特許7497741IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

基材表面の選択的修飾方法及び組成物

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかし、従来の材料では、低分子材料ゆえ、既存プロセスでのスピンコート法では塗布できず、効率の悪いLangmuir-Blodgett法を用いる必要があり、耐熱性に劣るという不都合がある。そのため、粘度が大きく、耐熱性を有する高分子材料を用いることが望ましい。一方で、高分子材料は立体障害が大きいため、効率よく基材表面を修飾することはできておらず、また、十分な選択性を簡単に見い出すことができる手法は未だ知られていない。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するためになされた発明は、金属を含む第一の領域を表層に有する基材を準備する工程と、基材の表面に、金属と結合する第1官能基を含む基を主鎖又は側鎖の末端に有する第1重合体及び溶媒を含有する組成物を塗工する工程と、塗工工程により形成される塗膜を加熱する工程とを備える基材表面の選択的修飾方法である。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の基材表面の選択的修飾方法及び組成物によれば、金属を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる。従って、当該基材表面の選択的修飾方法及び組成物は、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスの加工プロセス等に好適に用いることができる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 ストライプ状基板を作製するための基板の断面図である。
【図2】 選択的表面修飾の評価に用いたストライプ状基板の断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

1 シリコンウエハ 2 Cu-EPC 3 Cu-seed 4 TaN 5 シリコンオキサイド

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

[広告欄]

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります