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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-06-03
(45)【発行日】2024-06-11
(54)【発明の名称】表面被覆蛍光体粒子、及び発光装置
(51)【国際特許分類】
C09K 11/08 20060101AFI20240604BHJP
C09K 11/64 20060101ALI20240604BHJP
H01L 33/50 20100101ALI20240604BHJP
【ＦＩ】
C09K11/08 G
C09K11/64
H01L33/50
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021522308
(86)(22)【出願日】2020-05-22
(86)【国際出願番号】 JP2020020273
(87)【国際公開番号】W WO2020241482
(87)【国際公開日】2020-12-03
【審査請求日】2023-04-24
(31)【優先権主張番号】P 2019102122
(32)【優先日】2019-05-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000003296
【氏名又は名称】デンカ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100110928
【弁理士】
【氏名又は名称】速水 進治
(72)【発明者】
【氏名】赤羽 雅斗
(72)【発明者】
【氏名】江本 秀幸
【審査官】福山 駿
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－０３０９３８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１５５２０９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１６６４２３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０９Ｋ １１／００－１１／８９
Ｈ０１Ｌ ３３／５０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
蛍光体を含む粒子と、前記粒子の表面を被覆する被覆部と、
を含む表面被覆蛍光体粒子であって、
前記蛍光体は、一般式Ｍ１ ａＭ２ ｂＭ３ ｃＡｌ３Ｎ４－ｄＯｄ（ただし、Ｍ１はＳｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＢａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ２はＬｉ、ＮａおよびＫから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ３はＥｕ、ＣｅおよびＭｎから選ばれる１種以上の元素である。）で表される組成を有し、前記ａ、ｂ、ｃ、およびｄが次の各式を満たすものであり、
０．８５０≦ａ≦１．１５０
０．８５０≦ｂ≦１．１５０
０．００１≦ｃ≦０．０１５
０＜ｄ≦０．４０
０＜ｄ／（ａ＋ｄ）＜０．３０
前記被覆部は、前記粒子の最表面の少なくとも一部を構成するとともに、ＡｌＦ３を含み、
Ｃｕ－Ｋα線を用いて測定した当該表面被覆蛍光体粒子のＸ線回折パターンにおいて、２θが２３°以上２６°以下の範囲内ある最大ピークＡの発光強度をＩＡとし、２θが３６°以上３９°以下の範囲内ある最大ピークＢの発光強度をＩＢとしたとき、
ＩＡ、ＩＢが、ＩＡ／ＩＢ≦０．１０を満たすものである、
表面被覆蛍光体粒子。
【請求項2】
請求項１に記載の表面被覆蛍光体粒子であって、前記Ｍ１は、少なくともＳｒを含み、前記Ｍ２は、少なくともＬｉを含み、前記Ｍ３は、少なくともＥｕを含む、表面被覆蛍光体粒子。
【請求項3】
請求項１または２に記載の表面被覆蛍光体粒子であって、波長３００ｎｍの光照射に対する拡散反射率が５６％以上であり、蛍光スペクトルのピーク波長における光照射に対する拡散反射率が８０％以上である、表面被覆蛍光体粒子。
【請求項4】
請求項１～３のいずれか一項に記載の表面被覆蛍光体粒子であって、波長４５５ｎｍの青色光で励起した場合、ピーク波長が６４０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲にあり、半値幅が４５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、表面被覆蛍光体粒子。
【請求項5】
請求項１～４のいずれか一項に記載の表面被覆蛍光体粒子であって、波長４５５ｎｍの青色光で励起した場合、発光色の色純度がＣＩＥ－ｘｙ色度図において、ｘ値が０．６８０≦ｘ＜０．７３５を満たす、表面被覆蛍光体粒子。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか一項に記載の表面被覆蛍光体粒子と、発光素子とを有する発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表面被覆蛍光体粒子、及び発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
これまで蛍光体について様々な開発がなされてきた。この種の技術として、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１には、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ、いわゆるＳＬＡＮ蛍光体について記載されている（特許文献１の請求項１、段落０１１３など）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】国際公開第２０１３／１７５３３６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、本発明者が検討した結果、上記特許文献１に記載の蛍光体粒子において、高温高湿環境下での発光強度特性の点で改善の余地があることが判明した。
【課題を解決するための手段】
【0005】
焼成により得られた蛍光体粒子について、高温高湿環境下で使用したときに発光強度が大幅に低下することが判明した。
【0006】
本発明者はさらに検討したところ、表面被覆蛍光体粒子に対して適切な加熱処理を施すことによって、高温高湿環境下での発光強度特性を高められることを見出した。詳細なメカニズムは定かではないが、蛍光体粒子の表面層が安定化して、高温高湿条件下でも発光特性の低下が抑制されるため、と考えられる。
【0007】
このような知見に基づいて鋭意検討した結果、Ｃｕ－Ｋα線を用いて測定した当該表面被覆蛍光体粒子のＸ線回折パターンにおいて、２θが２３°以上２６°以下の範囲内ある最大ピークＡの発光強度をＩＡとし、２θが３６°以上３９°以下の範囲内ある最大ピークＢの発光強度をＩＢとしたときの、ＩＡ／ＩＢを指標とすることによって、表面被覆蛍光体粒子の表面層の安定化の度合いについて安定的に評価でき、その上、ＩＡ／ＩＢを適当な数値範囲内とすることで、高温高湿環境下での発光強度特性に優れた表面被覆蛍光体粒子を実現できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
