知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-06-03
(45)【発行日】2024-06-11
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240604BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201F
H01G4/30 513
【請求項の数】
4
(21)【出願番号】P 2020176548
(22)【出願日】2020-10-21
(65)【公開番号】P2022067771
(43)【公開日】2022-05-09
【審査請求日】2023-07-04
(73)【特許権者】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100124062
【弁理士】
【氏名又は名称】三上 敬史
(72)【発明者】
【氏名】井口 俊宏
【審査官】多田 幸司
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１７－１９１８３７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｇ ４／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
素体と、前記素体に配置されている外部電極と、を備え、
前記素体は、実装面である主面と、前記主面と隣り合う側面と、を有しており、
前記外部電極は、
前記素体上に配置されている焼結金属層と、
前記焼結金属層の一部が露出するように前記焼結金属層上に配置されており、複数の金属粒子と樹脂とを含む導電性樹脂層と、
前記焼結金属層の前記一部上に配置されている第一領域と、前記導電性樹脂層上に配置されている第二領域と、を有しているニッケルめっき層と、
前記ニッケルめっき層上に配置されているはんだめっき層と、を有しており、
前記導電性樹脂層は、前記側面上のみに位置し、
前記第二領域の厚みは、前記第一領域の厚みより小さい、電子部品。
【請求項2】
前記第一領域の厚みに対する前記第二領域の厚みの比率は、０．５３以上０．８４以下である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記焼結金属層は、銅焼結体であり、各前記金属粒子は、銅粒子である、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項4】
前記銅粒子の平均粒径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項３に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
素体と、素体に配置されている外部電極と、を備えている電子部品が知られている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された電子部品では、外部電極は、素体上に配置されている焼結金属層と、焼結金属層の一部が露出するように焼結金属層上に配置されており、複数の金属粒子と樹脂とを含む導電性樹脂層と、焼結金属層の上記一部上に配置されている第一領域と、導電性樹脂層上に配置されている第二領域と、を有しているニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に配置されているスズめっき層と、を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１０－２２６０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の一つの態様は、はんだクラックの発生を抑制しつつ、導電性樹脂層とニッケルめっき層との電気的かつ機械的接続強度の低下を抑制する電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一つの態様に係る電子部品は、素体と、素体に配置されている外部電極と、を備えている。外部電極は、素体上に配置されている焼結金属層と、焼結金属層の一部が露出するように焼結金属層上に配置されており、複数の金属粒子と樹脂とを含む導電性樹脂層と、焼結金属層の一部上に配置されている第一領域と、導電性樹脂層上に配置されている第二領域と、を有しているニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に配置されているはんだめっき層と、を有している。第二領域の厚みは、第一領域の厚みより小さい。
【0006】
導電性樹脂層は、外部電極に形成されるはんだフィレットに作用する応力を緩和し、はんだクラックの発生を抑制する。これに対して、ニッケルめっき層は、一般に、硬いので、導電性樹脂層がはんだクラックの発生を抑制するのを阻害するおそれがある。
第二領域の厚みが第一領域の厚みより小さい構成では、第二領域の厚みが第一領域の厚みより大きい構成に比して、ニッケルめっき層の第二領域は、導電性樹脂層がはんだクラックの発生を抑制するのを阻害しがたい。
第二領域の厚みが第一領域の厚みより小さい構成では、第二領域の厚みが第一領域の厚みより大きい構成に比して、ニッケルめっき層の第二領域は、導電性樹脂層がはんだクラックの発生を抑制するのを阻害しがたい。
【0007】
第一領域の厚みが第二領域の厚みより小さい構成では、第一領域の機械的強度が低下し、破れ又は剥がれがニッケルめっき層に生じるおそれがある。したがって、第一領域の機械的強度が低下する場合、導電性樹脂層とニッケルめっき層との電気的かつ機械的接続強度が低下するおそれがある。
上記一つの態様では、第一領域の厚みが第二領域の厚みより大きいので、第一領域の機械的強度の低下が抑制され、破れ又は剥がれがニッケルめっき層に生じがたい。したがって、上記一つの態様は、導電性樹脂層とニッケルめっき層との電気的かつ機械的接続強度の低下を抑制する。
上記一つの態様では、第一領域の厚みが第二領域の厚みより大きいので、第一領域の機械的強度の低下が抑制され、破れ又は剥がれがニッケルめっき層に生じがたい。したがって、上記一つの態様は、導電性樹脂層とニッケルめっき層との電気的かつ機械的接続強度の低下を抑制する。
【0008】
上記一つの態様は、素体は、実装面である主面と、主面と隣り合う側面と、を有していてもよい。この場合、導電性樹脂層は、側面上のみに位置していてもよい。
はんだフィレットに作用する応力は、外部電極の、側面上に位置している部分に形成されるはんだフィレットに集中する傾向がある。導電性樹脂層が側面上のみに位置している構成は、はんだクラックの発生を確実に抑制する。
はんだフィレットに作用する応力は、外部電極の、側面上に位置している部分に形成されるはんだフィレットに集中する傾向がある。導電性樹脂層が側面上のみに位置している構成は、はんだクラックの発生を確実に抑制する。
【0009】
上記一つの態様では、第一領域の厚みに対する第二領域の厚みの比率は、０．５３以上０．８４以下であってもよい。
第一領域の厚みに対する第二領域の厚みの比率が０．５３以上０．８４以下である構成は、はんだクラックの発生をより一層確実に抑制しつつ、導電性樹脂層とニッケルめっき層との電気的かつ機械的接続強度の低下をより一層抑制する。
第一領域の厚みに対する第二領域の厚みの比率が０．５３以上０．８４以下である構成は、はんだクラックの発生をより一層確実に抑制しつつ、導電性樹脂層とニッケルめっき層との電気的かつ機械的接続強度の低下をより一層抑制する。
【0010】
上記一つの態様では、焼結金属層は、銅焼結体であってもよく、各金属粒子は、銅粒子であってもよい。
たとえば、金属粒子が銀粒子である構成では、銀によるマイグレーションが生じやすい。これに対して、焼結金属層が銅焼結体であり、かつ、各金属粒子が銅粒子である構成では、マイグレーションが生じがたい。したがって、電極間の短絡が生じがたい。
たとえば、金属粒子が銀粒子である構成では、銀によるマイグレーションが生じやすい。これに対して、焼結金属層が銅焼結体であり、かつ、各金属粒子が銅粒子である構成では、マイグレーションが生じがたい。したがって、電極間の短絡が生じがたい。
【0011】
上記一つの態様では、銅粒子の平均粒径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
銅粒子の平均粒径が０．１μｍ未満である構成では、銅粒子の表面が酸化しやすい。この場合、導電性樹脂層の電気抵抗が増加するおそれがある。
銅粒子の平均粒径が１０μｍより大きい構成では、導電性樹脂層の機械的強度が低下するおそれがある。この場合、電子部品がはんだ実装される場合、電子部品の固着強度が低下するおそれがある。
銅粒子の平均粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である構成では、導電性樹脂層の電気抵抗が増加しがたく、かつ、導電性樹脂層の機械的強度が低下しがたい。
銅粒子の平均粒径が０．１μｍ未満である構成では、銅粒子の表面が酸化しやすい。この場合、導電性樹脂層の電気抵抗が増加するおそれがある。
銅粒子の平均粒径が１０μｍより大きい構成では、導電性樹脂層の機械的強度が低下するおそれがある。この場合、電子部品がはんだ実装される場合、電子部品の固着強度が低下するおそれがある。
銅粒子の平均粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である構成では、導電性樹脂層の電気抵抗が増加しがたく、かつ、導電性樹脂層の機械的強度が低下しがたい。
【発明の効果】
【0012】
本発明の一つの態様によれば、はんだクラックの発生を抑制しつつ、導電性樹脂層とニッケルめっき層との電気的かつ機械的接続強度の低下を抑制する電子部品が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【0015】
図１～図４を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２及び図３は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図４及び図５は、外部電極の断面構成を示す模式図である。図４及び図５では、断面を表すハッチングが省略されている。本実施形態では、電子部品は、たとえば、積層コンデンサＣ１である。
【0016】
積層コンデンサＣ１は、図１に示されるように、直方体形状を呈している素体３と、複数の外部電極５と、を備えている。本実施形態では、積層コンデンサＣ１は、一対の外部電極５を備えている。一対の外部電極５は、素体３の外表面に配置されている。一対の外部電極５は、互いに離間している。直方体形状は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。
【0017】
素体３は、互いに対向している一対の主面３ａと、互いに対向している一対の側面３ｃと、互いに対向している一対の側面３ｅと、を有している。一対の主面３ａ、一対の側面３ｃ、及一対の側面３ｅは、長方形状を呈している。一対の主面３ａが対向している方向が、第一方向Ｄ１である。一対の側面３ｃが対向している方向が、第二方向Ｄ２である。一対の側面３ｅが対向している方向が、第三方向Ｄ３である。積層コンデンサＣ１は、電子機器にはんだ実装される。電子機器は、たとえば、回路基板又は電子部品を含む。積層コンデンサＣ１では、一方の主面３ａが、電子機器と対向する。一方の主面３ａは、実装面を構成するように配置される。一方の主面３ａは、実装面である。
【0018】
第一方向Ｄ１は、各主面３ａに直交する方向であり、第二方向Ｄ２と直交している。第三方向Ｄ３は、各主面３ａと各側面３ｃとに平行な方向であり、第一方向Ｄ１と第二方向Ｄ２とに直交している。第二方向Ｄ２は、各側面３ｃに直交する方向であり、第三方向Ｄ３は、各側面３ｅに直交する方向である。本実施形態では、素体３の第三方向Ｄ３での長さは、素体３の第一方向Ｄ１での長さより大きく、かつ、素体３の第二方向Ｄ２での長さより大きい。第三方向Ｄ３が、素体３の長手方向である。素体３の第一方向Ｄ１での長さと素体３の第二方向Ｄ２での長さとは、互いに同等であってもよい。素体３の第一方向Ｄ１での長さと素体３の第二方向Ｄ２での長さとは、互いに異なっていてもよい。
【0019】
素体３の第一方向Ｄ１での長さは、素体３の高さである。素体３の第二方向Ｄ２での長さは、素体３の幅である。素体３の第三方向Ｄ３での長さは、素体３の長さである。本実施形態では、素体３の高さは、０．１～２．５ｍｍであり、素体３の幅は、０．１～５．０ｍｍであり、素体３の長さは、０．２～５．７ｍｍである。たとえば、素体３の高さは、１．６ｍｍであり、素体３の幅は、１．６ｍｍであり、素体３の長さは、３．２ｍｍである。
【0020】
一対の側面３ｃは、一対の主面３ａを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。一対の側面３ｃは、第三方向Ｄ３にも延在している。一対の側面３ｅは、一対の主面３ａを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。一対の側面３ｅは、第二方向Ｄ２にも延在している。
【0021】
素体３は、四つの稜線部３ｇと、四つの稜線部３ｉと、四つの稜線部３ｊと、を有している。稜線部３ｇは、側面３ｅと主面３ａとの間に位置している。稜線部３ｉは、側面３ｅと側面３ｃとの間に位置している。稜線部３ｊは、主面３ａと側面３ｃとの間に位置している。本実施形態では、各稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊは、湾曲するように丸められている。素体３には、いわゆるＲ面取り加工が施されている。側面３ｅと主面３ａとは、稜線部３ｇを介して、間接的に隣り合っている。側面３ｅと側面３ｃとは、稜線部３ｉを介して、間接的に隣り合っている。主面３ａと側面３ｃとは、稜線部３ｊを介して、間接的に隣り合っている。
【0022】
素体３は、第一方向Ｄ１に複数の誘電体層が積層されて構成されている。素体３は、積層されている複数の誘電体層を有している。素体３では、複数の誘電体層の積層方向が第一方向Ｄ１と一致する。各誘電体層は、たとえば、誘電体材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成されている。誘電体材料は、たとえば、ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３系などの誘電体セラミックを含む。実際の素体３では、各誘電体層は、各誘電体層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体３では、複数の誘電体層の積層方向が第二方向Ｄ２と一致していてもよい。
【0023】
積層コンデンサＣ１は、図２及び図３に示されるように、複数の内部電極７と複数の内部電極９とを備えている。各内部電極７，９は、素体３内に配置されている内部導体である。各内部電極７，９は、積層型電子部品の内部導体として通常用いられる導電性材料からなる。導電性材料は、たとえば、卑金属を含む。導電性材料は、たとえば、Ｎｉ又はＣｕを含む。内部電極７，９は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。本実施形態では、内部電極７，９は、Ｎｉからなる。
【0024】
内部電極７と内部電極９とは、第一方向Ｄ１において異なる位置（層）に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、素体３内において、第一方向Ｄ１に間隔を有して対向するように交互に配置されている。内部電極７と内部電極９とは、互いに極性が異なる。複数の誘電体層の積層方向が第二方向Ｄ２である場合、内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置される。内部電極７，９の一端は、対応する側面３ｅに露出している。内部電極７，９は、対応する側面３ｅに露出している一端を有している。
【0025】
複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第一方向Ｄ１で交互に並んでいる。各内部電極７，９は、主面３ａと略平行な面内に位置している。内部電極７と内部電極９とは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。内部電極７と内部電極９とが対向している方向（第一方向Ｄ１）は、主面３ａと平行な方向（第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３）と直交している。複数の誘電体層の積層方向が第二方向Ｄ２である場合、複数の内部電極７と複数の内部電極９とは、第二方向Ｄ２で交互に並ぶ。この場合、各内部電極７，９は、主面３ａと略直交している面内に位置する。内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２で互いに対向する。
【0026】
外部電極５は、図１に示されるように、素体３の第三方向Ｄ３での両端部にそれぞれ配置されている。各外部電極５は、素体３における、対応する側面３ｅ側に配置されている。本実施形態では、各外部電極５は、一対の主面３ａ、一対の側面３ｃ、及び一つの側面３ｅに配置されている。外部電極５は、図２及び図３に示されるように、複数の電極部５ａ，５ｃ，５ｅ，５ｇ，５ｉを有している。各電極部５ａは、対応する主面３ａ上に配置されている。各電極部５ｃは、対応する側面３ｃ上に配置されている。電極部５ｅは、側面３ｅ上に配置されている。各電極部５ｇは、対応する稜線部３ｇ上に配置されている。各電極部５ｉは、対応する稜線部３ｉ上に配置されている。外部電極５は、稜線部３ｊ上に配置されている電極部も有している。
【0027】
外部電極５は、一対の主面３ａ、一つの側面３ｅ、及び一対の側面３ｃの五つの面、並びに、稜線部３ｇ，３ｉ，３ｊに形成されている。互いに隣り合う電極部５ａ，５ｃ，５ｅ，５ｇ，５ｉは、接続されており、電気的に接続されている。電極部５ｅは、対応する内部電極７，９の一端をすべて覆っている。電極部５ｅは、対応する内部電極７，９と直接的に接続されている。外部電極５は、対応する内部電極７，９と電気的に接続されている。外部電極５は、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。第四電極層Ｅ４は、外部電極５の最外層を構成している。本実施形態では、各電極部５ａ，５ｃ，５ｇ，５ｉは、第一電極層Ｅ１、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有しており、電極部５ｅは、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。
【0028】
電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａ上に配置されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部を覆うように形成されている。電極部５ａの第一電極層Ｅ１は、主面３ａの一部と接している。主面３ａは、上記一部において第一電極層Ｅ１に覆われており、上記一部を除く残部において第一電極層Ｅ１から露出している。主面３ａの上記一部は、主面３ａにおける側面３ｅ寄りの一部領域である。
電極部５ａの第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。すなわち、電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接している。
電極部５ａの第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上に配置されている。電極部５ａでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体を覆っている。電極部５ａでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体と接している。すなわち、電極部５ａでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３と直接接している。
