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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-08
(45)【発行日】2024-05-16
(54)【発明の名称】光変換インク組成物、カラーフィルタ、及び画像表示装置
(51)【国際特許分類】
G02B 5/20 20060101AFI20240509BHJP
G02F 1/1335 20060101ALI20240509BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240509BHJP
【ＦＩ】
G02B5/20
G02F1/1335 505
G09F9/30 349A
G02B5/20 101
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2021057058
(22)【出願日】2021-03-30
(65)【公開番号】P2021162866
(43)【公開日】2021-10-11
【審査請求日】2023-01-26
(31)【優先権主張番号】10-2020-0037983
(32)【優先日】2020-03-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】514217912
【氏名又は名称】東友ファインケム株式会社
【氏名又は名称原語表記】ＤＯＮＧＷＯＯ ＦＩＮＥ－ＣＨＥＭ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】１３２，Ｙａｋｃｈｏｎ－ｒｏ，Ｉｋｓａｎ－ｓｉ Ｊｅｏｌｌａｂｕｋ－ｄｏ ５７０－９７７，Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000338
【氏名又は名称】弁理士法人 ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ
(72)【発明者】
【氏名】チェ，セファ
(72)【発明者】
【氏名】カン，ドクキ
【審査官】辻本 寛司
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－１３１６１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１８／２２４４５９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０３２７６６１（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－０３３５５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１５９３２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１１２５１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０９２１８０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１１１２９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１２－５２５７１７（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１５－００１７４９２（ＫＲ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１９－０１０２８５７（ＫＲ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０２Ｂ ５／２０
Ｇ０２Ｆ １／１３３５
Ｇ０９Ｆ ９／３０
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
量子ドット、硬化性モノマー、及び界面活性剤を含む光変換インク組成物であって、前記量子ドットは、表面上に下記の化学式１ａ～１ｅで表される化合物のうちの一つ以上を含む配位子層を有するものであり、
前記界面活性剤は、反応性シリコン系界面活性剤を含み、
前記光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、１重量％以下の量で溶剤を含む、光変換インク組成物：
【化1】
前記式中、
Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立して、水素原子；カルボキシル基；フェニル基；又はチオール基で置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基であり、
Ｒ’とＲ”とは、同時に水素原子；フェニル基；又は非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基ではなく、
Ｒａ、Ｒｂ、及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｃ１～Ｃ２２のアルキル基又はＣ４～Ｃ２２のアルケニル基であり、
Ｒｄは、Ｃ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｃ３～Ｃ８のシクロアルキレン基又はＣ６～Ｃ１４のアリーレン基であり、
Ａ及びＢは、それぞれ独立して、存在しないか、又はＣ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｏ、ＮＲ又はＳであり、
Ｒは、水素又はＣ１～Ｃ２２のアルキル基であり、
Ｘは、カルボキシル基、リン酸基、チオール基、アミン基、テトラゾール基、イミダゾール基、ピリジン基又はリポアミド基であり、
ｎは、１～２０の整数であり、
ｐ、ｑ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立して、１～１００の整数であり、
ｒは、１～１０の整数である。
【請求項2】
前記反応性シリコン系界面活性剤は、末端にアクリレート基を有するシリコン系界面活性剤である、請求項１に記載の光変換インク組成物。
【請求項3】
前記反応性シリコン系界面活性剤は、下記の化学式２～３で表される化合物のうちの一つ以上を含む、請求項１に記載の光変換インク組成物：【化2】
前記式中、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、
【化3】
であり、
Ｒ３は、
【化4】
であり、
Ｌは、ウレタン基を有する２～３価連結基であり、
Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、エステル基又はＣ１～Ｃ６のオキシアルキレン基であり、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素又はメチル基であり、
ｇは、０～１の整数であり、
ｈは、１～２の整数であり、
ｋ、ｌ、ｍ、ｉ、及びｊは、それぞれ独立して、１～２０の整数である。
【請求項4】
前記界面活性剤は、光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、０．００５～２重量％の量で含まれる、請求項１に記載の光変換インク組成物。
【請求項5】
前記反応性シリコン系界面活性剤は、界面活性剤の全体１００重量％に対し、２０重量％以上の量で含まれる、請求項１に記載の光変換インク組成物。
【請求項6】
散乱粒子、光重合開始剤、及び酸化防止剤からなる群より選ばれる一つ以上を更に含む、請求項１に記載の光変換インク組成物。
【請求項7】
請求項１～６のいずれか一項に記載の光変換インク組成物の硬化物を含む、光変換画素。
【請求項8】
請求項７に記載の光変換画素を含むカラーフィルタ。
【請求項9】
請求項８に記載のカラーフィルタが備えられたことを特徴とする画像表示装置。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光変換インク組成物、カラーフィルタ、及び画像表示装置に係り、より詳しくは、溶剤を実質的に含まなくても量子ドットの分散性に優れ且つ量子ドットの光特性に優れる厚膜を形成することができると共に塗膜の密着性が向上した光変換インク組成物、これを用いて形成されるカラーフィルタ、及び前記カラーフィルタを備えた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
カラーフィルタは、白色光から赤色、緑色、及び青色の３種の色を抽出して微細な画素単位で機能させる薄膜フィルム型光学部品である。
【0003】
これに関して、近年、優れたパターン特性だけではなく、高い色再現率を示すために、量子ドットを含む自発光感光性樹脂組成物を用いたカラーフィルタの製造方法が提案された。
【0004】
通常知られた量子ドットを含む自発光感光性樹脂組成物を用いたフォトリソグラフィ方法は、コーティング、露光、現像、及び硬化によって色フィルタを形成する方法である。このようなフォトリソグラフィ方法は、色フィルタの精巧性や再現性の面では優れるものの、画素を形成するためにそれぞれの色に対してコーティング、露光、現像、及び硬化する過程がそれぞれ要求されることから製造工程及び手間並びにコストが増大し、且つ工程間の制御因子が多くなって歩留まりの管理が困難であるという不具合がある。
【0005】
このため、前記フォトリソグラフィ方法に代えて、赤色、緑色、及び青色を含む複数の色を一度に着色することができるインクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）方法が提案されている。
【0006】
近年、モニタ、ＴＶなどでの高い色再現率（ＮＴＳＣに対する色濃度）の要求に伴い、量子ドットの発光輝度の向上が必要となっている。このような発光輝度の向上のためには、膜厚を厚くする方法がある。しかし、大韓民国登録特許第１０－１４７５５２０号で開示する量子ドット及び溶剤を含むインク組成物では膜厚を厚くするのに限界がある。
【0007】
このような側面から、溶剤を実質的に含まない量子ドット含有の無溶剤型又は低溶剤型のインク組成物が要求されている。しかし、量子ドットを無溶剤型又は低溶剤型のインク組成物で製造する場合には、均一な分散が難しくなり量子ドットの凝集を生じさせて量子ドットの光特性が低下したり、粘度が高くなってジェッティング性が不良になることがある。特に、膜厚を厚くするためにインク組成物中の量子ドットの含量を上げると、量子ドットの凝集がさらに深化して量子ドットの光特性低下が酷くなり且つ塗膜の密着性が低下するという問題点があった。
【0008】
したがって、溶剤を用いないか又は溶剤を少量用いても量子ドットの分散性に優れ、且つ量子ドットの光特性に優れる厚膜を形成することができると共に塗膜の密着性が向上したインク組成物の開発が望まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明の一目的は、溶剤を実質的に含まなくても量子ドットの分散性に優れ且つ量子ドットの光特性に優れる厚膜を形成することができると共に塗膜の密着性が向上した光変換インク組成物を提供することである。
【0010】
本発明の他の目的は、前記光変換インク組成物の硬化物を含む光変換画素を提供することである。
【0011】
本発明のまた他の目的は、前記光変換画素を含むカラーフィルタを提供することである。
【0012】
本発明のさらなる目的は、前記カラーフィルタを備えた画像表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0013】
一方、本発明は、量子ドット、硬化性モノマー、及び界面活性剤を含み、
前記量子ドットは、表面上に下記の化学式１ａ～１ｅで表される化合物のうちの一つ以上を含む配位子層を有するものであり、
前記界面活性剤は、反応性シリコン系界面活性剤を含む、光変換インク組成物を提供する。
前記量子ドットは、表面上に下記の化学式１ａ～１ｅで表される化合物のうちの一つ以上を含む配位子層を有するものであり、
前記界面活性剤は、反応性シリコン系界面活性剤を含む、光変換インク組成物を提供する。
【0014】
【化1】
【0015】
前記式中、
Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立して、水素原子；カルボキシル基；フェニル基；又はチオール基で置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基であり、
Ｒ’とＲ”とは、同時に水素原子；フェニル基；又は非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基ではなく、
