特許 7491879 電流センサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-20

(45)【発行日】2024-05-28

(54)【発明の名称】電流センサ

(51)【国際特許分類】

   G01R 19/00 20060101AFI20240521BHJP

   G01R 35/00 20060101ALI20240521BHJP

   G01R 15/00 20060101ALI20240521BHJP

【ＦＩ】

G01R19/00 M

G01R35/00 E

G01R15/00 500

G01R19/00 B

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2021132747

(22)【出願日】2021-08-17

(65)【公開番号】P2023027567

(43)【公開日】2023-03-02

【審査請求日】2023-09-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(73)【特許権者】

【識別番号】000003207

【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】520124752

【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ

(74)【代理人】

【識別番号】110000567

【氏名又は名称】弁理士法人サトー

(72)【発明者】

【氏名】根塚 智裕

(72)【発明者】

【氏名】古田 善一

(72)【発明者】

【氏名】和田 祥太郎

【審査官】永井 皓喜

(56)【参考文献】

【文献】特開平７－９８３４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－２１７３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－８１２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－２９２４６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１２８２８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－２０１０７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－９６６２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－６９８０９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｒ １９／００

Ｇ０１Ｒ ３５／００

Ｇ０１Ｒ １５／００

Ｇ０１Ｒ ２７／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被検出電流が流れる経路に直列に設けられたシャント抵抗（４）の端子電圧と前記シャント抵抗の抵抗値に対応する検出用抵抗値とを用いて前記被検出電流を検出するものであり、前記検出用抵抗値を補正する抵抗値補正回路（１７、５３、７５、８６、９６）を備えた電流センサであって、
前記抵抗値補正回路は、
前記被検出電流が流れる経路とは異なる経路において前記シャント抵抗と直列に接続されたものであり且つ前記シャント抵抗に比べて抵抗精度が高い補正抵抗（５）と、
前記シャント抵抗および前記補正抵抗の直列回路に対して交流信号を印加する信号印加部（６、５２）と、
前記直列回路に前記交流信号が印加される際における前記シャント抵抗の端子電圧を検出する第１電圧検出部（７）と、
前記直列回路に前記交流信号が印加される際における前記補正抵抗の端子電圧を検出する第２電圧検出部（８）と、
前記第１電圧検出部による端子電圧の検出値である第１電圧検出値および前記第２電圧検出部による端子電圧の検出値である第２電圧検出値に基づいて前記シャント抵抗の抵抗値を算出するとともに、その算出した前記シャント抵抗の抵抗値である算出抵抗値に基づいて前記検出用抵抗値を補正する補正部（１６）と、
を備える電流センサ。

【請求項2】

前記第１電圧検出部は、前記シャント抵抗の端子の信号を入力するとともに前記交流信号の周波数と同じ周波数で同期検波して信号を抽出して出力する第１同期検波回路（１２）を備え、前記第１同期検波回路の出力信号に基づいて前記シャント抵抗の端子電圧を検出する構成であり、
前記第２電圧検出部は、前記補正抵抗の端子の信号を入力するとともに前記交流信号の周波数と同じ周波数で同期検波して信号を抽出して出力する第２同期検波回路（１４）を備え、前記第２同期検波回路の出力信号に基づいて前記補正抵抗の端子電圧を検出する構成である請求項１に記載の電流センサ。

【請求項3】

前記第１電圧検出部は、前記シャント抵抗の端子電圧および前記補正抵抗の端子電圧を検出するためのＡ／Ｄ変換動作を行うことができる第１Ａ／Ｄ変換器（１１）を備え、
前記第２電圧検出部は、前記シャント抵抗の端子電圧および前記補正抵抗の端子電圧を検出するためのＡ／Ｄ変換動作を行うことができる第２Ａ／Ｄ変換器（１３）を備え、
前記抵抗値補正回路（７５）は、さらに、
前記第１Ａ／Ｄ変換器および前記第２Ａ／Ｄ変換器のそれぞれが前記シャント抵抗および前記補正抵抗のそれぞれに接続することができるように接続状態を切り替えることができる切替部（７２）と、
前記切替部の接続状態を切り替えることにより前記第１Ａ／Ｄ変換器および前記第２Ａ／Ｄ変換器のゲイン誤差を低減するゲイン誤差低減部（７４）と、
を備える請求項１または２に記載の電流センサ。

【請求項4】

前記抵抗値補正回路（８６、９６）は、さらに、
前記シャント抵抗の温度を検出する第１温度検出部（８４）と、
前記第１温度検出部による温度の検出値である第１温度検出値に基づいて前記被検出電流の検出値を補正する電流値補正部（８５、９５）と、
を備える請求項１から３のいずれか一項に記載の電流センサ。

【請求項5】

前記抵抗値補正回路（９６）は、さらに、前記補正抵抗の温度を検出する第２温度検出部（９４）を備え、
前記電流値補正部（９５）は、前記第１温度検出値および前記第２温度検出部による温度の検出値である第２温度検出値に基づいて前記被検出電流の検出値を補正する請求項４に記載の電流センサ。

【請求項6】

前記信号印加部は、パルス波または正弦波の前記交流信号を前記直列回路に対して印加するようになっている請求項１から４のいずれか一項に記載の電流センサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、被検出電流が流れる経路に直列に設けられたシャント抵抗の端子電圧とシャント抵抗の抵抗値に対応する検出用抵抗値とを用いて被検出電流を検出する電流センサに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１、２に開示されるように、従来の電流センサでは、被検出電流が流れる経路に直列に設けられたシャント抵抗の端子電圧を測定し、その測定された電圧値とシャント抵抗の抵抗値に対応する検出用抵抗値とに基づいて計測対象の電流値を算出するようになっている。この場合、シャント抵抗の抵抗値が経年劣化などにより変化することから、電流値の算出に用いられる検出用抵抗値を随時補正する必要がある。なお、以下の説明では、特許文献１に開示される従来の電流センサのことを第１従来技術と称するとともに、特許文献２に開示される従来の電流センサのことを第２従来技術と称することとする。

