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特許7498875表示パネルの製造方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-04

(45)【発行日】2024-06-12

(54)【発明の名称】表示パネルの製造方法

(51)【国際特許分類】

H10K 71/20 20230101AFI20240605BHJP

H10K 59/35 20230101ALI20240605BHJP

H10K 50/84 20230101ALI20240605BHJP

【ＦＩ】

H10K71/20

H10K59/35

H10K50/84

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2024003838

(22)【出願日】2024-01-15

(62)【分割の表示】P 2022563251の分割

【原出願日】2021-11-05

(65)【公開番号】P2024026764

(43)【公開日】2024-02-28

【審査請求日】2024-01-16

(31)【優先権主張番号】P 2020191144

(32)【優先日】2020-11-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2020196998

(32)【優先日】2020-11-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2020202373

(32)【優先日】2020-12-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000153878

【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所

(72)【発明者】

【氏名】山崎舜平

(72)【発明者】

【氏名】江口晋吾

(72)【発明者】

【氏名】瀬尾哲史

(72)【発明者】

【氏名】岡崎健一

【審査官】藤岡善行

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２０／００４０８６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１２－２１６５０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－３３２０５１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｋ５０／００－９９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の電極および第２の電極を形成する第１のステップと、
前記第１の電極上および前記第２の電極上に第１の発光層を形成する第２のステップと、
フォトエッチング法を用いて、前記第２の電極上の前記第１の発光層を取り除く第３のステップと、
前記第１の発光層上および前記第２の電極上に第２の発光層を形成する第４のステップと、
フォトエッチング法を用いて、前記第１の発光層上の前記第２の発光層を取り除く第５のステップと、
前記第１の発光層の側面および前記第２の発光層の側面に接する絶縁膜を成膜する第６のステップと、
を有する、表示パネルの製造方法。

【請求項2】

第１の電極および第２の電極を形成する第１のステップと、
前記第１の電極上および前記第２の電極上に第１の層を形成する第２のステップと、
前記第１の層上に第１の発光層を形成する第３のステップと、
フォトエッチング法を用いて、前記第２の電極上の前記第１の層および前記第１の発光層を取り除く第４のステップと、
前記第１の発光層上および前記第２の電極上に第２の層を形成する第５のステップと、
前記第２の層上に第２の発光層を形成する第６のステップと、
フォトエッチング法を用いて、前記第１の発光層上の前記第２の層および前記第２の発光層を取り除く第７のステップと、
前記第１の発光層の側面、前記第１の層の側面、前記第２の発光層の側面および前記第２の層の側面に接する絶縁膜を成膜する第８のステップと、
を有する、表示パネルの製造方法。

【請求項3】

第１の電極および第２の電極を形成する第１のステップと、
前記第１の電極および前記第２の電極の間に隔壁を形成する第２のステップと、
前記第１の電極上および前記第２の電極上に第１の発光層を形成する第３のステップと、
フォトエッチング法を用いて、前記第２の電極上の前記第１の発光層を取り除く第４のステップと、
前記第１の発光層上および前記第２の電極上に第２の層を形成する第５のステップと、
前記第２の層上に第２の発光層を形成する第６のステップと、
フォトエッチング法を用いて、前記第１の発光層上の前記第２の層および前記第２の発光層を取り除く第７のステップと、
前記第１の発光層の側面および前記第２の発光層の側面に接する絶縁膜を成膜する第８のステップと、
を有する、表示パネルの製造方法。

【請求項4】

第１の電極および第２の電極を形成する第１のステップと、
前記第１の電極および前記第２の電極の間に隔壁を形成する第２のステップと、
前記第１の電極上および前記第２の電極上に第１の層を形成する第３のステップと、
前記第１の層上に第１の発光層を形成する第４のステップと、
フォトエッチング法を用いて、前記第２の電極上の前記第１の層および前記第１の発光層を取り除く第５のステップと、
前記第１の発光層上および前記第２の電極上に第２の層を形成する第６のステップと、
前記第２の層上に第２の発光層を形成する第７のステップと、
フォトエッチング法を用いて、前記第１の発光層上の前記第２の層および前記第２の発光層を取り除く第８のステップと、
前記第１の発光層の側面、前記第１の層の側面、前記第２の発光層の側面および前記第２の層の側面に接する絶縁膜を成膜する第９のステップと、
を有する、表示パネルの製造方法。

【請求項5】

第１の電極および第２の電極を形成する第１のステップと、
前記第１の電極および前記第２の電極の間に隔壁を形成する第２のステップと、
前記第１の電極および前記第２の電極上に第１の層を形成する第３のステップと、
前記第１の層上に第１の発光層を形成する第４のステップと、
前記第１の発光層上に、第３の電極を形成する第５のステップと、
フォトエッチング法を用いて、前記第２の電極上の前記第１の層、前記第１の発光層および前記第３の電極を取り除いて、第１の発光デバイスを形成する第６のステップと、
前記第３の電極および前記第２の電極上に第２の層を形成する第７のステップと、
前記第２の層上に第２の発光層を形成する第８のステップと、
前記第２の発光層上に、第４の電極を形成する第９のステップと、
フォトエッチング法を用いて、前記第３の電極上の前記第２の層、前記第２の発光層および前記第４の電極を取り除いて、前記第１の発光デバイスから分離して、第２の発光デバイスを形成する第１０のステップと、
前記第１の発光層の側面、前記第１の層の側面、前記第２の発光層の側面および前記第２の層の側面に接する絶縁膜を成膜する第１１のステップと、
を有する表示パネルの製造方法。

【請求項6】

請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記絶縁膜は第１の絶縁膜と前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化アルミニウムおよび酸化マグネシウムの少なくともいずれか一を有し、
前記第２の絶縁膜は、窒化シリコンを有する、表示パネルの製造方法。

【請求項7】

請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記絶縁膜は、スパッタリング法、化学気相成長法、分子線エピタキシー法および原子層堆積法の少なくともいずれか一を用いて成膜された膜である、表示パネルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の一態様は、表示パネル、表示パネルの製造方法、情報処理装置または半導体装置に関する。

【0002】

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

【背景技術】

【0003】

ファインメタルマスクを使用することなく、発光層を形成可能とする有機ＥＬディスプレイの製造方法が知られている。その一例としては、絶縁基板の上方に形成された第１及び第２画素電極を含んだ電極アレイの上方にホスト材料とドーパント材料との混合物を含んだ第１ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、電極アレイを含む表示領域に亘って広がった連続膜として第１の発光層を形成する工程と、第１の発光層のうち第１画素電極の上方に位置した部分に紫外光を照射することなしに、第１の発光層のうち第２画素電極の上方に位置した部分に紫外光を照射する工程と、第１の発光層上にホスト材料とドーパント材料との混合物を含み且つ第１ルミネッセンス性有機材料とは異なる第２ルミネッセンス性有機材料を堆積させて、第２の発光層を表示領域に亘って広がった連続膜として形成する工程と、第２の発光層の上方に対向電極を形成する工程とを含む、有機ＥＬディスプレイの製造方法がある（特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１２－１６０４７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルの製造方法を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な表示パネルの製造方法、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

【0006】

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

【課題を解決するための手段】

【0007】

（１）本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、隔壁と、を有する表示パネルである。

【0008】

第１の発光デバイスは、第１の電極、第２の電極および第１の層を備え、第１の層は、第２の電極および第１の電極の間に挟まれる領域を備える。

【0009】

第１の層は、第１の正孔輸送性を有する材料および第１のアクセプタ性を有する物質を含み、第１の層は、１×１０^２［Ω・ｃｍ］以上１×１０^８［Ω・ｃｍ］以下の電気抵抗率を備える。

【0010】

第２の発光デバイスは、第３の電極、第４の電極および第２の層を備え、第２の層は、第４の電極および第３の電極の間に挟まれる領域を備える。

【0011】

第２の層は、第１の正孔輸送性を有する材料および第１のアクセプタ性を有する物質を含み、第２の層は、第１の層との間に第１の間隙を備える。

【0012】

第１の間隙は隔壁と重なる領域を備え、第１の間隙は第１の層および第２の層の間の電気的な導通を妨げる。

【0013】

（２）また、本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、隔壁と、を有する表示パネルである。

【0014】

第１の発光デバイスは、第１の電極、第２の電極、第１のユニットおよび第１の層を備え、第２の電極は第１の電極と重なり、第１のユニットは、第２の電極および第１の電極の間に挟まれる領域を備える。また、第１の層は、第１のユニットおよび第１の電極の間に挟まれる領域を備える。

【0015】

第１の層は、第１の正孔輸送性を有する材料および第１のアクセプタ性を有する物質を含み、第１の層は１×１０^２［Ω・ｃｍ］以上１×１０^８［Ω・ｃｍ］以下の電気抵抗率を備える。

【0016】

第２の発光デバイスは、第３の電極、第４の電極、第２のユニットおよび第２の層を備え、第４の電極は第３の電極と重なり、第２のユニットは、第４の電極および第３の電極の間に挟まれる領域を備える。また、第２の層は、第２のユニットおよび第１の電極の間に挟まれる領域を備える。

【0017】

第２の層は、第１の正孔輸送性を有する材料および第１のアクセプタ性を有する物質を含み、第２の層は第１の層との間に第１の間隙を備える。

【0018】

隔壁は、第１の開口部および第２の開口部を備え、第１の開口部は第１の電極と重なり、第２の開口部は第３の電極と重なる。また、隔壁は、第１の開口部および第２の開口部の間において、第１の間隙と重なる。

【0019】

これにより、第１の層および第２の層の間の電気的な導通が妨げられる。また、第１の層および第２の層を介して、第１の電極および第４の電極の間に電流が流れる現象を抑制することができる。また、第１の層および第２の層を介して、第３の電極および第２の電極の間に電流が流れる現象を抑制することができる。また、第１の発光デバイスおよび第２の発光デバイスの間に生じるクロストーク現象を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0020】

（３）また、本発明の一態様は、第１の発光デバイスが、第３のユニットおよび第１の中間層を備える上記の表示パネルである。

【0021】

第３のユニットは、第２の電極および第１のユニットの間に挟まれる領域を備え、第１の中間層は、第３のユニットおよび第１のユニットの間に挟まれる領域を備える。

【0022】

第１の中間層は、第２の正孔輸送性を有する材料および第２のアクセプタ性を有する物質を含み、第１の中間層は、１×１０^２［Ω・ｃｍ］以上１×１０^８［Ω・ｃｍ］以下の電気抵抗率を備える。

【0023】

第２の発光デバイスは、第４のユニットおよび第２の中間層を備え、第４のユニットは第４の電極および第２のユニットの間に挟まれる領域を備える。また、第２の中間層は、第４のユニットおよび第２のユニットの間に挟まれる領域を備える。

【0024】

第２の中間層は、第２の正孔輸送性を有する材料および第２のアクセプタ性を有する物質を含み、第２の中間層は、第１の中間層との間に第２の間隙を備える。

【0025】

隔壁は、第１の開口部および第２の開口部の間において、第２の間隙と重なる。

【0026】

これにより、第１の層および第２の層または第３の中間層および第４の中間層を介して、第１の電極および第４の電極の間に電流が流れる現象を抑制することができる。また、第１の層および第２の層を介して、第３の電極および第２の電極の間に電流が流れる現象を抑制することができる。また、第１の発光デバイスおよび第２の発光デバイスの間に生じるクロストーク現象を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0027】

（４）また、本発明の一態様は、第１の正孔輸送性を有する材料が、芳香族アミン化合物またはπ電子過剰型複素芳香環を備える有機化合物であり、第１のアクセプタ性を有する物質が、フッ素もしくはシアノ基を含む有機化合物または遷移金属酸化物である、上記の表示パネルである。

【0028】

これにより、陽極側から陰極側に向けて正孔を供給することができる。なお、第２の発光デバイスの第２の層は、第１の発光デバイスの第１の層から分離されているため、クロストーク現象を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0029】

（５）また、本発明の一態様は、第１の絶縁膜を有する上記の表示パネルである。第１の絶縁膜は第１の電極との間に第２の電極を挟み、第１の絶縁膜は第３の電極との間に第４の電極を挟む。

【0030】

これにより、第１の発光デバイスの周囲に存在する不純物の第１の発光デバイス内への拡散を抑制することができる。また、第２の発光デバイスの周囲に存在する不純物の第２の発光デバイス内への拡散を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0031】

（６）また、本発明の一態様は、第１の層が第１の側壁を備え、第２の層が第２の側壁を備える上記の表示パネルである。第２の側壁は第１の側壁と対向し、第２の側壁は第１の側壁との間に、第１の間隙を挟む。また、第１の絶縁膜は、第１の側壁および第２の側壁と接する。

【0032】

（７）また、本発明の一態様は、第１の絶縁膜が隔壁と接する、上記の表示パネルである。

【0033】

（８）また、本発明の一態様は、第１の絶縁膜が、第２の絶縁膜および第３の絶縁膜を備える、上記の表示パネルである。

【0034】

第２の絶縁膜は、第３の絶縁膜および第２の電極の間に挟まれ、第２の絶縁膜は、第３の絶縁膜および第４の電極の間に挟まれる。また、第２の絶縁膜は酸素とアルミニウムを含み、第３の絶縁膜は窒素とシリコンを含む。

【0035】

（９）また、本発明の一態様は、隔壁が第２の絶縁膜と接し、隔壁が窒素とシリコンを含む、上記の表示パネルである。

【0036】

（１０）また、本発明の一態様は、絶縁層を有し、絶縁層は第１の間隙を満たし、絶縁層は、第１のユニットおよび第２のユニットの間を満たす、上記の表示パネルである。

【0037】

これにより、第１の発光デバイスおよび第２の発光デバイスに不純物が拡散する現象を抑制することができる。また、第１の発光デバイスおよび第２の発光デバイスの信頼性を向上することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0038】

（１１）また、本発明の一態様は、第１の着色層と、第２の着色層と、を有する上記の表示パネルである。第１の着色層は第１の発光デバイスと重なり、第２の着色層は第２の発光デバイスと重なる。

【0039】

第２の着色層は第１の着色層との間に第３の間隙を備え、第２の着色層は第１の着色層の側に第１の側壁を備える。

【0040】

第４のユニットは、第１の側壁と連続する第２の側壁を備え、第２のユニットは、第２の側壁と連続する第３の側壁を備える。

【0041】

これにより、第２の発光デバイスが射出する光を効率よく第２の着色層に導くことができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0042】

