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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-06-05
(45)【発行日】2024-06-13
(54)【発明の名称】電気接点部材およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
C25D 15/02 20060101AFI20240606BHJP
C23C 18/31 20060101ALI20240606BHJP
C23C 18/32 20060101ALI20240606BHJP
C23C 18/50 20060101ALI20240606BHJP
C23C 18/52 20060101ALI20240606BHJP
C23C 28/00 20060101ALI20240606BHJP
H01R 13/03 20060101ALI20240606BHJP
【ＦＩ】
C25D15/02 F
C23C18/31 A
C23C18/32
C23C18/50
C23C18/52 A
C23C28/00 B
H01R13/03 D
【請求項の数】
2
(21)【出願番号】P 2021204988
(22)【出願日】2021-12-17
(65)【公開番号】P2023090169
(43)【公開日】2023-06-29
【審査請求日】2022-10-31
(73)【特許権者】
【識別番号】591065549
【氏名又は名称】福岡県
(73)【特許権者】
【識別番号】512110307
【氏名又は名称】株式会社九州電化
(74)【代理人】
【識別番号】100197642
【弁理士】
【氏名又は名称】南瀬 透
(74)【代理人】
【識別番号】100099508
【弁理士】
【氏名又は名称】加藤 久
(74)【代理人】
【識別番号】100182567
【弁理士】
【氏名又は名称】遠坂 啓太
(74)【代理人】
【識別番号】100219483
【弁理士】
【氏名又は名称】宇野 智也
(72)【発明者】
【氏名】中野 賢三
(72)【発明者】
【氏名】古賀 弘毅
(72)【発明者】
【氏名】▲吉▼田 智博
(72)【発明者】
【氏名】吉村 浩司
(72)【発明者】
【氏名】中野 寛文
(72)【発明者】
【氏名】山元 亮平
(72)【発明者】
【氏名】淵上 貴也
【審査官】黒木 花菜子
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１４－１６４９６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特許第４９９９０７２（ＪＰ，Ｂ２）
【文献】特開２０２０－１５２９２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－０４２３９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－２５７４６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１８／２２１０８７（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２５Ｄ １５／０２
Ｃ２３Ｃ １８／３１
Ｃ２３Ｃ １８／３２
Ｃ２３Ｃ １８／５０
Ｃ２３Ｃ １８／５２
Ｃ２３Ｃ ２８／００
Ｈ０１Ｒ １３／０３
ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＭＥＤＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）
Ｓｃｏｐｕｓ
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
導電性炭素粒子と陽イオン界面活性剤とを含む水分散液中に、被めっき物と陽極とを浸漬させ、前記被めっき物と前記陽極との間に電圧を印加して、前記被めっき物の表面に前記導電性炭素粒子を堆積させる第１工程と、前記導電性炭素粒子が表面に堆積した前記被めっき物に、ニッケルまたはニッケル合金を析出させる無電解めっき処理を行って、前記被めっき物上に、前記ニッケルまたはニッケル合金と、前記導電性炭素粒子とを含有する複合ニッケルめっき膜を形成する第２工程と、を有する、電気接点部材の製造方法。
【請求項2】
前記被めっき物が、導電性基材と、前記導電性基材の上に形成された下地金属層とを有し、前記第１工程において、前記下地金属層の表面に前記導電性炭素粒子を堆積させる、請求項１に記載の電気接点部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気接点部材およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、国際的な環境保全の取り組みとして、温室効果ガスである二酸化炭素（ＣＯ2）の削減が必要とされている。また、日本政府においても「２０５０年カーボンニュートラル」におけるグリーン成長戦略を策定しており、成長が期待される１４分野でＣＯ2を削減する技術が求められている。そのため、ＩｏＴやＤＸが推進され、電気・電子部品の需要が高まっている。また、ＣＯ2を生成しない電池として水素燃料電池の利用拡大が見込まれる。
【0003】
このような中、電気・電子部品や水素燃料電池に用いられる電気接点の表面処理には、接触抵抗が低く、高温高湿条件で化学的に安定なＡｕめっきが使用されている。しかし、Ａｕ自体の原価が高いことから、Ａｕめっきに代わる安価な表面処理が望まれている。Ａｕ代替めっきとしては、ＰｄやＲｕなどの貴金属めっきが検討されているものの、接触抵抗や化学的安定性、生産コストは十分ではなかった。
【0004】
上記の課題のうち、生産コストや低接触抵抗について解決するため、カーボンなどの導電性材料をめっき金属に組み込む複合めっきが検討されている。
【0005】
特許文献１では、電子部品の端子・コネクタ、スイッチ材料用として、Ｓｎ、Ａｇまたはその合金中に黒鉛を含有させた複合めっきが提案されている。
【0006】
特許文献２では、少なくとも電池ケース内側になる面に、黒鉛を分散した黒鉛分散ニッケルめっき層が形成されている電池ケース用表面処理鋼板が提案されている。
【0007】
非特許文献１では、無電解Ｎｉ－Ｂめっき中に黒鉛を複合化させ、膜の硬さ、摩擦摩耗特性、接触電気抵抗について検討している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【文献】特開２０１２－０５７２１２号公報
【文献】国際公開第００／０５４３７号
【非特許文献】
【0009】
【文献】表面技術，一般社団法人 表面技術協会，1993 年，第44 巻，第11 号 ，p. 961-965
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
しかしながら、従来、複合めっき膜において、化学的安定性は十分に検討されてはいなかった。特に、高温高湿下での接触抵抗については着目されておらず、高温高湿下での接触抵抗に関しては十分に検討されていなかった。
【0011】
かかる状況下、本発明は、接触抵抗が低く、化学的に安定な、複合ニッケルめっき膜を有する電気接点部材およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、下記の発明が上記目的に合致することを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明は、以下の発明に係るものである。
すなわち、本発明は、以下の発明に係るものである。
【0013】
