(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-24
(45)【発行日】2024-06-03
(54)【発明の名称】パワーデバイス駆動装置
(51)【国際特許分類】
H03K 17/082 20060101AFI20240527BHJP
H03K 17/08 20060101ALI20240527BHJP
H03K 17/12 20060101ALI20240527BHJP
H02M 1/00 20070101ALI20240527BHJP
【FI】
H03K17/082
H03K17/08 C
H03K17/12
H02M1/00 H
(21)【出願番号】P 2020149829
(22)【出願日】2020-09-07
【審査請求日】2023-08-09
(73)【特許権者】
【識別番号】000006895
【氏名又は名称】矢崎総業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100134832
【氏名又は名称】瀧野 文雄
(74)【代理人】
【識別番号】100165308
【氏名又は名称】津田 俊明
(74)【代理人】
【識別番号】100115048
【氏名又は名称】福田 康弘
(72)【発明者】
【氏名】木村 修
【審査官】柳下 勝幸
(56)【参考文献】
【文献】特開2005-006381(JP,A)
【文献】特開2017-212870(JP,A)
【文献】特開2007-312504(JP,A)
【文献】特開2003-134797(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H03K 17/082
H03K 17/08
H03K 17/12
H02M 1/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ゲート信号に基づいて、パワーデバイスを駆動する電圧を出力するゲートドライバと、
前記パワーデバイスのゲートと前記ゲートドライバとの間に接続された第1の抵抗と、
前記パワーデバイスを流れる電流の値を測定する電流センサと、
前記測定された電流の値に比例する値の電圧が入力する反転端子と、参照電圧が入力される非反転端子と、出力端子と、を有する比較回路と、
前記比較回路の出力端子から出力された信号と前記ゲート信号がそれぞれ入力される2つの入力端子と、出力端子と、を有する論理積回路と、
前記ゲートと前記第1の抵抗とを結ぶラインと、前記論理積回路の出力端子と、の間に接続された第2の抵抗と、を有する、パワーデバイス駆動装置。
【請求項2】
並列の接続された第1のパワーデバイスと第2のパワーデバイスを駆動するパワーデバイス駆動装置であって、
ゲート信号に基づいて、前記第1のパワーデバイスを駆動する電圧を出力する第1のゲートドライバと、
前記第1のパワーデバイスのゲートと前記第1のゲートドライバとの間に接続された第1の抵抗と、
前記第1のパワーデバイスを流れる電流の値を測定する第1の電流センサと、
前記第1の電流センサにより測定された電流の値に比例する値の電圧が入力する反転端子と、参照電圧が入力される非反転端子と、出力端子と、を有する第1の比較回路と、
前記第1の比較回路の出力端子から出力された信号と前記ゲート信号がそれぞれ入力される2つの入力端子と、出力端子と、を有する第1の論理積回路と、
前記第1のパワーデバイスのゲートと前記第1の抵抗とを結ぶラインと、前記第1の論理積回路の出力端子と、の間に接続された第2の抵抗と、
前記ゲート信号に基づいて、前記第2のパワーデバイスを駆動する電圧を出力する第2のゲートドライバと、
前記第2のパワーデバイスのゲートと前記第2のゲートドライバとの間に接続された第3の抵抗と、
前記第2のパワーデバイスを流れる電流の値を測定する第2の電流センサと、
前記第2の電流センサにより測定された電流の値に比例する値の電圧が入力する反転端子と、参照電圧が入力される非反転端子と、出力端子と、を有する第2の比較回路と、
前記第2の比較回路の出力端子から出力された信号と前記ゲート信号がそれぞれ入力される2つの入力端子と、出力端子と、を有する第2の論理積回路と、
前記第2のパワーデバイスのゲートと前記第3の抵抗とを結ぶラインと、前記第2の論理積回路の出力端子と、の間に接続された第4の抵抗と、を有する、パワーデバイス駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パワーデバイス駆動装置に関する。