（１２）また、本発明の一態様は、機能層と、第１の画素と、第２の画素と、を有する、上記の表示パネルである。

【0043】

第１の画素は、第１の発光デバイスおよび画素回路を備える。また、第２の画素は、第２の発光デバイスを備える。

【0044】

機能層は、画素回路および透光性を有する領域を備え、画素回路は、第１の発光デバイスと電気的に接続され、透光性を有する領域は、第１の発光デバイスから射出される光を透過する。

【0045】

（１３）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。

【0046】

これにより、さまざまな入力装置を用いて供給する情報に基づいて、画像情報または制御情報を演算装置に生成させることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

【0047】

（１４）また、本発明の一態様は、第１のステップ乃至第１０のステップを有する、表示パネルの製造方法である。

【0048】

第１のステップにおいて、第１の電極および第２の電極を形成する。

【0049】

第２のステップにおいて、第１の電極および第２の電極の間に隔壁を形成する。

【0050】

第３のステップにおいて、第１の電極および第２の電極上に第１の層を形成する。

【0051】

第４のステップにおいて、第１の層上に第１のユニットを形成する。

【0052】

第５のステップにおいて、第１のユニット上に、第３の電極を形成する。

【0053】

第６のステップにおいて、フォトエッチング法を用いて、第２の電極上の第１の層、第１のユニットおよび第３の電極を取り除いて、第１の発光デバイスを形成する。

【0054】

第７のステップにおいて、第３の電極および第２の電極上に第２の層を形成する。

【0055】

第８のステップにおいて、第２の層上に第２のユニットを形成する。

【0056】

第９のステップにおいて、第２のユニット上に、第４の電極を形成する。

【0057】

第１０のステップにおいて、フォトエッチング法を用いて、第３の電極上の第２の層、第２のユニットおよび第４の電極を取り除いて、第１の発光デバイスから分離して、第２の発光デバイスを形成する。

【0058】

（１５）また、本発明の一態様は、第１のステップ乃至第８のステップを有する、表示パネルの製造方法である。

【0059】

第１のステップにおいて、第１の電極および第２の電極を形成する。

【0060】

第２のステップにおいて、第１の電極および第２の電極の間に隔壁を形成する。

【0061】

第３のステップにおいて、第１の電極および第２の電極上に層を形成する。

【0062】

第４のステップにおいて、層上に第１のユニットを形成する。

【0063】

第５のステップにおいて、第１のユニット上に、中間層を形成する。

【0064】

第６のステップにおいて、中間層上に、第２のユニットを形成する。

【0065】

第７のステップにおいて、第２のユニット上に、導電膜を形成する。

【0066】

第８のステップにおいて、フォトエッチング法を用いて隔壁上の、層、第１のユニット、中間層、第２のユニットおよび導電膜を取り除いて、第１の発光デバイスおよび第２の発光デバイスを形成する。

【0067】

これにより、メタルマスクを用いることなく、複数の発光デバイスを備える表示パネルを作製できる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルの製造方法を提供することができる。

【0068】

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

【0069】

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

【0070】

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

【0071】

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

【0072】

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

【0073】

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

【0074】

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

【発明の効果】

【0075】

本発明の一態様によれば、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルの製造方法を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な表示パネルの製造方法、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することができる。

【0076】

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0077】

【図1】図１Ａ乃至図１Ｃは、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図2】図２は、実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する回路図である。

【図3】図３Ａ乃至図３Ｄは実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図4】図４Ａ乃至図４Ｃは実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図5】図５Ａ乃至図５Ｃは実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図6】図６は、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図7】図７は、図６の一部を説明する図である。

【図8】図８Ａおよび図８Ｂは、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図9】図９Ａ乃至図９Ｃは実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図10】図１０Ａ乃至図１０Ｃは実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図11】図１１は、図１０Ａの一部を説明する図である。

【図12】図１２は、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図13】図１３は、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図14】図１４は、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図15】図１５は、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図16】図１６は、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。

【図17】図１７Ａおよび図１７Ｂは、実施の形態に係る表示パネルの製造方法を説明する図である。

【図18】図１８Ａ乃至図１８Ｃは、実施の形態に係る表示パネルの製造方法を説明する図である。

【図19】図１９Ａ乃至図１９Ｃは、実施の形態に係る表示パネルの製造方法を説明する図である。

【図20】図２０Ａ乃至図２０Ｃは、実施の形態に係る表示パネルの製造方法を説明する図である。

【図21】図２１Ａ乃至図２１Ｃは、実施の形態に係る表示パネルの製造方法を説明する図である。

【図22】図２２Ａ乃至図２２Ｃは、実施の形態に係る表示パネルの製造方法を説明する図である。

【図23】図２３Ａおよび図２３Ｂは、実施の形態に係る表示パネルの製造方法を説明する図である。

【図24】図２４Ａおよび図２４Ｂは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。

【図25】図２５Ａおよび図２５Ｂは、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。

【図26】図２６Ａ乃至図２６Ｅは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。

【図27】図２７Ａ乃至図２７Ｅは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。

【図28】図２８Ａおよび図２８Ｂは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。

【図29】図２９は、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0078】

本発明の一態様の表示パネルは、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、隔壁と、を有する。第１の発光デバイスは、第１の電極、第２の電極および第１の層を備え、第１の層は、第２の電極および第１の電極の間に挟まれる領域を備える。また、第１の層は、第１の正孔輸送性を有する材料および第１のアクセプタ性を有する物質を含み、第１の層は、１×１０^２［Ω・ｃｍ］以上１×１０^８［Ω・ｃｍ］以下の電気抵抗率を備える。第２の発光デバイスは、第３の電極、第４の電極および第２の層を備え、第２の層は、第４の電極および第３の電極の間に挟まれる領域を備える。また、第２の層は、第１の正孔輸送性を有する材料および第１のアクセプタ性を有する物質を含み、第２の層は、第１の層との間に第１の間隙を備える。第１の間隙は隔壁と重なる領域を備え、第１の間隙は第１の層および第２の層の間の電気的な導通を妨げる。

【0079】

【0080】

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

【0081】

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１乃至図１６を参照しながら説明する。

【0082】

図１は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１Ａは本発明の一態様の表示パネルを説明する上面図であり、図１Ｂは表示パネルの一部を説明する上面図である。図１Ｃは、本発明の一態様の表示パネルが射出する光の方向を説明する断面図である。

【0083】

図２は本発明の一態様の表示パネルの画素を説明する回路図である。

【0084】

図３は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する断面図である。図３Ａは図１Ａに示す切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４および一組の画素７０３（ｉ，ｊ）における断面を説明する図である。図３Ｂは、本発明の一態様の表示パネルに用いることができるトランジスタを説明する断面図である。図３Ｃは、本発明の一態様の表示パネルが射出する光の方向を説明する断面図であり、図３Ｄは、図３Ｃを用いて説明する本発明の一態様の表示パネルとは異なる、本発明の一態様の表示パネルが射出する光の方向を説明する断面図である。

【0085】

図４は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図４Ａは本発明の一態様の表示パネルの画素の断面図であり、図４Ｂは図４Ａに示す画素の斜視図であり、図４Ｃは図４Ａに示す画素の上面図である。

【0086】

図５は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図５Ａは本発明の一態様の表示パネルの画素の断面図であり、図５Ｂは図５Ａに示す画素の斜視図であり、図５Ｃは図５Ａに示す画素の上面図である。なお、図５Ａは絶縁膜を備える点が図４Ａに示す画素とは異なり、図５Ａおよび図５Ｃは図の煩雑さを避けるために絶縁膜を省略した図である。

【0087】

図６は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する断面図である。

【0088】

図７は本発明の一態様の表示パネルの画素の断面図であり、図７は図６に示す画素の一部を説明する図である。

【0089】

図８は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図８Ａは本発明の一態様の表示パネルの画素の断面図であり、図８Ｂは図８Ａに示す表示パネルの一部を説明する断面図である。

【0090】

図９は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図９Ａは本発明の一態様の表示パネルの画素の断面図であり、図９Ｂは図９Ａに示す画素の斜視図であり、図９Ｃは図９Ａに示す画素の上面図である。

【0091】

図１０は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１０Ａは本発明の一態様の表示パネルの画素の断面図であり、図１０Ｂは図１０Ａに示す画素の斜視図であり、図１０Ｃは図１０Ａに示す画素の上面図である。なお、図１０Ａは絶縁膜を備える点が図９Ａに示す画素とは異なり、図１０Ｂおよび図１０Ｃは図の煩雑さを避けるために絶縁膜を省略した図である。

【0092】

図１１は本発明の一態様の表示パネルの画素の断面図であり、図１０Ａに示す画素の一部を説明する図である。

【0093】

図１２は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する断面図である。

【0094】

図１３は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する断面図である。

【0095】

図１４は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する断面図である。

【0096】

図１５は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する断面図である。

【0097】

図１６は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する断面図である。

【0098】

本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造と呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いないデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造と呼称する場合がある。

【0099】

なお、本明細書等において、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（ＳｉｄｅＢｙＳｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。また、本明細書等において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の発光デバイスとすることができる。

【0100】

また、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光層の各々の発光が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

【0101】

タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる構成については、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。

【0102】

また、上述の白色発光デバイス（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたいデバイスの場合においては、ＳＢＳ構造の発光デバイスを用いると好適である。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。

【0103】

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。

【0104】

＜表示パネル７００の構成例１＞
表示パネル７００は、表示領域２３１を備え、表示領域２３１は一組の画素７０３（ｉ，ｊ）を有する（図１Ａ参照）。また、一組の画素７０３（ｉ，ｊ）に隣接する一組の画素７０３（ｉ＋１，ｊ）を備える（図１Ｂ参照）。

【0105】

《表示領域２３１の構成例１》
例えば、表示領域２３１は、１インチあたり５００個以上の一組の画素を備える。また、１インチあたり１０００個以上、好ましくは５０００個以上、より好ましくは１００００個以上の一群の一組の画素を備える。これにより、例えば、表示パネル７００をゴーグル型の表示装置に用いる場合、スクリーン・ドア効果を軽減することができる。

【0106】

《表示領域２３１の構成例２》
例えば、表示領域２３１は、複数の画素を行列状に備える。例えば、表示領域２３１は、７６００個以上の画素を行方向に備え、表示領域２３１は４３００個以上の画素を列方向に備える。具体的には、７６８０個の画素を行方向に備え、４３２０個の画素を列方向に備える。

【0107】

これにより、精細な画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0108】

《表示領域２３１の構成例３》
例えば、表示パネル７００をテレビジョンシステムに用いる場合、表示領域２３１は、対角線の長さが３２インチ以上、好ましくは５５インチ以上、より好ましくは８０インチ以上である。また、表示領域２３１は、対角線の長さが例えば２００インチ以下であると、重量を軽くできるため好ましい。

【0109】

これにより、臨場感のある画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0110】

《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例１》
複数の画素を画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる（図１Ｂ参照）。例えば、色相が互いに異なる色を表示する複数の画素を用いることができる。なお、複数の画素のそれぞれを副画素と言い換えることができる。または、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。

【0111】

これにより、当該複数の画素が表示する色を加法混色または減法混色することができる。または、個々の画素では表示することができない色相の色を、表示することができる。

【0112】

具体的には、青色を表示する画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、緑色を表示する画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）および赤色を表示する画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）を画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）および画素７０２Ｒ（ｉ，ｊ）のそれぞれを副画素と言い換えることができる。

【0113】

また、例えば、白色等を表示する画素を上記の一組に加えて、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、シアンを表示する画素、マゼンタを表示する画素およびイエローを表示する画素を、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0114】

また、例えば、赤外線を射出する画素を上記の一組に加えて、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、６５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の波長を備える光を射出する画素を、画素７０３（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0115】

＜表示パネル７００の構成例２＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、を有する（図１Ａおよび図３Ａ参照）。また、端子５１９Ｂを備える。端子５１９Ｂは、例えば、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１と電気的に接続できる。

【0116】

《駆動回路ＧＤの構成例》
駆動回路ＧＤは、第１の選択信号および第２の選択信号を供給する機能を備える。例えば、駆動回路ＧＤは導電膜Ｇ１（ｉ）と電気的に接続され、第１の選択信号を供給し、導電膜Ｇ２（ｉ）と電気的に接続され、第２の選択信号を供給する。

【0117】

《駆動回路ＳＤの構成例》
駆動回路ＳＤは、画像信号および制御信号を供給する機能を備え、制御信号は第１のレベルおよび第２のレベルを含む。例えば、駆動回路ＳＤは導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）と電気的に接続され、画像信号を供給し、導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）と電気的に接続され、制御信号を供給する。

【0118】

＜表示パネル７００の構成例３＞
表示パネル７００は、一組の画素７０３（ｉ，ｊ）と、機能層５２０と、を有する（図３Ａ参照）。

【0119】

一組の画素７０３（ｉ，ｊ）は、画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）および隔壁５２８を備える（図１Ｂ参照）。

【0120】

画素７０２Ｂ（ｉ，ｊ）は、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）および画素回路５３０Ｂ（ｉ，ｊ）を備える（図３Ａ参照）。

【0121】

なお、画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を備える。

【0122】

表示パネル７００は基材５１０、基材７７０および機能層５２０を備える（図３Ａ参照）。機能層５２０は、基材７７０および基材５１０の間に挟まれる。また、表示パネル７００は絶縁層７０５を備え、絶縁層７０５は基材７７０および機能層５２０を貼り合わせる機能を備える。

【0123】

機能層５２０は、画素回路５３０Ｂ（ｉ，ｊ）ならびに画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）および駆動回路ＧＤを含む。画素回路５３０Ｂ（ｉ，ｊ）は、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）と開口部５９１Ｂを介して電気的に接続し、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と開口部５９１Ｇを介して電気的に接続する。

【0124】

なお、表示パネル７００は、基材７７０を通して情報を表示する（図３Ｃ参照）。換言すれば、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）は光を機能層５２０が配置されていない方向に向けて射出する。また、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）をトップエミッション型の発光素子ということができる。

【0125】

なお、マトリクス状にタッチセンサを備える基材を基材７７０に用いることができる。例えば、静電容量式のタッチセンサまたは光学式のタッチセンサを基材７７０に用いることができる。これにより、本発明の一態様の表示パネルをタッチパネルとして使用できる。

