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特許7489032樹脂フィルム、金属層一体型樹脂フィルム、及び、フィルムコンデンサ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-15
(45)【発行日】2024-05-23
(54)【発明の名称】樹脂フィルム、金属層一体型樹脂フィルム、及び、フィルムコンデンサ
(51)【国際特許分類】
H01G 4/32 20060101AFI20240516BHJP
C08J 5/18 20060101ALI20240516BHJP
【ＦＩ】
H01G4/32 511L
C08J5/18 CES
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2023036481
(22)【出願日】2023-03-09
(62)【分割の表示】P 2018205978の分割
【原出願日】2018-10-31
(65)【公開番号】P2023076480
(43)【公開日】2023-06-01
【審査請求日】2023-03-09
(31)【優先権主張番号】P 2017210901
(32)【優先日】2017-10-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2018044639
(32)【優先日】2018-03-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2018202367
(32)【優先日】2018-10-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000122298
【氏名又は名称】王子ホールディングス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000729
【氏名又は名称】弁理士法人ユニアス国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】筧 明洋
(72)【発明者】
【氏名】石田 立治
(72)【発明者】
【氏名】藤城 義和
(72)【発明者】
【氏名】中田 将裕
【審査官】小南 奈都子
(56)【参考文献】
【文献】特開昭５５－０７７５６７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平２－１５０４４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１８７７０１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１６／１６７３２８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／１５９０４４（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開平１０－１５６９３９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－２２９２０８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｇ ４／３２
Ｃ０８Ｊ ５／１８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
樹脂フィルムであって、主成分として結晶性熱可塑性樹脂を含有し、
前記結晶性熱可塑性樹脂が、ポリプロピレン樹脂であり、
前記樹脂フィルムを構成する樹脂中の灰分が、５ｐｐｍ以上３５ｐｐｍ以下であり、
前記樹脂フィルムのヘプタン不溶分が、９６％以上９９．５％以下であり、
前記樹脂フィルムの分子量分布［（重量平均分子量Ｍｗ）／（数平均分子量Ｍｎ）］が、５以上１２以下であり、
前記樹脂フィルムの面配向係数が０．０１０～０．０１６であり、
前記樹脂フィルムの融点が１７０℃以上１７６℃以下であり、
前記樹脂フィルムの融解エンタルピーが９０Ｊ／ｇ以上１２５Ｊ／ｇ以下であり、
下記測定方法（１）により測定される２３℃での体積抵抗率ρＶ２３℃が４．３５×１０１５Ω・ｃｍ以上であり、
下記測定方法（３）により測定される１００℃での体積抵抗率ρＶ１００℃が１．０２×１０１５Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする樹脂フィルム（ただし、α晶核剤を含む場合を除く）。
＜測定方法＞
（１）２３℃の雰囲気下で電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように電圧を印加し、１分経過時点での電流値から次式により算出する。
ρＶ２３℃＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（樹脂フィルムの厚さ）×（電流値）］
（３）１００℃の雰囲気下で電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように電圧を印加し、１分経過時点での電流値から次式により算出する。
ρＶ１００℃＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（樹脂フィルムの厚さ）×（電流値）］
【請求項2】
前記測定方法（１）により測定される２３℃での体積抵抗率ρＶ２３℃と下記測定方法（２）により測定される２３℃での比誘電率εｒ２３℃との積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、前記比誘電率εｒ２３℃が、５．０以下であり、
前記測定方法（３）により測定される１００℃での体積抵抗率ρＶ１００℃と下記測定方法（４）により測定される１００℃での比誘電率εｒ１００℃との積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であり、
前記比誘電率εｒ１００℃が、５．０以下であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂フィルム。
＜測定方法＞
（２）樹脂フィルムの両面に導電性ペーストを塗布、乾燥させて電極を形成し、得られた電極に導電性ペーストを用いて導線を取り付け、得られた試験用コンデンサの容量Ｃを２３℃の雰囲気下で測定し、次式を用いてεｒ２３℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ２３℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
（４）樹脂フィルムの両面に導電性ペーストを塗布、乾燥させて電極を形成し、得られた電極に導電性ペーストを用いて導線を取り付け、得られた試験用コンデンサの容量Ｃを１００℃の雰囲気下で測定し、次式を用いてεｒ１００℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ１００℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
【請求項3】
厚さが、０．８～６μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂フィルム。
【請求項4】
コンデンサ用であることを特徴とする請求項１～３のいずれか１に記載の樹脂フィルム。
【請求項5】
二軸延伸されていることを特徴とする請求項１～４のいずれか１に記載の樹脂フィルム。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか１に記載の樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの片面又は両面に積層された金属層とを有することを特徴とする金属層一体型樹脂フィルム。
【請求項7】
巻回された請求項６に記載の金属層一体型樹脂フィルムを有するか、又は、請求項６に記載の金属層一体型樹脂フィルムが複数積層された構成を有することを特徴とするフィルムコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、樹脂フィルム、金属層一体型樹脂フィルム、及び、フィルムコンデンサに関する。
【背景技術】
【0002】
ポリプロピレンフィルムは、高い耐電圧性や低い誘電損失特性等の優れた電気特性を有し、且つ、高い耐湿性を有する。そのため、広く電子機器や電気機器に用いられている。具体的には、例えば、高電圧コンデンサ、各種スイッチング電源、フィルター用コンデンサ（例えば、コンバーター、インバーター等）、平滑用コンデンサ等に使用されるフィルムとして利用されている。
【0003】
近年、コンデンサの小型化及び高容量化が更に要求されている。コンデンサの体積を変えないで静電容量を向上させるためには、誘電体としてのフィルムを薄くすることが好ましい。そのため、厚さがより薄いフィルムが求められている。
【0004】
また、近年、ポリプロピレンフィルムは、電気自動車やハイブリッド自動車等の駆動モーターを制御するインバーター電源機器用コンデンサとして、広く用いられ始めている。自動車等に用いられるインバーター電源機器用コンデンサは、小型、軽量、高容量であり、且つ、広い温度範囲（例えば、－４０℃～９０℃）で、長期間にわたる高い耐電圧性が求められている。
【0005】
特許文献１には、１１０℃での体積抵抗率が５×１０１４Ω・ｃｍ以上であるポリプロピレンフィルム、との記載がある（請求項５参照）。また、１１０℃での体積抵抗率が５×１０１４Ω・ｃｍに満たない場合は、信頼性が損なわれる場合がある、との記載がある（段落［００２８］参照）。また、信頼性の評価に関して、コンデンサ素子を解体し破壊の状態を調べて、信頼性を評価した、との記載があり（段落［０１４７］）、具体的には、ステップ状に５０ＶＤＣ／１分で徐々に印加電圧を上昇させることを繰り返す操作により、静電容量が初期値に対して１０％以下に減少するまで電圧を上昇させた後に、貫通状の破壊が観察されるか否かを評価している（段落［０１４１］、［０１４７］－段落［０１５１］）。一般的には電気絶縁性を表す指標として、電圧を印可したときに生じる「絶縁破壊」と、長時間電圧を印可することによって徐々に進行する「絶縁劣化」に大別できる。特許文献１では短時間で高電圧を印加して評価していることから、貫通状の破壊は絶縁破壊を指していると考えられ、前者の特性が良好であることを効果としていると考えられる。つまり、特許文献１では、１１０℃での体積抵抗率を所定値以上とした場合には、貫通状の絶縁破壊が抑制され、短時間での絶縁耐力が良好であることが記載されていると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】国際公開第２０１６／１８２００３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
一方、本発明者らは、長期間の使用に耐え得る信頼性の高いコンデンサを検討する中で、例えば、１０００時間の寿命試験において静電容量の低下を抑制できたとしても、必ずしも長期間の使用に耐え得るとはいえないという知見を得た。つまり、コンデンサの寿命試験においては、実際の使用条件と同じ条件とし、且つ、実際の使用と同じ時間をかけて試験を行うことは不可能であるから、実際の使用条件よりもある程度高負荷とした上で、実際に想定している耐用時間よりも短い時間（例えば、１０００時間）で測定を中止し、この時点での評価により、長期間の使用に耐え得るかを判断しているが、仮に１０００時間の寿命試験において静電容量の低下を抑制できたとしても、そのことが必ずしも長期間の使用に耐え得るとはいえないという知見を得た。
【0008】
本発明者らは、上記知見に関して鋭意検討を行った。その結果、寿命試験においてコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率を抑制すれば、長期間の使用に耐え得る信頼性の高いコンデンサが得られることを見出した。より具体的に説明すると、例えば、寿命試験において、コンデンサ素子の静電容量の低下が抑制できていたとしても、コンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）が初期値に比較して大きく低下している場合があることに気付いた。このような場合、その後仮に試験を続行していたならば、コンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下に起因して発熱量が増大し、指数関数的にコンデンサ素子の静電容量が低下する等して急激に性能が低下することとなる。つまり、本発明者らは、寿命試験におけるコンデンサ素子の静電容量の低下量は、寿命試験期間内における劣化具合を評価するものであり、寿命試験後の性能がどのようになるのかを明確に把握できるものとはいえないのではないかと考えた。一方、コンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下量（低下率）は、寿命試験期間内の劣化度合いを評価できる指標であると同時に、寿命試験後における劣化進行度合をも評価できる指標であると考えた。つまり、寿命試験期間内においてコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率が大きければ、その後試験を続行すると、指数関数的に静電容量が低下する等して急激に性能が低下することとなるため、寿命試験後における劣化進行度合をも評価できる指標であると考えた。
【0009】
ところが、コンデンサ素子の寿命試験における絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下をどのようにして抑制することができるかについては不明であった。
【0010】
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率を抑制することが可能な樹脂フィルムを提供することにある。また、本発明は、当該樹脂フィルムを有する金属層一体型樹脂フィルム、及び、当該金属層一体型樹脂フィルムを有するフィルムコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明者らは、この点について鋭意検討を行った。その結果、驚くべきことに、樹脂フィルムの体積抵抗率と比誘電率との積を所定値以上とすることにより、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0012】
なお、従来、コンデンサ素子の寿命試験において、静電容量の低下が抑制できていれば、コンデンサの性能としては問題ないと評価できるという考え方が一般的であり、絶縁抵抗値（ＩＲ）については、初期値が問題なければ、その後の低下率を詳細に検討することは行われていない。
【0013】
また、上述したように、特許文献１は、１１０℃でのフィルムの体積抵抗率を所定値以上とした場合には、コンデンサ素子の容量低下が抑制でき得ることや、高電圧を印加した場合の短時間絶縁破壊が防止でき得ることが記載されていると考えられるが、フィルムの体積抵抗率の値や、体積抵抗率と比誘電率との積を所定値以上とすることにより、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率を抑制できることについて記載はない。
【0014】
また、詳細は後述するが、特許文献１におけるフィルムの体積抵抗率の測定方法は、本発明のフィルムの体積抵抗率の測定方法とは異なる。そして、特許文献１における体積抵抗率の測定方法では、体積抵抗率の値と、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率との相関を得ることはできない。従って、仮に、特許文献１における体積抵抗率の測定方法により得られる体積抵抗率が所定値以上の樹脂フィルムを得たとしても、当該樹脂フィルムが、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率を抑制できることにはならない。
【0015】
本発明に係る樹脂フィルムは、
主成分として結晶性熱可塑性樹脂を含有し、
下記測定方法（１）により測定される２３℃での体積抵抗率ρＶ２３℃と下記測定方法（２）により測定される２３℃での比誘電率εｒ２３℃との積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、
下記測定方法（３）により測定される１００℃での体積抵抗率ρＶ１００℃と下記測定方法（４）により測定される１００℃での比誘電率εｒ１００℃との積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする。
＜測定方法＞
（１）２３℃の雰囲気下で電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように電圧を印加し、１分経過時点での電流値から次式により算出する。
ρＶ２３℃＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（樹脂フィルムの厚さ）×（電流値）］
（２）樹脂フィルムの両面に導電性ペーストを塗布、乾燥させて電極を形成し、得られた電極に導電性ペーストを用いて導線を取り付け、得られた試験用コンデンサの容量Ｃを２３℃の雰囲気下で測定し、次式を用いてεｒ２３℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ２３℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
（３）１００℃の雰囲気下で電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように電圧を印加し、１分経過時点での電流値から次式により算出する。
ρＶ１００℃＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（樹脂フィルムの厚さ）×（電流値）］
（４）樹脂フィルムの両面に導電性ペーストを塗布、乾燥させて電極を形成し、得られた電極に導電性ペーストを用いて導線を取り付け、得られた試験用コンデンサの容量Ｃを１００℃の雰囲気下で測定し、次式を用いてεｒ１００℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ１００℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
主成分として結晶性熱可塑性樹脂を含有し、
下記測定方法（１）により測定される２３℃での体積抵抗率ρＶ２３℃と下記測定方法（２）により測定される２３℃での比誘電率εｒ２３℃との積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、
下記測定方法（３）により測定される１００℃での体積抵抗率ρＶ１００℃と下記測定方法（４）により測定される１００℃での比誘電率εｒ１００℃との積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする。
＜測定方法＞
（１）２３℃の雰囲気下で電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように電圧を印加し、１分経過時点での電流値から次式により算出する。
ρＶ２３℃＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（樹脂フィルムの厚さ）×（電流値）］
（２）樹脂フィルムの両面に導電性ペーストを塗布、乾燥させて電極を形成し、得られた電極に導電性ペーストを用いて導線を取り付け、得られた試験用コンデンサの容量Ｃを２３℃の雰囲気下で測定し、次式を用いてεｒ２３℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ２３℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
（３）１００℃の雰囲気下で電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように電圧を印加し、１分経過時点での電流値から次式により算出する。
ρＶ１００℃＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（樹脂フィルムの厚さ）×（電流値）］
（４）樹脂フィルムの両面に導電性ペーストを塗布、乾燥させて電極を形成し、得られた電極に導電性ペーストを用いて導線を取り付け、得られた試験用コンデンサの容量Ｃを１００℃の雰囲気下で測定し、次式を用いてεｒ１００℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ１００℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
【0016】
従来、フィルムの一般的な体積抵抗率の測定方法においては、測定値の精度として、桁数が信用のできる数値であり、桁数よりも詳細な数値については、誤差範囲とみなされている。しかしながら、桁数レベルの精度で測定したフィルムの体積抵抗率では、当該フィルムから製作したコンデンサ素子の寿命試験における絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率との明確な相関を得ることはできない。
一方、本発明では、２３℃での体積抵抗率ρＶ２３℃は、上記測定方法（１）により測定し、１００℃での体積抵抗率ρＶ１００℃は、上記測定方法（３）により測定する。これにより、フィルムの体積抵抗率を、桁数レベルよりもより高い精度で得ることができる。本発明における体積抵抗率の測定方法では、電位傾度を一定（本発明では、２００Ｖ／μｍ）としている点が、精度向上の理由の１つである。
一般的に、オームの法則が成立する範囲内においては、どのような電圧で測定しても（どのような電位傾度で測定しても）体積抵抗率は、一定になる。しかしながら、オームの法則が成立しない領域（高電界領域）では、測定時の電圧に応じて体積抵抗率は、異なることになる。具体的には、測定時の電圧が高くなるほど（電位傾度が高くなるほど）、体積抵抗率は低く測定される。そのため、フィルムの体積抵抗率は、電位傾度を揃えた条件で比較することが重要である。
本発明では、電位傾度を一定として体積抵抗率を求めるため、例えば、複数種類のフィルムの体積抵抗率を測定した場合に、従来方法では、同一桁数であるからほぼ同一の体積抵抗率であると評価されていたものについて、明確に異なる値であるとすることが可能となる。そして、実施例からも分かるように、本発明における体積抵抗率の測定方法で得られるフィルムの体積抵抗率と、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率とは、よい相関が得られる。なお、比誘電率は、樹脂フィルムの分子構造と結晶形態に特有の値である。従って、本発明における体積抵抗率と比誘電率との積も、寿命試験における絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率とよい相関が得られる。
以上より、本発明におけるフィルムの体積抵抗率が大きいほど、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は抑制される。
そして、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であれば、２３℃（常温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得る。
また、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であれば、１００℃（高温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得る。