電極部５ａは、三層構造を有している。
電極部５ａの第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。すなわち、電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接している。
電極部５ａの第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上に配置されている。電極部５ａでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体を覆っている。電極部５ａでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体と接している。すなわち、電極部５ａでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３と直接接している。
電極部５ａは、三層構造を有している。
【0029】
電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃ上に配置されている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部を覆うように形成されている。電極部５ｃの第一電極層Ｅ１は、側面３ｃの一部と接している。側面３ｃは、上記一部において第一電極層Ｅ１に覆われており、上記一部を除く残部において第一電極層Ｅ１から露出している。側面３ｃの上記一部は、側面３ｃにおける側面３ｅ寄りの一部領域である。
電極部５ｃの第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。すなわち、電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接している。
電極部５ｃの第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上に配置されている。電極部５ｃでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体を覆っている。電極部５ｃでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体と接している。すなわち、電極部５ｃでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３と直接接している。
電極部５ｃは、三層構造を有している。
電極部５ｃの第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。すなわち、電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接している。
電極部５ｃの第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上に配置されている。電極部５ｃでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体を覆っている。電極部５ｃでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体と接している。すなわち、電極部５ｃでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３と直接接している。
電極部５ｃは、三層構造を有している。
【0030】
電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、側面３ｅ上に配置されている。側面３ｅの全体が、第一電極層Ｅ１に覆われている。電極部５ｅの第一電極層Ｅ１は、側面３ｅの全体と接している。電極部５ｅでは、第一電極層Ｅ１は、対応する内部電極７，９の一端と接続されるように側面３ｅに形成されている。
電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、側面３ｅの全体を覆うように形成されている。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と側面３ｅとの間に位置するように、側面３ｅの全体を間接的に覆っている。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を直接覆っている。
電極部５ｅの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。
電極部５ｅの第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上に配置されている。電極部５ｅでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体を覆っている。電極部５ｅでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体と接している。すなわち、電極部５ｅでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３と直接接している。
電極部５ｅは、四層構造を有している。
電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｅでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、側面３ｅの全体を覆うように形成されている。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と側面３ｅとの間に位置するように、側面３ｅの全体を間接的に覆っている。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を直接覆っている。
電極部５ｅの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。
電極部５ｅの第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上に配置されている。電極部５ｅでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体を覆っている。電極部５ｅでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体と接している。すなわち、電極部５ｅでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３と直接接している。
電極部５ｅは、四層構造を有している。
【0031】
電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、側面３ｅの一部を覆うように形成されていてもよい。側面３ｅの一部は、たとえば、側面３ｅにおける主面３ａ寄りの一部領域である。この場合、電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と側面３ｅとの間に位置するように、側面３ｅの一部を間接的に覆う。電極部５ｅの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１における側面３ｅに形成されている部分の一部を直接覆う。すなわち、電極部５ｅは、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２から露出している領域と、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２で覆われている領域と、を有する。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２が、側面３ｅの一部を覆うように形成されている場合、上述したように、内部電極７と内部電極９とは、第二方向Ｄ２において異なる位置（層）に配置されていてもよい。
【0032】
電極部５ｇの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇ上に配置されている。電極部５ｇの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇの全体を覆うように形成されている。電極部５ｇの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｇの全体と接している。
電極部５ｉの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉ上に配置されている。電極部５ｉの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉの全体を覆うように形成されている。電極部５ｉの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉの全体と接している。
電極部５ｇ，５ｉの各第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。各電極部５ｇ，５ｉでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。各電極部５ｇ，５ｉでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。すなわち、各電極部５ｇ，５ｉでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接している。
電極部５ｇ，５ｉの各第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上に配置されている。各電極部５ｇ，５ｉでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体を覆っている。各電極部５ｇ，５ｉでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体と接している。すなわち、各電極部５ｇ，５ｉでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３と直接接している。
各電極部５ｇ，５ｉは、三層構造を有している。稜線部３ｊ上に配置されている電極部も、電極部５ｇ，５ｉと同様に、三層構造を有している。各電極部５ｇ，５ｉは、電極部５ｅと同様に、第二電極層Ｅ２を有していてもよい。この場合、各電極部５ｇ，５ｉは、四層構造を有する。
電極部５ｉの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉ上に配置されている。電極部５ｉの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉの全体を覆うように形成されている。電極部５ｉの第一電極層Ｅ１は、稜線部３ｉの全体と接している。
電極部５ｇ，５ｉの各第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。各電極部５ｇ，５ｉでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。各電極部５ｇ，５ｉでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。すなわち、各電極部５ｇ，５ｉでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接している。
電極部５ｇ，５ｉの各第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上に配置されている。各電極部５ｇ，５ｉでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体を覆っている。各電極部５ｇ，５ｉでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体と接している。すなわち、各電極部５ｇ，５ｉでは、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３と直接接している。
各電極部５ｇ，５ｉは、三層構造を有している。稜線部３ｊ上に配置されている電極部も、電極部５ｇ，５ｉと同様に、三層構造を有している。各電極部５ｇ，５ｉは、電極部５ｅと同様に、第二電極層Ｅ２を有していてもよい。この場合、各電極部５ｇ，５ｉは、四層構造を有する。
【0033】
外部電極５は、上述したように、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を有している。第一電極層Ｅ１は、素体３上に配置されている。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の一部が露出するように、第一電極層Ｅ１上に配置されている。本実施形態では、第二電極層Ｅ２は、側面３ｅ上のみに位置している。第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と、第二電極層Ｅ２から露出している第一電極層Ｅ１の上記一部とを覆うように、第一電極層Ｅ１上及び第二電極層Ｅ２上に配置されている。したがって、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の一部上に配置されている領域と、第二電極層Ｅ２上に配置されている領域と、を有している。第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３の全体を覆うように、第三電極層Ｅ３上に配置されている。
【0034】
第一電極層Ｅ１は、素体３の表面に付与された導電性ペーストを焼き付けることにより形成されている。本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、一対の主面３ａ、一対の側面３ｃ、及び一つの側面３ｅを連続して覆うように形成されている。第一電極層Ｅ１は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粉末）が焼結することにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、素体３に形成された焼結金属層である。本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、銅からなる焼結金属層である。すなわち、第一電極層Ｅ１は、銅焼結体である。導電性ペーストは、たとえば、銅からなる粉末、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を含んでいる。各電極部５ａ，５ｃ，５ｅ，５ｇ，５ｉが有している第一電極層Ｅ１は、一体的に形成されている。第一電極層Ｅ１は、ニッケルからなる焼結金属層であってもよい。
【0035】
第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に付与された導電性樹脂ペーストを硬化させることにより形成されている。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に形成されている。本実施形態では、第二電極層Ｅ２は、電極部５ｅが含む第一電極層Ｅ１上に形成されている。第一電極層Ｅ１は、第二電極層Ｅ２を形成するための下地金属層である。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１を覆う導電性樹脂層である。導電性樹脂ペーストは、たとえば、電気絶縁性を有する樹脂、導電性フィラー、及び有機溶媒を含んでいる。樹脂は、たとえば、熱硬化性樹脂である。導電性フィラーは、金属粒子である。本実施形態では、金属粉末は、銅粒子である。熱硬化性樹脂は、たとえば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂である。
【0036】
第二電極層Ｅ２は、図４に示されるように、複数の金属粒子ＭＰと、電気絶縁性を有する樹脂Ｒとを含んでいる。複数の金属粒子ＭＰは、第二電極層Ｅ２内に、複数の導電経路を形成している。複数の金属粒子ＭＰのうち一部の金属粒子ＭＰは、第一電極層Ｅ１と直接接している。複数の金属粒子ＭＰのうち別の一部の金属粒子ＭＰは、第二電極層Ｅ２の表面に露出している。第二電極層Ｅ２の表面に露出している金属粒子ＭＰは、第三電極層Ｅ３と直接接している。複数の金属粒子ＭＰは、第一電極層Ｅ１と第三電極層Ｅ３とを電気的に接続している。金属粒子ＭＰの粒子形状は、特に制限されない。金属粒子ＭＰは、たとえば、略球状、略針状、又はフレーク状を呈している。
【0037】
複数の金属粒子ＭＰの平均粒径は、たとえば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。本実施形態では、複数の金属粒子ＭＰの平均粒径は、０．８μｍである。
複数の金属粒子ＭＰの平均粒径は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第二電極層Ｅ２を含む位置での、外部電極５（電極部５ｅ）の断面写真が取得される。断面写真は、電極部５ｅを側面３ｅに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、互いに対向している一対の面（たとえば、一対の側面３ｃ）に平行であり、かつ、当該一対の面から等距離に位置している平面で切断したときの電極部５ｅの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理する。この画像処理により、金属粒子ＭＰの境界が判別され、金属粒子ＭＰの面積が算出される。算出した金属粒子ＭＰの面積から、円相当径に換算した粒径が算出される。断面写真内に含まれる、すべての金属粒子ＭＰの粒径が算出されてもよい。断面写真内に含まれる金属粒子ＭＰのうち、任意の数の金属粒子ＭＰの粒径が算出されてもよい。任意の数は、たとえば、１００である。得られた金属粒子ＭＰの粒径の平均値が、平均粒径とされる。
複数の金属粒子ＭＰの平均粒径は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
第二電極層Ｅ２を含む位置での、外部電極５（電極部５ｅ）の断面写真が取得される。断面写真は、電極部５ｅを側面３ｅに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、互いに対向している一対の面（たとえば、一対の側面３ｃ）に平行であり、かつ、当該一対の面から等距離に位置している平面で切断したときの電極部５ｅの断面を撮影した写真である。取得した断面写真をソフトウェアにより画像処理する。この画像処理により、金属粒子ＭＰの境界が判別され、金属粒子ＭＰの面積が算出される。算出した金属粒子ＭＰの面積から、円相当径に換算した粒径が算出される。断面写真内に含まれる、すべての金属粒子ＭＰの粒径が算出されてもよい。断面写真内に含まれる金属粒子ＭＰのうち、任意の数の金属粒子ＭＰの粒径が算出されてもよい。任意の数は、たとえば、１００である。得られた金属粒子ＭＰの粒径の平均値が、平均粒径とされる。
【0038】
複数の金属粒子ＭＰの平均粒径は、粒度分布における積算値５０％での粒子径（ｄ５０）で規定されてもよい。この場合、複数の金属粒子ＭＰの平均粒径は、以下のようにして求められる。
円相当径に換算した粒径が算出された後、金属粒子ＭＰの粒度分布が求められる。たとえば、任意の数の金属粒子ＭＰの粒径が算出され、これらの金属粒子ＭＰの粒度分布が求められる。任意の数は、たとえば、１００である。求められた粒度分布における積算値５０％での粒子径（ｄ５０）が、平均粒径とされる。
