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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-20
(45)【発行日】2024-05-28
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/04 20060101AFI20240521BHJP
H01F 27/29 20060101ALI20240521BHJP
H01G 4/30 20060101ALI20240521BHJP
【ＦＩ】
H01F17/04 F
H01F27/29 123
H01G4/30 512
H01G4/30 201K
H01G4/30 513
H01G4/30 201F
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2022578102
(86)(22)【出願日】2021-12-07
(86)【国際出願番号】 JP2021044963
(87)【国際公開番号】W WO2022163140
(87)【国際公開日】2022-08-04
【審査請求日】2023-05-01
(31)【優先権主張番号】P 2021014488
(32)【優先日】2021-02-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】星野 悠太
(72)【発明者】
【氏名】喜多代 裕樹
【審査官】古河 雅輝
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－９８３７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１１／１３４３７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００５－３１７７４８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－３０２１２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－３６０５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０２０／２４１１２２（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ １７／００ －２１／１２
Ｈ０１Ｆ ２７／００
Ｈ０１Ｆ ２７／０２
Ｈ０１Ｆ ２７／０６
Ｈ０１Ｆ ２７／０８
Ｈ０１Ｆ ２７／２３
Ｈ０１Ｆ ２７／２６ －２７／３０
Ｈ０１Ｆ ２７／３２
Ｈ０１Ｆ ２７／３６
Ｈ０１Ｆ ２７／４２
Ｈ０１Ｆ ３０／００ －３８／１２
Ｈ０１Ｆ ３８／１６
Ｈ０１Ｆ ３８／４２
Ｈ０１Ｇ ４／００ － ４／１０
Ｈ０１Ｇ ４／１４ － ４／２２
Ｈ０１Ｇ ４／２２４
Ｈ０１Ｇ ４／２５５－ ４／４０
Ｈ０１Ｇ １３／００ －１７／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｃｕ元素を含むセラミックの素体と、前記素体の表面の一部を覆う外部電極と、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物と、を備え、前記外部電極は、前記素体上に配置された下地電極層を有しており、
前記下地電極層は、導体を含む導体部と、ガラスを含むガラス部とを有しており、
前記Ｃｕ偏析物は、前記素体と前記ガラス部との界面において、前記素体と前記ガラス部とに接している、電子部品。
【請求項2】
前記Ｃｕ偏析物の形状が、前記Ｃｕ偏析物の一部が前記素体側に突出する楔状である、請求項１に記載の電子部品。【請求項3】
前記Ｃｕ偏析物の、前記素体と前記ガラス部との界面が延びる方向における長さをＬａ、これに直交する方向における長さをＬｂとしたときに、前記Ｃｕ偏析物の形状が、前記長さＬｂに対する前記長さＬａの比［Ｌａ／Ｌｂ］が３以下となる粒状である、請求項１に記載の電子部品。【請求項4】
前記Ｃｕ偏析物の直上に接する前記ガラス部の厚さは、０．５μｍ未満である、請求項２又は３に記載の電子部品。【請求項5】
前記Ｃｕ偏析物の、前記素体と前記ガラス部との界面が延びる方向における長さをＬａ、これに直交する方向における長さをＬｂとしたときに、前記Ｃｕ偏析物の形状が、前記長さＬｂに対する前記長さＬａの比［Ｌａ／Ｌｂ］が３を超える層状である、請求項１に記載の電子部品。【請求項6】
前記Ｃｕ偏析物の直上に接する前記ガラス部の厚さは、０．５μｍ以上である請求項５に記載の電子部品。【請求項7】
前記素体と前記下地電極層の界面には、前記Ｃｕ偏析物が複数個存在している、請求項１～６のいずれか１項に記載の電子部品。【請求項8】
１つの前記下地電極層には、前記ガラス部が複数存在しており、複数の前記ガラス部のうちの１つと前記素体との界面には前記Ｃｕ偏析物が存在し、
残りの前記ガラス部のうちの少なくとも１つと前記素体との界面に、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物が存在している、請求項７に記載の電子部品。
【請求項9】
１つの前記ガラス部と前記素体との界面に、前記Ｃｕ偏析物が複数存在する、請求項７に記載の電子部品。【請求項10】
前記下地電極層を構成する前記導体部は、導体としてＡｇ元素を含む、請求項１～９のいずれか１項に記載の電子部品。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
フェライト焼結体からなる素体の表面に、ガラスを含む外部電極を形成した積層コイル部品が知られている。
【0003】
特許文献１には、フェライト焼結体からなる素体と、素体内に併置されている複数の内部導体が電気的に接続されて構成されたコイルと、素体の端面側に配置された外部電極とを備え、素体の表面がガラスを含む絶縁層で覆われた積層コイル部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１７－２０４５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１に記載された積層コイル部品においては、素体と外部電極との密着性が低く、密着性を向上させる余地があった。
【0006】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、素体と外部電極との密着性が高い電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の電子部品の一実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミックの素体と、上記素体の表面の一部を覆う外部電極と、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物と、を備え、上記外部電極は、上記素体上に配置された下地電極層を有しており、上記下地電極層は、導体を含む導体部と、ガラスを含むガラス部とを有しており、上記Ｃｕ偏析物は、上記素体と上記ガラス部との界面において、上記素体と上記ガラス部とに接している。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、素体と外部電極との密着性が高い電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の電子部品について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
【0011】
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第二実施形態以降では、第一実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
【0012】
以下に示す図面は模式的なものであり、その寸法や縦横比の縮尺などは実際の製品とは異なる場合がある。
【0013】
本発明の電子部品の一実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミックの素体と、上記素体の表面の一部を覆う外部電極と、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物と、を備え、上記外部電極は、上記素体上に配置された下地電極層を有しており、上記下地電極層は、導体を含む導体部と、ガラスを含むガラス部とを有しており、上記Ｃｕ偏析物は、上記素体と上記ガラス部との界面において、上記素体と上記ガラス部とに接している。
【0014】
図１は、本発明の実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す斜視図である。
図１に示す電子部品１は、素体１０と、素体１０の表面の一部を覆う外部電極２０とを備える。
素体１０は、長さ方向Ｌに対向する第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂと、長さ方向Ｌに直交する幅方向Ｗに対向する第１側面１０ｃ及び第２側面１０ｄと、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに直交する厚さ方向Ｔに対向する上面１０ｅ及び底面１０ｆと、を有する略直方体形状である。
外部電極２０は、第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂをそれぞれ覆うように設けられている。第１端面１０ａを覆う外部電極２０の一部は、素体１０の第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、上面１０ｅ、底面１０ｆの一部に回り込んで形成されている。また、第２端面１０ｂを覆う外部電極２０の一部は、素体１０の第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、上面１０ｅ、底面１０ｆの一部に回り込んで形成されている。
図１に示す電子部品１は、素体１０と、素体１０の表面の一部を覆う外部電極２０とを備える。