Ｒａ、Ｒｂ、及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｃ１～Ｃ２２のアルキル基又はＣ４～Ｃ２２のアルケニル基であり、
Ｒｄは、Ｃ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｃ３～Ｃ８のシクロアルキレン基又はＣ６～Ｃ１４のアリーレン基であり、
Ａ及びＢは、それぞれ独立して、存在しないか、又はＣ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｏ、ＮＲ又はＳであり、
Ｒは、水素又はＣ１～Ｃ２２のアルキル基であり、
Ｘは、カルボキシル基、リン酸基、チオール基、アミン基、テトラゾール基、イミダゾール基、ピリジン基又はリポアミド基であり、
ｎは、１～２０の整数であり、
ｐ、ｑ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立して、１～１００の整数であり、
ｒは、１～１０の整数である。
Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立して、水素原子；カルボキシル基；フェニル基；又はチオール基で置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基であり、
Ｒ’とＲ”とは、同時に水素原子；フェニル基；又は非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基ではなく、
Ｒａ、Ｒｂ、及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｃ１～Ｃ２２のアルキル基又はＣ４～Ｃ２２のアルケニル基であり、
Ｒｄは、Ｃ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｃ３～Ｃ８のシクロアルキレン基又はＣ６～Ｃ１４のアリーレン基であり、
Ａ及びＢは、それぞれ独立して、存在しないか、又はＣ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｏ、ＮＲ又はＳであり、
Ｒは、水素又はＣ１～Ｃ２２のアルキル基であり、
Ｘは、カルボキシル基、リン酸基、チオール基、アミン基、テトラゾール基、イミダゾール基、ピリジン基又はリポアミド基であり、
ｎは、１～２０の整数であり、
ｐ、ｑ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立して、１～１００の整数であり、
ｒは、１～１０の整数である。
【0016】
本発明の一実施形態において、前記反応性シリコン系界面活性剤は、末端にアクリレート基を有するシリコン系界面活性剤であってよい。
【0017】
本発明の一実施形態において、前記反応性シリコン系界面活性剤は、下記の化学式２～３で表される化合物のうちの一つ以上を含んでよい。
【0018】
【化2】
【0019】
前記式中、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、
【0020】
【化3】
【0021】
であり、
Ｒ３は、
Ｒ３は、
【0022】
【化4】
【0023】
であり、
Ｌは、ウレタン基を有する２～３価の連結基であり、
Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、エステル基又はＣ１～Ｃ６のオキシアルキレン基であり、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素又はメチル基であり、
ｇは、０～１の整数であり、
ｈは、１～２の整数であり、
ｋ、ｌ、ｍ、ｉ、及びｊは、それぞれ独立して、１～２０の整数である。
Ｌは、ウレタン基を有する２～３価の連結基であり、
Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、エステル基又はＣ１～Ｃ６のオキシアルキレン基であり、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素又はメチル基であり、
ｇは、０～１の整数であり、
ｈは、１～２の整数であり、
ｋ、ｌ、ｍ、ｉ、及びｊは、それぞれ独立して、１～２０の整数である。
【0024】
本発明の一実施形態において、前記界面活性剤は、光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、０．００５～２重量％の量で含まれてよい。
【0025】
本発明の一実施形態において、前記反応性シリコン系界面活性剤は、界面活性剤の全体１００重量％に対し、２０重量％以上の量で含まれてよい。
【0026】
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、散乱粒子、光重合開始剤、及び酸化防止剤からなる群より選ばれる一つ以上を更に含んでよい。
【0027】
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、溶剤を１重量％以下の量で含んでよい。
【0028】
他の一方で、本発明は、前記光変換インク組成物の硬化物を含む光変換画素を提供する。
【0029】
また他の一方で、本発明は、前記光変換画素を含むカラーフィルタを提供する。
【0030】
また他の一方で、本発明は、前記カラーフィルタが備えられたことを特徴とる画像表示装置を提供する。
【発明の効果】
【0031】
本発明に係る光変換インク組成物は、表面上に特定構造のポリエチレングリコール系配位子を有する量子ドットを含み、界面活性剤として前記ポリエチレングリコール系配位子と相溶性に優れ且つ硬化性モノマーとの反応性に優れる反応性シリコン系界面活性剤を含有して、溶剤を実質的に含まなくても量子ドットの分散性に優れ且つ量子ドットの光特性に優れる厚膜を形成することができると共に塗膜の密着性が向上する。したがって、本発明に係る光変換インク組成物は、インクジェット印刷方式でカラーフィルタを製造する際に有効に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【0032】
以下、本発明をより詳しく説明する。
【0033】
本発明においてある部材が他の部材の「上に」位置しているとするとき、これは、ある部材が他の部材に接している場合だけではなく、両部材の間にまた他の部材が存在する場合も含む。
【0034】
本発明においてある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは、特にこだわりなどない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含んでよいことを意味する。
【0035】
本発明の一実施形態は、量子ドット（Ａ）、硬化性モノマー（Ｂ）、及び界面活性剤（Ｃ）を含み、前記量子ドット（Ａ）は、表面上に特定構造のポリエチレングリコール系配位子を含む配位子層を有するものであり、前記界面活性剤（Ｃ）は、反応性シリコン系界面活性剤を含む光変換インク組成物に関する。
【0036】
量子ドット（Ａ）
本発明の一実施形態において、前記量子ドットは、表面上に下記の化学式１ａ～１ｅで表される化合物のうちの一つ以上を含む配位子層を有するものである。
本発明の一実施形態において、前記量子ドットは、表面上に下記の化学式１ａ～１ｅで表される化合物のうちの一つ以上を含む配位子層を有するものである。
【0037】
【化5】
【0038】
前記式中、
Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立して、水素原子；カルボキシル基；フェニル基；又はチオール基で置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基であり、
Ｒ’とＲ”とは、同時に水素原子；フェニル基；又は非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基ではなく、
Ｒａ、Ｒｂ、及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｃ１～Ｃ２２のアルキル基又はＣ４～Ｃ２２のアルケニル基であり、
Ｒｄは、Ｃ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｃ３～Ｃ８のシクロアルキレン基又はＣ６～Ｃ１４のアリーレン基であり、
Ａ及びＢは、それぞれ独立して、存在しないか、又はＣ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｏ、ＮＲ又はＳであり、
Ｒは、水素又はＣ１～Ｃ２２のアルキル基であり、
Ｘは、カルボキシル基、リン酸基、チオール基、アミン基、テトラゾール基、イミダゾール基、ピリジン基又はリポアミド基であり、
ｎは、１～２０の整数であり、
ｐ、ｑ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立して、１～１００の整数であり、
ｒは、１～１０の整数である。
Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立して、水素原子；カルボキシル基；フェニル基；又はチオール基で置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基であり、
Ｒ’とＲ”とは、同時に水素原子；フェニル基；又は非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基ではなく、
Ｒａ、Ｒｂ、及びＲｃは、それぞれ独立して、Ｃ１～Ｃ２２のアルキル基又はＣ４～Ｃ２２のアルケニル基であり、
Ｒｄは、Ｃ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｃ３～Ｃ８のシクロアルキレン基又はＣ６～Ｃ１４のアリーレン基であり、
Ａ及びＢは、それぞれ独立して、存在しないか、又はＣ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｏ、ＮＲ又はＳであり、
Ｒは、水素又はＣ１～Ｃ２２のアルキル基であり、
Ｘは、カルボキシル基、リン酸基、チオール基、アミン基、テトラゾール基、イミダゾール基、ピリジン基又はリポアミド基であり、
ｎは、１～２０の整数であり、
ｐ、ｑ、ｔ、及びｕは、それぞれ独立して、１～１００の整数であり、
ｒは、１～１０の整数である。
【0039】
本明細書において用いられるＣ１～Ｃ２０のアルキル基は、炭素数１～２０個からなる直鎖状若しくは分岐状の１価炭化水素を意味し、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、１－メチル－ブチル、１－エチル－ブチル、ｎ－ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ－ペンチル、ｎ－ヘキシル、１－メチルペンチル、２－メチルペンチル、４－メチル－２－ペンチル、３，３－ジメチルブチル、２－エチルブチル、ｎ－ヘプチル、１－メチルヘキシル、ｎ－オクチル、ｔｅｒｔ－オクチル、１－メチルヘプチル、２－エチルヘキシル、２－プロピルペンチル、ｎ－ノニル、２，２－ジメチルヘプチル、ｎ－デシル、ｎ－ウンデシルなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。
【0040】
本明細書において用いられるＣ１～Ｃ２２のアルキル基は、炭素数１～２２個からなる直鎖状若しくは分岐状の１価炭化水素を意味し、例えば、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、１－メチル－ブチル、１－エチル－ブチル、ｎ－ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ－ペンチル、ｎ－ヘキシル、１－メチルペンチル、２－メチルペンチル、４－メチル－２－ペンチル、３，３－ジメチルブチル、２－エチルブチル、ｎ－ヘプチル、１－メチルヘキシル、ｎ－オクチル、ｔｅｒｔ－オクチル、１－メチルヘプチル、２－エチルヘキシル、２－プロピルペンチル、ｎ－ノニル、２，２－ジメチルヘプチル、ｎ－デシル、ｎ－ウンデシル、ｎ－ドコサニルなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。
【0041】
本明細書において用いられるＣ４～Ｃ２２のアルケニル基は、一つ以上の炭素－炭素二重結合を有する炭素数４～２２個からなる直鎖状若しくは分岐状の１価不飽和炭化水素を意味し、例えば、ブテニレン、ペンテニレン、ヘキセニレン、ヘプテニレン、オクテニレン、ノネニレン、デセニレン、ウンデセニレン、ドデセニレン、トリデセニレン、テトラデセニレン、ペンタデセニレン、ヘキサデセニレン、ヘプタデセニレン、オクタデセニレンなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。
