特許 7493568 有機発光表示装置及び有機発光表示パネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-23

(45)【発行日】2024-05-31

(54)【発明の名称】有機発光表示装置及び有機発光表示パネル

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/121 20230101AFI20240524BHJP

   G02B 5/20 20060101ALI20240524BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240524BHJP

   H10K 50/125 20230101ALI20240524BHJP

   H10K 50/86 20230101ALI20240524BHJP

   H10K 59/126 20230101ALI20240524BHJP

   H10K 50/84 20230101ALI20240524BHJP

   H10K 59/38 20230101ALI20240524BHJP

【ＦＩ】

H10K59/121 213

G02B5/20 101

G09F9/30 365

G09F9/30 349B

H10K50/125

H10K50/86 865

H10K59/126

H10K50/84

H10K59/38

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2022170242

(22)【出願日】2022-10-25

(65)【公開番号】P2023099290

(43)【公開日】2023-07-12

【審査請求日】2022-10-25

(31)【優先権主張番号】10-2021-0192617

(32)【優先日】2021-12-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100114915

【弁理士】

【氏名又は名称】三村 治彦

(74)【代理人】

【識別番号】100125139

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 洋

(74)【代理人】

【識別番号】100209808

【弁理士】

【氏名又は名称】三宅 高志

(72)【発明者】

【氏名】黄 盛 煥

(72)【発明者】

【氏名】姜 秉 旭

(72)【発明者】

【氏名】朴 恩 智

【審査官】藤岡 善行

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０３５５７６３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１９－００６４００４（ＫＲ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ ５０／００ － ９９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と
前記基板上の発光領域と、
前記発光領域に隣接する非発光領域と、
前記基板上に配置され、前記発光領域に重畳する第１のカラーフィルタ、前記非発光領域に重畳する第２のカラーフィルタを含むカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に配置された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に配置された第１のアクティブ層と、
前記第１のアクティブ層の上面の一部に配置されたゲート電極と、
前記第１のアクティブ層及び前記ゲート電極上に配置され、前記第１のアクティブ層の上面の一部を露出するホールを含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に配置され、前記第２の絶縁膜の前記ホールと重畳された開口部を含むバンクと、
前記第１のアクティブ層の上面の一部及び前記バンク上に配置された有機層と、
前記有機層上に配置されたカソード電極とを含み、
前記第１のアクティブ層が前記発光領域まで延長する有機発光表示装置。

【請求項2】

前記第１のカラーフィルタは単層であり、
前記第２のカラーフィルタは、異なる色のカラーフィルタが積層された多重層である、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項3】

前記第２のカラーフィルタは、前記有機発光表示装置の回路領域及び複数の信号ラインと重なっている、請求項２に記載の有機発光表示装置。

【請求項4】

前記第１のアクティブ層は、透明導電物質からなる第１のアクティブパターンと、前記第１のアクティブパターンの上面の一部に配置され、金属物質を含む第２のアクティブパターンとを含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項5】

前記第２のアクティブパターンは、前記ゲート電極に重畳する領域と、前記バンクの前記開口部に重畳する領域とに配置されない、請求項４に記載の有機発光表示装置。

【請求項6】

前記バンクの前記開口部に重畳する領域に配置された前記第１のアクティブパターンは、導体化された状態であり、
前記ゲート電極に重畳する領域に配置された前記第１のアクティブパターンは、非導体化された状態である、請求項５に記載の有機発光表示装置。

【請求項7】

前記有機発光表示装置は、
前記第１のアクティブ層から離隔された第２のアクティブ層と、
前記第２のアクティブ層上に配置されたプレートとを含み、
前記プレートと重畳された領域において、前記第２のアクティブ層は、
透明導電物質を含む第１のアクティブパターンと、
前記第１のアクティブパターン上に配置され、金属物質を含む第２のアクティブパターンとを含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項8】

前記プレートと前記第２のアクティブパターンとは、ストレージキャパシタの電極である、請求項７に記載の有機発光表示装置。

【請求項9】

前記非発光領域に配置され、縦方向に延びて、互いに離隔された複数の信号ラインを含み、
前記信号ラインは、前記第１のアクティブ層と同一層に配置され、同一物質を含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項10】

前記複数の信号ラインは、
透明導電物質を含む第１のアクティブパターンと、
前記第１のアクティブパターン上に配置され、金属物質を含む第２のアクティブパターンとを含む、請求項９に記載の有機発光表示装置。

【請求項11】

前記第１の絶縁膜と前記第１のアクティブ層との間に配置され、金属物質を含む遮光層を含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項12】

前記遮光層は、前記非発光領域に配置され、
前記第１のアクティブ層の一部及び前記第１のアクティブ層と離隔された第２及び第３のアクティブ層のそれぞれの一部と重なっている、請求項１１に記載の有機発光表示装置。

【請求項13】

前記遮光層と重畳された領域において、前記第２のアクティブ層は、
透明導電物質を含む第１のアクティブパターンと、
前記第１のアクティブパターン上に配置され、金属物質を含む第２のアクティブパターンとを含む、請求項１２に記載の有機発光表示装置。

【請求項14】

前記第２のアクティブ層上に配置されたプレートをさらに含み、
前記遮光層、前記第２のアクティブ層の前記第２のアクティブパターン及び前記プレートは、ストレージキャパシタ電極である、請求項１３に記載の有機発光表示装置。

【請求項15】

前記非発光領域に配置され、縦方向に延びて、互いに離隔された複数の信号ラインを含み、
前記複数の信号ラインが、前記遮光層と同じ層に配置され、同一物質を含む、請求項１２に記載の有機発光表示装置。

【請求項16】

前記有機発光表示装置は、少なくとも１つの駆動トランジスタを含み、
前記駆動トランジスタは、前記第１のアクティブ層および前記ゲート電極を含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。

【請求項17】

基板と、
前記基板上に配置され、発光領域に重畳するカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に配置された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に配置された第１のアクティブ層と、
前記第１のアクティブ層の上面の一部に配置されたゲート電極と、
前記第１のアクティブ層及び前記ゲート電極上に配置され、前記第１のアクティブ層の上面の一部を露出するホールを含む第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に配置される、前記第２の絶縁膜の前記ホールに重畳する開口部を含むバンクと、
前記第１のアクティブ層の上面の一部及び前記バンク上に配置された有機層と、
前記有機層上に配置するカソード電極とを含み、
前記第１のアクティブ層が前記発光領域まで延長する有機発光表示パネル。

【請求項18】

基板と、
前記基板上の発光領域と、
前記発光領域に隣接する非発光領域と、
前記基板上に配置され、前記発光領域に重畳する複数のカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に配置される第１の絶縁膜と、
前記発光領域から前記非発光領域に連続的に延在する第１のアクティブ層と、
前記非発光領域における前記第１のアクティブ層のチャネル領域、前記チャネル領域に重畳するゲート電極、前記ゲート電極および前記チャネル領域の間の第２の絶縁膜を含む駆動トランジスタと、
前記発光領域における前記第１のアクティブ層の第１の電極、前記第１の電極上の有機層、前記有機層上の第２の電極を含む発光素子と、
を含む表示パネル。

【請求項19】

前記第１のアクティブ層と同じ層上にあり、前記第１のアクティブ層から離間した第２のアクティブ層と、
前記第２のアクティブ層における第１の電極、前記第１の電極に重畳する第２の電極、前記第１の電極および前記第２の電極の間の絶縁膜を有するストレージキャパシタとをさらに含む請求項１８に記載の表示パネル。

【請求項20】

前記ゲート電極および前記第１のアクティブ層上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上のバンクとをさらに備え、
前記有機層は、前記第３の絶縁膜および前記バンクの側壁上にある請求項１９に記載の表示パネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、有機発光表示装置、及び、有機発光表示パネルに関する。

【背景技術】

【0002】

有機発光表示装置は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）、ストレージキャパシタ、及び複数の配線を含む。有機発光表示装置が作製される基板は、薄膜トランジスタ、キャパシタ、配線などの微細パターンで構成され、薄膜トランジスタ、ストレージキャパシタ、及び配線間の複雑な接続により、有機発光表示装置が動作する。

【0003】

近年、高輝度及び高解像度の有機発光表示装置へのニーズが増加するにつれて、有機発光表示装置に含まれる構成間の効率的な空間配置とともに、工程過程の複雑度を下げることができる構造への要求が高まっている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示の実施形態は、回路領域に配置された複数のアクティブ層のうち少なくとも１つを、発光領域まで延長させ、有機発光素子のアノード電極として機能し、複数のアクティブ層が複数の信号ラインと同一層に配置されることにより、工程を簡単にすることができる有機発光表示装置、及び、有機発光表示パネルに関する。

