特許 7488966 セラミックサセプタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-14

(45)【発行日】2024-05-22

(54)【発明の名称】セラミックサセプタ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240515BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240515BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240515BHJP

   C23C 14/50 20060101ALI20240515BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20240515BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/31 C

H01L21/31 B

H01L21/302 101G

C23C14/50

C23C16/458

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2023536448

(86)(22)【出願日】2023-01-16

(86)【国際出願番号】 JP2023001014

【審査請求日】2023-06-15

(73)【特許権者】

【識別番号】000004064

【氏名又は名称】日本碍子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100113365

【弁理士】

【氏名又は名称】高村 雅晴

(74)【代理人】

【識別番号】100209336

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 悠

(74)【代理人】

【識別番号】100218800

【弁理士】

【氏名又は名称】河内 亮

(72)【発明者】

【氏名】天野 真悟

(72)【発明者】

【氏名】石川 征樹

【審査官】境 周一

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０２１７８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－１６３２５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－２０２３７２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｃ２３Ｃ １４／５０

Ｃ２３Ｃ １６／４５８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウェハが載置されるための第一面と、前記第一面と対向する第二面とを有する、セラミックサセプタ本体と、
前記セラミックサセプタ本体に埋設される内部電極と、
一端が前記内部電極に接続し、かつ、他端が前記セラミックサセプタ本体の第二面に到達する端子と、
を備え、
前記内部電極が、前記第一面と平行に設けられる水平部と、前記水平部から前記第一面又は前記第二面に向かって延在する非水平部とを有し、前記水平部及び非水平部は、１枚の電極を折り曲げることにより一体形成されたものであり、それにより前記水平部及び前記非水平部の境界を成す折り曲げ部が存在する、セラミックサセプタ。

【請求項2】

前記内部電極が１枚の金属メッシュで構成される、請求項１に記載のセラミックサセプタ。

【請求項3】

前記折り曲げ部における前記水平部と前記非水平部の成す角度が５０～１３０°である、請求項１に記載のセラミックサセプタ。

【請求項4】

前記非水平部の数が１～１００である、請求項１又は２に記載のセラミックサセプタ。

【請求項5】

前記セラミックサセプタ本体が、窒化アルミニウム及び／又は酸化アルミニウムで構成される、請求項１又は２に記載のセラミックサセプタ。

【請求項6】

前記１枚の電極が、円板状の電極主要部と、前記電極主要部から延出する延出部とを有し、前記電極主要部が前記水平部を構成し、前記延出部が折り曲げられて前記非水平部を構成する、請求項１又は２に記載のセラミックサセプタ。

【請求項7】

前記１枚の電極が、円板状の電極主要部と、前記電極主要部から延出する延出部とを有し、
前記電極主要部における前記延出部の根本に対応する部分に、前記電極主要部の外周よりも内側で折り曲げ可能とするための１対の切り込みが形成されており、
前記１枚の電極が前記電極主要部の内側で前記１対の切り込みで区画された根元部を含む形で折り曲げられ、それにより前記延出部及び前記根元部が前記非水平部を構成し、かつ、前記電極主要部の前記根元部以外の残りの部分が前記水平部を構成する、請求項１又は２に記載のセラミックサセプタ。

【請求項8】

前記内部電極の非水平部が前記第一面に到達している、請求項１又は２に記載のセラミックサセプタ。

【請求項9】

前記内部電極が接地電極として機能する、請求項８に記載のセラミックサセプタ。

【請求項10】

前記セラミックサセプタが、イオン注入装置又は物理気相成長（ＰＶＤ）装置に用いられるものである、請求項９に記載のセラミックサセプタ。

【請求項11】

前記セラミックサセプタ本体が、前記第一面を与える円板状の第一層と、前記第一層よりも大きい直径を有し、かつ、前記第二面を与える円板状の第二層とを備え、それにより、前記セラミックサセプタ本体の外周に沿って前記第二層が前記第一層の外周端よりも延出して外周ステップ部を成しており、
前記セラミックサセプタが、前記第二層の前記外周ステップ部に埋設され、かつ、前記内部電極に接続する第二の内部電極をさらに備える、請求項１又は２に記載のセラミックサセプタ。

