特許 7496251 部品内蔵配線基板及び部品内蔵配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-29

(45)【発行日】2024-06-06

(54)【発明の名称】部品内蔵配線基板及び部品内蔵配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240530BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/46 B

H05K3/46 N

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2020106221

(22)【出願日】2020-06-19

(65)【公開番号】P2022002242

(43)【公開日】2022-01-06

【審査請求日】2023-03-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】清水 敬介

【審査官】石坂 博明

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－０５６０９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１７６９９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０５０４５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２４７４７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１４７８６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０１５２３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１７５９６８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／００－３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

コア基板と、
前記コア基板の２つの主面の一方に交互に積層されている絶縁層と導体層とによって構成されていて、前記コア基板に面する第１表面、及び前記第１表面の反対面である第２表面を有する第１ビルドアップ層と、
前記コア基板の前記２つの主面の他方に積層されている第２ビルドアップ層と、
第１電極及び第２電極を備えていて前記第１ビルドアップ層に内蔵されている電気部品と、を備える部品内蔵配線基板であって、
前記第１ビルドアップ層は、前記電気部品よりも前記第１表面側に積層されていて導体パッドを含む第１導体層と、前記電気部品よりも前記第２表面側に積層されている第２導体層と、を含み、
前記電気部品は、絶縁性接合材を介して前記第１ビルドアップ層の中の導体層の上に置かれており、
前記第１電極は、めっき金属を含む第１接続導体によって前記第１導体層の前記導体パッドと接続されており、
前記第２電極は、めっき金属を含む第２接続導体によって前記第２導体層と接続されており、
前記第１接続導体は、前記電気部品及び前記接合材を貫通すると共に、前記第１電極と、前記導体パッドにおける前記電気部品側の表面とを接続している、部品内蔵配線基板。

【請求項2】

前記電気部品は、前記電気部品を貫通する貫通孔を有しており、
前記第１接続導体は前記貫通孔を通って前記電気部品を貫通している、請求項１記載の部品内蔵配線基板。

【請求項3】

前記第１電極は、前記電気部品の前記貫通孔の内壁上の金属膜によって構成されている、請求項２記載の部品内蔵配線基板。

【請求項4】

前記第１接続導体は、第１金属層と、前記第１金属層上にめっき金属によって形成されている第２金属層とを含んでいる、請求項１記載の部品内蔵配線基板。

【請求項5】

前記第１ビルドアップ層は、前記第１導体層と前記第２導体層との間に介在する第１絶縁層、前記第１絶縁層における前記第２表面側の表面上に形成されている第３導体層、及び前記第３導体層と前記第２導体層との間に介在する第２絶縁層を含んでいる、請求項１記載の部品内蔵配線基板。

【請求項6】

前記第２導体層は、前記第２表面側の最外層の導体層であって部品実装パッドを含んでおり、
前記第２電極は、前記第２接続導体によって前記部品実装パッドに接続されている、請求項１記載の部品内蔵配線基板。

【請求項7】

前記第１ビルドアップ層は、前記第１導体層と前記第２導体層との間に介在する第１絶縁層を含んでおり、
前記第１絶縁層は、前記第１導体層の一部を前記第２表面側に露出させる開口部を有し、
前記電気部品は、前記第１絶縁層の前記開口部内に配置されている、請求項１記載の部品内蔵配線基板。

【請求項8】

前記第１ビルドアップ層は、前記第１絶縁層よりも前記第１表面側に設けられていて前記第２表面側の表面で前記第１導体層と接する第３絶縁層をさらに含み、
前記第１導体層の前記一部は、前記第３絶縁層における前記第１絶縁層の前記開口部と平面視で重なる領域を覆っている、請求項７記載の部品内蔵配線基板。

【請求項9】

前記第１導体層の前記一部は、前記導体パッドと、前記導体パッドと分離されていて、前記導体パッドに覆われていない前記第３絶縁層の前記領域を略覆う導体パッドとを含んでいる、請求項８記載の部品内蔵配線基板。

【請求項10】

前記第１ビルドアップ層は、前記第１導体層と前記電気部品との間に介在する内層導体層を含み、
前記第１接続導体は、前記内層導体層を非接触で貫通している、請求項１記載の部品内蔵配線基板。

【請求項11】

コア基板を用意することと、
前記コア基板の一方の表面に、電気部品を内蔵するビルドアップ層を形成することと、
前記コア基板の他方の表面に導体層と絶縁層とを交互に形成することと、
を含む、部品内蔵配線基板の製造方法であって、
前記ビルドアップ層を形成することは、
導体パッドを含む第１導体層を形成することと、
前記第１導体層の上に第１絶縁層を積層することと、
前記第１絶縁層を貫通する開口部を前記第１絶縁層に形成することと、
前記開口部内に絶縁性接合材を供給して、貫通孔を有する前記電気部品を前記絶縁性接合材の上に配置することと、
前記絶縁性接合材に、前記電気部品の前記貫通孔と平面視で重なる貫通孔を形成することと、
前記電気部品の前記貫通孔内に第１接続導体を形成することによって前記第１導体層の前記導体パッドと前記電気部品の第１電極とを接続することと、
前記第１絶縁層の上に第２絶縁層を積層することと、
前記第２絶縁層上に第２導体層を形成すると共に、前記第２絶縁層内に第２接続導体を形成することによって前記第２導体層と前記電気部品の第２電極とを接続することと、
を含み、
前記第１接続導体及び前記第２接続導体はめっき金属を含んでおり、
前記第１接続導体は、前記電気部品及び前記絶縁性接合材それぞれの前記貫通孔の内部に形成されると共に、前記導体パッドにおける前記絶縁性接合材の前記貫通孔に露出する表面に形成される、
部品内蔵配線基板の製造方法。

【請求項12】

前記絶縁性接合材の前記貫通孔を形成することは、前記電気部品の前記貫通孔内を通過するレーザー光を前記絶縁性接合材に照射することを含んでいる、請求項１１記載の部品内蔵配線基板の製造方法。

【請求項13】

前記第２絶縁層を積層することは、前記第１絶縁層の前記開口部を前記第２絶縁層の材料で充填することを含んでいる、請求項１１記載の部品内蔵配線基板の製造方法。

【請求項14】

前記第１接続導体を形成することは、無電解めっき及び電解めっきによって２層のめっき膜層を前記電気部品の前記貫通孔内に形成することを含んでいる、請求項１１記載の部品内蔵配線基板の製造方法。

【請求項15】

前記第１接続導体を形成することは、前記電気部品の前記貫通孔内、前記電気部品の表面上、及び前記第１絶縁層の露出面上の全体に金属膜を形成することと、
前記貫通孔内以外の領域に形成されている前記金属膜を除去することと、を含んでいる、請求項１４記載の部品内蔵配線基板の製造方法。

【請求項16】

前記開口部は、前記第１導体層の一部を前記開口部内に露出するように形成され、
前記電気部品は前記第１導体層の上に前記絶縁性接合材を介して配置される、請求項１１記載の部品内蔵配線基板。