【0005】

本開示の実施形態は、バンクが有機発光素子のアノード電極の側面の少なくとも一部を露出するように配置されることによって、開口率を向上することができる有機発光表示装置、及び、有機発光表示パネルに関する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の実施形態は、基板と、基板上の発光領域と、発光領域に隣接する非発光領域と、基板上に配置され、発光領域に重畳する第１のカラーフィルタ、非発光領域に重畳する第２のカラーフィルタを含むカラーフィルタと、カラーフィルタ上に配置された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に配置された第１のアクティブ層と、第１のアクティブ層の上面の一部に配置されたゲート電極と、第１のアクティブ層及びゲート電極上に配置され、第１のアクティブ層の上面の一部を露出するホールを含む第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に配置され、第２の絶縁膜のホールと重畳された開口部を含むバンクと、第１のアクティブ層の上面の一部及びバンク上に配置された有機層と、有機層上に配置されたカソード電極を含む有機発光表示装置とを含む有機発光表示装置を提供することができる。

【0007】

本開示の実施形態は、基板と、基板上に配置され、発光領域に重畳するラーフィルタと、カラーフィルタ上に配置された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に配置された第１のアクティブ層と、第１のアクティブ層の上面の一部に配置されたゲート電極と、第１のアクティブ層及びゲート電極上に配置され、第１のアクティブ層の上面の一部を露出するホールを含む第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に配置され、第２の絶縁膜のホールに重畳する開口部を含むバンクと、第１のアクティブ層の上面の一部及びバンク上に配置された有機層と、有機層上に配置されたカソード電極とを含む有機発光表示パネルを提供することができる。

【発明の効果】

【0008】

本開示の実施形態によれば、回路領域に配置された複数のアクティブ層のうち少なくとも１つを発光領域まで延長させ、有機発光素子のアノード電極として機能し、複数のアクティブ層が複数の信号ラインと同一層に配置されることにより、工程を簡単にすることができる有機発光表示装置、及び、有機発光表示パネルを提供することができる。

【0009】

本開示の実施形態によれば、バンクが有機発光素子のアノード電極の側面の少なくとも一部を露出するように配置されることにより、開口率を向上することができる有機発光表示装置、及び、有機発光表示パネルを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本開示の実施形態による有機発光表示装置の概略的なシステム構成図である。

【図2】本開示の実施形態による有機発光表示パネルが、ＯＬＥＤ有機発光表示パネルの場合、サブピクセルの構造を示す図である。

【図3】本開示の実施形態による有機発光表示装置の一部領域を示す平面図である。

【図4】図３のＡ－Ｂ、Ｃ－Ｄ及びＥ－Ｆに沿って切断した断面図である。

【図5】本開示の実施形態による有機発光表示装置の複数のサブピクセル領域を示す平面図である。

【図6】図５のＧ－Ｈ、Ｉ－Ｊ及びＫ－Ｌに沿って切断した断面図である。

【図7】図５の構造にカラーフィルタが配置された構造を示す平面図である。

【図8】図７のＭ－Ｎに沿って切断した断面構造を模式的に示す図である。

【図9】本開示の実施形態による有機発光表示装置の製造工程を簡略に示す図である。

【図10】本開示の実施形態による有機発光表示装置の製造工程を簡略に示す図である。

【図11】本開示の実施形態による有機発光表示装置の製造工程を簡略に示す図である。

【図12】本開示の実施形態による有機発光表示装置の製造工程を簡略に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本開示の一部の実施形態を、例示的な図面を参照して詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付け加えるにおいて、同一の構成要素については、たとえ他の図面上に表示されていても、可能な限り同一の符号を付することがある。なお、本発明を説明するに当たって、関連する公知の構成又は機能の具体的な説明が、本開示の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及した「含む」、「有する」、「行われる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加されてもよい。構成要素を単数として表現した場合に、特に明示的な記載事項のない限り、複数を含む場合を含み得る。

【0012】

また、本開示の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。これらの用語は、その構成要素を、他の構成要素と区別するためのものであるだけで、その用語によって当該構成要素の本質、順番、順序又は数などが限定されない。

【0013】

構成要素の位置関係についての説明において、２つ以上の構成要素が、「連結」、「結合」又は「接続」されると記載されている場合、２つ以上の構成要素が、直接「連結」、「結合」又は「接続」され得るが、２つ以上の構成要素と他の構成要素とが、さらに「介在」され、「連結」、「結合」又は「接続」されることも可能であることを理解されたい。ここで、他の構成要素は、互いに「連結」、「結合」又は「接続」される２つ以上の構成要素のうち１つ以上に含まれてもよい。

【0014】

構成要素や、動作方法や作製方法などに関する時間的流れの関係の説明において、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで、時間的先後関係又は流れ的前後関係が説明される場合、「直ちに」又は「直接」が使用されていない限り、連続的でない場合も含み得る。

【0015】

一方、構成要素に関する数値又はその対応情報（例えば、レベルなど）が言及されている場合、別途の明示的な記載がなくても、数値又はその対応情報は、各種要因（例えば、工程上の要因、内部又は外部の衝撃、ノイズなど）によって発生できる誤差の範囲を含むと解釈され得る。

【0016】

以下、添付の図面を参照して、本開示の様々な実施形態を詳細に説明する。

【0017】

図１は、本開示の実施形態による有機発光表示装置の概略的なシステム構成図である。

【0018】

本開示の実施形態による有機発光表示装置１００は、有機発光表示装置１００、照明装置、発光装置などを含み得る。以下では、説明の便宜のために、有機発光表示装置１００を中心に説明する。しかしながら、有機発光表示装置１００だけでなく、トランジスタを含むだけであれば、照明装置、発光装置などの他の様々な有機発光表示装置１００にも同様に適用できる。

【0019】

本開示の実施形態による有機発光表示装置１００は、映像を表示するか、光を出力する表示パネルＰＮＬと、このような表示パネルＰＮＬを駆動するための駆動回路とを含み得る。

【0020】

また、本開示の実施形態による有機発光表示装置１００は、発光素子が配置される基板方向に、光が出射される下部発光方式の有機発光表示装置であってもよいが、本開示はこれに限定されない。場合によって、本開示の有機発光表示装置１００は、発光素子が配置される基板と反対面に、光が出射される上部発光方式であるか、発光素子から発光された光が、基板方向と基板の反対面に出射される両面発光方式であり得る。

【0021】

表示パネルＰＮＬは、複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬを配置することができる。そして、表示パネルＰＮＬには、複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬによって定義される複数のサブピクセルＳＰがマトリクス型で配列できる。

【0022】

表示パネルＰＮＬで複数のデータラインＤＬと複数のゲートラインＧＬとは、交差して配置されてもよい。例えば、複数のゲートラインＧＬは、行（Ｒｏｗ）又は列（Ｃｏｌｕｍｎ）に配列でき、複数のデータラインＤＬは、列又は行に配列できる。以下では、説明の便宜のために、複数のゲートラインＧＬが行に配列され、複数のデータラインＤＬが列に配列されると仮定する。

【0023】

表示パネルＰＮＬには、サブピクセル構造などに応じて、複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬの他に、異なる種類の信号配線が配置され得る。表示パネルＰＮＬには、駆動電源ライン、基準電源ライン、又は共通電源ラインなどがさらに配置されてもよい。

【0024】

表示パネルＰＮＬに配置される信号配線の種類は、サブピクセル構造などによって変わり得る。そして、本明細書において、信号配線は、信号が印加される電極を含む概念である場合もある。

【0025】

表示パネルＰＮＬは、画像（映像）が表示されるアクティブ領域Ａ／Ａと、その外郭領域であり、画像が表示されない非アクティブ領域Ｎ／Ａとを含み得る。ここで、非アクティブ領域ＮＡは、ベゼル領域とも呼ばれる。

【0026】

アクティブ領域ＡＡには、画像表示用の複数のサブピクセルＳＰが配置される。非アクティブ領域ＮＡには、データドライバＤＤＲを電気的に接続するためのパッド領域が配置され得る。そして、非アクティブ領域ＮＡには、パッド領域と複数のデータラインＤＬとの間の接続のための複数のデータリンクラインが配置されてもよい。ここで、複数のデータリンクラインは、複数のデータラインＤＬが非アクティブ領域ＮＡに延びる部分であってもよく、複数のデータラインＤＬと電気的に接続された別途のパターンであってもよい。

