特許 7494753 電子装置の測定方法、測定装置および測定プログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-27

(45)【発行日】2024-06-04

(54)【発明の名称】電子装置の測定方法、測定装置および測定プログラム

(51)【国際特許分類】

   G01B 11/06 20060101AFI20240528BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20240528BHJP

【ＦＩ】

G01B11/06 G

H01L21/60 321Y

H01L21/60 311Q

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2021022797

(22)【出願日】2021-02-16

(65)【公開番号】P2022124892

(43)【公開日】2022-08-26

【審査請求日】2023-09-21

(73)【特許権者】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110004370

【氏名又は名称】弁理士法人片山特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】夏目 和俊

【審査官】山▲崎▼ 和子

(56)【参考文献】

【文献】特開２００２－００５６２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－３２６７１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１８４１２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０７５７９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特許第６７５８７３６（ＪＰ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｂ １１／００－１１／３０

Ｈ０１Ｌ ２１／４４７－２１／４４９

２１／６０－２１／６０７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

バンプを用いて第１のチップと第２のチップとをフリップチップボンディングして形成される電子装置のうち透過領域に光を照射する工程と、
前記光が前記電子装置で反射されて生じる反射光を用いる分光干渉法により、前記電子装置のうち少なくとも一部の厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定する工程と、を有し、
前記透過領域は、前記電子装置のうち前記透過領域以外の領域に比べて、厚さ方向に光を透過しやすい領域であり、
前記測定する工程は、前記分光干渉法により、前記第１のチップの厚さ、前記第２のチップの厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定する工程であり、
前記第１のチップの前記第２のチップとは反対側の面で反射された反射光と、前記第２のチップ側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記第１のチップの厚さを測定し、
前記第２のチップの前記第１のチップ側の面で反射された反射光と、前記第１のチップとは反対側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記第２のチップの厚さを測定し、
前記第１のチップの前記第２のチップ側の面で反射された反射光と、前記第２のチップの前記第１のチップ側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記距離を測定する電子装置の測定方法。

【請求項2】

前記光を照射する工程は、前記第１のチップの前記第２のチップとは反対側の面、または前記第２のチップの前記第１のチップとは反対側の面から光を照射する工程である請求項１に記載の電子装置の測定方法。

【請求項3】

バンプを用いて第１のチップと第２のチップとをフリップチップボンディングして形成される電子装置のうち透過領域に光を照射する工程と、
前記光が前記電子装置で反射されて生じる反射光を用いる分光干渉法により、前記電子装置のうち少なくとも一部の厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定する工程と、を有し、
前記透過領域は、前記電子装置のうち前記透過領域以外の領域に比べて、厚さ方向に光を透過しやすい領域であり、
前記透過領域は、第１透過領域と第２透過領域とを含み、
前記第１透過領域は、前記第１のチップに設けられ、前記第１のチップのうち前記第１透過領域以外の領域よりも前記光を透過しやすい領域であり、
前記第２透過領域は、前記第２のチップに設けられ、前記第２のチップのうち前記第２透過領域以外の領域よりも前記光を透過しやすい領域であり、
前記第１のチップと前記第２のチップとは、前記第１透過領域が前記第２透過領域に対向するようにフリップチップボンディングされ、
前記光を照射する工程において、前記光を前記第１透過領域および前記第２透過領域に照射する電子装置の測定方法。

【請求項4】

前記第１のチップは、受光層および第１金属層を有し、
前記受光層および前記第１金属層は、前記第１透過領域以外の部分に設けられている請求項３に記載の電子装置の測定方法。

【請求項5】

前記受光層は、インジウムガリウム砒素を含み、
前記第１透過領域は、インジウムリンを含む請求項４に記載の電子装置の測定方法。

【請求項6】

前記第２のチップは、前記第２透過領域以外の部分に設けられた第２金属層を有する請求項３から請求項５のいずれか一項に記載の電子装置の測定方法。

【請求項7】

前記第２透過領域は、シリコンを含む請求項３から請求項６のいずれか一項に記載の電子装置の測定方法。

【請求項8】

前記電子装置は、複数の前記透過領域を有し、
前記複数の透過領域は、前記電子装置の面内方向において互いに離間し、
前記光を照射する工程において、前記複数の透過領域のそれぞれに前記光を照射し、
前記測定する工程は、前記複数の透過領域のそれぞれにおいて前記分光干渉法による測定を行う工程である請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電子装置の測定方法。

【請求項9】

前記透過領域は、前記電子装置のうち前記バンプが設けられる部分よりも外側に位置する請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の電子装置の測定方法。

【請求項10】

バンプを用いて第１のチップと第２のチップとをフリップチップボンディングして形成される電子装置のうち透過領域に光を照射する光源と、
前記光が前記電子装置で反射されて生じる反射光を分光する分光器と、
前記分光器による分光に基づいて分光干渉法を行い、前記第１のチップの厚さ、前記第２のチップの厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離のうち少なくとも１つを測定する測定部と、を具備し、
前記透過領域は、前記電子装置のうち前記透過領域以外の領域に比べて、厚さ方向に光を透過しやすい領域であり、
前記測定部は、前記分光干渉法により、前記第１のチップの厚さ、前記第２のチップの厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定し、
前記第１のチップの前記第２のチップとは反対側の面で反射された反射光と、前記第２のチップ側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記第１のチップの厚さを測定し、
前記第２のチップの前記第１のチップ側の面で反射された反射光と、前記第１のチップとは反対側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記第２のチップの厚さを測定し、
前記第１のチップの前記第２のチップ側の面で反射された反射光と、前記第２のチップの前記第１のチップ側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記距離を測定する電子装置の測定装置。

【請求項11】

コンピュータに、
バンプを用いて第１のチップと第２のチップとをフリップチップボンディングして形成される電子装置のうち透過領域に光を照射する処理と、
前記光が前記電子装置で反射されて生じる反射光を用いる分光干渉法により、前記電子装置のうち少なくとも一部の厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定する処理と、を実行させ、
前記透過領域は、前記電子装置のうち前記透過領域以外の領域に比べて、厚さ方向に光を透過しやすい領域であり、
前記測定する処理は、前記分光干渉法により、前記第１のチップの厚さ、前記第２のチップの厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定する処理であり、
前記第１のチップの前記第２のチップとは反対側の面で反射された反射光と、前記第２のチップ側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記第１のチップの厚さを測定し、
前記第２のチップの前記第１のチップ側の面で反射された反射光と、前記第１のチップとは反対側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記第２のチップの厚さを測定し、
前記第１のチップの前記第２のチップ側の面で反射された反射光と、前記第２のチップの前記第１のチップ側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記距離を測定する電子装置の測定プログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は電子装置の測定方法、測定装置および測定プログラムに関するものである。

【背景技術】

【0002】

バンプを用いて、チップを基板にフリップチップボンディングすることで、電子装置を形成する。静電容量を測定することで、バンプ高さなどの実装状態を評価する技術がある（例えば特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１０－５６４２９号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

フリップチップボンディングの実施後に、光学的な方法によって、チップと基板との間の距離（ギャップ）および厚さなどを測定することは困難であった。そこで、厚さおよび距離を測定することが可能な電子装置の測定方法、測定装置および測定プログラムを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示に係る電子装置の測定方法は、バンプを用いて第１のチップと第２のチップとをフリップチップボンディングして形成される電子装置のうち透過領域に光を照射する工程と、前記光が前記電子装置で反射されて生じる反射光を用いる分光干渉法により、前記電子装置のうち少なくとも一部の厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定する工程と、を有し、前記透過領域は、前記電子装置のうち前記透過領域以外の領域に比べて、厚さ方向に光を透過しやすい領域である。

【0006】

本開示に係る電子装置の測定装置は、バンプを用いて第１のチップと第２のチップとをフリップチップボンディングして形成される電子装置のうち透過領域に光を照射する光源と、前記光が前記電子装置で反射されて生じる反射光を分光する分光器と、前記分光器による分光に基づいて分光干渉法を行い、前記第１のチップの厚さ、前記第２のチップの厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離のうち少なくとも１つを測定する測定部と、を具備し、前記透過領域は、前記電子装置のうち前記透過領域以外の領域に比べて、厚さ方向に光を透過しやすい領域である。

【0007】

本開示に係る電子装置の測定プログラムは、コンピュータに、バンプを用いて第１のチップと第２のチップとをフリップチップボンディングして形成される電子装置のうち透過領域に光を照射する処理と、前記光が前記電子装置で反射されて生じる反射光を用いる分光干渉法により、前記電子装置のうち少なくとも一部の厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定する処理と、を実行させ、前記透過領域は、前記電子装置のうち前記透過領域以外の領域に比べて、厚さ方向に光を透過しやすい領域である。

【発明の効果】

【0008】

本開示によれば厚さおよび距離を測定することが可能な電子装置の測定方法、測定装置および測定プログラムを提供することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1A】図１Ａは、実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。

