特許7492206IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

本願発明は、半導体製造装置用ステンレス鋼部材およびその製造方法に関する。特に、電解研磨方法により表面の平滑化処理を行ったステンレス鋼部材に湿式処理(ウエットプロセス)により形成した金属酸化物皮膜を被覆した半導体製造装置用ステンレス鋼部材およびその製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】金属不純物が少なく、保温性が高いクロム酸化物皮膜被覆ステンレス鋼部材を提供する。
【解決手段】クロム酸化物皮膜の膜厚が190nm~280nmであり、かつ近赤外領域(波長750nm~2500nm)における表面反射率の最大値が60%以下であるクロム酸化物皮膜被覆ステンレス鋼部材である。精密電解研磨工程とクロム酸化皮膜被覆工程とで製造する。精密電解研磨工程は、パルス電圧印加処理、ミクロ曝気処理、電解液噴流処理を含み、研磨後のステンレス鋼表面は、走査型プローブ顕微鏡で計測した凹凸差が30nm以下である。
【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本願発明は、半導体製造装置から発生する金属不純物や半導体処理液中に含まれる金属不純物をpptレベルで管理でき、かつ赤外線反射率が低く保温性が高いクロム酸化物皮膜被覆ステンレス鋼部材およびその製造方法を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本願発明の課題は、以下の態様により解決できる。具体的には、

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本願発明によれば、精密電解研磨処理したステンレス鋼部材と同等の金属不純物の発生が少ない半導体製造装置に供するクロム酸化物皮膜被覆ステンレス鋼部材およびその製造方法を提供できる。
また、クロム酸化物皮膜をステンレス鋼部材に被覆することで赤外線反射率が低く保温性が高い半導体製造装置に供するクロム酸化物皮膜被覆ステンレス鋼部材およびその製造方法を提供できる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本願発明のクロム酸化物皮膜被覆ステンレス鋼部材の製造方法の流れを示す工程図である。
【図2】 本願発明の精密電解研磨処理に供する電解研磨装置の実施態様の1つを示す模式図である。
【図3】 本願発明のパルス電圧印加処理におけるパルス波形(電圧波形)を示す模式図である。
【図4】 本願発明の実施態様における発色電位とクロム酸化物皮膜の厚さとの関係を示すグラフである。
【図5】 本願発明の実施態様における分光吸収データ(250nm~2700nm)である。
【図6】 本願発明の実施態様における走査型プローブ顕微鏡による凹凸表面プロフィルを示す画像である。
【図7】 本願発明の実施態様におけるX線光電子分光分析による表面元素分析を示すデータである。

代表図 図1本件の代表的な図

100 電解研磨装置 10 電解研磨処理槽 11 マイクロバブル発生装置 12 マイクロバブル送気管 13 マイクロバブル 14 散気装置 15 コンプレッサー 16 送気管 17 旋回流 18 噴流ノズル 20 パルス電圧発生装置 21 被研磨金属 22 導線 23 電解研磨液

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