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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-20
(45)【発行日】2024-05-28
(54)【発明の名称】放射線検出パネル及び放射線画像検出器
(51)【国際特許分類】
A61B 6/42 20240101AFI20240521BHJP
【ＦＩ】
A61B6/42 500Q
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2019225514
(22)【出願日】2019-12-13
(65)【公開番号】P2021094076
(43)【公開日】2021-06-24
【審査請求日】2022-09-27
(73)【特許権者】
【識別番号】000001270
【氏名又は名称】コニカミノルタ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001254
【氏名又は名称】弁理士法人光陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】池田 和弥
(72)【発明者】
【氏名】永田 康史
(72)【発明者】
【氏名】山本 宜人
【審査官】松岡 智也
(56)【参考文献】
【文献】特開２００６－０７８４７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１１／１４８７００（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００５－２１４８００（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００５／０１６７６０４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１７／１６９０４８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１９－１８４２６２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１３／００６８９５３（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ａ６１Ｂ ６／００－６／１４
Ｇ０１Ｔ １／００－１／１６、１／１６７－７／１２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
一方の面に複数の光電変換素子が配列された素子基板と、放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
を備え、
前記光電変換素子と対向するよう、前記素子基板に前記シンチレーターが積層配置され、
前記シンチレーターの全側面と、前記素子基板の少なくとも一側面とを覆う防湿層を備え、
前記防湿層は、前記シンチレーター及び前記素子基板の側面のみに備えられることを特徴とする放射線検出パネル。
【請求項2】
前記シンチレーター及び前記素子基板は、平面視において少なくとも一側端部が重なり、当該一側端部において前記素子基板が前記シンチレーターからはみ出る許容量は、前記素子基板の幅の２％以内であり、前記防湿層は、前記一側端部の側面に備えられることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出パネル。
【請求項3】
前記シンチレーター及び前記素子基板は、平面視において少なくとも一側端部が重なり、当該一側端部の側面は面一であって、前記防湿層は、前記一側端部の側面に備えられることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出パネル。
【請求項4】
前記シンチレーターの側面部には、保護層が備えられ、前記防湿層は、前記保護層を介して前記シンチレーターの全側面に備えられることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の放射線検出パネル。
【請求項5】
前記保護層は、前記シンチレーターの側面のみに備えられることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出パネル。
【請求項6】
一方の面に複数の光電変換素子が配列された素子基板と、放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
を備え、
前記光電変換素子と対向するよう、前記素子基板に前記シンチレーターが積層配置され、
前記シンチレーターの全側面と、前記素子基板の少なくとも一側面とを覆う防湿層を備え、
前記シンチレーターの側面部には、保護層が備えられ、
前記防湿層は、前記保護層を介して前記シンチレーターの全側面に備えられ、
