特許 7492879 半導体パッケージの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-22

(45)【発行日】2024-05-30

(54)【発明の名称】半導体パッケージの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/02 20060101AFI20240523BHJP

   H01L 23/08 20060101ALI20240523BHJP

【ＦＩ】

H01L23/02 B

H01L23/08 C

【請求項の数】 1

(21)【出願番号】P 2020128945

(22)【出願日】2020-07-30

(65)【公開番号】P2022025834

(43)【公開日】2022-02-10

【審査請求日】2022-06-09

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100160691

【弁理士】

【氏名又は名称】田邊 淳也

(72)【発明者】

【氏名】長谷川 達也

(72)【発明者】

【氏名】井本 洋介

(72)【発明者】

【氏名】外山 豊

【審査官】ゆずりは 広行

(56)【参考文献】

【文献】特開２００３－３３８５７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２８１２３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－１８６５４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５９－０１７２７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６２－２６１１５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－１５６１９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２６９７２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１６／１５２７３３（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２３／０２

Ｈ０１Ｌ ２３／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

枠部と、前記枠部の上端部に接合される蓋体とを有する半導体パッケージの製造方法であって、
前記枠部を形成するためのグリーンシートを準備する準備工程と、
前記グリーンシートの一対の主面のそれぞれに、前記一対の主面の対向方向に向かい合う溝を形成する形成工程と、
溝が形成された前記グリーンシートを焼成した後、溝が形成された位置で前記グリーンシートを分離することによって前記枠部を得る焼成工程と、を備え、
前記形成工程では、前記グリーンシートにおいて、前記枠部の前記上端部となる一方の主面に形成する溝の深さを、他方の主面に形成する溝の深さよりも浅くすることによって、前記枠部の上端部を傾斜させる、
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体パッケージ、および、半導体パッケージの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、半導体を収容する収容部を囲む枠部と、枠部に接合される蓋体と、を備える半導体パッケージが知られている。このような半導体パッケージでは、枠部と蓋体とを流動性を有する接合材によって接合することで、収容部の気密を維持する場合がある。例えば、特許文献１には、枠部の蓋体と接合される接合面の内側に、接合材の収容部への流れを規制するダム状部材が配置されるとともに、収容部の接合面に接合される蓋体の端部の厚みを薄くすることで接合面積を小さくする技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１１－１１４１９２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、上述したような先行技術によっても、半導体パッケージにおいて、接合材による半導体の汚染を抑制しつつ、信頼性を向上するためには、なお改善の余地があった。例えば、特許文献１に記載の技術では、枠部の接合面周辺にはダム状部材が配置されるとともに蓋体の端部が薄くなっているため、枠部と蓋体が複雑な形状になりやすい。このため、枠部や蓋体が脆性破壊しやすく、収容部の気密が維持できなくなるおそれがあり、半導体パッケージの信頼性が低下する。一方、ダム状部材を配置しない場合、接合材が収容部に流入するおそれがある。また、蓋体の端部の厚みを厚くすると接合材を多く使用することになるため、収容部に流入する接合材の量が多くなるおそれがある。収容部に流入する接合材は、半導体を汚染したり、電気配線を短絡させたりする。

【0005】

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、半導体パッケージにおいて、接合材による半導体の汚染を抑制しつつ、信頼性を向上する技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

【0007】

（１）本発明の一形態によれば、半導体パッケージが提供される。この半導体パッケージは、半導体が収容される収容部を自身の内側に形成する枠部と、前記枠部の上端部に接合される蓋体と、を備え、前記蓋体を鉛直方向上方に配置したとき、前記枠部の前記上端部は、前記収容部側である内側から外側に向かって高さが低くなるように傾斜している傾斜部を有する。

【0008】

この構成によれば、蓋体を枠部の鉛直方向上方に配置し、枠部と蓋体とを流動性がある接合材で接合する場合、枠部の上端部では、接合材は、傾斜部に沿って収容部側である内側から外側に向かって流れやすくなる。これにより、接合材が、収容部に流入することが抑制されるため、収容部に収容される半導体が接合材によって汚染されることを抑制できる。また、枠部の上端部に、内側から外側に向かって高さが低くなるように傾斜している傾斜部を有する比較的簡素な構造で、接合材の収容部への流入を抑制することができる。これにより、枠部および蓋体が簡素な構造になるため脆性破壊しにくくなり、収容部の気密を維持できる。したがって、収容部に収容される半導体が接合材によって汚染されることを抑制しつつ、信頼性を向上することができる。