【請求項17】

前記第１絶縁層の積層の前に前記第１導体層の上に絶縁層を介して内層導体層を形成することをさらに含み、
前記第１接続導体は、前記内層導体層を非接触で貫通するように形成される、請求項１１記載の部品内蔵配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は部品内蔵配線基板及び部品内蔵配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、電子部品内蔵基板が開示されている。特許文献１の電子部品内蔵基板では、電子部品がビルドアップ多層配線基板のコア基板に埋設されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００９－２００３８９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の電子部品内蔵基板では、コア基板に電子部品が内蔵されているため、ビルドアップ層の積層数が多い場合に、内蔵される電子部品と最表層の導体層との距離が長くなると考えられる。電子部品内蔵基板において所望の電気的特性が得られないことがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の部品内蔵配線基板は、交互に積層されている絶縁層と導体層とによって構成されていて第１表面及び前記第１表面の反対面である第２表面を有するビルドアップ層と、第１電極及び第２電極を備えていて前記ビルドアップ層に内蔵されている電気部品と、を備えている。そして、前記第１電極は、めっき金属を含む第１接続導体によって前記電気部品よりも前記第１表面側に積層されている第１導体層と接続されており、前記第２電極は、めっき金属を含む第２接続導体によって前記電気部品よりも前記第２表面側に積層されている第２導体層と接続されている。

【0006】

本発明の部品内蔵配線基板の製造方法は、第１導体層を形成することと、前記第１導体層の上に第１絶縁層を積層することと、前記第１絶縁層を貫通する開口部を前記第１絶縁層に形成することと、前記開口部内に、貫通孔を有する電気部品を配置することと、前記電気部品の前記貫通孔内に第１接続導体を形成することによって前記第１導体層と前記電気部品の第１電極とを接続することと、前記第１絶縁層の上に第２絶縁層を積層することと、前記第２絶縁層上に第２導体層を形成すると共に、前記第２絶縁層内に第２接続導体を形成することによって前記第２導体層と前記電気部品の第２電極とを接続することと、を含んでいる。そして、前記第１接続導体及び前記第２接続導体はめっき金属を含んでいる。

【0007】

本発明の実施形態によれば、短く且つ信頼性の高い経路で内蔵部品とその周囲の導電体とが接続されている、電気的特性及び信頼性の良好な部品内蔵配線基板を得ることができると考えられる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の一例を示す断面図。

【図2】本発明の一実施形態に含まれる電気部品の一例の平面図。

【図3】図１のIII部の拡大図。

【図4】本発明の一実施形態に含まれる第１導体層の導体パッドの一例を示す平面図。

【図5】本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の他の例を示す断面図。

【図6A】本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6B】本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6C】本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6D】本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6E】本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6F】本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6G】本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図6H】本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法の一例を示す断面図。

【図7】本発明の他の実施形態の部品内蔵配線基板の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

［一実施形態］
本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の部品内蔵配線基板の一例である部品内蔵配線基板１００の断面図が示されている。なお、一実施形態、及び後述される他の実施形態の部品内蔵配線基板は、単に「配線基板」とも称される。

【0010】

図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板３と、コア基板３の両面それぞれに形成されているビルドアップ層１（第１ビルドアップ層）と、ビルドアップ層２（第２ビルドアップ層）とを含んでいる。ビルドアップ層１は、コア基板３の２つの主面（厚さ方向と直交する表面）のうちの第１コア面３ｆ上に形成されている。第１コア面３ｆに対向する主面である第２コア面３ｓ上にはビルドアップ層２が形成されている。ビルドアップ層１、２は、それぞれ、コア基板３上に交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成されている。ビルドアップ層１、２それぞれに含まれる各絶縁層には、各絶縁層を貫通するビア導体７が形成されている。ビルドアップ層１、２それぞれのコア基板３と反対側の表面上にはソルダーレジスト８が形成されている。

【0011】

コア基板３は、絶縁層３ａと、絶縁層３ａにおける第１コア面３ｆ側の表面に形成されている導体層３１と、絶縁層３ａにおける第２コア面３ｓ側の表面に形成されている導体層３２とを含んでいる。絶縁層３ａには、絶縁層３ａを貫通して導体層３１と導体層３２とを接続するスルーホール導体３３が形成されている。

【0012】

ビルドアップ層１は、第１コア面３ｆ上に順に積層されている、第３絶縁層１ｃ、第１導体層１１、第１絶縁層１ａ、第３導体層１３、第２絶縁層１ｂ、及び、第２導体層１２を含んでいる。ビルドアップ層１は電気部品４を内蔵している。

【0013】

ビルドアップ層１は、ビルドアップ層１の２つの主面の一方である第１表面１ｆ、及び、２つの主面の他方であって第１表面１ｆの反対面である第２表面１ｓを有している。第１表面１ｆはコア基板３に面しており、第２表面１ｓはコア基板３と反対の方向を向いている。図１の例において、第１表面１ｆは、主に第３絶縁層１ｃにおけるビルドアップ層１の外側を向く表面によって構成されている。第２表面１ｓは、第２絶縁層１ｂ及び第２導体層１２それぞれにおけるビルドアップ層１の外側を向く表面によって構成されている。

【0014】

第１絶縁層１ａは、第１導体層１１と第２導体層１２との間に介在すると共に、第１導体層１１と第３導体層１３との間に介在している。第２絶縁層１ｂは、第３導体層１３と第２導体層１２との間に介在している。第３導体層１３は、第１絶縁層１ａにおける第２表面１ｓ側の表面上に形成されている。第３絶縁層１ｃは、第１絶縁層１ａよりも第１表面１ｆ側に設けられていて第２表面１ｓ側の表面で第１導体層１１と接している。第１～第３の導体層１１～１３は、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。

【0015】

ビルドアップ層１の第２表面１ｓ側の最外層の導体層である第２導体層１２は、部品実装パッド１２１を含んでいる。部品実装パッド１２１には、外部の電気部品（図示せず）が実装され得る。第２表面１ｓは、配線基板１００の部品実装面である。外部の電気部品は、例えば、半導体集積回路装置、トランジスタ、又は、電気抵抗などである。

【0016】

ビルドアップ層２は、第２コア面３ｓ上に交互に積層されているそれぞれ３つの導体層２１及び絶縁層２ａによって構成されている。各導体層２１は、任意の導体パターンを含み得る。ビルドアップ層２におけるコア基板３と反対側の最外層の導体層２１には、例えば外部のマザーボードなどに接続される接続パッド２１１が設けられている。

【0017】

なお、図１に示される配線基板１００の積層構造は、本実施形態の配線基板が有し得る積層構造の一例に過ぎない。本実施形態の配線基板は、電気部品４を内蔵する少なくとも１つのビルドアップ層を含む任意の積層構造を有し得る。例えば、電気部品４を含むビルドアップ層１のようなビルドアップ層は、コア基板３の第１コア面３ｆ及び第２コア面３ｓの少なくとも一方に形成され得る。すなわち、コア基板３は、電気部品４を内蔵するビルドアップ層を第２コア面３ｓに備えていてもよく、第１コア面３ｆ及び第２コア面３ｓの両方に、電気部品４を内蔵するビルドアップ層を備えていてもよい。また、実施形態の配線基板に含まれる絶縁層及び導体層の層数は図１の例に限定されない。実施形態の配線基板は、２層以上の任意の数の絶縁層を含み得る。また、実施形態の配線基板は、２層以上の任意の数の導体層を含み得る。

【0018】

下記の説明において、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３ａから遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３ａに近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層３１と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３ａ側を向く表面は「下面」とも称される。

