、多層基板１０ｍは、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２が硬く、かつ、第２領域Ａ２における積層体１２が柔らかい構造を有する。多層基板１０ｍでは、絶縁体層１６ａ～１６ｄ，１１６ｅ～１１６ｌを積層及び加圧するという簡単な工程により、このような構造を得ることができる。

【0105】

（第１４変形例）
以下に、第１４変形例に係る多層基板１０ｎについて図面を参照しながら説明する。図２４は、多層基板１０ｎの断面図である。図２５は、多層基板１０ｎの製造時の断面図である。

【0106】

多層基板１０ｎは、絶縁体層１１６ａ，１６ｂ，１１６ｃが上下方向に積層されている点において、多層基板１０と相違する。より詳細には、積層体１２は、絶縁体層１１６ａ，１６ｂ，１１６ｃが上から下へとこの順に並ぶように積層された構造を有している。絶縁体層１６ｂは、多孔質材料により作製されている多孔質絶縁体層である。絶縁体層１１６ａ，１１６ｃは、多孔質絶縁体層ではない。従って、絶縁体層１１６ａ，１１６ｃには、意図的に空孔が設けられていない。

【0107】

信号導体層２２は、絶縁体層１１６ｃの上主面に設けられている。第１グランド導体層２４は、絶縁体層１１６ａの上主面に設けられている。第２グランド導体層２６は、絶縁体層１１６ｃの下主面に設けられている。

【0108】

多層基板１０ｎは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂを有している。第１領域Ａ１は、多層基板１０において上下方向に信号導体層２２と重なる領域である。第２領域Ａ２ａは、第１領域Ａ１の左に位置している。第２領域Ａ２ｂは、第１領域Ａ１の右に位置している。第１領域Ａ１における絶縁体層１６ｂ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ｂ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ２より小さい。多層基板１０ｎのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

【0109】

以上のような多層基板１０ｎの製造方法では、図２５に示すように、絶縁体層１１６ａ，１６ｂ，１１６ｃを上から下へとこの順に並べて積層する。そして、絶縁体層１１６ａ，１６ｂ，１１６ｃを上下方向に加圧する。この際、信号導体層２２が設けられている領域の層数は、信号導体層２２が設けられていない領域の層数より多い。そのため、絶縁体層１６ｂにおいて信号導体層２２と上下方向に重なる部分は、絶縁体層１６ｂにおいて信号導体層２２と上下方向に重ならない部分より大きく圧縮される。これにより、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ｂ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ｂ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ２より小さくなる。以上のような多層基板１０ｎによれば、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｎによれば、積層体１２の上主面及び下主面を平坦にできる。

【0110】

（第１５変形例）
以下に、第１５変形例に係る多層基板１０ｏについて図面を参照しながら説明する。図２６は、多層基板１０ｏの断面図である。図２７は、多層基板１０ｏの製造時の断面図である。

【0111】

多層基板１０ｏは、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおいて積層体１２に内蔵されている部品２００ａ，２００ｂを更に備えている点において、多層基板１０と相違する。より詳細には、絶縁体層１６ａ～１６ｄは、上から下へとこの順に並ぶように積層されている。部品２００ａ，２００ｂは、絶縁体層１６ｃと絶縁体層１６ｄとの間に設けられている。部品２００ａ，２００ｂは、コンデンサ又はインダクタ等のチップ型電子部品や、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の電子部品である。

【0112】

多層基板１０ｏは、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂ及び第２領域Ａ２を有している。第１領域Ａ１ａは、多層基板１０において上下方向に部品２００ａと重なる領域である。第１領域Ａ１ａは、第２領域Ａ２の左に位置している。第１領域Ａ１ｂは、多層基板１０ｏにおいて上下方向に部品２００ｂと重なる領域である。第１領域Ａ１ｂは、第２領域Ａ２の右に位置している。第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ２より小さい。多層基板１０ｏのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

【0113】

以上のような多層基板１０ｏの製造方法では、図２７に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｄを上から下へとこの順に並べて積層する。この際、部品２００ａ，２００ｂを絶縁体層１６ｂと絶縁体層１６ｃとの間に配置する。そして、絶縁体層１６ａ～１６ｄを上下方向に加圧する。この際、部品２００ａ，２００ｂが設けられている領域の上下方向の厚みは、部品２００ａ，２００ｂが設けられていない領域の上下方向の厚みより大きい。そのため、絶縁体層１６ａ～１６ｄにおいて部品２００ａ，２００ｂと上下方向に重なる部分は、絶縁体層１６ａ～１６ｄにおいて部品２００ａ，２００ｂと上下方向に重ならない部分より大きく圧縮される。これにより、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ２より小さくなる。