【図1B】図１Ｂは、制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。

【図2A】図２Ａは、電子装置を例示する平面図である。

【図2B】図２Ｂは、図２Ａの線Ａ－Ａに沿った断面図である。

【図3】図３は、透過領域付近の拡大図である。

【図4】図４は、測定方法を例示するフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0010】

[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。

【0011】

本開示の一形態は、（１）バンプを用いて第１のチップと第２のチップとをフリップチップボンディングして形成される電子装置のうち透過領域に光を照射する工程と、前記光が前記電子装置で反射されて生じる反射光を用いる分光干渉法により、前記電子装置のうち少なくとも一部の厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定する工程と、を有し、前記透過領域は、前記電子装置のうち前記透過領域以外の領域に比べて、厚さ方向に光を透過しやすい領域である電子装置の測定方法である。厚さおよび距離を測定することができる。
（２）前記測定する工程は、前記分光干渉法により、前記第１のチップの厚さ、前記第２のチップの厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定する工程であり、前記第１のチップの前記第２のチップとは反対側の面で反射された反射光と、前記第２のチップ側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記第１のチップの厚さを測定し、前記第２のチップの前記第１のチップ側の面で反射された反射光と、前記第１のチップとは反対側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記第２のチップの厚さを測定し、前記第１のチップの前記第２のチップ側の面で反射された反射光と、前記第２のチップの前記第１のチップ側の面で反射された反射光とを用いる分光干渉法により、前記距離を測定してもよい。第１のチップの厚さ、第２のチップの厚さ、および距離を一回の工程で測定する。簡潔かつ精度の高い測定が可能である。
（３）前記光を照射する工程は、前記第１のチップの前記第２のチップとは反対側の面、または前記第２のチップの前記第１のチップとは反対側の面から光を照射する工程でもよい。光が入射面から反対側の面に達するまでに、電子装置の面で反射される。反射光を用いた分光干渉法により、厚さおよび距離を測定することができる。
（４）前記透過領域は第１透過領域と第２透過領域とを含み、前記第１透過領域は、前記第１のチップに設けられ、前記第１のチップのうち前記第１透過領域以外の領域よりも前記光を透過しやすい領域であり、前記第２透過領域は、前記第２のチップに設けられ、前記第２のチップのうち前記第２透過領域以外の領域よりも前記光を透過しやすい領域であり、前記第１のチップと前記第２のチップとは、前記第１透過領域が前記第２透過領域に対向するようにフリップチップボンディングされ、前記光を照射する工程において、前記光を前記第１透過領域および前記第２透過領域に照射してもよい。光は、第１透過領域および第２透過領域を透過し、かつ電子装置の面で反射される。反射光を用いた分光干渉法により、厚さおよび距離を測定することができる。
（５）前記第１のチップは、受光層および第１金属層を有し、前記受光層および前記第１金属層は、前記第１透過領域以外の部分に設けられてもよい。第１透過領域は第１金属層を有さないため、高い透過率を示す。
（６）前記受光層は、インジウムガリウム砒素を含み、前記第１透過領域は、インジウムリンを含んでもよい。第１透過領域の光の吸収率は、受光層に比べて低い。
（７）前記第２のチップは、前記第２透過領域以外の部分に設けられた第２金属層を有してもよい。第２透過領域は第２金属層を有さないため、高い透過率を示す。
（８）前記第２透過領域は、シリコンを含んでもよい。光が、シリコンを透過する際に反射光が生じる。反射光を用いた分光干渉法により、厚さおよび距離を測定することができる。
（９）前記電子装置は、複数の前記透過領域を有し、前記複数の透過領域は、前記電子装置の面内方向において互いに離間し、前記光を照射する工程において、前記複数の透過領域のそれぞれに前記光を照射し、前記測定する工程は、前記複数の透過領域のそれぞれにおいて前記分光干渉法による測定を行う工程でもよい。厚さのばらつきおよび距離のばらつきを検出することができる。
（１０）前記透過領域は、前記電子装置のうち前記バンプが設けられる部分よりも外側に位置してもよい。厚さのばらつきおよび距離のばらつきを検出することができる。
（１１）バンプを用いて第１のチップと第２のチップとをフリップチップボンディングして形成される電子装置のうち透過領域に光を照射する光源と、前記光が前記電子装置で反射されて生じる反射光を分光する分光器と、前記分光器による分光に基づいて分光干渉法を行い、前記第１のチップの厚さ、前記第２のチップの厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離のうち少なくとも１つを測定する測定部と、を具備し、前記透過領域は、前記電子装置のうち前記透過領域以外の領域に比べて、厚さ方向に光を透過しやすい領域である電子装置の測定装置である。厚さおよび距離を測定することができる。
（１２）コンピュータに、バンプを用いて第１のチップと第２のチップとをフリップチップボンディングして形成される電子装置のうち透過領域に光を照射する処理と、前記光が前記電子装置で反射されて生じる反射光を用いる分光干渉法により、前記電子装置のうち少なくとも一部の厚さ、および前記第１のチップと前記第２のチップとの間の距離を測定する処理と、を実行させ、前記透過領域は、前記電子装置のうち前記透過領域以外の領域に比べて、厚さ方向に光を透過しやすい領域である電子装置の測定プログラムである。厚さおよび距離を測定することができる。

【0012】

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態に係る電子装置の測定方法、測定装置および測定プログラムの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【0013】

（測定装置）
図１Ａは、実施形態に係る測定装置１００を例示する模式図である。図１Ａに示すように、測定装置１００は、制御部１０、光源２０、ステージ２１、分光器２２、受光部２４、ビームスプリッタ２６、およびカメラ２８を備える。測定装置１００は、Ｚ軸方向における電子装置３０内の少なくとも一部の厚さ、および距離を測定する。Ｚ軸方向は、光の伝搬方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、電子装置３０の辺の延伸方向である。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向は、互いに直交する。

【0014】

ステージ２１の主面は、ＸＹ平面内に位置する。ステージ２１の主面の法線方向は、Ｚ軸方向である。ステージ２１の主面に電子装置３０が配置されている。ステージ２１は、モータなどを備えた可動式のステージである。ステージ２１上の電子装置３０のＸＹ平面内の位置およびＺ軸方向の高さを変えることができる。

【0015】

光源２０は、光を出射する。光源２０から出射される光は、波長の異なる複数の光を含む。波長は、例えば８００ｎｍから１１００ｎｍなど赤外帯域である。光源２０は、例えばスーパールミネッセンスダイオード（ＳＬＤ：Ｓｕｐｅｒｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｉｏｄｅ）光源、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）光源、およびハロゲン光源などである。

【0016】

ビームスプリッタ２６は、ハーフミラーを備え、入射される光の強度の一部を透過させ、別の一部を光が入射される入射方向に対して垂直な方向に反射させる。分光器２２は、例えばプリズムまたは回折格子などを備え、入射される光を波長ごとに分光する。受光部２４は、例えばフォトダイオードなどの受光素子を備え、光を受光することで、光の強度に応じた電気信号を出力する。カメラ２８は、例えば赤外光に感度を有し、例えば電子装置３０のマークなどを撮影する。

【0017】

光源２０とビームスプリッタ２６との間にレンズを配置してもよい。ビームスプリッタ２６と電子装置３０との間にレンズを配置してもよい。ビームスプリッタ２６と分光器２２との間にレンズを配置してもよい。光源２０とビームスプリッタ２６との間、ビームスプリッタ２６と電子装置３０との間、ビームスプリッタ２６と分光器２２との間、それぞれにおいて光ファイバを通じて光を伝搬させてもよい。

【0018】

制御部１０は、例えばコンピュータを備え、光源２０、ステージ２１、受光部２４およびカメラ２８と電気的に接続されている。制御部１０は、位置制御部１２、光制御部１３、および測定部１４として機能する。位置制御部１２は、ステージ２１の電子装置３０の位置を変え、電子装置３０と光学系（光源２０、分光器２２、受光部２４、ビームスプリッタ２６）との位置合わせを行う。光制御部１３は、光源２０のオン・オフの切り替え、および光源２０から出射される光の波長の制御などを行う。測定部１４は、受光部２４が受光する光の波長ごとの強度に応じて、厚さおよび距離の測定を行う。

