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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-06-04
(45)【発行日】2024-06-12
(54)【発明の名称】配線基板
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20240605BHJP
H05K 3/24 20060101ALI20240605BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 J
H05K3/24 A
H05K3/24 C
H05K3/24 D
【請求項の数】
2
(21)【出願番号】P 2021047070
(22)【出願日】2021-03-22
(65)【公開番号】P2022146221
(43)【公開日】2022-10-05
【審査請求日】2023-03-06
(73)【特許権者】
【識別番号】000004547
【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100142745
【弁理士】
【氏名又は名称】伊藤 世子
(74)【代理人】
【識別番号】100136319
【弁理士】
【氏名又は名称】北原 宏修
(74)【代理人】
【識別番号】100148275
【弁理士】
【氏名又は名称】山内 聡
(74)【代理人】
【識別番号】100143498
【弁理士】
【氏名又は名称】中西 健
(72)【発明者】
【氏名】奈須 孝有
(72)【発明者】
【氏名】近藤 洋右
(72)【発明者】
【氏名】奥田 明大
(72)【発明者】
【氏名】橋本 博仁
【審査官】石坂 博明
(56)【参考文献】
【文献】特開平０９－２９３９５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－１２１６４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－１０１３２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－２８６３０３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－０９１８７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－０６２２９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－１００８７７（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００２／００５８１５１（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ １／００－３／４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
セラミック基板と、前記セラミック基板の表面に設けられている金属パッドと、
前記金属パッド上に設けられているメッキ層と
を備えている配線基板であって、
前記金属パッドは、その一部が前記セラミック基板に埋設されているとともに、他の一部が前記セラミック基板の表面から突出しており、かつ、前記金属パッドは、前記セラミック基板の表面に向かって先細りとなる先細部を有しており、
前記メッキ層は、前記金属パッドの外周縁部に隣接している前記セラミック基板の表面にはみ出て、前記セラミック基板に接触しており、
上面視で、前記メッキ層の配置領域は、前記金属パッドの最大径部の配置領域よりも大きくなっている、
配線基板。
【請求項2】
前記金属パッド上に配置されている金具をさらに備えている、請求項１に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表面に金属パッドを備えている配線基板に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子等の電子部品が搭載される配線基板として、非導電性材料であるセラミックで形成されているセラミック基板と、セラミック基板の表面に導電性材料を用いて形成されている金属パッド（メタライズ層とも呼ばれる）とを備えているものがある。金属パッドは、外部の電子部品との接続端子、および、水晶振動子のシールリング用のパッドなどとして利用される。
