特許 7497078 光源駆動制御装置および方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-05-31

(45)【発行日】2024-06-10

(54)【発明の名称】光源駆動制御装置および方法

(51)【国際特許分類】

   G01S 7/497 20060101AFI20240603BHJP

   G01S 7/4913 20200101ALI20240603BHJP

【ＦＩ】

G01S7/497

G01S7/4913

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2022505653

(86)(22)【出願日】2020-12-07

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-10-06

(86)【国際出願番号】 KR2020017744

(87)【国際公開番号】W WO2021125651

(87)【国際公開日】2021-06-24

【審査請求日】2022-01-27

(31)【優先権主張番号】10-2019-0169860

(32)【優先日】2019-12-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】518086871

【氏名又は名称】ドンウン アナテック カンパニー リミテッド

【住所又は居所原語表記】１２Ｆ， ２２， Ｂａｎｐｏ－ｄａｅｒｏ， Ｓｅｏｃｈｏ－ｇｕ， Ｓｅｏｕｌ， ０６７１６ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】イ、ソヨル

(72)【発明者】

【氏名】イ、チュンソク

【審査官】梶田 真也

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－０４１２０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－２６５５９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０５－００５６２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第１０４４４３３１（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】特開２０１２－２３５６７６（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１２－０１３２３３３（ＫＲ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２０２０－０１１７１４３（ＫＲ，Ａ）

【文献】特開２００６－２８０９３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２０１７－０１３０２０３（ＫＲ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｓ ７／４８ － ７／５１

Ｇ０１Ｓ １７／００ － １７／９５

Ｇ０１Ｃ ３／００ － ３／３２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＰＣＢに装着される光源と、ホルダーにより固定され、下部に位置する光源から出力された光を拡散通過させるディフューザーとを含む光源駆動制御装置であって、
前記光源側のＰＣＢに装着され、反射されてくる光量に反応するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードの一側と連結され、フォトダイオード検出電圧を生成する電圧発生部と、
前記フォトダイオード検出電圧を前記ディフューザーの破損有無をチェックするために設定された第１基準電圧と比較するための第１比較器と、
前記フォトダイオード検出電圧を被写体近接有無をチェックするために設定された第２基準電圧と比較するための第２比較器と、
前記フォトダイオード検出電圧と第１基準電圧又は第２基準電圧との比較結果により前記光源のドライバーを選択的にオフさせるドライバー制御部と、
を含み、
前記電圧発生部は、
前記フォトダイオードと接地との間に連結されてフォトダイオード電圧を検出するための抵抗（ＲＰＤ）と、
前記抵抗（ＲＰＤ）の一側に連結され、前記フォトダイオード電圧の平均値を得るためのＬＰＦとを含み、
前記ドライバー制御部が前記フォトダイオード検出電圧と前記第１基準電圧あるいは第２基準電圧との比較結果を周期的にモニタリングするための状態監視信号（ＥＮ＿ＰＲＯＴＥＣＴ）を生成するイネーブルジェネレーターをさらに含み、
前記イネーブルジェネレーターは、
前記光源駆動制御装置で利用される低電圧差等信号の発生時点から前記フォトダイオード検出電圧の平均値が安定化されるまで所定時間遅延して活性化される状態監視信号を発生させることを特徴とする、光源駆動制御装置。

【請求項2】

ＰＣＢに装着される光源と、ホルダーにより固定され、下部に位置する光源から出力された光を拡散通過させるディフューザーと、前記光源側のＰＣＢに装着され、反射されてくる光量に反応する光反応素子と、前記光反応素子の一側と連結され、光反応素子の電圧を生成する電圧発生部とを含む３Ｄセンシングシステムの光源駆動制御方法であって、
光量によって変化する前記光反応素子の電圧を前記ディフューザーの破損有無をチェックするために設定された第１基準電圧と比較する段階と、
前記光反応素子の電圧を被写体近接有無をチェックするために設定された第２基準電圧と比較する段階と、
比較結果によって前記光源を駆動させるドライバーを選択的にオフ制御する段階と、
前記光反応素子の電圧と前記第１基準電圧あるいは第２基準電圧との比較結果を周期的にモニタリングするための状態監視信号（ＥＮ＿ＰＲＯＴＥＣＴ）を生成する段階と、
を含み、
前記電圧発生部は、
前記光反応素子と接地との間に連結されて光反応素子の電圧を検出するための抵抗（ＲＰＤ）と、
前記抵抗（ＲＰＤ）の一側に連結され、前記光反応素子の電圧の平均値を得るためのＬＰＦとを含み、
前記状態監視信号を生成する段階は、前記３Ｄセンシングシステムで利用される低電圧差等信号の発生時点から前記光反応素子の電圧の平均値が安定化されるまで所定時間遅延して活性化される状態監視信号を発生させることを特徴とする、光源駆動制御方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、３Ｄセンシングシステムに関し、特にディフューザー状態によって光源の駆動を制御する装置およびその方法に関する。

