特許 7486233 半導体パッケージ製造工程用接着テープおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-09

(45)【発行日】2024-05-17

(54)【発明の名称】半導体パッケージ製造工程用接着テープおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   C09J 7/30 20180101AFI20240510BHJP

   C09J 7/28 20180101ALI20240510BHJP

   C09J 133/00 20060101ALI20240510BHJP

   C09J 183/04 20060101ALI20240510BHJP

   H01L 21/48 20060101ALI20240510BHJP

   B32B 3/24 20060101ALI20240510BHJP

   B32B 3/28 20060101ALI20240510BHJP

   B32B 15/08 20060101ALI20240510BHJP

   B32B 15/082 20060101ALI20240510BHJP

【ＦＩ】

C09J7/30

C09J7/28

C09J133/00

C09J183/04

H01L21/48

B32B3/24 Z

B32B3/28 Z

B32B15/08 N

B32B15/082 Z

【請求項の数】 14

(21)【出願番号】P 2022563029

(86)(22)【出願日】2021-05-14

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-07-20

(86)【国際出願番号】 KR2021006070

(87)【国際公開番号】W WO2021246680

(87)【国際公開日】2021-12-09

【審査請求日】2022-12-08

(31)【優先権主張番号】10-2020-0068064

(32)【優先日】2020-06-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】522404694

【氏名又は名称】モド テック カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110003801

【氏名又は名称】ＫＥＹ弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】チェ ビョンヨン

(72)【発明者】

【氏名】リ スンヨル

(72)【発明者】

【氏名】カン スクヒ

(72)【発明者】

【氏名】ユン ギョンジュ

【審査官】小久保 敦規

(56)【参考文献】

【文献】韓国公開特許第１０－２０１９－０００８１５０（ＫＲ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ０９Ｊ １／００ － ２０１／１０

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／４６３

Ｈ０１Ｌ ２１／５６

Ｈ０１Ｌ ２１／７８ － ２１／８０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の突出電極が形成された半導体パッケージの下面に付着される半導体パッケージ製造工程用接着テープにおいて、
第１ベースフィルムと、
前記第１ベースフィルムの上部に積層され、アクリル系共重合体を含む第１接着層と、
前記第１接着層の上部に積層され、前記半導体パッケージの下面のトポロジーに対応するように形態が変形された後、工程の間に変形された形態が維持されるように金属材質を含む第２ベースフィルムと、
前記第２ベースフィルムの上部に積層され、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含む第２接着層と、
を含み、
前記第１接着層は、
アクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－メタクリル酸メチル（Ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－スチレン（Ｓｔｙｒｅｎｅ）共重合体、およびアクリル酸（Ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－アクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸グリシジル（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）共重合体、の少なくとも１つ以上を含む半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項2】

前記第１ベースフィルムは、
プラスチック材質または金属材質を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項3】

前記第１ベースフィルムは、
ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、またはポリオレフィン（Ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎ）のいずれか１つの単一層または２以上が積層された多層構造に形成され、１０μｍ～１５０μｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項4】

前記第１ベースフィルムは、
少なくとも９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、４．８ｋｇｆ／ｍｍ２～１４．４ｋｇｆ／ｍｍ２の範囲の引張強度、６．４％～１９．２％の範囲の延伸率、および２０μｍ～８０μｍの範囲の厚さを有するか、少なくとも９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、８ｋｇｆ／ｍｍ２～３１．２ｋｇｆ／ｍｍ２の範囲の引張強度、３．２％～１４．４％の範囲の延伸率、および２０μｍ～８０μｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項5】

前記第１接着層は、
アクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－メタクリル酸メチル（Ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－スチレン（Ｓｔｙｒｅｎｅ）共重合体２５－３０重量部、酢酸エチル７０－７５重量部の第１接着組成物、およびアクリル酸（Ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－アクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸グリシジル（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）共重合体２５－３０重量部、トルエン５０－５５重量部、酢酸エチル１５－２０重量部の第２接着組成物、の少なくともいずれか１つ以上とエポキシ系硬化剤とを混合して前記第１ベースフィルムに塗布した後、乾燥および硬化して形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項6】

前記第１接着層は、
前記第１接着組成物８０－１２０重量部および前記エポキシ系硬化剤０．５－１．５重量部を混合して前記第１ベースフィルムに塗布した後、乾燥および硬化して形成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項7】

前記第１接着層は、
前記第１接着組成物４０－６０重量部、前記第２接着組成物４０－６０重量部、および前記エポキシ系硬化剤０．５－１．５重量部を混合して前記第１ベースフィルムに塗布した後、乾燥および硬化して形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項8】

前記第１接着層は、１００μｍ～７００μｍの範囲の厚さおよび少なくとも５００ｇｆ／２５ｍｍ以上の接着力を有し、
前記第２接着層は、１０μｍ～５０μｍの範囲の厚さおよび５０ｇｆ／２５ｍｍ～５００ｇｆ／２５ｍｍの範囲の接着力を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項9】

前記第１接着層は、前記突出電極のサイズが増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが減少し、前記突出電極間の間隔が増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが増加し、
前記第２接着層は、前記突出電極のサイズが増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが増加し、前記突出電極間の間隔が増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが減少することを特徴とする請求項８に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項10】

前記第２ベースフィルムは、
１μｍ～１０μｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項11】

前記第２ベースフィルムは、
少なくとも９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、４．８ｋｇｆ／ｍｍ２～１４．４ｋｇｆ／ｍｍ２の範囲の引張強度、６．４％～１９．２％の範囲の延伸率、および１０μｍ～３５μｍの範囲の厚さを有するか、少なくとも９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、８ｋｇｆ／ｍｍ２～３１．２ｋｇｆ／ｍｍ２の範囲の引張強度、３．２％～１４．４％の範囲の延伸率、および１０μｍ～３５μｍの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項12】

前記第２接着層は、
トリメチル化シリカ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｔｅｄ ｓｉｌｉｃａ）－ジメチルシロキサン（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）共重合体を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ製造工程用接着テープ。

【請求項13】

プラスチック材質または金属材質を含む第１ベースフィルム、アクリル系共重合体を含む第１接着層、およびフッ素を含む第１離型フィルムが順次に積層された第１テープと、金属材質を含む第２ベースフィルム、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含む第２接着層、およびフッ素を含む第２離型フィルムが順次に積層された第２テープとを製造する第１テープ準備ステップと、
前記第１テープから前記第１離型フィルムを除去し、前記第１接着層と前記第２ベースフィルムとを面接触させて前記第１テープと前記第２テープとを貼り合わせる第１テープ貼り合わせステップと、
を含む半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法。

【請求項14】

プラスチック材質または金属材質を含む第１ベースフィルム、アクリル系共重合体を含む第１接着層、およびフッ素を含む第１離型フィルムが順次に積層された第１テープと、第３離型フィルムに金属蒸着方式で第２ベースフィルムを形成した第３テープと、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含む第２接着層、およびフッ素を含む第２離型フィルムが順次に積層された第４テープとを製造する第２テープ準備ステップと、
前記第１テープから前記第１離型フィルムを除去した後、前記第１接着層と前記第３テープの前記第２ベースフィルムとを面接触させて前記第１テープと前記第３テープとを貼り合わせ、前記第３テープから前記第３離型フィルムを除去した後、第２ベースフィルムと前記第４テープの前記第２接着層とを面接触させて前記第３テープと前記第４テープとを貼り合わせる第２テープ貼り合わせステップと、
を含む半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体パッケージ製造工程用接着テープに関し、さらに詳しくは、半導体パッケージのＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）遮蔽層形成工程時、半導体パッケージの下面および半導体パッケージの下面に形成された複数の突出電極を効果的に保護するようにする半導体パッケージ製造工程用接着テープに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体パッケージにおける外部との端子接触を行う方式として、従来はＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）方式やリードフレーム（Ｌｅａｄ Ｆｒａｍｅ）方式が多く使用されていたが、最近はＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）方式が多く使用されている。

【0003】

ＢＧＡ方式は、半導体パッケージの底面に突出形成される数多くの突出電極、すなわち、はんだボール（Ｓｏｌｄｅｒ Ｂａｌｌ）を用いて外部との端子接触を達成することにより、従来のＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）方式やリードフレーム（Ｌｅａｄ Ｆｒａｍｅ）方式よりも多くの信号伝達を可能にした。

【0004】

ＢＧＡ方式は、このような特性によって、次世代高速メモリの主力パッケージタイプとして使用されており、移動電話やデジタルカメラなどの携帯型情報通信機器に限られていたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の使用分野を、ＰＣやワークステーションなどのコンピュータ領域にまで広げている。

【0005】

一方、移動電話のようなモバイル分野では、端末の携帯性を増進させるために端末の大きさを低減する必要性が大きくなっており、これにより、端末の大きさを低減するためには、相対的に端末に占める比重が大きいＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）の大きさを低減する必要性が大きくなっている。

【0006】

しかし、ＰＣＢの大きさが減少するとＰＣＢに含まれている半導体素子間の間隔が狭くなり、半導体素子相互間の電磁波干渉によるエラーが発生するしかない。このような素子間の電磁波干渉を抑制するために、素子遮蔽用キャップ（ＣＡＰ）を被せる方法や、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）スパッタリング技術によって素子の外面に遮蔽用金属コーティングを形成する技術が開発および導入されている。このうち、スパッタリングによる遮蔽用金属コーティング技術は、スパッタリング工程により半導体素子の接続端子を除いた残りの外面に電磁波遮蔽のための金属薄膜を形成することをいう。