【0019】

図１Ｂは、制御部１０のハードウェア構成を示すブロック図である。図１Ｂに示すように、制御部１０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ、中央演算処理装置）１０１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１０２、記憶装置１０４、インターフェース１０６を備える。ＣＰＵ１０１、ＲＡＭ１０２、記憶装置１０４およびインターフェース１０６は互いにバスなどで接続されている。ＲＡＭ１０２は、プログラムおよびデータなどを一時的に記憶する揮発性メモリである。記憶装置１０４は、例えばＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリなどのソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ：Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ Ｄｉｓｃ Ｄｒｉｖｅ）などである。記憶装置１０４は、後述の測定プログラムなどを記憶する。

【0020】

ＣＰＵ１０１がＲＡＭ１０２に記憶されるプログラムを実行することにより、制御部１０に図１Ａの位置制御部１２、光制御部１３および測定部１４などが実現される。制御部１０の各部は、回路などのハードウェアでもよい。

【0021】

図１Ａに示す破線は光を表す。光源２０から出射される光は、ビームスプリッタ２６に入射する。光の一部はビームスプリッタ２６において反射され、Ｚ軸方向に伝搬し、電子装置３０に入射する。後述のように、光が電子装置３０内の複数の面で反射されることで、複数の反射光が生じる。電子装置３０において反射された光は、Ｚ軸方向に伝搬し、ビームスプリッタ２６に入射する。反射光の一部は、ビームスプリッタ２６を透過し、分光器２２に入射する。分光器２２に入射した光は、分光器２２において分光された後、受光部２４に入射する。受光部２４は、光の強度を測定する。制御部１０は、強度を取得し、分光干渉法を用いて厚さおよび距離を測定する。

【0022】

（電子装置）
図２Ａは、電子装置３０を例示する平面図である。図２Ｂは、図２Ａの線Ａ－Ａに沿った断面図である。図３は、透過領域付近の拡大図である。図３は、断面図であるが、基板４１、ｎ型半導体層６０および基板５１のハッチングは省略している。

【0023】

図２Ａから図３に示すように、電子装置３０は、センサチップ４０（第１のチップ）とＩＣ（集積回路、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ５０（第２のチップ）とを備える。センサチップ４０は、例えばＦＰＡ（Ｆｏｃａｌ Ｐｌａｎｅ Ａｒｒａｙ）センサなどである。ＩＣチップ５０は、回路基板であり、例えば読み出し回路（ＲＯＩＣ：Ｒｅａｄｏｕｔ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を有する。センサチップ４０は、赤外光を受光することで電気信号を出力する。ＩＣチップ５０は、センサチップ４０から電気信号を受信する。電子装置３０は、赤外光などの光を感知する受光装置である。

【0024】

図２Ａに示すように、ＸＹ平面内におけるセンサチップ４０の形状およびＩＣチップ５０の形状は、四角形である。センサチップ４０のＹ軸方向の長さＹ１は、例えば５．５ｍｍである。Ｘ軸方向の長さＸ１は、例えば１０．０ｍｍである。ＩＣチップ５０のＹ軸方向の長さＹ２は、例えば７．５ｍｍである。Ｘ軸方向の長さＸ２は、例えば１２．０ｍｍである。

【0025】

図２Ｂに示すように、センサチップ４０と、ＩＣチップ５０とは、Ｚ軸方向において対向し、複数のバンプ３４を用いてフリップチップボンディングされる。Ｚ軸方向においてセンサチップ４０とＩＣチップ５０とは離間しており、これらの間にはアンダーフィル３６が充填される。

【0026】

（センサチップ）
センサチップ４０は、基板４１と半導体層４２とを有する。半導体層４２は、基板４１のＩＣチップ５０に対向する面に設けられている。センサチップ４０の表面のうち、ＩＣチップ５０側の面を面４８とする。面４８とは反対側の面を面４７とする。面４７には、光の反射防止膜４３がコーティングされている。反射防止膜４３は例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）または二酸化珪素（ＳｉＯ_２）などの絶縁体で形成されている。

【0027】

図３に示すように、半導体層４２は、ｎ型半導体層６０、受光層６２、ｐ型半導体層６４、およびコンタクト層６６を含む。ｎ型半導体層６０は、基板４１のＩＣチップ５０側の面全体を覆う。面４８はｎ型半導体層６０で形成されている。ｎ型半導体層６０のうち、ＸＹ平面内における外周部には、受光層６２、ｐ型半導体層６４、およびコンタクト層６６が設けられておらず、複数の電極４５、およびマーク４６が設けられている。外周部には透過領域３２も設けられている。透過領域３２については後述する。

【0028】

ｎ型半導体層６０のＩＣチップ５０側の面のうち外周部を除く部分に、受光層６２、半導体層６３、およびｐ型半導体層６４が順に積層される。半導体層６３およびｐ型半導体層６４は、複数のメサ６７を形成する。複数のメサ６７は、ＸＹ平面内にアレイ状に並んでいる。１つのメサ６７が例えば１つの画素に対応する。メサ６７は、ＩＣチップ５０側に突出する。コンタクト層６６は、ｐ型半導体層６４の表面であって、メサ６７のＩＣチップ５０側の先端に設けられる。コンタクト層６６に電極４４が設けられる。複数のメサ６７は、互いに離間している。電極４４および４５は、例えば金（Ａｕ）および白金（Ｐｔ）などの金属で形成される。電極４４は、信号用の電極である。電極４５は、グランド電極である。マーク４６は、金（Ａｕ）などの金属で形成されている。マーク４６は、実装時にアライメントマークとして用いられる。