円相当径に換算した粒径が算出された後、金属粒子ＭＰの粒度分布が求められる。たとえば、任意の数の金属粒子ＭＰの粒径が算出され、これらの金属粒子ＭＰの粒度分布が求められる。任意の数は、たとえば、１００である。求められた粒度分布における積算値５０％での粒子径（ｄ５０）が、平均粒径とされる。
【0039】
第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上にめっき法により形成されている。本実施形態では、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上にニッケルめっきにより形成されている。第三電極層Ｅ３は、ニッケルめっき層である。ニッケルめっき層は、第二電極層Ｅ２に含まれる金属よりも耐はんだ喰われ性に優れている。第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２を覆っている。
【0040】
第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上にめっき法により形成されている。第四電極層Ｅ４は、はんだめっき層である。本実施形態では、第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上にスズめっきにより形成されている。第四電極層Ｅ４は、スズめっき層である。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎ－Ａｇ合金めっき層、Ｓｎ－Ｂｉ合金めっき層、又はＳｎ－Ｃｕ合金めっき層であってもよい。第四電極層Ｅ４は、Ｓｎ、Ｓｎ－Ａｇ合金、Ｓｎ－Ｂｉ合金、又はＳｎ－Ｃｕ合金を含んでいる。第四電極層Ｅ４の厚みは、たとえば、０．５～３．０μｍである。本実施形態では、第四電極層Ｅ４の厚みは、２．０μｍである。
【0041】
次に、図５を参照して、第三電極層Ｅ３の構成を説明する。上述したように、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上に配置されている領域Ｅ３１と、第二電極層Ｅ２上に配置されている領域Ｅ３２と、を有している。領域Ｅ３１は、第一電極層Ｅ１と第四電極層Ｅ４との間に位置していると共に、第一電極層Ｅ１と第四電極層Ｅ４とに直接接している。
領域Ｅ３２は、第二電極層Ｅ２と第四電極層Ｅ４との間に位置していると共に、第二電極層Ｅ２と第四電極層Ｅ４とに直接接している。図２及び３にも示されるように、領域Ｅ３１は、たとえば、電極部５ａ，５ｃ，５ｇ，５ｉに含まれ、領域Ｅ３２は、電極部５ｅに含まれる。たとえば、領域Ｅ３１が第一領域を構成する場合、領域Ｅ３２は第二領域を構成する。
領域Ｅ３２は、第二電極層Ｅ２と第四電極層Ｅ４との間に位置していると共に、第二電極層Ｅ２と第四電極層Ｅ４とに直接接している。図２及び３にも示されるように、領域Ｅ３１は、たとえば、電極部５ａ，５ｃ，５ｇ，５ｉに含まれ、領域Ｅ３２は、電極部５ｅに含まれる。たとえば、領域Ｅ３１が第一領域を構成する場合、領域Ｅ３２は第二領域を構成する。
【0042】
領域Ｅ３２の厚みＴ２は、領域Ｅ３１の厚みＴ１より小さい。
厚みＴ１は、たとえば、６．０μｍ以上１０．０μｍ以下である。本実施形態では、厚みＴ１は、８．６μｍである。厚みＴ２は、たとえば、４．０μｍ以上７．０μｍ以下である。本実施形態では、厚みＴ２は、６．８μｍである。
厚みＴ１に対する厚みＴ２の比率は、たとえば、０．４８以上０．８４以下である。本実施形態では、厚みＴ１に対する厚みＴ２の比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．７９である。
厚みＴ１は、たとえば、６．０μｍ以上１０．０μｍ以下である。本実施形態では、厚みＴ１は、８．６μｍである。厚みＴ２は、たとえば、４．０μｍ以上７．０μｍ以下である。本実施形態では、厚みＴ２は、６．８μｍである。
厚みＴ１に対する厚みＴ２の比率は、たとえば、０．４８以上０．８４以下である。本実施形態では、厚みＴ１に対する厚みＴ２の比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．７９である。
【0043】
たとえば、厚みＴ１は、領域Ｅ３１の最大厚みで規定され、厚みＴ２は、領域Ｅ３２の最大厚みで規定される。各厚みＴ１，Ｔ２は、たとえば、以下のようにして求めることができる。
電極部５ｅを含む位置での、外部電極５の断面写真が取得される。断面写真は、外部電極５を側面３ｅに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、互いに対向している一対の面（たとえば、一対の側面３ｃ）に平行であり、かつ、当該一対の面から等距離に位置している平面で切断したときの外部電極５の断面を撮影した写真である。取得した断面写真が、ソフトウェアにより画像処理される。この画像処理により、第三電極層Ｅ３の境界が判別され、各領域Ｅ３１，Ｅ３２での第三電極層Ｅ３の最大厚みが求められる。
最大厚みが求められる代わりに、各領域Ｅ３１，Ｅ３２での第三電極層Ｅ３の平均厚みが求められてもよい。この場合、厚みＴ１は、領域Ｅ３１の平均厚みで規定され、厚みＴ２は、領域Ｅ３２の平均厚みで規定される。
電極部５ｅを含む位置での、外部電極５の断面写真が取得される。断面写真は、外部電極５を側面３ｅに直交する平面で切断したときの断面を撮影した写真である。断面写真は、たとえば、互いに対向している一対の面（たとえば、一対の側面３ｃ）に平行であり、かつ、当該一対の面から等距離に位置している平面で切断したときの外部電極５の断面を撮影した写真である。取得した断面写真が、ソフトウェアにより画像処理される。この画像処理により、第三電極層Ｅ３の境界が判別され、各領域Ｅ３１，Ｅ３２での第三電極層Ｅ３の最大厚みが求められる。
最大厚みが求められる代わりに、各領域Ｅ３１，Ｅ３２での第三電極層Ｅ３の平均厚みが求められてもよい。この場合、厚みＴ１は、領域Ｅ３１の平均厚みで規定され、厚みＴ２は、領域Ｅ３２の平均厚みで規定される。
【0044】
ここで、厚みＴ１と厚みＴ２の関係、すなわち、厚みＴ１に対する厚みＴ２の比率（Ｔ２／Ｔ１）について詳細に説明する。
本発明者らは、比率（Ｔ２／Ｔ１）の範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、厚みＴ１と厚みＴ２とが異なる試料Ｓ１～Ｓ６を用意し、各試料Ｓ１～Ｓ６における、固着強度の低下率及び等価直列抵抗（ＥＳＲ）を確認した。その結果を図６に示す。図６は、各試料における固着強度の低下率及びＥＳＲを示す図表である。
本発明者らは、比率（Ｔ２／Ｔ１）の範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、厚みＴ１と厚みＴ２とが異なる試料Ｓ１～Ｓ６を用意し、各試料Ｓ１～Ｓ６における、固着強度の低下率及び等価直列抵抗（ＥＳＲ）を確認した。その結果を図６に示す。図６は、各試料における固着強度の低下率及びＥＳＲを示す図表である。
【0045】
各試料Ｓ１～Ｓ６は、複数の検体を含むロットである。各試料Ｓ１～Ｓ６の検体は、各厚みＴ１，Ｔ２が異なる点を除いて同じ構成を有している積層コンデンサである。試料Ｓ１～Ｓ６の各検体では、素体３の高さが１．６ｍｍであり、素体３の幅が１．６ｍｍであり、素体３の長さが３．２ｍｍである。各検体の静電容量は、２．２μＦである。
試料Ｓ１の各検体では、厚みＴ１が８．７μｍであり、厚みＴ２が４．２μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．４８である。
試料Ｓ２の各検体では、厚みＴ１が９．８μｍであり、厚みＴ２が５．２μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．５３である。
試料Ｓ３の各検体では、厚みＴ１が８．６μｍであり、厚みＴ２が６．８μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．７９である。
試料Ｓ４の各検体では、厚みＴ１が６．９μｍであり、厚みＴ２が５．８μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．８４である。
試料Ｓ５の各検体では、厚みＴ１が８．８μｍであり、厚みＴ２が８．９μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、１．０１である。
試料Ｓ６の各検体では、厚みＴ１が８．２μｍであり、厚みＴ２が４．２μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、１．１６である。
試料Ｓ１の各検体では、厚みＴ１が８．７μｍであり、厚みＴ２が４．２μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．４８である。
試料Ｓ２の各検体では、厚みＴ１が９．８μｍであり、厚みＴ２が５．２μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．５３である。
試料Ｓ３の各検体では、厚みＴ１が８．６μｍであり、厚みＴ２が６．８μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．７９である。
試料Ｓ４の各検体では、厚みＴ１が６．９μｍであり、厚みＴ２が５．８μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．８４である。
試料Ｓ５の各検体では、厚みＴ１が８．８μｍであり、厚みＴ２が８．９μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、１．０１である。
試料Ｓ６の各検体では、厚みＴ１が８．２μｍであり、厚みＴ２が４．２μｍである。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、１．１６である。