素体１０は、長さ方向Ｌに対向する第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂと、長さ方向Ｌに直交する幅方向Ｗに対向する第１側面１０ｃ及び第２側面１０ｄと、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに直交する厚さ方向Ｔに対向する上面１０ｅ及び底面１０ｆと、を有する略直方体形状である。
外部電極２０は、第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂをそれぞれ覆うように設けられている。第１端面１０ａを覆う外部電極２０の一部は、素体１０の第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、上面１０ｅ、底面１０ｆの一部に回り込んで形成されている。また、第２端面１０ｂを覆う外部電極２０の一部は、素体１０の第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、上面１０ｅ、底面１０ｆの一部に回り込んで形成されている。
【0015】
図２は、図１におけるＩＩ－ＩＩ線断面図である。
図２に示すように、素体１０は、内部に導体層４０を有している。導体層４０は、素体１０の第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂに露出しており、外部電極２０と電気的に接続されている。また、導体層４０は全体としてコイルを形成している。導体層４０により形成されたコイルのコイル軸は、長さ方向Ｌに平行である。
外部電極２０は、素体１０上に配置された下地電極層２１と、下地電極層２１の表面に配置された被覆層２７とを有している。
図２に示すように、素体１０は、内部に導体層４０を有している。導体層４０は、素体１０の第１端面１０ａ及び第２端面１０ｂに露出しており、外部電極２０と電気的に接続されている。また、導体層４０は全体としてコイルを形成している。導体層４０により形成されたコイルのコイル軸は、長さ方向Ｌに平行である。
外部電極２０は、素体１０上に配置された下地電極層２１と、下地電極層２１の表面に配置された被覆層２７とを有している。
【0016】
図３は、本発明の実施形態に係る電子部品の別の一例を模式的に示す斜視図である。
図３に示す電子部品２は、素体１１と、素体１１の表面の一部を覆う外部電極２０とを備える。素体１１の形状は、巻線４３が巻回された柱状の巻芯部６０と、巻芯部６０の長さ方向Ｌの両端部にそれぞれ接続された鍔部６１を有するバーベル形状である。巻線４３は素体１１の巻芯部６０に巻回されている。なお、図示していないが、巻線４３の端部は外部電極２０に接続されている。
図３に示す電子部品２は、素体１１と、素体１１の表面の一部を覆う外部電極２０とを備える。素体１１の形状は、巻線４３が巻回された柱状の巻芯部６０と、巻芯部６０の長さ方向Ｌの両端部にそれぞれ接続された鍔部６１を有するバーベル形状である。巻線４３は素体１１の巻芯部６０に巻回されている。なお、図示していないが、巻線４３の端部は外部電極２０に接続されている。
【0017】
図４は、図３におけるＩＶ－ＩＶ線断面図である。
図４に示すように、素体１１の内部に導体層は設けられていない。
外部電極２０は、素体１１上に配置された下地電極層２１と、下地電極層２１の表面に配置された被覆層２７を有している。
図４に示すように、素体１１の内部に導体層は設けられていない。
外部電極２０は、素体１１上に配置された下地電極層２１と、下地電極層２１の表面に配置された被覆層２７を有している。
【0018】
［素体］
本発明の電子部品の一実施形態において、素体は、Ｃｕ元素を含むセラミックである。
本発明の電子部品の一実施形態において、素体は、Ｃｕ元素を含むセラミックである。
【0019】
Ｃｕ元素を含むセラミックとしては、例えば、フェライト、アルミナ、チタン酸バリウム、Ｚｎ系セラミック等の公知のセラミックにＣｕ元素を含有させたもの等が挙げられる。
Ｃｕ元素を含むセラミックは、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の添加剤を含んでいてもよい。
Ｃｕ元素を含むセラミックは、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の添加剤を含んでいてもよい。
【0020】
素体におけるＣｕ元素の含有量は、６ｍｏｌ％以上、１０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
なお、素体におけるＣｕ元素の含有量には、素体の表面に偏析するＣｕ偏析物を構成するＣｕ元素を考慮から除外するものとする。
素体におけるＣｕ元素の含有量は、研磨により素体の表面から１０μｍ以上素体の内側に入った断面を露出させ、φ１μｍ以上のスポット径で波長分散型蛍光Ｘ線（ＷＤ－ＸＲＦ）測定することで、偏析の影響を排除した値として測定することができる。なお、測定箇所によるばらつきをさらに低減するために、５個程度のサンプルでＷＤ－ＸＲＦ測定を行ってもよい。
なお、素体におけるＣｕ元素の含有量には、素体の表面に偏析するＣｕ偏析物を構成するＣｕ元素を考慮から除外するものとする。
素体におけるＣｕ元素の含有量は、研磨により素体の表面から１０μｍ以上素体の内側に入った断面を露出させ、φ１μｍ以上のスポット径で波長分散型蛍光Ｘ線（ＷＤ－ＸＲＦ）測定することで、偏析の影響を排除した値として測定することができる。なお、測定箇所によるばらつきをさらに低減するために、５個程度のサンプルでＷＤ－ＸＲＦ測定を行ってもよい。
【0021】
素体におけるＦｅ元素の含有量は、Ｆｅ２Ｏ３換算で４０ｍｏｌ％以上、４９．５ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
【0022】
素体におけるＮｉ／Ｚｎモル比は特に限定されないが、１．８以上、２．８以下であることが好ましい。
【0023】
素体の形状は、特に限定されないが、例えば、立方体形状、直方体形状、バーベル形状、Ｈ形状、Ｉ形状、環状形状等が挙げられる。
素体の外形寸法については特に限定されないが、より小型であるほど、素体と外部電極との接触面積が小さくなるため、素体と外部電極の密着性を向上させにくくなるという問題が顕著となる。
例えば、素体の外形寸法は、長さ５．７ｍｍ以下×幅５．０ｍｍ以下×高さ５．０ｍｍ以下であることが好ましく、長さ１．６ｍｍ以下×幅０．８ｍｍ以下×高さ０．８ｍｍ以下であることが特に好ましい。
素体の外形寸法については特に限定されないが、より小型であるほど、素体と外部電極との接触面積が小さくなるため、素体と外部電極の密着性を向上させにくくなるという問題が顕著となる。
例えば、素体の外形寸法は、長さ５．７ｍｍ以下×幅５．０ｍｍ以下×高さ５．０ｍｍ以下であることが好ましく、長さ１．６ｍｍ以下×幅０．８ｍｍ以下×高さ０．８ｍｍ以下であることが特に好ましい。
【0024】
素体は、内部に導体層を有していてもよい。
素体の内部に形成された導体層は、コイル、コンデンサ、抵抗、サーミスタ等の受動素子を形成していてもよい。受動素子は、素体の内部に複数形成されていてもよい。
素体内に形成された受動素子の向きは任意である。従って、素体内に形成されたコイルのコイル軸は、電子部品の実装面に対して水平であってもよいし、垂直であってもよい。また、素体内に形成されたコイルの数は１つであってもよく、複数であってもよい。
素体内にコイルが形成されている場合の本発明の電子部品の例としては、積層コイル部品が挙げられるが、導体層が形成する受動素子の種類によって、積層コンデンサ部品、積層抵抗部品、積層サーミスタ部品等であってもよい。
素体の内部に形成された導体層は、コイル、コンデンサ、抵抗、サーミスタ等の受動素子を形成していてもよい。受動素子は、素体の内部に複数形成されていてもよい。
素体内に形成された受動素子の向きは任意である。従って、素体内に形成されたコイルのコイル軸は、電子部品の実装面に対して水平であってもよいし、垂直であってもよい。また、素体内に形成されたコイルの数は１つであってもよく、複数であってもよい。
素体内にコイルが形成されている場合の本発明の電子部品の例としては、積層コイル部品が挙げられるが、導体層が形成する受動素子の種類によって、積層コンデンサ部品、積層抵抗部品、積層サーミスタ部品等であってもよい。
【0025】
素体は、内部に導体層を有していなくてもよい。
この場合、素体は、周囲に巻線を巻きつけて、巻線コアとして使用することもできる。
素体の周囲に巻線が巻きつけられている場合の本発明の電子部品の例としては、巻線コイル部品が挙げられる。素体の周囲に巻線を巻きつけることで構成されるコイルの数は、１つであってもよく、複数であってもよい。
この場合、素体は、周囲に巻線を巻きつけて、巻線コアとして使用することもできる。
素体の周囲に巻線が巻きつけられている場合の本発明の電子部品の例としては、巻線コイル部品が挙げられる。素体の周囲に巻線を巻きつけることで構成されるコイルの数は、１つであってもよく、複数であってもよい。
【0026】
［外部電極］
本発明の電子部品の一実施形態において、外部電極は、素体の表面の一部を覆っている。
本発明の電子部品の一実施形態において、外部電極は、素体の表面の一部を覆っている。
【0027】
外部電極は、素体上に配置された下地電極層を有している。
下地電極層は、導体を含む導体部と、ガラスを含むガラス部とを有している。
下地電極層においては、導体部が導電性を確保する役割を果たし、ガラス部が素体との密着性を向上させる役割を果たしている。
下地電極層は、導体を含む導体部と、ガラスを含むガラス部とを有している。
下地電極層においては、導体部が導電性を確保する役割を果たし、ガラス部が素体との密着性を向上させる役割を果たしている。
【0028】
導体部は、導体として、Ｎｉ元素、Ｓｎ元素、Ｐｄ元素、Ａｕ元素、Ａｇ元素、Ｐｔ元素、Ｂｉ元素、Ｚｎ元素及びＣｕ元素からなる群から選択された少なくとも１種の金属元素を含むことが好ましい。また、これらの金属元素を含む導電性粒子を含むことが好ましい。