【請求項12】

前記内部電極が、前記第一層内に埋設される前記水平部、並びに前記第一層及び前記第二層に埋設される前記非水平部を有し、
前記第二の内部電極が、前記第二層の前記外周ステップ部を含む外周部分に前記水平部と平行に埋設され、かつ、前記非水平部の下端に接続される、請求項１１に記載のセラミックサセプタ。

【請求項13】

前記内部電極と前記第二の内部電極とが、別個の電極である、請求項１１に記載のセラミックサセプタ。

【請求項14】

前記内部電極と前記第二の内部電極とが、１枚の電極を折り曲げることにより一体形成されたものである、請求項１１に記載のセラミックサセプタ。

【請求項15】

前記セラミックサセプタが、プラズマを用いる成膜装置又はエッチング装置に用いられるものである、請求項１１に記載のセラミックサセプタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、セラミックサセプタに関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体製造装置用のセラミックサセプタとして、水平方向に広がる電極と縦方向に伸びた電極とが電気的に接続された構造の内部電極が埋設されたものが知られている。

【0003】

特許文献１（特開２００３－１６３２５９号公報）には、セラミック製の本体部内に内部電極が埋設されたセラミック部品が開示されており、この内部電極は、本体部内の厚さ方向に互いに離間した第１の電極片及び第２の電極片がコイル状の導通部材を介して接続されたものである。

【0004】

特許文献２（特許第６７５４８９０号公報）には、円板状のセラミック基体の内部にＲＦ電極とヒータ電極とが埋設されたウェハ支持台が開示されている。このＲＦ電極は、同一平面上の複数のＲＦゾーン電極によって構成され、所定の円の内側に設けられた第１ＲＦゾーン電極と、その円の外側に設けられた第２ＲＦゾーン電極とで構成される。第２ＲＦゾーン電極は、第２ＲＦゾーン電極用導体にジャンパを介して接続され、第２ＲＦゾーン電極の裏面の２点に内部端子の上端が接続される。ジャンパは、ウェハ載置面と平行な導電性で帯状のメッシュシートである。

【0005】

特許文献３（特開２０２０－２０２３７２号公報）には、セラミックシートの垂直方向の収縮率を補償することができる電気伝導性連結部材によって第１伝導性構造物及び第２伝導性構造物が電気的に連結された構造を含む、セラミック構造体が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２００３－１６３２５９号公報

【文献】特許第６７５４８９０号公報

【文献】特開２０２０－２０２３７２号公報

【発明の概要】

【0007】

特許文献１～３に開示されるような、セラミックサセプタに埋設される従来の内部電極は、水平方向に設けられる水平電極と縦方向に設けられる縦電極とが接続された構成を有する。しかし、これらの従来の内部電極は、水平電極及び縦電極を接合して構成されたものであるため、接続不具合による導通不良が起こるという問題があった。

【0008】

本発明者らは、今般、１枚の電極を折り曲げることにより一体形成された水平部及び非水平部を有する内部電極を採用することで、内部電極の接続不具合による導通不良が起こりにくいセラミックサセプタを提供できることを見出した。