【0114】

以上のような多層基板１０ｏによれば、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｏによれば、部品２００ａ，２００ｂの周囲の部分が硬くなるので、部品２００ａ，２００ｂの周囲において積層体１２が補強される。これにより、部品２００ａ，２００ｂが保護される。また、多層基板１０ｏによれば、部品２００ａ，２００ｂは、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおいて積層体１２に内蔵されている。これにより、積層体１２の外部から部品２００ａ，２００ｂに液体や気体が侵入することが抑制される。

【0115】

（第１６変形例）
以下に、第１６変形例に係る多層基板１０ｐについて図面を参照しながら説明する。図２８は、多層基板１０ｐの断面図である。図２９は、多層基板１０ｐの製造時の断面図である。

【0116】

多層基板１０ｐは、絶縁体層１６ａ，１６ｂが上下方向に積層されている点において多層基板１０ｎと相違する。より詳細には、積層体１２は、絶縁体層１６ａ，１６ｂが上から下へとこの順に並ぶように積層された構造を有している。信号導体層２２は、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。第１グランド導体層２４は、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。第２グランド導体層２６は、絶縁体層１６ｂの下主面に設けられている。

【0117】

多層基板１０ｐは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂを有している。第１領域Ａ１は、多層基板１０ｐにおいて上下方向に信号導体層２２と重なる領域である。第２領域Ａ２ａは、第１領域Ａ１の左に位置している。第２領域Ａ２ｂは、第１領域Ａ１の右に位置している。第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ２より小さい。

【0118】

また、上下方向における信号導体層２２の半分以上は、絶縁体層１６ｂ（多孔質絶縁体層）に埋まっている。本実施形態では、信号導体層２２の上半分が絶縁体層１６ａに埋まっている。信号導体層２２の下半分が絶縁体層１６ｂに埋まっている。多層基板１０ｐのその他の構造は、多層基板１０ｎと同じであるので説明を省略する。

【0119】

以上のような多層基板１０ｐの製造方法では、図２９に示すように、絶縁体層１６ａ，１６ｂを上から下へとこの順に並べて積層する。そして、絶縁体層１６ａ，１６ｂを上下方向に加圧する。この際、信号導体層２２が設けられている領域の層数は、信号導体層２２が設けられていない領域の層数より多い。そのため、絶縁体層１６ａ，１６ｂにおいて信号導体層２２と上下方向に重なる部分は、絶縁体層１６ａ，１６ｂにおいて信号導体層２２と上下方向に重ならない部分より大きく圧縮される。これにより、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ１は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の上下方向の厚みＴ２より小さくなる。

【0120】

以上のような多層基板１０ｐによれば、多層基板１０ｎと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｐによれば、積層体１２の上主面及び下主面を平坦にできる。また、多層基板１０ｐでは、信号導体層２２の上半分が絶縁体層１６ａに埋まっている。信号導体層２２の下半分が絶縁体層１６ｂに埋まっている。そのため、信号導体層２２は、積層体１２の上下方向の中央に位置するようになる。また、多層基板１０ｐでは、信号導体層２２は、第１領域Ａ１に位置している。そのため、信号導体層２２の周囲の誘電率が高くなる。その結果、信号導体層２２に発生する特性インピーダンスが小さくなる。

【0121】

（第１７変形例）
以下に、第１７変形例に係る多層基板１０ｑについて図面を参照しながら説明する。図３０は、多層基板１０ｑの断面図である。

【0122】

多層基板１０ｑは、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂ及び第２領域Ａ２が上下方向に並んでいる点において多層基板１０ｐと相違する。より詳細には、複数の絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさは、積層体１２の上下方向の中央に近づくにしたがって大きくなっている。また、複数の絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の密度は、積層体１２の上下方向の中央に近づくにしたがって小さくなっている。これにより、積層体１２の上主面近傍に第１領域Ａ１ａが形成される。積層体１２の下主面近傍に第１領域Ａ１ｂが形成される。積層体１２の上下方向の中央近傍に第２領域Ａ２が形成される。多層基板１０ｑのその他の構造は、多層基板１０ｐと同じであるので説明を省略する。

