特許 7495814 インプリント装置、および物品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-28

(45)【発行日】2024-06-05

(54)【発明の名称】インプリント装置、および物品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240529BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20240529BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

B29C59/02 Z

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2020084790

(22)【出願日】2020-05-13

(65)【公開番号】P2021180256

(43)【公開日】2021-11-18

【審査請求日】2023-04-26

(73)【特許権者】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西邑 直亮

【審査官】植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】特開昭６３－２６０１９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－０４１２１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０７６５５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１０２７３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／１４５９２４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１９－１８６４５６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｂ２９Ｃ ５９／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

パターン領域を有するモールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
前記インプリント材を吐出するディスペンサと、
を備え、
前記ステージの上面のうち前記基板を保持する保持領域の周囲には、前記インプリント材を硬化させる光の照度を検出するセンサと、前記ディスペンサから吐出された前記インプリント材を受けるための受容部と、前記ステージの位置を検出するためのマークとが設けられ、
前記ステージの前記上面は、前記ディスペンサの下方と前記モールドの下方との間での前記ステージの移動において前記パターン領域の下方を通過する第１領域と、前記移動において前記パターン領域の下方を通過しない第２領域を有し、前記センサ、前記受容部および前記マークは、前記第２領域に配置されており、
前記センサ、前記受容部および前記マークの少なくとも２つの間に前記第１領域が配置されている、ことを特徴とするインプリント装置。

【請求項2】

パターン領域を有するモールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
前記インプリント材を吐出するディスペンサと、
を備え、
前記ステージの上面のうち前記基板を保持する保持領域の周囲には、前記インプリント材を硬化させる光の照度を検出するセンサと、前記ディスペンサから吐出された前記インプリント材を受けるための受容部と、前記ステージの位置を検出するためのマークとが設けられ、
前記ステージの前記上面は、前記ディスペンサの下方と前記モールドの下方との間での前記ステージの移動において前記パターン領域の下方を通過する第１領域と、前記移動において前記パターン領域の下方を通過しない第２領域を有し、前記センサ、前記受容部および前記マークは、前記第２領域に配置されており、
前記ディスペンサは、前記モールドに対して第１方向側に配置され、
前記受容部は、前記ステージの前記上面において、前記センサおよび前記マークより前記第１方向側に配置されている、ことを特徴とするインプリント装置。

【請求項3】

前記センサ、前記受容部および前記マークは、前記ステージの前記上面において、前記保持領域より前記第１方向側に配置されている、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。

【請求項4】

前記ステージは、前記保持領域の周囲に設けられた周囲部材を含み、
前記センサ、前記受容部および前記マークは、前記周囲部材における前記第２領域に配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。

【請求項5】

前記周囲部材は、複数の部分部材を有し、前記複数の部分部材の間に形成される溝が前記第２領域に配置されるように構成されている、ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。

【請求項6】

パターン領域を有するモールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成する処理を行うインプリント装置であって、
前記基板を保持して移動可能なステージと、
前記インプリント材を吐出するディスペンサと、
前記ステージの移動を制御する制御部と、
を備え、
前記ステージの上面のうち前記基板を保持する保持領域の周囲には、前記インプリント材を硬化させる光の照度を検出するセンサと、前記ディスペンサから吐出された前記インプリント材を受けるための受容部と、前記ステージの位置を検出するためのマークとが設けられ、
前記制御部は、前記処理において、前記センサ、前記受容部および前記マークの少なくとも１つが前記パターン領域の下方を通過することを回避するように、前記ディスペンサの下方と前記モールドの下方との間での前記ステージの移動を制御する、ことを特徴とするインプリント装置。

【請求項7】

前記制御部は、前記ディスペンサの下方と前記モールドの下方との間での前記ステージの移動経路を、前記少なくとも１つが前記パターン領域の下方を通過することを回避するように決定し、当該移動経路に従って前記ステージの移動を制御する、ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。

【請求項8】

前記制御部は、前記ディスペンサの下方と前記モールドの下方との間を最短経路で前記ステージを移動させるときに前記少なくとも１つが前記パターン領域の下方を通過すると判断した場合に、前記移動経路を決定する、ことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。

【請求項9】

前記受容部および前記マークはそれぞれ、前記ステージの上面に形成された段差によって構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。

【請求項10】

前記センサは、前記ステージの上面に形成された凹部の中に配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。

【請求項11】

前記マークは、前記モールドに対する前記ステージの位置を検出するための第１マーク、および前記基板を搬送する搬送機構に対する前記ステージの位置を検出するための第２マークの少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。

【請求項12】

請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インプリント装置、および物品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

モールド（型）と基板上のインプリント材とを接触させた状態で該インプリント材を硬化させることにより基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置が、半導体デバイス等の量産用リソグラフィ装置の１つとして注目されている。インプリント装置では、基板上の硬化したインプリント材からモールドを引き離した際にモールドが帯電するため、その帯電による静電気力（クーロン力）がパーティクルに対して作用し、パーティクルがモールドに引き寄せられて付着しうる。このようにモールドにパーティクルが付着した状態でモールドを基板上のインプリント材に接触させてパターン形成を行うと、変形したパターンが形成されたり、モールドおよび／または基板が破損したりしうる。特許文献１には、パーティクルを捕集する捕集器（捕集面）を原版駆動部の周囲に設け、基板またはその周辺部材に付着しているパーティクルを捕集器により吸引し捕集することが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－９６６９７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

インプリント装置では、基板を保持するステージの上面に、センサやマーク等を配置するために隙間や段差（凹部）が形成されることがある。このような隙間や段差は、パーティクルが溜まりやすい上、特許文献１に記載された方法によってはパーティクルを除去しきれないため、隙間や段差に残ったパーティクルがモールドのパターン領域に付着する可能性がある。