【0009】

したがって、本発明の目的は、内部電極の接続不具合による導通不良が起こりにくいセラミックサセプタを提供することにある。

【0010】

本発明によれば、以下の態様が提供される。
［態様１］
ウェハが載置されるための第一面と、前記第一面と対向する第二面とを有する、セラミックサセプタ本体と、
前記セラミックサセプタ本体に埋設される内部電極と、
一端が前記内部電極に接続し、かつ、他端が前記セラミックサセプタ本体の第二面に到達する端子と、
を備え、
前記内部電極が、前記第一面と平行に設けられる水平部と、前記水平部から前記第一面又は前記第二面に向かって延在する非水平部とを有し、前記水平部及び非水平部は、１枚の電極を折り曲げることにより一体形成されたものであり、それにより前記水平部及び前記非水平部の境界を成す折り曲げ部が存在する、セラミックサセプタ。
［態様２］
前記内部電極が１枚の金属メッシュで構成される、態様１に記載のセラミックサセプタ。
［態様３］
前記折り曲げ部における前記水平部と前記非水平部の成す角度が５０～１３０°である、態様１又は２に記載のセラミックサセプタ。
［態様４］
前記非水平部の数が１～１００である、態様１～３のいずれか一つに記載のセラミックサセプタ。
［態様５］
前記セラミックサセプタ本体が、窒化アルミニウム及び／又は酸化アルミニウムで構成される、態様１～４のいずれか一つに記載のセラミックサセプタ。
［態様６］
前記１枚の電極が、円板状の電極主要部と、前記電極主要部から延出する延出部とを有し、前記電極主要部が前記水平部を構成し、前記延出部が折り曲げられて前記非水平部を構成する、態様１～５のいずれか一つに記載のセラミックサセプタ。
［態様７］
前記１枚の電極が、円板状の電極主要部と、前記電極主要部から延出する延出部とを有し、
前記電極主要部における前記延出部の根本に対応する部分に、前記電極主要部の外周よりも内側で折り曲げ可能とするための１対の切り込みが形成されており、
前記１枚の電極が前記電極主要部の内側で前記１対の切り込みで区画された根元部を含む形で折り曲げられ、それにより前記延出部及び前記根元部が前記非水平部を構成し、かつ、前記電極主要部の前記根元部以外の残りの部分が前記水平部を構成する、態様１～６のいずれか一つに記載のセラミックサセプタ。
［態様８］
前記内部電極の非水平部が前記第一面に到達している、態様１～７のいずれか一つに記載のセラミックサセプタ。
［態様９］
前記内部電極が接地電極として機能する、態様８に記載のセラミックサセプタ。
［態様１０］
前記セラミックサセプタが、イオン注入装置又は物理気相成長（ＰＶＤ）装置に用いられるものである、態様９に記載のセラミックサセプタ。
［態様１１］
前記セラミックサセプタ本体が、前記第一面を与える円板状の第一層と、前記第一層よりも大きい直径を有し、かつ、前記第二面を与える円板状の第二層とを備え、それにより、前記セラミックサセプタ本体の外周に沿って前記第二層が前記第一層の外周端よりも延出して外周ステップ部を成しており、
前記セラミックサセプタが、前記第二層の前記外周ステップ部に埋設され、かつ、前記内部電極に接続する第二の内部電極をさらに備える、態様１～７のいずれか一つに記載のセラミックサセプタ。
［態様１２］
前記内部電極が、前記第一層内に埋設される前記水平部、並びに前記第一層及び前記第二層に埋設される前記非水平部を有し、
前記第二の内部電極が、前記第二層の前記外周ステップ部を含む外周部分に前記水平部と平行に埋設され、かつ、前記非水平部の下端に接続される、態様１１に記載のセラミックサセプタ。
［態様１３］
前記内部電極と前記第二の内部電極とが、別個の電極である、態様１１又は１２に記載のセラミックサセプタ。
［態様１４］
前記内部電極と前記第二の内部電極とが、１枚の電極を折り曲げることにより一体形成されたものである、態様１１又は１２に記載のセラミックサセプタ。
［態様１５］
前記セラミックサセプタが、プラズマを用いる成膜装置又はエッチング装置に用いられるものである、態様１１～１４のいずれか一つに記載のセラミックサセプタ。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明によるセラミックサセプタの一態様を示す模式断面図である。

【図2】図１に示されるセラミックサセプタを示す模式上面図である。

【図3】図１及び２に示されるセラミックサセプタに用いられる内部電極を１枚の電極から作製する手順を示す図である。

【図4】金属メッシュを折り曲げることにより一体形成された水平部及び非水平部を有する内部電極の一例を示す写真である。

【図5】１対の切り込みを有する１枚の電極から内部電極を作製する一例を示す図である。

【図6】本発明によるセラミックサセプタの別態様を示す模式断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明によるセラミックサセプタは、半導体製造装置内においてウェハＷを支持するためのセラミック製の台である。例えば、本発明によるセラミックサセプタは、半導体成膜装置用のセラミックヒータであってもよいし、半導体エッチング装置用の静電チャックであってもよい。成膜装置の典型的な例としては、ＣＶＤ（化学気相成長）装置（例えば、熱ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、及びＭＯＣＶＤ装置）並びにＰＶＤ（物理気相成長）装置が挙げられる。

