(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-24
(45)【発行日】2024-06-03
(54)【発明の名称】パターン形成方法およびテンプレートの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20240527BHJP
B29C 59/02 20060101ALI20240527BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 502D
B29C59/02 B
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2020214495
(22)【出願日】2020-12-24
(65)【公開番号】P2022100490
(43)【公開日】2022-07-06
【審査請求日】2023-09-11
(73)【特許権者】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100176599
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 拓也
(74)【代理人】
【識別番号】100205095
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 啓一
(74)【代理人】
【識別番号】100208775
【弁理士】
【氏名又は名称】栗田 雅章
(72)【発明者】
【氏名】櫻井 典子
(72)【発明者】
【氏名】本川 剛治
(72)【発明者】
【氏名】小松 立
(72)【発明者】
【氏名】桜井 秀昭
【審査官】田中 秀直
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２０－０４７６３４（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１４／０６１６５２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１１－１２９７５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０９３４５０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／０２７
Ｂ２９Ｃ ５９／０２
ＳＰＩＥ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｌｉｂｒａｒｙ
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上の上方に第１方向に延伸し、前記第１方向に交差する第２方向に配列された複数のラインパターンを含む第１パターンと、前記第１パターンの端部に対して前記第１方向
に２ａ以内の距離で隣接し、前記第２方向に延伸する第２パターンとを含むパターンを有
する第１膜を形成し、
前記第１膜の側面に幅ａの第２膜を形成し、
前記第１膜を除去するパターン形成方法。
【請求項2】
前記第１パターンはラインアンドスペースを含む請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項3】
前記第１膜は電子線レジストである請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項4】
前記基板の上方に、第３膜を形成し、前記第３膜上に前記第１膜を形成する請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項5】
前記第３膜はクロム、モリブデン、タンタルおよび炭素の少なくとも１つを含む請求項４に記載のパターン形成方法。
【請求項6】
基板上の上方に第１方向に延伸し、前記第１方向に交差する第２方向に配列された幅ａの複数のラインパターンを含む第１パターンと、前記第１パターンの端部に対して前記第
１方向に２ａ以内の距離で隣接する第２パターンとを含むパターンを有する第１膜を形成
し、
前記第１膜の側面に幅ａの第２膜を形成し、
前記第１膜を除去し、
前記第２膜をマスクにして前記基板を加工するテンプレートの製造方法。
【請求項7】
前記第１パターンはラインアンドスペースを含む請求項６に記載のテンプレートの製造方法。
【請求項8】
前記第１膜は電子線レジストである請求項６に記載のテンプレートの製造方法。
