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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-05-27
(45)【発行日】2024-06-04
(54)【発明の名称】積層セラミックコンデンサ
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240528BHJP
H01F 27/29 20060101ALI20240528BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201F
H01G4/30 513
H01G4/30 516
H01G4/30 201G
H01F27/29 123
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021166942
(22)【出願日】2021-10-11
(65)【公開番号】P2023057418
(43)【公開日】2023-04-21
【審査請求日】2023-05-18
(73)【特許権者】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100079577
【弁理士】
【氏名又は名称】岡田 全啓
(74)【代理人】
【識別番号】100167966
【弁理士】
【氏名又は名称】扇谷 一
(72)【発明者】
【氏名】板持 健
(72)【発明者】
【氏名】野村 善行
【審査官】清水 稔
(56)【参考文献】
【文献】特開２００５－１６７０１０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１０－１７２８０９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－２２３３５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２１－０２８９６７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－１６２７７１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０８－２０３７７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０２１／００７４４８１（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｇ ４／３０
Ｈ０１Ｆ ２７／２９
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
積層された複数のセラミック層を含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記高さ方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を有する積層体と、前記複数のセラミック層上に配置され、前記第１の端面に露出する第１の内部電極層と、
前記複数のセラミック層上に配置され、前記第２の端面に露出する第２の内部電極層と、
前記第１の内部電極層と電気的に接続され、前記第１の端面上、前記第１の主面の一部、前記第２の主面の一部、前記第１の側面の一部および前記第２の側面の一部に配置される第１の外部電極と、
前記第２の内部電極層と電気的に接続され、前記第２の端面上、前記第１の主面の一部、前記第２の主面の一部、前記第１の側面の一部および前記第２の側面の一部に配置される第２の外部電極と、
を有する積層セラミックコンデンサにおいて、
前記第１の外部電極および前記第２の外部電極は、金属成分を含む下地電極層と、前記下地電極層上に配置されるめっき層とを有し、
少なくとも前記下地電極層の表面上に脂肪酸が存在している、積層セラミックコンデンサ。
【請求項2】
前記第１の外部電極と前記第２の外部電極との間の前記積層体の表面において脂肪酸が存在している、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項3】
前記脂肪酸は、少なくともパルミチン酸、オレイン酸、ステアリン酸、ミリスチン酸のいずれかを１つを含む、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項4】
前記下地電極層上に存在する脂肪酸由来、または前記第１の外部電極および前記第２の外部電極と前記積層体との間であって、前記積層体の表面に存在する脂肪酸由来の二次イオン相対強度は、８．０７×１０-5以上１．２７×１０-3以下である、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項5】
前記下地電極層上に存在する脂肪酸由来、または前記第１の外部電極および前記第２の外部電極と前記積層体との間であって、前記積層体の表面に存在する脂肪酸由来の炭素成分量は、７４ａｔｏｍ％以上８２ａｔｏｍ％以下である、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項6】
前記下地電極層と前記めっき層との間には、金属成分と熱硬化性樹脂成分を有する導電性樹脂層が配置される、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、積層セラミックコンデンサに代表されるセラミック電子部品は、従来に比べてより過酷な環境下で使用されるようになってきている。例えば、携帯電話機、携帯音楽プレーヤーなどのモバイル機器に用いられる電子部品については、落下時の衝撃に耐えることが求められている。具体的には、落下衝撃を受けても、実装基板から電子部品が脱落しない、または電子部品にクラックが生じないようにする必要がある。
【0003】
また、ＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）などの車載機器に用いられる電子部品については、熱サイクルの衝撃に耐えることが求められている。具体的には、熱サイクルを受けて実装基板が熱膨張収縮することにより発生するたわみ応力を受けても、電子部品にクラックが生じないようにする必要がある。
【0004】
これを受けて、セラミック電子部品の外部電極に熱硬化性樹脂ペーストを用いることが提案されている。たとえば、特許文献１では、従来の電極層とＮｉめっき層との間に、エポキシ系熱硬化性樹脂層を形成し、厳しい環境下でもコンデンサ本体にクラックが入らないような対策を行っている（たわみ耐性の向上）。
【0005】
このような構成においては、落下時の衝撃による応力や、熱サイクルを受けて実装基板が熱膨張することにより発生するたわみ応力が発生した際、実装基板に伝わる応力（実装基板のゆがみ）を、エポキシ系熱硬化性樹脂の先端を起点として電極層とエポキシ系熱硬化性樹脂層との間で剥離させることで応力を逃がし、セラミック電子部品本体（積層体）にクラックが入ることを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開平１１－１６２７７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、特許文献１のような構造においても、積層セラミックコンデンサの設計によっては、熱硬化性樹脂による応力の吸収もしくは剥離機能による応力緩和が不十分であり、セラミック電子部品本体にクラックが発生することが考えられる。
【0008】
それゆえに、この発明の主たる目的は、積層セラミックコンデンサへのクラックを効果的に抑制しうる積層セラミックコンデンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
この発明に係る積層セラミックコンデンサは、積層された複数のセラミック層を含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を有する積層体と、複数のセラミック層上に配置され、積層体の内部に位置する第１の内部電極層と、複数のセラミック層上に配置され、積層体の内部に位置する第２の内部電極層と、第１の端面上、第１の主面の一部、第２の主面の一部、第１の側面の一部および第２の側面の一部に配置された第１の外部電極と、第２の端面上、第１の主面の一部、第２の主面の一部、第１の側面の一部および第２の側面の一部に配置された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、第１の外部電極および第２の外部電極は、金属成分を含む下地電極層と、下地電極層上に配置されるめっき層とを有し、少なくとも下地電極層の表面上に脂肪酸が存在している、積層セラミックコンデンサである。
【0010】
この発明にかかる積層セラミックコンデンサでは、少なくとも下地電極層の表面上に脂肪酸が存在するので、脂肪酸のもつカルボキシ基がイオン化することで、イオン結合力により下地電極層に吸着し、吸着部において、下地電極層上に設けられるめっき層のめっきの析出が阻害され、下地電極層とめっき層との間の接合面積を減少させることができる。そのため、下地電極層とめっき層との密着力が低下するため、下地電極層とその上に形成されるめっき層との剥離を促進する効果を発揮する。
したがって、本発明にかかる積層セラミックコンデンサに落下時の衝撃や熱サイクルの衝撃が加わった際に、下地電極層とめっき層との間で安定して剥離させることが可能となり、応力を逃すことが可能となる。その結果、積層セラミックコンデンサにクラックが入ることを抑制することができる。
また、積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極に導電性樹脂層が設けられていない場合、コストの削減につながるだけでなく、導電性樹脂層の厚み分の積層体の設計の自由度が増すため、高容量化を実現することが可能となる。
したがって、本発明にかかる積層セラミックコンデンサに落下時の衝撃や熱サイクルの衝撃が加わった際に、下地電極層とめっき層との間で安定して剥離させることが可能となり、応力を逃すことが可能となる。その結果、積層セラミックコンデンサにクラックが入ることを抑制することができる。
また、積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極に導電性樹脂層が設けられていない場合、コストの削減につながるだけでなく、導電性樹脂層の厚み分の積層体の設計の自由度が増すため、高容量化を実現することが可能となる。
【発明の効果】
【0011】
この発明によれば、積層セラミックコンデンサへのクラックを効果的に抑制しうる積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【0012】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】この発明の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。
【図6】（ａ）この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が２つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ－ＩＩにおける断面図であり、（ｂ）この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が３つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ－ＩＩにおける断面図であり、（ｃ）この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が４つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ－ＩＩにおける断面図である。
【図7】この発明の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサに含まれる脂肪酸を検出するための方法を示す要部斜視図である。
【図10】（Ａ）は下地電極層上に位置する脂肪酸の厚みの測定方法を示した断面模式図であり、（Ｂ）は積層体の表面上の脂肪酸の厚みの測定方法を示した断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
１．積層セラミックコンデンサ
この発明の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の例として、積層セラミックコンデンサについて説明する。
この発明の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の例として、積層セラミックコンデンサについて説明する。
【0015】
図１は、この発明の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２は、図１の線ＩＩ－ＩＩにおける断面図である。図３は、図１の線ＩＩＩ－ＩＩＩにおける断面図である。図４は、図２の線ＩＶ－ＩＶにおける断面図である。図５は、図２の線Ｖ－Ｖにおける断面図である。
【0016】
【0017】