＜１＞ 被めっき物と、前記被めっき物の上に形成された複合ニッケルめっき膜と、を有し、前記複合ニッケルめっき膜が、ニッケルまたはニッケル合金と、前記ニッケルまたはニッケル合金中に分散した導電性炭素粒子とを含有し、前記複合ニッケルめっき膜の表面における前記導電性炭素粒子の面積率が２０面積％以上である、電気接点部材。
＜２＞ 前記複合ニッケルめっき膜の表面における前記導電性炭素粒子の含有率が１０質量％以上である、前記＜１＞に記載の電気接点部材。
＜３＞ 前記ニッケルまたはニッケル合金が、ニッケルとリンを含むニッケルリン合金である、前記＜１＞または＜２＞に記載の電気接点部材。
＜４＞ 前記導電性炭素粒子が、黒鉛である、前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電気接点部材。
＜５＞ 前記被めっき物が、導電性基材と、前記導電性基材の上に形成された下地金属層とを有し、前記下地金属層の上に前記複合ニッケルめっき膜が形成された、前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の電気接点部材。
＜２＞ 前記複合ニッケルめっき膜の表面における前記導電性炭素粒子の含有率が１０質量％以上である、前記＜１＞に記載の電気接点部材。
＜３＞ 前記ニッケルまたはニッケル合金が、ニッケルとリンを含むニッケルリン合金である、前記＜１＞または＜２＞に記載の電気接点部材。
＜４＞ 前記導電性炭素粒子が、黒鉛である、前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電気接点部材。
＜５＞ 前記被めっき物が、導電性基材と、前記導電性基材の上に形成された下地金属層とを有し、前記下地金属層の上に前記複合ニッケルめっき膜が形成された、前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の電気接点部材。
【0014】
＜６＞ 導電性炭素粒子と陽イオン界面活性剤とを含む水分散液中に、被めっき物と陽極とを浸漬させ、前記被めっき物と前記陽極との間に電圧を印加して、前記被めっき物の表面に前記導電性炭素粒子を堆積させる第１工程と、前記導電性炭素粒子が表面に堆積した前記被めっき物に、ニッケルまたはニッケル合金を析出させる無電解めっき処理を行って、前記被めっき物上に、前記ニッケルまたはニッケル合金と、前記導電性炭素粒子とを含有する複合ニッケルめっき膜を形成する第２工程と、を有する、電気接点部材の製造方法。
＜７＞ 前記被めっき物が、導電性基材と、前記導電性基材の上に形成された下地金属層とを有し、前記第１工程において、前記下地金属層の表面に前記導電性炭素粒子を堆積させる、前記＜６＞に記載の電気接点部材の製造方法。
＜７＞ 前記被めっき物が、導電性基材と、前記導電性基材の上に形成された下地金属層とを有し、前記第１工程において、前記下地金属層の表面に前記導電性炭素粒子を堆積させる、前記＜６＞に記載の電気接点部材の製造方法。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、接触抵抗が低く、化学的に安定な、複合ニッケルめっき膜有する電気接点部材およびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の電気接点部材の模式図である。
【図2】本発明の電気接点部材の模式図である。
【図3】実施例１の供試体の断面のＳＥＭ画像である。
【図4】実施例１の供試体のめっき膜の表面のＳＥＭ画像である。
【図5】実施例２の供試体のめっき膜の表面のＳＥＭ画像である。
【図6】実施例３の供試体のめっき膜の表面のＳＥＭ画像である。
【図7】比較例１の供試体のめっき膜の表面のＳＥＭ画像である。
【図8】比較例２の供試体のめっき膜の表面のＳＥＭ画像である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を変更しない限り、以下の内容に限定されない。なお、本明細書において「～」という表現を用いる場合、その前後の数値又は物性値を含む表現として用いるものとする。
【0018】
＜電気接点部材＞
本発明は、被めっき物と、被めっき物の上に形成された複合ニッケルめっき膜と、を有し、複合ニッケルめっき膜が、ニッケルまたはニッケル合金と、ニッケルまたはニッケル合金中に分散した導電性炭素粒子とを含有し、複合ニッケルめっき膜の表面における導電性炭素粒子の面積率が２０面積％以上である、電気接点部材（以下、「本発明の電気接点部材」と記載する場合がある。）に関するものである。
本発明は、被めっき物と、被めっき物の上に形成された複合ニッケルめっき膜と、を有し、複合ニッケルめっき膜が、ニッケルまたはニッケル合金と、ニッケルまたはニッケル合金中に分散した導電性炭素粒子とを含有し、複合ニッケルめっき膜の表面における導電性炭素粒子の面積率が２０面積％以上である、電気接点部材（以下、「本発明の電気接点部材」と記載する場合がある。）に関するものである。
【0019】
＜電気接点部材の製造方法＞
本発明は、導電性炭素粒子と陽イオン界面活性剤とを含む水分散液中に、被めっき物と陽極とを浸漬させ、被めっき物と陽極との間に電圧を印加して、被めっき物の表面に導電性炭素粒子を堆積させる第１工程と、導電性炭素粒子が表面に堆積した被めっき物に、ニッケルまたはニッケル合金を析出させる無電解めっき処理を行って、被めっき物上に、ニッケルまたはニッケル合金と、導電性炭素粒子とを含有する複合ニッケルめっき膜を形成する第２工程と、を有する、電気接点部材の製造方法（以下、「本発明の電気接点部材の製造方法」と記載する場合がある。）に関するものである。
本発明は、導電性炭素粒子と陽イオン界面活性剤とを含む水分散液中に、被めっき物と陽極とを浸漬させ、被めっき物と陽極との間に電圧を印加して、被めっき物の表面に導電性炭素粒子を堆積させる第１工程と、導電性炭素粒子が表面に堆積した被めっき物に、ニッケルまたはニッケル合金を析出させる無電解めっき処理を行って、被めっき物上に、ニッケルまたはニッケル合金と、導電性炭素粒子とを含有する複合ニッケルめっき膜を形成する第２工程と、を有する、電気接点部材の製造方法（以下、「本発明の電気接点部材の製造方法」と記載する場合がある。）に関するものである。
【0020】
本発明者らは、めっき膜の表面に露出した導電性炭素粒子の量に着目した。導電性炭素粒子は、化学的安定性が高く、金属に比べ酸化されにくいため、導電性炭素粒子がめっき膜表面に高密度に露出した構造とすることで、高温高湿環境においても接触抵抗が増加しにくい複合めっき膜とできると考え、鋭意研究した。しかしながら、あらかじめ導電性炭素粒子を分散させためっき浴を用いて無電解めっき処理を行ったところ、めっき膜への導電性炭素粒子の取り込み量が少なく、めっき膜表面に導電性炭素粒子が高密度に露出した構造は得られなかった。めっき膜への導電性炭素粒子の取り込み量を増やすためにめっき浴への導電性炭素粒子の添加量を増やすと、凝集沈殿する等の問題があることがわかった。また、導電性炭素粒子を分散させためっき浴を用いて電解めっき処理する方法では、めっき膜に接触した導電性炭素粒子上にめっきが成長し、突起状のめっきになり、導電性炭素粒子がめっき膜の表面に露出しにくいという問題があることがわかった。そのため、めっき膜への導電性炭素粒子の取り込み量を増やしても、めっき膜の表面における導電性炭素粒子の量を増やすことは困難であった。
【0021】
さらに研究を重ねた結果、陽イオン界面活性剤により導電性炭素粒子を分散させた水溶液中で、電気泳動により黒鉛を陰極表面に高密度に堆積した後、無電解めっきにより析出させたニッケル合金で導電性炭素粒子間隙を埋めながらめっき膜を形成させることで、めっき膜表面に導電性炭素粒子が高密度に露出した構造体を得られることが分かった。また、この構造体は、高温高湿試験においても接触抵抗が増加しにくいことがわかった。本発明は、これらの知見に基づくものである。
【0022】
