特許 7499408 半導体製造装置用部材

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-05

(45)【発行日】2024-06-13

(54)【発明の名称】半導体製造装置用部材

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240606BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240606BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240606BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20240606BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

H01L21/302 101R

H01L21/31 C

C23C16/458

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2023515572

(86)(22)【出願日】2022-06-30

(86)【国際出願番号】 JP2022026285

(87)【国際公開番号】W WO2024004147

(87)【国際公開日】2024-01-04

【審査請求日】2023-03-08

(73)【特許権者】

【識別番号】000004064

【氏名又は名称】日本碍子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000017

【氏名又は名称】弁理士法人アイテック国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】小島 充

(72)【発明者】

【氏名】竹林 央史

(72)【発明者】

【氏名】和氣 隼也

【審査官】渡井 高広

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－４９６８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１１７８６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】登録実用新案第３１８２１２０（ＪＰ，Ｕ）

【文献】特開２０２０－５７７８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１５８８２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第６０２４６３１（ＵＳ，Ａ）

【文献】特開平９－１２９６１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１９－５１４２０８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１１５１９４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｃ２３Ｃ １６／４５８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエハ載置面を備えた半導体製造装置用部材であって、
前記ウエハ載置面に開口する複数のガス流出通路と、
前記半導体製造装置用部材の内部に設けられ、前記複数のガス流出通路に連通するガス共通通路と、
前記半導体製造装置用部材のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面から前記ガス共通通路に連通し、前記ガス共通通路に連通する前記ガス流出通路の数よりも少ない数のガス流入通路と、
を備え、
前記複数のガス流出通路のうち前記ガス流入通路に近いものは、前記ガス流入通路から遠いものに比べてガス通過抵抗が大きく、
前記ガス通過抵抗は、前記ガス流出通路に設けられた螺旋部の長さによって調整されているか、前記ガス流出通路に設けられた多孔質部の長さ又は密度によって調整されている、
半導体製造装置用部材。

【請求項2】

請求項１に記載の半導体製造装置用部材であって、
上面に前記ウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの下面に設けられた導電性のベースプレートと、
を備え、
前記ガス共通通路及び前記ガス流入通路は、前記ベースプレートに設けられ、
前記ガス流出通路は、前記ガス共通通路から前記ウエハ載置面に至るように前記ベースプレート及び前記セラミックプレートに設けられている、
半導体製造装置用部材。

【請求項3】

前記ベースプレートは、冷媒流路を有し、
前記ガス共通通路は、前記ベースプレートのうち前記冷媒流路の下方に設けられ、
前記ガス通過抵抗は、前記ガス流出通路のうち前記ガス共通通路から前記ベースプレートの上面に至るまでの部分で調整されている、
請求項２に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項4】

ウエハ載置面を備えた半導体製造装置用部材であって、
前記ウエハ載置面に開口する複数のガス流出通路と、
前記半導体製造装置用部材の内部に設けられ、前記複数のガス流出通路に連通するガス共通通路と、
前記半導体製造装置用部材のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面から前記ガス共通通路に連通し、前記ガス共通通路に連通する前記ガス流出通路の数よりも少ない数のガス流入通路と、
上面に前記ウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートの下面に設けられた導電性のベースプレートと、
を備え、
前記複数のガス流出通路のうち前記ガス流入通路に近いものは、前記ガス流入通路から遠いものに比べてガス通過抵抗が大きく、
前記ガス共通通路及び前記ガス流入通路は、前記ベースプレートに設けられ、
前記ガス流出通路は、前記ガス共通通路から前記ウエハ載置面に至るように前記ベースプレート及び前記セラミックプレートに設けられ、
前記ベースプレートは、前記ベースプレートを上下方向に貫通するベースプレート貫通穴内に絶縁スリーブを有し、
前記絶縁スリーブは、前記ガス共通通路の一部を構成する第１連通穴と、前記第１連通穴から前記絶縁スリーブの上面に至るように設けられ、前記ガス流出通路の一部を構成する第２連通穴と、を有し、
前記ガス通過抵抗は、前記絶縁スリーブの前記第２連通穴で調整されている、
半導体製造装置用部材。

【請求項5】

前記ガス通過抵抗は、前記ガス流出通路に設けられた螺旋部の長さ又は断面積によって調整されているか、前記ガス流出通路に設けられた多孔質部の長さ又は密度によって調整されている、
請求項４に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項6】

前記絶縁スリーブは、分離不能な１つの部材である、
請求項４又は５に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項7】

前記絶縁スリーブの前記第１連通穴は、平面視で前記第２連通穴を中心として少なくとも３つの方向に放射状に設けられている、
請求項４又は５に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項8】

前記絶縁スリーブの外径は、前記ガス共通通路の幅よりも小さい、
請求項４又は５に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項9】

前記セラミックプレートと前記ベースプレートとは、導電性接合層によって接合され、
前記絶縁スリーブは、前記導電性接合層に挿入されている、
請求項４又は５に記載の半導体製造装置用部材。

【請求項10】

前記絶縁スリーブの上面は、上部樹脂接着層を介して前記セラミックプレートと接着され、前記絶縁スリーブの下部は、下部樹脂接着層又はシール材を介して前記ベースプレートに取り付けられている、
請求項４又は５に記載の半導体製造装置用部材。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体製造装置用部材に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、上面にウエハ載置面を有する電極内蔵のセラミックプレートと、セラミックプレートの下面に接合された金属製のベースプレートとを備えた静電チャックが知られている。特許文献１では、こうした静電チャックにおいて、セラミックプレートの内部にウエハ載置面と平行に設けられたガス共通通路と、ガス共通通路からウエハ載置面に至る複数のガス流出通路と、ベースプレートを上下方向に貫通してガス共通通路に連通する１つのガス流入通路とを備えたものが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１７－１２３３９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述した特許文献１では、ガス共通通路に連通する複数のガス流出通路のうちガス流入通路に近いものほどガス流量が多くなることがあった。一般に、静電チャックにウエハを載置してウエハを処理する際、予めウエハの裏面側の空間にガス流出通路を介して熱伝導ガス（例えばヘリウムガス）を充填しておく。しかしながら、ウエハの裏面側の空間に熱伝導ガスが充填される前の段階では、ガス流出通路ごとにガス流量が異なっていると、セラミックプレートとウエハとの熱交換がウエハの場所ごとに異なってしまい、ウエハに温度ムラが生じて不具合が生じることがある。