【0007】

これに関連して、ＢＧＡタイプの半導体パッケージの電磁波遮蔽のためのスパッタリング工程時、接続端子に影響を与えないようにする方法に関連する先行技術としては、韓国登録特許第１０－１５０１７３５号公報（特許文献１）および韓国登録特許第１０－１６６２０６８号公報（特許文献２）が開示された。

【0008】

特許文献１は、半導体パッケージのＥＭＩシールド処理工法に関し、フレームの下面にテープの端を付着してフレームの内周にテープを形成させるテープ付着ステップと、前記テープにホールを一定間隔で形成させるテープカッティングステップと、半導体パッケージの下面に形成されたバンプがテープのホールに挟まれるように半導体パッケージの下面端をテープの上面に配置して前記半導体パッケージをテープの上面に一定間隔で接着設置する半導体パッケージ接着設置ステップと、前記テープの上部でコーティング作業してテープの上面に接着された半導体パッケージとテープの上面をコーティング処理するコーティングステップとで構成されて、半導体パッケージの下面を除いた５面コーティングが行われることを特徴とする。

【0009】

しかし、特許文献１に開示された技術の場合、テープにホールを一定間隔で形成させるテープカッティングステップに過度の費用が発生する恐れがあり、半導体パッケージ接着設置ステップで半導体パッケージをテープのホールに正確に配置できなければ、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）スパッタリングによる遮蔽用金属コーティング時に薄膜が不良に蒸着される問題点がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【文献】韓国登録特許第１０－１５０１７３５号公報（２０１５．０３．０５．登録）

【文献】韓国登録特許第１０－１６６２０６８号公報（２０１６．０９．２７．登録）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

前述した問題点を解消するにあたり、本発明の目的は、接着特性、保持特性、分離特性、および応力特性に優れ、複数の突出電極を備えた半導体パッケージのＥＭＩ遮蔽層形成工程時、半導体パッケージの下面および半導体パッケージの下面に形成された複数の突出電極を効果的に保護するようにする半導体パッケージ製造工程用接着テープを提供することである。

【0012】

また、本発明の目的は、第１ベースフィルムがプラスチック材質または金属材質を含むことにより、ＥＭＩ遮蔽層形成工程時、複数の突出電極が形成された半導体パッケージの下面のトポロジーに対応して応力バランスを効果的に維持するようにし、半導体パッケージ製造工程用接着テープに要求される応力特性を容易に確保するようにする半導体パッケージ製造工程用接着テープを提供することである。

【0013】

また、本発明の目的は、第１接着層がアクリル系共重合体を含むことにより、高温で優れた耐熱性を有して脱気現象を減少させ、金属材質の第２ベースフィルムの形態変形を適切に裏打ちして第２ベースフィルムが破れるのを防止すると同時に、第２ベースフィルムに破れが発生しても第２ベースフィルムをうまく包み込んで複数の突出電極を効果的に保護し、第１接着層が第２接着層より強い接着力を有し、ＥＭＩ遮蔽層形成工程の完了後、半導体パッケージから接着テープを分離する時、第２接着層で分離が起こるようにする半導体パッケージ製造工程用接着テープを提供することである。

【0014】

また、本発明の目的は、第２ベースフィルムが金属材質を含むことにより、第１接着層で発生しうる気泡が第２接着層に伝達されるのを防止させ、十分な保持特性によって、半導体パッケージの下面に付着時、半導体パッケージの下面のトポロジーに対応するように形態が変形された後、工程の間に変形された形態を維持できるようにする半導体パッケージ製造工程用接着テープを提供することである。

【0015】

これとともに、本発明の目的は、第２接着層が螺旋形網状構造を有するシリコーンを含むことにより、半導体パッケージの下面と突出電極との接する領域で半導体パッケージと接着テープとの間に十分な接着特性を付与し、空隙が発生しても真空状態の製造工程の間に空隙が過度に膨張するのを防止するようにする半導体パッケージ製造工程用接着テープを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0016】

本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープは、複数の突出電極が形成された半導体パッケージの下面に付着される半導体パッケージ製造工程用接着テープにおいて、第１ベースフィルムと、前記第１ベースフィルムの上部に積層され、アクリル系共重合体を含む第１接着層と、前記第１接着層の上部に積層され、前記半導体パッケージの下面のトポロジーに対応するように形態が変形された後、工程の間に変形された形態が維持されるように金属材質を含む第２ベースフィルムと、前記第２ベースフィルムの上部に積層され、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含む第２接着層と、を含んで構成される。

【0017】

この場合、前記第１ベースフィルムは、プラスチック材質または金属材質を含むことが好ましい。

【0018】

この時、前記第１ベースフィルムは、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、またはポリオレフィン（Ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎ）のいずれか１つの単一層または２以上が積層された多層構造に形成され、１０μｍ～１５０μｍの範囲の厚さを有することが好ましい。

【0019】

また、前記第１ベースフィルムは、少なくとも９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、４．８ｋｇｆ／ｍｍ^２～１４．４ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度、６．４％～１９．２％の範囲の延伸率、および２０μｍ～８０μｍの範囲の厚さを有するか、少なくとも９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、８ｋｇｆ／ｍｍ^２～３１．２ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度、３．２％～１４．４％の範囲の延伸率、および２０μｍ～８０μｍの範囲の厚さを有することが好ましい。

【0020】

一方、前記第１接着層は、アクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－メタクリル酸メチル（Ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－スチレン（Ｓｔｙｒｅｎｅ）共重合体、およびアクリル酸（Ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－アクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸グリシジル（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）共重合体、の少なくとも１つ以上を含むことが好ましい。

【0021】

この場合、前記第１接着層は、アクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－メタクリル酸メチル（Ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－スチレン（Ｓｔｙｒｅｎｅ）共重合体２５－３０重量部、酢酸エチル７０－７５重量部の第１接着組成物、およびアクリル酸（Ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－アクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸グリシジル（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）共重合体２５－３０重量部、トルエン５０－５５重量部、酢酸エチル１５－２０重量部の第２接着組成物、の少なくともいずれか１つ以上とエポキシ系硬化剤とを混合して前記第１ベースフィルムに塗布した後、乾燥および硬化して形成されることが好ましい。

【0022】

この場合、前記第１接着層は、前記第１接着組成物８０－１２０重量部および前記エポキシ系硬化剤０．５－１．５重量部を混合して前記第１ベースフィルムに塗布した後、乾燥および硬化して形成されることが好ましい。

【0023】

また、前記第１接着層は、前記第１接着組成物４０－６０重量部、前記第２接着組成物４０－６０重量部、および前記エポキシ系硬化剤０．５－１．５重量部を混合して前記第１ベースフィルムに塗布した後、乾燥および硬化して形成されることが好ましい。

【0024】

一方、前記第１接着層は、１００μｍ～７００μｍの範囲の厚さおよび少なくとも５００ｇｆ／２５ｍｍ以上の接着力を有し、前記第２接着層は、１０μｍ～５０μｍの範囲の厚さおよび５０ｇｆ／２５ｍｍ～５００ｇｆ／２５ｍｍの範囲の接着力を有することが好ましい。

【0025】

この場合、前記第１接着層は、前記突出電極のサイズが増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが減少し、前記突出電極間の間隔が増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが増加し、前記第２接着層は、前記突出電極のサイズが増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが増加し、前記突出電極間の間隔が増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが減少することが好ましい。

【0026】

一方、前記第２ベースフィルムは、１μｍ～１０μｍの範囲の厚さを有することが好ましい。

【0027】

一方、前記第２ベースフィルムは、少なくとも９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、４．８ｋｇｆ／ｍｍ^２～１４．４ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度、６．４％～１９．２％の範囲の延伸率、および１０μｍ～３５μｍの範囲の厚さを有するか、少なくとも９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、８ｋｇｆ／ｍｍ^２～３１．２ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度、３．２％～１４．４％の範囲の延伸率、および１０μｍ～３５μｍの範囲の厚さを有することが好ましい。

【0028】

一方、前記第２接着層は、トリメチル化シリカ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｔｅｄ ｓｉｌｉｃａ）－ジメチルシロキサン（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）共重合体を含むことが好ましい。

【0029】

一方、本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法は、プラスチック材質または金属材質を含む第１ベースフィルム、アクリル系共重合体を含む第１接着層、およびフッ素を含む第１離型フィルムが順次に積層された第１テープと、金属材質を含む第２ベースフィルム、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含む第２接着層、およびフッ素を含む第２離型フィルムが順次に積層された第２テープとを製造する第１テープ準備ステップと、前記第１テープから前記第１離型フィルムを除去し、前記第１接着層と前記第２ベースフィルムとを面接触させて前記第１テープと前記第２テープとを貼り合わせる第１テープ貼り合わせステップと、を含んで構成される。