【0009】

（２）上記形態の半導体パッケージにおいて、前記傾斜部は、前記上端部の内側の端から外側の端まで形成されていてもよい。この構成によれば、傾斜部は、上端部の内側の端から外側の端まで形成されている。これにより、枠部の上端部と蓋体との間の接合材のほとんどが、傾斜部に沿って内側から外側に向かって流れるため、接合材が収容部に流入することをさらに抑制することができる。したがって、接合材による半導体の汚染をさらに抑制しつつ、信頼性を向上することができる。

【0010】

（３）本発明の別の形態によれば、枠部と、前記枠部の上端部に接合される蓋体とを有する半導体パッケージの製造方法が提供される。この半導体パッケージの製造方法は、前記枠部を形成するためのグリーンシートを準備する準備工程と、前記グリーンシートの一対の主面のそれぞれに、前記一対の主面の対向方向に向かい合う溝を形成する形成工程と、溝が形成された前記グリーンシートを焼成した後、溝が形成された位置で前記グリーンシートを分離することによって前記枠部を得る焼成工程と、を備え、前記形成工程では、前記グリーンシートにおいて、前記枠部の前記上端部となる一方の主面に形成する溝の深さを、他方の主面に形成する溝の深さよりも浅くすることによって、前記枠部の上端部を傾斜させる。この構成によれば、形成工程において、枠部を形成するためのグリーンシートの一対の主面のそれぞれに、一対の主面の対向方向に向かい合う溝を形成する。このとき、枠部の上端部となる一方の主面に形成する溝の深さを、他方の主面に形成する溝の深さよりも浅くする。これにより、グリーンシートは、一方の主面側が、溝が形成されたそれぞれの位置において凹形状となるように変形するため、グリーンシートを分離することで得られる枠部の上端部に、枠部の内側から外側に向かって高さが低くなるように傾斜する傾斜部が形成される。上端部に傾斜部が形成されると、枠部と蓋体とを接合するとき、接合材は傾斜部に沿って枠部の内側から外側に向かって流れるため、簡素な構造で接合材が枠部の内側に流入することを抑制できる。これにより、枠部の内側に収容される半導体の接合材による汚染を抑制しつつ、脆性破壊しにくく信頼性を向上することができる半導体パッケージを容易に製造することができる。

【0011】

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、複数の半導体パッケージを含む半導体パッケージアレイ、半導体パッケージおよび半導体パッケージアレイの製造方法、これらの製造方法をコンピュータに実行させるコンピュータプログラム、コンピュータプログラムを配布するためのサーバ装置、コンピュータプログラムを記憶した一時的でない記憶媒体等などの形態で実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】第１実施形態の半導体パッケージの模式図である。

【図2】本実施形態の半導体パッケージの製造方法を説明する図である。

【図3】比較例の半導体パッケージの模式図である。

【図4】枠部アレイの斜視図である。

【図5】枠部アレイの断面図である。

【図6】枠部の製造方法を説明する図である。

【図7】比較例の半導体パッケージの枠部の製造方法を説明する図である。

【図8】第１実施形態の半導体パッケージの変形例の模式図である。

【図9】第１実施形態の半導体パッケージの変形例の模式図である。

【図10】第１実施形態の半導体パッケージの変形例の模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態の半導体パッケージ１の模式図である。本実施形態の半導体パッケージ１は、枠部１０と、放熱体２０と、蓋体３０と、接合材４０と、を備える。半導体パッケージ１には、半導体５０が配置される。半導体５０は、例えば、発光ダイオードであり、半導体パッケージ１の外部の制御装置と電気的に接続されており、発光が制御される。なお、半導体５０は、発光ダイオードに限定されず、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴやダイオードなどから構成されるパワーデバイスであってもよいし、他の機能を有する半導体を含んでもよい。半導体パッケージ１は、半導体５０と外部の制御装置とを電気的接続するとともに、半導体５０で発生する熱を外部に放出する。