本発明によれば、
蛍光体を含む粒子と、
前記粒子の表面を被覆する被覆部と、
を含む表面被覆蛍光体粒子であって、
前記蛍光体は、一般式Ｍ１ ａＭ２ ｂＭ３ ｃＡｌ３Ｎ４－ｄＯｄ（ただし、Ｍ１はＳｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＢａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ２はＬｉ、ＮａおよびＫから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ３はＥｕ、ＣｅおよびＭｎから選ばれる１種以上の元素である。）で表される組成を有し、前記ａ、ｂ、ｃ、およびｄが次の各式を満たすものであり、
０．８５０≦ａ≦１．１５０
０．８５０≦ｂ≦１．１５０
０．００１≦ｃ≦０．０１５
０≦ｄ≦０．４０
０≦ｄ／（ａ＋ｄ）＜０．３０
前記被覆部は、前記粒子の最表面の少なくとも一部を構成するとともに、ＡｌＦ３を含み、
Ｃｕ－Ｋα線を用いて測定した当該表面被覆蛍光体粒子のＸ線回折パターンにおいて、２θが２３°以上２６°以下の範囲内ある最大ピークＡの発光強度をＩＡとし、２θが３６°以上３９°以下の範囲内ある最大ピークＢの発光強度をＩＢとしたとき、
ＩＡ、ＩＢが、ＩＡ／ＩＢ≦０．１０を満たすものである、
表面被覆蛍光体粒子が提供される。
蛍光体を含む粒子と、
前記粒子の表面を被覆する被覆部と、
を含む表面被覆蛍光体粒子であって、
前記蛍光体は、一般式Ｍ１ ａＭ２ ｂＭ３ ｃＡｌ３Ｎ４－ｄＯｄ（ただし、Ｍ１はＳｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＢａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ２はＬｉ、ＮａおよびＫから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ３はＥｕ、ＣｅおよびＭｎから選ばれる１種以上の元素である。）で表される組成を有し、前記ａ、ｂ、ｃ、およびｄが次の各式を満たすものであり、
０．８５０≦ａ≦１．１５０
０．８５０≦ｂ≦１．１５０
０．００１≦ｃ≦０．０１５
０≦ｄ≦０．４０
０≦ｄ／（ａ＋ｄ）＜０．３０
前記被覆部は、前記粒子の最表面の少なくとも一部を構成するとともに、ＡｌＦ３を含み、
Ｃｕ－Ｋα線を用いて測定した当該表面被覆蛍光体粒子のＸ線回折パターンにおいて、２θが２３°以上２６°以下の範囲内ある最大ピークＡの発光強度をＩＡとし、２θが３６°以上３９°以下の範囲内ある最大ピークＢの発光強度をＩＢとしたとき、
ＩＡ、ＩＢが、ＩＡ／ＩＢ≦０．１０を満たすものである、
表面被覆蛍光体粒子が提供される。
【0009】
また本発明によれば、上記の表面被覆蛍光体粒子と、発光素子とを有する発光装置が提供される。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、高温高湿環境下での発光強度特性に優れた表面被覆蛍光体粒子、及びそれを用いた発光装置が提供される。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本実施形態の表面被覆蛍光体粒子について説明する。
【0012】
本実施形態の表面被覆蛍光体粒子は、蛍光体を含む粒子と、粒子の表面を被覆する被覆部と、を含む蛍光体粒子である。
【0013】
表面被覆蛍光体粒子に含まれる蛍光体は、一般式Ｍ１
ａＭ２
ｂＭ３
ｃＡｌ３Ｎ４－ｄＯｄで表される組成を有する。一般式中、Ｍ１はＳｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＢａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ２はＬｉ、ＮａおよびＫから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ３はＥｕ、ＣｅおよびＭｎから選ばれる１種以上の元素である。一般式中、ａ、ｂ、ｃ、４－ｄ、およびｄは、各元素のモル比を示す。
【0014】
一般式中のａ、ｂ、ｃ、およびｄが次の各式を満たすものである。
０．８５０≦ａ≦１．１５０
０．８５０≦ｂ≦１．１５０
０．００１≦ｃ≦０．０１５
０≦ｄ≦０．４０
０≦ｄ／（ａ＋ｄ）＜０．３０
０．８５０≦ａ≦１．１５０
０．８５０≦ｂ≦１．１５０
０．００１≦ｃ≦０．０１５
０≦ｄ≦０．４０
０≦ｄ／（ａ＋ｄ）＜０．３０
【0015】
Ｍ１は、Ｓｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＢａから選ばれる１種以上の元素であり、好ましくは、少なくともＳｒを含む。Ｍ１のモル比ａの下限は、０．８５０以上が好ましく、０．９５０以上がより好ましい。一方、Ｍ１のモル比ａの上限は、１．１５０以下が好ましく、１．１００以下がより好ましく、１．０５０以下がさらに好ましい。Ｍ１のモル比ａを上記範囲とすることにより、結晶構造安定性を向上させることができる。
【0016】
Ｍ２はＬｉ、ＮａおよびＫから選ばれる１種以上の元素であり、好ましくは、少なくともＬｉを含む。Ｍ２のモル比ｂの下限は、０．８５０以上が好ましく、０．９５０以上がより好ましい。一方、Ｍ２のモル比ｂの上限は、１．１５０以下が好ましく、１．１００以下がより好ましく、１．０５０以下がさらに好ましい。Ｍ２のモル比ａを上記範囲とすることにより、結晶構造安定性を向上させることができる。
【0017】
Ｍ３は、母体結晶に添加される賦活剤、すなわち蛍光体の発光中心イオンを構成する元素であり、Ｅｕ、ＣｅおよびＭｎから選ばれる１種以上の元素である。Ｍ３は、求められる発光波長によって選択することができ、好ましくは少なくともＥｕを含む。
Ｍ３のモル比ｃの下限は０．００１以上が好ましく、０．００５以上がより好ましい。一方、Ｍ３のモル比ｃの上限は０．０１５以下が好ましく、０．０１０以下がより好ましい。Ｍ３のモル比ｃの下限を上記範囲とすることにより、十分な発光強度を得ることができる。また、Ｍ３のモル比ｃの上限を上記範囲とすることにより、濃度消光を抑制し、発光強度を十分な値に保つことができる。
Ｍ３のモル比ｃの下限は０．００１以上が好ましく、０．００５以上がより好ましい。一方、Ｍ３のモル比ｃの上限は０．０１５以下が好ましく、０．０１０以下がより好ましい。Ｍ３のモル比ｃの下限を上記範囲とすることにより、十分な発光強度を得ることができる。また、Ｍ３のモル比ｃの上限を上記範囲とすることにより、濃度消光を抑制し、発光強度を十分な値に保つことができる。
【0018】
酸素（Ｏ）のモル比ｄの下限は０以上が好ましく、０．０５以上がより好ましい。一方、酸素のモル比ｄの上限は、０．４０以下が好ましく、０．３５以下がより好ましい。酸素のモル比ｄを上記範囲とすることにより、蛍光体の結晶状態を安定化させ、発光強度を十分な値に保つことができる。