【0030】

一方、本発明の他の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法は、プラスチック材質または金属材質を含む第１ベースフィルム、アクリル系共重合体を含む第１接着層、およびフッ素を含む第１離型フィルムが順次に積層された第１テープと、第３離型フィルムに金属蒸着方式で第２ベースフィルムを形成した第３テープと、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含む第２接着層、およびフッ素を含む第２離型フィルムが順次に積層された第４テープとを製造する第２テープ準備ステップと、前記第１テープから前記第１離型フィルムを除去した後、前記第１接着層と前記第３テープの前記第２ベースフィルムとを面接触させて前記第１テープと前記第３テープとを貼り合わせ、前記第３テープから前記第３離型フィルムを除去した後、第２ベースフィルムと前記第４テープの前記第２接着層とを面接触させて前記第３テープと前記第４テープとを貼り合わせる第２テープ貼り合わせステップと、を含んで構成される。

【発明の効果】

【0031】

上述のように、本発明による半導体パッケージ製造工程用接着テープは、接着特性、保持特性、分離特性、および応力特性に優れ、複数の突出電極を備えた半導体パッケージのＥＭＩ遮蔽層形成工程時、半導体パッケージの下面および半導体パッケージの下面に形成された複数の突出電極を効果的に保護するようにする。

【0032】

また、本発明による半導体パッケージ製造工程用接着テープは、第１ベースフィルムがプラスチック材質または金属材質を含むことにより、ＥＭＩ遮蔽層形成工程時、複数の突出電極が形成された半導体パッケージの下面のトポロジーに対応して応力バランスを効果的に維持するようにし、半導体パッケージ製造工程用接着テープに要求される応力特性を容易に確保するようにする。

【0033】

また、本発明による半導体パッケージ製造工程用接着テープは、第１接着層がアクリル系共重合体を含むことにより、高温で優れた耐熱性を有して脱気現象を減少させ、金属材質の第２ベースフィルムの形態変形を適切に裏打ちして第２ベースフィルムが破れるのを防止すると同時に、第２ベースフィルムに破れが発生しても第２ベースフィルムをうまく包み込んで複数の突出電極を効果的に保護し、第１接着層が第２接着層より強い接着力を有し、ＥＭＩ遮蔽層形成工程の完了後、半導体パッケージから接着テープを分離する時、第２接着層で分離が起こるようにする。

【0034】

また、本発明による半導体パッケージ製造工程用接着テープは、第２ベースフィルムが金属材質を含むことにより、第１接着層で発生しうる気泡が第２接着層に伝達されるのを防止させ、十分な保持特性によって、半導体パッケージの下面に付着時、半導体パッケージの下面のトポロジーに対応するように形態が変形された後、工程の間に変形された形態を維持できるようにする。

【0035】

これとともに、本発明による半導体パッケージ製造工程用接着テープは、第２接着層が螺旋形網状構造を有するシリコーンを含むことにより、半導体パッケージの下面と突出電極との接する領域で半導体パッケージと接着テープとの間に十分な接着特性を付与し、空隙が発生しても真空状態の製造工程の間に空隙が過度に膨張するのを防止するようにする。

【図面の簡単な説明】

【0036】

【図1】本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの断面形状を示す図である。

【図2】図１に示された半導体パッケージ製造工程用接着テープから第２離型フィルムを除去した後、半導体パッケージの下面に接着させた断面形状を示す図である。

【図3】本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法を説明するためのフローチャートである。

【図4】本発明の第１実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法を説明するための図である。

【図5】本発明の第２実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0037】

本発明において、添付した図面は、従来技術との差別性および明瞭性、そして技術把握の便宜のために誇張された表現で示されている。また、後述する用語は本発明における機能を考慮して定義された用語であって、使用者、運用者の意図または慣例によって異なるので、これらの用語に対する定義は本明細書全般にわたる技術的内容に基づいて行われなければならない。一方、実施例は本発明の特許請求の範囲に提示された構成要素の例示的事項に過ぎず、本発明の権利範囲を限定するのではなく、権利範囲は本発明の明細書全般にわたる技術的思想に基づいて解釈されなければならない。

【0038】

図１は、本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの断面形状を示す図であり、図２は、図１に示された半導体パッケージ製造工程用接着テープから第２離型フィルムを除去した後、半導体パッケージの下面に接着させた断面形状を示す図であり、図３は、本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法を説明するためのフローチャートであり、図４は、本発明の第１実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法を説明するための図であり、図５は、本発明の第２実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法を説明するための図である。

【0039】

本発明の実施例を詳述するに先立ち、通常、ＥＭＩ遮蔽層形成工程時に用いられる半導体パッケージ製造工程用接着テープは、接着特性（Ａｄｈｅｓｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）、保持特性（Ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）、分離特性（Ｒｅｍｏｖｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）、および応力特性（Ｓｔｒｅｓｓ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）を確保する必要性がある。

【0040】

まず、接着特性（Ａｄｈｅｓｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）の面で説明すれば、接着テープのベースフィルムおよび接着層は、半導体パッケージの下面と突出電極との接する領域で空隙（Ａｉｒ ｇａｐ）が発生しないように、突出電極のサイズ（例えば、直径または高さ）に関係なく突出電極および突出電極を含む半導体パッケージの下面のトポロジー（Ｔｏｐｏｌｏｇｙ）に対応して接着および密着が可能でなければならない。これとともに、接着テープは、ＥＭＩ遮蔽層を形成するための工程環境、例えば、高温および高真空の環境で突出電極を押し出さずにきちんと付いていなければならない。すなわち、接着テープは、ＥＭＩ遮蔽層形成工程環境でも接着能力および密着能力を持続的に維持できなければならない。

【0041】

次に、保持特性（Ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）の面で説明すれば、接着テープは、ＥＭＩ遮蔽層形成工程条件下、自己変性や、変形、変色、およびアウトガス（Ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）なしに元の形態を維持すると同時に、工程の間にガスおよびパーティクルが接着テープと半導体パッケージ接着面との間に侵入するのを防止できるように接着能力および密閉能力を維持できなければならない。これとともに、接着テープは、ＥＭＩ遮蔽層形成工程時、半導体パッケージの下面と突出電極との接する領域で空隙が発生する場合、工程の間（特に、高真空環境の工程時）に空隙が過度に膨張するのを防止できなければならない。

【0042】

次に、分離特性（Ｒｅｍｏｖｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）の面で説明すれば、接着テープは、ＥＭＩ遮蔽層形成工程を完了した後、常温および大気圧の状態で半導体パッケージから分離する時、少ない力でも容易に分離されると同時に、半導体パッケージの下面および突出電極の表面に接着物質が残留してはならない。特に、接着テープは、接着テープから半導体パッケージ（またはチップ）を自動的に分離する自動化設備により半導体パッケージ（またはチップ）を容易に分離できる接着力を備えなければならず、自動化設備で用いられる真空チャック（Ｖａｃｕｕｍ ｃｈｕｃｋ）またはリフトピン（Ｌｉｆｔ ｐｉｎ）によって穴が生じたり破れてはならない。通常、接着テープから半導体パッケージ（または半導体チップ）を自動的に分離する自動化設備の最大に耐えられる張力は５００ｇｆ／２５ｍｍ前後であるため、接着テープは、これより低い接着力を有することが、分離特性の面で好ましいといえる。

【0043】

そして、応力特性（Ｓｔｒｅｓｓ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）の面で説明すれば、接着テープは、ＥＭＩ遮蔽層形成工程時、接着テープ上に複数の半導体パッケージ、すなわち複数の半導体チップが載置および接着されるため、隣接した半導体チップ間の間隔を一定に維持した状態でＥＭＩ遮蔽層形成工程を進行できるように適正水準の引張応力および圧縮応力を確保しなければならない。すなわち、接着テープは、ピンと張った状態を安定的に維持すると同時に、突出電極を含む半導体パッケージの下面のトポロジーに対応して応力バランス（Ｓｔｒｅｓｓ ｂａｌａｎｃｅ）を維持できなければならない。

【0044】

図１および図２を参照すれば、本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００は、複数の突出電極１１が形成された半導体パッケージ１０の下面に付着される半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００に関する。

【0045】

本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００は、前述のように、ＥＭＩ遮蔽層形成工程時に要求される接着特性（Ａｄｈｅｓｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）、保持特性（Ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）、分離特性（Ｒｅｍｏｖｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）、および応力特性（Ｓｔｒｅｓｓ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）を確保するために創出されたものである。

【0046】

まず、本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００は、第１ベースフィルム１１１と、第１接着層１１２と、第２ベースフィルム１２１と、第２接着層１２２とを含んで構成される。

【0047】

この場合、本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００は、第２離型フィルム１２３をさらに含むことができるが、前記第２離型フィルム１２３については、本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープの製造方法でより詳しく説明する。

【0048】

前記第１ベースフィルム１１１は、プラスチック材質または金属材質を含む。

【0049】

この場合、プラスチック材質の前記第１ベースフィルム１１１は、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、またはポリオレフィン（Ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎ）のいずれか１つの単一層または２以上が積層された多層構造に形成される。

【0050】

この時、前記第１ベースフィルム１１１は、１０μｍ～１５０μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第１ベースフィルム１１１は、その厚さが１０μｍ未満の場合には、使用者が本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００をハンドリングすることが非常に難しく、その厚さが１５０μｍ超過の場合には、前記突出電極１１が形成された前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して応力バランスを維持しにくいことがある。

