知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-23
(45)【発行日】2024-05-31
(54)【発明の名称】発光表示装置およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240524BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240524BHJP
H10K 50/828 20230101ALI20240524BHJP
H10K 50/824 20230101ALI20240524BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240524BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240524BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20240524BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 348A
G09F9/30 360
G09F9/00 338
H10K50/828
H10K50/824
H10K59/124
H10K59/122
H10K71/20
【請求項の数】
18
(21)【出願番号】P 2022196019
(22)【出願日】2022-12-08
(65)【公開番号】P2023098646
(43)【公開日】2023-07-10
【審査請求日】2022-12-08
(31)【優先権主張番号】10-2021-0189822
(32)【優先日】2021-12-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(74)【代理人】
【識別番号】100114915
【弁理士】
【氏名又は名称】三村 治彦
(74)【代理人】
【識別番号】100125139
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 洋
(74)【代理人】
【識別番号】100209808
【弁理士】
【氏名又は名称】三宅 高志
(72)【発明者】
【氏名】崔 ▲ハン▼ ▲ソル▼
(72)【発明者】
【氏名】李 相 勳
【審査官】内村 駿介
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０２０／０２０３４６９（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１１１２１１２４３（ＣＮ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０１７９７１９（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１２５４９５（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１８－１０９７５８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０９２１６８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１２０７７１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０９Ｆ ９／００
Ｈ１０Ｋ ５０／８２８
Ｈ１０Ｋ ５０／８２４
Ｈ１０Ｋ ５９／１２４
Ｈ１０Ｋ ５９／１２２
Ｈ１０Ｋ ７１／２０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に配置された補助電源電極を有する回路層と、前記回路層を覆う保護層と、
前記補助電源電極の一部分を露出させるコンタクト部と、
前記補助電源電極の一部分の上に配置され、アンダーカット領域を有するアンダーカット構造物とを含み、
前記アンダーカット領域は、前記アンダーカット構造物の周辺の周りの少なくとも一部に形成され、
前記アンダーカット構造物は、
前記補助電源電極の一部分の上に配置された第１パターンと、
前記補助電源電極の上面上に配置され、前記第１パターンを支持する第２パターンと、
前記補助電源電極の上面上に配置され、前記第１パターンと一部重畳し、前記第２パターンから延長する第３パターンとを含み、
前記アンダーカット領域は、前記第１パターンの端の少なくとも一部の下に形成される、発光表示装置。
【請求項2】
前記第１パターンの端の少なくとも一部は、前記補助電源電極の露出領域と少なくとも一部重畳する、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項3】
前記アンダーカット構造物は、有機絶縁物質及び無機絶縁物質の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項4】
前記第１パターンは、有機絶縁物質からなり、前記第２パターンは、無機絶縁物質からなる、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項5】
前記第１パターンは、アイランド（ｉｓｌａｎｄ）パターンからなり、前記コンタクト部は、前記第１パターンの周辺の周りの少なくとも一部に前記補助電源電極の露出領域が形成される、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項6】
前記アンダーカット領域は、前記第１パターンの端の少なくとも一部の下の部分と前記第２パターンの側面とを含む、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項7】
前記アンダーカット領域は、前記第１パターンの端部において前記第３パターンと重畳する部分を除く残りの端部の下に形成される、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項8】
前記第３パターンは、前記第２パターンを挟んで少なくとも両側に延在するように形成される、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項9】
前記第２パターンおよび前記第３パターンは、平面上で前記第１パターンと少なくとも一部重畳する格子形状に形成される、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項10】
前記第２パターンは、前記格子形状の中心に配置され、前記第３パターンは、前記格子形状の中心に配置された前記第２パターンから十字形状に延在するように形成される、請求項９に記載の発光表示装置。
【請求項11】
前記第１パターンの下面が、前記第３パターンの上面と接し、前記第２パターンと前記第３パターンは同じ高さを有する、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項12】
前記保護層が、有機絶縁物質からなる第１保護層と、
前記第１保護層と前記補助電源電極の間に配置され、無機絶縁物質からなる第２保護層とを含む、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項13】
前記アンダーカット構造物は、前記第１保護層と同じ層に同じ物質からなる第１パターンと、
前記第２保護層と同じ層に同じ物質からなる第２パターンとを含み、
前記コンタクト部は、前記第１パターンの周辺の周りの少なくとも一部で、前記第２パターンおよび前記第２保護層の間に前記補助電源電極の露出領域が形成される、請求項１２に記載の発光表示装置。
【請求項14】
前記アンダーカット領域は、前記第１パターンの端の少なくとも一部の下と前記第２パターンの側面とを含む、請求項１３に記載の発光表示装置。
【請求項15】
前記アンダーカット構造物は、前記第１パターンと一部重畳し、前記第２パターンから延長され、前記第２パターンと同じ層に同じ物質からなる第３パターンを含む、請求項１３に記載の発光表示装置。
【請求項16】
前記第３パターンは、前記第２パターンと前記第２保護層の間を連結する、請求項１５に記載の発光表示装置。
【請求項17】
前記基板上の前記回路層に配置された薄膜トランジスタと、前記保護層上に配置され、前記薄膜トランジスタに結合したピクセル電極と、
前記ピクセル電極上に配置された発光層と、
前記発光層上に配置された共通電極とを含み、
前記共通電極は、前記アンダーカット構造物の前記アンダーカット領域において、前記補助電源電極に直接に接する、請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項18】
基板上に補助電源電極を有する回路層を形成する工程と、前記回路層を覆う有機絶縁物質および無機絶縁物質の中の少なくとも１つを含む保護層を形成する工程と、
前記補助電源電極の一部分を露出させ、前記補助電源電極の一部分の上にアンダーカット領域を有するアンダーカット構造物を形成する工程とを含み、
前記アンダーカット領域は、前記アンダーカット構造物の周辺の周りの少なくとも一部に形成され、
前記アンダーカット構造物を形成する工程は、
前記保護層の有機絶縁物質からなる第１保護層を、前記保護層の無機絶縁物質からなる第２保護層の上部にパターン形成し、前記アンダーカット構造物の第１パターンと前記第１パターン周辺の前記第２保護層の一部が露出するように形成する工程と、
前記第１パターンの中心を基準に、格子形状を有するフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記フォトレジストパターン及び前記第１パターンをマスクにして、前記第２保護層をエッチングして、前記アンダーカット構造物の第２パターン及び第３パターンと、前記第２パターン及び前記第３パターン周辺の前記補助電源電極の一部分が露出するように形成する工程とを含み、
前記アンダーカット領域は、前記第１パターンの端で前記第３パターンと重畳する部分を除いた残りの端の下と前記第２パターンの側面とを含む、発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書は、発光表示装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
情報化社会が発展するにつれて、画像を表示するための表示装置に対する要求が様々な形態で増加している。これにより、近年、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＯＬＥＤ）、マイクロＬＥＤ表示装置（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙ）、量子ドット表示装置（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＱＤ）などのような表示装置が活用されている。
【0003】
これらの表示装置の中で発光表示装置は、発光層の物質によって無機発光表示装置と有機発光表示装置に大別され得る。例えば、有機発光表示装置は自体発光型（ｓｅｌｆ－ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）であり、正孔（ｈｏｌｅ）注入のためのアノード電極と電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）注入のためのカソード電極から、それぞれ正孔と電子を発光層内部に注入させ、注入された正孔と電子が結合した励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちるときに発光して映像を表示することができる。
【0004】
このような発光表示装置は、光が放出される方向によって上部発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式、下部発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式、または両面発光（ｄｕａｌ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式などに分けることができる。
【0005】
この中の上部発光方式の発光表示装置の場合、発光層で発光した光を上部に発光させるために、カソードとして透明特性の電極または半透過特性の電極を用いる。このようなカソード電極は、透過率を向上させるために厚さを薄く形成し、これにより電気抵抗が大きくなる。特に、大面積の発光表示装置の場合、電圧供給パッド部から離れるほど電圧降下が激しくなり、発光表示装置の輝度の不均一問題が発生し得る。
【0006】
このようなカソード電極の抵抗増加による電圧降下を解決するために、カソード電極に別個の補助電極を電気的に連結させることができるように、アンダーカット形状を有するカソードコンタクト構造が提案されている。
【0007】
以上説明した背景技術の内容は、本明細書の発明者が本明細書の導出のために保有していたか、または本明細書の導出過程で習得した技術情報であって、必ずしも本明細書の前に一般公衆に公開された公知技術とはいえない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