なお、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であると、２３℃（常温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得るとし、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であれば、１００℃（高温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得るとしたのは、寿命試験における評価基準として、当該数値以上であれば、実際の長期間の使用に耐え得る可能性が極めて高いとの想定で設定したことによる。
一方、本発明では、２３℃での体積抵抗率ρＶ２３℃は、上記測定方法（１）により測定し、１００℃での体積抵抗率ρＶ１００℃は、上記測定方法（３）により測定する。これにより、フィルムの体積抵抗率を、桁数レベルよりもより高い精度で得ることができる。本発明における体積抵抗率の測定方法では、電位傾度を一定（本発明では、２００Ｖ／μｍ）としている点が、精度向上の理由の１つである。
一般的に、オームの法則が成立する範囲内においては、どのような電圧で測定しても（どのような電位傾度で測定しても）体積抵抗率は、一定になる。しかしながら、オームの法則が成立しない領域（高電界領域）では、測定時の電圧に応じて体積抵抗率は、異なることになる。具体的には、測定時の電圧が高くなるほど（電位傾度が高くなるほど）、体積抵抗率は低く測定される。そのため、フィルムの体積抵抗率は、電位傾度を揃えた条件で比較することが重要である。
本発明では、電位傾度を一定として体積抵抗率を求めるため、例えば、複数種類のフィルムの体積抵抗率を測定した場合に、従来方法では、同一桁数であるからほぼ同一の体積抵抗率であると評価されていたものについて、明確に異なる値であるとすることが可能となる。そして、実施例からも分かるように、本発明における体積抵抗率の測定方法で得られるフィルムの体積抵抗率と、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率とは、よい相関が得られる。なお、比誘電率は、樹脂フィルムの分子構造と結晶形態に特有の値である。従って、本発明における体積抵抗率と比誘電率との積も、寿命試験における絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率とよい相関が得られる。
以上より、本発明におけるフィルムの体積抵抗率が大きいほど、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は抑制される。
そして、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であれば、２３℃（常温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得る。
また、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であれば、１００℃（高温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得る。
なお、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であると、２３℃（常温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得るとし、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であれば、１００℃（高温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得るとしたのは、寿命試験における評価基準として、当該数値以上であれば、実際の長期間の使用に耐え得る可能性が極めて高いとの想定で設定したことによる。
【0017】
また、本発明では、体積抵抗率ρＶ２３℃ではなく、体積抵抗率ρＶ２３℃と比誘電率εｒ２３℃との積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］を用い、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であるとしたのは次の理由による。
上述の通り、本発明におけるフィルムの体積抵抗率が大きいほど、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は抑制される。従って、体積抵抗率は大きいほど好ましい。
一方、比誘電率は、大きいほど電気を貯める能力が高くなる。つまり、電極面積が同じであれば、比誘電率が大きいほど、コンデンサとしての静電容量は、大きくなる。そのため、比誘電率は大きいほど好ましい。
ここで、樹脂材料を検討すると、体積抵抗率が比較的大きいものの、比誘電率は比較的小さいものや、体積抵抗率が比較的小さいものの、比誘電率は比較的大きいもの等、種々の材料が存在する。
このような種々の材料を検討した際に、フィルムの体積抵抗率が比較的大きなものに関しては、寿命試験期間中におけるコンデンサ素子の漏れ電流が小さく抑えられ、コンデンサ素子の発熱が抑制される結果、絶縁抵抗（ＩＲ）の低下がより抑制されることになるため、劣化の進行度合いがより遅くなると予想される。そのため、比誘電率が比較的小さくても、性能として、実際の長期間の使用に耐え得ると考えられる。
反対に、フィルムの体積抵抗率が比較的小さいものに関しては、コンデンサ素子の絶縁抵抗（ＩＲ）は、体積抵抗率が比較的大きいものと比べると低下しやすく、劣化の進行度合いは、やや速くなると予想される。しかしながら、比誘電率が比較的大きい場合には、もともと電気を溜める能力が高い。そのため、（Ａ）目的の静電容量を得るのに必要なフィルム面積（電極面積）を小さくできる、又は、（Ｂ）フィルム面積を維持したままフィルムの厚さを厚くすることができる。その結果、寿命試験期間中におけるコンデンサ素子の漏れ電流を低減することができ、発熱を抑制することができる。
この点につき、より詳細に説明する。
比誘電率の異なるフィルムを用いて静電容量がそれぞれ同一のコンデンサ素子を作製することを想定する。この想定において、比誘電率の比較的大きいフィルムを使用すると、漏れ電流の低減を達成するための選択肢として、次の（１）～（３）の３通りの中から選択可能となる点で有利である。
（１）フィルム厚さを維持したまま使用するフィルム面積を小さくする。
（２）フィルム面積は変えずにフィルムを厚くする。
（３）前２者の利点を取って、フィルムをやや厚めに、フィルム面積をやや小さめにする。
以上により、コンデンサ素子の絶縁抵抗（ＩＲ）の低下が、より抑制されることになり、実際の長期間の使用に耐え得ると考えられる。
そこで、体積抵抗率と比誘電率との積を、実際の長期間の使用に耐え得るか否かの指標として用いることにした。
上述の通り、本発明におけるフィルムの体積抵抗率が大きいほど、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は抑制される。従って、体積抵抗率は大きいほど好ましい。
一方、比誘電率は、大きいほど電気を貯める能力が高くなる。つまり、電極面積が同じであれば、比誘電率が大きいほど、コンデンサとしての静電容量は、大きくなる。そのため、比誘電率は大きいほど好ましい。
ここで、樹脂材料を検討すると、体積抵抗率が比較的大きいものの、比誘電率は比較的小さいものや、体積抵抗率が比較的小さいものの、比誘電率は比較的大きいもの等、種々の材料が存在する。
このような種々の材料を検討した際に、フィルムの体積抵抗率が比較的大きなものに関しては、寿命試験期間中におけるコンデンサ素子の漏れ電流が小さく抑えられ、コンデンサ素子の発熱が抑制される結果、絶縁抵抗（ＩＲ）の低下がより抑制されることになるため、劣化の進行度合いがより遅くなると予想される。そのため、比誘電率が比較的小さくても、性能として、実際の長期間の使用に耐え得ると考えられる。
反対に、フィルムの体積抵抗率が比較的小さいものに関しては、コンデンサ素子の絶縁抵抗（ＩＲ）は、体積抵抗率が比較的大きいものと比べると低下しやすく、劣化の進行度合いは、やや速くなると予想される。しかしながら、比誘電率が比較的大きい場合には、もともと電気を溜める能力が高い。そのため、（Ａ）目的の静電容量を得るのに必要なフィルム面積（電極面積）を小さくできる、又は、（Ｂ）フィルム面積を維持したままフィルムの厚さを厚くすることができる。その結果、寿命試験期間中におけるコンデンサ素子の漏れ電流を低減することができ、発熱を抑制することができる。
この点につき、より詳細に説明する。
比誘電率の異なるフィルムを用いて静電容量がそれぞれ同一のコンデンサ素子を作製することを想定する。この想定において、比誘電率の比較的大きいフィルムを使用すると、漏れ電流の低減を達成するための選択肢として、次の（１）～（３）の３通りの中から選択可能となる点で有利である。
（１）フィルム厚さを維持したまま使用するフィルム面積を小さくする。
（２）フィルム面積は変えずにフィルムを厚くする。
（３）前２者の利点を取って、フィルムをやや厚めに、フィルム面積をやや小さめにする。
以上により、コンデンサ素子の絶縁抵抗（ＩＲ）の低下が、より抑制されることになり、実際の長期間の使用に耐え得ると考えられる。
そこで、体積抵抗率と比誘電率との積を、実際の長期間の使用に耐え得るか否かの指標として用いることにした。
【0018】
また、上述した通り、比誘電率は、樹脂フィルムの分子構造（コンフォメーションやパッキング）に特有の値であるものの、従来の比誘電率の測定方法では、薄いフィルムの比誘電率を正確に測定することは困難であった。
一方、本発明では、２３℃での比誘電率εｒ２３℃は、上記測定方法（２）により測定し、１００℃での比誘電率εｒ１００℃は、上記測定方法（４）により測定する。これにより、薄い樹脂フィルムであっても、比誘電率を簡便、且つ、再現性良く測定することが可能となった。
以上より、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］、及び、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］の値について、より正確な値が得られる。
その結果、実際の長期間の使用に耐え得るか否かの指標として、より正確な値を得ることができる。
一方、本発明では、２３℃での比誘電率εｒ２３℃は、上記測定方法（２）により測定し、１００℃での比誘電率εｒ１００℃は、上記測定方法（４）により測定する。これにより、薄い樹脂フィルムであっても、比誘電率を簡便、且つ、再現性良く測定することが可能となった。
以上より、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］、及び、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］の値について、より正確な値が得られる。
その結果、実際の長期間の使用に耐え得るか否かの指標として、より正確な値を得ることができる。
【0019】
なお、特許文献１では、電圧１００Ｖで１分間印加し、１分経過時点での体積抵抗値から、体積抵抗率を算出している（段落［０１３７］参照）。電圧印加に際し、フィルム厚さは考慮されていない。例えば、実施例８のフィルムは、厚さ２．３μｍであるところ、電位傾度は、約４３．５Ｖ／μｍ（１００Ｖ／２．３μｍ）である。一方、実施例９のフィルムは、厚さ５．８μｍであるところ、電位傾度は、約１７．２Ｖ／μｍ（１００Ｖ／５．８μｍ）である。上述した通り、オームの法則が成立しない領域（高電界領域）では、測定時の電圧に応じて体積抵抗率は、異なることになるため、特許文献１のような体積抵抗率の測定方法では、精度は低いと言わざるを得ない。
従って、仮に、特許文献１の方法により体積抵抗率を測定したとしても、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率との明確な相関を得ることはできない。
そもそも、特許文献１において、体積抵抗率は、高電圧を印加した場合のフィルムの貫通状破壊が抑制され、初期特性が良好であることを目的としており、長期使用におけるコンデンサ素子の品質の評価を目的とするものではない。従って、特許文献１には、体積抵抗率の値を用いて、コンデンサ素子の長期間の使用に耐え得るような評価を行おうとする動機付けは全く存在しないと言わざるを得ない。
従って、仮に、特許文献１の方法により体積抵抗率を測定したとしても、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率との明確な相関を得ることはできない。
そもそも、特許文献１において、体積抵抗率は、高電圧を印加した場合のフィルムの貫通状破壊が抑制され、初期特性が良好であることを目的としており、長期使用におけるコンデンサ素子の品質の評価を目的とするものではない。従って、特許文献１には、体積抵抗率の値を用いて、コンデンサ素子の長期間の使用に耐え得るような評価を行おうとする動機付けは全く存在しないと言わざるを得ない。
【0020】
なお、本明細書において「寿命試験」とは、実際の使用条件よりも過酷な温度や電圧を加えた状態でコンデンサ素子の劣化を促す加速試験であって、実際に想定している耐用使用時間よりも短い時間（例えば、１０００時間）で測定を中止し、この時点での評価により、長期間の使用に耐え得るかを推定し、評価する試験をいう。
【0021】
さらに、本発明に係る樹脂フィルムは、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、かつ、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であり、コンデンサ素子の絶縁抵抗（ＩＲ）の低下が抑制されているため、静電容量Ｃの低下も抑制されている。その結果、（Ｃ・ＩＲ）の低下も抑制される。
なお、一般的に、コンデンサの静電容量Ｃが大きい（例えば、電極面積が広い、誘電体の厚みが薄い）と、絶縁抵抗（ＩＲ）は小さくなる（電流が漏れ易くなる）ことが知られている。一般的に、静電容量Ｃが異なってもコンデンサを公平に比較する指標として「ＣＲ積（静電容量×絶縁抵抗）」が使用されている。本明細書における（Ｃ・ＩＲ）は、このＣＲ積と同義であり、静電容量Ｃが異なってもコンデンサを公平に比較することができる点で優れる。
なお、一般的に、コンデンサの静電容量Ｃが大きい（例えば、電極面積が広い、誘電体の厚みが薄い）と、絶縁抵抗（ＩＲ）は小さくなる（電流が漏れ易くなる）ことが知られている。一般的に、静電容量Ｃが異なってもコンデンサを公平に比較する指標として「ＣＲ積（静電容量×絶縁抵抗）」が使用されている。本明細書における（Ｃ・ＩＲ）は、このＣＲ積と同義であり、静電容量Ｃが異なってもコンデンサを公平に比較することができる点で優れる。
【0022】
前記構成の樹脂フィルムは、厚さが、０．８～６μｍの範囲内であることが好ましい。
【0023】
厚さが６μｍ以下であると、静電容量の低下をより抑制できる。また、静電容量の低下をより抑制できるため、（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）もより抑制できる。
また、前記樹脂フィルムの厚さが６μｍ以下であると、コンデンサ素子としたときの単位体積当たりの静電容量を大きくすることができるため、コンデンサ用として好適に使用できる。また、前記樹脂フィルムの厚さが０．８μｍ以上であると、フィルムの製膜安定性の観点から好ましい。
また、前記樹脂フィルムの厚さが６μｍ以下であると、コンデンサ素子としたときの単位体積当たりの静電容量を大きくすることができるため、コンデンサ用として好適に使用できる。また、前記樹脂フィルムの厚さが０．８μｍ以上であると、フィルムの製膜安定性の観点から好ましい。
【0024】
前記構成の樹脂フィルムは、コンデンサ用であることが好ましい。
【0025】
積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］及び積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が所定値以上である前記樹脂フィルムは、コンデンサ素子の寿命試験における絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率が抑制されるため、コンデンサ用として好適に使用できる。
【0026】
前記構成の樹脂フィルムは、二軸延伸されていることが好ましい。
【0027】
二軸延伸されていると、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］及び積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が所定値以上である樹脂フィルムとし易い。
【0028】
前記構成の樹脂フィルムは、厚さが、０．８～２２μｍの範囲内であることが好ましい。
【0029】
厚さが、０．８～２２μｍの範囲内であると、静電容量を大きくすることができるため、コンデンサ用として好適に使用できる。
【0030】
前記構成の樹脂フィルムにおいて、前記結晶性熱可塑性樹脂は、（ａ）主鎖が脂肪族炭化水素である、（ｂ）主鎖にアミド結合を有する、（ｃ）主鎖にエーテル結合を有する、のうち、少なくとも１つを満たすことが好ましい。
【0031】
（ａ）主鎖が脂肪族炭化水素である、（ｂ）主鎖にアミド結合を有する、（ｃ）主鎖にエーテル結合を有する、のうち、少なくとも１つを満たす結晶性熱可塑性樹脂は、融点が比較的高い。従って、前記結晶性熱可塑性樹脂が、上記（ａ）～（ｃ）のうち少なくとも１つを満たすと、耐熱性に優れる。
【0032】
前記構成の樹脂フィルムにおいて、前記結晶性熱可塑性樹脂の主鎖を構成する炭素原子には、それぞれ少なくとも１つの水素原子が結合していることも好ましい。
【0033】
前記結晶性熱可塑性樹脂の主鎖を構成する炭素原子に、それぞれ少なくとも１つの水素原子が結合していると、誘電体として好適となる。例えば、主鎖を構成する炭素原子に塩素原子やフッ素原子のみが結合し、水素原子が結合していない場合、強誘電体となるおそれがあり、電圧を印加した際に逆圧電効果によるフィルムの変形（歪み）が懸念される。なお、強誘電体であっても、コンデンサ用として使用することが不可能であるわけではない。
【0034】
前記構成の樹脂フィルムにおいて、前記積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、
前記積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であり、
前記比誘電率εｒ１００℃が２以上５以下であることが好ましい。
前記積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であり、
前記比誘電率εｒ１００℃が２以上５以下であることが好ましい。
【0035】
前記積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、前記積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であり、前記比誘電率εｒ１００℃が２以上５以下であると、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率がより抑制される。
【0036】
前記構成の樹脂フィルムにおいて、ｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］が５以下であることが好ましい。
【0037】
前記ｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］が５以下であると、２３℃（常温）と１００℃（高温）とにおいて、寿命試験における絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率の差異が少ないといえる。つまり、前記ｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］は、耐熱性を示す指標として使用することができ、この指標が５以下であると、より耐熱性に優れるといえる。
【0038】
前記構成の樹脂フィルムにおいて、前記結晶性熱可塑性樹脂が、ポリプロピレン樹脂であることが好ましい。
【0039】
ポリプロピレン樹脂は、体積抵抗率が比較的高い樹脂であるため、前記結晶性熱可塑性樹脂が、ポリプロピレン樹脂であると、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率を好適に抑制できる。
【0040】
前記樹脂フィルムを構成する樹脂中の灰分は、５ｐｐｍ以上３５ｐｐｍ以下が好ましい。
【0041】
前記樹脂フィルムを構成する樹脂（原料樹脂）中の灰分が、５ｐｐｍ以上３５ｐｐｍ以下であると、極性をもった低分子成分の生成を抑制しつつコンデンサとしての電気特性を向上させることができる。
【0042】
前記構成の樹脂フィルムにおいては、ヘプタン不溶分が、９６％以上９９．５％以下であることが好ましい。
【0043】
ヘプタン不溶分は、多いほど樹脂の立体規則性が高いことを示す。前記樹脂フィルムのヘプタン不溶分（ＨＩ）が、９６％以上９９．５％以下であると、適度に高い立体規則性により、樹脂の結晶性が適度に向上し、高温下での耐電圧性が向上する。一方、キャスト原反シート成形の際の固化（結晶化）の速度が適度となり、適度の延伸性を有する。
【0044】
前記構成の樹脂フィルムにおいては、分子量分布［（重量平均分子量Ｍｗ）／（数平均分子量Ｍｎ）］が、５以上１２以下であることが好ましい。
【0045】
前記樹脂フィルムの分子量分布［（重量平均分子量Ｍｗ）／（数平均分子量Ｍｎ）］が、前記範囲内にあると、二軸延伸時に適度な樹脂流動性が得られ、厚みムラのない極薄化された二軸延伸ポリプロピレンフィルムを得ることが容易となる。それに加えて、高分子量成分、低分子量成分の分布の構成を調整することで、二軸延伸樹脂フィルムを用いて構成されたコンデンサの耐電圧性をより向上させることができる。
【0046】
前記構成の樹脂フィルムにおいては、広角Ｘ線回折法により測定されるα晶（０４０）面の反射ピークの半価幅からＳｃｈｅｒｒｅｒの式を用いて求められる結晶子サイズが、９ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。
【0047】
前記樹脂フィルムの前記結晶子サイズが、１５ｎｍ以下であると、漏れ電流が小さくなり、常温や高温での耐電圧性が好ましく向上する。一方、前記結晶子サイズが９ｎｍ以上であると、樹脂フィルム（特に、ポリプロピレンフィルム）の機械的強度及び融点を維持する観点から好ましい。
【0048】
前記構成の樹脂フィルムにおいては、面配向係数が０．０１０～０．０１６であることが好ましい。
【0049】
前記樹脂フィルムの面配向係数が前記範囲内にあると、高温且つ高電圧下における絶縁破壊をより低減できるため好ましい。
【0050】
前記構成の樹脂フィルムにおいては、融点が１７０℃以上１７６℃以下であることが好ましい。
【0051】
前記樹脂フィルムの融点が１７０℃以上であると、高温下の耐電圧性や熱寸法安定性に優れる。一方、１７６℃以下であると、フィルムの剛性が適度になり、延伸フィルムとして形成が容易になる。
【0052】
前記構成の樹脂フィルムにおいては、融解エンタルピーが９０Ｊ／ｇ以上１２５Ｊ／ｇ以下であることが好ましい。
【0053】
前記樹脂フィルムの融解エンタルピーが９０Ｊ／ｇ以上であると、結晶子が強固となるため、好ましい。一方、１２５Ｊ／ｇ以下であると、結晶子サイズが適度に小さくなるため好ましい。
【0054】
また、本発明に係る金属層一体型樹脂フィルムは、
前記樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルムの片面又は両面に積層された金属層とを有することを特徴とする。