【0051】

一方、金属材質の前記第１ベースフィルム１１１は、少なくとも９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、４．８ｋｇｆ／ｍｍ^２～１４．４ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度、６．４％～１９．２％の範囲の延伸率、および２０μｍ～８０μｍの範囲の厚さを有するか、少なくとも９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、８ｋｇｆ／ｍｍ^２～３１．２ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度、３．２％～１４．４％の範囲の延伸率、および２０μｍ～８０μｍの範囲の厚さを有することが好ましい。

【0052】

この場合、前記第１ベースフィルム１１１は、９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）または９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、かつ、前述した引張強度範囲および延伸率範囲を満足するために、１ｗｔ％以下の添加物を含むことができる。添加物は、シリコン（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、およびチタン（Ｔｉ）からなる群より選択されたいずれか１つまたは２以上を含むことができる。

【0053】

一方、前記第１ベースフィルム１１１が９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、かつ、４．８ｋｇｆ／ｍｍ^２～１４．４ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度を満足しなければならない理由は、引張強度が４．８ｋｇｆ／ｍｍ^２未満の場合には、前記半導体パッケージ１０の製造工程の間に弛むことなくピンと張った状態を安定的に維持できない現象が発生することがあり、引張強度が１４．４ｋｇｆ／ｍｍ^２超過の場合には、前記突出電極１１が形成された前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して応力バランスを維持できないからである。

【0054】

また、前記第１ベースフィルム１１１が９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、かつ、６．４％～１９．２％の範囲の延伸率を満足しなければならない理由は、延伸率が６．４％未満の場合には、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して前記第１ベースフィルム１１１の形態変形が難しく、延伸率が１９．２％超過の場合には、工程の間に前記第１ベースフィルム１１１が変形された形態を持続的に維持しにくいからである。

【0055】

一方、前記第１ベースフィルム１１１が９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、かつ、８ｋｇｆ／ｍｍ^２～３１．２ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度を満足しなければならない理由は、引張強度が８ｋｇｆ／ｍｍ^２未満の場合には、前記半導体パッケージ１０の製造工程の間に弛むことなくピンと張った状態を安定的に維持できない現象が発生することがあり、引張強度が３１．２ｋｇｆ／ｍｍ^２超過の場合には、前記突出電極１１が形成された前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して応力バランスを維持できないからである。

【0056】

また、前記第１ベースフィルム１１１が９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、かつ、３．２％～１４．４％の範囲の延伸率を満足しなければならない理由は、延伸率が３．２％未満の場合には、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して前記第１ベースフィルム１１１の形態変形が難しく、延伸率が１４．４％超過の場合には、工程の間に前記第１ベースフィルム１１１が変形された形態を持続的に維持しにくいからである。

【0057】

一方、金属材質の前記第１ベースフィルム１１１は、２０μｍ～８０μｍの範囲の厚さを有することができる。前記第１ベースフィルム１１１は、その厚さが２０μｍ未満の場合には、使用者が本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００をハンドリングすることが非常に難しく、その厚さが８０μｍ超過の場合には、前記突出電極１１が形成された前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して応力バランスを維持しにくいことがある。

【0058】

前記第１ベースフィルム１１１は、このような材質と構造に形成されることにより、ＥＭＩ遮蔽層形成工程時、前記突出電極１１が形成された前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して応力バランスを効果的に維持するようにし、半導体パッケージ製造工程用接着テープに要求される応力特性を容易に確保するようにする。すなわち、前記第１ベースフィルム１１１は、このような材質と構造に形成されることにより、前記半導体パッケージ１０の製造工程の間に弛むことなくピンと張った状態を安定的に維持すると同時に、前記突出電極１１が形成された前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して応力バランスを維持することができ、高温および高真空の環境で変性および変形が小さく発生する特性を有する。これとともに、前記第１ベースフィルム１１１は、プラスチック材質または金属材質を含むことにより、外部に存在する気泡（ガス、パーティクル）が前記第１接着層１１２に伝達されるのを防止する。

【0059】

前記第１接着層１１２は、前記第１ベースフィルム１１１の上部に積層され、アクリル系共重合体を含む。

【0060】

前記第１接着層１１２は、前記第２接着層１２２より厚い厚さを有し、前記第２接着層１２２の接着力より強い接着力を有することが好ましい。より詳しくは、前記第１接着層１１２は、１００μｍ～７００μｍの範囲の厚さおよび少なくとも５００ｇｆ／２５ｍｍ以上の接着力を有することができる。すなわち、前記第１接着層１１２は、前記突出電極１１を内部に含浸できるように１００μｍ～７００μｍの範囲の厚さおよび少なくとも５００ｇｆ／２５ｍｍ以上の接着力、例えば、５００ｇｆ／２５ｍｍ～２５００ｇｆ／２５ｍｍの範囲の接着力を有することができる。

【0061】

ここで、前記第１接着層１１２は、その厚さが１００μｍ未満の場合には、前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００に前記突出電極１１を含浸して、工程の間に前記突出電極１１に対するクッション感を提供する能力が低下することがあり、その厚さが７００μｍを超える場合には、前記半導体パッケージ１０の下面と前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００との間の接着能力、密閉能力、および保持特性が低下することがある。

【0062】

そして、前記第１接着層１１２は、その接着力が５００ｇｆ／２５ｍｍ未満の場合には、前記半導体パッケージ１０から前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００を除去する時、前記第１接着層１１２から剥離が発生する不良が発生することがあり、その接着力が２５００ｇｆ／２５ｍｍ超過の場合には、前記第１接着層１１２の接着力がその厚さに比例する特性を有するため、前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００に要求される前記第１接着層１１２の厚さを実現するのに困難が発生することがある。

【0063】

材質の面において、前記第１接着層１１２は、アクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－メタクリル酸メチル（Ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－スチレン（Ｓｔｙｒｅｎｅ）共重合体、およびアクリル酸（Ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－アクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸グリシジル（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）共重合体、の少なくとも１つ以上を含むことが好ましい。この時、２種類のアクリル系共重合体において各単量体の結合順序は変更可能であり、結合方式は、交互共重合体（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、ブロック共重合体（Ｂｌｏｃｋ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、ランダム共重合体（Ｒａｎｄｏｍ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、アイソタクチック共重合体（Ｉｓｏｔａｃｔｉｃ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、シンジオタクチック共重合体（Ｓｙｎｄｉｏｔａｃｔｉｃ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、アタクチック共重合体（Ａｔａｃｔｉｃ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）などを有することができ、特定の結合方式に限定されるものではない。

【0064】

一方、前記第１接着層１１２は、アクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－メタクリル酸メチル（Ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－スチレン（Ｓｔｙｒｅｎｅ）共重合体２５－３０重量部、酢酸エチル７０－７５重量部の第１接着組成物、アクリル酸（Ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－アクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸グリシジル（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）共重合体２５－３０重量部、トルエン５０－５５重量部、酢酸エチル１５－２０重量部の第２接着組成物、の少なくともいずれか１つ以上とエポキシ系硬化剤とを混合して前記第１ベースフィルム１１１に塗布した後、乾燥および硬化して形成されることが好ましい。

【0065】

この場合、前記第１接着層１１２は、前記第１接着組成物の接着主剤であるアクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－メタクリル酸メチル（Ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－スチレン（Ｓｔｙｒｅｎｅ）共重合体が２５重量部未満であれば、接着力と耐熱性が低下すると同時に、過度に柔らかくなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記第２ベースフィルム１２１が破れる問題点を発生させ、３０重量部超過であれば、過度に硬くなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応するように形態が変形されにくく、変形された後にも膨張によって変形された形態の独自の維持が難しい問題点を発生させる。

【0066】

また、前記第１接着層１１２は、前記第１接着組成物の溶媒である酢酸エチルが７０重量部未満であれば、前記第１接着組成物の粘度が過度に高くなって前記第２接着組成物および前記エポキシ系硬化剤との混合が難しくなるだけでなく、塗布する過程で前記第１接着層１１２の表面が粗くなると同時に、乾燥および硬化する過程で脱気現象が多く発生して前記第１接着層１１２の特性が低下する問題点を発生させ、７５重量部超過であれば、前記第１接着組成物の粘度が過度に低くなるため、塗布する過程で前記第１接着層１１２を十分な厚さに形成しにくくて前記第１接着層１１２のクッション特性が低下する問題点を発生させる。

【0067】

また、前記第１接着層１１２は、前記第２接着組成物の接着主剤であるアクリル酸（Ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－アクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸グリシジル（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）共重合体が２５重量部未満であれば、接着力と耐熱性が低下すると同時に、過度に柔らかくなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記第２ベースフィルム１２１が破れる問題点を発生させ、３０重量部超過であれば、過度に硬くなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応するように形態が変形されにくく、変形された後にも膨張によって変形された形態の独自の維持が難しい問題点を発生させる。