また、蛍光体中の酸素元素の含有量は２質量％未満が好ましく、１．８質量％以下がより好ましい。酸素元素の含有量を２質量％未満とすることにより、蛍光体の結晶状態を安定化させ、発光強度を十分な値に保つことができる。
また、蛍光体中の酸素元素の含有量は２質量％未満が好ましく、１．８質量％以下がより好ましい。酸素元素の含有量を２質量％未満とすることにより、蛍光体の結晶状態を安定化させ、発光強度を十分な値に保つことができる。
【0019】
Ｍ１および酸素のモル比、即ちａ、ｄから算出されるｄ／（ａ＋ｄ）の値の下限は、０以上が好ましく、０．０５以上がより好ましい。一方、ｄ／（ａ＋ｄ）の値の上限は、０．３０未満が好ましく、０．２５以下がより好ましい。ｄ／（ａ＋ｄ）を上記範囲とすることにより、蛍光体の結晶状態を安定化させ、発光強度を十分な値に保つことができる。
【0020】
被覆部は、上述した蛍光体を含む粒子の最表面の少なくとも一部を構成する。当該被覆部は、フッ素元素およびアルミニウム元素を含有するフッ素含有化合物を含む。
【0021】
フッ素含有化合物において、フッ素元素とアルミニウム元素とが直接に共有結合していることが好ましく、より具体的には、フッ素含有化合物は、ＡｌＦ３を含むことが好ましい。なお、フッ素含有化合物は、フッ素元素およびアルミニウム元素を含有する単一の化合物により構成されていてもよい。
【0022】
フッ素含有化合物を含む被覆部が蛍光体を含む粒子の最表面の少なくとも一部を構成することにより、粒子を構成する蛍光体の耐湿性を向上させることができる。なお、蛍光体の耐湿性をより一層向上させる観点から、被覆部がＡｌＦ３を含むことがより好ましい。
【0023】
被覆部の態様は特に制限されない。被覆部の態様として、たとえば、粒子状のフッ素含有化合物が蛍光体を含む粒子の表面に多数分布している態様や、フッ素含有化合物が蛍光体を含む粒子の表面を連続的に被覆する態様が挙げられる。被覆部は、粒子表面の一部または全体を覆うように構成してもよい。
【0024】
表面被覆蛍光体粒子について、Ｃｕ－Ｋα線を用いるＸ線回折によりＸ線回折パターンを得る。得られたＸ線回折パターンにおいて、２θが２３°以上２６°以下の範囲内ある最大ピークＡの発光強度をＩＡとし、２θが３６°以上３９°以下の範囲内ある最大ピークＢの発光強度をＩＢとする。
このとき、本実施形態の表面被覆蛍光体粒子において、ＩＡ、ＩＢが、ＩＡ／ＩＢ≦０．１０を満たすものである。
（Ｘ線回折パターンの測定方法）
表面被覆蛍光体粒子について、下記の測定条件に基づいてＸ線回折装置を用いて回折パターンを測定する。
（測定条件）
Ｘ線源：Ｃｕ－Ｋα線（λ＝１．５４１８４Å）、
出力設定：４０ｋＶ・４０ｍＡ
光学系：集中法
検出器：半導体検出器
測定時光学条件：発散スリット＝２／３°
散乱スリット＝８ｍｍ
受光スリット＝開放
回折ピークの位置＝２θ（回折角）
測定範囲：２θ＝２０°～７０°
スキャン速度：２度（２θ）／ｓｅｃ，連続スキャン
走査軸：２θ／θ
試料調製：粉末状の表面被覆蛍光体粒子をサンプルホルダーに載せる。
ピーク強度はバックグラウンド補正を行って得た値とする。
このとき、本実施形態の表面被覆蛍光体粒子において、ＩＡ、ＩＢが、ＩＡ／ＩＢ≦０．１０を満たすものである。
（Ｘ線回折パターンの測定方法）
表面被覆蛍光体粒子について、下記の測定条件に基づいてＸ線回折装置を用いて回折パターンを測定する。
（測定条件）
Ｘ線源：Ｃｕ－Ｋα線（λ＝１．５４１８４Å）、
出力設定：４０ｋＶ・４０ｍＡ
光学系：集中法
検出器：半導体検出器
測定時光学条件：発散スリット＝２／３°
散乱スリット＝８ｍｍ
受光スリット＝開放
回折ピークの位置＝２θ（回折角）
測定範囲：２θ＝２０°～７０°
スキャン速度：２度（２θ）／ｓｅｃ，連続スキャン
走査軸：２θ／θ
試料調製：粉末状の表面被覆蛍光体粒子をサンプルホルダーに載せる。
ピーク強度はバックグラウンド補正を行って得た値とする。
【0025】
本発明者の知見によれば、表面被覆蛍光体粒子に対して適切な加熱処理を施すことによって、高温高湿環境下での発光強度特性を高められることを見出した。
詳細なメカニズムは定かではないが、蛍光体粒子の表面層が安定化して、高温高湿条件下でも発光特性の低下が抑制されるため、と考えられる。
詳細なメカニズムは定かではないが、蛍光体粒子の表面層が安定化して、高温高湿条件下でも発光特性の低下が抑制されるため、と考えられる。
【0026】
このような知見に基づいて鋭意検討した結果、Ｘ線回析法により得られるＸ線回析パターンにおいて、２θが２３°以上２６°以下の範囲内ある最大ピークＡの発光強度をＩＡとし、２θが３６°以上３９°以下の範囲内ある最大ピークＢの発光強度をＩＢとしたときの、ＩＡ／ＩＢを指標とすることによって、表面被覆蛍光体粒子の表面層の安定化の度合いについて安定的に評価でき、その上、ＩＡ／ＩＢを適当な数値範囲内とすることで、高温高湿環境下での発光強度特性に優れた表面被覆蛍光体粒子を実現できることが見出された。
【0027】
ＩＡ／ＩＢの上限は、０．１０以下であり、０．０９以下が好ましく、０．０８以下がより好ましく、０．０７以下がさらに好ましい。これにより、高温高湿環境下での発光強度特性を向上できる。一方、ＩＡ／ＩＢの下限は、特に限定されない。
【0028】
ここで、発光強度ＩＡの最大ピークＡは、ＳｒＡｌＦ５由来のピークを含む。発光強度ＩＢの最大ピークＢは、ＳＬＡＮに由来のピークを含む。
【0029】
本実施形態では、たとえば表面被覆蛍光体粒子に用いる原料成分の種類や配合量、表面被覆蛍光体粒子の製造方法等を適切に選択することにより、上記ＩＡ、ＩＡ／ＩＢを制御することが可能である。これらの中でも、たとえば、焼成処理の後、酸処理およびフッ酸処理を行うこと、加熱処理の温度を適切な範囲内とすること等が、上記ＩＡ、ＩＡ／ＩＢを所望の数値範囲とするための要素として挙げられる。
【0030】
以下、表面被覆蛍光体粒子の特性について説明する。
【0031】
表面被覆蛍光体粒子において、波長３００ｎｍの光照射に対する拡散反射率が、例えば、５６％以上、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上である。
また、表面被覆蛍光体粒子において、蛍光スペクトルのピーク波長における光照射に対する拡散反射率が、例えば、８０％以上、好ましくは８３％以上、より好ましくは８５％以上である。
このような拡散反射率を備えることにおり、さらに発光効率が高くなり発光強度が向上する。
また、表面被覆蛍光体粒子において、蛍光スペクトルのピーク波長における光照射に対する拡散反射率が、例えば、８０％以上、好ましくは８３％以上、より好ましくは８５％以上である。
このような拡散反射率を備えることにおり、さらに発光効率が高くなり発光強度が向上する。
【0032】
波長４５５ｎｍの青色光で励起したとき、表面被覆蛍光体粒子は、ピーク波長が、例えば６４０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下の範囲にあり、その半値幅が、例えば、４５ｎｍ以上６０ｎｍ以下を満たすように構成されてもよい。このような特性を備えることにより、優れた演色性や色再現性が期待できる。