導体部は、導体としてＡｇ元素を含むことが好ましい。Ａｇ元素は導電性が高い。また、導体としてＡｇ元素を含む導体を含む下地電極層は形成が容易である。
導体部は、導体としてＡｇ元素を含むことが好ましい。Ａｇ元素は導電性が高い。また、導体としてＡｇ元素を含む導体を含む下地電極層は形成が容易である。
【0029】
導電性粒子の平均粒子径は、特に限定されないが、１．０μｍ以上、１５μｍ以下であることが好ましい。
【0030】
下地電極層に占める導体部の重量割合は、特に限定されないが、７１重量％以上、９８重量％以下であることが好ましい。
【0031】
ガラスとしては、Ｂ－Ｓｉ系ガラス、Ｂａ－Ｂ－Ｓｉ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ－Ｂａ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ－Ｂａ－Ｃａ－Ａｌ系ガラス等を使用することができる。これらの他にも、Ｎａ－Ｓｉ系ガラス、Ｋ－Ｓｉ系ガラス、Ｌｉ－Ｓｉ系ガラス等のアルカリ金属系ガラス、Ｍｇ－Ｓｉ系ガラス、Ｃａ－Ｓｉ系ガラス、Ｂａ－Ｓｉ系ガラス、Ｓｒ－Ｓｉ系ガラス等のアルカリ土類金属系ガラス、Ｔｉ－Ｓｉ系ガラス、Ｚｒ－Ｓｉ系ガラス、Ａｌ－Ｓｉ系ガラス等を使用することもできる。
ガラスは、結晶性ガラスであってもよい。
ガラスは、結晶性ガラスであってもよい。
【0032】
下地電極層に占めるガラスの重量割合は、特に限定されないが、２重量％以上、１５重量％以下であることが好ましい。
下地電極層に占めるガラスの重量割合が１５重量％以下であると、下地電極層の抵抗値が大きくなりすぎない。また下地電極層に占めるガラスの重量割合が２重量％以上であると、下地電極層の緻密性を高くすることができ、めっき液及び湿気が下地電極層の内部へ侵入すること、及び、めっき液及び湿気が下地電極層を通じて素体内に侵入することを防止することができる。
下地電極層に占めるガラスの重量割合が１５重量％以下であると、下地電極層の抵抗値が大きくなりすぎない。また下地電極層に占めるガラスの重量割合が２重量％以上であると、下地電極層の緻密性を高くすることができ、めっき液及び湿気が下地電極層の内部へ侵入すること、及び、めっき液及び湿気が下地電極層を通じて素体内に侵入することを防止することができる。
【0033】
下地電極層の表面には、さらに、被覆層が設けられていてもよい。
【0034】
被覆層は、例えば、下地電極層の表面に設けられためっき層であることが好ましい。
めっき層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｂｉ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。めっき層は、１層であってもよく、２層以上あってもよい。めっき層としては、下地電極層の上に設けられたＮｉめっき層とＳｎめっき層とを有する層であることがより好ましい。Ｎｉめっき層によって素体中への水の浸入を防ぎ、Ｓｎめっき層によって、電子部品の実装性を向上させることができる。
めっき層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｂｉ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。めっき層は、１層であってもよく、２層以上あってもよい。めっき層としては、下地電極層の上に設けられたＮｉめっき層とＳｎめっき層とを有する層であることがより好ましい。Ｎｉめっき層によって素体中への水の浸入を防ぎ、Ｓｎめっき層によって、電子部品の実装性を向上させることができる。
【0035】
外部電極の厚さは、１０μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
【0036】
外部電極が下地電極層だけで構成されている場合、下地電極層の厚さが、外部電極の厚さとなる。
一方、外部電極が、下地電極層の表面に形成された被覆層をさらに有する場合、外部電極の厚さは、下地電極層の厚さと、被覆層の厚さの合計となる。
一方、外部電極が、下地電極層の表面に形成された被覆層をさらに有する場合、外部電極の厚さは、下地電極層の厚さと、被覆層の厚さの合計となる。
【0037】
下地電極層の厚さ、被覆層の厚さ、及び、外部電極の厚さは、外部電極を厚さ方向に切断した断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより測定することができる。
【0038】
［Ｃｕ偏析物］
本発明の電子部品の一実施形態において、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物は、素体とガラス部との界面において、素体とガラス部とに接している。
本発明の電子部品の一実施形態において、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物は、素体とガラス部との界面において、素体とガラス部とに接している。
【0039】
素体とガラス部との界面に、Ｃｕ偏析物が存在していることにより、素体とガラス部との密着性が高まる。
Ｃｕ偏析物は、素体上のどこに存在していてもよいが、素体のセラミックの粒界上に存在していたほうが好ましい。素体のセラミックの粒界は、素体の表面で凹形状となっているため、Ｃｕ偏析物が当該凹形状となる粒界上に存在することで、アンカー効果が発生し、Ｃｕ偏析物と素体の密着性がより向上する。
Ｃｕ偏析物は、素体上のどこに存在していてもよいが、素体のセラミックの粒界上に存在していたほうが好ましい。素体のセラミックの粒界は、素体の表面で凹形状となっているため、Ｃｕ偏析物が当該凹形状となる粒界上に存在することで、アンカー効果が発生し、Ｃｕ偏析物と素体の密着性がより向上する。
【0040】
Ｃｕ偏析物の組成は特に限定されないが、少なくともＣｕ元素を含んでいればよく、例えば、Ｃｕ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ等が挙げられる。また、Ｃｕ偏析物は、ガラスを含んでいてもよい。
【0041】
素体とガラス部との界面には、複数個のＣｕ偏析物が存在していてもよい。素体とガラス部との界面に複数個のＣｕ偏析物が存在していると、素体とガラス部との密着性をより高めることができる。
【0042】
素体とガラス部との界面にＣｕ偏析物が存在しているかどうかは、電子部品を切断した切断面において、素体とガラス部との界面を走査型電子顕微鏡－エネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＳＥＭ－ＥＤＸ）で観察することにより確認することができる。
ＳＥＭ－ＥＤＸにより得られた素体とガラス部との界面近傍の元素マッピング画像から、Ｃｕ元素の濃度分布を確認することによって、素体とガラス部との界面近傍に存在するＣｕ偏析物の形状を特定することができる。
素体がフェライトの場合、素体はＦｅ元素が主成分となり、Ｃｕ偏析物はＣｕ元素が主成分となり、下地電極層のうちのガラス部はＳｉ元素が主成分となる。従って、元素マッピング画像において、Ｆｅ元素、Ｃｕ元素及びＳｉ元素の濃度を比較することにより、元素マッピング画像における素体、Ｃｕ偏析物及びガラス部を区別することができる。
また、素体がフェライト以外のセラミックの場合には、セラミックの主成分の元素と、Ｃｕ元素と、Ｓｉ元素の濃度を比較することで、元素マッピング画像における素体、Ｃｕ偏析物及びガラス部を区別することができる。例えば、素体がアルミナの場合にはＡｌ元素を、素体がコンデンサ用のチタン酸バリウムである場合にはＴｉ元素又はＢａ元素を、素体がサーミスタ用のＺｎ系セラミックである場合にはＺｎ元素を、それぞれセラミックの主成分の元素とすればよい。
なお、外部電極の被覆層にＣｕめっきを用いている場合には、Ｏ元素の濃度分布を測定することで、Ｃｕ偏析物とＣｕめっき層とを区別することができる。
Ｃｕめっき層はほとんど純Ｃｕで構成されているためＯ元素がほとんど検出されないのに対して、Ｃｕ偏析物からはＣｕＯやＣｕ２Ｏに由来するＯ元素が検出される。
ＳＥＭ－ＥＤＸにより得られた素体とガラス部との界面近傍の元素マッピング画像から、Ｃｕ元素の濃度分布を確認することによって、素体とガラス部との界面近傍に存在するＣｕ偏析物の形状を特定することができる。
素体がフェライトの場合、素体はＦｅ元素が主成分となり、Ｃｕ偏析物はＣｕ元素が主成分となり、下地電極層のうちのガラス部はＳｉ元素が主成分となる。従って、元素マッピング画像において、Ｆｅ元素、Ｃｕ元素及びＳｉ元素の濃度を比較することにより、元素マッピング画像における素体、Ｃｕ偏析物及びガラス部を区別することができる。
また、素体がフェライト以外のセラミックの場合には、セラミックの主成分の元素と、Ｃｕ元素と、Ｓｉ元素の濃度を比較することで、元素マッピング画像における素体、Ｃｕ偏析物及びガラス部を区別することができる。例えば、素体がアルミナの場合にはＡｌ元素を、素体がコンデンサ用のチタン酸バリウムである場合にはＴｉ元素又はＢａ元素を、素体がサーミスタ用のＺｎ系セラミックである場合にはＺｎ元素を、それぞれセラミックの主成分の元素とすればよい。
なお、外部電極の被覆層にＣｕめっきを用いている場合には、Ｏ元素の濃度分布を測定することで、Ｃｕ偏析物とＣｕめっき層とを区別することができる。
Ｃｕめっき層はほとんど純Ｃｕで構成されているためＯ元素がほとんど検出されないのに対して、Ｃｕ偏析物からはＣｕＯやＣｕ２Ｏに由来するＯ元素が検出される。
【0043】
上述したように、被覆層にＣｕめっきを用いる場合であっても、Ｃｕ偏析物とＣｕめっき層を区別することができる。しかしながら、同一視野内にＣｕめっき層とＣｕ偏析物が存在すると、Ｃｕ偏析物のＣｕ元素の濃度分布の感度が低下してしまう。そのため、Ｃｕ偏析物をＳＥＭ－ＥＤＸで観察する場合には、Ｃｕめっき層を同一視野に含めないことが好ましい。
【0044】
Ｃｕ偏析物の形状は特に限定されないが、粒状、楔状、層状であってもよい。
Ｃｕ偏析物の形状は、アスペクト比の値、及び、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているかの判定により決定することができる。