【0042】
前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキル基、Ｃ１～Ｃ２２のアルキル基、及びＣ４～Ｃ２２のアルケニル基は、一つ又はそれの以上の水素がＣ１～Ｃ６のアルキル基、Ｃ２～Ｃ６のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ６のアルキニル基、Ｃ３～Ｃ１０のシクロアルキル基、Ｃ３～Ｃ１０のヘテロシクロアルキル基、Ｃ３～Ｃ１０のヘテロシクロアルキルオキシ基、Ｃ１～Ｃ６のハロアルキル基、Ｃ１～Ｃ６のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ６のチオアルコキシ基、アリール基、アシル基、ヒドロキシ、チオ（ｔｈｉｏ）、ハロゲン、アミノ、アルコキシカルボニル、カルボキシ、カルバモイル、シアノ、ニトロなどで置換されてよい。
【0043】
本発明の前記化学式１ａで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、Ｒ’がチオール基で置換若しくは非置換のＣ１～Ｃ２０のアルキル基であり、且つＲ’’がカルボキシル基である化合物であってよい。
【0044】
本発明の一実施形態において、前記化学式１ａで表される化合物の具体例としては、２－（２－メトキシエトキシ）酢酸（ＷＡＫＯ社製）、２－［２－（２－メトキシエトキシ）エトキシ］酢酸（ＷＡＫＯ社製）、{２－［２－（カルボキシメトキシ）エトキシ］エトキシ}酢酸（ＷＡＫＯ社製）、２－［２－（ベンジルオキシ）エトキシ］酢酸、（２－（カルボキシメトキシ）エトキシ）酢酸（ＷＡＫＯ社製）、（２－ブトキシエトキシ）酢酸（ＷＡＫＯ社製）、カルボキシ－ＥＧ６－ウンデカンチオールなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【0045】
本発明の前記化学式１ｂで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、ＲａはＣ１～Ｃ２２のアルキル基又はＣ４～Ｃ２０のアルケニル基であり、且つｐは１～５０の整数である化合物であってよい。特に、前記化学式１ｂ中のｐが前記範囲を超える場合、光変換インク組成物の粘度に影響を及ぼし得る。
【0046】
前記化学式１ｂで表される化合物は、チオール（ｔｈｉｏｌ）基を有し、チオール基が量子ドットの表面に結合してよい。チオール基の場合、カルボン酸などの通常の量子ドットが有する配位子層化合物に比べて量子ドットの表面との結合力に優れて、量子ドットのダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉｎｇ ｂｏｎｄ）のような表面欠点による消光及び表面酸化による消光を抑制して光特性（発光特性）や信頼性を向上させる長所がある。
【0047】
本発明の一実施形態において、前記化学式１ｂで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、下記の化学式１－１～１－６で表される化合物から選ばれる一つ以上の化合物であってよい。
【0048】
【化6】
【0049】
本発明の前記化学式１ｃで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、ｑは１～５０の整数であり、且つｒは１～８の整数である化合物であってよい。特に、前記化学式１ｃでｑ及びｒが前記範囲を超える場合、光変換インク組成物の粘度に影響を及ぼし得る。
【0050】
前記化学式１ｃで表される化合物は、チオール（ｔｈｉｏｌ）基を有し、且つチオール基が量子ドットの表面に結合してよい。チオール基の場合、カルボン酸などの通常の量子ドットが有する配位子層化合物に比べて量子ドットの表面との結合力に優れて、量子ドットのダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉｎｇ ｂｏｎｄ）のような表面欠点による消光及び表面酸化による消光を抑制して光特性（発光特性）と信頼性を向上させる長所がある。
【0051】
本発明の一実施形態において、前記化学式１ｃで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、下記の化学式１－７～１－１２で表される化合物から選ばれる一つ以上の化合物であってよい。
【0052】
【化7】
【0053】
本発明の前記化学式１ｄで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、ＲｂはＣ１～Ｃ２２のアルキル基又はＣ４～Ｃ２０のアルケニル基であり、且つｔは１～５０の整数である化合物であってよい。特に、前記化学式１ｄ中、ｔが前記範囲を超える場合、光変換インク組成物の粘度に影響を及ぼし得る。
【0054】
前記化学式１ｄで表される化合物は、アミン（ａｍｉｎｅ）基を有し、且つアミン基が量子ドットの表面に結合してよい。アミン基の場合、カルボン酸などの通常の量子ドットが有する配位子層化合物に比べて量子ドットの表面との結合力に優れて、量子ドットのダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉｎｇ ｂｏｎｄ）のような表面欠点による消光及び表面酸化による消光を抑制して光特性（発光特性）と信頼性を向上させる長所がある。
【0055】
本発明の一実施形態において、前記化学式１ｄで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、下記の化学式１－１３～１－１８で表される化合物から選ばれる一つ以上の化合物であってよい。
【0056】
【化8】
【0057】
本発明の前記化学式１ｅで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、Ｒｃは、Ｃ１～Ｃ２２のアルキル基又はＣ４～Ｃ２２のアルケニル基であり、Ｒｄは、Ｃ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｃ３～Ｃ８のシクロアルキレン基又はＣ６～Ｃ１４のアリーレン基であり、Ａ及びＢは、それぞれ独立して、存在しないか、又はＣ１～Ｃ２２のアルキレン基、Ｏ、ＮＲ又はＳであり、Ｒは、水素又はＣ１～Ｃ２２のアルキル基であり、Ｘは、カルボキシル基、リン酸基、チオール基、アミン基、テトラゾール基、イミダゾール基、ピリジン基又はリポアミド基であり、ｕは、１～５０の整数である化合物であってよい。特に、前記化学式１ｅ中、ｕが前記範囲を超える場合、光変換インク組成物の粘度に影響を及ぼし得る。
【0058】
本発明の一実施形態において、前記化学式１ｅで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、下記の化学式１－１９～１－２５で表される化合物から選ばれる一つ以上の化合物であってよい。
【0059】
【化9】
【0060】
本発明の前記化学式１ａ～１ｅで表される化合物は、有機配位子であって量子ドットの表面に配位結合されて量子ドットを安定化させる役割を遂行してよい。
【0061】
通常的に製造された量子ドットは、表面上に配位子層を有するものが一般的であり、製造直後の配位子層はオレイン酸（ｏｌｅｉｃ ａｃｉｄ）、ラウリン酸（ｌａｕｒｉｃ ａｃｉｄ）などからなる。この場合、本発明に係る量子ドットが前記化学式１ａ～１ｅで表される化合物を配位子層として含む場合よりも量子ドットとの弱い結合力による量子ドット表面の非結合欠陥のため表面保護効果が低下することがある。また、オレイン酸の場合、高揮発性化合物（ＶＯＣ；ｖｏｌａｔｉｌｅ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）であるｎ－ヘキサンのような脂肪族炭化水素系溶剤、ベンゼンのような芳香族炭化水素系溶剤には分散され易いが、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）のような溶剤への分散性が悪い。本発明に係る量子ドットは、前記化学式１ａ～１ｅで表される化合物を配位子層として含み、ＰＧＭＥＡのような溶剤への分散性に極めて優れ、光特性を向上させる効果が奏される。
【0062】
また、前記量子ドットは、前記化学式１ａ～１ｅで表される化合物のうちの一つ以上のポリエチレングリコール系配位子を含むことで、溶剤を実質的に含まないか少量含んでも良好な分散特性を奏することができる。
【0063】
前記化学式１ａ～１ｅで表される化合物は、量子ドットの総表面積に対し、５％以上の表面を覆っていてよい。
【0064】
このとき、前記化学式１ａ～１ｅで表される化合物の含量は、量子ドット１モルに対し、０．１～１０モルであってよい。
【0065】
前記化学式１ａ～１ｅで表される化合物を含む配位子層は、０．１ｎｍ～２ｎｍの厚さ、例えば、０．５ｎｍ～１．５ｎｍの厚さを有してよい。
【0066】
本発明の一実施形態において、前記量子ドットとは、ナノ大きさの半導体物質を称するものであってよい。原子が分子をなし、分子がクラスタという小さい分子の集合体を構成してナノ粒子をなすが、このようなナノ粒子が半導体特性を呈しているときにこれを量子ドットという。前記量子ドットは、外部からエネルギーを受けて励起状態になると、当該量子ドットの自ら該当するエネルギーバンドギャップに応じたエネルギーを放出するようになる。例えば、本発明に係る光変換インク組成物は、かかる量子ドットを含むことにより、入射した青色光の緑色光及び赤色光への光変換が可能である。
【0067】
本発明の一実施形態において、前記量子ドットは、非カドミウム系量子ドットであってよい。
【0068】
前記非カドミウム系量子ドットは、光による刺激で発光し得る量子ドット粒子であれば特に限定されない。例えば、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物；ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ族元素又はこれを含む化合物；及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれるものであってよく、これらは、単独で又は２種以上混合して用いてよい。
【0069】
具体的に、前記ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物；ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる三元素化合物；及びＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる四元素化合物からなる群より選ばれるものであってよいが、これらに限定されるものではない。
【0070】
前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる三元素化合物；及びＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる四元素化合物からなる群より選ばれるものであってよいが、これらに限定されるものではない。
【0071】
前記ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる三元素化合物；及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる四元素化合物からなる群より選ばれる一つ以上であってよいが、同様にこれらに限定されるものではない。
【0072】
これらに限定されるものではないが、前記ＩＶ族元素又はこれを含む化合物は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる元素；及びＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物からなる群より選ばれるものであってよい。
【0073】
前記量子ドットは、均質な（ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ）単一構造；コア－シェル（ｃｏｒｅ－ｓｈｅｌｌ）、グラディエント（ｇｒａｄｉｅｎｔ）構造などのような二重構造；又はこれらの混合構造を有するものであってよい。好ましくは、前記量子ドットは、コア及びコアを覆うシェルを含むコア－シェル構造を有するものであってよい。
【0074】