【0027】

また、非アクティブ領域ＮＡには、データドライバＤＤＲが電気的に接続されるパッド部を介して、ゲートドライバＧＤＲに、ゲート駆動に必要な電圧（信号）を伝達するためのゲート駆動関連の配線が配置され得る。例えば、ゲート駆動関連の配線は、クロック信号を伝達するためのクロック配線、ゲート電圧（ＶＧＨ、ＶＧＬ）を伝達するゲート電源ライン、及びスキャン信号生成に必要な各種制御信号を伝達するゲート駆動制御信号配線などを含み得る。このようなゲート駆動関連の配線は、アクティブ領域ＡＡに配置されるゲートラインＧＬとは異なり、非アクティブ領域ＮＡに配置される。

【0028】

駆動回路は、複数のデータラインＤＬを駆動するデータドライバＤＤＲと、複数のゲートラインＧＬを駆動するゲートドライバＧＤＲと、データドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲを制御するコントローラＣＴＲなどを含み得る。

【0029】

データドライバＤＤＲは、複数のデータラインＤＬにデータ電圧を出力することによって、複数のデータラインＤＬを駆動することができる。

【0030】

ゲートドライバＧＤＲは、複数のゲートラインＧＬにスキャン信号を出力することによって、複数のゲートラインＧＬを駆動することができる。

【0031】

コントローラＣＴＲは、データドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲの駆動動作に必要な各種制御信号ＤＣＳ、ＧＣＳを供給して、データドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲの駆動動作を制御することができる。また、コントローラＣＴＲは、映像データＤＡＴＡを、データドライバＤＤＲに供給できる。

【0032】

コントローラＣＴＲは、各フレームで実現されるタイミングに従ってスキャンを開始する。そして、コントローラ（ＣＴＲ）は、外部から入力される入力映像データを、データドライバＤＤＲで使用するデータ信号形式に合わせて切り替え、切替えられた映像データＤＡＴＡを出力し、スキャンに合わせて適当な時間にデータ駆動を制御する。

【0033】

コントローラＣＴＲは、データドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲを制御するために、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、入力データイネーブル（ＤＥ：Ｄａｔａ Ｅｎａｂｌｅ）信号、及びクロック信号ＣＬＫなどのタイミング信号を、外部（例えば、ホストシステム）から入力され、各種制御信号を生成することができる。そして、コントローラＣＴＲは、生成された各種制御信号を、データドライバＤＤＲ及びゲートドライバＧＤＲに出力する。

【0034】

例えば、コントローラＣＴＲは、ゲートドライバＧＤＲを制御するために、ゲートスタートパルス（ＧＳＰ：Ｇａｔｅ Ｓｔａｒｔ Ｐｕｌｓｅ）、ゲートシフトクロック（ＧＳＣ：Ｇａｔｅ Ｓｈｉｆｔ Ｃｌｏｃｋ）、及びゲート出力イネーブル信号（ＧＯＥ：Ｇａｔｅ Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌｅ）などを含む各種ゲート制御信号（ＧＣＳ：Ｇａｔｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｉｇｎａｌ）を出力する。

【0035】

また、コントローラＣＴＲは、データドライバＤＤＲを制御するために、ソーススタートパルス（ＳＳＰ：Ｓｏｕｒｃｅ Ｓｔａｒｔ Ｐｕｌｓｅ）、ソースサンプリングクロック（ＳＳＣ：Ｓｏｕｒｃｅ Ｓａｍｐｌｉｎｇ Ｃｌｏｃｋ）、及びソース出力イネーブル信号（ＳＯＥ：Ｓｏｕｒｃｅ Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌｅ）などを含む各種データ制御信号（ＤＣＳ：Ｄａｔａ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｉｇｎａｌ）を出力する。

【0036】

コントローラＣＴＲは、通常のディスプレイ技術で使用されるタイミングコントローラであり得る。あるいは、コントローラＣＴＲは、タイミングコントローラを含めて、他の制御機能もさらに実行できる制御装置であってもよい。

【0037】

ントローラＣＴＲは、データドライバＤＤＲと別の部品として実施することもできる。あるいは、コントローラＣＴＲは、データドライバＤＤＲと統合されて、集積回路で実装されてもよい。

【0038】

データドライバＤＤＲは、コントローラＣＴＲから映像データＤＡＴＡを入力され、複数のデータラインＤＬにデータ電圧を供給することにより、複数のデータラインＤＬを駆動する。ここで、データドライバＤＤＲは、ソースドライバとも呼ばれる。データドライバＤＤＲは、様々なインターフェースを介して、コントローラＣＴＲと各種信号をやり取りすることができる。

【0039】

ゲートドライバＧＤＲは、複数のゲートラインＧＬにスキャン信号を順次供給することにより、複数のゲートラインＧＬを順次駆動する。ここで、ゲートドライバＧＤＲは、スキャンドライバとも呼ばれる。ゲートドライバＧＤＲは、コントローラＣＴＲの制御に応じて、オン（ＯＮ）電圧又はオフ（ＯＦＦ）電圧のスキャン信号を、複数のゲートラインＧＬに順次供給する。

【0040】

データドライバＤＤＲは、ゲートドライバＧＤＲによって特定のゲートラインが開かれると、コントローラＣＴＲから受信した映像データＤＡＴＡを、アナログ形式のデータ電圧に変換して、複数のデータラインＤＬに供給する。

【0041】

データドライバＤＤＲは、表示パネルＰＮＬの一側（例えば、上側又は下側）に位置することができる。しかし、これに限定されない。例えば、データドライバＤＤＲは、駆動方式又は表示パネル設計方式などに応じて、表示パネルＰＮＬの両側（例えば、上側と下側）の両方に位置してもよい。

【0042】

ゲートドライバＧＤＲは、表示パネルＰＮＬの一側（例えば、左側又は右側）に位置することができる。しかし、これに限定されない。例えば、ゲートドライバＧＤＲは、駆動方式又は表示パネル設計方式等に応じて、表示パネルＰＮＬの両側（例えば左側と右側）の両方に位置してもよい。

【0043】

データドライバＤＤＲは、１つ以上のソースドライバ集積回路（ＳＤＩＣ：Ｓｏｕｒｃｅ Ｄｒｉｖｅｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を含むように実装できる。

【0044】

各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、シフトレジスタ、ラッチ回路、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ：Ｄｉｇｉｔａｌ ｔｏ Ａｎａｌｏｇ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）、及び出力バッファなどを含み得る。データドライバＤＤＲは、場合によっては、１つ以上のアナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ：Ａｎａｌｏｇ ｔｏ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）をさらに含み得る。

【0045】

各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）タイプ又はＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）タイプで表示パネルＰＮＬのボンディングパッドに接続することができる。あるいは、各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、表示パネルＰＮＬ上に直接配置されてもよい。場合によっては、各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、表示パネルＰＮＬに集積化して配置することができる。また、各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）タイプで実装できる。この場合、各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、回路フィルム上に実装できる。そして、回路フィルム上に実装された各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、回路フィルムを介して、表示パネルＰＮＬにおけるデータラインＤＬと電気的に接続され得る。

【0046】

ゲートドライバＧＤＲは、複数のゲート駆動回路ＧＤＣを含み得る。ここで、複数のゲート駆動回路ＧＤＣは、複数のゲートラインＧＬにそれぞれ対応することができる。

【0047】

各ゲート駆動回路ＧＤＣは、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を含み得る。各ゲート駆動回路ＧＤＣは、ＴＡＢタイプ又はＣＯＧタイプで表示パネルＰＮＬのボンディングパッドに接続することができる。また、各ゲート駆動回路ＧＤＣは、ＣＯＦ方式で実装できる。この場合、各ゲート駆動回路ＧＤＣは、回路フィルム上に実装できる。回路フィルムに実装された各ゲート駆動回路ＧＤＣは、回路フィルムを介して、表示パネルＰＮＬのゲートラインＧＬと電気的に接続されてもよい。また、各ゲート駆動回路ＧＤＣは、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）タイプで実現され、表示パネルＰＮＬに組み込まれてもよい。したがって、各ゲート駆動回路ＧＤＣは、表示パネルＰＮＬに直接形成できる。

【0048】

図２は、本開示の実施形態による有機発光表示パネルＰＮＬが、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）有機発光表示パネルである場合、サブピクセルＳＰの構造を示す図である。

【0049】

図２を参照すると、ＯＬＥＤ有機発光表示パネルである有機発光表示パネルＰＮＬにおける各サブピクセルＳＰは、駆動トランジスタＴ１のゲートノードに対応する第１のノードＮ１に、データ電圧Ｖｄａｔａを伝達するための第２のトランジスタＴ２と、映像信号電圧に対応するデータ電圧Ｖｄａｔａ又はそれに対応する電圧を、１フレーム時間の間、維持するストレージキャパシタＣｓｔとをさらに含むように構成できる。

【0050】

有機発光素子ＯＬＥＤは、第１の電極（アノード電極又はカソード電極）、少なくとも１層の発光層を含む有機層、及び、第２の電極（カソード電極又はアノード電極）などからなり得る。一例として、有機発光素子ＯＬＥＤの第２の電極には、ベース電圧ＥＶＳＳが印加され得る。

【0051】

駆動トランジスタＴ１は、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給することによって、有機発光素子ＯＬＥＤを駆動する。駆動トランジスタＴ１は、第１のノードＮ１、第２のノードＮ２、及び第３のノードＮ３を有する。第１～第３のノードＮ１、Ｎ２、Ｎ３の「ノード」は、同じ電気的状態を有する支点、電極又は配線を意味することができる。

【0052】

これらの第１のノードＮ１、第２のノードＮ２、及び第３のノードＮ３のそれぞれは、１つ以上の電極から構成されてもよい。駆動トランジスタＴ１の第１のノードＮ１は、ゲートノードに対応するノードであり、第２のトランジスタＴ２のソースノード又はドレインノードと電気的に接続され得る。駆動トランジスタＴ１の第２のノードＮ２は、有機発光素子ＯＬＥＤの第１の電極と電気的に接続され得、ソースノード又はドレインノードであり得る。駆動トランジスタＴ１の第３のノードＮ３は、駆動電圧ＥＶＤＤが印加されるノードであり、駆動電圧ＥＶＤＤを供給する駆動電圧ライン（ＤＶＬ：Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｌｉｎｅ）と電気的に接続され得、ドレインノード又はソースノードであり得る。

【0053】

駆動トランジスタＴ１と第２のトランジスタＴ２とは、ｎ型で実現されてもよく、ｐ型で実現されてもよい。

【0054】

第２のトランジスタＴ２は、データラインＤＬと、駆動トランジスタＴ１の第１のノードＮ１との間に電気的に接続され、ゲートラインを介して、第１のスキャン信号ＳＣＡＮ１をゲートノードに印加されて制御できる。

【0055】

このような第２のトランジスタＴ２は、第１のスキャン信号ＳＣＡＮ１によってターンオンされ、データラインＤＬから供給されたデータ電圧Ｖｄａｔａを、駆動トランジスタＴ１の第１のノードＮ１に伝達できる。ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＴ１の第１のノードＮ１と第２のノードＮ２との間に電気的に接続され得る。

【0056】

このようなストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＴ１の第１のノードＮ１と、第２のノードＮ２との間に存在する内部容量である寄生キャパシタ（例えば、Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）ではなく、駆動トランジスタＴ１の外部に意図的に設計した外部容量である。

【0057】

第３のトランジスタＴ３は、駆動トランジスタＴ１の第２のノードＮ２と、基準電圧ラインＲＶＬとの間に電気的に接続され、ゲートノードに第２のスキャン信号ＳＣＡＮ２を印加されて、オン‐オフが制御され得る。第３のトランジスタＴ３のドレインノード又はソースノードは、基準電圧ラインＲＶＬに電気的に接続され、第３のトランジスタＴ３のソースノード又はドレインノードは、駆動トランジスタＴ１の第２のノードＮ２に電気的に接続され得る。

【0058】

第３のトランジスタＴ３は、一例として、ディスプレイ駆動時の区間でターンオンすることができ、駆動トランジスタＴ１の特性値又は有機発光ダイオードＯＬＥＤの特性値をセンシングするためのセンシング駆動時の区間でターンオンすることができる。第３のトランジスタＴ３は、当該駆動タイミング（例えば、ディスプレイ駆動タイミング又はセンシング駆動時の区間内初期化タイミング）に合わせて、第２のスキャン信号ＳＣＡＮ２によりターンオンされ、基準電圧ラインＲＶＬに供給された基準電圧Ｖｒｅｆを、駆動トランジスタＴ１の第２のノードＮ２に伝達することができる。

【0059】

また、第３のトランジスタＴ３は、当該駆動タイミング（例えば、センシング駆動時の区間内サンプリングタイミング）に合わせて、第２のスキャン信号ＳＣＡＮ２によってターンオンされ、駆動トランジスタＴ１の第２のノードＮ２の電圧を、基準電圧ラインＲＶＬに伝達できる。すなわち、第３のトランジスタＴ３は、駆動トランジスタＴ１の第２のノードＮ２の電圧状態を制御するか、駆動トランジスタＴ１の第２のノードＮ２の電圧を、基準電圧ラインＲＶＬに伝達できる。

【0060】

ここで、基準電圧ラインＲＶＬは、基準電圧ラインＲＶＬの電圧をセンシングして、デジタル値に変換し、デジタル値を含むセンシングデータを出力するアナログデジタルコンバータと電気的に接続できる。

【0061】

アナログデジタルコンバータは、データドライバＤＤＲを実装したソースドライバ集積回路ＳＤＩＣの内部に含まれてもよい。アナログデジタルコンバータから出力されたセンシングデータは、駆動トランジスタＴ１の特性値（例えば、閾値電圧、移動度など）又は有機発光ダイオードＯＬＥＤの特性値（例えば、閾値電圧など）をセンシングするために使用できる。

【0062】

駆動トランジスタＴ１、第２のトランジスタＴ２、及び第３のトランジスタＴ３のそれぞれは、ｎ型のトランジスタでもｐ型のトランジスタでもよい。

【0063】

一方、第１のスキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２のスキャン信号ＳＣＡＮ２は、別個のゲート信号であり得る。この場合、第１のスキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２のスキャン信号ＳＣＡＮ２はそれぞれ、異なるゲートラインを介して、第２のトランジスタＴ２のゲートノード及び第３のトランジスタＴ３のゲートノードにそれぞれ印加されることもある。

【0064】

場合によっては、第１のスキャン信号ＳＣＡＮ１と第２のスキャン信号ＳＣＡＮ２とは、同じゲート信号であってもよい。この場合、第１のスキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２のスキャン信号ＳＣＡＮ２は、同一のゲートラインを介して、第２のトランジスタＴ２のゲートノード及び第３のトランジスタＴ３のゲートノードに共通に印加されてもよい。

【0065】

図２に例示された各サブピクセルの構造は、説明のための例示であるだけで、１つ以上のトランジスタをさらに含むか、場合によっては、１つ以上のストレージキャパシタをさらに含み得る。または、複数のサブピクセルのそれぞれが、同じ構造であってもよく、複数のサブピクセルの一部が異なる構造であってもよい。

【0066】

図３は、本開示の実施形態による有機発光表示装置の一部領域を示す平面図である。図４は、図３のＡ－Ｂ、Ｃ－Ｄ、及びＥ－Ｆに沿って切断した断面図である。

【0067】

図３及び図４を参照すると、本開示の実施形態による有機発光表示装置１００は、複数のサブピクセルが配置されたアクティブ領域と、複数のパッド電極４９５が配置された非アクティブ領域とを含み得る。

【0068】

複数のサブピクセルは、第１～第４のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４を含み得る。第１のサブピクセルＳＰ１は、赤色光を発光する第１の発光領域ＥＡ１を含むサブピクセルであり、第２のサブピクセルＳＰ２は、白色光を発光する第２の発光領域ＥＡ２を含むサブピクセルであり、第３のサブピクセルＳＰ３は、青色光を発光する第３の発光領域ＥＡ３を含むサブピクセルであり、第４のサブピクセルＳＰ４は、緑色光を発光する第４の発光領域ＥＡ４を含むサブピクセルであり得るが、本開示の実施形態は、これに限定されない。各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４は、バンク３９０によって区分けられる発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４と、非発光領域ＮＥＡとを含み得る。

【0069】

第１～第４の発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４は、バンク３９０と重畳されていない領域であり、非発光領域は、バンク３９０と重畳された領域であり得る。