積層体１２は、積層された複数のセラミック層１４と、セラミック層１４上に積層された複数の内部電極層１６とを有する。さらに、積層体１２は、高さ方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、高さ方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、高さ方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられている。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。セラミック層１４と内部電極層１６は、高さ方向ｘに積層される。
【0018】
積層体１２は、単数もしくは複数枚のセラミック層１４とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層１６から構成される内層部１８を有する。内部電極層１６は、第１の端面１２ｅに引き出される第１の内部電極層１６ａと第２の端面１２ｆに引き出される第２の内部電極層１６ｂを有し、内層部１８では、複数枚の第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極１６ｂがセラミック層１４を介して対向している。
【0019】
積層体１２は、第１の主面１２ａ側に位置し、第１の主面１２ａと第１の主面１２ａ側の内層部１８の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第１の主面側外層部２０ａを有する。
同様に、積層体１２は、第２の主面１２ｂ側に位置し、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂ側の内層部１８の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第２の主面側外層部２０ｂを有する。
同様に、積層体１２は、第２の主面１２ｂ側に位置し、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂ側の内層部１８の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第２の主面側外層部２０ｂを有する。
【0020】
積層体１２は、第１の側面１２ｃ側に位置し、第１の側面１２ｃと第１の側面１２ｃ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第１の側面側外層部２２ａを有する。
同様に、積層体１２は、第２の側面１２ｄ側に位置し、第２の側面１２ｄと第２の側面１２ｄ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第２の側面側外層部２２ｂを有する。
同様に、積層体１２は、第２の側面１２ｄ側に位置し、第２の側面１２ｄと第２の側面１２ｄ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第２の側面側外層部２２ｂを有する。
【0021】
積層体１２は、第１の端面１２ｅ側に位置し、第１の端面１２ｅと第１の端面１２ｅ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第１の端面側外層部２４ａを有する。
同様に、積層体１２は、第２の端面１２ｆ側に位置し、第２の端面１２ｆと第２の端面１２ｆ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第２の端面側外層部２４ｂを有する。
同様に、積層体１２は、第２の端面１２ｆ側に位置し、第２の端面１２ｆと第２の端面１２ｆ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第２の端面側外層部２４ｂを有する。
【0022】
第１の主面側外層部２０ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側に位置し、第１の主面１２ａと第１の主面１２ａに最も近い内部電極層１６との間に位置する複数枚のセラミック層１４の集合体である。
第２の主面側外層部２０ｂは、積層体１２の第２の主面１２ｂ側に位置し、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂに最も近い内部電極層１６との間に位置する複数枚のセラミック層１４の集合体である。
第２の主面側外層部２０ｂは、積層体１２の第２の主面１２ｂ側に位置し、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂに最も近い内部電極層１６との間に位置する複数枚のセラミック層１４の集合体である。
【0023】
積層体１２の寸法は、特に限定されないが、長さ方向ｚの寸法が０．１８６ｍｍ以上９．５９ｍｍ以下、幅方向ｙの寸法が０．０８６ｍｍ以上９．５９ｍｍ以下、高さ方向ｘの寸法が０．０８６ｍｍ以上９．５９ｍｍ以下であることが好ましい。
【0024】
セラミック層１４は、たとえば、セラミック材料として、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。
【0025】
なお、セラミック層１４に、圧電体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は圧電部品として機能する。圧電体セラミック材料の具体例としては、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
また、セラミック層１４に、半導体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は、サーミスタとして機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、セラミック層１４に、磁性体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は、インダクタとして機能する。また、インダクタとして機能する場合は、内部電極層１６は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。
また、セラミック層１４に、半導体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は、サーミスタとして機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、セラミック層１４に、磁性体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は、インダクタとして機能する。また、インダクタとして機能する場合は、内部電極層１６は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。
【0026】
焼成後のセラミック層１４の厚みは、０．５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。積層されるセラミック層１４の枚数は、１０枚以上７００枚以下であることが好ましい。なお、このセラミック層１４の枚数は、内層部１８のセラミック層１４の枚数と、第１の主面側外層部２０ａおよび第２の主面側外層部２０ｂのセラミック層１４の枚数との総数である。
【0027】
積層体１２は、複数の内部電極層１６として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂを有する。複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の高さ方向ｘに沿ってセラミック層１４を挟んで等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
【0028】
図４に示すように、第１の内部電極層１６ａは、複数のセラミック層１４上に配置され、積層体１２の内部に位置している。第１の内部電極層１６ａは、第２の内部電極層１６ｂと対向する第１の対向電極部２６ａと、第１の内部電極層１６ａの一端側に位置し、第１の対向電極部２６ａから積層体１２の第１の端面１２ｅまでの第１の引出電極部２８ａとを有する。第１の引出電極部２８ａは、その端部が第１の端面１２ｅの表面に引き出され、積層体１２から露出している。
【0029】
第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部２６ａの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい（テーパー状）。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。
【0030】
第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２８ａの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい（テーパー状）。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。
【0031】
第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部２６ａの幅と、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２８ａの幅は、同じ幅で形成されていてもよく、どちらか一方の幅が狭く形成されていてもよい。
【0032】
図５に示すように、第２の内部電極層１６ｂは、複数のセラミック層１４上に配置され、積層体１２の内部に位置している。第２の内部電極層１６ｂは、第１の内部電極層１６ａと対向する第２の対向電極部２６ｂと、第２の内部電極層１６ｂの一端側に位置し、第２の対向電極部２６ｂから積層体１２の第２の端面１２ｆまでの第２の引出電極部２８ｂを有する。第２の引出電極部２８ｂは、その端部が第２の端面１２ｆの表面に引き出され、積層体１２から露出している。
【0033】
第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部２６ｂの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい（テーパー状）。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。
【0034】
第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２８ｂの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい（テーパー状）。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。
【0035】
第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極層２６ｂの幅と、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２８ｂの幅は、同じ幅で形成されていてもよく、どちらか一方の幅が狭く形成されていてもよい。
【0036】
第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂは、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、Ａｇ－Ｐｄ合金等の、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成することができる。
【0037】
内部電極層１６、すなわち第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂのそれぞれの厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。
また、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂの枚数は、合わせて１０枚以上７００枚以下であることが好ましい。
また、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂの枚数は、合わせて１０枚以上７００枚以下であることが好ましい。
【0038】
【0039】
外部電極３０は、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを有する。
【0040】
第１の外部電極３０ａは、第１の内部電極層１６ａに接続され、少なくとも第１の端面１２ｅの表面に配置されている。また、第１の外部電極３０ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置される。この場合、第１の外部電極３０ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２８ａと電気的に接続される。
【0041】
第２の外部電極３０ｂは、第２の内部電極層１６ｂに接続され、少なくとも第２の端面１２ｆの表面に配置されている。また、第２の外部電極３０ｂは、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置される。この場合、第２の外部電極３０ｂは、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２８ｂと電気的に接続される。
【0042】