【0029】

基板４１は、例えばインジウムリン（ＩｎＰ）などで形成された半導体基板である。ｎ型半導体層６０は、例えばｎ型のＩｎＰなどで形成されている。ｐ型半導体層６４は、例えばｐ型のＩｎＰなどで形成されている。受光層６２は、例えばインジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）などで形成されている。半導体層６３は、例えばｎ型のＩｎＰなどで形成されている。コンタクト層６６は、例えばｐ型のＩｎＧａＡｓなどで形成されている。受光層６２は、例えば赤外光を吸収し、特に波長１１００ｎｍから１７００ｎｍの範囲の光に対して高い吸収率を有する。受光層６２は、光を吸収し、電子および正孔を発生させる。基板４１、ｎ型半導体層６０およびｐ型半導体層６４のバンドギャップは、赤外光のエネルギーよりも大きい。基板４１、ｎ型半導体層６０およびｐ型半導体層６４の光の吸収率は、受光層６２に比べて小さい。

【0030】

（ＩＣチップ）
ＩＣチップ５０は、基板５１、電極５２および５３を有する。基板５１は、例えばシリコン（Ｓｉ）で形成されている。基板５１の表面のうち、センサチップ４０側の面を面５６とする。面５６とは反対側の面を面５５とする。複数の電極５２、および複数の電極５３、マーク５４は、基板５１の面５６に設けられている。電極５２および５３は、例えばアルミニウム（Ａｌ）および白金（Ｐｔ）などの金属で形成される。電極５２は、信号用の電極である。電極５３は、グランド電極である。マーク５４は、Ａｕなどの金属で形成されている。マーク５４は、実装時にアライメントマークとして用いられる。基板５１は、例えば面５５、面５６、および基板５１の内部に配線パターンを有してもよい。

【0031】

センサチップ４０の電極４４とＩＣチップ５０の電極５２とは、対向し、バンプ３４により電気的に接続される。センサチップ４０の電極４５とＩＣチップ５０の電極５３とは、対向し、バンプ３４により電気的に接続される。バンプ３４は、例えば半田などの金属で形成されている。

【0032】

センサチップ４０の受光層６２は、例えば赤外光などの光を受光することで、キャリア（電子および正孔）を発生させる。センサチップ４０が生成する電気信号（電流）は、電極４５および４４、ならびにバンプ３４を通じて、ＩＣチップ５０に入力される。ＩＣチップ５０は、電気信号を読み出し、例えば画像情報などを生成する。

【0033】

（製造方法）
電子装置３０の製造方法について説明する。電子回路および配線パターンが形成されたシリコンウェハ（基板５１）に、真空蒸着法などで電極５２および５３、ならびにマーク５４を設ける。シリコンウェハに研磨およびダイシングなどを行うことで、ＩＣチップ５０を形成する。

【0034】

ＩｎＰのウェハ（基板４１）の表面に、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などで、半導体層４２をエピタキシャル成長する。例えばドライエッチングなどによりメサ６７を形成する。真空蒸着などにより電極４４および４５、ならびにマーク４６を設ける。化学気相成長法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより、ウェハの裏面に反射防止膜４３を堆積する。ウェハにダイシングなどを行うことでセンサチップ４０を形成する。

【0035】

電極４４、４５、５２および５３それぞれに半田を配置する。マーク４６とマーク５４とを対向させることで、センサチップ４０とＩＣチップ５０とを位置合わせする。電極４４と電極５２とは対向し、電極４５と電極５３とは対向する。リフロー処理を行い、センサチップ４０とＩＣチップ５０とをフリップチップボンディングする。溶融した半田が互いに接続し、バンプ３４を形成する。フリップチップボンディングの後、センサチップ４０とＩＣチップ５０との間に、例えばエポキシなどの樹脂を充填し、アンダーフィル３６を形成する。

【0036】

図１Ａに示した測定装置１００は、完成後の電子装置３０における厚さおよび距離の測定を行う。具体的には、図３に示す、Ｚ軸方向におけるセンサチップ４０の面４７と面４８との間の厚さＴ１、ＩＣチップ５０の面５５と面５６との間の厚さＴ２、センサチップ４０とＩＣチップ５０との間の距離（ギャップ）ｇを測定する。測定装置１００は、電子装置３０の３つの透過領域３２に光を照射する。３つの透過領域３２をそれぞれ透過領域３２ａ、３２ｂおよび３２ｃとする。

【0037】

図２Ａに示すように、３つの透過領域３２ａ、３２ｂおよび３２ｃは、電子装置３０のうちバンプ３４が設けられる部分よりも外側に位置する。ＸＹ平面内におけるセンサチップ４０の４つの頂点のうち１つの近傍に透過領域３２ａが位置し、もう１つの頂点の近傍に透過領域３２ｂが位置し、さらに１つの頂点の近傍に透過領域３２ｃが位置する。透過領域３２ａと透過領域３２ｂとは、Ｘ軸方向に並ぶ。透過領域３２ａと透過領域３２ｃとは、Ｙ軸方向に並ぶ。透過領域３２ａ、３２ｂおよび３２ｃは、それぞれ円形である。１つの透過領域３２の直径Ｄ１は、例えば８０μｍなどである。

【0038】

図２Ｂおよび図３に示すように、１つの透過領域３２は、透過領域３７および３８を含む。透過領域３７（第１透過領域）は、センサチップ４０の透過領域である。透過領域３８（第２透過領域）は、ＩＣチップ５０の透過領域である。透過領域３７と透過領域３８とはＺ軸方向において対向し、透過領域３２を形成する。透過領域３２は、Ｚ軸方向において電子装置３０の面４７から面５５までを含む。

【0039】

透過領域３７は、センサチップ４０のうち透過領域３７以外の領域に比べ、光を透過させやすい。透過領域３７は、基板４１およびｎ型半導体層６０を有する。透過領域３７に、反射防止膜４３は設けられておらず、面４７が露出する。反射防止膜４３は、例えばエッチングなどで除去することができる。図３に示すように、透過領域３７に受光層６２、ｐ型半導体層６４、コンタクト層６６、電極４４および４５、マーク４６は設けられていない。Ｘ軸方向においてマーク４６と透過領域３７とは、離間している。図３に示すマーク４６と透過領域３７との間の距離Ｄ２は、例えば数μｍから数十μｍである。