【背景技術】
【0002】
スイッチング電源回路は、複数のパワーデバイスを有している。例えば、インバータは、並列に接続された複数のパワーデバイスを含んでいる(例えば、特許文献1の
図3)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
図5に示すように、並列に接続された2つのパワーデバイスPD1、PD2があるとき、パワーデバイスPD1のゲートドライバから出力される信号A1に対して、パワーデバイスPD2のゲートドライバから出力される信号A2が、
図6のように、遅延することがある。このようなとき、信号A1、A2にずれが生じている期間T1、T2では、1つのパワーデバイスに電流が集中し、パワーデバイスPD1、PD2を流れる電流Id1、Id2が、
図6に示すように、パワーデバイスの定格電流を超える場合がある。
【0005】
そこで、本発明は、パワーデバイスを流れる電流が定格電流を超えることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するため、本発明のパワーデバイス駆動装置は、ゲート信号に基づいて、パワーデバイスを駆動する電圧を出力するゲートドライバと、前記パワーデバイスのゲートと前記ゲートドライバとの間に接続された第1の抵抗と、前記パワーデバイスを流れる電流の値を測定する電流センサと、前記測定された電流の値に比例する値の電圧が入力する反転端子と、参照電圧が入力される非反転端子と、出力端子と、を有する比較回路と、前記比較回路の出力端子から出力された信号と前記ゲート信号がそれぞれ入力される2つの入力端子と、出力端子と、を有する論理積回路と、前記ゲートと前記第1の抵抗とを結ぶラインと、前記論理積回路の出力端子と、の間に接続された第2の抵抗と、を有する。
【0007】
また、本発明のパワーデバイス駆動装置は、並列の接続された第1のパワーデバイスと第2のパワーデバイスを駆動するパワーデバイス駆動装置であって、ゲート信号に基づいて、前記第1のパワーデバイスを駆動する電圧を出力する第1のゲートドライバと、前記第1のパワーデバイスのゲートと前記第1のゲートドライバとの間に接続された第1の抵抗と、前記第1のパワーデバイスを流れる電流の値を測定する第1の電流センサと、前記第1の電流センサにより測定された電流の値に比例する値の電圧が入力する反転端子と、参照電圧が入力される非反転端子と、出力端子と、を有する第1の比較回路と、前記第1の比較回路の出力端子から出力された信号と前記ゲート信号がそれぞれ入力される2つの入力端子と、出力端子と、を有する第1の論理積回路と、前記第1のパワーデバイスのゲートと前記第1の抵抗とを結ぶラインと、前記第1の論理積回路の出力端子と、の間に接続された第2の抵抗と、前記ゲート信号に基づいて、前記第2のパワーデバイスを駆動する電圧を出力する第2のゲートドライバと、前記第2のパワーデバイスのゲートと前記第2のゲートドライバとの間に接続された第3の抵抗と、前記第2のパワーデバイスを流れる電流の値を測定する第2の電流センサと、前記第2の電流センサにより測定された電流の値に比例する値の電圧が入力する反転端子と、参照電圧が入力される非反転端子と、出力端子と、を有する第2の比較回路と、前記第2の比較回路の出力端子から出力された信号と前記ゲート信号がそれぞれ入力される2つの入力端子と、出力端子と、を有する第2の論理積回路と、前記第2のパワーデバイスのゲートと前記第3の抵抗とを結ぶラインと、前記第2の論理積回路の出力端子と、の間に接続された第4の抵抗と、を有する。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、パワーデバイスを流れる電流が定格電流を超えることを抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【
図1】本発明の一実施形態に係るパワーデバイス駆動装置100を示す図である。
【
図2】論理積回路150の構成の一例を示す図である。
【
図3】並列に接続された2つのパワーデバイスPD1、PD2に適用された本発明の一実施形態に係るパワーデバイス駆動装置100を示す図である。
【
図4】
図3の2つのパワーデバイスPD1、PD2に流れる電流を説明する図である。
【
図5】並列に接続された2つのパワーデバイスの一例を示す図である。
【
図6】
図5の2つのパワーデバイスに流れる電流を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