前記保護層は、前記シンチレーターの側面のみに備えられることを特徴とする放射線検出パネル。
【請求項7】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の放射線検出パネルを備えることを特徴とする放射線画像検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、放射線検出パネル及び放射線画像検出器に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、入射した放射線をシンチレーターで可視光等の光に変換し、変換された光を、基板上に二次元状に配列されたフォトダイオード等の複数の光電変換素子で検出する放射線検出パネルを用いた放射線画像検出器（Flat Panel Detector（ＦＰＤ）ともいう。）が開発されている。放射線画像検出器では、光電変換素子で入射した光を電荷に変換し、発生した電荷を取り出すことで、被写体を介して照射された放射線に担持された情報を電気信号として検出するように構成される。
放射線検出パネルとしては、図１０に示すように、光電変換素子１０１の配列された素子基板１０２と、シンチレーター１０３が形成されたシンチレーター基板１０４とが積層され、光電変換素子１０１とシンチレーター１０３との側面を囲むようにシール材１０５を配置した構成などが知られている（例えば、特許文献１参照）。
放射線検出パネルとしては、図１０に示すように、光電変換素子１０１の配列された素子基板１０２と、シンチレーター１０３が形成されたシンチレーター基板１０４とが積層され、光電変換素子１０１とシンチレーター１０３との側面を囲むようにシール材１０５を配置した構成などが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１１－１７４８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上記構成の放射線検出パネルは、シール材の配置により、放射線検出パネルの端部までシンチレーターを配置することができず、パネル端部での診断が難しいものとなっていた。
【0005】
本発明の課題は、放射線検出パネルの端部に診断領域を広げることの可能な放射線検出パネル及び放射線画像検出器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するため、本発明の放射線検出パネルは、
一方の面に複数の光電変換素子が配列された素子基板と、
放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
を備え、
前記光電変換素子と対向するよう、前記素子基板に前記シンチレーターが積層配置され、
前記シンチレーターの全側面と、前記素子基板の少なくとも一側面とを覆う防湿層を備え、
前記防湿層は、前記シンチレーター及び前記素子基板の側面のみに備えられることを特徴とする。
また、本発明の放射線検出パネルは、
一方の面に複数の光電変換素子が配列された素子基板と、
放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
を備え、
前記光電変換素子と対向するよう、前記素子基板に前記シンチレーターが積層配置され、
前記シンチレーターの全側面と、前記素子基板の少なくとも一側面とを覆う防湿層を備え、
前記シンチレーターの側面部には、保護層が備えられ、
前記防湿層は、前記保護層を介して前記シンチレーターの全側面に備えられ、
前記保護層は、前記シンチレーターの側面のみに備えられることを特徴とする。
また、本発明の放射線検出パネルは、
一方の面に複数の光電変換素子が配列された素子基板と、
放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
を備え、
前記光電変換素子と対向するよう、前記素子基板に前記シンチレーターが積層配置され、
前記シンチレーターの全側面と、前記素子基板の少なくとも一側面とを覆う防湿層を備え、
前記シンチレーターの側面部には、保護層が備えられ、
前記防湿層は、前記保護層を介して前記シンチレーターの全側面に備えられ、
前記保護層は、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のうち、一種類もしくは複数種を組み合わせたものであることを特徴とする。
一方の面に複数の光電変換素子が配列された素子基板と、
放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
を備え、
前記光電変換素子と対向するよう、前記素子基板に前記シンチレーターが積層配置され、
前記シンチレーターの全側面と、前記素子基板の少なくとも一側面とを覆う防湿層を備え、
前記防湿層は、前記シンチレーター及び前記素子基板の側面のみに備えられることを特徴とする。
また、本発明の放射線検出パネルは、