【0123】

多層基板１０ｑの製造方法では、高温状態の金型を用いて絶縁体層１６ａ，１６ｂを加圧する。これにより、絶縁体層１６ａの上主面近傍及び絶縁体層１６ｂの下主面近傍では、金型からの熱が加わりやすいので、絶縁体層１６ａ，１６ｂが軟化して変形しやすい。そのため、絶縁体層１６ａの上主面近傍及び絶縁体層１６ｂの下主面近傍の空孔は、加圧工程においてつぶれるようになる。その結果、複数の絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさは、積層体１２の上下方向の中央に近づくにしたがって大きくなる。

【0124】

多層基板１０ｑは、多層基板１０ｐと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｑでは、信号導体層２２近傍の誘電率及び誘電正接が小さくなる。そのため、信号導体層２２において誘電損が発生しにくくなる。また、多層基板１０ｑでは、複数の絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の密度は、積層体１２の上主面近傍及び下主面近傍において大きくなる。そのため、多層基板１０ｑが変形することを抑制できる。

【0125】

（第１８変形例）
以下に、第１８変形例に係る多層基板１０ｒについて図面を参照しながら説明する。図３１は、多層基板１０ｒの断面図である。

【0126】

多層基板１０ｒは、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂとの位置関係が逆である点において多層基板１０ｑと相違する。より詳細には、複数の絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさは、積層体１２の上下方向の中央に近づくにしたがって小さくなっている。また、複数の絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の密度は、積層体１２の上下方向の中央に近づくにしたがって大きくなっている。これにより、積層体１２の上主面近傍に第２領域Ａ２ａが形成される。積層体１２の下主面近傍に第２領域Ａ２ｂが形成される。積層体１２の上下方向の中央近傍に第１領域Ａ１が形成される。多層基板１０ｒのその他の構造は、多層基板１０ｑと同じであるので説明を省略する。

【0127】

多層基板１０ｒの製造方法では、積層体１２の全体の温度を均一の温度まで上昇させた状態で、金型を用いて絶縁体層１６ａ，１６ｂを加圧する。これにより、絶縁体層１６ａ，１６ｂの全体が上下方向に圧縮されると共に、絶縁体層１６ａと絶縁体層１６ｂとが接合される。その後、積層体１２の温度を下げ、絶縁体層１６ａの下主面近傍及び絶縁体層１６ｂの上主面近傍の温度を上げる。これにより、絶縁体層１６ａの下主面近傍及び絶縁体層１６ｂの上主面近傍の空孔を膨張させる。

【0128】

多層基板１０ｒは、多層基板１０ｑと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｒでは、積層体１２の上主面近傍及び下主面近傍の弾性率が低くなる。そのため、多層基板１０ｒを折り曲げやすくなる。また、多層基板１０ｒでは、積層体１２の信号導体層２２近傍の弾性率が高くなる。その結果、信号導体層２２が保護されるようになる。

【0129】

（第１９変形例）
以下に、第１９変形例に係る多層基板１０ｓについて図面を参照しながら説明する。図３２は、多層基板１０ｓの断面図である。

【0130】

多層基板１０ｓは、第１キャパシタ導体層３０及び第２キャパシタ導体層３２の代わりにアンテナ導体層８０を備えている点において多層基板１０ｂと相違する。アンテナ導体層８０は、第１領域Ａ１において積層体１２に設けられている。本変形例では、アンテナ導体層８０は、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ（多孔質絶縁体層）の上主面に設けられている。多層基板１０ｓのその他の構造は、多層基板１０ｂと同じであるので説明を省略する。

【0131】

多層基板１０ｓは、多層基板１０ｂと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｓでは、アンテナ導体層８０は、第１領域Ａ１において積層体１２に設けられてる。第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ～１６ｄの誘電率は、第２領域Ａ２における絶縁体層１６ａ～１６ｄの誘電率より大きい。従って、アンテナ導体層８０が送受信する高周波信号の波長が短くなる。その結果、アンテナ導体層８０の小型化が図られる。

【0132】

（第２０変形例）
以下に、第２０変形例に係る多層基板１０ｔについて図面を参照しながら説明する。図３３は、多層基板１０ｔの断面図である。

【0133】

多層基板１０ｔは、アンテナ導体層８０の代わりに信号導体層２２ａを備えている点において多層基板１０ｓと相違する。信号導体層２２ａは、第１領域Ａ１において積層体１２に設けられている。多層基板１０ｔのその他の構造は、多層基板１０ｓと同じであるので説明を省略する。