【請求項9】
前記基板の上方に、第３膜を形成し、前記第３膜上に前記第１膜を形成する請求項６に記載のテンプレートの製造方法。
【請求項10】
前記第３膜はクロム、モリブデン、タンタルおよび炭素の少なくとも１つを含む請求項９に記載のテンプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、パターン形成方法およびテンプレートの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ナノインプリント法で使用されるテンプレートを、側壁転写プロセスで作製する技術が
知られている。
知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１５－６５２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
側壁転写プロセスを用いたラインアンドスペースパターンの形成を容易にするパターン
形成方法を提供する。
形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施の形態に係るパターン形成方法は、基板上の上方に第１方向に延伸し、前記第１方
向に交差する第２方向に配列された複数のラインパターンを含む第１パターンと、前記第
１パターンの端部に対して前記第１方向に２ａ以内の距離で隣接する第２パターンとを含
むパターンを有する第１膜を形成し、前記第１膜の側面に幅ａの第２膜を形成し、前記第
１膜を除去する。
向に交差する第２方向に配列された複数のラインパターンを含む第１パターンと、前記第
１パターンの端部に対して前記第１方向に２ａ以内の距離で隣接する第２パターンとを含
むパターンを有する第１膜を形成し、前記第１膜の側面に幅ａの第２膜を形成し、前記第
１膜を除去する。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】第１の実施形態に係るパターン形成方法を示す図。
【図5】比較例に係るパターン形成方法を示す図。
【図9】第２の実施形態に係るパターン形成方法を示す図。
【図13】第２の実施形態に係るラインパターンとダミーパターンの位置関係を示す拡大図。
【図14】第３の実施形態に係るテンプレートの構成を示す図。
【図15】第３の実施形態に係るテンプレートの製造方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照して、本実施形態について説明する。以下に説明する図面の記載にお
いて、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模
式的なものであり、厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なる。
いて、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模
式的なものであり、厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なる。
【0008】
本明細書において、側壁転写プロセスは、後述する図１から図１２に示す方法の様に、
リソグラフィ技術を用いて形成した芯材を被覆膜で覆い、この被覆膜のうち芯材の側壁に
接する部分を残すようにエッチングを行い、この残った部分をマスクとして利用してその
パターンを被加工膜に転写するプロセスを指すものとする。
リソグラフィ技術を用いて形成した芯材を被覆膜で覆い、この被覆膜のうち芯材の側壁に
接する部分を残すようにエッチングを行い、この残った部分をマスクとして利用してその
パターンを被加工膜に転写するプロセスを指すものとする。
【0009】
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係るパターン形成方法について図１から図４を参照して説明す
る。図１から図４は第１の実施形態に係るパターン形成方法を示す図である。各図の（ａ
）は、Ｚ方向から見た平面図である。各図の（ｂ）は、Ｘ方向から見た、ＡＡ’に沿った
断面図である。
まず、第１の実施形態に係るパターン形成方法について図１から図４を参照して説明す
る。図１から図４は第１の実施形態に係るパターン形成方法を示す図である。各図の（ａ
）は、Ｚ方向から見た平面図である。各図の（ｂ）は、Ｘ方向から見た、ＡＡ’に沿った
断面図である。