一方の面に複数の光電変換素子が配列された素子基板と、
放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
を備え、
前記光電変換素子と対向するよう、前記素子基板に前記シンチレーターが積層配置され、
前記シンチレーターの全側面と、前記素子基板の少なくとも一側面とを覆う防湿層を備え、
前記シンチレーターの側面部には、保護層が備えられ、
前記防湿層は、前記保護層を介して前記シンチレーターの全側面に備えられ、
前記保護層は、前記シンチレーターの側面のみに備えられることを特徴とする。
また、本発明の放射線検出パネルは、
一方の面に複数の光電変換素子が配列された素子基板と、
放射線を光に変換して前記光電変換素子に照射するシンチレーターと、
を備え、
前記光電変換素子と対向するよう、前記素子基板に前記シンチレーターが積層配置され、
前記シンチレーターの全側面と、前記素子基板の少なくとも一側面とを覆う防湿層を備え、
前記シンチレーターの側面部には、保護層が備えられ、
前記防湿層は、前記保護層を介して前記シンチレーターの全側面に備えられ、
前記保護層は、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のうち、一種類もしくは複数種を組み合わせたものであることを特徴とする。
【0007】
また、本発明の放射線画像検出器は、
前記放射線検出パネルを備えることを特徴とする。
前記放射線検出パネルを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、放射線検出パネルの端部に診断領域を広げることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】放射線画像検出器の外観斜視図である。
【図3】放射線検出パネルが備える素子基板表面の構成を示す平面図である。
【図5】ＣＯＦやＰＣＢ基板などが取り付けられた素子基板を説明する図である。
【図6】蛍光体が柱状構造を有するシンチレーターの構成およびそのシンチレーター基板への貼付を説明する拡大模式図である。
【図7】放射線検出パネルの斜視図である。
【図10】従来の構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。
【0011】
［放射線検出パネルおよび放射線画像検出器］
まず、本実施形態に係る放射線検出パネル３および放射線画像検出器１の構成について説明する。
まず、本実施形態に係る放射線検出パネル３および放射線画像検出器１の構成について説明する。
【0012】
なお、以下では、図１や図２に示すように、放射線画像検出器１や放射線検出パネル３における各部材の相対的な位置関係、特に上下関係について、放射線画像検出器１の筐体２における放射線が入射する面Ｘ側を上側に向け、筐体２における放射線が入射する面Ｘとは反対側の面Ｙ側を下側に向けて配置した場合の位置関係に基づいて説明する。
【0013】
図１は、本実施形態に係る放射線画像検出器１の外観斜視図であり、図２は、図１のＡ－Ａ線に沿う断面図である。
放射線画像検出器１は、図１や図２に示すように、放射線検出パネル３が筐体２内に収納されて構成されている。
放射線画像検出器１は、図１や図２に示すように、放射線検出パネル３が筐体２内に収納されて構成されている。
【0014】
筐体２は、カーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板５１とバック板５２とで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
また、筐体２の側面部分には、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ５３、蓋５４、外部の装置と接続される端子５５、電源スイッチ５６等が配置されている。
また、筐体２の側面部分には、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ５３、蓋５４、外部の装置と接続される端子５５、電源スイッチ５６等が配置されている。
【0015】
筐体２の内部には、図２に示すように、素子基板４、シンチレーター基板５、シンチレーター６等を備えた放射線検出パネル３が配置されている。
また、放射線検出パネル３の下方には、図示しない鉛の薄板等を介して基台７が配置され、基台７には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＡＭ（Random Access Memory）などの各種の電子部品８等が配設されたＰＣＢ基板９、緩衝部材１０等が取り付けられている。
また、放射線検出パネル３の下方には、図示しない鉛の薄板等を介して基台７が配置され、基台７には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＡＭ（Random Access Memory）などの各種の電子部品８等が配設されたＰＣＢ基板９、緩衝部材１０等が取り付けられている。