【0005】

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、ガス共通通路に連通する複数のガス流出通路から流出するガスの流量に差が生じないようにすることを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

［１］本発明の半導体製造装置用部材は、
ウエハ載置面を備えた半導体製造装置用部材であって、
前記ウエハ載置面に開口する複数のガス流出通路と、
前記半導体製造装置用部材の内部に設けられ、前記複数のガス流出通路に連通するガス共通通路と、
前記半導体製造装置用部材のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面から前記ガス共通通路に連通し、前記ガス共通通路に連通する前記ガス流出通路の数よりも少ない数のガス流入通路と、
を備え、
前記複数のガス流出通路のうち前記ガス流入通路に近いものは、前記ガス流入通路から遠いものに比べてガス通過抵抗が大きい、
ものである。

【0007】

この半導体製造装置用部材では、ガス流入通路に導入されたガスは、ガス共通通路を通ってそのガス共通通路に複数設けられたガス流出通路に分配され、ガス流出通路を通ってウエハ載置面に流出する。ガス流入通路の数はガス流出通路の数よりも少ないため、ガス流入通路に外部から接続するガス導入管の数を少なくすることができる。また、複数のガス流出通路のうちガス流入通路に近いものは、ガス流入通路から遠いものに比べてガス通過抵抗が大きい。そのため、ガス共通通路に連通する複数のガス流出通路から流出するガスの流量に大きな差が生じない。したがって、ウエハに温度ムラが生じて不具合が生じるのを抑制することができる。

【0008】

［２］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記ガス通過抵抗は、前記ガス流出通路に設けられた螺旋部の長さ又は断面積によって調整されているか、前記ガス流出通路に設けられた多孔質部の長さ又は密度によって調整されていてもよい。こうすれば、ガス通過抵抗の調整を比較的簡単な構成で実現することができる。

【0009】

［３］本発明の半導体製造装置用部材（前記［１］又は［２］に記載の半導体製造装置用部材）は、上面に前記ウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミックプレートと、前記セラミックプレートの下面に設けられた導電性のベースプレートと、を備えていてもよく、前記ガス共通通路及び前記ガス流入通路は、前記ベースプレートに設けられていてもよく、前記ガス流出通路は、前記ガス共通通路から前記ウエハ載置面に至るように前記ベースプレート及び前記セラミックプレートに設けられていてもよい。

【0010】

［４］本発明の半導体製造装置用部材（前記［３］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記ベースプレートは、冷媒流路を有していてもよく、前記ガス共通通路は、前記ベースプレートのうち前記冷媒流路の下方に設けられていてもよく、前記ガス通過抵抗は、前記ガス流出通路のうち前記ガス共通通路から前記ベースプレートの上面に至るまでの部分で調整されていてもよい。こうすれば、ガス共通通路からベースプレートの上面に至るまでの部分は比較的長いため、その長い部分を利用してガス通過抵抗を比較的容易に調整することができる。

【0011】

［５］本発明の半導体製造装置用部材（前記［３］又は［４］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記ベースプレートは、前記ベースプレートを上下方向に貫通するベースプレート貫通穴内に絶縁スリーブを有していてもよく、前記絶縁スリーブは、前記ガス共通通路の一部を構成する第１連通穴と、前記第１連通穴から前記絶縁スリーブの上面に至るように設けられ、前記ガス流出通路の一部を構成する第２連通穴と、を有していてもよく、前記ガス通過抵抗は、前記絶縁スリーブの前記第２連通穴で調整されていてもよい。こうすれば、セラミックプレートやベースプレートとは別体の絶縁スリーブによってガス通過抵抗を調整することができる。また、半導体製造装置用部材の使用に伴ってガス流出通路の一部である絶縁スリーブの第２連通穴が劣化した場合、絶縁スリーブをベースプレートの下面側から取り外し、新たな絶縁スリーブを取り付けることができる。したがって、放電防止のメンテナンスを容易に実施することができる。

【0012】

［６］本発明の半導体製造装置用部材（前記［５］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記絶縁スリーブは、分離不能な１つの部材であってもよい。こうすれば、絶縁スリーブが複数の部材で構成されている場合に比べて、交換作業が簡易になる。

【0013】

［７］本発明の半導体製造装置用部材（前記［５］又は［６］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記絶縁スリーブの前記第１連通穴は、平面視で前記第２連通穴を中心として少なくとも３つの方向に放射状に設けられていてもよい。こうすれば、ベースプレート貫通穴に絶縁スリーブを挿入したときに、絶縁スリーブの回転位置によらず、ガス共通通路を流れてきたガスをガス流出通路へ送出することができる。

【0014】

［８］本発明の半導体製造装置用部材（前記［５］～［７］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記絶縁スリーブの外径は、前記ガス共通通路の幅よりも小さくてもよい。こうすれば、ガス共通通路の上流側から流れてきたガスの一部は、絶縁スリーブの外側を通ってガス共通通路の下流側へと進むことができる。

【0015】

［９］本発明の半導体製造装置用部材（前記［５］～［８］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記セラミックプレートと前記ベースプレートとは、導電性接合層によって接合されていてもよく、前記絶縁スリーブは、前記導電性接合層に挿入されていてもよい。こうすれば、ガス流出通路のうち導電性接合層を通過する部分も絶縁スリーブによって覆われるため、その部分で放電が起こるのを防止することができる。

【0016】

［１０］本発明の半導体製造装置用部材（前記［５］～［９］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記絶縁スリーブの上面は、上部樹脂接着層を介して前記セラミックプレートと接着されていてもよく、前記絶縁スリーブの下部は、下部樹脂接着層又はシール材を介して前記ベースプレートに取り付けられていてもよい。こうすれば、絶縁スリーブの上面側の絶縁性を確保することができるし、ガスが絶縁スリーブの外周から外部へ漏出するのを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】ウエハ載置台１０の平面図。