具体的に、前記コア－シェルの二重構造において、それぞれのコアとシェルをなす物質は、前述した互いに異なる半導体化合物からなるものであってよい。例えば、前記コアは、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、及びＩｎＡｌＰＳｂからなる群より選ばれる一つ以上を含み、前記シェルは、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、及びＺｎＴｅからなる群より選ばれる一つ以上を含んでよいが、これらに限定されるものではない。
【0075】
例えば、コア－シェル構造の量子ドットは、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ、ＩｎＰ／ＧａＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＴｅ／ＺｎＳ、及びＩｎＰ／ＭｎＳｅ／ＺｎＳなどが挙げられる。
【0076】
前記量子ドットは、湿式化学工程（ｗｅｔ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ）、有機金属化学蒸着工程（ＭＯＣＶＤ、ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又は分子線エピタキシ工程（ＭＢＥ、ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）によって合成されてよいが、これらに限定されるものではなく、湿式化学工程（ｗｅｔ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ）によって合成したほうがより光特性に優れる量子ドットが得られるため、好ましい。
【0077】
前記湿式化学工程とは、有機溶剤に前駆体物質を入れて粒子を成長させる方法である。湿式化学工程では、結晶が成長するときに有機溶剤が自然に量子ドット結晶の表面に配位し、分散剤の役割をして結晶の成長を調節するようになるので、有機金属化学蒸着工程や分子線エピタキシのような気相蒸着法よりも容易且つ低廉な工程によってナノ粒子の成長を制御することができる。そのため、前記湿式化学工程を用いて前記量子ドットを製造したほうが好ましい。
【0078】
湿式化学工程によって量子ドットを製造する場合、量子ドットの凝集を抑え且つ量子ドットの粒子の大きさをナノレベルに制御するために有機配位子が用いられる。このような有機配位子としては、一般的にオレイン酸が用いられてよい。
【0079】
本発明の一実施形態において、前記量子ドットの製造過程で用いられたオレイン酸は、前記化学式１ａ～１ｅで表される化合物のうちの一つ以上のポリエチレングルコール系化合物によって配位子交換方法により置き換えられる。
【0080】
前記配位子交換は、本来の有機配位子、すなわちオレイン酸を有する量子ドットを含有する分散液に、交換したい有機配位子、すなわち前記化学式１ａ～１ｅで表される化合物のうちの一つ以上のポリエチレングリコール系化合物を添加しこれを常温～２００℃で３０分～３時間撹拌して、化学式１ａ～１ｅで表される化合物のうちの一つ以上のポリエチレングリコール系化合物が結合された量子ドットを収得することで行われてよい。必要に応じて前記化学式１ａ～１ｅで表される化合物のうちの一つ以上のポリエチレングリコール系化合物が結合された量子ドットを分離し精製する過程を更に行ってもよい。
【0081】
前記量子ドットは、光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、１～６０重量％、好ましくは、５～５０重量％の範囲で含まれてよい。前記量子ドットが前記範囲内で含まれると、発光効率に優れ、且つコーティング層の信頼性に優れるという利点がある。前記量子ドットが前記範囲未満で含まれると、光変換効率が不十分になることがあり、また前記範囲を超えると、相対的に青色光の放出が低下して色再現性が落ちる問題が生じることがある。
【0082】
硬化性モノマー（B）
本発明の一実施形態において、前記硬化性モノマー（Ｂ）は、光及び後述する光重合開始剤の作用で重合し得る化合物であって、単官能単量体、２官能単量体、その他の多官能単量体などが挙げられ、特に、下記の化学式４で表される化合物を含むものが低粘度の具現の面から、好ましい。
本発明の一実施形態において、前記硬化性モノマー（Ｂ）は、光及び後述する光重合開始剤の作用で重合し得る化合物であって、単官能単量体、２官能単量体、その他の多官能単量体などが挙げられ、特に、下記の化学式４で表される化合物を含むものが低粘度の具現の面から、好ましい。
【0083】
【化10】
【0084】
前記式中、
Ｒ６は、Ｃ１～Ｃ２０のアルキレン基、フェニレン基又はＣ３～Ｃ１０のシクロアルキレン基であり、
Ｒ７は、水素又はメチル基であり、
ｆは、１～１５の整数である。
Ｒ６は、Ｃ１～Ｃ２０のアルキレン基、フェニレン基又はＣ３～Ｃ１０のシクロアルキレン基であり、
Ｒ７は、水素又はメチル基であり、
ｆは、１～１５の整数である。
【0085】
本明細書において用いられるＣ１～Ｃ２０のアルキレン基は、炭素数１～２０個からなる直鎖状若しくは分岐状の２価炭化水素を意味し、例えば、メチレン、エチレン、ｎ－プロピレン、イソプロピレン、ｎ－ブチレン、イソブチレン、ｎ－ペンチレン、ｎ－ヘキシレン、ｎ－ヘプチレン、ｎ－オクチレン、ｎ－ノニレンなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。
【0086】
本明細書において用いられるＣ３～Ｃ１０のシクロアルキレン基は、炭素数３～１０個からなる単環式又は融合環式の２価炭化水素を意味し、例えば、シクロプロピレン、シクロブチレン、シクロペンチレン、シクロヘキシレンなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。
【0087】
前記Ｃ１～Ｃ２０のアルキレン基、フェニレン基、及びＣ３～Ｃ１０のシクロアルキレン基は、一つ又はそれの以上の水素がＣ１～Ｃ６のアルキル基、Ｃ２～Ｃ６のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ６のアルキニル基、Ｃ３～Ｃ１０のシクロアルキル基、Ｃ３～Ｃ１０のヘテロシクロアルキル基、Ｃ３～Ｃ１０のヘテロシクロアルキルオキシ基、Ｃ１～Ｃ６のハロアルキル基、Ｃ１～Ｃ６のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ６のチオアルコキシ基、アリール基、アシル基、ヒドロキシ、チオ（ｔｈｉｏ）、ハロゲン、アミノ、アルコキシカルボニル、カルボキシ、カルバモイル、シアノ、ニトロなどで置換されてよい。
【0088】
本発明の一実施形態において、Ｒ６は、Ｃ１～Ｃ２０のアルキレン基であってよい。
【0089】
前記化学式４で表される化合物の具体例としては、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、１，９－ビスアクリロイルオキシノナン、トリプロピレングリコールジアクリレートなどが挙げられる。
【0090】
本発明に係る光変換インク組成物は、前記化学式４で表される硬化性モノマーの他にも本発明の目的を逸脱しない限度内で当該分野において通常用いられる硬化性モノマーを更に含んでよい。例えば、単官能単量体、２官能単量体、その他の多官能単量体などが挙げられ、これらのうち２官能単量体が好ましく用いられる。
【0091】
前記単官能単量体の種類は別に限定されず、例えば、ノニルフェニルカルビトールアクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレート、２－エチルヘキシルカルビトールアクリレート、２－ヒドロキシエチルアクリレート、Ｎ－ビニルピロリドンなどが挙げられる。
【0092】
前記２官能単量体の種類は別に限定されず、例えば、ビスフェノールＡのビス（アクリロイルオキシエチル）エーテルなどが挙げられる。
前記多官能単量体の種類は別に限定されず、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシレイテッドトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシレイテッドトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ（メタ）アクリレート、エトキシレイテッドジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、プロポキシレイテッドジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
前記多官能単量体の種類は別に限定されず、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシレイテッドトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシレイテッドトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ（メタ）アクリレート、エトキシレイテッドジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、プロポキシレイテッドジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【0093】
前記硬化性モノマー（Ｂ）は、前記光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、２０～９０重量％、好ましくは、３０～８０重量％の範囲で含まれてよい。前記硬化性モノマーが前記範囲内で含まれると、画素部の強度や平滑性の面で好ましいという利点がある。前記硬化性モノマーが前記範囲未満で含まれると、画素部の強度がやや低下することがあり、また、前記硬化性モノマーが前記範囲を超えて含まれると、平滑性がやや低下することがあるため、前記範囲内で含まれることが好ましい。
【0094】
界面活性剤（Ｃ）
本発明の一実施形態において、前記界面活性剤は、反応性シリコン系界面活性剤を含む。
本発明の一実施形態において、前記界面活性剤は、反応性シリコン系界面活性剤を含む。
【0095】
前記反応性シリコン系界面活性剤は、光を照射することで光重合開始剤から発生する活性ラジカル、酸などによって重合し得る反応性基を有する化合物であって、前記反応性基により量子ドットが多量含有された厚膜を形成しても量子ドットの凝集による相殺が減って発光効率の低下を防止することができ、且つ塗膜の密着性を向上させることができる。また、前記反応性シリコン系界面活性剤は、前記ポリエチレングリコール系配位子との相溶性に優れ且つ前記硬化性モノマーとの反応性に優れて、光変換インク組成物の分散性、感度、及び工程性を向上させる。
【0096】
前記反応性シリコン系界面活性剤は、末端にアクリレート基を有するシリコン系界面活性剤であってよい。例えば、前記反応性シリコン系界面活性剤は、末端に１個以上、好ましくは、１～８個、より好ましくは、１～４個のアクリレート基を有するシリコン系界面活性剤であってよい。
【0097】
具体的に、前記反応性シリコン系界面活性剤は、シロキサン結合を有し、末端に反応性アクリレート基を含む化合物であって、下記の化学式２～３で表される化合物のうちの一つ以上を含んでよい。
【0098】
【化11】
【0099】
前記式中、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、
【0100】
【化12】
【0101】
であり、
Ｒ３は、
Ｒ３は、
【0102】
【化13】
【0103】
であり、
Ｌは、ウレタン基を有する２～３価の連結基であり、
Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、エステル基又はＣ１～Ｃ６のオキシアルキレン基であり、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素又はメチル基であり、
ｇは、０～１の整数であり、
ｈは、１～２の整数であり、
ｋ、ｌ、ｍ、ｉ、及びｊは、それぞれ独立して、１～２０の整数である。
Ｌは、ウレタン基を有する２～３価の連結基であり、
Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、エステル基又はＣ１～Ｃ６のオキシアルキレン基であり、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素又はメチル基であり、
ｇは、０～１の整数であり、
ｈは、１～２の整数であり、
ｋ、ｌ、ｍ、ｉ、及びｊは、それぞれ独立して、１～２０の整数である。
【0104】
本明細書において用いられるＣ１～Ｃ６のオキシアルキレン基は、炭素数１～６個からなる直鎖状若しくは分岐状の２価炭化水素で鎖炭素のうちの一つ以上が酸素で置換された官能基を意味し、例えば、オキシメチレン、オキシエチレン、オキシプロピレン、オキシブチレン、オキシペンチレン、オキシヘキシレンなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。