【0003】
例えば、特許文献１には、ガラスセラミック焼結体からなる絶縁基板の表面にリード端子と接続するための銅メタライズパッドを具備する配線基板が開示されている。この配線基板においては、銅メタライズパッドの周辺部が絶縁基板内に埋め込まれている。このような構造は、例えば、ガラスセラミック組成物を含むペーストを、銅メタライズパッドのパターンの周辺部を被覆するように印刷することによって形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開平９－２９３９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献１に開示されている配線基板などのように、金属パッドの周辺部を被覆するようにガラスセラミック組成物を含むペーストを設けると、焼成後の配線基板の表面には、ペーストに由来するセラミックの段差が生じる。このような配線基板の金属パッド上にメッキ層を形成すると、金属パッドの全面にメッキ層を形成することができず、メッキ層の端部とセラミック層との間に隙間が形成される可能性がある。
【0006】
メッキ層とセラミック層との間に隙間が形成されると、メッキ工程後の配線基板表面の洗浄処理などで使用される薬液が、メッキ層の下の金属パッドへと入り込んでしまう。これにより、金属パッドに含まれる金属成分が変性する可能性があり、望ましくない。
【0007】
そこで、本発明では、メッキ層の下に設けられている金属パッドをより確実に保護することのできる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一局面にかかる配線基板は、セラミック基板と、前記セラミック基板の表面に設けられている金属パッドと、前記金属パッド上に設けられているメッキ層とを備えている。この配線基板において、前記金属パッドは、その一部が前記セラミック基板に埋設されているとともに、他の一部が前記セラミック基板の表面から突出しており、前記メッキ層は、前記金属パッドの外周縁部に隣接している前記セラミック基板の表面にはみ出て、前記セラミック基板に接触している。
【0009】
上記の構成によれば、メッキ層の外周縁部を、セラミック基板の表面と密着した状態とすることができ、配線基板の製造時に使用される薬液などが、メッキ層の下層の金属パッド側へ入り込む可能性を低減させることができる。したがって、メッキ層の下に設けられている金属パッドをより確実に保護することができる。
【0010】
上記の本発明の一局面にかかる配線基板において、前記金属パッドは、前記セラミック基板の表面に向かって先細りとなる先細部を有していてもよい。
【0011】
上記の構成によれば、金属パッドがセラミック基板から抜けにくい構成とすることができる。
【0012】
上記の本発明の一局面にかかる配線基板は、上面視で、前記メッキ層の配置領域が、前記金属パッドの最大径部の配置領域よりも大きくなっていてもよい。
【0013】
上記の構成によれば、メッキ層の外周縁部において、セラミック基板の表面との接触領域をより大きくすることができる。したがって、セラミック基板に対するメッキ層の密着強度を向上させることができる。
【0014】
上記の本発明の一局面にかかる配線基板は、前記金属パッド上に配置されている金具をさらに備えていてもよい。
【0015】
ここで、前記金具には、例えば、外部の電子部品との接続端子となるピンおよびスタッド、並びに、水晶振動子のシールリングなどが含まれる。例えば、金属パッド上にピンおよびスタッドなどが設けられていることで、外部の電子部品などとの電気的な接続を容易に実現することができる。
【発明の効果】
【0016】
本発明の一局面にかかる配線基板によれば、メッキ層の下に設けられている金属パッドをより確実に保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。
【0019】