【0003】

第１従来技術では、次のようにして検出用抵抗値の補正が行われる。すなわち、第１従来技術は、通常時にシャント抵抗と同様に被検出電流が流れるように設けられたサブ抵抗と、通常時に被検出電流が流れることがないように設けられた補正抵抗と、を備えている。上記構成によれば、サブ抵抗は、シャント抵抗と同様に劣化するものの、補正抵抗は、ほとんど劣化することがない。第１従来技術では、補正時、サブ抵抗および補正抵抗の各抵抗値を比較することにより、サブ抵抗、ひいてはシャント抵抗の劣化度合いを求め、それに基づいて検出用抵抗値を補正するようになっている。

【0004】

第２従来技術では、次のようにして検出用抵抗値の補正が行われる。すなわち、第２従来技術は、シャント抵抗を複数備え、それら複数のシャント抵抗の相互接続ノードから補正電流を流す構成、またはシャント抵抗の中央部分に入力端子を設け、その入力端子から補正電流を流す構成とされている。第２従来技術では、補正電流を流した際における各抵抗の端子電圧を測定し、その測定結果に基づいて個々の抵抗値を算出することで検出用抵抗値を補正するようになっている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】米国特許第８７７９７７７号明細書

【文献】米国特許第１０４７３７２４号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

第１従来技術では、シャント抵抗を用いて直接的に補正を行っておらず、サブ抵抗がシャント抵抗と同様に劣化するものであると仮定したうえで、そのサブ抵抗を用いて間接的にシャント抵抗の抵抗値に対応する検出用抵抗値の補正を行っている。そのため、第１従来技術では、上記した仮定が成立しない場合には、検出用抵抗値の補正を精度良く行うことができなくなり、その結果、電流の検出精度が低下するおそれがある。

【0007】

第２従来技術では、シャント抵抗を複数設けるか、または、シャント抵抗の中央部分に入力端子を設ける必要があることから、構成が複雑化する問題が生じる。また、第２従来技術では、検出用抵抗値の補正についての精度が補正電流の精度に大きく依存することから、補正の精度を十分に高めることが困難であった。

【0008】

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、構成の複雑化を招くことなく、検出用抵抗値の補正を精度良く行うことができる電流センサを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

請求項１に記載の電流センサは、被検出電流が流れる経路に直列に設けられたシャント抵抗（４）の端子電圧とシャント抵抗の抵抗値に対応する検出用抵抗値とを用いて被検出電流を検出するものであり、検出用抵抗値を補正する抵抗値補正回路（１７、５３、７５、８６、９６）を備えている。抵抗値補正回路は、補正抵抗（５）、信号印加部（６、５２）、第１電圧検出部（７）、第２電圧検出部（８）および補正部（１６）を備えている。補正抵抗は、被検出電流が流れる経路とは異なる経路においてシャント抵抗と直列に接続されたものであり且つシャント抵抗に比べて抵抗精度が高い。

【0010】

信号印加部は、シャント抵抗および補正抵抗の直列回路に対して交流信号を印加する。第１電圧検出部は、直列回路に交流信号が印加される際におけるシャント抵抗の端子電圧を検出する。第２電圧検出部は、直列回路に交流信号が印加される際における補正抵抗の端子電圧を検出する。補正部は、第１電圧検出部による端子電圧の検出値である第１電圧検出値および第２電圧検出部による端子電圧の検出値である第２電圧検出値に基づいてシャント抵抗の抵抗値を算出するとともに、その算出したシャント抵抗の抵抗値である算出抵抗値に基づいて検出用抵抗値を補正する。

【0011】

このような構成によれば、第１従来技術のようにサブ抵抗を用いて間接的に検出用抵抗値を補正することなく、シャント抵抗を用いて直接的に検出用抵抗値を補正することができる。また、上記構成によれば、第２従来技術のように、シャント抵抗を複数設けたり、シャント抵抗の中央部分に入力端子を設けたりする必要がなく、１つのシャント抵抗を設けるだけでよいことから、電流センサ全体の構成が複雑化することがない。

【0012】

さらに、上記構成によれば、算出抵抗値の算出精度、ひいては検出用抵抗値の補正の精度は、補正抵抗の抵抗値の精度と、第１電圧検出値および第２電圧検出値の検出精度とに大きく依存する。この場合、補正抵抗は、シャント抵抗に比べて抵抗精度が高くなっているため、検出用抵抗値の補正の精度が十分に高められる。したがって、上記構成によれば、電流センサ全体の構成の複雑化を招くことなく、検出用抵抗値の補正を精度良く行うことができるという優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】第１実施形態に係る電流センサの構成を模式的に示す図

【図2】第１実施形態に係る信号印加部の具体的な第１構成例を示す図

【図3】第１実施形態に係る信号印加部の具体的な第２構成例を示す図

【図4】第１実施形態に係る信号印加部の具体的な第３構成例を示す図

【図5】第１実施形態に係る信号印加部の具体的な第４構成例を示す図

【図6】第１実施形態に係る各同期検波回路の具体的な構成例を示す図

【図7】第２実施形態に係る電流センサの構成を模式的に示す図

【図8】第２実施形態に係る信号印加部の具体的な第１構成例を示す図

【図9】第２実施形態に係る信号印加部の具体的な第２構成例を示す図

【図10】第３実施形態に係る電流センサの構成を模式的に示す図

【図11】第３実施形態に係る第１接続状態に切り替えられた電流センサの構成を模式的に示す図

【図12】第３実施形態に係る第２接続状態に切り替えられた電流センサの構成を模式的に示す図

【図13】第３実施形態に係る第３接続状態に切り替えられた電流センサの構成を模式的に示す図

【図14】第４実施形態に係る電流センサの構成を模式的に示す図

【図15】第５実施形態に係る電流センサの構成を模式的に示す図

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、複数の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
（第１実施形態）
以下、第１実施形態について図１～図６を参照して説明する。

【0015】

＜全体構成＞
図１に示す本実施形態の電流センサ１は、例えば自動車などの車両に搭載されるものであり、測定対象２に流れる電流である被検出電流を検出する。測定対象２としては、車両を走行させるための駆動部に電力を供給する主機バッテリや車両の補機に電力を供給する補機バッテリなどの電池、ＤＣ／ＤＣコンバータなどが想定される。ＤＣ／ＤＣコンバータは、車両を走行させるための駆動力を発生するモータに対して電力を供給するものであり、そのモータとともに上記した駆動部を構成する。