【図2】図１のＡ－Ａ断面図。

【図3】図２の部分拡大図。

【図4】絶縁スリーブ６０の斜視図。

【図5】ガス共通通路５４を通る水平面でウエハ載置台１０を切断した切断面を上から見たときの断面図。

【図6】図５の部分拡大図。

【図7】ガス流入通路５２、ガス共通通路５４及びガス流出通路５６の概略説明図。

【図8】ウエハ載置台１０の製造工程図。

【図9】ガス共通通路１５４の説明図。

【図10】絶縁スリーブ１６０の説明図（斜視図及び縦断面図）。

【図11】第１連通穴２６４を備えた絶縁スリーブ６０の説明図。

【図12】第１連通穴３６４を備えた絶縁スリーブ６０の説明図。

【図13】絶縁スリーブ６０の下部にシールリング３９を配置した例の説明図。

【図14】絶縁スリーブ６０の外径とガス共通通路５４の幅とがほぼ一致している例の説明図。

【発明を実施するための形態】

【0018】

次に、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて説明する。図１はウエハ載置台１０の平面図、図２は図１のＡ－Ａ断面図、図３は図２の部分拡大図（一点鎖線の枠内の拡大図）、図４は絶縁スリーブ６０の斜視図、図５はガス共通通路５４を通る水平面でウエハ載置台１０を切断した切断面を上から見たときの断面図、図６は図５の部分拡大図（一点鎖線の枠内の拡大図）、図７はガス流入通路５２、ガス共通通路５４及びガス流出通路５６の概略説明図である。なお、本明細書において、「上」「下」は、絶対的な位置関係を表すものではなく、相対的な位置関係を表すものである。そのため、ウエハ載置台１０の向きによって「上」「下」は「下」「上」になったり「左」「右」になったり「前」「後」になったりする。

【0019】

ウエハ載置台１０は、本発明の半導体製造装置用部材の一例であり、図２に示すように、セラミックプレート２０と、ベースプレート３０と、導電性接合層４０と、ガス共通通路５４と、ガス流入通路５２と、ガス流出通路５６と、絶縁スリーブ６０とを備えている。

【0020】

セラミックプレート２０は、アルミナ焼結体や窒化アルミニウム焼結体などのセラミック製の円板（例えば直径３００ｍｍ、厚さ５ｍｍ）である。セラミックプレート２０の上面は、ウエハＷを載置するウエハ載置面２１となっている。セラミックプレート２０は、ウエハ載置面２１から近い順に、静電電極２２及びヒータ電極２３を内蔵している。セラミックプレート２０のウエハ載置面２１には、図１に示すように、外縁に沿って環状のシールバンド２１ａが形成され、シールバンド２１ａの内側の全面に複数の円形小突起２１ｂが形成されている。シールバンド２１ａ及び円形小突起２１ｂは同じ高さであり、その高さは例えば数μｍ～数１０μｍである。ウエハ載置面２１のうちシールバンド２１ａや円形小突起２１ｂの設けられていない部分を、基準面２１ｃと称する。セラミックプレート２０は、ガス流出通路５６の一部を構成するガス噴出穴２６を有している。ガス噴出穴２６は、セラミックプレート２０と同心円上に複数（ここでは６つ）設けられている。ガス噴出穴２６は、ウエハ載置面２１のうち基準面２１ｃに開口している。

【0021】

静電電極２２は、平面状のメッシュ電極であり、図示しない給電部材を介して外部の直流電源に接続されている。給電部材は、導電性接合層４０及びベースプレート３０と電気的に絶縁されている。静電電極２２に直流電圧が印加されるとウエハＷは静電吸着力によりウエハ載置面２１（具体的にはシールバンド２１ａの上面及び円形小突起２１ｂの上面）に吸着固定され、直流電圧の印加を解除するとウエハＷのウエハ載置面２１への吸着固定が解除される。

【0022】

ヒータ電極２３は、平面視でセラミックプレート２０の全体にわたって一端から他端まで一筆書きの要領で配線された抵抗発熱体である。ヒータ電極２３の一端と他端には、図示しない給電部材を介してヒータ電源が接続されている。給電部材は、導電性接合層４０及びベースプレート３０と電気的に絶縁されている。ヒータ電極２３は、通電されると発熱してウエハ載置面２１、ひいてはウエハＷを加熱する。

【0023】

ベースプレート３０は、導電率及び熱伝導率の良好な円板（セラミックプレート２０と同じ直径かそれよりも大きな直径の円板）である。本実施形態では、ベースプレート３０は、第１層３０ａと第２層３０ｂと第３層３０ｃとを、導電性接合層３０ｄ，３０ｅで接合したものである。

【0024】

ベースプレート３０の内部には、冷媒が循環する冷媒流路３２が形成されている。冷媒流路３２は、第１層３０ａの下面に設けられた凹溝である冷媒流路溝３４と、その冷媒流路溝３４の下部開口を塞ぐ導電性接合層３０ｄとで構成されている。冷媒流路３２を流れる冷媒は、液体が好ましく、電気絶縁性であることが好ましい。電気絶縁性の液体としては、例えばフッ素系不活性液体などが挙げられる。冷媒流路３２は、平面視でベースプレート３０の全体にわたって一端（入口）から他端（出口）まで一筆書きの要領で形成されている。冷媒流路３２の一端及び他端には、図示しない外部冷媒装置の供給口及び回収口がそれぞれ接続される。外部冷媒装置の供給口から冷媒流路３２の一端に供給された冷媒は、冷媒流路３２を通過したあと冷媒流路３２の他端から外部冷媒装置の回収口に戻り、温度調整されたあと再び供給口から冷媒流路３２の一端に供給される。ベースプレート３０は、高周波（ＲＦ）電源に接続され、ＲＦ電極としても用いられる。

【0025】

ベースプレート３０の材料は、例えば、金属材料や金属とセラミックとの複合材料などが挙げられる。金属材料としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ又はそれらの合金などが挙げられる。金属とセラミックとの複合材料としては、金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）やセラミックマトリックス複合材料（ＣＭＣ）などが挙げられる。こうした複合材料の具体例としては、Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料（ＳｉＳｉＣＴｉともいう）、ＳｉＣ多孔質体にＡｌ及び／又はＳｉを含浸させた材料、Ａｌ₂Ｏ₃とＴｉＣとの複合材料などが挙げられる。ベースプレート３０の材料としては、セラミックプレート２０の材料と熱膨張係数の近いものを選択するのが好ましい。ベースプレート３０のうち、第１層３０ａ、第２層３０ｂ及び第３層３０ｃを上述した金属材料や金属とセラミックとの複合材料で作製し、導電性接合層３０ｄ，３０ｅを後述する導電性接合層４０と同様の材料で作製してもよい。