【0046】
固着強度の低下率は、以下のようにして求められる。
試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体が選ばれ、固着強度が測定される。固着強度は、ＪＩＳ Ｃ ６００６８－２－２１及びＩＥＣ ６００６８－２－２１に記載された固着性（せん断）試験（試験Ｕｅ３）に準拠して測定される。ただし、検体が基板から外れるまで押圧され、検体が基板から外れたときの押圧力が固着強度とされる。この固着強度は、熱衝撃試験前の固着強度である。試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体での平均値が求められる。
試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体が選ばれ、熱衝撃試験後に固着強度が測定される。熱衝撃試験では、１０００回の熱処理サイクルが繰り返される。一つの熱処理サイクルでは、検体は、基板にはんだ実装された状態で、－５５℃の環境下で３０分保持され、その後、１２５℃の環境下で３０分保持される。固着強度は、上述したように、検体が基板から外れたときの押圧力が固着強度とされる。この固着強度は、熱衝撃試験後の固着強度である。試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体での平均値が求められる。
固着強度の低下率は、熱衝撃試験後の固着強度（平均値）を熱衝撃試験前の固着強度（平均値）で除し、百分率で表した値である。実際の使用を考慮すると、固着強度の低下率は７０％以上である必要がある。
試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体が選ばれ、固着強度が測定される。固着強度は、ＪＩＳ Ｃ ６００６８－２－２１及びＩＥＣ ６００６８－２－２１に記載された固着性（せん断）試験（試験Ｕｅ３）に準拠して測定される。ただし、検体が基板から外れるまで押圧され、検体が基板から外れたときの押圧力が固着強度とされる。この固着強度は、熱衝撃試験前の固着強度である。試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体での平均値が求められる。
試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体が選ばれ、熱衝撃試験後に固着強度が測定される。熱衝撃試験では、１０００回の熱処理サイクルが繰り返される。一つの熱処理サイクルでは、検体は、基板にはんだ実装された状態で、－５５℃の環境下で３０分保持され、その後、１２５℃の環境下で３０分保持される。固着強度は、上述したように、検体が基板から外れたときの押圧力が固着強度とされる。この固着強度は、熱衝撃試験後の固着強度である。試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体での平均値が求められる。
固着強度の低下率は、熱衝撃試験後の固着強度（平均値）を熱衝撃試験前の固着強度（平均値）で除し、百分率で表した値である。実際の使用を考慮すると、固着強度の低下率は７０％以上である必要がある。
【0047】
ＥＳＲは、以下のようにして求められる。
試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体が選ばれ、熱衝撃試験後に、自己共振周波数におけるＥＳＲ（ｍΩ）が測定される。熱衝撃試験は、固着強度の低下率が求められる際に行われる熱衝撃試験と同じである。ＥＳＲは、インピーダンスアナライザ（アジレント・テクノロジー社製４２９４Ａ）によって測定される。テストフィクスチャは、アジレント・テクノロジー社製１６０４４Ａを用いる。試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体での平均値が求められる。実際の使用を考慮すると、ＥＳＲは１０ｍΩ未満である必要がある。ＥＳＲは、８ｍΩ未満であると、より一層特性が向上する。
試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体が選ばれ、熱衝撃試験後に、自己共振周波数におけるＥＳＲ（ｍΩ）が測定される。熱衝撃試験は、固着強度の低下率が求められる際に行われる熱衝撃試験と同じである。ＥＳＲは、インピーダンスアナライザ（アジレント・テクノロジー社製４２９４Ａ）によって測定される。テストフィクスチャは、アジレント・テクノロジー社製１６０４４Ａを用いる。試料Ｓ１～Ｓ６ごとに、５個の検体での平均値が求められる。実際の使用を考慮すると、ＥＳＲは１０ｍΩ未満である必要がある。ＥＳＲは、８ｍΩ未満であると、より一層特性が向上する。
【0048】
上述した試験の結果、図６に示されるように、試料Ｓ１～Ｓ４では、固着強度の低下率が７０％以上であり、かつ、ＥＳＲが１０ｍΩ未満であった。試料Ｓ２～Ｓ４では、固着強度の低下率が７０％以上であり、かつ、ＥＳＲが８ｍΩ未満であった。
【0049】
次に、金属粒子ＭＰの平均粒径について詳細に説明する。
本発明者らは、金属粒子ＭＰの平均粒径の範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、金属粒子ＭＰの平均粒径が異なる試料Ｓ７～Ｓ１１を用意し、各試料Ｓ７～Ｓ１１における、固着強度及びＥＳＲを確認した。その結果を図７に示す。図７は、各試料における固着強度及びＥＳＲを示す図表である。
本発明者らは、金属粒子ＭＰの平均粒径の範囲を明らかにするために、以下のような試験を行った。すなわち、本発明者らは、金属粒子ＭＰの平均粒径が異なる試料Ｓ７～Ｓ１１を用意し、各試料Ｓ７～Ｓ１１における、固着強度及びＥＳＲを確認した。その結果を図７に示す。図７は、各試料における固着強度及びＥＳＲを示す図表である。
【0050】
各試料Ｓ７～Ｓ１１は、複数の検体を含むロットである。各試料Ｓ７～Ｓ１１の検体は、金属粒子ＭＰの平均粒径が異なる点を除いて同じ構成を有している積層コンデンサである。試料Ｓ７～Ｓ１１の各検体では、素体３の高さが１．６ｍｍであり、素体３の幅が１．６ｍｍであり、素体３の長さが３．２ｍｍである。各検体の静電容量は、２．２μＦである。厚みＴ１は８．６μｍであり、厚みＴ２が６．８μｍである。
試料Ｓ７の各検体では、金属粒子ＭＰの平均粒径が０．０５μｍである。
試料Ｓ８の各検体では、金属粒子ＭＰの平均粒径が０．１μｍである。
試料Ｓ９の各検体では、金属粒子ＭＰの平均粒径が１μｍである。
試料Ｓ１０の各検体では、金属粒子ＭＰの平均粒径が１０μｍである。
試料Ｓ１１の各検体では、金属粒子ＭＰの平均粒径が２０μｍである。
試料Ｓ７の各検体では、金属粒子ＭＰの平均粒径が０．０５μｍである。
試料Ｓ８の各検体では、金属粒子ＭＰの平均粒径が０．１μｍである。
試料Ｓ９の各検体では、金属粒子ＭＰの平均粒径が１μｍである。
試料Ｓ１０の各検体では、金属粒子ＭＰの平均粒径が１０μｍである。
試料Ｓ１１の各検体では、金属粒子ＭＰの平均粒径が２０μｍである。
【0051】
固着強度は、以下のようにして求められる。
試料Ｓ７～Ｓ１１ごとに、５個の検体が選ばれ、固着強度（Ｎ）が測定される。ここでも、固着強度は、ＪＩＳ Ｃ ６００６８－２－２１及びＩＥＣ ６００６８－２－２１に記載された固着性（せん断）試験（試験Ｕｅ３）に準拠して測定される。ただし、検体が基板から外れるまで押圧され、検体が基板から外れたときの押圧力が固着強度とされる。試料Ｓ７～Ｓ１１ごとに、５個の検体での平均値が求められる。実際の使用を考慮すると、固着強度は４５Ｎ以上である必要がある。
試料Ｓ７～Ｓ１１ごとに、５個の検体が選ばれ、固着強度（Ｎ）が測定される。ここでも、固着強度は、ＪＩＳ Ｃ ６００６８－２－２１及びＩＥＣ ６００６８－２－２１に記載された固着性（せん断）試験（試験Ｕｅ３）に準拠して測定される。ただし、検体が基板から外れるまで押圧され、検体が基板から外れたときの押圧力が固着強度とされる。試料Ｓ７～Ｓ１１ごとに、５個の検体での平均値が求められる。実際の使用を考慮すると、固着強度は４５Ｎ以上である必要がある。
【0052】
ＥＳＲは、以下のようにして求められる。
試料Ｓ７～Ｓ１１ごとに、５個の検体が選ばれ、各検体が基板にはんだ実装された後に、自己共振周波数におけるＥＳＲ（ｍΩ）が測定される。ここでも、ＥＳＲは、インピーダンスアナライザ（アジレント・テクノロジー社製４２９４Ａ）によって測定される。テストフィクスチャは、アジレント・テクノロジー社製１６０４４Ａを用いる。試料Ｓ７～Ｓ１１ごとに、５個の検体での平均値が求められる。実際の使用を考慮すると、ＥＳＲは１０ｍΩ未満である必要がある。ＥＳＲは、８ｍΩ未満であると、より一層特性が向上する。
試料Ｓ７～Ｓ１１ごとに、５個の検体が選ばれ、各検体が基板にはんだ実装された後に、自己共振周波数におけるＥＳＲ（ｍΩ）が測定される。ここでも、ＥＳＲは、インピーダンスアナライザ（アジレント・テクノロジー社製４２９４Ａ）によって測定される。テストフィクスチャは、アジレント・テクノロジー社製１６０４４Ａを用いる。試料Ｓ７～Ｓ１１ごとに、５個の検体での平均値が求められる。実際の使用を考慮すると、ＥＳＲは１０ｍΩ未満である必要がある。ＥＳＲは、８ｍΩ未満であると、より一層特性が向上する。
【0053】
上述した試験の結果、図７に示されるように、試料Ｓ８～Ｓ１０では、固着強度が４５Ｎ以上であり、かつ、ＥＳＲが１０ｍΩ未満であった。試料Ｓ９及びＳ１０では、固着強度が４５Ｎ以上であり、かつ、ＥＳＲが８ｍΩ未満であった。
【0054】
以上のように、積層コンデンサＣ１では、領域Ｅ３２の厚みＴ２が領域Ｅ３１の厚みＴ１より小さい。
第二電極層Ｅ２は、外部電極５に形成されるはんだフィレットに作用する応力を緩和し、はんだクラックの発生を抑制する。これに対して、第三電極層Ｅ３は、一般に、硬いので、第二電極層Ｅ２がはんだクラックの発生を抑制するのを阻害するおそれがある。厚みＴ２が厚みＴ１より小さい構成では、厚みＴ２が厚みＴ１より大きい構成に比して、領域Ｅ３２は、第二電極層Ｅ２がはんだクラックの発生を抑制するのを阻害しがたい。