【0040】

センサチップ４０のうち透過領域３７以外の部分には受光層６２が設けられている。赤外光の例えば９０％以上は、受光層６２に吸収されてしまい、受光層６２より下側にはほとんど透過しない。透過領域３７には受光層６２が設けられていないため、赤外光は吸収されにくく、透過しやすい。センサチップ４０のうち透過領域３７以外の部分には、金属（電極４４および４５、バンプ３４）が設けられている。金属の光に対する反射率は、基板４１よりも高く、例えば赤外光に対して９０％以上である。透過領域３７には電極４４および４５、マーク４６ならびにバンプ３４が設けられていない。このため透過領域３７は、センサチップ４０のうち透過領域３７以外の領域に比べて光を透過しやすい。透過領域３７は、９６０ｎｍ以上の波長を有する光に対して、特に高い透過率を有する。例えばＺ軸方向から照射される、波長が９６０ｎｍ以上の光の５０％以上は、透過領域３７を透過する。

【0041】

ＩＣチップ５０のうち透過領域３８以外の領域には、電極５２および５３、バンプ３４、マーク５４、不図示の配線パターンなどの金属層（第２金属層）が設けられている。一方、透過領域３８には金属層が設けられていない。透過領域３８とマーク５４との間は、図３の距離Ｄ２と同程度離れている。透過領域３８は、ＩＣチップ５０のうち透過領域３７以外の領域に比べて光の透過率が高い。透過領域３８は、９６０ｎｍ以上の波長を有する光に対して、特に高い透過率を有する。例えばＺ軸方向から照射される、波長が９６０ｎｍ以上の光の５０％以上は、透過領域３８を透過する。

【0042】

（測定方法）
図４は、測定方法を例示するフローチャートである。図４に示すように、電子装置３０の透過領域３２と、測定装置１００の光学系との位置合わせを行う（ステップＳ１０）。図１Ａに示すカメラ２８は、電子装置３０のうちマーク４６および５４を撮影する。制御部１０は、カメラ２８から画像を取得し、マーク４６および５４の位置を認識する。マーク４６および５４の位置から例えばＸ軸方向に数μｍシフトした位置が透過領域３２である。制御部１０は、マーク４６および５４の位置から透過領域３２を認識する。位置制御部１２は、ステージ２１を用いて電子装置３０を移動させ、透過領域３２と光学系との位置合わせを行う。３つの透過領域３２ａ、３２ｂおよび３２ｃのうち１つと、ビームスプリッタ２６から入射される光の光軸とが、Ｚ軸方向に並ぶ。

【0043】

光制御部１３は、光源２０に光を出射させる。光は、複数の波長を含む広帯域の赤外光である。含まれる波長の範囲は、例えば８００ｎｍから１１００ｎｍである。光は、ビームスプリッタ２６で反射され、電子装置３０に入射する（ステップＳ１２）。光が電子装置３０で反射されることで、反射光が発生する。反射光は、ビームスプリッタ２６を透過し、分光器２２に入射する。測定部１４は、反射光を利用した分光干渉法を行い、厚さおよびギャップを測定する（ステップＳ１４）。測定装置１００は、３つの透過領域３２の全てにおいて上記の測定を行う。

【0044】

図３を参照して、反射光について詳細に説明する。図３に示すように、光Ｌ０は、Ｚ軸方向に伝搬し、センサチップ４０の面４７側から電子装置３０の透過領域３２に入射する。

【0045】

電子装置３０は、ステージ２１上において例えば空気に露出している。図３に示すように、透過領域３２では、Ｚ軸方向に、センサチップ４０の基板４１、ｎ型半導体層６０、アンダーフィル３６、ＩＣチップ５０の基板５１が並ぶ。透過領域３２は、空気と基板４１との界面、ｎ型半導体層６０とアンダーフィル３６との界面、アンダーフィル３６と基板５１との界面、および基板５１と空気との界面を含む。

【0046】

空気の屈折率は、１．０である。基板４１およびｎ型半導体層６０の屈折率は、約３．２である。アンダーフィル３６は例えば樹脂で形成されており、屈折率は約１．５である。基板５１の屈折率は、３．２から３．４程度である。上記の４つの界面において、屈折率が変化する。界面の両側の層の屈折率は、互いに異なる。光Ｌ０が界面に入射すると、一部が光Ｌ０とは反対方向に反射される。

【0047】

面４７に入射する光Ｌ０の一部は、空気と基板４１との界面（面４７）で反射される。センサチップ４０を透過する光の一部は、ｎ型半導体層６０とアンダーフィル３６との界面（面４８）で反射される。アンダーフィル３６を透過した光の一部は、アンダーフィル３６と基板５１との界面（面５６）で反射される。ＩＣチップ５０を透過する光の一部は、基板５１と空気との界面（面５５）で反射される。面４７で生じる反射光を反射光Ｌ１とする。面４８で生じる反射光を反射光Ｌ２とする。面５６で生じる反射光を反射光Ｌ３とする。面５５で生じる反射光を反射光Ｌ４とする。

【0048】

光Ｌ０は、面４７に対して垂直であり、図３中のＺ軸上方向から下方向に伝搬し、面４７から電子装置３０に入射する。反射光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は、Ｚ軸下方向から上方向に伝搬し、図１Ａのビームスプリッタ２６を透過し、分光器２２に入射する。