前記樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルムの片面又は両面に積層された金属層とを有することを特徴とする。
【0055】
前記構成によれば、前記樹脂フィルムの片面又は両面に積層された金属層を有するため、樹脂フィルムを誘電体とし、金属層を電極としたフィルムコンデンサに使用することができる。また、前記積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、前記積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上である前記樹脂フィルムを有するため、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率が抑制されている。
【0056】
また、本発明に係るフィルムコンデンサは、巻回された前記金属層一体型樹脂フィルムを有するか、又は、前記金属層一体型樹脂フィルムが複数積層された構成を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0057】
本発明によれば、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率を抑制することが可能な樹脂フィルムを提供することができる。また、当該樹脂フィルムを有する金属層一体型樹脂フィルム、及び、当該金属層一体型樹脂フィルムを有するフィルムコンデンサを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0058】
以下、本発明の実施形態について、説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【0059】
本明細書中において、「含有」、「含む」という表現は、「含有」、「含む」、「実質的にからなる」、「のみからなる」という概念を含む。
【0060】
本明細書において、「素子」「コンデンサ」「コンデンサ素子」「フィルムコンデンサ」は同じものを意味する。
【0061】
本実施形態に係る樹脂フィルムは、
主成分として結晶性熱可塑性樹脂を含有し、
下記測定方法（１）により測定される２３℃での体積抵抗率ρＶ２３℃と下記測定方法（２）により測定される２３℃での比誘電率εｒ２３℃との積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、
下記測定方法（３）により測定される１００℃での体積抵抗率ρＶ１００℃と下記測定方法（４）により測定される１００℃での比誘電率εｒ１００℃との積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上である。
＜測定方法＞
（１）２３℃の雰囲気下で電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように電圧を印加し、１分経過時点での電流値から次式により算出する。
ρＶ２３℃＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（樹脂フィルムの厚さ）×（電流値）］
（２）樹脂フィルムの両面に導電性ペーストを塗布、乾燥させて電極を形成し、得られた電極に導電性ペーストを用いて導線を取り付け、得られた試験用コンデンサの容量Ｃを２３℃の雰囲気下で測定し、次式を用いてεｒ２３℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ２３℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
（３）１００℃の雰囲気下で電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように電圧を印加し、１分経過時点での電流値から次式により算出する。
ρＶ１００℃＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（樹脂フィルムの厚さ）×（電流値）］
（４）樹脂フィルムの両面に導電性ペーストを塗布、乾燥させて電極を形成し、得られた電極に導電性ペーストを用いて導線を取り付け、得られた試験用コンデンサの容量Ｃを１００℃の雰囲気下で測定し、次式を用いてεｒ１００℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ１００℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
主成分として結晶性熱可塑性樹脂を含有し、
下記測定方法（１）により測定される２３℃での体積抵抗率ρＶ２３℃と下記測定方法（２）により測定される２３℃での比誘電率εｒ２３℃との積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、
下記測定方法（３）により測定される１００℃での体積抵抗率ρＶ１００℃と下記測定方法（４）により測定される１００℃での比誘電率εｒ１００℃との積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上である。
＜測定方法＞
（１）２３℃の雰囲気下で電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように電圧を印加し、１分経過時点での電流値から次式により算出する。
ρＶ２３℃＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（樹脂フィルムの厚さ）×（電流値）］
（２）樹脂フィルムの両面に導電性ペーストを塗布、乾燥させて電極を形成し、得られた電極に導電性ペーストを用いて導線を取り付け、得られた試験用コンデンサの容量Ｃを２３℃の雰囲気下で測定し、次式を用いてεｒ２３℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ２３℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
（３）１００℃の雰囲気下で電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように電圧を印加し、１分経過時点での電流値から次式により算出する。
ρＶ１００℃＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（樹脂フィルムの厚さ）×（電流値）］
（４）樹脂フィルムの両面に導電性ペーストを塗布、乾燥させて電極を形成し、得られた電極に導電性ペーストを用いて導線を取り付け、得られた試験用コンデンサの容量Ｃを１００℃の雰囲気下で測定し、次式を用いてεｒ１００℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ１００℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
【0062】
上記測定方法（１）について、詳細に説明する。以下の説明において、特に記載のない測定条件は、ＪＩＳ Ｃ ２１３９に準拠する。
まず、２３℃環境の恒温槽に、体積抵抗率測定用ジグ（以下、単に、「ジグ」ともいう）を配置する。体積抵抗率測定用ジグの構成は下記の通りである。また、ジグの各電極には、直流電源、直流電流計を接続する。
＜体積抵抗率測定用ジグ＞
主電極（直径５０ｍｍ）
対電極（直径８５ｍｍ）
主電極を囲うリング状のガード電極（外径８０ｍｍ、内径７０ｍｍ）
各電極は、金メッキされた銅製で、試料と接する面には導電ゴムが貼付されている。使用した導電ゴムは、信越シリコーン社製、ＥＣ－６０ＢＬ（Ｗ３００）で、導電ゴムの光沢のある面を、金メッキされた銅と接するように貼付する。
まず、２３℃環境の恒温槽に、体積抵抗率測定用ジグ（以下、単に、「ジグ」ともいう）を配置する。体積抵抗率測定用ジグの構成は下記の通りである。また、ジグの各電極には、直流電源、直流電流計を接続する。
＜体積抵抗率測定用ジグ＞
主電極（直径５０ｍｍ）
対電極（直径８５ｍｍ）
主電極を囲うリング状のガード電極（外径８０ｍｍ、内径７０ｍｍ）
各電極は、金メッキされた銅製で、試料と接する面には導電ゴムが貼付されている。使用した導電ゴムは、信越シリコーン社製、ＥＣ－６０ＢＬ（Ｗ３００）で、導電ゴムの光沢のある面を、金メッキされた銅と接するように貼付する。
【0063】
次に、樹脂フィルム（以下、試料ともいう）を２３℃、５０％ＲＨの環境に２４時間置く。その後、試料を恒温槽内のジグにセットする。具体的には、試料の一方の面に、主電極、及び、ガード電極を密着させ、他方の面に対電極を密着させ、荷重５ｋｇｆで試料と各電極を密着させる。その後、３０分間静置する。
【0064】
次に、電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように試料に電圧を印加する。
【0065】
電圧の印加後、１分経過時点での電流値を読み取り、次式により体積抵抗率を算出する。なお、電圧の印加にはＫｅｉｔｈｌｅｙ社製の２２９０－１０（直流電源）を用い、電流値の測定には、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製の２６３５Ｂ（直流電流計）を用いる。
体積抵抗率＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（試料の厚さ）×（電流値）］
体積抵抗率＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（試料の厚さ）×（電流値）］
【0066】
ここで、有効電極面積は、下記式により求める。
（有効電極面積）＝π×［［［（主電極の直径）＋（ガード電極の内径）］／２］／２］２
（有効電極面積）＝π×［［［（主電極の直径）＋（ガード電極の内径）］／２］／２］２
【0067】
本実施形態では、有効電極面積を、主電極の面積とはせず、主電極とガード電極との離間部分のうち、主電極から同じ、又は、主電極よりも近い部分を有効電極面積としている。これにより、より正確な電流値の測定を可能としている。
【0068】
以上、測定方法（１）について説明した。
【0069】
次に、上記測定方法（２）について、詳細に説明する。
まず、樹脂フィルム（以下、試料ともいう）の一方の面に直径３０ｍｍの型枠を当てて、導電性ペーストを塗布する。溶媒が充分に揮発し、型枠を外しても導電性ペーストが流れださなくなった後、型枠を外し、半日放置する。これにより電極を形成する。次に、試料の他方の面にフィルムを挟んで先の電極と重なるように、同様にして電極を形成する。以上により、両面に各直径３０ｍｍの電極を有するコンデンサを得る。
まず、樹脂フィルム（以下、試料ともいう）の一方の面に直径３０ｍｍの型枠を当てて、導電性ペーストを塗布する。溶媒が充分に揮発し、型枠を外しても導電性ペーストが流れださなくなった後、型枠を外し、半日放置する。これにより電極を形成する。次に、試料の他方の面にフィルムを挟んで先の電極と重なるように、同様にして電極を形成する。以上により、両面に各直径３０ｍｍの電極を有するコンデンサを得る。
【0070】
作成したコンデンサを測定装置と接続するために、コンデンサの各電極部分に導線を導電性ペーストで接続する。このとき、各導線がフィルムを挟んで対向すると、導線部分においても静電容量が形成されてしまうので、各導線はできるだけ離した位置で接続する。前記導線としては、特に限定されないが、錫メッキ銅が挙げられる。
【0071】
次に、各導線を測定装置に接続し、作成したコンデンサの容量Ｃを測定する。測定は、２３℃に設定された恒温槽内に、３０分静置した後、下記条件にて行う。
＜測定条件＞
印加電圧：１Ｖ
測定周波数：１ｋＨｚ
＜測定条件＞
印加電圧：１Ｖ
測定周波数：１ｋＨｚ
【0072】
その後、次式を用いて比誘電率εｒ２３℃を算出する。
（容量Ｃ）＝（εｒ２３℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
（容量Ｃ）＝（εｒ２３℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
【0073】
以上、測定方法（２）について説明した。
【0074】
上記測定方法（３）の詳細は、恒温槽の温度を１００℃とすること以外は、上記測定方法（１）と同様である。従って、ここでの詳細な説明は省略する。
【0075】
上記測定方法（４）の詳細は、恒温槽の温度を１００℃とすること以外は、上記測定方法（２）と同様である。従って、ここでの詳細な説明は省略する。
【0076】
従来、フィルムの一般的な体積抵抗率の測定方法においては、測定値の精度として、桁数が信用のできる数値であり、桁数よりも詳細な数値については、誤差範囲とみなされている。しかしながら、桁数レベルの精度で測定したフィルムの体積抵抗率では、当該フィルムから製作したコンデンサ素子の寿命試験における絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率との明確な相関を得ることはできない。
一方、本実施形態では、２３℃での体積抵抗率ρＶ２３℃は、上記測定方法（１）により測定し、１００℃での体積抵抗率ρＶ１００℃は、上記測定方法（３）により測定する。これにより、フィルムの体積抵抗率を、桁数レベルよりもより高い精度で得ることができる。本実施形態における体積抵抗率の測定方法では、電位傾度を一定（本実施形態では、２００Ｖ／μｍ）としている点が、精度向上の理由の１つである。
一般的に、オームの法則が成立する範囲内においては、どのような電圧で測定しても（どのような電位傾度で測定しても）体積抵抗率は、一定になる。しかしながら、オームの法則が成立しない領域（高電界領域）では、測定時の電圧に応じて体積抵抗率は、異なることになる。具体的には、測定時の電圧が高くなるほど（電位傾度が高くなるほど）、体積抵抗率は低く測定される。そのため、フィルムの体積抵抗率は、電位傾度を揃えた条件で比較することが重要である。
本実施形態では、電位傾度を一定として体積抵抗率を求めるため、例えば、複数種類のフィルムの体積抵抗率を測定した場合に、従来方法では、同一桁数であるからほぼ同一の体積抵抗率であると評価されていたものについて、明確に異なる値であるとすることが可能となる。そして、実施例からも分かるように、本実施形態における体積抵抗率の測定方法で得られるフィルムの体積抵抗率と、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率とは、よい相関が得られる。なお、比誘電率は、樹脂フィルムの分子構造（コンフォメーションやパッキング）に特有の値である。従って、本実施形態における体積抵抗率と比誘電率との積も、寿命試験における絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率とよい相関が得られる。
また、本実施形態では、測定した電流値から体積抵抗率を算出する際、有効電極面積を、主電極の面積とはせず、主電極とガード電極との離間部分のうち、主電極から同じ、又は、主電極よりも近い部分を有効電極面積としている。これにより、より正確な電流値の測定を可能としている。
以上より、本実施形態における体積抵抗率が大きいほど、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は抑制される。
そして、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であれば、２３℃（常温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得る。
また、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であれば、１００℃（高温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得る。
なお、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であると、２３℃（常温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得るとし、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であれば、１００℃（高温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得るとしたのは、寿命試験における評価基準として、当該数値以上であれば、実際の長期間の使用に耐え得る可能性が極めて高いとの想定で設定したことによる。
一方、本実施形態では、２３℃での体積抵抗率ρＶ２３℃は、上記測定方法（１）により測定し、１００℃での体積抵抗率ρＶ１００℃は、上記測定方法（３）により測定する。これにより、フィルムの体積抵抗率を、桁数レベルよりもより高い精度で得ることができる。本実施形態における体積抵抗率の測定方法では、電位傾度を一定（本実施形態では、２００Ｖ／μｍ）としている点が、精度向上の理由の１つである。
一般的に、オームの法則が成立する範囲内においては、どのような電圧で測定しても（どのような電位傾度で測定しても）体積抵抗率は、一定になる。しかしながら、オームの法則が成立しない領域（高電界領域）では、測定時の電圧に応じて体積抵抗率は、異なることになる。具体的には、測定時の電圧が高くなるほど（電位傾度が高くなるほど）、体積抵抗率は低く測定される。そのため、フィルムの体積抵抗率は、電位傾度を揃えた条件で比較することが重要である。
本実施形態では、電位傾度を一定として体積抵抗率を求めるため、例えば、複数種類のフィルムの体積抵抗率を測定した場合に、従来方法では、同一桁数であるからほぼ同一の体積抵抗率であると評価されていたものについて、明確に異なる値であるとすることが可能となる。そして、実施例からも分かるように、本実施形態における体積抵抗率の測定方法で得られるフィルムの体積抵抗率と、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率とは、よい相関が得られる。なお、比誘電率は、樹脂フィルムの分子構造（コンフォメーションやパッキング）に特有の値である。従って、本実施形態における体積抵抗率と比誘電率との積も、寿命試験における絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率とよい相関が得られる。
また、本実施形態では、測定した電流値から体積抵抗率を算出する際、有効電極面積を、主電極の面積とはせず、主電極とガード電極との離間部分のうち、主電極から同じ、又は、主電極よりも近い部分を有効電極面積としている。これにより、より正確な電流値の測定を可能としている。
以上より、本実施形態における体積抵抗率が大きいほど、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は抑制される。
そして、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であれば、２３℃（常温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得る。
また、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であれば、１００℃（高温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得る。
なお、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であると、２３℃（常温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得るとし、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上であれば、１００℃（高温）雰囲気下での実際の長期間の使用に耐え得るとしたのは、寿命試験における評価基準として、当該数値以上であれば、実際の長期間の使用に耐え得る可能性が極めて高いとの想定で設定したことによる。
【0077】
また、本実施形態では、体積抵抗率ρＶ２３℃ではなく、体積抵抗率ρＶ２３℃と比誘電率εｒ２３℃との積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］を用い、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であるとしたのは次の理由による。
上述の通り、本実施形態におけるフィルムの体積抵抗率が大きいほど、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は抑制される。従って、体積抵抗率は大きいほど好ましい。
一方、比誘電率は、大きいほど電気を貯める能力が高くなる。つまり、比誘電率が大きいほど、コンデンサとしての静電容量は、大きくなる。そのため、比誘電率は大きいほど好ましい。
ここで、樹脂材料を検討すると、体積抵抗率が比較的大きいものの、比誘電率は比較的小さいものや、体積抵抗率が比較的小さいものの、比誘電率は比較的大きいもの等、種々の材料が存在する。
このような種々の材料を検討した際に、フィルムの体積抵抗率が比較的大きなものに関しては、寿命試験期間中におけるコンデンサ素子の漏れ電流が小さく抑えられ、コンデンサ素子の発熱が抑制される結果、絶縁抵抗（ＩＲ）の低下がより抑制されることになるため、劣化の進行度合いがより遅くなると予想される。そのため、比誘電率が比較的小さくても、性能として、実際の長期間の使用に耐え得ると考えられる。
反対に、フィルムの体積抵抗率が比較的小さいものに関しては、コンデンサ素子の絶縁抵抗（ＩＲ）は、体積抵抗率が比較的大きいものと比べると低下しやすく、劣化の進行度合いは、やや速くなると予想される。しかしながら、比誘電率が比較的大きい場合には、もともと電気を溜める能力が高い。そのため、（Ａ）目的の静電容量を得るのに必要なフィルム面積（電極面積）を小さくできる、又は、（Ｂ）フィルム面積を維持したままフィルムの厚さを厚くすることができる。その結果、寿命試験期間中におけるコンデンサ素子の漏れ電流を低減することができ、発熱を抑制することができる。
この点につき、より詳細に説明する。
比誘電率の異なるフィルムを用いて静電容量がそれぞれ同一のコンデンサ素子を作製することを想定する。この想定において、比誘電率の比較的大きいフィルムを使用すると、漏れ電流の低減を達成するための選択肢として、次の（１）～（３）の３通りの中から選択可能となる点で有利である。
（１）フィルム厚さを維持したまま使用するフィルム面積を小さくする。
（２）フィルム面積は変えずにフィルムを厚くする。
（３）前２者の利点を取って、フィルムをやや厚めに、フィルム面積をやや小さめにする。
以上により、コンデンサ素子の絶縁抵抗（ＩＲ）の低下が、より抑制されることになり、実際の長期間の使用に耐え得ると考えられる。
そこで、体積抵抗率と比誘電率との積を、実際の長期間の使用に耐え得るか否かの指標として用いることにした。
上述の通り、本実施形態におけるフィルムの体積抵抗率が大きいほど、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は抑制される。従って、体積抵抗率は大きいほど好ましい。
一方、比誘電率は、大きいほど電気を貯める能力が高くなる。つまり、比誘電率が大きいほど、コンデンサとしての静電容量は、大きくなる。そのため、比誘電率は大きいほど好ましい。
ここで、樹脂材料を検討すると、体積抵抗率が比較的大きいものの、比誘電率は比較的小さいものや、体積抵抗率が比較的小さいものの、比誘電率は比較的大きいもの等、種々の材料が存在する。
このような種々の材料を検討した際に、フィルムの体積抵抗率が比較的大きなものに関しては、寿命試験期間中におけるコンデンサ素子の漏れ電流が小さく抑えられ、コンデンサ素子の発熱が抑制される結果、絶縁抵抗（ＩＲ）の低下がより抑制されることになるため、劣化の進行度合いがより遅くなると予想される。そのため、比誘電率が比較的小さくても、性能として、実際の長期間の使用に耐え得ると考えられる。
