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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-27
(45)【発行日】2024-06-04
(54)【発明の名称】磁気式酸素分析計
(51)【国際特許分類】
G01N 27/74 20060101AFI20240528BHJP
【ＦＩ】
G01N27/74
【請求項の数】
1
(21)【出願番号】P 2020039662
(22)【出願日】2020-03-09
(65)【公開番号】P2021139831
(43)【公開日】2021-09-16
【審査請求日】2023-02-13
(73)【特許権者】
【識別番号】000005234
【氏名又は名称】富士電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】大石 満
【審査官】嶋田 行志
(56)【参考文献】
【文献】特開平０２－０４５７５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭４７－０１５０８０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１２５６８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０３－２１１０５８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭５５－０８６７６９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０３－１１８１５９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－０２２１３７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－００８６９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２００７／０４９３３２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００５－３００５２８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－０３０９０５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－２７９２０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－０９３５５８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｎ ２７／７２－Ｇ０１Ｎ ２７／９０９３
Ｇ０１Ｎ ２１／０３－Ｇ０１Ｎ ２１／１５
Ｂ４１Ｊ ２／００－Ｂ４１Ｊ ２／５２５
Ｇ０１Ｎ ３３／４８－Ｇ０１Ｎ ３３／９８
Ｇ０１Ｎ ３５／００－Ｇ０１Ｎ ３７／００
ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０／ＪＳＴＣｈｉｎａ（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
測定ガスが供給されるガス流路を有し、第１セル板と、前記第１セル板の表に面接触状態で積層して拡散接合された第２セル板と、前記第１セル板の裏に面接触状態で積層して拡散接合された第３セル板と、を備え、前記第１セル板において、前記ガス流路がつながっており、前記第１セル板、前記第２セル板及び前記第３セル板によって前記ガス流路が内部に区画・形成されるセル本体と、前記ガス流路に補助ガスが流出する測定側流路と、
前記ガス流路に補助ガスが流出する基準側流路と、
前記測定側流路と前記ガス流路との連通箇所付近に形成される磁界領域と、
前記測定側流路を流れる補助ガスと前記基準側流路を流れる補助ガスとの流量差を検出する流量センサと、
前記流量センサの出力信号に基づいて前記測定ガスに含まれる酸素濃度を測定する検出回路と、を備える、
磁気式酸素分析計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、測定ガスに含まれる酸素の濃度を測定する磁気式酸素分析計に関する。
【背景技術】
【0002】
磁気式酸素分析計は、酸素分子が磁力によって吸引される性質を利用して測定ガスに含まれる酸素の濃度を測定する装置として知られている。