第二電極層Ｅ２は、外部電極５に形成されるはんだフィレットに作用する応力を緩和し、はんだクラックの発生を抑制する。これに対して、第三電極層Ｅ３は、一般に、硬いので、第二電極層Ｅ２がはんだクラックの発生を抑制するのを阻害するおそれがある。厚みＴ２が厚みＴ１より小さい構成では、厚みＴ２が厚みＴ１より大きい構成に比して、領域Ｅ３２は、第二電極層Ｅ２がはんだクラックの発生を抑制するのを阻害しがたい。
【0055】
厚みＴ１が厚みＴ２より小さい構成では、領域Ｅ３１の機械的強度が低下し、破れ又は剥がれが第三電極層Ｅ３に生じるおそれがある。したがって、領域Ｅ３１の機械的強度が低下する場合、第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との電気的かつ機械的接続強度が低下するおそれがある。
積層コンデンサＣ１では、厚みＴ１が厚みＴ２より大きいので、領域Ｅ３１の機械的強度の低下が抑制され、破れ又は剥がれが第三電極層Ｅ３に生じがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との電気的かつ機械的接続強度の低下を抑制する。
積層コンデンサＣ１では、厚みＴ１が厚みＴ２より大きいので、領域Ｅ３１の機械的強度の低下が抑制され、破れ又は剥がれが第三電極層Ｅ３に生じがたい。したがって、積層コンデンサＣ１は、第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との電気的かつ機械的接続強度の低下を抑制する。
【0056】
積層コンデンサＣ１では、第二電極層Ｅ２は、側面３ｅ上のみに位置している。すなわち、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が側面３ｅと第二電極層Ｅ２との間に位置するように、側面３ｅ上に間接的に配置されている。
はんだフィレットに作用する応力は、電極部５ｅに形成されるはんだフィレットに集中する傾向がある。第二電極層Ｅ２が側面３ｅ上のみに位置している構成は、はんだクラックの発生を確実に抑制する。
はんだフィレットに作用する応力は、電極部５ｅに形成されるはんだフィレットに集中する傾向がある。第二電極層Ｅ２が側面３ｅ上のみに位置している構成は、はんだクラックの発生を確実に抑制する。
【0057】
厚みＴ１に対する厚みＴ２の比率（Ｔ２／Ｔ１）が０．５３以上０．８４以下である構成は、はんだクラックの発生をより一層確実に抑制しつつ、第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との電気的かつ機械的接続強度の低下をより一層抑制する。
【0058】
積層コンデンサＣ１では、第一電極層Ｅ１が銅焼結体であると共に、各金属粒子ＭＰが銅粒子である。
たとえば、金属粒子ＭＰが銀粒子である構成では、銀によるマイグレーションが生じやすい。これに対して、第一電極層Ｅ１が銅焼結体であり、かつ、各金属粒子ＭＰが銅粒子である構成では、マイグレーションが生じがたい。したがって、外部電極５間の短絡が生じがたい。
たとえば、金属粒子ＭＰが銀粒子である構成では、銀によるマイグレーションが生じやすい。これに対して、第一電極層Ｅ１が銅焼結体であり、かつ、各金属粒子ＭＰが銅粒子である構成では、マイグレーションが生じがたい。したがって、外部電極５間の短絡が生じがたい。
【0059】
積層コンデンサＣ１では、銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。
銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径が０．１μｍ未満である構成では、金属粒子ＭＰの表面が酸化しやすい。この場合、第二電極層Ｅ２の電気抵抗が増加するおそれがある。
銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径が１０μｍより大きい構成では、第二電極層Ｅ２の機械的強度が低下するおそれがある。この場合、積層コンデンサＣ１がはんだ実装される場合、積層コンデンサＣ１の固着強度が低下するおそれがある。
銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である構成では、第二電極層Ｅ２の電気抵抗が増加しがたく、かつ、第二電極層Ｅ２の機械的強度が低下しがたい。
銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径が０．１μｍ未満である構成では、金属粒子ＭＰの表面が酸化しやすい。この場合、第二電極層Ｅ２の電気抵抗が増加するおそれがある。
銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径が１０μｍより大きい構成では、第二電極層Ｅ２の機械的強度が低下するおそれがある。この場合、積層コンデンサＣ１がはんだ実装される場合、積層コンデンサＣ１の固着強度が低下するおそれがある。
銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である構成では、第二電極層Ｅ２の電気抵抗が増加しがたく、かつ、第二電極層Ｅ２の機械的強度が低下しがたい。
【0060】
次に、図８及び図９を参照して、本実施形態の一変形例に係る積層コンデンサの構成を説明する。図８及び図９は、外部電極の断面構成を示す図である。本変形例に係る積層コンデンサは、概ね、上述した積層コンデンサＣ１と類似又は同じであるが、本変形例は、第二電極層Ｅ２の構成に関して、上述した実施形態と相違する。以下、上述した実施形態と本変形例との相違点を主として説明する。図８及び図９では、断面を表すハッチングが省略されている。図８及び図９は、一方の外部電極５の構成のみを示している。図８及び図９に図示されていない他方の外部電極の構成は、図８及び図９に図示されている一方の外部電極５の構成と同じである。
【0061】
図８及び図９に示された変形例では、電極部５ａ，５ｃは、第一電極層Ｅ１と、第二電極層Ｅ２と、第三電極層Ｅ３と、第四電極層Ｅ４とを有している。すなわち、電極部５ａ，５ｃは、四層構造を有している。電極部５ｅ，５ｇ，５ｉは、第一電極層Ｅ１と、第三電極層Ｅ３と、第四電極層Ｅ４とを有しており、第二電極層Ｅ２を有していない。すなわち、電極部５ｅ，５ｇ，５ｉは、三層構造を有している。本変形例では、稜線部３ｊ上に配置されている電極部は、電極部５ａ，５ｃと同様に、四層構造を有していてもよく、電極部５ｅ，５ｇ，５ｉと同様に、三層構造を有していてもよい。本変形例では、領域Ｅ３１は、電極部５ｅ，５ｇ，５ｉに含まれると共に、領域Ｅ３２は、電極部５ａ，５ｃに含まれる。
【0062】
電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と主面３ａの一部とを覆うように形成されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と主面３ａとに直接接している。電極部５ａの第二電極層Ｅ２は、電極部５ａの第一電極層Ｅ１の全体を覆うように形成されている。電極部５ａでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と主面３ａとの間に位置するように、主面３ａを間接的に覆っている。
電極部５ａの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。
電極部５ａの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。電極部５ａでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。
【0063】
電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と側面３ｃの一部とを覆うように形成されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と側面３ｃとに直接接している。電極部５ｃの第二電極層Ｅ２は、電極部５ｃの第一電極層Ｅ１の全体を覆うように形成されている。電極部５ｃでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と側面３ｃとの間に位置するように、側面３ｃを間接的に覆っている。
電極部５ｃの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。
電極部５ｃの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。電極部５ｃでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。
【0064】
電極部５ｅの第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体を覆っている。電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１の全体と接している。すなわち、電極部５ｅでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接している。
【0065】
次に、図１０及び図１１を参照して、本実施形態の別の変形例に係る積層コンデンサの構成を説明する。図１０及び図１１は、外部電極の断面構成を示す図である。本変形例に係る積層コンデンサは、概ね、上述した積層コンデンサＣ１と類似又は同じであるが、本変形例は、第二電極層Ｅ２の構成に関して、上述した実施形態及び変形例と相違する。以下、上述した実施形態及び変形例と本変形例との相違点を主として説明する。図１０及び図１１では、断面を表すハッチングが省略されている。図１０及び図１１は、一方の外部電極５の構成のみを示している。図１０及び図１１に図示されていない他方の外部電極の構成は、図１０及び図１１に図示されている一方の外部電極５の構成と同じである。
【0066】