【背景技術】

【0002】

立体映像サービスに対する関心が増大されることにより立体映像を提供する装置が開発および普及されている。立体映像を実現するための３Ｄセンシング方式のうち、ステレオスコピック（ｓｔｅｒｅｏｓｃｏｐｉｃ）方式、時間測定（ＴＯＦ：ｔｉｍｅ ｏｆ ｆｌｉｇｈｔ）方式、構造光（ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｌｉｇｈｔ）方式などがある。

【0003】

ステレオスコピック方式の基本原理は、人の左眼と右眼に互いに直交するように配列された映像を分離して入力し、人の頭脳で左眼と右眼にそれぞれ入力された映像が結合して立体映像が生成される方式である。ストレオ方式の３Ｄカメラには、二つのカメラ間の組立て誤差による品質問題が３Ｄ品質を低下させて、高精密組立て工程および収率の低下という問題点を抱えている。

【0004】

一方、構造光（ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ １ｉｇｈｔ）方式は、特定パターンがコーディングされたレーザー光を物体に照射し、反射光のパターンシフト（ｓｈｉｆｔ）量を計算することで物体の深さ情報を獲得する。この方式は、一般的に固定焦点レンズとパッシブ（ｐａｓｓｉｖｅ）コーディング素子を使用する。よって、多様な環境によって解像度を変化させながらイメージを獲得することができないという短所がある。

【0005】

飛行時間測定（ＴＯＦ：ｔｉｍｅ ｏｆ ｆｌｉｇｈｔ）方式は、被写体に直接的に光を照射し、反射して戻る反射光の時間を計算することで物体の深さ情報を獲得する方式である。

【0006】

上述した３Ｄセンシング方式のうち低い計算量による高いフレームレート（ｆｒａｍｅ ｒａｔｅ）、小さいフットプリント（ｆｏｏｔｐｒｉｎｔ）、相対的に少ない製作費用、日光に強靭な特性などの利点があるＴＯＦ方式が多くの関心を受けている。

【0007】

ＴＯＦ方式は、基本的に特定波長の光を被写体に透写し、被写体から反射された同波長の光をフォトダイオード（Ｄ）またはカメラで測定または撮影し、深さ映像を抽出するプロセッシングを経るようになる。

【0008】

ＴＯＦ方式における３Ｄセンシング距離は、光パワー（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｏｗｅｒ）に比例して決定されるため、セットメーカーでは、通常駆動電流を増やして光源（ＶＣＳＥＬ）のパワーを増加させようとする。一般的にＴＯＦ方式が適用された３Ｄセンシングシステムには、点光源を面光源に変更するディフューザー（Ｄｉｆｆｕｓｅｒ）が備えられる。

【0009】

しかし、ディフューザーがないか図１に示すように破損されると、光源によるレーザー光が被写体である人の目や肌に直接照射されて被害を与えるおそれがあるため、これに対する新しい方案を講ずる必要がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【文献】大韓民国公開特許公報第１０－２０１７－０１３０２０３号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

そこで、本発明は、上述した必要性により案出された発明であって、本発明の主な目的は、ディフューザーの状態によって光源の駆動を制御して光源の直接照射による被害を最小化することができる３Ｄセンシングシステムの光源駆動制御装置およびその方法を提供することにある。

【0012】

さらに、本発明のまた他の目的は、被写体の近接接近の際に光源から照射された光により引き起こされる被写体の被害を最小化することができる３Ｄセンシングシステムの光源駆動制御装置およびその方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0013】

前述した目的を達成するための本発明の実施形態による光源駆動制御装置は、ＰＣＢに装着される光源と、ホルダーにより固定され、下部に位置する光源から出力された光を拡散通過させるディフューザーとを含む３Ｄセンシングシステムに適用可能な装置であって、
前記光源側のＰＣＢに装着され、反射されてくる光量に反応するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードの一側と連結され、フォトダイオード検出電圧を生成する電圧発生部と、
前記フォトダイオード検出電圧を前記ディフューザーの破損有無をチェックするために設定された第１基準電圧と比較するための第１比較器と、
前記フォトダイオード検出電圧と第１基準電圧との比較結果により前記光源のドライバーを選択的にオフさせるドライバー制御部とを含むことを特徴とする。