【0070】

発光領域ＥＡには、第１の電極、有機層４９７及び第２の電極４９８を含む有機発光素子ＯＬＥＤが配置されてもよい。そして、有機発光素子ＯＬＥＤと重畳された領域には、カラーフィルタ３１７が配置されてもよいが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、有機発光表示装置１００に含まれる複数のサブピクセルのうち、一部のサブピクセルにのみカラーフィルタが配置されてもよく、有機発光表示装置１００に含まれるサブピクセル全体に、カラーフィルタが配置されなくてもよい。

【0071】

一例として、第１のサブピクセルＳＰ１には、第１の発光領域ＥＡ１と重畳されるように、第１のカラーフィルタ３１７が配置され、第３のサブピクセルＳＰ３には、第３の発光領域ＥＡ３と重畳されるように、第２のカラーフィルタが配置され、第４のサブピクセルＳＰ４には、第４の発光領域ＥＡ４と重畳されるように、第３のカラーフィルタが配置され得る。

【0072】

第２の発光領域ＥＡ２には、カラーフィルタが配置されていなくてもよいが、本開示の実施形態による有機発光表示装置の構造は、これに限定されない。

【0073】

非発光領域ＮＥＡには、有機発光素子ＯＬＥＤを駆動するための回路領域が設けられる。

【0074】

回路領域には、複数の信号ライン、複数のトランジスタ及びストレージキャパシタＣｓｔが配置され得る。

【0075】

具体的に、図４を参照すると、基板３００上に複数のカラーフィルタ３１７、３１８が配置され得る。図４に示すように、第１のカラーフィルタ３１７は、第１の発光領域ＥＡ１と対応する位置に配置され得る。第１の発光領域ＥＡ１と対応するように配置された第１のカラーフィルタ３１７と離隔して、非発光領域ＮＥＡに第１のカラーフィルタ３１７が配置され、第１のカラーフィルタ３１７上に第２のカラーフィルタ３１７、３１８が配置され得る。基板３００上に積層された第１のカラーフィルタ３１７と第２のカラーフィルタ３１８とは、サブピクセルの回路領域と重畳され得る。

【0076】

第１のカラーフィルタ３１７は、赤色カラーフィルタであり、第２のカラーフィルタ３１８は、青色カラーフィルタであり得るが、本開示によるカラーフィルタの色は、これに限定されない。非発光領域ＮＥＡに配置された第１のカラーフィルタ３１７と第２のカラーフィルタ３１８の色が、異なる構成であれば十分である。具体的に、基板３００上に、第１の信号ライン３１１、第２の信号ライン３１２、第３の信号ライン３１３、第４の信号ライン３１４及び第１の導電層３１５が配置され得る。

【0077】

図４を参照すると、第１及び第２のカラーフィルタ３１７、３１８が配置された基板３００上には、第１の絶縁膜４０１が配置され得る。第１の絶縁膜４０１は、有機絶縁物質を含むことができ、基板３００上に配置されて、表面が平坦に形成できる。

【0078】

図３及び図４を参照すると、第１の絶縁膜４０１上には、複数のアクティブ層３３１、３３２、３３３が配置され得る。具体的に、図３及び図４を参照すると、第１の絶縁膜４０１上には、第１のアクティブ層３３１、第２のアクティブ層３３２、及び第３のアクティブ層３３３が配置され得る。各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４は、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３を含み得る。図３及び図４を参照すると、基板３００上には、第１のアクティブ層３３１と離隔された第２のアクティブ層３３２及び第３のアクティブ層３３３が配置され得る。第１のアクティブ層３３１は、第１のトランジスタＴ１のアクティブ層であり得る。第２のアクティブ層３３２は、第２のトランジスタＴ２のアクティブ層であり得る。第３のアクティブ層３３３は、第３のトランジスタＴ３のアクティブ層であり得る。

【0079】

図３及び図４を参照すると、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３は、一部の領域で単層で構成され、残りの一部の領域では、２重層で構成されてもよい。第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３のそれぞれは、コンタクトホールを介して、他の構成と接触する領域において、第１のアクティブパターンと、第１のアクティブパターン上に配置された第２のアクティブパターンとを含み得る。例えば、図４に示すように、第２のアクティブ層３３２の場合、第１のアクティブパターン４３２ａ及び第１のアクティブパターン４３２ａ上に配置された第２のアクティブパターン４３２ｂが配置され得る。

【0080】

第１のアクティブパターン４３２ａは、酸化物（Ｏｘｉｄｅ）半導体で構成できる。第１のアクティブパターン４３２ａを構成する物質は、金属酸化物半導体として、モリブデン（Ｍｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、錫（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）等の金属の酸化物、又は、モリブデン（Ｍｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、錫（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）などの金属とこれらの酸化物との組み合わせからなり得る。例えば、第１のアクティブパターン４３２ａは、透明導電物質である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、亜鉛－錫酸化物（ＺＴＯ）、亜鉛－インジウム酸化物（ＺＩＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、インジウム－ガリウム－酸化亜鉛（ＩＧＺＯ）、インジウム－亜鉛－酸化錫（ＩＺＴＯ）のうち少なくとも１つを含み得るが、本発明はこれに限定されない。

【0081】

第２のアクティブパターン４３２ｂの金属層は、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）などの金属又はそれらの合金のうちいずれかを含み得る。例えば、金属層は、モリブデン（Ｍｏ）とチタン（Ｔｉ）の合金であってもよいが、本発明は、これに限定されるものではない。

【0082】

第１及び第３のアクティブ層３３１、３３３も、第２のアクティブ層３３２と同様に、第１のアクティブパターンと、第１のアクティブパターン上に配置された第２のアクティブパターンとを含み得る。第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３のそれぞれは、チャネル領域３３１ａ、３３２ａ、３３３ａを含み得る。具体的に、第１のアクティブ層３３１は、第１のチャネル領域３３１ａを含むことができ、第２のアクティブ層３３２は、第２のチャネル領域３３２ａを含むことができ、第３のアクティブ層３３３は、第３のチャネル領域３３３ａを含み得る。

【0083】

第１のチャネル領域３３１ａは、第１のトランジスタＴ１のチャネル領域であり、第２のチャネル領域３３２ａは、第２のトランジスタＴ２のチャネル領域であり、第３のチャネル領域３３３ａは、第３のトランジスタＴ３のチャネル領域であり得る。第１～第３のチャネル領域３３１ａ、３３２ａ、３３３ａは、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３の第１のアクティブパターン４３１ａのみが配置された領域であってもよい。第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３のそれぞれの第１のアクティブパターン４３１ａの第１～第３のチャネル領域３３１ａ、３３２ａ、３３３ａを除いた残りの少なくとも一部の領域は、導体化領域であり得る。すなわち、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３のそれぞれの第１のアクティブパターン４３１ａの第１～第３のチャネル領域３３１ａ、３３２ａ、３３３ａは、第１のアクティブパターン４３１ａが、導体化されていない領域であり得る。

【0084】

先に記述したように、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３の第１～第３のチャネル領域３３１ａ、３３２ａ、３３３ａを除いた領域の少なくとも一部の領域上には、第２のアクティブパターン４３１ｂが配置され得る。第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３が、コンタクトホールを介して、他の構成に接続された領域は、第１～第３のトランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３のソース電極及びドレイン電極として機能することができる。

【0085】

図３及び図４に示すように、各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４において、第１のアクティブ層３３１は、非発光領域ＮＥＡだけでなく、発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４まで延長して配置できる。具体的に、各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の回路領域に配置された第１のアクティブ層３３１は、各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４、及び、発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４を囲む非発光領域ＮＥＡの一部にも延長して配置できる。各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４、及び、各発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４を囲む非発光領域ＮＥＡの一部における第１のアクティブ層３３１は、第１のアクティブパターン４３１ａのみが配置され得る。各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４、及び、各発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４を囲む非発光領域ＮＥＡの一部に配置された第１のアクティブ層３３１の領域は、有機発光素子ＯＬＥＤの第１の電極（例えば、アノード電極）として機能することができる。

【0086】

図３及び図４を参照すると、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３と同一層に、複数の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４が配置され得る。複数の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４は、第１の信号ライン３１１、第２の信号ライン３１２、第３の信号ライン３１３、及び第４の信号ライン３１４を含み得る。第１～第４の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４のそれぞれは、互いに離隔するものの、第１の方向（例えば、縦方向又は垂直方向）に延びるラインであり得る。