Ｃｕ偏析物のアスペクト比は、素体とガラス部との界面が延びる方向におけるＣｕ偏析物の長さをＬａ、これに直交する方向におけるＣｕ偏析物の長さをＬｂとしたときに、長さＬｂに対する長さＬａの比［Ｌａ／Ｌｂ］（以下、アスペクト比ともいう）で表される。なお、長さＬｂは、Ｃｕ偏析物の、素体に最も近い地点と、素体から最も遠い地点とを認定した上で、該地点を通り、かつ、素体とガラス部との界面が延びる方向に平行な線分をそれぞれ仮定した際の、２つの線分間の距離に相当する。
Ｃｕ偏析物の形状は、アスペクト比の値、及び、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているかの判定により決定することができる。
Ｃｕ偏析物のアスペクト比は、素体とガラス部との界面が延びる方向におけるＣｕ偏析物の長さをＬａ、これに直交する方向におけるＣｕ偏析物の長さをＬｂとしたときに、長さＬｂに対する長さＬａの比［Ｌａ／Ｌｂ］（以下、アスペクト比ともいう）で表される。なお、長さＬｂは、Ｃｕ偏析物の、素体に最も近い地点と、素体から最も遠い地点とを認定した上で、該地点を通り、かつ、素体とガラス部との界面が延びる方向に平行な線分をそれぞれ仮定した際の、２つの線分間の距離に相当する。
【0045】
Ｃｕ偏析物の形状が、素体側に突出する形状である場合、Ｃｕ偏析物のアスペクト比に関係なく、楔状とする。
Ｃｕ偏析物の形状が楔状でない場合、上記アスペクト比が３以下となる形状が、粒状であり、上記アスペクト比が３を超える形状が、層状である。
Ｃｕ偏析物の形状が楔形である場合、素体側に突出する部分を除くＣｕ偏析物の形状は、粒状であってもよく、層状であってもよい。
なお、層状のＣｕ偏析物は、素体とガラス部との界面の一部分のみに存在しており、素体とガラス部との界面全体を覆うものではない。
Ｃｕ偏析物の形状が楔状でない場合、上記アスペクト比が３以下となる形状が、粒状であり、上記アスペクト比が３を超える形状が、層状である。
Ｃｕ偏析物の形状が楔形である場合、素体側に突出する部分を除くＣｕ偏析物の形状は、粒状であってもよく、層状であってもよい。
なお、層状のＣｕ偏析物は、素体とガラス部との界面の一部分のみに存在しており、素体とガラス部との界面全体を覆うものではない。
【0046】
図５は、本発明の電子部品の一実施形態における、素体とガラス部との界面の状態の一例を模式的に示す断面図である。
図５に示すように、下地電極層２１は、ガラスを含むガラス部２３と、導体を含む導体部２５を有している。なお、図５では説明のため、比較的、ガラス部２３を大きく表しているが、ガラス部２３と導体部２５との相対的な大きさの関係はこの図面の構造に限られない。また、図５は下地電極層２１を部分的に表現しており、導体部２５が素体１０側に接触している部分も存在し、下地電極層２１全体としては導電性が確保される。
素体１０とガラス部２３の界面には、Ｃｕ偏析物３０（３１、３２、３３）が存在しており、素体１０とガラス部２３とに接している。Ｃｕ偏析物３０が存在しない部分における下地電極層２１の厚さ（素体１０の直上に接する下地電極層２１の厚さ）は、両矢印Ｔ０で表される長さである。なお、下地電極層２１の厚さＴ０は、場所ごとに異なっていてもよい。
図５では、１つのガラス部２３と素体１０との界面に、Ｃｕ偏析物が複数存在しているといえる。
図５に示すように、下地電極層２１は、ガラスを含むガラス部２３と、導体を含む導体部２５を有している。なお、図５では説明のため、比較的、ガラス部２３を大きく表しているが、ガラス部２３と導体部２５との相対的な大きさの関係はこの図面の構造に限られない。また、図５は下地電極層２１を部分的に表現しており、導体部２５が素体１０側に接触している部分も存在し、下地電極層２１全体としては導電性が確保される。
素体１０とガラス部２３の界面には、Ｃｕ偏析物３０（３１、３２、３３）が存在しており、素体１０とガラス部２３とに接している。Ｃｕ偏析物３０が存在しない部分における下地電極層２１の厚さ（素体１０の直上に接する下地電極層２１の厚さ）は、両矢印Ｔ０で表される長さである。なお、下地電極層２１の厚さＴ０は、場所ごとに異なっていてもよい。
図５では、１つのガラス部２３と素体１０との界面に、Ｃｕ偏析物が複数存在しているといえる。
【0047】
Ｃｕ偏析物３１は、素体１０側に突出する突出部３１ａを有している。従って、Ｃｕ偏析物３１の形状は、アスペクト比とは無関係に、楔状であるといえる。
なお、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているかどうかは、素体の表面のうちＣｕ偏析物が存在していない部分の素体表面の形状から、Ｃｕ偏析物が存在している部分にＣｕ偏析物が存在しなかった場合の素体表面の形状を推定し、推定された素体表面よりも内側（素体側）にＣｕ偏析物が位置している場合に、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているとみなす。
Ｃｕ偏析物は、素体側ではなくガラス部側（下地電極層側）に突出していてもよい。ただし、素体側ではなくガラス部側のみに突出したＣｕ偏析物は、アスペクト比によって、粒状又は層状のいずれの形状に該当するか判断する。
なお、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているかどうかは、素体の表面のうちＣｕ偏析物が存在していない部分の素体表面の形状から、Ｃｕ偏析物が存在している部分にＣｕ偏析物が存在しなかった場合の素体表面の形状を推定し、推定された素体表面よりも内側（素体側）にＣｕ偏析物が位置している場合に、Ｃｕ偏析物が素体側に突出しているとみなす。
Ｃｕ偏析物は、素体側ではなくガラス部側（下地電極層側）に突出していてもよい。ただし、素体側ではなくガラス部側のみに突出したＣｕ偏析物は、アスペクト比によって、粒状又は層状のいずれの形状に該当するか判断する。
【0048】
素体１０とガラス部２３との界面が延びる方向（以下、横方向ともいう）における、Ｃｕ偏析物３２の長さは、両矢印Ｌａ２で示される長さである。また、横方向に直交する方向（以下、縦方向ともいう）におけるＣｕ偏析物３２の長さは、両矢印Ｌｂ２で示される長さである。Ｃｕ偏析物３２のアスペクト比［Ｌａ２／Ｌｂ２］は約１．４である。従って、Ｃｕ偏析物３２の形状は、粒状である。
Ｃｕ偏析物３２の厚さは、両矢印Ｌｂ２で表される長さであり、Ｃｕ偏析物３２の直上に接する下地電極層２１の厚さは、両矢印Ｔ２で示される長さである。
Ｃｕ偏析物３２は、素体１０側に突出していない形状である。図５では、Ｃｕ偏析物３２の厚さＬｂ２とＣｕ偏析物３２の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ２の合計が、下地電極層２１の厚さＴ０と一致する。
また、下地電極層２１の厚さＴ０は、Ｃｕ偏析物３２の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ２よりも厚い。下地電極層２１の厚さＴ０がＣｕ偏析物３２の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ２よりも厚いと、Ｃｕ偏析物が存在する事により生じる下地電極層の表面の凹凸が小さくなり、下地電極層の表面の平滑性が向上する。
Ｃｕ偏析物３２の厚さは、両矢印Ｌｂ２で表される長さであり、Ｃｕ偏析物３２の直上に接する下地電極層２１の厚さは、両矢印Ｔ２で示される長さである。
Ｃｕ偏析物３２は、素体１０側に突出していない形状である。図５では、Ｃｕ偏析物３２の厚さＬｂ２とＣｕ偏析物３２の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ２の合計が、下地電極層２１の厚さＴ０と一致する。
また、下地電極層２１の厚さＴ０は、Ｃｕ偏析物３２の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ２よりも厚い。下地電極層２１の厚さＴ０がＣｕ偏析物３２の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ２よりも厚いと、Ｃｕ偏析物が存在する事により生じる下地電極層の表面の凹凸が小さくなり、下地電極層の表面の平滑性が向上する。
【0049】
Ｃｕ偏析物３３は、横方向の長さがＬａ３、縦方向の長さがＬｂ３であり、アスペクト比［Ｌａ３／Ｌｂ３］は約１．９である。従って、Ｃｕ偏析物３３の形状は、粒状である。
Ｃｕ偏析物３３の厚さは、両矢印Ｌｂ３で表される長さであり、Ｃｕ偏析物３３の直上に接する下地電極層２１の厚さは、両矢印Ｔ３で示される長さである。
Ｃｕ偏析物３３は、素体１０側に突出していない形状である。図５では、Ｃｕ偏析物３３の厚さＬｂ３とＣｕ偏析物３３の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ３の合計が、下地電極層２１の厚さＴ０と一致する。
また、下地電極層２１の厚さＴ０は、Ｃｕ偏析物３３の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ３よりも厚い。
Ｃｕ偏析物３３の厚さは、両矢印Ｌｂ３で表される長さであり、Ｃｕ偏析物３３の直上に接する下地電極層２１の厚さは、両矢印Ｔ３で示される長さである。
Ｃｕ偏析物３３は、素体１０側に突出していない形状である。図５では、Ｃｕ偏析物３３の厚さＬｂ３とＣｕ偏析物３３の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ３の合計が、下地電極層２１の厚さＴ０と一致する。
また、下地電極層２１の厚さＴ０は、Ｃｕ偏析物３３の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ３よりも厚い。
【0050】
図６は、本発明の電子部品の一実施形態における、素体とガラス部との界面の状態の別の一例を模式的に示す断面図である。
Ｃｕ偏析物３４の横方向の長さは両矢印Ｌａ４で示される長さであり、縦方向の長さは両矢印Ｌｂ４で示される長さである。アスペクト比［Ｌａ４／Ｌｂ４］は約１０である。従って、Ｃｕ偏析物３４の形状は、層状である。
なお、層状のＣｕ偏析物は、素体とガラス部との界面の全体に広がっているものではなく、素体とガラス部との界面の一部分のみに広がって存在しているものである。