【0105】
前記ウレタン基、エステル基、及びＣ１～Ｃ６のオキシアルキレン基は、一つ又はそれ以上の水素がＣ１～Ｃ６のアルキル基、Ｃ２～Ｃ６のアルケニル基、Ｃ２～Ｃ６のアルキニル基、Ｃ３～Ｃ１０のシクロアルキル基、Ｃ３～Ｃ１０のヘテロシクロアルキル基、Ｃ３～Ｃ１０のヘテロシクロアルキルオキシ基、Ｃ１～Ｃ６のハロアルキル基、Ｃ１～Ｃ６のアルコキシ基、Ｃ１～Ｃ６のチオアルコキシ基、アリール基、アシル基、ヒドロキシ、チオ（ｔｈｉｏ）、ハロゲン、アミノ、アルコキシカルボニル、カルボキシ、カルバモイル、シアノ、ニトロなどで置換されてよい。
【0106】
前記反応性シリコン系界面活性剤の市販製品としては、ＢＹＫ－ＵＶ３５７０、ＢＹＫ－ＵＶ３５３０、ＢＹＫ－ＵＶ３５００（以上、ＢＹＫ社製）、ＴＥＧＯ Ｒａｄ ２１００、ＴＥＧＯ Ｒａｄ ２２００Ｎ、ＴＥＧＯ Ｒａｄ ２２５０、ＴＥＧＯ Ｒａｄ ２３００、ＴＥＧＯ Ｒａｄ ２５００、ＴＥＧＯ Ｒａｄ ２６００、ＴＥＧＯ Ｒａｄ ２７００（以上、デグサ社製）などを例に挙げられる。
【0107】
前記界面活性剤は、前記反応性シリコン系界面活性剤の他に、当該技術分野において一般に用いられる界面活性剤を更に含んでよい。かかる更なる界面活性剤としては、例えば、市販品としてのダウコーニング東レシリコーン社製のＤＣ３ＰＡ、ＤＣ７ＰＡ、ＳＨ１１ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、ＳＨ８４００など、ＧＥ東芝シリコーン社製のＴＳＦ－４４４０、ＴＳＦ－４３００、ＴＳＦ－４４４５、ＴＳＦ－４４４６、ＴＳＦ－４４６０、ＴＳＦ－４４５２などの非反応性シリコン系界面活性剤、大日本インキ化学工業社製のメガファックＦ－４７０、Ｆ－４７１、Ｆ－４７５、Ｆ－４８２、Ｆ－４８９、Ｆ－５５４などのフルオロ系界面活性剤がある。
【0108】
前記界面活性剤は、光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、０．００５～２重量％、好ましくは、０．０１～１．５重量％の範囲で含んでよい。前記界面活性剤が前記範囲内で含まれると、塗膜の平坦性が良好になる。前記界面活性剤が前記範囲未満で含まれると、インク組成物の拡がり性や平坦化が不足して表面粗さが増加し表面に噴火口が生じることがあり、また前記範囲を超えて含まれると、インク組成物の拡がり性が過度になってノズルから露出したインクが隔壁表面及び隣接の開口部に溢れ出したり飛び散って汚染が生じることがある。
【0109】
前記反応性シリコン系界面活性剤は、界面活性剤の全体１００重量％に対し、２０重量％以上、好ましくは、３０重量％以上の量で含んでよい。前記反応性シリコン系界面活性剤が前記範囲内で含まれると、量子ドットのシェル表面に置換されて、厚膜で量子ドットの分散安定性を向上し且つ密着性を増加させることができ、また前記範囲未満で含まれると、厚膜で量子ドットの光特性が低下し且つ塗膜の密着性も低下することがある。
【0110】
散乱粒子（Ｄ）
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、散乱粒子（Ｄ）を更に含んでよい。
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、散乱粒子（Ｄ）を更に含んでよい。
【0111】
前記散乱粒子は、量子ドットから放出された光の経路を増加させて全体的な光効率を高める役割をする。
【0112】
前記散乱粒子としては、通常の無機材料を用いてよく、好ましくは、金属酸化物を用いてよい。
【0113】
前記金属酸化物は、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｍｏ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｉｎ、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれた１種の金属を含む酸化物であってよいが、これらに限定されない。
【0114】
具体的に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＺｎＯ－Ａｌ、Ｎｂ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＭｇＯ、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれた１種であってよい。必要に応じて、アクリレートなどの不飽和結合を有する化合物で表面処理された材質も用いてよい。
【0115】
散乱粒子は、５０～１０００ｎｍの平均粒径を有してよく、好ましくは、１００～５００ｎｍ、より好ましくは、１５０～３００ｎｍの範囲の平均粒径を有してよい。このとき、粒子の大きさが小さ過ぎると、量子ドットから放出された光の十分な散乱効果を期待することができず、これと逆に大き過ぎると、組成物中に沈んだりして均一な品質の光変換層表面を得ることができないため、前記範囲内で適宜調節して用いる。
【0116】
本発明において平均粒径とは、数平均粒径のことであってよく、例えば、電界放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）又は透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察した像から求めることができる。具体的に、ＦＥ－ＳＥＭ又はＴＥＭの観察画像から幾つかのサンプルを抽出し、これらのサンプルの径を測定して算術平均した値から得ることができる。
【0117】
前記散乱粒子は、前記光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、０．５～２０重量％、好ましくは、１～１５重量％の範囲で含んでよい。前記散乱粒子が前記範囲内で含まれると、発光強さの増加効果が極大化するため好ましい。なお、前記範囲未満で含まれると、得ようとする発光強さの確保が多少難しくなることがあり、また前記範囲を超えると、青色照射光の透過度が低下するため発光効率に問題が生じることがある。
【0118】
光重合開始剤（Ｅ）
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、光重合開始剤（Ｅ）を更に含んでよい。
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、光重合開始剤（Ｅ）を更に含んでよい。
【0119】
本発明の一実施形態において、前記光重合開始剤（Ｅ）は、前記硬化性モノマーを重合させ得るものであれば、その種類は特に制限されずに用いてよい。特に、前記光重合開始剤は、重合特性、開始効率、吸収波長、入手性、価格などの観点から、アセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、トリアジン系化合物、ビイミダゾール系化合物、オキシム系化合物、及びチオキサントン系化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物を用いることが好ましい。
【0120】
前記光重合開始剤は、前記光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、０．０１～２０重量％、好ましくは、０．５～１５重量％の範囲で含まれてよい。前記光重合開始剤が前記範囲内で含まれると、前記光変換インク組成物が高感度化して露光時間が短縮することで生産性が向上するため好ましい。また、本発明に係る光変換インク組成物を用いて形成した画素部の強度と前記画素部の表面での平滑性が良好になるという利点がある。
【0121】
前記光重合開始剤（Ｅ）は、本発明に係る光変換インク組成物の感度を向上させるために、光重合開始補助剤（ｅ１）を更に含んでよい。前記光重合開始補助剤が含まれると、感度が一層高められて生産性が向上するという利点がある。
【0122】
前記光重合開始補助剤（ｅ１）は、例えば、アミン化合物、カルボン酸化合物、チオール基を有する有機黄化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物が好ましく用いられてよいが、これらに限定されるものではない。
【0123】
前記光重合開始補助剤（ｅ１）は、本発明の効果を損なわない範囲で適宜追加して用いてよい。
【0124】
添加剤（Ｆ）
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、前記した成分の他、添加剤を更に含んでよい。
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、前記した成分の他、添加剤を更に含んでよい。
【0125】
前記添加剤は、酸化防止剤、光酸発生剤、熱酸発生剤、分散剤、充填剤、硬化剤、密着促進剤などであってよく、これらは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてよい。
前記添加剤は、前記光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、０．０５～１０重量％、具体的に、０．１～１０重量％、より具体的に、０．１～５重量％の範囲で用いてよいが、これに限定されるものではない。
前記添加剤は、前記光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、０．０５～１０重量％、具体的に、０．１～１０重量％、より具体的に、０．１～５重量％の範囲で用いてよいが、これに限定されるものではない。
【0126】
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、溶剤を実質的に含まず、含むとしても光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、１重量％以下の量で含む。本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、溶剤を含まない無溶剤型であるか、１重量％以下と極少量含む低溶剤型であるにも拘わらず、量子ドットの光特性及び分散性に優れ、且つ低粘度の具現が可能である。
【0127】
また、本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、樹脂成分を実質的に含まず、含むとしても光変換インク組成物の全体１００重量％に対し、０．５重量％以内で含む。本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、樹脂成分を含まないことで低い粘度を具現することができ、インクのノズルジェッティング特性に優れる。
【0128】
本発明の一実施形態は、上述した光変換インク組成物の硬化物を含む光変換画素に関する。
【0129】
また、本発明の一実施形態は、上述した光変換画素を含むカラーフィルタに関する。
【0130】
本発明に係る光変換インク組成物のパターン形成方法は、上述した光変換インク組成物をインクジェット方式で所定の領域に塗布するステップ、及び該塗布された光変換インク組成物を硬化させるステップを含んでなる。
【0131】
先ず、本発明に係る光変換インク組成物をインクジェット噴射機に注入して基板の所定の領域をプリントする。
【0132】
前記基板は制限されず、一例として、ガラス基板、シリコン基板、ポリカーボネート基板、ポリエステル基板、芳香族ポリアミド基板、ポリアミドイミド基板、ポリイミド基板、Ａｌ基板、ＧａＡｓ基板などの表面が平坦な基板などが挙げられる。これらの基板は、シランカップリング剤などの薬品による薬品処理、プラズマ処理、イオンプレーティング処理、スパッタリング処理、気相反応処理、真空蒸着処理などの前処理を施してよい。基板としてシリコン基板などを用いる場合、シリコン基板などの表面には、電荷結合素子（ＣＣＤ）、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）などが設けられてよい。また、隔壁マトリックスが設けられてもよい。
【0133】
インクジェット噴射機の一例であるピエゾインクジェットヘッドから噴射され基板上で適切な相（phase）を形成するために、粘度、流動性、量子ドット粒子などの特性がインクジェットヘッドと釣り合う必要がある。本発明で用いられたピエゾインクジェットヘッドは特に制限されないが、約１０～１００ｐＬ、好ましくは、約２０～４０ｐＬの液滴大きさを有するインクを噴射する。
【0134】
本発明に係る光変換インク組成物の粘度は、約３～３０ｃＰが好適であり、より好ましくは、７～２０ｃＰの範囲で調節される。