【0016】

この場合、測定対象２に対して負荷３が直列接続されており、測定対象２、負荷３および図示しないスイッチなどによりループ回路が構成される。負荷３としては、測定対象２が上記した電池である場合、例えば上記したモータ、上記したＤＣ／ＤＣコンバータ、電動コンプレッサなどが想定される。また、負荷３としては、測定対象２が上記したＤＣ／ＤＣコンバータである場合、例えば上記したモータなどが想定される。

【0017】

電流センサ１は、シャント抵抗４、補正抵抗５、信号印加部６、第１電圧検出部７、第２電圧検出部８および制御部９を備えている。シャント抵抗４の一方の端子は、負荷３を介して測定対象２の高電位側端子に接続され、その他方の端子は、回路の基準電位となるグランドに接続されるとともに測定対象２の低電位側端子に接続されている。つまり、シャント抵抗４は、被検出電流が流れる経路に直列に設けられている。電流センサ１は、このように設けられたシャント抵抗４の端子電圧と、シャント抵抗４の抵抗値に対応する検出用抵抗値と、を用いて被検出電流を検出する。

【0018】

補正抵抗５の一方の端子は、信号印加部６に接続され、その他方の端子はシャント抵抗４の一方の端子に接続されている。つまり、補正抵抗５は、被検出電流が流れる経路とは異なる経路においてシャント抵抗４と直列に接続されている。この場合、被検出電流は、比較的大きな電流となることから、シャント抵抗４の抵抗値は、例えばμΩオーダといった比較的小さい値となっている。

【0019】

一方、補正抵抗５には比較的大きい被検出電流が流れることがないため、その抵抗値は、例えばｍΩオーダといった比較的大きい値となっている。一般に、抵抗値が小さい抵抗を精度良く作成することは難しいものの、抵抗値が大きい抵抗を精度良く作成することは比較的容易である。このようなことから、本実施形態において、補正抵抗５の抵抗精度は、シャント抵抗４の抵抗精度に比べて十分に高いものとなっている。

【0020】

信号印加部６は、後述する検出用抵抗値の補正が行われる補正時、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に対してパルス波または正弦波の交流信号を印加する。言い換えると、信号印加部６は、補正時、シャント抵抗４および補正抵抗５に対して同一の交流信号を印加する。この場合、信号印加部６は、例えば＋５Ｖの電源電圧ＶＤＤが供給される電源線１０から上記直列回路に対して交流の電流を供給する電流源として構成されている。第１電圧検出部７は、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流信号が印加される際におけるシャント抵抗４の端子電圧を検出するものであり、第１Ａ／Ｄ変換器１１および第１同期検波回路１２を備えている。なお、図１などの図面では、Ａ／Ｄ変換器のことをＡＤＣと省略している。

【0021】

第１Ａ／Ｄ変換器１１は、シャント抵抗４の端子電圧を検出するために次のようなＡ／Ｄ変換動作を行う。すなわち、第１Ａ／Ｄ変換器１１は、シャント抵抗４の各端子の信号を入力し、それら各信号をＡ／Ｄ変換することによりシャント抵抗４の各端子電圧の差、つまりシャント抵抗４の端子間電圧に対応したデジタル信号を出力する。このようにして第１Ａ／Ｄ変換器１１から出力されるデジタル信号は、シャント抵抗４の端子の信号に対応した信号となっている。

【0022】

第１同期検波回路１２は、第１Ａ／Ｄ変換器１１から出力されるデジタル信号を入力するとともに信号印加部６における交流信号の周波数と同じ周波数で同期検波して信号を抽出し、その抽出した信号を制御部９へと出力する。第１同期検波回路１２の出力信号は、シャント抵抗４の端子電圧に対応した信号となる。このように、補正時、第１電圧検出部７は、第１同期検波回路１２の出力信号に基づいてシャント抵抗４の端子電圧を検出する構成となっており、その端子電圧の検出値である第１電圧検出値を表す信号を制御部９へと出力する。

【0023】

第１電圧検出部７は、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流信号が印加されないとき、つまり通常時、次のようにシャント抵抗４の端子電圧を検出する。すなわち、通常時、第１Ａ／Ｄ変換器１１は、補正時と同様にＡ／Ｄ変換動作を行う。この場合、第１Ａ／Ｄ変換器１１から出力されるデジタル信号は、第１同期検波回路１２に入力されることなく、制御部９へと出力される。つまり、通常時、第１電圧検出部７は、第１Ａ／Ｄ変換器１１の出力信号に基づいてシャント抵抗４の端子電圧を検出するようになっており、その端子電圧の検出値である第１電圧検出値を表す信号を制御部９へと出力する。

【0024】

第２電圧検出部８は、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流信号が印加される際における補正抵抗５の端子電圧を検出するものであり、第２Ａ／Ｄ変換器１３および第２同期検波回路１４を備えている。第２Ａ／Ｄ変換器１３は、補正抵抗５の端子電圧を検出するために次のようなＡ／Ｄ変換動作を行う。すなわち、第２Ａ／Ｄ変換器１３は、補正抵抗５の各端子の信号を入力し、それら各信号をＡ／Ｄ変換することにより補正抵抗５の各端子電圧の差、つまり補正抵抗５の端子間電圧に対応したデジタル信号を出力する。このようにして第２Ａ／Ｄ変換器１３から出力されるデジタル信号は、補正抵抗５の端子の信号に対応した信号となっている。

【0025】

第２同期検波回路１４は、第２Ａ／Ｄ変換器１３から出力されるデジタル信号を入力するとともに信号印加部６における交流信号の周波数と同じ周波数で同期検波して信号を抽出し、その抽出した信号を制御部９へと出力する。第２同期検波回路１４の出力信号は、補正抵抗５の端子電圧に対応した信号となる。このように、補正時、第２電圧検出部８は、第２同期検波回路１４の出力信号に基づいて補正抵抗５の端子電圧を検出する構成となっており、その端子電圧の検出値である第２電圧検出値を表す信号を制御部９へと出力する。