始めに、磁気式酸素分析計の測定原理を図３に基づいて説明する。
始めに、磁気式酸素分析計の測定原理を図３に基づいて説明する。
【0003】
酸素分子を含むガス中に磁石２００Ｎ，２００Ｓを配置すると、磁界が強く、しかもその強さが変化している箇所（磁界が不均一である磁極端部）に酸素を引き付ける力が作用する。この磁極端部では、図３に示す右向きの力と左向きの力が押し合ってバランスしており、磁石２００Ｎ，２００Ｓ間の磁界内部では酸素の圧力（濃度）が外部に比べて高くなる。
従って、磁石２００Ｎ，２００Ｓによって形成された磁界領域にガスを供給した時の磁界領域の圧力変化や、この圧力変化に起因するガスの流量変化に基づいて、ガス中の酸素濃度を測定することができる。
従って、磁石２００Ｎ，２００Ｓによって形成された磁界領域にガスを供給した時の磁界領域の圧力変化や、この圧力変化に起因するガスの流量変化に基づいて、ガス中の酸素濃度を測定することができる。
【0004】
上記測定原理を用いた従来の磁気式酸素分析計の主要部の構造を、図４の模式図によって示す。
この磁気式酸素分析計は、外部プロセスから測定ガスＦ１が供給される測定セル１０と、測定ガスＦ１に含まれる酸素濃度を測定する検出回路１００とを備えている。
この磁気式酸素分析計は、外部プロセスから測定ガスＦ１が供給される測定セル１０と、測定ガスＦ１に含まれる酸素濃度を測定する検出回路１００とを備えている。
【0005】
測定セル１０はセル本体１１を備え、このセル本体１１には、測定ガスＦ１が流入する測定ガス流入口１２と、ガス流路１１ｘを介して測定ガス流入口１２の反対側に配置された測定ガス流出口１３とを有する。
また、測定ガス中の酸素による圧力変動を有効に検出するための補助ガスＦ２が、補助ガス供給流路１６から供給される。この補助ガス供給流路１６は、分岐点Ｐ０により分岐して測定側流路１５ａと基準側流路１５ｂとに連通していると共に、測定側流路１５ａは分岐点Ｐ１を介して反対側の測定側流路１７ａに連通し、基準側流路１５ｂは分岐点Ｐ２を介して反対側の基準側流路１７ｂに連通している。更に、測定側流路１７ａと基準側流路１７ｂとは熱式流量センサ（：マスフローセンサ、以下、単に流量センサという）１７を介して連結されている。
また、測定ガス中の酸素による圧力変動を有効に検出するための補助ガスＦ２が、補助ガス供給流路１６から供給される。この補助ガス供給流路１６は、分岐点Ｐ０により分岐して測定側流路１５ａと基準側流路１５ｂとに連通していると共に、測定側流路１５ａは分岐点Ｐ１を介して反対側の測定側流路１７ａに連通し、基準側流路１５ｂは分岐点Ｐ２を介して反対側の基準側流路１７ｂに連通している。更に、測定側流路１７ａと基準側流路１７ｂとは熱式流量センサ（：マスフローセンサ、以下、単に流量センサという）１７を介して連結されている。
【0006】
流量センサ１７は、測定側流路１７ａから流入する補助ガスＦ２１の流量と基準側流路１７ｂから流入する補助ガスＦ２２の流量との差（言い換えれば圧力の差）に応じた信号を検出するものであり、この信号が検出回路１００により増幅され、測定ガスＦ１中の酸素濃度として測定される。なお、２０は流量センサ１７を含む酸素濃度測定ユニットである。
測定側流路１５ａと基準側流路１５ｂとは、互いに対向するように配置されてガス流路１１ｘに連通している。また、測定側流路１５ａの流出口付近のガス流路１１ｘには、後述のポールピースによって磁界領域Ｍｆが形成されている。
なお、図４はあくまで模式図であり、セル本体１１の形状等は図５以下に示すものと必ずしも一致していない。
測定側流路１５ａと基準側流路１５ｂとは、互いに対向するように配置されてガス流路１１ｘに連通している。また、測定側流路１５ａの流出口付近のガス流路１１ｘには、後述のポールピースによって磁界領域Ｍｆが形成されている。
なお、図４はあくまで模式図であり、セル本体１１の形状等は図５以下に示すものと必ずしも一致していない。
【0007】
次に、図５（ａ）は、上記磁界領域Ｍｆを形成するためのコイル２１ａ，２１ｂ及びコア２２をセル本体１１と共に示した主要部の正面図、図５（ｂ）は同じく側面図、図５（ｃ）はセル本体１１及びその周辺部の底面図である。
これらの図において、２３ａ，２３ｂはコイル２１ａ，２１ｂによる磁束が通過するポールピース、２４ａは測定ガス流入口１２に連通するガス入口、２４ｂは測定ガス流出口１３に連通するガス出口、２５ａ，２５ｂはセル本体１１を挟んで固定する固定ブロックであり、他の部材については図４と同一の参照符号を付してある。