【0013】

図１及び２にセラミックサセプタの一例を示す。図１及び２に示されるセラミックサセプタ１０は、セラミックサセプタ本体１２と、内部電極１４と、端子１６とを備える。セラミックサセプタ本体１２は、ウェハＷが載置されるための第一面１２ａと、第一面１２ａと対向する第二面１２ｂとを有する。内部電極１４は、セラミックサセプタ本体１２に埋設される。端子１６は、その一端が内部電極１４に接続し、かつ、他端がセラミックサセプタ本体１２の第二面１２ｂに到達する。内部電極１４は、第一面１２ａと平行に設けられる水平部１４ａと、水平部１４ａから第一面１２ａ又は第二面１２ｂに向かって延在する非水平部１４ｂとを有する。水平部１４ａ及び非水平部１４ｂは、１枚の電極を折り曲げることにより一体形成されたものであり、それにより水平部１４ａ及び非水平部１４ｂの境界を成す折り曲げ部１４ｃが存在する。このように、１枚の電極を折り曲げることにより一体形成された水平部１４ａ及び非水平部１４ｂを有する内部電極１４を採用することで、内部電極１４の接続不具合による導通不良が起こりにくいセラミックサセプタ１０を提供することができる。

【0014】

前述のとおり、特許文献１～３に開示されるような従来のサセプタにおいては、内部電極が、水平電極及び縦電極を接合して構成されたものであるため、接続不具合による導通不良が起こるという問題があった。この問題が本発明のセラミックサセプタ１０によれば解消される。すなわち、本発明で採用される内部電極１４は、図３に例示されるように、１枚の電極１３（特に延出部１３ｂ）を折り曲げることにより、水平部１４ａ及び非水平部１４ｂを有するように一体形成されたものであるため、水平部１４ａ及び非水平部１４ｂの境界である折り曲げ部１４ｃが、別個の電極を接合して形成されたものではなく、本来的に１枚の電極１３に由来するものとなる。そのため、従来の構成であれば接続不具合が起こりがちな角度を有する境界部（すなわち折り曲げ部１４ｃ）で堅牢な構造が確保される結果、接続不具合が起こりにくくなる。

【0015】

セラミックサセプタ本体１２は、セラミックサセプタ１０における内部電極１４及び端子１６が埋設されるための母材を構成するセラミックプレートであり、公知のセラミックサセプタで採用されるセラミックプレートと同様の構成でありうる。セラミックサセプタ本体１２は、優れた熱伝導性、高い電気絶縁性、及びシリコンに近い熱膨張特性等の観点から、窒化アルミニウム及び／又は酸化アルミニウムで構成されるのが好ましい。

【0016】

セラミックサセプタ本体１２の好ましい形状は円板状である。もっとも、円板状のセラミックサセプタ本体１２の平面視形状は、完全な円形である必要はなく、例えば、オリフラ（ｏｌｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）のように一部を欠いた不完全な円形であってもよい。セラミックサセプタ本体１２のサイズは、使用が想定されるウェハＷの直径に応じて適宜決定すればよく特に限定されないが、円形の場合、直径は典型的には１５０～４５０ｍｍであり、例えば３００ｍｍ程度である。

【0017】

内部電極１４は、前述のとおり、水平部１４ａ及び非水平部１４ｂを有する。水平部１４ａ及び非水平部１４ｂは、図３に示されるように、１枚の電極１３（特に延出部１３ｂ）を折り曲げることにより一体形成されたものであり、それにより水平部１４ａ及び非水平部１４ｂの境界を成す折り曲げ部１４ｃが存在する。好ましくは、１枚の電極１３は、円板状の電極主要部１３ａと、電極主要部１３ａから延出する延出部１３ｂとを有し、電極主要部１３ａが水平部１４ａを構成し、延出部１３ｂが折り曲げられて非水平部１４ｂを構成する。