【0026】

導電性接合層４０は、例えば金属接合層であり、セラミックプレート２０の下面とベースプレート３０の上面とを接合している。導電性接合層４０は、例えばＴＣＢ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成される。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。

【0027】

ガス共通通路５４は、ベースプレート３０の内部に、ウエハ載置面２１と平行に（つまり水平方向に）設けられている。なお、「平行」とは、完全に平行な場合のほか、完全に平行でなくても許容される誤差（例えば公差）の範囲内であれば平行とみなす。ガス共通通路５４は、図２に示すように、ベースプレート３０の第２層３０ｂと第３層３０ｃとの間に設けられた通路であり、冷媒流路３２の下方に設けられている。ガス共通通路５４の上下方向の高さは、導電性接合層３０ｅの上下方向の高さ（厚さ）を包含している。ガス共通通路５４は、図５に示すように、平面視でＣ字状（円弧状）に形成され、一端から他端に向かって複数（ここでは６つ）のスリーブ挿通部５４ａを有している。スリーブ挿通部５４ａは、平面視でガス共通通路５４が円弧状に膨らんだ部分であり、その内径は絶縁スリーブ６０の外径よりも大きい。そのため、スリーブ挿通部５４ａの円弧状の壁と絶縁スリーブ６０との間には、ガスが通過可能なスペースが形成されている。複数のスリーブ挿通部５４ａは、ガス共通通路５４に沿ってほぼ等間隔に設けられている。複数の絶縁スリーブ６０は、ウエハ載置台１０の外形をなす円の同心円上にほぼ等間隔に設けられている。

【0028】

ガス流出通路５６は、ガス共通通路５４からウエハ載置面２１の基準面２１ｃに至るように、１つのガス共通通路５４に対して複数（ここでは６つ）設けられている。

【0029】

ガス流入通路５２は、ベースプレート３０の下面（ウエハ載置台１０のうちウエハ載置面２１とは反対側の面）からガス共通通路５４の一端に至るように設けられている。ガス流入通路５２は、ガス共通通路５４に連通するガス流出通路５６の数よりも少ない数、ここでは１つ設けられている。

【0030】

絶縁スリーブ６０は、図３に示すように、ベースプレート３０を上下方向に貫通するベースプレート貫通穴３１に配置されている。絶縁スリーブ６０は、電気絶縁性材料（例えばセラミックプレート２０と同じ材料）で作製されている。ベースプレート貫通穴３１は、冷媒流路３２を貫通しないように設けられている。絶縁スリーブ６０は、図４に示すように、分離不能な１つの円柱体であり、ガス共通通路５４の一部を構成する第１連通穴６４と、ガス流出通路５６の一部を構成する第２連通穴６６とを有している。第１連通穴６４は、水平方向に沿って設けられている。本実施形態では、第１連通穴６４は、図６に示すように、平面視したときに第２連通穴６６を中心として等角度（又はほぼ等角度）ごとに３つの方向に放射状に形成されている。第１連通穴６４は、絶縁スリーブ６０の中心から半径外方向に向かって拡径していることが好ましい。第２連通穴６６は、図３に示すように、絶縁スリーブ６０の中心軸に沿って複数の第１連通穴６４の交点から絶縁スリーブ６０の上面に至るように設けられている。第２連通穴６６は、セラミックプレート２０のガス噴出穴２６と共にガス流出通路５６を構成する。第２連通穴６６は、螺旋部６７を有する。絶縁スリーブ６０の上部は、図３に示すように、導電性接合層４０を上下方向に貫通する接合層貫通穴４１に挿入され、絶縁性の樹脂接着層２８を介してセラミックプレート２０と接着されている。ベースプレート貫通穴３１の下部は、他の部分よりも径が大きい大径部３１ｄとなっている。絶縁スリーブ６０の下部は、絶縁スリーブ６０とベースプレート貫通穴３１の大径部３１ｄとの間に充填された樹脂接着層３８により接着固定されている。

【0031】

図７は、Ｃ字状のガス共通通路５４の中心線に沿ってウエハ載置台１０を上下方向に切断した断面図を平面に広げた様子を表す。図７は、ガス流入通路５２、ガス共通通路５４及びガス流出通路５６の接続関係を示す説明図であるため、これらと関係のない構成要素は省略した。複数の絶縁スリーブ６０の螺旋部６７の長さは、ガス流入通路５２に近いもの（つまり上流のもの）ほど長く、ガス流入通路５２から遠いもの（つまり下流のもの）ほど短くなっている。これにより、複数の絶縁スリーブ６０のガス通過抵抗は、ガス流入通路５２に近いものほど大きく、ガス流入通路５２から遠いものほど小さくなっている。螺旋部６７の長さは、螺旋部６７の巻き数としてもよい。このように、ガス通過抵抗は、ガス流出通路５６のうちガス共通通路５４からベースプレート３０の上面に至るまでの部分、すなわち第２連通穴６６で調整されている。各絶縁スリーブ６０の螺旋部６７の長さは、ガス流入通路５２にガスを導入したときに各ガス噴出穴２６から噴出するガスの流量が同じ（又はほぼ同じ）になるように設定されている。

【0032】

次に、ウエハ載置台１０の製造方法の一例について図８に基づいて説明する。図８はウエハ載置台１０の製造工程図である。ここでは、ベースプレート３０をＭＭＣで作製する場合を例示する。まず、静電電極２２及びヒータ電極２３を内蔵するセラミックプレート２０を準備する（図８Ａ）。例えば、静電電極２２及びヒータ電極２３を内蔵するセラミック粉末の成形体を作製し、その成形体をホットプレス焼成することにより、セラミックプレート２０を得る。続いて、そのセラミックプレート２０にガス噴出穴２６を形成する（図８Ｂ)。