【0068】

また、前記第１接着層１１２は、前記第２接着組成物の溶媒であるトルエンと酢酸エチルとの合計が６５重量部未満であれば、前記第２接着組成物の粘度が過度に高くなって前記第１接着組成物および前記エポキシ系硬化剤との混合が難しくなるだけでなく、塗布する過程で前記第１接着層１１２の表面が粗くなると同時に、乾燥および硬化する過程で脱気現象が多く発生して前記第１接着層１１２の特性が低下する問題点を発生させ、７５重量部超過であれば、前記第２接着組成物の粘度が過度に低くなるため、塗布する過程で前記第１接着層１１２を十分な厚さに形成しにくくて前記第１接着層１１２のクッション特性が低下する問題点を発生させる。

【0069】

一方、前記第１接着層１１２は、前記第１接着組成物８０－１２０重量部および前記エポキシ系硬化剤０．５－１．５重量部を混合して前記第１ベースフィルム１１１に塗布した後、乾燥および硬化して形成されることが好ましい。

【0070】

この場合、前記第１接着層１１２は、前記第１接着組成物が８０重量部未満であれば、接着力と耐熱性が低下すると同時に、過度に硬くなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応するように形態が変形されにくい問題点を発生させ、１２０重量部超過であれば、過度に柔らかくなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記第２ベースフィルム１２１が破れる問題点を発生させる。

【0071】

また、前記第１接着層１１２は、前記エポキシ系硬化剤が０．５重量部未満であれば、十分な硬化が行われず、過度に柔らかくなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記第２ベースフィルム１２１が破れる問題点を発生させ、１．５重量部超過であれば、過度に硬くなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応するように形態が変形されにくい問題点を発生させる。

【0072】

一方、前記第１接着層１１２は、前記第１接着組成物４０－６０重量部、前記第２接着組成物４０－６０重量部、および前記エポキシ系硬化剤０．５－１．５重量部を混合して前記第１ベースフィルム１１１に塗布した後、乾燥および硬化して形成されることがより好ましい。

【0073】

この場合、前記第１接着層１１２は、前記第１接着組成物と前記第２接着組成物がそれぞれ４０重量部未満であれば、接着力と耐熱性が低下すると同時に、過度に硬くなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応するように形態が変形されにくい問題点を発生させ、６０重量部超過であれば、過度に柔らかくなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記第２ベースフィルム１２１が破れる問題点を発生させる。

【0074】

また、前記第１接着層１１２は、前記エポキシ系硬化剤が０．５重量部未満であれば、十分な硬化が行われず、過度に柔らかくなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記第２ベースフィルム１２１が破れる問題点を発生させ、１．５重量部超過であれば、過度に硬くなってクッションの役割の実行が不十分になることにより、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応するように形態が変形されにくい問題点を発生させる。

【0075】

前記第１接着層１１２は、保持特性に関連して、材質特性によって高温で優れた耐熱性を有して脱気現象を減少させ、金属材質の前記第２ベースフィルム１２１の形態変形を適切に裏打ちして前記第２ベースフィルム１２１が破れるのを防止すると同時に、前記第２ベースフィルム１２１に破れが発生してもこれをうまく包み込んで前記突出電極１１を効果的に保護するようにする。

【0076】

また、前記第１接着層１１２は、分離特性に関連して、前記第２接着層１２２より強い接着力を有するので、ＥＭＩ遮蔽層形成工程の完了後、前記半導体パッケージ１０から前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００を分離する時、前記第２接着層１２２で分離が起こるようにする。

【0077】

一方、前記第１接着層１１２は、１００μｍ～７００μｍの範囲の厚さを有し、かつ、前記突出電極１１のサイズが増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが減少し、前記突出電極１１間の間隔が増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが増加することが好ましい。

【0078】

前記突出電極１１のサイズが増加するほど設定された厚さ範囲内で前記第１接着層１１２の厚さが減少する理由は、同一環境で前記第２接着層１２２の厚さが増加するので、前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の全体厚さを一定に維持しつつ、前記半導体パッケージ１０製造工程で要求される前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の接着特性、分離特性、保持特性、および応力特性を一定に維持するためである。

【0079】

また、前記突出電極１１間の間隔が増加するほど設定された厚さ範囲内で前記第１接着層１１２の厚さが増加する理由は、同一環境で前記第２接着層１２２の厚さが減少するので、前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の全体厚さを一定に維持しつつ、前記半導体パッケージ１０製造工程で要求される前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の接着特性、分離特性、保持特性、および応力特性を一定に維持するためである。特に、前記突出電極１１間の間隔が増加する場合、前記第２接着層１２２と接着する前記半導体パッケージ１０の下面の面積が増加して、ＥＭＩ遮蔽層形成工程後、前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００が容易に除去されなかったり、前記半導体パッケージ１０の下面に接着物質が残留したりする問題が発生する可能性が大きいので、前記第２接着層１２２の厚さを減少させて前記半導体パッケージ１０の下面との接着力を低下させる。

【0080】

前記第２ベースフィルム１２１は、前記第１接着層１１２の上部に積層され、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応するように形態が変形された後、工程の間に変形された形態が維持されるように金属材質を含む。

【0081】

前記第２ベースフィルム１２１は、一実施例として、１μｍ～１０μｍの範囲の厚さを有することが好ましい。これは、前記第２ベースフィルム１２１の厚さが１μｍ未満の場合には、使用者が前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００をハンドリングすることが非常に難しいだけでなく、変形された形態の維持が難しく、前記第２ベースフィルム１２１の厚さが１０μｍ超過の場合には、前記突出電極１１が形成された半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して形態変形が難しく、応力バランスを維持しにくいことがあるからである。このような範囲の厚さは、後述する他の実施例とは異なり、前記突出電極１１の大きさが大きい場合に有利である。

【0082】

例えば、前記第２ベースフィルム１２１は、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）を離型フィルムに金属蒸着方式で蒸着させて金属蒸着の転写フィルム形態に製造された後、前記第１接着層１１２に貼り合わされる。これについては、本発明の第２実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の製造方法Ｓ１００に関する説明部分でより詳しく説明する。

【0083】

一方、前記第２ベースフィルム１２１は、少なくとも９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、４．８ｋｇｆ／ｍｍ^２～１４．４ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度（Ｔｅｎｓｉｌｅ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）、６．４％～１９．２％の範囲の延伸率（Ｅｌｏｎｇａｔｉｏｎ）、および１０μｍ～３５μｍの範囲の厚さを有するか、少なくとも９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、８ｋｇｆ／ｍｍ^２～３１．２ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度、３．２％～１４．４％の範囲の延伸率、および１０μｍ～３５μｍの範囲の厚さを有することが好ましい。

【0084】

より詳しくは、前記第２ベースフィルム１２１は、前記半導体パッケージ１０の製造工程時、前記突出電極１１が形成された半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応するように形態が変形された後、変形された形態を独自に維持することができ、高温および高真空の環境で変性および変形が発生しないように９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）または９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含むことができる。

【0085】

この場合、前記第２ベースフィルム１２１は、９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）または９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、かつ、前述した引張強度範囲および延伸率範囲を満足するために、１ｗｔ％以下の添加物を含むことができる。添加物は、シリコン（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、およびチタン（Ｔｉ）からなる群より選択されたいずれか１つまたは２以上を含むことができる。

【0086】

一方、前記第２ベースフィルム１２１が９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、かつ、４．８ｋｇｆ／ｍｍ^２～１４．４ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度を満足しなければならない理由は、引張強度が４．８ｋｇｆ／ｍｍ^２未満の場合には、前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の製造工程およびＥＭＩ遮蔽層形成工程時に加えられる外力によって前記第２ベースフィルム１２１が切れたり破れたりする現象が発生することがあり、引張強度が１４．４ｋｇｆ／ｍｍ^２超過の場合には、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して前記第２ベースフィルム１２１の形態変形が難しいからである。

【0087】

また、前記第２ベースフィルム１２１が９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、かつ、６．４％～１９．２％の範囲の延伸率を満足しなければならない理由は、延伸率が６．４％未満の場合には、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して前記第２ベースフィルム１２１の形態変形が難しく、延伸率が１９．２％超過の場合には、工程の間に前記第２ベースフィルム１２１が変形された形態を持続的に維持しにくいからである。

【0088】

一方、前記第２ベースフィルム１２１が９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、かつ、８ｋｇｆ／ｍｍ^２～３１．２ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度を満足しなければならない理由は、引張強度が８ｋｇｆ／ｍｍ^２未満の場合には、前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の製造工程およびＥＭＩ遮蔽層形成工程時に加えられる外力によって前記第２ベースフィルム１２１が切れたり破れたりする現象が発生し、引張強度が３１．２ｋｇｆ／ｍｍ^２超過の場合には、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して前記第２ベースフィルム１２１の形態変形が難しいからである。

【0089】

また、前記第２ベースフィルム１２１が９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、かつ、３．２％～１４．４％の範囲の延伸率を満足しなければならない理由は、延伸率が３．２％未満の場合には、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して前記第２ベースフィルム１２１の形態変形が難しく、延伸率が１４．４％超過の場合には、工程の間に前記第２ベースフィルム１２１が変形された形態を持続的に維持しにくいからである。

【0090】

一方、他の実施例として、前記第２ベースフィルム１２１は、１０μｍ～３５μｍの範囲の厚さを有することができる。これは、前記第２ベースフィルム１２１の厚さが１０μｍ未満の場合には、使用者が前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００をハンドリングすることが非常に難しく、前記第２ベースフィルム１２１の厚さが３５μｍ超過の場合には、前記突出電極１１が形成された半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応して形態変形が難しく、応力バランスを維持しにくいことがあるからである。このような範囲の厚さは、前述した一実施例とは異なり、前記突出電極１１の大きさが小さい場合に有利である。

