特許 7492831 スパッタリングターゲット材

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-22

(45)【発行日】2024-05-30

(54)【発明の名称】スパッタリングターゲット材

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/34 20060101AFI20240523BHJP

   C22C 38/00 20060101ALI20240523BHJP

   C22C 19/07 20060101ALI20240523BHJP

【ＦＩ】

C23C14/34 A

C22C38/00 303Z

C22C19/07 C

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2020000247

(22)【出願日】2020-01-06

(65)【公開番号】P2021109979

(43)【公開日】2021-08-02

【審査請求日】2022-11-09

(73)【特許権者】

【識別番号】000180070

【氏名又は名称】山陽特殊製鋼株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000556

【氏名又は名称】弁理士法人有古特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】松原 慶明

【審査官】山本 一郎

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－０５７４９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１５／０８０００９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－２１４０３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１５／０７２１４０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００７－０３１８２７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２３Ｃ １４／３４

Ｃ２２Ｃ ３８／００

Ｃ２２Ｃ １９／０７

ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

その材質が、Ｂと、Ｃｏ及び／又はＦｅと、を含み、残部が不可避的不純物からなる合金であるスパッタリングターゲット材であって、この合金の、Ｃｏ、Ｆｅ及びＢの合計に対するＢの比率が、３３ａｔ．％以上５０ａｔ．％以下であり、
上記合金の金属組織が、
（ａ）第１の相又は第２の相から形成されている非Ｂ合金相
（ｂ）（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相
及び
（ｃ)（ＣｏＦｅ）Ｂ相
を含んでおり、
前記第１の相が、Ｃｏ及びＦｅの合計に対するＣｏの比率が８０ａｔ．％未満であるＣｏＦｅ相からなり、
前記第２の相が、Ｃｏ及びＦｅの合計に対するＣｏの比率が８０ａｔ．％以上であるＣｏＦｅ相からなり、
前記ＣｏＦｅ相、前記（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相及び前記（ＣｏＦｅ）Ｂ相のそれぞれについて、Ｃｏ又はＦｅの比率が０ａｔ．％の場合を含む、スパッタリングターゲット材。

【請求項2】

Ｘ線回折法により求められた、上記第１の相のｂｃｃ（１１０）面のピーク強度がＩａであり、上記第２の相のｆｃｃ（１１１）面のピーク強度がＩｂであり、上記（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相の（２１１）面のピーク強度がＩｃであるとき、ピーク強度Ｉａとピーク強度Ｉｂとの合計（Ｉａ＋Ｉｂ）の、ピーク強度Ｉｃに対する比（Ｉａ＋Ｉｂ）／Ｉｃが、０．０２以上である請求項１に記載のスパッタリングターゲット材。

【請求項3】

第一粉末と第二粉末とを混合して、混合粉末を得ること、
及び
上記混合粉末を固化成形すること
を含み、
上記第一粉末が多数の粒子からなり、この第一粉末をなす各粒子の材質が、Ｂと、Ｃｏ及び／又はＦｅと、を含み、その残部が不可避的不純物からなる合金Ｍ１であり、この合金Ｍ１の、Ｃｏ、Ｆｅ及びＢの合計に対するＢの比率が、３３ａｔ．％以上５０ａｔ．％以下であり、
上記第二粉末が多数の粒子からなり、この第二粉末をなす各粒子の材質が、Ｂと、Ｃｏ及び／又はＦｅと、を含み、その残部が不可避的不純物からなる合金Ｍ２であり、この合金Ｍ２の、Ｃｏ、Ｆｅ及びＢの合計に対するＢの比率が、１５ａｔ．％以上３３ａｔ．％未満であり、
上記混合粉末において、Ｃｏ、Ｆｅ及びＢの合計に対するＢの比率が、３３ａｔ．％以上５０ａｔ．％以下である、請求項１に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、スパッタリングターゲット材に関する。詳細には、本発明は、磁性層の製造に用いるスパッタリングターゲット材に関する。