【0005】

そこで、モールドのパターン領域へのパーティクルの付着を低減するために有利な技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、パターン領域を有するモールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板を保持して移動可能なステージと、前記インプリント材を吐出するディスペンサと、を備え、前記ステージの上面のうち前記基板を保持する保持領域の周囲には、前記インプリント材を硬化させる光の照度を検出するセンサと、前記ディスペンサから吐出された前記インプリント材を受けるための受容部と、前記ステージの位置を検出するためのマークとが設けられ、前記ステージの前記上面は、前記ディスペンサの下方と前記モールドの下方との間での前記ステージの移動において前記パターン領域の下方を通過する第１領域と、前記移動において前記パターン領域の下方を通過しない第２領域を有し、前記センサ、前記受容部および前記マークは、前記第２領域に配置されており、前記センサ、前記受容部および前記マークの少なくとも２つの間に前記第１領域が配置されている、ことを特徴とする。

【0007】

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、例えば、モールドのパターン領域へのパーティクルの付着を低減するために有利な技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】インプリント装置の構成を示す概略図

【図2】基板ステージの上面図

【図3】基板ステージの断面図

【図4】インプリント処理を示すフローチャート

【図5】クリーニング処理を実施している様子を示す図

【図6】従来のインプリント処理における基板ステージの移動の制御例を示す図

【図7】第１実施形態のインプリント処理における基板ステージの移動の制御例を示す図

【図8】基板ステージの上面における累積通過領域を示す図

【図9】第２実施形態の周囲部材におけるセンサ等の配置例を示す図

【図10】第３実施形態の周囲部材の構成およびセンサ等の配置例を示す図

【図11】物品の製造方法を示す図

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

【0011】

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。例えば、インプリント装置は、基板上に液状のインプリント材を供給し、凹凸のパターンが形成されたモールド（型）を基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化させる。そして、モールドと基板との間隔を広げて、硬化したインプリント材からモールドを剥離（離型）することで、基板上のインプリント材にモールドのパターンを転写することができる。このような一連の処理は「インプリント処理」と呼ばれ、基板における複数のショット領域の各々について行われる。

【0012】

インプリント材には、硬化用のエネルギが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。

【0013】

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。

【0014】

インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

【0015】

［インプリント装置の構成］
本実施形態のインプリント装置１００の構成について図１～図３を参照しながら説明する。図１は、本実施形態のインプリント装置１００の構成を示す概略図である。図２（ａ）は、基板ステージＳＴの上面図であり、図２（ｂ）は、基板チャック２および周囲部材３を取り除いた状態の基板ステージＳＴの上面図（即ち、図１のＡ－Ａ断面図）である。また、図３（ａ）は、図２（ａ）に示す基板ステージＳＴのＢ－Ｂ断面図であり、図３（ｂ）は、図２（ａ）に示す基板ステージＳＴのＣ－Ｃ断面図である。以下の説明において、基板１の上面に平行な面内において互いに直交する方向をＸ方向およびＹ方向とし、基板１の面に垂直な方向をＺ方向とする。なお、「Ｘ方向」とは、＋Ｘ方向よび－Ｘ方向を含むものとして定義されうる。「Ｙ方向」および「Ｚ方向」についても同様である。

【0016】

本実施形態のインプリント装置１００は、例えば、基板１を保持して移動可能な基板ステージＳＴと、モールド１０を保持するインプリントヘッドＩＨと、照射部１５と、第１計測部１６と、第２計測部１７と、供給部１８と、制御部１９とを含みうる。制御部１９は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、インプリント装置１００の各部を制御するとともに、基板１における複数のショット領域の各々に対するインプリント処理を制御する。

【0017】

モールド１０は、通常、石英など紫外線を透過することが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域（パターン領域１１）には、基板上のインプリント材に転写されるべき凹凸パターンが形成されている。パターン領域１１は、例えば数十μｍ程度の段差で構成されたメサ形状を有している。また、基板１としては、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板１としては、具体的に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の付与前に、必要に応じて、インプリント材と基板との密着性を向上させるために密着層を設けてもよい。

【0018】

基板ステージＳＴは、基板１を保持して移動可能に構成される。基板ステージＳＴは、例えば、真空保持などにより基板１を保持する基板チャック２と、基板チャック２を支持して定盤８の上をＸＹ方向に移動可能な可動部４とを含みうる。可動部４には、定盤８に向かって圧縮空気を噴出することで可動部４を定盤８から浮上させるためのエアガイド２１が備えられている。これにより、可動部４は、定盤８から浮上した状態で、定盤８の上面に沿ってＸＹ方向に移動することができる。また、可動部４は、駆動機構ＤＭによって駆動される。駆動機構ＤＭは、ビーム部材５と、第１駆動部６と、第２駆動部７とを含みうる。

【0019】

ビーム部材５は、Ｘ方向への可動部４の移動をガイド（案内）するためにＸ方向に延伸した部材であり、可動部４に設けられた開口（凹部）を貫通するように配置されている。ビーム部材５は、可動部４の移動をガイドするガイド部分５ａと、該ガイド部分５ａの両端（Ｘ方向）において該ガイド部分５ａを支持する支持部分５ｂとを含みうる。支持部分５ｂには、後述する第２駆動部７の可動子７ｂが設けられるとともに、エアガイド２２、２３が備えられている。エアガイド２２は、ビーム部材５を定盤８から浮上させるために定盤８に向かって圧縮空気を噴出し、エアガイド２３は、Ｘ方向においてビーム部材５を位置決めするために第２駆動部７の固定子７ａに向かって圧縮空気を噴出する。また、可動部４に設けられた開口の側面（ビーム部材５側の面）にはエアガイド２４が備えられており、ビーム部材５（ガイド部分５ａ）の側面に向かって圧縮空気を噴出することで、ビーム部材５に対して可動部４を位置決めすることができる。

【0020】

第１駆動部６は、可動部４をビーム部材５に沿ってＸ方向に駆動する。第１駆動部６は、例えば、Ｘ方向に沿って配列された複数のコイルを有する固定子６ａと、永久磁石を有する可動子６ｂとで構成されたリニアモータを含みうる。本実施形態では、図２（ｂ）に示すように、第１駆動部６の固定子６ａはビーム部材５（ガイド部分５ａ）に設けられており、可動子６ｂは可動部４に設けられている。また、第２駆動部７は、ビーム部材５をＹ方向に駆動する。第２駆動部７は、例えば、Ｙ方向に沿って配列された複数のコイルを有する固定子７ａと、永久磁石を有する可動子７ｂとで構成されたリニアモータを含みうる。本実施形態では、第２駆動部７の可動子７ｂは、ビーム部材５の支持部分５ｂに設けられている。