【0033】
波長４５５ｎｍの青色光で励起した場合、表面被覆蛍光体粒子は、ＣＩＥ－ｘｙ色度図におけるｘ値が、例えば、０．６８０≦ｘ＜０．７３５を満たすように構成されてもよい。
このような特性を備えることにより、優れた色再現性が期待できる。ｘ値が０．６８０以上であれば色純度の良い赤色発光をさらに期待でき、ｘ値が０．７３５以上の値はＣＩＥ－ｘｙ色度図内の最大値を超えるため、上記範囲を満たすことが好ましい。
このような特性を備えることにより、優れた色再現性が期待できる。ｘ値が０．６８０以上であれば色純度の良い赤色発光をさらに期待でき、ｘ値が０．７３５以上の値はＣＩＥ－ｘｙ色度図内の最大値を超えるため、上記範囲を満たすことが好ましい。
【0034】
以下、本実施形態の表面被覆蛍光体粒子の製造方法について説明する。
【0035】
表面被覆蛍光体粒子の製造方法は、Ｓｒ、Ｍｇ、ＣａおよびＢａからなる群より選択される少なくとも１種の元素Ｍ１、Ｌｉ、ＮａおよびＫからなる群より選択される少なくとも１種の元素Ｍ２、Ｅｕ、ＣｅおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも１種の元素Ｍ３、Ａｌ、及びＮからなる群を含む組成を有する蛍光体粒子（表面被覆蛍光体粒子）を製造するものである。
【0036】
表面被覆蛍光体粒子の製造方法は、混合工程、焼成工程、粉砕工程、酸処理工程、フッ酸処理工程、及び加熱処理工程を含むことができる。
各工程について詳述する。
各工程について詳述する。
【0037】
（混合工程）
混合工程は、目的とする表面被覆蛍光体粒子が得られるように秤量した各原料を混合して粉末状の原料混合物を得る。
混合工程は、目的とする表面被覆蛍光体粒子が得られるように秤量した各原料を混合して粉末状の原料混合物を得る。
【0038】
原料を混合する方法は、特に限定されないが、たとえば、乳鉢、ボールミル、Ｖ型混合機、遊星ミルなどの混合装置を用いて十分に混合する方法がある。
なお、空気中の水分や酸素と激しく反応する窒化ストロンチウム、窒化リチウム等は、内部が不活性雰囲気で置換されたグローブボックス内や混合装置を用いて取り扱うことが適切である。
なお、空気中の水分や酸素と激しく反応する窒化ストロンチウム、窒化リチウム等は、内部が不活性雰囲気で置換されたグローブボックス内や混合装置を用いて取り扱うことが適切である。
【0039】
混合工程において、Ａｌのモル比を３としたときのＭ１の仕込み量がモル比で１．１０以上であることが好ましい。Ｍ１の仕込み量をモル比で１．１０以上とすることにより、焼成工程中のＭ１の揮発などにより蛍光体中のＭ１が不足することが抑制され、Ｍ１に欠陥が生じにくくなり、結晶性が良好に保たれる。この結果、狭帯域の蛍光スペクトルが得られ、発光強度を高めることができると推測される。また、混合工程において、Ａｌのモル比を３としたときのＭ１の仕込み量がモル比で１．２０以下であることが好ましい。Ｍ１の仕込み量をモル比で１．２０以下とすることにより、Ｍ１を含む異相の増加を抑制し、酸処理工程により異相の除去が容易になり、発光強度を高めることができる。
【0040】
混合工程において用いられる各原料は、蛍光体の組成に含まれる金属元素の金属単体および当該金属元素を含む金属化合物からなる群より選ばれる１種以上を含むことができる。金属化合物としては、窒化物、水素化物、フッ化物、酸化物、炭酸塩、塩化物等が挙げられる。このうち、蛍光体の発光強度を向上させる観点から、Ｍ１およびＭ２を含む金属化合物として窒化物が好ましく用いられる。具体的には、Ｍ１を含む金属化合物として、Ｓｒ３Ｎ２、Ｓｒ２Ｎ、ＳｒＮ２、ＳｒＮなどが挙げられる。Ｍ２を含む金属化合物として、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＮ３などが挙げられる。Ｍ３を含む金属化合物としては、Ｅｕ２Ｏ３、ＥｕＮ、ＥｕＦ３が挙げられる。Ａｌを含む金属化合物としては、ＡｌＮ、ＡｌＨ３、ＡｌＦ３、ＬｉＡｌＨ４などが挙げられる。
【0041】
必要に応じて、フラックスを添加してもよい。フラックスとしては、ＬｉＦ、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、ＡｌＦ３などが挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0042】
（焼成工程）
焼成工程は、上述した原料混合物を、例えば焼成容器の内部に充填して焼成する。
焼成工程は、上述した原料混合物を、例えば焼成容器の内部に充填して焼成する。
【0043】
焼成容器は、気密性を高められる構造を備えていることが好ましい。焼成容器は、高温の雰囲気ガス下において安定で、原料の混合体及びその反応生成物と反応しにくい材質で構成されることが好ましく、たとえば、窒化ホウ素製、カーボン製の容器や、モリブデンやタンタルやタングステン等の高融点金属製の容器を使用することが好ましい。
【0044】
焼成容器の内部はアルゴン、ヘリウム、水素、窒素等の非酸化性ガスの雰囲気ガスで満たすことが好ましい。
【0045】
［焼成温度］
焼成工程における焼成温度の下限は、９００℃以上が好ましく、１０００℃以上がより好ましく、１１００℃以上がさらに好ましい。一方、焼成温度の上限は、１５００℃以下が好ましく、１４００℃以下がより好ましく、１３００℃以下がさらに好ましい。焼成温度を上記範囲とすることにより、焼成工程終了後の未反応原料を少なくでき、また主結晶相の分解を抑制することができる。
焼成工程における焼成温度の下限は、９００℃以上が好ましく、１０００℃以上がより好ましく、１１００℃以上がさらに好ましい。一方、焼成温度の上限は、１５００℃以下が好ましく、１４００℃以下がより好ましく、１３００℃以下がさらに好ましい。焼成温度を上記範囲とすることにより、焼成工程終了後の未反応原料を少なくでき、また主結晶相の分解を抑制することができる。
【0046】
［焼成雰囲気ガスの種類］
焼成工程における焼成雰囲気ガスの種類としては、例えば元素としての窒素を含むガスを好ましく用いることができる。具体的には、窒素および／またはアンモニアを挙げることができ、特に窒素が好ましい。また同様に、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスも好ましく用いることができる。なお焼成雰囲気ガスは１種類のガスで構成されていても、複数の種類のガスの混合ガスであっても構わない。
焼成工程における焼成雰囲気ガスの種類としては、例えば元素としての窒素を含むガスを好ましく用いることができる。具体的には、窒素および／またはアンモニアを挙げることができ、特に窒素が好ましい。また同様に、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスも好ましく用いることができる。なお焼成雰囲気ガスは１種類のガスで構成されていても、複数の種類のガスの混合ガスであっても構わない。
【0047】
［焼成雰囲気ガスの圧力］