【0014】

枠部１０は、セラミック、例えば、アルミナによって形成されている枠状部材である。枠部１０は、半導体５０が収容される収容部１１を自身の内側に形成する。枠部１０は、収容部１１の外周に配置され、収容部１１を囲んでいるとも言える。枠部１０の上端部１０ａは、収容部１１側である内側から外側に向かって高さが低くなるように傾斜している傾斜部１２を有する。本実施形態では、図１に示すように、傾斜部１２は、上端部１０ａの内側の端１２ａから外側の端１２ｂまで形成されている。傾斜部１２の傾斜は、内側の端１２ａから外側の端１２ｂに向かって一定の割合で高さが低くなっている。枠部１０の下端部１０ｂには、段差面１３が形成されている。段差面１３には、タングステンにニッケルめっきが施された図示しないメタライズ層が配置されている。収容部１１には、図示しない電気配線が配置されている。この電気配線は、収容部１１に収容されている半導体５０と、半導体パッケージ１の外部の機器とを電気的に接続する。

【0015】

放熱体２０は、例えば、銅から形成されている矩形形状の平板であって、一対の主面２１、２２を有している。一方の主面２１には、半導体５０が配置される。一方の主面２１は、図示しないろう材および段差面１３に形成されているメタライズ層を介して、枠部１０に接合される。放熱体２０は、半導体５０で発生する熱を外部に放出する。

【0016】

蓋体３０は、平板形状の部材であって、例えば、透光性を有するガラスから形成されている。蓋体３０は、枠部１０の上端部１０ａに接合材４０を介して接合される。蓋体３０は、枠部１０および放熱体２０とともに、収容部１１の気密性を維持する。なお、蓋体３０を形成する材料は、ガラスに限定されず、金属から形成されていてもよい。

【0017】

接合材４０は、例えば、エポキシ樹脂であって、枠部１０の上端部１０ａと蓋体３０の表面３１とを接合する。本実施形態では、接合材４０の一部は、枠部１０において、収容部１１側とは反対側の側面１４上に位置している。なお、接合材４０は、エポキシ樹脂に限定されず、例えば、金と錫とからなるろう材であってもよい。

【0018】

次に、半導体パッケージ１の製造方法について説明する。本実施形態では、枠部１０は、金型を用いて成型したセラミックからなるグリーンシートを焼成することで作製する。ここで、グリーンシートを成型するとき、枠部１０の上端部１０ａとなる部分は、金型によって傾斜するように変形させることで傾斜部１２を成型する。

【0019】

図２は、本実施形態の半導体パッケージ１の製造方法を説明する図である。図２には、放熱体２０が接合されている枠部１０に対して、蓋体３０を接合するときの模式図を示している。上述した金型を用いた方法によって成型した枠部１０には、半導体５０が接合された放熱体２０が接合されている。図２（ａ）には、放熱体２０が接合された枠部１０と、蓋体３０とが接合される前の状態を示している。枠部１０と蓋体３０とを接合するとき、図２（ａ）に示すように、枠部１０の上端部１０ａに接合材４０となるエポキシ樹脂４０ａを配置する。

【0020】

図２（ａ）の状態から、枠部１０の鉛直方向上方から蓋体３０を近づけ、蓋体３０を枠部１０の傾斜部１２の内側の端１２ａに接触させる。これにより、流動性を有するエポキシ樹脂４０ａは、蓋体３０の表面３１に接触し、表面３１に沿って広がる（図２（ｂ）参照）とともに、傾斜部１２に沿って外側の端１２ｂに向かって流れる。外側の端１２ｂに向かって流れるエポキシ樹脂４０ａの一部は、枠部１０の傾斜部１２と蓋体３０との間から流れ出て、枠部１０の側面１４に沿って鉛直方向下側に向かう（図２（ｃ）参照）。図２（ｃ）の状態でエポキシ樹脂４０ａが固まると、半導体パッケージ１が完成する。このようにして完成した半導体パッケージ１では、接合材４０が収容部１１に流入することなく、枠部１０の側面１４に位置しており、収容部１１に流入する接合材４０によって半導体５０が汚染されたり、収容部１１の電気配線が短絡したりすることを抑制できる。