【0026】

制御部９は、第１電圧検出部７および第２電圧検出部８とともに、同一のＡＳＩＣなどの半導体集積回路として構成されている。なお、ＡＳＩＣは、Application Specific Integrated Circuitの略称である。制御部９は、電流検出部１５および補正部１６などの機能ブロックを備えている。これら各機能ブロックは、ハードウェアにより実現されている。なお、制御部９は、第１電圧検出部７および第２電圧検出部８とは別の半導体集積回路として構成することができる。例えば、制御部９は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭなどを備えたマイクロコンピュータにより構成することができる。この場合、上記した各機能ブロックは、制御部９のＣＰＵがＲＯＭなどに格納されているコンピュータプログラムを実行してコンピュータプログラムに対応する処理を実行することにより実現されている、つまりソフトウェアにより実現されている。なお、この場合、各機能ブロックのうち少なくとも一部をハードウェアにより実現する構成としてもよい。

【0027】

電流検出部１５は、通常時に第１電圧検出部７から出力されるシャント抵抗４の端子電圧に対応した信号と、シャント抵抗４の抵抗値に対応する検出用抵抗値とを用いて被検出電流を検出する。検出用抵抗値は、実際に用いられるシャント抵抗４の初期の抵抗値に基づいて設定されたものであり、制御部９が備えるメモリに予め記憶されている。ただし、シャント抵抗４は、通常時に比較的大きい電流である被検出電流が流れることから、その抵抗値が経年劣化などにより初期値から変化してゆく。

【0028】

そこで、上記した検出用抵抗値は、補正部１６の動作によって随時補正されるようになっている。補正部１６は、補正時、第１電圧検出部７から出力される第１電圧検出値を表す信号および第２電圧検出部８から出力される第２電圧検出値を表す信号と、補正抵抗５の抵抗値に対応する補正抵抗値と、に基づいてシャント抵抗４の抵抗値を算出する。補正部１６は、その算出したシャント抵抗４の抵抗値である算出抵抗値に基づいて検出用抵抗値を補正する。例えば、補正部１６は、検出用抵抗値を算出抵抗値に一致させるように補正することができる。

【0029】

上記した補正抵抗値は、実際に用いられる補正抵抗５の初期の抵抗値であり、制御部９が備えるメモリに予め記憶されている。なお、補正抵抗５は、通常時に被検出電流が流れないことから、その抵抗値が経年劣化などにより初期値から変化することがほとんどない。このように、上記構成では、補正抵抗５、信号印加部６、第１電圧検出部７、第２電圧検出部８および補正部１６により、検出用抵抗値を補正する抵抗値補正回路１７が構成されている。

【0030】

＜信号印加部の具体的な構成＞
信号印加部６の具体的な構成としては、例えば図２に示す第１構成例、図３に示す第２構成例、図４に示す第３構成例、図５に示す第４構成例などが挙げられる。
［１］第１構成例
図２に示すように、第１構成例の信号印加部６ａは、トランジスタ２１、信号生成部２２、ＯＰアンプ２３などを備えている。トランジスタ２１は、例えばＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴであり、そのドレインは補正抵抗５を介して電源線１０に接続され、そのソースはシャント抵抗４を介してグランドに接続されている。信号生成部２２は、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に印加する交流の電流と同じ周波数を有するパルス波または正弦波の信号を生成して出力する。

【0031】

信号生成部２２の出力信号は、ＯＰアンプ２３の非反転入力端子に与えられている。ＯＰアンプ２３の反転入力端子は、トランジスタ２１のドレインに接続され、その出力端子は、トランジスタ２１のゲートに接続されている。上記構成によれば、トランジスタ２１がＯＰアンプ２３により駆動されることでシャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流電流である交流信号が印加される。このように、第１構成例の信号印加部６ａは、アンプ駆動の構成となっている。なお、この場合、補正抵抗５は、信号印加部６ａの電流源としても機能する。

【0032】

［２］第２構成例
図３に示すように、第２構成例の信号印加部６ｂは、図２に示した第１構成例の信号印加部６ａに対し、抵抗２４が追加されている点などが異なっている。この場合、トランジスタ２１のドレインは抵抗２４を介して電源線１０に接続され、そのソースは補正抵抗５およびシャント抵抗４を介してグランドに接続されている。

【0033】

上記構成によっても、第１構成例と同様、トランジスタ２１がＯＰアンプ２３により駆動されることでシャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流電流である交流信号が印加される。このように、第２構成例の信号印加部６ｂは、第１構成例の信号印加部６ａと同様、アンプ駆動の構成となっている。なお、この場合、補正抵抗５とは別に設けられた抵抗２４およびトランジスタ２１が、信号印加部６ｂの電流源として機能する。

【0034】

［３］第３構成例
図４に示すように、第３構成例の信号印加部６ｃは、図２に示した第１構成例の信号印加部６ａに対し、ＯＰアンプ２３に代えてバッファ２５を備えている点などが異なっている。この場合、信号生成部２２の出力信号は、バッファ２５の入力端子に与えられている。バッファ２５の出力端子は、トランジスタ２１のゲートに接続されている。上記構成によれば、トランジスタ２１がバッファ２５により駆動されることでシャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流電流である交流信号が印加される。このように、第３構成例の信号印加部６ｃは、バッファ駆動の構成となっている。

【0035】

［４］第４構成例
図５に示すように、第４構成例の信号印加部６ｄは、図３に示した第２構成例の信号印加部６ｂに対し、ＯＰアンプ２３に代えてバッファ２５を備えている点などが異なっている。この場合、信号生成部２２の出力信号は、バッファ２５の入力端子に与えられている。バッファ２５の出力端子は、トランジスタ２１のゲートに接続されている。上記構成によれば、トランジスタ２１がバッファ２５により駆動されることでシャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流電流である交流信号が印加される。このように、第４構成例の信号印加部６ｄは、バッファ駆動の構成となっている。

【0036】

［５］各構成例の特徴
第１構成例および第３構成例は、補正抵抗５が電源線１０に近い配置であるとともにシャント抵抗４がグランドに近い配置となっているため、第１電圧検出部７および第２電圧検出部８が互いに大きく異なる電位で電圧検出することになる。そのため、第１構成例および第３構成例によれば、第２構成例および第４構成例に対し、シャント抵抗４および補正抵抗５の端子電圧の検出誤差が生じ易いものの、補正抵抗５が信号印加部６ａ、６ｃの電流源を兼ねることにより素子数を少なく抑えることができるというメリットがある。