ニッケルまたはニッケル合金の表面酸化が進むと、酸化ニッケルは抵抗が高いため、導電性炭素粒子が導電パスとなる。複合ニッケルめっき膜の表面において導電性炭素粒子が少なすぎると、導電パスが少なくなり、ニッケルまたはニッケル合金の表面酸化により抵抗が増加しやすくなる。特に、高温高湿下では、ニッケルまたはニッケル合金が表面酸化されやすいため、抵抗が増加しやすくなる。本発明の電気接点部材は、複合ニッケルめっき膜の表面における導電性炭素粒子の面積率が２０面積％以上であり、化学的安定性が高く、金属に比べて酸化されにくい導電性炭素粒子が表面に高密度に露出した構造となる。このため、接触抵抗が低く、化学的安定性に優れたものとできる。このような本発明の電気接点部材は、本発明の電気接点部材の製造方法により好適に得ることができる。
【0023】
特に、本発明の電気接点部材は、高温高湿下においても接触抵抗が増加しにくく、化学的安定性に優れるものとすることができる。
【0024】
以下、本発明の電気接点部材および本発明の電気接点部材の製造方法について、より詳しく説明する。
【0025】
＜電気接点部材＞
図１は、本発明の電気接点部材の一例を示す模式図である。図１に示すように、電気接点部材１は、ニッケルまたはニッケル合金１２と、ニッケルまたはニッケル合金１２中に分散した導電性炭素粒子１４を含有する複合ニッケルめっき膜１０と、被めっき物２０と、を有する。
図１は、本発明の電気接点部材の一例を示す模式図である。図１に示すように、電気接点部材１は、ニッケルまたはニッケル合金１２と、ニッケルまたはニッケル合金１２中に分散した導電性炭素粒子１４を含有する複合ニッケルめっき膜１０と、被めっき物２０と、を有する。
【0026】
［複合ニッケルめっき膜１０］
本発明の電気接点部材を構成する複合ニッケルめっき膜１０は、被めっき物２０の上に形成された膜であり、ニッケルまたはニッケル合金１２と、導電性炭素粒子１４とを主体とする膜である。複合ニッケルめっき膜１０の厚さは、導電性炭素粒子１４の大きさや、使用用途等に応じて適宜選択されるものである。例えば、０．５～２０μｍや、１～１０μｍ、１～５μｍなどとすることができる。なお、複合ニッケルめっき膜１０の厚さは、ニッケルまたはニッケル合金１２のめっきの厚みであり、導電性炭素粒子１４の一部はこの厚みより露出している部分もある。
本発明の電気接点部材を構成する複合ニッケルめっき膜１０は、被めっき物２０の上に形成された膜であり、ニッケルまたはニッケル合金１２と、導電性炭素粒子１４とを主体とする膜である。複合ニッケルめっき膜１０の厚さは、導電性炭素粒子１４の大きさや、使用用途等に応じて適宜選択されるものである。例えば、０．５～２０μｍや、１～１０μｍ、１～５μｍなどとすることができる。なお、複合ニッケルめっき膜１０の厚さは、ニッケルまたはニッケル合金１２のめっきの厚みであり、導電性炭素粒子１４の一部はこの厚みより露出している部分もある。
【0027】
（ニッケルまたはニッケル合金１２）
複合ニッケルめっき膜１０は、ニッケルまたはニッケル合金１２を含む。ニッケルまたはニッケル合金１２は、硬さや耐摩耗性に優れ、安価であり、無電解めっきを利用することで均一性の高い膜を形成させることができる。
複合ニッケルめっき膜１０は、ニッケルまたはニッケル合金１２を含む。ニッケルまたはニッケル合金１２は、硬さや耐摩耗性に優れ、安価であり、無電解めっきを利用することで均一性の高い膜を形成させることができる。
【0028】
ニッケルまたはニッケル合金１２は、ニッケル単体、または、ニッケルとニッケル以外の元素を含むニッケルを主体とする（ニッケルを５０質量％以上含む）合金である。ニッケル合金としては、ニッケル（Ｎｉ）と、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、コバルト（Ｃｏ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）およびスズ（Ｓｎ）からなる群から選択される１以上とを含むニッケル合金などが挙げられる。ニッケルまたはニッケル合金１２は、ニッケルと、リンおよび／またはホウ素とを含むニッケル合金であることが好ましく、ニッケルとリンとを含むニッケルリン合金（ＮｉＰ合金）であることがより好ましい。リンを含むことで、めっき膜は、耐食性に優れ、高温高湿環境下で表面酸化膜の膜厚が厚くなりにくい。
【0029】
（導電性炭素粒子１４）
複合ニッケルめっき膜１０は、導電性炭素粒子１４を含む。導電性炭素粒子１４は、ニッケルまたはニッケル合金１２中に分散している。また、導電性炭素粒子１４の一部は複合ニッケルめっき膜１０の表面に露出しており、複合ニッケルめっき膜１０の表面において、導電性炭素粒子１４は点在（分散）している。
複合ニッケルめっき膜１０は、導電性炭素粒子１４を含む。導電性炭素粒子１４は、ニッケルまたはニッケル合金１２中に分散している。また、導電性炭素粒子１４の一部は複合ニッケルめっき膜１０の表面に露出しており、複合ニッケルめっき膜１０の表面において、導電性炭素粒子１４は点在（分散）している。
【0030】
導電性炭素粒子１４としては、黒鉛、グラフェン、カーボンブラック、カーボンナノチューブなどが挙げられる。中でも、安価で、低接触抵抗であり、化学的安定性に優れるため、黒鉛が好ましい。
【0031】
黒鉛は、鱗状黒鉛、鱗片状黒鉛、球状黒鉛、膨張黒鉛、膨張化黒鉛、土状黒鉛などの天然黒鉛や、人造黒鉛などが挙げられ、人造黒鉛が好ましい。
【0032】
導電性炭素粒子１４の形状は特に限定されないが、非球状であることが好ましい。非球状のものを用いることで接地面積を大きくし、被めっき物との接着力を大きくすることができる。球状の導電性炭素粒子１４は、被めっき物から脱落しやすい傾向にある。なお、非球状とは、真球状以外の形状であり、鱗片状、針状、無定形などの形状である。非球状の導電性炭素粒子１４は、例えば、導電性炭素粒子の最大径（長径）を最小径（短径）で除した値が１．２以上（最大径／最小径＞１．２）である。
【0033】
導電性炭素粒子１４の平均粒径は、０．０１μｍ以上が好ましく、０．１μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、１μｍ以上がさらに好ましい。また、導電性炭素粒子１４の平均粒径は、２０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましい。導電性炭素粒子１４が大きすぎると、複合ニッケルめっき膜１０の膜厚が厚くなり、不経済である。また、導電性炭素粒子１４が小さすぎると、他の導電性炭素粒子と連結していない導電性炭素粒子が多くなり、ニッケルと炭素との複合化の効果が発揮されにくく、高温高湿下での複合ニッケルめっき膜１０の化学的安定性が低下する傾向にある。なお、導電性炭素粒子１４の粒径は、球状である場合はその直径であり、非球状である場合はその最大径である。導電性炭素粒子１４の平均粒径は、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による部材の断面画像から求めることができ、１００個の導電性炭素粒子１４の平均値として算出することができる。
【0034】
（複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率）
複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率は２０面積％以上である。このように複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率が高い構成であるため、抵抗が増加しにくく、化学的な安定性に優れたものにできる。複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率は、３０面積％以上が好ましく、３５面積％以上がより好ましい。複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率が小さすぎると、化学的安定性が低下する傾向にある。また、複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率の上限は特に制限はないが、９０面積％以下や、８０面積％以下、７０面積％以下、６０面積％以下などとすることができる。