【0126】

＜表示パネル７００の構成例４＞
表示パネル７００は基材５１０、基材７７０および機能層５２０を備える（図３Ｄ参照）。なお、図３Ｄを用いて説明する表示パネル７００は、基材５１０を通して表示をする点が、図３Ｃを用いて説明する表示パネル７００とは異なる。換言すれば、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）は光を機能層５２０に向けて射出する。また、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）をボトムエミッション型の発光素子ということができる。

【0127】

機能層５２０は、画素回路５３０Ｂ（ｉ，ｊ）および透光性を有する領域５２０Ｔを備える（図３Ａおよび図３Ｄ参照）。画素回路５３０Ｂ（ｉ，ｊ）は、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）と電気的に接続され、透光性を有する領域５２０Ｔは、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）から射出される光を透過する。

【0128】

＜表示パネル７００の構成例５＞
表示パネル７００は導電膜Ｇ１（ｉ）と、導電膜Ｇ２（ｉ）と、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）と、導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）と、導電膜ＡＮＯと、導電膜ＶＣＯＭ２を有する（図２参照）。

【0129】

なお、例えば、導電膜Ｇ１（ｉ）は第１の選択信号を供給され、導電膜Ｇ２（ｉ）は第２の選択信号を供給され、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）は画像信号を供給され、導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）は制御信号を供給される。

【0130】

《画素７０３（ｉ，ｊ）の構成例２》
一組の画素７０３（ｉ，ｊ）は画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図１Ｂ参照）。画素７０２Ｇ（ｉ，ｊ）は画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図２参照）。

【0131】

《画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は第１の選択信号を供給され、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は、第１の選択信号に基づいて、画像信号を取得する。例えば、導電膜Ｇ１（ｉ）を用いて、第１の選択信号を供給することができる（図２参照）。または、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）を用いて画像信号を供給することができる。なお、第１の選択信号を供給し、画像信号を画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）に取得させる動作を「書き込み」ということができる。

【0132】

《画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例２》
画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２１、スイッチＳＷ２２、トランジスタＭ２１、容量Ｃ２１およびノードＮ２１を備える（図２参照）。また、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）はノードＮ２２、容量Ｃ２２およびスイッチＳＷ２３を備える。

【0133】

トランジスタＭ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続されるゲート電極と、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第２の電極と、を備える。

【0134】

スイッチＳＷ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続される第１の端子と、導電膜Ｓ１ｇ（ｊ）と電気的に接続される第２の端子と、導電膜Ｇ１（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。

【0135】

スイッチＳＷ２２は、導電膜Ｓ２ｇ（ｊ）と電気的に接続される第１の端子と、導電膜Ｇ２（ｉ）の電位に基づいて、導通状態または非導通状態を制御する機能を備える。

【0136】

容量Ｃ２１は、ノードＮ２１と電気的に接続される導電膜と、スイッチＳＷ２２の第２の電極と電気的に接続される導電膜を備える。

【0137】

これにより、画像信号をノードＮ２１に格納することができる。または、ノードＮ２１の電位を、スイッチＳＷ２２を用いて、変更することができる。または、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光の強度を、ノードＮ２１の電位を用いて、制御することができる。

【0138】

《トランジスタＭ２１の構成例》
ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、機能層５２０に用いることができる。具体的には、トランジスタをスイッチに用いることができる。

【0139】

トランジスタＭ２１は、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える（図３Ｂ参照）。トランジスタＭ２１は、例えば、絶縁膜５０１Ｃ上に形成される。なお、絶縁膜５１８を形成し、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５１８の間にトランジスタＭ２１を挟んでもよい。また、絶縁膜５１８および絶縁膜５０１Ｃの間に絶縁膜５１６を形成し、絶縁膜５１６および絶縁膜５０１Ｃの間に半導体膜５０８を挟んでもよい。例えば、絶縁膜５１６Ａおよび絶縁膜５１６Ｂを積層した膜を絶縁膜５１６に用いることができる。

【0140】

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを備える。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを備える。

【0141】

導電膜５０４は領域５０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜５０４は第１のゲート電極の機能を備える。

【0142】

絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５０６は第１のゲート絶縁膜の機能を備える。

【0143】

導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

【0144】

また、導電膜５２４をトランジスタＭ２１に用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機能を備える。絶縁膜５０１Ｄは半導体膜５０８および導電膜５２４の間に挟まれ、第２のゲート絶縁膜の機能を備える。

【0145】

なお、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成することができる。例えば、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同じ組成の半導体膜を、駆動回路に用いることができる。

【0146】

《半導体膜５０８の構成例１》
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。

【0147】

［水素化アモルファスシリコン］
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、表示パネルの大型化が容易である。

【0148】

［ポリシリコン］
例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。

【0149】

または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。

【0150】

または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。

【0151】

または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

【0152】

［単結晶シリコン］
例えば、単結晶シリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。

【0153】

《半導体膜５０８の構成例２》
例えば、金属酸化物を半導体膜５０８に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

【0154】

例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体、インジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛と錫とを含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。

【0155】

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタをスイッチ等に利用することができる。これにより、アモルファスシリコンを用いたトランジスタをスイッチに利用する回路より長い時間、フローティングノードの電位を保持することができる。

【0156】

《発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例１》
発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図２参照）。また、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０Ｇ（ｉ，ｊ）と電気的に接続される電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）と、導電膜ＶＣＯＭ２と電気的に接続される電極５５２を備える（図２および図４Ａ参照）。なお、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、ノードＮ２１の電位に基づいて動作する機能を備える。

【0157】

例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔＬＥＤ）等を、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0158】

＜表示パネル７００の構成例６＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）と、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と、隔壁５２８と、発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）と、を有する（図４Ａ参照）。

【0159】

《発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）の構成例１》
発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）、電極５５２Ｂ（ｊ）、ユニット１０３Ｂ（ｊ）および層１０４Ｂ（ｊ）を備える（図４Ａ参照）。また、層１０５Ｂ（ｊ）を備える。なお、層１０５Ｂ（ｊ）は、例えば、電子注入層に用いることができる。

【0160】

電極５５２Ｂ（ｊ）は電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）と重なり、ユニット１０３Ｂ（ｊ）は電極５５２Ｂ（ｊ）および電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。ユニット１０３Ｂ（ｊ）は発光層を含み、光を射出する機能を備える。例えば、青色の光を射出することができる。

【0161】

例えば、正孔輸送層、電子輸送層、キャリアブロック層、などから選択した層を、ユニット１０３Ｂ（ｊ）に用いることができる。

【0162】

層１０４Ｂ（ｊ）は、ユニット１０３Ｂ（ｊ）および電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備え、正孔輸送性を有する材料およびアクセプタ性を有する物質を含む。また、層１０４Ｂ（ｊ）は、１×１０^２［Ω・ｃｍ］以上１×１０^８［Ω・ｃｍ］以下の電気抵抗率を備える。なお、層１０４Ｂ（ｊ）は、例えば、正孔注入層に用いることができる。

【0163】

《発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例２》
発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）、電極５５２Ｇ（ｊ）、ユニット１０３Ｇ（ｊ）および層１０４Ｇ（ｊ）を備える。また、層１０５Ｇ（ｊ）を備える。なお、層１０５Ｇ（ｊ）は、例えば、電子注入層に用いることができる。

【0164】

電極５５２Ｇ（ｊ）は電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）と重なり、ユニット１０３Ｇ（ｊ）は電極５５２Ｇ（ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。ユニット１０３Ｇ（ｊ）は発光層を含み、光を射出する機能を備える。例えば、緑色の光を射出することができる。

【0165】

例えば、正孔輸送層、電子輸送層、キャリアブロック層、などから選択した層を、ユニット１０３Ｇ（ｊ）に用いることができる。

【0166】

層１０４Ｇ（ｊ）はユニット１０３Ｇ（ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備え、層１０４Ｇ（ｊ）は、層１０４Ｂ（ｊ）とおなじ正孔輸送性を有する材料およびアクセプタ性を有する物質を含む。なお、層１０４Ｇ（ｊ）は、例えば、正孔注入層に用いることができる。

【0167】

層１０４Ｇ（ｊ）は層１０４Ｂ（ｊ）との間に間隙１０４Ｓ（ｊ）を備える。なお、層１０４Ｂ（ｊ）および層１０４Ｇ（ｊ）は導電性を備えるため、間隙１０４Ｓ（ｊ）は層１０４Ｂ（ｊ）と層１０４Ｇ（ｊ）の間の電気的な導通を妨げる機能を備える。

【0168】

《層１０４Ｂ（ｊ）および層１０４Ｇ（ｊ）の構成例１》
正孔輸送性を有する材料およびアクセプタ性を有する物質を、層１０４Ｂ（ｊ）および層１０４Ｇ（ｊ）に用いることができる。

【0169】

［正孔輸送性を有する材料］
例えば、芳香族アミン化合物またはπ電子過剰型複素芳香環を備える有機化合物を、正孔輸送性を有する材料に用いることができる。

【0170】

これにより、陽極側から陰極側に向けて正孔を供給することができる。なお、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の層１０４Ｇ（ｊ）は、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）の層１０４Ｂ（ｊ）から分離されているため、クロストーク現象を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0171】

例えば、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、ビニル基を有している芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）などを、複合材料の正孔輸送性を有する材料に用いることができる。また、正孔移動度が、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である材料を、正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。

【0172】

芳香族アミン骨格を有する化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、等を用いることができる。

【0173】

カルバゾール誘導体としては、例えば、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］－２，３，５，６－テトラフェニルベンゼン、等を用いることができる。

【0174】

芳香族炭化水素としては、例えば、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－メチル－１－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’－ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、等を用いることができる。

【0175】

ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）、等を用いることができる。

【0176】

高分子化合物としては、例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、等を用いることができる。

【0177】

また、例えば、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを備える物質を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。また、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンを備える物質を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に用いることができる。なお、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）アミノ基を有する物質を用いると、発光デバイスの信頼性を向上することができる。

【0178】

これらの材料としては、例えば、Ｎ－（４－ビフェニル）－６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’－ビス（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン－４－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ－［４－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－４－ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４－（２－ナフチル）－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７－フェニル）ナフチル－２－イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（４；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（５；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ－０２）、４－（４－ビフェニリル）－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４－（３－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－（４－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－フェニル－４’－（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ビス（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’－［４－（３－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］トリス（１，１’－ビフェニル－４－イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ－０２）、４－ジフェニル－４’－（２－ナフチル）－４’’－｛９－（４－ビフェニリル）カルバゾール）｝トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈカルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－２－アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニリル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－２－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－４－アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（ジベンゾフラン－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－Ｎ－［３－（６－フェニルジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－１－ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－［４－（９－フェニルフルオレン－９－イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－３－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－１－アミン、等を用いることができる。

【0179】

［アクセプタ性を有する物質］
例えば、フッ素もしくはシアノ基を含む有機化合物または遷移金属酸化物を、アクセプタ性を有する物質に用いることができる。アクセプタ性を有する物質は、電界の印加により、隣接する正孔輸送層あるいは正孔輸送性を有する材料から電子を引き抜くことができる。なお、アクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容易で成膜がしやすい。これにより、発光デバイスの生産性を高めることができる。

【0180】

具体的には、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３，４，５，７，８－ヘキサフルオロテトラシアノ－ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６－ＴＣＮＮＱ）、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）マロノニトリル、等を用いることができる。

【0181】

特に、ＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。

【0182】

また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基またはシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましい。

【0183】

具体的には、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロ－３，５－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］、等を用いることができる。

【0184】

また、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を、アクセプタ性を有する物質に用いることができる。

【0185】

また、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の錯体化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン骨格を有する化合物を用いることができる。

【0186】

また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等を用いることができる。

【0187】

《隔壁５２８の構成例１》
隔壁５２８は、開口部５２８Ｂ（ｉ，ｊ）および開口部５２８Ｇ（ｉ，ｊ）を備える（図４Ｃ参照）。開口部５２８Ｂ（ｉ，ｊ）は電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）と重なり、開口部５２８Ｇ（ｉ，ｊ）は電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）と重なる。また、隔壁５２８は、開口部５２８Ｒ（ｉ，ｊ）を備える。

【0188】

隔壁５２８は、開口部５２８Ｂ（ｉ，ｊ）および開口部５２８Ｇ（ｉ，ｊ）の間において、間隙１０４Ｓ（ｊ）と重なる（図４Ａ参照）。

【0189】

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を隔壁５２８に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、隔壁５２８に用いることができる。例えば、酸化珪素膜、アクリル樹脂を含む膜またはポリイミドを含む膜等を隔壁５２８に用いることができる。

【0190】

これにより、層１０４Ｂ（ｊ）および層１０４Ｇ（ｊ）を介して、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５２Ｇ（ｊ）の間に電流が流れる現象を抑制することができる。また、層１０４Ｂ（ｊ）および層１０４Ｇ（ｊ）を介して、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）および電極５５２Ｂ（ｊ）の間に電流が流れる現象を抑制することができる。また、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に生じるクロストーク現象を抑制することができる。

【0191】

例えば、１０００ｐｐｉを超える高精細な表示パネルにおいて、層１０４Ｂ（ｊ）と層１０４Ｇ（ｊ）の間に電気的な導通が認められると、クロストーク現象が発生し、表示パネルの表示可能な色域が狭くなってしまう。１０００ｐｐｉを超える高精細な表示パネル、好ましくは２０００ｐｐｉを超える高精細な表示パネル、より好ましくは５０００ｐｐｉを超える超高精細な表示パネルに間隙１０４Ｓを設けることで、鮮やかな色彩を表示可能な表示パネルを提供できる。

【0192】

《発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）の構成例》
発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）、電極５５２Ｒ（ｊ）、ユニット１０３Ｒ（ｊ）および層１０４Ｒ（ｊ）を備える。ユニット１０３Ｒ（ｊ）は光を射出する機能を備える。例えば、赤色の光を射出することができる。また、層１０４Ｒ（ｊ）は、例えば、正孔注入層に用いることができる。また、層１０５Ｒ（ｊ）を備え、層１０５Ｒ（ｊ）は、例えば、電子注入層に用いることができる。

【0193】

例えば、青色の発光材料をユニット１０３Ｂ（ｊ）に、緑色の発光材料をユニット１０３Ｇ（ｊ）に、赤色の発光材料をユニット１０３Ｒ（ｊ）に、用いる構成にすることができる。これにより、それぞれの発光デバイスの発光効率を高めることができる。また、発光デバイスが射出した光を効率よく利用できる。