【0018】

内部電極１４は、折り曲げ可能な導電部材であれば特に限定されないが、熱膨張率が窒化アルミニウムや酸化アルミニウムと近いモリブデン、タングステン等の金属で構成されるのが好ましい。特に好ましくは、内部電極１４は、図４に例示されるような１枚の金属メッシュで構成される。金属メッシュには、内部電極１４が埋設された成形体を焼成してセラミックサセプタ本体１２を作製する際に、焼成に伴う収縮に対して金属メッシュが圧縮変形して追随できるとの利点がある。そのため、焼成時の収縮を緩和して、折り曲げ部１４ｃにおける接続不具合の発生をより効果的に防止することができる。

【0019】

金属メッシュは、複数の金属線が互いに交わるように張り巡らされた網目構造を有するものであれば特に限定されない。金属メッシュを構成する金属線の直径（線径）は、特に限定されないが、０．２０～０．５０ｍｍが好ましく、より好ましくは０．２５～０．４５ｍｍ、さらに好ましくは０．３０～０．４０ｍｍである。金属メッシュの目開き（網目の隙間部分の寸法）は、特に限定されないが、０．５０～０．９０ｍｍが好ましく、より好ましくは０．６０～０．８０ｍｍ、さらに好ましくは０．６５～０．７５ｍｍである。

【0020】

水平部１４ａは、セラミックサセプタ本体１２内に第一面１２ａと平行に設けられる。もっとも、水平部１４ａは、第一面１２ａと完全に平行である必要はなく、内部電極１４としての機能を損ねない程度に概ね水平方向に設けられていればよい。

【0021】

非水平部１４ｂは水平部１４ａから第一面１２ａ又は第二面１２ｂに向かって延在する。すなわち、図１に示されるように非水平部１４ｂは水平部１４ａから第一面１２ａに向かって延在していてもよい。あるいは、後述する図６に示されるように、非水平部１４ｂは水平部１４ａから第二面１２ｂに向かって延在するものであってもよい。

【0022】

折り曲げ部１４ｃにおける水平部１４ａと非水平部１４ｂの成す角度は、５０～１３０°であるのが好ましく、より好ましくは６０～１２０°、さらに好ましくは７０～１１０°特に好ましくは８０～１００°、最も好ましくは８５～９５°、例えば９０°である。すなわち、非水平部１４ｂはいわゆる縦電極であるのが最も好ましい。上記範囲内の角度であると、折り曲げによる電極１３の損傷が起こりにくく、折り曲げ部１４ｃにおける導通不具合が生じにくい。

【0023】

非水平部１４ｂの数は１～１００であるのが好ましく、より好ましくは２～４０、さらに好ましくは２～２０、特に好ましくは２～１０、最も好ましくは２～６、例えば４である。

【0024】

前述のとおり、折り曲げ前の１枚の電極１３は、円板状の電極主要部１３ａと、電極主要部１３ａから延出する延出部１３ｂとを有しうる。この場合、図５に示されるように、電極主要部１３ａにおける延出部１３ｂの根本に対応する部分に、電極主要部１３ａの外周よりも内側で折り曲げ可能とするための１対の切り込み１３ｃが形成されているのが好ましい。この構成において、１枚の電極１３が電極主要部１３ａの内側で１対の切り込み１３ｃで区画された根元部１３ｄを含む形で折り曲げられ、それにより延出部１３ｂ及び根元部１３ｄが非水平部１４ｂを構成し、かつ、電極主要部１３ａの根元部１３ｄ以外の残りの部分が水平部１４ａを構成するのが好ましい。かかる構成によれば、電極主要部１３ａないし水平部１４ａの外周又はそれよりも外側で折り曲げる場合と比べて、折り曲げ部１４ｃの安定性を向上することができる。