複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率は２０面積％以上である。このように複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率が高い構成であるため、抵抗が増加しにくく、化学的な安定性に優れたものにできる。複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率は、３０面積％以上が好ましく、３５面積％以上がより好ましい。複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率が小さすぎると、化学的安定性が低下する傾向にある。また、複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率の上限は特に制限はないが、９０面積％以下や、８０面積％以下、７０面積％以下、６０面積％以下などとすることができる。
【0035】
なお、複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による複合ニッケルめっき膜１０の表面観察により得られる組成像（ＣＯＭＰＯ像）における導電性炭素粒子１４の面積の割合であり、組成像を画像解析ソフトにより解析し算出した導電性炭素粒子１４の総面積を組成像全体の面積で除した値の百分率である。具体的には、まず、走査型電子顕微鏡によりめっき膜の表面の組成像を取得する。撮影は、適切な観察領域となるように導電性炭素粒子１４の平均粒径に応じて観察倍率を調整して行えばよく、例えば、５００倍の倍率で組成像（面積１７２μｍ×２４０μｍ）を撮影する。次いで、組成像をＥＤＸの画像解析ソフト（ＧＥＮＥＳＩＳ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）により二値化処理し、黒色領域の面積を導電性炭素粒子１４の面積として算出する。算出された黒色領域の総面積と組成像全体の面積を用いて、複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の面積率を求めることができる。
【0036】
（複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の含有率）
複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の含有率は１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上がさらに好ましい。また、その上限は特に限定されない。耐久性などの観点から、複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の含有率は、９０質量％以下とすることが好ましく、８０質量％や、７０質量％以下、６０質量％以下、５０質量％以下などとしてもよい。なお、複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の含有率は、加速電圧１５ｋＶで走査型電子顕微鏡－エネルギー分散型Ｘ線分析（ＳＥＭ－ＥＤＸ）により測定したときの、ニッケルまたはニッケル合金１２と導電性炭素粒子１４との合計に対する導電性炭素粒子１４の質量比である。
複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の含有率は１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上がさらに好ましい。また、その上限は特に限定されない。耐久性などの観点から、複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の含有率は、９０質量％以下とすることが好ましく、８０質量％や、７０質量％以下、６０質量％以下、５０質量％以下などとしてもよい。なお、複合ニッケルめっき膜１０の表面における導電性炭素粒子１４の含有率は、加速電圧１５ｋＶで走査型電子顕微鏡－エネルギー分散型Ｘ線分析（ＳＥＭ－ＥＤＸ）により測定したときの、ニッケルまたはニッケル合金１２と導電性炭素粒子１４との合計に対する導電性炭素粒子１４の質量比である。
【0037】
複合ニッケルめっき膜１０における、ニッケルまたはニッケル合金１２と導電性炭素粒子１４との合計は、９７質量％以上であることが好ましく、９８質量％以上であることがより好ましい。複合ニッケルめっき膜１０は、ニッケルまたはニッケル合金１２と導電性炭素粒子１４とから実質的になることがさらに好ましいが、製造工程で不可避的に含まれる不純物や、物性上影響を与えない不純物は含んでもよい。また、複合ニッケルめっき膜１０は、ニッケルまたはニッケル合金１２が、ニッケルと、リンおよび／またはホウ素とを含むニッケル合金であり、導電性炭素粒子１４が黒鉛であることが好ましい。より好ましくは、ニッケルまたはニッケル合金１２がニッケルとリンとを含むニッケルリン合金であり、導電性炭素粒子１４が黒鉛である。
【0038】
好適な複合ニッケルめっき膜１０のひとつは、Ｃが１０～９０質量％、Ｐが１１質量％以下、Ｂが６質量％以下であり、残部がＮｉおよび不可避的不純物である膜である。また、別の好適な複合ニッケルめっき膜１０として、Ｃが１０～９０質量％、Ｐが１～１１質量％、残部がＮｉおよび不可避的不純物である膜が挙げられる。
【0039】
［被めっき物２０］
被めっき物２０は、特に限定されず、銅やアルミニウム、チタンなどの各種金属素材などを用いることができる。また、被めっき物２０の形状は、板材に限定されず、線材、棒材、管材、角材、各種部材形状など、用途に適した形状とすることができる。
被めっき物２０は、特に限定されず、銅やアルミニウム、チタンなどの各種金属素材などを用いることができる。また、被めっき物２０の形状は、板材に限定されず、線材、棒材、管材、角材、各種部材形状など、用途に適した形状とすることができる。
【0040】
被めっき物２０の上に複合ニッケルめっき膜１０を形成しやすいため、被めっき物２０は、導電性基材と、導電性基材の上に形成された下地金属層を有することが好ましい。
【0041】
図２は、導電性基材２２と、導電性基材２２の上に形成された下地金属層２４を有する被めっき物２０ａと、下地金属層２４の上に形成された複合ニッケルめっき膜１０とを有する電気接点部材１ａの模式図である。電気接点部材１ａは、被めっき物２０ａの構成以外は、電気接点部材１と同じである。
【0042】
（導電性基材２２）
導電性基材２２としては、銅、アルミニウム、チタンなどの金属基材などが挙げられる。また、導電性基材２２の形状に特に制限はなく、用途に適したものを適宜選択して用いることができる。
導電性基材２２としては、銅、アルミニウム、チタンなどの金属基材などが挙げられる。また、導電性基材２２の形状に特に制限はなく、用途に適したものを適宜選択して用いることができる。
【0043】
（下地金属層２４）
下地金属層２４は、導電性基材２２の表面に形成される層であり、金属から形成される層である。下地金属層２４は、複合ニッケルめっき膜１０を形成するときに触媒として寄与できる金属から形成されていればよく、ニッケルまたはニッケル合金１２と同一の金属であってもよく、異なる金属であってもよい。下地金属層２４を構成する金属が、複合ニッケルめっき膜１０を構成するニッケルまたはニッケル合金１２と同一である場合、導電性炭素粒子の有無によって、下地金属層２４と複合ニッケルめっき膜１０とは判断できる。