【0194】

＜表示パネル７００の構成例７＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、絶縁層７０５を有する（図４Ａ参照）。

【0195】

《絶縁層７０５の構成例》
絶縁層７０５は間隙１０４Ｓ（ｊ）を満たし、絶縁層７０５はユニット１０３Ｂ（ｊ）およびユニット１０３Ｇ（ｊ）の間を満たす。

【0196】

絶縁層７０５は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材７７０を貼り合わせる機能を備える。

【0197】

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を絶縁層７０５に用いることができる。

【0198】

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁層７０５に用いることができる。

【0199】

例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁層７０５に用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。または、絶縁層７０５として、酸化物半導体（例えば、ＩＧＺＯ膜など）を用いてもよい。具体的には、酸化アルミニウム膜と、当該酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜との積層構造などを用いることができる。

【0200】

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁層７０５に用いることができる。

【0201】

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を絶縁層７０５に用いることができる。

【0202】

これにより、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に不純物が拡散する現象を抑制することができる。また、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の信頼性を向上することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0203】

＜表示パネル７００の構成例８＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図５を参照しながら説明する。

【0204】

なお、表示パネル７００が絶縁膜５７３を備える点が、図４を参照しながら説明する表示パネル７００とは異なる。

【0205】

《絶縁膜５７３の構成例１》
絶縁膜５７３は、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）との間に電極５５２Ｂ（ｊ）を挟み、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）との間に電極５５２Ｇ（ｊ）を挟む（図５Ａ参照）。

【0206】

例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどを、絶縁膜５７３に用いることができる。

【0207】

これにより、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）の周囲に存在する不純物の発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）内への拡散を抑制することができる。また、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の周囲に存在する不純物の発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）内への拡散を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0208】

《絶縁膜５７３Ａの構成例》
例えば、アモルファス構造を有する酸化物を絶縁膜５７３Ａに用いることができる。具体的には、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ：ｘは０より大きい任意数）、または酸化マグネシウム（ＭｇＯ_ｙ：ｙは０より大きい任意数）などの金属酸化物を、好適に用いることができる。酸化アルミニウムを絶縁膜５７３Ａに用いる場合、絶縁膜５７３Ａは、少なくとも酸素と、アルミニウムと、を含む。

【0209】

また、アモルファス構造を有する金属酸化物において、酸素原子はダングリングボンドを有し、当該ダングリングボンドは水素または水素を含む分子を捕獲または固着する性質を有する場合がある。これにより、水、または発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の周囲に存在する水を捕獲または固着することができる。

【0210】

絶縁膜５７３Ａは、アモルファス構造であることが好ましいが、一部に結晶領域が形成されていてもよい。また、絶縁膜５７３Ａは、アモルファス構造の層と、結晶領域を有する層と、が積層された多層構造であってもよい。例えば、絶縁膜５７３Ａは、アモルファス構造の層の上に結晶領域を有する層、代表的には多結晶構造の層が形成された積層構造でもよい。

【0211】

また、複数の層を積層した積層膜を絶縁膜５７３Ａに用いることができる。例えば、原子層堆積（ＡＬＤ：ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で成膜した酸化アルミニウムと、スパッタリング法で成膜した酸化アルミニウムとを積層した積層膜を絶縁膜５７３Ａに用いることができる。これにより、スパッタリング法で成膜した膜にピンホールまたは段切れなどが形成された場合、被覆性の良好なＡＬＤ法で成膜した膜を用いて、ピンホールまたは段切れなどと重畳する部分を塞ぐことができる。

【0212】

［絶縁膜５７３Ａの形成方法］
スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ）法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：ＰｕｌｓｅｄＬａｓｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法などを用いて、絶縁膜５７３Ａを形成することができる。また、リソグラフィー法などを用いて、絶縁膜５７３Ａを所定の形状にすることができる。

【0213】

例えば、酸素ガスを含む雰囲気でアルミニウムターゲットを用いて、パルスＤＣスパッタリング法を用いて、酸化アルミニウムを成膜することができる。これにより、成膜ガスに水素分子を含むガスを用いることなく、スパッタリング法を用いて絶縁膜５７３Ａを形成することができる。また、絶縁膜５７３Ａの水素濃度を低減することができる。また、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に含まれる水などの不純物を、より多く捕獲または固着することができる。

【0214】

《絶縁膜５７３Ｂの構成例》
例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ：ｘは０より大きい任意数。）を、好適に用いることができる。この場合、絶縁膜５７３Ｂは、少なくとも窒素と、シリコンと、を含む絶縁膜となる。窒化シリコンは、水などの不純物の拡散を抑制する能力が高い。

【0215】

また、複数の層を積層した積層膜を絶縁膜５７３Ｂに用いることができる。例えば、スパッタリング法で成膜した窒化シリコンと、プラズマ原子層堆積（ＰＥＡＬＤ：ＰｌａｓｍａＥｎｈａｎｃｅｄＡＬＤ）法で成膜した窒化シリコンとを積層した積層膜を絶縁膜５７３Ｂに用いることができる。これにより、スパッタリング法で成膜した膜にピンホールまたは段切れなどが形成された場合、被覆性の良好なＡＬＤ法で成膜した膜を用いて、ピンホールまたは段切れなどと重畳する部分を塞ぐことができる。

【0216】

また、絶縁膜５７３Ｂの成膜後に加熱処理を行うことができる。これにより、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に含まれる水を脱離させ、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）から絶縁膜５７３Ａに拡散させることができる。また、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）中に含まれていた水の濃度を低減することができる。また、絶縁膜５７３Ｂは、絶縁膜５７３Ｂの外部から発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）へ、水が拡散するのを抑制することができる。

【0217】

《隔壁５２８の構成例２》
隔壁５２８は絶縁膜５７３Ａと接し、隔壁５２８は窒化シリコンを含む。

【0218】

水などの不純物の拡散を抑制する能力が高い絶縁膜を、隔壁５２８に用いることができる。例えば、絶縁膜５７３Ｂと同様の構成を好適に用いることができる。発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と重畳しない領域で、隔壁５２８が絶縁膜５７３Ａと接する。換言すれば、絶縁膜５７３Ａ、絶縁膜５７３Ｂおよび隔壁５２８によって、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を封止することができる。

【0219】

これにより、絶縁膜５７３Ｂおよび隔壁５２８の外部から発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）に水が拡散する現象を抑制することができる。また、絶縁膜５７３Ｂおよび隔壁５２８の内部の水を捕獲、または固着することができる。また、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の水の濃度を低減することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0220】

《絶縁膜５７３の構成例２》
また、絶縁膜５７３（１）、絶縁膜５７３（２）および絶縁膜５７３（３）を絶縁膜５７３に用いることができる（図６および図７参照）。

【0221】

絶縁膜５７３（１）は、絶縁膜５７３Ｃ、絶縁膜５７３Ｄ、絶縁膜５７３Ｅおよび絶縁膜５７３Ｆを備える。絶縁膜５７３Ｃは、層１０４Ｂ（ｊ）の側壁ＷＬ１および隔壁５２８と接する。絶縁膜５７３Ｄは、電極５５２Ｂ（ｊ）との間に絶縁膜５７３Ｃを挟む。

【0222】

絶縁膜５７３（２）は、絶縁膜５７３Ｄ、絶縁膜５７３Ｅおよび絶縁膜５７３Ｆを備える。絶縁膜５７３Ｄは、層１０４Ｇ（ｊ）の側壁ＷＬ２および隔壁５２８と接する。絶縁膜５７３Ｅは、電極５５２Ｇ（ｊ）との間に絶縁膜５７３Ｄを挟む。

【0223】

絶縁膜５７３（３）は、絶縁膜５７３Ｅおよび絶縁膜５７３Ｆを備える。絶縁膜５７３Ｅは、層１０４Ｒ（ｊ）の側壁および隔壁５２８と接する。絶縁膜５７３Ｆは、電極５５２Ｒ（ｊ）との間に絶縁膜５７３Ｅを挟む。また、絶縁膜５７３Ｆは、絶縁膜５７３Ｅを覆う。

【0224】

これにより、例えば、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を形成した後に絶縁膜５７３Ｃを形成し、その後、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を形成することができる。または、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を形成した後に絶縁膜５７３Ｄを形成し、その後、発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）を形成することができる。また、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の形成工程において、絶縁膜５７３Ｃを用いて、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を保護することができる。また、発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）の形成工程において、絶縁膜５７３Ｄを用いて、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を保護することができる。絶縁膜５７３（３）を用いて、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）を保護することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0225】

＜表示パネル７００の構成例９＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図８を参照しながら説明する。

【0226】

なお、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）が、いずれも白色の光を射出する点が、図５を参照しながら説明する表示パネル７００とは異なる。

【0227】

また、着色層ＣＦＢ（ｊ）と、着色層ＣＦＧ（ｊ）と、着色層ＣＦＲ（ｊ）と、を有する点が、図５を参照しながら説明する表示パネル７００とは異なる（図８Ａ参照）。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分については、上記の説明を援用する。

【0228】

《ユニット１０３Ｂ（ｊ）の構成例１》
例えば、青色の光ＥＬ（１）を射出する層１１１Ｂ、緑色の光ＥＬ（２）を射出する層１１１Ｇおよび赤色の光ＥＬ（３）を射出する層１１１Ｒを、一つのユニット１０３Ｂ（ｊ）に用いることができる（図８Ｂ参照）。これにより、白色の光を射出することができる。

【0229】

具体的には、青色の発光性の材料を含む層１１１Ｂと、緑色の発光性の材料を含む層１１１Ｇと、赤色の発光性の材料を含む層１１１Ｒとが、積層された構成を、ユニット１０３Ｂ（ｊ）に用いることができる（図８Ｂ参照）。

【0230】

また、正孔輸送性の材料を含む層、電子輸送性の材料を含む層、バイポーラ性の材料を含む層を、ユニット１０３Ｂ（ｊ）に用いることができる。例えば、正孔輸送性の材料を層１１２（１）に用いることができる。また、電子輸送性の材料を層１１３に用いることができる。また、バイポーラ性の材料を層１１２（２）に用いることができる。

【0231】

なお、ユニット１０３Ｂ（ｊ）に用いる構成を、ユニット１０３Ｇ（ｊ）およびユニット１０３Ｒ（ｊ）に用いることができる。

【0232】

《着色層の構成例１》
着色層ＣＦＢ（ｊ）は発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）と重なり、着色層ＣＦＧ（ｊ）は発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と重なり、着色層ＣＦＧ（ｊ）は、着色層ＣＦＢ（ｊ）とは異なる色の光を透過する。また、着色層ＣＦＲ（ｊ）は発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）と重なり、着色層ＣＦＲ（ｊ）は、着色層ＣＦＢ（ｊ）および着色層ＣＦＧ（ｊ）とは異なる色の光を透過する。

【0233】

例えば、青色の光を優先的に透過する材料を、着色層ＣＦＢ（ｊ）に用いることができる。これにより、白色の光から青色の光を取り出すことができる。

【0234】

例えば、緑色の光を優先的に透過する材料を、着色層ＣＦＧ（ｊ）に用いることができる。これにより、白色の光から緑色の光を取り出すことができる。

【0235】

例えば、赤色の光を優先的に透過する材料を、着色層ＣＦＲ（ｊ）に用いることができる。これにより、白色の光から赤色の光を取り出すことができる。

【0236】

《ユニット１０３Ｂ（ｊ）の構成例２》
例えば、青色の発光性の材料を、ユニット１０３Ｂ（ｊ）、ユニット１０３Ｇ（ｊ）およびユニット１０３Ｒ（ｊ）に、用いることができる。これにより、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）は青色の光を射出することができる。

【0237】

また、着色層に換えて色変換層を用いることができる。例えば、ナノ粒子、量子ドットなどを色変換層に用いることができる。

【0238】

例えば、着色層ＣＦＧ（ｊ）に換えて、青色の光を緑色の光に変換する色変換層を用いることができる。これにより、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する青色の光を緑色の光に変換することができる。また、着色層ＣＦＲ（ｊ）に換えて青色の光を赤色の光に変換する色変換層を用いることができる。これにより、発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）が射出する青色の光を赤色の光に変換することができる。

【0239】

これにより、第１の発光デバイスを形成する工程で、第２の発光デバイスも形成することができる。また、第１の発光デバイスおよび第２の発光デバイスを用いて、色相を変化することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0240】

＜表示パネル７００の構成例１０＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図９を参照しながら説明する。

【0241】

なお、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）がユニット１０３Ｂ２（ｊ）および中間層１０６Ｂ（ｊ）を備え、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）がユニット１０３Ｇ２（ｊ）および中間層１０６Ｇ（ｊ）を備える点が、図４を参照しながら説明する表示パネル７００とは異なる。また、発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）がユニット１０３Ｒ２（ｊ）および中間層１０６Ｒ（ｊ）を備える。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分については、上記の説明を援用する。

【0242】

《発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）の構成例２》
発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）はユニット１０３Ｂ２（ｊ）および中間層１０６Ｂ（ｊ）を備える（図９Ａ参照）。

【0243】

ユニット１０３Ｂ２（ｊ）は電極５５２Ｂ（ｊ）およびユニット１０３Ｂ（ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

【0244】

《中間層１０６Ｂ（ｊ）の構成例１》
中間層１０６Ｂ（ｊ）はユニット１０３Ｂ２（ｊ）およびユニット１０３Ｂ（ｊ）の間に挟まれる領域を備え、正孔輸送性を有する材料およびアクセプタ性を有する物質を含む。また、中間層１０６Ｂ（ｊ）は、１×１０^２［Ω・ｃｍ］以上１×１０^８［Ω・ｃｍ］以下の電気抵抗率を備える。なお、中間層１０６Ｂ（ｊ）は、電圧を加えることにより、陽極側に電子を供給し、陰極側に正孔を供給する機能を備える。

【0245】

正孔輸送性を有する材料およびアクセプタ性を有する物質を、中間層１０６Ｂ（ｊ）に用いることができる。例えば、層１０４Ｂ（ｊ）および層１０４Ｇ（ｊ）に用いることができる構成を、中間層１０６Ｂ（ｊ）に用いることができる。