【0134】

多層基板１０ｔは、多層基板１０ｓと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｔによれば、多層基板１０ｔの左右方向の幅が小さくなる。より詳細には、信号導体層２２ａは、第１領域Ａ１において積層体１２に設けられている。第１領域Ａ１の誘電率は、第２領域Ａ２の誘電率より大きい。第１領域Ａ１における積層体１２の上下方向の厚みは、第２領域Ａ２における積層体１２の上下方向の厚みより小さい。従って、第１領域Ａ１において信号導体層２２ａには、容量が発生しやすい。そこで、信号導体層２２ａの左右方向における線幅を小さくしても、信号導体層２２ａと第１グランド導体層２４との間及び信号導体層２２ａと第２グランド導体層２６との間に十分な容量が発生するようになる。その結果、多層基板１０ｔによれば、多層基板１０ｔの左右方向の幅を小さくできる。

【0135】

（第２１変形例）
以下に、第２１変形例に係る多層基板１０ｕについて図面を参照しながら説明する。図３４は、多層基板１０ｕの断面図である。

【0136】

多層基板１０ｕは、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂ及び第２領域Ａ２の配置において多層基板１０と相違する。より詳細には、第１領域Ａ１ａは、多層基板１０ｕの前端部に位置している。第１領域Ａ１ｂは、多層基板１０ｕの後端部に位置している。そして、第２領域Ａ２において第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂと第２領域Ａ２との境界に近づくにしたがって、絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさが小さくなる。第２領域Ａ２において第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂと第２領域Ａ２との境界に近づくにしたがって、絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度が大きくなる。多層基板１０ｕのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。これにより、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂと第２領域Ａ２との境界において、誘電率が急激に変動することが抑制される。その結果、信号導体層２２に発生する特性インピーダンスが急激に変動することが抑制される。よって、信号導体層２２において高周波信号の反射が発生することが抑制される。また、多層基板１０ｕによれば、多層基板１０ｕの前端部及び後端部の上下方向の厚みが小さい。多層基板１０ｕの前端部及び後端部には、コネクタが実装される。従って、多層基板１０ｕの上下方向の厚みを小さくすることができる。

【0137】

（第２２変形例）
以下に、第２２変形例に係る多層基板１０ｖについて図面を参照しながら説明する。図３５は、多層基板１０ｖの断面図である。

【0138】

多層基板１０ｖは、多層基板１０ｖの上主面及び下主面が平坦ではない点において、多層基板１０ａと相違する。このような多層基板１０ａでは、図５の金型Ｔ１００により上下方向から絶縁体層１６ａ～１６ｄを加圧する。これにより、第２領域Ａ２における積層体１２の上主面は、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２の上主面より上方向に突出する。第２領域Ａ２における積層体１２の下主面は、第１領域Ａ１ａ，Ａ１ｂにおける積層体１２の下主面より下方向に突出する。多層基板１０ｖのその他の構造は、多層基板１０ａと同じであるので説明を省略する。多層基板１０ｖは、多層基板１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

【0139】

（第２３変形例）
以下に、第２３変形例に係る多層基板１０ｗについて図面を参照しながら説明する。図３６は、多層基板１０ｗの断面図である。図３７は、多層基板１０ｗの製造時の断面図である。

【0140】

多層基板１０ｗは、以下の点において多層基板１０ｐと相違する。
・多層基板１０ｗは、絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）を上下方向に貫通する層間接続導体ｖ１，ｖ２を更に備えている。
・（Ｃ）絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）において層間接続導体ｖ１，ｖ２に隣接する部分の空孔の大きさの平均値は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける多孔質絶縁体層１６ａ，１６ｂの空孔の大きさの平均値より小さい。
・（Ｄ）絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）において層間接続導体ｖ１，ｖ２に隣接する部分の密度は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ａ，１６ｂ（多孔質絶縁体層）の密度より大きい。

【0141】

ここで、層間接続導体ｖ１，ｖ２の製造時に、図３７に示すように、ドリルや金型、レーザービーム等により貫通孔を形成する。この際、貫通孔の内周面は、金型又はドリルから圧力を受ける。また、貫通孔の内周面は、レーザービームにより溶融させられる。そして、貫通孔近傍の空孔が潰れる。その結果、上記（Ｃ）及び（Ｄ）の構造を得ることができる。なお、多層基板１０ｗのその他の構造は、多層基板１０ｐと同じであるので説明を省略する。