下地金属層２４は、導電性基材２２の表面に形成される層であり、金属から形成される層である。下地金属層２４は、複合ニッケルめっき膜１０を形成するときに触媒として寄与できる金属から形成されていればよく、ニッケルまたはニッケル合金１２と同一の金属であってもよく、異なる金属であってもよい。下地金属層２４を構成する金属が、複合ニッケルめっき膜１０を構成するニッケルまたはニッケル合金１２と同一である場合、導電性炭素粒子の有無によって、下地金属層２４と複合ニッケルめっき膜１０とは判断できる。
【0044】
下地金属層２４としては、例えば、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、鉄、鉄合金などの層が挙げられる。耐食性の観点から、下地金属層２４は、ニッケルまたはニッケル合金の層であることが好ましい。ニッケル合金としては、ニッケル（Ｎｉ）と、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、コバルト（Ｃｏ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）およびスズ（Ｓｎ）からなる群から選択される１以上とを含むニッケル合金などが挙げられる。
【0045】
下地金属層２４の厚みは特に限定されないが、１０ｎｍ以上や、１００ｎｍ以上、１μｍ以上などとすることができる。また、その上限は、１００μｍ以下や、５０μｍ以下などとすることができる。
【0046】
導電性基材２２と、導電性基材２２の上に形成された下地金属層２４を有する被めっき物２０ａは、公知のめっき方法を利用して、導電性基材２２に対して、下地金属層２４を構成する金属が析出するようにめっき処理することで得ることができる。
【0047】
＜電気接点部材の用途＞
本発明の電気接点部材は、具体的には、電子部品の端子やコネクタ、スイッチ材料（リレー端子）、電池ケース、燃料電池のセパレータや集電板、配電盤の端子、ブスバーなどに用いることができる。
本発明の電気接点部材は、具体的には、電子部品の端子やコネクタ、スイッチ材料（リレー端子）、電池ケース、燃料電池のセパレータや集電板、配電盤の端子、ブスバーなどに用いることができる。
【0048】
＜電気接点部材の製造方法＞
本発明の電気接点部材の製造方法は、上記の通り、導電性炭素粒子と陽イオン界面活性剤とを含む水分散液中に、被めっき物と陽極とを浸漬させ、被めっき物と陽極との間に電圧を印加して、被めっき物の表面に導電性炭素粒子を堆積させる第１工程と、導電性炭素粒子が表面に堆積した被めっき物に、ニッケルまたはニッケル合金を析出させる無電解めっき処理を行って、被めっき物上に、ニッケルまたはニッケル合金と、導電性炭素粒子とを含有する複合ニッケルめっき膜を形成する第２工程と、を有する。
本発明の電気接点部材の製造方法は、上記の通り、導電性炭素粒子と陽イオン界面活性剤とを含む水分散液中に、被めっき物と陽極とを浸漬させ、被めっき物と陽極との間に電圧を印加して、被めっき物の表面に導電性炭素粒子を堆積させる第１工程と、導電性炭素粒子が表面に堆積した被めっき物に、ニッケルまたはニッケル合金を析出させる無電解めっき処理を行って、被めっき物上に、ニッケルまたはニッケル合金と、導電性炭素粒子とを含有する複合ニッケルめっき膜を形成する第２工程と、を有する。
【0049】
導電性炭素粒子を陽イオン界面活性剤により正に帯電させ、被めっき物が陰極となるように電圧を印加することで、被めっき物上に導電性炭素粒子を堆積させることができる。この状態でさらに無電解めっき処理を行うことで、膜表面の導電性炭素粒子の面積率が高い複合ニッケルめっき膜を形成させることができる。このような方法とすることで、めっき膜の厚さのバラツキを抑えて、再現性高く、製造することができる。また、本発明の電気接点部材の製造方法により、本発明の電気接点部材を好適に得ることができる。
【0050】
（第１工程）
第１工程は、導電性炭素粒子と陽イオン界面活性剤とを含む水分散液中に、被めっき物と陽極とを浸漬させ、被めっき物と陽極との間に電圧を印加して、被めっき物の表面に導電性炭素粒子を堆積させる工程である。
第１工程は、導電性炭素粒子と陽イオン界面活性剤とを含む水分散液中に、被めっき物と陽極とを浸漬させ、被めっき物と陽極との間に電圧を印加して、被めっき物の表面に導電性炭素粒子を堆積させる工程である。
【0051】
（水分散液）
水分散液は、導電性炭素粒子と陽イオン界面活性剤を含み、導電性炭素粒子が水に分散した液である。陽イオン界面活性剤の存在により、導電性炭素粒子の凝集を抑えられ、水分散液中での導電性炭素粒子の分散性が向上する。また、陽イオン界面活性剤を用いて導電性炭素粒子を分散させることで、導電性炭素粒子が正に帯電するため、電圧を印加したときに、導電性炭素粒子を陰極側（被めっき物側）に移動させることができる。これにより、導電性炭素粒子を被めっき物の表面に高密度に堆積させることができる。また、水系であるため、環境負荷も小さく、実用的である。
水分散液は、導電性炭素粒子と陽イオン界面活性剤を含み、導電性炭素粒子が水に分散した液である。陽イオン界面活性剤の存在により、導電性炭素粒子の凝集を抑えられ、水分散液中での導電性炭素粒子の分散性が向上する。また、陽イオン界面活性剤を用いて導電性炭素粒子を分散させることで、導電性炭素粒子が正に帯電するため、電圧を印加したときに、導電性炭素粒子を陰極側（被めっき物側）に移動させることができる。これにより、導電性炭素粒子を被めっき物の表面に高密度に堆積させることができる。また、水系であるため、環境負荷も小さく、実用的である。
【0052】
水分散液は、導電性炭素粒子の被めっき物上への堆積を阻害しない限り、導電性炭素粒子、陽イオン界面活性剤以外の成分を含んでもよい。例えば、酢酸、クエン酸、酒石酸、コハク酸およびこれらの塩（ナトリウム塩や、カリウム塩、マグネシウム塩）などｐＨ緩衝作用を有する成分を含んでもよい。
【0053】
（陽イオン界面活性剤）
陽イオン界面活性剤は特に制限なく、公知のものを使用することができる。例えば、陽イオン界面活性剤として、アンモニウム塩型の陽イオン界面活性剤（アルキルトリメチルアンモニウムハライド、ジアルキルジメチルアンモニウムハライド、ベンジルジメチルアルキルアンモニウムクロライド等）、アミン型の陽イオン界面活性剤（モノアルキルアミン塩、ジアルキルアミン塩、トリアルキルアミン塩等）、ピリジニウム型の陽イオン界面活性剤、イミダゾリウム塩型の陽イオン界面活性剤、ホスホニウム塩型の陽イオン界面活性剤などが挙げられる。
陽イオン界面活性剤は特に制限なく、公知のものを使用することができる。例えば、陽イオン界面活性剤として、アンモニウム塩型の陽イオン界面活性剤（アルキルトリメチルアンモニウムハライド、ジアルキルジメチルアンモニウムハライド、ベンジルジメチルアルキルアンモニウムクロライド等）、アミン型の陽イオン界面活性剤（モノアルキルアミン塩、ジアルキルアミン塩、トリアルキルアミン塩等）、ピリジニウム型の陽イオン界面活性剤、イミダゾリウム塩型の陽イオン界面活性剤、ホスホニウム塩型の陽イオン界面活性剤などが挙げられる。
【0054】
水分散液中における陽イオン活性剤の濃度は、例えば、０．０１～２０ｇ／Ｌや、０．１～１５ｇ／Ｌである。
【0055】
（導電性炭素粒子）
導電性炭素粒子は、上記の通り、黒鉛が好ましい。水分散液中における導電性炭素粒子の濃度は、例えば、１～１００ｇ／Ｌや、１０～５０ｇ／Ｌである。
導電性炭素粒子は、上記の通り、黒鉛が好ましい。水分散液中における導電性炭素粒子の濃度は、例えば、１～１００ｇ／Ｌや、１０～５０ｇ／Ｌである。
【0056】
（陽極）
陽極は、特に限定されず、被めっき物等に応じて適宜選択して用いればよい。例えば、ステンレスや、鉄、アルミニウム、銅などの金属板を用いることができる。
陽極は、特に限定されず、被めっき物等に応じて適宜選択して用いればよい。例えば、ステンレスや、鉄、アルミニウム、銅などの金属板を用いることができる。