【0025】

図１に示されるセラミックサセプタ１０においては、内部電極１４の非水平部１４ｂが第一面１２ａに到達している。この場合、第一面１２ａに非水平部１４ｂの端部が露出するため、第一面１２ａに載置されたウェハＷに非水平部１４ｂが接触し、その結果、内部電極１４及び端子１６を介してウェハＷの接地ないし除電を行うことが可能となる。換言すれば、内部電極１４を接地電極として機能させることができる。具体的には、端子１６の一端が内部電極１４（典型的には水平部１４ａ）に接続し、かつ、端子１６の他端がセラミックサセプタ本体１２の第二面１２ｂに到達するようにすることで、端子１６を介して内部電極１４が接地可能となる。このような除電可能な構成のセラミックサセプタ１０は、イオン注入装置又は物理気相成長（ＰＶＤ）装置に好ましく用いることができる。もっとも、用途によっては、後述する図６に示されるセラミックサセプタ１０’のように、内部電極１４の非水平部１４ｂが（第一面１２ａではなく）第二面１２ｂに向かって（第二面１２ｂに到達することなくその手前まで）延在している構成であってもよい。

【0026】

セラミックサセプタ本体１２の外周端部は、図１に示されるようなフラットな形状であってもよいが、図６に示されるようにステップ状になっていてもよい。図６に示されるセラミックサセプタ１０’において、セラミックサセプタ本体１２’は、第一面１２ａを与える円板状の第一層１２ｃと、第一層１２ｃよりも大きい直径を有し、かつ、第二面１２ｂを与える円板状の第二層１２ｄとを備え、それにより、セラミックサセプタ本体１２’の外周に沿って第二層１２ｄが第一層１２ｃの外周端よりも延出して外周ステップ部１２ｅを成している。この場合、セラミックサセプタ１０’が、第二層１２ｄの外周ステップ部１２ｅに埋設され、かつ、内部電極１４に接続する第二の内部電極１５をさらに備えるのが好ましい。例えば、内部電極１４が、第一層１２ｃ内に埋設される水平部１４ａ、並びに第一層１２ｃ及び第二層１２ｄに埋設される非水平部１４ｂを有する一方、第二の内部電極１５が、第二層１２ｄの外周ステップ部１２ｅを含む外周部分に水平部１４ａと平行に埋設され、かつ、非水平部１４ｂの下端に接続される。かかる構成によれば、プラズマを用いる成膜装置やエッチング装置向けのサセプタにおいて、ウェハＷの外周部分まで高周波電圧をかけてプラズマの均一性を改善することができる。換言すれば、内部電極１４をプラズマ発生のためのＲＦ電極として機能させることができる。したがって、このような外周ステップ部１２ｅに第二の内部電極１５を備えた構成のセラミックサセプタ１０は、プラズマを用いる成膜装置又はエッチング装置に好ましく用いることができる。内部電極１４と第二の内部電極１５とは、別個の電極であってもよいし、１枚の電極を折り曲げることにより一体形成されたものであってもよい。いずれにしても、第二の内部電極１５は、ウェハＷの外周部におけるプラズマの均一性を改善する観点から、平面視した場合に、円板状の電極主要部１３ａを外周に沿って取り囲むようなリング状に構成されるのが好ましい。

【0027】

端子１６は、前述したとおり、その一端が内部電極１４に接続し、かつ、他端がセラミックサセプタ本体１２の第二面１２ｂに到達する。典型的には、端子１６は第二面１２ｂから延出している。端子１６は、導電部材であれば特に限定されず、モリブデン、ニッケル等の金属で構成されうるが、熱膨張率の観点からモリブデンで構成されるのが好ましい。

【0028】

セラミックサセプタ本体１２には、上述した内部電極１４や第二の内部電極１５の他、他の電極が埋設されてもよい。そのような他の電極の例としては、ヒータ電極、ＥＳＣ電極（静電電極）が挙げられる。

【要約】

内部電極の接続不具合による導通不良が起こりにくいセラミックサセプタが提供される。このセラミックサセプタは、ウェハが載置されるための第一面と、第一面と対向する第二面とを有する、セラミックサセプタ本体と、セラミックサセプタ本体に埋設される内部電極と、一端が内部電極に接続し、かつ、他端がセラミックサセプタ本体の第二面に到達する端子とを備える。内部電極は、第一面と平行に設けられる水平部と、水平部から第一面又は第二面に向かって延在する非水平部とを有する。水平部及び非水平部は、１枚の電極を折り曲げることにより一体形成されたものであり、それにより水平部及び非水平部の境界を成す折り曲げ部が存在する。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】