反対に、フィルムの体積抵抗率が比較的小さいものに関しては、コンデンサ素子の絶縁抵抗（ＩＲ）は、体積抵抗率が比較的大きいものと比べると低下しやすく、劣化の進行度合いは、やや速くなると予想される。しかしながら、比誘電率が比較的大きい場合には、もともと電気を溜める能力が高い。そのため、（Ａ）目的の静電容量を得るのに必要なフィルム面積（電極面積）を小さくできる、又は、（Ｂ）フィルム面積を維持したままフィルムの厚さを厚くすることができる。その結果、寿命試験期間中におけるコンデンサ素子の漏れ電流を低減することができ、発熱を抑制することができる。
この点につき、より詳細に説明する。
比誘電率の異なるフィルムを用いて静電容量がそれぞれ同一のコンデンサ素子を作製することを想定する。この想定において、比誘電率の比較的大きいフィルムを使用すると、漏れ電流の低減を達成するための選択肢として、次の（１）～（３）の３通りの中から選択可能となる点で有利である。
（１）フィルム厚さを維持したまま使用するフィルム面積を小さくする。
（２）フィルム面積は変えずにフィルムを厚くする。
（３）前２者の利点を取って、フィルムをやや厚めに、フィルム面積をやや小さめにする。
以上により、コンデンサ素子の絶縁抵抗（ＩＲ）の低下が、より抑制されることになり、実際の長期間の使用に耐え得ると考えられる。
そこで、体積抵抗率と比誘電率との積を、実際の長期間の使用に耐え得るか否かの指標として用いることにした。
【0078】
また、上述した通り、比誘電率は、樹脂フィルムの分子構造（コンフォメーションやパッキング）に特有の値であるものの、従来の比誘電率の測定方法では、薄いフィルムの比誘電率を正確に測定することは困難であった。
一方、本実施形態では、２３℃での比誘電率εｒ２３℃は、上記測定方法（２）により測定し、１００℃での比誘電率εｒ１００℃は、上記測定方法（４）により測定する。これにより、薄い樹脂フィルムであっても、比誘電率を簡便、且つ、再現性良く測定することが可能となった。
以上より、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］、及び、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］の値について、より正確な値が得られる。
その結果、実際の長期間の使用に耐え得るか否かの指標として、より正確な値を得ることができる。
一方、本実施形態では、２３℃での比誘電率εｒ２３℃は、上記測定方法（２）により測定し、１００℃での比誘電率εｒ１００℃は、上記測定方法（４）により測定する。これにより、薄い樹脂フィルムであっても、比誘電率を簡便、且つ、再現性良く測定することが可能となった。
以上より、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］、及び、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］の値について、より正確な値が得られる。
その結果、実際の長期間の使用に耐え得るか否かの指標として、より正確な値を得ることができる。
【0079】
上述した通り、本実施形態に係る樹脂フィルムの前記積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］は、１×１０１６Ω・ｃｍ以上である。前記積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］は、２×１０１６Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、３×１０１６Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。また、前記積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］は、大きいほど好ましいが、例えば、１×１０２２Ω・ｃｍ以下、１×１０２１Ω・ｃｍ以下とすることができる。
【0080】
また、上述した通り、本実施形態に係る樹脂フィルムの前記積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］は、１×１０１４Ω・ｃｍ以上である。前記積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］は、２×１０１４Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、３×１０１４Ω・ｃｍ以上であることがより好ましく、１×１０１５Ω・ｃｍ以上であることがさらに好ましく、２×１０１５Ω・ｃｍ以上であることがさらに一層好ましく、３×１０１５Ω・ｃｍ以上が特に好ましい。また、前記積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］は、大きいほど好ましいが、例えば、５×１０１９Ω・ｃｍ以下、１×１０１９Ω・ｃｍ以下とすることができる。
【0081】
前記体積抵抗率ρＶ２３℃は、１×１０１５Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、５×１０１５Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。前記体積抵抗率ρＶ２３℃が１×１０１５Ω・ｃｍ以上であると、２３℃（常温）での絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率がより抑制される。前記体積抵抗率ρＶ２３℃は、大きい方が好ましいが、例えば５×１０２１Ω・ｃｍ以下、５×１０２０Ω・ｃｍ以下とすることができる。
【0082】
比誘電率εｒ２３℃は、２．０以上であることが好ましく、２．２以上であることがより好ましい。前記比誘電率εｒ２３℃が２．０以上であると、コンデンサとしての静電容量をより大きくすることができる。前記比誘電率εｒ２３℃は、大きい方が好ましいが、例えば、９．０以下、５．０以下とすることができる。
【0083】
前記体積抵抗率ρＶ１００℃は、５×１０１３Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、５×１０１４Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。前記体積抵抗率ρＶ１００℃が５×１０１３Ω・ｃｍ以上であると、１００℃（高温）での絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率がより抑制される。前記体積抵抗率ρＶ１００℃は、大きい方が好ましいが、例えば、３×１０１９Ω・ｃｍ以下、５×１０１８Ω・ｃｍ以下とすることができる。
【0084】
比誘電率εｒ１００℃は、２．０以上であることが好ましく、２．２以上であることがより好ましい。前記比誘電率εｒ１００℃が２．０以上であると、コンデンサとしての静電容量をより大きくすることができる。前記比誘電率εｒ１００℃は、大きい方が好ましいが、例えば、９．０以下、５．０以下とすることができる。
【0085】
前記樹脂フィルムは、なかでも、前記積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、前記積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１５Ω・ｃｍ以上であり、前記比誘電率εｒ１００℃が２以上５以下であることが好ましい。前記積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、前記積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１５Ω・ｃｍ以上であり、前記比誘電率εｒ１００℃が２以上５以下であると、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率がより抑制される。
【0086】
前記樹脂フィルムは、ｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］が５以下であることが好ましく、３以下であることがより好ましく、２以下であることがさらに好ましい。
【0087】
前記ｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］が５以下であると、２３℃（常温）と１００℃（高温）とにおいて、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率の差異が少ないといえる。つまり、前記ｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］は、耐熱性を示す指標として使用することができ、この指標が５以下であると、より耐熱性に優れるといえる。前記ｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］は、小さい方が好ましいが、例えば０．０１以上、０．１以上、０．５以上である。
【0088】
前記［ρＶ２３℃×εｒ２３℃）］、前記［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］、及び、前記ｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］は、(i)前記樹脂フィルムを構成する樹脂（原料樹脂）の種類選定、立体規則性、灰分、及び分子量分布、(ii)前記樹脂フィルム全体に対する前記樹脂の含有量、(iii)延伸の際の縦及び横の延伸倍率、並びに横延伸角度、(iv)前記樹脂フィルムの結晶化度及び結晶子サイズ、(v)前記樹脂のポーリング処理の有無及びその処理における印加電圧、(vi)添加剤(特に無機フィラー)の種類選定及びその含有量、等で適宜調整することができる。
なお、本明細書において、横延伸角度は、以下をいう。
横延伸角度：横延伸開始地点の樹脂フィルム幅を構成する第１線分の両端を第１端と第２端とで定義し、横延伸終了地点の樹脂フィルム幅を構成する第２線分の両端を第３端と第４端とで定義し、第１線分の中点から流れ方向に沿って延びる基準仮想直線の片側に第１端と第３端とが位置すると定義したとき、第１端および第３端をつなぐ第１仮想直線と、第１端から流れ方向に沿って延びる第２仮想直線とがなす角度（当該角度は９０°未満）。横延伸角度は、８．５°以上が好ましく、９．０°以上がより好ましい。また、横延伸角度は、１３．０°以下が好ましく１２．０°以下がより好ましい。横延伸角度を大きくすると［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］及び［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］は大きくなる傾向にある。
なお、本明細書において、横延伸角度は、以下をいう。
横延伸角度：横延伸開始地点の樹脂フィルム幅を構成する第１線分の両端を第１端と第２端とで定義し、横延伸終了地点の樹脂フィルム幅を構成する第２線分の両端を第３端と第４端とで定義し、第１線分の中点から流れ方向に沿って延びる基準仮想直線の片側に第１端と第３端とが位置すると定義したとき、第１端および第３端をつなぐ第１仮想直線と、第１端から流れ方向に沿って延びる第２仮想直線とがなす角度（当該角度は９０°未満）。横延伸角度は、８．５°以上が好ましく、９．０°以上がより好ましい。また、横延伸角度は、１３．０°以下が好ましく１２．０°以下がより好ましい。横延伸角度を大きくすると［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］及び［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］は大きくなる傾向にある。
【0089】
前記樹脂フィルムを用いて製作したコンデンサ素子の寿命試験における絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は、５０％以下が好ましく、２５％以下であることがより好ましく、２０％以下であることがさらに好ましく、１５％以下であることがさらに一層好ましく、１０％以下であることが特に好ましい。また、前記絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は、小さい方が好ましいが、例えば、－１０００％以上、－５００％以上、－１００％以上等とすることができる。前記絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率は、下記式により算出される値である。また、コンデンサ素子の絶縁抵抗値の測定方法、及び、寿命試験後の絶縁抵抗値の測定方法は、下記の通りである。
【0090】
＜コンデンサ素子の絶縁抵抗値の測定、寿命試験後の絶縁抵抗値の測定、及び、絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率の算出＞
コンデンサ素子の絶縁抵抗値を、日置電機株式会社製 超絶縁抵抗計ＤＳＭ８１０４を用いて評価する。絶縁抵抗値の低下率は、以下の手順で求める。コンデンサ素子を２３℃で２４時間静置後、コンデンサ素子に２５０Ｖ／μｍの電位傾度（但しフィルムの厚みが２μｍ以上である場合は５００Ｖ）で電圧を印加し、印加後、１分経過時の絶縁抵抗値を測定する。これを、寿命試験前の絶縁抵抗値」とする。次に、コンデンサ素子を超絶縁抵抗計から取り外して、１０５℃の恒温槽中にて、コンデンサ素子に直流高圧電源で直流２８０Ｖ／μｍの電位傾度で電圧を１０００時間印加（負荷）し続ける。１０００時間経過後、コンデンサ素子を取り外した後にコンデンサ素子に放電抵抗を接続して除電する。次いで、コンデンサ素子を２３℃で２４時間時間静置し、その後、コンデンサ素子の絶縁抵抗値を測定する。これを、寿命試験後の絶縁抵抗値とする。その後、絶縁抵抗値の低下率を算出する。絶縁抵抗値の低下率は、コンデンサ２個の平均値により評価する。
［絶縁抵抗値の低下率（％）］＝［［（寿命試験前の絶縁抵抗値）－（寿命試験後の絶縁抵抗値）］／（（寿命試験前の絶縁抵抗値）］×１００
コンデンサ素子の絶縁抵抗値を、日置電機株式会社製 超絶縁抵抗計ＤＳＭ８１０４を用いて評価する。絶縁抵抗値の低下率は、以下の手順で求める。コンデンサ素子を２３℃で２４時間静置後、コンデンサ素子に２５０Ｖ／μｍの電位傾度（但しフィルムの厚みが２μｍ以上である場合は５００Ｖ）で電圧を印加し、印加後、１分経過時の絶縁抵抗値を測定する。これを、寿命試験前の絶縁抵抗値」とする。次に、コンデンサ素子を超絶縁抵抗計から取り外して、１０５℃の恒温槽中にて、コンデンサ素子に直流高圧電源で直流２８０Ｖ／μｍの電位傾度で電圧を１０００時間印加（負荷）し続ける。１０００時間経過後、コンデンサ素子を取り外した後にコンデンサ素子に放電抵抗を接続して除電する。次いで、コンデンサ素子を２３℃で２４時間時間静置し、その後、コンデンサ素子の絶縁抵抗値を測定する。これを、寿命試験後の絶縁抵抗値とする。その後、絶縁抵抗値の低下率を算出する。絶縁抵抗値の低下率は、コンデンサ２個の平均値により評価する。
［絶縁抵抗値の低下率（％）］＝［［（寿命試験前の絶縁抵抗値）－（寿命試験後の絶縁抵抗値）］／（（寿命試験前の絶縁抵抗値）］×１００
【0091】
前記樹脂フィルムを用いて製作したコンデンサ素子の寿命試験における（Ｃ・ＩＲ）の低下率は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることがさらに好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。前記（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）は、下記式により算出される値である。前記（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）が５０％以下であると、寿命試験中のコンデンサ素子の自己発熱が低く抑えられるため樹脂フィルムの劣化の進行が緩やかとなり、長期間の使用に耐え得る信頼性の高いコンデンサとなる。
［（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）］＝［［（寿命試験前のコンデンサの容量）×（寿命試験前の絶縁抵抗値）－（寿命試験後のコンデンサ容量）×（寿命試験後の絶縁抵抗値）］／［（寿命試験前のコンデンサの容量）×（寿命試験前の絶縁抵抗値）］］×１００
［（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）］＝［［（寿命試験前のコンデンサの容量）×（寿命試験前の絶縁抵抗値）－（寿命試験後のコンデンサ容量）×（寿命試験後の絶縁抵抗値）］／［（寿命試験前のコンデンサの容量）×（寿命試験前の絶縁抵抗値）］］×１００
【0092】
前記樹脂フィルムを構成する樹脂中の灰分は、３５ｐｐｍ以下であることが好ましく、３０ｐｐｍ以下であることがより好ましく、２５ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。前記灰分は、５ｐｐｍ以上が好ましく、１０ｐｐｍ以上がより好ましく、１５ｐｐｍ以上がさらに好ましく、２０ｐｐｍ以上がさらに好ましい。前記灰分は、前記樹脂フィルムとして、添加剤（後述する添加剤の説明の項を参照）が含有されていない樹脂フィルムを採用する場合には、実施例に記載の方法により得られる値をいう。一方、前記樹脂フィルムとして、添加剤が含有されている樹脂フィルムを採用する場合には、原料樹脂のみで作成した灰分測定用樹脂フィルムを用い、実施例に記載の方法により得られる値をいう。
【0093】
前記樹脂フィルムを構成する樹脂（原料樹脂）中の灰分は、極性をもった低分子成分の生成を抑制しつつコンデンサとしての電気特性を向上させるために、５ｐｐｍ以上３５ｐｐｍ以下が好ましい。
【0094】
前記樹脂フィルムは、ヘプタン不溶分が、９６％以上９９．５％以下であることが好ましく、９７.０％以上９９.３％以下であることがより好ましく、９７．５％以上９９．０％以下であることがさらに好ましい。前記ヘプタン不溶分の測定方法は、実施例に記載の方法による。
【0095】
ヘプタン不溶分は、多いほど樹脂の立体規則性が高いことを示す。前記樹脂フィルムのヘプタン不溶分（ＨＩ）が、９６％以上９９．５％以下であると、適度に高い立体規則性により、樹脂の結晶性が適度に向上し、高温下での耐電圧性が向上する。一方、キャスト原反シート成形の際の固化（結晶化）の速度が適度となり、適度の延伸性を有する。
【0096】
前記樹脂フィルムの重量平均分子量Ｍｗ、及び、前記樹脂フィルムの数平均分子量Ｍｎは、特に限定されない。
【0097】
前記樹脂フィルムの分子量分布［（重量平均分子量Ｍｗ）／（数平均分子量Ｍｎ）］は、５以上１２以下であることが好ましく、５．２以上１０．５以下であることがより好ましく、５．５以上９以下であることがさらに好ましい。
【0098】
前記樹脂フィルムの分子量分布［（重量平均分子量Ｍｗ）／（数平均分子量Ｍｎ）］が、前記数値範囲内であると、延伸工程を行う場合に適度な樹脂流動性が得られ、厚みムラのないフィルムを得ることが容易となるため好ましい。また、コンデンサ用として使用する際に、耐電圧性の観点から好ましい。
【0099】
本明細書において、前記樹脂フィルムの重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）装置を用いて測定した値である。より具体的には、東ソー株式会社製、示差屈折計（ＲＩ）内蔵型高温ＧＰＣ測定機のＨＬＣ－８１２１ＧＰＣ－ＨＴ（商品名）を使用して測定した値である。ＧＰＣカラムとして、東ソー株式会社製の３本のＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨＨＲ－Ｈ（２０）ＨＴを連結して使用する。カラム温度を１４０℃に設定して、溶離液としてトリクロロベンゼンを１．０ｍｌ／１０分の流速で流して、ＭｗとＭｎの測定値を得る。東ソー株式会社製の標準ポリスチレンを用いてその分子量Ｍに関する検量線を作成して、測定値をポリスチレン値に換算して、Ｍｗ、及び、Ｍｎを得る。ここで、標準ポリスチレンの分子量Ｍの底１０の対数を、対数分子量（「Ｌｏｇ（Ｍ）」）という。
【0100】
前記樹脂フィルムは、広角Ｘ線回折法により測定されるα晶（０４０）面の反射ピークの半価幅からＳｃｈｅｒｒｅｒの式を用いて求められる結晶子サイズが、９ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上１３．５ｎｍ以下であることがより好ましく、１１ｎｍ以上１２．２ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１１．３ｎｍ以上１２．０ｎｍ以下が特に好ましい。前記結晶子サイズの測定方法は、実施例に記載の方法による。
【0101】
前記樹脂フィルムの前記結晶子サイズが、１５ｎｍ以下であると、漏れ電流が小さくなり、常温や高温での耐電圧性が好ましく向上する。一方、前記結晶子サイズが９ｎｍ以上であると、樹脂フィルム（特に、ポリプロピレンフィルム）の機械的強度及び融点を維持する観点から好ましい。
【0102】
前記樹脂フィルムは、面配向係数が０．０１０～０．０１６であることが好ましく、０．０１１～０．０１５５であることがより好ましく、０．０１１５～０．０１５であることがさらに好ましく、０．０１２１～０．０１３４がさらに一層好ましく、０．０１２５～０．０１３１が特に好ましい。
【0103】
前記樹脂フィルムの面配向係数が前記範囲内にあると、高温且つ高電圧下における絶縁破壊をより低減できるため好ましい。
【0104】
＜面配向係数ΔＰ＞
本明細書において、「面配向係数ΔＰ」とは、光学的複屈折測定により求めた樹脂フィルムの厚さ方向に対する複屈折値ΔＮｙｚ及びΔＮｘｚの値から算出される面配向係数ΔＰ（ただし、ΔＰ＝（ΔＮｙｚ＋ΔＮｘｚ）／２）をいう。
明細書において、樹脂フィルムの厚さ方向に対する「複屈折値ΔＮｙｚ」とは、光学的複屈折測定により求められる厚さ方向に対する複屈折値ΔＮｙｚをいう。より具体的には、フィルムの面内方向の主軸をｘ軸及びｙ軸、また、フィルムの厚さ方向（面内方向に対する法線方向）をｚ軸とし、面内方向のうち、屈折率のより高い方向の遅相軸をｘ軸とすると、ｙ軸方向の三次元屈折率からｚ軸方向の三次元屈折率を差し引いた値が、複屈折値ΔＮｙｚとなる。
本明細書において、「面配向係数ΔＰ」とは、光学的複屈折測定により求めた樹脂フィルムの厚さ方向に対する複屈折値ΔＮｙｚ及びΔＮｘｚの値から算出される面配向係数ΔＰ（ただし、ΔＰ＝（ΔＮｙｚ＋ΔＮｘｚ）／２）をいう。
明細書において、樹脂フィルムの厚さ方向に対する「複屈折値ΔＮｙｚ」とは、光学的複屈折測定により求められる厚さ方向に対する複屈折値ΔＮｙｚをいう。より具体的には、フィルムの面内方向の主軸をｘ軸及びｙ軸、また、フィルムの厚さ方向（面内方向に対する法線方向）をｚ軸とし、面内方向のうち、屈折率のより高い方向の遅相軸をｘ軸とすると、ｙ軸方向の三次元屈折率からｚ軸方向の三次元屈折率を差し引いた値が、複屈折値ΔＮｙｚとなる。
【0105】
また、本明細書において、樹脂フィルムの厚さ方向に対する「複屈折値ΔＮｘｚ」とは、光学的複屈折測定により求められる厚さ方向に対する複屈折値ΔＮｘｚをいい、より具体的には、ｘ軸（遅相軸）方向の三次元屈折率からｚ軸方向の三次元屈折率を差し引いた値が、複屈折値ΔＮｘｚとなる。
【0106】
フィルムの配向の強度の指標として、複屈折値ΔＮｙｚ及び／又はΔＮｘｚの値を用いることができる。フィルムの配向強度が強い場合、面内屈折率である、ｙ軸方向の三次元屈折率及び／又はｘ軸方向の三次元屈折率が高くなり、厚さ方向の屈折率であるｚ軸方向の三次元屈折率が低くなるので、複屈折値ΔＮｙｚ及び／又はΔＮｘｚの値が大きくなる。
【0107】