【背景技術】

【0002】

磁気ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）等の磁気デバイスには、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子が採用されている。ＭＴＪ素子は、高いトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）信号、低いスイッチング電流密度（Ｊｃ）等の特徴を示す。

【0003】

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子は、通常、Ｃｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金からなる２枚の磁性層で、ＭｇＯからなる遮蔽層を挟んだ構造を有している。この磁性層は、その材質がＣｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金であるターゲット材を用いたスパッタリングにより得られる薄膜である。ターゲット材をなすＣｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金中のホウ素（Ｂ）含量を増加することにより、得られる磁性層の磁気性能が向上して、ＭＴＪ素子の高いＴＭＲ信号が達成される。

【0004】

一方、ホウ素含量の増加に従って、スパッタリング時にパーティクルの発生頻度が高くなる。特に、ホウ素含量３３ａｔ．％以上の合金からなるターゲット材の使用時に、パーティクルの発生が顕著である。パーティクルの発生は、得られる磁性膜の品質劣化の原因となる。品質が劣化した磁性膜は、磁気デバイスの性能を不安定化させる。そのため、歩留まりが低下するという問題があった。

【0005】

特開２００４－３４６４２３公報（特許文献１）には、断面ミクロ組織においてホウ化物相を微細分散化させたＣｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金ターゲット材が開示されている。特開２０１７－０５７４７７公報（特許文献２）では、（ＣｏＦｅ）_３Ｂ、Ｃｏ_３Ｂ及びＦｅ_３Ｂの形成を低減したスパッタリングターゲット材が提案されている。国際公開ＷＯ２０１６－１４０１１３公報（特許文献３）には、酸素含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以下の磁性材スパッタリングターゲットが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２００４－３４６４２３公報

【文献】特開２０１７－０５７４７７公報

【文献】国際公開ＷＯ２０１６－１４０１１３公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

近年、ＭＴＪ素子の性能向上のために、Ｃｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金中のホウ素含量のさらなる増加が要望されている。特許文献１は、ホウ素含量が３０ａｔ．％を超えるターゲット材を開示していない。特許文献２では、ターゲット原料であるＣｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末から、微粉が除去されている。特許文献３では、Ｃｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金のインゴットから酸化物の多い部分が切除されている。特許文献２及び３に開示されたターゲット材は、いずれも製造効率上、好ましいものではない。

【0008】

本発明の目的は、スパッタリング時のパーティクルの発生が少なく、かつ、効率的な製造が可能なターゲット材の提供である。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明者等の知見によれば、Ｃｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を焼結してなるターゲット材に形成される金属組織の構成相は、ホウ素含量３３ａｔ．％を境界として変化する。詳細には、ホウ素含量３３ａｔ．％未満の領域では、合金相であるＣｏＦｅ相と、ホウ化物相である（ＣｏＦｅ）_３Ｂ相及び／又は（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相が形成されるが、ホウ素含量３３ａｔ．％以上の領域では、合金相であるＣｏＦｅ相が消失し、ホウ化物相である（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相及び／又は（ＣｏＦｅ）Ｂ相が形成される。本発明者等は、この合金相の消失が、パーティクル発生の増加に作用することに着目して、本発明を完成した。

【0010】

即ち、本発明に係るスパッタリングターゲット材の材質は、Ｂと、Ｃｏ及び／又はＦｅと、を含み、残部が不可避的不純物からなる合金である。この合金の、Ｃｏ、Ｆｅ及びＢの合計に対するＢの比率は、３３ａｔ．％以上５０ａｔ．％以下である。この合金の金属組織は、
（ａ）第１の相又は第２の相から形成されている非Ｂ合金相
（ｂ）（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相
及び
（ｃ)（ＣｏＦｅ）Ｂ相
を含んでいる。第１の相は、Ｃｏ及びＦｅの合計に対するＣｏの比率が８０ａｔ．％未満であるＣｏＦｅ相からなる。第２の相は、Ｃｏ及びＦｅの合計に対するＣｏの比率が８０ａｔ．％以上であるＣｏＦｅ相からなる。これらＣｏＦｅ相、（ＣｏＦｅ） _２ Ｂ相及び（ＣｏＦｅ）Ｂ相のそれぞれについて、Ｃｏ又はＦｅの比率が０ａｔ．％の場合を含む。

