特許7498902IP Force 特許公報全文掲載

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半導体装置や電子機器等の製造等に有用なサファイア基板の表面処理方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、工業的有利に、サファイア基板の表面を改質する表面処理方法を提供することを目的の1つとする。また、本発明はより安全なサファイア基板の表面処理方法を提供することを目的の1つとする。さらに、高品質な結晶膜を得ることが出来るように、サファイア基板の表面を改質する表面処理方法を提供することを目的の1つとする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者らは、目的を達成すべく鋭意検討した結果、サファイア基板を、表面処理剤を用いて表面処理する方法であって、前記表面処理剤がハロゲン化水素酸を少なくとも含む、サファイア基板の表面処理方法により、工業的有利に、高品質な結晶膜を得ることが出来る下地基板として有用なサファイア基板が得られることを知見した。また、このようなサファイア基板の表面処理方法が、した従来の問題を一挙に解決できるもの・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明のサファイア基板の表面処理方法によれば、工業的有利に、高品質な結晶膜を得ることが出来るように、サファイア基板の表面を改質する表面処理方法を提供することができる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施例において用いた表面処理装置の概略構成図である。
【図2】 実施例における表面処理前の潜傷を、顕微鏡を用いて観察した結果を示す。
【図3】 実施例における、表面処理後の顕微鏡像を示す図である。
【図4】 実施例として、表面処理剤として臭化水素酸を用いた場合の対象物のエッチング量とエッチング条件との関係を示す。
【図5】 実施例として、表面処理剤としてヨウ化水素酸を用いた場合の対象物のエッチング量とエッチング条件との関係を示す。

代表図 図1本件の代表的な図

１９ 表面処理装置 ２０ 対象物 ２２ａ キャリアガス供給源 ２２ｂ キャリアガス（希釈）供給源 ２３ａ 流量調節弁 ２３ｂ 流量調節弁 ２４ ミスト発生源 ２４ａ エッチング液 ２４ｂ 霧化液滴 ２５ 容器 ２５ａ 水 ２６ 超音波振動子 ２７ 供給管 ２８ ヒーター（ホットプレート） ３０ 処理室

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