本実施形態では、樹脂フィルムの厚さ方向に対する「複屈折値ΔＮｙｚ」を測定するために、具体的には、大塚電子株式会社製、位相差測定装置 ＲＥ－１００を用いる。レタデーション（位相差）の測定は傾斜法を用いて行う。より具体的には、フィルムの面内方向の主軸をｘ軸及びｙ軸、また、フィルムの厚さ方向（面内方向に対する法線方向）をｚ軸とし、面内方向のうち、屈折率のより高い方向の遅相軸をｘ軸とする。ｘ軸を傾斜軸として、０°～５０°の範囲でｚ軸に対して１０°ずつ傾斜させたときの各レタデーション値を求める。得られたレタデーション値から、非特許文献「粟屋裕、高分子素材の偏光顕微鏡入門，１０５～１２０頁 、２００１年」に記載の方法を用いて、厚さ方向（ｚ軸方向）に対するｙ軸方向の複屈折ΔＮｙｚを計算する。まず、各傾斜角φに対し、測定されたレタデーション値Ｒを、傾斜補正が施された厚さｄで割ったＲ／ｄを求める。φ＝１０°、２０°、３０°、４０°、５０°のそれぞれのＲ／ｄについて、φ＝０°のＲ／ｄとの差を求め、それらをさらにｓｉｎ２ｒ（ｒ：屈折角）で割ったものを、それぞれのφにおける複屈折ΔＮｚｙとし、正負の符号を逆にして複屈折値ΔＮｙｚとする。φ＝２０°、３０°、４０°、５０°におけるΔＮｙｚの平均値として、複屈折値ΔＮｙｚを算出する。なお、例えば、逐次延伸法において、ＭＤ方向（流れ方向）の延伸倍率よりも、ＴＤ方向（幅方向）の延伸倍率が高い場合、ＴＤ方向が遅相軸（ｘ軸）となり、ＭＤ方向がｙ軸となる。また、ポリプロピレンを用いる場合、ポリプロピレンについての、各傾斜角における屈折角ｒの値は、前記文献の１０９頁に記載されているものを用いる。
【0108】
また、本実施形態では、樹脂フィルムの厚さ方向に対する「複屈折値ΔＮｘｚ」は、傾斜角φ＝０°で測定された上記レタデーション値Ｒを、厚さｄで割った値より、前述で求めたΔＮｚｙを除算し、複屈折値ΔＮｘｚを算出する。
【0109】
樹脂フィルムの面方向（ｘ軸方向及び／又はｙ軸方向）に配向を与えると、厚さ方向の屈折率Ｎｚが変化して、複屈折値ΔＮｙｚ及び／又はΔＮｘｚが大きくなり、耐電圧性が向上する（絶縁破壊電圧が高くなる）。これは、以下の理由によると考えられる。樹脂（例えば、ポリプロピレン）の分子鎖が面方向に配向すると、厚さ方向の屈折率Ｎｚは低くなる。フィルム厚さ方向の電気伝導性は分子鎖間での伝達となるので低くなる。従って、樹脂分子鎖（例えば、ポリプロピレン分子鎖）が面方向に配向した（複屈折値ΔＮｙｚ及び／又はΔＮｘｚが大きい）場合、フィルム厚さ方向の電気伝導性は分子鎖間での伝達となりえるので、樹脂の分子鎖が面方向に配向していない（複屈折値ΔＮｙｚ及び／又はΔＮｘｚが小さい）場合と比較して、耐電圧性が向上すると考えられる。
【0110】
一般的に、製膜条件（延伸倍率調整など）を変えることで、樹脂の分子鎖の配向を変更して、「複屈折値ΔＮｙｚ」及び／又は「複屈折値ΔＮｘｚ」を制御することができる。また、樹脂の特性（分子量、重合度、分子量分布等）を変えることで、「複屈折値ΔＮｙｚ」及び／又は「複屈折値ΔＮｘｚ」を制御することもできる。
【0111】
「面配向係数ΔＰ」は、複屈折値ΔＮｙｚ及びΔＮｘｚを、式：ΔＰ＝（ΔＮｙｚ＋ΔＮｘｚ）／２に代入して求める。本発明では、複屈折値ΔＮｙｚで表されるｙ軸方向の配向強度のみならず、複屈折値ΔＮｘｚで表されるｘ軸方向の配向強度をも考慮に入れて算出される「面配向係数ΔＰ」に着目した点に、１つの特徴を有する。面配向係数ΔＰは、例えば複屈折値ΔＮｙｚが非常に大きくとも、複屈折値ΔＮｘｚが極端に小さければ、比較的小さな値となる。樹脂の分枝鎖のある部位の断面の長軸と短軸の長さの差が大きい場合を想定すると、複屈折値の一方が極端に小さいことにより該長軸方向がフィルム厚み方向に近づく（或いは一致する）こととなり得、この場合はフィルム厚み方向の電気伝導性が高まり、耐電圧性が低下すると考えられる。よって、複屈折値ΔＮｙｚと複屈折値ΔＮｘｚが両方とも極端に低い値ではなく、それにより面配向係数ΔＰが一定以上であることにより、耐電圧性は高くなると考えられる。
前記面配向係数の具体的な測定方法は、実施例に記載の方法による。
前記面配向係数の具体的な測定方法は、実施例に記載の方法による。
【0112】
前記樹脂フィルムは、融点が１７０℃以上１７６℃以下であることが好ましく、１７１℃以上１７５．５℃以下であることがより好ましく、１７１．５℃以上１７５℃以下であることがさらに好ましく、１７２℃以上１７４．５℃以下が特に好ましい。
【0113】
前記樹脂フィルムの融点が１７０℃以上であると、高温下の耐電圧性や熱寸法安定性に優れる。一方、１７６℃以下であると、フィルムの剛性が適度になり、延伸フィルムとして形成が容易になる。前記融点の測定方法は、実施例に記載の方法による。
【0114】
前記樹脂フィルムは、融解エンタルピーが９０Ｊ／ｇ以上１２５Ｊ／ｇ以下であることが好ましく、１００Ｊ／ｇ以上１２３Ｊ／ｇ以下であることがより好ましく、１０８Ｊ／ｇ以上１２２Ｊ／ｇ以下であることがさらに好ましい。
【0115】
前記樹脂フィルムの融解エンタルピーが９０Ｊ／ｇ以上であると、結晶子が強固となるため、好ましい。一方、１２５Ｊ／ｇ以下であると結晶子サイズが適度に小さくなるため好ましい。前記融解エンタルピーの測定方法は、実施例に記載の方法による。
【0116】
前記樹脂フィルムは、厚さが、０．８～２２μｍの範囲内であることが好ましく、１．２～１２．０μｍの範囲内であることがより好ましく、１．４～６．０μｍの範囲内であることがより一層好ましく、１．５～４．０μｍがさらに好ましく、１．５～３．０μｍがさらに一層好ましく、１．５～２．９μｍが特に好ましい。
【0117】
厚さが、２２μｍ以下であると、静電容量を大きくすることができるため、コンデンサ用として好適に使用できる。また、製造上の観点から、厚さ０．８μｍ以上とすることができる。
【0118】
前記樹脂フィルムは、特に、厚さが、０．８～６μｍの範囲内であることが好ましい。コンデンサ素子が発熱すると、コンデンサ素子の内部で樹脂フィルムの温度も上昇して絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下を引き起こす。そこで、樹脂フィルムの厚さを小さくすると、同じ静電容量でもコンデンサ素子を小型にできるため、コンデンサ素子の比表面積が大きくなり、放熱に有利となる。従って、厚さが６μｍ以下であると、静電容量の低下をより抑制できる。また、静電容量の低下をより抑制できるため、（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）もより抑制できる。
また、前記樹脂フィルムの厚さが６μｍ以下であると、コンデンサ素子としたときの単位体積当たりの静電容量を大きくすることができるため、コンデンサ用として好適に使用できる。また、フィルムの製膜安定性の観点から、前記樹脂フィルムの厚さは０．８μｍ以上であることが好ましい。
この点について、以下に詳細に説明する。
樹脂フィルムは、厚さが薄いほど、単位体積当たりの静電容量を大きくできる。より具体的に説明すると、静電容量Ｃは、誘電率ε、電極面積Ｓ、誘電体厚さｄ（樹脂フィルムの厚さｄ）を用いて、以下のように表される。
Ｃ＝εＳ／ｄ
ここで、フィルムコンデンサの場合、電極の厚さは、樹脂フィルム（誘電体）の厚さと比較して３桁以上薄いため、電極の体積を無視すると、コンデンサの体積Ｖは、以下のように表される。
Ｖ＝Ｓｄ
従って、上記２つの式より、単位体積当たりの静電容量Ｃ／Ｖは、以下のように表される。
Ｃ／Ｖ＝ε／ｄ２
上記式から分かるように、単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）は、樹脂フィルム厚さの自乗に反比例する。また、誘電率εは、使用する材料により決まる。そうすると、材料を変更しない限りは、厚さを薄くすること以外で単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）を向上させることはできないことが分かる。
なお、電極面積は、単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）に影響しない。この点について以下に説明する。
同じ材料、同じ厚さのフィルムを巻回してコンデンサを作製する場合を想定する。例えば、ターン数（巻き数）を増やして、１０倍長く（電極面積を１０倍大きく）巻いたとする。そうすると、静電容量は１０倍になるが、体積も１０倍になるので単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）は、電極面積が変化しても変わらない。
上記説明は、理解を容易にするために理想化している。つまり、実際には、例えば、フィルム間にわずかな空隙が存在する場合があることや、電極端でのフリンジ効果の影響があること等により、面積に応じて単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）の値に多少の変化が見られる場合はある。しかしながら、一般的には、単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）は、樹脂フィルム厚さによって決まるということが理解できる。
以上より、前記樹脂フィルムの厚さは、製膜安定性が担保される範囲内で、なるべく薄くすることが好ましい。そこで、前記樹脂フィルムの厚さは、６μｍ以下であることが好ましい。
また、前記樹脂フィルムの厚さが６μｍ以下であると、コンデンサ素子としたときの単位体積当たりの静電容量を大きくすることができるため、コンデンサ用として好適に使用できる。また、フィルムの製膜安定性の観点から、前記樹脂フィルムの厚さは０．８μｍ以上であることが好ましい。
この点について、以下に詳細に説明する。
樹脂フィルムは、厚さが薄いほど、単位体積当たりの静電容量を大きくできる。より具体的に説明すると、静電容量Ｃは、誘電率ε、電極面積Ｓ、誘電体厚さｄ（樹脂フィルムの厚さｄ）を用いて、以下のように表される。
Ｃ＝εＳ／ｄ
ここで、フィルムコンデンサの場合、電極の厚さは、樹脂フィルム（誘電体）の厚さと比較して３桁以上薄いため、電極の体積を無視すると、コンデンサの体積Ｖは、以下のように表される。
Ｖ＝Ｓｄ
従って、上記２つの式より、単位体積当たりの静電容量Ｃ／Ｖは、以下のように表される。
Ｃ／Ｖ＝ε／ｄ２
上記式から分かるように、単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）は、樹脂フィルム厚さの自乗に反比例する。また、誘電率εは、使用する材料により決まる。そうすると、材料を変更しない限りは、厚さを薄くすること以外で単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）を向上させることはできないことが分かる。
なお、電極面積は、単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）に影響しない。この点について以下に説明する。
同じ材料、同じ厚さのフィルムを巻回してコンデンサを作製する場合を想定する。例えば、ターン数（巻き数）を増やして、１０倍長く（電極面積を１０倍大きく）巻いたとする。そうすると、静電容量は１０倍になるが、体積も１０倍になるので単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）は、電極面積が変化しても変わらない。
上記説明は、理解を容易にするために理想化している。つまり、実際には、例えば、フィルム間にわずかな空隙が存在する場合があることや、電極端でのフリンジ効果の影響があること等により、面積に応じて単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）の値に多少の変化が見られる場合はある。しかしながら、一般的には、単位体積当たりの静電容量（Ｃ／Ｖ）は、樹脂フィルム厚さによって決まるということが理解できる。
以上より、前記樹脂フィルムの厚さは、製膜安定性が担保される範囲内で、なるべく薄くすることが好ましい。そこで、前記樹脂フィルムの厚さは、６μｍ以下であることが好ましい。
【0119】
前記樹脂フィルムの厚さは、シチズンセイミツ社製の紙厚測定器ＭＥＩ－１１を用いて１００±１０ｋＰａで測定したこと以外、ＪＩＳ－Ｃ２３３０に準拠して測定した値をいう。
【0120】
前記樹脂フィルムは、二軸延伸フィルムであってもよく、一軸延伸フィルムであってもよく、無延伸フィルムであってもよい。なかでも、面配向係数を高めることができる観点から、二軸延伸フィルムであることが好ましい。
【0121】
前記樹脂フィルムは、上述の通り、主成分として結晶性熱可塑性樹脂を含有する。本明細書において、主成分として結晶性熱可塑性樹脂を含有する、とは、樹脂フィルム全体に対して（樹脂フィルム全体を１００質量％としたときに）、結晶性熱可塑性樹脂を５０質量％以上含有することをいう。樹脂フィルム全体に対する前記結晶性熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは、７５質量％以上であり、より好ましくは、９０質量％以上である。前記結晶性熱可塑性樹脂の含有量の上限は、樹脂フィルム全体に対して、例えば、１００質量％、９８質量％等である。
【0122】
前記結晶性熱可塑性樹脂としては、（ａ）主鎖が脂肪族炭化水素である、（ｂ）主鎖にアミド結合を有する、（ｃ）主鎖にエーテル結合を有する、のうち、少なくとも１つを満たす樹脂が好ましい。
（ａ）主鎖が脂肪族炭化水素である結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）樹脂等が挙げられる。
なお、本明細書において、脂肪族炭化水素とは、飽和炭化水素と不飽和炭化水素との両方を意味する。
（ｂ）主鎖にアミド結合を有する結晶性熱可塑性樹脂としては、６ナイロン（ＰＡ６）、６６ナイロン（ＰＡ６６）等が挙げられる。
（ｃ）主鎖にエーテル結合を有する結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリアセタール（ＰＯＭ）樹脂等が挙げられる。
前記結晶性熱可塑性樹脂は、上記（ａ）～上記（ｃ）の２つ以上を満たすコポリマーであってもよい。
（ａ）主鎖が脂肪族炭化水素である結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）樹脂等が挙げられる。
なお、本明細書において、脂肪族炭化水素とは、飽和炭化水素と不飽和炭化水素との両方を意味する。
（ｂ）主鎖にアミド結合を有する結晶性熱可塑性樹脂としては、６ナイロン（ＰＡ６）、６６ナイロン（ＰＡ６６）等が挙げられる。
（ｃ）主鎖にエーテル結合を有する結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリアセタール（ＰＯＭ）樹脂等が挙げられる。
前記結晶性熱可塑性樹脂は、上記（ａ）～上記（ｃ）の２つ以上を満たすコポリマーであってもよい。
【0123】
また、前記結晶性熱可塑性樹脂としては、前記結晶性熱可塑性樹脂の主鎖を構成する炭素原子に、それぞれ少なくとも１つの水素原子が結合している樹脂であってもよい。
主鎖を構成する炭素原子に、それぞれ少なくとも１つの水素原子が結合している結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリアセタール（ＰＯＭ）樹脂等が挙げられる。
なお、本明細書において、主鎖を構成する炭素原子にそれぞれ少なくとも１つの水素原子が結合している、とは、主鎖にベンゼン環が含まれる場合には、ベンゼン環に少なくとも１つの水素原子が結合していることを意味する。また、主鎖に炭素原子以外の原子がある場合、当該炭素原子以外の原子には、水素原子が結合していても、結合していなくてもよいことを意味する。
主鎖を構成する炭素原子に、それぞれ少なくとも１つの水素原子が結合している結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリアセタール（ＰＯＭ）樹脂等が挙げられる。
なお、本明細書において、主鎖を構成する炭素原子にそれぞれ少なくとも１つの水素原子が結合している、とは、主鎖にベンゼン環が含まれる場合には、ベンゼン環に少なくとも１つの水素原子が結合していることを意味する。また、主鎖に炭素原子以外の原子がある場合、当該炭素原子以外の原子には、水素原子が結合していても、結合していなくてもよいことを意味する。
【0124】
前記結晶性熱可塑性樹脂は、一種の結晶性熱可塑性樹脂を単独で使用してもよく、二種以上の結晶性熱可塑性樹脂を併用して使用してもよい。前記結晶性熱可塑性樹脂は、特に、二種以上の結晶性熱可塑性樹脂を併用して使用することが好ましい。
【0125】
前記結晶性熱可塑性樹脂は、なかでも、ポリプロピレン樹脂が好ましい。ポリプロピレン樹脂は、体積抵抗率が比較的高い樹脂であるため、前記結晶性熱可塑性樹脂が、ポリプロピレン樹脂であると、寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率を好適に抑制できる。
【0126】
前記ポリプロピレン樹脂の重量平均分子量Ｍｗは、２５万以上４５万以下であることが好ましく、２５万以上４０万以下であることがより好ましい。前記ポリプロピレン樹脂の重量平均分子量Ｍｗが２５万以上４５万以下であると、樹脂流動性が適度となる。その結果、キャスト原反シートの厚さの制御が容易であり、薄い延伸フィルムを作製することが容易となる。また、キャスト原反シートに適度な延伸性を与えることができる。ポリプロピレン樹脂を２種以上使用する場合、上記Ｍｗが２５万以上３３万未満のポリプロピレン樹脂と上記Ｍｗが３３万以上４５万以下のポリプロピレン樹脂を併用することが好ましい。
【0127】
前記ポリプロピレン樹脂の分子量分布［（重量平均分子量Ｍｗ）／（数平均分子量Ｍｎ）］は、５以上１２以下であることが好ましく、５以上１１以下であることがより好ましく、５以上１０以下であることがさらに好ましい。ポリプロピレン樹脂を２種以上使用する場合、上記分子量分布が５以上８．５未満のポリプロピレン樹脂と上記分子量分布が８．５以上１１以下のポリプロピレン樹脂を併用することが好ましい。
【0128】
本明細書において、前記ポリプロピレン樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）装置を用いて測定した値である。より具体的には、東ソー株式会社製、示差屈折計（ＲＩ）内蔵型高温ＧＰＣ測定機のＨＬＣ－８１２１ＧＰＣ－ＨＴ（商品名）を使用して測定した値である。ＧＰＣカラムとして、東ソー株式会社製の３本のＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨＨＲ－Ｈ（２０）ＨＴを連結して使用する。カラム温度を１４０℃に設定して、溶離液としてトリクロロベンゼンを１．０ｍｌ／１０分の流速で流して、ＭｗとＭｎの測定値を得る。東ソー株式会社製の標準ポリスチレンを用いてその分子量Ｍに関する検量線を作成して、測定値をポリスチレン値に換算して、Ｍｗ、及び、Ｍｎを得る。ここで、標準ポリスチレンの分子量Ｍの底１０の対数を、対数分子量（「Ｌｏｇ（Ｍ）」）という。
【0129】
ポリプロピレン樹脂の微分分布値差ＤＭが、－５％以上１４％以下であることが好まく、－４％以上１２％以下であることがより好ましく、－４％以上１０％以下であることがさらに好ましい。ここで、「微分分布値差ＤＭ」は、分子量微分分布曲線において、対数分子量Ｌｏｇ（Ｍ）＝４．５のときの微分分布値からＬｏｇ（Ｍ）＝６．０のときの微分分布値を引いた差である。
なお、「微分分布値差ＤＭが、－５％以上１４％以下である」とは、ポリプロピレン樹脂の有するＭｗの値より、低分子量側の分子量１万から１０万の成分（以下、「低分子量成分」ともいう）の代表的な分布値としての対数分子量Ｌｏｇ（Ｍ）＝４．５の成分と、高分子量側の分子量１００万前後の成分（以下、「高分子量成分」ともいう）の代表的な分布値としてのＬｏｇ（Ｍ）＝６．０前後の成分とを比較したときに、差分が正の場合は低分子量成分の方が多く、差分が負の場合は高分子量成分の方が多いと理解できる。
なお、「微分分布値差ＤＭが、－５％以上１４％以下である」とは、ポリプロピレン樹脂の有するＭｗの値より、低分子量側の分子量１万から１０万の成分（以下、「低分子量成分」ともいう）の代表的な分布値としての対数分子量Ｌｏｇ（Ｍ）＝４．５の成分と、高分子量側の分子量１００万前後の成分（以下、「高分子量成分」ともいう）の代表的な分布値としてのＬｏｇ（Ｍ）＝６．０前後の成分とを比較したときに、差分が正の場合は低分子量成分の方が多く、差分が負の場合は高分子量成分の方が多いと理解できる。
【0130】
つまり、分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが５～１２であるといっても単に分子量分布幅の広さを表しているに過ぎず、その中の高分子量成分、低分子量成分の量的な関係までは分からない。そこで、安定製膜性とキャスト原反シートの厚み均一性の観点から、ポリプロピレン樹脂は、広い分子量分布を有すると同時に、低分子量成分を適度に含むようにするために分子量１万から１０万の成分を、分子量１００万の成分と比較して、微分分布値差が－５％以上１４％以下となるようにポリプロピレン樹脂を使用することが好ましい。
【0131】
微分分布値は、ＧＰＣを用いて、次のようにして得た値である。ＧＰＣの示差屈折（ＲＩ）検出計によって得られる、時間に対する強度を示す曲線（一般には、「溶出曲線」ともいう）を使用する。標準ポリスチレンを用いて得た検量線を使用して、時間軸を対数分子量（Ｌｏｇ（Ｍ））に変換することで、溶出曲線をＬｏｇ（Ｍ）に対する強度を示す曲線に変換する。ＲＩ検出強度は、成分濃度と比例関係にあるので、強度を示す曲線の全面積を１００％とすると、対数分子量Ｌｏｇ（Ｍ）に対する積分分布曲線を得ることができる。微分分布曲線は、この積分分布曲線をＬｏｇ（Ｍ）で、微分することによって得る。したがって、「微分分布」とは、濃度分率の分子量に対する微分分布を意味する。この曲線から、特定のＬｏｇ（Ｍ）のときの微分分布値を読みとる。
【0132】
前記ポリプロピレン樹脂のヘプタン不溶分（ＨＩ）は、９６．０％以上であることが好ましく、より好ましくは９７．０％以上である。また、前記ポリプロピレン樹脂のヘプタン不溶分（ＨＩ）は、９９．５％以下であることが好ましく、より好ましくは９９．０％以下である。ここで、ヘプタン不溶分は、多いほど樹脂の立体規則性が高いことを示す。前記ヘプタン不溶分（ＨＩ）が、９６．０％以上９９．５％以下であると、適度に高い立体規則性により、樹脂の結晶性が適度に向上し、高温下での耐電圧性が向上する。一方、キャスト原反シート成形の際の固化（結晶化）の速度が適度となり、適度の延伸性を有する。ヘプタン不溶分（ＨＩ）の測定方法は、実施例記載の方法による。
【0133】
前記ポリプロピレン樹脂のメルトフローレート（ＭＦＲ）は、１．０～８．０ｇ／１０ｍｉｎであることが好ましく、１．５～７．０ｇ／１０ｍｉｎであることがより好ましく、２．０～６．０ｇ／１０ｍｉｎであることがさらに好ましい。前記ポリプロピレン樹脂のメルトフローレートの測定方法は、実施例記載の方法による。
【0134】
前記ポリプロピレン樹脂は、一般的に公知の重合方法を用いて製造することができる。前記重合方法としては、例えば、気相重合法、塊状重合法及びスラリー重合法を例示できる。
【0135】
重合は、１つの重合反応機を用いる単段（一段）重合であってもよく、２つ以上の重合反応器を用いた多段重合であってもよい。また、重合は、反応器中に水素又はコモノマーを分子量調整剤として添加して行ってもよい。
【0136】
重合の際の触媒には、一般的に公知のチーグラー・ナッタ触媒を使用することができ、前記ポリプロピレン樹脂を得ることができる限り特に限定されない。前記触媒は、助触媒成分やドナーを含んでもよい。触媒や重合条件を調整することによって、分子量、分子量分布、立体規則性等を制御することができる。
【0137】
前記ポリプロピレン樹脂の分子量分布等は、樹脂混合（ブレンド）により調整することができる。例えば、互いに分子量や分子量分布の異なるもの２種類以上の樹脂を混合する方法が挙げられる。一般的には、主樹脂に、それより平均分子量が高い樹脂、又は、低い樹脂を、樹脂全体を１００質量％とすると、主樹脂が５５質量％以上９０質量％以下である２種のポリプロピレン混合系が、低分子量成分量の調整が行い易いため、好ましい。