【0011】

好ましくは、Ｘ線回折法により求められた、第１の相のｂｃｃ（１１０）面の回折ピーク強度がＩａであり、第２の相のｆｃｃ（１１１）面のピーク強度がＩｂであり、（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相の（２１１）面の回折ピーク強度がＩｃであるとき、ピーク強度Ｉａとピーク強度Ｉｂとの合計（Ｉａ＋Ｉｂ）の、ピーク強度Ｉｃに対する比（Ｉａ＋Ｉｂ）／Ｉｃは、０．０２以上である。

【発明の効果】

【0012】

本発明に係るスパッタリングターゲット材の材質は、ホウ素含量が３３ａｔ．％以上５０ａｔ．％以下のＣｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金である。このターゲット材を用いて得られる磁性膜の磁気性能は、高い。このターゲット材中に形成された金属組織は、非Ｂ合金相を含む。このターゲット材によれば、スパッタリング時のパーティクルの発生が低減され、磁性膜製造の歩留まりが向上する。このターゲット材によれば、高性能かつ高品質の磁性膜を効率良く製造することができる。このターゲット材は、磁気ヘッド、ＭＲＡＭ等の磁気デバイスに用いる磁性膜の製造に適している。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は、実施例のスパッタリングターゲット材のＸ線回折により得られた回折パターンである。

【図2】図２は、比較例のスパッタリングターゲット材のＸ線回折により得られた回折パターンである。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、好ましい実施形態に基づいて本発明が詳細に説明される。なお、本願明細書において、範囲を示す「Ｘ～Ｙ」は「Ｘ以上Ｙ以下」を意味する。

【0015】

本発明に係るスパッタリングターゲット材の材質は、Ｂと、Ｃｏ及び／又はＦｅと、を含み、その残部が不可避的不純物からなる合金である。本発明の効果が阻害されない限り、この合金は、任意成分として他の金属元素を含みうる。

【0016】

この合金の、Ｃｏ、Ｆｅ及びＢの合計に対するＢの比率（以下、ホウ素含量とも称する）は、３３ａｔ．％以上５０ａｔ．％以下である。Ｂの比率を３３ａｔ．％以上とすることにより、得られる磁性膜の磁気性能が向上する。この磁性膜を組み込むことにより、ＭＴＪ素子の高いＴＭＲ信号が達成される。Ｂの比率が５０ａｔ．％を超える合金組成では、純Ｂ相が形成されるため、後述する金属組織が得られない。

【0017】

このスパッタリングターゲット材には、
（ａ）ＣｏＦｅ相、Ｃｏ相又はＦｅ相からなる非Ｂ合金相
（ｂ）（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相
及び
（ｃ)（ＣｏＦｅ）Ｂ相
を含む金属組織が形成されている。この非Ｂ合金相は、
（Ｉ）Ｃｏ及びＦｅの合計に対するＣｏの比率が８０ａｔ．％未満であるＣｏＦｅ相と、Ｆｅ相からなる第１の相、
又は
（II）Ｃｏ及びＦｅの合計に対するＣｏの比率が８０ａｔ．％以上であるＣｏＦｅ相と、Ｃｏ相からなる第２の相
から形成されている。この非Ｂ合金相とは、換言すれば、本質的にホウ素を含まない相を意味する。

【0018】

本発明の特徴は、その材質が、ホウ素含量３３ａｔ．％以上の合金であるにも関わらず、金属組織に合金相であるＣｏＦｅ相を含む非Ｂ合金相が存在していることにある。この金属組織を有するターゲット材によれば、スパッタリング時のパーティクルの発生が顕著に低減される。