【0019】

絶縁層１ａ～１ｃ、絶縁層２ａ、及び絶縁層３ａそれぞれは、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。各絶縁層は、ガラス繊維やアラミド繊維で形成される芯材（補強材）を含んでいてもよい。図１の配線基板１００では、絶縁層３ａだけが芯材３４を含み、絶縁層１ａ～１ｃ及び絶縁層２ａは芯材を含んでいない。絶縁層１ａ～１ｃ、絶縁層２ａ、及び絶縁層３ａそれぞれは、さらに無機フィラーを含んでいてもよい。無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどからなる微粒子が例示される。

【0020】

第１～第３の導体層１１～１３、導体層２１、導体層３１、導体層３２、ビア導体７、及び、スルーホール導体３３それぞれは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。図１の例では、第１～第３の導体層１１～１３、導体層２１、ビア導体７、及び、スルーホール導体３３は、それぞれ、無電解めっき膜又はスパッタリング膜からなる金属膜層１２ａと、めっき膜層１２ｂとを含んでいる（図１において符号１２ａ、１２ｂは、第２導体層１２の金属膜層及びめっき膜層のみに付されている）。めっき膜層１２ｂは、金属膜層１２ａを給電層として用いる電解めっきによって形成される。一方、導体層３１、３２は、金属膜層１２ａ及びめっき膜層１２ｂと同様の金属膜層及びめっき膜層に加えて、銅箔やニッケル箔などからなる金属箔層を含む３層構造を有している。

【0021】

ソルダーレジスト８は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの任意の絶縁性材料を用いて形成される。ソルダーレジスト８には、部品実装パッド１２１又は接続パッド２１１を露出させる開口８１が設けられている。

【0022】

図１に示されるように、本実施形態の配線基板１００は、さらに、ビルドアップ層１に内蔵されている電気部品４を備えている。図２には、図１の配線基板１００に内蔵される電気部品４の一例の平面図が示されており、図３には、図１の配線基板１００のIII部の拡大図が示されている。

【0023】

図２及び図３に示されるように、電気部品４は、ビルドアップ層１の第２表面１ｓに向けられる表面４ｓ、及び、表面４ｓと反対の表面であって、ビルドアップ層１の第１表面１ｆに向けられる表面４ｆを有している。電気部品４は、例えば、シリコン、ガラス、又はセラミックなどの絶縁体（誘電体）を基材として有している。電気部品４は、その基材の内部又は表面上に形成された、トランジスタなどの半導体素子、又はコンデンサなどの受動素子のような任意の電気素子を含み得る。電気部品４としては、半導体集積回路装置、個別半導体素子、電気抵抗、及び、コンデンサなどが例示されるが、電気部品４はこれらに限定されない。

【0024】

電気部品４は、電気部品４の外部の導電体にそれぞれ電気的に接続されるべき第１電極４１及び第２電極４２を備えている。第１電極４１及び第２電極４２は、例えば、銅、ニッケル、金、又はマグネシウムなどの任意の金属を用いて形成され、好ましくは銅で形成される。図示されていないが、第１及び第２電極４１、４２それぞれは、電気部品４に含まれる前述した電気素子と電気的に接続されている。

【0025】

さらに電気部品４は貫通孔４３を有している。貫通孔４３は、電気部品４の表面４ｓから表面４ｆに渡って電気部品４を貫通している。貫通孔４３は、表面４ｓ及び表面４ｆに略直交する方向に沿って電気部品４を貫通している。

【0026】

図２及び図３に示されるように、第２電極４２は、電気部品４の表面４ｓに設けられている。図２の例において複数の第２電極４２が、電気部品４の中央部分に形成されている。各第２電極４２は、円形の平面形状を有する板状の形体を有している。

【0027】

図２の例では、第２電極４２の群の周囲に、第２電極４２を囲むように複数の第１電極４１が形成されている。第１電極４１は、貫通孔４３の内壁面上にその内壁面を覆うように形成されている。さらに第１電極４１は、貫通孔４３の周囲において電気部品４の表面４ｓを覆っている。第１電極４１は、部分的に膜状の形体を有しており、貫通孔４３内において全体としてリング状の形体を有している。すなわち、図２の例の電気部品４は、貫通孔４３の内壁面上に、第１電極４１を構成するリング状の金属膜を備えている。第１電極４１を構成するリング状の金属膜は、後述するように、配線基板１００の製造工程において用いられるレーザー光のガイドとして機能することがある。

【0028】

図３に示されるように、電気部品４は、ビルドアップ層１の厚さ方向に関して第１絶縁層１ａに相当する位置に埋設されている。従って、第１導体層１１は、電気部品４よりも、ビルドアップ層１の第１表面１ｆ側に積層されている。一方、第２導体層１２は、電気部品４よりも、ビルドアップ層１の第２表面１ｓ側に積層されている。

【0029】

そして、電気部品４の第１電極４１は第１接続導体５１によって第１導体層１１と接続されており、第２電極４２は第２接続導体５２によって第２導体層１２に接続されている。図３の例では、第２電極４２は、具体的には、第２接続導体５２によって部品実装パッド１２１に接続されている。

【0030】

配線基板１００では、電気部品４がビルドアップ層１に内蔵されているので、電気部品４と、配線基板１００のビルドアップ層１側の表面（ビルドアップ層１の第２表面１ｓ）の導体層（第２導体層１２）とが短い経路で接続され得る。現に本実施形態では、第２電極４２は、ビルドアップ層１の第２表面１ｓを構成する第２導体層１２と接続されている。例えば電気部品４がコア基板３に内蔵される構造と比べて、電気部品４の第２電極４２と、第２表面１ｓの部品実装パッド１２１に実装される外部の電気部品（図示せず）とが短い経路で接続される。そのため、電気部品４及び外部の電気部品の一方の作用が他方に適切にもたらされると考えられる。配線基板１００が用いられる電子機器などにおいて良好な特性が得られ易いと考えられる。

【0031】

さらに、本実施形態では、電気部品４における第２電極４２と異なる第１電極４１は、電気部品４よりもビルドアップ層１の第１表面１ｆ側に積層されている第１導体層１１と接続されている。従って、第１電極４１は、第２電極４２とは対照的に、ビルドアップ層１の第２表面１ｓとは反対面である第１表面１ｆ側の導電体と短い経路で接続され得る。第１電極４１は、例えば第２導体層１２を経由して第１表面１ｆ側の導電体に接続される構造と比べて、第１表面１ｆ側の導電体と短い経路で接続され得る。本実施形態では、電気部品４において、第２表面１ｓ側の導電体と接続されるべき電極、及び第１表面１ｆ側の導電体と接続されるべき電極それぞれが、接続されるべき目的の導電体と短い経路で接続され得る。配線基板１００が用いられる電子機器などにおいて良好な特性が得られ易いと考えられる。

【0032】

また、本実施形態において第１接続導体５１及び第２接続導体５２は、めっき金属を含んでいる。第１接続導体５１及び第２接続導体５２は、めっき金属だけで形成されていてもよい。第１接続導体５１及び第２接続導体５２を構成するめっき金属としては、銅、ニッケル、又は、金などが例示される。第１電極４１及び第２電極４２も、前述したように、銅、ニッケル、又は金などによって形成されている。この第１電極４１及び第２電極４２の表面上に、第１及び第２の接続導体５１、５２それぞれを構成するめっき金属が析出される。そして、このめっき金属を少なくとも部分的に含む第１接続導体５１又は第２接続導体５２によって、第１電極４１は第１導体層１１に接続され、第２電極４２は第２導体層１２に接続されている。