外部電極３０は、金属成分を含む下地電極層３２と、下地電極層３２上に配置されるめっき層３４とを含む。
第１の外部電極３０ａは、金属成分を含む第１の下地電極層３２ａと、第１の下地電極層３２ａ上に配置される第１のめっき層３４ａとを有する。
第２の外部電極３０ｂは、金属成分を含む第２の下地電極層３２ｂと、第２の下地電極層３２ｂ上に配置される第２のめっき層３４ｂとを含む。
第１の外部電極３０ａは、金属成分を含む第１の下地電極層３２ａと、第１の下地電極層３２ａ上に配置される第１のめっき層３４ａとを有する。
第２の外部電極３０ｂは、金属成分を含む第２の下地電極層３２ｂと、第２の下地電極層３２ｂ上に配置される第２のめっき層３４ｂとを含む。
【0043】
下地電極層３２とめっき層３４との間には、金属成分と熱硬化性樹脂成分とを有する導電性樹脂層３６が配置されてもよい。これにより、積層セラミックコンデンサ１０に対して落下時の極端に大きな衝撃や熱サイクルの衝撃が加わった場合であっても、後述する脂肪酸による電極の剥離だけでなく、導電性樹脂層３６に含まれる樹脂成分による応力吸収機能および導電性樹脂層に含まれる樹脂成分における犠牲破壊の効果を得ることができ、より一層、本発明の効果を顕著なものにすることができる。
【0044】
積層体１２内においては、第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部２６ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部２６ｂとがセラミック層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１６ａが接続された第１の外部電極３０ａと第２の内部電極層１６ｂが接続された第２の外部電極３０ｂとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。
【0045】
なお、図１に示す積層体１２は、図６に示されるように、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂに加えて、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆのどちらにも引き出されない浮き内部電極層１６ｃが設けられており、浮き内部電極層１６ｃによって、対向電極部２６ｃが複数に分割された構造としてもよい。たとえば、図６（ａ）に示される２連、図６（ｂ）に示される３連、図６（ｃ）に示されるような４連構造であり、４連以上の構造でもよいことは言うまでもない。このように、対向電極部２６ｃを複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極層１６ａ、１６ｂ、１６ｃ間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサ１０の高耐圧化を図ることができる。
【0046】
下地電極層３２は、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂを有する。
【0047】
第１の下地電極層３２ａは、第１の内部電極層１６ａに接続され、第１の端面１２ｅの表面に配置されている。また、第１の下地電極層３２ａは、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置される。この場合、第１の下地電極層３２ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２８ａと電気的に接続される。
【0048】
第２の下地電極層３２ｂは、第２の内部電極層１６ｂに接続され、第２の端面１２ｆの表面に配置されている。また、第２の下地電極層３２ｂは、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置される。この場合、第２の下地電極層３２ｂは、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２８ｂと電気的に接続される。
【0049】
下地電極層３２は、金属成分を含む。また、下地電極層３２は、ガラス成分またはセラミック成分を含むことが好ましい。これにより、積層体１２と下地電極層３２との密着性を向上させることができる。なお、下地電極層３２は、ガラス成分とセラミック成分の両方を含んでいてもよい。
【0050】
下地電極層３２に含まれる金属成分は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。下地電極層３２に含まれるガラス成分は、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、セラミック成分は、セラミック層１４と同種のセラミック材料を用いてもよく、異なる種のセラミック材料を用いてもよい。セラミック成分は、例えば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3等から選ばれる少なくとも１つを含む。
【0051】
下地電極層３２は、複数層であってもよい。
【0052】
下地電極層３２が、金属成分とガラス成分とを含む場合、下地電極層３２は、ガラス成分および金属成分を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼付けたものであり、内部電極層１６およびセラミック層１４と同時焼成したものでもよく、内部電極層１６およびセラミック層１４を焼成した後に、焼付けてもよい。なお、下地電極層３２を、内部電極層１６およびセラミック層１４を同時に焼成する場合には、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加して下地電極層３２を形成することが好ましい。
【0053】
第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層３２ａの高さ方向ｘの中央部における第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの厚みは、たとえば、２μｍ以上２２０μｍ以下程度であることが好ましい。
第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層３２ｂの高さ方向ｘの中央部における第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの厚みは、たとえば、２μｍ以上２２０μｍ以下程度であることが好ましい。
第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層３２ｂの高さ方向ｘの中央部における第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの厚みは、たとえば、２μｍ以上２２０μｍ以下程度であることが好ましい。
【0054】
第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂの一部に位置する第１の下地電極層３２ａの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂを結ぶ高さ方向ｘの厚みは、たとえば、４μｍ以上１５μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂの一部に位置する第２の下地電極層３２ｂの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂを結ぶ高さ方向ｘの厚みは、たとえば、４μｍ以上１５μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂの一部に位置する第２の下地電極層３２ｂの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂを結ぶ高さ方向ｘの厚みは、たとえば、４μｍ以上１５μｍ以下程度であることが好ましい。
【0055】
第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの一部に位置する第１の下地電極層３２ａの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの厚みは、たとえば、４μｍ以上１５μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの一部に位置する第２の下地電極層３２ｂの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの厚みは、たとえば、４μｍ以上１５μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの一部に位置する第２の下地電極層３２ｂの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの厚みは、たとえば、４μｍ以上１５μｍ以下程度であることが好ましい。
【0056】
少なくとも下地電極層３２の表面上に脂肪酸４０が存在する。より具体的には、少なくとも第１の下地電極層３２ａの表面上および第２の下地電極層３２ｂの表面上には脂肪酸４０が存在する。これにより、脂肪酸のもつカルボキシ基がイオン化することで、イオン結合力により下地電極層３２に吸着し、吸着部において、下地電極層３２上に設けられるめっき層３４のめっきの析出が阻害され、下地電極層３２とめっき層３４との間の接合面積を減少させることができる。そのため、下地電極層３２とめっき層３４との密着力が低下するため、下地電極層３２とその上に形成されるめっき層３４との剥離を促進する効果を発揮する。したがって、積層セラミックコンデンサ１０に落下時の衝撃や熱サイクルの衝撃が加わった際に、下地電極層３２とめっき層３４との間で安定して剥離させることが可能となり、応力を逃すことができる。その結果、積層セラミックコンデンサ１０の積層体１２にクラックが入ることを抑制することができる。なお、本発明では、特許文献１のような熱硬化性樹脂層の厚み分の積層体１２の設計自由度を向上させることができるため、積層セラミックコンデンサとして高容量化を実現することが可能となる。
【0057】
ここで、下地電極層３２の表面上に脂肪酸４０が存在しているという状態は、具体的には、下地電極層３２の表面上に脂肪酸４０が点在するように分布している状態を意味する。そして、下地電極層３２の表面上に点在する脂肪酸４０は、それぞれ独立した層として存在する。
【0058】
下地電極層３２の表面の面積に対する脂肪酸４０が存在している面積の割合は、外部電極３０のそれぞれの面において、４０％以上７０％以下であることが好ましい。これにより、本発明の下地電極層３２とめっき層３４との間での剥離を促進することを確保しつつも、下地電極層３２とめっき層３４との間の密着も確保することができる。
【0059】
下地電極層３２の表面の面積に対する脂肪酸４０が存在している面積の割合は、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析計）を用いて算出することができる。具体的には、以下のようにして算出される。
すなわち、まず、図７および図８に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の第１の外部電極３０ａのみを半田１１０を用いて実装基板１００に実装し、第２の外部電極３０ｂが宙に浮いた状態にする。次に、宙に浮いた状態の第２の外部電極３０ｂを、下面から高さ方向に押して実装基板１００に実装した側の第１の外部電極３０ａにおいて、下地電極層３２とめっき層３４との間で剥離させる。なお、第２の外部電極３０ｂを実装基板１００に実装し、第１の外部電極３０ａを宙に浮いた状態としてもよい。
剥離させた下地電極層３２の側面、すなわち、実装基板１００のランド電極１０２に実装されていた下地電極層３２の全体に対し、加速電圧２５ｋＶで一次イオン（Ｂｉ3 ++）を照射し、脂肪酸４０に対応する二次イオンの検出を確認する。ここで、脂肪酸４０に対応する二次イオンとは、例えばパルミチン酸ならばＣ16Ｈ29Ｏ2 -、オレイン酸ならばＣ18Ｈ33Ｏ2 -などが挙げられる。そして、これらのマッピング像を取得し、脂肪酸４０に対応する二次イオンが検出された領域の面積率を、たとえば、画像解析ソフトによって２値化し、面積率を算出する。画像解析ソフトは、たとえば、ｉｍａｇｅＪ等を使用することができる。
すなわち、まず、図７および図８に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の第１の外部電極３０ａのみを半田１１０を用いて実装基板１００に実装し、第２の外部電極３０ｂが宙に浮いた状態にする。次に、宙に浮いた状態の第２の外部電極３０ｂを、下面から高さ方向に押して実装基板１００に実装した側の第１の外部電極３０ａにおいて、下地電極層３２とめっき層３４との間で剥離させる。なお、第２の外部電極３０ｂを実装基板１００に実装し、第１の外部電極３０ａを宙に浮いた状態としてもよい。
剥離させた下地電極層３２の側面、すなわち、実装基板１００のランド電極１０２に実装されていた下地電極層３２の全体に対し、加速電圧２５ｋＶで一次イオン（Ｂｉ3 ++）を照射し、脂肪酸４０に対応する二次イオンの検出を確認する。ここで、脂肪酸４０に対応する二次イオンとは、例えばパルミチン酸ならばＣ16Ｈ29Ｏ2 -、オレイン酸ならばＣ18Ｈ33Ｏ2 -などが挙げられる。そして、これらのマッピング像を取得し、脂肪酸４０に対応する二次イオンが検出された領域の面積率を、たとえば、画像解析ソフトによって２値化し、面積率を算出する。画像解析ソフトは、たとえば、ｉｍａｇｅＪ等を使用することができる。