【0246】

例えば、ユニット１０３Ｂ（ｊ）の発光色とは発光色が異なる構成を、ユニット１０３Ｂ２（ｊ）に用いることができる。具体的には、赤色の光および緑色の光を射出するユニット１０３Ｂ（ｊ）と、青色の光を射出するユニット１０３Ｂ２（ｊ）を用いることができる。これにより、所望の色の光を射出する発光デバイスを提供することができる。例えば、白色の光を射出する発光デバイスを提供することができる。

【0247】

なお、着色層ＣＦＢ（ｊ）を用いて、発光デバイスが射出した白色の光から青色の光を取り出すことができ、着色層ＣＦＧ（ｊ）を用いて、発光デバイスが射出した白色の光から緑色の光を取り出すことができ、着色層ＣＦＲ（ｊ）を用いて、発光デバイスが射出した白色の光から赤色の光を取り出すことができる。

【0248】

また、例えば、ユニット１０３Ｂ（ｊ）とユニット１０３Ｂ２（ｊ）の発光色を同じにすることができる。具体的には、青色の光を射出するユニット１０３Ｂ（ｊ）と、青色の光を射出するユニット１０３Ｂ２（ｊ）を用いることができる。これにより、消費電力を抑制しながら高い輝度の発光を得ることができる。

【0249】

なお、着色層ＣＦＢ（ｊ）に換えて色変換層を用いると、青色の光を緑色の光または赤色の光に変換することができる。例えば、ナノ粒子、量子ドットなどを色変換層に用いることができる。

【0250】

《発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例３》
発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）はユニット１０３Ｇ２（ｊ）および中間層１０６Ｇ（ｊ）を備え、ユニット１０３Ｇ２（ｊ）は電極５５２Ｇ（ｊ）およびユニット１０３Ｇ（ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

【0251】

中間層１０６Ｇ（ｊ）はユニット１０３Ｇ２（ｊ）およびユニット１０３Ｇ（ｊ）の間に挟まれる領域を備え、中間層１０６Ｇ（ｊ）は中間層１０６Ｂ（ｊ）とおなじ正孔輸送性を有する材料およびアクセプタ性を有する物質を含む。また、中間層１０６Ｇ（ｊ）は中間層１０６Ｂ（ｊ）との間に間隙１０６Ｓ（ｊ）を備える。なお、中間層１０６Ｂ（ｊ）および中間層１０６Ｇ（ｊ）は導電性を備えるため、間隙１０６Ｓ（ｊ）は中間層１０６Ｂ（ｊ）と中間層１０６Ｇ（ｊ）の間の電気的な導通を妨げる機能を備える。

【0252】

《隔壁５２８の構成例３》
隔壁５２８は開口部５２８Ｂ（ｉ，ｊ）および開口部５２８Ｇ（ｉ，ｊ）の間において、間隙１０６Ｓ（ｊ）と重なる（図９Ａおよび図９Ｃ参照）。

【0253】

これにより、層１０４Ｂ（ｊ）および層１０４Ｇ（ｊ）または中間層１０６Ｂおよび中間層１０６Ｇを介して、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５２Ｇ（ｊ）の間に電流が流れる現象を抑制することができる。また、層１０４Ｂ（ｊ）および層１０４Ｇ（ｊ）または中間層１０６Ｂおよび中間層１０６Ｇを介して、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）および電極５５２Ｂ（ｊ）の間に電流が流れる現象を抑制することができる。また、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の間に生じるクロストーク現象を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0254】

＜表示パネル７００の構成例１１＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１０および図１１を参照しながら説明する。

【0255】

なお、絶縁膜５７３を備える点が、図９を参照しながら説明する表示パネル７００とは異なる。

【0256】

《層１０４Ｂ（ｊ）および層１０４Ｇ（ｊ）の構成例２》
層１０４Ｂ（ｊ）は第１の側壁ＷＬ１を備え、層１０４Ｇ（ｊ）は第２の側壁ＷＬ２を備える（図１１参照）。

【0257】

第２の側壁ＷＬ２は第１の側壁ＷＬ１と対向し、第２の側壁ＷＬ２は第１の側壁ＷＬ１との間に間隙１０４Ｓ（ｊ）を挟む。

【0258】

《絶縁膜５７３の構成例３》
絶縁膜５７３は第１の側壁ＷＬ１および第２の側壁ＷＬ２と接する。

【0259】

《絶縁膜５７３の構成例４》
また、絶縁膜５７３は隔壁５２８と接する（図１１参照）。

【0260】

《絶縁膜５７３の構成例５》
絶縁膜５７３は、絶縁膜５７３Ａおよび絶縁膜５７３Ｂを備える。

【0261】

絶縁膜５７３Ａは絶縁膜５７３Ｂおよび電極５５２Ｂ（ｊ）の間に挟まれ、絶縁膜５７３Ａは絶縁膜５７３Ｂおよび電極５５２Ｇ（ｊ）の間に挟まれる。

【0262】

＜表示パネル７００の構成例１２＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１２を参照しながら説明する。

【0263】

なお、着色層ＣＦＧ（ｊ）が着色層ＣＦＢ（ｊ）との間に間隙ＣＦＳ（ｊ）を備える点および着色層ＣＦＢ（ｊ）と電極５５２Ｂ（ｊ）の間に絶縁膜５７３を備える点が、図９を参照しながら説明する表示パネル７００とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分については、上記の説明を援用する。

【0264】

《着色層の構成例２》
また、本発明の一態様の表示パネルは、着色層ＣＦＧ（ｊ）が着色層ＣＦＢ（ｊ）との間に間隙ＣＦＳ（ｊ）を備える（図１２参照）。また、着色層ＣＦＧ（ｊ）は、着色層ＣＦＢ（ｊ）側に第３の側壁を備える。

【0265】

《発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）の構成例４》
ユニット１０３Ｇ２（ｊ）は第３の側壁と連続する第４の側壁を備え、ユニット１０３Ｇ（ｊ）は第４の側壁と連続する第５の側壁を備える。

【0266】

これにより、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）が射出する光を効率よく着色層ＣＦＧ（ｊ）に導くことができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

【0267】

《絶縁膜５７３の構成例６》
本発明の一態様の表示パネルは、着色層ＣＦＢ（ｊ）および電極５５２Ｂ（ｊ）の間と、着色層ＣＦＧ（ｊ）および電極５５２Ｇ（ｊ）の間に、絶縁膜５７３を備える（図１２参照）。また、着色層ＣＦＲ（ｊ）および電極５５２Ｒ（ｊ）の間に、絶縁膜５７３を備える。

【0268】

例えば、有機材料と無機材料とが積層された積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。これにより、欠陥の少ない良質な絶縁膜５７３を形成することができる。また、着色層ＣＦＢ（ｊ）、着色層ＣＦＧ（ｊ）および着色層ＣＦＲ（ｊ）を形成する工程において、例えば、絶縁膜５７３は、絶縁膜５７３および電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる構成を保護することができる。また、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）に不純物が拡散する現象を抑制することができる。

【0269】

＜表示パネル７００の構成例１３＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１３を参照しながら説明する。

【0270】

なお、着色層ＣＦＢ（ｊ）と電極５５２Ｂ（ｊ）の間に絶縁膜５７３を備える点および絶縁膜５７３が間隙１０４Ｓ（ｊ）を満たす点が、図９を参照しながら説明する表示パネル７００とは異なる。

【0271】

＜表示パネル７００の構成例１４＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１４を参照しながら説明する。

【0272】

なお、隔壁５２８上に隔壁５２８（２）を備えている点、電極５５２が、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）の一方の電極として機能する点が、図９を参照しながら説明する表示パネル７００とは異なる。

【0273】

例えば、フォトエッチング法を用いて、層１０４Ｂ（ｊ）、ユニット１０３Ｂ（ｊ）、中間層１０６Ｂおよびユニット１０３Ｂ２を形成した後に、フォトリソグラフィ法を用いて隔壁５２８（２）を隔壁５２８上に形成することができる。さらに、電極５５２をユニット１０３Ｂ（ｊ）および隔壁５２８を覆うように形成することができる。

【0274】

＜表示パネル７００の構成例１５＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１５を参照しながら説明する。

【0275】

なお、隔壁５２８上に隔壁５２８（２）を備えている点、隔壁５２８（２）と電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）の間に大きな段差を備える点および隔壁５２８（２）が下部より上部がひさし状にせり出している形状を備えている点が、図９を参照しながら説明する表示パネル７００とは異なる。これにより、層１０４Ｂ（ｊ）と層１０４Ｇ（ｊ）の間の電気的な導通および中間層１０６Ｂ（ｊ）と中間層１０６Ｇ（ｊ）の間の電気的な導通が妨げられている。

【0276】

＜表示パネル７００の構成例１６＞
本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１６を参照しながら説明する。

【0277】

なお、ユニット１０３２が、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）と、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と、発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）の一方のユニットとして機能する点および電極５５２が、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）と、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）と、発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）の一方の電極として機能する点が、図９を参照しながら説明する表示パネル７００とは異なる。

【0278】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

【0279】

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの製造方法について、図１７乃至図２３を参照しながら説明する。

【0280】

図１７乃至図２０は、本発明の一態様の表示パネルの製造方法を説明する図である。

【0281】

図１７乃至図２０を用いて説明する本発明の一態様の表示パネルとは異なる、本発明の一態様の表示パネルの製造方法を説明する図である。

【0282】

図２２および図２３は、図１７乃至図２０を用いて説明する本発明の一態様の表示パネルとは異なる、本発明の一態様の表示パネルの製造方法を説明する図である。

【0283】

＜表示パネルの製造方法の例１＞
本発明の一態様の表示パネルの製造方法は、以下の第１のステップ乃至第１３のステップを有する。例えば、図５を用いて説明する本発明の一態様の表示パネル７００を作製することができる。

【0284】

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）を形成する。また、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）を形成する。例えば、基材５１０上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、所定の形状に加工する（図１７Ａ参照）。

【0285】

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）の間、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）の間に隔壁５２８を形成する。例えば、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）乃至電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）を覆う絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて開口部を形成し、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）乃至電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）の一部を露出させる（図１７Ｂ参照）。

【0286】

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）上に層１０４Ｂ（ｊ）を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）上に、これらを覆うように形成する。なお、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）も覆われる。

【0287】

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、層１０４Ｂ（ｊ）上にユニット１０３Ｂ（ｊ）を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて形成する。

【0288】

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、ユニット１０３Ｂ（ｊ）上に層１０５Ｂ（ｊ）および電極５５２Ｂ（ｊ）を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて形成する（図１８Ａ参照）。

【0289】

《第６のステップ》
第６のステップにおいて、層１０４Ｂ（ｊ）、ユニット１０３Ｂ（ｊ）および電極５５２Ｂ（ｊ）を所定の形状に加工する（図１８Ｃ参照）。例えば、フォトエッチング法を用いて、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）上の層１０４Ｂ（ｊ）、ユニット１０３Ｂ（ｊ）および電極５５２Ｂ（ｊ）を取り除いて、残った層１０４Ｂ（ｊ）、ユニット１０３Ｂ（ｊ）および電極５５２Ｂ（ｊ）を紙面と交差する方向に延びる帯状の形状に加工する。これにより、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）を形成する。なお、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）上の層１０４Ｂ（ｊ）、ユニット１０３Ｂ（ｊ）および電極５５２Ｂ（ｊ）も取り除かれる。

【0290】

具体的には、電極５５２Ｂ（ｊ）上に形成したレジストＲＥＳを用いる（図１８Ｂ参照）。また、隔壁５２８をエッチングストッパーに用いることができる。

【0291】

《第７のステップ》
第７のステップにおいて、電極５５２Ｂ（ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）上に層１０４Ｇ（ｊ）を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）上に、これらを覆うように形成する。なお、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）も覆われる。

【0292】

《第８のステップ》
第８のステップにおいて、層１０４Ｇ（ｊ）上にユニット１０３Ｇ（ｊ）を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて形成する。

【0293】

《第９のステップ》
第９のステップにおいて、ユニット１０３Ｇ（ｊ）上に、電極５５２Ｇ（ｊ）を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて形成する（図１９Ａ参照）。

【0294】

《第１０のステップ》
第１０のステップにおいて、層１０４Ｇ（ｊ）、ユニット１０３Ｇ（ｊ）および電極５５２Ｇ（ｊ）を所定の形状に加工する（図１９Ｃ参照）。例えば、フォトエッチング法を用いて、電極５５２Ｂ（ｉ，ｊ）上の層１０４Ｇ（ｊ）、ユニット１０３Ｇ（ｊ）および電極５５２Ｇ（ｊ）を取り除いて、残った層１０４Ｇ（ｊ）、ユニット１０３Ｇ（ｊ）および電極５５２Ｇ（ｊ）を紙面と交差する方向に延びる帯状の形状に加工し、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）から分離する。これにより、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）を形成する。なお、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）上の層１０４Ｇ（ｊ）、ユニット１０３Ｇ（ｊ）および電極５５２Ｇ（ｊ）も取り除かれる。

【0295】

具体的には、電極５５２Ｇ（ｊ）上に形成したレジストＲＥＳを用いる（図１９Ｂ参照）。また、隔壁５２８をエッチングストッパーに用いることができる。

【0296】

《第１１のステップ》
第１１のステップにおいて、層１０４Ｒ（ｊ）、ユニット１０３Ｒ（ｊ）、層１０５Ｒ（ｊ）および電極５５２Ｒ（ｊ）を、この順に形成する。例えば、真空蒸着法を用いて、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）を覆うように形成する（図２０Ａ参照）。

【0297】

《第１２のステップ》
第１２のステップにおいて、層１０４Ｒ（ｊ）、ユニット１０３Ｒ（ｊ）および電極５５２Ｒ（ｊ）を所定の形状に加工する（図２０Ｃ参照）。例えば、紙面と交差する方向に延びる帯状の形状に加工する。

【0298】

具体的には、層１０４Ｒ（ｊ）、ユニット１０３Ｒ（ｊ）および電極５５２Ｒ（ｊ）上に形成したレジストＲＥＳおよびエッチング法を用いる（図２０Ｂ参照）。また、電極５５２Ｂ（ｊ）、電極５５２Ｇ（ｊ）および隔壁５２８をエッチングストッパーに用いることができる。

【0299】

以上の工程により、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）を分離して形成することができる。

【0300】

《第１３のステップ》
また、第１３のステップにおいて、隔壁５２８に接する絶縁膜５７３を形成して、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）を覆う。以上の工程により、発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）を、絶縁膜５７３を用いて保護することができる（図２０Ｃ参照）。