【0021】

インプリントヘッドＩＨは、例えば、モールドチャック１２と、モールドステージ１３と、モールド駆動部１４とを含みうる。モールドチャック１２は、モールドステージ１３によって支持されており、真空保持などによりモールド１０を保持する。モールドチャック１２およびモールドステージ１３には、照射部１５からの光を通過させるための開口（不図示）が設けられている。また、モールドステージ１３には、基板ステージＳＴによって保持された基板１の高さを検出するセンサ２０や、モールド１０を基板上のインプリント材に押印（押圧）したときの圧力を検出するロードセル（不図示）などが設けられてもよい。

【0022】

モールド駆動部１４は、モールド昇降用のアクチュエータを含み、モールドチャック１２およびモールドステージ１３とともにモールド１０をＺ方向に駆動する。具体的には、モールド駆動部１４は、モールド１０と基板上のインプリント材とを接触させたり、硬化したインプリント材からモールド１０を剥離（離型）したりするように、モールド１０をＺ方向に駆動する機能を有する。また、モールド駆動部１４は、モールド１０の傾き（姿勢）を基板に合わせて補正する機能を有してもよい。

【0023】

照射部（硬化部）１５は、モールド１０と基板上のインプリント材とが接触している状態で、モールド１０を介してインプリント材に光（例えば紫外光）を照射し、インプリント材を硬化させる。照射部１５は、例えば、光源と、光源から射出された光を整形する光学系（コリメータレンズ等）とを含みうる。

【0024】

第１計測部１６は、例えばモールドステージ１３に設けられたＴＴＭ（Through The Mold）スコープを含みうる。具体的には、第１計測部１６は、モールド１０に設けられたアライメントマークを介して、基板ステージＳＴ（周囲部材３）に設けられた基準マーク、および／または基板１に設けられたアライメントマークを検出するための光学系および撮像系を有する。そして、第１計測部１６は、ＴＴＭスコープでの検出結果に基づいて、ＸＹ方向におけるモールド１０と基板１（各ショット領域）との相対位置、および／またはモールド１０と基板ステージＳＴとの相対位置を計測する。

【0025】

第２計測部１７は、モールド１０を介さずに、基板ステージＳＴ（周囲部材３）に設けられた基準マーク、および／または基板１に設けられたアライメントマークを検出するための光学系および撮像系を有するオフアクシススコープを含みうる。そして、第２計測部１７は、オフアクシススコープでの検出結果に基づいて、ＸＹ方向におけるモールド１０と基板１（各ショット領域）との相対位置、および／またはモールド１０と基板ステージＳＴとの相対位置を計測する。これにより、制御部１９は、第１計測部１６での計測結果および／または第２計測部１７での計測結果に基づいて、モールド１０と基板１との位置合わせを制御することができる。

【0026】

供給部１８は、インプリント材（例えば、光硬化型の樹脂）を吐出する吐出口を有するディスペンサを含み、ディスペンサにインプリント材を吐出（滴下）させることにより基板上にインプリント材を供給する。供給部１８（ディスペンサ）は、例えばピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用し、基板ステージＳＴによりＸＹ方向に基板１が移動している状態で、微小な容積を有する複数の液滴としてインプリント材を吐出する。これにより、供給部１８は、基板上（各ショット領域上）にインプリント材を供給することができる。

【0027】

ここで、本実施形態のインプリント装置１００では、基板チャック２（基板１の保持領域）の周囲に周囲部材３が設けられている。周囲部材３は、パージプレートもしくは同面板とも呼ばれ、可動部４により支持されているとともに、その上面が基板１の上面と同一平面になるようにＺ軸方向の位置が調整されている。周囲部材３を設けることにより、モールド１０の凹凸パターンへのインプリント材の充填性を向上させるためにモールド１０と基板１との間に供給される充填促進ガス（例えばヘリウム）の濃度を均一化することができる。また、周囲部材３を設けることにより、基板１の周囲においてモールド１０の下方に形成される隙間を小さくすることができる。そのため、外部空間からモールド１０と基板１との間にパーティクルを入り込みにくくし、モールド１０のパターン領域１１にパーティクルが付着することを低減することができる。

【0028】

また、周囲部材３の上面には、複数の機能部材が設けられる。本実施形態では、機能部材として、例えば、センサ３３と、受容部３５と、基準マークとが周囲部材３の上面に設けられる。

【0029】

センサ３３は、インプリント材を硬化させるために照射部１５から射出された硬化光の照度を検出する照度計であり、図３（ａ）に示すように、その上面が基板１の上面と同一平面になるように、周囲部材３の上面に形成された開口３４の内部に配置される。これにより、硬化光の照度計測を基板１と同一の高さで精度よく行うことができる。受容部３５は、供給部１８（ディスペンサ）から予備吐出されたインプリント材を受けるための受け皿であり、図３（ｂ）に示すように、周囲部材３の上面に形成された段差（凹部）によって構成されうる。周囲部材３の受容部３５に対して供給部１８からインプリント材を吐出させる予備吐出を定期的に行うことにより、基板１に対するインプリント処理の際に供給部１８から安定的にインプリント材を吐出させることができる。

【0030】

基準マークは、基板ステージＳＴの位置を検出するためのマークであり、第１基準マーク３１（第１マーク）と第２基準マーク３６（第２マーク）とを含みうる。第１基準マーク３１は、モールド１０に対する基板ステージＳＴの位置を検出するためにマークであり、図３（ａ）に示すように、その上面が基板１の上面と同一平面になるように、周囲部材３の上面に形成された開口３２の内部に配置される。この第１基準マーク３１を第１計測部１６および／または第２計測部１７により検出することで、モールド１０に対する基板ステージＳＴの位置を精度よく検出することができる。第２基準マーク３６は、基板１を搬送する基板搬送機構（不図示）に対する基板ステージＳＴの位置を検出するためのマークであり、図３（ｂ）に示すように、周囲部材３の上面に形成された段差（凹部）によって構成されうる。この第２基準マーク３６を、基板搬送機構に設けられたカメラ等により検出することで、基板搬送機構に対する基板ステージＳＴの位置を精度よく検出することができる。