本実施形態では、本発明にかかる配線基板の一例として、配線基板１を例に挙げて説明する。配線基板１は、例えば、半導体素子、および水晶振動子などの電子部品を搭載するための配線基板、あるいは静電チャック用の配線基板などとして利用される。配線基板１には、入出力端子となるピン５０が接続される金属パッド（例えば、接続パッド２０）が設けられている。なお、水晶振動子が搭載される配線基板１の場合には、金属パッドにはシールリングが接続される。また、配線基板１には、ピン５０などの金具が取り付けられていなくてもよい。
【0020】
図１には、配線基板１の一部分の断面構成を示す。配線基板１は、主として、セラミック基板１１と、複数の導電性パターンとで構成されている。
【0021】
セラミック基板１１は、配線基板１の土台となる部材である。セラミック基板１１は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とする高温焼成セラミックで形成することができる。また、別の実施態様では、セラミックシートは、焼結性を向上させたアルミナなどの中温焼成セラミック（ＭＴＣＣ）、または低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）で形成されていてもよい。
【0022】
セラミック基板１１は、１つまたは複数のセラミックグリーンシートを焼成して得られる。セラミック基板１１が複数のセラミックグリーンシートから形成される場合には、セラミック基板１１は、積層された複数のセラミック層を有している。図１には、セラミック基板１１が、１つのセラミックグリーンシートで形成されている構成例を示している。
【0023】
本実施形態では、便宜上、略平板状のセラミック基板１１において接続パッド２０が設けられている側の面を表面１１ａとし、その反対側の面を裏面１１ｂとする。但し、セラミック基板１１の表面および裏面の定義はこれに限定はされず、任意に決めることができる。また、本実施形態では、セラミック基板１１の面方向をＸ方向とし、セラミック基板１１の厚み方向をＹ方向とする（図２参照）。
【0024】
なお、図１に示す例では、配線基板１の一方の面（すなわち、表面１１ａ）にのみ接続パッド２０が設けられているが、別の実施態様では、接続パッド２０は、配線基板１の両方の面（すなわち、表面１１ａおよび裏面１１ｂ）に設けられていてもよい。
【0025】
導電性パターンは、セラミック基板１１の表面１１ａ、裏面１１ｂ、および内部などに設けられている。各導電性パターンは、それぞれ所定の形状に形成されており、例えば、配線、ビア、接続パッド（具体的には、金属パッド２１）、および電極などとして機能する。
【0026】
導電性パターンは、例えば、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、またはモリブデン（Ｍｏ）などの金属材料、あるいはこれらの金属材料を主成分とする合金材料によって形成することができる。セラミック基板１１が高温焼成セラミックで形成されている場合には、導電性パターンは、例えば、タングステン（Ｗ）、またはモリブデン（Ｍｏ）を主成分とすることが好ましい。セラミック基板１１が中温焼成セラミックまたは低温焼成セラミックで形成されている場合には、導電性パターンは、例えば、銅（Ｃｕ）、または銀（Ａｇ）を主成分とすることが好ましい。
【0027】
図１に示す例では、セラミック基板１１の表面１１ａ側に、導電性パターンの一例である接続パッド２０が２個設けられている。但し、配線基板１に設けられている接続パッド２０の個数はこれに限定はされない。図１では、図示を省略しているが、配線基板１には、配線、ビア、および電極などの導電性パターンも設けられている。
【0028】
接続パッド２０には、ピン（金具）５０が接続される。ピン５０は、ろう材５５によって接続パッド２０上に取り付けられている。
【0029】
接続パッド２０は、主として、金属パッド２１と、金属パッド２１上に設けられているメッキ層３０とで構成されている。
【0030】
金属パッド２１は、導電性パターンの一例であり、上述した材料を用いて形成される。金属パッド２１は、その一部（例えば、柱状部２１ｂと、柱状部２１ｂに連続する先細部２１ａの一部）がセラミック基板１１に埋設されているとともに、他の一部（例えば、先細部２１ａの頂部）がセラミック基板１１の表面１１ａから突出している。
【0031】