焼成雰囲気ガスの圧力は、焼成温度に応じて選択されるが、通常０．１ＭＰａ・Ｇ以上１０ＭＰａ・Ｇ以下の範囲の加圧状態である。焼成雰囲気ガスの圧力が高いほど、蛍光体の分解温度は高くなるが、工業的生産性を考慮すると０．５ＭＰａ・Ｇ以上１ＭＰａ・Ｇ以下とすることが好ましい。
焼成雰囲気ガスの圧力は、焼成温度に応じて選択されるが、通常０．１ＭＰａ・Ｇ以上１０ＭＰａ・Ｇ以下の範囲の加圧状態である。焼成雰囲気ガスの圧力が高いほど、蛍光体の分解温度は高くなるが、工業的生産性を考慮すると０．５ＭＰａ・Ｇ以上１ＭＰａ・Ｇ以下とすることが好ましい。
【0048】
［焼成時間］
焼成工程における焼成時間は、未反応物が多く存在したり、蛍光体の粒子が成長不足であったり、或いは生産性の低下という不都合が生じない時間範囲が選択される。焼成時間の下限は、０．５時間以上が好ましく、１時間以上がより好ましく、２時間以上がさらに好ましい。また、焼成時間の上限は、４８時間以下が好ましく、３６時間以下がより好ましく、２４時間以下がさらに好ましい。
焼成工程における焼成時間は、未反応物が多く存在したり、蛍光体の粒子が成長不足であったり、或いは生産性の低下という不都合が生じない時間範囲が選択される。焼成時間の下限は、０．５時間以上が好ましく、１時間以上がより好ましく、２時間以上がさらに好ましい。また、焼成時間の上限は、４８時間以下が好ましく、３６時間以下がより好ましく、２４時間以下がさらに好ましい。
【0049】
（粉砕工程）
粉砕工程は、焼成工程後の原料混合物（焼成物）を、粉砕して粉砕物を得る。
粉砕工程は、焼成工程後の原料混合物（焼成物）を、粉砕して粉砕物を得る。
【0050】
焼成工程により得られる焼成物の状態は、原料配合や焼成条件によって、粉体状、塊状と様々である。解砕・粉砕工程及び／又は分級操作工程によって、焼成物を、所定のサイズの粉末状にできる。
【0051】
上述の解砕・粉砕工程では、その処理に由来する不純物の混入を防ぐため、焼成物と接触する機器の部材が、窒化ケイ素、アルミナ、サイアロン等で構成されることが好ましい。
【0052】
なお、粉砕物の平均粒子径は、表面被覆蛍光体粒子の平均粒子径が５μｍ以上３０μｍ以下となるように調整されてもよい。これによって、表面被覆蛍光体粒子は、励起光の吸収効率および発光効率に優れたものとなるため、ＬＥＤ用等に好適に用いることができる。
【0053】
（酸処理工程）
酸処理工程は、粉砕物に対して、酸を含む溶液を用いて酸処理する。
酸処理工程は、粉砕物に対して、酸を含む溶液を用いて酸処理する。
【0054】
酸を含む溶液は、酸と溶媒を含む混合液を用いてもよく、好ましくは酸と有機溶媒との混合液、より好ましくは酸と有機溶媒との混合水溶液である。
【0055】
酸は、例えば、無機酸を使用してもよく、具体的には、硝酸、塩酸、酢酸、硫酸、蟻酸、及びリン酸等が挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0056】
溶媒は、水溶媒、有機溶媒が用いられる。
【0057】
有機溶媒は、例えば、アルコール、アセトン等が挙げられる。この中でも、アルコールが好ましい。アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、２－プロパノールなどが用いられる。
【0058】
混合液中の有機溶媒の混合比率は、例えば、酸と溶媒とを含む混合液１００体積％に対して、酸が０．１体積％以上３体積％以下となるように調製してもよい。
【0059】
酸処理によって、原料に含まれる不純物元素、焼成容器に由来する不純物元素、焼成工程で生じた異相、粉砕工程にて混入した不純物元素を溶解除去できる。同時に微粉を取り除くことも可能なため、光の散乱を抑えられ、蛍光体の光吸収率も向上する。すなわち、酸処理は、異物等を洗浄できる。
【0060】
酸処理の一例として、酸を用いて洗浄した後、有機溶媒で洗浄してもよいが、酸と有機溶媒とを含む混合液を用いて洗浄を行ってもよい。また、酸を含む溶液中に、例えば０．５時間～５時間程度、粉砕物を分散・浸漬させてもよい。
【0061】
（フッ酸処理工程）
フッ酸処理は、酸処理工程後の粉砕物に、フッ酸処理を施す。
フッ酸処理は、酸処理工程後の粉砕物に、フッ酸処理を施す。
【0062】
フッ酸処理には、フッ素元素を含む化合物として、フッ酸水溶液が好ましく用いられる。
フッ酸水溶液の濃度の下限は、２０質量％以上が好ましく、２５質量％以上がより好ましく、３０質量％以上がさらに好ましい。一方、フッ酸水溶液の濃度の上限は、４０％質量以下が好ましく、３８質量％以下がより好ましく、３５質量％以下がさらに好ましい。
フッ酸水溶液の濃度を上記下限値以上とすることにより、蛍光体を含む粒子の最表面の少なくとも一部に（ＮＨ４）３ＡｌＦ６を含む被覆部を形成することができる。一方、フッ酸水溶液の濃度を上記上限値以下とすることにより、粒子とフッ酸との反応が激しくなり過ぎることを抑制することができる。
フッ酸水溶液の濃度の下限は、２０質量％以上が好ましく、２５質量％以上がより好ましく、３０質量％以上がさらに好ましい。一方、フッ酸水溶液の濃度の上限は、４０％質量以下が好ましく、３８質量％以下がより好ましく、３５質量％以下がさらに好ましい。
フッ酸水溶液の濃度を上記下限値以上とすることにより、蛍光体を含む粒子の最表面の少なくとも一部に（ＮＨ４）３ＡｌＦ６を含む被覆部を形成することができる。一方、フッ酸水溶液の濃度を上記上限値以下とすることにより、粒子とフッ酸との反応が激しくなり過ぎることを抑制することができる。
【0063】
粉砕物とフッ酸水溶液との混合は、スターラーなどの攪拌手段により行うことができる。
上記粉砕物とフッ酸水溶液との混合時間の下限は、５分以上が好ましく１０分以上がより好ましく、１５分以上がさらに好ましい。一方、上記焼成物とフッ酸水溶液との混合時間の上限は、３０分以下が好ましく、２５分以下がより好ましく、２０分以下がさらに好ましい。
上記粉砕物とフッ酸水溶液との混合時間を上記範囲とすることにより、蛍光体を含む粒子の最表面の少なくとも一部に（ＮＨ４）３ＡｌＦ６を含む被覆部を安定的に形成することができる。
上記粉砕物とフッ酸水溶液との混合時間の下限は、５分以上が好ましく１０分以上がより好ましく、１５分以上がさらに好ましい。一方、上記焼成物とフッ酸水溶液との混合時間の上限は、３０分以下が好ましく、２５分以下がより好ましく、２０分以下がさらに好ましい。
上記粉砕物とフッ酸水溶液との混合時間を上記範囲とすることにより、蛍光体を含む粒子の最表面の少なくとも一部に（ＮＨ４）３ＡｌＦ６を含む被覆部を安定的に形成することができる。
【0064】
本実施形態において、酸処理工程における酸および溶媒の種類、酸の濃度、フッ酸処理工程における、フッ酸の濃度、フッ酸処理の時間、フッ酸処理後に行う加熱処理工程における加熱温度および加熱時間等を適切に調整することにより、蛍光体を含む粒子の表面を被覆する被覆部を形成できる。
【0065】
（加熱処理工程）
加熱処理は、フッ酸処理後の粉砕物を、大気中で加熱する。
加熱処理は、フッ酸処理後の粉砕物を、大気中で加熱する。
【0066】
フッ酸処理により得られる結果物が被覆部として（ＮＨ４）３ＡｌＦ６を含む場合、加熱処理工程を実施することにより、（ＮＨ４）３ＡｌＦ６の一部または全部を、ＡｌＦ３に変更できる。