【0033】

従って、樹脂成分を含む導電性ペーストやはんだなどで各電極と各導体層とが接続される場合と比べて、第１電極４１及び第２電極４２それぞれと第１接続導体５１及び第２接続導体５２それぞれとの間の接続強度が高いと考えられる。また、第１電極４１及び第２電極４２それぞれと第１接続導体５１及び第２接続導体５２それぞれとの間の接続においては経年劣化が進行し難いと考えられる。従って、電気部品４と各導体層との接続に関する信頼性は高いと考えられる。

【0034】

なお、第１電極４１及び第２電極４２それぞれの形体は、図２及び図３に示される形体に限定されない。例えば、第２電極４２が、円形以外の平面形状を有する板状体であってもよい。また、第１電極４１が、図２及び図３の第２電極４２のように板状体の形体で電気部品４の表面４ｓ上に設けられていてもよい。その場合、その板状体の形体の第１電極（図２において二点鎖線で示される第１電極４１ａ）と、図２及び図３において第１電極４１を構成すべく貫通孔４３の内壁上に形成されている金属膜とが接続される。例えば、図２において二点鎖線で示されるめっき金属からなる配線４４によって、表面４ｓ上の第１電極４１ａと貫通孔４３の内壁上の金属膜とが接続される。その結果、表面４ｓ上の第１電極４１ａと第１導体層１１とのめっき金属による接続が実現されてもよい。

【0035】

図３に示されるように、第１絶縁層１ａは、開口部１ａ１を有している。開口部１ａ１は、第１絶縁層１ａの構成物が第１絶縁層１ａの厚さ方向全体に渡って存在しない部分である。開口部１ａ１は第１絶縁層１ａを貫通しており、第１絶縁層１ａに覆われないように第１導体層１１の一部をビルドアップ層１の第２表面１ｓ側に露出させている。電気部品４は、第１絶縁層１ａの開口部１ａ１内に配置されている。電気部品４が開口部１ａ１内に配置されるので、ビルドアップ層１の第２表面１ｓを平坦性の高い面にすることが容易である。

【0036】

開口部１ａ１は、第３絶縁層１ｃにおけるビルドアップ層１の第２表面１ｓを向く表面１ｃｓの一部も、第１絶縁層１ａに覆われないように露出させている。開口部１ａ１と、開口部１ａ１内に露出する第３絶縁層１ｃの表面１ｃｓとによってキャビティ１ａｃが形成されており、キャビティ１ａｃ内に電気部品４が配置されている。

【0037】

キャビティ１ａｃの底面には、第１導体層１１の一部である導体パッド１１１及び導体パッド１１２が露出している。導体パッド１１１及び導体パッド１１２は、第３絶縁層１ｃにおいて開口部１ａ１と平面視で重なる領域を覆っている。後述されるように、レーザー光の照射などによる開口部１ａ１の形成において、第３絶縁層１ｃに加わるストレスが、第３絶縁層１ｃを覆う第１導体層１１の一部によって軽減されることがある。なお、「平面視」は、配線基板１００の厚さ方向に沿う視線で配線基板１００を見ることを意味している。

【0038】

図３の例において、第１接続導体５１は導体パッド１１１に接続されている。導体パッド１１１は、第３絶縁層１ｃを貫通するビア導体７に対して設けられているビアパッドである。従って、電気部品４の第１電極４１が、第１接続導体５１及びビア導体７を介して、導体層３１と短い経路で接続され得る。

【0039】

図３に示されるように、電気部品４は、絶縁性の接合材６を介して、キャビティ１ａｃの底面に露出する第１導体層１１の上に配置されている。接合材６によって、第１導体層１１の上に電気部品４が固定されている。接合材６は、例えば、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、又はシリコーン系などの任意の樹脂を用いて構成される樹脂系接着材である。接合材６は、樹脂系接着材に限定されず、例えば、無機系接着材などの任意の接合材が接合材６として用いられ得る。

【0040】

図３の例では、接合材６は導体パッド１１１を覆っており、第１接続導体５１は導体パッド１１１を覆う接合材６を貫通している。接合材６を貫通する第１接続導体５１によって第１電極４１と第１導体層１１とが接続されるので、第１電極４１と第１導体層１１とが、内部に界面を有さないシームレスな単一の導電体で接続される。従って、第１電極４１と第１導体層１１との接続に関して高い信頼性が得られると考えられる。

【0041】

図３に示されるように、第１接続導体５１は、貫通孔４３を通って電気部品４も貫通している。従って第１接続導体５１は、表面４ｓ及び表面４ｆに略直交する方向に沿って電気部品４を貫通している。第１接続導体５１が電気部品４を貫通しているので、前述したように第１電極４１が電気部品４の表面４ｓに設けられる場合でも、第１電極４１と第１導体層１１とが、前述した配線４４（図２参照）及び第１接続導体５１だけを介して接続され得る。従って、第１電極４１と第１導体層１１との接続に関して比較的高い信頼性が得られると考えられる。

【0042】

電気部品４は、貫通孔４３の内壁と第１接続導体５１との間に、全体としてリング状の形体を有していて第１電極４１を構成する金属膜を備えている。第１接続導体５１は、この金属膜上に形成されている。めっき金属などからなる第１接続導体５１が、シリコンなどからなる電気部品４の基材上に直接形成される構造と比べて、第１接続導体５１と電気部品４との密着強度が高いと考えられる。図３などに例示される第１接続導体５１は、貫通孔４３の周囲の表面４ｓ上において第１電極４１を覆うランド部５１ｃを有している。ランド部５１ｃは、電気部品４と第１接続導体５１との密着強度の向上に加え、第１接続導体５１と第１電極４１との接触の容易性向上にも寄与し得ると考えられる。

【0043】

図３の例において第１接続導体５１は、第１金属層５１ａと、第１金属層５１ａ上に形成されている第２金属層５１ｂとを含んでいる。第１金属層５１ａは、例えば、無電解めっきによって形成されているめっき金属からなる。第１金属層５１ａは、スパッタリングなどによって形成されている金属膜であってもよい。

【0044】

第２金属層５１ｂはめっき金属によって形成されている。第２金属層５１ｂは、例えば、第１金属層５１ａを給電層として用いる電解めっきによって形成される。従って、第２金属層５１ｂは電解めっき膜であってもよい。図３の例のような２層構造を有する第１接続導体５１は、例えば無電解めっき及び電解めっきによって比較的短い時間で所望の厚さに形成され得る。なお、第１接続導体５１は、図３に示されるような２層構造を有さなくてもよく、例えば、無電解めっきによって形成された単層の金属膜であってもよい。

【0045】

図３の例の第１接続導体５１は、貫通孔４３の内壁に沿って形成されており、貫通孔４３の中軸付近に中空部５１１を有している。中空部５１１は第２絶縁層１ｂによって充填されている。中空部５１１によって、シリコンなどからなる電気部品４の基材と第１接続導体５１との間に生じる熱応力などが緩和されることがある。しかし、第１接続導体５１において中空部５１１が生じないように第２金属層５１ｂが形成されてもよい。従って、貫通孔４３が第１接続導体５１によって完全に充填されていてもよい。