メッキ層３０は、金属パッド２１における表面１１ａから突出している部分を覆うように設けられている。メッキ層３０は、単層のメッキ層で構成されていてもよいし、複数のメッキ層で構成されていてもよい。メッキ層３０が複数のメッキ層で構成されている場合には、メッキ層３０には、例えば、Ｎｉメッキ層３１、およびＡｕメッキ層３２などが含まれる（図２参照）。メッキ層３０は、例えば、従来公知の電解めっき法などを用いて形成することができる。電解めっき法を行うことで、セラミック基板１１の表面１１ａから露出している金属パッド２１の表面にメッキ被膜を形成することができる。
【0032】
図２には、本実施形態にかかる配線基板１に備えられている接続パッド２０の一つを拡大して示す。また、図３は、接続パッド２０の一つが形成されている箇所を含む配線基板１の一部の上面図である。上述したように、接続パッド２０は、金属パッド２１と、メッキ層３０とを有している。
【0033】
金属パッド２１は、上面視で略円形状となっている。図２に示すように、金属パッド２１は、先細部２１ａと、柱状部２１ｂとを有している。図２では、先細部２１ａと、柱状部２１ｂとの境界に一点鎖線を付している。先細部２１ａは、セラミック基板１１の表面（図２などでは、表面１１ａ）側に位置している。
【0034】
先細部２１ａは、セラミック基板１１の表面１１ａへ向かって先細となっている。すなわち、先細部２１ａは、セラミック基板１１の面方向（Ｘ方向）における断面積が、セラミック基板１１の内部側へ向かうにしたがって大きくなる形状を有している。本実施形態では、先細部２１ａの面方向（Ｘ方向）の断面形状は、略円形となっている。
【0035】
柱状部２１ｂは、セラミック基板１１の内部側に位置している。図示はされていないが、柱状部２１ｂは、セラミック基板１１の内部に配置されているビアまたは配線などと接触した状態となっていてもよい。柱状部２１ｂは、セラミック基板１１の面方向（Ｘ方向）に沿った断面形状が、セラミック基板１１の厚み方向（Ｙ方向）に略一定となっている。本実施形態では、柱状部２１ｂの面方向（Ｘ方向）の断面形状は、略円形となっている。
【0036】
本実施形態では、金属パッド２１をＹ方向（厚み方向）の断面視で見たときに、金属パッド２１におけるＸ方向（面方向）における幅が最大となる最大径部（本実施形態では、柱状部２１ｂに相当）は、セラミック基板１１の内部に位置している。
【0037】
金属パッド２１がこのような形状を有していることで、金属パッド２１がセラミック基板１１から抜けにくい構成とすることができる。
【0038】
図２に示すように、金属パッド２１は、その少なくとも一部がセラミック基板１１内に埋まった状態となっている。そして、金属パッド２１の他の一部（具体的には、頂部）は、セラミック基板１１の表面１１ａから突出している。
【0039】
具体的には、金属パッド２１は、セラミック基板１１の表面１１ａと直交する厚み方向の寸法の半分よりも多くの部分がセラミック基板１１内に埋まっている。すなわち、図２に示すように、金属パッド２１の厚み方向の寸法をＨとし、金属パッド２１におけるセラミック基板１１内に埋まっている部分（セラミック基板１１の表面１１ａの仮想延長面（破線で示す）よりも下方の部分）の厚み方向の寸法Ｈ１とすると、Ｈ１＞１／２×Ｈとなっている。
【0040】
また、金属パッド２１は、その全表面積の５０％よりも多くの部分がセラミック基板１１内に埋まっているということもできる。この構成によれば、金属パッド２１は、セラミック基板１１の表面１１ａから突出している部分の表面積よりも、セラミック基板１１内に埋め込まれている部分（セラミック基板１１の表面１１ａよりも下方の部分）の表面積の方が大きくなる。このように、金属パッド２１においてセラミック基板１１に埋め込まれている部分の表面積がより大きくなることで、金属パッド２１からセラミック基板１１への熱伝達性を向上させることができる。
【0041】
なお、金属パッド２１において、セラミック基板１１内に埋まっている部分の割合は、金属パッド２１の厚み方向の寸法Ｈの６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。
【0042】