Ｃｕ偏析物３４の厚さは、両矢印Ｌｂ４で表される長さであり、Ｃｕ偏析物３４の直上に接する下地電極層２１の厚さは、両矢印Ｔ４で示される長さである。
Ｃｕ偏析物３４は、素体１０側に突出していない形状である。図６では、Ｃｕ偏析物３４の厚さＬｂ４とＣｕ偏析物３４の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ４の合計が、下地電極層２１の厚さＴ０と一致する。
また、下地電極層２１の厚さＴ０は、Ｃｕ偏析物３４の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ４よりも厚い。
Ｃｕ偏析物３４の横方向の長さは両矢印Ｌａ４で示される長さであり、縦方向の長さは両矢印Ｌｂ４で示される長さである。アスペクト比［Ｌａ４／Ｌｂ４］は約１０である。従って、Ｃｕ偏析物３４の形状は、層状である。
なお、層状のＣｕ偏析物は、素体とガラス部との界面の全体に広がっているものではなく、素体とガラス部との界面の一部分のみに広がって存在しているものである。
Ｃｕ偏析物３４の厚さは、両矢印Ｌｂ４で表される長さであり、Ｃｕ偏析物３４の直上に接する下地電極層２１の厚さは、両矢印Ｔ４で示される長さである。
Ｃｕ偏析物３４は、素体１０側に突出していない形状である。図６では、Ｃｕ偏析物３４の厚さＬｂ４とＣｕ偏析物３４の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ４の合計が、下地電極層２１の厚さＴ０と一致する。
また、下地電極層２１の厚さＴ０は、Ｃｕ偏析物３４の直上に接する下地電極層２１の厚さＴ４よりも厚い。
【0051】
Ｃｕ偏析物の形状は、Ｃｕ偏析物の直上に接するガラス部の厚さと関連がある。
Ｃｕ偏析物の直上に接するガラス部の厚さが０．５μｍ未満の場合、Ｃｕ偏析物の形状は、粒状または楔状となりやすい。
一方、Ｃｕ偏析物の直上に接するガラス部の厚さが０．５μｍ以上の場合、Ｃｕ偏析物の形状は、層状となりやすい。
なお、Ｃｕ偏析物の形状を特定するにあたっては、Ｃｕ偏析物がガラス部と混合している部分もＣｕ偏析物の一部とみなす。従って、Ｃｕ偏析物がガラス部と混合している部分も含めて、１つのＣｕ偏析物として形状を特定する。Ｃｕ偏析物がガラス部と混合している部分とガラス部との境界は、ＳＥＭ－ＥＤＸによってＳｉ元素及びＣｕ元素の元素マッピングを行うことにより確認することができる。
Ｃｕ偏析物の直上に接するガラス部の厚さが０．５μｍ未満の場合、Ｃｕ偏析物の形状は、粒状または楔状となりやすい。
一方、Ｃｕ偏析物の直上に接するガラス部の厚さが０．５μｍ以上の場合、Ｃｕ偏析物の形状は、層状となりやすい。
なお、Ｃｕ偏析物の形状を特定するにあたっては、Ｃｕ偏析物がガラス部と混合している部分もＣｕ偏析物の一部とみなす。従って、Ｃｕ偏析物がガラス部と混合している部分も含めて、１つのＣｕ偏析物として形状を特定する。Ｃｕ偏析物がガラス部と混合している部分とガラス部との境界は、ＳＥＭ－ＥＤＸによってＳｉ元素及びＣｕ元素の元素マッピングを行うことにより確認することができる。
【0052】
Ｃｕ偏析物の形状及びアスペクト比、並びに、Ｃｕ偏析物の直上に接するガラス部の厚さは、ＳＥＭ－ＥＤＸにより測定することができる。
Ｃｕ偏析物の形状及びアスペクト比は、個々のＣｕ偏析物ごとに決定される。
なお、Ｃｕ偏析物の直上に接するガラス部の厚さは、Ｃｕ偏析物及びガラス部が一視野中に収まるように撮影されたＳＥＭ－ＥＤＸ画像より、個々のＣｕ偏析物ごとの、Ｃｕ偏析物の上面の一点からその縦方向直上にあるガラス部の天面の一点までの長さの最小値とする。
例えば、図５に示すＣｕ偏析物３１の直上に接するガラス部２３の厚さは、両矢印Ｔ１で示される長さである。また、図６に示すＣｕ偏析物３４の直上に接するガラス部２３の厚さは、両矢印Ｔ５で示される長さである。
また、Ｃｕ偏析物の直上に接する下地電極層の厚さは、Ｃｕ偏析物及び下地電極層が一視野中に収まるように撮影されたＳＥＭ－ＥＤＸ画像より、個々のＣｕ偏析物ごとの、Ｃｕ偏析物の上面の一点からその縦方向直上にある下地電極層の天面の一点までの長さの最小値とする。
Ｃｕ偏析物が存在しない部分における下地電極層の厚さは、３箇所で測定された、素体の表面から下地電極層の天面までの長さの平均値とする。上記の３箇所は、目視において、素体の表面から下地電極層の天面までの長さが最も長くなる地点、最も短くなる地点、及び、これらの中間の長さとなる地点を選択する。
Ｃｕ偏析物の形状及びアスペクト比は、個々のＣｕ偏析物ごとに決定される。
なお、Ｃｕ偏析物の直上に接するガラス部の厚さは、Ｃｕ偏析物及びガラス部が一視野中に収まるように撮影されたＳＥＭ－ＥＤＸ画像より、個々のＣｕ偏析物ごとの、Ｃｕ偏析物の上面の一点からその縦方向直上にあるガラス部の天面の一点までの長さの最小値とする。
例えば、図５に示すＣｕ偏析物３１の直上に接するガラス部２３の厚さは、両矢印Ｔ１で示される長さである。また、図６に示すＣｕ偏析物３４の直上に接するガラス部２３の厚さは、両矢印Ｔ５で示される長さである。
また、Ｃｕ偏析物の直上に接する下地電極層の厚さは、Ｃｕ偏析物及び下地電極層が一視野中に収まるように撮影されたＳＥＭ－ＥＤＸ画像より、個々のＣｕ偏析物ごとの、Ｃｕ偏析物の上面の一点からその縦方向直上にある下地電極層の天面の一点までの長さの最小値とする。
Ｃｕ偏析物が存在しない部分における下地電極層の厚さは、３箇所で測定された、素体の表面から下地電極層の天面までの長さの平均値とする。上記の３箇所は、目視において、素体の表面から下地電極層の天面までの長さが最も長くなる地点、最も短くなる地点、及び、これらの中間の長さとなる地点を選択する。
【0053】
ここまで、Ｃｕ偏析物の直上にガラス部がある例について説明したが、その直上にガラス部ではなく導体部があるＣｕ偏析物が存在してもよい。
すなわち、下地電極層に含まれるガラス部に覆われていないＣｕ偏析物が存在してもよい。
また、Ｃｕ偏析物が複数存在する場合には、１つ以上のＣｕ偏析物が素体とガラス部との界面に存在していればよく、他のＣｕ偏析物が、素体と導体部との界面や、素体と被覆層との界面に存在していてもよい。したがって、素体と下地電極層の界面には、Ｃｕ偏析物が複数個存在していてもよい。
すなわち、下地電極層に含まれるガラス部に覆われていないＣｕ偏析物が存在してもよい。
また、Ｃｕ偏析物が複数存在する場合には、１つ以上のＣｕ偏析物が素体とガラス部との界面に存在していればよく、他のＣｕ偏析物が、素体と導体部との界面や、素体と被覆層との界面に存在していてもよい。したがって、素体と下地電極層の界面には、Ｃｕ偏析物が複数個存在していてもよい。
【0054】
図７は、本発明の電子部品の一実施形態における、素体とガラス部との界面の状態のさらに別の一例を模式的に示す断面図である。
図７に示す素体１０の表面には、下地電極層２１が設けられている。下地電極層２１は、複数のガラス部２３（２３ａ、２３ｂ）と、導体部２５を有している。
複数のガラス部２３ａ、２３ｂと素体１０との界面には、それぞれ、Ｃｕ偏析物３０ａ、３０ｂが存在している。
また、素体１０の表面には、ガラス部２３によって覆われていない部分が存在し、この部分は導体部２５により覆われている。Ｃｕ偏析物３０ｃは、ガラス部２３ではなく導体部２５によって覆われている部分に存在する。従って、Ｃｕ偏析物３０ｃの直上には、導体部２５が存在している。
図７に示す状態は、１つの下地電極層にガラス部が複数存在しており、複数のガラス部のうちの１つと素体との界面にはＣｕ偏析物が存在し、残りのガラス部のうちの少なくとも１つと素体との界面に、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物が存在している状態ともいえる。
図７に示す素体１０の表面には、下地電極層２１が設けられている。下地電極層２１は、複数のガラス部２３（２３ａ、２３ｂ）と、導体部２５を有している。
複数のガラス部２３ａ、２３ｂと素体１０との界面には、それぞれ、Ｃｕ偏析物３０ａ、３０ｂが存在している。
また、素体１０の表面には、ガラス部２３によって覆われていない部分が存在し、この部分は導体部２５により覆われている。Ｃｕ偏析物３０ｃは、ガラス部２３ではなく導体部２５によって覆われている部分に存在する。従って、Ｃｕ偏析物３０ｃの直上には、導体部２５が存在している。
図７に示す状態は、１つの下地電極層にガラス部が複数存在しており、複数のガラス部のうちの１つと素体との界面にはＣｕ偏析物が存在し、残りのガラス部のうちの少なくとも１つと素体との界面に、Ｃｕ元素を含むＣｕ偏析物が存在している状態ともいえる。
【0055】
本発明の電子部品の一実施形態は、素体の表面の一部を覆うガラスを含む絶縁膜を有していてもよい。
絶縁膜を構成するガラスとしては、下地電極層を構成するガラスと同じものを好適に用いることができる。ただし、絶縁膜を構成するガラスと、下地電極層を構成するガラスは同じであってもよく、異なっていてもよい。
絶縁膜を構成するガラスとしては、下地電極層を構成するガラスと同じものを好適に用いることができる。ただし、絶縁膜を構成するガラスと、下地電極層を構成するガラスは同じであってもよく、異なっていてもよい。
【0056】
素体と絶縁膜との界面には、Ｃｕ偏析物が存在していてもよい。
【0057】
素体の表面のうち、下地電極層で覆われていない部分の表面にも、Ｃｕ偏析物が存在していてもよい。
【0058】
本実施形態の電子部品は、素体と外部電極との密着性に優れている。本実施形態の電子部品は積層コイル部品や巻線コイル部品に限られず、Ｃｕ元素を含むセラミックが素体として用いられるものであればよい。
【0059】
［電子部品の製造方法］
（第一実施形態）
本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミック原料をシート状に成形したセラミックシートを準備するセラミックシート準備工程と、セラミックシートにビアホール及びコイルパターンとなる導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、セラミックシートを積層した積層体を得る積層体準備工程と、積層体を焼成してセラミックの素体を得る焼成工程と、素体の表面に、導体を含む導体部とガラスを含むガラス部を有する下地電極層を形成する下地電極層形成工程とを含む。