【0010】
はじめに、基板１１上にハードマスク膜１２を形成する。基板１１は、例えば、石英を
主成分とする。ハードマスク膜１２は、例えば、クロムを含有する。
主成分とする。ハードマスク膜１２は、例えば、クロムを含有する。
【0011】
つぎに、ハードマスク膜１２上にラインパターン１４およびダミーパターン１５を有す
るレジスト膜を形成する。ラインパターン１４およびダミーパターン１５は、例えば、ス
ピンコート法を用いてレジストを塗布し、レジスト膜にパターンを描画し、ベークした後
に現像することで形成される。レジストは、例えば、電子線レジストがあげられる。レジ
ストとして電子線レジストを用いた場合、パターンの描画は電子線によって行われる。こ
のとき、後述する側壁プロセスにおいて芯材となるラインパターン１４の端部近傍にダミ
ーパターン１５が形成される。ハードマスク膜１２の一部は露出する。
るレジスト膜を形成する。ラインパターン１４およびダミーパターン１５は、例えば、ス
ピンコート法を用いてレジストを塗布し、レジスト膜にパターンを描画し、ベークした後
に現像することで形成される。レジストは、例えば、電子線レジストがあげられる。レジ
ストとして電子線レジストを用いた場合、パターンの描画は電子線によって行われる。こ
のとき、後述する側壁プロセスにおいて芯材となるラインパターン１４の端部近傍にダミ
ーパターン１５が形成される。ハードマスク膜１２の一部は露出する。
【0012】
以下、実施形態におけるラインパターン１４およびダミーパターン１５の詳細について
説明する。ラインパターン１４は、ハードマスク膜１２上で、Ｘ方向に延伸し、Ｙ方向に
間隔を有して複数配列される。ダミーパターン１５は、ハードマスク膜１２上で、Ｙ方向
に延伸し、Ｘ方向においてラインパターンと間隔を有して配列される。側壁転写プロセス
によって、設計上同じ幅、設計上同じ間隔のラインパターンを形成する場合、Ｙ方向にお
けるラインパターン１４の幅Ｗ１と、Ｙ方向に隣接するラインパターン１４の間の幅Ｗ２
の比は、１：３であることが望ましい。本実施形態では、側壁転写プロセスによって、設
計上同じ幅、設計上同じ間隔のラインパターンを形成する場合について説明するが、その
他の場合でも適用可能である。また、ラインパターン１４のＸ方向端部とダミーパターン
１５の距離ｄは、後述する被覆膜１６の厚さａに対して２倍以下の距離、すなわち２ａ以
下の距離となる位置に設けられる。このようにして、基板１１上に図１に示すような積層
構造体を形成する。
説明する。ラインパターン１４は、ハードマスク膜１２上で、Ｘ方向に延伸し、Ｙ方向に
間隔を有して複数配列される。ダミーパターン１５は、ハードマスク膜１２上で、Ｙ方向
に延伸し、Ｘ方向においてラインパターンと間隔を有して配列される。側壁転写プロセス
によって、設計上同じ幅、設計上同じ間隔のラインパターンを形成する場合、Ｙ方向にお
けるラインパターン１４の幅Ｗ１と、Ｙ方向に隣接するラインパターン１４の間の幅Ｗ２
の比は、１：３であることが望ましい。本実施形態では、側壁転写プロセスによって、設
計上同じ幅、設計上同じ間隔のラインパターンを形成する場合について説明するが、その
他の場合でも適用可能である。また、ラインパターン１４のＸ方向端部とダミーパターン
１５の距離ｄは、後述する被覆膜１６の厚さａに対して２倍以下の距離、すなわち２ａ以
下の距離となる位置に設けられる。このようにして、基板１１上に図１に示すような積層
構造体を形成する。
【0013】
つぎに、図２に示すように、レジスト膜の上面、レジスト膜の側面および露出したハー
ドマスク膜１２の上面に厚さａの被覆膜１６を形成する。被覆膜１６は、例えば、原子層
堆積（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）法や分子層堆積（Ｍ
ｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＬＤ）法を用いて形成する。
被覆膜１６は、例えば、酸化シリコンを主成分とする。側壁転写プロセスによって、設計
上同じ幅、設計上同じ間隔のラインパターンを形成する場合、Ｙ方向におけるラインパタ
ーン１４の幅Ｗ１と被覆膜２６の厚さａの比は、１：１であることが望ましい。前述のダ
ミーパターン１５は、距離ｄが、被覆膜１６の厚さａに対して２倍以下の距離、すなわち
２ａ以下の距離となる位置に設けられる。そのため、図２に示すように、ラインパターン