【0067】
加熱処理工程における加熱温度の下限は２２０℃以上が好ましく、２５０℃以上がより好ましい。一方、上記加熱温度の上限は、３８０℃以下が好ましく、３５０℃以下がより好ましく、３３０℃以下がさらに好ましい。
【0068】
加熱温度を上記下限以上とすることにより、下記反応式（１）を進行させることにより、（ＮＨ４）３ＡｌＦ６をＡｌＦ３に変えることができる。
（ＮＨ４）３ＡｌＦ６→ＡｌＦ３＋３ＮＨ３＋３ＨＦ・・・（１）
（ＮＨ４）３ＡｌＦ６→ＡｌＦ３＋３ＮＨ３＋３ＨＦ・・・（１）
【0069】
一方、加熱温度を上記上限以下とすることにより、蛍光体の結晶構造を良好に維持し、発光強度を高めることができる。
【0070】
加熱時間の下限は、１時間以上が好ましく、１．５時間以上がより好ましく、２時間以上がさらに好ましい。一方、加熱時間の上限は、６時間以下が好ましく、５．５時間以下がより好ましく、５時間以下がさらに好ましい。加熱時間を上記範囲とすることにより、（ＮＨ４）３ＡｌＦ６を耐湿性がより高いＡｌＦ３に確実に変えることができる。
【0071】
なお、加熱処理工程は大気中あるいは窒素雰囲気下で実施することが好ましい。これによれば、加熱雰囲気の物質自身が上記の反応式（１）を阻害することなく、目的の物質を生成することができる。
【0072】
以下、本実施形態に係る発光装置について説明する。
本実施形態に係る発光装置は、表面被覆蛍光体粒子と発光素子とを有する。
本実施形態に係る発光装置は、表面被覆蛍光体粒子と発光素子とを有する。
【0073】
発光素子として、紫外ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、蛍光ランプの単体又はこれらの組み合わせを用いることができる。発光素子は、２５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長の光を発するものが望ましく、なかでも４２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の青色ＬＥＤ発光素子が好ましい。
【0074】
蛍光体粒子として、表面被覆蛍光体粒子の他に、他の発光色を持つ蛍光体粒子を併用してもよい。
他の発光色の蛍光体粒子として、青色発光蛍光体粒子、緑色発光蛍光体粒子、黄色発光蛍光体粒子、橙色発光蛍光体粒子、赤色蛍光体があり、例えば、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、β－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｌａ３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ、α－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ、Ｓｒ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ等が挙げられる。
他の発光色の蛍光体粒子として、青色発光蛍光体粒子、緑色発光蛍光体粒子、黄色発光蛍光体粒子、橙色発光蛍光体粒子、赤色蛍光体があり、例えば、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、β－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｌａ３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ、α－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ、Ｓｒ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ等が挙げられる。
【0075】
他の蛍光体粒子は、特に限定されるものではなく、発光装置に要求される輝度や演色性等に応じて適宜選択可能である。表面被覆蛍光体粒子と他の発光色の蛍光体粒子とを混在させることにより、昼白色や電球色などの様々な色温度の白色を実現することができる。
【0076】
発光装置の具体例として、例えば、照明装置、バックライト装置、画像表示装置、信号装置等が挙げられる。
【0077】
発光装置は、表面被覆蛍光体粒子を備えることにより、高い発光強度を実現しつつ、信頼性を高めることができる。
【0078】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
【実施例】
【0079】
以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【0080】
＜蛍光体粒子の作製＞
（比較例１）
［混合工程］
大気中で、ＡｌＮ（トクヤマ社製）、Ｅｕ２Ｏ３（信越化学工業社製）およびＬｉＦ（富士フィルム和光純薬製）を秤量、混合したのち、目開き１５０μｍのナイロン篩で凝集を解砕し、プレ混合物を得た。
プレ混合物を、水分１ｐｐｍ以下、酸素１ｐｐｍ以下とした不活性雰囲気を保持しているグローブボックス中に移動させた。その後、化学量論比（ａ＝１、ｂ＝１）でａの値が１５％過剰、ｂの値が２０％過剰になるように、Ｓｒ３Ｎ２（太平洋セメント社製）およびＬｉ３Ｎ（Ｍａｔｅｒｉｏｎ社製）を秤量後、追加配合して混合後、目開き１５０μｍのナイロン篩で凝集を解砕して蛍光体の原料混合物を得た。ＳｒおよびＬｉは焼成中に飛散しやすいため、理論値より多めに配合した。
ここで、Ａｌのモル比を３としたときのＳｒの仕込み量をモル比で１．１５とするとともに、Ｅｕの仕込み量をモル比で０．０１とした。前記原料混合物とフラックスの合計量１００質量％に対して、５質量％のＬｉＦを添加した。なお、Ｅｕは前述したようにＡｌのモル比を３としたときの仕込み量をモル比で０．０１とした。
（比較例１）
［混合工程］
大気中で、ＡｌＮ（トクヤマ社製）、Ｅｕ２Ｏ３（信越化学工業社製）およびＬｉＦ（富士フィルム和光純薬製）を秤量、混合したのち、目開き１５０μｍのナイロン篩で凝集を解砕し、プレ混合物を得た。
プレ混合物を、水分１ｐｐｍ以下、酸素１ｐｐｍ以下とした不活性雰囲気を保持しているグローブボックス中に移動させた。その後、化学量論比（ａ＝１、ｂ＝１）でａの値が１５％過剰、ｂの値が２０％過剰になるように、Ｓｒ３Ｎ２（太平洋セメント社製）およびＬｉ３Ｎ（Ｍａｔｅｒｉｏｎ社製）を秤量後、追加配合して混合後、目開き１５０μｍのナイロン篩で凝集を解砕して蛍光体の原料混合物を得た。ＳｒおよびＬｉは焼成中に飛散しやすいため、理論値より多めに配合した。
ここで、Ａｌのモル比を３としたときのＳｒの仕込み量をモル比で１．１５とするとともに、Ｅｕの仕込み量をモル比で０．０１とした。前記原料混合物とフラックスの合計量１００質量％に対して、５質量％のＬｉＦを添加した。なお、Ｅｕは前述したようにＡｌのモル比を３としたときの仕込み量をモル比で０．０１とした。
【0081】
［焼成工程］
次いで、原料混合物を蓋付きの円筒型ＢＮ製容器（デンカ株式会社製）に充填した。