【0060】
また、脂肪酸の検出方法としては、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析計）を用いる。
すなわち、まず、図７および図８に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の第１の外部電極３０ａのみを半田１１０を用いて実装基板１００に実装し、第２の外部電極３０ｂが宙に浮いた状態にする。次に、宙に浮いた状態の第２の外部電極３０ｂを、下面から高さ方向に押して実装基板１００に実装した側の第１の外部電極３０ａにおいて、下地電極層３２とめっき層３４との間で剥離させる。なお、第２の外部電極３０ｂを実装基板１００に実装し、第１の外部電極３０ａを宙に浮いた状態としてもよい。
そして、露出した下地電極層３２上のランド電極１０２に実装していた面の全体において、加速電圧２５ｋＶで一次イオン（Ｂｉ3 ++）を照射し、脂肪酸４０に対応する二次イオンの検出を確認する。ここで、脂肪酸４０に対応する二次イオンとは、例えばパルミチン酸ならばＣ16Ｈ29Ｏ2 -、オレイン酸ならばＣ18Ｈ33Ｏ2 -などが挙げられる。また、脂肪酸４０に対応する二次イオンが検出された場合、脂肪酸４０が存在していると判断する。
すなわち、まず、図７および図８に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の第１の外部電極３０ａのみを半田１１０を用いて実装基板１００に実装し、第２の外部電極３０ｂが宙に浮いた状態にする。次に、宙に浮いた状態の第２の外部電極３０ｂを、下面から高さ方向に押して実装基板１００に実装した側の第１の外部電極３０ａにおいて、下地電極層３２とめっき層３４との間で剥離させる。なお、第２の外部電極３０ｂを実装基板１００に実装し、第１の外部電極３０ａを宙に浮いた状態としてもよい。
そして、露出した下地電極層３２上のランド電極１０２に実装していた面の全体において、加速電圧２５ｋＶで一次イオン（Ｂｉ3 ++）を照射し、脂肪酸４０に対応する二次イオンの検出を確認する。ここで、脂肪酸４０に対応する二次イオンとは、例えばパルミチン酸ならばＣ16Ｈ29Ｏ2 -、オレイン酸ならばＣ18Ｈ33Ｏ2 -などが挙げられる。また、脂肪酸４０に対応する二次イオンが検出された場合、脂肪酸４０が存在していると判断する。
【0061】
なお、脂肪酸４０は、図９に示すように、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面においても存在していることが好ましい。より具体的には、第１の主面１２ａと第２の主面１２ｂおよび第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄのうちの少なくともいずれか一方の表面に位置するめっき層３４の先端部３８が脂肪酸４０の表面に接触するように積層体１２の表面において存在し、かつ脂肪酸４０は、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面において存在することが好ましい。これにより、積層体１２とめっき層３４との間でクッションの役割を果たし、めっき層３４と積層体１２の表面との間において、密着しない領域を作ることができ、めっき層３４の先端部３８が積層体１２の表面から浮いた状態となり、剥離のきっかけを作ることができる。よって、下地電極層３２とめっき層３４との間の剥離をより安定して促進させることができる。
【0062】
脂肪酸４０は、特に限定されず、酪酸、吉草酸、カプロン酸など１分子あたりの炭素数が少ないもの（この例では炭素６個以下）、セロチン酸、モンタン酸、メリシン酸など１分子あたりの炭素数が多いもの（この例では２６個以上）に関わらず、下地電極層３２とめっき層３４との間の剥離の効果が得られる。一方で、炭素数が少ないほど分子の長さが短くなるため、脂肪酸４０の厚みが薄くなり、剥離の効果が得られにくい。また、炭素数が多いほど、脂肪酸の分子同士が絡み合うため、膜が連続的になりやすく、脂肪酸４０の形成時に、図２に示したような点在状態を形成しづらい。一定以上の剥離効果を得つつ下地電極層３２とめっき層３４との間に結合安定性を確保するためには、脂肪酸の中でも特に、パルミチン酸、オレイン酸、ステアリン酸、ミリスチン酸のように１分子あたりの炭素数が１５個程度であるものが好ましい。
【0063】
下地電極層３２上または第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面における二次イオン相対強度は、８．０７×１０-5以上１．２７×１０-3以下であることが好ましい。これにより、脂肪酸４０による下地電極層３２とめっき層３４との間の密着阻害効果が顕著になり、剥離が発生しやすくなるため基板曲げ強度向上の効果を得ることができる。
【0064】
なお、下地電極層３２上の表面における脂肪酸４０由来の二次イオン相対強度は、脂肪酸４０由来の強度を測定している。
また、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面における二次イオン相対強度は、脂肪酸４０由来の強度を測定している。
また、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面における二次イオン相対強度は、脂肪酸４０由来の強度を測定している。
【0065】
下地電極層３２上の表面における二次イオン相対強度の測定方法は、以下の方法で測定することができる。
すなわち、まず、図７および図８に示すように、積層セラミックコンデンサの第１の外部電極３０ａのみを半田１１０を用いて実装基板１００に実装し、第２の外部電極３０ｂが宙に浮いた状態にする。次に、宙に浮いた状態の第２の外部電極３０ｂを、下面から高さ方向に押して実装基板１００に実装した側の第１の外部電極３０ａにおいて、下地電極層３２とめっき層３４との間で剥離させる。なお、第２の外部電極３０ｂを実装基板１００に実装し、第１の外部電極３０ａを宙に浮いた状態としてもよい。
そして、露出した下地電極層３２上のランド電極１０２に実装していた面の全体において、加速電圧２５ｋＶで一次イオン（Ｂｉ3 ++）を照射し、脂肪酸に対応する二次イオンの検出を確認する。ここで、脂肪酸に対応する二次イオンとは、例えばパルミチン酸ならばＣ16Ｈ29Ｏ2 -、オレイン酸ならばＣ18Ｈ33Ｏ2 -などが挙げられる。ここで検出された全二次イオン強度の総和に対する脂肪酸由来の二次イオン強度から相対強度を求める。
すなわち、まず、図７および図８に示すように、積層セラミックコンデンサの第１の外部電極３０ａのみを半田１１０を用いて実装基板１００に実装し、第２の外部電極３０ｂが宙に浮いた状態にする。次に、宙に浮いた状態の第２の外部電極３０ｂを、下面から高さ方向に押して実装基板１００に実装した側の第１の外部電極３０ａにおいて、下地電極層３２とめっき層３４との間で剥離させる。なお、第２の外部電極３０ｂを実装基板１００に実装し、第１の外部電極３０ａを宙に浮いた状態としてもよい。
そして、露出した下地電極層３２上のランド電極１０２に実装していた面の全体において、加速電圧２５ｋＶで一次イオン（Ｂｉ3 ++）を照射し、脂肪酸に対応する二次イオンの検出を確認する。ここで、脂肪酸に対応する二次イオンとは、例えばパルミチン酸ならばＣ16Ｈ29Ｏ2 -、オレイン酸ならばＣ18Ｈ33Ｏ2 -などが挙げられる。ここで検出された全二次イオン強度の総和に対する脂肪酸由来の二次イオン強度から相対強度を求める。
【0066】
第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面における二次イオン相対強度は、以下の方法で測定することができる。
すなわち、まず、積層セラミックコンデンサの第１の主面と、第２の主面と、第１の側面と、第２の側面の中央部の４か所において、加速電圧２５ｋＶで一次イオン（Ｂｉ3 ++）を照射し、脂肪酸に対応する二次イオンの検出を確認する。ここで、脂肪酸に対応する二次イオンとは、例えばパルミチン酸ならばＣ16Ｈ29Ｏ2 -、オレイン酸ならばＣ18Ｈ33Ｏ2 -などが挙げられる。ここで検出された全二次イオン強度の総和に対する脂肪酸由来の二次イオン強度から相対強度を求める。最後に４か所の平均値を取り、積層体１２の表面における二次イオン相対強度とする。
すなわち、まず、積層セラミックコンデンサの第１の主面と、第２の主面と、第１の側面と、第２の側面の中央部の４か所において、加速電圧２５ｋＶで一次イオン（Ｂｉ3 ++）を照射し、脂肪酸に対応する二次イオンの検出を確認する。ここで、脂肪酸に対応する二次イオンとは、例えばパルミチン酸ならばＣ16Ｈ29Ｏ2 -、オレイン酸ならばＣ18Ｈ33Ｏ2 -などが挙げられる。ここで検出された全二次イオン強度の総和に対する脂肪酸由来の二次イオン強度から相対強度を求める。最後に４か所の平均値を取り、積層体１２の表面における二次イオン相対強度とする。
【0067】
下地電極層上の表面における炭素成分量は、７４ａｔｏｍ％以上８２ａｔｏｍ％以下であることが好ましい。また、同様に、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面における炭素成分量は、７４ａｔｏｍ％以上８２ａｔｏｍ％以下であることが好ましい。これにより、めっき層３４と接合する金属部分の露出量が十分に抑制可能となり、下地電極層３２とめっき層３４との密着領域を減少させることができる。そのため、下地電極層３２とめっき層３４との密着力が低下するため下地電極層３２とその上に形成されるめっき層３４との剥離を促進する効果を十分に発揮することができる。
【0068】
下地電極層３２上の表面における脂肪酸４０由来の炭素成分量は、以下の方法で測定することができる。
すなわち、定量化にはＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）を用いる。そして、図７および図８に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の第１の外部電極３０ａのみ半田１１０を用いて実装基板１００に実装し、第２の外部電極３０ｂが宙に浮いた状態にする。次に、宙に浮いた状態の第２の外部電極３０ｂを、下面から高さ方向に押して実装基板１００に実装した側の一方の外部電極３０において、下地電極層３２とめっき層３４との間で剥離させる。なお、第２の外部電極３０ｂを実装基板１００に実装し、第１の外部電極３０ａを宙に浮いた状態としてもよい。
そして、露出した下地電極層３２上のランド電極１０２に実装していた面の全体においてＸ線を照射する。この際の熱電子の加速電圧は１５ｋＶとする。ワイドスキャンで全元素の定性分析を実施した後、全元素の存在比（ａｔｏｍ％）をナロースキャンで定量化し、下地電極層３２上の表面における脂肪酸４０由来の炭素成分量を算出することができる。
すなわち、定量化にはＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）を用いる。そして、図７および図８に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の第１の外部電極３０ａのみ半田１１０を用いて実装基板１００に実装し、第２の外部電極３０ｂが宙に浮いた状態にする。次に、宙に浮いた状態の第２の外部電極３０ｂを、下面から高さ方向に押して実装基板１００に実装した側の一方の外部電極３０において、下地電極層３２とめっき層３４との間で剥離させる。なお、第２の外部電極３０ｂを実装基板１００に実装し、第１の外部電極３０ａを宙に浮いた状態としてもよい。
そして、露出した下地電極層３２上のランド電極１０２に実装していた面の全体においてＸ線を照射する。この際の熱電子の加速電圧は１５ｋＶとする。ワイドスキャンで全元素の定性分析を実施した後、全元素の存在比（ａｔｏｍ％）をナロースキャンで定量化し、下地電極層３２上の表面における脂肪酸４０由来の炭素成分量を算出することができる。
【0069】
第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面における脂肪酸４０由来の炭素成分量は、以下の方法で測定することができる。
すなわち、定量化にはＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）を用いる。そして、積層セラミックコンデンサ１０の第１の主面１２ａと、第２の主面１２ｂと、第１の側面１２ｃと、第２の側面１２ｄの中央部の４か所において、１５ｋＶで加速したＸ線を照射する。ワイドスキャンで全元素の定性分析を実施した後、全元素の存在比（ａｔｏｍ％）をナロースキャンで定量化し、下地電極層３２上、または第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面における脂肪酸４０由来の炭素成分量を算出することができる。最後に４か所の平均値をとり、積層体１２の表面における炭素成分量とする。