【0049】

反射光Ｌ１と反射光Ｌ２とが干渉し、干渉光が発生する。分光器２２は干渉光を分光し、受光部２４は干渉光の波長ごとの強度を検出する。測定部１４は、波長および強度に基づき、センサチップ４０の面４７と面４８との間の厚さＴ１を測定する。反射光Ｌ２と反射光Ｌ３とが干渉し、干渉光が発生する。分光器２２および受光部２４により、波長ごとの強度を検出する。測定部１４は、ギャップｇを測定する。反射光Ｌ３と反射光Ｌ４とが干渉し、干渉光が発生する。分光器２２および受光部２４により、波長ごとの強度を検出する。測定部１４は、ＩＣチップ５０の面５６と面５５との間の厚さＴ２を測定する。

【0050】

実施形態によれば、光Ｌ０を電子装置３０の透過領域３７に照射する。透過領域３７は、電子装置３０の透過領域３７以外の部分に比べて光を透過しやすい。光Ｌ０は、例えば電子装置３０の面４７から入射し、反対側の面５５まで達する。光Ｌ０の一部が電子装置３０の複数の面（面４７、４８、５５および５６）で反射されることで、反射光が生じる。反射光を用いる分光干渉法により、センサチップ４０の厚さＴ１、ＩＣチップ５０の厚さＴ２、およびセンサチップ４０とＩＣチップ５０との距離（ギャップｇ）を、一回の工程で測定することができる。

【0051】

光の散乱および球面収差などで、マーク４６および５４の画像がぼやけるため、画像を用いると精度の高い測定は困難である。また、画像では厚さの測定も難しい。

【0052】

実施形態によれば、透過領域３２に光Ｌ０を照射し、戻ってくる反射光を用いた分光干渉法を行う。制御部１０は、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２とを用いる分光干渉法により、センサチップ４０の厚さＴ１を測定する。制御部１０は、反射光Ｌ２と反射光Ｌ３とを用いる分光干渉法により、ギャップｇを測定する。制御部１０は、反射光Ｌ３と反射光Ｌ４とを用いる分光干渉法により、ＩＣチップ５０の厚さＴ２を測定する。厚さＴ１およびＴ２、ならびにギャップｇを一度の工程で測定することができる。簡潔かつ精度が高い測定が可能である。制御部１０は、厚さＴ１およびＴ２のうち一方と、ギャップｇとを測定してもよい。制御部１０は、反射光Ｌ１と反射光Ｌ４とを用いる分光干渉法により、電子装置３０の厚さを測定することもできる。制御部１０は、電子装置３０のうち少なくとも一部の厚さを測定する。

【0053】

図３に示すようにセンサチップ４０の面４７から光Ｌ０を入射してもよいし、ＩＣチップ５０の面５５から光Ｌ０を入射してもよい。電子装置３０の最も外側の面から光Ｌ０を入射することで、電子装置３０内の複数の面（面４７、４８、５５および５６）で反射光Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４が発生する。分光干渉法により、厚さＴ１およびＴ２とギャップｇとを一挙に測定することができる。

【0054】

光Ｌ０がＺ軸方向から傾斜していると、傾斜した方向における厚さおよびギャップを測定することになり、精度が悪化する。そこで図３に示すように、光Ｌ０は、Ｚ軸方向に沿って伝搬し、面４７および面５５に対して垂直に入射することが好ましい。Ｚ軸方向における厚さＴ１およびＴ２、ギャップｇを正確に測定することができる。

【0055】

図２Ｂに示すように、透過領域３２は、センサチップ４０の透過領域３７と、ＩＣチップ５０の透過領域３８とを含む。透過領域３７と透過領域３８とは、Ｚ軸方向において対向する。光Ｌ０は、Ｚ軸方向に伝搬し、透過領域３７と透過領域３８とに入射する。透過領域３７は、面４７および４８を含む。透過領域３８は、面５５および５６を含む。これらの面で反射光が発生する。分光干渉法により、厚さＴ１およびＴ２とギャップｇとを測定することができる。

【0056】

例えば厚さＴ１およびギャップｇを測定し、厚さＴ２を測定しない場合、ＩＣチップ５０は透過領域３８を有さなくてもよい。光Ｌ０は、面４７から入射し、透過領域３７を通り、面５６に達する。面４７、面４８および面５６のそれぞれで反射光が発生する。分光干渉法により、厚さＴ１およびギャップｇを測定することができる。例えば厚さＴ２およびギャップｇを測定し、厚さＴ１を測定しない場合、センサチップ４０は、透過領域３７を有さなくてもよい。光Ｌ０は、面５５から入射し、面４８に達する。分光干渉法により、厚さＴ２およびギャップｇを測定する。

【0057】

センサチップ４０は、例えば赤外光を検知するセンサであり、受光層６２、および金属層（電極４４および４５、マーク４６、第１金属層）を有する。受光層６２は、例えばＩｎＧａＡｓ層であり、赤外光に対して感受性を有する。光Ｌ０が受光層６２に照射されると、吸収されるため、反射光Ｌ２、Ｌ３およびＬ４が生じにくい。金属は、例えば９０％以上など高い反射率を示す。光Ｌ０がマーク４６などの金属で反射されると、ＩＣチップ５０で生じる反射光Ｌ３およびＬ４の強度が低下してしまう。このため分光干渉法による測定が困難となる。

【0058】

センサチップ４０の透過領域３７は、受光層６２を有さない。透過領域３７は、ＩｎＰの基板４１およびｎ型半導体層６０で形成されている。ＩｎＰのバンドギャップは、赤外光のエネルギーよりも大きい。基板４１およびｎ型半導体層６０の吸収率は、受光層６２よりも低い。つまり、透過領域３７の光の吸収率は、センサチップ４０のうち透過領域３７以外の部分よりも低い。また、透過領域３７には、金属層（電極４４および４５、マーク４６など）が設けられていない。透過領域３７の反射率は、透過領域３７以外の部分よりも低い。反射防止膜４３も設けられていない。すなわち、透過領域３７は、透過領域３７以外の部分に比べて高い透過率を有する。