ところで、カソードコンタクト構造は、補助電極とカソード電極の間のコンタクト面積を増加させるために、アンダーカットを形成する構造物をアイランド（ｉｓｌａｎｄ）形態で形成し、構造物の端全体にわたってアンダーカット領域を形成するように構成したが、アンダーカット構造物の上部にカソード電極がフローティング状態で存在すると、これに内在する静電気によってエージング工程時にクラック（亀裂）が発生することが起こり得る。
【0009】
本明細書は、カソードコンタクト面積を均一に増加させることができながらカソードコンタクト領域でクラック（亀裂）が発生することを防止できる発光表示装置を提供することを課題とする。
【0010】
上記の本明細書の課題に加えて、本明細書の他の特徴および利点は、以下に記載されるか、またはそのような記載および説明から本明細書の技術的思想が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解され得るだろう。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本明細書の実施例による発光表示装置は、基板上に配置された補助電源電極を有する回路層、前記回路層を覆う保護層、前記補助電源電極の一部分を露出させるコンタクト部、及び前記補助電源電極の一部分の上に配置され、アンダーカット領域を有するアンダーカット構造物を含み、前記アンダーカット領域は、前記アンダーカット構造物の周辺の周りの少なくとも一部に形成することができる。
【0012】
本明細書の実施例による発光表示装置の製造方法は、基板上に補助電源電極を有する回路層を形成する工程、前記回路層を覆う有機絶縁物質及び無機絶縁物質の中の少なくとも一方を含む保護層を形成する工程、および補助電源電極の一部分を露出させ、前記補助電源電極の一部分上にアンダーカット領域を有するアンダーカット構造を形成する工程とを含み、前記アンダーカット領域は、前記アンダーカット構造の周辺の周りの少なくとも一部に形成することができる。
【発明の効果】
【0013】
本明細書に係る発光表示装置は、アイランド形態のアンダーカット構造上のカソード電極が電気的に連結するように形成することにより、カソードコンタクト面積を均一に増加させることができながら、カソード電極の静電気防止を通じてカソードコンタクト領域でクラック（亀裂）が発生することを防止することができる。
【0014】
上記の本明細書の効果に加えて、本明細書の他の特徴および利点は、以下に記載されるか、またはそのような記載および説明から本明細書が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解され得るだろう。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本明細書の実施例による発光表示装置を概略的に示すブロック図である。
【図2】本明細書の実施例による発光表示装置におけるサブピクセルの第１電極、バンク及びコンタクト部を概略的に示す図である。
【図6A】本明細書の実施例による発光表示装置の製造方法を示す工程平面図である。
【図7A】本明細書の実施例による発光表示装置の製造方法を示す工程平面図である。
【図8A】本明細書の実施例による発光表示装置の製造方法を示す工程平面図である。
【図9A】本明細書の実施例による発光表示装置の製造方法を示す工程平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
本明細書の利点および特徴、およびそれらを達成する方法は、添付の図と共に詳細に後述される様々な例を参照することによって明らかになるであろう。しかしながら、本明細書は、以下に開示される様々な例に限定されるものではなく、様々な形態で実施されるものであり、本明細書の様々な例は、本明細書の開示を完全にし、本明細書の技術的思想が属する技術分野において通常の知識を有する者に本明細書の技術的思想の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本明細書は、特許請求の範囲によって定義されるだけである。
【0017】
本明細書の様々な例を説明するための図に開示した形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものであり、本明細書の図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同じ参照番号は同じ構成要素を指す。なお、本明細書の例を説明するにあたり、関連する公知技術の具体的な説明が、本明細書の要旨を不必要に曖昧にし得ると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【0018】
本明細書で言及される「含む」、「有する」、「からなる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合に、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
【0019】
構成要素を解釈する際に、別途の明示的記載がなくても、誤差範囲を含むものと解釈する。
【0020】
位置関係の説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」などで２つの部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない限り、２つの部分の間に１つ以上の他の部分が配置され得る。
【0021】
時間関係の説明である場合、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～の次に」、「～前に」などで時間的前後関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない限り、連続的でない場合も含むことができる。
【0022】
第１、第２などが様々な構成要素を説明するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって限定されない。これらの用語は、単一の構成要素を他の構成要素と区別するためにのみ使用される。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本明細書の技術的思想内で第２構成要素であり得る。
【0023】
「第１水平軸方向」、「第２水平軸方向」および「垂直軸方向」は、相互間の関係が垂直からなる幾何学的関係のみと解釈されてはならず、本明細書の構成が機能的に作用する。可能な範囲内でより広い方向性を有することを意味することができる。
【0024】
「少なくとも１つ」の用語は、１つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むことを理解されなければならない。例えば、「第１項目、第２項目、第３項目の中の少なくとも１つ」の意味は、第１項目、第２項目、または第３項目のそれぞれだけでなく、第１項目、第２項目、および第３項目の中の２つ以上から提示できるすべての項目の組み合わせを意味することができる。
【0025】
本明細書のいくつかの例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に様々な連動および駆動が可能であり、各例は互いに独立して実施可能であり、関連して一緒に実施することもできる。
【0026】
以下では、本明細書の実施例による発光表示装置の好ましい例を添付の図を参照して詳細に説明する。各図の構成要素に参照符号を追加する際に、同一の構成要素については、異なる図上に表示されていても、可能な限り同じ符号を有することができる。なお、添付の図に示した構成要素のスケールは、説明の便宜上、実際とは異なるスケールを有しているため、図に示すスケールに限定されない。
【0027】
図１は、本明細書の実施例による発光表示装置を概略的に示すブロック図である。
【0028】
図１を参照すると、本明細書の実施例による発光表示装置１００は、表示パネル１１０、映像処理部１２０、タイミング制御部１３０、データ駆動部１４０、スキャン駆動部１５０、及び電源供給部１６０を含むことができる。
【0029】
表示パネル１１０は、データ駆動部１４０から供給されたデータ信号（ＤＡＴＡ）とスキャン駆動部１５０から供給されたスキャン信号、及び電源供給部１６０から供給された電源に対応して映像を表示することができる。
【0030】
表示パネル１１０は、複数のゲートライン（ＧＬ）と複数のデータライン（ＤＬ）の交差領域毎に配置されたサブピクセル（ＳＰ）を含むことができる。サブピクセル（ＳＰ）の構造は、表示装置１００の種類によって様々に変更することができる。
【0031】
例えば、サブピクセル（ＳＰ）は、構造によって上部発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式、下部発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式、または両面発光（ｄｕａｌ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式で形成することができる。サブピクセル（ＳＰ）は、特定の種類のカラーフィルタを形成するか、カラーフィルタを形成せずにそれ自体の色を発光することができる単位を意味する。例えば、サブピクセル（ＳＰ）は、赤色サブピクセル、緑色サブピクセル、および青色サブピクセルを含むことができる。あるいは、サブピクセル（ＳＰ）は、赤色サブピクセル、青色サブピクセル、白色サブピクセル、および緑色サブピクセルを含むことができる。サブピクセル（ＳＰ）は、発光特性によって、１つ以上の異なる発光面積を有することができる。
【0032】
１つ以上のサブピクセル（ＳＰ）は、１つの単位ピクセル（ｐｉｘｅｌ）を成すことができる。例えば、１つの単位ピクセルは、赤、緑、および青のサブピクセルを含むことができ、赤、緑および青のサブピクセルを繰り返し配置することができる。あるいは、１つの単位ピクセルは、赤、緑、青および白のサブピクセルを含むことができ、赤、緑、青および白のサブピクセルを繰り返し配置するか、または赤、緑、青および白のサブピクセルをクワッド（ｑｕａｄ）タイプで配置することができる。本明細書による実施例におけるサブピクセルの色のタイプ、配置のタイプ、配置順序などは、発光特性、素子の寿命、装置のスペック（ｓｐｅｃ）などによって様々な形態で構成され得るので、これに限定されない。
【0033】
表示パネル１１０は、サブピクセル（ＳＰ）が配置されて映像を表示する表示領域（ＡＡ）と表示領域（ＡＡ）周辺の非表示領域（ＮＡ）とに区分することができる。スキャン駆動部１５０は、表示パネル１１０の非表示領域（ＮＡ）に実装することができる。また、非表示領域（ＮＡ）には、パッド領域を含むことができる。
【0034】
映像処理部１２０は、外部から供給されたデータ信号（ＤＡＴＡ）に加えてデータイネーブル信号（ＤＥ）等を出力することができる。映像処理部１２０は、データイネーブル信号（ＤＥ）に加えて、垂直同期信号、水平同期信号、およびクロック信号の中の１つ以上を出力することができるが、これらの信号は説明の便宜上省略する。
【0035】
タイミング制御部１３０は、映像処理部１２０から駆動信号とともにデータ信号（ＤＡＴＡ）が供給される。駆動信号は、データイネーブル信号（ＤＥ）を含むことができる。あるいは、駆動信号は、垂直同期信号、水平同期信号、およびクロック信号を含むことができる。タイミング制御部１３０は、駆動信号に基づいてデータ駆動部１４０の動作タイミングを制御するためのデータタイミング制御信号（ＤＤＣ）とスキャン駆動部１５０の動作タイミングを制御するゲートタイミング制御信号（ＧＤＣ）を出力することができる。
【0036】
データ駆動部１４０は、タイミング制御部１３０から供給されたデータタイミング制御信号（ＤＤＣ）に応答して、タイミング制御部１３０から供給されるデータ信号（ＤＡＴＡ）をサンプリングしてラッチしてガンマ基準電圧に変換して出力することができる。
【0037】
データ駆動部１４０は、データライン（ＤＬ）を介して、データ信号（ＤＡＴＡ）を出力することができる。データ駆動部１４０は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の形態で構成することができる。例えば、データ駆動部１４０は、表示パネル１１０の非表示領域（ＮＡ）に配置されたパッド領域とフレキシブル回路フィルムを介して、電気的に連結され得る。
【0038】
スキャン駆動部１５０は、タイミング制御部１３０から供給されたゲートタイミング制御信号（ＧＤＣ）に応答して、スキャン信号を出力することができる。スキャン駆動部１５０は、ゲートライン（ＧＬ）を介して、スキャン信号を出力することができる。スキャン駆動部１５０は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の形態で構成するか、表示パネル１１０にゲートインパネル（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ；ＧＩＰ）方式で構成することができる。
【0039】