【0031】

［インプリント処理］
上述した本実施形態のインプリント装置１００で行われるインプリント処理について説明する。図４は、本実施形態のインプリント処理を示すフローチャートである。図４に示すフローチャートの各工程は、制御部１９によって制御されうる。

【0032】

ステップＳ１１では、制御部１９は、基板搬送機構（不図示）を用いて、基板ステージＳＴの基板チャック２の上に基板１を搬入し、基板１を保持するように基板チャック２を制御する。また、この際、制御部１９は、基板搬送機構のカメラ等に基板ステージＳＴ（周囲部材３）の第２基準マーク３６を検出させることにより、基板搬送機構に対する基板ステージＳＴの位置を確認させ、安定した基板１の搬送を行うことができる。

【0033】

ステップＳ１２では、制御部１９は、基板１の各ショット領域に設けられたマーク（アライメントマーク）の位置を第２計測部１７に計測させ、基板ステージＳＴに対する基板１の各ショット領域の位置情報を取得する。制御部１９は、基板１における全ショット領域についてマークの位置を第２計測部１７に計測させることで該位置情報を取得してもよいし、幾つかのサンプルショット領域についてマークの位置を第２計測部１７に計測させることで該位置情報を取得してもよい。また、制御部１９は、第２計測部１７で計測された各マークの位置に基づいて、各ショット領域の形状や姿勢（向き）に関する情報を求めてもよい。ここで、制御部１９は、インプリント処理の前段階において、第２計測部１７に基板ステージＳＴ（周囲部材３）の第１基準マーク３１を検出させるとよい。これにより、第２計測部１７に対する基板ステージＳＴの位置を把握（確認）し、基板ステージＳＴに対する基板１の各マークの位置情報を精度よく取得することができる。

【0034】

ステップＳ１３では、制御部１９は、供給部１８により、基板１における複数のショット領域のうちインプリント処理を行う対象ショット領域上にインプリント材を供給する。例えば、制御部１９は、供給部１８の下方に対象ショット領域が配置されるように基板ステージＳＴにより基板１を移動させた後、供給部１８と基板１とを相対的に移動させながら供給部１８にインプリント材を吐出させる。これにより、対象ショット領域上にインプリント材を供給することができる。

【0035】

ステップＳ１４では、制御部１９は、モールド１０のパターン領域１１と基板１の対象ショット領域上のインプリント材とを接触させる。例えば、制御部１９は、ステップＳ１２で取得した各ショット領域の位置情報に基づいて、モールド１０（パターン領域１１）の下方に対象ショット領域が配置されるように基板ステージＳＴにより基板１を移動させる。そして、制御部１９は、インプリントヘッドＩＨ（モールド駆動部１４）によりモールド１０を－Ｚ方向に駆動してモールド１０と基板１との間隔を狭め、モールド１０のパターン領域１１と基板１の対象ショット領域上のインプリント材とを接触させる。ここで、制御部１９は、インプリント処理の前段階において、第１計測部１６に基板ステージＳＴ（周囲部材３）の第１基準マーク３１を検出させるとよい。これにより、インプリントヘッドＩＨ（モールド１０）に対する基板ステージＳＴの位置を把握（確認）し、モールド１０のパターン領域１１の下方に基板１の対象ショット領域を精度よく配置することができる。

【0036】

ステップＳ１５では、制御部１９は、モールド１０のパターン領域１１と基板１の対象ショット領域との位置合わせを行う。例えば、制御部１９は、モールド１０のパターン領域に設けられたアライメントマークと基板１の対象ショット領域に設けられたアライメントマークとの相対位置を第１計測部１６に計測させる。そして、第１計測部１６で計測された相対位置が目標相対位置になるように、モールド１０のパターン領域１１と基板１の対象ショット領域との位置合わせを行う。

【0037】

ステップＳ１６では、制御部１９は、モールド１０のパターン領域１１と基板１の対象ショット領域上のインプリント材とが接触している状態で、照射部１５によりインプリント材に硬化光を照射して該インプリント材を硬化させる。ここで、制御部１９は、インプリント処理の前段階において、基板ステージＳＴを移動させながら、基板ステージＳＴ（周囲部材３）のセンサ３３に照射部１５からの硬化光の照射強度および照射分布を計測させるとよい。これにより、センサ３３での計測結果に基づいて、インプリント材への硬化光の照射光量を精度よく制御することができる。

【0038】

ステップＳ１７では、制御部１９は、インプリントヘッドＩＨ（モールド駆動部１４）によりモールド１０を＋Ｚ方向に駆動してモールド１０と基板１との間隔を広げ、硬化したインプリント材からモールド１０を剥離する（剥離処理）。これにより、モールド１０のパターン領域１１に形成された凹凸パターンが基板１の対象ショット領域上のインプリント材に転写され、インプリント材のパターンを対象ショット領域上に形成することができる。

【0039】

ステップＳ１８では、制御部１９は、次にインプリント処理を行うべきショット領域（次のショット領域）が基板１にあるか否かを判断する。次のショット領域がある場合にはステップＳ１３に進み、次のショット領域がない場合にはステップＳ１９に進む。ステップＳ１９では、制御部１９は、基板搬送機構（不図示）を用いて、基板ステージＳＴの基板チャック２から基板１を搬出する。

【0040】

［パーティクルの除去］
インプリント装置１００でインプリント処理を安定して実施するためには、基板１およびモールド１０のパターン領域１１へのパーティクルの付着を低減することが好ましい。そのため、インプリント装置１００では、基板ステージＳＴ上のパーティクルを除去するためのクリーニング処理が定期的に行われる。クリーニング処理は、一例として、図５に記載されているように、モールド１０の周辺に捕集器４１（捕集面）を設け、捕集器４１と基板ステージＳＴの上面と対向させた状態で捕集器４１と基板ステージＳＴとを相対移動させる。捕集器４１には、基板ステージＳＴ（周囲部材３）との間に電界を発生させるための電位が供給され、この電界により基板ステージＳＴ上のパーティクルを捕集器４１に吸引して捕集することができる。