これらの図において、２３ａ，２３ｂはコイル２１ａ，２１ｂによる磁束が通過するポールピース、２４ａは測定ガス流入口１２に連通するガス入口、２４ｂは測定ガス流出口１３に連通するガス出口、２５ａ，２５ｂはセル本体１１を挟んで固定する固定ブロックであり、他の部材については図４と同一の参照符号を付してある。
【0008】
いま、図４の測定ガス流入口１２から流入した測定ガスＦ１は、Ｆ１１やＦ１２のようにガス流路１１ｘの全体を通って測定ガス流出口１３から流出する。
また、補助ガス供給流路１６から流入した補助ガスＦ２は、分岐点Ｐ０で二方向（分岐点Ｐ１，Ｐ２方向）に分流し、更に、分岐点Ｐ１では測定側流路１５ａ，１７ａに分流すると共に、分岐点Ｐ２では基準側流路１５ｂ，１７ｂに分流する。
測定側流路１５ａ及び基準側流路１５ａからガス流路１１ｘにそれぞれ流出した補助ガスＦ２１，Ｆ２２は、測定ガスＦ１１，Ｆ１２と合流し、測定ガスＦ１及び補助ガスＦ２として測定ガス流出口１３から流出する。
また、補助ガス供給流路１６から流入した補助ガスＦ２は、分岐点Ｐ０で二方向（分岐点Ｐ１，Ｐ２方向）に分流し、更に、分岐点Ｐ１では測定側流路１５ａ，１７ａに分流すると共に、分岐点Ｐ２では基準側流路１５ｂ，１７ｂに分流する。
測定側流路１５ａ及び基準側流路１５ａからガス流路１１ｘにそれぞれ流出した補助ガスＦ２１，Ｆ２２は、測定ガスＦ１１，Ｆ１２と合流し、測定ガスＦ１及び補助ガスＦ２として測定ガス流出口１３から流出する。
【0009】
測定側流路１５ａ，１７ａと、基準側流路１５ｂ，１７ｂとは、測定ガス流入口１２と測定ガス流出口１３とを結ぶ直線の両側に対称な構造であり、各流路の内部を通過する補助ガスの流量や圧力の変化が測定側と検出側とでほぼ等しくなるように考慮されている。
【0010】
ここで、測定側流路１５ａからガス流路１１ｘに流出する補助ガスＦ２１は、前記ポールピース２３ａ，２３ｂによって形成された磁界領域Ｍｆを通過する。
前述したように、酸素（常磁性の気体）は磁界の強い方に吸引されるため、吸引された部分の圧力が上昇する。測定ガスに酸素が含まれていない場合、この測定ガスが磁界領域Ｍｆを通過しても磁界領域Ｍｆの圧力は上昇しない。このため、測定側流路１５ａ及び基準側流路１５ｂからガス流路１１ｘに補助ガスＦ２１，Ｆ２２がそれぞれ流出する際の流体抵抗は等しく、分岐点Ｐ１，Ｐ２の圧力も等しくなる。よって、分岐点Ｐ１，Ｐ２に圧力差がないので、流量センサ１７によって補助ガスの圧力変化が検出されることはなく、検出回路１００は測定ガスＦ１中の酸素濃度として零を出力する。
前述したように、酸素（常磁性の気体）は磁界の強い方に吸引されるため、吸引された部分の圧力が上昇する。測定ガスに酸素が含まれていない場合、この測定ガスが磁界領域Ｍｆを通過しても磁界領域Ｍｆの圧力は上昇しない。このため、測定側流路１５ａ及び基準側流路１５ｂからガス流路１１ｘに補助ガスＦ２１，Ｆ２２がそれぞれ流出する際の流体抵抗は等しく、分岐点Ｐ１，Ｐ２の圧力も等しくなる。よって、分岐点Ｐ１，Ｐ２に圧力差がないので、流量センサ１７によって補助ガスの圧力変化が検出されることはなく、検出回路１００は測定ガスＦ１中の酸素濃度として零を出力する。
【0011】
一方、測定ガスＦ１に酸素が含まれている場合、酸素は磁界領域Ｍｆに引き付けられ、酸素の凝集圧によって測定側流路１５ａからガス流路１１ｘに補助ガスＦ２１が流出する際の流体抵抗が増加し、流出量が減少する。逆に、基準側流路１５ｂの流出口には磁界領域Ｍｆが存在しないため、補助ガスＦ２２がガス流路１１ｘに流出する際の流体抵抗は増加しない。
その結果、補助ガスＦ２１，Ｆ２２がガス流路１１ｘへ流出する際の流体抵抗に差が生じることになり、分岐点Ｐ１の圧力は分岐点Ｐ２の圧力より高くなる。
その結果、補助ガスＦ２１，Ｆ２２がガス流路１１ｘへ流出する際の流体抵抗に差が生じることになり、分岐点Ｐ１の圧力は分岐点Ｐ２の圧力より高くなる。
【0012】
これにより、測定側流路１７ａと基準側流路１７ｂとに分流して流量センサ１７に到達する補助ガスの分流比、すなわち補助ガスの流量ひいては圧力が変化する。従って、流量センサ１７は、測定ガスＦ１に含まれる酸素濃度に応じた圧力変化を検出し、検出回路１００は、流量センサ１７による検出信号に基づいて酸素（酸素ガス）の濃度を測定することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0013】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
ここで、図６（ａ）はセル本体１１の平面図であり、１５ａ’，１５ｂ’は前記測定側流路１５ａ及び基準側流路１５ｂにそれぞれ連結される連結孔を示している。