【0016】
本実施形態では、素子基板４は、放射線や紫外線などの光を透過するガラス基板で構成されている。ただし、素子基板４は、この他にも、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリカーボネート、シンジオタクチックポリスチレン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド等の樹脂板や樹脂フィルムなどで構成することも可能である。本発明はこれらに限定されない。
図３は、素子基板４表面の構成を示す平面図である。素子基板４の表面（すなわちシンチレーター６（図２参照）に対向する側の面）４ａ上には、複数の走査線１１と複数の信号線１２とが互いに交差するように配設されている。また、複数のバイアス線１３が、複数の信号線１２と平行に配置されており、本実施形態では、各バイアス線１３は、素子基板４上の一方側の端部で１本の結線１４により結束されている。
図３は、素子基板４表面の構成を示す平面図である。素子基板４の表面（すなわちシンチレーター６（図２参照）に対向する側の面）４ａ上には、複数の走査線１１と複数の信号線１２とが互いに交差するように配設されている。また、複数のバイアス線１３が、複数の信号線１２と平行に配置されており、本実施形態では、各バイアス線１３は、素子基板４上の一方側の端部で１本の結線１４により結束されている。
【0017】
また、素子基板４の表面４ａ上で複数の走査線１１と複数の信号線１２により区画された各小領域Ｒには、光電変換素子１５がそれぞれ設けられている。このように、本実施形態では、素子基板４は、その表面４ａに複数の光電変換素子１５が二次元状に配列されて形成されている。また、光電変換素子１５はそれぞれバイアス線１３に接続されており、本実施形態では、図示しないバイアス電源からバイアス線１３を介して光電変換素子１５にバイアス電圧が印加されるように構成されている。
【0018】
本実施形態では、光電変換素子１５として、放射線の照射を受けたシンチレーター６から出力された光の照射を受けると光エネルギを吸収して内部に電子正孔対を発生させることで光エネルギを電荷に変換するフォトダイオードが用いられている。
また、図４の拡大図に示すように、各小領域Ｒには、各光電変換素子１５につき１つの薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下「ＴＦＴ」という。）１６が設けられており、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｓが光電変換素子１５の１つの電極と、ドレイン電極１６ｄが信号線１２と、ゲート電極１６ｇが走査線１１とそれぞれ接続されている。
また、図４の拡大図に示すように、各小領域Ｒには、各光電変換素子１５につき１つの薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下「ＴＦＴ」という。）１６が設けられており、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｓが光電変換素子１５の１つの電極と、ドレイン電極１６ｄが信号線１２と、ゲート電極１６ｇが走査線１１とそれぞれ接続されている。
【0019】
本実施形態の放射線検出パネル３では、図３に示すように、上記のように構成された素子基板４の表面４ａ上において、走査線１１や信号線１２、結線１４の端部がそれぞれ入出力端子（パッドともいう）１８に接続されている。
【0020】
また、図５に示すように、各入出力端子１８には、ＣＯＦ（Chip On Film）１９が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）などの異方性導電性接着材料２０を介して圧着されている。また、ＣＯＦ１９は、素子基板４の裏面４ｂ側に引き回されており、裏面４ｂ側でＰＣＢ基板９とＣＯＦ１９とが圧着されて接続されている。
【0021】
また、図５に示すように、素子基板４の表面４ａにおける複数の光電変換素子１５等が形成された部分には、複数の光電変換素子１５等による表面の凹凸を平坦化し、図５では図示を省略するシンチレーター６が光電変換素子１５に対向するように配置された際にその下地とするために、複数の光電変換素子１５等を被覆するように透明な樹脂等が塗布されて平坦化層２１が形成されている。
【0022】
本実施形態では、平坦化層２１は、シンチレーター６の蛍光体６ａから出力される光を透過する透明のアクリル系感光性樹脂で形成されている。なお、図５では、シンチレーター６のほか、電子部品８等の図示が省略されている。
【0023】