【0019】

（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相及び（ＣｏＦｅ）Ｂ相は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＢの反応によって形成されるホウ化物相である。好ましくは、金属組織における非Ｂ合金相の、（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相に対する存在比率が制御される。この存在比率は、Ｘ線回折法により求められる各相の回折ピーク強度を指標として、制御される。具体的には、Ｘ線回折法により得られる回折パターンから、第１の相のｂｃｃ（１１０）面のピーク強度Ｉａ、第２の相のｆｃｃ（１１１）面のピーク強度Ｉｂ及び（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相の（２１１）面のピーク強度Ｉｃを求める。第１の相のｂｃｃ（１１０）面の回折ピーク、第２の相のｆｃｃ（１１１）面の回折ピーク及び（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相の（２１１）面の回折ピークは、他の化合物のピークと重複せず、独立していることから、各ピーク強度を精度よく求めることができる。

【0020】

ここで、第１の相のｂｃｃ（１１０）面のピーク強度Ｉａと第２の相のｆｃｃ（１１１）面のピーク強度Ｉｂとの合計（Ｉａ＋Ｉｂ）の、（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相の（２１１）面のピーク強度Ｉｃに対する比（Ｉａ＋Ｉｂ）／Ｉｃは、０．０２以上が好ましい。比（Ｉａ＋Ｉｂ）／Ｉｃが０．０２以上のターゲット材をスパッタリングに用いることにより、パーティクルの発生が低減され、得られる磁性膜の性能が向上する。この観点から、比（Ｉａ＋Ｉｂ）／Ｉｃは、０．０５以上がより好ましく、０．１０以上が特に好ましい。

【0021】

このスパッタリングターゲット材は、いわゆる粉末冶金により製造される。粉末冶金では、原料である粉末を高圧下で加熱して固化成形することにより焼結体を形成する。この焼結体を、機械的手段等で適正な形状に加工することにより、ターゲット材が得られる。

【0022】

このスパッタリングターゲット材の原料粉末（即ち、ターゲット材用粉末）は、第一粉末と第二粉末との混合粉末である。第一粉末及び第二粉末は、それぞれ、多数の粒子からなる。

【0023】

第一粉末をなす各粒子の材質は、Ｂと、Ｃｏ及び／又はＦｅと、を含み、その残部が不可避的不純物からなる合金Ｍ１である。この合金Ｍ１の、Ｃｏ、Ｆｅ及びＢの合計に対するＢの比率は、３３ａｔ．％以上５０ａｔ．％以下である。この合金Ｍ１の金属組織は、非Ｂ合金相を含まない。

【0024】

第二粉末をなす各粒子の材質は、Ｂと、Ｃｏ及び／又はＦｅと、を含み、その残部が不可避的不純物からなる合金Ｍ２である。この合金Ｍ２の、Ｃｏ、Ｆｅ及びＢの合計に対するＢの比率は、１５ａｔ．％以上３３ａｔ．％未満である。この合金Ｍ２の金属組織は、非Ｂ合金相を含む。

【0025】

この第一粉末と第二粉末との混合粉末であるターゲット材用粉末において、Ｃｏ、Ｆｅ及びＢの合計に対するＢの比率は、３３ａｔ．％以上５０ａｔ．％以下である。

【0026】

このターゲット材用粉末は、これを原料粉末として得られるターゲット材に、非Ｂ合金相を含む金属組織を形成することができる。詳細には、このターゲット材用粉末は、非Ｂ合金相と、（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相と、（ＣｏＦｅ）Ｂ相とを含む金属組織を形成することができる。この金属組織において、Ｘ線回折法により求められた、第１の相のｂｃｃ（１１０）面のピーク強度Ｉａと第２の相のｆｃｃ（１１１）面のピーク強度Ｉｂとの合計（Ｉａ＋Ｉｂ）の、（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相の（２１１）面のピーク強度Ｉｃに対する比（Ｉａ＋Ｉｂ）／Ｉｃは、０．０２以上である。