【0037】

第２構成例および第４構成例は、信号印加部６ｂ、６ｄの電流源を構成するために補正抵抗５とは別の抵抗２４を設ける必要があるため、第１構成例および第３構成例に対し、素子数が増えるというデメリットがある。しかし、第２構成例および第４構成例は、補正抵抗５およびシャント抵抗４の両方がグランドに近い配置となっているため、第１電圧検出部７および第２電圧検出部８が互いに同じような電位で電圧検出することになる。そのため、第２構成例および第４構成例によれば、第１構成例および第３構成例に対し、シャント抵抗４および補正抵抗５の端子電圧の検出誤差を小さく抑えることができるというメリットがある。

【0038】

アンプ駆動の構成である第１構成例および第２構成例によれば、ＯＰアンプ２３の動作によりトランジスタ２１のドレイン電圧が一定に制御されるため、バッファ駆動の構成である第３構成例および第４構成例に対し、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に印加する交流電流の精度を高めることができるというメリットがある。一方、第３構成例および第４構成例によれば、第１構成例および第２構成例に対し、ＯＰアンプ２３に代えてバッファ２５を用いる分だけ、回路規模を小さく抑えることができるというメリットがある。

【0039】

＜各同期検波回路の具体的な構成＞
第１同期検波回路１２および第２同期検波回路１４の具体的な構成としては、例えば図６に示すような構成が挙げられる。この場合、信号印加部６によりシャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に印加される交流の電流である交流信号が「Ｉｏ・ｃｏｓ（ωｔ）」であり、補正抵抗５の抵抗値がＲ１であり、シャント抵抗４の抵抗値がＲ２であるものとする。ただし、ωは角周波数であり、ｔは時間である。

【0040】

図６に示すように、第１同期検波回路１２は、乗算器３１、３２、ローパスフィルタ３３、３４および演算器３５を備えている。なお、本明細書では、ローパスフィルタのことをＬＰＦと省略することがある。シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流信号が印加される補正時、第１同期検波回路１２の乗算器３１、３２の各一方の入力端子には、第１Ａ／Ｄ変換器１１から出力されるデジタル信号が入力される。このデジタル信号は、補正時におけるシャント抵抗４の端子電圧に対応する信号であり、「Ｒ２・Ｉｏ・ｃｏｓ（ωｔ＋φ２）」と表すことができる。

【0041】

乗算器３１の他方の入力端子には、ＣＯＳ波信号「ｃｏｓ（ωｔ）」が入力されている。乗算器３２の他方の入力端子には、ＳＩＮ波信号「－ｓｉｎ（ωｔ）」が入力されている。これにより、乗算器３１、３２の各出力信号では、角周波数ωの信号がＤＣ成分として取り出されるようになる。乗算器３１、３２の各出力信号は、それぞれＬＰＦ３３、３４に入力されている。

【0042】

ＬＰＦ３３の出力信号Ｉ２は、入力信号の同相成分に比例する低周波の信号となり、ＬＰＦ３４の出力信号Ｑ２は、入力信号の直交位相成分に比例する低周波の信号となる。演算器３５は、信号Ｉ２と信号Ｑ２の二乗和の平方根を演算し、その演算結果を表す信号を出力する。演算器３５の出力信号は、「Ｒ２・Ｉｏ」と表すことができる。演算器３５の出力信号は、第１同期検波回路１２の出力信号となり、制御部９の補正部１６に与えられる。

【0043】

第２同期検波回路１４は、乗算器３６、３７、ローパスフィルタ３８、３９および演算器４０を備えている。シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流信号が印加される補正時、第２同期検波回路１４の乗算器３６、３７の各一方の入力端子には、第２Ａ／Ｄ変換器１３から出力されるデジタル信号が入力される。このデジタル信号は、補正時における補正抵抗５の端子電圧に対応する信号であり、「Ｒ１・Ｉｏ・ｃｏｓ（ωｔ＋φ１）」と表すことができる。

【0044】

乗算器３６の他方の入力端子には、ＣＯＳ波信号「ｃｏｓ（ωｔ）」が入力されている。乗算器３７の他方の入力端子には、ＳＩＮ波信号「－ｓｉｎ（ωｔ）」が入力されている。これにより、乗算器３６、３７の各出力信号では、角周波数ωの信号がＤＣ成分として取り出されるようになる。乗算器３６、３７の各出力信号は、それぞれＬＰＦ３８、３９に入力されている。

【0045】

ＬＰＦ３８の出力信号Ｉ１は、入力信号の同相成分に比例する低周波の信号となり、ＬＰＦ３９の出力信号Ｑ１は、入力信号の直交位相成分に比例する低周波の信号となる。演算器４０は、信号Ｉ１と信号Ｑ１の二乗和の平方根を演算し、その演算結果を表す信号を出力する。演算器４０の出力信号は、「Ｒ１・Ｉｏ」と表すことができる。演算器４０の出力信号は、第２同期検波回路１４の出力信号となり、制御部９の補正部１６に与えられる。

【0046】

補正部１６は、第１同期検波回路１２の出力信号「Ｒ２・Ｉｏ」を第２同期検波回路１４の出力信号「Ｒ１・Ｉｏ」で除算することにより、値「Ｒ２／Ｒ１」を求める。ここで、補正抵抗５の抵抗値Ｒ１は、既知の値であり、制御部９のメモリなどに予め記憶されている。そのため、補正部１６は、上述したようにして求めた値「Ｒ２／Ｒ１」に対して予め記憶されている抵抗値Ｒ１を乗算することにより、現時点におけるシャント抵抗４の抵抗値Ｒ２、つまり算出抵抗値を算出することができる。

【0047】

以上説明した本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
本実施形態の電流センサ１は、被検出電流が流れる経路に直列に設けられたシャント抵抗４の端子電圧とシャント抵抗４の抵抗値に対応する検出用抵抗値とを用いて被検出電流を検出するものであり、検出用抵抗値を補正する抵抗値補正回路１７を備えている。抵抗値補正回路１７は、補正抵抗５、信号印加部６、第１電圧検出部７、第２電圧検出部８および補正部１６を備えている。補正抵抗５は、被検出電流が流れる経路とは異なる経路においてシャント抵抗４と直列に接続されたものであり且つシャント抵抗４に比べて抵抗精度が高い。