【0057】
（電圧の印加）
第１工程では、水分散液中で被めっき物と陽極とを間隔をあけて対向配置し、被めっき物と陽極との間に被めっき物が陰極となるように電圧を印加する。これにより、導電性炭素粒子が被めっき物側に移動し、被めっき物の陽極と対向する側の表面に導電性炭素粒子が堆積する。なお、導電性炭素粒子を負に帯電させ、被めっき物が陽極となるように電圧を印加すると被めっき物の表面が酸化される場合がある。例えば、下地金属層としてニッケル層を有する被めっき物を陽極となるように電圧を印加した場合には、ニッケルが酸化されるおそれがある。第１工程では、導電性炭素粒子を正に帯電させ、被めっき物が陰極となるように電圧を印加することで、被めっき物の表面も酸化されにくい。
第１工程では、水分散液中で被めっき物と陽極とを間隔をあけて対向配置し、被めっき物と陽極との間に被めっき物が陰極となるように電圧を印加する。これにより、導電性炭素粒子が被めっき物側に移動し、被めっき物の陽極と対向する側の表面に導電性炭素粒子が堆積する。なお、導電性炭素粒子を負に帯電させ、被めっき物が陽極となるように電圧を印加すると被めっき物の表面が酸化される場合がある。例えば、下地金属層としてニッケル層を有する被めっき物を陽極となるように電圧を印加した場合には、ニッケルが酸化されるおそれがある。第１工程では、導電性炭素粒子を正に帯電させ、被めっき物が陰極となるように電圧を印加することで、被めっき物の表面も酸化されにくい。
【0058】
印加電圧や印加時間は、目的とする導電性炭素粒子の堆積量等に応じて適宜選択すればよく特に限定されない。例えば、電圧は、５～２００Ｖや、５～１００Ｖ、１０～５０Ｖ等とすることができる。また、このような電圧の範囲となれば、定電流を印加してもよい。電圧または電流の印加時間は、５秒～１０分や１０秒～５分程度である。
【0059】
（第２工程）
第２工程は、導電性炭素粒子が表面に堆積した被めっき物に、ニッケルまたはニッケル合金を析出させる無電解めっき処理を行って、被めっき物上に、ニッケルまたはニッケル合金と、導電性炭素粒子とを含有する複合ニッケルめっき膜を形成する工程である。
第２工程は、導電性炭素粒子が表面に堆積した被めっき物に、ニッケルまたはニッケル合金を析出させる無電解めっき処理を行って、被めっき物上に、ニッケルまたはニッケル合金と、導電性炭素粒子とを含有する複合ニッケルめっき膜を形成する工程である。
【0060】
ニッケルまたはニッケル合金の析出によって、導電性炭素粒子が被めっき物上に固定され、また、導電性炭素粒子の間隙がニッケルまたはニッケル合金で充填され、複合ニッケルめっき膜が形成される。無電解めっきを用いることで、電解めっきとは違い電流分布の影響を受けないため、膜厚を均一に形成することができる。また、無電解めっきとすることで、ニッケルまたはニッケル合金は導電性炭素粒子の上に析出しないため、ニッケルまたはニッケル合金と導電性炭素粒子との複合化の効果が十分に発揮できる。また、導電性炭素粒子の間隙を充填するようにニッケルまたはニッケル合金が析出するため、ノジュールも析出しにくい。
【0061】
一方、電解めっきでは、めっき膜の膜厚を均一に形成することが困難であったり、導電性炭素粒子の上にもニッケルまたはニッケル合金が析出できるため、形成されためっき膜の表面における導電性炭素粒子の面積率を上げることが困難で、複合化の効果を得にくかったりする。
【0062】
無電解めっきの方法は、公知の方法を採用することができる。めっき浴は、ニッケルを主体として析出させることができるものであれば特に限定されず、ニッケル塩や、還元剤、錯化剤、ｐＨ調整剤を含む公知の無電解ニッケルめっき浴を使用することができる。例えば、一般的な無電解ＮｉＰめっき浴や無電解ＮｉＢめっき浴などを適宜選択することができる。無電解ＮｉＰめっき浴には、めっき膜中のリン含有量の違いにより、低リン浴、中リン浴、高リン浴などと呼ばれる液があり、これらを使用することができる。また、ニッケルまたはニッケル合金の組成や無電解めっき反応の反応性等を考慮して、これらの一般的なめっき浴にＣｕやＳｎなどの第３の成分を加えたり、ｐＨ調整剤を加えてｐＨを調整するなどして使用してもよい。
【0063】
無電解めっきの条件は特に限定されないが、例えば、めっき浴のｐＨは３～５、めっき浴の温度は５０～９０℃や６０～８０℃、めっき時間は、１０～１２０分や１５～６０分などとすることが好ましい。
【0064】
無電解めっき処理は、形成される複合ニッケルめっき膜の表面における導電性炭素粒子の面積率が２０面積％以上となるように処理することが好ましい。また、無電解めっき処理は、形成される複合ニッケルめっき膜の表面における導電性炭素粒子の含有率が１０質量％以上となるように処理することが好ましい。
【0065】
第２工程において、無電解めっき処理は、ニッケルと、リンおよび／またはホウ素とを含むニッケル合金を析出させる無電解ニッケルめっきであることが好ましく、ニッケルとリンとを含むニッケルリン合金を析出させる無電解ニッケルリンめっき（無電解ＮｉＰめっき）であることがより好ましい。無電解ＮｉＰめっきは、めっき金属として均一膜厚性や、めっき浴の安定性に優れ、さらに電解ニッケルめっきよりも耐食性に優れた膜を形成させることができる。無電解ＮｉＰめっきを行うことで、ニッケルとリンを含むニッケルリン合金と、導電性炭素粒子とを含有する複合ニッケルめっき膜を形成させることができる。
【0066】
本発明の電気接点部材の製造方法は、第１工程および第２工程以外の工程を有してよい。例えば、第１工程と第２工程の間に、洗浄工程を設けてもよい。
【0067】
本発明の電気接点部材の製造方法は、第２工程の後に、間隙にニッケルまたはニッケル合金が充填されていない導電性炭素粒子を除去する工程を有することが好ましい。これにより、より安定な膜が形成できる。
【実施例】
【0068】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を変更しない限り以下の実施例に限定されるものではない。
【0069】
１．めっき膜の作製
（実施例１）
厚み１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×４０ｍｍ）上にワット浴を用いて下地処理としてＮｉめっきを施し、Ｎｉめっき付き銅板を作製した。
純水中に陽イオン界面活性剤（ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロリド、濃度１ｇ／Ｌ）と黒鉛粒子（濃度４０ｇ／Ｌ、伊藤黒鉛工業（株）製、ＡＧＢ－５、平均粒径５μｍ）を添加して撹拌した水溶液に、陽極としてＳＵＳ３０４板、陰極としてＮｉめっき付き銅板を挿入して２０Ｖで３０秒間電解し、黒鉛粒子を陰極上に堆積させた。
次いで、流水で洗浄した後、８０℃の無電解ＮｉＰめっき液（低リンタイプ）に３０分間浸漬することで無電解めっき反応により、黒鉛粒子間隙をＮｉＰ合金で充填させた。無電解ＮｉＰめっき液は、低リンタイプの無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製、トップニコロンＬＰＨ－ＬＦ）をｐＨ４．０に調整して用いた。
次いで、粒子間隙を充填されていない余分な黒鉛粒子を刷毛で除去し、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜（複合ニッケルめっき膜）を有する供試体を得た。黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜の膜厚は２μｍであり、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜中のＰ濃度は６．２ｗｔ％であった。
（実施例１）