また、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ－Ａ断面図である。セル本体１１は、ステンレス等からなる３枚のセル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃを積層したうえで電子ビーム溶接やレーザービーム溶接等を行って接合されており、各セル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃの内面によってガス流路１１ｘが形成されている。
また、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ－Ａ断面図である。セル本体１１は、ステンレス等からなる３枚のセル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃを積層したうえで電子ビーム溶接やレーザービーム溶接等を行って接合されており、各セル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃの内面によってガス流路１１ｘが形成されている。
【0015】
しかし、溶接によってセル本体１１を形成する場合には、セル板１１ａ，１１ｃの表裏から線状に順次溶接していくため、溶接の始めの部位と終わりの部位との間の温度差に起因する熱膨張差等により、セル板１１ａ，１１ｃがガス流路１１ｘ側に歪むおそれがあった。
図７は、図６（ａ）のＢ－Ｂ断面図に相当しており、図５における固定ブロック２５ａ，２５ｂをセル本体１１と共に示した図面である。
前述した如くセル板１１ａ，１１ｃに歪みが生じると、周囲温度の変化等による固定ブロック２５ａ，２５ｂを含む構造体の熱膨張、熱収縮等にも起因して、ガス流路１１ｘを形成するセル板１１ａ，１１ｃの歪みが破線で示すように大きくなる。その結果、ガス流路１１ｘの断面積が変化して測定のたびごとにゼロ点が異なるため、測定誤差が生じるという問題があった。
図７は、図６（ａ）のＢ－Ｂ断面図に相当しており、図５における固定ブロック２５ａ，２５ｂをセル本体１１と共に示した図面である。
前述した如くセル板１１ａ，１１ｃに歪みが生じると、周囲温度の変化等による固定ブロック２５ａ，２５ｂを含む構造体の熱膨張、熱収縮等にも起因して、ガス流路１１ｘを形成するセル板１１ａ，１１ｃの歪みが破線で示すように大きくなる。その結果、ガス流路１１ｘの断面積が変化して測定のたびごとにゼロ点が異なるため、測定誤差が生じるという問題があった。
【0016】
なお、図８は、従来の溶接方法により３枚のセル板を接合したセル本体を対象として、温度変化によるセル本体の歪みを確認するために行った温度試験結果を示す波形図であり、試験の条件としては、所定の時間間隔で常温（約２５［℃］）、高温（約４５［℃］）、低温（約－５［℃］）の３段階に周囲温度を切り換える処理を１サイクルとし、セル本体の歪み量を電圧の出力値として測定した。
図８によれば、温度が変化するたびに出力値が大きく変動しており、温度変化がセル本体の歪みに大きく影響していることがわかる。
図８によれば、温度が変化するたびに出力値が大きく変動しており、温度変化がセル本体の歪みに大きく影響していることがわかる。
【0017】
従って、本発明の解決課題は、セル板同士の接合方法を改良してセル板の厚さ方向の歪みを抑制し、ガス流路の断面積を所定値に保って酸素濃度を高精度に測定可能とした磁気式酸素分析計を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0018】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、測定ガスが供給されるガス流路を有し、第１セル板と、前記第１セル板の表に面接触状態で積層して拡散接合された第２セル板と、前記第１セル板の裏に面接触状態で積層して拡散接合された第３セル板と、を備え、前記第１セル板において、前記ガス流路がつながっており、前記第１セル板、前記第２セル板及び前記第３セル板によって前記ガス流路が内部に区画・形成されるセル本体と、前記ガス流路に補助ガスが流出する測定側流路と、前記ガス流路に補助ガスが流出する基準側流路と、前記測定側流路と前記ガス流路との連通箇所付近に形成される磁界領域と、前記測定側流路を流れる補助ガスと前記基準側流路を流れる補助ガスとの流量差を検出する流量センサと、前記流量センサの出力信号に基づいて前記測定ガスに含まれる酸素濃度を測定する検出回路と、を備える磁気式酸素分析計である。
【発明の効果】