１４のＸ方向端部とダミーパターン１５の間のスペースに被覆膜１６を埋め込む。
ドマスク膜１２の上面に厚さａの被覆膜１６を形成する。被覆膜１６は、例えば、原子層
堆積（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）法や分子層堆積（Ｍ
ｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＬＤ）法を用いて形成する。
被覆膜１６は、例えば、酸化シリコンを主成分とする。側壁転写プロセスによって、設計
上同じ幅、設計上同じ間隔のラインパターンを形成する場合、Ｙ方向におけるラインパタ
ーン１４の幅Ｗ１と被覆膜２６の厚さａの比は、１：１であることが望ましい。前述のダ
ミーパターン１５は、距離ｄが、被覆膜１６の厚さａに対して２倍以下の距離、すなわち
２ａ以下の距離となる位置に設けられる。そのため、図２に示すように、ラインパターン
１４のＸ方向端部とダミーパターン１５の間のスペースに被覆膜１６を埋め込む。
【0014】
つぎに、レジスト膜の上面が露出するまで被覆膜１６をエッチングする。エッチングに
は、例えば、ＣＨＦ３を用いた異方性ドライエッチング法を用いる。これにより、図３に
示すように、被覆膜１６のうち、ラインパターン１４とダミーパターン１５の間に埋め込
まれた部分を含む、ラインパターン１４およびダミーパターン１５の側面に堆積した部分
が残された状態となる。
は、例えば、ＣＨＦ３を用いた異方性ドライエッチング法を用いる。これにより、図３に
示すように、被覆膜１６のうち、ラインパターン１４とダミーパターン１５の間に埋め込
まれた部分を含む、ラインパターン１４およびダミーパターン１５の側面に堆積した部分
が残された状態となる。
【0015】
つぎに、図４に示すように、レジスト膜を除去する。レジスト膜の除去には、例えば、
酸素プラズマによるドライエッチング法を用いる。これにより、被覆膜１６を含むパター
ンが形成される。本実施形態のパターン形成方法では、ラインパターン１４のＸ方向端部
とダミーパターン１５の間のスペースに被覆膜１６を埋め込む。そのため、被覆膜１６は
Ｙ方向に連続して延伸する部分を有する。よって、被覆膜１６に凹状のラインパターンを
形成することが可能となる。
酸素プラズマによるドライエッチング法を用いる。これにより、被覆膜１６を含むパター
ンが形成される。本実施形態のパターン形成方法では、ラインパターン１４のＸ方向端部
とダミーパターン１５の間のスペースに被覆膜１６を埋め込む。そのため、被覆膜１６は
Ｙ方向に連続して延伸する部分を有する。よって、被覆膜１６に凹状のラインパターンを
形成することが可能となる。
【0016】
つづいて、比較例に係るパターン形成方法について図５から図８を参照して説明する。
図５から図８は比較例に係るパターン形成方法を示す図である。各図の（ａ）は、Ｚ方向
から見た平面図である。各図の（ｂ）は、Ｘ方向から見た、ＡＡ’に沿った断面図である
。
図５から図８は比較例に係るパターン形成方法を示す図である。各図の（ａ）は、Ｚ方向
から見た平面図である。各図の（ｂ）は、Ｘ方向から見た、ＡＡ’に沿った断面図である
。
【0017】
比較例が第１の実施形態と異なるのは、図５に示すようにダミーパターン１５が設けら
れない点である。その他は、第１の実施形態と同様である。
れない点である。その他は、第１の実施形態と同様である。
【0018】
比較例のパターン形成方法では、図５から図８に示すように、ダミーパターンを設けな
いため、ラインパターン２４のＸ方向端部にループ形状を有するパターンが形成される。
このパターンをマスクにテンプレートを作成し、転写を行うと、ループ形状の凹凸が反転
するだけでループ形状が残ってしまう。これをラインアンドスペースパターンにするには
ループ部以外を保護するマスクをさらに形成し、ループ部をエッチング等によって除去す
るなどの工程が必要となる。
いため、ラインパターン２４のＸ方向端部にループ形状を有するパターンが形成される。
このパターンをマスクにテンプレートを作成し、転写を行うと、ループ形状の凹凸が反転
するだけでループ形状が残ってしまう。これをラインアンドスペースパターンにするには
ループ部以外を保護するマスクをさらに形成し、ループ部をエッチング等によって除去す
るなどの工程が必要となる。
【0019】
それに対して、第１の実施形態のパターン形成方法では、図３に示すようにラインパタ
ーン１４のＸ方向端部とダミーパターン１５の間のスペースに被覆膜１６を埋め込む。そ