シンチレーター６（図２参照）は、入射した放射線を別の波長の光に変換するものであり、蛍光体を主たる成分とする。具体的には、本実施形態では、シンチレーター６として、Ｘ線等の放射線が入射すると、波長が３００ｎｍ～８００ｎｍの電磁波、すなわち可視光を中心として紫外光から赤外光にわたる光を出力するものが用いられている。蛍光体としては、例えばＣｓＩ：Ｔｌ等の母体材料内に発光中心物質が付活されたものが好ましく用いられる。
【0024】
シンチレーター６は、図６の拡大図に示すように、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持膜６ｂの上に、例えば気相成長法により蛍光体６ａを成長させて形成されたものであり、蛍光体６ａの柱状結晶からなっている。気相成長法としては、蒸着法やスパッタ法などが好ましく用いられる。
【0025】
いずれの手法においても、蛍光体６ａを支持膜６ｂ上に独立した細長い柱状結晶として気相成長させることができる。蛍光体６ａの各柱状結晶は、支持膜６ｂ付近では太く、先端（図６中では下側の端部）Ｐａに向かうに従って細くなっていき、先端Ｐａは鋭角状の略円錐形状となるように成長して形成される。
【0026】
本実施形態では、このようにして蛍光体６ａが柱状結晶として形成されたシンチレーター６は、蛍光体６ａの柱状結晶の鋭角状の先端Ｐａが下側、すなわち前述した素子基板４の複数の光電変換素子１５側を向くように、その支持膜６ｂが表面５ａに貼付されている。このようにして、シンチレーター６は、シンチレーター基板５で支持されている。
【0027】
なお、蛍光体６ａの柱状結晶の全体がフィルム等で覆われた状態でシンチレーター６が形成される場合もあり、その場合には、フィルムの厚さは均一とされ、蛍光体６ａの先端Ｐａが平坦化層２１の表面に当接する際には、蛍光体６ａの先端Ｐａがフィルムを介して平坦化層２１の表面に当接する状態となる。
【0028】
本実施形態では、シンチレーター基板５はガラス基板で構成されている。ただし、シンチレーター基板５は、この他にも、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリカーボネート、シンジオタクチックポリスチレン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド等の樹脂板や樹脂フィルムなどで構成することも可能である。本発明はこれらに限定されない。
【0029】
図７は、図２における放射線検出パネル３の斜視図であり、図８は、図７のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。なお、図７においては、シンチレーター基板５は省略している。また、図８において、放射線検出パネル３の各部材の相対的な大きさや厚さ、部材間の間隔等は、必ずしも実際の放射線検出パネル３の構造を反映していない。
【0030】
放射線検出パネル３は、上述したように、光電変換素子１５とシンチレーター６とが対向する状態となるよう、素子基板４とシンチレーター基板５とが積層配置されて形成されている。具体的には、シンチレーター基板５が、シンチレーター６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが複数の光電変換素子１５や平坦化層２１に対向するように配置されて形成されている。
【0031】
また、図７に示すように、シンチレーター基板５及びシンチレーター６の全側面（側面の全周）と、素子基板４の少なくとも一側面を覆うように防湿層２２が配置されている。
具体的に、素子基板４、シンチレーター基板５及びシンチレーター６は矩形状であり、平面視における少なくとも一辺（一側端部）はその端部同士が重なって揃った状態となるように積層配置される。その揃った側端部の側面は面一であって、防湿層２２は、この側面に備えられる。かかる構成は、例えば、所定の基準面に対して素子基板４及びシンチレーター基板５を突き当てて積層配置させることにより実現可能であり、製造が容易となるとともに、構成上耐久性を高めることができる。
図７は、四角形状の素子基板４、シンチレーター基板５及びシンチレーター６の二辺が重なって揃った状態を示した例である。
具体的に、素子基板４、シンチレーター基板５及びシンチレーター６は矩形状であり、平面視における少なくとも一辺（一側端部）はその端部同士が重なって揃った状態となるように積層配置される。その揃った側端部の側面は面一であって、防湿層２２は、この側面に備えられる。かかる構成は、例えば、所定の基準面に対して素子基板４及びシンチレーター基板５を突き当てて積層配置させることにより実現可能であり、製造が容易となるとともに、構成上耐久性を高めることができる。
図７は、四角形状の素子基板４、シンチレーター基板５及びシンチレーター６の二辺が重なって揃った状態を示した例である。
【0032】