【0135】
本発明の一実施形態に係るカラーフィルタは、前記パターン形成方法によって形成される着色パターン層を含む。すなわち、カラーフィルタは、基板上に上述した光変換インク組成物を所定のパターンで塗布した後に硬化させて形成される着色パターン層を含むことを特徴とする。カラーフィルタの構成及び製造方法は、当該技術分野において周知であるので、その詳しい説明を省略する。
【0136】
本発明の一実施形態は、上述したカラーフィルタが備えられた画像表示装置に関する。
本発明に係るカラーフィルタは、通常の液晶表示装置（ＬＣＤ）だけでなく、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ）、有機発光素子（ＯＬＥＤ）などの各種の画像表示装置に適用可能である。
本発明に係るカラーフィルタは、通常の液晶表示装置（ＬＣＤ）だけでなく、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ）、有機発光素子（ＯＬＥＤ）などの各種の画像表示装置に適用可能である。
【0137】
本発明に係る画像表示装置は、上述したカラーフィルタを備えたことを除いては、当該技術分野において周知の構成を含む。
【0138】
以下、実施例、比較例及び実験例によって本発明をより具体的に説明することにする。なお、これらの実施例、比較例及び実験例は、単に本発明を説明するためのものに過ぎず、本発明の範囲がこれらに限定されるものではないことは当業者にとって自明である。
【0139】
合成例１：配位子置換量子ドット（Ａ１）の合成
インジウムアセテート（Ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）０．４ｍｍｏｌ（０．０５８ｇ）、パルミチン酸（ｐａｌｍｉｔｉｃ ａｃｉｄ）０．６ｍｍｏｌ（０．１５ｇ）、及び１－オクタデセン（１－ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。２８０℃で加熱した後、トリス（トリメチルシリル）ホスフィン（ＴＭＳ３Ｐ）０．２ｍｍｏｌ（５８μｌ）及びトリオクチルホスフィン１．０ｍＬの混合溶液を素早く注入し、１分間反応させた。
インジウムアセテート（Ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）０．４ｍｍｏｌ（０．０５８ｇ）、パルミチン酸（ｐａｌｍｉｔｉｃ ａｃｉｄ）０．６ｍｍｏｌ（０．１５ｇ）、及び１－オクタデセン（１－ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。２８０℃で加熱した後、トリス（トリメチルシリル）ホスフィン（ＴＭＳ３Ｐ）０．２ｍｍｏｌ（５８μｌ）及びトリオクチルホスフィン１．０ｍＬの混合溶液を素早く注入し、１分間反応させた。
【0140】
亜鉛アセテート２．４ｍｍｏｌ（０．４４８ｇ）、オレイン酸４．８ｍｍｏｌ、及びトリオクチルアミン２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を２８０℃に昇温させた。先に合成したＩｎＰコア溶液２ｍＬを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中のセレニウム（Ｓｅ／ＴＯＰ）４．８ｍｍｏｌを入れた後、最終混合物を２時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア－シェルを形成させた。
【0141】
次いで、亜鉛アセテート２．４ｍｍｏｌ（０．４４８ｇ）、オレイン酸４．８ｍｍｏｌ、及びトリオクチルアミン２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を２８０℃に昇温させた。先に合成したＩｎＰ／ＺｎＳｅコア－シェル溶液２ｍＬを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中の硫黄（Ｓ／ＴＯＰ）４．８ｍｍｏｌを入れた後、最終混合物を２時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳコア－シェル構造の量子ドットを収得した後、クロロホルムに分散させた。
【0142】
得られたナノ量子ドットの光発光スペクトルの最大発光ピークは５３５ｎｍであり、量子ドット溶液５ｍＬを遠心分離チューブに入れ、エタノール２０ｍＬを入れて沈澱させた。遠心分離によって上層液は捨て、沈殿物に２ｍＬのクロロホルムを入れて量子ドットを分散させた後、０．５０ｇの（２－ブトキシエトキシ）酢酸を入れ、窒素雰囲気下、６０℃で加熱しながら一時間反応させた。
【0143】
次いで、反応物に２５ｍＬのｎ－ヘキサンを入れて量子ドットを沈澱させた後、遠心分離を施して沈殿物を得た。
【0144】
合成例２：配位子置換量子ドット（Ａ２）の合成
インジウムアセテート（Ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）０．４ｍｍｏｌ（０．０５８g）、パルミチン酸（ｐａｌｍｉｔｉｃ ａｃｉｄ）０．６ｍｍｏｌ（０．１５ｇ）、及び１－オクタデセン（１－ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。２８０℃で加熱した後、トリス（トリメチルシリル）ホスフィン（ＴＭＳ３Ｐ）０．２ｍｍｏｌ（５８μｌ）及びトリオクチルホスフィン１．０ｍＬの混合溶液を素早く注入し、５分間の反応後、反応溶液を常温に素早く冷却させた。吸収最大波長５６０～５９０ｎｍを示した。
インジウムアセテート（Ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）０．４ｍｍｏｌ（０．０５８g）、パルミチン酸（ｐａｌｍｉｔｉｃ ａｃｉｄ）０．６ｍｍｏｌ（０．１５ｇ）、及び１－オクタデセン（１－ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。２８０℃で加熱した後、トリス（トリメチルシリル）ホスフィン（ＴＭＳ３Ｐ）０．２ｍｍｏｌ（５８μｌ）及びトリオクチルホスフィン１．０ｍＬの混合溶液を素早く注入し、５分間の反応後、反応溶液を常温に素早く冷却させた。吸収最大波長５６０～５９０ｎｍを示した。
【0145】
亜鉛アセテート２．４ｍｍｏｌ（０．４４８ｇ）、オレイン酸４．８ｍｍｏｌ、及びトリオクチルアミン２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を２８０℃に昇温させた。先に合成したＩｎＰコア溶液２ｍＬを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中のセレニウム（Ｓｅ／ＴＯＰ）４．８ｍｍｏｌを入れた後、最終混合物を２時間反応後に常温に下げて、ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア－シェルを形成させた。
【0146】
次いで、亜鉛アセテート２．４ｍｍｏｌ（０．４４８ｇ）、オレイン酸４．８ｍｍｏｌ、及びトリオクチルアミン２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を２８０℃に昇温させた。先に合成したＩｎＰ／ＺｎＳｅコア－シェル溶液２ｍＬを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中の硫黄（Ｓ／ＴＯＰ）４．８ｍｍｏｌを入れた後、最終混合物を２時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳコア－シェル構造の量子ドットを収得した後にクロロホルムに分散させた。
【0147】
得られたナノ量子ドットの光発光スペクトルの最大発光ピークは６３５ｎｍであり、合成された量子ドット溶液５ｍＬを遠心分離チューブに入れ、エタノール２０ｍＬを入れて沈澱させた。遠心分離によって上層液は捨て、沈殿物に２ｍＬのクロロホルムを入れて量子ドットを分散させた後、０．６５ｇのカルボキシ－ＥＧ６－ウンデカンチオールを入れ、窒素雰囲気下、６０℃で加熱しながら一時間反応させた。
【0148】
次いで、反応物に２５ｍＬのｎ－ヘキサンを入れて量子ドットを沈澱させた後、遠心分離を実施して上層液は捨てて沈殿物を得た。
【0149】
合成例３：配位子置換量子ドット（Ａ３）の合成
インジウムアセテート（Ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）０．４ｍｍｏｌ（０．０５８g）、パルミチン酸（ｐａｌｍｉｔｉｃ ａｃｉｄ）０．６ｍｍｏｌ（０．１５ｇ）、及び１－オクタデセン（ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。
インジウムアセテート（Ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）０．４ｍｍｏｌ（０．０５８g）、パルミチン酸（ｐａｌｍｉｔｉｃ ａｃｉｄ）０．６ｍｍｏｌ（０．１５ｇ）、及び１－オクタデセン（ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。
【0150】
２８０℃で加熱した後、トリス（トリメチルシリル）ホスフィン（ＴＭＳ３Ｐ）０．２ｍｍｏｌ（５８μｌ）及びトリオクチルホスフィン１．０ｍＬの混合溶液を素早く注入し、０．５分間反応させた。
【0151】
次いで、亜鉛アセテート２．４ｍｍｏｌ（０．４４８ｇ）、オレイン酸４．８ｍｍｏｌ、及びトリオクチルアミン２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を２８０℃に昇温させた。先に合成したＩｎＰコア溶液２ｍＬを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中のセレニウム（Ｓｅ／ＴＯＰ）４．８ｍｍｏｌを入れた後、最終混合物を２時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア－シェルを形成させた。
【0152】
次いで、亜鉛アセテート２．４ｍｍｏｌ（０．４４８ｇ）、オレイン酸４．８ｍｍｏｌ、及びトリオクチルアミン２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を２８０℃に昇温させた。先に合成したＩｎＰ／ＺｎＳｅコア－シェル溶液２ｍＬを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中の硫黄（Ｓ／ＴＯＰ）４．８ｍｍｏｌを入れた後、最終混合物を２時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳコア－シェル構造の量子ドットを収得した後にクロロホルムに分散させた。固形分は１０％に調整した。最大発光波長は５２０ｎｍであった。
【0153】
合成された量子ドット溶液５ｍＬを遠心分離チューブに入れ、エタノール２０ｍＬを入れて沈澱させた。遠心分離によって上層液は捨て、沈殿物に３ｍＬのクロロホルムを入れて量子ドットを分散させた後、１．００ｇの下記の化学式１－１で表されるｍＰＥＧ５－ＳＨ（フューチャーケム社製）を入れ、窒素雰囲気下、６０℃で加熱しながら一時間反応させた。
【0154】
【化14】
【0155】
次いで、反応物に２５ｍＬのｎ－ヘキサンを入れて量子ドットを沈澱させた後、遠心分離を実施して上層液は捨てて沈殿物を得た。
【0156】
合成例４：配位子置換量子ドット（Ａ４）の合成
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式１－２で表されるｍＰＥＧ７－ＳＨ（フューチャーケム社製）を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式１－２で表されるｍＰＥＧ７－ＳＨ（フューチャーケム社製）を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0157】
【化15】
【0158】
合成例５：配位子置換量子ドット（Ａ５）の合成
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式１－３で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式１－３で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0159】
【化16】
【0160】
合成例６：配位子置換量子ドット（Ａ６）の合成