【0046】

図３の例では、第２接続導体５２も、第１金属層５２ａ、及び、第１金属層５２ａ上に形成されている第２金属層５２ｂを含んでいる。第２接続導体５２は、電気部品４上の第２絶縁層１ｂを貫通する貫通孔１ｂａ内に形成されている。貫通孔１ｂａは第２接続導体５２によって充填されている。

【0047】

第１金属層５２ａは、貫通孔１ｂａの内壁面上に形成されている。第１金属層５２ａは、例えば、無電解めっきによって形成されているめっき金属からなる。第１金属層５２ａは、スパッタリングなどによって形成されている金属膜であってもよい。第２金属層５２ｂは、例えば、第１金属層５２ａを給電層として用いる電解めっきによって形成される。従って、第２金属層５２ｂは電解めっき膜であってもよい。

【0048】

第２接続導体５２は、第２絶縁層１ｂを貫通するビア導体７（図１参照）と同様の構造を有し得る。従って第２接続導体５２は、後述されるように、第２絶縁層１ｂを貫通するビア導体７と、好ましくは同時に形成される。

【0049】

図４には、第１絶縁層１ａの開口部１ａ１に露出する第１導体層１１の一部（導体パッド１１１及び導体パッド１１２）の平面図が示されている。図４は、開口部１ａ１及びその周辺部だけを示している。なお、接合材６、及び電気部品４よりも上側の要素の図示は省略されており、電気部品４については、その輪郭だけが二点鎖線で示されている。

【0050】

図４に示されるように、第１絶縁層１ａの開口部１ａ１に露出する第１導体層１１の一部の導体パターンは、導体パッド１１１と共に、導体パッド１１２を含んでいる。導体パッド１１２は、電気部品４がその上に搭載される搭載パッドである。導体パッド１１２を設けることによって、電気部品４の実装時の安定性が向上したり、キャビティ１ａｃの底面のうねりが抑制されたりすることがある。導体パッド１１２は、各導体パッド１１１に接続される第１接続導体５１同士が短絡しないように、導体パッド１１１と分離されている。導体パッド１１１と導体パッド１１２との間に第３絶縁層１ｃが露出している。

【0051】

図４に例示される導体パッド１１２は、開口部１ａ１によって構成されるキャビティ１ａｃの底面の全体に渡って設けられている。導体パッド１１２の周縁部は、開口部１ａ１の外側にまで達していて第１絶縁層１ａに覆われている。従って導体パッド１１２は、第３絶縁層１ｃにおける第１絶縁層１ａの開口部１ａ１と平面視で重なる領域のうちの導体パッド１１１に覆われていない領域を略覆っている。すなわち、第１導体層１１の一部の導体パターンによって、第３絶縁層１ｃにおける第１絶縁層１ａの開口部１ａ１と平面視で重なる領域全体が略覆われている。従って、前述したように開口部１ａ１の形成時に第３絶縁層１ｃに加わり得るストレスが軽減されることがある。

【0052】

なお、導体パッド１１２及び導体パッド１１１によって、第３絶縁層１ｃにおける開口部１ａ１と平面視で重なる領域の略全部が覆われていなくてもよい。例えば、導体パッド１１２は、導体パッド１１１よりもキャビティ１ａｃの中央部側の所定の範囲だけに形成されていてもよい。

【0053】

図５には、本実施形態の部品内蔵配線基板の他の例である配線基板１００ａが示されている。図５の例の配線基板１００ａは、コア基板３及びビルドアップ層２を備えていない点で、図１の例の配線基板１００と異なる。従って、配線基板１００ａは、所謂コアレス配線基板である。

【0054】

図５の例の配線基板１００ａのビルドアップ層１は、第３絶縁層１ｃにおける第２表面１ｓと反対側に、さらに、交互に積層されている２つの導体層１４及び２つの絶縁層１ｄを備えている。導体層１４は、導体層１１～１３と同様の材料を用いて形成され、導体層１１～１３と同様の構造を有し得る。絶縁層１ｄは、絶縁層１ａ～１ｃと同様の材料を用いて形成され、同様の構造を有し得る。２つの絶縁層１ｄのち第２表面１ｓから遠い方の絶縁層１ｄの表面によって、ビルドアップ層１の第１表面１ｆが構成される。

【0055】

図５の例のビルドアップ層１は、さらに、第１表面１ｆに一面を露出するように絶縁層１ｄ内に埋め込まれた導体層１５を含んでいる。図５の例の導体層１５は、電解めっき膜層からなる単層構造を有している。

【0056】

本実施形態の配線基板は、図５の例の配線基板１００ａのような、コアレス配線基板の構造を有し得る。その場合、実施形態の配線基板は１つのビルドアップ層だけを含み得る。図５の例の配線基板１００ａにおいて、第３絶縁層１ｃからビルドアップ層１の第２表面１ｓ側の構造は、図１の例の配線基板１００と同じである。図５において図１に示される構成要素と同一の構成要素については、図１に付された符号と同じ符号が付されるか、適宜符号が省略され、再度の説明は省略される。

【0057】

つぎに、一実施形態の配線基板の製造方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図６Ａ～図６Ｈを参照して説明される。

【0058】

図６Ａに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、第１導体層１１を形成することと、第１導体層１１の上に第１絶縁層１ａを積層することとを含んでいる。図６Ａには、ビルドアップ層１を構成する導体層及び絶縁層のうち、第３絶縁層１ｃ、第１導体層１１、第１絶縁層１ａ、及び第３導体層１３が形成された状態が示されている。

【0059】

図１の配線基板１００が製造される場合、まず、コア基板３の絶縁層３ａとなる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔を含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意され、例えばサブトラクティブ法を用いて、コア基板３の２つの導体層３１、３２、及びスルーホール導体３３が形成される。

【0060】

さらに、図６Ａに示されるように、コア基板３の第１コア面３ｆ及び第２コア面３ｓそれぞれの上に、絶縁層と導体層とが交互に積層される。第１コア面３ｆ上には、まず第３絶縁層１ｃが積層され、第３絶縁層１ｃ上に第１導体層１１が形成される。第２コア面３ｓ上には絶縁層２ａが積層され、絶縁層２ａ上に導体層２１が形成される。

【0061】

第３絶縁層１ｃ及び絶縁層２ａは、それぞれ、絶縁性の樹脂を用いて形成される。例えばフィルム状に成形されたエポキシ樹脂やＢＴ樹脂などの樹脂が、コア基板３の第１コア面３ｆ及び第２コア面３ｓ上に積層され、加熱及び加圧される。その結果、第３絶縁層１ｃ及び絶縁層２ａが形成される。第３絶縁層１ｃ及び絶縁層２ａには、ビア導体７を形成するための貫通孔が、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

【0062】

第１導体層１１及び導体層２１は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて、例えばセミアディティブ法によって形成される。すなわち、第３絶縁層１ｃ及び絶縁層２ａそれぞれの表面の全面、並びに、各絶縁層の貫通孔内に無電解めっきやスパッタリングによって金属膜が形成される。その金属膜を給電層として用いるパターンめっきによって電解めっき膜が形成される。各絶縁層の貫通孔内にはビア導体７が形成される。その後、金属膜の不要部分が例えばエッチングなどで除去されることによって、所定の導体パターンを含む２層構造の第１導体層１１及び導体層２１がそれぞれ形成される。