【0091】

前記第２ベースフィルム１２１は、金属材質を含むことにより、前記第１接着層１１２で発生しうる気泡（ガス、パーティクル）が前記第２接着層１２２に伝達されるのを防止させ、十分な保持特性によって、前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００を前記半導体パッケージ１０の下面に付着時、前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーに対応するように形態が変形された後、工程の間に変形された形態を維持できるようにする。すなわち、前記第２ベースフィルム１２１は、金属材質を含むことにより、前記第１接着層１１２で発生するガスなどが前記第２接着層１２２に伝達されることを遮断し、前記第２接着層１２２が平坦に維持されるように支持して、高温および高真空の環境で前記突出電極１１を備えた前記半導体パッケージ１０の下面と接着能力および密着能力を持続的に維持するようにする。

【0092】

前記第２接着層１２２は、前記第２ベースフィルム１２１の上部に積層され、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含む。

【0093】

前記第２接着層１２２は、前記第１接着層１１２より薄い厚さを有し、前記第１接着層１１２の接着力より弱い接着力を有することが好ましい。より詳しくは、前記第２接着層１２２は、前記突出電極１１が形成された前記半導体パッケージ１０の下面のトポロジーによって隙間なく接着できるように、１０μｍ～５０μｍの範囲の厚さおよび５０ｇｆ／２５ｍｍ～５００ｇｆ／２５ｍｍの範囲の接着力を有することができる。

【0094】

ここで、前記第２接着層１２２は、その厚さが１０μｍ未満の場合には、必要とする接着力を確保できず、工程中に前記半導体パッケージ１０の下面との接着能力、密閉能力、および保持特性が低下して剥離現象が発生し、５０μｍ超過の場合には、前記半導体パッケージ１０の下面に付着時、押圧力によって側面に前記第２接着層１２２が押し出されて不良が発生したり、工程完了後に前記半導体パッケージ１０から除去しにくかったりする問題が発生することがある。

【0095】

そして、前記第２接着層１２２は、その接着力が５０ｇｆ／２５ｍｍ未満の場合には、ＥＭＩ遮蔽層形成工程の高温および高真空の工程環境で前記第２接着層１２２が前記半導体パッケージ１０の下面および前記突出電極１１から押し出されて剥離される現象が発生したり、工程の間にガスおよびパーティクルが前記第２接着層１２２と前記半導体パッケージ１０接着面との間に侵入される現象が発生したりすることがあり、その接着力が５００ｇｆ／２５ｍｍ超過の場合には、ＥＭＩ遮蔽層形成工程後の常温および大気圧の状態で前記半導体パッケージ１０から除去しにくかったり、前記半導体パッケージ１０の下面および前記突出電極１１の表面に接着物質が残留したりする問題が発生することがある。

【0096】

材質の面において、前記第２接着層１２２は、トリメチル化シリカ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｔｅｄ ｓｉｌｉｃａ）－ジメチルシロキサン（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）共重合体を含むことが好ましい。

【0097】

前記第２接着層１２２は、トリメチル化シリカ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｔｅｄ ｓｉｌｉｃａ）－ジメチルシロキサン（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）共重合体を含むことにより、ＥＭＩ遮蔽層形成工程時に発生する熱による物性変形を低減させ、半導体パッケージ製造工程用接着テープに要求される接着特性、保持特性、分離特性、および応力特性を容易に確保するようにする。

【0098】

さらに、前記第２接着層１２２は、シロキサン結合を基本骨格として螺旋形網状構造（Ｓｐｉｒａｌ ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を分子構造として有するので、前記半導体パッケージ１０の下面および前記突出電極１１と前記第２接着層１２２との間に空隙（Ａｉｒ ｇａｐ）が発生しても、高温および高真空の環境にもかかわらず空隙が過度に膨張するのを防止するようにする。

【0099】

一方、前記第２接着層１２２は、１０μｍ～５０μｍの範囲の厚さを有し、かつ、前記突出電極１１のサイズが増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが増加し、前記突出電極１１間の間隔が増加するほど設定された厚さ範囲内で厚さが減少することが好ましい。

【0100】

前記突出電極１１のサイズが増加するほど設定された厚さ範囲内で前記第２接着層１２２の厚さが増加する理由は、前記突出電極１１のサイズが増加するほど前記第２接着層１２２が前記突出電極１１から押し出されて剥離される現象が発生する可能性が大きいので、前記第２接着層１２２の接着力を高めるためである。

【0101】

また、前記突出電極１１間の間隔が増加するほど設定された厚さ範囲内で前記第２接着層１２２の厚さが増加する理由は、前記突出電極１１間の間隔が増加するほど前記第２接着層１２２と接着する半導体パッケージ１０の下面の面積が増加するにつれ、ＥＭＩ遮蔽層形成工程後、前記第２接着層１２２が容易に除去されなかったり、前記半導体パッケージ１０の下面に接着物質が残留したりする問題が発生しうるので、前記第２接着層１２２の接着力を低下させるためである。

【0102】

前記第２接着層１２２は、接着特性に関連して、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含むことにより、前記半導体パッケージ１０の下面と前記突出電極１１との接する領域で十分な接着特性を付与し、分離特性に関連して、前記第１接着層１１２より弱い接着力を有することにより、ＥＭＩ遮蔽層形成工程後、前記半導体パッケージ１０から前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００を除去する時、前記第１接着層１１２ではなく前記第２接着層１２２で分離が起こるようにする。

【0103】

以上のように、本発明による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００は、接着特性、保持特性、分離特性、および応力特性に優れ、複数の前記突出電極１１を備えた前記半導体パッケージ１０のＥＭＩ遮蔽層形成工程時、前記半導体パッケージ１０の下面および前記半導体パッケージ１０の下面に形成された複数の前記突出電極１１を効果的に保護するようにする。

【0104】

以下、図３～図５を参照すれば、本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の製造方法Ｓ１００を説明する。

【0105】

第１実施例と第２実施例とに分けて説明し、これに先立ち、本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００において上述した構成については重複する説明を一部省略する。

【0106】

本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の製造方法Ｓ１００は、テープ準備ステップＳ１１０と、テープ貼り合わせステップＳ１２０とを含んで構成される。

【0107】

第１実施例
本発明の第１実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の製造方法Ｓ１００は、第１テープ準備ステップＳ１１１と、第１テープ貼り合わせステップＳ１２１とを含んで構成される。

【0108】

前記第１テープ準備ステップＳ１１１は、プラスチック材質または金属材質を含む前記第１ベースフィルム１１１、アクリル系共重合体を含む前記第１接着層１１２、およびフッ素を含む第１離型フィルム１１３が順次に積層された第１テープ１１０と、金属材質を含む前記第２ベースフィルム１２１、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含む第２接着層１２２、およびフッ素を含む第２離型フィルム１２３が順次に積層された第２テープ１２０とを製造するステップである。

【0109】

まず、前記第１テープ１１０を製造する方法は、製造者がプラスチック材質または金属材質を含む前記第１ベースフィルム１１１を準備する過程に始まる。前述のように、前記第１ベースフィルム１１１は、少なくとも９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、４．８ｋｇｆ／ｍｍ^２～１４．４ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度、６．４％～１９．２％の範囲の延伸率、および２０μｍ～８０μｍの範囲の厚さを有するか、少なくとも９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、８ｋｇｆ／ｍｍ^２～３１．２ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度、３．２％～１４．４％の範囲の延伸率、および２０μｍ～８０μｍの範囲の厚さを有することができる。あるいは、前記第１ベースフィルム１１１は、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、またはポリオレフィン（Ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎ）のいずれか１つの単一層または２以上が積層された多層構造に形成され、１０μｍ～１５０μｍの範囲の厚さを有することができる。

【0110】

次いで、製造者は、アクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－メタクリル酸メチル（Ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－スチレン（Ｓｔｙｒｅｎｅ）共重合体２５－３０重量部、酢酸エチル７０－７５重量部の前記第１接着組成物（８０－１２０重量部）および前記エポキシ系硬化剤（０．５－１．５重量部）を混合容器に注入し、撹拌作業により混合するか、アクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸ブチル（Ｂｕｔｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－メタクリル酸メチル（Ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－スチレン（Ｓｔｙｒｅｎｅ）共重合体２５－３０重量部、酢酸エチル７０－７５重量部の前記第１接着組成物（４０－６０重量部）、アクリル酸（Ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）－アクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸２－エチルヘキシル（２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）－メタクリル酸グリシジル（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）共重合体２５－３０重量部、トルエン５０－５５重量部、酢酸エチル１５－２０重量部の前記第２接着組成物（４０－６０重量部）、および前記エポキシ系硬化剤を混合容器に注入し、撹拌作業により混合することができる。この時、撹拌作業による混合工程は、常温と常湿の条件で施される。