【0021】

図３は、比較例の半導体パッケージ８、９の模式図である。ここでは、図３を用いて、比較例の半導体パッケージ８、９における枠部８０、９０と蓋体３０とを接合するときの課題を説明する。図３（ａ）に示す半導体パッケージ８では、枠部８０の上端部８０ａ、すなわち、接合材４０を用いて蓋体３０と接合される部分は、半導体５０が収容される収容部８１側である内側から外側に向かって高さが高くなるように傾斜している傾斜部８２を有する。このため、枠部８０と蓋体３０とを接合材４０によって接合する場合、枠部８０と蓋体３０とに挟まれる接合材４０は、傾斜部８２の外側の端８２ｂから内側の端８２ａに向かって流れる。このとき、接合材４０は、図３（ａ）に示すように、収容部８１に流入するおそれがある（二点鎖線矢印Ｆ８参照）。収容部８１に流入する接合材４０は、半導体５０を汚染したり、収容部８１に配置されている電気配線を短絡したりするおそれがある。

【0022】

図３（ｂ）に示す半導体パッケージ９では、枠部９０の上端部９０ａは、接合される蓋体３０の表面３１と略平行となる平面部９２を有する。このため、枠部９０と蓋体３０とを接合材４０によって接合する場合、枠部９０と蓋体３０とに挟まれる接合材４０は、平面部９２に沿って、枠部９０の収容部９１側と、収容部９１とは反対側との両方に向かって流れる（二点鎖線矢印Ｆ９１参照）。収容部９１側に向かって流れる接合材４０は、図３（ｂ）に示すように、収容部９１に流入するおそれがある（二点鎖線矢印Ｆ９２参照）。収容部９１に流入する接合材４０は、図３（ａ）で示した半導体パッケージ８と同様に、半導体５０を汚染したり、収容部９１に配置されている電気配線を短絡したりするおそれがある。

【0023】

以上説明した、本実施形態の半導体パッケージ１によれば、蓋体３０を枠部１０の鉛直方向上方に配置し、枠部１０と蓋体３０とを流動性がある接合材４０で接合する場合、接合材４０は、傾斜部１２に沿って収容部１１側である内側から外側に向かって流れやすくなる。これにより、接合材４０が、収容部１１に流入することが抑制されるため、収容部１１に収容される半導体５０が接合材４０によって汚染されることを抑制できる。また、枠部１０の上端部１０ａを、内側から外側に向かって高さが低くなるように傾斜している傾斜部１２を有する比較的簡素な構造とすることで、接合材４０の収容部１１への流入を抑制することができる。これにより、枠部１０および蓋体３０が簡素な構造になるため脆性破壊しにくくなり、収容部１１の気密を維持できる。したがって、収容部１１に収容される半導体５０が接合材４０によって汚染されることを抑制しつつ、信頼性を向上することができる。

【0024】

また、本実施形態の半導体パッケージ１によれば、接合材４０の収容部１１への流入を抑制することができるため、収容部１１に配置されている電気配線の短絡を抑制することができる。これにより、半導体パッケージ１の信頼性をさらに向上することができる。

【0025】

また、本実施形態の半導体パッケージ１によれば、傾斜部１２は、上端部１０ａの内側の端１２ａから外側の端１２ｂまで形成されている。これにより、枠部１０の上端部１０ａと蓋体３０との間の接合材４０のほとんどが、傾斜部１２に沿って内側から外側に向かって流れるため、接合材４０が収容部１１の内側に流れ込むことをさらに抑制することができる。したがって、接合材４０による半導体５０の汚染をさらに抑制しつつ、信頼性を向上することができる。

【0026】

＜第２実施形態＞
図４は、枠部アレイ１５の斜視図である。図５は、枠部アレイ１５の断面図である。第２実施形態では、第１実施形態と比較して、枠部１０の製造方法が異なる。