【0138】
なお、前記の混合調整方法を採用する場合、平均分子量の目安として、メルトフローレート（ＭＦＲ）を用いても構わない。この場合、主樹脂と添加樹脂のＭＦＲの差は、１～３０ｇ／１０分程度としておくのが、調整の際の利便性の観点から好ましい。
【0139】
樹脂混合する方法としては、特に制限はないが、主樹脂と添加樹脂の重合粉、又は、ペレットを、ミキサー等を用いてドライブレンドする方法や、主樹脂と添加樹脂の重合粉、又は、ペレットを、混練機に供給し、溶融混練してブレンド樹脂を得る方法が挙げられる。
【0140】
前記ミキサーや前記混練機は、特に制限されない。前記混練機は、１軸スクリュータイプ、２軸スクリュータイプ、それ以上の多軸スクリュータイプの何れでもよい。２軸以上のスクリュータイプの場合、同方向回転、異方向回転のどちらの混練タイプでも構わない。
【0141】
溶融混練によるブレンドの場合は、良好な混練物が得られれば、混練温度は特に制限されない。一般的には、２００℃から３００℃の範囲であり、樹脂の劣化を抑制する観点から、２３０℃から２７０℃が好ましい。また、樹脂の混練混合の際の劣化を抑制するため、混練機に窒素などの不活性ガスをパージしても構わない。溶融混練された樹脂は、一般的に公知の造粒機を用いて、適当な大きさにペレタイズしてもよい。これにより、混合ポリプロピレン原料樹脂ペレットを得ることができる。
【0142】
ポリプロピレン原料樹脂中に含まれる重合触媒残渣等に起因する総灰分は、ポリプロピレン樹脂を基準（１００重量部）として、５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【0143】
前記総灰分（ポリプロピレン原料樹脂中に含まれる総灰分）は、極性をもった低分子成分の生成を抑制しつつコンデンサとしての電気特性を向上させるために、５ｐｐｍ以上３５ｐｐｍ以下が好ましく、５ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下がより好ましく、１０ｐｐｍ以上２５ｐｐｍ以下がさらに好ましい。
【0144】
以下、ポリプロピレン樹脂を２種以上使用する場合における各ポリプロピレン樹脂について説明する。
【0145】
ポリプロピレン樹脂を２種以上使用する場合、下記ポリプロピレン樹脂Ａ－１と下記ポリプロピレン樹脂Ｂ－１、下記ポリプロピレン樹脂Ａ－２と下記ポリプロピレン樹脂Ｂ－２、又は、下記ポリプロピレン樹脂Ａ－３と下記ポリプロピレン樹脂Ｂ－３の組み合わせが好適なものとして挙げられる。本実施形態において、ポリプロピレン樹脂Ａという表現は、ポリプロピレン樹脂Ａ－１、ポリプロピレン樹脂Ａ－２及びポリプロピレン樹脂Ａ－３という概念を含む。ポリプロピレン樹脂Ｂという表現は、ポリプロピレン樹脂Ｂ－１、ポリプロピレン樹脂Ｂ－２及びポリプロピレン樹脂Ｂ－３という概念を含む。ポリプロピレン樹脂Ａ、Ａ－１、Ａ－２、Ａ－３、ポリプロピレン樹脂Ｂ、Ｂ－１、Ｂ－２、Ｂ－３は、いずれも直鎖ポリプロピレン樹脂であることが好ましい。
＜ポリプロピレン樹脂Ａ＞
（ポリプロピレン樹脂Ａ－１）
微分分布値差ＤＭが８．０％以上であるポリプロピレン樹脂。
（ポリプロピレン樹脂Ａ－２）
ヘプタン不溶分（ＨＩ）が９８．５％以下であるポリプロピレン樹脂。
（ポリプロピレン樹脂Ａ－３）
２３０℃におけるメルトフローレート（ＭＦＲ）が４．０～１０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリプロピレン樹脂。
＜ポリプロピレン樹脂Ｂ＞
（ポリプロピレン樹脂Ｂ－１）
微分分布値差ＤＭが８．０％未満であるポリプロピレン樹脂。
（ポリプロピレン樹脂Ｂ－２）
ヘプタン不溶分（ＨＩ）が９８．５％を超えるポリプロピレン樹脂。
（ポリプロピレン樹脂Ｂ－３）
２３０℃におけるメルトフローレート（ＭＦＲ）が０．１～３．９ｇ／１０ｍｉｎであるポリプロピレン樹脂。
＜ポリプロピレン樹脂Ａ＞
（ポリプロピレン樹脂Ａ－１）
微分分布値差ＤＭが８．０％以上であるポリプロピレン樹脂。
（ポリプロピレン樹脂Ａ－２）
ヘプタン不溶分（ＨＩ）が９８．５％以下であるポリプロピレン樹脂。
（ポリプロピレン樹脂Ａ－３）
２３０℃におけるメルトフローレート（ＭＦＲ）が４．０～１０．０ｇ／１０ｍｉｎであるポリプロピレン樹脂。
＜ポリプロピレン樹脂Ｂ＞
（ポリプロピレン樹脂Ｂ－１）
微分分布値差ＤＭが８．０％未満であるポリプロピレン樹脂。
（ポリプロピレン樹脂Ｂ－２）
ヘプタン不溶分（ＨＩ）が９８．５％を超えるポリプロピレン樹脂。
（ポリプロピレン樹脂Ｂ－３）
２３０℃におけるメルトフローレート（ＭＦＲ）が０．１～３．９ｇ／１０ｍｉｎであるポリプロピレン樹脂。
【0146】
ポリプロピレン樹脂Ａの重量平均分子量Ｍｗは、２５万以上４５万以下であることが好ましく、２５万以上４０万以下であることがより好ましく、２５万以上３４万以下であることがさらに好ましい。ポリプロピレン樹脂Ａの重量平均分子量Ｍｗが２５万以上４５万以下であると、樹脂流動性が適度となる。その結果、キャスト原反シートの厚さの制御が容易であり、薄い二軸延伸ポリプロピレンフィルムを作製することが容易となる。また、キャスト原反シートおよび二軸延伸ポリプロピレンフィルムの厚みにムラが発生し難くなり、適度な延伸性が得られるので好ましい。
【0147】
ポリプロピレン樹脂Ａの分子量分布Ｍｗ／Ｍｎは、８．５以上１２．０以下であることが好ましく、８．５以上１１．０以下であることがより好ましく、９．０以上１１．０以下であることがさらに好ましい。
【0148】
ポリプロピレン樹脂Ａの分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが上記好ましい範囲内であると、キャスト原反シートおよび二軸延伸ポリプロピレンフィルムの厚みにムラが発生し難くなり、適度な延伸性が得られるので好ましい。
【0149】
ポリプロピレン樹脂Ａの微分分布値差ＤＭは、８．０％以上が好ましく、８．０％以上１８．０％以下であることがより好ましく、８．５％以上１７．０％以下であることがさらに好ましく、９．０％以上１６．０％以下であることが特に好ましい。
【0150】
微分分布値差ＤＭが、８．０％以上１８．０％以下である場合、低分子量成分を、高分子量成分と比較すると、８．０％以上１８．０％以下の割合で多く含む。したがって、延伸工程での破断頻度を低減することができ、連続成膜性が向上するため、好ましい。
【0151】
ポリプロピレン樹脂Ａのヘプタン不溶分（ＨＩ）は、９６．０％以上であることが好ましく、より好ましくは９７．０％以上である。また、ポリプロピレン樹脂Ａのヘプタン不溶分（ＨＩ）は、９９．５％以下であることが好ましく、より好ましくは９８．５％以下であり、さらに好ましくは９８．０％以下である。
【0152】
ポリプロピレン樹脂Ａの２３０℃におけるメルトフローレート（ＭＦＲ）は、１．０～１５．０ｇ／１０ｍｉｎであることが好ましく、２．０～１０．０ｇ／１０ｍｉｎであることがより好ましく、４．０～１０．０ｇ／１０ｍｉｎであることがさらに好ましく、４．３～６．０ｇ／１０ｍｉｎが特に好ましい。ポリプロピレン樹脂Ａの２３０℃におけるＭＦＲが上記範囲内である場合、溶融状態での流動特性に優れるため、メルトフラクチャーといった不安定流動が発生しにくく、また、延伸時の破断も抑えられる。したがって、膜厚均一性が良好であるため、絶縁破壊の起こり易い薄肉部の形成が抑制されるという利点がある。
【0153】
ポリプロピレン樹脂Ａの含有率は、二軸延伸ポリプロピレンフィルム全体に対して５５質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８５質量％以下であることがより好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがさらに好ましい。
【0154】
ポリプロピレン樹脂Ｂの重量平均分子量Ｍｗは、３０万以上４０万以下であることが好ましく、３３万以上３８万以下であることがより好ましく、３５万以上３８万以下であることがさらに好ましい。
【0155】
ポリプロピレン樹脂Ｂの分子量分布Ｍｗ／Ｍｎは、６．０以上８．５未満であることが好ましく、６．５以上８．４以下であることがより好ましく、７．０以上８．３以下であることがさらに好ましい。
【0156】
ポリプロピレン樹脂Ｂの分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが上記好ましい範囲内であると、キャスト原反シートおよび二軸延伸ポリプロピレンフィルムの厚みにムラが発生し難くなり、適度な延伸性が得られるので好ましい。
【0157】
ポリプロピレン樹脂Ｂの微分分布値差ＤＭは、８．０％未満であることが好ましく、－２０．０％以上８．０％未満であることがより好ましく、－１０．０％以上７．９％以下であることがさらに好ましく、－５．０％以上７．５％以下であることが特に好ましい。
【0158】
ポリプロピレン樹脂Ｂのヘプタン不溶分（ＨＩ）は、９７．５％以上であることが好ましく、より好ましくは９８％以上であり、さらに好ましくは９８．５％超えであり、特に好ましくは９８．６％以上である。また、ポリプロピレン樹脂Ｂのヘプタン不溶分（ＨＩ）は、９９．５％以下であることが好ましく、より好ましくは９９％以下である。
【0159】
ポリプロピレン樹脂Ｂの２３０℃におけるメルトフローレート（ＭＦＲ）は、０．１～６．０ｇ／１０ｍｉｎであることが好ましく、０．１～５．０ｇ／１０ｍｉｎであることがより好ましく、０．１～３．９ｇ／１０ｍｉｎであることがさらに好ましい。
【0160】
ポリプロピレン樹脂としてポリプロピレン樹脂Ｂを使用する場合、ポリプロピレン樹脂Ｂの含有率は、ポリプロピレン樹脂を１００質量％とすると、１０質量％以上４５質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上４０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上４０質量％以下であることがさらに好ましい。
【0161】
ポリプロピレン樹脂として、ポリプロピレン樹脂Ａとポリプロピレン樹脂Ｂとを併用する場合、ポリプロピレン樹脂全体を１００質量％とすると、５５～９０重量％のポリプロピレン樹脂Ａと、４５～１０重量％のポリプロピレン樹脂Ｂとを含むことが好ましく、６０～８５重量％のポリプロピレン樹脂Ａと、４０～１５重量％のポリプロピレン樹脂Ｂと含むことがより好ましく、６０～８０重量％のポリプロピレン樹脂Ａと、４０～２０重量％のポリプロピレン樹脂Ｂとを含むことが特に好ましい。
【0162】
ポリプロピレン樹脂が、ポリプロピレン樹脂Ａとポリプロピレン樹脂Ｂとを含む場合、二軸延伸ポリプロピレンフィルムは、ポリプロピレン樹脂Ａとポリプロピレン樹脂Ｂとの微細混合状態（相分離状態）となるため、高温での耐電圧性が向上する。
【0163】
以上、ポリプロピレン樹脂を２種以上使用する場合における各ポリプロピレン樹脂について、説明した。
【0164】
前記樹脂フィルムは、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上となり、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上となる範囲内において、前記結晶性熱可塑性樹脂とは異なる他の樹脂を含んでもよい。
前記他の樹脂としては、非結晶性熱可塑性樹脂等が挙げられる。
前記非結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等が挙げられる。
前記他の樹脂としては、非結晶性熱可塑性樹脂等が挙げられる。
前記非結晶性熱可塑性樹脂としては、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等が挙げられる。
【0165】
前記樹脂フィルムは、添加剤を含んでもよい。前記樹脂フィルムに添加剤を含ませることにより、前記積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］、前記積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］、前記ｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］の値を調整することができる。
【0166】
前記添加剤としては、例えば、酸化防止剤、塩素吸収剤、紫外線吸収剤、滑剤、可塑剤、難燃化剤、帯電防止剤、無機フィラー、有機フィラー等が挙げられる。前記無機フィラーとしては、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、酸化アルミニウム等が挙げられる。
なお、前記樹脂フィルムは、結晶造核剤（特に、α晶核剤）を含まないことが好ましい。結晶造核剤として、樹脂に可溶なもの（溶解型造核剤）と、樹脂に不溶なもの（分散型造核剤）がある。溶解型造核剤として、例えばノニトール系核剤、ソルビトール系核剤などが挙げられるが、溶解型造核剤の分子量は熱可塑性樹脂に対して非常に小さい。そのため、熱可塑性樹脂に添加された溶解型造核剤は、樹脂フィルムの製造加工中にフィルム表面にブリードアウトを起こし易く、製造設備（特にフィルムに接触する金属ロール）の表面を徐々に汚染してしまう。汚染が蓄積されると、製造設備を停止して汚染を除去する作業が必要となり、生産性の悪化を招くことがある。一方、分散型造核剤として、例えばタルク、マイカ、リン酸エステル金属塩系核剤、カルボン酸金属塩系造核剤などが挙げられるが、熱可塑性樹脂と分散型造核剤の界面は導電パスとなり易いため、耐電圧性を低下させることがある。さらに、結晶造核剤、結晶造核剤の熱分解生成物、結晶造核剤に含まれる不純物のいずれかがイオン性物質であるなどの理由で、フィルムに含まれるイオン性物質が増加すると、イオン性電気伝導が増加して体積抵抗率を悪化させる原因となる。これらの理由により、前記樹脂フィルムは、結晶造核剤（特に、α晶核剤）を含まないことが好ましい。
なお、前記樹脂フィルムは、結晶造核剤（特に、α晶核剤）を含まないことが好ましい。結晶造核剤として、樹脂に可溶なもの（溶解型造核剤）と、樹脂に不溶なもの（分散型造核剤）がある。溶解型造核剤として、例えばノニトール系核剤、ソルビトール系核剤などが挙げられるが、溶解型造核剤の分子量は熱可塑性樹脂に対して非常に小さい。そのため、熱可塑性樹脂に添加された溶解型造核剤は、樹脂フィルムの製造加工中にフィルム表面にブリードアウトを起こし易く、製造設備（特にフィルムに接触する金属ロール）の表面を徐々に汚染してしまう。汚染が蓄積されると、製造設備を停止して汚染を除去する作業が必要となり、生産性の悪化を招くことがある。一方、分散型造核剤として、例えばタルク、マイカ、リン酸エステル金属塩系核剤、カルボン酸金属塩系造核剤などが挙げられるが、熱可塑性樹脂と分散型造核剤の界面は導電パスとなり易いため、耐電圧性を低下させることがある。さらに、結晶造核剤、結晶造核剤の熱分解生成物、結晶造核剤に含まれる不純物のいずれかがイオン性物質であるなどの理由で、フィルムに含まれるイオン性物質が増加すると、イオン性電気伝導が増加して体積抵抗率を悪化させる原因となる。これらの理由により、前記樹脂フィルムは、結晶造核剤（特に、α晶核剤）を含まないことが好ましい。
【0167】
前記樹脂フィルムを二軸延伸樹脂フィルムとする場合、二軸延伸樹脂フィルムを製造するための延伸前のキャスト原反シートは、次のようにして作製することができる。
【0168】
まず、結晶性熱可塑性樹脂ペレット、ドライ混合された結晶性熱可塑性樹脂ペレット、又は、予め溶融混練して作製した混合結晶性熱可塑性樹脂ペレットを押出機に供給して、加熱溶融する。
加熱溶融時の押出機回転数は、５～４０ｒｐｍが好ましく、１０～３０ｒｐｍがより好ましい。
溶融混練の温度は、熱可塑性樹脂の種類によって異なるが、ポリプロピレン樹脂の場合、加熱溶融時の押出機設定温度は、２２０～２８０℃が好ましく、２３０～２７０℃がより好ましい。また、加熱溶融時の樹脂温度は、２２０～２８０℃が好ましく、２３０～２７０℃がより好ましい。加熱溶融時の樹脂温度は、押出機に挿入された温度計にて測定される値である。
なお、加熱溶融時の押出機回転数、押出機設定温度、樹脂温度は、使用する結晶性熱可塑性樹脂の物性も考慮して選択する。なお、加熱溶融時の樹脂温度を前記数値範囲内にすることにより、樹脂の劣化を抑制することもできる。
加熱溶融時の押出機回転数は、５～４０ｒｐｍが好ましく、１０～３０ｒｐｍがより好ましい。
溶融混練の温度は、熱可塑性樹脂の種類によって異なるが、ポリプロピレン樹脂の場合、加熱溶融時の押出機設定温度は、２２０～２８０℃が好ましく、２３０～２７０℃がより好ましい。また、加熱溶融時の樹脂温度は、２２０～２８０℃が好ましく、２３０～２７０℃がより好ましい。加熱溶融時の樹脂温度は、押出機に挿入された温度計にて測定される値である。
なお、加熱溶融時の押出機回転数、押出機設定温度、樹脂温度は、使用する結晶性熱可塑性樹脂の物性も考慮して選択する。なお、加熱溶融時の樹脂温度を前記数値範囲内にすることにより、樹脂の劣化を抑制することもできる。
【0169】
次に、Ｔダイを用いて溶融樹脂をシート状に押し出し、少なくとも１個以上の金属ドラムで、冷却、固化させることで、未延伸のキャスト原反シートを成形する。
前記金属ドラムの表面温度（押し出し後、最初に接触する金属ドラムの温度）は、５０～１００℃であることが好ましく、より好ましくは、６０～８０℃である。前記金属ドラムの表面温度は、使用する結晶性熱可塑性樹脂の物性等に応じて決定することができる。
前記金属ドラムの表面温度（押し出し後、最初に接触する金属ドラムの温度）は、５０～１００℃であることが好ましく、より好ましくは、６０～８０℃である。前記金属ドラムの表面温度は、使用する結晶性熱可塑性樹脂の物性等に応じて決定することができる。
【0170】
ポリプロピレン樹脂の場合、前記キャスト原反シートのメルトフローレート（ＭＦＲ）は、１．０～９．０ｇ／１０ｍｉｎであることが好ましく、２．０～８．０ｇ／１０ｍｉｎであることがより好ましく、３．０～７．０ｇ／１０ｍｉｎであることがさらに好ましい。前記ポリプロピレンフィルムのメルトフローレートの測定方法は、実施例記載の方法による。
前記キャスト原反シートの厚さは、前記樹脂フィルムを得ることができる限り、特に制限されることはないが、通常、０．０５ｍｍ～２ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ～１ｍｍであることがより好ましい。
前記キャスト原反シートの厚さは、前記樹脂フィルムを得ることができる限り、特に制限されることはないが、通常、０．０５ｍｍ～２ｍｍであることが好ましく、０．１ｍｍ～１ｍｍであることがより好ましい。
【0171】
前記樹脂フィルムは、前記樹脂キャスト原反シートに延伸処理を行って製造することができる。延伸は、縦及び横に二軸に配向せしめる二軸延伸が好ましく、延伸方法としては逐次二軸延伸方法が好ましい。逐次二軸延伸方法としては、例えば、まず、キャスト原反シートを１００～１７０℃の温度に保ち、速度差を設けたロール間に通して流れ方向に３～７倍に延伸する。引き続き、当該シートをテンターに導いて、横方向に、３～１１倍に延伸する。その後、２～１０倍に緩和、熱固定を施す。以上により、二軸延伸樹脂フィルムが得られる。
【0172】
前記樹脂フィルムには、金属蒸着加工工程などの後工程において、接着特性を高める目的で、延伸及び熱固定工程終了後に、オンライン又はオフラインにてコロナ放電処理を行ってもよい。コロナ放電処理は、公知の方法を用いて行うことができる。雰囲気ガスとして空気、炭酸ガス、窒素ガス、又は、これらの混合ガスを用いて行うことが好ましい。
【0173】
コンデンサとして加工するために、前記樹脂フィルムの片面又は両面に金属層を積層し、金属層一体型樹脂フィルムとしてもよい。前記金属層は、電極として機能する。前記金属層に用いられる金属としては、例えば、亜鉛、鉛、銀、クロム、アルミニウム、銅、ニッケルなどの金属単体、それらの複数種の混合物、それらの合金などを使用することができるが、環境、経済性及びコンデンサ性能などを考慮すると、亜鉛、アルミニウムが好ましい。
【0174】
前記樹脂フィルムの片面又は両面に金属層を積層する方法としては、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法を例示することができる。生産性及び経済性などの観点から、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法として、一般的にるつぼ法式やワイヤー方式などを例示することができるが、特に限定されることはなく、適宜最適なものを選択することができる。
【0175】
蒸着により金属層を積層する際のマージンパターンも特に限定されるものではないが、コンデンサの保安性等の特性を向上させる点から、フィッシュネットパターンないしはＴマージンパターンといった、いわゆる特殊マージンを含むパターンをフィルムの片方の面上に施すことが好ましい。保安性が高まり、コンデンサの破壊、ショートの防止、などの点からも効果的である。
【0176】
マージンを形成する方法はテープ法、オイル法など、一般に公知の方法が、何ら制限無く使用することができる。
【0177】
前記金属層一体型樹脂フィルムは、従来公知の方法で積層するか、巻回してフィルムコンデンサとすることができる。
【実施例】
【0178】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【0179】
〔結晶性熱可塑性樹脂〕
実施例及び比較例の樹脂フィルムを製造するために使用した結晶性熱可塑性樹脂を、表１に示す。
表１には、樹脂の種類を示している。表１中、ＰＰは、直鎖ポリプロピレン樹脂を示す。
表１に示す樹脂Ａは、プライムポリマー株式会社製の製品である。樹脂Ｂは、大韓油化社製のＨＰＴ－１である。樹脂Ｃは、ボレアリス社製のＨＣ３００ＢＦである。樹脂Ｄは、Ｂａｓｅｌｌ社製のＨＦ５００Ｎである。樹脂Ｅは、Ｂａｓｅｌｌ社製のＨＰ４００Ｒである。樹脂Ｆは、Ｂａｓｅｌｌ社製のＨＰ５０１Ｌである。
表１に、樹脂Ａ～Ｆの数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、及び、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を示した。これらの値は、原料樹脂ペレットの形態での値である。測定方法は以下の通りである。
実施例及び比較例の樹脂フィルムを製造するために使用した結晶性熱可塑性樹脂を、表１に示す。
表１には、樹脂の種類を示している。表１中、ＰＰは、直鎖ポリプロピレン樹脂を示す。
表１に示す樹脂Ａは、プライムポリマー株式会社製の製品である。樹脂Ｂは、大韓油化社製のＨＰＴ－１である。樹脂Ｃは、ボレアリス社製のＨＣ３００ＢＦである。樹脂Ｄは、Ｂａｓｅｌｌ社製のＨＦ５００Ｎである。樹脂Ｅは、Ｂａｓｅｌｌ社製のＨＰ４００Ｒである。樹脂Ｆは、Ｂａｓｅｌｌ社製のＨＰ５０１Ｌである。
表１に、樹脂Ａ～Ｆの数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、及び、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を示した。これらの値は、原料樹脂ペレットの形態での値である。測定方法は以下の通りである。
【0180】
＜樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）、及び、微分分布値差ＤＭの測定＞
ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用い、以下の条件で、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ)、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）、微分分布値差ＤＭを測定した。