【0063】

セミアディティブ法を用いる第１導体層１１の形成では、導体パッド１１１、及び導体パッド１１２などの導体パターンの形成に適した開口を有するめっきレジストが形成され、このめっきレジストを用いてパターンめっきが行われる。導体パッド１１１は、後述する電気部品４の貫通孔４３（図６Ｃ参照）に対応する位置に形成される。

【0064】

図６Ａに示されるように、第３絶縁層１ｃ及び第１導体層１１上に第１絶縁層１ａが積層される。図６Ａでは、第１導体層１１に接するように、すなわち第１導体層１１上に直接、第１絶縁層１ａが積層される。第１絶縁層１ａは、第３絶縁層１ｃの積層方法と同様の方法で積層され得る。そして、第１絶縁層１ａ上に、例えば第１導体層１１の形成方法と同様の方法で、第３導体層１３が形成される。コア基板３の第２コア面３ｓ側には、第１絶縁層１ａ及び第３導体層１３の形成方法と同様の方法を用いて、さらに１組の絶縁層２ａ及び導体層２１が設けられる。

【0065】

図６Ｂに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第１絶縁層１ａを貫通する開口部１ａ１を第１絶縁層１ａに形成することを含んでいる。なお、図６Ｂ～図６Ｆに示される工程では、コア基板３の第２コア面３ｓ側に対する加工は略行われないので、図６Ｂ～図６Ｆにはコア基板３の第１コア面３ｆ側だけが示されている。

【0066】

例えば、炭酸ガスレーザー光が、開口部１ａ１が形成されるべき領域の全面に渡って第１絶縁層１ａに照射される。炭酸ガスレーザー光の照射によって、第１絶縁層１ａの一部が除去され、その結果、開口部１ａ１が形成される。図６Ｂの例では、開口部１ａ１は、第１導体層１１の一部を開口部１ａ１内に露出するように形成されている。開口部１ａ１の形成に伴って、開口部１ａ１と、開口部１ａ１内に露出する第３絶縁層１ｃの表面１ｃｓによって構成されるキャビティ１ａｃが形成される。開口部１ａ１は、ドリル加工などの機械的加工によって形成されてもよい。

【0067】

開口部１ａ１の形成によって、第１導体層１１の導体パターン１１１及び導体パターン１１２が開口部１ａ１内に露出する。キャビティ１ａｃの底面の略全体を覆う導体パターン１１１及び導体パターン１１２は、レーザー光の照射又はドリル加工によって第３絶縁層１ｃに加わり得るストレスの軽減に寄与することがある。なお、導体パターン１１１及び導体パターン１１２が形成されていない領域においても、レーザー光のパワー、又はドリル加工の深度を調整することによって、第３絶縁層１ｃへのストレスを許容範囲内に制御することができる。

【0068】

図６Ｃに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第１絶縁層１ａの開口部１ａ１内、すなわちキャビティ１ａｃ内に、電気部品４を配置することを含んでいる。

【0069】

電気部品４は、図６Ｃの例では、開口部１ａ１内の第１導体層１１の上に配置される。電気部品４は、第１電極４１及び第２電極４２を備えると共に、電気部品４を貫く貫通孔４３を有している。貫通孔４３は、第１導体層１１上に配置された状態で第１導体層１１及び第１絶縁層１ａの積層方向において電気部品４を貫くように形成されている。第１電極４１は、貫通孔４３の内壁面上に形成されていて全体としてリング状の形体を有する部分と、表面４ｓにおける貫通孔４３の周囲の部分とを含む金属膜によって構成されている。第２電極４２は、電気部品４における第１導体層１１と反対方向を向けられる表面４ｓ上に設けられている。電気部品４は、第１導体層１１の導体パッド１１１と貫通孔４３とが平面視で重なるように、導体層１３に含まれるアライメントマーク（図示しない）を基準に位置合わせされたうえで、キャビティ１ａｃ内に配置される。

【0070】

図６Ｃの例では、電気部品４は、絶縁性の接合材６を介して、第１導体層１１の導体パッド１１１及び導体パッド１１２の上に配置される。すなわち、電気部品４は、絶縁性の接合材６を用いて開口部１ａ１内に固定される。接合材６としては、エポキシ系又はアクリル系などの任意の樹脂を用いて構成される樹脂系接着材、及び無機系接着剤などが例示される。例えばペースト状に調製された接合材６が、ディスペンサを用いてキャビティ１ａｃの底面に供給される。そして、供給された接合材６上に、例えば部品マウンタ（図示せず）を用いて電気部品４が載置される。必要に応じて、接合材６が加熱や紫外線照射などによって硬化される。

【0071】

図６Ｄ～図６Ｆに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、電気部品４の貫通孔４３内に第１接続導体５１を形成することによって第１導体層１１と電気部品４の第１電極４１とを接続することを含んでいる。

【0072】

図６Ｄに示されるように、第１接続導体５１を形成することは、接合材６の一部を除去することを含んでいてもよい。接合材６において電気部品４の貫通孔４３、及び導体パッド１１１と平面視で重なる部分が除去される。接合材６の一部の除去によって、接合材６を貫く貫通孔６ａが形成される。貫通孔６ａの形成によって、導体パッド１１１の少なくとも一部が、接合材６の貫通孔６ａ内、及び電気部品４の貫通孔４３内に露出する。

【0073】

接合材６の一部の除去による貫通孔６ａの形成は、例えばレーザー加工によって行われる。レーザーとしては炭酸ガスレーザー又はＹＡＧレーザーなどが例示されるが、貫通孔６ａの形成に用いられるレーザーはこれらに限定されない。レーザー加工によって貫通孔６ａが形成される場合、電気部品４の貫通孔４３を通して、接合材６にレーザー光Ｒが照射される。接合材６に貫通孔６ａを形成することは、このように電気部品４の貫通孔４３内を通過するレーザー光Ｒを接合材６に照射することを含み得る。

【0074】

貫通孔４３内に入射したレーザー光Ｒの光軸は、貫通孔４３の軸方向に対して傾いていることがある。しかし、そのようなレーザー光Ｒは、貫通孔４３の内壁上で第１電極４１を構成する金属膜によって反射され得る。すなわち、貫通孔４３の内壁上の金属膜がレーザー光Ｒのガイドとして機能することがある。適切な光量で接合材６にレーザー光Ｒを照射し得ることがある。

【0075】

図６Ｅ及び図６Ｆに示されるように、電気部品４の貫通孔４３内に第１接続導体５１を形成することによって第１導体層１１と第１電極４１とが接続される。なお図６Ｅ及び図６Ｆは、電気部品４及びその周辺部分だけを、拡大して示している。

【0076】

図６Ｅに示されるように、まずコア基板３の第１面３ｆ側の露出面全体に金属膜５１０が形成される。すなわち電気部品４の貫通孔４３の内部、電気部品４の表面４ｓ及び側面上、第１絶縁層１ａ及び第３導体層１３それぞれの露出面上、並びにキャビティ１ａｃの内壁面及び底面などの全体に金属膜５１０が形成される。接合材６の貫通孔６ａの内部、及び貫通孔６ａ内に露出する導体パッド１１１の表面上にも、金属膜５１０が形成される。金属膜５１０は、銅、ニッケル、又は、金などの任意の金属を用いて、無電解めっき又はスパッタリングなどによって形成され得る。従って金属膜５１０は無電解めっき膜であってもよい。