<パワーデバイス駆動装置100>
図1は、本発明の一実施形態に係るパワーデバイス駆動装置100を示す図である。パワーデバイス駆動装置100は、ゲートデバイス110と、第1の抵抗120と、電流センサ130と、比較回路140と、論理積回路150と、第2の抵抗160と、を有する。
【0011】
パワーデバイス駆動装置100は、パワーデバイスPDのゲートに電圧を供給することで、パワーデバイスPDを駆動する。
図1において、パワーデバイスPDは、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)であるが、パワーデバイスPDは、バイポーラトランジスタや、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、SiC-MOSFET(Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)などであっても良い。
【0012】
ゲートデバイス110は、ゲート信号が入力され、入力されたゲート信号に基づいて、パワーデバイスPDを駆動する電圧(ゲート駆動電圧)をパワーデバイスPDのゲートに出力する。ゲート信号は、HighレベルとLowレベルの信号から成る。ゲート信号がHighレベルであるときに、パワーデバイスPDのゲートにゲート駆動電圧が出力される。パワーデバイスのゲートに係る電圧Vgが閾値を超えると、パワーデバイスPDに電流Idが流れる。
【0013】
第1の抵抗120は、ゲート抵抗であり、ゲートデバイス110とパワーデバイスPDのゲートとの間に接続される。よって、ゲートデバイス110から出力されたゲート駆動電圧は、ゲート抵抗である第1の抵抗120を介し、パワーデバイスPDのゲートに入力される。
【0014】
電流センサ130は、パワーデバイスPDを流れる電流Idの値を測定する。電流センサ130は、例えば、
図1に示すように、パワーデバイスPDの上流側(パワーデバイスPDがNチャネル型MOSFETである場合は、パワーデバイスPDのドレイン側)にある。
【0015】
比較回路140は、反転端子141と、非反転端子142と、出力端子143と、を有する。反転端子141には、電流センサ130により測定されて電流Idの値に比例した電圧VCT(VCT=bId、ここで、bは比例定数)が入力され、非反転端子142には、参照電圧Vrefが入力される。このため、電圧VCTが参照電圧Vrefより小さいとき(つまり、パワーデバイスPDを流れる電流Idが参照電流Iref=Vref/bより小さいとき)は、比較回路140の出力端子143からは、Highレベルの信号が出力され、電圧VCTが参照電圧Vrefより大きいとき(つまり、パワーデバイスPDを流れる電流Idが参照電流Iref=Vref/bより大きいとき)は、比較回路140の出力端子143からは、Lowレベルの信号が出力される。
【0016】
論理積回路150は、2つの入力端子151、152と、出力端子153と、を有する。2つの入力端子151、152のうちの第1の入力端子151には、ゲート信号が入力され、2つの入力端子151、152のうちの第2の入力端子152には、比較回路140の出力端子143から出力された信号が入力される。このため、ゲート信号と比較回路140の出力信号の両方がHighレベルであるときにのみ、論理積回路150の出力端子153からHighレベルの信号が出力され、ゲート信号と比較回路140の出力信号の少なくとも一方がLowレベルのときは、論理積回路150の出力端子153からLowレベルの信号が出力される。
【0017】
第2の抵抗160は、パワーデバイスPDのゲートと第1の抵抗120と接続するラインと論理積回路150の出力端子153との間に接続される。
【0018】
このため、本実施形態では、電圧VCTが参照電圧Vrefより大きいならば(つまり、パワーデバイスPDを流れる電流Idが参照電流Iref=Vref/bより大きいならば)、比較回路140の出力信号がLowレベルとなり、論理積回路150の出力信号はLowレベルとなる。このため、電圧VCTが参照電圧Vrefより大きいならば(つまり、パワーデバイスPDを流れる電流Idが参照電流Iref=Vref/bより大きいならば)、パワーデバイスPDのゲートよりも論理回路150の出力端子153の電位が低くなる。結果、ゲートデバイス110から出力されたゲート駆動電圧は、第1の抵抗120と第2の抵抗160により分圧され、パワーデバイスPDのゲートにかかる電圧Vgが小さくなり、パワーデバイスPDを流れる電流Idが抑制される。