【0041】

図５（ａ）は、図２（ａ）のＢ－Ｂ断面図であり、周囲部材３における第１基準マーク３１およびセンサ３３を含む経路上を捕集器４１を移動させてクリーニング処理を実施している様子を表している。 図５（ａ）の左図は、捕集器４１によるクリーニング処理を実施する前の段階を表しており、周囲部材３の上面にはパーティクル４２が存在している。また、第１基準マーク３１およびセンサ３３は、周囲部材３の上面に形成された開口３２、３４の内部にそれぞれ配置されているため、第１基準マーク３１と開口３２との隙間、およびセンサ３３と開口３４との隙間にもパーティクル４３が存在している。基板ステージＳＴを矢印方向に駆動して、捕集器４１を基板ステージＳＴ（周囲部材３）の上面に対して相対的に移動させることにより、周囲部材３の上面のクリーニング処理を実施することができる。

【0042】

図５（ａ）の右図は、捕集器４１によるクリーニング処理を実施した後の段階を表している。周囲部材３の上面に存在していたパーティクル４２については、捕集器４１との距離が短いため捕集器４１によって捕集することができる。一方で、第１基準マーク３１およびセンサ３３が配置されている開口３２、３４の隙間に存在しているパーティクル４３については、捕集器４１との距離が長いため、捕集器４１で十分な吸引力が得られず、捕集面４１によって捕集することが困難になる。捕集部４１は電界によりパーティクルの吸引を行っているので、パーティクルとの距離が長くなると距離の２乗に反比例して吸引力が落ちてしまう。この距離に依存した吸引力の低下により第１基準マーク３１と開口３２の隙間、およびセンサ３３と開口３４の隙間にはパーティクル４３が残ってしまう。

【0043】

同様に、図５（ｂ）は、図２（ａ）のＣ－Ｃ断面図であり、周囲部材３における受容部３５および第２基準マーク３６を含む経路上を捕集器４１を移動させてクリーニング処理を実施している様子を表している。 図５（ｂ）の左図は、捕集器４１によるクリーニング処理を実施する前の段階を表しており、周囲部材３の上面にはパーティクル４４が存在し、受容部３５および第２基準マーク３６を構成する段差（凹部）にはパーティクル４５が存在している。基板ステージＳＴを矢印方向に駆動して、捕集器４１を基板ステージＳＴ（周囲部材３）の上面に対して相対的に移動させることにより、周囲部材３の上面のクリーニング処理を実施することができる。

【0044】

図５（ｂ）の右図は、捕集器４１によるクリーニング処理を実施した後の段階を表している。周囲部材３の上面に存在していたパーティクル４４については、捕集器４１によって捕集することができる。一方で、受容部３５および第２基準マーク３６ついては、周囲部材３の上面に形成された段差（凹部）によって構成されており、捕集器４１との距離が長く、捕集器４１によって捕集することが困難になる。特に、受容部３５および第２基準マーク３６を構成する段差（凹部）の隅部に付着したパーティクル４５は２つの面に対して付着しているので、捕集面４１での捕集がより困難になりうる。

【0045】

このように捕集器４１を用いたクリーニング処理では、第１基準マーク３１と開口３２との隙間、センサ３３と開口３４との隙間、受容部３５および第２基準マークを構成する段差（凹部）では、パーティクルを除去しきれず、パーティクルが残りやすい。ここで、上記の例では、捕集器４１に静電気力を発生させるクリーニング方法を記載したが、捕集器４１にエアー吸引力や磁力を発生させるクリーニング方法であってもよい。いずれの方法においても、捕集器４１とパーティクルとの距離に応じて捕集能力が低下してしまうので同様の結果となる。また、ワイプ等を用いて周囲部材３上のパーティクルを拭き取るクリーニング方法においても同様に、周囲部材３の隙間・段差(凹部)の拭き取りを行うことは困難である。

【0046】

本実施形態のインプリント処理では、ステップＳ１７において基板上の硬化したインプリント材からモールド１０を剥離した際に、モールド１０が帯電しうる（これは、剥離帯電と呼ばれる）。そのため、クリーニング処理において捕集器４１により捕集することができずに周囲部材３に残ったパーティクル４３、４５は、剥離帯電したモールド１０のパターン領域１１が上方を通過した際に、パターン領域１１に付着する可能性がある。また、基板ステージＳＴはＸＹ方向に加減速駆動しているため、ステージ駆動時の加減速度によってパーティクル４３、４５に慣性力が加わり、剥離帯電したモールド１０のパターン領域１１にパーティクル４３、４５がより付着しやすくなってしまう。剥離帯電したモールド１０の下方に気体供給部（不図示）によって気体の流れを形成している場合も同様である。気体供給部により形成された気体の流れでパーティクル４３、４５に力が加わるため、剥離帯電したモールド１０のパターン領域１１にパーティクル４３、４５がより付着しやすくなってしまう。

【0047】

そこで、本実施形態の制御部１９は、クリーニング処理では除去しきれずに周囲部材３に残ったパーティクルがモールド１０のパターン領域１１に付着することを回避するように、インプリント処理における基板ステージＳＴの移動を制御する。具体的には、制御部１９は、センサ３３、受容部３５、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６の少なくとも１つがモールド１０のパターン領域１１の下方を通過することを回避するように、インプリント処理における基板ステージＳＴの移動を制御する。インプリント処理における基板ステージＳＴの移動は、供給部１８（ディスペンサ）の下方とモールド１０（パターン領域１１）の下方との間での基板ステージＳＴの移動を含む。以下では、本実施形態のインプリント処理における基板ステージＳＴの移動制御について、従来のインプリント処理における基板ステージＳＴの移動制御と比較しながら説明する。

【0048】

［従来の基板ステージの移動制御］
まず、従来のインプリント処理における基板ステージＳＴの移動制御について説明する。図６は、基板１および周囲部材３を上方（＋Ｚ方向側）から見た図であり、従来のインプリント処理における基板ステージＳＴの移動の制御例を示している。図６では、基板１における複数のショット領域のうちショット領域Ｓｈ１～Ｓｈ４に対して順番にインプリント処理を行う例を示しており、モールド１０のパターン領域１１および供給部１８（ディスペンサ）の位置もあわせて図示されている。なお、図６では、基板１におけるショット領域Ｓｈ１～Ｓｈ４を単に数字のみで表している。