【0087】

ここで、第１及び第２の信号ライン３１１、３１２は、データラインであってもよく、第３の信号ライン３１３は、駆動電圧ラインであってもよく、第４の信号ライン３１４は、基準電圧ラインであってもよいが、これは、一例に過ぎない。第１～第４の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４のうち少なくとも１つは、第１のアクティブパターンと、第１のアクティブパターン上に配置された第２のアクティブパターンとが配置された構造からなり得る。例えば、図４に示すように、第１の信号ライン３１１は、第１の絶縁膜４０１上に配置された第１のアクティブパターン４１１ａ、及び、第１のアクティブパターン４１１ａ上に配置された第２のアクティブパターン４１１ｂを含み得る。第２～第４の信号ライン３１２、３１３、３１４も、第１のアクティブパターン及び第２のアクティブパターンを含み得る。第１～第４の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４が、第１のアクティブパターン４１１ａのみを含む場合、第１～第４の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４の第１のアクティブパターン４１１ａは、酸化物半導体が導体化された状態であり得る。

【0088】

図３を参照すると、第１のサブピクセルＳＰ１に配置された第１のアクティブ層３３１は、第３の信号ライン３１３と一体であってもよく、第２のアクティブ層３３２は、第１の信号ライン３１１と一体であってもよい。第２のサブピクセルＳＰ２に配置された第２のアクティブ層３３２は、第２の信号ライン３１２と一体であってもよい。

【0089】

第３のサブピクセルＳＰ３に配置された第２のアクティブ層３３２は、第１の信号ライン３１１と一体であってもよく、第１のサブピクセルＳＰ１の第２のアクティブ層３３２と一体で構成された第１の信号ライン３１１とは異なるラインであってもよい。第４のサブピクセルＳＰ４に配置された第１のアクティブ層３３１は、第３の信号ライン３１３と一体であってもよく、第１のサブピクセルＳＰ１の第１のアクティブ層３３１と一体で構成された第３の信号ライン３１３とは異なるラインであってもよい。第４のサブピクセルＳＰ４に配置された第２のアクティブ層３３２は、第２の信号ライン３１２と一体であってもよく、第２のサブピクセルＳＰ２の第２のアクティブ層３３２と一体で構成された第２の信号ライン３１２とは異なるラインであってもよい。

【0090】

図３に示されたように、複数のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４のそれぞれは、第１～第４の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４のうち１つと、第３のアクティブ層３３３との間に配置されたリペアパターン３８１を含み得る。

【0091】

輝点又は暗点などのサブピクセルの不良が発生した場合、レーザなどを用いて、発光領域まで延びる第１のアクティブ層３３１と回路領域との電気的接続を切断することができる。その後、ウェルディング工程によって、リペアパターン３８１を、プレート３４０と電気的に接続することができる。例えば、リペアパターン３８１と、リペアパターン３８１上に配置されたプレート３４０とがコンタクトできる。３には示されていないが、リペアパターン３８１は、隣接する他のサブピクセルの回路領域と電気的に接続されてもよく、不良が発生したサブピクセルは、リペアパターン３８１と電気的に接続された隣接回路領域を介して駆動されてもよい。このように、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３、第１～第４の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４及びリペアパターン３８１を同一層に配置し、同一工程で形成することにより、有機発光表示装置を製造する工程を簡単にすることができる。

【0092】

また、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３、第１～第４の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４及びリペアパターン３８１を異なる工程で製造する場合、各工程ごとにマスクが必要であるが、本開示の実施形態による有機発光表示装置は、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３及び第１～第４の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４を、１つのマスクで同時に形成することができるので、マスクの数も減らすことができる。

【0093】

第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３、第１～第４の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４及びリペアパターン３８１のそれぞれの上面の一部には、第２の絶縁膜４０２が配置され得る。第２の絶縁膜４０２は、シリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）又はシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁物質を含み得るが、本開示による実施形態は、これに限定されない。第２の絶縁膜４０２は、ゲート絶縁膜であってもよいが、本開示の実施形態は、これに限定されない。第２の絶縁膜４０２上には、第５の信号ライン３４５、第１の延長部３４６、第２の延長部３４８、プレート３４０及び第１の電極パターン３４１が配置され得る。ここで、第５の信号ライン３４５は、第１の方向と交差する方向である第２の方向（例えば、横方向又は水平方向）に延びるスキャンラインであり得る。

【0094】

図３に示されるように、第５の信号ライン３４５の一部は、第２のアクティブ層３３２及び第３のアクティブ層３３３のそれぞれの一部と重なってもよい。第５の信号ライン３４５は、第２のトランジスタＴ２及び第３のトランジスタＴ３のそれぞれのゲート電極として機能することができる。

【0095】

第２及び第３のアクティブ層３３２、３３３がそれぞれ、第５の信号ライン３４５及び第２の絶縁膜４０２と重畳された領域は、第２のアクティブ層３３２及び第３のアクティブ層３３３のチャネル領域であり得る。

【0096】

第１の延長部３４６は、第３の信号ライン３１３と電気的に接続することができる。複数のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４は、第１の延長部３４６を介して駆動電圧を供給され得る。第２の延長部３４８は、第４のライン３１４と電気的に接続することができる。複数のサブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４は、第２の延長部３４８を介して基準電圧を供給され得る。

【0097】

図３に示されるように、各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４におけるプレート３４０の一部は、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３２のそれぞれの一部と重畳できる。第１のアクティブ層３３１は、プレート３４０とコンタクトホールを介して接触され、電気的に連結できる。

【0098】

第３のアクティブ層３３３はまた、プレート３４０とコンタクトホールを介して接触され、電気的に連結できる。

【0099】

図３及び図４に示されるように、第２のアクティブ層３３２は、プレート３４０と重なって、ストレージキャパシタＣｓｔを形成することができる。言い換えれば、第２のアクティブ層３３２とプレート３４０とは、ストレージキャパシタＣｓｔの電極として機能することができる。

【0100】

第１の電極パターン３４１の一部は、第１のアクティブ層３３１の一部と重なってもよい。第１の電極パターン３４１は、第１のアクティブ層３３１のゲート電極として機能することができる。図３及び図４に示されるように、第１のアクティブ層３３１が、第１の電極パターン３４１及び第２の絶縁膜４０２と重畳された領域は、第１のアクティブ層３３１のチャネル領域３３１ａであってもよい。図３に示されるように、第１の電極パターン３４１は、第２のアクティブ層３３２とコンタクトホールを介して接触し、電気的に連結できる。

【0101】

図３及び図４を参照すると、本開示の有機発光表示装置のパッド領域ＰＡＤには、少なくとも１つのパッド電極４９５が配置され得る。パッド電極４９５は、パッド領域ＰＡＤにおける第２の絶縁膜４０２上に配置され得る。

【0102】

第５の信号ライン３４５、第１の延長部３４６、第２の延長部３４８、プレート３４０、第１の電極パターン３４１及びパッド電極４９５は、多重層の構造でなり得る。例えば、第５の信号ライン３４５、第１の延長部３４６、第２の延長部３４８、プレート３４０、第１の電極パターン３４１及びパッド電極４９５のそれぞれは、第２の絶縁膜４０２上に配置された第１の導電層４１１ａ、４４０ａ、４４１ａ、４９５ａと、第１の導電層４１１ａ、４４０ａ、４４１ａ、４９５ａ上に配置された第２の導電層４１１ｂ、４４０ｂ、４４１ｂ、４９５ｂとを含み得る。

【0103】

第１の導電層４１１ａ、４４０ａ、４４６ａ、４９５ａは、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）などの金属又はそれらの合金のうちいずれかを含み得るが、本発明は、これに限定されない。

【0104】

第２の導電層４１１ｂ、４４０ｂ、４４１ｂ、４９５ｂは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）及びＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）のうちいずれかを含み得るが、本開示の実施形態は、これに限定されるわけではない。

【0105】

ただし、本開示の実施形態による有機発光表示装置１００の構造は、これに限定されるものではなく、非アクティブ領域に配置されたパッド電極４９５は、多重層で構成されるものの、アクティブ領域に配置された第５の信号ライン３４５、第１の延長部３４６、第２の延長部３４８、プレート３４０及び第１の電極パターン３４１は、第１の導電層のみからなる単層であってもよい。