【0033】

これと並行して、ＭＭＣ製の第１層～第３層３０ａ～３０ｃを準備する（図８Ｃ）。そして、マシニング加工により、第１層～第３層３０ａ～３０ｃに、適宜、溝や穴を形成する（図８Ｄ）。具体的には、第１層３０ａの下面に冷媒流路溝３４を形成する。それと共に、第１層３０ａに、第１層３０ａを上下方向に貫通する第１層貫通穴３１ａを形成する。また、第２層３０ｂに、第２層３０ｂを上下方向に貫通する第２層貫通穴３１ｂを形成し、第３層３０ｃに、第３層３０ｃを上下方向に貫通する段差付きの第３層貫通穴３１ｃを形成する。第１層貫通穴３１ａ～第３層貫通穴３１ｃは、ベースプレート貫通穴３１を構成するものである。また、第２層３０ｂの下面と第３層３０ｃの上面には、最終的にガス共通通路５４となる凹溝（図示せず）を形成する。例えばセラミックプレート２０がアルミナ製の場合、第１層～第３層３０ａ～３０ｃはＳｉＳｉＣＴｉ製かＡｌＳｉＣ製であることが好ましい。アルミナの熱膨張係数とＳｉＳｉＣＴｉやＡｌＳｉＣの熱膨張係数とは、概ね同じにすることができるからである。

【0034】

ＳｉＳｉＣＴｉ製の層（円板部材）は、例えば以下のように作製することができる。まず、炭化珪素と金属Ｓｉと金属Ｔｉとを混合して粉体混合物を作製する。次に、得られた粉体混合物を一軸加圧成形により円板状の成形体を作製し、その成形体を不活性雰囲気下でホットプレス焼結させることにより、ＳｉＳｉＣＴｉ製の円板部材を得る。

【0035】

続いて、第３層３０ｃと第２層３０ｂとの間に金属接合材８２を配置し、第２層３０ｂと第１層３０ａとの間に金属接合材８１を配置し、第１層３０ａとセラミックプレート２０との間に金属接合材８０を配置する（図８Ｅ）。金属接合材８０，８１，８２には、第１層貫通穴３１ａ～第３層貫通穴３１ｃと対向する位置に予め貫通穴を設けておく。また、金属接合材８１には、ガス共通通路５４を形成する位置に予め貫通穴（長穴）を設けておく。続いて、これらを積層して積層体とし、金属接合材８０，８１，８２の固相線温度以下（例えば、固相線温度から２０℃引いた温度以上固相線温度以下）の温度で積層体を加圧して接合し、その後室温に戻す。これにより、第１層３０ａ～第３層３０ｃは金属接合材８１，８２が変化した導電性接合層３０ｄ，３０ｅによって接合されてベースプレート３０になり、セラミックプレート２０とベースプレート３０とは金属接合材８０が変化した導電性接合層４０によって接合される（図８Ｆ）。また、第１層貫通穴３１ａ～第３層貫通穴３１ｃが繋がってベースプレート貫通穴３１になる。金属接合材８０，８１，８２としては、Ａｌ－Ｍｇ系接合材やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用することができる。例えば、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を用いてＴＣＢを行う場合、真空雰囲気下で加熱した状態で積層体を加圧する。

【0036】

続いて、ベースプレート貫通穴３１の底面に露出しているセラミックプレート２０に接着材としての樹脂ペーストを塗布し、ベースプレート貫通穴３１に絶縁スリーブ６０を挿入してセラミックプレート２０に接着し、最後に絶縁スリーブ６０の下部の周囲を樹脂ペーストでシールする。その結果、絶縁スリーブ６０の上部は樹脂接着層２８を介してセラミックプレート２０に接着され、絶縁スリーブ６０の下部は樹脂接着層３８によりシールされる。こうすることにより、ウエハ載置台１０が得られる（図８Ｇ）。

【0037】

次に、絶縁スリーブ６０の作製方法の一例について説明する。こうした絶縁スリーブ６０は、ＷＯ２０２０／２１７４０６の「３次元焼成体の製法」に準じて作製することができる。

【0038】

まず、絶縁スリーブ成形体を作製する。絶縁スリーブ成形体は、焼成後に絶縁スリーブ６０となるものである。絶縁スリーブ成形体の寸法は、焼成時に焼き締まることを考慮して、絶縁スリーブ６０の寸法に基づいて決定される。絶縁スリーブ成形体は、成形型を用いて作製される。成形型は、コップ状（有底筒状）の本体の内部に中子を有するものである。成形型のうち中子を除いた内部空間（成形用空間）の形状は、絶縁スリーブ成形体と同じ形状になっている。

【0039】

成形型は、周知の３Ｄプリンタによって作製される。３Ｄプリンタは、ヘッド部から硬化前流動物をステージに向かって吐出して硬化前層状物を形成し、その硬化前層状物を硬化させるという一連の操作を繰り返す。３Ｄプリンタは、硬化前流動物として、成形型のうち最終的に必要な部位を構成する材料であるモデル材と、成形型のうちモデル材を支える基礎部分であって最終的に除去される部位を構成するサポート材とを備えている。モデル材としては、所定の洗浄液（水、有機溶剤、酸、アルカリ溶液など）に不溶な材料（例えばパラフィンロウなどのワックス）を使用し、サポート材としては、所定の洗浄液に可溶な材料（例えばヒドロキシ化ワックス）を使用する。３Ｄプリンタは、成形型の下から上へ所定間隔ごとに水平方向に層状にスライスしたスライスデータを用いて構造物を造形する。スライスデータは、ＣＡＤデータを加工することにより作製される。スライスデータの中には、モデル材とサポート材とが混在したスライスデータもあれば、モデル材のみのスライスデータもある。３Ｄプリンタで造形された構造物は、洗浄液に浸漬して硬化後のサポート材を溶かして除去することにより、硬化後のモデル材のみからなる物体すなわち成形型が得られる。

【0040】

絶縁スリーブ成形体は、この成形型を用いてモールドキャスト成形により作製する。具体的には、成形型の成形用空間に、セラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを注入し、ゲル化剤を化学反応させてセラミックスラリーをゲル化させることにより、成形型の内部に絶縁スリーブ成形体を作製する。その後、内部に絶縁スリーブ成形体が作製された成形型の成形型のみを溶融除去あるいは燃焼除去することにより、絶縁スリーブ成形体を得る。最後にその絶縁スリーブ成形体を焼成し、焼成体の外形寸法を整えることにより、絶縁スリーブ６０を得る。