のため、そのため、比較例と異なり、ラインパターン１４のＸ方向端部に形成される被覆
膜１６の形状がループ状とならず、２つのラインパターン１４のＸ方向端部に形成される
被覆膜１６同士がつながる。よって、図４のパターンをマスクにテンプレートを作成し、
転写を行うと、ループ形状を持たないラインアンドスペースパターンが形成される。この
ように、第１の実施形態のパターン形成方法では、比較例のパターン形成方法よりも容易
に側壁転写プロセスを用いて、ループ形状を持たないラインアンドスペースパターンを形
成することが可能となる。
ーン１４のＸ方向端部とダミーパターン１５の間のスペースに被覆膜１６を埋め込む。そ
のため、そのため、比較例と異なり、ラインパターン１４のＸ方向端部に形成される被覆
膜１６の形状がループ状とならず、２つのラインパターン１４のＸ方向端部に形成される
被覆膜１６同士がつながる。よって、図４のパターンをマスクにテンプレートを作成し、
転写を行うと、ループ形状を持たないラインアンドスペースパターンが形成される。この
ように、第１の実施形態のパターン形成方法では、比較例のパターン形成方法よりも容易
に側壁転写プロセスを用いて、ループ形状を持たないラインアンドスペースパターンを形
成することが可能となる。
【0020】
（第２の実施形態）
つづいて、第２の実施形態に係るパターン形成方法について図９から図１３を参照して
説明する。図９から図１３は第２の実施形態に係るパターン形成方法を示す図である。各
図の（ａ）は、Ｚ方向から見た平面図である。各図の（ｂ）は、Ｘ方向から見た、ＡＡ’
に沿った断面図である。図１３は、第２の実施形態に係るラインパターンとダミーパター
ンの位置関係を示す拡大図である。
つづいて、第２の実施形態に係るパターン形成方法について図９から図１３を参照して
説明する。図９から図１３は第２の実施形態に係るパターン形成方法を示す図である。各
図の（ａ）は、Ｚ方向から見た平面図である。各図の（ｂ）は、Ｘ方向から見た、ＡＡ’
に沿った断面図である。図１３は、第２の実施形態に係るラインパターンとダミーパター
ンの位置関係を示す拡大図である。
【0021】
第２の実施形態が第１の実施形態と異なるのは、ダミーパターン１５に突起が設けられ
る点である。その他は、第１の実施形態と同様である。なお、本実施形態では、側壁転写
プロセスによって、設計上同じ幅、設計上同じ間隔のラインパターンを形成する場合につ
いて説明するが、その他の場合でも適用可能である。
る点である。その他は、第１の実施形態と同様である。なお、本実施形態では、側壁転写
プロセスによって、設計上同じ幅、設計上同じ間隔のラインパターンを形成する場合につ
いて説明するが、その他の場合でも適用可能である。
【0022】
【0023】
つぎに、ハードマスク膜１２上にレジスト膜を形成する。レジスト膜は、例えば、スピ
ンコート法を用いてレジストを塗布し、ベークすることで形成する。レジストは、例えば
、電子線レジストがあげられる。
ンコート法を用いてレジストを塗布し、ベークすることで形成する。レジストは、例えば
、電子線レジストがあげられる。
【0024】
つぎに、レジストにパターンを描画する。レジストとして電子線レジストを用いた場合
、描画は電子線によって行われる。このとき、側壁プロセスにおいて芯材となるラインパ
ターン１４の端部近傍にダミーパターン１５を設ける。本実施形態においては、例えば、
後述する被覆膜１６の厚さａを、ａ＝Ｗ１となるようにした場合について説明するが、ａ
＝Ｗ１以外の場合でも適用可能である。Ｙ方向におけるラインパターン１４の幅Ｗ１と、
Ｙ方向におけるラインパターン１４の幅Ｗ１と、Ｙ方向に隣接するラインパターン１４の
間の幅Ｗ２の比は、１：３であることが望ましい。またラインパターン１４のＸ方向端部
とダミーパターン１５の距離ｄは、例えば幅Ｗ１に対して２倍の距離、すなわち２Ｗ１以
下の距離である。さらに、本実施形態のダミーパターン１５は、図１３に示すように、Ｘ
方向に突出する突起を有する。突起は、例えば設計上１辺の長さがｂの正方形の形状に設
けられる。この正方形のX方向に平行な中心線は、ラインパターン１４の凹部のX方向に平
行な中心線とほぼ一致する。長さｂは、ａ＝ｂとなるように設定されることが望ましいが
、その他の場合でも適用可能である。このようにして、基板１１上に図９に示すような積
層構造体を形成する。
、描画は電子線によって行われる。このとき、側壁プロセスにおいて芯材となるラインパ