【0106】

パッド電極４９５に含まれる第２の導電層４９５ｂは、第１の導電層４９５ａの酸化を防止する役割を果たすことができる。

【0107】

また、図４では、第２の導電層４１１ｂ、４４０ｂ、４４１ｂ、４９５ｂが、第１の導電層４１１ａ、４４０ａ、４４１ａ、４９５ａの上面にのみ配置される構造を示しているが、第１の導電層４１１ａ、４４０ａ、４４１ａ、４９５ａの上面と側面を囲むように配置することができる。このように、第５の信号ライン３４５、第１の延長部３４６、第２の延長部３４８、プレート３４０、第１の電極パターン３４１及びパッド電極４９５を同一層に配置し、同一工程で形成することにより、有機発光表示装置を製造する工程を簡単にすることができる。

【0108】

第５の信号ライン３４５、第１の延長部３４６、第２の延長部３４８、プレート３４０、第１の電極パターン３４１及びパッド電極４９５を、異なる工程で製造する場合、各工程ごとにマスクが必要であるが、本開示の実施形態による有機発光表示装置は、第５の信号ライン３４５、第１の延長部３４６、第２の延長部３４８、プレート３４０、第１の電極パターン３４１及びパッド電極４９５を１つのマスクで同時に形成することができるので、マスクの数も減らすことができる。

【0109】

図４に示されるように、第５の信号ライン３４５、第１の延長部３４６、第２の延長部３４８、プレート３４０、第１の電極パターン３４１及びパッド電極４９５が配置された基板３００上には、第３の絶縁膜４０３が配置され得る。第３の絶縁膜４０３は、シリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）又はシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁物質を含み得るが、本開示による実施形態は、これに限定されない。

【0110】

図３及び図４に示されるように、第３の絶縁膜４０３は、第１のアクティブ層３３１の上面の一部を露出する第１のホールＨ１を備えることができる。第３の絶縁膜４０３上には、バンク３９０が配置され得る。バンク３９０は、各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４ごとに開口部を備えることができ、開口部は、第３の絶縁膜４０３の第１のホールＨ１と重畳し得る。

【0111】

図４に示されるように、バンク３９０の開口部及び第３の絶縁膜４０３の第１のホールＨ１によって露出された第１のアクティブ層３３１には、導体化された第１のアクティブパターン４３１ａのみが配置され得る。バンク３９０の開口部及び第３の絶縁膜４０３の第１のホールＨ１によって露出された第１のアクティブ層３３１では、導体化された第１のアクティブパターン４３１ａは、有機発光素子ＯＬＥＤの第１の電極（例えば、アノード電極）の役割を果たすことができる。バンク３９０の開口部及び第３の絶縁膜４０３の第１のホールＨ１内及びバンク３９０上には、有機発光素子ＯＬＥＤの有機層４９７が配置され得る。有機層４９７は、発光層を含み得る。有機層４９７上には、有機発光素子ＯＬＥＤの第２の電極４９８が配置され得る。

【0112】

一方、非発光領域ＮＥＡにおいて、第１のカラーフィルタ３１７及び第１のカラーフィルタ３１７上に配置された第２のカラーフィルタ３１８は、各サブピクセルの回路領域に配置され、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３のチャネル領域に、光が入射するのを防止することができる。従って、光によって第１～第３のトランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３の特性が変化することを防止することができる。

【0113】

図３及び図４には、第１～第４の信号ライン３１１、３１２、３１３、３１４が、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３と同一層に配置された構造を示したが、本開示の実施形態による有機発光表示装置の構造は、これに限定されない。

【0114】

図５は、本開示の実施形態による有機発光表示装置の複数のサブピクセル領域を示す平面図である。図６は、図５のＧ－Ｈ、Ｉ－Ｊ及びＫ－Ｌに沿って切断した断面図である。

【0115】

後述する説明では、先に説明した実施形態と重複する内容（構成、効果等）は省略することができる。なお、後述する説明において、前述した実施形態と重複する構成の図面番号は、同一の図面番号を使用してもよい。

【0116】

図５及び図６を参照すると、基板３００上に複数のカラーフィルタ３１７、３１８が配置され得る。図５及び図６には示されていないが、基板３００と複数のカラーフィルタ３１７、３１８との間に少なくとも１つのバッファ層が配置されてもよい。第１及び第２のカラーフィルタ３１７、３１８が配置された基板３００上には、第１の絶縁膜４０１が配置され得る。

【0117】

図５及び図６を参照すると、第１の絶縁膜４０１上には、第１～第４の信号ライン５１１、５１２、５１３、５１４及び遮光層５１５が配置され得る。第１の絶縁膜４０１上には、第１～第４の信号ライン５１１、５１２、５１３、５１４及び遮光層５１５は、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）などの金属又はそれらの合金のうちいずれかを含み得る。例えば、金属層は、モリブデン（Ｍｏ）とチタン（Ｔｉ）の合金であってもよいが、本発明は、これに限定されるものではない。遮光層５１５は、各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の回路領域に配置することができる。

【0118】

図６に示されるように、第１～第４の信号ライン５１１、５１２、５１３、５１４及び遮光層５１５が配置された基板３００上には、第４の絶縁膜６０４が配置され得る。第４の絶縁膜６０４は、シリコンオキシド（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）又はシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁物質を含み得るが、本開示による実施形態は、これに限定されない。

【0119】

図５及び図６を参照すると、第４の絶縁膜６０４上には、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３及びリペアパターン３８１が配置され得る。第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３のそれぞれは、他の構成とコンタクトホールを介して接触する領域で２重層からなることができる。すなわち、第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３のそれぞれは、他の構成とコンタクトホールを介して接触する領域において、第１のアクティブパターンと、第１のアクティブパターン上に配置された第２のアクティブパターンとを含み得る。

【0120】

例えば、第２のアクティブ層３３２が、プレート３４０とコンタクトホールを介して接触する領域では、第２のアクティブ層３３２は、第１のアクティブパターン４３２ａ及び第２のアクティブパターン４３２ｂを含み得る。また、図６に示されるように、第２のアクティブ層３３２は、電極パターン３４１とコンタクトホールを介して接触し、プレート３４０と重畳されて、ストレージキャパシタＣｓｔを形成する領域における第１のアクティブパターン４３２ａと、第１のアクティブパターン４３２ａ上に配置された第２のアクティブパターン４３２ｂとを含み得る。

【0121】

図６には示されていないが、第３のアクティブ層３３３は、プレート３４０及び第２の延長部３４８と接触する領域において、第１のアクティブパターン及び第１のアクティブパターン上に配置された第２のアクティブパターンを含み得る。

【0122】

第１～第３のアクティブ層３３１、３３２、３３３がコンタクトホールを介して他の構成に接続された領域は、第１～第３のトランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３のソース電極及びドレイン電極として機能することができる。第１のサブピクセルＳＰ１を例に挙げると、図５に示されるように、第１のアクティブ層３３１の一部は、第３の信号ライン５１５に接続された第１の延長部３４６とコンタクトホールを介して接続され得る。第１のアクティブ層３３１の他の一部は、プレート３４０とコンタクトホールを介して接続することができる。

【0123】

第２のアクティブ層３３２の一部は、第１の電極パターン３４１とコンタクトホールを介して接続され得る。第２のアクティブ層３３２の他の一部は、第１の電極パターン３４１と同一層に配置された第２の電極パターン５４１及び第１の信号ライン５１１とコンタクトホールを介して接続され得る。

【0124】

第３のアクティブ層３３３の一部は、プレート３４０とコンタクトホールを介して接続することができる。第３のアクティブ層３３３の他の一部は、第２の延長部３４８と接続され得る。

【0125】

第１～第３のアクティブパターン３３１、３３２、３３３及びリペアパターン３８１が配置された基板上には、第２の絶縁膜４０２、第５の信号ライン３４５、第１の延長部３４６、第２の延長部３４８、プレート３４０、第１の電極パターン３４１及び第２の電極パターン５４１が配置されてもよい。

【0126】

また、第５の信号ライン３４５、第１の延長部３４６、第の延長部３４８、プレート３４０、第１の電極パターン３４１及び第２の電極パターン５４１が配置された基板３００上に、第１のホールＨ１を含む第３の絶縁膜４０３とバンク３９０が順に配置できる。

【0127】

図５に示されるように、バンク３９０は、発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４に配置された第１のアクティブ層３３１の少なくとも一端と重畳されていなくてもよい。すなわち、図６を参照すると、バンク３９０の開口部は、第１のアクティブ層３３１の少なくとも一側面と重なってもよい。バンク３９０の上面及び側面と、バンク３９０の開口部内には、有機層４９７及び第２の電極４９８が順に配置され得る。