【0301】

＜表示パネルの製造方法の例２＞
本発明の一態様の表示パネルの製造方法は、以下の第１のステップ乃至第８のステップを有する。例えば、図１２を用いて説明する本発明の一態様の表示パネル７００を作製することができる。

【0302】

【0303】

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）の間に隔壁５２８を形成する。例えば、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）乃至電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）を覆う絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて開口部を形成し、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）乃至電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）の一部を露出させる（図１７Ｂ参照）。

【0304】

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）上に層１０４を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）上に、これらを覆うように形成する。なお、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）も覆われる。

【0305】

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、層１０４上にユニット１０３を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて形成する。

【0306】

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、ユニット１０３上に層１０６を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて形成する。

【0307】

《第６のステップ》
第６のステップにおいて、層１０６上にユニット１０３２を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて形成する。

【0308】

《第７のステップ》
第７のステップにおいて、ユニット１０３２上に電極５５２を形成する。例えば、真空蒸着法を用いて形成する（図２１Ａ参照）。

【0309】

また、電極５５２上に絶縁膜５７３を形成し、絶縁膜５７３上に着色層ＣＦＢ（ｊ）、着色層ＣＦＧ（ｊ）並びに着色層ＣＦＲ（ｊ）をそれぞれ形成する（図２１Ｂ参照）。

【0310】

例えば、平坦な膜と緻密な膜を積層して絶縁膜５７３を形成する。具体的には、塗布法を用いて平坦な膜を形成し、化学気相成長法または原子層堆積法（ＡＬＤ：ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などを用いて緻密な膜を平坦な膜の上に積層する。これにより、欠陥の少ない良質な絶縁膜５７３を形成することができる。

【0311】

例えば、カラーレジストを用いて、着色層ＣＦＢ（ｊ）、着色層ＣＦＧ（ｊ）および着色層ＣＦＲ（ｊ）を所定の形状に形成する。なお、着色層ＣＦＧ（ｊ）を着色層ＣＦＢ（ｊ）から離れた位置に形成し、着色層ＣＦＧ（ｊ）および着色層ＣＦＢ（ｊ）の間に間隙ＣＦＳ（ｊ）を形成する。

【0312】

《第８のステップ》
第８のステップにおいて、層１０４、ユニット１０３、層１０６、ユニット１０３２、電極５５２および絶縁膜５７３を所定の形状に加工する（図２１Ｃ参照）。例えば、紙面と交差する方向に延びる帯状の形状に加工する。

【0313】

具体的には、着色層ＣＦＢ（ｊ）、着色層ＣＦＧ（ｊ）および着色層ＣＦＲ（ｊ）上に形成したレジストおよびエッチング法を用いて、間隙ＣＦＳ（ｊ）と重なる部分を除去する。または、着色層ＣＦＢ（ｊ）、着色層ＣＦＧ（ｊ）および着色層ＣＦＲ（ｊ）をレジストに用いてもよい。また、隔壁５２８をエッチングストッパーに用いることができる。

【0314】

層１０４は、層１０４Ｂ（ｊ）、層１０４Ｇ（ｊ）および層１０４Ｒ（ｊ）に加工される。ユニット１０３は、ユニット１０３Ｂ（ｊ）、ユニット１０３Ｇ（ｊ）およびユニット１０３Ｒ（ｊ）に加工される。層１０６は、中間層１０６Ｂ（ｊ）、中間層１０６Ｇ（ｊ）および中間層１０６Ｒ（ｊ）に加工される。ユニット１０３２は、ユニット１０３Ｂ２（ｊ）、ユニット１０３Ｇ２（ｊ）およびユニット１０３Ｒ２（ｊ）に加工される。電極５５２は、電極５５２Ｂ（ｊ）、電極５５２Ｇ（ｊ）および電極５５２Ｒ（ｊ）に加工される。例えば、間隙１０４Ｓ（ｊ）は、層１０４Ｂ（ｊ）と層１０４Ｇ（ｊ）の間の電気的な導通を妨げ、中間層１０６Ｂ（ｊ）および中間層１０６Ｇ（ｊ）の間の電気的な導通を妨げる。

【0315】

【0316】

＜表示パネルの製造方法の例３＞
本発明の一態様の表示パネルの製造方法は、以下の第１のステップ乃至第６のステップを有する。例えば、図１６を用いて説明する本発明の一態様の表示パネル７００を作製することができる。

【0317】

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）を形成する。また、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）を形成する。例えば、基材５１０上に導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、所定の形状に加工する（図１７Ａ参照）。

【0318】

【0319】

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）上に層１０４、ユニット１０３および層１０６を、この順に形成する（図２２Ａ参照）。例えば、真空蒸着法を用いて、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）上に、これらを覆うように形成する。なお、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）も覆われる。

【0320】

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、層１０４、ユニット１０３および層１０６を所定の形状に加工する（図２２Ｃ参照）。例えば、電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）に重なる島状の形状と、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）に重なる島状の形状に加工する。または、紙面と交差する方向に延びる帯状の形状に加工してもよい。また、電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）に重なる形状に加工する。

【0321】

具体的には、層１０４、ユニット１０３および層１０６上に形成したレジストＲＥＳおよびエッチング法を用いる（図２２Ｂ参照）。また、隔壁５２８をエッチングストッパーに用いることができる。

【0322】

層１０４は、層１０４Ｂ（ｉ，ｊ）、層１０４Ｇ（ｉ，ｊ）および層１０４Ｒ（ｉ，ｊ）に加工される。ユニット１０３は、ユニット１０３Ｂ（ｉ，ｊ）、ユニット１０３Ｇ（ｉ，ｊ）およびユニット１０３Ｒ（ｉ，ｊ）に加工される。層１０６は、中間層１０６Ｂ（ｉ，ｊ）、中間層１０６Ｇ（ｉ，ｊ）および中間層１０６Ｒ（ｉ，ｊ）に加工される。例えば、間隙１０４Ｓ（ｊ）は、層１０４Ｂ（ｉ，ｊ）と層１０４Ｇ（ｉ，ｊ）の間の電気的な導通を妨げ、中間層１０６Ｂ（ｉ，ｊ）および中間層１０６Ｇ（ｉ，ｊ）の間の電気的な導通を妨げる。

【0323】

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、ユニット１０３２、層１０５および電極５５２をこの順に形成する（図２３Ａ参照）。例えば、真空蒸着法を用いて、中間層１０６Ｂ（ｉ，ｊ）、中間層１０６Ｇ（ｉ，ｊ）および中間層１０６Ｒ（ｉ，ｊ）を覆うように形成する。

【0324】

《第６のステップ》
第６のステップにおいて、絶縁膜５７３および着色層ＣＦＢ（ｊ）、着色層ＣＦＧ（ｊ）並びに着色層ＣＦＲ（ｊ）を形成する（図２３Ｂ参照）。

【0325】

【0326】

例えば、カラーレジストを用いて、着色層ＣＦＢ（ｊ）、着色層ＣＦＧ（ｊ）および着色層ＣＦＲ（ｊ）を所定の形状に形成する。なお、隔壁５２８上で、着色層ＣＦＲ（ｊ）および着色層ＣＦＢ（ｊ）が重なるように加工する。これにより、隣接する発光デバイスが射出する光が回り込んでしまう現象を抑制できる。

【0327】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

【0328】

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに適用可能な発光デバイス１５０の構成について、図２４Ａを参照しながら説明する。なお、発光デバイス１５０に用いることができる構成を、例えば、実施の形態１において説明する発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）または発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0329】

＜発光デバイス１５０の構成例＞
本実施の形態で説明する発光デバイス１５０は、電極１０１と、電極１０２と、ユニット１０３と、を有する。電極１０２は、電極１０１と重なる領域を備え、ユニット１０３は、電極１０１および電極１０２の間に挟まれる領域を備える。なお、ユニット１０３に用いることができる構成を、例えば、実施の形態１において説明するユニット１０３Ｂ（ｊ）、ユニット１０３Ｇ（ｊ）またはユニット１０３Ｒ（ｊ）に用いることができる。

【0330】

＜ユニット１０３の構成例＞
ユニット１０３は単層構造または積層構造を備える。例えば、ユニット１０３は、層１１１、層１１２および層１１３を備える（図２４Ａ参照）。ユニット１０３は光ＥＬ１を射出する機能を備える。

【0331】

層１１１は層１１２および層１１３の間に挟まれる領域を備え、層１１２は電極１０１および層１１１の間に挟まれる領域を備え、層１１３は電極１０２および層１１１の間に挟まれる領域を備える。

【0332】

例えば、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、キャリアブロック層、などから選択した層を、ユニット１０３に用いることができる。また、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層および電荷発生層などから選択した層を、ユニット１０３に用いることができる。

【0333】

《層１１２の構成例》
例えば、正孔輸送性を有する材料を、層１１２に用いることができる。また、層１１２を正孔輸送層ということができる。なお、層１１１に含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを備える材料を、層１１２に用いる構成が好ましい。これにより、層１１１において生じる励起子から層１１２へのエネルギー移動を、抑制することができる。

【0334】

［正孔輸送性を有する材料］
正孔移動度が、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である材料を、正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。

【0335】

例えば、アミン化合物またはπ電子過剰型複素芳香環骨格を有する有機化合物を、正孔輸送性を有する材料に用いることができる。具体的には、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、チオフェン骨格を有する化合物、フラン骨格を有する化合物等を用いることができる。特に、芳香族アミン骨格を有する化合物またはカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。

【0336】

《層１１３の構成例》
例えば、電子輸送性を有する材料、アントラセン骨格を有する材料および混合材料等を、層１１３に用いることができる。また、層１１３を電子輸送層ということができる。なお、層１１１に含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを有する材料を、層１１３に用いる構成が好ましい。これにより、層１１１において生じる励起子から層１１３へのエネルギー移動を、抑制することができる。

【0337】

［電子輸送性を有する材料］
例えば、金属錯体またはπ電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物を、電子輸送性を有する材料に用いることができる。

【0338】

電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である条件において、電子移動度が１×１０^－７ｃｍ^２／Ｖｓ以上、５×１０^－５ｃｍ^２／Ｖｓ以下である材料を、電子輸送性を有する材料に好適に用いることができる。これにより、電子輸送層における電子の輸送性を制御することができる。または、発光層への電子の注入量を制御することができる。または、発光層が電子過多の状態になることを防ぐことができる。

【0339】

π電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物としては、例えば、ポリアゾール骨格を有する複素環化合物、ジアジン骨格を有する複素環化合物、ピリジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物等を用いることができる。特に、ジアジン骨格を有する複素環化合物またはピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。また、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧を低減することができる。

【0340】

［アントラセン骨格を有する材料］
アントラセン骨格を有する有機化合物を、層１１３に用いることができる。特に、アントラセン骨格と複素環骨格の両方を含む有機化合物を好適に用いることができる。

【0341】

例えば、アントラセン骨格と含窒素５員環骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。または、２つの複素原子を環に含む含窒素５員環骨格とアントラセン骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。具体的には、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、等を当該複素環骨格に好適に用いることができる。

【0342】

例えば、アントラセン骨格と含窒素６員環骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。または、２つの複素原子を環に含む含窒素６員環骨格とアントラセン骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。具体的には、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環等を当該複素環骨格に好適に用いることができる。

【0343】

［混合材料の構成例］
また、複数種の物質を混合した材料を、層１１３に用いることができる。具体的には、アルカリ金属、アルカリ金属化合物またはアルカリ金属錯体と、電子輸送性を有する物質とを含む混合材料を、層１１３に用いることができる。なお、電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が－６．０ｅＶ以上であるとより好ましい。

【0344】

なお、例えば、アクセプタ性を有する物質と正孔輸送性を有する材料の複合材料を層１０４に用いることができる。具体的には、アクセプタ性を有する物質と、－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ準位ＨＯＭＯ１を有する物質との複合材料を、層１０４に用いることができる（図２４Ｂ参照）。このような複合材料を層１０４に用いる構成と組み合わせて、当該混合材料を層１１３に好適に用いることができる。これにより、発光デバイスの信頼性を向上することができる。

【0345】

また、当該混合材料を層１１３と、上記複合材料を層１０４に用いる構成に、さらに、正孔輸送性を有する材料を層１１２に用いる構成を組み合わせて、好適に用いることができる。例えば、上記比較的深いＨＯＭＯ準位ＨＯＭＯ１に対して、－０．２ｅＶ以上０ｅＶ以下の範囲にＨＯＭＯ準位ＨＯＭＯ２を有する物質を、層１１２に用いることができる（図２４Ｂ参照）。これにより、発光デバイスの信頼性を向上することができる。

【0346】

アルカリ金属、アルカリ金属化合物またはアルカリ金属錯体が、層１１３の厚さ方向において濃度差（０である場合も含む）をもって存在する構成が好ましい。

【0347】

例えば、８－ヒドロキシキノリナト構造を含む金属錯体を用いることができる。また、８－ヒドロキシキノリナト構造を含む金属錯体のメチル置換体（例えば２－メチル置換体または５－メチル置換体）等を用いることもできる。

【0348】

《層１１１の構成例１》
例えば、発光性の材料、または発光性の材料およびホスト材料を、層１１１に用いることができる。また、層１１１を発光層ということができる。なお、正孔と電子が再結合する領域に層１１１を配置する構成が好ましい。これにより、キャリアの再結合により生じるエネルギーを、効率よく光にして射出することができる。また、電極等に用いる金属から遠ざけて層１１１を配置する構成が好ましい。これにより、電極等に用いる金属による消光現象を抑制することができる。

【0349】

例えば、蛍光発光物質、りん光発光物質または熱活性化遅延蛍光ＴＡＤＦ（ＴｈｅｒｍａｌｌｙＤｅｌａｙｅｄＦｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）を示す物質（ＴＡＤＦ材料ともいう）を、発光性の材料に用いることができる。これにより、キャリアの再結合により生じたエネルギーを、発光性の材料から光ＥＬ１として放出することができる（図２４Ａ参照）。

【0350】

［蛍光発光物質］
蛍光発光物質を層１１１に用いることができる。例えば、以下に例示する蛍光発光物質を層１１１に用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知の蛍光性発光物質を層１１１に用いることができる。

【0351】

特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎまたは１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率または信頼性に優れているため好ましい。