すなわち、定量化にはＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）を用いる。そして、積層セラミックコンデンサ１０の第１の主面１２ａと、第２の主面１２ｂと、第１の側面１２ｃと、第２の側面１２ｄの中央部の４か所において、１５ｋＶで加速したＸ線を照射する。ワイドスキャンで全元素の定性分析を実施した後、全元素の存在比（ａｔｏｍ％）をナロースキャンで定量化し、下地電極層３２上、または第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面における脂肪酸４０由来の炭素成分量を算出することができる。最後に４か所の平均値をとり、積層体１２の表面における炭素成分量とする。
【0070】
下地電極層３２の表面上や積層体１２の表面上に点在して存在している脂肪酸のそれぞれの層の厚みは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。さらにより好ましくは、６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【0071】
脂肪酸４０の厚みの測定は、積層セラミックコンデンサ１０の断面から走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像解析によって行う。
【0072】
下地電極層３２上に位置する脂肪酸４０の厚みの測定方法として、具体的には、以下のようにして行う。図１０（Ａ）は下地電極層上に位置する脂肪酸の厚みの測定方法を示した断面模式図である。
すなわち、図１０（Ａ）に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の第１の主面１２ａ上に位置するどちらか一方の外部電極３０の中央部、第２の主面１２ｂ上に位置するどちらか一方の外部電極３０の中央部、第１の側面１２ｃ上に位置するどちらか一方の外部電極３０の中央部、第２の側面１２ｄ上に位置するどちらか一方の外部電極３０の中央部の４箇所に対し、収束イオンビーム（ＦＩＢ）装置を用いて、測定する面に対し、４５度の角度で切削を行う。下地電極層３２とめっき層３４との間の断面が確認できる深さまで加工を行った後、ＳＥＭ像の取得を行う。１万倍の倍率で二次電子像（５ｋＶ）を取得する。なお、図１０（Ａ）では、第１の主面１２ａ上に位置する第１の外部電極３０ａの中央部を示す。ここで、それぞれの４箇所において、下地電極層３２とめっき層３４との界面に存在する脂肪酸４０において、めっき層３４と脂肪酸４０との境界の点ａ1と、下地電極層３２と脂肪酸４０との界面の点ｂ1をとり、２つの点の厚み方向の距離を測定することで、脂肪酸４０の厚みを測定する。最後に平均値をとり、脂肪酸４０の厚みとする。
すなわち、図１０（Ａ）に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の第１の主面１２ａ上に位置するどちらか一方の外部電極３０の中央部、第２の主面１２ｂ上に位置するどちらか一方の外部電極３０の中央部、第１の側面１２ｃ上に位置するどちらか一方の外部電極３０の中央部、第２の側面１２ｄ上に位置するどちらか一方の外部電極３０の中央部の４箇所に対し、収束イオンビーム（ＦＩＢ）装置を用いて、測定する面に対し、４５度の角度で切削を行う。下地電極層３２とめっき層３４との間の断面が確認できる深さまで加工を行った後、ＳＥＭ像の取得を行う。１万倍の倍率で二次電子像（５ｋＶ）を取得する。なお、図１０（Ａ）では、第１の主面１２ａ上に位置する第１の外部電極３０ａの中央部を示す。ここで、それぞれの４箇所において、下地電極層３２とめっき層３４との界面に存在する脂肪酸４０において、めっき層３４と脂肪酸４０との境界の点ａ1と、下地電極層３２と脂肪酸４０との界面の点ｂ1をとり、２つの点の厚み方向の距離を測定することで、脂肪酸４０の厚みを測定する。最後に平均値をとり、脂肪酸４０の厚みとする。
【0073】
次に、積層体１２の表面上の脂肪酸４０の厚みの測定方法として、具体的には、以下のようにして行う。（Ｂ）は積層体の表面上の脂肪酸の厚みの測定方法を示した断面模式図である。
すなわち、図１０（Ｂ）に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の全面に対して、スパッタ装置を用いてＡｕコーティングを行い、Ａｕコーティング層５０を形成する。まず、放電電流３０ｍＡで５分間スパッタを行った後、積層セラミックコンデンサ１０の第１の主面１２ａと、第２の主面１２ｂと、第１の側面１２ｃと、第２の側面１２ｄの中央部の４か所において、収束イオンビーム（ＦＩＢ）装置を用いて、測定する面に対し、４５度の角度で切削を行う。スパッタしたＡｕコーティング層５０と、積層体１２の表面との間に断面が確認できる深さまで加工を行った後、ＳＥＭ像の取得を行う。１万倍の倍率で二次電子像（５ｋＶ）を取得する。なお、図１０（Ｂ）では、積層体１２の第１の主面１２ａの中央部を示す。ここで、それぞれの４か所において、Ａｕコーティング層５０と脂肪酸４０との界面の点ａ2と、積層体１２の表面と脂肪酸４０との界面の点ｂ2とを取り、２つの点の厚み方向の距離を測定することで、脂肪酸４０の厚みを測定する。最後に平均値を取り、脂肪酸４０の厚みとする。
すなわち、図１０（Ｂ）に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の全面に対して、スパッタ装置を用いてＡｕコーティングを行い、Ａｕコーティング層５０を形成する。まず、放電電流３０ｍＡで５分間スパッタを行った後、積層セラミックコンデンサ１０の第１の主面１２ａと、第２の主面１２ｂと、第１の側面１２ｃと、第２の側面１２ｄの中央部の４か所において、収束イオンビーム（ＦＩＢ）装置を用いて、測定する面に対し、４５度の角度で切削を行う。スパッタしたＡｕコーティング層５０と、積層体１２の表面との間に断面が確認できる深さまで加工を行った後、ＳＥＭ像の取得を行う。１万倍の倍率で二次電子像（５ｋＶ）を取得する。なお、図１０（Ｂ）では、積層体１２の第１の主面１２ａの中央部を示す。ここで、それぞれの４か所において、Ａｕコーティング層５０と脂肪酸４０との界面の点ａ2と、積層体１２の表面と脂肪酸４０との界面の点ｂ2とを取り、２つの点の厚み方向の距離を測定することで、脂肪酸４０の厚みを測定する。最後に平均値を取り、脂肪酸４０の厚みとする。
【0074】
また、下地電極層３２上に配置される脂肪酸４０由来の炭素成分量と、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面に配置される脂肪酸４０由来の炭素成分量は、異なっていてもよい。その場合、下地電極層３２上に配置される脂肪酸４０由来の炭素成分量が、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面に配置される脂肪酸４０由来の炭素成分量よりも多いことが好ましい。これにより、下地電極層３２とその上に形成されるめっき層３４との剥離のきっかけを生じやすくすることができる。
【0075】
同様に、下地電極層３２上に配置される脂肪酸４０由来の二次イオン相対強度と、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面に配置される脂肪酸４０由来の二次イオン相対強度は、異なっていてもよい。その場合、下地電極層３２上に配置される脂肪酸４０由来の二次イオン相対強度は、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面の脂肪酸４０由来の二次イオン相対強度よりも大きいことが好ましい。
【0076】
また、図１１に示すように、下地電極層３２上には、下地電極層３２上に配置される樹脂成分および金属成分を含む導電性樹脂層３６を設けてもよい。これにより、積層セラミックコンデンサ１０に極端に大きな落下時の衝撃や熱サイクルの衝撃が加わった場合であっても、脂肪酸４０による電極の剥離だけでなく、導電性樹脂層３６に含まれる樹脂成分による応力吸収機能および導電性樹脂層３６に含まれる樹脂成分における犠牲破壊の効果を得ることができ、より一層本発明の効果を顕著なものにすることができる。
【0077】
導電性樹脂層３６は、第１の導電性樹脂層３６ａと第２の導電性樹脂層３６ｂとを有している。
第１の導電性樹脂層３６ａは、第１の下地電極層３２ａ上に配置されている、なお、第１の導電性樹脂層３６ａは、第１の下地電極層３２ａを覆うように配置されており、第１の導電性樹脂層３６ａの端部は積層体１２に接触していることが好ましい。
第２の導電性樹脂層３６ｂは、第２の下地電極層３２ｂ上に配置されている、なお、第２の導電性樹脂層３６ｂは、第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置されており、第２の導電性樹脂層３６ｂの端部は積層体１２に接触していることが好ましい。
第１の導電性樹脂層３６ａは、第１の下地電極層３２ａ上に配置されている、なお、第１の導電性樹脂層３６ａは、第１の下地電極層３２ａを覆うように配置されており、第１の導電性樹脂層３６ａの端部は積層体１２に接触していることが好ましい。
第２の導電性樹脂層３６ｂは、第２の下地電極層３２ｂ上に配置されている、なお、第２の導電性樹脂層３６ｂは、第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置されており、第２の導電性樹脂層３６ｂの端部は積層体１２に接触していることが好ましい。
【0078】
導電性樹脂層３６は、樹脂成分である熱硬化性樹脂を含むため、例えば、めっき膜や金属成分とガラス成分の焼成物からなる下地電極層３２よりも柔軟性に富んでいる。このため、実装基板にたわみ応力が加わり積層セラミックコンデンサ１０に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層３６が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサ１０に対してクラックが発生することを防止することができる。
【0079】
導電性樹脂層３６の熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は最も適切な樹脂の一つである。
また、導電性樹脂層３６には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤としては、ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系、活性エステル系、アミドイミド系など公知の種々の化合物を使用することができる。
また、導電性樹脂層３６には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤としては、ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系、活性エステル系、アミドイミド系など公知の種々の化合物を使用することができる。
【0080】
導電性樹脂層３６に含まれる金属成分としては、金属フィラーであることが好ましく、Ａｇを含むことが好ましい。Ａｇ単体であってもよいし、Ａｇを含む合金や、金属粉の表面にＡｇコーティングされた金属粉を使用することもできる。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ又はそれらの合金粉を用いることが好ましい。金属フィラーにＡｇを用いる理由としては、Ａｇは金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Ａｇは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いためである。また、上記のＡｇの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるためである。
【0081】
導電性樹脂層３６に含まれる金属フィラーの形状は、特に限定されない。金属フィラーは、球状、扁平状等であってもよい。また、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合されていてもよい。
【0082】
導電性樹脂層３６に含まれる金属フィラーの平均粒径は、特に限定されない。金属フィラーの平均粒径は、例えば、０．３μｍ以上１０μｍ以下程度であってもよい。
【0083】
導電性樹脂層３６に含まれる金属フィラーの平均粒径の測定方法は、フィラーの形状によらず、ＩＳＯ１３３２０に基づくレザー回折粒度測定法を用いることで算出することができる。
【0084】
導電性樹脂層３６に含まれる金属フィラーは、主に導電性樹脂層３６の通電性を担う。具体的には、金属フィラーどうしが接触することにより、導電性樹脂層３６の内部に通電経路が形成される。
【0085】
導電性樹脂層３６の厚みは、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。
【0086】
なお、下地電極層３２上に導電性樹脂層３６が設けられる場合でも、脂肪酸４０は、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面において存在していてもよい。より具体的には、第１の主面１２ａと第２の主面１２ｂおよび第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄのうちの少なくともいずれか一方の表面に位置するめっき層３４の先端部３８が脂肪酸４０の表面に接触するように積層体１２の表面において存在し、かつ脂肪酸４０は、第１の外部電極３０ａと第２の外部電極３０ｂとの間の積層体１２の表面において存在していてもよい。
【0087】