【0020】
本発明においては、複数のセル板を面接触状態で積層して拡散接合を行うことによりセル本体を形成する。
これにより、電子ビーム溶接やレーザービーム溶接等により複数のセル板同士を接合する場合に比べて、周囲温度の変化により表裏のセル板が歪んでガス流路側に変形する恐れがない。このため、ガス流路の断面積を一定に保って測定時におけるゼロ点の変動を防止し、測定ガス中の酸素濃度を高精度に測定することができる。
これにより、電子ビーム溶接やレーザービーム溶接等により複数のセル板同士を接合する場合に比べて、周囲温度の変化により表裏のセル板が歪んでガス流路側に変形する恐れがない。このため、ガス流路の断面積を一定に保って測定時におけるゼロ点の変動を防止し、測定ガス中の酸素濃度を高精度に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明の実施形態におけるセル本体の製造工程を示す断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係るセル本体について、温度試験を行った結果を示す波形図である。
【図3】磁気式酸素分析計の測定原理を示す図である。
【図4】磁気式酸素分析計の主要部の構成を示す模式図である。
【図8】従来技術における温度試験の結果を示す波形図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。なお、磁気式酸素分析計の測定原理は従来と同様であり、その全体的な構成もセル本体を除けば従来と同様である。
【0023】
図１は、本発明の実施形態におけるセル本体１１の製造工程を示す断面図である。
この実施形態の特徴は、セル本体１１を構成するステンレス製のセル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ同士を面接触させて積層し、これらを拡散接合（固相拡散接合）により一体的に形成することにある。周知のように、拡散接合は、母材を密着させて母材の融点以下の温度条件により塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧することにより、接合面に生じる原子の拡散を利用して母材同士を接合する方法である（ＪＩＳ Ｚ３００１－２の２２７０２）。
この実施形態の特徴は、セル本体１１を構成するステンレス製のセル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ同士を面接触させて積層し、これらを拡散接合（固相拡散接合）により一体的に形成することにある。周知のように、拡散接合は、母材を密着させて母材の融点以下の温度条件により塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧することにより、接合面に生じる原子の拡散を利用して母材同士を接合する方法である（ＪＩＳ Ｚ３００１－２の２２７０２）。
【0024】
まず、図１（ａ）は、前工程として、セル本体１１を補強するための補強板３１を、外側のセル板１１ａの表面に拡散接合する状態を示している。
セル板１１ａと補強板３１とには孔部１１ａ’，３１ａがそれぞれ設けられており、これらの孔部１１ａ’ ，３１ａを連通させた状態でセル板１１ａと補強板３１とを重ね合わせ、補強板３１の表面とセル板１１ａの裏面とから加圧して拡散接合する。なお、接合時の温度や時間等の条件については、次の図１（ｂ）の場合と同様とする。
セル板１１ａと補強板３１とには孔部１１ａ’，３１ａがそれぞれ設けられており、これらの孔部１１ａ’ ，３１ａを連通させた状態でセル板１１ａと補強板３１とを重ね合わせ、補強板３１の表面とセル板１１ａの裏面とから加圧して拡散接合する。なお、接合時の温度や時間等の条件については、次の図１（ｂ）の場合と同様とする。
【0025】
図１（ｂ）は、３枚のセル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃを一体的に拡散接合する状態を示しており、例えば、図６のガス入口２４ａやガス出口２４ｂの断面図に相当している。つまり、図１（ｂ）の孔部１１ａ’は、例えば図６のガス入口２４ａやガス出口２４ｂに相当する。
【0026】