【0014】

さらに、上述した光源駆動制御装置は、前記フォトダイオード検出電圧を被写体近接有無をチェックするために設定された第２基準電圧と比較するための第２比較器をさらに含み、前記ドライバー制御部は、前記第２比較器の出力によって前記光源のドライバーを選択的にオフさせることをまた他の特徴とする。

【0015】

本発明のまた他の実施形態による光源駆動制御装置は、ＰＣＢに装着される光源と、ホルダーにより固定され、下部に位置する光源から出力された光を拡散通過させるディフューザーとを含む３Ｄセンシングシステムに適用可能な装置にであって、
前記ディフューザー上に形成され、透明電極を内包し、一定の抵抗値を有するようにパターン形成された透明電極層と、
前記透明電極に連結され、バイアス電流を印加するための電流供給源と、
前記バイアス電流の印加により生成される透明電極状態電圧を互いに異なる基準電圧とそれぞれ比較する比較器と、
前記透明電極状態電圧が前記互いに異なる基準電圧範囲から外れると、前記光源のドライバーをオフさせるドライバー制御部とを含むことをまた他の特徴とする。

【0016】

さらに、本発明の実施形態による光源駆動制御方法は、ＰＣＢに装着される光源と、ホルダーにより固定され、下部に位置する光源から出力された光を拡散通過させるディフューザーと、前記光源側のＰＣＢに装着され、反射されてくる光量に反応する光反応素子とを含む３Ｄセンシングシステムで実行可能な方法であって、
光量によって変化する前記光反応素子の電圧を前記ディフューザーの破損有無をチェックするために設定された第１基準電圧と比較する段階と、
前記比較結果によって前記光源を駆動させるドライバーを選択的にオフ制御する段階とを含むことを特徴とする。

【発明の効果】

【0017】

上述した技術的課題を解決するための手段によると、本発明は、光源側のＰＣＢに装着され、反射されてくる光量に反応するフォトダイオードを通じてフォトダイオードの電圧を検出し、該検出電圧を、被写体近接有無をチェックするために設定された基準電圧と、或いはディフューザーの破損有無をチェックするために設定されたまた他の基準電圧と比較して、その比較結果によって光源のドライバーを強制的にオフさせることによって、ディフューザーの損傷或いは被写体の近接接近による被写体の被害を最小化することができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】３Ｄセンシングシステムにおいてディフューザーの破損状態を例示した図面である。

【図2】本発明の実施形態による光源駆動制御装置の光源（ＶＣＳＥＬ）パッケージの断面例示図である。

【図3】本発明の実施形態による光源駆動制御装置の光源（ＶＣＳＥＬ）パッケージの断面例示図である。

【図4】本発明の実施形態による光源駆動制御装置の構成例示図である。

【図5】図４に示した光源駆動制御装置の動作を説明するための波形例示図である。

【図6】図４に示した光源駆動制御装置の動作を説明するための波形例示図である。

【図7】図４に示した光源駆動制御装置の動作を説明するための波形例示図である。

【図8】本発明の実施形態による光源駆動制御装置のまた他の光源パッケージの断面例示図である。

【図9】図８と関連したまた他の光源駆動制御装置の構成例示図である。

【図10】図９に示した光源駆動制御装置の動作を説明するための波形例示図である。

【図11】図９に示した光源駆動制御装置の動作を説明するための波形例示図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

本発明の一実施形態によると、ＰＣＢに装着される光源と、ホルダーにより固定され、下部に位置する光源から出力された光を拡散通過させるディフューザーとを含む３Ｄセンシングシステムであって、前記光源側のＰＣＢに装着され、反射されてくる光量に反応するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの一側と連結され、フォトダイオード検出電圧を生成する電圧発生部と、前記フォトダイオード検出電圧を前記ディフューザーの破損有無をチェックするために設定された第１基準電圧と比較するための第１比較器と、前記フォトダイオード検出電圧と第１基準電圧との比較結果によって前記光源のドライバーを選択的にオフさせるドライバー制御部とを含むことを特徴とする光源駆動制御装置が提供される。