【0048】

信号印加部６は、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に対して交流信号を印加する。第１電圧検出部７は、上記直列回路に交流信号が印加される際におけるシャント抵抗４の端子電圧を検出する。第２電圧検出部８は、上記直列回路に交流信号が印加される際における補正抵抗５の端子電圧を検出する。補正部１６は、第１電圧検出部７による端子電圧の検出値である第１電圧検出値および第２電圧検出部８による端子電圧の検出値である第２電圧検出値に基づいてシャント抵抗４の抵抗値を算出するとともに、その算出したシャント抵抗４の抵抗値である算出抵抗値に基づいて検出用抵抗値を補正する。

【0049】

このような構成によれば、第１従来技術のようにサブ抵抗を用いて間接的に検出用抵抗値を補正することなく、シャント抵抗４を用いて直接的に検出用抵抗値を補正することができる。また、上記構成によれば、第２従来技術のように、シャント抵抗を複数設けたり、シャント抵抗の中央部分に入力端子を設けたりする必要がなく、１つのシャント抵抗４を設けるだけでよいことから、電流センサ１全体の構成が複雑化することがない。

【0050】

さらに、上記構成によれば、算出抵抗値の算出精度、ひいては検出用抵抗値の補正の精度は、補正抵抗５の抵抗値の精度と、第１電圧検出値および第２電圧検出値の検出精度とに大きく依存する。この場合、補正抵抗５は、シャント抵抗４に比べて抵抗精度が高くなっているため、検出用抵抗値の補正の精度が十分に高められる。したがって、本実施形態によれば、電流センサ１全体の構成の複雑化を招くことなく、検出用抵抗値の補正を精度良く行うことができるという優れた効果が得られる。

【0051】

この場合、第１電圧検出部７は、シャント抵抗４の端子の信号を入力するとともに交流信号の周波数と同じ周波数で同期検波して信号を抽出して出力する第１同期検波回路１２を備え、第１同期検波回路１２の出力信号に基づいてシャント抵抗４の端子電圧を検出する構成である。また、この場合、第２電圧検出部８は、補正抵抗５の端子の信号を入力するとともに交流信号の周波数と同じ周波数で同期検波して信号を抽出して出力する第２同期検波回路１４を備え、第２同期検波回路１４の出力信号に基づいて補正抵抗５の端子電圧を検出する構成である。

【0052】

このような構成によれば、シャント抵抗４および補正抵抗５に印加する交流信号の周波数と同じ周波数で同期検波して取り出された信号によりシャント抵抗４の端子電圧および補正抵抗５の端子電圧が検出される。そのため、本実施形態によれば、熱起電力、回路側のオフセットなどのノイズの影響により第１電圧検出値および第２電圧検出値の検出精度が低下することが抑制され、その結果、検出用抵抗値の補正の精度を一層高めることができる。

【0053】

信号印加部６は、パルス波または正弦波の交流信号をシャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に対して印加するようになっている。信号印加部６が正弦波の交流信号を印加する場合、その交流信号を生成するための構成、具体的には信号生成部２２の構成が複雑化するものの、交流信号として所望する周波数成分だけを含む信号とすることができることから第１電圧検出値および第２電圧検出値の検出誤差を低く抑えること、言い換えると、検出用抵抗値の補正の精度を高めることができる。これに対し、信号印加部６がパルス波の交流信号を印加する場合、その交流信号に高調波成分が含まれることから第１電圧検出値および第２電圧検出値の検出に関して誤差が生じるおそれがあるものの、交流信号を生成するための構成、具体的には信号生成部２２の構成を簡素化することができる。

【0054】

（第２実施形態）
以下、第２実施形態について図７～図９を参照して説明する。
＜全体構成＞
図７に示すように、本実施形態の電流センサ５１は、図１に示した第１実施形態の電流センサ１に対し、信号印加部６に代えて信号印加部５２を備えている点などが異なっている。

【0055】

信号印加部５２は、信号印加部６と同様、補正時にシャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に対してパルス波または正弦波の交流信号を印加する。この場合、信号印加部５２は、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に対して交流の電圧を供給する電圧源として構成されている。上記構成では、補正抵抗５、信号印加部５２、第１電圧検出部７、第２電圧検出部８および補正部１６により、検出用抵抗値を補正する抵抗値補正回路５３が構成されている。

【0056】

＜信号印加部の具体的な構成＞
信号印加部５２の具体的な構成としては、例えば図８に示す第１構成例、図９に示す第２構成例などが挙げられる。
［１］第１構成例
図８に示すように、第１構成例の信号印加部５２ａは、トランジスタ６１、信号生成部６２、ＯＰアンプ６３などを備えている。トランジスタ６１は、例えばＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴであり、そのドレインは例えば＋５Ｖの電源電圧ＶＤＤが供給される電源線６４に接続され、そのソースは補正抵抗５およびシャント抵抗４を介してグランドに接続されている。

【0057】

信号生成部６２は、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に印加する交流の電圧と同じ周波数を有するパルス波または正弦波の信号を生成して出力する。信号生成部６２の出力信号は、ＯＰアンプ６３の非反転入力端子に与えられている。ＯＰアンプ６３の反転入力端子は、トランジスタ６１のソースに接続され、その出力端子は、トランジスタ６１のゲートに接続されている。上記構成によれば、トランジスタ６１がＯＰアンプ６３により駆動されることでシャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流電圧である交流信号が印加される。このように、第１構成例の信号印加部５２ａは、アンプ駆動の構成となっている。

【0058】

［２］第２構成例
図９に示すように、第２構成例の信号印加部５２ｂは、図８に示した第１構成例の信号印加部５２ａに対し、ＯＰアンプ６３に代えてバッファ６５を備えている点などが異なっている。この場合、信号生成部６２の出力信号は、バッファ６５の入力端子に与えられている。バッファ６５の出力端子は、トランジスタ６１のゲートに接続されている。上記構成によれば、トランジスタ６１がバッファ６５により駆動されることでシャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に交流電圧である交流信号が印加される。このように、第２構成例の信号印加部５２ｂは、バッファ駆動の構成となっている。