厚み１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×４０ｍｍ）上にワット浴を用いて下地処理としてＮｉめっきを施し、Ｎｉめっき付き銅板を作製した。
純水中に陽イオン界面活性剤（ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロリド、濃度１ｇ／Ｌ）と黒鉛粒子（濃度４０ｇ／Ｌ、伊藤黒鉛工業（株）製、ＡＧＢ－５、平均粒径５μｍ）を添加して撹拌した水溶液に、陽極としてＳＵＳ３０４板、陰極としてＮｉめっき付き銅板を挿入して２０Ｖで３０秒間電解し、黒鉛粒子を陰極上に堆積させた。
次いで、流水で洗浄した後、８０℃の無電解ＮｉＰめっき液（低リンタイプ）に３０分間浸漬することで無電解めっき反応により、黒鉛粒子間隙をＮｉＰ合金で充填させた。無電解ＮｉＰめっき液は、低リンタイプの無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製、トップニコロンＬＰＨ－ＬＦ）をｐＨ４．０に調整して用いた。
次いで、粒子間隙を充填されていない余分な黒鉛粒子を刷毛で除去し、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜（複合ニッケルめっき膜）を有する供試体を得た。黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜の膜厚は２μｍであり、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜中のＰ濃度は６．２ｗｔ％であった。
【0070】
図３に、走査型電子顕微鏡（株式会社日本電子製ＪＳＭ－７００１Ｆ）により実施例１で得られた供試体の断面を観察した断面ＳＥＭ画像を示す。
【0071】
（実施例２）
厚み１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×４０ｍｍ）上にワット浴を用いて下地処理としてＮｉめっきを施し、Ｎｉめっき付き銅板を作製した。
純水中に陽イオン界面活性剤（ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロリド、濃度１ｇ／Ｌ）と黒鉛粒子（濃度４０ｇ／Ｌ、伊藤黒鉛工業（株）製、ＡＧＢ－５、平均粒径５μｍ）を添加して撹拌した水溶液に、陽極としてＳＵＳ３０４板、陰極としてＮｉめっき付き銅板を挿入して２０Ｖで３０秒間電解し、黒鉛粒子を陰極上に堆積させた。
次いで、流水で洗浄した後、８０℃の無電解ＮｉＰめっき液（中リンタイプ）に３０分間浸漬することで無電解めっき反応により、黒鉛粒子間隙をＮｉＰ合金で充填させた。無電解ＮｉＰめっき液は、中リンタイプの無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製、トップニコロンＳＤＢ－ＬＦ）をｐＨ４．０に調整して用いた。
次いで、粒子間隙を充填されていない余分な黒鉛粒子を刷毛で除去し、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜（複合ニッケルめっき膜）を有する供試体を得た。黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜の膜厚は２μｍであり、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜中のＰ濃度は８．０ｗｔ％であった。
厚み１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×４０ｍｍ）上にワット浴を用いて下地処理としてＮｉめっきを施し、Ｎｉめっき付き銅板を作製した。
純水中に陽イオン界面活性剤（ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロリド、濃度１ｇ／Ｌ）と黒鉛粒子（濃度４０ｇ／Ｌ、伊藤黒鉛工業（株）製、ＡＧＢ－５、平均粒径５μｍ）を添加して撹拌した水溶液に、陽極としてＳＵＳ３０４板、陰極としてＮｉめっき付き銅板を挿入して２０Ｖで３０秒間電解し、黒鉛粒子を陰極上に堆積させた。
次いで、流水で洗浄した後、８０℃の無電解ＮｉＰめっき液（中リンタイプ）に３０分間浸漬することで無電解めっき反応により、黒鉛粒子間隙をＮｉＰ合金で充填させた。無電解ＮｉＰめっき液は、中リンタイプの無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製、トップニコロンＳＤＢ－ＬＦ）をｐＨ４．０に調整して用いた。
次いで、粒子間隙を充填されていない余分な黒鉛粒子を刷毛で除去し、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜（複合ニッケルめっき膜）を有する供試体を得た。黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜の膜厚は２μｍであり、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜中のＰ濃度は８．０ｗｔ％であった。
【0072】
（実施例３）
めっき液を、無電解ＮｉＰめっき液（中リンタイプ）から、高リンタイプの無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製、トップニコロンＳＡ－９８－ＬＦ）をｐＨ４．０に調整した無電解ＮｉＰめっき液（高リンタイプ）に変更した以外は、実施例２と同様にし、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜（複合ニッケルめっき膜）を有する供試体を得た。黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜の膜厚は３μｍであり、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜中のＰ濃度は９．４ｗｔ％であった。
めっき液を、無電解ＮｉＰめっき液（中リンタイプ）から、高リンタイプの無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製、トップニコロンＳＡ－９８－ＬＦ）をｐＨ４．０に調整した無電解ＮｉＰめっき液（高リンタイプ）に変更した以外は、実施例２と同様にし、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜（複合ニッケルめっき膜）を有する供試体を得た。黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜の膜厚は３μｍであり、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜中のＰ濃度は９．４ｗｔ％であった。
【0073】
（比較例１）
厚み１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×４０ｍｍ）上にワット浴を用いて下地処理としてＮｉめっきを施し、Ｎｉめっき付き銅板を作製した。
中リンタイプの無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製、トップニコロンＳＤＢ－ＬＦ）をｐＨ４．５に調整し、陽イオン界面活性剤（ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロリド、濃度０．１ｇ／Ｌ）と黒鉛粒子（濃度１０ｇ／Ｌ、伊藤黒鉛工業（株）製、ＡＧＢ－５、平均粒径５μｍ）を添加して撹拌して調製した液に、８０℃で３０分間浸漬することで、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜を有する供試体を得た。黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜の膜厚は３μｍであり、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜中のＰ濃度は７．９ｗｔ％であった。