また、金属パッド２１の一部（具体的には、頂部）が、セラミック基板１１の表面１１ａから突出していることで、金属パッド２１を覆うように設けられるメッキ層３０において、ピン５０などの金具との接合に寄与する領域を増やすことができる。これにより、接続パッド２０上に配置されるピン５０などの金具をより安定した状態で固定することができる。この点を踏まえると、金属パッド２１の頂部の表面１１ａからの突出量は、金属パッド２１の厚み方向の寸法Ｈの割合で５％以上であることが好ましい。
【0043】
メッキ層３０は、セラミック基板１１の表面１１ａから突出した金属パッド２１の表面を覆うように設けられている。本実施形態では、メッキ層３０は、Ｎｉメッキ層３１とＡｕメッキ層３２とが積層された積層構造を有している。具体的には、金属パッド２１の表面を覆うようにＮｉメッキ層３１が設けられ、Ｎｉメッキ層３１を覆うようにＡｕメッキ層３２が設けられていることが好ましい。これにより、接続パッド２０の表面を、化学的により安定したＡｕメッキ層３２で覆うことができる。
【0044】
図２などに示すように、メッキ層３０は、金属パッド２１の外周縁部に隣接しているセラミック基板１１の表面１１ａにはみ出ており、セラミック基板１１の表面１１ａに接触している。
【0045】
これにより、メッキ層３０の外周縁部は、セラミック基板１１の表面１１ａと密着された状態となる。そのため、配線基板１の製造時に使用される薬液（例えば、メッキ工程などの後に配線基板１の表面を洗浄処理する際に使用する薬液）が、メッキ層３０の下層の金属パッド２１側へ入り込む可能性を低減させることができる。したがって、メッキ層３０の下に設けられている金属パッド２１をより確実に保護することができる。
【0046】
なお、本実施形態では、配線基板１の上面視で、メッキ層３０の配置領域は、金属パッド２１の最大径部（本実施形態では、柱状部２１ｂ）の配置領域よりも大きくなっている（図３参照）。すなわち、メッキ層３０のＸ方向（面方向）の大きさ（本実施形態では、メッキ層３０の径Ｄ２に相当）は、金属パッド２１の最大径部のＸ方向（面方向）の大きさ（本実施形態では、柱状部２１ｂの径Ｄ１に相当）よりも大きくなっている（図２および図３参照）。また、配線基板１の上面視で、金属パッド２１の最大径部の配置領域は、メッキ層３０の配置領域内に存在する（図３参照）。
【0047】
この構成によれば、上面視で金属パッド２１の配置領域の外側に位置するメッキ層３０の外周縁部において、セラミック基板１１の表面１１ａとの接触領域をより大きくすることができる。したがって、セラミック基板１１に対するメッキ層３０の密着強度を向上させることができる。これにより、基板からより剥がれにくい接続パッド２０が得られる。
【0048】
続いて、配線基板１の製造方法について説明する。ここでは、セラミック基板１１に接続パッド２０を形成する工程を中心に説明する。この工程以外の配線基板１の製造方法については、従来公知の配線基板の製造方法が適用できる。
【0049】
【0050】
図５には、金属パッド２１用の導電性パターンを形成するためのパターン形成工程（Ｓ１０）が行われる様子を工程順に示す。図６には、金属パッド２１用の導電性パターンをセラミックシート１０に転写する転写工程（Ｓ３０）が行われる様子を工程順に模式的に示す。
【0051】
図４に示す各工程を行うにあたって、先ず、セラミックシート１０を準備する。セラミックシート１０は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などを含有するセラミック材料の粉末を、有機溶剤およびバインダなどとともに混練してスラリーを作製した後、シート状に成形することで得られる。
【0052】
セラミックシート１０を準備した後、必要に応じて、セラミックシート１０内の所定の箇所にビア用の導電性パターンを形成する。ビア用の導電性パターンを形成する工程では、セラミックシート１０内の所定の位置（ビアが形成される位置）に貫通孔を形成し、貫通孔内に導電性ペーストを埋め込む。これにより、セラミックシート１０内の所定位置にビアとなる領域が形成される。
【0053】
続いて、パターン形成工程（Ｓ１０）を行う。図５には、パターン形成工程（Ｓ１０）が行われる様子を模式的に示す。パターン形成工程（Ｓ１０）には、露光工程（Ｓ１１）および現像工程（Ｓ１２）が含まれる。図５には、露光工程（Ｓ１１）、および、その後に行われる現像工程（Ｓ１２）の様子を、工程Ａから工程Ｃの順に示す。
【0054】