前述した図１（ａ）により補強板３１と一体化させたセル板１１ａと、反対側のセル板１１ｃとによって中央のセル板１１ｂを挟むことによりセル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃを面接触させて積層し、セル板１１ａの表面及びセル板１１ｃの裏面をセル板１１ｂ方向に加圧する。その際の温度条件の一例としては、加熱炉内において、積層されたセル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃを加圧しながら、炉内温度を９５０［℃］から１０６０［℃］まで１．５時間かけて昇温し、更に、炉内温度１０６０［℃］を３分間維持した後に加熱を中止して自然冷却する。
【0027】
上述した一連の拡散接合により、セル板１１ａ，１１ｂ同士の接触面及びセル板１１ｂ，１１ｃ同士の接触面が、原子の拡散作用により緊密かつ強固に接合され、セル板１１ａ，１１ｃがガス流路１１ｘ側に歪む恐れもない。
なお、図１（ｂ）において、ガス流路１１ｘの両側に破線で囲んだ部分ｃは、ガス流路１１ｘ側に変形するのを防ぐために拡散接合を行わない部位である。
なお、図１（ｂ）において、ガス流路１１ｘの両側に破線で囲んだ部分ｃは、ガス流路１１ｘ側に変形するのを防ぐために拡散接合を行わない部位である。
【0028】
上記のように、積層されたセル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃを拡散接合してセル本体１１を形成することにより、電子ビーム溶接やレーザービーム溶接等によってセル板１１ａ，１１ｃの表裏から線状に溶接する場合に比べて、セル板１１ａ，１１ｃが歪んでガス流路１１ｘ側に膨らむ恐れがない。また、セル本体１１の外側の固定ブロック２５ａ，２５ｂを含む構造体の熱膨張、熱収縮によってセル板１１ａ，１１ｃが歪む心配もない。
従って、この実施形態によれば、ガス流路１１ｘの断面積を一定に保って測定時のゼロ点の変動を防止し、測定ガス中の酸素濃度を高精度に測定することができる。
従って、この実施形態によれば、ガス流路１１ｘの断面積を一定に保って測定時のゼロ点の変動を防止し、測定ガス中の酸素濃度を高精度に測定することができる。
【0029】
図２は、本発明の効果を確認するために行った温度試験の結果を示す波形図である。試験の条件は図８とほぼ同様であり、所定の時間間隔で常温（約２５［℃］）、高温（約４５［℃］）、低温（約－５［℃］）の３段階に周囲温度を切り換える作業を１サイクルとし、セル板１１ａ，１１ｂ，１１ｃを拡散接合して形成されたセル本体１１を対象として、温度変化により発生する歪みを電圧の出力値として測定した。
図２によれば、周囲温度が変化しても出力値はほぼ初期値（時間０［Ｈｒ］における値）から変化しておらず、歪みがほとんど発生していないことがわかる。
図２によれば、周囲温度が変化しても出力値はほぼ初期値（時間０［Ｈｒ］における値）から変化しておらず、歪みがほとんど発生していないことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【0030】
本発明の磁気式酸素分析計は、加熱炉・触媒再生塔［石油・科学分野］、アンモニアプラント・電解プラント［化学］、熱風炉・転炉［鉄鋼］、焼鈍炉・加熱炉［非鉄金属］、ゴミ消却炉・汚泥焼却炉［環境］など、酸素濃度の測定を必要とする各種分野で利用することができる。
【符号の説明】
【0031】
１０：測定セル
１１：セル本体
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ：セル板
１１ａ’：孔部
１１ｘ：ガス流路
１２：測定ガス流入口
１３：測定ガス流出口
１５ａ，１５ｂ：測定側流路
１５ｂ，１７ｂ：基準側流路
１５ａ’，１５ｂ’：連結孔
１６：補助ガス供給流路
１７：熱式流量センサ
２０：酸素濃度測定ユニット
２１ａ，２１ｂ：コイル
２２：コア
２３ａ，２３ｂ：ポールピース
２４ａ：ガス入口
２４ｂ：ガス出口
２５ａ，２５ｂ：固定ブロック
３１：補強板
３１ａ：孔部
１００：検出回路
２００Ｎ，２００Ｓ：磁石
Ｍｆ：磁界領域
１１：セル本体
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ：セル板
１１ａ’：孔部
１１ｘ：ガス流路
１２：測定ガス流入口
１３：測定ガス流出口
１５ａ，１５ｂ：測定側流路
１５ｂ，１７ｂ：基準側流路
１５ａ’，１５ｂ’：連結孔
１６：補助ガス供給流路
１７：熱式流量センサ
２０：酸素濃度測定ユニット
２１ａ，２１ｂ：コイル
２２：コア
２３ａ，２３ｂ：ポールピース
２４ａ：ガス入口
２４ｂ：ガス出口
２５ａ，２５ｂ：固定ブロック
３１：補強板
３１ａ：孔部
１００：検出回路
２００Ｎ，２００Ｓ：磁石
Ｍｆ：磁界領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】