（第一実施形態）
本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミック原料をシート状に成形したセラミックシートを準備するセラミックシート準備工程と、セラミックシートにビアホール及びコイルパターンとなる導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、セラミックシートを積層した積層体を得る積層体準備工程と、積層体を焼成してセラミックの素体を得る焼成工程と、素体の表面に、導体を含む導体部とガラスを含むガラス部を有する下地電極層を形成する下地電極層形成工程とを含む。
【0060】
［セラミックシート準備工程］
セラミックシート準備工程では、Ｃｕ元素を含むセラミック原料をシート状に成形する。
セラミック原料としてフェライト原料を使用する場合、粉末状のフェライト原料は、例えば、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及び、ＮｉＯを所定の比率になるように秤量して湿式で混合した後、粉砕、乾燥及び仮焼成することによって得ることができる。
セラミックシート準備工程では、Ｃｕ元素を含むセラミック原料をシート状に成形する。
セラミック原料としてフェライト原料を使用する場合、粉末状のフェライト原料は、例えば、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及び、ＮｉＯを所定の比率になるように秤量して湿式で混合した後、粉砕、乾燥及び仮焼成することによって得ることができる。
【0061】
続いて、セラミック原料と、ポリビニルブチラール系樹脂等の有機バインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、等を混合した後、粉砕することにより、セラミックスラリーを作製する。次に、セラミックスラリーをドクターブレード法等で所定の厚みのシート状に成形した後、所定の形状に打ち抜くことにより、セラミックシートを作製する。
【0062】
セラミック原料中のＣｕ元素の含有量は、６ｍｏｌ％以上、１０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
セラミック原料中のＣｕ元素の含有量が多いほど、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
セラミック原料中のＣｕ元素の含有量が多いほど、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
【0063】
セラミックシートに含まれる有機バインダの含有量は、２５重量％以上、３５重量％以下であることが好ましい。
セラミックシートに含まれる有機バインダは炭素を含むため、焼成時に雰囲気中の酸素と結合して酸素濃度を低下させる。そのため、有機バインダの含有量が多いほど、焼成工程において酸素濃度が低くなりやすく、その結果、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすくなる。
セラミックシートに含まれる有機バインダは炭素を含むため、焼成時に雰囲気中の酸素と結合して酸素濃度を低下させる。そのため、有機バインダの含有量が多いほど、焼成工程において酸素濃度が低くなりやすく、その結果、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすくなる。
【0064】
セラミックシートの厚さは特に限定されないが、１５μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。
【0065】
［導体パターン形成工程］
導体パターン形成工程では、Ａｇペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷法等で各セラミックシートに塗工することにより、導体パターンを形成する。ビア導体となる導体パターンを形成する際には、セラミックシートの所定の箇所にレーザー照射を行うことによりビアホールを予め形成しておき、そのビアホールに導電性ペーストを充填する。
導体パターン形成工程では、Ａｇペースト等の導電性ペーストをスクリーン印刷法等で各セラミックシートに塗工することにより、導体パターンを形成する。ビア導体となる導体パターンを形成する際には、セラミックシートの所定の箇所にレーザー照射を行うことによりビアホールを予め形成しておき、そのビアホールに導電性ペーストを充填する。
【0066】
［積層体準備工程］
セラミックシートを積層したあと、温間等方圧プレス（ＷＩＰ）処理等で圧着することにより、積層体を作製する。
セラミックシートの積層数は特に限定されないが、３０層以上、１００層以下であることが好ましい。
セラミックシートを積層したあと、温間等方圧プレス（ＷＩＰ）処理等で圧着することにより、積層体を作製する。
セラミックシートの積層数は特に限定されないが、３０層以上、１００層以下であることが好ましい。
【0067】
［焼成工程］
焼成工程では、積層体を焼成して素体を得る。
焼成条件は、素体の表面に、素体中のＣｕに由来するＣｕ偏析物が析出する条件とする。
素体の表面にＣｕ偏析物が生じるかどうかは、セラミック原料の組成だけでなく、積層体に含まれる炭素量、焼成温度（最高温度）、昇温速度、焼成雰囲気、焼成炉の材質、等が影響する。これらの条件を適切に選択した場合に、素体の表面にＣｕ偏析物が析出する。
すなわち、焼成条件が適当でないと、たとえセラミック原料の組成が同じであっても、素体の表面にＣｕ偏析物が析出しない。
焼成工程では、積層体を焼成して素体を得る。
焼成条件は、素体の表面に、素体中のＣｕに由来するＣｕ偏析物が析出する条件とする。
素体の表面にＣｕ偏析物が生じるかどうかは、セラミック原料の組成だけでなく、積層体に含まれる炭素量、焼成温度（最高温度）、昇温速度、焼成雰囲気、焼成炉の材質、等が影響する。これらの条件を適切に選択した場合に、素体の表面にＣｕ偏析物が析出する。
すなわち、焼成条件が適当でないと、たとえセラミック原料の組成が同じであっても、素体の表面にＣｕ偏析物が析出しない。
【0068】
焼成工程における焼成温度（最高温度）は、１０００℃以上、１３００℃以下であることが好ましい。
焼成工程における焼成温度（最高温度）が１０００℃以上であると、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
焼成工程における焼成温度（最高温度）が１０００℃以上であると、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
【0069】
焼成工程における酸素濃度は、１５体積％以下であることが好ましく、５体積％以下であることがより好ましい。焼成雰囲気における酸素含有量が１５体積％以下であると、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
焼成工程におけるバランスガスは、窒素又はアルゴンが好ましい。
焼成工程におけるバランスガスは、窒素又はアルゴンが好ましい。
【0070】
焼成工程における昇温速度は、１０℃／ｍｉｎ以下であることが好ましい。
焼成温度まで到達するまでの時間が短いほど、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
焼成温度まで到達するまでの時間が短いほど、素体の表面にＣｕ偏析物が生じやすい。
【0071】
焼成工程において積層体を焼成する焼成炉を構成する炉材は、アルミナとケイ素の混合物等の、密度の高い材料であることが好ましい。
焼成炉を構成する炉材が密度の高い材料で構成されていると、Ｃｕ偏析物が生じやすい。
焼成炉を構成する炉材が密度の高い材料で構成されていると、Ｃｕ偏析物が生じやすい。
【0072】
［下地電極層形成工程］
下地電極層形成工程では、焼成工程により得られた素体の表面に導体を含む導体部とガラスを含むガラス部を有する下地電極層を形成する。
下地電極層形成工程では、焼成工程により得られた素体の表面に導体を含む導体部とガラスを含むガラス部を有する下地電極層を形成する。
【0073】
下地電極層は、導電性粒子及びガラスを含むペースト（以下、ガラスペーストという）を素体の表面に塗布し、焼成（焼き付け）することで形成することができる。
ガラスペーストには導電性粒子及びガラスの他に、樹脂及び分散媒が含まれていてもよい。
ガラスペーストには導電性粒子及びガラスの他に、樹脂及び分散媒が含まれていてもよい。
【0074】
導電性粒子としては、Ｎｉ元素、Ｓｎ元素、Ｐｄ元素、Ａｕ元素、Ａｇ元素、Ｐｔ元素、Ｂｉ元素、Ｚｎ元素及びＣｕ元素からなる群から選択された少なくとも１種の金属元素を含む導電性粒子が挙げられる。
【0075】
導電性粒子の平均粒子径は、特に限定されないが、０．５μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。
ガラスペーストを構成する導電性粒子の平均粒子径が大きいほど、焼結前のガラスペースト中の空隙が多くなり、焼き付けによって下地電極層の厚さが薄くなりやすい。そのため、粒状または楔状のＣｕ偏析物が形成されやすい。
一方、ガラスペーストを構成する導電性粒子の平均粒子径が小さいほど、焼結前のガラスペースト中の空隙が少なくなり、焼き付けによって下地電極層の厚さが厚くなりやすい。そのため、層状のＣｕ偏析物が形成されやすい。
ガラスペーストを構成する導電性粒子の平均粒子径が大きいほど、焼結前のガラスペースト中の空隙が多くなり、焼き付けによって下地電極層の厚さが薄くなりやすい。そのため、粒状または楔状のＣｕ偏析物が形成されやすい。
一方、ガラスペーストを構成する導電性粒子の平均粒子径が小さいほど、焼結前のガラスペースト中の空隙が少なくなり、焼き付けによって下地電極層の厚さが厚くなりやすい。そのため、層状のＣｕ偏析物が形成されやすい。
【0076】