露光工程（Ｓ１１）を行うにあたって、先ず、キャリアフィルム６１と、感光性の導電性ペースト６２を準備する。キャリアフィルム６１としては、例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂製の透明フィルムを用いることができる。
【0055】
導電性ペースト６２は、例えば、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、またはモリブデン（Ｍｏ）などを含有する金属粉末と、感光性樹脂とを含む。感光性樹脂としては、紫外光が照射されると光硬化するネガ型感光材が用いられる。導電性ペーストに感光性樹脂が含まれることで、フォトリソグラフィによって所定形状の導電性パターンを形成することができる。そのため、例えば、スクリーン印刷法で導電性パターンを形成する場合と比較して、より高精細なパターン形状を有する導電性パターンを形成することができる。
【0056】
導電性ペースト６２は、キャリアフィルム６１上に塗布される。導電性ペースト６２の塗布は、従来公知のスクリーン印刷装置などを用いて行うことができる。これにより、導電性ペースト付着フィルム体（以下、フィルム体と呼ぶ）が得られる。
【0057】
露光工程（Ｓ１１）では、例えば、ＵＶ光源などを備えている露光装置を用いてキャリアフィルム６１上に塗布された導電性ペースト６２に光Ｌを照射する。
【0058】
露光工程（Ｓ１１）では、ガラスマスク７０を用いてキャリアフィルム６１上の導電性ペースト６２に光Ｌを照射し、配線基板１に形成される金属パッド２１のパターン形状に合わせて、導電性ペースト６２内の感光性樹脂を光硬化させる。図５では、導電性ペースト６２のキャリアフィルム６１から遠い側の面を第１面６２ａとし、キャリアフィルム６１との接触面を第２面６２ｂとする。
【0059】
露光工程（Ｓ１１）では、導電性ペースト６２の上方に、ガラスマスク７０が配置される。ガラスマスク７０には、平板状のガラス７１に、形成予定の導電性パターン２５の形状にあわせて遮光膜７２が設けられている。露光工程では、キャリアフィルム６１上の導電性ペースト６２に対して、ガラスマスク７０を介して、導電性ペースト６２に含まれる感光性樹脂が光硬化する光Ｌ（例えば、紫外光）が照射される。
【0060】
これにより、遮光膜７２が設けられていない領域の導電性ペースト６２には光Ｌが照射される一方、遮光膜７２が設けられている領域の導電性ペースト６２には光Ｌが照射されない。その結果、キャリアフィルム６１上の導電性ペースト６２では、光Ｌが照射された領域に存在する感光性樹脂のみが光硬化し、遮光膜７２によって光が遮られる領域に存在する感光性樹脂は光硬化することなくキャリアフィルム６１上に残る。
【0061】
なお、このようにして光Ｌを照射すると、導電性ペースト６２内に含まれる金属粉末によって光が散乱されるため、照射された光Ｌの一部は、キャリアフィルム６１に近い側（すなわち、第２面６２ｂ側）の導電性ペースト６２にまで到達しない。そのため、キャリアフィルム６１に近い側（すなわち、第２面６２ｂ側）の導電性ペースト６２内の感光性樹脂は光硬化が阻害される傾向にある。
【0062】
すなわち、導電性ペースト６２において光硬化される領域は、光Ｌが入射する側（すなわち、第１面６２ａ側）から離れるにしたがって狭くなる。これにより、導電性ペースト６２には、キャリアフィルム６１との接触面へ向かって先細となる形状を有する光硬化領域２５Ａが形成される。
【0063】
その後、現像工程（Ｓ１２）を行う。現像工程（Ｓ１２）では、キャリアフィルム６１上に、導電性パターン２５を形成する。具体的には、導電性ペースト６２を現像液で処理し、導電性ペースト６２の未感光部分を除去する。これにより、導電性ペースト６２の光硬化した領域のみがキャリアフィルム６１上に残り、キャリアフィルム６１上に導電性パターン２５が形成される（図５の工程Ｃ参照）。導電性パターン２５は、キャリアフィルム６１側に位置する先細部２１ａと、キャリアフィルム６１から遠い側に位置する柱状部２１ｂとを有する。
【0064】
以上のようにして、パターン形成工程（Ｓ１０）が行われる。これにより、キャリアフィルム６１上に所定形状の導電性パターン２５が形成される。
【0065】