次いで、蛍光体の原料混合物を充填した容器をグローブボックスから取り出した後、グラファイト断熱材を備えたカーボンヒーター付きの電気炉（富士電波工業社製）にセットし、焼成工程を実施した。
焼成工程の開始にあっては、電気炉内を真空状態まで一旦脱ガスしたのち、室温から０．８ＭＰａ・Ｇの加圧窒素雰囲気下で焼成を開始した。電気炉内の温度が１１００℃に到達後は、８時間温度を保ちながら焼成を続け、その後室温まで冷却した。
次いで、原料混合物を蓋付きの円筒型ＢＮ製容器（デンカ株式会社製）に充填した。
次いで、蛍光体の原料混合物を充填した容器をグローブボックスから取り出した後、グラファイト断熱材を備えたカーボンヒーター付きの電気炉（富士電波工業社製）にセットし、焼成工程を実施した。
焼成工程の開始にあっては、電気炉内を真空状態まで一旦脱ガスしたのち、室温から０．８ＭＰａ・Ｇの加圧窒素雰囲気下で焼成を開始した。電気炉内の温度が１１００℃に到達後は、８時間温度を保ちながら焼成を続け、その後室温まで冷却した。
【0082】
［粉砕工程］
得られた焼成物は乳鉢で粉砕後、目開き７５μｍのナイロン篩で分級し、回収した。
得られた焼成物は乳鉢で粉砕後、目開き７５μｍのナイロン篩で分級し、回収した。
【0083】
［酸処理工程］
得られた焼成物の粉体を、ＭｅＯＨ（９９％)（国産化学株式会社製）にＨＮＯ３（６０％）（和光純薬社）を加えた混合溶液中に加えて３時間撹拌した後、分級し、蛍光体粉末を得た。
得られた焼成物の粉体を、ＭｅＯＨ（９９％)（国産化学株式会社製）にＨＮＯ３（６０％）（和光純薬社）を加えた混合溶液中に加えて３時間撹拌した後、分級し、蛍光体粉末を得た。
【0084】
［フッ酸処理工程］
得られた蛍光体粉末を３０％フッ酸水溶液中に加え、１５分間撹拌することでフッ酸処理工程を実施した。フッ酸処理工程の後、目開き４５μｍの篩を全通させることで、凝集を解き、比較例１の蛍光体粒子を得た。
得られた蛍光体粉末を３０％フッ酸水溶液中に加え、１５分間撹拌することでフッ酸処理工程を実施した。フッ酸処理工程の後、目開き４５μｍの篩を全通させることで、凝集を解き、比較例１の蛍光体粒子を得た。
【0085】
（比較例２）
フッ酸処理が施された後、目開き４５μｍの篩を全通させることで凝集を解いた蛍光体粉末に対して、大気雰囲気下で２００℃、４時間の加熱処理を実施したこと以外は、比較例１と同様な原料の仕込み量および手順にて比較例２の蛍光体粒子を得た。
フッ酸処理が施された後、目開き４５μｍの篩を全通させることで凝集を解いた蛍光体粉末に対して、大気雰囲気下で２００℃、４時間の加熱処理を実施したこと以外は、比較例１と同様な原料の仕込み量および手順にて比較例２の蛍光体粒子を得た。
【0086】
（実施例１）
フッ酸処理が施された後、目開き４５μｍの篩を全通させることで凝集を解いた蛍光体粉末に対して、大気雰囲気下で２５０℃、４時間の加熱処理を実施したこと以外は、比較例１と同様な原料の仕込み量および手順にて実施例１の蛍光体粒子を得た。
フッ酸処理が施された後、目開き４５μｍの篩を全通させることで凝集を解いた蛍光体粉末に対して、大気雰囲気下で２５０℃、４時間の加熱処理を実施したこと以外は、比較例１と同様な原料の仕込み量および手順にて実施例１の蛍光体粒子を得た。
【0087】
（実施例２）
フッ酸処理が施された後、目開き４５μｍの篩を全通させることで凝集を解いた蛍光体粉末に対して、大気雰囲気下で３００℃、４時間の加熱処理を実施したこと以外は、比較例１と同様な原料の仕込み量および手順にて実施例２の蛍光体粒子を得た。
フッ酸処理が施された後、目開き４５μｍの篩を全通させることで凝集を解いた蛍光体粉末に対して、大気雰囲気下で３００℃、４時間の加熱処理を実施したこと以外は、比較例１と同様な原料の仕込み量および手順にて実施例２の蛍光体粒子を得た。
【0088】
（比較例３）
フッ酸処理が施された後、目開き４５μｍの篩を全通させることで凝集を解いた蛍光体粉末に対して、大気雰囲気下で４００℃、４時間の加熱処理を実施したこと以外は、比較例１と同様な原料の仕込み量および手順にて比較例３の蛍光体粒子を得た。
フッ酸処理が施された後、目開き４５μｍの篩を全通させることで凝集を解いた蛍光体粉末に対して、大気雰囲気下で４００℃、４時間の加熱処理を実施したこと以外は、比較例１と同様な原料の仕込み量および手順にて比較例３の蛍光体粒子を得た。
【0089】
実施例１，２、比較例１～３で得られた蛍光体粒子について、Ｃｕ－Ｋα線を用いた粉末Ｘ線回折測定（ＸＲＤ測定）により結晶相を調べたところ、結晶相は、いずれも、ＳｒａＬｉｂＥｕｃＡｌ３Ｎ４－ｄＯｄで表される組成を有する蛍光体であることを確認した。
【0090】
得られた蛍光体粒子について、全結晶相を合計した化学組成（即ち、ＳｒａＬｉｂＥｕｃＡｌ３Ｎ４－ｄＯｄ）の各元素の添字ａ～ｄを求めた。具体的に、Ｓｒ、Ｌｉ、Ａｌ及びＥｕについて、ＩＣＰ発光分光分析装置（ＳＰＥＣＴＲＯ社製、ＣＩＲＯＳ－１２０）を用い、Ｏ及びＮについて、酸素窒素分析計（堀場製作所社製、ＥＭＧＡ－９２０）を用いた分析結果を用いて、添字ａ～ｄを算出した。
各蛍光体粒子のａ～ｄの数値を表１に示す。
各蛍光体粒子のａ～ｄの数値を表１に示す。
【0091】
（Ｘ線回折法による分析）
得られた蛍光体粒子について、Ｘ線回折装置（株式会社リガク製ＵｌｔｉｍａＩＶ）を用い、Ｃｕ－Ｋα線を用いて、下記の測定条件でＸ線回折パターン測定した。また、得られたＸ線回折パターンから蛍光体粒子の結晶構造を確認した。
（測定条件）
Ｘ線源：Ｃｕ－Ｋα線（λ＝１．５４１８４Å）、
出力設定：４０ｋＶ・４０ｍＡ
光学系：集中法
検出器：半導体検出器
測定時光学条件：発散スリット＝２／３°
散乱スリット＝８ｍｍ
受光スリット＝開放
回折ピークの位置＝２θ（回折角）
測定範囲：２θ＝２０°～７０°
スキャン速度：２度（２θ）／ｓｅｃ，連続スキャン
走査軸：２θ／θ
試料調製：粉末状の蛍光体粒子をサンプルホルダーに載せた。
ピーク強度はバックグラウンド補正を行って得た値とした。
得られた蛍光体粒子について、Ｘ線回折装置（株式会社リガク製ＵｌｔｉｍａＩＶ）を用い、Ｃｕ－Ｋα線を用いて、下記の測定条件でＸ線回折パターン測定した。また、得られたＸ線回折パターンから蛍光体粒子の結晶構造を確認した。
（測定条件）
Ｘ線源：Ｃｕ－Ｋα線（λ＝１．５４１８４Å）、
出力設定：４０ｋＶ・４０ｍＡ
光学系：集中法
検出器：半導体検出器
測定時光学条件：発散スリット＝２／３°
散乱スリット＝８ｍｍ
受光スリット＝開放
回折ピークの位置＝２θ（回折角）
測定範囲：２θ＝２０°～７０°
スキャン速度：２度（２θ）／ｓｅｃ，連続スキャン
走査軸：２θ／θ
試料調製：粉末状の蛍光体粒子をサンプルホルダーに載せた。
ピーク強度はバックグラウンド補正を行って得た値とした。
【0092】
実施例１，２、及び比較例３において、２θが２４．５°以上２５．５°以下の範囲に、ＳｒＡｌＦ５に対応するピーク（最大ピークＡ）が確認された。比較例１，２において、ＳｒＡｌＦ５に対応するピークは確認されなかった。
実施例１，２、及び比較例１～３において、２θが３６．５°以上３７．５°以下の範囲に、ＳＬＡＮに対応するピーク（最大ピークＢ）が確認された。