【0027】

本実施形態では、半導体パッケージ１を製造するとき、枠部１０は、図４に示す枠部アレイ１５を用いて製造する。図４に示す枠部アレイ１５は、焼成される前のセラミックからなるグリーンシートであって、焼成後に枠部１０となる枠状部材１５ａがアレイ状に配列された板形状を有している。枠部アレイ１５が有する複数の枠状部材１５ａのそれぞれでは、枠部１０の段差面１３となる段差面１６が、シート状の枠部アレイ１５の一対の主面のうちの一方の側に形成される（図５参照）。ここで、図５に示すように、枠部アレイ１５が有する一対の主面のうち、枠状部材１５ａが枠部１０となったときに放熱体２０が接合される側とは反対側の主面を一方の主面１７とし、枠状部材１５ａが枠部１０となったときに放熱体２０が接合される側の主面を他方の主面１８とする。図５では、便宜的に、主面１７、１８を二点鎖線で示している。枠部アレイ１５は、特許請求の範囲の「グリーンシート」に相当する。

【0028】

図４および図５に示す枠部アレイ１５の一対の主面１７、１８のそれぞれには、隣り合う枠状部材１５ａの間に溝１７ａ、１８ａが形成される。溝１７ａ、１８ａは、一対の主面１７、１８の対向方向に向かい合うように位置している。一方の主面１７に形成される溝１７ａと、他方の主面１８に形成される溝１８ａは、枠部アレイ１５を焼成した後に、複数の枠状部材１５ａを切り離して、枠部１０とするためのものである。本実施形態では、溝１７ａの深さＤ１７は、溝１８ａの深さＤ１８より浅い。なお、図５に示す溝１７ａ、１８ａは、それぞれの深さをわかりやすくするため、実際より大きく示してある。

【0029】

図６は、枠部１０の製造方法を説明する図である。図６に示す図は、図５に示すＡ部の拡大図である。次に、本実施形態の半導体パッケージ１の製造方法のうち、特に、枠部１０の製造方法を説明する。枠部１０を製造するには、最初に、準備工程として、枠部１０を形成するためのグリーンシートを準備する。このとき、準備されるグリーンシートには、枠部１０の収容部１１となる貫通孔と、段差面１６が形成されている。図６（ａ）には、隣り合っている２つの枠状部材１５ａの境界を二点鎖線１５ｂで示している。

【0030】

次に、形成工程として、枠部アレイ１５の両面１７、１８のそれぞれに、溝１７ａ、１８ａを形成する。具体的には、図６（ｂ）に示すように、一方の主面１７に溝１７ａを形成し、他方の主面１８に溝１８ａを形成する。このとき、枠部１０の上端部１０ａとなる一方の主面１７に形成する溝１７ａの深さを、他方の主面１８に形成する溝１８ａの深さよりも浅くする。溝１７ａ、１８ａは、一対の主面１７、１８の対向方向に向かい合うように形成される。

【0031】

枠部アレイ１５では、一対の主面１７、１８のそれぞれに溝１７ａ、１８ａが形成されると、一対の主面１７、１８のそれぞれは、溝１７ａ、１８ａのそれぞれを起点として押し広げられる。この溝を起点として押し広げられる量は、溝の深さが深いほど大きいため、枠部アレイ１５では、一方の主面１７は、他方の主面１８より押し広げられる量が小さい。これにより、図６（ｃ）に示すように、溝１７ａを挟んで２つの枠状部材１５ａのそれぞれの一方の主面１７が近づくように変形する。すなわち、枠部アレイ１５全体では、一方の主面１７側が凹形状となるように変形する。次に、焼成工程として、溝１７ａ、１８ａが形成された枠部アレイ１５を焼成した後、溝１７ａ、１８ａが形成された位置で分離することによって枠部１０を得る。枠部アレイ１５が焼成されるとき、１つの枠状部材１５ａの一方の主面１７は、溝１７ａ側から、図６（ｃ）に示す点線矢印Ａ１の方向に向かって高さが高くなるように傾斜している。このため、枠状部材１５ａが個別に分離されると、一方の主面１７における溝１７ａ側は、枠部１０における収容部１１側とは反対側の外側となるため、一方の主面１７は、枠部１０での収容部１１側である内側から外側に向かって高さが低くなるように傾斜している傾斜部１２となる。なお、図６（ｃ）には、水平な仮想線を二点鎖線Ｌ１で示している。また、図６（ｂ）、６（ｃ）において、枠状部材１５ａと溝１７ａとの境界線が二点鎖線１５ｂに対して傾斜する度合いは、実際より大きく示してある。同様に、枠状部材１５ａと溝１８ａとの境界線が二点鎖線１５ｂに対して傾斜する度合いは、実際より大きく示してある。