【0142】

多層基板１０ｗによれば、多層基板１０ｐと同じ作用効果を奏することができる。多層基板１０ｗによれば、貫通孔の内周面から積層体１２内にめっき液が侵入することが抑制される。また、多層基板１０ｗによれば、貫通孔の形成と貫通孔の内周面の樹脂コーティングを同時に行うことができる。

【0143】

（第２４変形例）
以下に、第２４変形例に係る多層基板１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図３８は、多層基板１０の製造時の断面図である。

【0144】

第２４の変形例に係る多層基板１０の製造方法は、積層工程では、加圧工程を行った絶縁体層１６ｂ（多孔質絶縁体層）を含む複数の絶縁体層１６ａ，１６ｂを積層する点において、多層基板１０の製造方法と相違する。より詳細には、積層工程の前に、金型Ｔ２００，Ｔ２０１により絶縁体層１６ｂの一部を加圧する。これにより、絶縁体層１６ｂの一部における空孔の大きさの平均値は、絶縁体層１６ｂの残余の部分におけるの空孔の大きさの平均値より小さくなる。また、絶縁体層１６ｂの一部における密度は、絶縁体層１６ｂの残余の部分における密度より大きくなる。

【0145】

次に、絶縁体層１６ｂにおいて加圧を施した部分に貫通孔を形成する。この後、図示を省略するが、貫通孔に導電性ペーストを充填する。最後に、絶縁体層１６ａ，１６ｂを積層し、絶縁体層１６ａ，１６ｂに加圧処理を施す。これにより、導電性ペーストが固化し、層間接続導体ｖ１，ｖ２が形成される。そして、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂが層間接続導体ｖ１，ｖ２近傍に形成される。

【0146】

（第２５変形例）
以下に、第２５変形例に係る多層基板１０ｘについて図面を参照しながら説明する。図３９は、多層基板１０ｘの断面図である。

【0147】

多層基板１０ｘは、積層体１２が絶縁体層１６ｂ，１６ｃの代わりに絶縁体層１８を含んでいる点において多層基板１０ｕと相違する。より詳細には、複数の絶縁体層は、絶縁体層１６ａ，１６ｄ（多孔質絶縁体層）と、絶縁体層１６ａ（多孔質絶縁体層）と絶縁体層１６ｄ（多孔質絶縁体層）とを接合する絶縁体層１８と、含んでいる、絶縁体層１８は、接着層である。また、絶縁体層１８の誘電率は、絶縁体層１６ａ，１６ｄの誘電率より低い。更に、絶縁体層１８の誘電正接は、絶縁体層１６ａ，１６ｄの誘電正接より低い。このような条件を満たす絶縁体層１８の材料は、例えば、フッ素系樹脂である。ただし、絶縁体層１８の材料は、エポキシ樹脂や、アクリル樹脂等であってもよい。多層基板１０ｘのその他の構造は、多層基板１０ｕと同じであるので説明を省略する。

【0148】

多層基板１０ｘによれば、多層基板１０ｕと同じ作用効果を奏することができる。また、多層基板１０ｘによれば、溶融及び軟化による絶縁体層１６ａ，１６ｄ同士の接合を採用できない材料を絶縁体層１６ａ，１６ｄに用いることができる。そのため、絶縁体層１６ａ，１６ｄの材料選択の幅が広がる。また、多層基板１０ｘによれば、信号導体層２２が絶縁体層１６ｄの上主面に設けられることにより形成される段差を絶縁体層１８が吸収する。これにより、信号導体層２２の周囲の空孔の大きさがその他の部分の空孔の大きさと大きく異なることが抑制される。

【0149】

（その他の実施形態）
本発明に係る多層基板は、多層基板１０，１０ａ～１０ｘに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘの構成を任意に組み合わせてもよい。

【0150】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘは、信号導体層２２の代わりに信号導体層以外の導体層を備えていてもよい。信号導体層以外の導体層は、例えば、グランド導体層、電源導体層等である。

【0151】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘにおいて、第１グランド導体層２４及び第２グランド導体層２６は、必須の構成ではない。

【0152】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘにおいて、層間接続導体ｖ１，ｖ２は、必須の構成ではない。

【0153】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘにおいて、信号端子２８ａ，２８ｂは、積層体１２の下主面に設けられてもよい。

【0154】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘには、コネクタ３０ａ，３０ｂ以外に部品が実装されてもよい。