図１０及び図１１に示された変形例では、電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、第一電極層Ｅ１と、第二電極層Ｅ２と、第三電極層Ｅ３と、第四電極層Ｅ４とを有している。すなわち、電極部５ａ，５ｃ，５ｅは、四層構造を有している。電極部５ｇ，５ｉは、第一電極層Ｅ１と、第三電極層Ｅ３と、第四電極層Ｅ４とを有しており、第二電極層Ｅ２を有していない。すなわち、電極部５ｇ，５ｉは、三層構造を有している。本変形例では、稜線部３ｊ上に配置されている電極部は、電極部５ａ，５ｃ，５ｅと同様に、四層構造を有していてもよく、電極部５ｇ，５ｉと同様に、三層構造を有していてもよい。本変形例では、領域Ｅ３１は、電極部５ｇ，５ｉに含まれると共に、領域Ｅ３２は、電極部５ａ，５ｃ，５ｅに含まれる。
【0067】
次に、図１２を参照して、本実施形態の更に別の変形例に係る積層コンデンサの構成を説明する。図１２は、外部電極の断面構成を示す図である。本変形例に係る積層コンデンサは、概ね、上述した積層コンデンサＣ１と類似又は同じであるが、本変形例は、第二電極層Ｅ２の構成に関して、上述した実施形態及び二つの変形例と相違する。以下、上述した実施形態及び二つの変形例と本変形例との相違点を主として説明する。図１２では、断面を表すハッチングが省略されている。図１２は、一方の外部電極５の構成のみを示している。図１２に図示されていない他方の外部電極の構成は、図１２に図示されている一方の外部電極５の構成と同じである。
【0068】
図１２に示された変形例では、一方の電極部５ａと電極部５ｅは、第一電極層Ｅ１と、第二電極層Ｅ２と、第三電極層Ｅ３と、第四電極層Ｅ４とを有している。一方の電極部５ａと電極部５ｅとの間に位置している一方の電極部５ｇも、第一電極層Ｅ１と、第二電極層Ｅ２と、第三電極層Ｅ３と、第四電極層Ｅ４とを有している。すなわち、一方の電極部５ａ、電極部５ｅ、及び一方の電極部５ｇは、四層構造を有している。他方の電極部５ａと他方の電極部５ｇとは、第一電極層Ｅ１と、第三電極層Ｅ３と、第四電極層Ｅ４とを有しており、第二電極層Ｅ２を有していない。すなわち、他方の電極部５ａと他方の電極部５ｇとは、三層構造を有している。電極部５ｃ，５ｉは、一方の電極部５ａ、電極部５ｅ、及び一方の電極部５ｇと同様に、四層構造を有していてもよく、他方の電極部５ａと他方の電極部５ｇと同様に、三層構造を有していてもよい。本変形例では、稜線部３ｊ上に配置されている電極部も、四層構造を有していてもよく、三層構造を有していてもよい。本変形例では、領域Ｅ３１は、他方の電極部５ａと他方の電極部５ｇに含まれると共に、領域Ｅ３２は、一方の電極部５ａ、電極部５ｅ、及び一方の電極部５ｇに含まれる。
【0069】
一方の電極部５ｇの第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１上に配置されている。一方の電極部５ｇでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１の全体を覆うように形成されている。一方の電極部５ｇでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１に直接接している。一方の電極部５ｇの第二電極層Ｅ２は、一方の電極部５ｇの第一電極層Ｅ１の全体を覆うように形成されている。一方の電極部５ｇでは、第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１が第二電極層Ｅ２と一方の稜線部３ｇとの間に位置するように、一方の稜線部３ｇを間接的に覆っている。
一方の電極部５ｇの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。一方の電極部５ｇでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。一方の電極部５ｇでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、一方の電極部５ｇでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。一方の電極部５ｇでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。
一方の電極部５ｇの第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上に配置されている。一方の電極部５ｇでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体を覆っている。一方の電極部５ｇでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２の全体と接している。すなわち、一方の電極部５ｇでは、第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と直接接している。一方の電極部５ｇでは、第三電極層Ｅ３は、第一電極層Ｅ１と直接接していない。
【0070】
図８～図１２に示された変形例では、積層コンデンサＣ１と同様に、領域Ｅ３２の厚みＴ２が領域Ｅ３１の厚みＴ１より小さい。したがって、各変形例は、はんだクラックの発生を抑制するのを阻害しがたく、かつ、第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との電気的かつ機械的接続強度の低下を抑制する。
各変形例において、厚みＴ１に対する厚みＴ２の比率（Ｔ２／Ｔ１）が０．５３以上０．８４以下である場合、上述したように、はんだクラックの発生をより一層確実に抑制しつつ、第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との電気的かつ機械的接続強度の低下をより一層抑制する。
各変形例において、第一電極層Ｅ１が銅焼結体であると共に、各金属粒子ＭＰが銅粒子である場合、上述したように、外部電極５間の短絡が生じがたい。
各変形例において、銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径が、０．１μｍ以上１０μｍ以下である場合、上述したように、第二電極層Ｅ２の電気抵抗が増加しがたく、かつ、第二電極層Ｅ２の機械的強度が低下しがたい。
各変形例において、厚みＴ１に対する厚みＴ２の比率（Ｔ２／Ｔ１）が０．５３以上０．８４以下である場合、上述したように、はんだクラックの発生をより一層確実に抑制しつつ、第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との電気的かつ機械的接続強度の低下をより一層抑制する。
各変形例において、第一電極層Ｅ１が銅焼結体であると共に、各金属粒子ＭＰが銅粒子である場合、上述したように、外部電極５間の短絡が生じがたい。
各変形例において、銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径が、０．１μｍ以上１０μｍ以下である場合、上述したように、第二電極層Ｅ２の電気抵抗が増加しがたく、かつ、第二電極層Ｅ２の機械的強度が低下しがたい。
【0071】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【0072】
厚みＴ１に対する厚みＴ２の比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．５３以上０．８４以下でなくてもよい。たとえば、比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．４８以上０．８４以下であってもよい。比率（Ｔ２／Ｔ１）は、０．５３以上０．８４以下である場合、上述したように、はんだクラックの発生をより一層確実に抑制しつつ、第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との電気的かつ機械的接続強度の低下をより一層抑制する。
第一電極層Ｅ１は銅焼結体でなくてもよく、また、各金属粒子ＭＰも銅粒子でなくてもよい。第一電極層Ｅ１が銅焼結体であると共に、各金属粒子ＭＰが銅粒子である場合、上述したように、外部電極５間の短絡が生じがたい。
銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下でなくてもよい。銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径が、０．１μｍ以上１０μｍ以下である場合、上述したように、第二電極層Ｅ２の電気抵抗が増加しがたく、かつ、第二電極層Ｅ２の機械的強度が低下しがたい。
第一電極層Ｅ１は銅焼結体でなくてもよく、また、各金属粒子ＭＰも銅粒子でなくてもよい。第一電極層Ｅ１が銅焼結体であると共に、各金属粒子ＭＰが銅粒子である場合、上述したように、外部電極５間の短絡が生じがたい。
銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下でなくてもよい。銅粒子である金属粒子ＭＰの平均粒径が、０．１μｍ以上１０μｍ以下である場合、上述したように、第二電極層Ｅ２の電気抵抗が増加しがたく、かつ、第二電極層Ｅ２の機械的強度が低下しがたい。
【0073】
本実施形態及び変形例では、電子部品として積層コンデンサを例に説明したが、適用可能な電子部品は、積層コンデンサに限られない。適用可能な電子部品は、たとえば、積層インダクタ、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、もしくは積層複合部品などの積層電子部品、又は、積層電子部品以外の電子部品である。
【符号の説明】
【0074】
３…素体、３ａ…主面、３ｃ，３ｅ…側面、５…外部電極、Ｃ１…積層コンデンサ、Ｅ１…第一電極層、Ｅ２…第二電極層、Ｅ３…第三電極層、Ｅ３１，Ｅ３２…第三電極層が有する領域、Ｅ４…第四電極層、ＭＰ…金属粒子、Ｒ…樹脂。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】