東ソー株式会社製、示差屈折計（ＲＩ）内蔵高温ＧＰＣ装置であるＨＬＣ－８１２１ＧＰＣ-ＨＴ型を使用した。カラムとして、東ソー株式会社製のＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨＨＲ－Ｈ（２０）ＨＴを３本連結して使用した。１４０℃のカラム温度で、溶離液として、トリクロロベンゼンを、１．０ｍｌ／ｍｉｎの流速で流して測定した。検量線を、東ソー株式会社製の標準ポリスチレンを用いて作製し、測定された分子量の値をポリスチレンの値に換算して、数平均分子量（Ｍｎ）、及び、重量平均分子量（Ｍｗ）を得た。このＭｗとＭｎの値を用いて分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を得た。
また、微分分布値差ＤＭを、次のような方法で得た。まず、ＲＩ検出計を用いて検出される強度分布の時間曲線（溶出曲線）を、上記標準ポリスチレンを用いて作製した検量線を用いて標準ポリスチレンの分子量Ｍ（Ｌｏｇ（Ｍ））に対する分布曲線に変換した。次に、分布曲線の全面積を１００％とした場合のＬｏｇ（Ｍ）に対する積分分布曲線を得た後、この積分分布曲線をＬｏｇ（Ｍ）で、微分することによってＬｏｇ（Ｍ）に対する微分分布曲線を得た。この微分分布曲線から、Ｌｏｇ（Ｍ）＝４．５およびＬｏｇ（Ｍ）＝６．０のときの微分分布値を読んだ。Ｌｏｇ（Ｍ）＝４．５のときの微分分布値とＬｏｇ（Ｍ）＝６．０のときの微分分布値との差を微分分布値差ＤＭとした。なお、微分分布曲線を得るまでの一連の操作は、使用したＧＰＣ測定装置に内蔵されている解析ソフトウェアを用いて行った。結果を表１に示す。
ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用い、以下の条件で、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ)、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）、微分分布値差ＤＭを測定した。
東ソー株式会社製、示差屈折計（ＲＩ）内蔵高温ＧＰＣ装置であるＨＬＣ－８１２１ＧＰＣ-ＨＴ型を使用した。カラムとして、東ソー株式会社製のＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨＨＲ－Ｈ（２０）ＨＴを３本連結して使用した。１４０℃のカラム温度で、溶離液として、トリクロロベンゼンを、１．０ｍｌ／ｍｉｎの流速で流して測定した。検量線を、東ソー株式会社製の標準ポリスチレンを用いて作製し、測定された分子量の値をポリスチレンの値に換算して、数平均分子量（Ｍｎ）、及び、重量平均分子量（Ｍｗ）を得た。このＭｗとＭｎの値を用いて分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を得た。
また、微分分布値差ＤＭを、次のような方法で得た。まず、ＲＩ検出計を用いて検出される強度分布の時間曲線（溶出曲線）を、上記標準ポリスチレンを用いて作製した検量線を用いて標準ポリスチレンの分子量Ｍ（Ｌｏｇ（Ｍ））に対する分布曲線に変換した。次に、分布曲線の全面積を１００％とした場合のＬｏｇ（Ｍ）に対する積分分布曲線を得た後、この積分分布曲線をＬｏｇ（Ｍ）で、微分することによってＬｏｇ（Ｍ）に対する微分分布曲線を得た。この微分分布曲線から、Ｌｏｇ（Ｍ）＝４．５およびＬｏｇ（Ｍ）＝６．０のときの微分分布値を読んだ。Ｌｏｇ（Ｍ）＝４．５のときの微分分布値とＬｏｇ（Ｍ）＝６．０のときの微分分布値との差を微分分布値差ＤＭとした。なお、微分分布曲線を得るまでの一連の操作は、使用したＧＰＣ測定装置に内蔵されている解析ソフトウェアを用いて行った。結果を表１に示す。
【0181】
＜ヘプタン不溶分（ＨＩ）の測定＞
樹脂Ａ～樹脂Ｆについて、１０ｍｍ×３５ｍｍ×０．３ｍｍにプレス成形して約３ｇの測定用サンプルを作製した。次に、ヘプタン約１５０ｍＬを加えてソックスレー抽出を８時間行った。抽出前後の試料質量よりヘプタン不溶分を算出した。結果を表１に示す。
樹脂Ａ～樹脂Ｆについて、１０ｍｍ×３５ｍｍ×０．３ｍｍにプレス成形して約３ｇの測定用サンプルを作製した。次に、ヘプタン約１５０ｍＬを加えてソックスレー抽出を８時間行った。抽出前後の試料質量よりヘプタン不溶分を算出した。結果を表１に示す。
【0182】
＜メルトフローレート（ＭＦＲ）の測定＞
各樹脂について原料樹脂ペレットの形態でのメルトフローレート（ＭＦＲ）を、東洋精機株式会社のメルトインデックサを用いてＪＩＳ Ｋ ７２１０の条件Ｍに準じて測定した。具体的には、まず、試験温度２３０℃にしたシリンダ内に、４ｇに秤りとった試料を挿入し、２．１６ｋｇの荷重下で３．５分予熱した。その後、３０秒間で底穴より押出された試料の重量を測定し、ＭＦＲ（ｇ／１０ｍｉｎ）を求めた。上記の測定を３回繰り返し、その平均値をＭＦＲの測定値とした。結果を表１に示す。
各樹脂について原料樹脂ペレットの形態でのメルトフローレート（ＭＦＲ）を、東洋精機株式会社のメルトインデックサを用いてＪＩＳ Ｋ ７２１０の条件Ｍに準じて測定した。具体的には、まず、試験温度２３０℃にしたシリンダ内に、４ｇに秤りとった試料を挿入し、２．１６ｋｇの荷重下で３．５分予熱した。その後、３０秒間で底穴より押出された試料の重量を測定し、ＭＦＲ（ｇ／１０ｍｉｎ）を求めた。上記の測定を３回繰り返し、その平均値をＭＦＲの測定値とした。結果を表１に示す。
【0183】
【表1】
【0184】
上述の樹脂を用いて、実施例、及び、比較例の樹脂フィルムを作製し、その物性を評価した。
【0185】
＜樹脂フィルムの作製＞
（実施例１）
樹脂Ａと樹脂Ｂとをドライブレンドした。混合比率は、質量比で（樹脂Ａ）：（樹脂Ｂ）＝６６．７：３３．３とした。その後、ドライブレンドした樹脂を用い、樹脂温度２５０℃で溶融した後、Ｔダイを用いて押出し、表面温度を９５℃に保持した金属ドラムに巻きつけて固化させてキャスト原反シートを作製した。得られた未延伸キャスト原反シートを１３０℃の温度に保ち、速度差を設けたロール間に通して流れ方向に４．５倍に延伸し、直ちに室温に冷却した。引き続き、延伸フィルムをテンターに導いて、９°の延伸角度で、１５８℃の温度で幅方向に８倍に延伸した後、緩和、熱固定を施して巻き取り、４０℃程度の雰囲気中でエージング処理を施して二軸延伸ポリプロピレンフィルムを得た。このようにして、樹脂フィルムを得た。得られた樹脂フィルムの厚さは、表２の通りであった（２．３２μｍ）。
（実施例１）
樹脂Ａと樹脂Ｂとをドライブレンドした。混合比率は、質量比で（樹脂Ａ）：（樹脂Ｂ）＝６６．７：３３．３とした。その後、ドライブレンドした樹脂を用い、樹脂温度２５０℃で溶融した後、Ｔダイを用いて押出し、表面温度を９５℃に保持した金属ドラムに巻きつけて固化させてキャスト原反シートを作製した。得られた未延伸キャスト原反シートを１３０℃の温度に保ち、速度差を設けたロール間に通して流れ方向に４．５倍に延伸し、直ちに室温に冷却した。引き続き、延伸フィルムをテンターに導いて、９°の延伸角度で、１５８℃の温度で幅方向に８倍に延伸した後、緩和、熱固定を施して巻き取り、４０℃程度の雰囲気中でエージング処理を施して二軸延伸ポリプロピレンフィルムを得た。このようにして、樹脂フィルムを得た。得られた樹脂フィルムの厚さは、表２の通りであった（２．３２μｍ）。
【0186】
（実施例２）
樹脂Ｃを用いて樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ４．９４μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂Ｃを用いて樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ４．９４μｍの樹脂フィルムを得た。
【0187】
（実施例３）
樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ１．９５μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ１．９５μｍの樹脂フィルムを得た。
【0188】
（実施例４）
樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．５１μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．５１μｍの樹脂フィルムを得た。
【0189】
（実施例５）
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、幅方向の延伸倍率を８．１倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．０７μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、幅方向の延伸倍率を８．１倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．０７μｍの樹脂フィルムを得た。
【0190】
（実施例６）
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、流れ方向の延伸倍率を４．６倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．５５μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、流れ方向の延伸倍率を４．６倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．５５μｍの樹脂フィルムを得た。
【0191】
（実施例７）
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、流れ方向の延伸倍率を４．４倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．５４μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、流れ方向の延伸倍率を４．４倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．５４μｍの樹脂フィルムを得た。
【0192】
（実施例８）
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、流れ方向の延伸倍率を４．３倍に延伸すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．３１μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、流れ方向の延伸倍率を４．３倍に延伸すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．３１μｍの樹脂フィルムを得た。
【0193】
（参考例３）
樹脂Ｃを用い、フィラー（チタン酸バリウム、平均粒子径８０ｎｍ（透過型電子顕微鏡で観察したｎ＝１００の数平均値））を６０，０００ｐｐｍ添加すること、及び、樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ４．９０μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂Ｃを用い、フィラー（チタン酸バリウム、平均粒子径８０ｎｍ（透過型電子顕微鏡で観察したｎ＝１００の数平均値））を６０，０００ｐｐｍ添加すること、及び、樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ４．９０μｍの樹脂フィルムを得た。
【0194】
（比較例１）
樹脂Ｄを用いたこと及び樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ４．９０μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂Ｄを用いたこと及び樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ４．９０μｍの樹脂フィルムを得た。
【0195】
（比較例２）
樹脂Ｅを用いたこと及び樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ５．２０μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂Ｅを用いたこと及び樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ５．２０μｍの樹脂フィルムを得た。
【0196】
（比較例３）
樹脂Ｆを用いたこと及び樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ５．００μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂Ｆを用いたこと及び樹脂組成物の吐出量を変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ５．００μｍの樹脂フィルムを得た。
【0197】
（比較例４）
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、幅方向の延伸倍率を８．４倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ１．９６μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、幅方向の延伸倍率を８．４倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ１．９６μｍの樹脂フィルムを得た。
【0198】
（比較例５）
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、幅方向の延伸倍率を８．７倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．０７μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、幅方向の延伸倍率を８．７倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．０７μｍの樹脂フィルムを得た。
【0199】
（比較例６）
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、流れ方向の延伸倍率を４．０倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ１．９６μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、流れ方向の延伸倍率を４．０倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ１．９６μｍの樹脂フィルムを得た。
【0200】
（比較例７）
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、流れ方向の延伸倍率を４．２倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．３１μｍの樹脂フィルムを得た。
樹脂組成物の吐出量を変更すること、及び、流れ方向の延伸倍率を４．２倍に変更すること以外は、実施例１と同様にして厚さ２．３１μｍの樹脂フィルムを得た。
【0201】
なお、樹脂フィルムの厚みは、ＪＩＳ－Ｃ２３３０に記載のマイクロメーター法厚さとした。ただし、測定機器はシチズンセイミツ株式会社製の紙厚測定器ＭＥＩ－１１を用いた。
【0202】
＜体積抵抗率ρＶ２３℃の測定＞
体積抵抗率の具体的な測定手順を以下に記すが、特に記載のない条件はＪＩＳ Ｃ ２１３９に準拠して測定を実施した。
まず、２３℃環境の恒温槽に、体積抵抗率測定用ジグ（以下、単に、「ジグ」ともいう）を配置した。体積抵抗率測定用ジグの構成は下記の通りである。また、ジグの各電極には、直流電源、直流電流計を接続する。
＜体積抵抗率測定用ジグ＞
主電極（直径５０ｍｍ）
対電極（直径８５ｍｍ）
主電極を囲うリング状のガード電極（外径８０ｍｍ、内径７０ｍｍ）
各電極は、金メッキされた銅製で、試料と接する面には導電ゴムが貼付されている。使用した導電ゴムは、信越シリコーン社製、ＥＣ－６０ＢＬ（Ｗ３００）で、導電ゴムの光沢のある面を、金メッキされた銅と接するように貼付されている。
体積抵抗率の具体的な測定手順を以下に記すが、特に記載のない条件はＪＩＳ Ｃ ２１３９に準拠して測定を実施した。
まず、２３℃環境の恒温槽に、体積抵抗率測定用ジグ（以下、単に、「ジグ」ともいう）を配置した。体積抵抗率測定用ジグの構成は下記の通りである。また、ジグの各電極には、直流電源、直流電流計を接続する。
＜体積抵抗率測定用ジグ＞
主電極（直径５０ｍｍ）
対電極（直径８５ｍｍ）
主電極を囲うリング状のガード電極（外径８０ｍｍ、内径７０ｍｍ）
各電極は、金メッキされた銅製で、試料と接する面には導電ゴムが貼付されている。使用した導電ゴムは、信越シリコーン社製、ＥＣ－６０ＢＬ（Ｗ３００）で、導電ゴムの光沢のある面を、金メッキされた銅と接するように貼付されている。
【0203】
次に、実施例、比較例の樹脂フィルム（以下、試料ともいう）を２３℃、５０％ＲＨの環境に２４時間置いた。その後、試料を恒温槽内のジグにセットした。具体的には、試料の一方の面に、主電極、及び、ガード電極を密着させ、他方の面に対電極を密着させ、荷重５ｋｇｆで試料と各電極を密着させた。その後、３０分間静置した。
【0204】
次に、電位傾度２００Ｖ／μｍとなるように試料に電圧を印加した。
【0205】
電圧の印加後、１分経過時点での電流値を読み取り、次式により体積抵抗率を算出した。なお、電圧の印加にはＫｅｉｔｈｌｅｙ社製の２２９０－１０（直流電源）を用い、電流値の測定には、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製の２６３５Ｂ（直流電流計）を用いた。
体積抵抗率＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（試料の厚さ）×（電流値）］
体積抵抗率＝［（有効電極面積）×（印加電圧）］／［（試料の厚さ）×（電流値）］
【0206】
ここで、有効電極面積は、下記式により求めた。
（有効電極面積）＝π×［［［（主電極の直径）＋（ガード電極の内径）］／２］／２］２
（有効電極面積）＝π×［［［（主電極の直径）＋（ガード電極の内径）］／２］／２］２
【0207】
＜比誘電率εｒ２３℃の測定＞
まず、実施例、及び、比較例の樹脂フィルム（以下、試料ともいう）の一方の面に直径３０ｍｍの型枠を当てて、導電性ペースト（藤倉化成（株）社製、ドータイト Ｄ－５００）を刷毛で塗布した。溶媒が充分に揮発し、型枠を外しても導電性ペーストが流れださなくなった後、型枠を外し、半日放置した。これにより電極を形成した。次に、試料の他方の面に試料を挟んで先の電極と重なるように、同様にして電極を形成した。以上により、両面に各直径３０ｍｍの電極を有するコンデンサを得た。
まず、実施例、及び、比較例の樹脂フィルム（以下、試料ともいう）の一方の面に直径３０ｍｍの型枠を当てて、導電性ペースト（藤倉化成（株）社製、ドータイト Ｄ－５００）を刷毛で塗布した。溶媒が充分に揮発し、型枠を外しても導電性ペーストが流れださなくなった後、型枠を外し、半日放置した。これにより電極を形成した。次に、試料の他方の面に試料を挟んで先の電極と重なるように、同様にして電極を形成した。以上により、両面に各直径３０ｍｍの電極を有するコンデンサを得た。
【0208】
作成したコンデンサを測定装置と接続するために、コンデンサの各電極部分に導線（錫メッキ銅線）を導電性ペーストで接続した。このとき、各導線がフィルムを挟んで対向すると、導線部分においても静電容量が形成されてしまうので、各導線はできるだけ離した位置で接続した。
【0209】
次に、各導線を測定装置（日置電機社製、ＬＣＲハイテスタ３５２２－５０）に接続し、作成したコンデンサの容量Ｃを測定した。測定は、２３℃に設定された恒温槽内に、３０分静置した後、下記条件にて行った。
＜測定条件＞
印加電圧：１Ｖ
測定周波数：１ＫＨｚ
＜測定条件＞
印加電圧：１Ｖ
測定周波数：１ＫＨｚ
【0210】
その後、次式を用いて比誘電率εｒ２３℃を算出した。なお、真空の誘電率ε０は、８．５５×１０－１２Ｆ／ｍを用いた。結果を表２に示す。また、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］も算出した。結果を表２に示す。なお、表２中、「Ｅ＋１６」等の「Ｅ＋ｎ」形式の表記は、指数を表す。例えば、「Ｅ＋１６」は、１０の＋１６乗を意味する。また、「２．４４Ｅ＋１６」等のＥの左側にある数字は、係数であり、例えば、「２．４４Ｅ＋１６」は、２．４４×１０１６を意味する。
（容量Ｃ）＝（εｒ２３℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
（容量Ｃ）＝（εｒ２３℃）×（真空の誘電率ε０）×［（電極面積）／（樹脂フィルムの厚さ）］
【0211】
＜体積抵抗率ρＶ１００℃の測定＞
恒温槽の温度を１００℃としたこと以外は、体積抵抗率ρＶ２３℃の測定と同様にして、実施例、比較例の樹脂フィルムの体積抵抗率ρＶ１００℃を測定した。結果を表２に示す。
恒温槽の温度を１００℃としたこと以外は、体積抵抗率ρＶ２３℃の測定と同様にして、実施例、比較例の樹脂フィルムの体積抵抗率ρＶ１００℃を測定した。結果を表２に示す。
【0212】
＜比誘電率εｒ１００℃の測定＞
恒温槽の温度を１００℃としたこと以外は、比誘電率εｒ２３℃の測定と同様にして、実施例、比較例の樹脂フィルムの比誘電率εｒ１００℃を測定した。結果を表２に示す。また、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］も算出した。結果を表２に示す。
恒温槽の温度を１００℃としたこと以外は、比誘電率εｒ２３℃の測定と同様にして、実施例、比較例の樹脂フィルムの比誘電率εｒ１００℃を測定した。結果を表２に示す。また、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］も算出した。結果を表２に示す。
【0213】
＜ｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］の算出＞
上記測定結果を用いて、実施例、比較例の樹脂フィルムのｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］を算出した。結果を表２に示す。
上記測定結果を用いて、実施例、比較例の樹脂フィルムのｌｏｇ１０［（ρＶ２３℃×εｒ２３℃）／（ρＶ１００℃×εｒ１００℃）］を算出した。結果を表２に示す。
【0214】
＜灰分の測定＞
実施例、比較例の樹脂フィルムについて、ＪＩＳ－Ｋ ７２５０－１（２００６）に準拠して測定した。具体的には、８００℃で４０分間の灰化処理を行い、得られた灰分の割合（ｐｐｍ）を測定した。結果を表２に示す。
実施例、比較例の樹脂フィルムについて、ＪＩＳ－Ｋ ７２５０－１（２００６）に準拠して測定した。具体的には、８００℃で４０分間の灰化処理を行い、得られた灰分の割合（ｐｐｍ）を測定した。結果を表２に示す。
【0215】
＜ヘプタン不溶分（ＨＩ）の測定＞
実施例、比較例の樹脂フィルムについて、約３ｇの測定用サンプルを作製した。次に、ヘプタン約１５０ｍＬを加えてソックスレー抽出を８時間行った。抽出前後の試料質量よりヘプタン不溶分を算出した。結果を表２に示す。
実施例、比較例の樹脂フィルムについて、約３ｇの測定用サンプルを作製した。次に、ヘプタン約１５０ｍＬを加えてソックスレー抽出を８時間行った。抽出前後の試料質量よりヘプタン不溶分を算出した。結果を表２に示す。