【0027】

第一粉末及び第二粉末は、それぞれ、アトマイズ法により製造されうる。アトマイズ法の種類は特に限定されず、ガスアトマイズ法であってもよく、水アトマイズ法であってもよく、遠心力アトマイズ法であってもよい。アトマイズ法の実施に際しては、既知のアトマイズ装置及び製造条件が適宜選択されて用いられる。

【0028】

このターゲット材用粉末において、第一粉末と第二粉末との混合比は特に限定されない。第一粉末及び第二粉末の組成に応じて、混合後に前述した組成が得られるように、適宜調節される。第一粉末と第二粉末との混合には、既知の混合器が用いられうる。本発明の効果が阻害されない限り、第一粉末及び第二粉末に加えて、さらに他の組成の粉末を混合してもよい。

【0029】

前述した通り、このターゲット材用粉末を固化成形して得られる焼結体を加工することにより、スパッタリングターゲット材が製造される。好ましくは、固化成形前に、このターゲット材用粉末が篩分級される。第一粉末及び第二粉末の混合前に、各粉末を篩分級してもよい。この篩分級の目的は、焼結を阻害する粒子径５００μｍ以上の粒子（粗粉）を除去することにある。このターゲット材用粉末では、粗粉除去以外の粒度調整をしない場合でも、本発明の効果が得られる。

【0030】

ターゲット材の製造に際し、このターゲット材用粉末を固化成形する方法及び条件は、特に限定されない。例えば、熱間静水圧法（ＨＩＰ法）、ホットプレス法、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ法）、熱間押出法等が適宜選択される。また、固化成形して得られた焼結体を加工する方法も、特に限定されず、既知の機械的加工手段が用いられ得る。

【0031】

このターゲット材用粉末を用いて得られるターゲット材は、例えば、ＭＴＪ素子に使用されるＣｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金の薄膜を形成するためのスパッタリングに好適に使用される。このターゲット材によれば、従来困難であった高いホウ素含量において、スパッタリング時のパーティクルの発生が顕著に低減される。これにより、性能に優れた磁性膜を効率良く得ることが可能になり、製造の歩留まりが向上する。

【実施例】

【0032】

以下、実施例によって本発明の効果が明らかにされるが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるべきではない。

【0033】

［第一粉末及び第二粉末の製造］
表１－２に、第一粉末及び第二粉末として示される組成となるように、各原料を秤量して、耐火物からなる坩堝に投入して、減圧下、Ａｒガス雰囲気で、誘導加熱により溶解した。その後、溶解した溶湯を、坩堝下部に設けられた小孔（直径８ｍｍ）から流出させ、高圧のＡｒガスを用いてガスアトマイズすることにより、ターゲット材製造用の原料粉末を得た。

【0034】

［スパッタリングターゲット材の製造］
得られた第一粉末及び第二粉末を用いて、以下の手順により、実施例のターゲット材Ｎｏ．１－１３及び比較例のターゲット材Ｎｏ．１４－１６を製造した。

【0035】

始めに、ガスアトマイズ法で得た第一粉末及び第二粉末をそれぞれ篩分級して、直径５００μｍ以上の粗粉を除去した。次に、篩分級後の第一粉末（Ａ）及び第二粉末（Ｂ）を、表１－２に示される混合比Ａ：Ｂ（mass%）となるように、Ｖ型混合器に投入して、３０～６０分間混合して、混合粉末を得た。得られた混合粉末を、炭素鋼で形成された缶（外径２２０ｍｍ、内径２１０ｍｍ、長さ２００ｍｍ）に充填して真空脱気した後、ＨＩＰ装置を用いて、温度８００～１２００℃、圧力１００～１５０ＭＰａ、保持時間１～５時間の条件で、焼結体を作製した。得られた焼結体を、ワイヤーカット、旋盤加工及び平面研磨により、直径１８０ｍｍ、厚さ７ｍｍの円盤状に加工して、スパッタリングターゲット材とした。