厚み１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×４０ｍｍ）上にワット浴を用いて下地処理としてＮｉめっきを施し、Ｎｉめっき付き銅板を作製した。
中リンタイプの無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製、トップニコロンＳＤＢ－ＬＦ）をｐＨ４．５に調整し、陽イオン界面活性剤（ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロリド、濃度０．１ｇ／Ｌ）と黒鉛粒子（濃度１０ｇ／Ｌ、伊藤黒鉛工業（株）製、ＡＧＢ－５、平均粒径５μｍ）を添加して撹拌して調製した液に、８０℃で３０分間浸漬することで、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜を有する供試体を得た。黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜の膜厚は３μｍであり、黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜中のＰ濃度は７．９ｗｔ％であった。
【0074】
（比較例２）
厚み１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×４０ｍｍ）上にワット浴を用いて下地処理として膜厚４μｍのＮｉめっきを施し、Ｎｉめっき付き銅板を作製した。
中リンタイプの無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製、トップニコロンＳＤＢ－ＬＦ）をｐＨ４．５に調整し、８０℃に保持し３０分間浸漬することで無電解ＮｉＰ合金めっき膜を有する供試体を得た。無電解ＮｉＰ合金めっき膜の膜厚は４μｍであり、無電解ＮｉＰ合金めっき膜中のＰ濃度は８．９ｗｔ％であった。
厚み１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×４０ｍｍ）上にワット浴を用いて下地処理として膜厚４μｍのＮｉめっきを施し、Ｎｉめっき付き銅板を作製した。
中リンタイプの無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業製、トップニコロンＳＤＢ－ＬＦ）をｐＨ４．５に調整し、８０℃に保持し３０分間浸漬することで無電解ＮｉＰ合金めっき膜を有する供試体を得た。無電解ＮｉＰ合金めっき膜の膜厚は４μｍであり、無電解ＮｉＰ合金めっき膜中のＰ濃度は８．９ｗｔ％であった。
【0075】
２．評価
（黒鉛含有率）
実施例１～３、比較例１、２の供試材表面（観察倍率×１００、面積９４０μｍ×１２００μｍ）を、加速電圧１５ｋＶで、走査型電子顕微鏡（株式会社日本電子製ＪＳＭ－７００１Ｆ）により３か所観察して、ＥＤＸ（アメテック社製ＧＥＮＥＳＩＳ）により測定し、解析ソフト（ＧＥＮＥＳＩＳ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）を用いてＺＡＦ法によるＣ，Ｎｉ，Ｐの重量比から黒鉛含有率（ｗｔ％）の平均値を算出した。結果を表１に示す。
（黒鉛含有率）
実施例１～３、比較例１、２の供試材表面（観察倍率×１００、面積９４０μｍ×１２００μｍ）を、加速電圧１５ｋＶで、走査型電子顕微鏡（株式会社日本電子製ＪＳＭ－７００１Ｆ）により３か所観察して、ＥＤＸ（アメテック社製ＧＥＮＥＳＩＳ）により測定し、解析ソフト（ＧＥＮＥＳＩＳ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）を用いてＺＡＦ法によるＣ，Ｎｉ，Ｐの重量比から黒鉛含有率（ｗｔ％）の平均値を算出した。結果を表１に示す。
【0076】
（黒鉛面積率）
実施例１～３、比較例１、２の供試材表面を、加速電圧１５ｋＶで、走査型電子顕微鏡（株式会社日本電子製ＪＳＭ－７００１Ｆ）により観察して、表面（観察倍率×５００、面積１７２μｍ×２４０μｍ）の組成像（ＣＯＭＰＯ像）を撮影し、その画像をＥＤＸ（アメテック社製ＧＥＮＥＳＩＳ）の画像解析ソフト（ＧＥＮＥＳＩＳ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）で二値化処理して、画像中に占める黒鉛粒子の総面積を画像全体の面積で除した値を黒鉛粒子の面積率として求めた。
図４～図８に、実施例１～３、比較例１、２のＳＥＩ像と、組成像（ＣＯＭＰＯ像）を示す。また、表１に、算出した黒鉛粒子の面積率を示す。
実施例１～３、比較例１、２の供試材表面を、加速電圧１５ｋＶで、走査型電子顕微鏡（株式会社日本電子製ＪＳＭ－７００１Ｆ）により観察して、表面（観察倍率×５００、面積１７２μｍ×２４０μｍ）の組成像（ＣＯＭＰＯ像）を撮影し、その画像をＥＤＸ（アメテック社製ＧＥＮＥＳＩＳ）の画像解析ソフト（ＧＥＮＥＳＩＳ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）で二値化処理して、画像中に占める黒鉛粒子の総面積を画像全体の面積で除した値を黒鉛粒子の面積率として求めた。
図４～図８に、実施例１～３、比較例１、２のＳＥＩ像と、組成像（ＣＯＭＰＯ像）を示す。また、表１に、算出した黒鉛粒子の面積率を示す。
【0077】
（接触抵抗）
供試材表面の接触抵抗を、抵抗率計（三菱化学（株）製ロレスタＥＰ）を用いて、２短針法により５か所測定し平均値を算出した。結果を表１に示す。
供試材表面の接触抵抗を、抵抗率計（三菱化学（株）製ロレスタＥＰ）を用いて、２短針法により５か所測定し平均値を算出した。結果を表１に示す。
【0078】
（耐湿性）
耐湿性評価のため、１５０℃、９８％ＲＨの条件下で２４０時間保持するプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）を実施した後、接触抵抗を評価した。結果を表１に示す。
耐湿性評価のため、１５０℃、９８％ＲＨの条件下で２４０時間保持するプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）を実施した後、接触抵抗を評価した。結果を表１に示す。
【0079】
【表1】
【0080】
実施例１～実施例３の供試体を目視で観察したところ、実施例１～実施例３の供試体の黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜は、バラつきが少なく、均一に形成されていた。また、Ｎｉめっき付き銅板を、５０ｍｍ×５０ｍｍのアルミニウム合金板（材質Ａ５０５２、厚さ３ｍｍ）上のＮｉめっきを施したＮｉめっき付きアルミニウム合金板に変更した以外は、実施例１～３と同様の実験を行った場合も、バラつきが少なく、均一に黒鉛複合無電解ＮｉＰ合金めっき膜を形成できた。本発明の電気接点部材の製造方法は、被めっき物の大きさが大きい場合にも、均一にめっき膜を形成できることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【0081】
本発明の電気接点部材およびその製造方法は、電気・電子機器や燃料電池の分野において利用することができ、産業上有用である。
【符号の説明】
【0082】
１，１ａ 電気接点部材
１０ 複合ニッケルめっき膜
１２ ニッケルまたはニッケル合金
１４ 導電性炭素粒子
２０，２０ａ 被めっき物
２２ 導電性基材
２４ 下地金属層
１０ 複合ニッケルめっき膜
１２ ニッケルまたはニッケル合金
１４ 導電性炭素粒子
２０，２０ａ 被めっき物
２２ 導電性基材
２４ 下地金属層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