ガラスとしては、Ｂ－Ｓｉ系ガラス、Ｂａ－Ｂ－Ｓｉ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ－Ｂａ系ガラス、Ｂ－Ｓｉ－Ｚｎ－Ｂａ－Ｃａ－Ａｌ系ガラス等を使用することができる。これらの他にも、Ｎａ－Ｓｉ系ガラス、Ｋ－Ｓｉ系ガラス、Ｌｉ－Ｓｉ系ガラス等のアルカリ金属系ガラス、Ｍｇ－Ｓｉ系ガラス、Ｃａ－Ｓｉ系ガラス、Ｂａ－Ｓｉ系ガラス、Ｓｒ－Ｓｉ系ガラス等のアルカリ土類金属系ガラス、Ｔｉ－Ｓｉ系ガラス、Ｚｒ－Ｓｉ系ガラス、Ａｌ－Ｓｉ系ガラス等を使用することもできる。
ガラスは、結晶性ガラスであってもよい。
ガラスは、結晶性ガラスであってもよい。
【0077】
ガラスペーストを構成するガラスの平均粒子径は特に限定されないが、０．５μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。
【0078】
ガラスペーストを構成するガラスの平均粒子径が大きいほど、焼き付け時のガラスペーストの流動性が低く、下地電極層の厚さが厚くなりやすい。そのため、層状のＣｕ偏析物が形成されやすい。
一方、ガラスペーストを構成するガラスの平均粒子径が小さいほど、焼き付け時のガラスペーストの流動性が高く、下地電極層の厚さが薄くなりやすい。そのため、粒状または楔状のＣｕ偏析物が形成されやすい。
一方、ガラスペーストを構成するガラスの平均粒子径が小さいほど、焼き付け時のガラスペーストの流動性が高く、下地電極層の厚さが薄くなりやすい。そのため、粒状または楔状のＣｕ偏析物が形成されやすい。
【0079】
ガラスペーストを焼成する際の温度（焼き付け温度）は、特に限定されないが、７５０℃以上、９００℃以下であることが好ましい。
焼き付け温度が７５０℃以上、９００℃以下であると、素体の表面にさらにＣｕ偏析物が生じやすい。また、Ｃｕ偏析物と下地電極層のガラス部に含まれるガラスとが混合物を形成しやすくなり、素体と下地電極層との密着性を向上させることができる。
また、焼き付けは、非酸化性雰囲気中で行うことが好ましい。
焼き付けを非酸化性雰囲気中、８２５℃以上で行うことにより、素体の表面におけるＣｕの偏析を促すことができる。そのため、素体と下地電極層との密着性をさらに向上させることができる。
焼き付け温度が７５０℃以上、９００℃以下であると、素体の表面にさらにＣｕ偏析物が生じやすい。また、Ｃｕ偏析物と下地電極層のガラス部に含まれるガラスとが混合物を形成しやすくなり、素体と下地電極層との密着性を向上させることができる。
また、焼き付けは、非酸化性雰囲気中で行うことが好ましい。
焼き付けを非酸化性雰囲気中、８２５℃以上で行うことにより、素体の表面におけるＣｕの偏析を促すことができる。そのため、素体と下地電極層との密着性をさらに向上させることができる。
【0080】
ガラスペーストに含まれる樹脂としては、ポリビニルブチラール系樹脂等が挙げられる。
ガラスペーストに含まれる樹脂の含有量は、２０重量％以上、３０重量％以下であることが好ましい。
ガラスペーストに含まれる樹脂の含有量が、上記範囲であると、素体の表面におけるＣｕの偏析を促すことができる。
ガラスペーストに含まれる樹脂の含有量は、２０重量％以上、３０重量％以下であることが好ましい。
ガラスペーストに含まれる樹脂の含有量が、上記範囲であると、素体の表面におけるＣｕの偏析を促すことができる。
【0081】
また、下地電極層の表面には、被覆層を形成することが好ましい。
被覆層は、めっき処理により形成されためっき層であることが好ましい。
めっき層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｂｉ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。めっき層は、１層であってもよく、２層以上あってもよい。めっき層としては、下地電極層の上に設けられたＮｉめっき層とＳｎめっき層とを有する層であることがより好ましい。
めっき層の形成後に、さらに加熱を行ってもよい。
被覆層は、めっき処理により形成されためっき層であることが好ましい。
めっき層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｂｉ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。めっき層は、１層であってもよく、２層以上あってもよい。めっき層としては、下地電極層の上に設けられたＮｉめっき層とＳｎめっき層とを有する層であることがより好ましい。
めっき層の形成後に、さらに加熱を行ってもよい。
【0082】
素体を製造する方法は、上述したシート積層工法以外の方法であってもよい。
シート積層工法以外の方法としては、例えば、印刷積層方法（ビルドアップ法）が挙げられる。また、シート表面に配線やビアを形成する方法には、上述した方法のほかに、フォトリソグラフィを用いる方法を用いることもできる。
シート積層工法以外の方法としては、例えば、印刷積層方法（ビルドアップ法）が挙げられる。また、シート表面に配線やビアを形成する方法には、上述した方法のほかに、フォトリソグラフィを用いる方法を用いることもできる。
【0083】
【0084】
（第二実施形態）
本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミック原料を成形してＣｕ元素を含むセラミックの素体を準備する素体準備工程と、素体の表面に導体を含む導体部とガラスを含むガラス部を有する下地電極層形成工程と、素体の表面にコイルとなる巻線を巻きつけるコイル形成工程と、を含む。
本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態は、Ｃｕ元素を含むセラミック原料を成形してＣｕ元素を含むセラミックの素体を準備する素体準備工程と、素体の表面に導体を含む導体部とガラスを含むガラス部を有する下地電極層形成工程と、素体の表面にコイルとなる巻線を巻きつけるコイル形成工程と、を含む。
【0085】
［素体準備工程］
素体準備工程において用いられるセラミック原料としては、本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態において用いられるセラミック原料と同様のものを好適に用いることができる。
素体準備工程において用いられるセラミック原料としては、本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態において用いられるセラミック原料と同様のものを好適に用いることができる。
【0086】
セラミック原料を所定の形状に成形する方法としては、従来公知の粉末の成形方法を用いることができる。このとき、セラミック原料には、必要に応じて、樹脂やバインダ等を添加してもよい。セラミック原料を成形して得られる成形体を焼成することで、素体となる。このとき、素体の表面にＣｕ偏析物が生じる条件で成形体を焼成する。
上記方法で得られる素体は、内部に導体層を含まない素体である。
上記方法で得られる素体は、内部に導体層を含まない素体である。
【0087】
［下地電極層形成工程］
本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態における下地電極層形成工程は、本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態における下地電極層形成工程と同様である。
本発明の電子部品の製造方法の第二実施形態における下地電極層形成工程は、本発明の電子部品の製造方法の第一実施形態における下地電極層形成工程と同様である。
【0088】
［コイル形成工程］
コイル形成工程では、素体の表面にコイルとなる巻線を巻きつけて、該コイルの両端を外部電極と接続する。コイルとなる巻線と外部電極との接続方法は特に限定されないが、例えば、熱圧着により接合する方法が挙げられる。
巻線の巻数（ターン数）及び巻線の直径は、電子部品に求められる特定に応じて適宜変更すればよい。
コイル形成工程では、素体の表面にコイルとなる巻線を巻きつけて、該コイルの両端を外部電極と接続する。コイルとなる巻線と外部電極との接続方法は特に限定されないが、例えば、熱圧着により接合する方法が挙げられる。
巻線の巻数（ターン数）及び巻線の直径は、電子部品に求められる特定に応じて適宜変更すればよい。
【0089】
【実施例】
【0090】
以下、本発明の電子部品の一実施形態をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【0091】
（実施例１）
［素体準備工程］
Ｆｅ量を一定とし、Ｎｉ／Ｚｎモル比が２．３となるように、かつ、Ｃｕ含有量が８ｍｏｌ％となるように調製したフェライト原料を、巻線部と鍔部とを有するバーベル形状に成形して成形体を得た。
［素体準備工程］
Ｆｅ量を一定とし、Ｎｉ／Ｚｎモル比が２．３となるように、かつ、Ｃｕ含有量が８ｍｏｌ％となるように調製したフェライト原料を、巻線部と鍔部とを有するバーベル形状に成形して成形体を得た。
【0092】
成形体を１１００℃で１時間焼成することによりセラミックの素体を得た。
焼成時の雰囲気は、常圧、酸素分圧１０体積％とした。
焼成時の雰囲気は、常圧、酸素分圧１０体積％とした。
【0093】
［外部電極形成工程］
ガラスフリット（ホウケイ酸ガラス）とＡｇ粒子を５：９５（重量比）で混合した混合物と溶媒とを混合したガラスペーストを調製し、焼成工程で得られた素体の表面にガラスペーストを塗布し、６５０℃で４０分間焼き付けを行い、下地電極層を形成し、下地電極層の表面にめっき処理を行い、被覆層としてＮｉめっき層を形成して、実施例１に係る電子部品を製造した。なお、焼き付けは高温とするほど、Ｃｕ偏析物の偏析量が生じやすいため、７５０℃以上が好ましく、８５０℃以上にすることにより、Ｃｕ偏析物の流動性自体も向上する。
ガラスフリット（ホウケイ酸ガラス）とＡｇ粒子を５：９５（重量比）で混合した混合物と溶媒とを混合したガラスペーストを調製し、焼成工程で得られた素体の表面にガラスペーストを塗布し、６５０℃で４０分間焼き付けを行い、下地電極層を形成し、下地電極層の表面にめっき処理を行い、被覆層としてＮｉめっき層を形成して、実施例１に係る電子部品を製造した。なお、焼き付けは高温とするほど、Ｃｕ偏析物の偏析量が生じやすいため、７５０℃以上が好ましく、８５０℃以上にすることにより、Ｃｕ偏析物の流動性自体も向上する。