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式１－４で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式１－４で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0161】
【化17】
【0162】
合成例７：配位子置換量子ドット（Ａ７）の合成
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式１－５で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式１－５で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0163】
【化18】
【0164】
合成例８：配位子置換量子ドット（Ａ８）の合成
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式１－６で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式１－６で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0165】
【化19】
【0166】
合成例９：配位子置換量子ドット（Ａ９）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－７で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－７で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0167】
【化20】
【0168】
合成例１０：配位子置換量子ドット（Ａ１０）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－８で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－８で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0169】
【化21】
【0170】
合成例１１：配位子置換量子ドット（Ａ１１）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－９で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－９で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0171】
【化22】
【0172】
合成例１２：配位子置換量子ドット（Ａ１２）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１０で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１０で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0173】
【化23】
【0174】
合成例１３：配位子置換量子ドット（Ａ１３）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１１で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１１で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0175】
【化24】
【0176】
合成例１４：配位子置換量子ドット（Ａ１４）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１２で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１２で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0177】
【化25】
【0178】
合成例１５：配位子置換量子ドット（Ａ１５）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１３で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１３で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0179】
【化26】
【0180】
合成例１６：配位子置換量子ドット（Ａ１６）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１４で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１４で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0181】
【化27】
【0182】
合成例１７：配位子置換量子ドット（Ａ１７）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１５で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１５で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0183】
【化28】
【0184】
合成例１８：配位子置換量子ドット（Ａ１８）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１６で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１６で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0185】
【化29】
【0186】
合成例１９：配位子置換量子ドット（Ａ１９）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１７で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１７で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0187】
【化30】
【0188】
合成例２０：配位子置換量子ドット（A２０）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１８で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１８で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0189】
【化31】
【0190】
合成例２１：配位子置換量子ドット（Ａ２１）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１９で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－１９で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0191】
【化32】
【0192】
合成例２２：配位子置換量子ドット（Ａ２２）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２０で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２０で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0193】
【化33】
【0194】
合成例２３：配位子置換量子ドット（Ａ２３）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２１で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２１で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0195】
【化34】
【0196】
合成例２４：配位子置換量子ドット（Ａ２４）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２２で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２２で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0197】
【化35】
【0198】
合成例２５：配位子置換量子ドット（Ａ２５）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２３で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２３で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0199】
【化36】
【0200】
合成例２６：配位子置換量子ドット（Ａ２６）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２４で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２４で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0201】
【化37】
【0202】
合成例２７：配位子置換量子ドット（Ａ２７）の合成
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２５で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
合成例３で用いた１．００ｇの配位子の代わりに、３．００ｇの下記の化学式１－２５で表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
【0203】
【化38】
【0204】
比較合成例１：配位子置換量子ドット（Ａ２８）の合成
インジウムアセテート（Ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）０．４ｍｍｏｌ（０．０５８g）、パルミチン酸（ｐａｌｍｉｔｉｃ ａｃｉｄ）０．６ｍｍｏｌ（０．１５ｇ）、及び１－オクタデセン（１－ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。２８０℃で加熱した後、トリス（トリメチルシリル）ホスフィン（ＴＭＳ３Ｐ）０．２ｍｍｏｌ（５８μｌ）及びトリオクチルホスフィン１．０ｍＬの混合溶液を素早く注入し、５分間の反応後に反応溶液を常温に素早く冷却させた。吸収最大波長５６０～５９０ｎｍを示した。
インジウムアセテート（Ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）０．４ｍｍｏｌ（０．０５８g）、パルミチン酸（ｐａｌｍｉｔｉｃ ａｃｉｄ）０．６ｍｍｏｌ（０．１５ｇ）、及び１－オクタデセン（１－ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。２８０℃で加熱した後、トリス（トリメチルシリル）ホスフィン（ＴＭＳ３Ｐ）０．２ｍｍｏｌ（５８μｌ）及びトリオクチルホスフィン１．０ｍＬの混合溶液を素早く注入し、５分間の反応後に反応溶液を常温に素早く冷却させた。吸収最大波長５６０～５９０ｎｍを示した。
【0205】
亜鉛アセテート２．４ｍｍｏｌ（０．４４８g）、オレイン酸４．８ｍｍｏｌ、及びトリオクチルアミン２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を２８０℃に昇温させた。先に合成したＩｎＰコア溶液２ｍＬを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中のセレニウム（Ｓｅ／ＴＯＰ）４．８ｍｍｏｌを入れた後、最終混合物を２時間反応後に常温に下げて、ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア－シェルを形成させた。
【0206】
次いで、亜鉛アセテート２．４ｍｍｏｌ（０．４４８ｇ）、オレイン酸４．８ｍｍｏｌ、及びトリオクチルアミン２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を２８０℃に昇温させた。先に合成したＩｎＰ／ＺｎＳｅコア－シェル溶液２ｍＬを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中の硫黄（Ｓ／ＴＯＰ）４．８ｍｍｏｌを入れた後、最終混合物を２時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳコア－シェル構造の量子ドットを得た。