なお、上述したように、素子基板４、シンチレーター基板５及びシンチレーター６は、平面視における少なくとも一辺（一側端部）の端部同士が重なって揃った状態（側面が面一の状態）となるように積層配置されることが最も好ましいが、平面視において少なくとも一側端部が重なった状態で、この一側端部において素子基板４がシンチレーター６からはみ出ていたとしても、そのはみ出る幅（許容量）が、素子基板４の幅の２％以内であれば、構成上の耐久性等を確保する観点から好ましい態様である。さらに、はみ出る幅が、素子基板４の幅の１％以内、０．５％以内、０．２５％以内とするごとに、より耐久性等効果が高まる。
【0033】
また、防湿層２２は、素子基板４、シンチレーター基板５及びシンチレーター６の側面のみに備えられることが好ましい。つまり、素子基板４やシンチレーター基板５の表面に、防湿層２２が延出していない状態であることが好ましい。
これは、放射線検出パネル３を筐体２に収容した際、これらの表面に防湿層２２があることで意図しない段差などが生じ、放射線画像にノイズ等の影響がでるのを防ぐためである。
これは、放射線検出パネル３を筐体２に収容した際、これらの表面に防湿層２２があることで意図しない段差などが生じ、放射線画像にノイズ等の影響がでるのを防ぐためである。
【0034】
防湿層２２は、膜状に設けられるものであって、防湿性の高い封止ができる等の観点から、エポキシ系樹脂を用いた接着剤や、シリコーン系樹脂を用いた接着剤などが好ましく用いられる。防湿膜２２の厚さは、樹脂の種類にもよるが、例えばエポキシ系樹脂であれば０．１ｍｍ以上が好ましい。
ここで、防湿層２２は、加熱することにより硬化する熱硬化型の接着剤であってもよいし、光を照射すると硬化する光硬化型の接着剤であってもよい。
熱硬化型の接着剤としては、例えば、熱硬化性樹脂を用いた接着剤やさらに硬化促進剤等が添加された接着剤などを用いることが可能である。
また、光硬化型の接着剤としては、光開始剤や光重合性化合物などを含む紫外線硬化型樹脂等を用いることが可能である。
ここで、防湿層２２は、加熱することにより硬化する熱硬化型の接着剤であってもよいし、光を照射すると硬化する光硬化型の接着剤であってもよい。
熱硬化型の接着剤としては、例えば、熱硬化性樹脂を用いた接着剤やさらに硬化促進剤等が添加された接着剤などを用いることが可能である。
また、光硬化型の接着剤としては、光開始剤や光重合性化合物などを含む紫外線硬化型樹脂等を用いることが可能である。
【0035】
また、防湿層２２の材質によっては硬化過程にシンチレーター６と接触することにより悪影響が発生する場合がある。
そこで、図９に示すように、シンチレーター６の側面部に保護層２３を備え、防湿層２２は、保護層２３を介してシンチレーター６の側面に設けられる構成とすることも好ましい。
保護層２３は、SiO2、Al2O3、TiO2、SiN、AlN、TiNなどの金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のうち、一種類もしくは複数種を組み合わせたものが挙げられる。スパッタリングなどによりシンチレーター６の側面に成膜してから防湿層２２を配置してもよいし、防湿層２２上に前記保護層２３を配置したものをシンチレーター側面に配置してもよい。保護層２３の厚さは、配置する材料によるが、例えばスパッタリングで成膜したSiO2膜の場合は４０ｎｍ以上が好ましい。また、保護層２３に透湿性の高い材料を用いることで、防湿層２２の厚さを薄くすることも可能となる。前述のスパッタリングで成膜した４０ｎｍのSiO2膜の場合、防湿層２２の厚さは５０μｍ以上が好ましい。
また、保護層２３も、防湿層２２と同様に放射線画像にノイズが生じるのを防ぐ観点から、シンチレーター６の側面のみに形成され、シンチレーター６の上面側や下面側に延出しないことが好ましい。
かかる保護層２３を設けることにより、防湿層２２の硬化過程にシンチレーター６に生じる悪影響が発生する場合、その悪影響を排除することができる。また、構成上、耐久性を高めることができる。
そこで、図９に示すように、シンチレーター６の側面部に保護層２３を備え、防湿層２２は、保護層２３を介してシンチレーター６の側面に設けられる構成とすることも好ましい。
保護層２３は、SiO2、Al2O3、TiO2、SiN、AlN、TiNなどの金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のうち、一種類もしくは複数種を組み合わせたものが挙げられる。スパッタリングなどによりシンチレーター６の側面に成膜してから防湿層２２を配置してもよいし、防湿層２２上に前記保護層２３を配置したものをシンチレーター側面に配置してもよい。保護層２３の厚さは、配置する材料によるが、例えばスパッタリングで成膜したSiO2膜の場合は４０ｎｍ以上が好ましい。また、保護層２３に透湿性の高い材料を用いることで、防湿層２２の厚さを薄くすることも可能となる。前述のスパッタリングで成膜した４０ｎｍのSiO2膜の場合、防湿層２２の厚さは５０μｍ以上が好ましい。