【0032】

図７は、比較例の半導体パッケージの枠部の製造方法を説明する図である。比較例の製造方法では、枠部は、本実施形態と同様に、枠部アレイ１５を用いて製造される（図７（ａ）参照）。しかしながら、比較例の製造方法では、一対の主面１７、１８のそれぞれに形成される溝１７ｂ、１８ｂの深さが、本実施形態の製造方法とは異なる。

【0033】

比較例の製造方法では、枠部アレイ１５の両面１７、１８のそれぞれに溝１７ｂ、１８ｂを形成するとき、枠部の上端部となる一方の主面１７に形成する溝１７ｂの深さを、他方の主面１８に形成する溝１８ｂの深さよりも深くする（図７（ｂ）参照）。これにより、比較例の製造方法では、図７（ｃ）に示すように、溝１８ｂを挟んで２つの枠状部材１５ａのそれぞれの他方の主面１８が近づくように変形する。すなわち、枠部アレイ１５全体では、他方の主面１８側が、溝１８ｂが形成されたそれぞれの位置において凹形状となるように変形するため、１つの枠状部材１５ａにおける一方の主面１７は、溝１７ｂ側から図７（ｃ）に示す点線矢印Ａ２の方向に向かって高さが低くなるように傾斜する（図７（ｃ）に示す水平な仮想線Ｌ１参照）。このため、蓋体と接合する枠部の上端部に配置される接合材は、上端部に沿って枠部が囲む収容部に流入するおそれがあるため、収容部に収容される半導体の汚染や電気配線の短絡が発生するおそれがある。

【0034】

以上説明した、本実施形態の半導体パッケージ１の製造方法によれば、形成工程において、枠部アレイ１５の両面１７、１８のそれぞれに、一対の主面１７、１８の対向方向に向かい合う溝１７ａ、１８ａを形成する。このとき、枠部１０の上端部１０ａとなる一方の主面１７に形成する溝１７ａの深さを、他方の主面１８に形成する溝１８ａの深さよりも浅くする。これにより、枠部アレイ１５は、一方の主面１７側が、溝１７ｂが形成されたそれぞれの位置において凹形状となるように変形するため、枠部アレイ１５を分離することで得られる枠部１０の上端部１０ａに、枠部１０の内側から外側に向かって高さが低くなるように傾斜する傾斜部１２が形成される。上端部１０ａに傾斜部１２が形成されると、枠部１０と蓋体３０とを接合するとき、接合材４０は傾斜部１２に沿って枠部１０の内側から外側に向かって流れるため、簡素な構造で接合材４０が枠部１０の内側に流入することを抑制できる。これにより、枠部１０の内側に収容される半導体５０の接合材４０による汚染を抑制しつつ、脆性破壊しにくく信頼性を向上することができる半導体パッケージ１を容易に製造することができる。

【0035】

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

【0036】

［変形例１］
上述の実施形態では、蓋体３０は、平板形状の部材であるとした。しかしながら、蓋体の形状はこれに限定されない。凹形状であってもよく、枠部と蓋体とによって半導体を収容する収容部を形成してもよい。

【0037】

図８は、第１実施形態の半導体パッケージ１の変形例の模式図である。図８に示す半導体パッケージ２は、枠部１０と、放熱体２０と、蓋体６０と、接合材４０と、を備える。蓋体６０は、凹形状の部材であって、枠部１０とともに半導体５０を収容する収容部１１を形成する。蓋体６０の２つの端部６１は、接合材４０によって枠部１０の傾斜部１２に接合される。蓋体６０の端部６１と傾斜部１２との間に配置される接合材４０は、傾斜部１２に沿って枠部１０の外側に流れるため、接合材４０が収容部１１に流れ込むことを抑制できる。