電源供給部１６０は、表示パネル１１０を駆動するための高電位電圧及び低電位電圧等を出力することができる。電源供給部１６０は、高電位電圧を第１電源ライン（ＥＶＤＤ）（駆動電源ラインまたはピクセル電源ライン）を介して表示パネル１１０に供給することができ、低電位電圧を第２電源ライン（ＥＶＳＳ）（補助電源ラインまたは共通電源ライン）を介して表示パネル１１０に供給することができる。
【0040】
図２は、本明細書の実施例による発光表示装置におけるサブピクセルの第１電極、バンク及びコンタクト部を概略的に示す図である。
【0041】
図２を図１に結びつけて参照すると、本明細書の実施例による発光表示装置１００の表示パネル１１０は、表示領域（ＡＡ）と非表示領域（ＮＡ）に区分される。表示領域（ＡＡ）内の基板上に互いに交差してマトリクス状に形成されるゲートライン（ＧＬ）と、データライン（ＤＬ）によって定義される複数のサブピクセル（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）とを含むことができる。
【0042】
図２に示すように、複数のサブピクセル（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）は、第１サブピクセル（ＳＰ１）、第２サブピクセル（ＳＰ２）、第３サブピクセル（ＳＰ３）及び第４サブピクセル（ＳＰ４）を含むことができる。例えば、第１サブピクセル（ＳＰ１）は、赤色光を放出することができ、第２サブピクセル（ＳＰ２）は、緑色光を放出することができ、第３サブピクセル（ＳＰ３）は、青色光を放出することができる。そして、第４サブピクセル（ＳＰ４）は、白色光を放出することができるが、白色光を放出する第４サブピクセル（ＳＰ４）は、省略することができ、赤色（ｒｅｄ）光、緑色（ｇｒｅｅｎ）光、青色（ｂｌｕｅ）光、黄色（ｙｅｌｌｏｗ）光、マゼンタ（ｍａｇｅｎｔａ）光、およびシアン（ｃｙａｎ）光の中の少なくとも２つの光を放出するサブピクセルで構成することができる。また、複数のサブピクセル（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）は、特定の種類のカラーフィルタを形成するか、カラーフィルタを形成せずに自体の色を発光することができる。しかし、本明細書が必ずしもこれに限定されるものではなく、サブピクセル（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）の色タイプ、配置タイプ、並びに配置順序等は、発光特性、素子の寿命、及び装置のスペックなどによって様々な形態で構成することができる。
【0043】
複数のサブピクセル（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれには、ピクセル電極（ＰＸＬ）（アノード電極または第１電極）が配置され得る。ピクセル電極（ＰＸＬ）上には、ピクセル電極（ＰＸＬ）の端部を覆い、複数のサブピクセル（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）に対応する開口部を定義するバンク層（ＢＡ）を配置することができる。そして、ピクセル電極（ＰＸＬ）とバンク層（ＢＡ）上には、発光層（または有機発光層）と共通電極（カソード電極または第２電極）を順に積層することができる。
【0044】
本明細書の実施例によれば、表示パネル１１０の全面にわたって形成される共通電極の抵抗を下げるために、共通電極より低い抵抗を有する物質で形成され、共通電極と接触（ｃｏｎｔａｃｔ）し、電気的に連結した別個の補助電源電極を含むことができる。バンク層（ＢＡ）は、補助電源電極と共通電極を電気的に連結できるように補助電源電極の一部分を露出させるコンタクト部（ＣＡ）を定義することができる。
【0045】
コンタクト部（ＣＡ）は、ゲートライン（ＧＬ）と平行な方向に１つの単位ピクセルを構成する４つのサブピクセル（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）毎に形成することができるが、これに限定されるものではない。あるいは、任意の複数のサブピクセルごとに形成することができる。また、コンタクト部（ＣＡ）は、データライン（ＤＬ）と平行な方向に各水平ライン毎に形成することもできるが、これに限定されず、任意の複数の水平ライン毎に形成することができる。
【0046】
【0047】
図３を参照すると、本明細書の実施例による発光表示装置１００は、基板（ＳＵＢ）、遮光層（ＬＳ）、補助電源ライン（ＥＶＳＳ）（第２電源ライン又は共通電源ライン）、バッファ層（ＢＵＦ）、薄膜トランジスタ（ＴＲ）、ストレージキャパシタ、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、層間絶縁膜（ＩＬＤ）、補助電源電極２１０、パッシベーション層（ＰＡＳ）（または第２保護層）、オーバーコート層（ＯＣ）（第１保護層または平坦化層）、発光素子（ＥＤ）、バンク層（ＢＡ）、コンタクト部（ＣＡ）、およびアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）などを含むことができる。
【0048】
基板（ＳＵＢ）は、ベース基板として、ガラス（ｇｌａｓｓ）またはプラスチック材質からなり得る。例えば、基板（ＳＵＢ）は、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）などのプラスチック材質で形成され、柔軟な（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）特性を有することができる。
【0049】
基板（ＳＵＢ）上には、各種信号ライン、薄膜トランジスタ（ＴＲ）、ストレージキャパシタ等を含む回路素子を複数のサブピクセル（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）別に形成することができる。信号ラインとしては、ゲートライン（ＧＬ）、データライン（ＤＬ）、第１電源ライン（ＥＶＤＤ）（駆動電源ラインまたはピクセル電源ライン）、第２電源ライン（ＥＶＳＳ）（補助電源ラインまたは共通電源ライン）、および基準ラインなどを含むことができ、薄膜トランジスタ（ＴＲ）は、駆動薄膜トランジスタ、スイッチング薄膜トランジスタ、およびセンシング薄膜トランジスタなどを含むことができる。
【0050】
基板（ＳＵＢ）上には、遮光層（ＬＳ）と補助電源ライン（ＥＶＳＳ）（第２電源ラインまたは共通電源ライン）が配置され得る。遮光層（ＬＳ）は、薄膜トランジスタ（ＴＲ）と重畳するように配置することができる。例えば、遮光層（ＬＳ）は、薄膜トランジスタ（ＴＲ）のアクティブ層（ＡＣＴ）と重畳し、特にアクティブ層（ＡＣＴ）のチャネル領域と平面上で重畳するように配置することができる。遮光層（ＬＳ）は、アクティブ層（ＡＣＴ）に外部光が進入することを遮断する役割を果たすことができる。また、補助電源ライン（ＥＶＳＳ）（第２電源ラインまたは共通電源ライン）は、共通電極（ＣＯＭ）（カソード電極または第２電極）に、低電圧を印加する役割を果たすことができる。また、補助電源ライン（ＥＶＳＳ）は、補助電源電極２１０とともに共通電極（ＣＯＭ）の抵抗を下げる役割をすることができる。
【0051】
遮光層（ＬＳ）と補助電源ライン（ＥＶＳＳ）は、同一層で互いに同じ物質からなり得、この場合、遮光層（ＬＳ）と補助電源ライン（ＥＶＳＳ）を同一工程を通じて同時に形成することができる。
【0052】
基板（ＳＵＢ）上には、遮光層（ＬＳ）及び補助電源ライン（ＥＶＳＳ）を覆うようにバッファ層（ＢＵＦ）が配置され得る。バッファ層（ＢＵＦ）は、単一層または複数の無機膜を積層して形成することができる。例えば、バッファ層（ＢＵＦ）は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、およびシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）からなる単一層で形成することができる。あるいは、バッファ層（ＢＵＦ）は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、およびシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）の中の少なくとも２つ以上の膜を積層した多層膜からなり得る。このようなバッファ層（ＢＵＦ）は、基板（ＳＵＢ）から拡散するイオンや不純物を遮断し、基板（ＳＵＢ）を介して発光素子（ＥＤ）に浸透する水分を遮断するために、基板（ＳＵＢ）の上面全体に形成することができる。
【0053】
バッファ層（ＢＵＦ）上には、薄膜トランジスタ（ＴＲ）、ストレージキャパシタ及び補助電源電極２１０を配置することができる。薄膜トランジスタ（ＴＲ）は、バッファ層（ＢＵＦ）上の複数のサブピクセル（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれに配置することができる。例えば、薄膜トランジスタ（ＴＲ）は、アクティブ層（ＡＣＴ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）を挟んでアクティブ層（ＡＣＴ）と重畳するゲート電極（ＧＡ）、第１ソース／ドレイン電極（ＳＤ１）、及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ２）を含むことができる。また、ストレージキャパシタは、遮光層（ＬＳ）または補助電源ライン（ＥＶＳＳ）の一部または全部を利用する第１キャパシタ電極、薄膜トランジスタ（ＴＲ）のゲート電極（ＧＡ）と同じ金属物質でパターニングされる第２キャパシタ電極であり得る。そして、補助電源電極２１０の一部または全部を利用する第３キャパシタ電極を重畳した三重構造に形成することができるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、必要によって、多様な複数の層で構成することができる。また、補助電源電極２１０は、バッファ層（ＢＵＦ）、層間絶縁膜（ＩＬＤ）を貫通するコンタクトホール（ＣＨ）を介して、補助電源ライン（ＥＶＳＳ）に電気的に連結され得る。
【0054】
薄膜トランジスタ（ＴＲ）のアクティブ層（ＡＣＴ）は、シリコン系または酸化物系半導体物質からなり得、バッファ層（ＢＵＦ）上に形成することができる。アクティブ層（ＡＣＴ）は、ゲート電極（ＧＡ）と重畳するチャネル領域と、第１及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）と連結したソース／ドレイン領域とを含むことができる。
【0055】
アクティブ層（ＡＣＴ）上に、ゲート絶縁膜（ＧＩ）を形成することができる。ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、アクティブ層（ＡＣＴ）のチャネル領域上に配置することができ、アクティブ層（ＡＣＴ）とゲート電極（ＧＡ）とを絶縁する機能を成すことができる。ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、無機絶縁物質で形成することができ、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、またはそれらの多層膜からなり得る。
【0056】
ゲート絶縁膜（ＧＩ）上には、ゲート電極（ＧＡ）を形成することができる。ゲート電極（ＧＡ）は、ゲート絶縁膜（ＧＩ）を挟んでアクティブ層（ＡＣＴ）と対向するように配置することができる。そして、ゲート電極（ＧＡ）は、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、タンタル（Ｔａ）またはタングステン（Ｗ）からなる群から選択されるいずれか１つ、またはそれらの合金の単一層または多重層からなり得る。また、バッファ層（ＢＵＦ）上には、ストレージキャパシタの一部をなす第２キャパシタ電極をゲート電極（ＧＡ）と同じ物質で形成することができ、この場合、薄膜トランジスタ（ＴＲ）のゲート電極（ＧＡ）とストレージキャパシタの第２キャパシタ電極を同じ工程で同時に形成することができる。
【0057】
バッファ層（ＢＵＦ）上には、ゲート電極（ＧＡ）を覆う層間絶縁膜（ＩＬＤ）を形成することができる。また、層間絶縁膜（ＩＬＤ）は、ストレージキャパシタの第２キャパシタ電極を覆うように形成することができる。層間絶縁膜（ＩＬＤ）は、薄膜トランジスタ（ＴＲ）を保護する機能を行うことができる。層間絶縁膜（ＩＬＤ）は、無機絶縁物質からなり得る。例えば、層間絶縁膜（ＩＬＤ）は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、またはそれらの多層膜からなり得る。
【0058】
層間絶縁膜（ＩＬＤ）上には、第１及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）を形成することができる。層間絶縁膜（ＩＬＤ）は、アクティブ層（ＡＣＴ）と第１及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）とを接触させるために該当領域を除去することができる。例えば、第１及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）は、層間絶縁膜（ＩＬＤ）を貫通するコンタクトホールを介して、アクティブ層（ＡＣＴ）と接触して電気的に連結することができる。
【0059】