ターン１４の端部近傍にダミーパターン１５を設ける。本実施形態においては、例えば、
後述する被覆膜１６の厚さａを、ａ＝Ｗ１となるようにした場合について説明するが、ａ
＝Ｗ１以外の場合でも適用可能である。Ｙ方向におけるラインパターン１４の幅Ｗ１と、
Ｙ方向におけるラインパターン１４の幅Ｗ１と、Ｙ方向に隣接するラインパターン１４の
間の幅Ｗ２の比は、１：３であることが望ましい。またラインパターン１４のＸ方向端部
とダミーパターン１５の距離ｄは、例えば幅Ｗ１に対して２倍の距離、すなわち２Ｗ１以
下の距離である。さらに、本実施形態のダミーパターン１５は、図１３に示すように、Ｘ
方向に突出する突起を有する。突起は、例えば設計上１辺の長さがｂの正方形の形状に設
けられる。この正方形のX方向に平行な中心線は、ラインパターン１４の凹部のX方向に平
行な中心線とほぼ一致する。長さｂは、ａ＝ｂとなるように設定されることが望ましいが
、その他の場合でも適用可能である。このようにして、基板１１上に図９に示すような積
層構造体を形成する。
【0025】
つぎに、図１０に示すように、レジスト膜の上面、レジスト膜の側面および露出したハ
ードマスク膜１２の上面に厚さａの被覆膜１６を形成する。被覆膜１６は、例えば、原子
層堆積（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）法や分子層堆積（
Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＬＤ）法を用いて形成する
。被覆膜１６は、例えば、酸化シリコンを主成分とする。
ードマスク膜１２の上面に厚さａの被覆膜１６を形成する。被覆膜１６は、例えば、原子
層堆積（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）法や分子層堆積（
Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＬＤ）法を用いて形成する
。被覆膜１６は、例えば、酸化シリコンを主成分とする。
【0026】
つぎに、レジスト膜の上面が露出するまで被覆膜１６をエッチングする。エッチングに
は、例えば、ＣＨＦ３を用いた異方性エッチング法を用いる。これにより、図１１に示す
ように、被覆膜１６のうち、主に側面に堆積した部分が残された状態となる。
は、例えば、ＣＨＦ３を用いた異方性エッチング法を用いる。これにより、図１１に示す
ように、被覆膜１６のうち、主に側面に堆積した部分が残された状態となる。
【0027】
つぎに、図１２に示すように、レジスト膜を除去する。レジスト膜の除去には、例えば
、酸素プラズマによるドライエッチング法を用いる。これにより、被覆膜１６を含むパタ
ーンが形成される。本実施形態のパターン形成方法では、ラインパターン１４のＸ方向端
部とダミーパターン１５の間のスペースに、被覆膜１６を埋め込む。そのため、ラインパ
ターン１４のＸ方向端部に形成される被覆膜１６の形状がループ状とならず、ラインアン
ドスペースが反転したパターンを形成することが可能となる。さらに、本実施形態のパタ
ーン形成方法では、ダミーパターン１５に設計上正方形の突起が設けられている。これに
より、第１の実施形態で形成されていた２種類の長さのラインアンドスペースパターンの
長さを、図１２のように設計上揃えることが可能となる。
、酸素プラズマによるドライエッチング法を用いる。これにより、被覆膜１６を含むパタ
ーンが形成される。本実施形態のパターン形成方法では、ラインパターン１４のＸ方向端
部とダミーパターン１５の間のスペースに、被覆膜１６を埋め込む。そのため、ラインパ
ターン１４のＸ方向端部に形成される被覆膜１６の形状がループ状とならず、ラインアン
ドスペースが反転したパターンを形成することが可能となる。さらに、本実施形態のパタ
ーン形成方法では、ダミーパターン１５に設計上正方形の突起が設けられている。これに
より、第１の実施形態で形成されていた２種類の長さのラインアンドスペースパターンの
長さを、図１２のように設計上揃えることが可能となる。
【0028】
（第３の実施形態）
つづいて、第３の実施形態に係るテンプレートの製造方法について図１４および図１５
を参照して説明する。図１４は、本実施形態に係るテンプレートの構成を示す図である。
図１５は、本実施形態に係るテンプレートの製造方法を示す図である。
つづいて、第３の実施形態に係るテンプレートの製造方法について図１４および図１５