【0352】

［りん光発光物質］
りん光発光物質を層１１１に用いることができる。例えば、以下に例示するりん光発光物質を層１１１に用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知のりん光性発光物質を層１１１に用いることができる。

【0353】

例えば、４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、イミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、希土類金属錯体、白金錯体、等を層１１１に用いることができる。

【0354】

［熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質］
ＴＡＤＦ材料を層１１１に用いることができる。例えば、以下に例示するＴＡＤＦ材料を発光性の材料に用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知のＴＡＤＦ材料を、発光性の材料に用いることができる。

【0355】

ＴＡＤＦ材料は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、わずかな熱エネルギーによって三重項励起状態から一重項励起状態に逆項間交差（アップコンバート）できる。これにより、三重項励起状態から一重項励起状態を効率よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。

【0356】

また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。

【0357】

なお、Ｔ１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測されるりん光スペクトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とし、りん光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とした際に、そのＳ１とＴ１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがさらに好ましい。

【0358】

また、ＴＡＤＦ材料を発光物質として用いる場合、ホスト材料のＳ１準位はＴＡＤＦ材料のＳ１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ１準位はＴＡＤＦ材料のＴ１準位より高いことが好ましい。

【0359】

例えば、フラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン誘導体等をＴＡＤＦ材料に用いることができる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンをＴＡＤＦ材料に用いることができる。

【0360】

また、例えば、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物をＴＡＤＦ材料に用いることができる。

【0361】

該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。特に、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプタ性が高く、信頼性が良好なため好ましい。

【0362】

また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格が特に好ましい。

【0363】

なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ１準位とＴ１準位のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。

【0364】

また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボランまたはボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環または複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。

【0365】

このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることができる。

【0366】

《層１１１の構成例２》
キャリア輸送性を備える材料をホスト材料に用いることができる。例えば、正孔輸送性を有する材料、電子輸送性を有する材料、熱活性化遅延蛍光ＴＡＤＦ（ＴｈｅｒｍａｌｌｙＤｅｌａｙｅｄＦｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）を示す物質、アントラセン骨格を有する材料および混合材料等をホスト材料に用いることができる。なお、層１１１に含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを備える材料を、ホスト材料に用いる構成が好ましい。これにより、層１１１において生じる励起子からホスト材料へのエネルギー移動を、抑制することができる。

【0367】

［正孔輸送性を有する材料］
正孔移動度が、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である材料を、正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。

【0368】

例えば、層１１２に用いることができる正孔輸送性を有する材料を、層１１１に用いることができる。具体的には、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性を有する材料を、層１１１に用いることができる。

【0369】

［電子輸送性を有する材料］
例えば、層１１３に用いることができる電子輸送性を有する材料を、層１１１に用いることができる。具体的には、電子輸送層に用いることができる電子輸送性を有する材料を、層１１１に用いることができる。

【0370】

［アントラセン骨格を有する材料］
アントラセン骨格を有する有機化合物を、ホスト材料に用いることができる。特に、発光物質に蛍光発光物質を用いる場合において、アントラセン骨格を有する有機化合物は好適である。これにより、発光効率および耐久性が良好な発光デバイスを実現することができる。

【0371】

アントラセン骨格を有する有機化合物としては、ジフェニルアントラセン骨格、特に９，１０－ジフェニルアントラセン骨格を有する有機化合物が化学的に安定であるため好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高まるため好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯ準位が０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。なお、正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレン骨格またはジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。

【0372】

したがって、９，１０－ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格を共に有する物質、９，１０－ジフェニルアントラセン骨格およびベンゾカルバゾール骨格を共に有する物質、９，１０－ジフェニルアントラセン骨格およびジベンゾカルバゾール骨格を共に有する物質は、ホスト材料として好ましい。

【0373】

［熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質］
ＴＡＤＦ材料をホスト材料に用いることができる。ＴＡＤＦ材料をホスト材料に用いると、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーを、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換することができる。さらに、励起エネルギーを発光物質に移動することができる。換言すれば、ＴＡＤＦ材料はエネルギードナーとして機能し、発光物質はエネルギーアクセプターとして機能する。これにより、発光デバイスの発光効率を高めることができる。

【0374】

これは、上記発光物質が蛍光発光物質である場合に、非常に有効である。また、このとき、高い発光効率を得るためには、ＴＡＤＦ材料のＳ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。したがって、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＴ１準位より高いことが好ましい。

【0375】

また、蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈するＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。そうすることで、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質への励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。

【0376】

また、効率よく三重項励起エネルギーから逆項間交差によって一重項励起エネルギーが生成されるためには、ＴＡＤＦ材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動しないことが好ましい。そのためには、蛍光発光物質は、蛍光発光物質が有する発光団（発光の原因となる骨格）の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好ましい。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送またはキャリア再結合に影響をほとんど与えずに、ＴＡＤＦ材料と蛍光発光物質の発光団との距離を遠ざけることができる。

【0377】

ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。

【0378】

縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特に、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。

【0379】

例えば、発光性の材料に用いることができるＴＡＤＦ材料を、ホスト材料に用いることができる。

【0380】

［混合材料の構成例１］
また、複数種の物質を混合した材料を、ホスト材料に用いることができる。例えば、電子輸送性を有する材料と正孔輸送性を有する材料を、混合材料に用いることができる。混合材料に含まれる正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の重量比の値は、（正孔輸送性を有する材料／電子輸送性を有する材料）＝（１／１９）以上（１９／１）以下とすればよい。これにより、層１１１のキャリア輸送性を容易に調整することができる。また、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。

【0381】

［混合材料の構成例２］
りん光発光物質を混合した材料を、ホスト材料に用いることができる。りん光発光物質は、発光物質として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。

【0382】

励起錯体を形成する材料を含む混合材料を、ホスト材料に用いることができる。例えば、形成される励起錯体の発光スペクトルが、発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なる材料を、ホスト材料に用いることができる。これにより、エネルギー移動がスムーズとなり、発光効率を向上することができる。または、駆動電圧を抑制することができる。

【0383】

励起錯体を形成する材料の少なくとも一方に、りん光発光物質を用いることができる。これにより、逆項間交差を利用することができる。または、三重項励起エネルギーを効率よく一重項励起エネルギーへ変換することができる。

【0384】

励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位以上であると好ましい。または、正孔輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位以上であると好ましい。これにより、効率よく励起錯体を形成することができる。なお、材料のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。具体的には、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定法を用いて、還元電位および酸化電位を測定することができる。

【0385】

なお、励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性を有する材料の発光スペクトル、電子輸送性を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（あるいは長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性を有する材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。

【0386】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

【0387】

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに適用可能な発光デバイス１５０の構成について、図２４Ａを参照しながら説明する。なお、発光デバイス１５０に用いることができる構成を、例えば、実施の形態１において説明する発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）または発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0388】

＜発光デバイス１５０の構成例＞
本実施の形態で説明する発光デバイス１５０は、電極１０１と、電極１０２と、ユニット１０３と、層１０４と、を有する。電極１０２は、電極１０１と重なる領域を備え、ユニット１０３は、電極１０１および電極１０２の間に挟まれる領域を備える。また、層１０４は、電極１０１およびユニット１０３の間に挟まれる領域を備える。なお、電極１０１に用いることができる構成を、例えば、実施の形態１において説明する電極５５１Ｂ（ｉ，ｊ）、電極５５１Ｇ（ｉ，ｊ）または電極５５１Ｒ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、層１０４に用いることができる構成を、例えば、実施の形態１において説明する層１０４Ｂ（ｊ）、層１０４Ｇ（ｊ）または層１０４Ｒ（ｊ）に用いることができる。

【0389】

＜電極１０１の構成例＞
例えば、導電性材料を電極１０１に用いることができる。具体的には、金属、合金、導電性化合物およびこれらの混合物などを、電極１０１に用いることができる。例えば、４．０ｅＶ以上の仕事関数を備える材料を好適に用いることができる。

【0390】

例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等を用いることができる。

【0391】

また、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いることができる。または、グラフェンを用いることができる。

【0392】

《層１０４の構成例１》
例えば、正孔注入性を有する材料を、層１０４に用いることができる。また、層１０４を正孔注入層ということができる。

【0393】

例えば、正孔移動度が、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００であるときに、１×１０^－３ｃｍ／Ｖｓ以下である材料を層１０４に用いることができる。また、１×１０^４［Ω・ｃｍ］以上１×１０^７［Ω・ｃｍ］以下の抵抗率を備える膜を、層１０４に用いることができる。また、好ましくは、層１０４は、５×１０^４［Ω・ｃｍ］以上１×１０^７［Ω・ｃｍ］以下の抵抗率を備え、より好ましくは、１×１０^５［Ω・ｃｍ］以上１×１０^７［Ω・ｃｍ］以下の抵抗率を備える。

【0394】

《層１０４の構成例２》
具体的には、アクセプタ性を有する物質を、層１０４に用いることができる。または、複数種の物質を含む複合材料を、層１０４に用いることができる。これにより、正孔を、例えば、電極１０１から注入しやすくすることができる。または、発光デバイス１５０の駆動電圧を小さくすることができる。

【0395】

［アクセプタ性を有する物質］
有機化合物および無機化合物を、アクセプタ性を有する物質に用いることができる。アクセプタ性を有する物質は、電界の印加により、隣接する正孔輸送層あるいは正孔輸送性を有する材料から電子を引き抜くことができる。

【0396】

例えば、電子吸引基（ハロゲン基またはシアノ基）を有する化合物を、アクセプタ性を有する物質に用いることができる。なお、アクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容易で成膜がしやすい。これにより、発光デバイス１５０の生産性を高めることができる。

【0397】

【0398】

特に、ＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。

【0399】

【0400】

【0401】

【0402】

【0403】

また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等を用いることができる。

【0404】

［複合材料の構成例１］
また、例えば、アクセプタ性を有する物質と正孔輸送性を有する材料を含む複合材料を層１０４に用いることができる。これにより、仕事関数が大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を電極１０１に用いることができる。または、仕事関数に依らず、広い範囲の材料から、電極１０１に用いる材料を選ぶことができる。

【0405】

例えば、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、ビニル基を有している芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）などを、複合材料の正孔輸送性を有する材料に用いることができる。また、正孔移動度が、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である材料を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。

【0406】

また、比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。具体的には、ＨＯＭＯ準位が－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下であると好ましい。これにより、ユニット１０３への正孔の注入を容易にすることができる。また、層１１２への正孔の注入を容易にすることができる。また、発光デバイス１５０の信頼性を向上することができる。

【0407】

【0408】

【0409】

【0410】

【0411】

【0412】

【0413】

【0414】

［複合材料の構成例２］
例えば、アクセプタ性を有する物質と、正孔輸送性を有する材料と、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物とを、含む複合材料を、正孔注入性を有する材料に用いることができる。特に、原子比率において、フッ素原子が２０％以上である複合材料を好適に用いることができる。これにより、層１０４の屈折率を低下することができる。または、発光デバイス１５０の内部に屈折率の低い層を形成することができる。または、発光デバイス１５０の外部量子効率を向上することができる。

【0415】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

【0416】

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに適用可能な発光デバイス１５０の構成について、図２４Ａを参照しながら説明する。なお、発光デバイス１５０に用いることができる構成を、例えば、実施の形態１において説明する発光デバイス５５０Ｂ（ｉ，ｊ）、発光デバイス５５０Ｇ（ｉ，ｊ）または発光デバイス５５０Ｒ（ｉ，ｊ）に用いることができる。

【0417】

＜発光デバイス１５０の構成例＞
本実施の形態で説明する発光デバイス１５０は、電極１０１と、電極１０２と、ユニット１０３と、層１０５と、を有する。電極１０２は、電極１０１と重なる領域を備え、ユニット１０３は、電極１０１および電極１０２の間に挟まれる領域を備える。また、層１０５は、ユニット１０３および電極１０２の間に挟まれる領域を備える。なお、例えば、実施の形態３において説明する構成を、ユニット１０３に用いることができる。また、電極１０２に用いることができる構成を、例えば、実施の形態１において説明する電極５５２Ｂ（ｊ）、電極５５２Ｇ（ｊ）または電極５５２Ｒ（ｊ）に用いることができる。また、層１０５に用いることができる材料を、例えば、実施の形態１において説明する層１０５Ｂ（ｊ）、層１０５Ｇ（ｊ）または層１０５Ｒ（ｊ）に用いることができる。

【0418】

＜電極１０２の構成例＞
例えば、導電性材料を電極１０２に用いることができる。具体的には、金属、合金、導電性化合物およびこれらの混合物などを、電極１０２に用いることができる。例えば、電極１０１より仕事関数が小さい材料を電極１０２に好適に用いることができる。具体的には、仕事関数が３．８ｅＶ以下である材料が好ましい。

【0419】

例えば、元素周期表の第１族に属する元素、元素周期表の第２族に属する元素、希土類金属およびこれらを含む合金を、電極１０２に用いることができる。

【0420】

具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）を、電極１０２に用いることができる。

【0421】

《層１０５の構成例》
例えば、電子注入性を有する材料を、層１０５に用いることができる。また、層１０５を電子注入層ということができる。

【0422】

具体的には、ドナー性を有する物質を、層１０５に用いることができる。または、ドナー性を有する物質と電子輸送性を有する材料を複合した材料を、層１０５に用いることができる。または、エレクトライドを、層１０５に用いることができる。これにより、電子を、例えば、電極１０２から注入しやすくすることができる。または、仕事関数が小さい材料だけでなく、仕事関数の大きい材料を電極１０２に用いることができる。または、仕事関数に依らず、広い範囲の材料から、電極１０２に用いる材料を選ぶことができる。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素または酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズなどを、電極１０２に用いることができる。または、発光デバイスの駆動電圧を小さくすることができる。

【0423】

［ドナー性を有する物質］
例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属またはこれらの化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩等）を、ドナー性を有する物質に用いることができる。または、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を、ドナー性を有する物質に用いることもできる。

【0424】

［複合材料の構成例１］
また、複数種の物質を複合した材料を、電子注入性を有する材料に用いることができる。例えば、ドナー性を有する物質と電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。