【0128】

図５及び図６を参照すると、バンク３９０の開口部の少なくとも一部は、発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４に対応し得る。先に記述したように、バンク３９０の開口部は、第１のアクティブ層３３１の少なくとも一側面と重なることにより、バンク３９０が、有機発光素子ＯＬＥＤの第１の電極として機能する第１のアクティブ層３３１の上面を覆う面積を減らすことにより、各発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４の面積を広げることができる。

【0129】

図３～図６を参照して説明したように、本開示の実施形態による有機発光表示装置は、発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４だけでなく、非発光領域ＮＥＡにもカラーフィルタが配置され、外光又はパネル内部の光線成分の光を吸収して、視認性を向上することができることを説明した。

【0130】

これを、図７及び図８を参照して具体的に検討すると、以下の通りである。図７は、図５の構造にカラーフィルタが配置された構造を示す平面図である。図８は、図７のＭ－Ｎに沿って切断した断面構造を概略的に示す図である。

【0131】

後述する説明では、前述の実施形態と重複する内容（構成、効果など）は省略することができる。なお、後述する説明において、前述した実施形態と重複する構成の図面番号は、同一の図面番号を使用してもよい。

【0132】

図７及び図８を参照すると、第１のサブピクセルＳＰ１には、第１の発光領域ＥＡ１と重なるように、第１のカラーフィルタ３１７が配置され、第３のサブピクセルＳＰ３には、第３の発光領域ＥＡ３と重なるように、第２のカラーフィルタが配置され、第４のサブピクセルＳＰ４には、第４の発光領域ＥＡ４と重なるように、第３のカラーフィルタが配置されてもよい。第２の発光領域ＥＡ２には、カラーフィルタが配置されなくてもよい。非発光領域ＮＥＡに配置された第１～第４の信号ライン５１１、５１２、５１３、５１４と回路領域のそれぞれは、異なる色の少なくとも２つのカラーフィルタと重なってもよい。

【0133】

図７に示されるように、第１～第４の信号ライン５１１、５１２、５１３、５１４は、赤色の第１のカラーフィルタ３１７と、第１のカラーフィルタ３１７上に配置された青色の第２のカラーフィルタ３１８と重なってもよく、第１のカラーフィルタ３１７と、第１のカラーフィルタ３１７上に配置された緑色の第３のカラーフィルタ３１９と重なってもよい。

【0134】

例えば、第１及び第２の信号ライン５１１、５１２は、第１及び第２のカラーフィルタ３１７、３１８と重畳され、第３及び第４の信号ライン５１３、５１４は、第１及び第３のカラーフィルタ３１７、３１９と重畳されてもよい。そして、各サブピクセルＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４の回路領域は、第１及び第２のカラーフィルタ３１７、３１８と重畳することができる。

【0135】

異なる色が重なっているカラーフィルタは、光を吸収することができる。したがって、有機発光素子ＯＬＥＤから発光された光が、基板３００の方向に出射されると、光が、基板上に配置された第１及び第２のカラーフィルタ３１７、３１８、又は、第１及び第３のカラーフィルタ３１７、３１９が積層された領域に到達する場合、吸収されて他のサブピクセルに進まない可能性がある。これにより、異なる色を発光するサブピクセルに、光が乗り越えて光線現象が発生することを防止することができる。

【0136】

また、図５及び図６を参照して説明したように、バンク３９０は、非発光領域に配置された電極又は信号ラインの一部を露出するように配置することができる。例えば、図８に示されるように、バンク３９０は、第１の延長部３４６の一部と重畳されていなくてもよい。すなわち、バンク３９０の開口部は、第１の延長部３４６の一部と重なるように配置されることにより、バンク３９０が、有機発光素子ＯＬＥＤの第１の電極として機能する第１のアクティブ層３３１を覆う面積を最小化して、発光面積を広げることができる。

【0137】

図７及び図８において、第１～第３のカラーフィルタ３１７、３１８、３１９が、発光領域ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３、ＥＡ４及び非発光領域ＮＥＡに配置された構造を、図５及び図６の構造を例示として説明したが、図７及び図８の第１～第３のカラーフィルタ３１７、３１８、３１９は、図３及び図４の構造にも適用することができる。

【0138】

次に、図９～図１２を参照して、本開示の実施形態による有機発光表示装置の製造工程を簡単に検討すると、以下の通りである。図９～図１２は、本開示の実施形態による有機発光表示装置の製造工程を簡略に示す図である。

【0139】

後述する説明では、先に説明した実施形態と重複する内容（構成、効果など）は、省略することができる。なお、後述する説明において、前述した実施形態と重複する構成の図面番号は、同一の図面番号を使用してもよい。説明の便宜のために、図９～図１２を参照して説明する有機発光表示装置は、図７及び図８の構造を含む有機発光表示装置であるとする。

【0140】

図９を参照すると、本開示の実施形態による有機発光表示装置は、第１の部分９５０及び第２の部分１０５０を介して形成することができる。第１の部分９５０は、第１の支持基板９００、第１の支持基板９００上に配置された第１の犠牲層９０１、第１の犠牲層９０１上に配置されたバッファ層９０２を含み得る。

【0141】

バッファ層９０２上には、遮光層５１５と第１の信号ライン５１１とを含む複数の信号ラインが配置され得る。遮光層５１５及び第１の信号ライン５１１上には、第４の絶縁膜６０４が配置され得る。第４の絶縁膜６０４上には、複数のアクティブ層３３１、３３２が配置され得る。

【0142】

複数のアクティブ層３３１、３３２上には、第２の絶縁膜４０２が配置され得る。第２の絶縁膜４０２上には、プレート３４０及び電極パターン３４１が配置され得る。また、パッド領域ＰＡＤには、パッド電極４９５が配置され得る。プレート３４０及び電極パターン３４１上には、第３の絶縁膜４０３が配置され、第３の絶縁膜４０３上には、バンク３９０が配置され得る。バンク３９０及び第１のアクティブ層３３１の上面の一部には、有機層４９７及び第２の電極４９８が配置され得る。第２の電極４９８上には、封止層９０３が配置され得る。

【0143】

図９では、封止層９０３が単層である構造を示したが、本開示の実施形態による有機発光表示装置の構造は、これに限定されず、無機膜と有機膜が交互に配置される多層構造であってもよい。封止層９０３上には、第２の犠牲層９０４と、第の支持基板９０５とが順に配置されてもよい。

【0144】

図１０に示されるように、第２の部分１０５０は、基板３００上に配置された複数のカラーフィルタ３１７、３１８、複数のカラーフィルタ３１７、３１８上に配置された第１の絶縁膜４０１を含み得る。

【0145】

その後、図１１及び図１２に示されるように、第１の部分９５０の第１の支持基板９００及び第１の犠牲層９０１を除去し、バッファ層９０２の一面に第２の部分１０５０の第１の絶縁膜４０１の上面を付着することができる。

【0146】

第１の絶縁膜４０１とバッファ層９０２とが付着された後、封止層９０３上に、封止基板１２０５が配置され得る。封止基板１２０５は、接着層１２０４を介して、封止層９０３上に接着されてもよい。接着層１２０４は、水分を吸収する成分を含んでもよい。

【0147】

本開示の実施形態によれば、回路領域に配置された複数のアクティブ層のうち少なくとも１つを発光領域まで延長させ、有機発光素子のアノード電極として機能し、複数のアクティブ層が、複数の信号ラインと同一層に配置されることにより、工程を簡単にすることができる有機発光表示装置、及び、有機発光表示パネルを提供することができる。

【0148】

前述の本開示の実施形態によれば、バンクが、有機発光素子のアノード電極の側面の少なくとも一部を露出するように配置されることにより、開口率を向上させることができる有機発光表示装置、及び、有機発光表示パネルを提供することができる。

【0149】

以上の説明は、本発明の技術思想を例示的に説明したものに過ぎず、本開示が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で、様々な修正及び変形が可能であるだろう。また、本実施形態は、本発明の技術思想を限定するものではなく、説明するためのものであるため、これらの実施形態によって本開示の技術思想の範囲が限定されるものではない。本開示の保護範囲は、以下の特許請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

【符号の説明】

【0150】

１００ 有機発光表示装置
３００ 基板
３１７ 第１のカラーフィルタ
３１８ 第２のカラーフィルタ
３３１ 第１のアクティブ層
４０１ 第１の絶縁膜
４０２ 第２の絶縁膜
３９０ バンク

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】