続いて、転写工程（Ｓ２０）を行う。図６には、転写工程（Ｓ２０）が行われる様子を模式的に示す。転写工程（Ｓ２０）では、準備しておいたセラミックシート１０に対して、パターン形成工程（Ｓ１０）で形成された導電性パターン２５を転写し、セラミックシート１０上に導電性パターン２５を配置する。
【0066】
具体的には、図６の工程Ａに示すように、セラミックシート１０の表面に接着溶剤７５（例えば、アルコール系溶剤）を塗布し、セラミックシート１０の一部をペースト化する。ここでは、セラミックシート１０の表面１０ａ（セラミック基板１１の表面１１ａに相当する）側から接着用材を塗布し、セラミックシートの一部をペースト化する。図６では、セラミックシート１０において、ペースト化されたセラミック部分を１０ｃで示す。
【0067】
次に、図６の工程Ｂに示すように、キャリアフィルム６１の導電性パターン２５が形成された面をセラミックシート１０側にして、キャリアフィルム６１をセラミックシート１０の表面１０ａ上に載せて、熱プレス装置７６を用いて加圧および加熱する。
【0068】
その後、図６の工程Ｃに示すように、キャリアフィルム６１を剥がすことにより、導電性パターン２５がセラミックシート１０に転写される。ここで、導電性パターン２５の少なくとも一部は、セラミックシート１０内に埋め込まれた状態となっている。
【0069】
このようにして、セラミックシート１０には、金属パッド２１用の導電性パターン２５が形成される。
【0070】
複数のセラミック層を有する配線基板１の場合には、上記の方法で、複数のセラミックシート１０を形成した後、各シートを決められた順序で積層する。
【0071】
その後、焼成工程（Ｓ３０）を行う。焼成工程（Ｓ３０）では、導電性パターン２５が形成されたセラミックシート１０、またはその積層体をコファイヤ焼成（同時焼成）する。これにより、セラミックシート１０はセラミック基板１１となる。なお、焼成工程（Ｓ３０）を行うことによって、導電性パターン２５内に含まれている感光性樹脂は焼失する。
【0072】
焼成工程（Ｓ３０）が終了すると、メッキ工程（Ｓ４０）が行われる。メッキ工程（Ｓ４０）は、例えば、従来公知の電解めっき法によって実施される。電解めっき法を行うことで、セラミック基板１１から露出している金属パッド２１の表面にメッキ被膜を形成することができる。
【0073】
このメッキ工程（Ｓ４０）では、使用するメッキ液の成分を変更してメッキ処理を複数回繰り返してもよい。これにより、金属パッド２１の表面に、複数のメッキ層（例えば、Ｎｉメッキ層３１、およびＡｕメッキ層３２など）を有するメッキ層３０を形成することができる。
【0074】
メッキ工程（Ｓ４０）が終了すると、洗浄などの後処理の工程が行われる。以上のようにして、接続パッド２０を備えている配線基板１が製造される。
【0075】
なお、図１に示す配線基板１のように、接続パッド２０上にピン５０などの金具が取り付けられている場合には、メッキ工程（Ｓ４０）が終了した後に、ろう付けによってピン５０を接続パッド２０上に取り付ける。これにより、ろう材５５によって固定されたピン５０を有する配線基板１が得られる。
【0076】
以上のように、本実施形態にかかる配線基板１の製造方法では、感光性の導電性ペースト６２が塗布されたキャリアフィルム６１を露光および現像することによって、キャリアフィルム６１との接触面へ向かって先細となる形状を有する導電性パターン２５を形成する。この導電性パターン２５を、セラミックシート１０に転写して金属パッド２１を形成する。
【0077】
このような製造方法を用いて金属パッド２１を形成することで、より微細な金属パッド２１を形成することができる。例えば、本実施形態にかかる製造方法によれば、金属パッド２１の径Ｄ１が約３０μｍ程度であり、隣接する金属パッド２１同士の間隔が約６０μｍ程度の高精細な金属パッド２１を備えた配線基板１を得ることができる。
【0078】
また、上述のパターン形成工程（Ｓ１０）の露光工程（Ｓ１１）では、導電性ペースト６２の光硬化される領域が、光Ｌが入射する側から離れるにしたがって狭くなるという特性を利用して、導電性パターン２５に先細部２１ａを形成することができる。この先細部２１ａは、金属パッド２１の先細部２１ａとなる。金属パッド２１において、セラミック基板１１の表面１１ａ側に先細部２１ａが形成されていることで、金属パッド２１をセラミック基板１１から抜けにくくすることができる。
【0079】
（実施形態のまとめ）