【0425】

【0426】

例えば、ユニット１０３に用いることができる電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。

【0427】

［複合材料の構成例２］
また、微結晶状態のアルカリ金属のフッ化物と電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。または、微結晶状態のアルカリ土類金属のフッ化物と電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。特に、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物を５０ｗｔ％以上含む複合材料を好適に用いることができる。または、ビピリジン骨格を有する有機化合物を含む複合材料を好適に用いることができる。これにより、層１０５の屈折率を低下することができる。または、発光デバイスの外部量子効率を向上することができる。

【0428】

［エレクトライド］
例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等を、電子注入性を有する材料に用いることができる。

【0429】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

【0430】

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに適用可能な発光デバイス１５０の構成について、図２５Ａを参照しながら説明する。

【0431】

図２５Ａは本発明の一態様の表示パネルに適用可能な発光デバイスの構成を説明する断面図である。

【0432】

＜発光デバイス１５０の構成例＞
また、本実施の形態で説明する発光デバイス１５０は、電極１０１と、電極１０２と、ユニット１０３と、層１０６と、を有する（図２５Ａ参照）。電極１０２は、電極１０１と重なる領域を備え、ユニット１０３は、電極１０１および電極１０２の間に挟まれる領域を備える。層１０６は、ユニット１０３および電極１０２の間に挟まれる領域を備える。

【0433】

《層１０６の構成例》
層１０６は、層１０６（１）および層１０６（２）を備える。層１０６（２）は、層１０６（１）および電極１０２の間に挟まれる領域を備える。

【0434】

《層１０６（１）の構成例》
例えば、電子輸送性を有する材料を層１０６（１）に用いることができる。また、層１０６（１）を電子リレー層ということができる。層１０６（１）を用いると、層１０６（１）の陽極側に接する層を、層１０６（１）の陰極側に接する層から遠ざけることができる。層１０６（１）の陽極側に接する層と、層１０６（１）の陰極側に接する層の間の相互作用を軽減することができる。層１０６（１）の陽極側に接する層に電子をスムーズに供給することができる。

【0435】

層１０６（１）の陽極側に接する層に含まれるアクセプタ性を有する物質のＬＵＭＯ準位と、層１０６（１）の陰極側と接する層に含まれる物質のＬＵＭＯ準位の間に、ＬＵＭＯ準位を備える物質を、層１０６（１）に好適に用いることができる。

【0436】

例えば、－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を備える材料を、層１０６（１）に用いることができる。

【0437】

具体的には、フタロシアニン系の材料を層１０６（１）に用いることができる。または、金属－酸素結合および芳香族配位子を有する金属錯体を層１０６（１）に用いることができる。

【0438】

《層１０６（２）の構成例》
例えば、電圧を加えることにより、陽極側に電子を供給し、陰極側に正孔を供給する材料を、層１０６（２）に用いることができる。具体的には、陽極側に配置されるユニット１０３に電子を供給することができる。また、層１０６（２）を電荷発生層ということができる。

【0439】

具体的には、層１０４に用いることができる正孔注入性を有する材料を層１０６（２）に用いることができる。例えば、複合材料を層１０６（２）に用いることができる。または、例えば、当該複合材料を含む膜と、正孔輸送性を有する材料を含む膜を積層した積層膜を、層１０６（２）に用いることができる。

【0440】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

【0441】

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルに適用可能な発光デバイス１５０の構成について、図２５Ｂおよび図２９を参照しながら説明する。

【0442】

図２５Ｂは、図２５Ａに図示する構成とは異なる構成を備える本発明の一態様の表示パネルに適用可能な発光デバイスの構成を説明する断面図である。

【0443】

図２９は、図２５Ｂに図示する構成とは異なる構成を備える本発明の一態様の表示パネルに適用可能な発光デバイスの構成を説明する断面図である。

【0444】

＜発光デバイス１５０の構成例１＞
本実施の形態で説明する発光デバイス１５０は、電極１０１と、電極１０２と、ユニット１０３と、層１０６と、ユニット１０３（１２）と、を有する（図２５Ｂ参照）。電極１０２は、電極１０１と重なる領域を備え、ユニット１０３は、電極１０１および電極１０２の間に挟まれる領域を備え、層１０６は、ユニット１０３および電極１０２の間に挟まれる領域を備える。また、ユニット１０３（１２）は、層１０６および電極１０２の間に挟まれる領域を備え、ユニット１０３（１２）は、光ＥＬ１（２）を射出する機能を備える。

【0445】

なお、層１０６および複数のユニットを備える構成を、積層型の発光デバイスまたはタンデム型の発光デバイスという場合がある。これにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度の発光を得ることができる。または、信頼性を向上することができる。または、同一の輝度で比較して駆動電圧を低減することができる。または、消費電力を抑制することができる。

【0446】

《ユニット１０３（１２）の構成例》
ユニット１０３に用いることができる構成を、ユニット１０３（１２）に用いることができる。言い換えると、発光デバイス１５０は、積層された複数のユニットを有する。なお、積層された複数のユニットの数は２に限られず、３以上のユニットを積層することができる。

【0447】

ユニット１０３と同一の構成をユニット１０３（１２）に用いることができる。または、ユニット１０３とは異なる構成をユニット１０３（１２）に用いることができる。

【0448】

例えば、ユニット１０３の発光色とは発光色が異なる構成を、ユニット１０３（１２）に用いることができる。具体的には、赤色の光および緑色の光を射出するユニット１０３と、青色の光を射出するユニット１０３（１２）を用いることができる。これにより、所望の色の光を射出する発光デバイスを提供することができる。例えば、白色の光を射出する発光デバイスを提供することができる。

【0449】

《層１０６の構成例》
層１０６は、ユニット１０３またはユニット１０３（１２）の一方に電子を供給し、他方に正孔を供給する機能を備える。例えば、実施の形態６で説明する層１０６を用いることができる。

【0450】

＜発光デバイス１５０の構成例２＞
本実施の形態で説明する発光デバイス１５０は、電極１０１と、電極１０２と、ユニット１０３と、層１０６と、ユニット１０３（１２）と、ユニット１０３（１３）と、層１０５（１２）と、層１０５（１３）と、層１０６（１３）とを有する（図２９参照）。

【0451】

なお、層１０６およびユニット１０３（１２）の間に、ユニット１０３（１３）、層１０５（１３）および層１０６（１３）を備える点が、図２５Ｂを用いて説明する発光デバイス１５０とは異なる。

【0452】

層１１１は光ＥＬ１を射出する機能を備え、層１１１（１２）は光ＥＬ１（２）を射出する機能を備え、層１１１（１３）は光ＥＬ１（３）を射出する機能を備え、層１１１（１４）は光ＥＬ１（４）を射出する機能を備える。

【0453】

例えば、青色の光を発する発光性の材料を層１１１および層１１１（１２）に用いることができる。また、例えば、黄色の光を発する発光性の材料を層１１１（１３）に用いることができる。また、例えば、赤色の光を発する発光性の材料を層１１１（１４）に用いることができる。

【0454】

例えば、ユニット１０３に用いることができる構成をユニット１０３（１３）に用いることができ、層１０５に用いることができる構成を層１０５（１２）および層１０５（１３）に用いることができ、層１０６に用いることができる構成を層１０６（１３）に用いることができる。

【0455】

＜発光デバイス１５０の製造方法＞
例えば、乾式法、湿式法、蒸着法、液滴吐出法、塗布法または印刷法等を用いて、電極１０１、電極１０２、ユニット１０３、層１０６、およびユニット１０３（１２）の各層を形成することができる。また、異なる方法を各構成の形成に用いることができる。

【0456】

具体的には、真空蒸着装置、インクジェット装置、スピンコーターなどのコーティング装置、グラビア印刷装置、オフセット印刷装置、スクリーン印刷装置などを用いて発光デバイス１５０を作製することができる。

【0457】

例えば、金属材料のペーストを用いる湿式法またはゾル－ゲル法を用いて、電極を形成することができる。また、酸化インジウムに対し１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いて、スパッタリング法により、酸化インジウム－酸化亜鉛膜を形成することができる。また、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、酸化亜鉛を０．１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下含有したターゲットを用いて、スパッタリング法により酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）膜を形成することができる。

【0458】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

【0459】

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図２６乃至図２８を参照しながら説明する。

【0460】

図２６乃至図２８は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図２６Ａは情報処理装置のブロック図であり、図２６Ｂ乃至図２６Ｅは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図２７Ａ乃至図２７Ｅは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図２８Ａおよび図２８Ｂは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。

【0461】

＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０と、を有する（図２６Ａ参照）。

【0462】

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。

【0463】

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。

【0464】

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。

【0465】

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５２４０に用いることができる。

【0466】

表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。

【0467】

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。

【0468】

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。

【0469】

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。

【0470】

《情報処理装置の構成例１》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図２６Ｂ参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。

【0471】

《情報処理装置の構成例２》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図２６Ｃ参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。

【0472】

《情報処理装置の構成例３》
他の装置から情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図２６Ｄ参照）。または、いくつかの選択肢を表示できる。または、使用者は選択肢からいくつかを選択し、当該情報の送信元に返信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、例えば、携帯型電子機器の消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像を携帯型電子機器に表示することができる。

【0473】

《情報処理装置の構成例４》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図２６Ｅ参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面、上面および背面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。

【0474】

《情報処理装置の構成例５》
例えば、インターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図２７Ａ参照）。または、作成したメッセージを表示部５２３０で確認することができる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。

【0475】

《情報処理装置の構成例６》
リモートコントローラーを入力部５２４０に用いることができる（図２７Ｂ参照）。または、例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、検知部５２５０を用いて使用者を撮影できる。または、使用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。

【0476】

《情報処理装置の構成例７》
例えば、インターネットから教材を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図２７Ｃ参照）。または、入力部５２４０を用いて、レポートを入力し、インターネットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果または評価を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、評価に基づいて、好適な教材を選択し、表示できる。

【0477】

例えば、他の情報処理装置から画像信号を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、スタンドなどに立てかけて、表示部５２３０をサブディスプレイに用いることができる。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。

【0478】

《情報処理装置の構成例８》
情報処理装置は、例えば、複数の表示部５２３０を備える（図２７Ｄ参照）。例えば、検知部５２５０で撮影しながら表示部５２３０に表示することができる。または、撮影した映像を検知部に表示することができる。または、入力部５２４０を用いて、撮影した映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インターネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を備える。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。

【0479】

《情報処理装置の構成例９》
例えば、他の情報処理装置をスレイブに用い、本実施の形態の情報処理装置をマスターに用いて、他の情報処理装置を制御することができる（図２７Ｅ参照）。または、例えば、画像情報の一部を表示部５２３０に表示し、画像情報の他の一部を他の情報処理装置の表示部に表示することができる。画像信号を供給することができる。または、通信部５２９０を用いて、他の情報処理装置の入力部から書き込む情報を取得できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領域を利用することができる。

【0480】

《情報処理装置の構成例１０》
情報処理装置は、例えば、加速度または方位を検知する検知部５２５０を備える（図２８Ａ参照）。または、検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成することができる。または、表示部５２３０は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を備える。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、ゴーグル型の情報処理装置に表示することができる。

【0481】

《情報処理装置の構成例１１》
情報処理装置は、例えば、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部５２５０を備える（図２８Ｂ参照）。または、検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これにより、例えば、現実の風景に情報を添付して表示することができる。または、拡張現実空間の映像を、めがね型の情報処理装置に表示することができる。

【0482】

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

【符号の説明】

【0483】

ＡＮＯ：導電膜、ＣＦＢ：着色層、ＣＦＧ：着色層、ＣＦＲ：着色層、ＣＦＳ：間隙、Ｃ２１：容量、Ｃ２２：容量、Ｇ１：導電膜、Ｇ２：導電膜、Ｍ２１：トランジスタ、Ｎ２１：ノード、Ｎ２２：ノード、Ｓ１ｇ：導電膜、Ｓ２ｇ：導電膜、ＳＷ２１：スイッチ、ＳＷ２２：スイッチ、ＳＷ２３：スイッチ、ＶＣＯＭ２：導電膜、ＷＬ１：側壁、ＷＬ２：側壁、１０１：電極、１０２：電極、１０３：ユニット、１０３Ｂ：ユニット、１０３Ｂ２：ユニット、１０３Ｇ：ユニット、１０３Ｇ２：ユニット、１０３Ｒ：ユニット、１０３Ｒ２：ユニット、１０４：層、１０４Ｂ：層、１０４Ｇ：層、１０４Ｒ：層、１０４Ｓ：間隙、１０５：層、１０５Ｂ：層、１０５Ｇ：層、１０５Ｒ：層、１０６：層、１０６（１）：層、１０６（２）：層、１０６（１３）：層、１０６Ｂ：中間層、１０６Ｇ：中間層、１０６Ｒ：中間層、１０６Ｓ：間隙、１１１：層、１１１Ｂ：層、１１１Ｇ：層、１１１Ｒ：層、１１２：層、１１３：層、１５０：発光デバイス、２３１：表示領域、５０１Ｃ：絶縁膜、５０１Ｄ：絶縁膜、５０４：導電膜、５０６：絶縁膜、５０８：半導体膜、５０８Ａ：領域、５０８Ｂ：領域、５０８Ｃ：領域、５１０：基材、５１２Ａ：導電膜、５１２Ｂ：導電膜、５１６：絶縁膜、５１６Ａ：絶縁膜、５１６Ｂ：絶縁膜、５１８：絶縁膜、５１９Ｂ：端子、５２０：機能層、５２０Ｔ：領域、５２４：導電膜、５２８：隔壁、５２８Ｂ：開口部、５２８Ｇ：開口部、５２８Ｒ：開口部、５５０Ｂ：発光デバイス、５５０Ｇ：発光デバイス、５５０Ｒ：発光デバイス、５５１Ｂ：電極、５５１Ｇ：電極、５５１Ｒ：電極、５５２：電極、５５２Ｂ：電極、５５２Ｇ：電極、５５２Ｒ：電極、５７３：絶縁膜、５７３Ａ：絶縁膜、５７３Ｂ：絶縁膜、５７３Ｃ：絶縁膜、５７３Ｄ：絶縁膜、５７３Ｅ：絶縁膜、５７３Ｆ：絶縁膜、５９１Ｂ：開口部、５９１Ｇ：開口部、７００：表示パネル、７０５：絶縁層、７７０：基材、１０３２：ユニット、５２００Ｂ：情報処理装置、５２１０：演算装置、５２２０：入出力装置、５２３０：表示部、５２４０：入力部、５２５０：検知部、５２９０：通信部

【図1】