【0049】

図６（１－ａ）は、ショット領域Ｓｈ１のインプリント処理（剥離処理）が完了した段階であり、モールド１０（パターン領域１１）が剥離帯電している状態である。そして、図６（１－ｂ）に示すように、供給部１８によりショット領域Ｓｈ２上にインプリント材を供給するため、ショット領域Ｓｈ２が供給部１８の下方に配置されるように基板ステージＳＴを移動させる。図６（１－ｂ）には、基板ステージＳＴの上面のうち、当該基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１の下方を通過する通過領域５１ａが示されている。通過領域５１ａは、パーティクルが残りやすい隙間や段差（凹部）が生じるセンサ３３、受容部３５、第１基準マーク３１および第２基準マークを含まない平面であり、事前のクリーニング処理によりパーティクルの除去が行われている。そのため、本工程での基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン１１にパーティクルが付着する可能性は低い。

【0050】

ショット領域Ｓｈ２上へインプリント材を供給した後、図６（１－ｃ）に示すように、ショット領域Ｓｈ２がモールド１０のパターン領域１１の下方に配置されるように基板ステージＳＴを移動させる。図６（１－ｃ）には、基板ステージＳＴの上面のうち、当該基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１の下方を通過する通過領域５１ｂが示されている。通過領域５１ｂも、通過領域５１ａと同様に、センサ３３等を含まない平面であり、事前のクリーニング処理によりパーティクルの除去が行われている。そのため、本工程での基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン１１にパーティクルが付着する可能性は低い。

【0051】

図６（２－ａ）は、ショット領域Ｓｈ２のインプリント処理（剥離処理）が完了した段階である。そして、図６（２－ｂ）に示すように、供給部１８によりショット領域Ｓｈ３上にインプリント材を供給するため、ショット領域Ｓｈ３が供給部１８の下方に配置されるように基板ステージＳＴを移動させる。図６（２－ｂ）には、基板ステージＳＴの上面のうち、当該基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１の下方を通過する通過領域５１ｃが示されている。また、ショット領域Ｓｈ３上へインプリント材を供給した後、図６（２－ｃ）に示すように、ショット領域Ｓｈ３がモールド１０のパターン領域１１の下方に配置されるように基板ステージＳＴを移動させる。図６（２－ｃ）には、基板ステージＳＴの上面のうち、当該基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１の下方を通過する通過領域５１ｄが示されている。通過領域５１ｃおよび５１ｄのいずれも、パーティクルが残りやすい隙間が生じる第１基準マーク３１を含んでいるため、基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン１１にパーティクルが付着する可能性が高い。

【0052】

同様に、図６（３－ａ）は、ショット領域Ｓｈ３のインプリント処理（剥離処理）が完了した段階である。そして、図６（３－ｂ）に示すように、供給部１８によりショット領域Ｓｈ４上にインプリント材を供給するため、ショット領域Ｓｈ４が供給部１８の下方に配置されるように基板ステージＳＴを移動させる。図６（３－ｂ）には、基板ステージＳＴの上面のうち、当該基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１の下方を通過する通過領域５１ｅが示されている。また、ショット領域Ｓｈ４上へインプリント材を供給した後、図６（３－ｃ）に示すように、ショット領域Ｓｈ４がモールド１０のパターン領域１１の下方に配置されるように基板ステージＳＴを移動させる。図６（３－ｃ）には、基板ステージＳＴの上面のうち、当該基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１の下方を通過する通過領域５１ｆが示されている。通過領域５１ｅおよび５１ｆのいずれも、パーティクルが残りやすい隙間が生じる第１基準マーク３１を含んでいるため、基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン１１にパーティクルが付着する可能性が高い。

【0053】

［本実施形態の基板ステージの移動制御］
次に、本実施形態のインプリント処理における基板ステージＳＴの移動制御について説明する。図７は、基板１および周囲部材３を上方（＋Ｚ方向側）から見た図であり、本実施形態のインプリント処理における基板ステージＳＴの移動の制御例を示している。図７では、図６と同様に、基板１における複数のショット領域のうちショット領域Ｓｈ１～Ｓｈ４に対して順番にインプリント処理を行う例を示しており、モールド１０のパターン領域および供給部１８（ディスペンサ）の位置もあわせて図示されている。なお、図７（１－ａ）～（３－ｃ）は、図６（１－ａ）～（３－ｃ）にそれぞれ対応している。また、図７においても、図６と同様に、基板１におけるショット領域Ｓｈ１～Ｓｈ４を単に数字のみで表している。

【0054】

図７には、基板ステージＳＴの上面のうち、基板ステージＳＴ移動においてモールド１０のパターン領域１１の下方を通過する通過領域５２ａ～５２ｆが図示されている。本実施形態の基板ステージＳＴの移動制御（図７）は、従来の基板ステージＳＴの移動制御（図６）と比べ、供給部１８の下方とモールド１０の下方との間における基板ステージＳＴの移動経路が異なる。つまり、本実施形態のインプリント処理では、センサ３３、受容部３５、第１基準マーク３１および第２基準マークの少なくとも１つがモールド１０のパターン領域１１の下方を通過することを回避するように、基板ステージＳＴの移動を制御している。

【0055】

図７（１－ａ）～（１－ｃ）は、ショット領域Ｓｈ１のインプリント処理（剥離処理）が完了してから、供給部１８によりショット領域Ｓｈ２上にインプリント材を供給するために基板ステージＳＴを移動させる工程を示している。図７（１－ｂ）～（１－ｃ）には、基板ステージＳＴの上面のうち、基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１の下方を通過する通過領域５２ａ、５２ｂがそれぞれ示されている。通過領域５１ａおよび５１ｂのいずれも、パーティクルが残りやすい隙間や段差が生じるセンサ３３等を含まないため、基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン１１にパーティクルが付着する可能性は低い。