【0155】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘは、上下方向に見て、直線形状を有している。しかしながら、多層基板１０，１０ａ～１０ｘは、曲がっていてもよい。ここでの「多層基板１０，１０ａ～１０ｘが曲がっている」とは、多層基板１０，１０ａ～１０ｘに外力を加えない状態で曲がった形状を有していることを意味する。

【0156】

なお、絶縁体層１８は、樹脂シートが絶縁体層１６ｄの上主面に貼り付けられることにより形成されてもよいし、液体状の樹脂が絶縁体層１６ｄの上主面に塗布されることにより形成されてもよい。

【0157】

なお、絶縁体層１８の誘電率は、絶縁体層１６ａ，１６ｄの誘電率以上であって、かつ、絶縁体層１８の誘電正接は、絶縁体層１６ａ，１６ｄの誘電正接より低くてもよい。絶縁体層１８の誘電率は、絶縁体層１６ａ，１６ｄの誘電率より低く、かつ、絶縁体層１８の誘電正接は、絶縁体層１６ａ，１６ｄの誘電正接以上であってもよい。絶縁体層１８の誘電率は、絶縁体層１６ａ，１６ｄの誘電率以上であって、かつ、絶縁体層１８の誘電正接は、絶縁体層１６ａ，１６ｄの誘電正接以上であってもよい。

【0158】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘは、（Ａ）の構造又は（Ｂ）の構造の少なくとも一方を備えていればよい。

【0159】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘにおいて、多孔質絶縁体層に形成されている空孔は、独立気泡でなくてもよい。

【0160】

なお、多層基板１０ｓにおいて、アンテナ導体層８０は、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ（多孔質絶縁体層）の下主面に設けられていてもよい。また、アンテナ導体層８０は、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ以外の絶縁体層１６ｂ～１６ｄの上主面又は下主面に設けられていてもよい。

【0161】

なお、信号導体層２２は、第１領域における多孔質絶縁体層の下主面に設けられていてもよい。

【0162】

なお、多層基板１０ｗは、（Ｃ）の構造又は（Ｄ）の構造の少なくとも一方を備えていればよい。

【0163】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘは、（Ｅ）の構造又は（Ｆ）の構造の少なくとも一方を備えていればよい。

【0164】

なお、多層基板１０ｇにおいて、多層基板１０ｇが第１区間Ａ１２において折れ曲がることにより生じる応力によって、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさの平均値は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の空孔の大きさの平均値より小さい、又は、第１領域Ａ１における絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度は、第２領域Ａ２ａ，Ａ２ｂにおける絶縁体層１６ａ～１６ｄ（多孔質絶縁体層）の密度より大きいのいずれか一方が満たされてもよい。

【0165】

なお、上下方向における導体層の半分以上が多孔質絶縁体層に埋まっていなくてもよい。

【0166】

なお、多層基板１０ｃにおいて、部品４０は、積層体１２の下主面に設けられてもよい。

【0167】

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｘの積層体１２は、（Ａ）の構造又は（Ｂ）の構造の少なくともいずれか一方を満足する少なくとも１層の多孔質絶縁体層を含んでいればよい。従って、積層体１２が含んでいる全ての多孔質絶縁体層が（Ａ）の構造又は（Ｂ）の構造の少なくともいずれか一方を満足していなくてもよい。

【0168】

なお、多層基板１０ｐにおいて、信号導体層２２は、絶縁体層１６ａの下主面に設けられていてもよい。

【0169】

なお、複数の絶縁体層は、多孔質絶縁体層ではない絶縁体層を含んでいてもよい。

【符号の説明】

【0170】

１：電子機器
１０，１０ａ～１０ｘ：多層基板
１２：積層体
１６ａ～１６ｌ，１８，２０ａ，２０ｂ：絶縁体層
２２，２２ａ：信号導体層
２３ａ，２３ｂ，２７ａ，２７ｂ，２９ａ，２９ｂ：接続導体層
２４：第１グランド導体層
２６：第２グランド導体層
２８ａ，２８ｂ：信号端子
３０：第１キャパシタ導体層
３２：第２キャパシタ導体層
４０，２００ａ，２００ｂ：部品
８０：アンテナ導体層
１１６ａ，１１６ｃ、１１６ｅ～１１６ｌ：絶縁体層
Ａ１，Ａ１ａ，Ａ１ｂ：第１領域
Ａ２，Ａ２ａ，Ａ２ｂ：第２領域
ｖ１～ｖ４：層間接続導体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】

【図39】