以上のように、本実施形態にかかる配線基板１は、セラミック基板１１と、セラミック基板１１の表面１１ａに設けられている金属パッド２１と、金属パッド２１上に設けられているメッキ層３０とを備えている。金属パッド２１およびメッキ層３０は、外部の電子部品などとの電気接続を行う接続パッド２０を構成している。金属パッド２１は、その一部がセラミック基板１１に埋設されているとともに、他の一部がセラミック基板１１の表面１１ａから突出している。メッキ層３０は、金属パッド２１の外周縁部に隣接しているセラミック基板１１の表面１１ａにはみ出ており、セラミック基板１１に接触している。
以上のように、本実施形態にかかる配線基板１は、セラミック基板１１と、セラミック基板１１の表面１１ａに設けられている金属パッド２１と、金属パッド２１上に設けられているメッキ層３０とを備えている。金属パッド２１およびメッキ層３０は、外部の電子部品などとの電気接続を行う接続パッド２０を構成している。金属パッド２１は、その一部がセラミック基板１１に埋設されているとともに、他の一部がセラミック基板１１の表面１１ａから突出している。メッキ層３０は、金属パッド２１の外周縁部に隣接しているセラミック基板１１の表面１１ａにはみ出ており、セラミック基板１１に接触している。
【0080】
上記の構成では、金属パッド２１におけるセラミック基板表面からの突出部分の全体が、メッキ層３０によって覆われた状態となる。すなわち、メッキ層３０が、金属パッド２１の外周端部を覆うように、金属パッド２１の突出部に回り込むように設けられた状態となる。
【0081】
これにより、メッキ層３０の外周縁部が、セラミック基板１１の表面１１ａと密着された状態となるため、配線基板１の製造時に使用される薬液が、メッキ層３０の下層の金属パッド２１側へ入り込む可能性を低減させることができる。したがって、メッキ層３０の下に設けられている金属パッド２１をより確実に保護することができ、金属パッド２１に含まれるタングステンやモリブデンなどの金属の変性を抑制することができる。
【0082】
また、本実施形態にかかる配線基板１では、転写法を用いて金属パッド２１を形成している。これにより、金属パッド２１の少なくとも一部がセラミック基板１１に埋設された状態とすることができる。これにより、セラミック基板１１に対する金属パッド２１の密着強度を向上させることができる。そのため、セラミック基板１１上に金属パッド２１を形成した後に、金属パッド２１の外周を、例えば、アルミナコートなどを用いて被覆する必要性を低減させることができる。
【0083】
転写法を用いて金属パッド２１を形成すると、スクリーン印刷法を用いて金属パッド２１を形成した場合と比較して、金属パッド２１表面の平坦性を向上させることができる。そのため、本実施形態にかかる配線基板１において、転写法を用いて形成された金属パッド２１を接続パッド２０として利用すると、接続パッド２０上に配置されるピン５０などの金具との接続信頼性を向上させることができる。
【0084】
なお、本実施形態では、金属パッドおよびメッキ層を有するパッドとして、電気接続用のピンパッド（すなわち、接続パッド２０）を例示して説明したが、パッドの用途は電気接続用のものに限定はされない。別の実施態様では、金属パッドおよびメッキ層を有するパッドは、水晶振動子などを搭載する配線基板におけるシールリング用のパッドとして利用され得る。
【0085】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、本明細書で説明した種々の実施形態の構成を互いに組み合わせて得られる構成についても、本発明の範疇に含まれる。
【符号の説明】
【0086】
１ ：配線基板
１１ ：セラミック基板
１１ａ ：（セラミック基板の）表面
２０ ：接続パッド
２１ ：金属パッド
２１ａ ：（金属パッドの）先細部
２１ｂ ：（金属パッドの）柱状部（金属パッドの最大径部）
３０ ：メッキ層
５０ ：ピン（金具）
１１ ：セラミック基板
１１ａ ：（セラミック基板の）表面
２０ ：接続パッド
２１ ：金属パッド
２１ａ ：（金属パッドの）先細部
２１ｂ ：（金属パッドの）柱状部（金属パッドの最大径部）
３０ ：メッキ層
５０ ：ピン（金具）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】