【0020】

後述する本発明に対する詳細な説明は、本発明の目的、技術的解法および長所を明らかにするために本発明が実施されることができる特定の実施形態を例示したもので、図示の添付図面を参照する。これらの実施形態は、通常の技術者が本発明を十分に実施できるように詳しく説明される。

【0021】

また、本発明の詳細な説明および請求項において「含む」という単語およびその変形は、他の技術的特徴、付加物、構成要素または段階を除外するものとして意図されたものではない。通常の技術者であれば本発明の他の目的、長所および特性の一部は本説明書から、そして一部は本発明の実施から分かるであろう。下記の例示および図面は実例として提供され、本発明を限定するものとして意図されたものではない。さらに、本発明は、本明細書に表示された実施形態の全ての可能な組み合わせを含む。本発明の多様な実施形態は互いに異なるが、相互に排他的である必要はないことが理解されるべきである。従って、後述する詳細な説明は限定的な意味として採用するものではなく、本発明の範囲は、適切に説明されれば、その請求項が主張するものと均等な全ての範囲と共に、添付の請求項によってのみ限定される。図面における類似した参照符号は、様々な側面で同一であるか類似した機能を指称する。

【0022】

本明細書において他に表示されるか明らかに文脈に矛盾しない限り、単数で指称された項目は、その文脈で他に要求されない限り、複数のものも含む。また、本発明を説明するにあたって、関連の公知構成または機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすると判断される場合は、それに対する詳細説明は省略する。

【0023】

以下、通常の技術者が本発明を容易に実施できるようにするために、本発明の好ましい実施形態について添付の図面を参照して詳しく説明する。下記における３Ｄセンシングシステムは、３Ｄ顔面認識、自動走行、仮想／拡張現実などの様々な分野で多様に利用されるカメラ装置であると仮定する。

【0024】

図２および図３は、本発明の実施形態による光源駆動制御装置の光源（ＶＣＳＥＬ）パッケージの断面を例示したものであり、図４は、本発明の実施形態による光源駆動制御装置の構成図を例示したものである。

【0025】

先ず、図２を参照すると、本発明の実施形態による３Ｄセンシングシステムは、ＰＣＢに装着される光源１０を含む。光源１０は、レーザーダイオードまたはＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ－Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）からなることができる。前記光源１０は、図示のようにホルダー２０により固定され、下部に位置する光源１０から出力された光を拡散通過させるディフューザー３０を含む。下記では、光源１０としてＶＣＳＥＬを採用しているものと図示した。

【0026】

ディフューザー３０の破損有無をチェックするために、本発明の実施形態による光源駆動制御装置は、前記光源１０側のＰＣＢに装着され、ディフューザー３０から反射されてくる光量に反応するフォトダイオード（ＰＤ）４０をさらに含む。

【0027】

さらに、本発明の実施形態による光源駆動制御装置は、図４に示すように、ＰＤ４０の一側と連結され、フォトダイオード検出電圧（ＶＰＤ）を生成する電圧発生部を含む。前記電圧発生部は、フォトダイオード電圧を検出するための抵抗（Ｒ_ＰＤ）と検出電圧の平均値を得るためのＬＰＦ５０で構成することができる。

【0028】

また、本発明の実施形態による光源駆動制御装置は、平均化されたフォトダイオード検出電圧（ＬＰＦ Ｏｕｔ）をディフューザーの破損有無をチェックするために設定された第１基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＬ＿ＶＴＬ）と比較するための第１比較器６０と、

【0029】

前記平均化されたフォトダイオード検出電圧（ＬＰＦ Ｏｕｔ）と第１基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＴ＿ＶＴＬ）との比較結果によって光源１０のドライバーを選択的にオフ（Ｄｒｉｖｅｒ ｏｆｆ Ｓｉｇｎａｌ）させ、ロジッグで実現することもできるドライバー制御部８０とを含む。

【0030】

さらに、図３に示すように、本発明の実施形態による光源駆動制御装置は、平均化されたフォトダイオード検出電圧（ＬＰＦ Ｏｕｔ）を被写体近接有無をチェックするために設定された第２基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＴ＿ＶＴＨ）と比較するための第２比較器７０をさらに含むことができる。このような場合、ドライバー制御部８０は、第２比較器７０の出力（ＯＰＤ＿ＥＲＲ）によって光源のドライバーを選択的にオフ（Ｄｒｉｖｅｒ ｏｆｆ Ｓｉｇｎａｌ）させるための信号を出力する。前記第１比較器６０と第２比較器７０は、必要に応じていずれか一つ或いはいずれも具備されることができる。