層間絶縁膜（ＩＬＤ）上には、補助電源電極２１０を形成することができる。層間絶縁膜（ＩＬＤ）とその下のバッファ層（ＢＵＦ）には、補助電源ライン（ＥＶＳＳ）と補助電源電極２１０を接触させるために、該当領域を除去することができる。例えば、補助電源電極２１０は、層間絶縁膜（ＩＬＤ）とバッファ層（ＢＵＦ）を貫通するコンタクトホール（ＣＨ）を介して、補助電源ライン（ＥＶＳＳ）と接触して電気的に連結することができる。また、補助電源電極２１０は、ストレージキャパシタの第３キャパシタ電極の役割を果たすことができる。
【0060】
第１及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）と補助電源電極２１０は、同一層で互いに同一物質からなり得る。第１及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）と補助電源電極２１０は、同じ工程を介して同時に形成することができる。第１及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）及び補助電源電極２１０は、単一層又は多重層からなり得る。第１及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）と補助電源電極２１０が単一層の場合には、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ） 、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）または銅（Ｃｕ）からなる群から選択されるいずれか１つ、またはそれらの合金からなり得る。また、第１及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）と補助電源電極２１０が多重層である場合には、モリブデン／アルミニウム－ネオジム、モリブデン／アルミニウム、チタン／アルミニウム、又は銅／モリブデンチタンの二重層であり得る。あるいは、第１および第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）と補助電源電極２１０は、モリブデン／アルミニウム－ネオジム／モリブデン、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、チタン／アルミニウム／チタン、またはモリブデンチタン／銅／モリブデンチタンの三重層からなり得る。しかし、これに限定されず、第１及び第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ１、ＳＤ２）と補助電源電極２１０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）または銅（Ｃｕ）からなる群から選択されるいずれか１つ、またはそれらの合金からなる多重層から形成することができる。
【0061】
基板（ＳＵＢ）上に配置された薄膜トランジスタ（ＴＲ）、ストレージキャパシタ及び補助電源電極２１０は、回路層（又は薄膜トランジスタアレイ層）を構成することができる。
【0062】
薄膜トランジスタ（ＴＲ）及び補助電源電極２１０上にはパッシベーション層（ＰＡＳ）（又は第２保護層）を配置することができる。パッシベーション層（ＰＡＳ）は、薄膜トランジスタ（ＴＲ）及び補助電源電極２１０を覆うように形成することができる。パッシベーション層（ＰＡＳ）は、薄膜トランジスタ（ＴＲ）を保護するものであり、無機絶縁物質からなり得る。例えば、パッシベーション層（ＰＡＳ）は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、またはそれらの多層膜からなり得る。
【0063】
パッシベーション層（ＰＡＳ）（または第２保護層）上には、オーバーコート層（ＯＣ）（第１保護層または平坦化層）を配置することができる。オーバーコート層（ＯＣ）は、下部の段差を平坦化するものであり、有機絶縁物質からなり得る。例えば、オーバーコート層（ＯＣ）は、フォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ｒｅｓｉｎ）、及びアクリレート系樹脂（ａｃｒｙｌａｔｅ）等の有機物の中の少なくとも一つの物質であり得る。
【0064】
オーバーコート層（ＯＣ）（第１保護層または平坦化層）上には、ピクセル電極（ＰＸＬ）（アノード電極または第１電極）を配置することができる。ピクセル電極（ＰＸＬ）は、オーバーコート層（ＯＣ）上の複数のサブピクセル（ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３、ＳＰ４）のそれぞれに配置することができる。ピクセル電極（ＰＸＬ）は、オーバーコート層（ＯＣ）及びパッシベーション層（ＰＡＳ）を貫通するコンタクトホールを介して、薄膜トランジスタ（ＴＲ）の第１ソード／ドレイン電極（ＳＤ１）に連結することができる。あるいは、ピクセル電極（ＰＸＬ）は、薄膜トランジスタ（ＴＲ）の第２ソース／ドレイン電極（ＳＤ２）に連結することもできる。ピクセル電極（ＰＸＬ）上には、発光層（ＥＬ）と共通電極（ＣＯＭ）が配置され得る。ピクセル電極（ＰＸＬ）、発光層（ＥＬ）及び共通電極（ＣＯＭ）は、発光素子（ＥＤ）を構成することができる。
【0065】
ピクセル電極（ＰＸＬ）（アノード電極または第１電極）は、金属、その合金、金属と酸化物金属の組み合わせで形成することができる。例えば、ピクセル電極（ＰＸＬ）は、透明導電膜と反射効率の高い不透明導電膜とを含む多層構造で形成することができる。ピクセル電極（ＰＸＬ）の透明導電膜としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）などの仕事関数値が相対的に大きな材質からなり、不透明導電膜としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、またはタングステン（Ｗ）からなる群から選ばれる１つまたはそれらの合金の単一層または多重層からなり得る。例えば、ピクセル電極（ＰＸＬ）は、透明導電膜、不透明導電膜および透明導電膜が順に積層された構造で形成することができ、透明導電膜および不透明導電膜が順に積層された構造で形成することもできる。
【0066】
ピクセル電極（ＰＸＬ）及びオーバーコート層（ＯＣ）上には、バンク層（ＢＡ）を配置することができる。バンク層（ＢＡ）は、ピクセル電極（ＰＸＬ）の端部を覆い、サブピクセルの開口部を定義することができる。バンク層（ＢＡ）は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ｓｅｒｉｅｓ ｒｅｓｉｎ）などの有機物からなり得る。バンク層（ＢＡ）によって露出したピクセル電極（ＰＸＬ）の中心部を、発光領域と定義することができる。また、バンク層（ＢＡ）は、補助電源電極２１０と共通電極（ＣＯＭ）を電気的に連結できるように、補助電源電極２１０の一部を露出させるコンタクト部（ＣＡ）を定義することができる。
【0067】
コンタクト部（ＣＡ）は、パッシベーション層（ＰＡＳ）、オーバーコート層（ＯＣ）及びバンク層（ＢＡ）を貫通して補助電源電極２１０の一部を露出させることができる。コンタクト部（ＣＡ）によって露出した補助電源電極２１０上には、アンダーカット領域（ＵＣ）を有するアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）が配置され得る。
【0068】
アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０の一部の上に配置され、アンダーカット領域（ＵＣ）を含むことができる。アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０の一部分上にアイランド（ｉｓｌａｎｄ）パターンからなり、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）の周辺の周りに補助電源電極２１０が、露出し得る。コンタクト部（ＣＡ）において、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）の周辺の周りに露出した補助電源電極２１０は、共通電極（ＣＯＭ）（カソード電極または第２電極）と接触して、電気的に連結することができる。アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）は、パッシベーション層（ＰＡＳ）およびオーバーコート層（ＯＣ）と同じ物質からなり得る。アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）は、オーバーコート層（ＯＣ）と同じ物質からなる第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）（または上部パターン）とパッシベーション層（ＰＡＳ）と同じ物質からなる第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）（または下部パターン）を含むことができる。
【0069】
ピクセル電極（ＰＸＬ）及びバンク層（ＢＡ）上には、発光層（ＥＬ）を配置することができる。オーバーコート層（ＯＣ）上に発光層（ＥＬ）を配置することができる。また、発光層（ＥＬ）は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）の第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）上に配置することができる。発光層（ＥＬ）は、コンタクト部（ＣＡ）を介して露出した補助電源電極２１０上に配置することができる。発光層（ＥＬ）は、コンタクト部（ＣＡ）に位置するアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）によるアンダーカット領域（ＵＣ）で断絶するように形成することができる。例えば、発光層（ＥＬ）は、ステップカバレッジに優れていない物質からなり得る。これにより、発光層（ＥＬ）は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）によって、補助電源電極２１０上に配置される面積が最小化され、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）のアンダーカット領域（ＵＣ）で断絶し、下の補助電源電極２１０が露出するように形成することができる。
【0070】
発光層（ＥＬ）上には、共通電極（ＣＯＭ）（カソード電極または第２電極）が配置され得る。共通電極（ＣＯＭ）は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）の第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）上の発光層（ＥＬ）上に配置され得る。共通電極（ＣＯＭ）は、ピクセル電極（ＰＸＬ）、発光層（ＥＬ）上に配置されて発光素子（ＥＤ）を構成することができる。共通電極（ＣＯＭ）は、基板（ＳＵＢ）の全面に広く形成することができる。共通電極（ＣＯＭ）は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）またはインジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電物質で構成することができ、光が透過できるほど薄い厚さを有する銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）またはそれらの合金からなることもできる。
【0071】
共通電極（ＣＯＭ）は、コンタクト部（ＣＡ）によって露出した補助電源電極２１０と接触して電気的に連結することができる。共通電極（ＣＯＭ）は、バンク層（ＢＡ）を覆うように配置され、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）のアンダーカット領域（ＵＣ）において、補助電源電極２１０上に配置され得る。例えば、共通電極（ＣＯＭ）は、ステップカバレッジに優れた物質からなり得る。共通電極（ＣＯＭ）は、蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）によって形成される発光層（ＥＬ）よりステップカバレッジに優れ、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）のアンダーカット領域（ＵＣ）で発光層（ＥＬ）が断絶して外部に露出した補助電源電極２１０の上部まで形成することができる。これにより、発光層（ＥＬ）は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）のアンダーカット領域（ＵＣ）において、補助電源電極２１０と接触せず、補助電源電極２１０が露出するように形成されるが、共通電極（ＣＯＭ）は、発光層（ＥＬ）で覆われずに露出した補助電源電極２１０の上面に配置することができ、補助電源電極２１０と直接に接触して電気的に連結することができる。
【0072】
【0073】