を参照して説明する。図１４は、本実施形態に係るテンプレートの構成を示す図である。
図１５は、本実施形態に係るテンプレートの製造方法を示す図である。
【0029】
まず、本実施形態に係るテンプレートについて図１４を参照して説明する。図１４（ａ
）は、Ｚ方向から見た、テンプレート１の平面図である。図１４（ｂ）は、Ｘ方向から見
た、ＡＡ’に沿ったテンプレート１の断面図である。テンプレート１は、Ｚ方向から見て
四辺形の基板３１が加工されたものである。光硬化を利用したナノインプリントリソグラ
フィの場合、テンプレート１は、例えば、石英（透明材料）を主成分とする。
）は、Ｚ方向から見た、テンプレート１の平面図である。図１４（ｂ）は、Ｘ方向から見
た、ＡＡ’に沿ったテンプレート１の断面図である。テンプレート１は、Ｚ方向から見て
四辺形の基板３１が加工されたものである。光硬化を利用したナノインプリントリソグラ
フィの場合、テンプレート１は、例えば、石英（透明材料）を主成分とする。
【0030】
基板３１の主面３２は、中央に主面３２から凸形状に突き出たメサ構造３３を備える。
メサ構造３３は、パターン面３４を有する。パターン面３４は、凹構造を有する。凹構造
は、転写パターンやアライメントマークを含む。
メサ構造３３は、パターン面３４を有する。パターン面３４は、凹構造を有する。凹構造
は、転写パターンやアライメントマークを含む。
【0031】
つづいて、本実施形態に係るテンプレートの製造方法について図１５を参照して説明す
る。図１５（ａ）に示すように、第１の実施形態または第２の実施形態に記載のパターン
形成方法でマスクパターン３９を形成する。
る。図１５（ａ）に示すように、第１の実施形態または第２の実施形態に記載のパターン
形成方法でマスクパターン３９を形成する。
【0032】
【0033】
つぎに、図１５（ｃ）に示すように、マスクパターン３９が転写されたハードマスク膜
３８をマスクにして基板３１のエッチングを行う。
３８をマスクにして基板３１のエッチングを行う。
【0034】
つぎに、図１５（ｄ）に示すように、ハードマスク膜３８を除去する。これによって、
様々な幅のパターンを有するテンプレートを作成することが可能となる。ハードマスク膜
３８の除去は、例えば、ウェットエッチングやドライエッチングなどの方法で行われる。
様々な幅のパターンを有するテンプレートを作成することが可能となる。ハードマスク膜
３８の除去は、例えば、ウェットエッチングやドライエッチングなどの方法で行われる。
【0035】
本実施形態に係るテンプレートの製造方法では、マスクパターン３９を形成する際に、
第１の実施形態または第２の実施形態に記載のパターン形成方法を用いる。そのため、第
１の実施形態、第２の実施形態と同様に、容易に側壁転写プロセスを用いたラインアンド
スペースパターンを形成することが可能である。これにより、側壁転写プロセス後のレジ
ストを用いたパターン形成や加工などを行う必要がなくなる。そのため、多くの工程を削
減可能となり、コストを低減することが可能となる。また、工程数が減るため、歩留まり
の向上を図ることが可能である。
第１の実施形態または第２の実施形態に記載のパターン形成方法を用いる。そのため、第
１の実施形態、第２の実施形態と同様に、容易に側壁転写プロセスを用いたラインアンド
スペースパターンを形成することが可能である。これにより、側壁転写プロセス後のレジ
ストを用いたパターン形成や加工などを行う必要がなくなる。そのため、多くの工程を削
減可能となり、コストを低減することが可能となる。また、工程数が減るため、歩留まり
の向上を図ることが可能である。
【0036】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したも
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
【符号の説明】
【0037】
１…テンプレート、１１、２１…基板、１２、２２、３８…ハードマスク膜、１４、２４
…ラインパターン、１５、２５…ダミーパターン、１６、２６…被覆膜、３１…基板、３
２…主面、３３…メサ構造、３４…パターン面、３９…マスクパターン
…ラインパターン、１５、２５…ダミーパターン、１６、２６…被覆膜、３１…基板、３
２…主面、３３…メサ構造、３４…パターン面、３９…マスクパターン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】