【0077】

図６Ｆに示されるように、電気部品４の貫通孔４３に対応する位置だけに開口Ｍａを有するめっきレジストＭが用意される。めっきレジストＭは、電気部品４の上、並びに第１絶縁層１ａ及び第３導体層１３上に設けられる。そして金属膜５１０を給電層として用いる電解めっきによって、電気部品４の貫通孔４３の内部及び接合材６の貫通穴６ａの内部に電解めっき膜５１ｂ（第２金属層）が形成される。電解めっき膜５１ｂは、具体的には、金属膜５１０において、電気部品４の第１電極４１、接合材６の貫通孔６ａの内壁面、及び貫通孔６ａに露出する導体パッド１１１の表面を覆っている部分の上に形成される。

【0078】

電解めっき膜５１ｂの形成後、めっきレジストＭが、例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリ性の剥離液を用いて除去される。めっきレジストＭの除去後、電解めっき膜５１ｂに覆われていない金属膜５１０が除去される。すなわち、電気部品４の貫通孔４３内及び接合材６の貫通孔６ａ内のいずれでもない領域に形成されている金属膜５１０が除去される。

【0079】

電気部品４の貫通孔４３内及び接合材６の貫通孔６ａ内には、電解めっき膜５１ｂに覆われている金属膜５１ａ（第１金属層）が残存する。その結果、金属膜５１ａ及び電解めっき膜５１ｂからなる第１接続導体５１が、電気部品４の貫通孔４３内及び接合材６の貫通孔６ａ内に形成される。電解めっき膜５１ｂは導体パッド１１１の表面を覆っている金属膜５１ａ上にも形成されるため、接合材６の除去された部分（貫通孔６ａ）を通って第１導体層１１の導体パッド１１１に達する第１接続導体５１が形成される。第１電極４１と第１導体層１１とが第１接続導体５１によって接続される。

【0080】

第１接続導体５１は、電解めっき膜５１ｂを形成しているめっき金属を含んでいる。金属膜５１０の残存部分である金属膜５１ａは、無電解めっき膜であってもよい。第１接続導体５１を形成することは、このように、無電解めっき及び電解めっきによって２層のめっき膜層を電気部品４の貫通孔４３内に形成することを含み得る。比較的短い時間で所望の厚さの第１接続導体５１を形成し得ることがある。また、めっき金属を含む第１接続導体５１は、導電ペーストやはんだなどと比べて、例えば銅などの金属で形成される導体パッド１１１及び第１電極４１との密着強度が高いと考えられる。

【0081】

さらに、第１接続導体５１では、電気部品４の貫通孔４３内の部分と接合材６の貫通孔６ａ内の部分とが一体的に形成されている。従って、第１接続導体５１は、内部に界面などを有さない、従ってクラックなどの発生の少ない信頼性の高い接続手段になり得ると考えられる。

【0082】

図６Ｇに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第１絶縁層１ａ及び第３導体層１３の上に第２絶縁層１ｂを積層することを含んでいる。コア基板３の第２コア面３ｓ側には、既に積層されている絶縁層２ａの積層方法と同様の方法で、さらに絶縁層２ａが積層される。

【0083】

第２絶縁層１ｂは、第１及び第３の絶縁層１ａ、１ｃの積層方法と同様に、例えばフィルム状のエポキシ樹脂を、第１絶縁層１ａなどの上に配置することによって積層される。第２絶縁層１ｂの積層の際に、第１絶縁層１ａの開口部１ａ１が第２絶縁層１ｂの材料で充填される。例えば、第２絶縁層１ｂの積層に用いられるフィルム状のエポキシ樹脂が加熱によって軟化し、その一部が開口部１ａ１内に流下する。開口部１ａ１内に流下した第２絶縁層１ｂの材料によって開口部１ａ１が充填される。図６Ｇの例では、第１接続導体５１の中空部５１１も、第２絶縁層１ｂの材料によって充填されている。ビルドアップ層１内におけるボイドの発生が防がれる。このように本実施形態において第２絶縁層１ｂを積層することは、第１絶縁層１ａの開口部１ａ１を第２絶縁層１ｂの材料で充填することを含み得る。

【0084】

図６Ｈに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第２絶縁層１ｂ上に第２導体層１２を形成すると共に、第２導体層１２と電気部品４の第２電極４２とを接続することを含んでいる。第２導体層１２と電気部品４の第２電極４２とは、第２絶縁層１ｂ内にめっき金属を含む第２接続導体５２を形成することによって接続される。コア基板３の第２コア面３ｓ側には、第２導体層１２の形成方法と同様の方法で、さらに導体層２１が形成される。

【0085】

第２導体層１２は、第１導体層１１と同様に、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。図６Ｈの例では、第２導体層１２に部品実装パッド１２１が設けられる。セミアディティブ法による第２導体層１２の形成に伴って第２絶縁層１ｂ内にビア導体７が形成される。

【0086】

第２接続導体５２は、第２絶縁層１ｂ内に形成されるビア導体７と同様に、好ましくは、セミアディティブ法による第２導体層１２の形成と同時に形成される。すなわち、第２絶縁層１ｂにおける電気部品４の第２電極４２を覆っている部分に、例えば炭酸レーザー光の照射によって、第２電極４２を露出させる貫通孔１ｂａが形成される。そして貫通孔１ｂａ内、及び第２絶縁層１ｂの表面上に、無電解めっきやスパッタリングによって金属膜５２ａ（第１金属層）が形成される、そして、パターンめっきによって、貫通孔１ｂａ内の金属膜５２ａ上に電解めっき膜５２ｂ（第２金属層）が形成される。金属膜５２ａ及び電解めっき膜５２ｂからなる２層構造の第２接続導体５２が形成される。その後、金属膜５２ａの不要部分が除去される。

【0087】

第２接続導体５２は、電気部品４の第２電極４２の上に、第２導体層１２と一体的に形成される。めっき金属を含む第２接続導体５２によって、第２電極４２と第２導体層１２とが強固に接続される。図６Ｈの例では、第２接続導体５２の上に部品実装パッド１２１が形成されており、部品実装パッド１２１と第２電極４２とが、第２接続導体５２によって接続されている。

【0088】

第２導体層１２の形成後、第２導体層１２及び第２絶縁層１ｂ上に、ソルダーレジスト８が形成される。コア基板３の第２コア面３ｓ側の最表層の導体層２１及び絶縁層２ａの上にも、ソルダーレジスト８が形成される。ソルダーレジスト８には部品実装パッド１２１又は接続パッド２１１を露出させる開口が設けられる。ソルダーレジスト８、及びその開口は、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。

【0089】

ソルダーレジスト８の開口に露出する部品実装パッド１２１及び接続パッド２１１上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経る事によって配線基板１００が完成する。