図４Ａ及び図４Ｂを図３に結びつけて参照すると、本明細書の一実施例による発光表示装置１００のコンタクト領域は、補助電源電極２１０の一部を露出させるコンタクト部（ＣＡ）を含むことができる。コンタクト部（ＣＡ）は、パッシベーション層（ＰＡＳ）（または第２保護層）、オーバーコート層（ＯＣ）（または第１保護層）、およびバンク層（ＢＡ）を貫通して、補助電源電極２１０の一部を露出させることができる。コンタクト部（ＣＡ）によって露出した補助電源電極２１０上には、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）及び第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）を含むアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）が配置され得る。
【0074】
アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０の一部分上に配置され、アンダーカット領域（ＵＣ）を含むことができる。アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０の一部分上にアイランドパターンで形成され、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）の周辺の周りに補助電源電極２１０の露出領域が形成され得る。コンタクト部（ＣＡ）において、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）の周辺の周りに露出した補助電源電極２１０は、共通電極（ＣＯＭ）（カソード電極または第２電極）と接触して電気的に連結され得る。アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）は、パッシベーション層（ＰＡＳ）およびオーバーコート層（ＯＣ）と同じ物質からなり得る。アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）は、オーバーコート層（ＯＣ）と同じ物質からなる第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）（または上部パターン）とパッシベーション層（ＰＡＳ）と同じ物質からなる第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）（または下部パターン）とを含むことができる。
【0075】
アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）の第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、有機絶縁物質で構成され、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は無機絶縁物質からなり得る。第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、オーバーコート層（ＯＣ）と同じ層に同じ物質で形成することができる。第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）とオーバーコート層（ＯＣ）は、同じ工程を介して同時に形成することができる。第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、パッシベーション層（ＰＡＳ）と同じ層に同じ物質で形成することができる。第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）とパッシベーション層（ＰＡＳ）は、同じ工程を通じて同時に形成することができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではない。
【0076】
第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０の一部分上に配置され得る。第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０上にアイランドパターンからなり、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端の下にアンダーカット領域（ＵＣ）が形成され得る。第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）上に配置され、露出した補助電源電極２１０の一部分と重畳し得る。
【0077】
第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０の上面上に第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と重畳するように形成され、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）を支持することができる。第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０上にアイランドパターンからなり、第１幅を有し、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と接する上面と、第１幅よりも広い第２幅を有し補助電源電極２１０と接する下面と、上面と下面の間に傾斜面を含むことができる。ここで、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の下面の幅は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の上面の第１幅よりも広い幅を有することができる。また、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の幅は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の下面の第２幅と同じかまたは広い幅を有することができる。第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の下面は、少なくとも第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の上面よりも広い幅を有するので、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端の下にアンダーカット領域（ＵＣ）を形成することができる。そのようなアンダーカット領域（ＵＣ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端の下と第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の側面とを含むことができる。
【0078】
第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と重畳するパッシベーション層（ＰＡＳ）が第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の周辺に補助電源電極２１０の一部が露出するようにエッチングされることにより形成され得る。第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端と重畳する領域で、オーバーエッチングされて第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端より内側に入るように形成されて、アンダーカット領域（ＵＣ）が形成され得る。
【0079】
本明細書の一実施例によるアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）は、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端の下にアンダーカット領域（ＵＣ）を形成され得る。アンダーカット領域（ＵＣ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端に対応する第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）が第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端よりも内側にパターニングされることによって形成することができる。アンダーカット領域（ＵＣ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端の下と第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の側面とを含むことができる。
【0080】
発光層（ＥＬ）は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）上に形成され、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）、オーバーコート層（ＯＣ）及びバンク層（ＢＡ）の段差に沿って、補助電源電極２１０の露出領域上に一部形成することができる。発光層（ＥＬ）は、補助電源電極２１０の露出領域において、アンダーカット領域（ＵＣ）に対応する補助電源電極２１０上に配置しなくてもよい。発光層（ＥＬ）は、ステップカバレッジに優れていない物質からなるため、アンダーカット領域（ＵＣ）の補助電源電極２１０まで形成できずに断絶することにより、補助電源電極２１０の露出領域上に配置される面積を最小限に抑えることができる。
【0081】
共通電極（ＣＯＭ）は、発光層（ＥＬ）上に形成することができる。共通電極（ＣＯＭ）は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）の発光層（ＥＬ）上に形成され、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）、オーバーコート層（ＯＣ）及びバンク層（ＢＡ）の段差に沿って発光層（ＥＬ）上に形成され、発光層（ＥＬ）によって覆われずに露出した補助電源電極２１０の上面に配置され得、補助電源電極２１０と直接に接触して電気的に連結し得る。共通電極（ＣＯＭ）は、発光層（ＥＬ）よりもステップカバレッジに優れた物質からなるため、発光層（ＥＬ）が形成されないアンダーカット領域（ＵＣ）の補助電源電極２１０まで形成することができ、補助電源電極２１０と直接に接触して電気的に連結することができる。したがって、本明細書の一実施例による発光表示装置１００は、発光層（ＥＬ）がアンダーカット領域（ＵＣ）と重畳する補助電源電極２１０を覆わないが、共通電極（ＣＯＭ）が発光層（ＥＬ）で覆われずに露出した補助電源電極２１０と直接に接触して電気的に連結することで、表示パネル全体で共通電極（ＣＯＭ）の抵抗偏差による電圧降下の不均一を低減することができる。
【0082】
本明細書の一実施例による発光表示装置１００は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）上面に形成された発光層（ＥＬ）と共通電極（ＣＯＭ）が、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）の第１パターンである（ＯＣ＿Ｐ）の端に沿って断絶するように形成することができる。この場合、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）上の共通電極（ＣＯＭ）は、電気的に分離されたフローティング状態で存在することができる。
【0083】
図５Ａは、本明細書の他の実施例による図３のＡ部分に示したコンタクト領域を示す平面図であり、図５Ｂは、図５Ａの線ＩＩＩ－ＩＩＩ’の断面図である。図５Ａにおける線ＩＩ－ＩＩ’の断面図は、図４Ｂと実質的に同じ構成であるため図を省略した。
【0084】
図５Ａ及び図５Ｂを図３及び図４Ｂに結びつけて参照すると、本明細書の他の実施例による発光表示装置１００のコンタクト領域は、補助電源電極２１０の一部を露出させるコンタクト部（ＣＡ）を含むことができる。コンタクト部（ＣＡ）は、パッシベーション層（ＰＡＳ）（または第２保護層）、オーバーコート層（ＯＣ）（または第１保護層）、およびバンク層（ＢＡ）を貫通して、補助電源電極２１０の一部を露出させることができる。コンタクト部（ＣＡ）によって露出した補助電源電極２１０上には、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）及び第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）を含むアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）を配置することができる。
【0085】
アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）は、補助電源電極２１０の一部分上に配置され、部分的にアンダーカット領域（ＵＣ）を含むことができる。アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）は、補助電源電極２１０の一部分上に配置され、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）の周辺の周り一部に補助電源電極２１０の露出領域を形成することができる。コンタクト部（ＣＡ）においてアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）の周辺の周りの一部に露出した補助電源電極２１０は、共通電極（ＣＯＭ）（カソード電極又は第２電極）と接触して、電気的に連結することができる。アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）は、パッシベーション層（ＰＡＳ）およびオーバーコート層（ＯＣ）と同じ物質からなり得る。アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）は、オーバーコート層（ＯＣ）と同じ物質からなる第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）（または上部パターン）と、パッシベーション層（ＰＡＳ）と同じ物質からなる第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）（または、下部パターン）と、パッシベーション層（ＰＡＳ）と同じ物質からなる第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）（またはブリッジパターン）を含むことができる。
【0086】
アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）の第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は有機絶縁物質からなり得、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）及び第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は無機絶縁物質からなり得る。第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、オーバーコート層（ＯＣ）と同じ層に同じ物質で形成することができる。第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）とオーバーコート層（ＯＣ）は、同じ工程を介して同時に形成することができる。第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）及び第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、パッシベーション層（ＰＡＳ）と同じ層に同じ物質で形成することができる。第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）とパッシベーション層（ＰＡＳ）は、同じ工程を介して同時に形成することができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではない。
【0087】
第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０の一部分上に配置される。第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０上にアイランドパターンからなり、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の、端の下の一部にアンダーカット領域（ＵＣ）が形成され得る。第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）及び第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）上に配置され、露出した補助電源電極２１０の一部と重畳し得る。
【0088】
第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０の上面上に第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と重畳するように形成され、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）を支持することができる。第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、補助電源電極２１０の上面上に第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と一部重畳するように形成され、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と重畳する部分が、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）と連結するように形成することができる。
【0089】
第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）及び第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、平面上に第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と少なくとも一部重畳する格子形状に形成され得る。第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、格子形状の中心に配置され、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、格子形状の中心に配置された第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）から十字形状（または「＋」形状）に延長するように形成され得る。第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と重畳し、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の形状に対応し、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）より小さい大きさを有する形態で形成され得る。第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）とアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）の間に配置することができ、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）及び周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）と一体の形態で形成することができる。第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の一部および周辺パッシベーション層（ＰＡＳ）の一部の間を連結する形態で形成することができる。第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）と周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）の間を連結する直線形態で形成することができる。例えば、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、少なくとも１つの側面を有することができ、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の少なくとも１つの側面から延長するように形成することができる。第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）を挟んで隣接するパッシベーション層（ＰＡＳ）側にそれぞれ延長するように形成することができる。例えば、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、図５Ａに示すように、４つの側面を有する四角形状であり、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の４つの側面それぞれの中心から隣接するパッシベーション層（ＰＡＳ）に延長する直線形態に形成することができるが、これに限定されるものではない。
【0090】
第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、第１幅を有し、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と接する上面と、第２幅より広い第２幅を有し、補助電源電極２１０と接する下面と、上面と下面の間に傾斜面を含むことができる。第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）を挟んで少なくとも両側に延長することができる。第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の下面と接し、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）と同じ高さを有することができる。ここで、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の下面の幅は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の上面の第１幅よりも広い幅を有することができ、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の下面の第２幅と同じか広い幅を有することができる。また、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の下面は、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）の上面と互いに接することができる。
【0091】
第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の下面は、少なくとも第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の上面より広い幅を有し、少なくとも一部が第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）と接しているので、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の一部の端の下にアンダーカット領域（ＵＣ）を形成することができる。すなわち、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端で第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）と重畳する部分を除いた残りの端の下にアンダーカット領域（ＵＣ）を形成することができる。このようなアンダーカット領域（ＵＣ）は、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）が配置された部分を除く、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の一部の端の下と第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の側面とを含むことができる。
【0092】
第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）及び第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と重畳するパッシベーション層（ＰＡＳ）が、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の周辺に補助電源電極２１０の一部分が露出するようにエッチングすることによって形成することができる。第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端と重畳する領域でオーバーエッチングされ、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端より内側に入るように形成され、アンダーカット領域（ＵＣ）が形成され得る。第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）を挟んで少なくとも両側に延長する部分のパッシベーション層（ＰＡＳ）が、エッチングされずに残留して形成され得る。これにより、アンダーカット領域（ＵＣ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端で、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）と重畳する部分を除く残りの端の下に形成することができる。
【0093】