【0111】

この時、製造者は、前記第１接着組成物および前記エポキシ系硬化剤が撹拌、混合されたアクリル系組成物、または前記第１接着組成物、前記第２接着組成物、およびエポキシ系硬化剤が撹拌、混合されたアクリル系組成物を安定化させる。アクリル系組成物の安定化は、アクリル系組成物中の気泡を除去すると同時に、アクリル系組成物の化学的安定性および均一な架橋反応を誘導するためのものである。アクリル系組成物の安定化の一方策として、アクリル系組成物中の気泡を除去するために、超音波処理または真空吸入を進行させることができ、気泡の除去後、アクリル系組成物の安定化のために、４時間～１２時間製造されたアクリル系組成物を熱的平衡状態で休止させることができる。アクリル系組成物の安定化は、化学的安定性を確保し、急激な架橋反応を防止するために、熱的平衡状態で進行させることが好ましい。

【0112】

次いで、製造者は、コンマコーター（Ｃｏｍｍａ ｃｏａｔｅｒ）、スロットダイコーター（Ｓｌｏｔ－ｄｉｅ ｃｏａｔｅｒ）、グラビアコーター（Ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔｅｒ）などを用いて前記第１ベースフィルム１１１上に安定化されたアクリル系組成物を塗布した後、乾燥および硬化する方式により前記第１接着層１１２を形成する。

【0113】

この時、製造者は、コンマコーター（Ｃｏｍｍａ ｃｏａｔｅｒ）、スロットダイコーター（Ｓｌｏｔ－ｄｉｅ ｃｏａｔｅｒ）、グラビアコーター（Ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔｅｒ）などを用いて前記第１接着層１１２の最終厚さよりも厚くアクリル系組成物を前記第１ベースフィルム１１１上に塗布することができる。具体的には、コンマコーター、スロットダイコーター、グラビアコーターなどは、前記第１接着層１１２の目標厚さに比べて２．５倍～３．５倍より厚くアクリル系組成物を塗布するように制御できる。例えば、前記第１接着層１１２の目標厚さが１００μｍ～７００μｍの範囲の場合、コンマコーターは、２５０μｍ～２４５０μｍの範囲の塗布厚さにアクリル系組成物を塗布するように制御できる。前記第１ベースフィルム１１１上に安定化されたアクリル系組成物を塗布する方法は、スピンコーティング法またはスプレー法などによっても行うことができる。

【0114】

次いで、製造者は、乾燥熱処理および熟成硬化過程により前記第１接着層１１２を最終形成することができ、この過程中に前記第１接着層１１２の厚さが次第に減少して目標厚さに到達する。

【0115】

より具体的には、製造者は、前記第１接着層１１２に対する乾燥熱処理を進行させる。乾燥熱処理は、アクリル系組成物中の溶媒を除去すると同時に架橋反応を活性化させるためのもので、赤外線ランプまたは赤外線／熱風併用乾燥などを用いて行うことができ、９０℃～１２０℃の範囲の温度で１５分～３０分間行うことができる。

【0116】

場合によっては、乾燥熱処理は、１次、２次、３次乾燥熱処理に分離して行うことができる。

【0117】

この時、１次乾燥熱処理は、アクリル系組成物中の溶媒を除去すると同時に架橋反応を活性化させるためのもので、赤外線ランプまたは赤外線／熱風併用乾燥などを用いて行うことができ、６０℃～８０℃の範囲の温度で３分～６分間行うことができる。

【0118】

次いで、２次乾燥熱処理は、１次乾燥熱処理と同じく、アクリル系組成物中の溶媒を除去すると同時に架橋反応を活性化させるためのもので、赤外線ランプまたは赤外線／熱風併用乾燥などを用いて行うことができ、１次乾燥熱処理より高い温度で１次乾燥熱処理と同一時間行うことができる。例えば、２次乾燥熱処理は、９０℃～１２０℃の範囲の温度で３分～６分間行うことができる。

【0119】

次いで、３次乾燥熱処理は、１次および２次乾燥熱処理と同じく、アクリル系組成物中の溶媒を除去すると同時に架橋反応を活性化させるためのもので、赤外線ランプまたは赤外線／熱風併用乾燥などを用いて行うことができ、２次乾燥熱処理より高い温度で２次乾燥熱処理より長い時間行うことができる。例えば、３次乾燥熱処理を１９０℃～２１０℃の範囲の温度で９分～１８分間行うことができる。

【0120】

ここで、１次～３次乾燥熱処理過程で段階的に温度を上昇させながら前記第１接着層１１２を乾燥させることは、前記第１接着層１１２が表面から乾燥および硬化するのを防止するためのものであり、これによって前記第１接着層１１２内の気泡を容易に除去することができる。これとともに、３次乾燥熱処理を進行させた後、常温まで徐々に温度を減少させることでより安定した状態および均一な厚さを有する前記第１接着層１１２を実現することができる。

【0121】

次いで、製造者は、２０℃～６０℃で１２時間～４８時間、前記第１接着層１１２を熟成させて安定化および硬化させる。すなわち、乾燥熱処理過程で熱くなった前記第１ベースフィルム１１１および前記第１接着層１１２を２０℃～６０℃までゆっくり冷やす休止期により前記第１接着層１１２内の架橋反応を安定的に仕上げると同時に、前記第１接着層１１２に要求される物性を確保するようにする。

【0122】

次いで、製造者は、前記第１接着層１１２上にフッ素が含有された前記第１離型フィルム１１３を付着させる。前記第１離型フィルム１１３は、アクリル系共重合体を含む前記第１接着層１１２を保護すると同時に、前記第１接着層１１２との分離が容易となるようにフッ素が含有されたものであってもよいし、３ｇｆ／２５ｍｍ～８ｇｆ／２５ｍｍの範囲の接着力を有することができる。この時、前記第１離型フィルム１１３は、その接着力が３ｇｆ／２５ｍｍ未満の場合には、自然的に前記第１接着層１１２から剥がれることがあり、その接着力が８ｇｆ／２５ｍｍ超過の場合には、前記第１離型フィルム１１３を除去する過程で前記第１接着層１１２が損傷しうる問題点がある。

【0123】

製造者は、上述した工程過程により前記第１テープ１１０を製造することができる。

【0124】

一方、前記第２テープ１２０を製造する方法は、製造者が少なくとも９９ｗｔ％以上のアルミニウム（Ａｌ）を含み、４．８ｋｇｆ／ｍｍ^２～１４．４ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度（Ｔｅｎｓｉｌｅ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）、６．４％～１９．２％の範囲の延伸率（Ｅｌｏｎｇａｔｉｏｎ）、および１０μｍ～３５μｍの範囲の厚さを有するか、少なくとも９９ｗｔ％以上の銅（Ｃｕ）を含み、８ｋｇｆ／ｍｍ^２～３１．２ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲の引張強度、３．２％～１４．４％の範囲の延伸率、および１０μｍ～３５μｍの範囲の厚さを有する前記第２ベースフィルム１２１を準備する過程に始まる。

【0125】

次いで、製造者は、トリメチル化シリカ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｔｅｄ ｓｉｌｉｃａ）－ジメチルシロキサン（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）共重合体、エチルベンゼン（Ｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）溶媒、およびエポキシ系硬化剤を混合容器に注入し、撹拌作業により混合する。この時、撹拌作業による混合工程は、常温と常湿の条件で施される。

【0126】

この時、製造者は、撹拌、混合されたシリコーン系組成物を安定化させる。シリコーン系組成物の安定化は、シリコーン系組成物中の気泡を除去すると同時に、シリコーン系組成物の化学的安定性および均一な架橋反応を誘導するためのものである。シリコーン系組成物の安定化の一方策として、シリコーン系組成物中の気泡を除去するために、超音波処理または真空吸入を進行させることができ、気泡の除去後、シリコーン系組成物の安定化のために、４時間～１２時間製造されたシリコーン系組成物を熱的平衡状態で休止させることができる。シリコーン系組成物の安定化は、化学的安定性を確保し、急激な架橋反応を防止するために、熱的平衡状態で進行させることが好ましい。

【0127】

次いで、製造者は、コンマコーター（Ｃｏｍｍａ ｃｏａｔｅｒ）、スロットダイコーター（Ｓｌｏｔ－ｄｉｅ ｃｏａｔｅｒ）、グラビアコーター（Ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔｅｒ）などを用いて前記第２ベースフィルム１２１上に安定化されたシリコーン系組成物を塗布した後、乾燥および硬化する方式により前記第２接着層１２２を形成する。

【0128】

この時、製造者は、コンマコーター（Ｃｏｍｍａ ｃｏａｔｅｒ）、スロットダイコーター（Ｓｌｏｔ－ｄｉｅ ｃｏａｔｅｒ）、グラビアコーター（Ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔｅｒ）などを用いて第２接着層１２２の最終厚さよりも厚くシリコーン系組成物を前記第２ベースフィルム１２１上に塗布することができる。具体的には、コンマコーター（Ｃｏｍｍａ ｃｏａｔｅｒ）、スロットダイコーター（Ｓｌｏｔ－ｄｉｅ ｃｏａｔｅｒ）、グラビアコーター（Ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔｅｒ）などは、前記第２接着層１２２の目標厚さに比べて２．５倍～３．５倍より厚くシリコーン系組成物を塗布するように制御できる。例えば、前記第２接着層１２２の目標厚さが１０μｍ～５０μｍの範囲の場合、コンマコーターは、２５μｍ～１７５μｍの範囲の塗布厚さにシリコーン系組成物を塗布するように制御できる。前記第２ベースフィルム１２１上に安定化されたシリコーン系組成物を塗布する方法は、スピンコーティング法またはスプレー法などによっても行うことができる。