【0041】

次に、こうして構成されたウエハ載置台１０の使用例について説明する。まず、図示しないチャンバー内にウエハ載置台１０を設置した状態で、ウエハＷをウエハ載置面２１に載置する。そして、チャンバー内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、セラミックプレート２０の静電電極２２に直流電圧をかけて静電吸着力を発生させ、ウエハＷをウエハ載置面２１（具体的にはシールバンド２１ａの上面や円形小突起２１ｂの上面）に吸着固定する。また、ヒータ電極２３に通電してセラミックプレート２０を発熱させ、ウエハＷを所定温度に加熱する。更に、ガス流入通路５２には、図示しないガスボンベからバックサイドガスが導入される。バックサイドガスとしては、熱伝導ガス（例えばＨｅガス等）を用いる。ガス流入通路５２に導入されたバックサイドガスは、ガス共通通路５４を通って複数のガス流出通路５６に分配されてウエハＷの裏面とウエハ載置面２１の基準面２１ｃとの間の空間（ウエハＷの裏面とウエハ載置面２１のシールバンド２１ａ、円形小突起２１ｂ及び基準面２１ｃとで囲まれた空間）に充填され封入される。このバックサイドガスの存在により、ウエハＷとセラミックプレート２０との熱伝導が効率よく行われる。次に、チャンバー内を所定圧力（例えば数１０～数１００Ｐａ）の反応ガス雰囲気とし、この状態で、チャンバー内の天井部分に設けた図示しない上部電極とウエハ載置台１０のベースプレート３０との間にＲＦ電圧を印加させてプラズマを発生させる。ウエハＷの表面は、発生したプラズマによって処理される。ベースプレート３０の冷媒流路３２には、適時、冷媒が循環される。

【0042】

ガス流入通路５２に流入した熱伝導ガスは、図６に示すように、ガス共通通路５４のスリーブ挿通部５４ａの上流側から絶縁スリーブ６０に至ると、その一部は、絶縁スリーブ６０の第１連通穴６４に流入する。第１連通穴６４に流入したガスの一部は、第２連通穴６６及びガス噴出穴２６（つまりガス流出通路５６）を経てウエハＷの裏面の空間に供給され、残りは、別の第１連通穴６４を通過してガス共通通路５４のうち絶縁スリーブ６０の下流側に流れる。また、絶縁スリーブ６０の第１連通穴６４に流入しなかったガスは、絶縁スリーブ６０とガス共通通路５４のスリーブ挿通部５４ａとの隙間を通って絶縁スリーブ６０の下流側に流れる。

【0043】

バックサイドガスがウエハＷの裏面とウエハ載置面２１の基準面２１ｃとの間の空間に充填される前の段階では、バックサイドガスがその空間に徐々に溜まっていく。その段階で、ガス流出通路５６ごとにガス流量が異なっていると、セラミックプレート２０とウエハＷとの熱交換がウエハＷの場所ごとに異なってしまう。しかし、本実施形態では、複数のガス流出通路５６はガス流量が同じかほぼ同じになるようにガス通過抵抗が調整されているため、セラミックプレート２０とウエハＷとの熱交換がウエハＷの場所ごとに異なる事態が生じにくい。

【0044】

以上詳述したウエハ載置台１０では、ガス流入通路５２に導入されたガスは、ガス共通通路５４を通ってそのガス共通通路５４に複数設けられたガス流出通路５６に分配され、ガス流出通路５６を通ってウエハ載置面２１に流出する。ガス流入通路５２の数はガス流出通路５６の数よりも少ないため、ガス流入通路５２に外部から接続するガス導入管の数を少なくすることができる。また、複数のガス流出通路５６のうちガス流入通路５２に近いものは、ガス流入通路５２から遠いものに比べてガス通過抵抗が大きい。そのため、ガスがウエハＷの裏面とウエハ載置面２１の基準面２１ｃとの間の空間に充填される前の段階において、ガス共通通路５４に連通する複数のガス流出通路５６から流出するガスの流量に大きな差が生じない。したがって、その段階でウエハＷに温度ムラが生じて不具合が生じるのを抑制することができる。

【0045】

また、ガス通過抵抗は、ガス流出通路５６に設けられた螺旋部６７の長さによって調整されている。そのため、ガス通過抵抗の調整を比較的簡単な構成で実現することができる。

【0046】

また、ガス通過抵抗は、ガス流出通路５６のうちガス共通通路５４からベースプレート３０の上面に至るまでの部分で調整されている。ガス共通通路５４からベースプレート３０の上面に至るまでの部分は比較的長いため、その長い部分を利用してガス通過抵抗を比較的容易に調整することができる。

【0047】

また、セラミックプレート２０やベースプレート３０とは別体の絶縁スリーブ６０によってガス通過抵抗を調整している。そのため、ウエハ載置台１０の使用に伴ってガス流出通路５６の一部である絶縁スリーブ６０の第２連通穴６６が劣化した場合、絶縁スリーブ６０をベースプレート３０の下面側から取り外し、新たな絶縁スリーブ６０を取り付けることができる。したがって、放電防止のメンテナンスを容易に実施することができる。

【0048】

また、絶縁スリーブ６０は、分離不能な１つの円柱体であるため、絶縁スリーブが複数の部材で構成されている場合に比べて、交換作業が簡易になる。

【0049】

また、絶縁スリーブ６０の第１連通穴６４は、平面視で第２連通穴６６を中心として３つの方向に放射状に設けられている。そのため、ベースプレート貫通穴３１に絶縁スリーブ６０を挿入したときに、絶縁スリーブ６０の回転位置によらず、ガス共通通路５４の上流側から流れてきたガスを第２連通穴６６（ガス流出通路５６）へ送出することができる（図６）。

【0050】

また、絶縁スリーブ６０の外径は、ガス共通通路５４のスリーブ挿通部５４ａの幅よりも小さい。そのため、ガス共通通路５４の上流側から流れてきたガスの一部は、絶縁スリーブ６０の外側（絶縁スリーブ６０とスリーブ挿通部５４ａとの間）を通ってガス共通通路５４の下流側へと進むことができる（図６）。