本明細書の他の実施例によるアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）は、図５Ａ及び図４Ｂに示すように、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の一部の端の下にアンダーカット領域（ＵＣ）を形成することができる。アンダーカット領域（ＵＣ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端に対応する第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）が、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端よりも内側にパターニングされることによって形成することができる。また、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）は、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の一部の端と重畳する第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）を形成することができる。第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）及び第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）と補助電源電極２１０の露出領域を挟んで離隔したパッシベーション層（ＰＡＳ）の間を連結するように形成され得る。第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、露出した補助電源電極２１０上のパッシベーション層（ＰＡＳ）の一部が除去されずに残留し、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）と周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）間を連結する直線形態でパターン化されることによって形成することができる。したがって、アンダーカット領域（ＵＣ）は、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）が配置された部分を除く、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の一部の端の下と第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）の側面とを含むことができる。
【0094】
発光層（ＥＬ）は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）上に形成され、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）、オーバーコート層（ＯＣ）及びバンク層（ＢＡ）の段差に沿って、補助電源電極２１０の露出領域上に一部形成することができる。発光層（ＥＬ）は、補助電源電極２１０の露出領域において、アンダーカット領域（ＵＣ）に対応する補助電源電極２１０上に配置しなくてもよい。発光層（ＥＬ）は、ステップカバレッジに優れていない物質からなるため、アンダーカット領域（ＵＣ）の補助電源電極２１０まで形成されずに断絶することにより、補助電源電極２１０の露出領域上に配置される面積を最小限に抑えることができる。また、発光層（ＥＬ）は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）と周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）の間を連結する第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）を介して断絶されずに、コンタクト領域周辺と連続的につながることができる。
【0095】
共通電極（ＣＯＭ）は、発光層（ＥＬ）上に形成することができる。共通電極（ＣＯＭ）は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）の発光層（ＥＬ）上に形成され、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）の周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）、オーバーコート層（ＯＣ）、及びバンク層（ＢＡ）の段差に沿って発光層（ＥＬ）上に形成され、発光層（ＥＬ）によって覆われずに露出した補助電源電極２１０の上面に配置することができ、補助電源電極２１０と直接に接触し、電気的に連結することができる。共通電極（ＣＯＭ）は、発光層（ＥＬ）よりもステップカバレッジに優れた物質からなるため、発光層（ＥＬ）が形成されないアンダーカット領域（ＵＣ）の補助電源電極２１０まで形成することができ、補助電源電極２１０と直接に接触して電気的に連結することができる。また、共通電極（ＣＯＭ）は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）と周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）の間を連結する第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）を介して断絶されず、コンタクト領域周辺と連続的につながることができる。したがって、本明細書の他の実施例による発光表示装置１００は、発光層（ＥＬ）がアンダーカット領域（ＵＣ）と重畳する補助電源電極２１０を覆わないが、共通電極（ＣＯＭ）が発光層（ＥＬ）によって覆われずに露出した補助電源電極２１０と直接に接触して電気的に連結することにより、表示パネル全体で共通電極（ＣＯＭ）の抵抗偏差による電圧降下の不均一を低減することができる。
【0096】
本明細書の他の実施例による発光表示装置１００は、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）の上面に形成された発光層（ＥＬ）と共通電極（ＣＯＭ）がアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）と周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）の間を連結する第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）を介して、断絶されずにコンタクト領域の周辺に連続的につながることができる。これにより、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）上の共通電極（ＣＯＭ）は、電気的に連結した状態を維持して静電気が発生することを防止することができる。
【0097】
【0098】
図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ及び図９Ａは、本明細書の実施例による発光表示装置の製造方法の順序による工程平面図であり、図６Ｂは、図６Ａの線ＩＶ－ＩＶ’の工程断面図である。図７Ｂは、図７Ａの線ＶＩ－Ｖ’の工程断面図、図７Ｃは、図７Ａの線ＶＩ－ＶＩ’の工程断面図、図８Ｂは、図８Ａの線ＶＩＩ－ＶＩＩ’の工程断面図である。図８Ｃは、図８Ａの線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’の工程断面図、図９Ｂは、図９Ａの線ＩＸ－ＩＸ’の工程断面図、図９Ｃは、図９Ａの線Ｘ－Ｘ’の工程断面図である。これは、図４Ａおよび図４Ｂに示す本明細書の一実施例による発光表示装置、または図５Ａおよび図５Ｂに示した本明細書の他の実施例による発光表示装置に対する製造方法に関するものであるので、同一の構成に対しては同じ図面符号を付し、これに対する重複説明は省略または簡略にする。
【0099】
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、オーバーコート層（ＯＣ）は、パッシベーション層（ＰＡＳ）の上にパターン形成することができる。オーバーコート層（ＯＣ）は、補助電源電極２１０と重畳するパッシベーション層（ＰＡＳ）の一部が露出するようにパターン形成され得る。パッシベーション層（ＰＡＳ）の露出領域の中心には、アンダーカット構造物の第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）をパターン形成することができる。
【0100】
第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、パッシベーション層（ＰＡＳ）の露出領域の中心にアイランドパターンで形成することができ、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の周辺の周りにパッシベーション層（ＰＡＳ）の露出領域を間に置いて、周辺のオーバーコート層（ＯＣ）をパターン形成することができる。以後の工程により、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と周辺オーバーコート層（ＯＣ）との間に露出したパッシベーション層（ＰＡＳ）を除去することによって、補助電源電極２１０の一部を露出させることができる。
【0101】
図７Ａ～図７Ｃに示すように、オーバーコート層（ＯＣ）をパターン形成した後、その上にフォトレジストパターン（ＰＲ）を形成することができる。フォトレジストパターン（ＰＲ）は、平面上に第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の中心を基準とする格子形状に形成することができる。フォトレジストパターン（ＰＲ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の中心を基準にして、十字形状（または「＋」形状）に形成することができる。パッシベーション層（ＰＡＳ）の露出領域は、フォトレジストパターン（ＰＲ）の格子形状の開口部に対応する部分を除いた残りの部分をフォトレジストパターン（ＰＲ）によってマスクすることができる。また、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、フォトレジストパターン（ＰＲ）の十字形状の中心に配置され、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と重畳するパッシベーション層（ＰＡＳ）をマスクすることができる。
【0102】
フォトレジストパターン（ＰＲ）は、図７Ｂに示すように、格子形状の開口部でパッシベーション層（ＰＡＳ）を覆わずに露出させることができる。
【0103】
フォトレジストパターン（ＰＲ）は、図７Ｃに示すように、十字形状にパッシベーション層（ＰＡＳ）を覆って露出しないようにする。
【0104】
一方、図４Ａ及び図４Ｂに示す本明細書の一実施例による発光表示装置は、フォトレジストパターン（ＰＲ）の形成なしに、パッシベーション層（ＰＡＳ）上のオーバーコート層（ＯＣ）及び第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）をエッチングマスクパターンとして用いて、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ）を含むコンタクト部（ＣＡ）を形成することができる。
【0105】
図８Ａ～図８Ｃに示すように、フォトレジストパターン（ＰＲ）及び第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）をマスクとして、オーバーコート層（ＯＣ）下のパッシベーション層（ＰＡＳ）をエッチングすると、フォトレジストパターン（ＰＲ）及び第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）によってマスクされていないパッシベーション層（ＰＡＳ）を除去して、補助電源電極２１０を露出させることができる。パッシベーション層（ＰＡＳ）は、エッチング工程を通じて第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）及び第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）をパターニングして形成することができる。
【0106】
パッシベーション層（ＰＡＳ）は、フォトレジストパターン（ＰＲ）の開口部と第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端と重畳する領域でオーバーエッチングされ、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端より内側に入るように形成され、アンダーカット領域（ＵＣ）を有する第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）を形成することができ、フォトレジストパターン（ＰＲ）の開口部の端より内側に入るように形成して、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）を形成することができる。