【0031】

参考として、比較器６０、７０で比較される基準電圧のそれぞれは、レジスターを通じて電圧レベルを変更することができる。図４で説明していないイネーブルジェネレーター（Ｅｎａｂｌｅ Ｇｅｎ）ｌ００は、ドライバー制御部８０がフォトダイオード検出電圧と第１基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＴ＿ＶＴＬ）或いは（および）第２基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＴ＿ＶＴＨ）との比較結果を周期的にモニタリングするための状態監視信号（ＥＮ＿ＰＲＯＴＥＣＴ）を生成してドライバー制御部８０に伝達する。前記イネーブルジェネレーター１００は、図５に示すように、３Ｄセンシングシステムで利用される低電圧差等信号（ＬＶＤＳ）の発生時点から所定時間（フォトダイオード検出電圧が安定化されるまでの時間）遅延して活性化される状態監視信号を生成する。このような状態監視信号は、ドライバー制御部８０を活性化させるための信号として定義することもできる。このような場合、イネーブルジェネレーター１００なしでドライバー制御部８０は、上位プロセッサから印加されるイネーブル信号によって活性化されて、フォトダイオード検出電圧と第１基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＬ＿ＶＴＬ）或いは（および）第２基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＴ＿ＶＴＨ）との比較結果を周期的にモニタリングして光源のドライバーを制御することもできる。

【0032】

以下、上述した構成を含む光源駆動制御装置の動作を図５～図７を参照して詳しく説明すると、図５～図７は、図４に示した光源駆動制御装置の動作を説明するための波形例示図をそれぞれ示したものである。

【0033】

先ず、図５～図７に示したＳＰＩ／Ｉ２Ｃコマンド信号は、３Ｄセンシングシステムのパワーオン時の基準電圧をレジスターに設定するためのパルスを表したものであり、ＥＮ信号は、３Ｄセンシングシステムの全体ドライバーを活性化させるための信号を、ＬＶＤＳは、低電圧差等信号を、ＰＤ ＬＰＦ Ｏｕｔ Ｖｏｌｔａｇｅは、電圧発生部の一構成要素であるＬＰＦ５０の出力電圧、即ち平均化されたフォトダイオード検出電圧をそれぞれ示したものである。

【0034】

仮にディフューザー３０の破損がないか被写体が設定しておいた位置まで近接していなければ、状態監視信号（ＥＮ＿ＰＲＯＴＥＣＴ）が活性化される区間における平均化されたフォトダイオード検出電圧（ＰＤ ＬＰＦ Ｏｕｔ Ｖｏｌｔａｇｅ）は、図５に示すように、ディフューザー３０の破損有無をチェックするために設定された第ｌ基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＴ＿ＶＴＬ）より高く、被写体近接有無をチェックするために設定された第２基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＴ＿ＶＴＨ）よりは低いレベルを維持する。

【0035】

しかし、図３に示すように、被写体が設定しておいた位置よりさらに近く近接すると、より多くの光量が被写体により反射され、光量に比例して反応するフォトダイオード４０の検出電圧は上昇する。このように被写体近接によりフォトダイオード検出電圧（ＰＤ ＬＰＦ Ｑｕｔ Ｖｏｌｔａｇｅ）が図６に示すように被写体近接有無をチェックするために設定された第２基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＴ＿ＶＴＨ）以上になると、ドライバー制御部８０は、光源のドライバーを強制的にオフ（ＥＮ＿ＤＲＩＶＥＲ）させることで、被写体近接によって被写体が損傷されるか被害を被ることを事前に防止する。

【0036】

一方、図１に示すように、ディフューザー３０が損傷されると、それから反射される光量は減少するため、フォトダイオード４０の検出電圧（ＰＤ ＬＰＦ Ｏｕｔ Ｖｏｌｔａｇｅ）は図７に示すように低くなり、フォトダイオード４０の検出電圧（ＰＤ ＬＰＦ Ｏｕｔ Ｖｏｌ ｔａｇｅ）がディフューザーの破損有無をチェックするために設定された第１基準電圧（ＰＤ＿ＤＥＴ＿ＶＴＬ）以下になると、ドライバー制御部８０は光源のドライバーを強制的にオフさせることで、ディフューザー３０の損傷により被写体が損傷されるか被害を被ることを事前に予防する。