【0056】

図７（２－ａ）～（２－ｃ）は、ショット領域Ｓｈ２のインプリント処理（剥離処理）が完了してから、供給部１８によりショット領域Ｓｈ３上にインプリント材を供給するために基板ステージＳＴを移動させる工程を示している。この工程において、図６（２－ａ）～（２－ｃ）に示す従来のインプリント処理のように基板ステージＳＴを移動させると、上述したようにモールド１０のパターン領域１１にパーティクルが付着する可能性が高くなる。そこで、本実施形態のインプリント処理では、センサ３３等がモールド１０のパターン領域１１の下方を通過することを回避するように、基板ステージＳＴの移動を制御する。

【0057】

例えば、制御部１９は、供給部１８の下方とモールド１０の下方との間での基板ステージＳＴの移動経路を、センサ３３等がモールド１０のパターン領域１１の下方を通過することを回避するように決定する。そして、決定した移動経路に従って基板ステージＳＴの移動を制御しうる。この場合において、制御部１９は、従来のインプリント処理のように供給部１８の下方とモールド１０の下方との間を最短経路で基板ステージＳＴを移動させるときにモールド１０のパターン領域１１の下方をセンサ３３等が通過するか否かを判断する。そして、最短経路ではパターン領域１１の下方をセンサ３３等が通過すると判断した場合に、センサ３３等がパターン領域１１の下方を通過することを回避するための基板ステージＳＴの移動経路を決定しうる。

【0058】

供給部１８の下方にショット領域Ｓｈ３を配置する場合には、図７（２－ｂ）の通過領域５２ｃで示すように、基板ステージＳＴを＋Ｘ方向に移動させた後に＋Ｙ方向に移動させる。また、モールド１０のパターン領域１１の下方にショット慮域Ｓｈ３を配置する場合には、図７（２－ｃ）の通過領域５２ｄで示すように、基板ステージＳＴを－Ｙ方向に移動させた後、＋Ｘ方向に移動させて－Ｙ方向に移動させる。このように基板ステージＳＴを移動させることにより、センサ３３等がモールド１０のパターン領域１１の下方を通過することを回避し、パターン領域１１にパーティクルが付着する可能性を低下させることができる。

【0059】

図７（３－ａ）～（３－ｃ）は、ショット領域Ｓｈ３のインプリント処理（剥離処理）が完了してから、供給部１８によりショット領域Ｓｈ４上にインプリント材を供給するために基板ステージＳＴを移動させる工程を示している。この工程においても、通過領域５２ｅ、５２ｆで示すように、センサ３３等がモールド１０のパターン領域１１の下方を通過することを回避するように、基板ステージＳＴの移動を制御する。これにより、パターン領域１１にパーティクルが付着する可能性を低下させることができる。

【0060】

図８は、基板ステージＳＴの上面において、複数のショット領域に対するインプリント処理でモールドのパターン領域１１の下方を通過した通過領域の累積結果（以下では、累積通過領域と呼ぶことがある）を示している。図８（ａ）は、従来のインプリント処理における累積通過領域５１を示しており、図８（ｂ）は、本実施形態のインプリント処理における累積通過領域５２を示している。図８（ａ）に示す従来のインプリント処理では、累積通過領域５１に第１基準マーク３１および受容部３５が含まれているため、モールド１０のパターン領域１１にパーティクルが付着する可能性が高い。一方、図８（ｂ）に示す本実施形態のインプリント処理では、累積通過領域５２にセンサ３３等が含まれていないため、モールド１０のパターン領域１１にパーティクルが付着する可能性を低下させることができる。

【0061】

上述したように、本実施形態のインプリント装置１００は、センサ３３等がモールド１０のパターン領域１１の下方を通過することを回避するように、供給部１８の下方とモールド１０の下方との間での基板ステージＳＴの移動を制御している。これにより、モールド１０のパターン領域１１にパーティクルが付着する可能性を低下させ、基板上に形成されたインプリント材のパターンに変形が生じたり、モールド１０および／または基板１が破損したりすることを低減することができる。ここで、本実施形態では、周囲部材３に設けられる機能部材として、センサ３３、受容部３５、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６を例示したが、それに限られず、他の部材を周囲部材３に設けてもよい。例えば、何らかの機構や部材を周囲部材３に設けたときに隙間や段差が生じた場合、制御部１９は、モールド１０のパターン領域１１の下方を当該隙間や段差が通過することを回避するように、基板ステージＳＴの移動を制御しうる。

【0062】

＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態について説明する。第１実施形態では、センサ３３等の複数の機能部品がモールド１０のパターン領域１１の下方を通過することを回避するように、インプリント処理における基板ステージＳＴの移動を制御する例について説明した。一方、本実施形態では、センサ３３等の複数の機能部材を、基板ステージＳＴの移動の際にモールド１０のパターン領域１１の下方を通過しないように基板ステージＳＴ（周囲部材３）の上面に配置する例に説明する。なお、本実施形態は、以下で特に言及しない限り第１実施形態のインプリント装置１００の構成を基本的に引き継ぐものである。

【0063】

本実施形態のインンプリント装置１００では、基板ステージＳＴ（周囲部材３）の上面において、第１領域５３とそれとは異なる第２領域５４とが設定される。第１領域５３は、供給部１８（ディスペンサ）の下方とモールド１０の下方との間での基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１の下方を通過する領域である。第２領域５４は、供給部１８（ディスペンサ）の下方とモールド１０の下方との間での基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１の下方を通過しない領域である。そして、センサ３３、受容部３５、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６は、第２領域５４に配置される。これにより、クリーニング処理では除去しきれずに周囲部材３に残ったパーティクルがモールド１０のパターン領域１１に付着する可能性を低減することができる。

【0064】

図９（ａ）～（ｂ）は、基板１および周囲部材３を上方（＋Ｚ方向側）から見た図であり、本実施形態の周囲部材３におけるセンサ３３等の配置例を示す図である。本実施形態の周囲部材３の上面には、第１実施形態と同様に、センサ３３、受容部３５、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６が機能部材として設けられている。また、図９（ａ）～（ｂ）では、基板ステージＳＴの上面のうち、供給部１８の下方とモールド１０の下方との間での基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１が通過する通過領域が、第１領域５３として図示されている。第１領域５３は、例えば、図８（ａ）に示した従来のインプリント処理における累積通過領域５１に対応する領域である。また、基板ステージＳＴの上面のうち、第１領域５３以外の領域は、供給部１８の下方とモールド１０の下方との間での基板ステージＳＴの移動においてモールド１０のパターン領域１１が通過しない第２領域５４である。