【0019】
よって、本実施形態では、たとえパワーデバイスPDを流れる電流Idが参照電流Iref(=Vref/b)を超えたとしても、この電流の値を小さくすることが可能になる。このため、参照電流Irefをパワーデバイスの定格電流より小さくすることにより、本実施形態では、パワーデバイスに定格電流を超える電流が流れることを抑制することが可能である。
【0020】
参照電圧Vrefは、適宜設定される。参照電圧Vrefは、例えば、参照電流Iref(=Vref/b)がパワーデバイスの定格電流より小さくなるように設定される。また、例えば、参照電圧Vrefは、パワーデバイスがオンのときに、パワーデバイスの駆動電圧がパワーデバイスのゲート閾値電圧より小さくならないように設定される。
【0021】
論理積回路150は、例えば、
図2に示されるように、電圧源Vccと基準電位との間に接続された2つのスイッチSW1、SW2を有するようにしても良い。このとき、例えば、2つのスイッチSW1、SW2が、それぞれ、入力端子から入力される信号により制御されるようにし、出力端子が、第2のスイッチ156と基準電位とを接続するラインに接続するようにすると良い。
【0022】
<並列に接続されたパワーデバイス>
図3は、2つのパワーデバイスPD1、PD2が並列に接続されている。パワーデバイスPD1は、ゲートデバイス110-1と、第1の抵抗120-1と、電流センサ130-1と、比較回路140-1と、論理積回路150-1と、第2の抵抗160-1と、を有するパワーデバイス駆動装置100-1により駆動される。パワーデバイスPD2は、ゲートデバイス110-2と、第1の抵抗120-2と、電流センサ130-2と、比較回路140-2と、論理積回路150-2と、第2の抵抗160-2と、を有するパワーデバイス駆動装置100-2により駆動される。パワーデバイス駆動装置100-1、100-2は、
図1に示した本実施形態に係るパワーデバイス駆動装置100と同様のものである。ここで、比較回路140-1の非反転端子に入力される参照Vref1と比較回路140-2の非反転端子に入力される参照Vref2は、同じ値であっても良いし、異なっていても良い。
【0023】
パワーデバイスPD1のゲートドライバ100-1から出力される信号A1に対して、パワーデバイスPD2のゲートドライバ100-2から出力される信号A2が、
図4に示すように、遅延している場合であっても、本実施形態では、パワーデバイスPD1に流れる電流Id1、パワーデバイスPD2に流れる電流Id2は、
図4に示すように、抑制される。
【0024】
これは、信号A1がHighレベルであり、信号A2がLowレベルである期間T1において、パワーデバイスPD1に流れる電流Id1が参照電流Iref(=Vref/b)より大きくなったとしても、ゲートデバイス100からパワーデバイスPD1に出力されるゲート駆動電圧は、パワーデバイス駆動装置100-1の第1の抵抗120-1と第2の抵抗160-1により分圧され、
図4に示すように、パワーデバイスPD1のゲートにかかる電圧Vg1が小さくなり、パワーデバイスPD1を流れる電流Id1は抑制される。
【0025】
また、信号A1がLowレベルであり、信号A2がHighレベルである期間T2において、パワーデバイスPD2に流れる電流IPD2が参照電流Iref(=Vref/b)より大きくなったとしても、ゲートデバイス110からパワーデバイスPD2に出力されたゲート駆動電圧は、第1の抵抗120-2と第2の抵抗160-2により分圧され、
図4に示すように、パワーデバイスPD2のゲートにかかる電圧Vg2が小さくなり、パワーデバイスPD2を流れる電流Id2は抑制される。
【0026】
以上、本発明の好適な実施の形態により本発明を説明した。ここでは特定の具体例を示して本発明を説明したが、特許請求の範囲に記載した本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、これら具体例に様々な修正および変更が可能である。
【符号の説明】
【0027】
100 パワーデバイス駆動装置
110 ゲートデバイス
120 第1の抵抗
130 電流センサ
140 比較回路
141 反転端子
142 非反転端子
143 出力端子
150 論理積回路
151 第1の入力端子
152 第2の入力端子
153 出力端子
160 第2の抵抗