【0038】

［変形例２］
上述の実施形態では、枠部１０の傾斜部１２は、内側の端１２ａから外側の端１２ｂまで形成されているとした。しかしながら、傾斜部１２の形状はこれに限定されない。

【0039】

図９は、第１実施形態の半導体パッケージ１の変形例の模式図である。図９に示す半導体パッケージ３の枠部１０が有する上端部１０ａは、傾斜部１２と、平面部１９とを有する。半導体パッケージ３では、図９に示すように、平面部１９は、上端部１０ａにおいて、収容部１１側に形成されており、蓋体３０の表面３１と接触する。傾斜部１２は、平面部１９の外側、すなわち、上端部１０ａにおいて外側寄りに形成されており、上端部１０ａの外側の端１２ｂまで形成されている。このような形態の枠部１０でも、接合材４０は、外側に向かって流れるため、接合材４０の収容部１１内への流入を抑制することができる。なお、上端部１０ａでの傾斜部１２の面積は、平面部１９の面積より広い方が望ましいが、これに限定されない。少しでも傾斜部１２があることによって、接合材４０が外側に向かって流れるため、接合材４０の収容部１１内への流入を抑制することができる。

【0040】

［変形例３］
第１実施形態では、枠部１０は、グリーンシートにおいて、枠部１０の上端部１０ａとなる部分を、金型を用いて成型するときに、金型によって傾斜するように変形させて傾斜部１２を成型するとした。しかしながら、傾斜部の成型方法は、これに限定されない。例えば、枠部１０となるグリーンシートを焼成した後、上端部１０ａを研磨することで傾斜部を形成してもよい。

【0041】

［変形例４］
第１実施形態では、傾斜部１２の傾斜は、内側の端１２ａから外側の端１２ｂに向かって一定の割合で高さが低くなっているとした。しかしながら、傾斜部１２の傾斜は、一定の割合で変化しなくてもよい。内側から外側に向かって高さが低くなるように傾斜していればよい。

【0042】

［変形例５］
第２実施形態では、半導体パッケージ１の製造方法において、枠部１０の上端部１０ａとなる一方の主面１７に形成する溝１７ａの深さを、他方の主面１８に形成する溝１８ａの深さよりも浅くすることで、枠部１０の傾斜部１２を形成するとした。しかしながら、傾斜部１２の形成方法は、これに限定されない。

【0043】

［変形例６］
上述の実施形態では、放熱体２０は、銅から形成されており、枠部１０は、アルミナから形成されるとした。しかしながら、放熱体２０および枠部１０を形成する材料はこれに限定されない。また、放熱体はなくてもよく、半導体が配置される枠部が凹形状に形成されていてもよい。

【0044】

図１０は、第１実施形態の半導体パッケージ１の変形例の模式図である。図１０に示す半導体パッケージ４は、基体７０と、蓋体３０と、接合材４０と、を備える。基体７０は、凹形状に形成されており、２つの端部７０ａには、内側の端７２ａから外側の端７２ｂに向かって高さが低くなるように傾斜している傾斜部７２が形成されている。半導体５０は、図１０に示すように、基体７０の内側である収容部７１に配置されている。これにより、基体７０の傾斜部７２と、蓋体３０との間に接合材４０は、内側の端７２ａから外側の端７２ｂに向かって流れるため、接合材４０の収容部７１内への流入を抑制することができる。

【0045】

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

【符号の説明】

【0046】

１，２，３，４…半導体パッケージ
１０，７０…枠部
１０ａ，７０ａ…上端部
１１，７１…収容部
１２，７２…傾斜部
１２ａ，７２ａ…内側の端
１２ｂ，７２ｂ…外側の端
１５…枠部アレイ
１５ａ…枠状部材
１７…一方の主面
１８…他方の主面
１７ａ，１８ａ…溝
３０，６０…蓋体
４０…接合材
５０…半導体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】