【0216】
＜樹脂フィルムの分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の測定＞
実施例、比較例の樹脂フィルムについて、樹脂Ａ～樹脂Ｆと同様にして、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を測定、算出した。その結果、実施例１は７．３、実施例２は７．７、実施例３は７．４、実施例４は７．３、実施例５は７．３、実施例６は７．３、実施例７は７．３、実施例８は７．３、参考例３は７．７、比較例１は４．０、比較例２は３．５、比較例３は、６．１、比較例４は７．３、比較例５は７．３、比較例６は７．３、比較例７は７．３であった。
実施例、比較例の樹脂フィルムについて、樹脂Ａ～樹脂Ｆと同様にして、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を測定、算出した。その結果、実施例１は７．３、実施例２は７．７、実施例３は７．４、実施例４は７．３、実施例５は７．３、実施例６は７．３、実施例７は７．３、実施例８は７．３、参考例３は７．７、比較例１は４．０、比較例２は３．５、比較例３は、６．１、比較例４は７．３、比較例５は７．３、比較例６は７．３、比較例７は７．３であった。
【0217】
＜樹脂フィルムの結晶子サイズの測定＞
実施例、比較例に係る樹脂フィルムの結晶子サイズを、ＸＲＤ（広角Ｘ線回折）装置を用いて、以下の条件にて測定した。
測定機：リガク社製のＸ線回折装置「ＭｉｎｉＦｌｅｘ３００」
Ｘ線発生出力：３０ｋＶ、１０ｍＡ
照射Ｘ線：モノクローメーター単色化ＣｕＫα線（波長０．１５４１８ｎｍ）
検出器：シンチュレーションカウンター
ゴニオメーター走査：２θ／θ連動走査
実施例、比較例に係る樹脂フィルムの結晶子サイズを、ＸＲＤ（広角Ｘ線回折）装置を用いて、以下の条件にて測定した。
測定機：リガク社製のＸ線回折装置「ＭｉｎｉＦｌｅｘ３００」
Ｘ線発生出力：３０ｋＶ、１０ｍＡ
照射Ｘ線：モノクローメーター単色化ＣｕＫα線（波長０．１５４１８ｎｍ）
検出器：シンチュレーションカウンター
ゴニオメーター走査：２θ／θ連動走査
【0218】
得られたデータから、解析コンピューターを用い、装置標準付属の統合粉末Ｘ線解析ソフトウェアＰＤＸＬを用い、α晶（０４０）面の回折反射ピークの半価幅を算出した。半価幅から、Ｓｃｈｅｒｒｅｒの式（Ｄ＝Ｋ×λ／（β×Ｃｏｓθ））を用いて結晶子サイズを求めた。結果を表２に示す。
【0219】
なお、Scherrerの式中、Ｄは、結晶子サイズ（ｎｍ）、Ｋは定数（形状因子：本実施例では０．９４を採用）、λは使用Ｘ線波長（ｎｍ）、βは求めた半価幅、θは回折ブラッグ角である。λとして０．１５４１８ｎｍを用いた。
【0220】
＜面配向係数の測定＞
＜レタデーション値＞
まず、実施例、比較例に係る樹脂フィルムのレタデーション（位相差）値を、下記の通り、傾斜法により測定した。
測定機：大塚電子社製レタデーション測定装置 ＲＥ－１００
光源：波長５５０ｎｍのＬＥＤ光源
測定方法：次のような傾斜法により、レタデーション値の角度依存性を測定した。フィルムの面内方向の主軸をｘ軸及びｙ軸、また、フィルムの厚さ方向（面内方向に対する法線方向）をｚ軸とし、面内方向のうち、屈折率のより高い方向の遅相軸をｘ軸としたとき、ｘ軸を傾斜軸として、０°～５０°の範囲でｚ軸に対して１０°ずつ傾斜させたときの各レタデーション値を求めた。例えば、逐次延伸法において、ＭＤ方向（流れ方向）の延伸倍率よりも、ＴＤ方向（幅方向）の延伸倍率が高い場合、ＴＤ方向が遅相軸（ｘ軸）、ＭＤ方向がｙ軸となる。
＜レタデーション値＞
まず、実施例、比較例に係る樹脂フィルムのレタデーション（位相差）値を、下記の通り、傾斜法により測定した。
測定機：大塚電子社製レタデーション測定装置 ＲＥ－１００
光源：波長５５０ｎｍのＬＥＤ光源
測定方法：次のような傾斜法により、レタデーション値の角度依存性を測定した。フィルムの面内方向の主軸をｘ軸及びｙ軸、また、フィルムの厚さ方向（面内方向に対する法線方向）をｚ軸とし、面内方向のうち、屈折率のより高い方向の遅相軸をｘ軸としたとき、ｘ軸を傾斜軸として、０°～５０°の範囲でｚ軸に対して１０°ずつ傾斜させたときの各レタデーション値を求めた。例えば、逐次延伸法において、ＭＤ方向（流れ方向）の延伸倍率よりも、ＴＤ方向（幅方向）の延伸倍率が高い場合、ＴＤ方向が遅相軸（ｘ軸）、ＭＤ方向がｙ軸となる。
【0221】
＜複屈折値及び面配向係数ΔＰ＞
レタデーション値から、非特許文献「粟屋裕、高分子素材の偏光顕微鏡入門、１０５～１２０頁、２００１年」に記載の通り、次のようにして面配向係数ΔＰを算出した。
まず、各傾斜角φに対し、測定されたレタデーション値Ｒを、傾斜補正が施された厚さｄで割ったＲ／ｄを求めた。φ＝１０°、２０°、３０°、４０°、５０°のそれぞれのＲ／ｄについて、φ＝０°のＲ／ｄとの差を求め、それらをさらにｓｉｎ２ｒ（ｒ：屈折角）で割ったものを、それぞれのφにおける複屈折ΔＮｚｙとし、正負の符号を逆にして複屈折値ΔＮｙｚとした。φ＝２０°、３０°、４０°、５０°におけるΔＮｙｚの平均値として、複屈折値ΔＮｙｚを算出した。
次に、傾斜角φ＝０°で測定されたレタデーション値Ｒを、厚さｄで割った値より、前述で求めたΔＮｚｙを除算し、複屈折値ΔＮｘｚを算出した。
最後に、複屈折値のΔＮｙｚとΔＮｘｚを、式：ΔＰ＝（ΔＮｙｚ＋ΔＮｘｚ）／２に代入しΔＰを求めた。なお、ポリプロピレンについての、各傾斜角φにおける屈折角ｒの値は、前記非特許文献の１０９頁に記載されているものを用いた。結果を表２に示す。
レタデーション値から、非特許文献「粟屋裕、高分子素材の偏光顕微鏡入門、１０５～１２０頁、２００１年」に記載の通り、次のようにして面配向係数ΔＰを算出した。
まず、各傾斜角φに対し、測定されたレタデーション値Ｒを、傾斜補正が施された厚さｄで割ったＲ／ｄを求めた。φ＝１０°、２０°、３０°、４０°、５０°のそれぞれのＲ／ｄについて、φ＝０°のＲ／ｄとの差を求め、それらをさらにｓｉｎ２ｒ（ｒ：屈折角）で割ったものを、それぞれのφにおける複屈折ΔＮｚｙとし、正負の符号を逆にして複屈折値ΔＮｙｚとした。φ＝２０°、３０°、４０°、５０°におけるΔＮｙｚの平均値として、複屈折値ΔＮｙｚを算出した。
次に、傾斜角φ＝０°で測定されたレタデーション値Ｒを、厚さｄで割った値より、前述で求めたΔＮｚｙを除算し、複屈折値ΔＮｘｚを算出した。
最後に、複屈折値のΔＮｙｚとΔＮｘｚを、式：ΔＰ＝（ΔＮｙｚ＋ΔＮｘｚ）／２に代入しΔＰを求めた。なお、ポリプロピレンについての、各傾斜角φにおける屈折角ｒの値は、前記非特許文献の１０９頁に記載されているものを用いた。結果を表２に示す。
【0222】
＜融点、及び、融解エンタルピーの測定＞
実施例、比較例にて得た樹脂フィルムの融点、及び、融解エンタルピーを、パーキン・エルマー社製、入力補償型ＤＳＣ Ｄｉａｍｏｎｄ ＤＳＣを用い、以下の手順により得た。まず、樹脂フィルムを約５ｍｇ秤りとり、アルミニウム製のサンプルホルダーに詰め、ＤＳＣ装置にセットした。窒素流下、３０℃から２８０℃まで２０℃／ｍｉｎの速度で昇温（ファーストラン）し、その融解曲線を測定した。ＤＳＣ測定の結果、１００℃から１９０℃の間には少なくとも１つ以上の融解ピークを得ることができ、その最も高温側の融解ピーク曲線のピークトップ（頂点）温度を融点として評価した。また、ファーストランの結果から、融解エンタルピーを求めた。結果を表２に示す。
実施例、比較例にて得た樹脂フィルムの融点、及び、融解エンタルピーを、パーキン・エルマー社製、入力補償型ＤＳＣ Ｄｉａｍｏｎｄ ＤＳＣを用い、以下の手順により得た。まず、樹脂フィルムを約５ｍｇ秤りとり、アルミニウム製のサンプルホルダーに詰め、ＤＳＣ装置にセットした。窒素流下、３０℃から２８０℃まで２０℃／ｍｉｎの速度で昇温（ファーストラン）し、その融解曲線を測定した。ＤＳＣ測定の結果、１００℃から１９０℃の間には少なくとも１つ以上の融解ピークを得ることができ、その最も高温側の融解ピーク曲線のピークトップ（頂点）温度を融点として評価した。また、ファーストランの結果から、融解エンタルピーを求めた。結果を表２に示す。
【0223】
＜寿命試験におけるコンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率の測定＞
実施例、比較例にて得た樹脂フィルムを用いて以下の通りコンデンサ素子を作製した。樹脂フィルムに対して、Ｔマージン蒸着パターンを蒸着抵抗１５Ω／□にてアルミニウム蒸着を施すことにより、上記フィルムの片面に金属膜を含む金属化フィルムを得た。６０ｍｍ幅にスリットした後に、２枚の金属化フィルムを相合わせて、株式会社皆藤製作所製、自動巻取機３ＫＡＷ－Ｎ２型を用い、φ２０ｍｍの巻芯に、巻き取り張力２５０ｇにて蒸着フィルムを巻き付け、完成したコンデンサ素子の静電容量が７５μＦ（実施例１、実施例３、実施例４、実施例５～８、比較例４～７）又は５０μＦ（実施例２、実施例５、参考例３）となるよう巻回ターン数を調整して、巻回を行った。素子巻きした素子は、プレスしながら１２０℃にて１５時間熱処理を施した後、素子端面に亜鉛金属を溶射し、扁平型コンデンサを得た。扁平型コンデンサの端面にリード線をはんだ付けし、その後エポキシ樹脂で封止した。
実施例、比較例にて得た樹脂フィルムを用いて以下の通りコンデンサ素子を作製した。樹脂フィルムに対して、Ｔマージン蒸着パターンを蒸着抵抗１５Ω／□にてアルミニウム蒸着を施すことにより、上記フィルムの片面に金属膜を含む金属化フィルムを得た。６０ｍｍ幅にスリットした後に、２枚の金属化フィルムを相合わせて、株式会社皆藤製作所製、自動巻取機３ＫＡＷ－Ｎ２型を用い、φ２０ｍｍの巻芯に、巻き取り張力２５０ｇにて蒸着フィルムを巻き付け、完成したコンデンサ素子の静電容量が７５μＦ（実施例１、実施例３、実施例４、実施例５～８、比較例４～７）又は５０μＦ（実施例２、実施例５、参考例３）となるよう巻回ターン数を調整して、巻回を行った。素子巻きした素子は、プレスしながら１２０℃にて１５時間熱処理を施した後、素子端面に亜鉛金属を溶射し、扁平型コンデンサを得た。扁平型コンデンサの端面にリード線をはんだ付けし、その後エポキシ樹脂で封止した。
【0224】
得られたコンデンサ素子の絶縁抵抗値を、日置電機株式会社製 超絶縁抵抗計ＤＳＭ８１０４を用いて評価する。絶縁抵抗値の低下率は、以下の手順で求めた。コンデンサ素子を２３℃で２４時間静置後、コンデンサ素子に２５０Ｖ／μｍの電位傾度（但しフィルムの厚みが２μｍ以上である場合は５００Ｖ）で電圧を印加し、印加後、１分経過時の絶縁抵抗値を測定した。これを、寿命試験前の絶縁抵抗値とした。
【0225】
次に、コンデンサ素子を超絶縁抵抗計から取り外して、１０５℃の恒温槽中にて、コンデンサ素子に直流高圧電源で直流２８０Ｖ／μｍの電位傾度で電圧を１０００時間印加（負荷）し続けた。具体的に、直流電圧は、次の式により決定した。
［寿命試験で印加する直流電圧（Ｖ）］＝７５０×［フィルム厚さ（μｍ）］÷εｒ１００℃－５０
つまり、印加電圧を、実施例１では７０７Ｖ、実施例２では１５６１Ｖ、実施例３では５８６Ｖ、実施例４では７６８Ｖ、実施例５では１７１７Ｖ、実施例６では６２５Ｖ、実施例７では７８２Ｖ、実施例８では７７８Ｖ、参考例３では７０３Ｖ、実施例１０では１０３１Ｖ、比較例１では１５４８Ｖ、比較例２では１６４６Ｖ、比較例３では１５８０Ｖ、比較例４では５８９Ｖ、比較例５では６２５Ｖ、比較例６では５８９Ｖ、比較例７では７０３Ｖとした。
［寿命試験で印加する直流電圧（Ｖ）］＝７５０×［フィルム厚さ（μｍ）］÷εｒ１００℃－５０
つまり、印加電圧を、実施例１では７０７Ｖ、実施例２では１５６１Ｖ、実施例３では５８６Ｖ、実施例４では７６８Ｖ、実施例５では１７１７Ｖ、実施例６では６２５Ｖ、実施例７では７８２Ｖ、実施例８では７７８Ｖ、参考例３では７０３Ｖ、実施例１０では１０３１Ｖ、比較例１では１５４８Ｖ、比較例２では１６４６Ｖ、比較例３では１５８０Ｖ、比較例４では５８９Ｖ、比較例５では６２５Ｖ、比較例６では５８９Ｖ、比較例７では７０３Ｖとした。
【0226】
１０００時間経過後、コンデンサ素子を取り外した後にコンデンサ素子に放電抵抗を接続して除電した。次いで、コンデンサ素子を２３℃で２４時間時間静置し、その後、コンデンサ素子の絶縁抵抗値を測定した。これを、寿命試験後の絶縁抵抗値（以下、「ＩＲ１０００」ということがある。）」とした。その後、絶縁抵抗値の低下率を算出した。絶縁抵抗値の低下率は、コンデンサ２個の平均値により評価した。結果を表２に示す。
［絶縁抵抗値の低下率（％）］＝［［（寿命試験前の絶縁抵抗値）－（寿命試験後の絶縁抵抗値）］／（（寿命試験前の絶縁抵抗値）］×１００
［絶縁抵抗値の低下率（％）］＝［［（寿命試験前の絶縁抵抗値）－（寿命試験後の絶縁抵抗値）］／（（寿命試験前の絶縁抵抗値）］×１００
【0227】
＜静電容量の変化率ΔＣの測定＞
寿命試験前後での静電容量を測定し、下記式により、静電容量の変化率ΔＣを求めた。結果を表２に示す。
［静電容量の変化率ΔＣ（％）］＝［［（寿命試験前のコンデンサの容量）－（寿命試験後のコンデンサの容量）］／（（寿命試験前のコンデンサの容量）］×１００
なお、（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）についても合わせて表２に示す。
寿命試験前後での静電容量を測定し、下記式により、静電容量の変化率ΔＣを求めた。結果を表２に示す。
［静電容量の変化率ΔＣ（％）］＝［［（寿命試験前のコンデンサの容量）－（寿命試験後のコンデンサの容量）］／（（寿命試験前のコンデンサの容量）］×１００
なお、（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）についても合わせて表２に示す。
【0228】
【表2】
【0229】
（結果）
表２より、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上である樹脂フィルムは、コンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率（％）が抑制されていることが分かる。
また、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上である樹脂フィルムは、（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）が５０％以下であり、（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）か抑制されていることが分かる。
表２より、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上である樹脂フィルムは、コンデンサ素子の絶縁抵抗値（ＩＲ）の低下率（％）が抑制されていることが分かる。
また、積［ρＶ２３℃×εｒ２３℃］が、１×１０１６Ω・ｃｍ以上であり、積［ρＶ１００℃×εｒ１００℃］が、１×１０１４Ω・ｃｍ以上である樹脂フィルムは、（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）が５０％以下であり、（Ｃ・ＩＲ）の低下率（％）か抑制されていることが分かる。
【0230】
＜体積抵抗率の測定精度の検証＞
本開示における体積抵抗率の測定方法の測定精度が、特許文献１（国際公開第２０１６／１８２００３号）のそれよりも高いことを検証した。以下、説明する。
参考例１は、特許文献１における体積抵抗率の測定方法を想定した試験例である。参考例２は、電位傾度を参考例１よりも高くした場合に、参考例１と比較して、測定精度がどのように変化するかを確認するため試験例である。
本開示における体積抵抗率の測定方法の測定精度が、特許文献１（国際公開第２０１６／１８２００３号）のそれよりも高いことを検証した。以下、説明する。
参考例１は、特許文献１における体積抵抗率の測定方法を想定した試験例である。参考例２は、電位傾度を参考例１よりも高くした場合に、参考例１と比較して、測定精度がどのように変化するかを確認するため試験例である。
【0231】
（参考例１）
上述の実施例で用いた体積抵抗率測定用のジグ、直流電源、直流電流計を準備した。
次に、特許文献１の実施例１と同じ厚さの２．３μｍの二軸延伸ポリプロピレンフィルム（特許文献１記載の実施例１の二軸延伸ポリプロピレンフィルムとは異なる、王子ホールディングス社製の二軸延伸ポリプロピレンフィルム）を、上記ジグにセットし、１２０℃で３０分間、保持した。その後、１００Ｖの電圧を印加した。つまり、電位傾度は、４３Ｖ／μｍとした。その結果、電圧印加後1分経過した時点で０．１～０．５ｎＡレベルの微少電流が測定された。
この電圧と電流の結果を用いて、電極面積の直径が１０ｍｍと仮定したときの体積抵抗値を求めると、６．８×１０１４Ω・ｃｍとなった。この値は、再現テスト（ｎ＝４）の平均値である。なお、電極面積の直径が１０ｍｍと仮定したときの体積抵抗値を求めたのは、特許文献１の体積抵抗率の測定方法では、電極面積の直径が１０ｍｍとされており、これに合わせるためである。
この体積抵抗値（６．８×１０１４Ω・ｃｍ）は、特許文献１の実施例１の値である６．５×１０１４Ω・ｃｍに近い値となった。従って、この参考例１の測定方法は、特許文献１の測定方法を想定した試験として妥当であることが分かる。
次に、再現テスト（ｎ＝４）の電流測定値のバラつきから、標準偏差を求めた。その結果、標準偏差は、１．２×１０１４Ω・ｃｍとなった。また、変動係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｖａｒｉａｔｉｏｎ）を算出した結果、約１８％となった。
なお、変動係数は、下記により求められる値である。
（変動係数）＝（標準偏差）／（平均値）
ここで、特許文献１では、１１０℃で測定している一方、参考例１では、１２０℃で測定している。これは、以下の理由による。
参考例１の試験方法において１１０℃で測定すると、測定される電流値が特許文献１よりも小さくなった。そこで、より正確に特許文献１の測定方法を再現させるために、参考例１では、１２０℃で測定することとした。参考例１の試験方法において１１０℃で測定すると、測定される電流値が特許文献１と同じ電流値とならない理由としては、測定に使用した二軸延伸ポリプロピレンフィルムが特許文献１のものと同じものではないことによると考えられる。
上述の実施例で用いた体積抵抗率測定用のジグ、直流電源、直流電流計を準備した。
次に、特許文献１の実施例１と同じ厚さの２．３μｍの二軸延伸ポリプロピレンフィルム（特許文献１記載の実施例１の二軸延伸ポリプロピレンフィルムとは異なる、王子ホールディングス社製の二軸延伸ポリプロピレンフィルム）を、上記ジグにセットし、１２０℃で３０分間、保持した。その後、１００Ｖの電圧を印加した。つまり、電位傾度は、４３Ｖ／μｍとした。その結果、電圧印加後1分経過した時点で０．１～０．５ｎＡレベルの微少電流が測定された。
この電圧と電流の結果を用いて、電極面積の直径が１０ｍｍと仮定したときの体積抵抗値を求めると、６．８×１０１４Ω・ｃｍとなった。この値は、再現テスト（ｎ＝４）の平均値である。なお、電極面積の直径が１０ｍｍと仮定したときの体積抵抗値を求めたのは、特許文献１の体積抵抗率の測定方法では、電極面積の直径が１０ｍｍとされており、これに合わせるためである。
この体積抵抗値（６．８×１０１４Ω・ｃｍ）は、特許文献１の実施例１の値である６．５×１０１４Ω・ｃｍに近い値となった。従って、この参考例１の測定方法は、特許文献１の測定方法を想定した試験として妥当であることが分かる。
次に、再現テスト（ｎ＝４）の電流測定値のバラつきから、標準偏差を求めた。その結果、標準偏差は、１．２×１０１４Ω・ｃｍとなった。また、変動係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｖａｒｉａｔｉｏｎ）を算出した結果、約１８％となった。
なお、変動係数は、下記により求められる値である。
（変動係数）＝（標準偏差）／（平均値）
ここで、特許文献１では、１１０℃で測定している一方、参考例１では、１２０℃で測定している。これは、以下の理由による。
参考例１の試験方法において１１０℃で測定すると、測定される電流値が特許文献１よりも小さくなった。そこで、より正確に特許文献１の測定方法を再現させるために、参考例１では、１２０℃で測定することとした。参考例１の試験方法において１１０℃で測定すると、測定される電流値が特許文献１と同じ電流値とならない理由としては、測定に使用した二軸延伸ポリプロピレンフィルムが特許文献１のものと同じものではないことによると考えられる。
【0232】
（参考例２）
参考例１と同様に、上述の実施例で用いた体積抵抗率測定用のジグ、直流電源、直流電流計を準備した。
次に、参考例１で使用したのと同じ二軸延伸ポリプロピレンフィルムを上記ジグにセットし、１２０℃で３０分間、保持した。その後、参考例２では、２００Ｖの電圧を印加した。つまり、参考例２では、電位傾度を、８７Ｖ／μｍとした。電位傾度以外については、参考例１と同様にして電流値を測定した。その結果、１１～１２ｎＡの電流が測定された。
この電圧と電流の結果を用いて、電極面積の直径が１０ｍｍと仮定したときの体積抵抗値を求めると、５．９×１０１３Ω・ｃｍとなった。この値は、再現テスト（ｎ＝４）の平均値である。
次に、再現テスト（ｎ＝４）の電流測定値のバラつきから、標準偏差を求めた。その結果、標準偏差は、３．３×１０１２Ω・ｃｍとなった。また、変動係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｖａｒｉａｔｉｏｎ）を算出した結果、約６％となった。
参考例１と同様に、上述の実施例で用いた体積抵抗率測定用のジグ、直流電源、直流電流計を準備した。
次に、参考例１で使用したのと同じ二軸延伸ポリプロピレンフィルムを上記ジグにセットし、１２０℃で３０分間、保持した。その後、参考例２では、２００Ｖの電圧を印加した。つまり、参考例２では、電位傾度を、８７Ｖ／μｍとした。電位傾度以外については、参考例１と同様にして電流値を測定した。その結果、１１～１２ｎＡの電流が測定された。
この電圧と電流の結果を用いて、電極面積の直径が１０ｍｍと仮定したときの体積抵抗値を求めると、５．９×１０１３Ω・ｃｍとなった。この値は、再現テスト（ｎ＝４）の平均値である。
次に、再現テスト（ｎ＝４）の電流測定値のバラつきから、標準偏差を求めた。その結果、標準偏差は、３．３×１０１２Ω・ｃｍとなった。また、変動係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｖａｒｉａｔｉｏｎ）を算出した結果、約６％となった。
【0233】
（考察）
参考例１のように、特許文献１の体積抵抗率の測定方法では、得られる電流がｐＡ（ピコアンペア）レベルとなり、値が安定しないが、参考例２のようにｎＡ（ナノアンペア）レベルの電流として測定すれば値が安定することが分かる。
なお、参考例２では、電位傾度を８７Ｖ／μｍとした場合に、電位傾度を４３Ｖ／μｍとした参考例１と比較して値が安定することが示されているので、電位傾度２００V／μmとした場合（本体積抵抗率の測定方法とした場合）には、特許文献１の体積抵抗率の測定方法と比較して、さらに値が安定することが分かる。
以上より、本開示における本体積抵抗率の測定方法の精度が高いことが分かる。
参考例１のように、特許文献１の体積抵抗率の測定方法では、得られる電流がｐＡ（ピコアンペア）レベルとなり、値が安定しないが、参考例２のようにｎＡ（ナノアンペア）レベルの電流として測定すれば値が安定することが分かる。
なお、参考例２では、電位傾度を８７Ｖ／μｍとした場合に、電位傾度を４３Ｖ／μｍとした参考例１と比較して値が安定することが示されているので、電位傾度２００V／μmとした場合（本体積抵抗率の測定方法とした場合）には、特許文献１の体積抵抗率の測定方法と比較して、さらに値が安定することが分かる。
以上より、本開示における本体積抵抗率の測定方法の精度が高いことが分かる。