【0059】

ＩＣチップ５０は、金属層（電極５２および５３、マーク５４など）を有する。透過領域３８は、Ｓｉで形成され、金属層を有さない。透過領域３８の反射率は、透過領域３８以外の部分よりも低い。すなわち、透過領域３８は、透過領域３８以外の部分に比べて高い透過率を有する。

【0060】

光Ｌ０が、センサチップ４０の透過領域３７を透過し、ＩＣチップ５０まで伝搬し、ＩＣチップ５０の透過領域３８を透過する。光Ｌ０が、面４７、４８、５６および５５で反射される。反射光を用いた分光干渉法により、厚さＴ１およびＴ２、ギャップｇの測定が可能である。

【0061】

透過領域３７の光の透過率は、例えば５０％以上である。面４７から入射する光Ｌ０が、十分な強度を維持したままＩＣチップ５０まで到達する。ＩＣチップ５０で生じる反射光Ｌ３およびＬ４の強度は、分光干渉法に適した大きさになる。透過率が高すぎると、反射光Ｌ１の強度が低くなる。透過領域３７の透過率は、例えば９０％以下が好ましい。アンダーフィル３６の透過率は、例えば５０％以上である。透過領域３８の透過率は、例えば５０％以上である。面５６から入射する光Ｌ０が、十分な強度を維持したまま面５５まで到達する。反射光Ｌ４の強度は、分光干渉法に適した大きさになる。透過率が高すぎると、反射光Ｌ３の強度が低くなる。透過領域３８の透過率は、例えば９０％以下が好ましい。面を挟む両側の材料の屈折率差が小さすぎると、当該の面における透過率が高くなり、反射光の強度が低くなる。屈折率差は、例えば１以上が好ましい。面４７を挟む空気と基板４１との屈折率差は約２．２である。面５６を挟むアンダーフィル３６（屈折率が約１．５）と透過領域３８（基板５１）との屈折率差は、１．７以上１．８以下である。

【0062】

実施形態において、センサチップ４０は、複数のメサ６７を含み、赤外光を検知するアレイチップである。ＩＣチップ５０は、読み取り回路（ＲＯＩＣ）を含む回路基板である。電子装置３０は、センサチップ４０以外のチップを有してもよいし、ＩＣチップ５０以外のチップを有してもよい。

【0063】

電子装置３０は、３つの透過領域３２ａ、３２ｂおよび３２ｃを有する。３つの透過領域３２ａ、３２ｂおよび３２ｃは、互いに離間する。３つの透過領域３２ａ、３２ｂおよび３２ｃそれぞれにおいて、図４の測定を行うことで、３つの透過領域３２ａ、３２ｂおよび３２ｃそれぞれにおける厚さＴ１およびＴ２、ならびにギャップｇを取得する。厚さＴ１のばらつき、厚さＴ２のばらつき、およびギャップｇのばらつきを検出することができる。

【0064】

図２Ａに示すように、３つの透過領域３２ａ、３２ｂおよび３２ｃは、電子装置３０のうちバンプ３４が設けられる部分よりも外側に位置することが好ましく、特に電子装置３０の頂点の近傍に位置することが好ましい。厚さＴ１のばらつき、厚さＴ２のばらつき、およびギャップｇのばらつきを精度よく検出することができる。

【0065】

センサチップ４０とＩＣチップ５０とは、ＸＹ平面内で平行であることが好ましい。しかしフリップチップボンディングの際に、センサチップ４０がＩＣチップ５０に対して傾斜して実装される恐れがある。ギャップｇのばらつきを測定することが重要である。透過領域３２ａにおけるギャップｇと、透過領域３２ｂにおけるギャップｇとを比較することで、Ｘ軸方向における傾斜を検知することができる。透過領域３２ａにおけるギャップｇと、透過領域３２ｃにおけるギャップｇとを比較することで、Ｙ軸方向における傾斜を検出することができる。ギャップｇは例えば０．０３ｍｍ±０．０２ｍｍである。透過領域３２の数は３つ以上でもよく、例えば４つの透過領域３２が電子装置３０の４つの頂点の近傍に設けられてもよい。

【0066】

ＩＣチップ５０の製造工程では、シリコンウェハを研磨し、研磨後のウェハを切断する。研磨においてウェハの厚さにばらつきが生じることで、厚さＴ２にもばらつきが発生することがある。実施形態によれば、厚さＴ２のばらつきを検出することができる。例えば厚さＴ２は、０．５８ｍｍ±０．０２ｍｍであることが好ましい。センサチップ４０の製造工程でも厚さＴ１にばらつきが発生する恐れがある。実施形態によれば、厚さＴ１のばらつきを検出することができる。センサチップ４０の厚さＴ１は、例えば０．５８ｍｍ±０．０２ｍｍであることが好ましい。

【0067】

以上、本開示の実施形態について詳述したが、本開示は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0068】

１０ 制御部
１２ 位置制御部
１３ 光制御部
１４ 測定部
２０ 光源
２１ ステージ
２２ 分光器
２４ 受光部
２６ ビームスプリッタ
２８ カメラ
３０ 電子装置
３２、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３７、３８ 透過領域
３４ バンプ
３６ アンダーフィル
４０ センサチップ
４１、５１ 基板
４２、６３ 半導体層
４３ 反射防止膜
４４、４５、５２、５３ 電極
４６、５４ マーク
４７、４８、５５、５６ 面
５０ ＩＣチップ
６０ ｎ型半導体層
６２ 受光層
６４ ｐ型半導体層
６６ コンタクト層
６７ メサ
１００ 測定装置
１０１ ＣＰＵ
１０２ ＲＡＭ
１０４ 記憶装置
１０６ インターフェース

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】