【0036】

Ｖ型混合器による混合を実施しなかったこと以外は、同様の手順により、比較例のターゲット材Ｎｏ．１８－１９を製造した。

【0037】

［比（Ｉａ＋Ｉｂ）／Ｉｃ］
実施例及び比較例の各ターゲット材から試験片を採取し、この試験片をガラス板に両面テープで貼り付け、Ｘ線回折装置で測定することにより回折パターンを得た。回折条件は、下記の通りである。
Ｘ線源：Ｃｕ－α線
スキャンスピード：４°／ｍｉｎ
回折角２θ：２０～８０°

【0038】

この回折パターンにて、第１の相のｂｃｃ（１１０）面のピーク強度Ｉａ、第２の相のｆｃｃ（１１１）面のピーク強度Ｉｂ、及び（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相の（２１１）面のピーク強度Ｉｃを求め、比（Ｉａ＋Ｉｂ）／Ｉｃを算出した。得られた比（Ｉａ＋Ｉｂ）／Ｉｃが、下表１－２に示されている。

【0039】

［パーティクル評価］
実施例及び比較例のターゲット材を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタにて、スパッタリングをおこなった。スパッタリング条件は、以下の通りである。
基板：アルミ基板（直径９５ｍｍ、厚み１．７５ｍｍ）
チャンバー内雰囲気：アルゴンガス
チャンバー内圧：圧力０．９Ｐａ
スパッタリング後、Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｎａｌｙｚｅｒにて、直径９５ｍｍのアルミ基板上に付着した直径０．１μｍ以上のパーティクルを係数し、下記の基準に基づき、格付けを行った。この結果が、パーティクル評価として、下表１－２に示されている。
Ａ：パーティクル数１０個以下
Ｂ：パーティクル数１０個超２００個以下
Ｃ：パーティクル数２００超

【0040】

【表1】

【0041】

【表2】

【0042】

実施例Ｎｏ．２のターゲット材で得られた回折パターンが、図１に示されている。図１には、第１の相のｂｃｃ（１１０）面の回折ピークと、（ＣｏＦｅ）_２Ｂ相の（２１１）面の回折ピークとが示されている。実施例Ｎｏ．２では、第２の相のｆｃｃ（１１１）面の回折ピークは検出されなかった。

【0043】

比較例Ｎｏ．１６のターゲット材で得られた回折パターンが、図２に示されている。図２から、比較例Ｎｏ．１６では、第１の相のｂｃｃ（１１０）面の回折ピーク及び第２の相のｆｃｃ（１１１）面の回折ピークは検出されなかった。

【0044】

実施例Ｎｏ．１及びＮｏ．３－１３並びに比較例Ｎｏ．１９のターゲット材で得られた回折パターンでは、Ｎｏ．２と同様に、第１の相のｂｃｃ（１１０）面の回折ピークが検出された。一方、比較例Ｎｏ．１４－１６のターゲット材で得られた回折パターンでは、Ｎｏ．１８と同様に、第１の相のｂｃｃ（１１０）面の回折ピーク及び第２の相のｆｃｃ（１１１）面の回折ピークは検出されなかった。

【0045】

表１に示される通り、合金相である非Ｂ合金相を含む金属組織が形成された実施例Ｎｏ．１－１３では、その材質が、ホウ素含量３３ａｔ．％以上のＣｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金であるにも関わらず、パーティクルの発生が低減された。一方、表２に示される通り、ホウ素含量が多く、金属組織に非Ｂ合金相を含まない比較例Ｎｏ．１４－１６及び１８では、多数のパーティクルが発生した。比較例Ｎｏ．１９では、金属組織に非Ｂ合金相を含むことによりパーティクルの発生が低減されたが、その材質が、ホウ素含量３３ａｔ．％未満のＣｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金であるため、得られる磁性膜の性能向上効果が見込めない。

【0046】

以上説明された通り、実施例のターゲット材は、比較例のターゲット材に比べて評価が高い。この評価結果から、本発明の優位性は明らかである。

【産業上の利用可能性】

【0047】

以上説明されたスパッタリングターゲット材は、Ｃｏ－Ｆｅ－Ｂ系合金からなる薄膜を用いる種々の用途に適用されうる。

【図1】

【図2】