続いて、下地電極層３２の上に配置されるめっき層３４である第１のめっき層３４ａ及び第２のめっき層３４ｂについて、図２及び図３を参照して説明する。
第１のめっき層３４ａ及び第２のめっき層３４ｂとしては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。
第１のめっき層３４ａ及び第２のめっき層３４ｂとしては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。
【0088】
第１のめっき層３４ａは、第１の下地電極層３２ａを覆うように配置されている。
第２のめっき層３４ｂは、第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置されている。
第２のめっき層３４ｂは、第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置されている。
【0089】
第１のめっき層３４ａ及び第２のめっき層３４ｂは、複数層により形成されていてもよい。この場合、めっき層３４は、下地電極層３２上に形成されるＮｉめっきによる下層めっき層（Ｎｉめっき層）と、下層めっき層上に形成されるＳｎめっきによる上層めっき層（Ｓｎめっき層）の２層構造であることが好ましい。
すなわち、第１のめっき層３４ａは、第１の下層めっき層と、第１の下層めっき層の表面に位置する第１の上層めっき層とを有する。
また、第２のめっき層３４ｂは、第２の下層めっき層と、第２の下層めっき層の表面に位置する第２の上層めっき層とを有する。
すなわち、第１のめっき層３４ａは、第１の下層めっき層と、第１の下層めっき層の表面に位置する第１の上層めっき層とを有する。
また、第２のめっき層３４ｂは、第２の下層めっき層と、第２の下層めっき層の表面に位置する第２の上層めっき層とを有する。
【0090】
Ｎｉめっきによる下層めっき層は、下地電極層３２が積層セラミックコンデンサ１０を実装する際のはんだによって侵食されることを防止するために用いられ、Ｓｎめっきによる上層めっき層は、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際の半田の濡れ性を向上させて、容易に実装することができるようにするために用いられる。
めっき層一層あたりの厚みは、２．０μｍ以上、１５．０μｍ以下であることが好ましい。
めっき層一層あたりの厚みは、２．０μｍ以上、１５．０μｍ以下であることが好ましい。
【0091】
なお、下地電極層３２上に導電性樹脂層３６が形成される場合は、めっき層３４は導電性樹脂層３６を覆うように配置される。
【0092】
積層体１２、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の高さ方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ方向ｚのＬ寸法が０．２ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下、高さ方向ｘのＴ寸法が０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下である。また、積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、マイクロスコープにより測定することができる。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ方向ｚのＬ寸法が０．２ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下、高さ方向ｘのＴ寸法が０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下である。また、積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、マイクロスコープにより測定することができる。
【0093】
図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、少なくとも第１の下地電極層３２ａの表面上および第２の下地電極層３２ｂの表面上には脂肪酸４０が存在するので、脂肪酸のもつカルボキシ基がイオン化することで、イオン結合力により下地電極層３２に吸着し、吸着部において、下地電極層３２上に設けられるめっき層３４のめっきの析出が阻害され、下地電極層３２とめっき層３４との間の接合面積を減少させることができる。そのため、下地電極層３２とめっき層３４との密着力が低下するため、下地電極層３２とその上に形成されるめっき層３４との剥離を促進する効果を発揮する。
したがって、積層セラミックコンデンサ１０に落下時の衝撃や熱サイクルの衝撃が加わった際に、下地電極層３２とめっき層３４との間で安定して剥離させることが可能となり、応力を逃すことが可能となる。その結果、積層セラミックコンデンサ１０の積層体１２にクラックが入ることを抑制することができる。
したがって、積層セラミックコンデンサ１０に落下時の衝撃や熱サイクルの衝撃が加わった際に、下地電極層３２とめっき層３４との間で安定して剥離させることが可能となり、応力を逃すことが可能となる。その結果、積層セラミックコンデンサ１０の積層体１２にクラックが入ることを抑制することができる。
【0094】
また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０において、外部電極３０に導電性樹脂層３６が設けられていない場合、コストの削減につながるだけでなく、導電性樹脂層３６の厚み分の積層体１２の設計の自由度が増すため、高容量化を実現することが可能となる。
【0095】
２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
次に、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
【0096】
まず、セラミック層用の誘電体シートおよび内部電極層用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートおよび内部電極層用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってよい。
【0097】
そして、誘電体シート上に、内部電極層用の導電性ペーストが、たとえば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで印刷される。これにより、第１の内部電極層のパターンが形成された誘電体シート、および第２の内部電極層のパターンが形成された誘電体シートが準備される。
【0098】
また、誘電体シートに関しては、内部電極層のパターンが印刷されていない外層用の誘電体シートも準備される。
【0099】
続いて、内部電極層のパターンが印刷されていない外層用の誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面側の第２の主面側外層部となる部分が形成される。そして、第２の主面側外層部となる部分の上に第１の内部電極層のパターンが印刷された誘電体シート、および第２の内部電極層のパターンが印刷された誘電体シートを本発明の構造となるように順次積層されることにより、内層部となる部分が形成される。この内層部となる部分の上に、内部電極層のパターンが印刷されてない外層用の誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第１の主面側の第１の主面側外層部となる部分が形成される。
【0100】
次に、積層シートが静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスされることにより、積層ブロックが作製される。
【0101】
そして、積層ブロックを所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みをつけてもよい。
【0102】
次に、積層チップが焼成されることにより、積層体１２が作製される。焼成温度は、誘電体であるセラミック層や内部電極層の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。
【0103】
つづけて、積層体の第１の端面および第２の端面に下地電極層となる導電性ペーストを塗布し、下地電極層を形成する。下地電極層として焼付け層を形成する場合には、ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストを例えばディッピングなどの方法により、塗布し、その後、焼付け処理を行い、下地電極層が形成される。この時の焼付け処理の温度は、７００℃以上９５０℃以下であることが好ましい。
【0104】
また、下地電極層を焼付け層で形成する場合は、焼き付け層はセラミック成分を含有させてもよい。この場合、ガラス成分の代わりにセラミック成分を含有させてもよいし、その両方を含有させてもよい。
【0105】
セラミック成分は、例えば、積層体と同種のセラミック材料であることが好ましい。なお、焼付け層にセラミック成分を含ませる場合には、焼成前の積層チップに対して、導電性ペーストを塗布し、焼成前の積層チップと焼成前の積層チップに塗布された導電性ペーストを同時に焼付けて（焼成して）、焼付け層が形成された積層体を形成することが好ましい。この時の焼付け処理の温度（焼成温度）は、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。
【0106】
次に、下地電極層上に脂肪酸が点在する層を形成する。下地電極層上に脂肪酸が点在する層を形成する方法としては、脂肪酸を有機溶媒で希釈し溶液浸漬して形成することができる。具体的には、例えば、オレイン酸をＩＰＡ（２－プロパノール）で希釈した溶液を作成する。下地電極層を形成した積層体を網かごに入れ、溶液に所定時間（例えば５分）浸漬する。その後、網かごを溶液から取り出して所定時間（例えば３０秒間）液切りし、下地電極層を形成した積層体をろ紙上に広げ、１５０℃のオーブンで所定時間（例えば３０分）熱処理することで脂肪酸を硬化させる。
【0107】
また、脂肪酸を有機溶媒で希釈し溶液を作成した後、下地電極層を形成した積層体に、溶液を塗布し熱硬化することで形成することもできる。ここで、溶液を塗布する方法としては、ディッピング、スプレーなどで行うことができる。
【0108】
なお、脂肪酸の二次イオン相対強度や炭素成分量、下地電極層上に対する脂肪酸が存在している面積の割合、脂肪酸の厚みは、溶液濃度や、塗布方法、塗布時間、塗布時の温度をコントロールすることで制御することができる。
【0109】
（導電性樹脂層を設ける場合）
なお、外部電極において導電性樹脂層を設ける場合は、以下のようにして形成される。
導電性樹脂層は、下地電極層上に形成される。
導電性樹脂層の形成方法としては、樹脂成分と金属成分を含む導電性樹脂ペーストを準備し、下地電極層上にディッピング工法を用いて塗布する。その後、２００℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、樹脂を熱硬化させ、導電性電極層が形成される。
この時の熱処理時の雰囲気は、Ｎ2雰囲気であることが好ましい。
また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。
なお、外部電極において導電性樹脂層を設ける場合は、以下のようにして形成される。
導電性樹脂層は、下地電極層上に形成される。
導電性樹脂層の形成方法としては、樹脂成分と金属成分を含む導電性樹脂ペーストを準備し、下地電極層上にディッピング工法を用いて塗布する。その後、２００℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、樹脂を熱硬化させ、導電性電極層が形成される。
この時の熱処理時の雰囲気は、Ｎ2雰囲気であることが好ましい。
また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。
【0110】
次に、下地電極層の表面にめっき層が形成される。より詳細には、下地電極層上に、Ｎｉめっき層およびＮｉめっき層上にＳｎめっき層が形成される。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよい。但し、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。なお、導電性樹脂層が形成された場合は、導電性樹脂層の表面にめっき層が形成される。
【0111】
上述のようにして、本実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【0112】
３．実験例
上述した製造方法にしたがって、積層セラミック電子部品として、試料である積層セラミックコンデンサを作製し、脂肪酸を形成した効果を評価するために、たわみ強度試験を行い、積層体内へのクラックの有無を確認することにより評価を行った。
上述した製造方法にしたがって、積層セラミック電子部品として、試料である積層セラミックコンデンサを作製し、脂肪酸を形成した効果を評価するために、たわみ強度試験を行い、積層体内へのクラックの有無を確認することにより評価を行った。
【0113】
（ａ）実施例１の試料の仕様
実施例１として、以下の仕様の積層セラミックコンデンサを準備した。