【0107】
パッシベーション層（ＰＡＳ）は、図８Ｂに示すように、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と重畳する第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）でパターン形成され、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、フォトレジストパターン（ＰＲ）によって覆われていない第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端よりも内側に入るように形成され、アンダーカット領域（ＵＣ）を形成することができる。
【0108】
パッシベーション層（ＰＡＳ）は、図８Ｃに示すように、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）及びフォトレジストパターン（ＰＲ）と重畳する第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）でパターン形成され、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の下面と互いに接して同高さを有し、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）と周辺のパッシベーション層（ＰＡＳ）の間を連結するように形成され、アンダーカット領域（ＵＣ）が形成されなくてもよい。
【0109】
図９Ａ～図９Ｃに示すように、パッシベーション層（ＰＡＳ）のエッチング後、フォトレジストパターン（ＰＲ）が除去されると、補助電源電極２１０が露出する露出領域とアンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、 ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）を形成することができる。
【0110】
アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）は、補助電源電極２１０の一部分上に配置され、アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）の周辺周りの一部に補助電源電極２１０の露出領域を形成することができる。
【0111】
アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）の第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）は、補助電源電極２１０の一部分上にアイランドパターンで形成することができ、端下の一部にアンダーカット領域（ＵＣ）を形成することができる。
【0112】
アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）の第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）及び第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、平面上に第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）と少なくとも一部重畳する格子形状に形成され得る。第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、格子形状の中心に配置され、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）は、格子形状の中心に配置された第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）から十字形状（または「＋」形状）に延長するように形成することができる。
【0113】
アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）は、図９Ｂに示すように、第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の端の下の一部にアンダーカット領域（ＵＣ）を形成することができる。
【0114】
アンダーカット構造物（ＯＣ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｐ、ＰＡＳ＿Ｂ）は、図９Ｃに示すように、第３パターン（ＰＡＳ＿Ｂ）が第１パターン（ＯＣ＿Ｐ）の下面と互いに接して同じ高さを有し、第２パターン（ＰＡＳ＿Ｐ）は、アンダーカット領域（ＵＣ）が形成されないように、周辺パッシベーション層（ＰＡＳ）の間を連結するように形成される。
【0115】
本明細書の実施例による発光表示装置は、以下のように説明することができる。
【0116】
本明細書の実施例による発光表示装置は、基板上に配置された補助電源電極を有する回路層、前記回路層を覆う保護層、前記補助電源電極の一部分を露出させるコンタクト部、及び前記補助電源電極の一部分の上に配置されアンダーカット領域を有するアンダーカット構造物を含み、アンダーカット領域は、アンダーカット構造物の周辺の周りの少なくとも一部に形成することができる。
【0117】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記アンダーカット構造物は、前記補助電源電極の一部分上に配置された第１パターン、及び前記補助電源電極の上面に配置され、前記第１パターンを支持する第２パターンを含み、アンダーカット領域は、第１パターンの端の少なくとも一部の下に形成することができる。
【0118】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記第１パターンの端の少なくとも一部は、前記補助電源電極の露出領域と少なくとも一部重畳することができる。
【0119】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、アンダーカット構造物は、有機絶縁物質および無機絶縁物質の中の少なくとも一方を含むことができる。
【0120】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記第１パターンは有機絶縁物質からなり、前記第２パターンは無機絶縁物質からなり得る。
【0121】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記第１パターンはアイランドパターンで構成され、前記コンタクト部は前記第１パターンの周辺周りの少なくとも一部に前記補助電源電極の露出領域を形成することができる。
【0122】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、アンダーカット領域は、第１パターンの端の少なくとも一部の下と第２パターンの側面とを含むことができる。
【0123】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記アンダーカット構造物は、前記補助電源電極の上面に配置され、前記第１パターンと一部重畳し、前記第２パターンから延長される第３パターンをさらに含むことができる。
【0124】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、アンダーカット領域は、第１パターンの端部分で第３パターンと重畳する部分を除く残りの端部分の下に形成することができる。
【0125】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、第３パターンは、第２パターンを挟んで少なくとも両側に延長するように形成することができる。
【0126】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記第２パターン及び前記第３パターンは、平面上に前記第１パターンと少なくとも一部重畳する格子形状に形成することができる。
【0127】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記第２パターンは、前記格子形状の中心に配置され、前記第３パターンは、前記格子形状の中心に配置された前記第２パターンから十字形状に延長するように形成することができる。
【0128】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記第１パターンの下面は、前記第３パターンの上面と接し、前記第２パターンと前記第３パターンは同じ高さを有することができる。
【0129】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記保護層は、有機絶縁物質からなる第１保護層、及び前記第１保護層と前記補助電源電極の間に配置され、無機絶縁物質からなる第２保護層を含むことができる。
【0130】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記アンダーカット構造物は、前記第１保護層と同じ層に同じ物質からなる第１パターン、及び前記第２保護層と同じ層に同じ物質からなる第２パターンを含み、前記コンタクト部は、前記第１パターンの周辺の周りの少なくとも一部の前記第２パターンと前記第２保護層の間に前記補助電源電極の露出領域を形成することができる。
【0131】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、アンダーカット領域は、第１パターンの端の少なくとも一部の下と第２パターンの側面を含むことができる。
【0132】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記アンダーカット構造物は、前記第１パターンと一部重畳し、前記第２パターンから延長され、前記第２パターンと同じ層に同じ物質からなる第３パターンを含むことができる。
【0133】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記第３パターンは、前記第２パターンと前記第２保護層の間を連結することができる。
【0134】
本明細書の実施例による発光表示装置によれば、前記基板上の回路層に配置された薄膜トランジスタ、前記保護層上に配置され、前記薄膜トランジスタに結合したピクセル電極、前記ピクセル電極上に配置された発光層、そして、発光層上に配置された共通電極を含み、共通電極は、アンダーカット構造のアンダーカット領域で補助電源電極に直接に接することができる。
【0135】
本明細書の実施例による発光表示装置の製造方法は、基板上に補助電源電極を有する回路層を形成する工程、前記回路層を覆う有機絶縁物質及び無機絶縁物質の少なくとも一方を含む保護層を形成する工程、および補助電源電極の一部分を露出させ、補助電源電極の一部分上にアンダーカット領域を有するアンダーカット構造を形成する工程とを含み、アンダーカット領域は、アンダーカット構造の周辺の周りの少なくとも一部に形成することができる。
【0136】
本明細書の実施例による発光表示装置の製造方法によれば、前記アンダーカット構造物を形成する工程は、前記保護層の有機絶縁物質からなる第１保護層を前記保護層の無機絶縁物質である前記第２保護層の上部にパターンを形成し、前記アンダーカット構造物の前記第１パターンと前記第１パターン周辺の前記第２保護層の一部が露出するように形成する工程、前記第１パターンの中心を基準に格子形状を有するフォトレジストパターンを形成する工程、及びフォトレジストパターン及び第１パターンをマスクとして第２保護層をエッチングして、アンダーカット構造物の第２パターン及び第３パターン及び第２パターン及び第３パターンの周辺の補助電源電極の一部分が露出するように形成する工程を含み、アンダーカット領域は、前記第１パターンの端で前記第３パターンと重畳する部分を除く残りの端の下と前記第２パターンの側面を含むことができる。
【0137】
以上で説明した本明細書は、前述の実施例及び添付の図に限定されるものではなく、本明細書の技術的事項から逸脱しない範囲内で種々の置換、変形及び変更が可能であることが、本明細書が属する技術分野で通常の知識を有する者には明らかであろう。したがって、本明細書の範囲は、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味および範囲、およびその等価概念から導出されるすべての変更または変形形態が、本明細書の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【0138】
１００：発光表示装置
１１０：表示パネル
ＣＡ：コンタクト部
ＯＣ：オーバーコート層
ＯＣ＿Ｐ：第１パターン
ＰＡＳ：パッシベーション層
ＰＡＳ＿Ｐ：第２パターン
ＰＡＳ＿Ｂ：第３パターン
１１０：表示パネル
ＣＡ：コンタクト部
ＯＣ：オーバーコート層
ＯＣ＿Ｐ：第１パターン
ＰＡＳ：パッシベーション層
ＰＡＳ＿Ｐ：第２パターン
ＰＡＳ＿Ｂ：第３パターン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9A】
【図9B】
【図9C】