【0059】

［３］各構成例の特徴
アンプ駆動の構成である第１構成例によれば、ＯＰアンプ６３の動作によりトランジスタ６１のソース電圧が一定に制御されるため、バッファ駆動の構成である第２構成例に対し、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に印加する交流電圧の精度を高めることができるというメリットがある。一方、第２構成例によれば、第１構成例に対し、ＯＰアンプ６３に代えてバッファ６５を用いる分だけ、回路規模を小さく抑えることができるというメリットがある。

【0060】

以上説明したように、本実施形態の電流センサ５１は、補正時にシャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に対して印加される交流信号が交流電流から交流電圧に変更されている点を除いて第１実施形態の抵抗値補正回路１７と同様の動作を行うことができる抵抗値補正回路５３を備えている。そのため、本実施形態によっても、第１実施形態と同様に検出用抵抗値の補正を行うことが可能となり、第１実施形態と同様の効果が得られる。

【0061】

（第３実施形態）
以下、第３実施形態について図１０～図１３を参照して説明する。
図１０に示すように、本実施形態の電流センサ７１は、図１に示した第１実施形態の電流センサ１に対し、切替部７２が追加されている点、制御部９に代えて制御部７３を備えている点などが異なっている。切替部７２は、例えばマルチプレクサなどにより構成されており、シャント抵抗４および補正抵抗５の各端子と第１電圧検出部７および第２電圧検出部８の各入力端子との間の接続状態を切り替える。切替部７２の動作は、制御部７３により制御される。

【0062】

具体的には、切替部７２は、図１１に示すような第１接続状態、図１２に示すような第２接続状態および図１３に示すような第３接続状態といった３つの接続状態に切り替えることができる。図１１に示すように、第１接続状態では、第１電圧検出部７の各入力端子にシャント抵抗４の各端子が接続されるとともに、第２電圧検出部８の各入力端子に補正抵抗５の各端子が接続される。つまり、第１接続状態は、切替部７２を備えていない第１実施形態の電流センサ１などと同様の接続状態となっている。

【0063】

図１２に示すように、第２接続状態では、第１電圧検出部７の各入力端子に補正抵抗５の各端子が接続されるとともに、第２電圧検出部８の各入力端子に補正抵抗５の各端子が接続される。図１３に示すように、第３接続状態では、第１接続状態では、第１電圧検出部７の各入力端子に補正抵抗５の各端子が接続されるとともに、第２電圧検出部８の各入力端子にシャント抵抗４の各端子が接続される。

【0064】

制御部７３は、制御部９に対し、ゲイン誤差低減部７４という機能ブロックが追加されている点などが異なっている。上記構成では、補正抵抗５、信号印加部６、第１電圧検出部７、第２電圧検出部８、補正部１６およびゲイン誤差低減部７４により、検出用抵抗値を補正する抵抗値補正回路７５が構成されている。ゲイン誤差低減部７４は、第１電圧検出部７の第１Ａ／Ｄ変換器１１および第２電圧検出部８の第２Ａ／Ｄ変換器１３のゲイン誤差を低減する。

【0065】

ゲイン誤差低減部７４は、ゲイン誤差低減のための動作を行わないとき、つまり通常時または検出用抵抗値を補正する補正時、切替部７２の接続状態を第１接続状態に切り替える。そして、ゲイン誤差低減部７４は、切替部７２の接続状態を第２接続状態または第３接続状態に切り替えることにより、第１Ａ／Ｄ変換器１１および第２Ａ／Ｄ変換器１３のゲイン誤差を低減することができる。

【0066】

すなわち、第２接続状態では、第１電圧検出部７および第２電圧検出部８は、いずれも補正抵抗５の端子電圧を検出することができる。そして、これらの検出値を表す信号は、ゲイン誤差低減部７４に与えられる。そのため、第２接続状態では、ゲイン誤差低減部７４は、第１電圧検出部７により検出された補正抵抗５の端子電圧の検出値および第２電圧検出部８により検出された補正抵抗５の端子電圧の検出値に基づいて、第１Ａ／Ｄ変換器１１および第２Ａ／Ｄ変換器１３の相対的なゲイン誤差を低減することができる。この場合、ゲイン誤差低減部７４は、例えば、第１Ａ／Ｄ変換器１１および第２Ａ／Ｄ変換器１３のそれぞれのゲインが同じになるように補正を行うことができる。

【0067】

また、第１接続状態では、第１電圧検出部７はシャント抵抗４の端子電圧を検出することができ、第２電圧検出部８は補正抵抗５の端子電圧を検出することができる。第３接続状態では、第１接続状態とは逆に、第１電圧検出部７は補正抵抗５の端子電圧を検出することができ、第２電圧検出部８はシャント抵抗４の端子電圧を検出することができる。そして、これらの検出値を表す信号は、ゲイン誤差低減部７４に与えられる。

【0068】

そのため、ゲイン誤差低減部７４は、第１接続状態において第１電圧検出部７により検出されたシャント抵抗４の端子電圧の検出値と第３接続状態において第２電圧検出部８により検出されたシャント抵抗４の端子電圧の検出値とに基づいて、第１Ａ／Ｄ変換器１１および第２Ａ／Ｄ変換器１３のゲイン誤差を低減することができる。また、ゲイン誤差低減部７４は、第１接続状態において第２電圧検出部８により検出された補正抵抗５の端子電圧の検出値と第３接続状態において第１電圧検出部７により検出された補正抵抗５の端子電圧の検出値とに基づいて、第１Ａ／Ｄ変換器１１および第２Ａ／Ｄ変換器１３のゲイン誤差を低減することができる。これらの場合、ゲイン誤差低減部７４は、例えば、２つの検出値を平均化して各ゲイン誤差を打ち消すことにより、ゲイン誤差を低減することができる。

【0069】

以上説明したように、本実施形態の電流センサ７１の抵抗値補正回路７５は、第１電圧検出部７の第１Ａ／Ｄ変換器１１および第２電圧検出部８の第２Ａ／Ｄ変換器１３の各ゲイン誤差を低減するゲイン誤差低減部７４を備えている。このような構成によれば、第１Ａ／Ｄ変換器１１および第２Ａ／Ｄ変換器１３のゲイン誤差を例えば０．１％といった非常に小さい値に低減することができる。したがって、本実施形態によれば、第１電圧検出部７によるシャント抵抗４の端子電圧の検出精度および第２電圧検出部８による補正抵抗５の端子電圧の検出精度が一層高められ、その結果、検出用抵抗値の補正の精度が一層向上するといった効果が得られる。