すなわち、実施例１の積層セラミックコンデンサは、図２に示すように下地電極層上に脂肪酸を存在させ、その脂肪酸を含めて下地電極層を覆うようにＮｉめっき層を形成し、さらにＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成した積層セラミックコンデンサの試料を準備した。
実施例１として、以下の仕様の積層セラミックコンデンサを準備した。
すなわち、実施例１の積層セラミックコンデンサは、図２に示すように下地電極層上に脂肪酸を存在させ、その脂肪酸を含めて下地電極層を覆うようにＮｉめっき層を形成し、さらにＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成した積層セラミックコンデンサの試料を準備した。
【0114】
・積層セラミックコンデンサの寸法（設計値）：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
・セラミック層の主成分の材料：ＢａＴｉＯ3
・容量：１０ｎＦ
・内部電極層の材料：Ｎｉ
・外部電極層の仕様
・下地電極層の仕様
・下地電極層：金属成分とガラス成分を含む焼付け層
・金属成分：Ｃｕ
・下地電極層の厚み
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の端面および第２の端面に位置する下地電極層の高さ方向ｘの中央部における長さ方向ｚの厚み：２８μｍ
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の主面および第２の主面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の主面および第２の主面を結ぶ高さ方向ｘの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・１／２Ｔ位置の積層体の断面における第１の側面および第２の側面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・脂肪酸の仕様：オレイン酸を２－プロパノールで希釈し、下地電極層の部分のみ５分間浸漬後、アルミバット上にチップを広げオーブン（１５０℃で３０分）中で硬化させた。
・下地電極層の表面の面積に対する脂肪酸が存在している面積の割合：５５％（すべての面において設計上同様となるようにした。）
・二次イオン相対強度：６．７５×１０-4
・炭素成分量：８０ａｔｏｍ％
・脂肪酸を設けた位置：下地電極層上の表面のみ
・めっき層の仕様：２層で形成し、脂肪酸が配置された下地電極層上にＮｉめっき層、Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層を形成した。
・Ｎｉめっき層の厚み：３．５μｍ
・Ｓｎめっき層の厚み：３．０μｍ
・セラミック層の主成分の材料：ＢａＴｉＯ3
・容量：１０ｎＦ
・内部電極層の材料：Ｎｉ
・外部電極層の仕様
・下地電極層の仕様
・下地電極層：金属成分とガラス成分を含む焼付け層
・金属成分：Ｃｕ
・下地電極層の厚み
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の端面および第２の端面に位置する下地電極層の高さ方向ｘの中央部における長さ方向ｚの厚み：２８μｍ
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の主面および第２の主面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の主面および第２の主面を結ぶ高さ方向ｘの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・１／２Ｔ位置の積層体の断面における第１の側面および第２の側面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・脂肪酸の仕様：オレイン酸を２－プロパノールで希釈し、下地電極層の部分のみ５分間浸漬後、アルミバット上にチップを広げオーブン（１５０℃で３０分）中で硬化させた。
・下地電極層の表面の面積に対する脂肪酸が存在している面積の割合：５５％（すべての面において設計上同様となるようにした。）
・二次イオン相対強度：６．７５×１０-4
・炭素成分量：８０ａｔｏｍ％
・脂肪酸を設けた位置：下地電極層上の表面のみ
・めっき層の仕様：２層で形成し、脂肪酸が配置された下地電極層上にＮｉめっき層、Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層を形成した。
・Ｎｉめっき層の厚み：３．５μｍ
・Ｓｎめっき層の厚み：３．０μｍ
【0115】
（ｂ）実施例２の試料の仕様
実施例２として、以下の仕様の積層セラミックコンデンサを準備した。
すなわち、実施例２の積層セラミックコンデンサは、図９に示すように、下地電極層上だけでなく、第１の外部電極と第２の外部電極との間の積層体の表面、より具体的には、第１の主面と第２の主面および第１の側面と第２の側面の表面に位置するめっき層の先端部が脂肪酸の表面に接触するように積層体の表面に脂肪酸を存在させ、かつ、第１の外部電極および第２の外部電極との間の積層体の表面に脂肪酸を存在させ、その脂肪酸を含めて下地電極層を覆うように該めっき層であるＮｉめっき層を形成し、さらにＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成した積層セラミックコンデンサの試料を準備した。
実施例２として、以下の仕様の積層セラミックコンデンサを準備した。
すなわち、実施例２の積層セラミックコンデンサは、図９に示すように、下地電極層上だけでなく、第１の外部電極と第２の外部電極との間の積層体の表面、より具体的には、第１の主面と第２の主面および第１の側面と第２の側面の表面に位置するめっき層の先端部が脂肪酸の表面に接触するように積層体の表面に脂肪酸を存在させ、かつ、第１の外部電極および第２の外部電極との間の積層体の表面に脂肪酸を存在させ、その脂肪酸を含めて下地電極層を覆うように該めっき層であるＮｉめっき層を形成し、さらにＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成した積層セラミックコンデンサの試料を準備した。
【0116】
・積層セラミックコンデンサの寸法（設計値）：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
・セラミック層の主成分の材料：ＢａＴｉＯ3
・容量：１０ｎＦ
・内部電極層の材料：Ｎｉ
・外部電極層の仕様
・下地電極層の仕様
・下地電極層：金属成分とガラス成分を含む焼付け層
・金属成分：Ｃｕ
・下地電極層の厚み
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の端面および第２の端面に位置する下地電極層の高さ方向ｘの中央部における長さ方向ｚの厚み：２８μｍ
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の主面および第２の主面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の主面および第２の主面を結ぶ高さ方向ｘの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・１／２Ｔ位置の積層体の断面における第１の側面および第２の側面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・脂肪酸の仕様：オレイン酸を２－プロパノールで希釈し、下地電極層を形成した積層体全体を５分間浸漬後、アルミバット上にチップを広げオーブン（１５０℃で３０分）中で硬化させた。
・下地電極層の表面の面積に対する脂肪酸が存在している面積の割合：５５％（すべての面において設計上同様となるようにした。）
・二次イオン相対強度：６．７５×１０-4
・炭素成分量：８０ａｔｏｍ％
・脂肪酸を設けた位置：下地電極層上と各外部電極間の積層体の表面
・めっき層の仕様：２層で形成し、脂肪酸が配置された下地電極層上にＮｉめっき層、Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層を形成した。
・Ｎｉめっき層の厚み：３．５μｍ
・Ｓｎめっき層の厚み：３．０μｍ
・セラミック層の主成分の材料：ＢａＴｉＯ3
・容量：１０ｎＦ
・内部電極層の材料：Ｎｉ
・外部電極層の仕様
・下地電極層の仕様
・下地電極層：金属成分とガラス成分を含む焼付け層
・金属成分：Ｃｕ
・下地電極層の厚み
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の端面および第２の端面に位置する下地電極層の高さ方向ｘの中央部における長さ方向ｚの厚み：２８μｍ
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の主面および第２の主面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の主面および第２の主面を結ぶ高さ方向ｘの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・１／２Ｔ位置の積層体の断面における第１の側面および第２の側面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・脂肪酸の仕様：オレイン酸を２－プロパノールで希釈し、下地電極層を形成した積層体全体を５分間浸漬後、アルミバット上にチップを広げオーブン（１５０℃で３０分）中で硬化させた。
・下地電極層の表面の面積に対する脂肪酸が存在している面積の割合：５５％（すべての面において設計上同様となるようにした。）
・二次イオン相対強度：６．７５×１０-4
・炭素成分量：８０ａｔｏｍ％
・脂肪酸を設けた位置：下地電極層上と各外部電極間の積層体の表面
・めっき層の仕様：２層で形成し、脂肪酸が配置された下地電極層上にＮｉめっき層、Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層を形成した。
・Ｎｉめっき層の厚み：３．５μｍ
・Ｓｎめっき層の厚み：３．０μｍ
【0117】
（ｃ）実施例３の試料の仕様
実施例３として、以下の仕様の積層セラミックコンデンサを準備した。
すなわち、実施例３の積層セラミックコンデンサは、図９に示すように、下地電極層上だけでなく、第１の外部電極と第２の外部電極との間の積層体の表面、より具体的には、第１の主面と第２の主面および第１の側面と第２の側面の表面に位置するめっき層の先端部が脂肪酸の表面に接触するように積層体の表面に脂肪酸を存在させ、かつ、第１の外部電極および第２の外部電極との間の積層体の表面に脂肪酸を存在させ、金属成分と熱硬化性樹脂成分とを有する導電性樹脂層を形成し、脂肪酸を含めて導電性樹脂層を覆うように該めっき層であるＮｉめっき層を形成し、さらにＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成した積層セラミックコンデンサの試料を準備した。
実施例３として、以下の仕様の積層セラミックコンデンサを準備した。
すなわち、実施例３の積層セラミックコンデンサは、図９に示すように、下地電極層上だけでなく、第１の外部電極と第２の外部電極との間の積層体の表面、より具体的には、第１の主面と第２の主面および第１の側面と第２の側面の表面に位置するめっき層の先端部が脂肪酸の表面に接触するように積層体の表面に脂肪酸を存在させ、かつ、第１の外部電極および第２の外部電極との間の積層体の表面に脂肪酸を存在させ、金属成分と熱硬化性樹脂成分とを有する導電性樹脂層を形成し、脂肪酸を含めて導電性樹脂層を覆うように該めっき層であるＮｉめっき層を形成し、さらにＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成した積層セラミックコンデンサの試料を準備した。
【0118】
・積層セラミックコンデンサの寸法（設計値）：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
・セラミック層の主成分の材料：ＢａＴｉＯ3
・容量：１０ｎＦ
・内部電極層の材料：Ｎｉ
・外部電極層の仕様
・下地電極層の仕様
・下地電極層：金属成分とガラス成分を含む焼付け層
・金属成分：Ｃｕ
・下地電極層の厚み
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の端面および第２の端面に位置する下地電極層の高さ方向ｘの中央部における長さ方向ｚの厚み：２８μｍ
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の主面および第２の主面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の主面および第２の主面を結ぶ高さ方向ｘの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・１／２Ｔ位置の積層体の断面における第１の側面および第２の側面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・脂肪酸の仕様：オレイン酸を２－プロパノールで希釈し、下地電極層を形成した積層体全体を５分間浸漬後、アルミバット上にチップを広げオーブン（１５０℃で３０分）中で硬化させた。