【0051】

また、セラミックプレート２０とベースプレート３０とは、導電性接合層４０によって接合され、絶縁スリーブ６０は、その導電性接合層４０に挿入されている。これにより、ガス流出通路５６のうち導電性接合層４０を通過する部分も絶縁スリーブ６０によって覆われるため、その部分で放電が起こるのを防止することができる。

【0052】

また、絶縁スリーブ６０の上面は、樹脂接着層２８を介してセラミックプレート２０と接着され、絶縁スリーブ６０の下部は、樹脂接着層３８を介してベースプレート３０に取り付けられている。そのため、絶縁スリーブ６０の上面側の絶縁性を確保することができるし、ガスが絶縁スリーブ６０の外周から外部へ漏出するのを防止することができる。

【0053】

また、ガス流入通路５２は、１つのガス共通通路５４に対して１つ設けられている。そのため、ベースプレート３０に設けるガス流入通路５２の数を極力少なくすることができる。

【0054】

また、絶縁スリーブ６０の第１連通穴６４の高さは、ガス共通通路５４の高さを包含している。そのため、絶縁スリーブ６０をベースプレート貫通穴３１に挿入したときに絶縁スリーブ６０の第１連通穴６４がベースプレート３０のガス共通通路５４に対して上下方向にずれてガス共通通路５４の断面を狭めてしまうおそれが少ない。

【0055】

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

【0056】

上述した実施形態では、ガス共通通路５４の一端にガス流入通路５２を接続したが、特にこれに限定されない。例えば、図９に示すように、平面視でＣ字状のガス共通通路１５４の中央からウエハ載置台１０の中心に向かって水平方向に延びるガス補助通路１５３を形成し、そのガス補助通路１５３の端部に、ベースプレート３０の下面から上下方向に延びるガス流入通路１５２を接続してもよい。この場合、ガス共通通路１５４の両端のそれぞれにスリーブ挿通部５４ａ及び絶縁スリーブ６０が設けられる。ガス流入通路１５２に導入されたガスは、ガス補助通路１５３からガス共通通路５４に至ると、時計方向と反時計方向の二手に分かれて流れていく（図９の矢印参照）。複数の絶縁スリーブ６０のうちガス流入通路１５２に近いもの（つまり上流のもの）は、ガス流入通路１５２から遠いもの（つまり下流のもの）に比べて、第２連通穴のガス通過抵抗が大きくなっている。したがって、図９においても、上述した実施形態と同様の作用効果を奏する。なお、図９では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。

【0057】

上述した実施形態では、絶縁スリーブ６０は分離不能な一つの部材としたが、特にこれに限定されない。例えば、絶縁スリーブ６０の代わりに、図１０に示すように、互いに独立した下部円柱体１６１と上部円柱体１６２とを備えた絶縁スリーブ１６０を用いてもよい。図１０Ａは絶縁スリーブ１６０の斜視図、図１０Ｂはその縦断面図である。下部円柱体１６１及び上部円柱体１６２は、電気絶縁性材料（例えばセラミックプレート２０と同じ材料）で作製されている。下部円柱体１６１は、中実の円柱体である。下部円柱体１６１の上面と上部円柱体１６２の下面との間には、隙間が形成されている。この隙間は、ガス共通通路５４の一部を構成する第１連通穴１６１ａである。上部円柱体１６２は、第２連通穴１６２ａを有している。第２連通穴１６２ａは、ガス噴出穴２６に連通し、ガス噴出穴２６と共にガス流出通路５６を構成する。第２連通穴１６２ａは、上部円柱体１６２の下面から上方の所定の高さまでの区間（大径の収納部）に多孔質円柱体１６２ｂを備えている。収納部の高さは、多孔質円柱体１６２ｂの高さと同じである。多孔質円柱体１６２ｂは、収納部に圧入され、上下方向にガスが流通可能となっている。多孔質円柱体１６２ｂは、電気絶縁性材料（例えばセラミックプレート２０と同じ材料）で作製されている。こうした絶縁スリーブ１６０は、ガス共通通路５４に複数設けられるが、ガス流入通路５２に近いもの（上流のもの）ほど収納部及び多孔質円柱体１６２ｂの上下方向の長さが長く（つまりガス流通抵抗が大きく）、ガス流入通路５２から遠いもの（下流のもの）ほど収納部及び多孔質円柱体１６２ｂの上下方向の長さが短く（つまりガス流通抵抗が小さく）なっている。こうした絶縁スリーブ１６０を用いた場合でも、上述した実施形態と同様の効果を奏する。但し、絶縁スリーブ１６０は２つの独立した部材で構成されているため、絶縁スリーブ６０に比べて、交換作業がやや煩雑になる。なお、多孔質円柱体１６２ｂの上下方向の長さによってガス通過抵抗を調整する代わりに、多孔質円柱体１６２ｂの密度によってガス通過抵抗を調整してもよい。しかし、調整しやすさを考慮すると、多孔質円柱体１６２ｂの上下方向の長さによって調整するのが好ましい。

【0058】

上述した実施形態では、絶縁スリーブ６０の第２連通穴６６に設けられた螺旋部６７の長さでガス通過抵抗を調節するようにしたが、特にこれに限定されない。例えば、螺旋部６７の通路断面積（例えば穴径）でガス通過抵抗を調節してもよい。あるいは、絶縁スリーブ６０の第２連通穴６６について螺旋部６７を廃止して直線状に形成し、第１連通穴６４と第２連通穴６６との交点にニードルバルブを取り付け、ニードルバルブのねじ込み量によって第１連通穴６４から第２連通穴６６へ向かう通路断面積を調整してガス通過抵抗を調整してもよい。但し、断面積は僅かの違いでガス通過抵抗が大きく変化するため、製造時の作業性を考慮すると、断面積ではなく長さでガス通過抵抗を調節するのが好ましい。