【0129】

次いで、製造者は、乾燥熱処理および熟成硬化過程により前記第２接着層１２２を最終形成することができ、この過程中に前記第２接着層１２２の厚さが次第に減少して目標厚さに到達する。

【0130】

より具体的には、製造者は、前記第２接着層１２２に対する乾燥熱処理を進行させる。乾燥熱処理は、シリコーン系組成物中の溶媒を除去すると同時に架橋反応を活性化させるためのもので、赤外線ランプまたは赤外線／熱風併用乾燥などを用いて行うことができ、１６０℃～１８０℃の範囲の温度で１５分～３０分間行うことができる。

【0131】

場合によっては、乾燥熱処理は、１次、２次、３次乾燥熱処理に分離して行うことができる。

【0132】

この時、１次乾燥熱処理は、シリコーン系組成物中の溶媒を除去すると同時に架橋反応を活性化させるためのもので、赤外線ランプまたは赤外線／熱風併用乾燥などを用いて行うことができ、６０℃～８０℃の範囲の温度で３分～６分間行うことができる。

【0133】

次いで、２次乾燥熱処理は、１次乾燥熱処理と同じく、シリコーン系組成物中の溶媒を除去すると同時に架橋反応を活性化させるためのもので、赤外線ランプまたは赤外線／熱風併用乾燥などを用いて進行させることができ、１次乾燥熱処理より高い温度で１次乾燥熱処理と同一時間行うことができる。例えば、２次乾燥熱処理は、１６０℃～１８０℃の範囲の温度で３分～６分間行うことができる。

【0134】

次いで、３次乾燥熱処理は、１次および２次乾燥熱処理と同じく、シリコーン系組成物中の溶媒を除去すると同時に架橋反応を活性化させるためのもので、赤外線ランプまたは赤外線／熱風併用乾燥などを用いて行うことができ、２次乾燥熱処理より高い温度で２次乾燥熱処理より長い時間行うことができる。例えば、３次乾燥熱処理を１９０℃～２１０℃の範囲の温度で９分～１８分間行うことができる。

【0135】

ここで、１次～３次乾燥熱処理過程で段階的に温度を上昇させながら前記第２接着層１２２を乾燥させることは、前記第２接着層１２２が表面から乾燥および硬化するのを防止するためのものであり、これによって前記第２接着層１２２内の気泡を容易に除去することができる。これとともに、３次乾燥熱処理を進行させた後、常温まで徐々に温度を減少させることでより安定した状態および均一な厚さを有する前記第２接着層１２２を実現することができる。

【0136】

次いで、製造者は、２０℃～３０℃で１２時間～２４時間前記第２接着層１２２を熟成させて安定化および硬化させる。すなわち、乾燥熱処理過程で熱くなった前記第２ベースフィルム１２１および前記第２接着層１２２を２０℃～３０℃までゆっくり冷やす休止期により前記第２接着層１２２内の架橋反応を安定的に仕上げると同時に、前記第２接着層１２２に要求される物性を確保するようにする。

【0137】

次いで、製造者は、前記第２接着層１２２上にフッ素が含有された前記第２離型フィルム１２３を付着させる。前記第２離型フィルム１２３は、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含む前記第２接着層１２２を保護すると同時に、前記第２接着層１２２との分離が容易となるようにフッ素が含有されたものであってもよいし、３ｇｆ／２５ｍｍ～８ｇｆ／２５ｍｍの範囲の接着力を有することができる。この時、前記第２離型フィルム１２３は、その接着力が３ｇｆ／２５ｍｍ未満の場合には、自然的に前記第２接着層１２２から剥がれることがあり、その接着力が８ｇｆ／２５ｍｍ超過の場合には、前記第２離型フィルム１２３を除去する過程で前記第２接着層１２２が損傷しうる問題点がある。

【0138】

製造者は、上述した工程過程により前記第２テープ１２０を製造することができる。

【0139】

前記第１テープ貼り合わせステップＳ１２１は、製造者が前記第１テープ１１０から前記第１離型フィルム１１３を除去し、前記第１接着層１１２と前記第２ベースフィルム１２１とを面接触させて前記第１テープ１１０と前記第２テープ１２０とを貼り合わせるステップである。

【0140】

以後、使用者は、ＥＭＩ遮蔽層形成工程前に前記第２テープ１２０の前記第２離型フィルム１２３を除去し、前記第２接着層１２２を前記半導体パッケージ１０の下面および前記突出電極１１に接触させる方式で本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００を付着させる。
半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００

【0141】

第２実施例
本発明の第２実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の製造方法Ｓ１００は、第２テープ準備ステップＳ１１２と、第２テープ貼り合わせステップＳ１２２とを含んで構成される。

【0142】

前記第２テープ準備ステップＳ１１２は、プラスチック材質または金属材質を含む前記第１ベースフィルム１１１、アクリル系共重合体を含む前記第１接着層１１２、およびフッ素を含む第１離型フィルム１１３が順次に積層された第１テープ１１０と、第３離型フィルム１３１に金属蒸着方式で前記第２ベースフィルム１２１を形成した第３テープ１３０と、螺旋形網状構造を有するシリコーンを含む前記第２接着層１２２、およびフッ素を含む前記第２離型フィルム１２３が順次に積層された第４テープ１４０とを製造するステップである。

【0143】

まず、前記第１テープ１１０を製造する方法は、第１実施例と内容が同一であるので、詳しい説明を省略する。

【0144】

一方、前記第３テープ１３０を製造する方法は、前記第３離型フィルム１３１に金属蒸着方式で前記第２ベースフィルム１２１を形成する方式で行われる。より詳しくは、前記第２ベースフィルム１２１は、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）を前記第３離型フィルム１３１に金属蒸着方式で蒸着させて金属蒸着の転写フィルム形態の前記第３テープ１３０に製造できる。金属蒸着方式としては、スパッタリング方式などの使用が可能であり、これに限定されるものではない。

【0145】

前記第３離型フィルム１３１は、前記第１離型フィルム１１３および前記第２離型フィルム１２３と同一の特性を有することができる。

【0146】

この場合、前記第２ベースフィルム１２１は、１μｍ～１０μｍの範囲の厚さを有するように前記第３離型フィルム１３１に蒸着されることが好ましい。このような範囲の厚さは、前記突出電極１１の大きさが相対的に大きい場合に有利である。

【0147】

一方、前記第４テープ１４０を製造する方法は、前記第２離型フィルム１２３をベースフィルムとして活用して前記第２接着層１２２を形成する方式で行われる。これについては、第１実施例において前記第２ベースフィルム１２１に前記第２接着層１２２を形成する方法と内容が同一であるので、詳しい説明を省略する。

【0148】

前記第２テープ貼り合わせステップＳ１２２は、製造者が前記第１テープ１１０から前記第１離型フィルム１１３を除去した後、前記第１接着層１１２と前記第３テープ１３０の前記第２ベースフィルム１２１とを面接触させて前記第１テープ１１０と前記第３テープ１３０とを貼り合わせ、前記第３テープ１３０から前記第３離型フィルム１３１を除去した後、前記第２ベースフィルム１２１と前記第４テープ１４０の前記第２接着層１２２とを面接触させて前記第３テープ１３０と前記第４テープ１４０とを貼り合わせるステップである。

【0149】

以後、使用者は、ＥＭＩ遮蔽層形成工程前に前記第４テープ１４０の前記第２離型フィルム１２３を除去し、前記第２接着層１２２を前記半導体パッケージ１０の下面および前記突出電極１１に接触させる方式で本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００を付着させる。

【0150】

以上のように、本発明の実施例による半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の製造方法Ｓ１００は、個別の製造工程により前記第１テープ１１０から前記第４テープ１４０を製造した後、貼り合わせて、前記半導体パッケージ製造工程用接着テープ１００の最終製品を製造することにより、前記第１テープ１１０から前記第４テープ１４０の製造工程で不良が発生した場合、不良が発生した個別テープのみを廃棄することが可能になり、全体的な工程歩留まりを向上させる。

【0151】

上述のように、本発明は図面に示された実施例を参照して説明されたが、これは例示に過ぎず、当該技術の属する分野における通常の知識に基づいて多様な変形および均等な他の実施例が可能であることを理解しなければならない。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は以下に述べる特許請求の範囲により、上述した発明の具体的内容に基づいて定められなければならない。

【産業上の利用可能性】

【0152】

本発明は、半導体パッケージ製造工程用接着テープに関し、半導体パッケージのＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）遮蔽層形成工程に関連する産業分野に利用可能である。

【符号の説明】

【0153】

１０：半導体パッケージ
１１：突出電極
１００：半導体パッケージ製造工程用接着テープ
１１０：第１テープ
１１１：第１ベースフィルム
１１２：第１接着層
１１３：第１離型フィルム
１２０：第２テープ
１２１：第２ベースフィルム
１２２：第２接着層
１２３：第２離型フィルム
１３０：第３テープ
１３１：第３離型フィルム
１４０：第４テープ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】