・下地電極層の表面の面積に対する脂肪酸が存在している面積の割合：５５％（すべての面において設計上同様となるようにした。）
・二次イオン相対強度：６．７５×１０-4
・炭素成分量：８０ａｔｏｍ％
・脂肪酸を設けた位置：下地電極層上と各外部電極間の積層体の表面
・導電性樹脂層の仕様
・金属成分：ＡｇコートＣｕ
・熱硬化性樹脂成分：エポキシ系
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の端面および第２の端面に位置する導電性樹脂層の高さ方向ｘの中央部における長さ方向ｚの厚み：２５μｍ
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の主面および第２の主面に位置する導電性樹脂層の長さ方向ｚの中央部における第１の主面および第２の主面を結ぶ高さ方向ｘの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：８μｍ
・１／２Ｔ位置の積層体の断面における第１の側面および第２の側面に位置する導電性樹脂層の長さ方向ｚの中央部における第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：８μｍ
・めっき層の仕様：２層で形成し、脂肪酸が配置された下地電極層上にＮｉめっき層、Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層を形成した。
・Ｎｉめっき層の厚み：３．５μｍ
・Ｓｎめっき層の厚み：３．０μｍ
・セラミック層の主成分の材料：ＢａＴｉＯ3
・容量：１０ｎＦ
・内部電極層の材料：Ｎｉ
・外部電極層の仕様
・下地電極層の仕様
・下地電極層：金属成分とガラス成分を含む焼付け層
・金属成分：Ｃｕ
・下地電極層の厚み
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の端面および第２の端面に位置する下地電極層の高さ方向ｘの中央部における長さ方向ｚの厚み：２８μｍ
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の主面および第２の主面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の主面および第２の主面を結ぶ高さ方向ｘの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・１／２Ｔ位置の積層体の断面における第１の側面および第２の側面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１０μｍ
・脂肪酸の仕様：オレイン酸を２－プロパノールで希釈し、下地電極層を形成した積層体全体を５分間浸漬後、アルミバット上にチップを広げオーブン（１５０℃で３０分）中で硬化させた。
・下地電極層の表面の面積に対する脂肪酸が存在している面積の割合：５５％（すべての面において設計上同様となるようにした。）
・二次イオン相対強度：６．７５×１０-4
・炭素成分量：８０ａｔｏｍ％
・脂肪酸を設けた位置：下地電極層上と各外部電極間の積層体の表面
・導電性樹脂層の仕様
・金属成分：ＡｇコートＣｕ
・熱硬化性樹脂成分：エポキシ系
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の端面および第２の端面に位置する導電性樹脂層の高さ方向ｘの中央部における長さ方向ｚの厚み：２５μｍ
・１／２Ｗ位置の積層体の断面における第１の主面および第２の主面に位置する導電性樹脂層の長さ方向ｚの中央部における第１の主面および第２の主面を結ぶ高さ方向ｘの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：８μｍ
・１／２Ｔ位置の積層体の断面における第１の側面および第２の側面に位置する導電性樹脂層の長さ方向ｚの中央部における第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：８μｍ
・めっき層の仕様：２層で形成し、脂肪酸が配置された下地電極層上にＮｉめっき層、Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層を形成した。
・Ｎｉめっき層の厚み：３．５μｍ
・Ｓｎめっき層の厚み：３．０μｍ
【0119】
（ｄ）比較例の試料の仕様
比較例として、下地電極層上に脂肪酸を形成する処理を行わない、すなわち、下地電極層上に、Ｎｉめっき層、さらにＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成した積層セラミックコンデンサを準備した。従って、脂肪酸が存在していない点以外は、実施例１の構造と同等の設計とした。
比較例として、下地電極層上に脂肪酸を形成する処理を行わない、すなわち、下地電極層上に、Ｎｉめっき層、さらにＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成した積層セラミックコンデンサを準備した。従って、脂肪酸が存在していない点以外は、実施例１の構造と同等の設計とした。
【0120】
（ｅ）たわみ強度試験によるクラックの有無の確認方法
まず、試料である積層セラミックコンデンサを、半田ペーストを用いて１．６ｍｍの厚さの実装基板に実装した。その後、積層セラミックコンデンサの実装されていない実装基板の裏面から曲率半径１μｍの押し棒にて基板を曲げ、機械的ストレスをかけた。このとき、たわみ量は２ｍｍとし、６０秒間たわませた。なお、今回の試験では車載で要求されるＡＥＣ－Ｑ２００規格より厳しい条件とした。基板曲げを行った後、実装基板から積層セラミックコンデンサを外し、断面研磨を行い積層体の内部におけるクラックの有無を観察した。断面研磨は、積層セラミックコンデンサの第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの１／２Ｗとなる位置まで積層セラミックコンデンサのＬＴ面が露出するように研磨を行った。実施例１ないし実施例３、ならびに比較例の各試料として、それぞれ３０個準備した。
まず、試料である積層セラミックコンデンサを、半田ペーストを用いて１．６ｍｍの厚さの実装基板に実装した。その後、積層セラミックコンデンサの実装されていない実装基板の裏面から曲率半径１μｍの押し棒にて基板を曲げ、機械的ストレスをかけた。このとき、たわみ量は２ｍｍとし、６０秒間たわませた。なお、今回の試験では車載で要求されるＡＥＣ－Ｑ２００規格より厳しい条件とした。基板曲げを行った後、実装基板から積層セラミックコンデンサを外し、断面研磨を行い積層体の内部におけるクラックの有無を観察した。断面研磨は、積層セラミックコンデンサの第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの１／２Ｗとなる位置まで積層セラミックコンデンサのＬＴ面が露出するように研磨を行った。実施例１ないし実施例３、ならびに比較例の各試料として、それぞれ３０個準備した。
【0121】
（ｆ）結果
表１は、実施例１ないし実施例３、ならびに比較例の各試料に対するたわみ強度試験による積層体の内部におけるクラックの有無の確認を行った結果を示す。
表１は、実施例１ないし実施例３、ならびに比較例の各試料に対するたわみ強度試験による積層体の内部におけるクラックの有無の確認を行った結果を示す。
【0122】
【表1】
【0123】
表１によれば、比較例の試料では、たわみ強度試験において、３０個中１８個の試料に対して、積層体の内部へのクラックが確認された。
【0124】
一方、実施例１の試料では、下地電極層上のみに脂肪酸を存在させたところ、３０個中６個の試料に対して、積層体の内部へのクラックが確認され、比較例の試料に比べて、良好な結果が得られた。
また、実施例２の試料では、下地電極層上および積層体の表面に脂肪酸を存在させたところ、３０個中４個の試料に対して、積層体の内部へのクラックが確認され、実施例１の試料に比べて、より良好な結果が得られた。
さらに、実施例３の試料では、下地電極層上に脂肪酸が存在し、さらにその表面に下地電極層を覆うように導電性樹脂層を設けたところ、３０個中の試料に対して、積層体の内部へのクラックが確認されず、実施例１や実施例２の試料に比べて、より良好な結果が得られた。
また、実施例２の試料では、下地電極層上および積層体の表面に脂肪酸を存在させたところ、３０個中４個の試料に対して、積層体の内部へのクラックが確認され、実施例１の試料に比べて、より良好な結果が得られた。
さらに、実施例３の試料では、下地電極層上に脂肪酸が存在し、さらにその表面に下地電極層を覆うように導電性樹脂層を設けたところ、３０個中の試料に対して、積層体の内部へのクラックが確認されず、実施例１や実施例２の試料に比べて、より良好な結果が得られた。
【0125】
以上の結果から、実施例１の積層セラミックコンデンサの構造によれば、少なくとも下地電極層の表面上に脂肪酸を存在させることにより、脂肪酸のもつカルボキシ基がイオン化することで、イオン結合力により下地電極層に吸着し、吸着部において、下地電極層上に設けられるめっき層のめっきの析出が阻害され、下地電極層とめっき層との間の接合面積が減少させることができる。そのため、下地電極層とめっき層との密着力が低下するため下地電極層とその上に形成されるめっき層との剥離を促進する効果を発揮すると考えられる。
したがって、積層セラミックコンデンサに落下時の衝撃や熱サイクルの衝撃が加わった際に、下地電極層とめっき層との間で安定して剥離させることが可能となり応力を逃がすことが可能となる。結果、積層セラミックコンデンサの積層体にクラックが入ることを抑制することができることが確認された。
したがって、積層セラミックコンデンサに落下時の衝撃や熱サイクルの衝撃が加わった際に、下地電極層とめっき層との間で安定して剥離させることが可能となり応力を逃がすことが可能となる。結果、積層セラミックコンデンサの積層体にクラックが入ることを抑制することができることが確認された。
【0126】
なお、実施例１の積層セラミックコンデンサの構造では、特許文献１のような熱硬化性樹脂層を有していないため、コストの削減につながるだけでなく、熱硬化性樹脂層の厚み分の積層体の設計自由度が増すため、高容量化を実現することが可能となる。
【0127】
また、実施例２の積層セラミックコンデンサの構造によれば、外部電極の間の積層体の表面において脂肪酸を存在させることで、積層体とめっき層との間でクッションの役割を果たし、めっき層と積層体の表面との間において、密着しない領域を作ることができ、めっき層の先端部が積層体の表面から浮いた状態となり、剥離のきっかけをつくることができる。よって、下地電極層とめっき層との間の剥離をより安定して促進させることができることが確認された。
【0128】
さらに、実施例３の積層セラミックコンデンサの構造によれば、下地電極層上および外部電極の間の積層体の表面に脂肪酸を存在させ、さらに下地電極層を覆うように導電性樹脂層を形成しているので、導電性樹脂層が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサに対してクラックが発生することをより防止しうることが確認された。
【0129】
なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【0130】
１０ 積層セラミックコンデンサ
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ セラミック層
１６ 内部電極層
１６ａ 第１の内部電極層
１６ｂ 第２の内部電極層
１８ 内層部
２０ａ 第１の主面側外層部
２０ｂ 第２の主面側外層部
２２ａ 第１の側面側外層部
２２ｂ 第２の側面側外層部
２４ａ 第１の端面側外層部
２４ｂ 第２の端面側外層部
２６ａ 第１の対向電極部
２６ｂ 第２の対向電極部
２８ａ 第１の引出電極部
２８ｂ 第２の引出電極部
３０ 外部電極
３０ａ 第１の外部電極
３０ｂ 第２の外部電極
３２ 下地電極層
３２ａ 第１の下地電極層
３２ｂ 第２の下地電極層
３４ めっき層
３４ａ 第１のめっき層
３４ｂ 第２のめっき層
３６ 導電性樹脂層
３６ａ 第１の導電性樹脂層
３６ｂ 第２の導電性樹脂層
３８ 先端部
４０ 脂肪酸
５０ Ａｕコーティング層
１００ 実装基板
１０２ ランド電極
１１０ 半田
ｘ 高さ方向
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ セラミック層
１６ 内部電極層
１６ａ 第１の内部電極層
１６ｂ 第２の内部電極層
１８ 内層部
２０ａ 第１の主面側外層部
２０ｂ 第２の主面側外層部
２２ａ 第１の側面側外層部
２２ｂ 第２の側面側外層部
２４ａ 第１の端面側外層部
２４ｂ 第２の端面側外層部
２６ａ 第１の対向電極部
２６ｂ 第２の対向電極部
２８ａ 第１の引出電極部
２８ｂ 第２の引出電極部
３０ 外部電極
３０ａ 第１の外部電極
３０ｂ 第２の外部電極
３２ 下地電極層
３２ａ 第１の下地電極層
３２ｂ 第２の下地電極層
３４ めっき層
３４ａ 第１のめっき層
３４ｂ 第２のめっき層
３６ 導電性樹脂層
３６ａ 第１の導電性樹脂層
３６ｂ 第２の導電性樹脂層
３８ 先端部
４０ 脂肪酸
５０ Ａｕコーティング層
１００ 実装基板
１０２ ランド電極
１１０ 半田
ｘ 高さ方向
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】