【0207】
比較合成例２：配位子置換量子ドット（Ａ２９）の合成
インジウムアセテート（Ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）０．４ｍｍｏｌ（０．０５８ｇ）、パルミチン酸（ｐａｌｍｉｔｉｃ ａｃｉｄ）０．６ｍｍｏｌ（０．１５ｇ）、及び１－オクタデセン（ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。
２８０℃で加熱した後、トリス（トリメチルシリル）ホスフィン（ＴＭＳ３Ｐ）０．２ｍｍｏｌ（５８μｌ）及びトリオクチルホスフィン１．０ｍＬの混合溶液を素早く注入し、０．５分間反応させた。
インジウムアセテート（Ｉｎｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ）０．４ｍｍｏｌ（０．０５８ｇ）、パルミチン酸（ｐａｌｍｉｔｉｃ ａｃｉｄ）０．６ｍｍｏｌ（０．１５ｇ）、及び１－オクタデセン（ｏｃｔａｄｅｃｅｎｅ）２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。
２８０℃で加熱した後、トリス（トリメチルシリル）ホスフィン（ＴＭＳ３Ｐ）０．２ｍｍｏｌ（５８μｌ）及びトリオクチルホスフィン１．０ｍＬの混合溶液を素早く注入し、０．５分間反応させた。
【0208】
次いで、亜鉛アセテート２．４ｍｍｏｌ（０．４４８ｇ）、オレイン酸４．８ｍｍｏｌ、及びトリオクチルアミン２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を２８０℃に昇温させた。先に合成したＩｎＰコア溶液２ｍＬを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中のセレニウム（Ｓｅ／ＴＯＰ）４．８ｍｍｏｌを入れた後、最終混合物を２時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア－シェルを形成させた。
【0209】
次いで、亜鉛アセテート２．４ｍｍｏｌ（０．４４８ｇ）、オレイン酸４．８ｍｍｏｌ、及びトリオクチルアミン２０ｍＬを反応器に入れ、真空下、１２０℃で加熱した。１時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を２８０℃に昇温させた。先に合成したＩｎＰ／ＺｎＳｅコア－シェル溶液２ｍＬを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中の硫黄（Ｓ／ＴＯＰ）４．８ｍｍｏｌを入れた後、最終混合物を２時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳコア－シェル構造の量子ドットを得た。
【0210】
比較合成例３：配位子置換量子ドット（Ａ３０）の合成
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式ａで表される化合物（１－ドデカンチオール）を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
〔化学式ａ〕
ＣＨ３（ＣＨ２）１０ＣＨ２ＳＨ 。
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式ａで表される化合物（１－ドデカンチオール）を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
〔化学式ａ〕
ＣＨ３（ＣＨ２）１０ＣＨ２ＳＨ 。
【0211】
比較合成例４：配位子置換量子ドット（Ａ３１）の合成
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式ｂで表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
〔化学式ｂ〕
Ｈ２ＮＣＨ２（ＣＨ２）９ＣＨ２ＮＨ２ 。
合成例３で用いた配位子の代わりに、下記の化学式ｂで表される化合物を用いたことを除いては、合成例３と同様に実施した。
〔化学式ｂ〕
Ｈ２ＮＣＨ２（ＣＨ２）９ＣＨ２ＮＨ２ 。
【0212】
製造例１：散乱粒子分散液（Ｃ１）の製造
散乱粒子として粒径２１０ｎｍのＴｉＯ２（石原産業社製のＣＲ－６３）７０．０重量部、分散剤としてＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２００１（ＢＹＫ社製）４．０重量部、及び溶媒として１，６－ヘキサンジオールジアクリレート２６重量部をビーズミルにて１２時間混合及び分散して、散乱粒子分散液（Ｃ１）を製造した。
散乱粒子として粒径２１０ｎｍのＴｉＯ２（石原産業社製のＣＲ－６３）７０．０重量部、分散剤としてＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２００１（ＢＹＫ社製）４．０重量部、及び溶媒として１，６－ヘキサンジオールジアクリレート２６重量部をビーズミルにて１２時間混合及び分散して、散乱粒子分散液（Ｃ１）を製造した。
【0213】
実施例及び比較例：光変換インク組成物の製造
下記の表１～表４の組成でそれぞれの成分を混合して光変換インク組成物を製造した（重量％）。
下記の表１～表４の組成でそれぞれの成分を混合して光変換インク組成物を製造した（重量％）。
【0214】
【表1】
【0215】
【表2】
【0216】
【表3】
【0217】
【表4】
【0218】
Ａ１～Ａ３１：合成例１～２７及び比較合成例１～４で製造された量子ドット
Ｂ１：１，６－ヘキサンジオールジアクリレート（シグマアルドリッチ社製）
Ｃ１：反応性シリコン系界面活性剤 ＢＹＫ－ＵＶ３５７０（ＢＹＫ社製）
Ｃ２：反応性シリコン系界面活性剤 ＢＹＫ－ＵＶ３５３０（ＢＹＫ社製）
Ｃ３：フルオロ系界面活性剤 Ｆ－５５４（大日本インキ化学工業社製）
Ｃ４：非反応性シリコン系界面活性剤 ＳＨ８４００（東レシリコーン社製）
Ｄ１：製造例１で製造された散乱粒子分散液
Ｅ１：Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－０１（ＢＡＳＦ社製）
Ｆ１：Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＰ（住友化学社製）。
Ｂ１：１，６－ヘキサンジオールジアクリレート（シグマアルドリッチ社製）
Ｃ１：反応性シリコン系界面活性剤 ＢＹＫ－ＵＶ３５７０（ＢＹＫ社製）
Ｃ２：反応性シリコン系界面活性剤 ＢＹＫ－ＵＶ３５３０（ＢＹＫ社製）
Ｃ３：フルオロ系界面活性剤 Ｆ－５５４（大日本インキ化学工業社製）
Ｃ４：非反応性シリコン系界面活性剤 ＳＨ８４００（東レシリコーン社製）
Ｄ１：製造例１で製造された散乱粒子分散液
Ｅ１：Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－０１（ＢＡＳＦ社製）
Ｆ１：Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＧＰ（住友化学社製）。
【0219】
実験例：
前記実施例及び比較例で製造された光変換インク組成物を用いて下記のように光変換コーティング層を製造し、このときの膜厚、輝度、分散性、及び粘度を下記のような方法にて測定し、その結果を下記の表５～６に表した。
前記実施例及び比較例で製造された光変換インク組成物を用いて下記のように光変換コーティング層を製造し、このときの膜厚、輝度、分散性、及び粘度を下記のような方法にて測定し、その結果を下記の表５～６に表した。
【0220】
＜光変換コーティング層の製造＞
実施例及び比較例で製造されたそれぞれの光変換インク組成物をインクジェット方式で５ｃｍ×５ｃｍガラス基板の上に塗布した後、紫外線光源としてｇ、ｈ、ｉ線をいずれも含有する１ｋＷの高圧水銀灯を用いて１０００ｍＪ／ｃｍ２で照射後、１８０℃の加熱オーブンで３０分間加熱して、光変換コーティング層を製造した。
実施例及び比較例で製造されたそれぞれの光変換インク組成物をインクジェット方式で５ｃｍ×５ｃｍガラス基板の上に塗布した後、紫外線光源としてｇ、ｈ、ｉ線をいずれも含有する１ｋＷの高圧水銀灯を用いて１０００ｍＪ／ｃｍ２で照射後、１８０℃の加熱オーブンで３０分間加熱して、光変換コーティング層を製造した。
【0221】
（１）膜厚
前記で製造された光変換コーティング層の膜厚を、膜厚測定器（Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ、Ｖｅｃｃｏ社製）を用いて測定した。
前記で製造された光変換コーティング層の膜厚を、膜厚測定器（Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ、Ｖｅｃｃｏ社製）を用いて測定した。
【0222】
（２）輝度
前記で製造された光変換コーティング層を青色（ｂｌｕｅ）光源（ＸＬａｍｐ ＸＲ－Ｅ ＬＥＤ、Ｒｏｙａｌ ｂｌｕｅ ４５０、Ｃｒｅｅ社製）の上に位置させた後、輝度測定器（ＣＡＳ１４０ＣＴ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ ｓｙｓｔｅｍｓ社製）を用いて、青色光の照射時の輝度を測定した。
前記で製造された光変換コーティング層を青色（ｂｌｕｅ）光源（ＸＬａｍｐ ＸＲ－Ｅ ＬＥＤ、Ｒｏｙａｌ ｂｌｕｅ ４５０、Ｃｒｅｅ社製）の上に位置させた後、輝度測定器（ＣＡＳ１４０ＣＴ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ ｓｙｓｔｅｍｓ社製）を用いて、青色光の照射時の輝度を測定した。
【0223】
（３）分散性
前記光変換インク組成物の製造過程で、散乱粒子を投入する前の液状試料を目視にて確認して、下記の評価基準に従い評価した。
＜評価基準＞
○：透明な状態
×：混濁している状態。
前記光変換インク組成物の製造過程で、散乱粒子を投入する前の液状試料を目視にて確認して、下記の評価基準に従い評価した。
＜評価基準＞
○：透明な状態
×：混濁している状態。
【0224】
（４）密着性
前記で製造された光変換コーティング層の密着性はＴＱＣ社製のＣｒｏｓｓ Ｃｕｔ Ａｄｈｅｓｉｏｎ Ｔｅｓｔ ＣＣ１０００を用いて評価した。前記光変換コーティング層の表面に１ｍｍの間隔で横方向、縦方向にそれぞれ１１列の線を引いて全１００個の格子が生じるようにカッティングを行い、ＴＱＣ社製のテープ（ｔａｐｅ）を用いてカッティングした表面の密着性を評価した。このとき、密着性は下記の評価基準に従い評価した。
＜評価基準＞
○：９０個以上のパターンを維持
△：６０～８９個のパターンを維持
×：５９個以下のパターンを維持
前記で製造された光変換コーティング層の密着性はＴＱＣ社製のＣｒｏｓｓ Ｃｕｔ Ａｄｈｅｓｉｏｎ Ｔｅｓｔ ＣＣ１０００を用いて評価した。前記光変換コーティング層の表面に１ｍｍの間隔で横方向、縦方向にそれぞれ１１列の線を引いて全１００個の格子が生じるようにカッティングを行い、ＴＱＣ社製のテープ（ｔａｐｅ）を用いてカッティングした表面の密着性を評価した。このとき、密着性は下記の評価基準に従い評価した。
＜評価基準＞
○：９０個以上のパターンを維持
△：６０～８９個のパターンを維持
×：５９個以下のパターンを維持
【0225】
【表5】
【0226】
【表6】
【0227】
前記表５～表６に表したように、本発明に係るポリエチレングリコール系配位子を有する量子ドットと、界面活性剤として反応性シリコン系界面活性剤を含む、実施例１～３０の光変換インク組成物は、溶剤を実質的に含まなくても分散性に優れ且つ量子ドットの光特性に優れる１０μｍの厚膜を形成することができると共に塗膜の密着性が向上することを確認した。これに対し、本発明に係るポリエチレングリコール系配位子を有さない量子ドットを含む比較例１～２及び１３～１４と、界面活性剤として反応性シリコン系界面活性剤を含まない比較例３～１２の光変換インク組成物は、分散性、輝度、及び密着性を同時に確保し難いことを確認することができた。
【0228】
以上、本発明の特定の部分について詳しく記述したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、このような具体的な記述は単に好適な具現例であるに過ぎず、これらによって本発明の範囲が制限されるものではないことは明らかである。本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、前記内容を基に本発明の範疇内で種々の応用および変形を行うことが可能であろう。
【0229】
したがって、本発明の実質的な範囲は、特許請求の範囲とその等価物によって定義されると言えよう。