【0090】

図５の例の配線基板１００ａが製造される場合は、金属箔を備える支持板（図示せず）が用意され、その金属箔上に電解めっきによって所望の導体パターンを含む導体層１５が形成される。そして、導体層１５、及び導体層１５に覆われていない金属箔上に、絶縁層１ｄ及び導体層１４が交互に積層される。２組の絶縁層１ｄ及び導体層１４の積層後、図６Ａ～図６Ｈを参照して説明された方法で各絶縁層及び各導体層が形成され、ビルドアップ層１に電気部品４が埋設される。その後、支持板、及び支持板上の金属箔が除去される。

【0091】

［他の実施形態］
図７には、本発明の他の実施形態の部品内蔵配線基板の一例である部品内蔵配線基板１０１が示されている。配線基板１０１は、図１の配線基板１００と同様に、コア基板３、ビルドアップ層１、及び、ビルドアップ層２を含んでいる。ビルドアップ層１は第１表面１ｆ及び第１表面１ｆの反対面である第２表面１ｓを有している。ビルドアップ層１には第１電極４１及び第２電極４２を備える電気部品４が内蔵されている。第２電極４２は、図１の配線基板１００と同様に、めっき金属を含む第２接続導体５２によって、電気部品４よりも第２表面１ｓ側に積層されている第２導体層１２と接続されている。そして、第１電極４１は、めっき金属を含む第１接続導体５１によって、電気部品４よりも第１表面１ｆ側に積層されている導体層３１に接続されている。すなわち、配線基板１０１では、導体層３１が、第１接続導体５１によって電気部品４の第１電極４１と接続される導体層（第１導体層）である。導体層３１は、コア基板３を構成する２つの導体層のうちの第１コア面３ｆ側に形成されている導体層であってビルドアップ層１に面している。

【0092】

配線基板１０１においてビルドアップ層１は、導体層３１及び絶縁層３ａ上に順に積層されている、第３絶縁層１ｃ、第４導体層１１４、第１絶縁層１ａ、第３導体層１３、第２絶縁層１ｂ、及び、第２導体層１２を含んでいる。第１絶縁層１ａを貫通する開口部１ａ１は、第１絶縁層１ａに覆われないように第４導体層１１４の一部をビルドアップ層１の第２表面１ｓ側に露出させている。そして、電気部品４は、導体層１１４において開口部１ａ１内に露出している導体パッド１１４ｐの上に絶縁性の接合材６を介して置かれている。電気部品４と導体層３１（本実施形態における第１導体層）との間には、ビルドアップ層１内に形成されている内層導体層（第４導体層１１４）及び絶縁層（第３絶縁層１ｃ）が介在している。従って、第１接続導体５１は、電気部品４及び接合部材６を貫通すると共に、第４導体層１１４及び第３絶縁層１ｃを貫通している。

【0093】

第４導体層１１４に設けられている導体パッド１１４ｐには、第１接続導体５１と平面視で重なる位置に開口１１４ｈが形成されている。従って、第１接続導体５１は、第４接続導体１１４を非接触で貫通している。

【0094】

本実施形態の配線基板１０１のように、実施形態の配線基板では、電気部品４と、第１接続導体５１によって第１電極４１と接続される第１導体層（図７において導体層３１）との間に、１以上の絶縁層及び１以上の導体層が介在していてもよい。その場合、第１接続導体５１は、その１以上の絶縁層を貫通すると共に、その１以上の導体層を非接触で貫通して第１導体層に接続されてもよい。従って、電気部品４は、第１導体層以外のビルドアップ層１内の任意の導体層の上に置かれ得る。本実施形態の配線基板１０１は、第１接続導体５１と接続される第１導体層（図７の導体層３１）が、電気部品４が配置される導体層（図７の第４導体層１１４）よりも、第１表面１ｆ側に位置している点を除いて、図１の配線基板１００と同様の構造を有している。従って、図１の配線基板１００と同様の構成要素には、図１に付されている符号と同じ符号が図７に付されるか又は省略され、繰り返しとなる説明は省略される。

【0095】

図７に例示される実施形態の配線基板１０１が製造される場合、図６Ａを参照して説明された工程において、本実施形態の第１導体層となる導体層３１が形成され、さらに図６Ａと同様に第３絶縁層１ｃが積層される。そして導体層３１の上に第３絶縁層１ｃを介して、図６Ａの第１導体層１１が、本実施形態の第４導体層（内層導体層）として形成される。しかし、図６Ａに示される導体パッド１１１及び導体パッド１１１と一体のビア導体７は形成されず、導体パッド１１１の位置には図７の開口１１４ｈが設けられる。その後、第１絶縁層１ａが積層される。

【0096】

そして図６Ｄを参照して説明された工程において、貫通孔６ａが、接合材６と共に第３絶縁層１ｃを貫通するように形成される。貫通孔６ａは、本実施形態の第１導体層（図６Ｄにおける導体層３１）を露出させるように形成される。また貫通孔６ａは、本実施形態の第４導体層（図６Ｄにおける第１導体層１１）の導体パターンから離間するように形成される。その後、図６Ｅ及び図６Ｆを参照して説明された工程において、貫通孔６ａ内に第１接続導体５１が形成される。第１接続導体５１を形成することによって本実施形態の第１導体層（図６Ｆにおける導体層３１）と電気部品４の第１電極４１とが接続される。第１接続導体５１は貫通孔６ａ内に形成されるので、図７に示されるような、第４導体層（内層導体層）を非接触で貫通して導体層３１（第１導体層）と接する第１接続導体５１が形成される。

【0097】

実施形態の部品内蔵配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、電気部品４は、２つの導体層に挟まれる任意の絶縁層内に内蔵され得る。電気部品４はビルドアップ層２内に内蔵されていてもよい。第１接続導体５１は、第１導体層１１のビアパッド以外の導体パッドに接続されていてもよい。第２接続導体５２は、第２導体層１２の部品実装パッド１２１以外の導体パッドに接続されていてもよい。第３導体層１３は設けられていなくてもよい。第１接続導体５１は、第１導体層だけでなく、図７に例示される実施形態のように電気部品４と第１導体層との間に介在する１以上の導体層の一部又は全部と、必要に応じて接触していてもよい。

【0098】

実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、金属から容易に剥離し得る剥離膜が、第１導体層１１における第１絶縁層１ａの開口部１ａ１の形成領域に配置されたうえで第１絶縁層１ａが積層されてもよい。そして、第１絶縁層１ａにおける剥離膜上の部分が周囲と分離されたうえで、その部分が剥離膜と共に除去されてもよい。そのようにして開口部１ａ１が形成されてもよい。また、導体層３１、３２以外の各導体層がサブトラクティブ法で形成されてもよい。実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0099】

１００、１００ａ、１０１ 部品内蔵配線基板
１、２ ビルドアップ層
１ｆ 第１表面
１ｓ 第２表面
１１ 第１導体層
１１１、１１２ 導体パッド
１１４ 第４導体層（内層導体層）
１２ 第２導体層
１２１ 部品実装パッド
１３ 第３導体層
１ａ 第１絶縁層
１ａ１ 開口部
１ｂ 第２絶縁層
１ｃ 第３絶縁層
３ コア基板
４ 電気部品
４１ 第１電極
４２ 第２電極
４３ 貫通孔
５１ 第１接続導体
５１ａ 第１金属層
５１ｂ 第２金属層
５２ 第２接続導体
６ 接合材
Ｒ レーザー光

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図6G】

【図6H】

【図7】