【0094】
（実施例２、比較例１～３）
フェライト原料中のＦｅ量及びＮｉ／Ｚｎモル比を変えずに、Ｃｕ含有量を６ｍｏｌ％、４ｍｏｌ％、１ｍｏｌ％、０ｍｏｌ％に変更したほかは、実施例１と同様の手順で、実施例２及び比較例１～３に係る電子部品を製造した。各実施例及び比較例の素体の焼結密度は、実施例１と同程度であった。
フェライト原料中のＦｅ量及びＮｉ／Ｚｎモル比を変えずに、Ｃｕ含有量を６ｍｏｌ％、４ｍｏｌ％、１ｍｏｌ％、０ｍｏｌ％に変更したほかは、実施例１と同様の手順で、実施例２及び比較例１～３に係る電子部品を製造した。各実施例及び比較例の素体の焼結密度は、実施例１と同程度であった。
【0095】
（比較例４）
フェライト原料の組成を変えずに、成形体の焼成温度（最高温度）を９５０℃以下に変更したほかは、実施例１と同様の手順で、比較例４に係る電子部品を製造した。比較例４の素体の焼結密度は、実施例１と同程度であった。
フェライト原料の組成を変えずに、成形体の焼成温度（最高温度）を９５０℃以下に変更したほかは、実施例１と同様の手順で、比較例４に係る電子部品を製造した。比較例４の素体の焼結密度は、実施例１と同程度であった。
【0096】
［素体のＣｕ含有量の測定］
前述したＷＤ－ＸＲＦによって素体のＣｕ含有量を測定したところ、いずれも、フェライト原料におけるＣｕ含有量と同じであった。
前述したＷＤ－ＸＲＦによって素体のＣｕ含有量を測定したところ、いずれも、フェライト原料におけるＣｕ含有量と同じであった。
【0097】
［ＳＥＭ－ＥＤＸによる観察］
実施例２に係る電子部品について、素体とガラス部との界面近傍をＳＥＭ－ＥＤＸにより２箇所で観察し、Ｃｕの元素マッピング及びＳｉの元素マッピングを行った。結果を図８、図９、図１１及び図１２に示す。
なお、実施例１及び比較例１～４に係る電子部品についても、素体とガラス部との界面近傍をＳＥＭ－ＥＤＸで観察したところ、実施例１に係る電子部品については、素体とガラス部との界面において、素体とガラスとに接しているＣｕ偏析物が確認できたが、比較例１～４に係る電子部品については、いずれも、Ｃｕ偏析物を確認できなかった。
実施例２に係る電子部品について、素体とガラス部との界面近傍をＳＥＭ－ＥＤＸにより２箇所で観察し、Ｃｕの元素マッピング及びＳｉの元素マッピングを行った。結果を図８、図９、図１１及び図１２に示す。
なお、実施例１及び比較例１～４に係る電子部品についても、素体とガラス部との界面近傍をＳＥＭ－ＥＤＸで観察したところ、実施例１に係る電子部品については、素体とガラス部との界面において、素体とガラスとに接しているＣｕ偏析物が確認できたが、比較例１～４に係る電子部品については、いずれも、Ｃｕ偏析物を確認できなかった。
【0098】
図８は、実施例２に係る電子部品の、素体とガラス部との界面のＣｕの元素マッピング画像であり、図９は、図８と同一視野におけるＳｉの元素マッピング画像であり、図１０は、図８及び図９を重ね合わせた画像である。
図８、図９及び図１０の結果より、実施例２に係る電子部品では、素体１０とガラス部２３との界面に、Ｃｕ濃度が高い領域（Ｃｕ偏析物３１、３２、３３）が存在していることを確認した。図８、図９及び図１０の左側には楔形のＣｕ偏析物３１が存在し、図８、図９及び図１０の右側には粒状のＣｕ偏析物が複数個（Ｃｕ偏析物３２、３３）存在していることを確認できた。図８、図９及び図１０に示す楔形のＣｕ偏析物３１の直上に接するガラス部２３の厚さは０．４μｍであった。図８、図９及び図１０に示す粒状のＣｕ偏析物３２、３３のアスペクト比は約１．２－１．９であり、いずれも３以下の値であった。また、粒状のＣｕ偏析物３２の直上に接するガラス部２３の厚さは、０．３μｍであった。
図８、図９及び図１０の結果より、実施例２に係る電子部品では、素体１０とガラス部２３との界面に、Ｃｕ濃度が高い領域（Ｃｕ偏析物３１、３２、３３）が存在していることを確認した。図８、図９及び図１０の左側には楔形のＣｕ偏析物３１が存在し、図８、図９及び図１０の右側には粒状のＣｕ偏析物が複数個（Ｃｕ偏析物３２、３３）存在していることを確認できた。図８、図９及び図１０に示す楔形のＣｕ偏析物３１の直上に接するガラス部２３の厚さは０．４μｍであった。図８、図９及び図１０に示す粒状のＣｕ偏析物３２、３３のアスペクト比は約１．２－１．９であり、いずれも３以下の値であった。また、粒状のＣｕ偏析物３２の直上に接するガラス部２３の厚さは、０．３μｍであった。
【0099】
図１１は、実施例２に係る電子部品の、素体とガラス部との界面のＣｕの元素マッピング画像であり、図１２は、図１１と同一視野におけるＳｉの元素マッピング画像である。図１１及び図１２におけるＳＥＭ－ＥＤＸを測定する位置は、図８及び図９におけるＳＥＭ－ＥＤＸを測定する位置とは異なる位置である。
図１１の結果より、実施例２に係る電子部品では、素体１０とガラス部２３との界面に、Ｃｕ濃度が高い領域（Ｃｕ偏析物３４）が存在していることを確認した。
図１１中、Ｃｕ濃度が高いことを示す白い点について、素体１０と下地電極層２１との界面に沿って連続していない部分が存在する。図１２に示すＳＥＭ－ＥＤＸのＳｉ元素マッピングによると、この部分ではＳｉ濃度が下地電極層２１よりも低くなっており、Ｃｕ偏析物が下地電極層２１を構成するガラスを含んでいる部分と考えられる。すなわち、図１１及び図１２に示す素体１０と下地電極層２１との界面では、Ｃｕ偏析物３４が、素体１０と下地電極層２１との界面に沿って連続的に配置されており、Ｃｕ偏析物全体として層状であるといえる。この層状のＣｕ偏析物３４のアスペクト比は３を超えており、Ｃｕ偏析物３４の直上に接するガラス部２３の厚さは、５μｍ以上であった。
図８、図９、図１０、図１１及び図１２の結果より、同一の電子部品において、ガラス部と素体との界面に、形状が異なる複数のＣｕ偏析物が存在していることを確認した。
図１１の結果より、実施例２に係る電子部品では、素体１０とガラス部２３との界面に、Ｃｕ濃度が高い領域（Ｃｕ偏析物３４）が存在していることを確認した。
図１１中、Ｃｕ濃度が高いことを示す白い点について、素体１０と下地電極層２１との界面に沿って連続していない部分が存在する。図１２に示すＳＥＭ－ＥＤＸのＳｉ元素マッピングによると、この部分ではＳｉ濃度が下地電極層２１よりも低くなっており、Ｃｕ偏析物が下地電極層２１を構成するガラスを含んでいる部分と考えられる。すなわち、図１１及び図１２に示す素体１０と下地電極層２１との界面では、Ｃｕ偏析物３４が、素体１０と下地電極層２１との界面に沿って連続的に配置されており、Ｃｕ偏析物全体として層状であるといえる。この層状のＣｕ偏析物３４のアスペクト比は３を超えており、Ｃｕ偏析物３４の直上に接するガラス部２３の厚さは、５μｍ以上であった。
図８、図９、図１０、図１１及び図１２の結果より、同一の電子部品において、ガラス部と素体との界面に、形状が異なる複数のＣｕ偏析物が存在していることを確認した。
【0100】
［剥がれ性の評価］
以下の方法により、素体と下地電極層との間の密着性を評価した。結果を表１に示す。
電子部品を研磨することによって、素体と下地電極層との界面を露出させ、ＳＥＭ－ＥＤＸによって素体と下地電極層の界面を観察し、素体と下地電極層の剥がれの有無を確認した。同様の操作を合計５個のサンプルで行い、剥がれの発生率を剥がれ［％］として評価した。
以下の方法により、素体と下地電極層との間の密着性を評価した。結果を表１に示す。
電子部品を研磨することによって、素体と下地電極層との界面を露出させ、ＳＥＭ－ＥＤＸによって素体と下地電極層の界面を観察し、素体と下地電極層の剥がれの有無を確認した。同様の操作を合計５個のサンプルで行い、剥がれの発生率を剥がれ［％］として評価した。
【0101】
【表1】
【0102】
表１の結果より、本発明の電子部品は、素体と下地電極層の密着性が高いことを確認できた。
【産業上の利用可能性】
【0103】
本発明の実施形態に係る電子部品は、インダクタ、アンテナ、ノイズフィルタ、電波吸収体、コンデンサと組み合わせたＬＣフィルタ等の部品として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【0104】
１、２ 電子部品
１０、１１ 素体
１０ａ 素体の第１端面
１０ｂ 素体の第２端面
１０ｃ 素体の第１側面
１０ｄ 素体の第２側面
１０ｅ 素体の上面
１０ｆ 素体の底面
２０ 外部電極
２１ 下地電極層
２３、２３ａ、２３ｂ ガラス部
２５ 導体部
２７ 被覆層
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３１、３２、３３、３４ Ｃｕ偏析物
３１ａ Ｃｕ偏析物が素体側に突出している突出部
４０ 導体層
４３ 巻線
６０ 巻芯部
６１ 鍔部
Ｌ 長さ方向
Ｌａ２、Ｌａ３、Ｌａ４ Ｃｕ偏析物の横方向の長さ
Ｌｂ２、Ｌｂ３、Ｌｂ４ Ｃｕ偏析物の縦方向の長さ
Ｔ 厚さ方向
Ｔ０ 下地電極層の厚さ
Ｔ１、Ｔ５ Ｃｕ偏析物の直上に接するガラス部の厚さ
Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４ Ｃｕ偏析物の直上に接する下地電極層の厚さ
Ｗ 幅方向
１０、１１ 素体
１０ａ 素体の第１端面
１０ｂ 素体の第２端面
１０ｃ 素体の第１側面
１０ｄ 素体の第２側面
１０ｅ 素体の上面
１０ｆ 素体の底面
２０ 外部電極
２１ 下地電極層
２３、２３ａ、２３ｂ ガラス部
２５ 導体部
２７ 被覆層
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３１、３２、３３、３４ Ｃｕ偏析物
３１ａ Ｃｕ偏析物が素体側に突出している突出部
４０ 導体層
４３ 巻線
６０ 巻芯部
６１ 鍔部
Ｌ 長さ方向
Ｌａ２、Ｌａ３、Ｌａ４ Ｃｕ偏析物の横方向の長さ
Ｌｂ２、Ｌｂ３、Ｌｂ４ Ｃｕ偏析物の縦方向の長さ
Ｔ 厚さ方向
Ｔ０ 下地電極層の厚さ
Ｔ１、Ｔ５ Ｃｕ偏析物の直上に接するガラス部の厚さ
Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４ Ｃｕ偏析物の直上に接する下地電極層の厚さ
Ｗ 幅方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】