【0070】

（第４実施形態）
以下、第４実施形態について図１４を参照して説明する。
図１４に示すように、本実施形態の電流センサ８１は、図１に示した第１実施形態の電流センサ１に対し、温度センサ８２が追加されている点、制御部９に代えて制御部８３を備えている点などが異なっている。温度センサ８２は、シャント抵抗４の近傍に設けられており、シャント抵抗４の温度に応じた第１温度検出信号を出力する。制御部８３は、制御部９に対し、第１温度検出部８４および電流値補正部８５という機能ブロックが追加されている点などが異なっている。

【0071】

上記構成では、補正抵抗５、信号印加部６、第１電圧検出部７、第２電圧検出部８、補正部１６、第１温度検出部８４および電流値補正部８５により、検出用抵抗値を補正する抵抗値補正回路８６が構成されている。第１温度検出部８４は、温度センサ８２から出力される第１温度検出信号に基づいてシャント抵抗４の温度を検出する。電流値補正部８５は、補正部１６と協働して次のような動作を行う。すなわち、電流値補正部８５は、算出抵抗値および第１温度検出部８４による温度の検出値である第１温度検出値に基づいて検出用抵抗値を補正する。具体的には、電流値補正部８５は、第１温度検出値に基づいてシャント抵抗４の温度を把握したうえで、算出抵抗値に基づく検出用抵抗値の補正、ひいては被検出電流の検出値の補正を行う。このように、電流値補正部８５は、第１温度検出値に基づいて被検出電流の検出値を補正するようになっている。

【0072】

以上説明したように、本実施形態の電流センサ８１の抵抗値補正回路８６は、シャント抵抗４の温度を検出する第１温度検出部８４および第１温度検出部８４による温度の検出値である第１温度検出値に基づいて検出用抵抗値、ひいては被検出電流の検出値を補正する電流値補正部８５を備えている。このような構成によれば、シャント抵抗４の抵抗値の温度特性をも考慮したうえで検出用抵抗値を精度良く補正すること、ひいては被検出電流を精度良く検出することができる。

【0073】

（第５実施形態）
以下、第５実施形態について図１５を参照して説明する。
図１５に示すように、本実施形態の電流センサ９１は、図１４に示した第４実施形態の電流センサ８１に対し、温度センサ９２が追加されている点、制御部８３に代えて制御部９３を備えている点などが異なっている。温度センサ９２は、補正抵抗５の近傍に設けられており、補正抵抗５の温度に応じた第２温度検出信号を出力する。制御部９３は、制御部８３に対し、第２温度検出部９４という機能ブロックが追加されている点、電流値補正部８５に代えて電流値補正部９５が設けられている点などが異なっている。

【0074】

上記構成では、補正抵抗５、信号印加部６、第１電圧検出部７、第２電圧検出部８、補正部１６、第１温度検出部８４、第２温度検出部９４および電流値補正部９５により、検出用抵抗値を補正する抵抗値補正回路９６が構成されている。第２温度検出部９４は、温度センサ９２から出力される第２温度検出信号に基づいて補正抵抗５の温度を検出する。電流値補正部９５は、電流値補正部８５と同様の動作に加え、補正部１６と協働して次のような動作を行う。すなわち、電流値補正部９５は、第２温度検出部９４による温度の検出値である第２温度検出値に基づいて補正抵抗値を補正し、その補正後の補正抵抗値を用いて算出抵抗値を算出する。言い換えると、電流値補正部９５は、第２温度検出値に基づいて算出抵抗値を補正する。そして、電流値補正部９５は、その補正後の算出抵抗値および第１温度検出値に基づいて検出用抵抗値を補正する、ひいては被検出電流の検出値を補正する。このように、電流値補正部９５は、第１温度検出値および第２温度検出値に基づいて被検出電流の検出値を補正するようになっている。

【0075】

以上説明したように、本実施形態の電流センサ９１の抵抗値補正回路９６は、シャント抵抗４の温度を検出する第１温度検出部８４、補正抵抗５の温度を検出する第２温度検出部９４および電流値補正部９５を備えている。この場合、電流値補正部９５は、第１温度検出部８４による温度の検出値である第１温度検出値および第２温度検出部９４による温度の検出値である第２温度検出値に基づいて検出用抵抗値、ひいては被検出電流の検出値を補正する。このような構成によれば、シャント抵抗４の抵抗値の温度特性だけでなく補正抵抗５の抵抗値の温度特性をも考慮したうえで検出用抵抗値を精度良く補正すること、ひいては被検出電流を精度良く検出することができる。

【0076】

（その他の実施形態）
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で任意に変形、組み合わせ、あるいは拡張することができる。
上記各実施形態で示した数値などは例示であり、それに限定されるものではない。
信号印加部６、５２の具体的な構成としては、上記各実施形態において説明した構成に限らずともよく、シャント抵抗４および補正抵抗５の直列回路に対して交流信号を印加することができる構成であればよい。

【0077】

第１同期検波回路１２の具体的な構成としては、上記各実施形態において説明した構成に限らずともよく、シャント抵抗４の端子の信号を入力するとともに交流信号の周波数と同じ周波数で同期検波して信号を抽出して出力することができる構成であればよい。第２同期検波回路１４の具体的な構成としては、補正抵抗の端子の信号を入力するとともに交流信号の周波数と同じ周波数で同期検波して信号を抽出して出力することができる構成であればよい。

【0078】

本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

【符号の説明】

【0079】

１、５１、７１、８１、９１…電流センサ、４…シャント抵抗、５…補正抵抗、６、５２…信号印加部、７…第１電圧検出部、８…第２電圧検出部、１１…第１Ａ／Ｄ変換器、１２…第１同期検波回路、１３…第２Ａ／Ｄ変換器、１４…第２同期検波回路、１６…補正部、１７、５３、７５、８６、９６…抵抗値補正回路、７２…切替部、７４…ゲイン誤差低減部、８４…第１温度検出部、８５、９５…電流値補正部、９４…第２温度検出部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】