【0037】

したがって、本発明は、被写体の近接接近或いは（および）ディフューザー３０の破損時に、光源で照射された光により引き起こされる被写体の被害を最小化することができる発明である。

【0038】

以下、本発明のまた他の実施形態による光源駆動制御装置の機構的構成と回路的構成の特徴について詳しく説明する。

【0039】

図８は、本発明の実施形態による光源駆動制御装置のまた他の光源パッケージの断面を例示したもので、図９は、図８と関連したまた他の光源駆動制御装置の構成図を、図１０および図１１は、図９に示した光源駆動制御装置の動作を説明するための波形図をそれぞれ例示したものである。

【0040】

図８に示すように、本発明のまた他の実施形態による光源駆動制御装置は、ＰＣＢに装着される光源１０と、ホルダー２０により固定され、下部に位置する光源１０から出力された光を拡散通過させるディフューザー３０とを含む３Ｄセンシングシステムの一部であって、前記ディフューザー３０上に形成され、透明電極（ＩＴＯ）を内包し、一定の抵抗値を有するようにパターン形成された透明電極層６５をさらに含む。

【0041】

上述した透明電極層６５の他に、本発明のさらに他の実施形態による光源駆動制御装置は、回路的特徴要素であり、図９に示すように、
前記透明電極（ＩＴＯ）に連結され、バイアス電流を印加するための電流供給源（Ｉ_Ｂ）と、
前記バイアス電流の印加により生成される透明電極状態電圧（Ｖ_ＩＴＯ）を互いに異なる基準電圧（ＲＤＥＴ＿ＶＴＬ、ＲＤＥＴ＿ＶＴＨ）とそれぞれ比較する比較器７５、８５と、
前記透明電極状態電圧（Ｖ_ＩＴＯ）が前記互いに異なる基準電圧が形成する範囲から外れると、光源のドライバーをオフさせるドライバー制御部８０とを含む。

【0042】

上述した構成において、透明電極（ＩＴＯ）の抵抗に該当するＲ_ＩＴＯに多様な電圧レベルを生成できるようにバイアス電流値をレジスターで選択（レジスターセッティング）できるようにしてもよい。

【0043】

図９で説明していないＥＮ＿ＲＤＥＴは、上位プロセッサで印加される信号であり、透明電極の状態をチェックするための透明電極状態チェック信号として定義することができる。このような透明電極状態チェック信号（ＥＮ＿ＲＤＥＴ）は、図１０に示すように、レジスター設定区間の終了時点（ＳＰＩ／Ｉ２Ｃ Ｃｏｍｍａｎｄ）で活性化される。

【0044】

以下、図１０および図１１を参照して、図９に示した光源駆動制御装置の動作を詳しく説明すると、
先ず、ディフューザー３０に図ｌに示すような損傷がなければ、電流供給源（Ｉ_Ｂ）により印加されるバイアス電流（Ｉ_Ｂ）によって、透明電極状態電圧（Ｖ_ＩＴＯ）は図１０に示すように事前設定された二つの基準電圧（ＲＤＥＴ＿ＶＴＬ、ＲＤＥＴ＿ＶＴＨ）の間で一定の電圧レベルを維持する。

【0045】

しかし、ディフューザー３０が損傷された場合は、透明電極（ＩＴＯ）の抵抗（Ｒ_ＩＴＯ）値も変わるようになる。透明電極の抵抗（Ｒ_ＩＴＯ）値が増加または減少すると、それにより透明電極状態電圧（Ｖ_ＩＴＯ）も変わるようになり、図１１に示すように予め設定された二つの基準電圧（ＲＤＥＴ＿ＶＴＬ、ＲＤＥＴ＿ＶＴＨ）範囲を上方或いは下方に外れるようになる。

【0046】

このような場合、ドライバー制御部８０は、光源のドライバーを強制的にオフさせることで、ディフューザー３０の損傷により被写体が損傷されるか被害を被ることを事前に予防する。

【0047】

したがって、図９に示した光源駆動制御装置もディフューザー３０の破損時に光源から照射された光によって引き起こされる被写体の被害を最小化することができる効果を提供する。

【0048】

以上、図面に示された実施形態を参考として説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野で通常の知識を有する者であればこれから多様な変形および均等な他の実施形態が可能であるという点が理解できるであろう。そこで、本発明の技術的保護範囲は、添付の特許請求の範囲のみにより定められるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】