【0065】

図９（ａ）～（ｂ）に示す基板ステージＳＴにおいて、センサ３３、受容部３５、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６は、周囲部材３の上面における第２領域５４に配置されている。これにより、上述した第１実施形態の基板ステージＳＴの移動制御を行わなくても、従来の基板ステージＳＴの移動制御を行うだけで、モールド１０のパターン領域１１の下方をセンサ３３等が通過することを回避することができる。つまり、当該パターン領域１１にパーティクルが付着する可能性を低減することができる。

【0066】

ここで、供給部１８（ディスペンサ）がモールド１０に対して第１方向側（＋Ｘ方向側）に配置されている場合、センサ３３、受容部３５、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６は、基板１の保持領域より第１方向側に配置されているとよい。また、受容部３５は、基板ステージＳＴの上面において、センサ３３、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６より第１方向側に配置されているとよい。供給部１８からのインプリント材の予備吐出に要する時間を短縮するためには、できる限り供給部１８の近くに受容部３５を配置して、供給部１８の下方に受容部３５を配置するときの基板ステージＳＴの移動を短縮することが望ましいからである。

【0067】

図９（ａ）～（ｂ）に示すセンサ３３等の配置例では、センサ３３、受容部３５、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６が、基板１の保持領域より第１方向側（＋Ｘ方向側）に配置されている。また、図９（ａ）に示す配置例では、受容部３５および第２基準マーク３６は、基板１の保持領域の中心（重心）より＋Ｙ方向側に配置され、センサ３３および第１基準マーク３１は、基板１の保持領域の中心（重心）より－Ｙ方向側に配置されている。一方、図９（ｂ）に示す配置例では、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６は、基板１の保持領域の中心（重心）より＋Ｙ方向側に配置され、センサ３３および受容部３５は、基板１の保持領域の中心（重心）より－Ｙ方向側に配置されている。図９（ａ）～（ｂ）のいずれの配置例においても、受容部３５は、センサ３３、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６より＋Ｘ方向側に配置されている。

【0068】

上述したように、本実施形態のインプリント装置１００では、基板ステージＳＴ（周囲部材３）の上面において、センサ３３、受容部３５、第１基準マーク３１および第２基準マーク３６は第２領域５４に配置される。これにより、従来の基板ステージＳＴの移動制御を行っても、モールド１０のパターン領域１１の下方をセンサ３３等が通過することを回避し、パターン領域１１にパーティクルが付着する可能性を低下させることができる。また、従来の基板ステージＳＴの移動制御のように、供給部１８の下方とモールド１０の下方との間での基板ステージＳＴの移動経路を短縮化（短絡化）することができるため、スループットの点においても有利になりうる。

【0069】

＜第３実施形態＞
本発明に係る第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態の構成を基本的に引き継ぐものであるが、周囲部材３が複数の部分部材６１～６５で構成されている点で異なる。

【0070】

図１０は、基板１および周囲部材３を上方（＋Ｚ方向側）から見た図であり、本実施形態の周囲部材３の構成およびセンサ等の配置例を示す図である。本実施形態の周囲部材３は、複数の部分部材６１～６５で構成されている。複数の部分部材６１～６５は、互いに分離可能であり、且つ、それぞれ個別に可動部４と着脱可能（取り外し可能）に構成されうる。図１０に示す構成例では、周囲部材３を構成する複数の部分部材６１～６５のうち、部分部材６１には第１領域５３が配置される。また、部分部材６２には第２基準マーク３６が設けられ、部分部材６３に受容部３５が設けられ、部分部材６４にはセンサ３３が設けられ、部分部材６５には第１基準マーク３１が設けられている。

【0071】

このようにセンサ等の各機能部材を部分部材６１～６５に個別に設けること、即ち、１つの機能部材を１つの部分部材に設けることにより、各機能部材に対応した部分部材を取り外してそれぞれのメンテナンスを容易に行うことができる。例えば、センサ３３をメンテナンスする際には部分部材６４を可動部４から取り外すだけでよいため、該メンテナンスが容易になる。ここで、各部分部材６１～６５は、メンテナンスの際に取り外されるため、ネジ等で取り外し可能に可動部４に固定する必要がある。しかしながら、各部分部材６１～６５の上面においてネジ等で固定すると当該ネジ等により凹形状ができてしまい、該凹形状にパーティクルが溜まりやすくなるため望ましくない。そのため、各部分部材６１～６５は、その上面を平面形状にするため、裏面や側面からネジ等で固定するとよい。

【0072】

また、周囲部材３を複数の部分部材６１～６５で構成すると、複数の部分部材６１～６５の間に溝が形成されてしまう。このような溝には、パーティクルが溜まりやすく、クリーニング処理では当該パーティクルを除去しきれない。そのため、当該溝が第１領域５３に配置されていると、溝に存在するパーティクルがモールド１０のパターン領域１１に付着する可能性が高くなる。そこで、本実施形態では、第１領域５３においては、溝が形成されないように一体の構造体で部分部材６１が構成される。即ち、複数の部分部材６１～６５の間に形成される溝が第２領域５４に配置されるよう周囲部材３が構成されている。これにより、第１領域５３においては周囲部材３を平面形状にすることができるため、モールド１０のパターン領域１１にパーティクルが付着する可能性を低下させることができる。

【0073】

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板上に供給（塗布）されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

【0074】

インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

【0075】

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

【0076】

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１１（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウェハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

【0077】

図１１（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１１（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを通して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

【0078】

図１１（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

【0079】

図１１（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１１（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

【0080】

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

【符号の説明】

【0081】

１：基板、２：基板チャック、３：周囲部材、４：可動部、ＳＴ：基板ステージ、１０：モールド、１１：パターン領域、３１：第１基準マーク、３３：センサ、３５：受容部、３６：第２基準マーク、１００：インプリント装置。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】