最大ピークＡの発光強度をＩＡとし、最大ピークＢの発光強度をＩＢとしたときの、ＩＡ／ＩＢを算出した。結果を表１に示す。
実施例１，２、及び比較例１～３において、２θが３６．５°以上３７．５°以下の範囲に、ＳＬＡＮに対応するピーク（最大ピークＢ）が確認された。
最大ピークＡの発光強度をＩＡとし、最大ピークＢの発光強度をＩＢとしたときの、ＩＡ／ＩＢを算出した。結果を表１に示す。
【0093】
また、実施例１，２、及び比較例３ついて、２θが１４°以上１５°以下の範囲にＡｌＦ３に対応するピークが確認された。比較例１について、２θが１６．５°以上１７．５°以下の範囲に（ＮＨ４）３ＡｌＦ６に対応するピークが確認された。比較例１では、（ＮＨ４）３ＡｌＦ６に対応する小さいピークが観察された。
【0094】
（ＸＰＳによる表面分析）
得られた蛍光体粒子について、ＸＰＳによる表面分析を実施した。
実施例１，２、及び比較例１について、蛍光体粒子の最表面において、ＡｌとＦが存在し、ＡｌとＦとが共有結合していることが確認された。
得られた蛍光体粒子について、ＸＰＳによる表面分析を実施した。
実施例１，２、及び比較例１について、蛍光体粒子の最表面において、ＡｌとＦが存在し、ＡｌとＦとが共有結合していることが確認された。
【0095】
ＸＰＳによる表面分析結果と、上記のＸ線回折法による分析により、次のことが示された。
実施例１、及び実施例２は、蛍光体粒子の最表面の少なくとも一部をＡｌＦ３が構成した表面被覆蛍光体粒子であった。
比較例１は、蛍光体粒子では、蛍光体粒子の最表面の少なくとも一部を（ＮＨ４）３ＡｌＦ６が構成した表面被覆蛍光体粒子であった。
実施例１、及び実施例２は、蛍光体粒子の最表面の少なくとも一部をＡｌＦ３が構成した表面被覆蛍光体粒子であった。
比較例１は、蛍光体粒子では、蛍光体粒子の最表面の少なくとも一部を（ＮＨ４）３ＡｌＦ６が構成した表面被覆蛍光体粒子であった。
【0096】
【表1】
【0097】
表１中、「－」は、得られなかったことを意味し、「※」は未実施であることを意味する。
【0098】
得られた蛍光体粒子について、以下の評価項目に基づいて評価を行った。
【0099】
（拡散反射率）
拡散反射率は、日本分光社製紫外可視分光光度計（Ｖ－５５０）に積分球装置（ＩＳＶ－４６９）を取り付けて測定した。標準反射板（スペクトラロン）でベースライン補正を行い、得られた蛍光体粒子を充填した固体試料ホルダーを取り付けて、３００ｎｍおよびピーク波長の光に対する拡散反射率の測定を行った。
拡散反射率は、日本分光社製紫外可視分光光度計（Ｖ－５５０）に積分球装置（ＩＳＶ－４６９）を取り付けて測定した。標準反射板（スペクトラロン）でベースライン補正を行い、得られた蛍光体粒子を充填した固体試料ホルダーを取り付けて、３００ｎｍおよびピーク波長の光に対する拡散反射率の測定を行った。
【0100】
（発光特性）
色度ｘは、分光光度計（大塚電子株式会社製ＭＣＰＤ－７０００）により測定し、以下の手順で算出した。
得られた蛍光体粒子を凹型セルの表面が平滑になるように充填し、積分球を取り付けた。この積分球に、発光光源（Ｘｅランプ）から４５５ｎｍの波長に分光した青色単色光を、光ファイバーを用いて導入した。この青色単色光を励起源として、蛍光体の試料に照射し、試料の蛍光スペクトル測定を行った。
得られた蛍光スペクトルデータからピーク波長およびピークの半値幅を求めた。
また、色度ｘは蛍光スペクトルデータの４６５ｎｍから７８０ｎｍの範囲の波長域データからＪＩＳ Ｚ ８７２４：２０１５に準じ、ＪＩＳ Ｚ ８７８１－３：２０１６で規定されるＸＹＺ表色系におけるＣＩＥ色度座標ｘ値（色度ｘ）を算出した。
色度ｘは、分光光度計（大塚電子株式会社製ＭＣＰＤ－７０００）により測定し、以下の手順で算出した。
得られた蛍光体粒子を凹型セルの表面が平滑になるように充填し、積分球を取り付けた。この積分球に、発光光源（Ｘｅランプ）から４５５ｎｍの波長に分光した青色単色光を、光ファイバーを用いて導入した。この青色単色光を励起源として、蛍光体の試料に照射し、試料の蛍光スペクトル測定を行った。
得られた蛍光スペクトルデータからピーク波長およびピークの半値幅を求めた。
また、色度ｘは蛍光スペクトルデータの４６５ｎｍから７８０ｎｍの範囲の波長域データからＪＩＳ Ｚ ８７２４：２０１５に準じ、ＪＩＳ Ｚ ８７８１－３：２０１６で規定されるＸＹＺ表色系におけるＣＩＥ色度座標ｘ値（色度ｘ）を算出した。
【0101】
（高温高湿試験前後の発光強度比）
実施例１，２、比較例１～３で得られた蛍光体粒子について、高温高湿試験を開始する前の発光強度（Ｉ０）を下記の手順で測定した。
続いて、６０℃、９０％ＲＨの環境下で、１００時間又は２００時間載置した（高温高湿試験）。
１００時間の高温高湿試験後の発光強度（Ｉ１００）、２００時間の高温高湿試験後の発光強度（Ｉ２００）を下記の手順で測定した。
得られた測定値を用いて発光強度比を、次の式：Ｉ１００／Ｉ０（％）、Ｉ２００／Ｉ０（％）から算出した。発光強度比の結果を表１に示す。
実施例１，２、比較例１～３で得られた蛍光体粒子について、高温高湿試験を開始する前の発光強度（Ｉ０）を下記の手順で測定した。
続いて、６０℃、９０％ＲＨの環境下で、１００時間又は２００時間載置した（高温高湿試験）。
１００時間の高温高湿試験後の発光強度（Ｉ１００）、２００時間の高温高湿試験後の発光強度（Ｉ２００）を下記の手順で測定した。
得られた測定値を用いて発光強度比を、次の式：Ｉ１００／Ｉ０（％）、Ｉ２００／Ｉ０（％）から算出した。発光強度比の結果を表１に示す。
【0102】
・発光強度の測定手順
ローダミンＢと副標準光源により補正した分光蛍光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製、Ｆ－７０００）を用いて、蛍光体粒子の発光強度を測定した。なお、分光蛍光光度計に付属の固体試料ホルダーを使用し、励起波長４５５ｎｍでの蛍光スペクトルを使用した。
各実施例および各比較例の蛍光体粒子の蛍光スペクトルのピーク波長は６５６ｎｍであった。蛍光スペクトルのピーク波長における強度値を蛍光体粒子の発光強度とした。
ローダミンＢと副標準光源により補正した分光蛍光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製、Ｆ－７０００）を用いて、蛍光体粒子の発光強度を測定した。なお、分光蛍光光度計に付属の固体試料ホルダーを使用し、励起波長４５５ｎｍでの蛍光スペクトルを使用した。
各実施例および各比較例の蛍光体粒子の蛍光スペクトルのピーク波長は６５６ｎｍであった。蛍光スペクトルのピーク波長における強度値を蛍光体粒子の発光強度とした。
【0103】
実施例１，２の蛍光体粒子において、比較例１～３と比べて、高温高湿試験後の発光強度の低下が抑制されるという結果が示された。したがって、実施例１，２の蛍光体粒子により、高温高湿環境下での発光強度特性に優れた表面被覆蛍光体粒子を実現できる。
【0104】
この出願は、２０１９年５月３１日に出願された日本出願特願２０１９－１０２１２２号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。