また、保護層２３も、防湿層２２と同様に放射線画像にノイズが生じるのを防ぐ観点から、シンチレーター６の側面のみに形成され、シンチレーター６の上面側や下面側に延出しないことが好ましい。
かかる保護層２３を設けることにより、防湿層２２の硬化過程にシンチレーター６に生じる悪影響が発生する場合、その悪影響を排除することができる。また、構成上、耐久性を高めることができる。
【0036】
［効果］
以上のように、本実施形態によれば、放射線検出パネル３は、一方の面（表面４ａ）に複数の光電変換素子１５が配列された素子基板４と、放射線を光に変換して光電変換素子１５に照射するシンチレーター６と、を備え、光電変換素子１５と対向するよう、素子基板４にシンチレーター６が積層配置され、シンチレーター６の全側面と、素子基板４の少なくとも一側面とを覆う防湿層２２を備える。
このため、放射線検出パネル３の端部に診断領域を広げることが可能となる。例えば、マンモグラフィーなどにおいて、有益に用いることができる。
以上のように、本実施形態によれば、放射線検出パネル３は、一方の面（表面４ａ）に複数の光電変換素子１５が配列された素子基板４と、放射線を光に変換して光電変換素子１５に照射するシンチレーター６と、を備え、光電変換素子１５と対向するよう、素子基板４にシンチレーター６が積層配置され、シンチレーター６の全側面と、素子基板４の少なくとも一側面とを覆う防湿層２２を備える。
このため、放射線検出パネル３の端部に診断領域を広げることが可能となる。例えば、マンモグラフィーなどにおいて、有益に用いることができる。
【0037】
また、本実施形態によれば、素子基板４とシンチレーター６は、平面視において少なくとも一側端部が揃った状態に積層配置され、一側端部の側面は面一であって、防湿層２２は、一側端部の側面に備えられる。
このため、放射線検出パネル３の少なくとも一側端部に診断領域を広げることが可能となるのは勿論のこと、製造が容易であるとともに、構成上耐久性を高めることができる。
このため、放射線検出パネル３の少なくとも一側端部に診断領域を広げることが可能となるのは勿論のこと、製造が容易であるとともに、構成上耐久性を高めることができる。
【0038】
また、本実施形態によれば、防湿層２２は、シンチレーター６及び素子基板４の側面のみに備えられる。
このため、放射線検出パネル３を筐体２に収容した際に、意図しない段差などが生じ難く、放射線画像にノイズが生じるなどの不具合が発生するのを防止することができる。
このため、放射線検出パネル３を筐体２に収容した際に、意図しない段差などが生じ難く、放射線画像にノイズが生じるなどの不具合が発生するのを防止することができる。
【0039】
また、本実施形態によれば、シンチレーター６の側端部には、保護層２３が備えられ、防湿層２２は、保護層２３を介してシンチレーター６の全側面に備えられる。この保護層２３は、シンチレーター６の側面のみに備えられる。
このため、保護層２３により防湿層２２の硬化過程にシンチレーター６に生じる悪影響を排除することができる。また、構成上、耐久性を高めることができる。
このため、保護層２３により防湿層２２の硬化過程にシンチレーター６に生じる悪影響を排除することができる。また、構成上、耐久性を高めることができる。
【0040】
[その他]
なお、本発明が、上記の実施形態や変形例に限定されず、適宜変更可能であることは言うまでもない。
なお、本発明が、上記の実施形態や変形例に限定されず、適宜変更可能であることは言うまでもない。
【0041】
例えば、上記実施形態では、四角形状の素子基板４及びシンチレーター６の二辺が重なって当該二辺が防湿層２２により封止されている構成を例示しているが、本発明は、少なくとも一辺が防湿層２２により封止されているものであればよい。すなわち、防湿層２２は、四角形状の素子基板４及びシンチレーター６の一辺或いは三辺に配置されてもよいし、全周である四辺に配置することもできる。
【0042】
また、上記実施形態では、素子基板４とシンチレーター基板５の重なった辺が揃った構成、或いは、素子基板４とシンチレーター基板５が重なって素子基板４がシンチレーター６からはみ出る幅が素子基板４の幅の２％以内の構成を好ましい態様として例示したが、必ずしもこの条件で重なった辺を備えなくともよい。すなわち、素子基板４とシンチレーター基板５が重なった状態で、素子基板４がシンチレーター６からはみ出る幅が２％より大きかったとしても、防湿層２２を設けることが可能である。
【符号の説明】
【0043】
１ 放射線画像検出器
２ 筐体
３ 放射線検出パネル
４ 素子基板
４ａ 表面
５ シンチレーター基板
５ａ 表面
６ シンチレーター
１５ 光電変換素子
２２ 防湿層
２３ 保護層
２ 筐体
３ 放射線検出パネル
４ 素子基板
４ａ 表面
５ シンチレーター基板
５ａ 表面
６ シンチレーター
１５ 光電変換素子
２２ 防湿層
２３ 保護層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】