【0059】

上述した実施形態では、絶縁スリーブ６０の第１連通穴６４を、平面視で第２連通穴６６を中心として３方向に放射状に設けたが、４方向以上に放射状に設けてもよい。図１１は、平面視で第２連通穴６６を中心として第１連通穴２６４を４方向に放射状に設けた例の説明図である。ここでは、４つの第１連通穴２６４は等角度（ほぼ等角度）ごとに設けられている。このようにしても、絶縁スリーブ６０をベースプレート貫通穴３１に取り付ける際に、第１連通穴２６４の向きを考慮する必要がない。あるいは、図１２に示すように、平面視で第２連通穴６６と交差する直線状の第１連通穴３６４を設けてもよい。その場合、絶縁スリーブ６０をベースプレート貫通穴３１に取り付ける際に、直線状の第１連通穴３６４の向きをガス共通通路５４の向きに合わせる作業が必要になる。なお、図１１及び図１２では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。

【0060】

上述した実施形態では、絶縁スリーブ６０の下部を樹脂接着層３８によりベースプレート貫通穴３１の大径部３１ｄに接着してシールしたが、特にこれに限定されない。例えば、図１３に示すように、絶縁スリーブ６０とベースプレート貫通穴３１の大径部３１ｄとの間にシールリング３９を配置して、ガスが絶縁スリーブ６０の外周から外部へ漏出するのを防止してもよい。シールリング３９は、金属製でもよいし、樹脂製でもよい。なお、図１３では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。

【0061】

上述した実施形態では、ガス共通通路５４のスリーブ挿通部５４ａと絶縁スリーブ６０との間にガスが通過可能な隙間を設けたが、特にこれに限定されない。例えば、ガス共通通路５４にスリーブ挿通部５４ａを形成せず、絶縁スリーブ６０の外径をガス共通通路５４の幅よりも小さくなるようにしてもよい。このようにしても、上述した実施形態と同様の作用効果を奏する。あるいは、図１４に示すように、円弧状に膨らんだスリーブ挿通部５４ａを省略し、絶縁スリーブ６０の外径をガス共通通路５４の幅と一致（あるいはほぼ一致）させてもよい。なお、図１４では、上述した実施形態と同じ構成要素には同じ符号を付した。この場合、ガスは絶縁スリーブ６０の外側を通ってガス共通通路５４の下流側へと進むことはできないが、それ以外は上述した実施形態と同様の作用効果を奏する。

【0062】

上述した実施形態では、ガス流出通路５６の一部を構成する第２連通穴６６に螺旋部６７を設けたが、螺旋部６７の代わりにジグザグ部を設けて、そのジグザグ部の長さ等でガス通路抵抗を調整してもよい。

【0063】

上述した実施形態では、ガス流出通路５６のうちベースプレート３０内の第２連通穴６６でガス通過抵抗を調整したが、特にこれに限定されない。例えば、ガス流出通路５６のうちセラミックプレート２０内のガス噴出穴２６でガス通過抵抗を調整してもよい。

【0064】

上述した実施形態では、ガス共通通路５４をベースプレート３０に設けたが、ガス共通路をセラミックプレート２０に設けてもよい。その場合、ガス通過抵抗は、ガス共通通路からウエハ載置面に至るまでの通路で調整される。

【0065】

上述した実施形態では、ガス流入通路５２の数は、ガス共通通路５４に対して１つとしたが、ガス共通通路５４に設けられているガス流出通路５６の数よりも少ない数であればよい。例えば、ガス共通通路５４に対してガス流入通路５２の数が２つある場合、複数のガス流出通路５６がガス流入通路５２に近いか遠いかを判断するにあたっては、ガス流出通路５６から近い方のガス流入通路５２までの距離を用いて判断すればよい。

【0066】

上述した実施形態では、ガス共通通路５４は、平面視でＣ字状としたが、特にこれに限定されない。例えば、平面視で渦巻き状としてもよい。また、平面視でＣ字状のガス共通通路５４を複数の同心円に沿って複数設けてもよい。

【0067】

上述した実施形態では、セラミックプレート２０に静電電極２２及びヒータ電極２３を内蔵したが、特にこれに限定されない。例えば、セラミックプレート２０に静電電極２２及びヒータ電極２３のいずれか一方のみを内蔵してもよい。あるいは、ヒータ電極２３を厚さ方向に二段又はそれ以上となるように内蔵してもよい。

【0068】

上述した実施形態において、ウエハ載置台１０を貫通するリフトピン穴を設けてもよい。リフトピン穴は、ウエハ載置面２１に対してウエハＷを上下させるリフトピンを挿通するための穴である。リフトピン穴は、ウエハＷを例えば３本のリフトピンで支持する場合には３箇所に設けられる。

【0069】

上述した実施形態では、セラミックプレート２０はセラミック粉末の成形体をホットプレス焼成することにより作製したが、そのときの成形体は、テープ成形体を複数枚積層して作製してもよいし、モールドキャスト法によって作製してもよいし、セラミック粉末を押し固めることによって作製してもよい。

【産業上の利用可能性】

【0070】

本発明の半導体製造装置用部材は、例えばウエハをプラズマなどで処理する分野に利用可能である。

【符号の説明】

【0071】

１０ ウエハ載置台、２０ セラミックプレート、２１ ウエハ載置面、２１ａ シールバンド、２１ｂ 円形小突起、２１ｃ 基準面、２２ 静電電極、２３ ヒータ電極、２６ ガス噴出穴、２８ 樹脂接着層、３０ ベースプレート、３０ａ 第１層、３０ｂ 第２層、３０ｃ 第３層、３０ｄ，３０ｅ 導電性接合層、３１ ベースプレート貫通穴、３１ａ 第１層貫通穴、３１ｂ 第２層貫通穴、３１ｃ 第３層貫通穴、３１ｄ 大径部、３２ 冷媒流路、３４ 冷媒流路溝、３８ 樹脂接着層、３９ シールリング、４０ 導電性接合層、４１ 接合層貫通穴、５２ ガス流入通路、５４ ガス共通通路、５４ａ スリーブ挿通部、５６ ガス流出通路、６０ 絶縁スリーブ、６４ 第１連通穴、６６ 第２連通穴、６７ 螺旋部、８０，８１，８２ 金属接合材、１５２ ガス流入通路、１５３ ガス補助通路、１５４ ガス共通通路、１６０ 絶縁スリーブ、１６１ 下部円柱体、１６１ａ 第１連通穴、１６２ 上部円柱体、１６２ａ 第２連通穴、１６２ｂ 多孔質円柱体、２６４，３６４ 第１連通穴。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】